WO2017057011A1 - 半導体装置及び制御装置 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and a control device that control a current in a predetermined direction by controlling a field effect transistor having a parasitic diode on or off.
  • a MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • Patent Document 1 discloses an ideal diode circuit that includes a field effect transistor and a comparator that compares the source voltage and drain voltage of the field effect transistor, and activates the field effect transistor based on the comparison result of the comparator.
  • the starter and auxiliary battery side become higher voltage, and current may flow through the parasitic diode.
  • the on-resistance of the parasitic diode is large, there is a problem that when a large current flows, high heat is generated and the MOSFET may be burned out.
  • the present invention has been made in view of the above-described circumstances, and an object thereof is to provide a semiconductor device in which a field-effect transistor is not burned by a current flowing through a parasitic diode. Another object of the present invention is to provide a control device that controls a semiconductor device in which a field effect transistor does not burn out due to a current flowing through a parasitic diode.
  • a semiconductor device includes a field effect transistor having a parasitic diode, a temperature detector for detecting the temperature of the parasitic diode, and determining whether the temperature detected by the temperature detector is equal to or higher than a first temperature. And a control unit that turns on the field-effect transistor when it is determined that the temperature is equal to or higher than the first temperature.
  • the field effect transistor has a parasitic diode
  • the temperature detector detects the temperature of the parasitic diode of the field effect transistor.
  • the control unit determines whether or not the temperature detected by the temperature detector is equal to or higher than the first temperature. When the control unit determines that the temperature is equal to or higher than the first temperature, the field effect transistor is turned on.
  • control unit determines whether the temperature detected by the temperature detector is equal to or higher than a first temperature when the field effect transistor is off, and is equal to or higher than the first temperature. If it is determined that, the field effect transistor is turned on.
  • control unit determines whether or not the temperature detected by the temperature detector is equal to or higher than the first temperature when the field effect transistor is off. When it is determined that the temperature is equal to or higher than the first temperature, the control unit turns on the field effect transistor.
  • the controller determines whether the temperature detected by the temperature detector is equal to or lower than a second temperature lower than the first temperature after turning on the field effect transistor. When it is determined that the temperature is equal to or lower than the second temperature, the field effect transistor is turned off.
  • control unit determines whether the temperature detected by the temperature detector is equal to or lower than the second temperature lower than the first temperature after turning on the field effect transistor. When it is determined that the temperature is equal to or lower than the second temperature, the control unit turns off the field effect transistor.
  • the control device includes an acquisition unit that acquires a temperature detected by a temperature detector that detects a temperature of a parasitic diode included in a field effect transistor, and whether the temperature acquired by the acquisition unit is equal to or higher than a first temperature.
  • a determination unit that determines whether or not, and a control unit that turns on the field effect transistor when the determination unit determines that the temperature is equal to or higher than the first temperature.
  • the acquisition unit acquires the temperature detected by the temperature detector that detects the temperature of the parasitic diode of the field effect transistor.
  • the determination unit determines whether the temperature acquired by the acquisition unit is equal to or higher than the first temperature, and the control unit determines that the determination unit is equal to or higher than the first temperature, the field effect transistor is turned on. .
  • the determination unit determines whether the temperature acquired by the acquisition unit is equal to or higher than a first temperature when the field effect transistor is off, and the determination unit When it is determined that the temperature is equal to or higher than one temperature, the control unit turns on the field effect transistor.
  • the determination unit determines whether or not the temperature acquired by the acquisition unit is equal to or higher than the first temperature when the field effect transistor is off. When the determination unit determines that the temperature is equal to or higher than the first temperature, the control unit turns on the field effect transistor.
  • the determination unit determines whether the temperature acquired by the acquisition unit is equal to or lower than a second temperature lower than the first temperature. When the determination unit determines that the temperature is equal to or lower than the second temperature, the control unit turns off the field effect transistor.
  • the determination unit determines whether the temperature acquired by the acquisition unit is equal to or lower than a second temperature lower than the first temperature. When the determination unit determines that the temperature is equal to or lower than the second temperature, the control unit turns off the field effect transistor.
  • the semiconductor device of the present invention it is possible to realize a semiconductor device in which the field effect transistor is not burned by the current flowing through the parasitic diode.
  • the control device of the present invention it is possible to realize a control device that controls a semiconductor device in which a field effect transistor is not burned by a current flowing through a parasitic diode.
  • FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of a semiconductor device and a control device according to a first embodiment.
  • This semiconductor device is used in a vehicle power supply device, and includes an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 3, a temperature detector 5, a control unit 6, and an external ECU 4.
  • the MOSFET 3 includes a parasitic diode 10, an external ECU 4 and a control unit 6 at a gate, and positive terminals of vehicle loads such as a main battery 7, an alternator (alternator) 8, and a car navigation 9 at a drain. Is connected.
  • the MOSFET 3 has a source connected to each positive terminal of the auxiliary battery 1 and starter 2 of the vehicle.
  • the temperature detector 5 detects the temperature of the parasitic diode 10 and gives the detected temperature value T to the control unit 6.
  • the control unit (receiving unit, determination unit) 6 determines whether or not the temperature value T given from the temperature detector 5 is equal to or higher than the first temperature value T1, and if it is equal to or higher than the first temperature value T1, the MOSFET 3 Turn on. Further, after the MOSFET 3 is turned on, it is determined whether or not the temperature value T given from the temperature detector 5 is equal to or lower than the second temperature value T2 ( ⁇ T1). The MOSFET 3 is turned off.
  • the external ECU 4 is linked to an ignition key (not shown). Based on the behavior of the ignition key, the external ECU 4 detects the starter 2 in advance, turns off the MOSFET 3, and after the starter 2 is started, turns the MOSFET 3 back on.
  • the gate of the MOSFET 3 and the output terminals of the external ECU 4 and the control unit 6 are connected to a wired OR. That is, if both or any of the output terminals of the external ECU 4 and the control unit 6 are at the H level, the MOSFET 3 is turned on. If both the output terminals of the external ECU 4 and the control unit 6 are at the L level, the MOSFET 3 is turned off. become.
  • the main battery 7 has a positive terminal connected to the drain of the MOSFET 3 and a negative terminal grounded, and stores the electric power generated by the alternator 8.
  • the alternator 8 has a positive terminal connected to the drain of the MOSFET 3 and a negative terminal grounded.
  • the alternator 8 rectifies and outputs electric power generated in conjunction with an engine (not shown).
  • the starter 2 is a starter motor for starting the engine, the plus terminal is connected to the source of the MOSFET 3, and the minus terminal is grounded.
  • the auxiliary battery 1 is dedicated to the starter 2, the plus terminal is connected to the source of the MOSFET 3, and the minus terminal is grounded.
  • the external ECU 4 turns off the MOSFET 3 when detecting the start of the starter 2 in advance. In this state, when the source side of the MOSFET 3 has a higher voltage than the drain side, a current flows through the parasitic diode 10 and the parasitic diode 10 generates heat.
  • the control unit 6 always acquires the temperature value T detected by the temperature detector 5 (S1), and determines whether or not the acquired temperature value T is equal to or higher than the first temperature value T1 (S3). ). If the acquired temperature value T is not equal to or higher than the first temperature value T1 (S3), the control unit 6 continues to acquire the temperature value T detected by the temperature detector 5 (S1). If the acquired temperature value T is equal to or higher than the first temperature value T1 (S3), the controller 6 turns on the MOSFET 3 (S5) and then acquires the temperature value T detected by the temperature detector 5 continuously. (S7).
  • the controller 6 determines whether or not the acquired temperature value T (S7) is equal to or lower than the second temperature value T2 that is lower than the first temperature value T1 (S9), and is equal to or lower than the second temperature value T2. If not, the temperature value T detected by the temperature detector 5 is continuously acquired (S7). If the acquired temperature value T (S7) is equal to or less than the second temperature value T2 (S9), the control unit 6 turns off the MOSFET 3 (S11) and then continues to detect the temperature value T detected by the temperature detector 5 Is acquired (S1). At this time, if the engine has already been started and the external ECU 4 has returned the MOSFET 3 to ON, the MOSFET 3 is kept ON regardless of the OFF operation of the control unit 6.
  • FIG. 3 is a block diagram illustrating a schematic configuration of the semiconductor device and the control device according to the second embodiment.
  • This semiconductor device is used in a vehicle power supply device, and includes an N-channel MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 3, a temperature detector 5, a control unit 6a, and an external ECU 4a.
  • MOSFET metal oxide semiconductor field effect transistor
  • the control unit (receiving unit, determination unit) 6a is notified of the on / off state of the MOSFET 3 from the external ECU 4a.
  • the temperature value T given from the temperature detector 5 is the first temperature. It is determined whether or not the value is equal to or greater than T1. If the temperature value T is equal to or higher than the first temperature value T1, the control unit 6a turns on the MOSFET 3. Further, after the MOSFET 3 is turned on, it is determined whether or not the temperature value T given from the temperature detector 5 is equal to or lower than the second temperature value T2 ( ⁇ T1). The MOSFET 3 is turned off.
  • the external ECU 4a is linked to an ignition key (not shown). Based on the behavior of the ignition key, the external ECU 4a detects the starter 2 in advance, turns off the MOSFET 3, and after the starter 2 starts, turns the MOSFET 3 back on. Further, the controller 6a is notified of the on / off state of the MOSFET 3.
  • the gate of the MOSFET 3 and the output terminals of the external ECU 4a and the control unit 6a are connected to a wired OR. That is, if both or any of the output terminals of the external ECU 4a and the control unit 6a are at the H level, the MOSFET 3 is turned on. If both the output terminals of the external ECU 4a and the control unit 6a are at the L level, the MOSFET 3 is turned off. become.
  • Other configurations of the semiconductor device and the control device are the same as those described in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • the external ECU 4a detects in advance that the starter 2 has started, the external ECU 4a turns off the MOSFET 3 and notifies the control unit 6a that the MOSFET 3 is in an off state. In this state, when the source side of the MOSFET 3 has a higher voltage than the drain side, a current flows through the parasitic diode 10 and the parasitic diode 10 generates heat.
  • the controller 6a always determines whether or not the MOSFET 3 is off (S21), and if the MOSFET 3 is off, acquires the temperature value T detected by the temperature detector 5 (S23). If the MOSFET 3 is not off, the controller 6a determines again whether the MOSFET 3 is off (S21). The controller 6a determines whether or not the acquired temperature value T (S23) is equal to or higher than the first temperature value T1 (S25). If the temperature value T is not equal to or higher than the first temperature value T1, whether or not the MOSFET 3 is off. Is determined (S21).
  • the controller 6a turns on the MOSFET 3 (S27), and then acquires the temperature value T detected by the temperature detector 5 (S29). ). The controller 6a determines whether or not the acquired temperature value T (S29) is equal to or lower than the second temperature value T2 that is lower than the first temperature value T1 (S31). The temperature value T detected by the temperature detector 5 is acquired again (S29).
  • the controller 6a turns off the MOSFET 3 (S33), and then determines whether the MOSFET 3 is off (S21). ). At this time, if the engine has already been started and the external ECU 4a has returned the MOSFET 3 to ON, the MOSFET 3 is maintained ON regardless of the OFF operation of the control unit 6a.
  • the present invention can be used for a semiconductor device and a control device used in a power supply device mounted on a vehicle.

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Abstract

寄生ダイオードに流れる電流により、電界効果トランジスタが焼損しない半導体装置を提供する。　寄生ダイオード（１０）を有する電界効果トランジスタ（３）と、寄生ダイオード（１０）の温度を検出する温度検出器（５）と、温度検出器（５）が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、第１温度以上であると判定した場合は、電界効果トランジスタ（３）をオンにする制御部（６）とを備える構成である。

Description

半導体装置及び制御装置
　本発明は、寄生ダイオードを有する電界効果トランジスタをオン又はオフに制御することにより、所定方向の電流を制御する半導体装置及び制御装置に関するものである。
　車両用の電源装置では、スタータ（モータ）始動時に大電流が流れて、大きな電圧降下が瞬間的に生じ、他の車載負荷（ＥＣＵ（Electronic Control Unit）、カーナビゲーション等）に影響が及ぶ虞がある。その為、最近は、スタータ専用の補助バッテリを備え、スタータ始動時は、ＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）を使用して、スタータ及び補助バッテリを他の車載負荷から隔離して、電圧降下の影響を防止する車両がある。
　特許文献１には、電界効果トランジスタと、電界効果トランジスタのソース電圧及びドレイン電圧を比較するコンパレータとを備え、コンパレータの比較結果に基づき、電界効果トランジスタを活性化する理想ダイオード回路が開示されている。
特開２０１３－２５５４２５号公報
　上述した電源装置では、ＭＯＳＦＥＴをオフにして、スタータ及び補助バッテリ側を隔離している期間に、スタータ及び補助バッテリ側がより高圧になり、寄生ダイオードを通じて、電流が流れることがある。この場合、寄生ダイオードのオン抵抗が大きいので、大電流が流れると、高熱が発生し、ＭＯＳＦＥＴが焼損する可能性があるという問題がある。
　本発明は、上述したような事情に鑑みてなされたものであり、寄生ダイオードに流れる電流により、電界効果トランジスタが焼損しない半導体装置を提供することを目的とする。
　本発明は、また、寄生ダイオードに流れる電流により、電界効果トランジスタが焼損しない半導体装置を制御する制御装置を提供することを目的とする。
　本発明に係る半導体装置は、寄生ダイオードを有する電界効果トランジスタと、前記寄生ダイオードの温度を検出する温度検出器と、該温度検出器が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、第１温度以上であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオンにする制御部とを備えることを特徴とする。
　この半導体装置では、電界効果トランジスタが寄生ダイオードを有しており、温度検出器が、電界効果トランジスタの寄生ダイオードの温度を検出する。制御部が、温度検出器が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、第１温度以上であると判定した場合は、電界効果トランジスタをオンにする。
　本発明に係る半導体装置は、前記制御部は、前記電界効果トランジスタがオフである場合に、前記温度検出器が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、第１温度以上であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオンにすることを特徴とする。
　この半導体装置では、制御部は、電界効果トランジスタがオフである場合に、温度検出器が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定する。制御部は、第１温度以上であると判定した場合は、電界効果トランジスタをオンにする。
　本発明に係る半導体装置は、前記制御部は、前記電界効果トランジスタをオンにした後、前記温度検出器が検出した温度が、前記第１温度より低い第２温度以下であるか否かを判定し、第２温度以下であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオフにすることを特徴とする。
　この半導体装置では、制御部は、電界効果トランジスタをオンにした後、温度検出器が検出した温度が、第１温度より低い第２温度以下であるか否かを判定する。制御部は、第２温度以下であると判定した場合は、電界効果トランジスタをオフにする。
　本発明に係る制御装置は、電界効果トランジスタが有する寄生ダイオードの温度を検出する温度検出器により検出された温度を取得する取得部と、該取得部が取得した温度が第１温度以上であるか否かを判定する判定部と、該判定部が第１温度以上であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオンにする制御部とを備えることを特徴とする。
　この制御装置では、取得部が、電界効果トランジスタが有する寄生ダイオードの温度を検出する温度検出器により検出された温度を取得する。判定部が、取得部が取得した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、制御部は、判定部が第１温度以上であると判定した場合は、電界効果トランジスタをオンにする。
　本発明に係る制御装置は、前記判定部は、前記電界効果トランジスタがオフである場合に、前記取得部が取得した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、前記判定部が第１温度以上であると判定した場合は、前記制御部が前記電界効果トランジスタをオンにすることを特徴とする。
　この制御装置では、判定部は、電界効果トランジスタがオフである場合に、取得部が取得した温度が第１温度以上であるか否かを判定する。制御部は、判定部が第１温度以上であると判定した場合は、電界効果トランジスタをオンにする。
　本発明に係る制御装置は、前記制御部が前記電界効果トランジスタをオンにした後、前記判定部は、前記取得部が取得した温度が、前記第１温度より低い第２温度以下であるか否かを判定し、前記判定部が第２温度以下であると判定した場合は、前記制御部が前記電界効果トランジスタをオフにすることを特徴とする。
　この制御装置では、制御部が電界効果トランジスタをオンにした後、判定部が、取得部が取得した温度が、第１温度より低い第２温度以下であるか否かを判定する。制御部は、判定部が第２温度以下であると判定した場合は、電界効果トランジスタをオフにする。
　本発明に係る半導体装置によれば、寄生ダイオードに流れる電流により、電界効果トランジスタが焼損しない半導体装置を実現することができる。
　本発明に係る制御装置によれば、寄生ダイオードに流れる電流により、電界効果トランジスタが焼損しない半導体装置を制御する制御装置を実現することができる。
半導体装置及び制御装置の実施例の概略構成を示すブロック図である。 半導体装置及び制御装置の動作の例を示すフローチャートである。 半導体装置及び制御装置の実施例の概略構成を示すブロック図である。 半導体装置及び制御装置の動作の例を示すフローチャートである。
　以下に、本発明をその実施例を示す図面に基づき説明する。
　図１は、半導体装置及び制御装置の実施例１の概略構成を示すブロック図である。
　この半導体装置は、車両の電源装置に使用されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）３、温度検出器５、制御部６及び外部ＥＣＵ４を備えている。
　ＭＯＳＦＥＴ３は、寄生ダイオード１０を内蔵しており、ゲートに外部ＥＣＵ４及び制御部６が、ドレインに車両の主バッテリ７、オルタネータ（交流発電機）８、及びカーナビゲーション９等の車載負荷の各プラス端子が接続されている。
　ＭＯＳＦＥＴ３は、また、ソースに車両の補助バッテリ１及びスタータ２の各プラス端子が接続されている。
　温度検出器５は、寄生ダイオード１０の温度を検出し、検出した温度値Ｔを制御部６に与える。
　制御部（受取り部、判定部）６は、温度検出器５から与えられた温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上であるか否かを判定し、第１温度値Ｔ１以上であれば、ＭＯＳＦＥＴ３をオンにする。また、ＭＯＳＦＥＴ３をオンにした後、温度検出器５から与えられた温度値Ｔが、第２温度値Ｔ２（＜Ｔ１）以下であるか否かを判定し、第２温度値Ｔ２以下であれば、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにする。
　外部ＥＣＵ４は、図示しないイグニッションキーに連動しており、イグニッションキーの挙動に基づき、スタータ２の始動を予め察知して、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにし、スタータ２が始動した後、ＭＯＳＦＥＴ３をオンに復帰させる。
　尚、ＭＯＳＦＥＴ３のゲート、並びに外部ＥＣＵ４及び制御部６の各出力端子は、ワイヤードＯＲに接続されている。即ち、外部ＥＣＵ４及び制御部６の出力端子の両方又は何れかがＨレベルであれば、ＭＯＳＦＥＴ３はオンになり、外部ＥＣＵ４及び制御部６の出力端子の両方がＬレベルであれば、ＭＯＳＦＥＴ３はオフになる。
　主バッテリ７は、プラス端子がＭＯＳＦＥＴ３のドレインに接続され、マイナス端子が接地されており、オルタネータ８が発電した電力を蓄電する。
　オルタネータ８は、プラス端子がＭＯＳＦＥＴ３のドレインに接続され、マイナス端子は接地されており、図示しないエンジンに連動して発電した電力を整流して出力する。
　スタータ２は、エンジンを始動する為のスタータモータであり、プラス端子がＭＯＳＦＥＴ３のソースに接続され、マイナス端子は接地されている。
　補助バッテリ１は、スタータ２専用であり、プラス端子がＭＯＳＦＥＴ３のソースに接続され、マイナス端子は接地されている。
　以下に、このような構成の半導体装置及び制御装置の動作を、それを示す図２のフローチャートを参照しながら説明する。
　外部ＥＣＵ４は、スタータ２の始動を予め察知すると、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにする。この状態で、ＭＯＳＦＥＴ３のソース側がドレイン側より高圧になると、寄生ダイオード１０を通じて電流が流れ、寄生ダイオード１０が発熱する。
　制御部６は、常時、温度検出器５が検出している温度値Ｔを取得しており（Ｓ１）、取得した温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上であるか否かを判定する（Ｓ３）。
　制御部６は、取得した温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上でなければ（Ｓ３）、引続き温度検出器５が検出している温度値Ｔを取得する（Ｓ１）。
　制御部６は、取得した温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上であれば（Ｓ３）、ＭＯＳＦＥＴ３をオンにした（Ｓ５）後、引続き温度検出器５が検出している温度値Ｔを取得する（Ｓ７）。
　次に、制御部６は、取得した温度値Ｔ（Ｓ７）が、第１温度値Ｔ１より低い第２温度値Ｔ２以下であるか否かを判定し（Ｓ９）、第２温度値Ｔ２以下でなければ、引続き温度検出器５が検出している温度値Ｔを取得する（Ｓ７）。
　制御部６は、取得した温度値Ｔ（Ｓ７）が第２温度値Ｔ２以下であれば（Ｓ９）、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにした（Ｓ１１）後、引続き温度検出器５が検出している温度値Ｔを取得する（Ｓ１）。この際、既にエンジンが始動し、外部ＥＣＵ４が、ＭＯＳＦＥＴ３をオンに復帰させていれば、制御部６のオフ動作に関係なく、ＭＯＳＦＥＴ３はオンに維持される。
　図３は、半導体装置及び制御装置の実施例２の概略構成を示すブロック図である。
　この半導体装置は、車両の電源装置に使用されており、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）３、温度検出器５、制御部６ａ及び外部ＥＣＵ４ａを備えている。
　制御部（受取り部、判定部）６ａは、外部ＥＣＵ４ａからＭＯＳＦＥＴ３のオン／オフ状態を通知されており、ＭＯＳＦＥＴ３がオフである場合に、温度検出器５から与えられた温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上であるか否かを判定する。
　制御部６ａは、温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上であれば、ＭＯＳＦＥＴ３をオンにする。また、ＭＯＳＦＥＴ３をオンにした後、温度検出器５から与えられた温度値Ｔが、第２温度値Ｔ２（＜Ｔ１）以下であるか否かを判定し、第２温度値Ｔ２以下であれば、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにする。
　外部ＥＣＵ４ａは、図示しないイグニッションキーに連動しており、イグニッションキーの挙動に基づき、スタータ２の始動を予め察知して、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにし、スタータ２が始動した後、ＭＯＳＦＥＴ３をオンに復帰させる。また、ＭＯＳＦＥＴ３のオン／オフ状態を制御部６ａへ通知する。
　尚、ＭＯＳＦＥＴ３のゲート、並びに外部ＥＣＵ４ａ及び制御部６ａの各出力端子は、ワイヤードＯＲに接続されている。即ち、外部ＥＣＵ４ａ及び制御部６ａの出力端子の両方又は何れかがＨレベルであれば、ＭＯＳＦＥＴ３はオンになり、外部ＥＣＵ４ａ及び制御部６ａの出力端子の両方がＬレベルであれば、ＭＯＳＦＥＴ３はオフになる。半導体装置及び制御装置のその他の構成は、実施例１で説明した構成と同様であるので、説明を省略する。
　以下に、このような構成の半導体装置及び制御装置の動作を、それを示す図４のフローチャートを参照しながら説明する。
　外部ＥＣＵ４ａは、スタータ２の始動を予め察知すると、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにして、ＭＯＳＦＥＴ３がオフ状態であることを制御部６ａへ通知する。この状態で、ＭＯＳＦＥＴ３のソース側がドレイン側より高圧になると、寄生ダイオード１０を通じて電流が流れ、寄生ダイオード１０が発熱する。
　制御部６ａは、常時、ＭＯＳＦＥＴ３がオフであるか否かを判定しており（Ｓ２１）、ＭＯＳＦＥＴ３がオフであれば、温度検出器５が検出した温度値Ｔを取得する（Ｓ２３）。制御部６ａは、ＭＯＳＦＥＴ３がオフでなければ、再度、ＭＯＳＦＥＴ３がオフであるか否かを判定する（Ｓ２１）。
　制御部６ａは、取得した温度値Ｔ（Ｓ２３）が第１温度値Ｔ１以上であるか否かを判定し（Ｓ２５）、第１温度値Ｔ１以上でなければ、ＭＯＳＦＥＴ３がオフであるか否かを判定する（Ｓ２１）。
　制御部６ａは、取得した温度値Ｔが第１温度値Ｔ１以上であれば（Ｓ２５）、ＭＯＳＦＥＴ３をオンにした（Ｓ２７）後、引続き温度検出器５が検出した温度値Ｔを取得する（Ｓ２９）。
　制御部６ａは、取得した温度値Ｔ（Ｓ２９）が、第１温度値Ｔ１より低い第２温度値Ｔ２以下であるか否かを判定し（Ｓ３１）、第２温度値Ｔ２以下でなければ、再度、温度検出器５が検出した温度値Ｔを取得する（Ｓ２９）。
　制御部６ａは、取得した温度値Ｔ（Ｓ２９）が第２温度値Ｔ２以下であれば（Ｓ３１）、ＭＯＳＦＥＴ３をオフにした（Ｓ３３）後、ＭＯＳＦＥＴ３がオフであるか否かを判定する（Ｓ２１）。この際、既にエンジンが始動し、外部ＥＣＵ４ａが、ＭＯＳＦＥＴ３をオンに復帰させていれば、制御部６ａのオフ動作に関係なく、ＭＯＳＦＥＴ３はオンに維持される。
　尚、本実施例１，２では、ＭＯＳＦＥＴ３としてＮチャネルＭＯＳＦＥＴを使用した例を説明したが、ＰチャネルＭＯＳＦＥＴを使用した場合でも、同様のことが可能である。
　また、本実施例１，２は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えるべきである。本発明の範囲は上述の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
　本発明は、車両に搭載される電源装置に使用される半導体装置及び制御装置に利用することができる。
　１　補助バッテリ
　２　スタータ
　３　ＭＯＳＦＥＴ（電界効果トランジスタ）
　４，４ａ　外部ＥＣＵ
　５　温度検出器
　６　制御部
　６ａ　制御部（取得部、判定部）
　７　主バッテリ
　８　オルタネータ
　９　カーナビゲーション（車載負荷）
　１０　寄生ダイオード
 
 
 
 
 
 
 

Claims (6)

  1. 　寄生ダイオードを有する電界効果トランジスタと、
    　前記寄生ダイオードの温度を検出する温度検出器と、
    　該温度検出器が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、第１温度以上であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオンにする制御部と
    　を備えることを特徴とする半導体装置。
  2. 　前記制御部は、前記電界効果トランジスタがオフである場合に、前記温度検出器が検出した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、第１温度以上であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオンにする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記制御部は、前記電界効果トランジスタをオンにした後、前記温度検出器が検出した温度が、前記第１温度より低い第２温度以下であるか否かを判定し、第２温度以下であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオフにする請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 　電界効果トランジスタが有する寄生ダイオードの温度を検出する温度検出器により検出された温度を取得する取得部と、
    　該取得部が取得した温度が第１温度以上であるか否かを判定する判定部と、
    　該判定部が第１温度以上であると判定した場合は、前記電界効果トランジスタをオンにする制御部と
    　を備えることを特徴とする制御装置。
  5. 　前記判定部は、前記電界効果トランジスタがオフである場合に、前記取得部が取得した温度が第１温度以上であるか否かを判定し、前記判定部が第１温度以上であると判定した場合は、前記制御部が前記電界効果トランジスタをオンにする請求項４に記載の制御装置。
  6. 　前記制御部が前記電界効果トランジスタをオンにした後、前記判定部は、前記取得部が取得した温度が、前記第１温度より低い第２温度以下であるか否かを判定し、前記判定部が第２温度以下であると判定した場合は、前記制御部が前記電界効果トランジスタをオフにする請求項４又は５に記載の制御装置。
     
     
     
     
     
     
     
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