WO2016136752A1 - パターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイス - Google Patents

パターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイス Download PDF

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俊彦 村井
憲司 原
入沢 正福
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    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking

Definitions

  • the present invention relates to a pattern forming method and an electronic device manufactured using the same, and more specifically, a laminate having excellent adhesion between each layer of a resist film, giving a high-definition pattern, and having high gas barrier properties and solvent resistance.
  • the present invention relates to a pattern forming method and an electronic device manufactured using the pattern forming method.
  • Patent Document 1 discloses a resist structure for pattern formation in which a resist film, a water-soluble polymer film, and a resist film are sequentially laminated on a substrate
  • Patent Document 2 discloses surface treatment of a lower layer resist.
  • a resist pattern forming method for forming an upper layer resist is disclosed
  • Patent Documents 3 and 4 disclose a black matrix composed of a coating film of a black photosensitive resin composition having different optical hardness.
  • an object of the present invention is to provide a pattern formation method that provides a highly fine pattern with excellent adhesion between each layer of a resist film, and a laminate having high gas barrier properties and high solvent resistance, and an electron manufactured using the same. To provide a device.
  • the film is formed on the support using the composition (1), and a predetermined part of the film is irradiated with active energy rays to change the developability of the predetermined part.
  • a pattern forming method including an exposure step (2) and a development step (3) for developing the film to obtain a pattern, wherein the steps (1) to (3) are repeated a plurality of times.
  • a plurality of compositions having different solubility in a developer is used as the composition, and the resulting pattern has a multilayer structure.
  • the uppermost layer of the multilayer structure is preferably obtained from a water-developable photosensitive composition, an organic solvent-developable photosensitive composition, or an alkali-developable photosensitive composition.
  • the plurality of compositions are a water-soluble composition, an organic solvent-soluble composition, an alkali-soluble composition, a water-developable photosensitive composition, and an organic There are at least two selected from the group consisting of a solvent-developable photosensitive composition and an alkali-developable photosensitive composition, and it is preferable to use a photosensitive composition for at least the uppermost layer.
  • the said process (1) apply
  • a step of applying an upper layer made of an organic solvent-developable photosensitive composition, wherein the step (3) is a development step of developing or dissolving the upper layer to obtain a pattern, and subsequently developing or dissolving the lower layer A development step for obtaining a pattern, and in the step (1), a lower layer made of a water-soluble composition or a water-developable photosensitive composition is applied to a support, followed by an alkali-developable feeling.
  • Development or dissolution A developing step of obtaining a pattern and is preferably.
  • the water-soluble composition contains a binder resin and water
  • the organic solvent-soluble composition contains a binder resin and an organic solvent
  • the water-soluble composition At least one of the product and the organic solvent-soluble composition further contains a crosslinking agent
  • the crosslinking agent is an oxazoline compound or a carbodiimide compound
  • the organic solvent-developable photosensitive composition is radical polymerization A photosensitive compound or a cationically polymerizable compound and a polymerization initiator
  • the alkali-developable photosensitive composition contains at least a binder resin having an alkali-developability, a polymerization initiator and a solvent, and the water.
  • the developable photosensitive composition preferably contains a water-soluble polymer having a photosensitive group and water.
  • the energy amount of the active energy ray is preferably 0.1 to 500,000 mJ / cm 2
  • the thickness of the multilayer structure of the resulting pattern is 0.1 to 1000 ⁇ m
  • the line width is preferably 1 to 1000 ⁇ m and the space is preferably 1 to 1000 ⁇ m.
  • the ratio of the film thickness of the upper layer to the lower layer is 0.1: 99.9 to 99.9: 0.1.
  • the electronic device of the present invention is characterized by having a pattern formed by the pattern forming method of the present invention.
  • a pattern forming method capable of providing a high-definition pattern with excellent adhesion between each layer of a resist film, and obtaining a laminate having high gas barrier properties and solvent resistance, and an electronic device manufactured using the same. Can be provided.
  • the pattern forming method of the present invention includes a step (1) of forming a film on a support using a composition, and irradiating a predetermined part of the obtained film with active energy rays to change developability of the predetermined part. It includes an exposure step (2) and a development step (3) for developing a film to obtain a pattern.
  • a plurality of compositions having different solubility in a developer are used as the composition, and the resulting pattern has a multilayer structure.
  • step (1) a layer composed of a plurality of compositions having different solubility in a developing solution is applied on a support and then repeatedly dried. Subsequently, in step (2), a predetermined portion of the film is irradiated with an active energy ray for exposure, and in step (3), the film is repeatedly processed with a plurality of developers.
  • a series of steps for performing the step (1), the step (2) and the step (3) is repeated a plurality of times.
  • the composition in the step (1) Are different in solubility in the developer for each of the above-described series of flows, and the developer used for development in the step (3) is different for each of the above-described series of flows.
  • step (1) a lower layer made of the composition is applied to the support and then dried, and then the upper layer is obtained from the composition.
  • a film is formed by laminating films, and the compositions constituting the upper layer and the lower layer have different solubility in the developer.
  • step (2) a predetermined portion of the film is irradiated with an active energy ray to be exposed, and in step (3), the film is repeatedly processed with a plurality of developers.
  • the heating step is performed as a pre-cure before the exposure as the step (2) or as the post-cure after performing the development as the step (3). You may pass.
  • heating the laminate by placing the laminate on a hot plate there are proximity methods, adsorption methods, conveyor methods, etc. using heating devices such as thermal heads and clean ovens. It can be done by combining. Heating is preferably performed at 50 to 200 ° C. for several seconds to 1 hour.
  • a known method can be used, for example, a curtain coating method, an extrusion coating method, a roll coating method, a spin coating method, a dip coating method, a bar coating method, Die coater, curtain coater, spray coating method, slide coating method, blade coating method, gravure coating method, printing coating method, knife coating method, fountain reverse coating method, various printing methods such as electrostatic painting method, dipping, etc. Means can be used.
  • the film it is possible to use a film obtained by applying the composition to another support and drying it, and then separating it from the support.
  • a dry film can be used.
  • Supports include cellulose esters such as diacetylcellulose, triacetylcellulose (TAC), propionylcellulose, butyrylcellulose, acetylpropionylcellulose, nitrocellulose; polyamides; polycarbonates; polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, poly- Polyesters such as 1,4-cyclohexanedimethylene terephthalate, polyethylene-1,2-diphenoxyethane-4,4′-dicarboxylate, polybutylene terephthalate; polystyrene; polyolefins such as polyethylene, polypropylene, polymethylpentene; polymethyl Acrylic resins such as methacrylate; Polycarbonate; Polysulfone; Polyethersulfone; Polyetherke Emissions; polyetherimides; polyoxyethylene, other polymeric materials such as norbornene resins, metals, wood, rubber, plastic, soda glass, quartz glass, ceramic products, paper, canvas, a semiconductor
  • a solvent-soluble composition an alkali-soluble composition, a solvent-developable photosensitive composition or an alkali-developable photosensitive composition can be used as the composition.
  • a photosensitive composition is used as the composition.
  • the solvent-soluble composition contains a binder resin and, if necessary, a radically polymerizable compound and / or a solvent described later.
  • binder resin examples include polyolefin polymers such as polyethylene, polypropylene and polyisobutylene; diene polymers such as polybutadiene and polyisoprene; polymers having a conjugated polyene structure such as polyacetylene polymers and polyphenylene polymers; polyvinyl chloride and polystyrene.
  • the weight average molecular weight (Mw) in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) of the binder resin is usually 1,000 to 500,000, preferably 2,000 to 200,000, more preferably 3,000 to 100,000. 000. In this case, if the Mw of the binder resin is less than 1,500, the heat resistance of the film tends to be lowered, whereas if it exceeds 300,000, the developability and coatability of the film tend to be lowered.
  • the solvent examples include ketones such as methyl ethyl ketone, methyl amyl ketone, diethyl ketone, acetone, methyl isopropyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclopentanone, cyclohexanone, isophorone; ethyl ether, dioxane, tetrahydrofuran, 1,2-dimethoxyethane 1, 2-diethoxyethane, dipropylene glycol dimethyl ether, and the like; Methyl acetate, ethyl acetate, acetate-n-propyl, isopropyl acetate, n-butyl acetate, and the like; Dimethyl succinate, diethyl succinate, Dibasic acid esters such as dimethyl adipate, diethyl adipate, dimethyl glutarate, diethyl glutarate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoeth
  • Water-soluble polymers include polyvinyl alcohol, polyvinyl alcohol derivatives modified with silanol groups, oxidized starch, etherified / esterified / grafted modified starch, cellulose derivatives such as gelatin / casein / carboxymethylcellulose, polyvinyl Pyrrolidone, water-soluble polyester resin, water-soluble polyacrylate resin such as 2-hydroxypropyl acrylate polymer and 4-hydroxybutyl acrylate polymer, water-soluble polycarbonate resin, water-soluble polyvinyl acetate resin, water-soluble styrene acrylate resin, water-soluble Vinyl toluene acrylate resin, water-soluble polyurethane resin, polyvinylamide polyacrylamide, water-soluble polyamide resin such as modified acrylamide, water-soluble urea resin, water-soluble polycaprolactone resin, Water-
  • water-soluble polymer commercially available ones can also be used.
  • a radically polymerizable compound As the solvent-soluble composition, a radically polymerizable compound, a radical polymerization initiator, and optionally a solvent containing a solvent can be used.
  • the polymerization initiator is a thermal radical polymerization initiator, polymerization is performed by heating. Reaction is performed to form a film.
  • the polymerization initiator is a radical photopolymerization initiator, it becomes a solvent-developable photosensitive composition, which undergoes a polymerization reaction by irradiating active energy rays to form a film.
  • the radically polymerizable compound is not particularly limited, and those conventionally used can be used.
  • those conventionally used can be used.
  • Unsaturated aliphatic hydrocarbons (meth) acrylic acid, ⁇ -chloroacrylic acid, itaconic acid, maleic acid, citraconic acid, fumaric acid, hymic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, vinylacetic acid, allylacetic acid, cinnamic acid, sorbine Acid, mesaconic acid, succinic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], phthalic acid mono [2- (meth) acryloyloxyethyl], ⁇ -carboxypolycaprolactone mono (meth) acrylate, etc.
  • a mono (meth) acrylate of a polymer having a carboxy group and a hydroxyl group Such as hydroxyethyl (meth) acrylate / malate, hydroxypropyl (meth) acrylate / malate, dicyclopentadiene / malate or polyfunctional (meth) acrylate having one carboxyl group and two or more (meth) acryloyl groups Unsaturated polybasic acids; 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, the following compound No. A1-No.
  • A4 methyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert-butyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, n-octyl (meth) acrylate, ( Isooctyl (meth) acrylate, isononyl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, methoxyethyl (meth) acrylate, dimethylaminomethyl (meth) acrylate, dimethyl (meth) acrylate Aminoethyl, aminopropyl (meth) acrylate, dimethylaminopropyl (meth) acrylate, ethoxyethyl (meth) acrylate, poly (ethoxy) ethyl (meth) acrylate, butoxyethoxyethyl (
  • radically polymerizable compounds can be used alone or in admixture of two or more, and when used in admixture of two or more, they are copolymerized in advance to form a copolymer. You may use things together.
  • thermal radical polymerization initiator examples include 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (methylisobutyrate), 2,2′-azobis-2,4-dimethylvaleronitrile, 1,1 Azo initiators such as' -azobis (1-acetoxy-1-phenylethane); benzoyl peroxide, di-t-butylbenzoyl peroxide, t-butylperoxypivalate, di (4-t-butylcyclohexyl) Examples thereof include peroxide initiators such as peroxydicarbonate, and persulfates such as ammonium persulfate, sodium persulfate, and potassium persulfate. These can be used alone or in combination of two or more.
  • the radical photopolymerization initiator may be any compound that can initiate radical polymerization upon receiving light irradiation.
  • Examples thereof include ketones such as acetophenone compounds, benzyl compounds, benzophenone compounds, and thioxanthone compounds.
  • Examples of preferred compounds include acyl compounds, acylphosphine oxide compounds, and oxime compounds.
  • acetophenone compounds include diethoxyacetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 4′-isopropyl-2-hydroxy-2-methylpropiophenone, and 2-hydroxymethyl-2.
  • benzylic compound examples include benzyl and anisyl.
  • benzophenone compounds include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, Michler's ketone, 4,4′-bisdiethylaminobenzophenone, 4,4′-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4′-methyldiphenyl sulfide, and the like.
  • thioxanthone compound examples include thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-ethylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, and 2,4-diethylthioxanthone.
  • Acylphosphine oxide compounds include 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide, ethyl phenyl (2,4,6-trimethylbenzoyl) phosphinate, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenyl Examples thereof include phosphine oxide and bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) (2-methylprop-1-yl) phosphine oxide.
  • oxime compound a compound represented by the following general formula (I) is particularly preferable from the viewpoint of sensitivity.
  • R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, a cyano group, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an aryl group having 6 to 30 carbon atoms, or 7 carbon atoms. Represents an arylalkyl group of ⁇ 30 or a heterocyclic group of 2 to 20 carbon atoms.
  • R 3 and R 4 are each independently a halogen atom, nitro group, cyano group, hydroxyl group, carboxyl group, R 5 , OR 6 , SR 7 , NR 8 R 9 , COR 10 , SOR 11 , SO 2 R 12 or CONR 13 R 14 is represented, and R 3 and R 4 may be bonded to each other to form a ring.
  • R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 11 , R 12 , R 13 and R 14 are each independently an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or 6 to 6 carbon atoms.
  • 30 represents an aryl group, an arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, or a heterocyclic group having 2 to 20 carbon atoms.
  • X 1 represents an oxygen atom, a sulfur atom, a selenium atom, CR 15 R 16 , CO, NR 17 or PR 18 , and X 2 represents a single bond or CO.
  • R 1 , R 2 , R 5 , R 6 , R 7 , R 8 , R 9 , R 10 , R 15 , R 16 , R 17 and R 18 alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, carbon atoms Represents an aryl group having 6 to 30 carbon atoms or an arylalkyl group having 7 to 30 carbon atoms, and the methylene group in the alkyl group or arylalkyl group is a halogen atom, nitro group, cyano group, hydroxyl group, carboxyl group or heterocyclic group. May be substituted, interrupted by —O—, and R 3 and R 4 may each independently form a ring together with one of the adjacent benzene rings, a represents an integer of 0 to 4, and b represents an integer of 0 to 5.
  • photo radical polymerization initiators can be used alone or in combination of two or more according to the desired performance.
  • a cationically polymerizable compound As the solvent-soluble composition, a cationically polymerizable compound, a cationically polymerizable initiator, and optionally a solvent containing a solvent can be used.
  • the polymerization initiator is a thermal cationic polymerization initiator, A polymerization reaction is performed to form a film.
  • the polymerization initiator is a photocationic polymerization initiator, it becomes a solvent-developable photosensitive composition and undergoes a polymerization reaction by irradiation with active energy rays to form a film.
  • the cationically polymerizable compound one or a mixture of two or more cationically polymerizable compounds that can be polymerized or crosslinked by a cationic polymerization initiator activated by light or heat irradiation can be used.
  • the active compound are an epoxy compound, an oxetane compound, a cyclic lactone compound, a cyclic acetal compound, a cyclic thioether compound, a spiro orthoester compound, a vinyl compound, and the like, and one or more of these may be used. It can.
  • epoxy compounds and oxetane compounds that are easy to obtain and convenient for handling are suitable.
  • an alicyclic epoxy compound an aromatic epoxy compound, an aliphatic epoxy compound and the like are suitable.
  • alicyclic epoxy compound examples include polyglycidyl ether of polyhydric alcohol having at least one alicyclic ring or cyclohexene oxide or cyclopentene oxide obtained by epoxidizing a cyclohexene or cyclopentene ring-containing compound with an oxidizing agent.
  • UVR-6100, UVR-6105, UVR-6110, UVR-6128, UVR-6200 (above, Union Carbide), Celoxide 2021, Celoxide 2021P, Celoxide 2081, Celoxide 2083, Celoxide 2085, Celoxide 2000, Celoxide 3000, Cyclomer A200, Cyclomer M100, Cyclomer M101, Epolide GT-301, Epolide GT-302, Epolide 401, Epolide 403, ETHB, Epolide HD300 (above, Daicel Chemical Industry Co., Ltd.), KRM-2110, KRM-2199 (above, ADEKA Co., Ltd.) and the like.
  • aromatic epoxy resin examples include polyhydric phenol having at least one aromatic ring or polyglycidyl ether of an alkylene oxide adduct thereof, for example, an epoxy compound bisphenol represented by the general formula (IV).
  • A bisphenol F, or a glycidyl ether of a compound obtained by further adding an alkylene oxide thereto; phenol novolac type epoxy compound, biphenyl novolac type epoxy compound, cresol novolac type epoxy compound, bisphenol A novolac type epoxy compound, dicyclopentadiene novolak type epoxy Novolac epoxy compounds such as compounds; 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl-3,4-epoxy-6-methylcyclohexanecarboxylate, 3,4 Alicyclic epoxy compounds such as epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate and 1-epoxyethyl-3,4-epoxycyclohexane; phthalic acid diglycidyl ester
  • aliphatic epoxy resins include polyglycidyl ethers of aliphatic polyhydric alcohols or alkylene oxide adducts thereof, polyglycidyl esters of aliphatic long-chain polybasic acids, homopolymers synthesized by vinyl polymerization of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate. , Copolymers synthesized by vinyl polymerization of glycidyl acrylate or glycidyl methacrylate and other vinyl monomers.
  • Typical compounds include glycidyl methacrylate, methyl glycidyl ether, ethyl glycidyl ether, propyl glycidyl ether, isopropyl glycidyl ether, butyl glycidyl ether, isobutyl glycidyl ether, t-butyl glycidyl ether, pentyl glycidyl ether, hexyl glycidyl ether, heptyl glycidyl ether Octyl glycidyl ether, nonyl glycidyl ether, decyl glycidyl ether, undecyl glycidyl ether, dodecyl glycidyl ether, tridecyl glycidyl ether, tetradecyl glycidyl ether, pentadecyl glycidyl
  • Glycidyl ethers of polyhydric alcohols such as triglycidyl ether of sorbitol, tetraglycidyl ether of sorbitol, hexaglycidyl ether of dipentaerythritol, diglycidyl ether of polyethylene glycol, diglycidyl ether of polypropylene
  • monoglycidyl ethers of higher aliphatic alcohols phenols, cresols, butylphenols, monoglycidyl ethers of polyether alcohols obtained by adding alkylene oxides to these, glycidyl esters of higher fatty acids, epoxidized soybean oil, epoxy Examples include octyl stearate, butyl epoxy stearate, and epoxidized polybutadiene.
  • Epicoat 801 Epicoat 828 (above, manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), PY-306, 0163, DY-022 (above, Ciba Specialty Chemicals) KRM-2720, EP-4100, EP-4000, EP-4080, EP-4900, ED-505, ED-506 (above, manufactured by ADEKA Corporation), Epolite M-1230, Epolite EHDG-L , Epolite 40E, Epolite 100E, Epolite 200E, Epolite 400E, Epolite 70P, Epolite 200P, Epolite 400P, Epolite 1500NP, Epolite 1600, Epolite 80MF, Epolite 100MF, Epolite 4000, Epolite 300 Epolite FR-1500 (above, Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Santo Tote ST0000, YD-716,
  • oxetane compound examples include the following compounds. 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 3- (meth) allyloxymethyl-3-ethyloxetane, (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methylbenzene, 4-fluoro- [1- (3-ethyl-3 -Oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 4-methoxy- [1- (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, [1- (3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) ethyl] phenyl ether, isobutoxymethyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, isobornyloxyethyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether, isobornyl (3-ethyl-3-oxetanylmethyl) ether
  • oxetane compounds are effective and preferable when used particularly when flexibility is required.
  • cationically polymerizable compounds include cyclic lactone compounds such as ⁇ -propiolactone and ⁇ -caprolactone; cyclic acetals such as trioxane, 1,3-dioxolane, and 1,3,6-trioxane cyclooctane.
  • Cyclic thioether compound such as tetrahydrothiophene derivative
  • Spiro ortho ester compound obtained by reaction of the above-mentioned epoxy compound and lactone
  • vinyl compounds such as ethylenically unsaturated compounds such as styrene, vinylcyclohexene, isobutylene and polybutadiene; oxolane compounds such as tetrahydrofuran and 2,3-dimethyltetrahydrofuran; thiirane compounds such as ethylene sulfide and thioepichlorohydrin; Examples include thietane compounds such as propyne sulfide and 3,3-dimethylthietane; and well-known compounds such as silicones.
  • oxolane compounds such as tetrahydrofuran and 2,3-dimethyltetrahydrofuran
  • thiirane compounds such as ethylene sulfide and thioepichlorohydrin
  • Examples include thietane compounds such as propyne sulfide and 3,3-dimethylthietane; and well-known compounds such as silicones.
  • the cationic polymerization initiator may be any compound that can be activated by light or heat irradiation.
  • onium salts and naphthalimide sulfonate compounds are preferred.
  • it acts as a thermal cationic polymerization initiator or as a photocationic polymerization initiator.
  • Examples of the onium salt include a cation salt and an anion salt represented by [M] r + [G] r- .
  • the cation [M] r + is preferably onium, and the structure thereof can be represented by, for example, the following general formula [(R 29 ) f Q] r + .
  • R 29 is an organic group having 1 to 60 carbon atoms and any number of atoms other than carbon atoms.
  • f is an integer of 1 to 5.
  • the f R 29 s are independent and may be the same or different. Further, at least one is preferably an organic group as described above having an aromatic ring.
  • anion [G] r- monovalent ions such as chloride ions, bromide ions, iodide ions, fluoride ions, etc .; perchlorate ions, chlorate ions, Inorganic anions such as thiocyanate ion, hexafluorophosphate ion, hexafluoroantimonate ion, tetrafluoroborate ion; tetrakis (pentafluorophenyl) borate, tetra (3,5-difluoro-4-methoxyphenyl) borate Borate anions such as tetrafluoroborate, tetraarylborate, tetrakis (pentafluorophenyl) borate; methanesulfonate ion, dodecylsulfonate ion, benzenesulfonate ion, toluenesulfonate
  • aromatic onium salts such as aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, and triarylsulfonium salts.
  • aromatic onium salts such as aryldiazonium salts, diaryliodonium salts, and triarylsulfonium salts.
  • one of them can be used alone, or two or more of them can be mixed and used.
  • preferable examples include ( ⁇ 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) [(1,2,3,4,5,6- ⁇ )-(1-methylethyl) benzene] -iron.
  • -Iron-arene complexes such as hexafluorophosphate
  • aluminum complexes such as tris (acetylacetonato) aluminum, tris (ethylacetonatoacetato) aluminum, tris (salicylaldehyde) aluminum and silanols such as triphenylsilanol
  • silanols such as triphenylsilanol
  • aromatic sulfonium salts are preferably used from the viewpoints of practical use and photosensitivity.
  • aromatic sulfonium salt commercially available ones can also be used.
  • WPAG-336, WPAG-367, WPAG-370, WPAG-469, WPAG-638 manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
  • CPI-100P CPI-101A, CPI-200K, CPI-210S (manufactured by Sun Apro)
  • naphthalimide sulfonate compound those represented by the following general formula (II) are preferable from the viewpoint of sensitivity.
  • R 21 is substituted with an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or an acyl group.
  • R 22 , R 23 , R 24 , R 25 , R 26 and R 27 are each a hydrogen atom, a halogen atom, a cyano group, a hydroxyl group, a nitro group, a carboxyl group, or an optionally substituted carbon atom having 1 to Represents an alkyl group having 40 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or a heterocyclic-containing group having 2 to 20 carbon atoms.
  • oxime sulfonate compound those represented by the following general formula (III) are preferable from the viewpoint of sensitivity.
  • R 31 is substituted with an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 18 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, an arylalkyl group having 7 to 20 carbon atoms, or an acyl group.
  • R 32 and R 53 are each a cyano group, a carboxyl group, an optionally substituted alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, or an aryl having 7 to 20 carbon atoms.
  • the photoacid generator examples include compounds that generate an acid upon irradiation with active energy rays.
  • diazonaphthoquinone compound examples include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 4- (4- [1,1-bis (4-hydroxyphenyl) ethyl] - ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl) phenol, and 6-diazo. And -5,6-dihydro-5-oxo-1-naphthalenesulfonic acid.
  • a water-soluble polymer having a photosensitive group introduced can be used as the binder resin.
  • the photosensitive group vinyl group, allyl group, styryl group, cinnamyl group, cinnamoyl group, cinnamylidene group, cinnamylidene acetyl group, chalcone group, coumarin group, isocoumarin group, 2,5-dimethoxystilbene group, maleimide group, ⁇ -phenylmaleimide group, 2-pyrone group, azide group, thymine group, quinone group, maleimide group, uracil group, pyrimidine group, stilbazolium group, styrylpyridinium group, styrylquinolium group, epoxy group, oxetane group, vinyl ether group, Examples include an allyl ether group, an acetylacetone structure, a ⁇ -diketone
  • the alkali-soluble composition contains a binder resin having alkali solubility and, if necessary, the radical polymerizable compound and / or solvent.
  • a binder resin having alkali solubility a resin having a carboxyl group or a phenolic hydroxyl group in the resin side chain or main chain can be used.
  • acrylic resin (co) polymer acrylic acid ester copolymer Unsaturated monobasic to epoxy groups such as coalesced, phenol and / or cresol novolac epoxy resins, polyphenylmethane type epoxy resins having polyfunctional epoxy groups, epoxy acrylate resins, epoxy compounds represented by the following general formula (IV) Resins obtained by reacting acids and further polybasic acid anhydrides, styrene / maleic anhydride resins, acid anhydride-modified resins of novolac epoxy acrylate, hydroxystyrene polymers and their derivatives, phenol resins, phosphate polymers Etc. Can be used.
  • X 3 represents a direct bond, a methylene group, an alkylidene group having 1 to 4 carbon atoms, an alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms, O, S, SO 2 , SS , SO, CO, OCO, or a group represented by the following formula (I), (B) or (C), wherein the alkylidene group may be substituted with a halogen atom, and R 41 , R 42 , R 43 , R 44 , R 45 , R 46 , R 47 and R 48 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 8 carbon atoms, or 2 to 2 carbon atoms.
  • Z 3 represents a hydrogen atom, a phenyl group optionally substituted by an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl having 1 to 10 carbon atoms.
  • a cycloalkyl group having 3 to 10 carbon atoms which may be substituted by a group or an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms
  • Y 1 is an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, 1 to 10 carbon atoms
  • An alkoxy group, an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms or a halogen atom wherein the alkyl group, alkoxy group and alkenyl group may be substituted with a halogen atom
  • d is an integer of 0 to 5.
  • Y 2 and Z 4 are each independently an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom, or 6 carbon atoms which may be substituted with a halogen atom.
  • a heterocyclic group, or an alkylene moiety in the above alkyl group and arylalkyl group is interrupted by an unsaturated bond, —O—
  • Z 4 may form a ring with the adjacent Z 4 each other, p represents an integer of 0 to 4, q represents an integer of 0 ⁇ 8, r is an integer of from 0 to 4 S represents an integer of 0 to 4, and the total number of r and s is an integer of 2 to 4.
  • the unsaturated monobasic acid that acts on the epoxy compound includes acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, cinnamic acid, sorbic acid, hydroxyethyl methacrylate / malate, hydroxyethyl acrylate / malate, hydroxypropyl methacrylate / malate, hydroxypropyl acrylate -Malate, dicyclopentadiene malate, etc. are mentioned.
  • polybasic acid anhydride examples include biphenyltetracarboxylic dianhydride, tetrahydrophthalic anhydride, succinic anhydride, biphthalic anhydride, maleic anhydride, Merit acid anhydride, pyromellitic acid anhydride, 2,2′-3,3′-benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, ethylene glycol bisanhydro trimellitate, glycerol tris anhydro trimellitate, hexahydrophthalic anhydride, Methyltetrahydrophthalic anhydride, nadic anhydride, methylnadic anhydride, trialkyltetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene- 1,2-dicarboxylic anhydr
  • the reaction molar ratio of the epoxy compound, the unsaturated monobasic acid and the polybasic acid anhydride is preferably as follows. That is, in an epoxy adduct having a structure in which 0.1 to 1.0 carboxyl groups of the unsaturated monobasic acid are added to one epoxy group of the epoxy compound, the hydroxyl group 1 of the epoxy adduct is It is preferable that the ratio of the acid anhydride structure of the polybasic acid anhydride is 0.1 to 1.0. Reaction of the said epoxy compound, the said unsaturated monobasic acid, and the said polybasic acid anhydride can be performed in accordance with a conventional method.
  • the alkali-developable photosensitive composition contains the binder resin having alkali developability, the radical polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and, if necessary, a solvent.
  • the above cationic polymerizable compound can be further used.
  • the binder resin having alkali developability preferably has a solid acid value in the range of 5 to 120 mgKOH / g, and the amount of the cationic polymerizable compound used is preferably selected so as to satisfy the acid value. .
  • alkali-developable photosensitive composition among the radical polymerizable compounds, those having an alkali-developable functional group such as a hydroxy group or a carboxyl group, a photopolymerization initiator, and a solvent containing an optional solvent are used.
  • a film can also be formed by polymerizing a radically polymerizable compound having an alkali-developable functional group.
  • the alkali-developable photosensitive composition contains a high molecular polymer in which a protective group capable of decomposing by the action of an acid is introduced into a resist base resin, a photoacid generator, and, if necessary, a solvent.
  • a positive resist that is solubilized in the developer by the polarity change induced by the deprotection reaction of the resist base resin by the action of the acid generated from the acid generator, or a resin obtained by reacting the resist base resin with a crosslinking agent, photoacid Contains a generator and a solvent, causes a chemical chain reaction such as polymerization or cross-linking, insolubilizes in the developing solution by cross-linking reaction or polarity change of the resist base resin, and only unexposed portions are selectively selected during development.
  • the negative resist to be removed can also be used, and is particularly useful as a chemically amplified resist.
  • the resist base resin may be selected from the group consisting of polyhydroxystyrene and derivatives thereof; polyacrylic acid and derivatives thereof; polymethacrylic acid and derivatives thereof; hydroxystyrene, acrylic acid, methacrylic acid and derivatives thereof.
  • Polymer two or more copolymers selected from hydroxystyrene, styrene and derivatives thereof; polyolefin and derivatives thereof, cycloolefin and derivatives thereof, maleic anhydride, and acrylic acid and derivatives thereof 3
  • the above-mentioned resist base resin has a polystyrene-reduced weight average molecular weight (Mw) by gel permeation chromatography (GPC) of usually 1,000 to 500,000, preferably 2,000 to 200,000, more preferably 3,000 to 100,000.
  • Mw polystyrene-reduced weight average molecular weight
  • GPC gel permeation chromatography
  • Examples of the protecting group include methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, isopropyloxycarbonyl group, phenoxycarbonyl group, acetoxy group, methoxyacetyloxy group, propionyloxy group, butyryloxy group, t-butylcarbonyloxy group, benzoyloxy group, adamantyl Ester groups such as carbonyloxy groups; tertiary alkyl groups, trialkylsilyl groups, oxoalkyl groups, aryl-substituted alkyl groups, heteroalicyclic groups such as tetrahydropyran-2-yl groups; tertiary alkylcarbonyl groups, tertiary Acetal groups such as alkylcarbonylalkyl groups, tertiary alkyloxycarbonyl groups, tertiary alkyloxycarbonylalkyl groups, alkoxyalkyl groups, tetrahydropyranyl groups,
  • the cross-linking agent can be arbitrarily selected from those conventionally used as cross-linking agents, and examples thereof include bisdiazide compounds, amino resins having a hydroxyl group or an alkoxyl group, such as melamine resins, urea resins, and guanamines. Examples thereof include resins, glycoluril-formaldehyde resins, succinylamide-formaldehyde resins, ethyleneurea-formaldehyde resins, and the like.
  • These may be those obtained by reacting melamine, urea, guanamine, glycoluril, succinylamide, or ethyleneurea with formalin in boiling water to form methylol, or further reacting it with a lower alcohol to produce alkoxylation.
  • crosslinking agent examples thereof include Nicarak MX-750, Nicarac MW-30, Nicarac MX-290 (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.).
  • the alkali-developable photosensitive composition a resist base resin, a photoacid generator, and a solvent containing a solvent as necessary can be used.
  • a solvent containing a solvent as necessary.
  • a colorant can be further used.
  • an inorganic or organic colorant, or an inorganic or organic dye can be used in addition to a color pigment.
  • the pigment refers to a colorant that is insoluble in the solvent described later, and includes inorganic or organic colorants or inorganic or organic dyes that are insoluble in the solvent, or those obtained by rake formation of inorganic or organic dyes. .
  • Color pigments include carbon black obtained by the furnace method, channel method or thermal method, or carbon black such as acetylene black, ketjen black or lamp black, the carbon black adjusted or coated with an epoxy resin, the carbon black Is previously dispersed in a solvent with a resin and coated with a resin of 20 to 200 mg / g, an acid or alkaline surface treatment of the above carbon black, an average particle size of 8 nm or more, and a DBP oil absorption of 90 ml / 100 g. the following carbon black, the total amount of oxygen calculated from the CO and CO 2 in volatiles at 950 ° C.
  • carbon black is surface area 100 m 2 per 9mg or more, graphite, graphitized carbon black, activated carbon, carbon fibers, carbon nanotubes
  • Black pigments such as carbon microcoil, carbon nanohorn, carbon aerogel, fullerene, aniline black, pigment black 7, titanium black, nigrosine, chromium oxide green, miloli blue, cobalt green, cobalt blue, manganese, ferrocyanide, Phosphate ultramarine, bitumen, ultramarine, cerulean blue, pyridiane, emerald green, lead sulfate, yellow lead, zinc yellow, red bean (red iron oxide (III)), cadmium red, synthetic iron black, amber, lake pigment, etc.
  • Examples include organic or inorganic pigments.
  • Examples of the inorganic or organic colorant include, for example, nitroso compounds, nitro compounds, azo compounds, diazo compounds, xanthene compounds, quinoline compounds, anthraquinone compounds, coumarin compounds, cyanine compounds, phthalocyanine compounds, isoindolinone compounds, isoindoline compounds, Quinacridone compounds, anthanthrone compounds, perinone compounds, perylene compounds, diketopyrrolopyrrole compounds, thioindigo compounds, dioxazine compounds, triphenylmethane compounds, quinophthalone compounds, naphthalene tetracarboxylic acids, nigrosine compounds, azo dyes, metal complex compounds of cyanine dyes, etc. Is mentioned.
  • pigments can also be used as the colored pigment, for example, Pigment Red 1, 2, 3, 9, 10, 14, 17, 22, 23, 31, 38, 41, 48, 49, 88, 90. 97, 112, 119, 122, 123, 144, 149, 166, 168, 169, 170, 171, 177, 179, 180, 184, 185, 192, 200, 202, 209, 215, 216, 217, 220 223, 224, 226, 227, 228, 240, 254; Pigment Orange 13, 31, 34, 36, 38, 43, 46, 48, 49, 51, 52, 55, 59, 60, 61, 62, 64 , 65, 71; Pigment Yellow 1, 3, 12, 13, 14, 16, 17, 20, 24, 55, 60, 73, 81, 83, 86, 93, 95 97, 98, 100, 109, 110, 113, 114, 117, 120, 125, 126, 127, 129, 137, 138, 139, 147,
  • known dyes can be used as the inorganic or organic dye.
  • known dyes include, for example, azo dyes, anthraquinone dyes, indigoid dyes, triarylmethane dyes, xanthene dyes, alizarin dyes, acridine dyes stilbene dyes, thiazole dyes, naphthol dyes, quinoline dyes, nitro dyes, indamine dyes, oxazine dyes, Examples thereof include phthalocyanine dyes, cyanine dyes, and nigrosine dyes.
  • the exposure method is carried out through a mask.
  • a resist film made of a positive photosensitive composition when exposed, the solubility in the developer increases, and the exposed portion is removed.
  • a resist film made of a photosensitive composition when exposed to light, the solubility in a developer is lowered, and an exposed portion remains after development.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a two-layer pattern manufactured by the pattern forming method of the present invention.
  • FIG. 1 (a) shows that a first layer and a second layer are stacked on a substrate with substantially the same width.
  • (B) is a pattern in which the first layer and the second layer are laminated in a tapered shape on the substrate
  • (c) is a pattern in which the first layer and the second layer are formed on the substrate. Is a pattern laminated in a reverse taper shape.
  • a multi-tone mask such as a gray tone mask / halftone mask, a high-definition mask called a reticle, or the like can be used in addition to a photomask.
  • ultra-high pressure mercury lamp high pressure mercury lamp, medium pressure mercury lamp, low pressure mercury lamp, mercury vapor arc lamp, xenon arc lamp, carbon arc lamp, metal halide lamp, fluorescent lamp, tungsten lamp, excimer lamp, From 2000 angstroms obtained from electrodeless light source, germicidal lamp, light emitting diode, CRT light source, LED, excimer laser, nitrogen laser, argon ion laser, helium cadmium laser, helium neon laser, krypton ion laser, various semiconductor lasers, YAG laser, etc.
  • Electromagnetic energy having a wavelength of 7000 angstroms or high energy rays such as EUV, electron beam, X-ray, high-frequency radiation can be used, but preferably emits light having a wavelength of 300 to 450 nm.
  • Energy of the active energy ray is 0.1 ⁇ 500,000mJ / cm 2, preferably 5 ⁇ 50,000mJ / cm 2, more preferably from 10 ⁇ 20,000mJ / cm 2.
  • a laser direct drawing method that directly forms an image from digital information such as a computer can be used without using a mask.
  • the laser light light having a wavelength of 340 to 430 nm is preferably used.
  • a conventionally known method such as dip (immersion) development, spray development, paddle development or the like is used. After development, washing is performed with a dedicated rinse or pure water, followed by drying. Development is preferably performed at room temperature to 80 ° C. for several seconds to 10 minutes. In the development, an optimum developer is used for dissolving each composition constituting the multilayer structure.
  • the above-mentioned neutral solvents can be used, but ketones, ethers, esters, cellosolves, BTX, halogenated aromatic hydrocarbons, etc., or these Of these, those having a boiling point of 50 to 200 ° C. are preferred because there is no residual solvent after development, and those having a boiling point of 70 to 150 ° C. are more preferred.
  • alkaline developers examples include organic developers containing TMAH (tetramethylammonium hydroxide), sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, potassium silicate, sodium metasilicate, and sodium triphosphate.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • An inorganic developer containing a representative alkali metal hydroxide, carbonate, silicate, or phosphate can be used, and the concentration of the alkali developer is 0.0001 to 10%.
  • the negative type developer is usually an aqueous solution having a relatively low pH (7 to 11.5) that does not contain an inorganic strong alkali component.
  • the film thickness of the entire resist film is 0.1 to 1000 ⁇ m, preferably 0.5 to 100 ⁇ m, and more preferably 1 to 20 ⁇ m.
  • the line width is 1 to 1000 ⁇ m, preferably 3 to 500 ⁇ m, and more preferably 5 to 100 ⁇ m.
  • the space is 1 to 1000 ⁇ m, preferably 3 to 500 ⁇ m, and more preferably 5 to 100 ⁇ m.
  • the ratio of the film thickness of the upper layer to the lower layer is between 0.1: 99.9 and 99.9: 0.1, and is arbitrary according to the usage.
  • the film thickness ratio is preferably such that the developer for the upper layer does not completely dissolve the lower layer.
  • a colorant such as a monomer, a photobase initiator, a crosslinking agent, a surfactant, an inorganic filler, an organic filler, a pigment, or a dye, an antifoaming agent, or a thickening agent as necessary.
  • Dispersant leveling agent, organometallic coupling agent, thixotropic agent, carbon compound, fine metal particles, metal oxide, flame retardant, plasticizer, light stabilizer, heat stabilizer, anti-aging agent, elastomer particles, chain
  • resin additives such as transfer agents, polymerization inhibitors, ultraviolet absorbers, antioxidants, antistatic agents, mold release agents, flow regulators, adhesion promoters, organic polymers, and melamine can be added. .
  • Specific applications of the pattern obtained by the pattern forming method of the present invention include a printing plate, a laminate, a printed board, a dry film, a circuit, an interlayer insulating film, a photo spacer, a black column spacer, a color filter, a solid-state imaging device, Solar panel, touch panel, flat panel display, light emitting diode, organic light emitting element, liquid crystal display element, semiconductor element, photosensitive element, luminescent film, fluorescent film, MEMS element, 3D mounting element, imprint, actuator, hologram, plasmon Examples include devices, printer heads, polarizing plates, polarizing films, optical waveguides, various printed materials, tablets, cosmetics, and dental materials.
  • Alkali-developable photosensitive composition No. Preparation of 5 SPC-1000 (alkali developable binder resin manufactured by Showa Denko KK), M-402 (radical polymerizable compound manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 5.5 parts, Irgacure OXE-02 (radical polymerization initiator manufactured by BASF) 1.5 parts, C.I. I. Pigment green 58 dispersion 28 parts, C.I. I. 20 parts of Pigment Yellow 150 dispersion, 1.5 parts of 2-mercaptobenzothiazole and 0.05 parts of Megafac F-554 (a surfactant manufactured by DIC) are mixed, and PGMEA is added so that the solid content is 20%. Alkali-developable photosensitive composition No. 5 was obtained.
  • Water-soluble composition No. 30 Preparation of the above water-soluble composition No. 30 900 parts of 28, 33 parts of Pesresin A-230 (polyester containing carboxyl group made by Takamatsu Oil and Fat, solid content 30%), 4 parts of Epocross WS-700 (Nippon Catalytic Oxazoline Compound, solid content 25%) and ORGATIZ ZC-126 (Matsumoto Fine Chemical Zirconyl Chloride Compound, solid content 30%) 1 part was mixed, and the water-soluble composition No. 1 was mixed. 30 was obtained.
  • A 0.04% aqueous sodium hydroxide solution
  • B ion-exchanged water
  • C organic solvent (2-butanone)
  • the patterns of Example 4 and Example 22 were used, and the adhesiveness and gas barrier properties of the pattern of Example 99 and the solvent-developable photosensitive composition No. 8 was used to evaluate only the pattern formed, exposed and developed using 8.
  • the stackability when the layers were formed in the order of the lower layer and the upper layer was evaluated.
  • the evaluation criteria are as follows. ⁇ : The upper layer was able to be formed without any disturbance in the lower layer. ⁇ : White turbidity or partially mixed. ⁇ : When the upper layer composition was applied, the film surface was disturbed, the lower layer was dissolved, etc. Did not form
  • Organic solvent soluble composition No. 2-butanone was added to 15 compositions to make a 1% by mass solution. Using the obtained solution, a lower layer having a film thickness of 0.1 ⁇ m was prepared. Subsequently, the water-developable photosensitive composition No. 2 was used to produce an upper layer having a thickness of 10 ⁇ m. On the other hand, the organic solvent-soluble composition No. 15 was used to prepare a lower layer having a thickness of 10 ⁇ m. Subsequently, the alkali-developable photosensitive composition No. 1 was used to produce an upper layer having a thickness of 10 ⁇ m. About any laminated body, the favorable pattern shape was able to be obtained by developing with the developing solution B for the upper layer, and the developing solution C for the lower layer.
  • Example 99 The pattern obtained in Example 99 and the solvent-developable photosensitive composition No. For the pattern obtained using No. 8, adhesion was evaluated according to JIS K5600-5-6 (adhesion (cross-cut method)). In Example 99, there was no peeling or the like (Category 0), but the solvent-developable photosensitive composition No. Most of the pattern obtained using 8 was peeled off (Category 4).
  • Example 99 (Gas barrier properties) The pattern obtained in Example 99 and the solvent-developable photosensitive composition No. The pattern obtained using 8 was measured with an oxygen permeability measuring device 8001 (manufactured by ILLINOIS INSTRUMENTS, INC.) Using a 50 cm 2 folder.
  • Example 99 is ⁇ 0.01 cc / m 2 / day
  • solvent-developable photosensitive composition No. 8 was 150 cc / m 2 / day.
  • the pattern obtained by the pattern forming method of the present invention is excellent in lamination property, photolithography property (sensitivity, resolution, developability), gas barrier property, solvent resistance and the like.

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Abstract

 レジスト膜の各層間の密着性に優れ、高精細なパターンを与え、ガスバリア性および耐溶剤性の高い積層体が得られるパターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイスを提供する。 支持体に、組成物を用いて膜を形成する工程(1)と、膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して所定部分の現像性を変化させる露光工程(2)と、膜を現像してパターンを得る現像工程(3)と、を含むパターン形成方法であり、組成物として、現像液に対する溶解性の互いに異なる複数の組成物を用い、得られるパターンが多層構造を有する。

Description

パターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイス
 本発明は、パターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイスに関し、詳しくは、レジスト膜の各層間の密着性に優れ、高精細なパターンを与え、ガスバリア性および耐溶剤性の高い積層体が得られるパターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイスに関する。
 フォトリソグラフィーやスクリーン印刷において、レジストをパターニングすることにより各種電子デバイスが得られることが知られている。
 例えば、特許文献1には、基板上に、レジスト膜、水溶性高分子膜、レジスト膜が順に積層されたパターン形成用レジスト構造が開示されており、特許文献2には、下層レジストを表面処理してから上層レジストを形成するレジストパターンの形成方法が開示されており、特許文献3および4には、光学硬度の異なる黒色感光性樹脂組成物の塗膜からなるブラックマトリックスが開示されている。
特開平6-326018号公報 特開平6-349728号公報 特開2014-157179号公報 国際公開2014/203794号パンフレット
 しかしながら、特許文献1~4で提案されている方法で形成したレジストパターンは、各レジスト層間の密着性が十分でなかったり、あるいは微細なパターンが得られていなかったりし、と必ずしも満足のいくものではなく、今後、改善が求められているのが現状である。
 そこで、本発明の目的は、レジスト膜の各層間の密着性に優れ、高精細なパターンを与え、ガスバリア性および耐溶剤性の高い積層体が得られるパターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイスを提供することにある。
 本発明者らは、上記課題を解消するために鋭意検討した結果、下記の構成とすることで、上記課題を解消することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
 すなわち、本発明のパターン形成方法は、支持体に、組成物を用いて膜を形成する工程(1)と、前記膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して所定部分の現像性を変化させる露光工程(2)と、前記膜を現像してパターンを得る現像工程(3)と、を含み、前記工程(1)~(3)を複数回繰り返すパターン形成方法において、
 前記組成物として、現像液に対する溶解性の互いに異なる複数の組成物を用い、得られるパターンが多層構造を有することを特徴とするものである。
 本発明のパターン形成方法においては、前記多層構造の最上層が、水現像性感光性組成物、有機溶媒現像性感光性組成物、またはアルカリ現像性感光性組成物から得られることが好ましい。また、本発明のパターン形成方法においては、前記複数の組成物が、水溶解性組成物と、有機溶媒溶解性組成物と、アルカリ溶解性組成物と、水現像性感光性組成物と、有機溶媒現像性感光性組成物と、アルカリ現像性感光性組成物と、からなる群から選ばれる少なくとも2種であり、少なくとも最上層には感光性組成物を用いることが好ましい。さらに、本発明のパターン形成方法においては、前記工程(1)が、支持体に、水溶解性組成物または水現像性感光性組成物からなる下層を塗布し、続いてアルカリ現像性感光性組成物または有機溶媒現像性感光性組成物からなる上層を塗布する工程であり、前記工程(3)が、前記上層を現像または溶解してパターンを得る現像工程と、続いて前記下層を現像または溶解してパターンを得る現像工程と、であることや、前記工程(1)が、支持体に、水溶解性組成物または水現像性感光性組成物からなる下層を塗布し、続いてアルカリ現像性感光性組成物または有機溶媒現像性感光性組成物からなる上層を塗布する工程であり、前記工程(3)が、前記上層を現像または溶解してパターンを得る現像工程と、続いて前記下層を現像または溶解してパターンを得る現像工程と、であることが好ましい。さらにまた、本発明のパターン形成方法においては、前記工程(1)および前記工程(2)の間、および/または、前記工程(3)の後に加熱工程を有することが好ましい。
 また、本発明のパターン形成方法においては、前記水溶解性組成物が、バインダー樹脂および水を含有し、前記有機溶媒溶解性組成物が、バインダー樹脂および有機溶媒を含有すること、前記水溶性組成物および前記有機溶媒溶解性組成物のうち少なくとも一方が、さらに架橋剤を含有すること、前記架橋剤が、オキサゾリン化合物またはカルボジイミド化合物であること、前記有機溶媒現像性感光性組成物が、ラジカル重合性化合物またはカチオン重合性化合物と、重合開始剤と、を含有すること、前記アルカリ現像性感光性組成物は、少なくともアルカリ現像性を有するバインダー樹脂、重合開始剤および溶媒を含有すること、前記水現像性感光性組成物は、感光性基を有する水溶性重合体および水を含有すること、が好ましい。さらに、本発明のパターン形成方法においては、前記活性エネルギー線のエネルギー量は、0.1~500000mJ/cmであることが好ましく、得られるパターンの多層構造の膜厚を0.1~1000μm、線幅を1~1000μm、スペースを1~1000μmとすることが好ましい。さらにまた、本発明のパターン形成方法においては、前記上層と前記下層の膜厚の比を、0.1:99.9~99.9:0.1とすることが好ましい。
 本発明の電子デバイスは、本発明のパターン形成方法により形成されたパターンを有することを特徴とするものである。
 本発明によれば、レジスト膜の各層間の密着性に優れ、高精細なパターンを与え、ガスバリア性および耐溶剤性の高い積層体が得られるパターン形成方法およびこれを用いて製造した電子デバイスを提供することができる。
本発明のパターン形成方法により製造した2層構造のパターンの例の概略断面図であり、(a)は、基板上に第1層と第2層とが略同じ幅で積層されているパターンであり、(b)は、基板上に第1層と第2層とがテーパー形状に積層されているパターンであり、(c)は、基板上に第1層と第2層とが逆テーパー形状に積層されているパターンである。
 以下、本発明のパターン形成方法について詳細に説明する。
 本発明のパターン形成方法は、支持体に、組成物を用いて膜を形成する工程(1)と、得られた膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して所定部分の現像性を変化させる露光工程(2)と、膜を現像してパターンを得る現像工程(3)と、を含む。本発明のパターンの形成方法においては、組成物として、現像液に対する溶解性の互いに異なる複数の組成物を用い、得られるパターンが多層構造を有する。
 本発明の一好適な実施の形態としては、工程(1)として、支持体に、現像液に対する溶解性が互いに異なる複数の組成物からなる層を、一層塗布した後に乾燥することを繰り返して塗布し、続いて工程(2)として、膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して露光し、さらに工程(3)として、膜を複数の現像液で繰り返し処理するものである。
 また、本発明のパターン形成方法の他の実施の形態としては、工程(1)、工程(2)および工程(3)を行う一連の流れを複数回繰り返すもので、工程(1)における組成物は、上記の一連の流れごとに、現像液に対する溶解性がそれぞれに異なるものであり、工程(3)において現像に用いる現像液は、上記の一連の流れごとにそれぞれ異なるものを用いる。
 さらに、本発明のパターン形成方法のさらに他の実施の形態としては、工程(1)として、支持体に、組成物からなる下層を塗布した後に乾燥し、続いて上層として、組成物から得られるフィルムを積層して膜を形成するもので、上層と下層を構成する組成物は、現像液に対する溶解性が互いに異なるものである。続いて工程(2)として、膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して露光し、さらに工程(3)として、膜を複数の現像液で繰り返し処理を行う。
 本発明のパターン形成方法において、工程(1)として膜を形成した後、工程(2)として露光させる前にプレキュアとして、あるいは工程(3)として現像を行った後でポストキュアとして、加熱工程を経てもよい。
 加熱は、ホットプレート上に積層物を載せ昇温させる方法の他に、サーマルヘッド、クリーン・オーブン等の加熱装置を使用して、プロキシミティ方式や吸着方式、コンベア方式等があり、またそれらを組み合わせることにより行うことができる。加熱は、50~200℃で数秒~1時間行うことが好ましい。
 膜を形成するために組成物を塗布する方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、カーテンコーティング法、押し出しコーティング法、ロールコーティング法、スピンコーティング法、ディップコーティング法、バーコーティング法、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーティング法、スライドコーティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、印刷コーティング法、ナイフコーティング法、ファウンテンリバースコーティング法、静電塗装法等の各種の印刷、浸漬等の公知の手段を用いることができる。
 フィルムとしては、別の支持体に組成物を塗布し、乾燥させた後、支持体からはく離させたものを用いることができ、例えばドライフィルムを用いることができる。
 支持体としては、ジアセチルセルロース、トリアセチルセルロース(TAC)、プロピオニルセルロース、ブチリルセルロース、アセチルプロピオニルセルロース、ニトロセルロース等のセルロースエステル;ポリアミド;ポリカーボネート;ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリ-1,4-シクロヘキサンジメチレンテレフタレート、ポリエチレン-1,2-ジフェノキシエタン-4,4’-ジカルボキシレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエステル;ポリスチレン;ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン;ポリメチルメタクリレート等のアクリル系樹脂;ポリカーボネート;ポリスルホン;ポリエーテルスルホン;ポリエーテルケトン;ポリエーテルイミド;ポリオキシエチレン、ノルボルネン樹脂等の高分子材料の他、金属、木材、ゴム、プラスチック、ソーダガラス、石英ガラス、セラミック製品、紙、キャンバス、半導体基板等を挙げることができる。
 本発明においては、組成物としては、溶媒溶解性組成物、アルカリ溶解性組成物、溶媒現像性感光性組成物またはアルカリ現像性感光性組成物を用いることができるが、少なくとも最上層には、感光性組成物を用いる。
 本発明においては、溶媒溶解性組成物は、バインダー樹脂および必要に応じて後述するラジカル重合性化合物並びに/または溶媒を含有する。
 バインダー樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン等のポリオレフィン系ポリマー;ポリブタジエン、ポリイソプレン等のジエン系ポリマー;ポリアセチレン系ポリマー、ポリフェニレン系ポリマー等の共役ポリエン構造を有するポリマー;ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、酢酸ビニル、ポリビニルアルコール、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド、ポリアクリロニトリル、ポリビニルフェノール等のビニルポリマー;ポリフェニレンエーテル、ポリオキシラン、ポリオキセタン、ポリテトラヒドロフラン、ポリエーテルケトン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタール等のポリエーテル;ノボラック樹脂、レゾール樹脂等のフェノール樹脂;ポリエチレンテレフタレート、ポリフェノールフタレインテレフタレート、ポリカーボネート、アルキッド樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等のポリエステル;ナイロン-6、ナイロン66、水溶性ナイロン、ポリフェニレンアミド等のポリアミド;ゼラチン、カゼイン等のポリペプチド;ノボラックエポキシ樹脂、ビスフェノールエポキシ樹脂、ノボラックエポキシアクリレートおよび酸無水物により変性樹脂等のエポキシ樹脂およびその変性物;ポリウレタン、ポリイミド、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイミダゾール、ポリオキサゾール、ポリピロール、ポリアニリン、ポリスルフィド、ポリスルホン、セルロース類等が挙げられる。
 バインダー樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、通常1,000~500,000、好ましくは2,000~200,000、更に好ましくは3,000~100,000である。この場合、バインダー樹脂のMwが1,500未満では、膜の耐熱性が低下する傾向があり、一方300,000を越えると、膜の現像性や塗布性が低下する傾向がある。
 溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、ジエチルケトン、アセトン、メチルイソプロピルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン類;エチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、1,2-ジメトキシエタン、1,2-ジエトキシエタン、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系;酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸-n-プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n-ブチル等のエステル系;コハク酸ジメチル、コハク酸ジエチル、アジピン酸ジメチル、アジピン酸ジエチル、グルタル酸ジメチル、グルタル酸ジエチル等の二塩基酸エステル;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、酢酸セロソルブ等のセロソルブ系;メタノール、エタノール、イソ-またはn-プロパノール、イソ-またはn-ブタノール、アミルアルコール、アセトンアルコール等のアルコール系;エチレングリコールモノメチルアセテート、エチレングリコールモノエチルアセテート等のエーテルエステル系;ベンゼン、トルエン、キシレン等のBTX系;ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系;テレピン油、D-リモネン、ピネン等のテルペン系炭化水素油;ミネラルスピリット、スワゾール#310(コスモ松山石油(株))、ソルベッソ#100(エクソン化学(株))等のパラフィン系;四塩化炭素、クロロホルム、トリクロロエチレン、塩化メチレン、1,2-ジクロロエタン等のハロゲン化脂肪族炭化水素系;クロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素系;N,N-ジメチルホルムアミド、N-メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性極性溶媒;ジアルキルアミド、カルビトール系、アニリン、トリエチルアミン、ピリジン、酢酸、アセトニトリル、二硫化炭素、水等が挙げられ、これらの溶媒は1種または2種以上の混合溶媒として使用することができる。
 溶媒溶解性組成物において、溶媒が水である水溶解性組成物については、バインダー樹脂として、水溶性重合体を用いるのが好ましい。水溶性重合体としては、ポリビニアルコール、シラノール基等で変性されたポリビニルアルコール誘導体、酸化澱粉、エーテル化・エステル化・グラフト化された変性澱粉、ゼラチン・カゼイン・カルボキシメチルセルロース等のセルロース誘導体、ポリビニルピロリドン、水溶性ポリエステル樹脂、2-ヒドロキシプロピルアクリレートポリマー・4-ヒドロキシブチルアクリレートポリマー等の水溶性ポリアクリル酸エステル樹脂、水溶性ポリカーボネート樹脂、水溶性ポリ酢酸ビニル樹脂、水溶性スチレンアクリート樹脂、水溶性ビニルトルエンアクリレート樹脂、水溶性ポリウレタン樹脂、ポリビニルアミド・ポリアクリルアミド、変性アクリルアミド等の水溶性ポリアミド樹脂、水溶性尿素樹脂、水溶性ポリカプロラクトン樹脂、水溶性ポリスチレン樹脂、水溶性ポリ塩化ビニル樹脂、水溶性ポリアクリレート樹脂、水溶性ポリアクリロニトリル樹脂等の水溶性樹脂およびスチレン・ブタジエン共重合体、アクリル酸エステル共重合体、ポリ酢酸ビニル、エチレン・酢酸ビニル共重合体等の水溶性重合体が挙げられる。
 水溶性重合体としては、市販のものを用いることもでき、例えば、ゴーセノールシリーズ、ゴーセネックスZシリーズ、ニチゴーG-ポリマー(日本合成化学工業社製)、BIOSURFINE-AWP(東洋合成工業社製)、スミカゲルシリーズ(住友化学社製)、ジュリマーシリーズ(東亞合成社製)、アクアリックLシリーズ(日本触媒社製)、ピッツコールシリーズ(第一工業製薬社製)、AQナイロンシリーズ(東レ社製)、クラレポバール(クラレ社製)、SP-1200、SP-1400、SP-7000、AQUASOLシリーズ、SP-8305、ONEPOTシリーズ、MSP-2、SP-PRO(ムラカミ社製感光材)等が挙げられる。
 溶媒溶解性組成物としては、ラジカル重合性化合物、ラジカル重合開始剤および必要に応じて溶媒を含有するものを用いることもでき、重合開始剤が熱ラジカル重合開始剤である場合は、加熱により重合反応を行い、膜を形成させる。重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である場合は、溶媒現像性感光性組成物となり、活性エネルギー線を照射することにより重合反応を行い、膜を形成させる。
 ラジカル重合性化合物としては、特に限定されず、従来用いられているものを用いることができるが、例えば、エチレン、プロピレン、ブチレン、イソブチレン、塩化ビニル、塩化ビニリデン、フッ化ビニリデン、テトラフルオロエチレン等の不飽和脂肪族炭化水素;(メタ)アクリル酸、α―クロルアクリル酸、イタコン酸、マレイン酸、シトラコン酸、フマル酸、ハイミック酸、クロトン酸、イソクロトン酸、ビニル酢酸、アリル酢酸、桂皮酸、ソルビン酸、メサコン酸、コハク酸モノ[2-(メタ)アクリロイロキシエチル]、フタル酸モノ[2-(メタ)アクリロイロキシエチル]、ω-カルボキシポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等の両末端にカルボキシ基と水酸基とを有するポリマーのモノ(メタ)アクリレート;ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート・マレート、ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート・マレート、ジシクロペンタジエン・マレート或いは1個のカルボキシル基と2個以上の(メタ)アクリロイル基とを有する多官能(メタ)アクリレート等の不飽和多塩基酸;(メタ)アクリル酸-2-ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸-2-ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸グリシジル、下記化合物No.A1~No.A4、(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸イソブチル、(メタ)アクリル酸-t-ブチル、(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸n-オクチル、(メタ)アクリル酸イソオクチル、(メタ)アクリル酸イソノニル、(メタ)アクリル酸ステアリル、(メタ)アクリル酸ラウリル、(メタ)アクリル酸メトキシエチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノメチル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノエチル、(メタ)アクリル酸アミノプロピル、(メタ)アクリル酸ジメチルアミノプロピル、(メタ)アクリル酸エトキシエチル、(メタ)アクリル酸ポリ(エトキシ)エチル、(メタ)アクリル酸ブトキシエトキシエチル、(メタ)アクリル酸エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸フェノキシエチル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフリル、(メタ)アクリル酸ビニル、(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸ベンジル、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4-ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6-ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジメチロールジ(メタ)アクリレート、トリ[(メタ)アクリロイルエチル]イソシアヌレート、ポリエステル(メタ)アクリレートオリゴマー等の不飽和一塩基酸および多価アルコールまたは多価フェノールのエステル;(メタ)アクリル酸亜鉛、(メタ)アクリル酸マグネシウム等の不飽和多塩基酸の金属塩;マレイン酸無水物、イタコン酸無水物、シトラコン酸無水物、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロフリル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸-無水マレイン酸付加物、ドデセニル無水コハク酸、無水メチルハイミック酸等の不飽和多塩基酸の酸無水物;(メタ)アクリルアミド、メチレンビス-(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミントリス(メタ)アクリルアミド、キシリレンビス(メタ)アクリルアミド、α-クロロアクリルアミド、N-2-ヒドロキシエチル(メタ)アクリルアミド等の不飽和一塩基酸および多価アミンのアミド;アクロレイン等の不飽和アルデヒド;(メタ)アクリロニトリル、α-クロロアクリロニトリル、シアン化ビニリデン、シアン化アリル等の不飽和ニトリル;スチレン、4-メチルスチレン、4-エチルスチレン、4-メトキシスチレン、4-ヒドロキシスチレン、4-クロロスチレン、ジビニルベンゼン、ビニルトルエン、ビニル安息香酸、ビニルフェノール、ビニルスルホン酸、4-ビニルベンゼンスルホン酸、ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルベンジルグリシジルエーテル等の不飽和芳香族化合物;メチルビニルケトン等の不飽和ケトン;ビニルアミン、アリルアミン、N-ビニルピロリドン、ビニルピペリジン等の不飽和アミン化合物;アリルアルコール、クロチルアルコール等のビニルアルコール;ビニルメチルエーテル、ビニルエチルエーテル、n-ブチルビニルエーテル、イソブチルビニルエーテル、アリルグリシジルエーテル等のビニルエーテル;マレイミド、N-フェニルマレイミド、N-シクロヘキシルマレイミド等の不飽和イミド類;インデン、1-メチルインデン等のインデン類;1,3-ブタジエン、イソプレン、クロロプレン等の脂肪族共役ジエン類;ポリスチレン、ポリメチル(メタ)アクリレート、ポリ-n-ブチル(メタ)アクリレート、ポリシロキサン等の重合体分子鎖の末端にモノ(メタ)アクリロイル基を有するマクロモノマー類;ビニルクロリド、ビニリデンクロリド、ジビニルスクシナート、ジアリルフタラート、トリアリルホスファート、トリアリルイソシアヌラート、ビニルチオエーテル、ビニルイミダゾール、ビニルオキサゾリン、ビニルカルバゾール、ビニルピロリドン、ビニルピリジン、水酸基含有ビニルモノマーおよびポリイソシアネート化合物のビニルウレタン化合物、水酸基含有ビニルモノマーおよびポリエポキシ化合物のビニルエポキシ化合物が挙げられる。
 これらのラジカル重合性化合物は、単独でまたは2種以上を混合して使用することができ、また2種以上を混合して使用する場合には、それらを予め共重合して共重合体としたものを併用してもよい。
    化合物No.A1
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000001
    化合物No.A2
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000002
    化合物No.A3
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000003
    化合物No.A4
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000004
 熱ラジカル重合開始剤としては、2,2’-アゾビスイソブチロニトリル、2,2’-アゾビス(メチルイソブチレ-ト)、2,2’-アゾビス-2,4-ジメチルバレロニトリル、1,1’-アゾビス(1-アセトキシ-1-フェニルエタン)等のアゾ系開始剤;ベンゾイルパーオキサイド、ジ-t-ブチルベンゾイルパーオキサイド、t-ブチルパーオキシピバレート、ジ(4-t-ブチルシクロヘキシル)パーオキシジカーボネート等の過酸化物系開始剤、過硫酸アンモニウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩等が挙げられる。これらは一種または二種以上を混合して用いることができる。
 光ラジカル重合開始剤としては、光照射を受けることによってラジカル重合を開始させることが可能となる化合物であればよく、例えば、アセトフェノン系化合物、ベンジル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、チオキサントン系化合物などのケトン系化合物、アシルホスフィンオキサイド系化合物、オキシム系化合物などを好ましいものとして例示することができる。
 アセトフェノン系化合物としては例えば、ジエトキシアセトフェノン、2-ヒドロキシ-2-メチル-1-フェニルプロパン-1-オン、4’-イソプロピル-2-ヒドロキシ-2-メチルプロピオフェノン、2-ヒドロキシメチル-2-メチルプロピオフェノン、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン、p-ジメチルアミノアセトフェノン、p-ターシャリブチルジクロロアセトフェノン、p-ターシャリブチルトリクロロアセトフェノン、p-アジドベンザルアセトフェノン、1-ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2-メチル-1-[4-(メチルチオ)フェニル]-2-モルフォリノプロパノン-1、2-ベンジル-2-ジメチルアミノ-1-(4-モルフォリノフェニル)-ブタノン-1、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾイン-n-ブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、1-[4-(2-ヒドロキシエトキシ)-フェニル]-2-ヒドロキシ-2-メチル-1-プロパン-1-オン等が挙げられる。
 ベンジル系化合物としては、ベンジル、アニシル等が挙げられる。
 ベンゾフェノン系化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、o-ベンゾイル安息香酸メチル、ミヒラーケトン、4,4’-ビスジエチルアミノベンゾフェノン、4,4’-ジクロロベンゾフェノン、4-ベンゾイル-4’-メチルジフェニルスルフィドなどが挙げられる。
 チオキサントン系化合物としては、チオキサントン、2-メチルチオキサントン、2-エチルチオキサントン、2-クロロチオキサントン、2-イソプロピルチオキサントン、2,4-ジエチルチオキサントン等が挙げられる。
 アシルホスフィンオキサイド系化合物としては、2,4,6-トリメチルベンゾイル-ジフェニル-ホスフィンオキサイド、フェニル(2,4,6-トリメチルベンゾイル)ホスフィン酸エチル、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)-フェニルホスフィンオキサイド、ビス(2,4,6-トリメチルベンゾイル)(2-メチルプロプ-1-イル)ホスフィンオキシド等が挙げられる。
 オキシム系化合物としては、特に、下記一般式(I)で表される化合物が、感度の点から好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000005
 ここで、式(I)中、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数6~30のアリール基、炭素原子数7~30のアリールアルキル基または炭素原子数2~20の複素環基を表す。
 RおよびRは、それぞれ独立に、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基、R、OR、SR、NR、COR10、SOR11、SO12またはCONR1314を表し、RおよびRは、互いに結合して環を形成していてもよい。
 R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13およびR14は、それぞれ独立に、炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数6~30のアリール基、炭素原子数7~30のアリールアルキル基または炭素原子数2~20の複素環基を表す。
 Xは、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、CR1516、CO、NR17またはPR18を表し、Xは、単結合またはCOを表す。
 R、R、R、R、R、R、R、R10、R15、R16、R17およびR18中の炭素原子数1~20のアルキル基、炭素原子数6~30のアリール基または炭素原子数7~30のアリールアルキル基を表し、アルキル基またはアリールアルキル基中のメチレン基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、水酸基、カルボキシル基または複素環基で置換されていてもよく、-O-で中断されていてもよく、RおよびRは、それぞれ独立に、隣接するどちらかのベンゼン環と一緒になって環を形成していてもよく、aは、0~4の整数を表し、bは、0~5の整数を表す。
 これらの光ラジカル重合開始剤は1種あるいは2種以上のものを所望の性能に応じて配合して使用することができる。
 溶媒溶解性組成物としては、カチオン重合性化合物、カチオン重合性開始剤および必要に応じて溶剤を含有するものを用いることもでき、重合開始剤が熱カチオン重合開始剤である場合は、加熱により重合反応を行い、膜を形成させる。重合開始剤が光カチオン重合開始剤である場合は、溶媒現像性感光性組成物となり、活性エネルギー線を照射することにより重合反応を行い、膜を形成させる。
 カチオン重合性化合物としては、光または熱照射により活性化したカチオン重合開始剤により高分子化または架橋反応を起こすカチオン重合性化合物を1種類または2種類以上混合して使用することができ、カチオン重合性化合物として代表的なものは、エポキシ化合物、オキセタン化合物、環状ラクトン化合物、環状アセタール化合物、環状チオエーテル化合物、スピロオルトエステル化合物、ビニル化合物等であり、これらの1種または2種以上使用することができる。中でも入手するのが容易であり、取り扱いに便利なエポキシ化合物およびオキセタン化合物が適している。
 このうちエポキシ化合物としては、脂環式エポキシ化合物、芳香族エポキシ化合物、脂肪族エポキシ化合物等が適している。
 脂環式エポキシ化合物の具体例としては、少なくとも1個の脂環を有する多価アルコールのポリグリシジルエーテルまたはシクロヘキセンやシクロペンテン環含有化合物を酸化剤でエポキシ化することによって得られるシクロヘキセンオキサイドやシクロペンテンオキサイド含有化合物が挙げられる。例えば、水素添加ビスフェノールAジグリシジルエーテル、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシ-1-メチルシクロヘキシル-3,4-エポキシ-1-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、6-メチル-3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-6-メチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシ-3-メチルシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシ-3-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシ-5-メチルシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシ-5-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、2-(3,4-エポキシシクロヘキシル-5,5-スピロ-3,4-エポキシ)シクロヘキサン-メタジオキサン、ビス(3,4-エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルカルボキシレート、メチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサン)、ジシクロペンタジエンジエポキサイド、エチレンビス(3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート)、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジ-2-エチルヘキシル、上記化合物No.A2~No.A4等が挙げられる。
 脂環式エポキシ樹脂として好適に使用できる市販品としては、UVR-6100、UVR-6105、UVR-6110、UVR-6128、UVR-6200(以上、ユニオンカーバイド社製)、セロキサイド2021、セロキサイド2021P、セロキサイド2081、セロキサイド2083、セロキサイド2085、セロキサイド2000、セロキサイド3000、サイクロマーA200、サイクロマーM100、サイクロマーM101、エポリードGT-301、エポリードGT-302、エポリード401、エポリード403、ETHB、エポリードHD300(以上、ダイセル化学工業(株)製)、KRM-2110、KRM-2199(以上、ADEKA(株)製)などを挙げることができる。
 また、芳香族エポキシ樹脂の具体例としては、少なくとも1個の芳香族環を有する多価フェノールまたは、そのアルキレンオキサイド付加物のポリグリシジルエーテル、例えば上記一般式(IV)で表されるエポキシ化合物ビスフェノールA、ビスフェノールF、またはこれらに更にアルキレンオキサイドを付加した化合物のグリシジルエーテル;フェノールノボラック型エポキシ化合物、ビフェニルノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールAノボラック型エポキシ化合物、ジシクロペンタジエンノボラック型エポキシ化合物等のノボラック型エポキシ化合物;3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシ-6-メチルシクロヘキサンカルボキシレート、3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、1-エポキシエチル-3,4-エポキシシクロヘキサン等の脂環式エポキシ化合物;フタル酸ジグリシジルエステル、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸グリシジルエステル等のグリシジルエステル類;テトラグリシジルジアミノジフェニルメタン、トリグリシジルP-アミノフェノール、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン類;1,3-ジグリシジル-5,5-ジメチルヒダントイン、トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環式エポキシ化合物;ジシクロペンタジエンジオキシド等のジオキシド化合物;ナフタレン型エポキシ化合物;トリフェニルメタン型エポキシ化合物;ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物フェニルグリシジルエーテル、p-ブチルフェノールグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、2-メチルクレジルグリシジルエーテル、4-ノニルフェニルグリシジルエーテル、ベンジルグリシジルエーテル、p-クミルフェニルグリシジルエーテル、トリチルグリシジルエーテル等の単官能芳香族エポキシ化合物等が挙げられる。
 脂肪族エポキシ樹脂の具体例としては、脂肪族多価アルコールまたはそのアルキレンオキサイド付加物のポリグリシジルエーテル、脂肪族長鎖多塩基酸のポリグリシジルエステル、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートのビニル重合により合成したホモポリマー、グリシジルアクリレートまたはグリシジルメタクリレートとその他のビニルモノマーとのビニル重合により合成したコポリマー等が挙げられる。代表的な化合物として、グリシジルメタクリレート、メチルグリシジルエーテル、エチルグリシジルエーテル、プロピルグリシジルエーテル、イソプロピルグリシジルエーテル、ブチルグリシジルエーテル、イソブチルグリシジルエーテル、t-ブチルグリシジルエーテル、ペンチルグリシジルエーテル、ヘキシルグリシジルエーテル、ヘプチルグリシジルエーテル、オクチルグリシジルエーテル、ノニルグリシジルエーテル、デシルグリシジルエーテル、ウンデシルグリシジルエーテル、ドデシルグリシジルエーテル、トリデシルグリシジルエーテル、テトラデシルグリシジルエーテル、ペンタデシルグリシジルエーテル、ヘキサデシルグリシジルエーテル、2-エチルヘキシルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、プロパルギルグリシジルエーテル、p-メトキシエチルグリシジルエーテル、p-メトキシグリシジルエーテル、2,3-エポキシプロピルメタクリレート、エポキシ化アマニ油、グリシジルブチレート、ビニルシクロヘキサンモノオキシド、1,2-エポキシ-4-ビニルシクロヘキサン、スチレンオキシド、ピネンオキシド、メチルスチレンオキシド、シクロヘキセンオキシド、プロピレンオキシド、上記化合物No.A1、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル、1,6-ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、1,4-シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、1,1,1-トリ(グリシジルオキシメチル)プロパン、1,1,1-トリ(グリシジルオキシメチル)エタン、1,1,1-トリ(グリシジルオキシメチル)メタン、1,1,1,1-テトラ(グリシジルオキシメチル)メタン、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ソルビトールのテトラグリシジルエーテル、ジペンタエリスリトールのヘキサグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテルなどの多価アルコールのグリシジルエーテル、またプロピレングリコール、トリメチロールプロパン、グリセリン等の脂肪族多価アルコールに1種または2種以上のアルキレンオキサイドを付加することによって得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル、脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステルが挙げられる。さらに、脂肪族高級アルコールのモノグリシジルエーテルやフェノール、クレゾール、ブチルフェノール、また、これらにアルキレンオキサイドを付加することによって得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル、高級脂肪酸のグリシジルエステル、エポキシ化大豆油、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシ化ポリブタジエン等が挙げられる。
 芳香族および脂肪族エポキシ樹脂として好適に使用できる市販品としては、エピコート801、エピコート828(以上、油化シェルエポキシ社製)、PY-306、0163、DY-022(以上、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製)、KRM-2720、EP-4100、EP-4000、EP-4080、EP-4900、ED-505、ED-506(以上、(株)ADEKA製)、エポライトM-1230、エポライトEHDG-L、エポライト40E、エポライト100E、エポライト200E、エポライト400E、エポライト70P、エポライト200P、エポライト400P、エポライト1500NP、エポライト1600、エポライト80MF、エポライト100MF、エポライト4000、エポライト3002、エポライトFR-1500(以上、共栄社化学(株)製)、サントートST0000、YD-716、YH-300、PG-202、PG-207、YD-172、YDPN638(以上、東都化成(株)製)などを挙げることができる。
 また、上記オキセタン化合物の具体例としては、例えば、以下の化合物を挙げることができる。3-エチル-3-ヒドロキシメチルオキセタン、3-(メタ)アリルオキシメチル-3-エチルオキセタン、(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチルベンゼン、4-フルオロ-[1-(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、4-メトキシ-[1-(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、[1-(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)エチル]フェニルエーテル、イソブトキシメチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、イソボルニルオキシエチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、イソボルニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、2-エチルヘキシル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、エチルジエチレングリコール(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンタジエン(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンテニルオキシエチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンテニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、テトラヒドロフルフリル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、テトラブロモフェニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、2-テトラブロモフェノキシエチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、トリブロモフェニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、2-トリブロモフェノキシエチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、2-ヒドロキシエチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、2-ヒドロキシプロピル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ブトキシエチル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ペンタクロロフェニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ペンタブロモフェニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ボルニル(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、3,7-ビス(3-オキセタニル)-5-オキサ-ノナン、3,3’-(1,3-(2-メチレニル)プロパンジイルビス(オキシメチレン))ビス-(3-エチルオキセタン)、1,4-ビス[(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,2-ビス[(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]エタン、1,3-ビス[(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)メチル]プロパン、エチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジシクロペンテニルビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、トリエチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、テトラエチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、トリシクロデカンジイルジメチレン(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、トリメチロールプロパントリス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、1,4-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)ブタン、1,6-ビス(3-エチル-3-オキセタニルメトキシ)ヘキサン、ペンタエリスリトールトリス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ペンタエリスリトールテトラキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ポリエチレングリコールビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールヘキサキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールペンタキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジペンタエリスリトールテトラキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールペンタキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、ジトリメチロールプロパンテトラキス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、EO変性ビスフェノールAビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、PO変性ビスフェノールAビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、EO変性水添ビスフェノールAビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、PO変性水添ビスフェノールAビス(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル、EO変性ビスフェノールF(3-エチル-3-オキセタニルメチル)エーテル等を例示することができる。
 これらオキセタン化合物は、特に可撓性を必要とする場合に使用すると効果的であり、好ましい。
 カチオン重合性化合物のその他の化合物の具体例としては、β-プロピオラクトン、ε-カプロラクトン等の環状ラクトン化合物;トリオキサン、1,3-ジオキソラン、1,3,6-トリオキサンシクロオクタン等の環状アセタール化合物;テトラヒドロチオフェン誘導体等の環状チオエーテル化合物;上述のエポキシ化合物とラクトンの反応によって得られるスピロオルトエステル化合物;エチレングリコールジビニルエーテル、アルキルビニルエーテル、2-クロロエチルビニルエーテル、2-ヒドロキシエチルビニルエーテル、トリエチレングリコールジビニルエーテル、1,4-シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、ヒドロキシブチルビニルエーテル、プロピレングリコールのプロペニルエーテル等のビニルエーテル化合物、スチレン、ビニルシクロヘキセン、イソブチレン、ポリブタジエン等のエチレン性不飽和化合物等のビニル化合物;テトラヒドロフラン、2,3-ジメチルテトラヒドロフラン等のオキソラン化合物;エチレンスルフィド、チオエピクロルヒドリン等のチイラン化合物;1,3-プロピンスルフィド、3,3-ジメチルチエタン等のチエタン化合物;シリコーン類等周知の化合物が挙げられる。
 カチオン重合開始剤としては、光または熱照射により活性化する化合物であればどのようなものでも差し支えなく、例えば、オニウム塩、ナフタルイミドスルホネート化合物、オキシムスルホネート化合物、スルホニルイミド化合物、スルホン酸エステル等が挙げられ、オニウム塩およびナフタルイミドスルホネート化合物が好ましい。使用条件により、熱カチオン重合開始剤として、あるいは光カチオン重合開始剤として作用する。
 オニウム塩としては、例えば、[M]r+[G]r-で表される陽イオンと陰イオンの塩が挙げられる。ここで陽イオン[M]r+はオニウムであることが好ましく、その構造は、例えば、下記一般式、[(R29Q]r+で表すことができる。
 R29は、炭素原子数が1~60であり、炭素原子以外の原子をいくつ含んでいてもよい有機の基である。fは1~5なる整数である。f個のR29は各々独立で、同一でも異なっていてもよい。また、少なくとも1つは、芳香環を有する上記の如き有機の基であることが好ましい。QはS,N,Se,Te,P,As,Sb,Bi,O,I,Br,Cl,F,N=Nからなる群から選ばれる原子あるいは原子団である。また、陽イオン[M]r+中のQの原子価をqとしたとき、r=f-qなる関係が成り立つことが必要である(但し、N=Nは原子価0として扱う)。
 また、陰イオン[G]r-の具体例としては、一価のものとして、塩化物イオン、臭化物イオン、ヨウ化物イオン、フッ化物イオン等のハロゲン化物イオン;過塩素酸イオン、塩素酸イオン、チオシアン酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン等の無機系陰イオン;テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート、テトラ(3,5-ジフルオロ-4-メトキシフェニル)ボレート、テトラフルオロボレート、テトラアリールボレート、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート等のボレート系陰イオン;メタンスルホン酸イオン、ドデシルスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン、トルエンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ナフタレンスルホン酸イオン、ジフェニルアミン-4-スルホン酸イオン、2-アミノ-4-メチル-5-クロロベンゼンスルホン酸イオン、2-アミノ-5-ニトロベンゼンスルホン酸イオン、フタロシアニンスルホン酸イオン、フルオロスルホン酸イオン、トリニトロベンゼンスルホン酸陰イオン、カンファースルホン酸イオン、ノナフロロブタンスルホン酸イオン、ヘキサデカフロロオクタンスルホン酸イオン、重合性置換基を有するスルホン酸イオン、特開平10-235999、特開平10-337959、特開平11-102088、特開2000-108510、特開2000-168223、特開2001-209969、特開2001-322354、特開2006-248180、特開2006-297907、特開平8-253705号公報、特表2004-503379号公報、特開2005-336150号公報、国際公開2006/28006号公報等に記載されたスルホン酸イオン等の有機スルホン酸系陰イオン;オクチルリン酸イオン、ドデシルリン酸イオン、オクタデシルリン酸イオン、フェニルリン酸イオン、ノニルフェニルリン酸イオン、2,2’-メチレンビス(4,6-ジ-t-ブチルフェニル)ホスホン酸イオン等の有機リン酸系陰イオン、ビストリフルオロメチルスルホニルイミドイオン、ビスパーフルオロブタンスルホニルイミドイオン、パーフルオロ-4-エチルシクロヘキサンスルホン酸イオン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸イオン、トリス(フルオロアルキルスルホニル)カルボアニオン等が挙げられ、二価のものとしては、例えば、ベンゼンジスルホン酸イオン、ナフタレンジスルホン酸イオン等が挙げられる。
 本発明では、このようなオニウム塩の中でも、アリールジアゾニウム塩、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩等の芳香族オニウム塩を使用することが特に有効である。これらの中から、その1種を単独で、または2種以上を混合して使用することができる。
 また、その他好ましいものとしては、(η-2,4-シクロペンタジエン-1-イル)〔(1,2,3,4,5,6-η)-(1-メチルエチル)ベンゼン〕-アイアン-ヘキサフルオロホスフェート等の鉄-アレーン錯体や、トリス(アセチルアセトナト)アルミニウム、トリス(エチルアセトナトアセタト)アルミニウム、トリス(サリチルアルデヒダト)アルミニウム等のアルミニウム錯体とトリフェニルシラノール等のシラノール類との混合物等も挙げることができる。
 これらの中でも、実用面と光感度の観点から、芳香族スルホニウム塩を用いることが好ましい。該芳香族スルホニウム塩としては、市販のものを用いることもでき、例えば、WPAG-336、WPAG-367、WPAG-370、WPAG-469、WPAG-638(和光純薬工業社製)、CPI-100P、CPI-101A、CPI-200K、CPI-210S(サンアプロ社製)、アデカオプトマーSP-056、アデカオプトマーSP-066、アデカオプトマーSP-130、アデカオプトマーSP-140、アデカオプトマーSP-082、アデカオプトマーSP-103、アデカオプトマーSP-601、アデカオプトマーSP-606、アデカオプトマーSP-701(ADEKA社製)等が挙げられる。
 ナフタルイミドスルホネート化合物としては、下記一般式(II)で表されるものが、感度の点から好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000006
 ここで、式(II)中、R21は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアリールアルキル基、アシル基で、置換された炭素数7~20のアリール基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基または10-カンファーイル基を表し、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、脂環式炭化水素基は、置換基を有しないか、ハロゲン原子、炭素原子数1~4のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1~18のアルコキシ基および炭素数1~18のアルキルチオ基から選ばれる基で置換される。R22、R23、R24、R25、R26およびR27は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、水酸基、ニトロ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1~40のアルキル基、炭素原子数6~20のアリール基、炭素原子数7~20のアリールアルキル基または炭素原子数2~20の複素環含有基を表す。
 オキシムスルホネート化合物としては、下記一般式(III)で表されるものが、感度の点から好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000007
 ここで、式(III)中、R31は、炭素数1~18の脂肪族炭化水素基、炭素数6~20のアリール基、炭素数7~20のアリールアルキル基、アシル基で置換された炭素数7~20のアリール基、炭素数3~12の脂環式炭化水素基または10-カンファーイル基を表し、脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、脂環式炭化水素基は、置換基を有しないか、ハロゲン原子、炭素原子数1~4のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1~18のアルコキシ基および炭素数1~18のアルキルチオ基から選ばれる基で置換される。R32およびR53は、シアノ基、カルボキシル基、置換基を有していてもよい炭素原子数1~40のアルキル基、炭素原子数6~20のアリール基、炭素原子数7~20のアリールアルキル基または炭素原子数2~20の複素環含有基を表し、R32およびR33は、互いに連結して五員環の複素環を形成していてもよい。
 光酸発生剤としては、活性エネルギー線を照射することにより酸を発生する化合物が挙げられ、カチオン重合性開始剤として例示したものの他、アルカンスルホン酸、アリールスルホン酸、部分的にまたは完全にフッ素化されたアリールスルホン酸、部分的にまたは完全にフッ素化されたアルカンスルホン酸;2-ニトロベンジルエステル類、N-イミノスルホネート類、アリールスルホン酸エステル類、塩素等のハロゲンを有する複素環式化合物;ジアゾニウム塩、ナフトキノンジアジドスルホン酸と各種多価フェノールとのエステルであるナフトキノンジアジドスルホン酸エステル等のインデンカルボン酸を発生するジアゾナフトキノン化合物を用いることができる。
 ジアゾナフトキノン化合物としては、例えば、2,3,4-トリヒドロキシベンゾフェノン、4-(4-[1,1-ビス(4-ヒドロキシフェニル)エチル]-α,α-ジメチルベンジル)フェノール、6-ジアゾ-5,6-ジヒドロ-5-オキソ-1-ナフタレンスルホン酸等が挙げられる。
 溶媒用現像性感光性組成物において、溶媒が水である水現像性感光性組成物については、バインダー樹脂として、感光性基を導入した水溶性重合体を用いることができる。感光性基としては、ビニル基、アリル基、スチリル基、シンナミル基、シンナモイル基、シンナミリデン基、シンナミリデンアセチル基、カルコン基、クマリン基、イソクマリン基、2,5-ジメトキシスチルベン基、マレイミド基、α-フェニルマレイミド基、2-ピロン基、アジド基、チミン基、キノン基、マレイミド基、ウラシル基、ピリミジン基、スチルバゾリウム基、スチリルピリジニウム基、スチリルキノリウム基、エポキシ基、オキセタン基、ビニルエーテル基、アリルエーテル基、アセチルアセトン構造またはβ-ジケトン構造等が挙げられる。
 アルカリ溶解性組成物は、アルカリ溶解性を有するバインダー樹脂および必要に応じて上記ラジカル重合性化合物並びに/または溶媒を含有する。アルカリ溶解性を有するバインダー樹脂としては、樹脂側鎖または主鎖にカルボキシル基あるはいフェノール性水酸基等を有する樹脂を用いることができ、例えば、アクリル酸(共)重合体、アクリル酸エステルの共重合体、フェノールおよび/またはクレゾールノボラックエポキシ樹脂、多官能エポキシ基を有するポリフェニルメタン型エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、下記一般式(IV)で表されるエポキシ化合物等のエポキシ基に、不飽和一塩基酸を作用させ、更に多塩基酸無水物を作用させて得られた樹脂、スチレン/無水マレイン酸樹脂、ノボラックエポキシアクリレートの酸無水物変性樹脂、ヒドロキシスチレンポリマーおよびその誘導体、フェノール樹脂、リン酸ポリマー等が挙げられる。
を用いることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000008
 ここで、式(IV)中、Xは直接結合、メチレン基、炭素原子数1~4のアルキリデン基、炭素原子数3~20の脂環式炭化水素基、O、S、SO、SS、SO、CO、OCOまたは下記式(イ)、(ロ)または(ハ)で表される基を表し、上記アルキリデン基はハロゲン原子で置換されていてもよく、R41、R42、R43、R44、R45、R46、R47及およびR48は、それぞれ独立に、水素原子、炭素原子数1~5のアルキル基、炭素原子数1~8のアルコキシ基、炭素原子数2~5のアルケニル基またはハロゲン原子を表し、上記アルキル基、アルコキシ基およびアルケニル基はハロゲン原子で置換されていてもよく、mは0~10の整数であり、mが0で無いときに存在する光学異性体は、どの異性体でもよい。
(イ)
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000009
 ここで、式中、Zは水素原子、炭素原子数1~10のアルキル基若しくは炭素原子数1~10のアルコキシ基により置換されていてもよいフェニル基、または炭素原子数1~10のアルキル基若しくは炭素原子数1~10のアルコキシ基により置換されていてもよい炭素原子数3~10のシクロアルキル基を示し、Yは炭素原子数1~10のアルキル基、炭素原子数1~10のアルコキシ基、炭素原子数2~10のアルケニル基またはハロゲン原子を示し、上記アルキル基、アルコキシ基およびアルケニル基はハロゲン原子で置換されていてもよく、dは0~5の整数である。
(ロ)
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000010
(ハ)
Figure JPOXMLDOC01-appb-I000011
 ここで、式中、YおよびZは、それぞれ独立して、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数1~10のアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数6~20のアリール基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数6~20のアリールオキシ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数6~20のアリールチオ基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数6~20のアリールアルケニル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数7~20のアリールアルキル基、ハロゲン原子で置換されていてもよい炭素原子数2~20の複素環基、またはハロゲン原子を表し、上記アルキル基およびアリールアルキル基中のアルキレン部分は、不飽和結合、-O-または-S-で中断されていてもよく、Zは、隣接するZ同士で環を形成していてもよく、pは0~4の整数を表し、qは0~8の整数を表し、rは0~4の整数を表し、sは0~4の整数を表し、rとsの数の合計は2~4の整数である。
 エポキシ化合物に作用させる上記不飽和一塩基酸としては、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、桂皮酸、ソルビン酸、ヒドロキシエチルメタクリレート・マレート、ヒドロキシエチルアクリレート・マレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート・マレート、ヒドロキシプロピルアクリレート・マレート、ジシクロペンタジエン・マレート等が挙げられる。
 また、不飽和一塩基酸を作用させた後に作用させる上記多塩基酸無水物としては、ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、テトラヒドロ無水フタル酸、無水コハク酸、ビフタル酸無水物、無水マレイン酸、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、2,2’-3,3’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセロールトリスアンヒドロトリメリテート、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、ナジック酸無水物、メチルナジック酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、5-(2,5-ジオキソテトラヒドロフリル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸-無水マレイン酸付加物、ドデセニル無水コハク酸、無水メチルハイミック酸等が挙げられる。
 エポキシ化合物、上記不飽和一塩基酸および上記多塩基酸無水物の反応モル比は、以下の通りとすることが好ましい。即ち、上記エポキシ化合物のエポキシ基1個に対し、上記不飽和一塩基酸のカルボキシル基が0.1~1.0個で付加させた構造を有するエポキシ付加物において、該エポキシ付加物の水酸基1個に対し、上記多塩基酸無水物の酸無水物構造が0.1~1.0個となる比率となるようにするのが好ましい。上記エポキシ化合物、上記不飽和一塩基酸および上記多塩基酸無水物の反応は、常法に従って行なうことができる。
 上記アルカリ現像性感光性組成物は、上記アルカリ現像性を有するバインダー樹脂、上記ラジカル重合性化合物、光重合開始剤および必要に応じて溶媒を含有する。
 酸価調整して本発明のアルカリ現像性感光性樹脂組成物の現像性を改良するため、更に上記カチオン重合性化合物を用いることができる。上記アルカリ現像性を有するバインダー樹脂は、固形分の酸価が5~120mgKOH/gの範囲であることが好ましく、カチオン重合性化合物の使用量は、上記酸価を満たすように選択するのが好ましい。
 上記アルカリ現像性感光性組成物は、上記ラジカル重合性化合物のうち、ヒドロキシ基やカルボキシル基等のアルカリ現像性官能基を有するもの、光重合開始剤および必要に応じて溶媒を含有するものを用い、アルカリ現像性官能基を有するラジカル重合性化合物を重合させることにより膜を形成させることもできる。
 上記アルカリ現像性感光性組成物としては、レジストベース樹脂に酸の作用により分解する保護基を導入した高分子重合体、光酸発生剤および必要に応じて溶剤を含有するもので、露光により光酸発生剤から発生した酸の作用によって、レジストベース樹脂の脱保護反応で誘起される極性変化で現像液に可溶化させるポジ型レジスト、あるいはレジストベース樹脂と架橋剤を反応させた樹脂、光酸発生剤および溶剤を含有するもので、重合または架橋等化学的な連鎖反応を起こし、レジストベース樹脂の架橋反応や極性変化で現像液に不溶化させ、現像の際に未露光部分だけが選択的に除去されるネガ型レジストを用いることもでき、特に、化学増幅型レジストとして有用である。
 上記レジストベース樹脂としては、ポリヒドロキシスチレンおよびその誘導体;ポリアクリル酸およびその誘導体;ポリメタクリル酸およびその誘導体;ヒドロキシスチレン、アクリル酸、メタクリル酸およびそれらの誘導体から選ばれ形成される2以上の共重合体;ヒドロキシスチレン、スチレンおよびそれらの誘導体から選ばれ形成される2以上の共重合体;ポリオレフィンおよびその誘導体、シクロオレフィンおよびその誘導体、無水マレイン酸、並びに、アクリル酸およびその誘導体から選ばれる3以上の共重合体;シクロオレフィンおよびその誘導体、マレイミド、並びに、アクリル酸およびその誘導体から選ばれる3以上の共重合体;ポリノルボルネン;メタセシス開環重合体からなる一群から選択される1種以上の高分子重合体;シリコーン樹脂等が挙げられる。
 上記レジストベース樹脂のゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)によるポリスチレン換算重量平均分子量(Mw)は、通常1,000~500,000、好ましくは2,000~200,000、更に好ましくは3,000~100,000である。この場合、レジストベース樹脂のMwが1,500未満では、膜の耐熱性が低下する傾向があり、一方300,000を越えると、膜の現像性や塗布性が低下する傾向がある。
 上記保護基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、フェノキシカルボニル基、アセトキシ基、メトキシアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、t-ブチルカルボニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、アダマンチルカルボニルオキシ基等のエステル基;三級アルキル基、トリアルキルシリル基、オキソアルキル基、アリール基置換アルキル基、テトラヒドロピラン-2-イル基等の複素脂環基;三級アルキルカルボニル基、三級アルキルカルボニルアルキル基、三級アルキルオキシカルボニル基、三級アルキルオキシカルボニルアルキル基、アルコキシアルキル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラニル、チオフラニル基等のアセタール基等が挙げられる。
 上記架橋剤としては、架橋剤として慣用されているものの中から任意に選択して用いることができ、例えば、ビスジアジド化合物、ヒドロキシル基またはアルコキシル基を有するアミノ樹脂、例えば、メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂、グリコールウリル-ホルムアルデヒド樹脂、スクシニルアミド-ホルムアルデヒド樹脂、エチレン尿素-ホルムアルデヒド樹脂などを挙げることができる。これらはメラミン、尿素、グアナミン、グリコールウリル、スクシニルアミド、エチレン尿素を沸騰水中でホルマリンと反応させてメチロール化、あるいはこれにさらに低級アルコールを反応させてアルコキシル化したものを用いることができる。
 上記架橋剤としては市販のものを用いることもでき、例えばニカラックMX-750、ニカラックMW-30、ニカラックMX-290(三和ケミカル社製)が挙げられる。
 上記アルカリ現像性感光性組成物としては、レジストベース樹脂、光酸発生剤および必要に応じて溶剤を含有するものを用いることもできる。この場合、光酸発生剤としては、上記ジアゾニウム塩またはジアゾナフトキノン化合物を用いるのが好ましい。
 本発明に係る組成物には、さらに着色剤を用いることができる。着色剤としては、着色顔料の他、無機または有機色材、あるいは無機または有機染料を用いることができる。ここで、顔料とは、後述の溶剤に不溶の着色剤を指し、無機または有機色材あるいは無機または有機染料の中でも溶媒に不溶であるもの、あるいは無機または有機染料をレーキ化したものも含まれる。
 着色顔料としては、ファーネス法、チャンネル法またはサーマル法によって得られるカーボンブラック、或いはアセチレンブラック、ケッチェンブラックまたはランプブラック等のカーボンブラック、上記カーボンブラックをエポキシ樹脂で調整または被覆したもの、上記カーボンブラックを予め溶剤中で樹脂で分散処理し、20~200mg/gの樹脂で被覆させたもの、上記カーボンブラックを酸性またはアルカリ性表面処理したもの、平均粒径が8nm以上でDBP吸油量が90ml/100g以下のカーボンブラック、950℃における揮発分中のCOおよびCOから算出した全酸素量が、表面積100m当たり9mg以上であるカーボンブラック、黒鉛、黒鉛化カーボンブラック、活性炭、炭素繊維、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、カーボンナノホーン、カーボンエアロゲル、フラーレン、アニリンブラック、ピグメントブラック7、チタンブラック、ニグロシンなどに代表される黒色顔料、酸化クロム緑、ミロリブルー、コバルト緑、コバルト青、マンガン系、フェロシアン化物、リン酸塩群青、紺青、ウルトラマリン、セルリアンブルー、ピリジアン、エメラルドグリーン、硫酸鉛、黄色鉛、亜鉛黄、べんがら(赤色酸化鉄(III))、カドミウム赤、合成鉄黒、アンバー、レーキ顔料等の有機または無機顔料等が挙げられる。
 上記無機または有機色材としては、例えば、ニトロソ化合物、ニトロ化合物、アゾ化合物、ジアゾ化合物、キサンテン化合物、キノリン化合物、アントラキノン化合物、クマリン化合物、シアニン化合物、フタロシアニン化合物、イソインドリノン化合物、イソインドリン化合物、キナクリドン化合物、アンタンスロン化合物、ペリノン化合物、ペリレン化合物、ジケトピロロピロール化合物、チオインジゴ化合物、ジオキサジン化合物、トリフェニルメタン化合物、キノフタロン化合物、ナフタレンテトラカルボン酸、ニグロシン化合物、アゾ染料、シアニン染料の金属錯体化合物等が挙げられる。
 上記着色顔料としては、市販の顔料を用いることもでき、例えば、ピグメントレッド1、2、3、9、10、14、17、22、23、31、38、41、48、49、88、90、97、112、119、122、123、144、149、166、168、169、170、171、177、179、180、184、185、192、200、202、209、215、216、217、220、223、224、226、227、228、240、254;ピグメントオレンジ13、31、34、36、38、43、46、48、49、51、52、55、59、60、61、62、64、65、71;ピグメントイエロー1、3、12、13、14、16、17、20、24、55、60、73、81、83、86、93、95、97、98、100、109、110、113、114、117、120、125、126、127、129、137、138、139、147、148、150、151、152、153、154、166、168、175、180、185;ピグメントグリ-ン7、10、36;ピグメントブルー15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、22、24、56、60、61、62、64;ピグメントバイオレット1、19、23、27、29、30、32、37、40、50等が挙げられる。
 上記無機または有機染料としては、公知の染料を用いることも可能である。公知の染料としては例えば、アゾ染料、アントラキノン染料、インジゴイド染料、トリアリールメタン染料、キサンテン染料、アリザリン染料、アクリジン染料スチルベン染料、チアゾール染料、ナフトール染料、キノリン染料、ニトロ染料、インダミン染料、オキサジン染料、フタロシアニン染料、シアニン染料、ニグロシン染料等の染料等が挙げられる。
 上記露光の方法としては、マスクを介して行い、ポジ型感光性組成物からなるレジスト膜の場合は、露光されると現像液に対して溶解性が増大し、露光部が除去され、ネガ型感光性組成物からなるレジスト膜の場合は、露光されると現像液に対して溶解性が低下し、現像後に露光部分が残る。
 露光は、上記多層構造の全層について同条件で行ってもよいが、各層においてマスクの幅や照射する活性エネルギー線の種類を変えたり、上層に上から露光した後、下層に透明支持体側から露光したり、両面から露光したりすることにより、テーパーを自由に設計することもできる。図1は、本発明のパターン形成方法により製造した2層構造のパターンの例の概略断面図であり、(a)は、基板上に第1層と第2層とが略同じ幅で積層されているパターンであり、(b)は、基板上に第1層と第2層とがテーパー形状に積層されているパターンであり、(c)は、基板上に第1層と第2層とが逆テーパー形状に積層されているパターンである。
 上記マスクとしては、フォトマスクの他、グレイトーンマスク・ハーフトーンマスク等の多階調マスク、レチクルと呼ばれる高精細のマスク等を用いることができる。
 上記活性エネルギー線としては、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、中圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、水銀蒸気アーク灯、キセノンアーク灯、カーボンアーク灯、メタルハライドランプ、蛍光灯、タングステンランプ、エキシマランプ、無電極光源、殺菌灯、発光ダイオード、CRT光源、LED、エキシマーレーザー、窒素レーザー、アルゴンイオンレーザー、ヘリウムカドミウムレーザー、ヘリウムネオンレーザー、クリプトンイオンレーザー、各種半導体レーザー、YAGレーザー等から得られる2000オングストロームから7000オングストロームの波長を有する電磁波エネルギーやEUV、電子線、X線、放射線高周波等の高エネルギー線を利用することができるが、好ましくは、波長300~450nmの光を発光する超高圧水銀ランプ、水銀蒸気アーク灯、カーボンアーク灯、キセノンアーク灯等が挙げられる。活性エネルギー線のエネルギー量は、0.1~500,000mJ/cmであり、好ましくは5~50,000mJ/cmであり、さらに好ましくは10~20,000mJ/cmである。
 露光光源にレーザー光を用いる場合、マスクを用いずに、コンピューター等のデジタル情報から直接画像を形成するレーザー直接描画法を用いることができる。そのレーザー光としては、340~430nmの波長の光が好適に使用されるが、エキシマーレーザー、窒素レーザー、アルゴンイオンレーザー、ヘリウムカドミウムレーザー、ヘリウムネオンレーザー、クリプトンイオンレーザー、各種半導体レーザーおよびYAGレーザー等の可視から赤外領域の光を発するものも用いられる。これらのレーザーを使用する場合には、可視から赤外の当該領域を吸収する増感剤が加えられる。
 上記現像の方法としては、ディップ(浸漬)現像、スプレー現像、パドル現像等の従来公知の方法を用い、現像後は専用リンスや純水で洗浄、続いて乾燥を行う。現像は、室温~80℃で数秒~10分行うことが好ましい。上記現像は、多層構造を構成するそれぞれの組成物を溶解させるのに最適な現像液をそれぞれ用いる。
 上記現像液としては、中性のものとして、上記で挙げた溶媒を用いることができるが、ケトン類、エーテル系、エステル系、セロソルブ系、BTX系、ハロゲン化芳香族炭化水素系等、あるいはこれらの混合溶媒が好ましく、これらの中でも沸点が50~200℃であるものが、現像後の残存溶媒がなくなるので好ましく、さらに70~150℃であるものが好ましい。
 アルカリ性現像液としては、TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)を含有する有機現像液、あるいは水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、珪酸ナトリウム、珪酸カリウム、メタ珪酸ナトリウム、第三リン酸ナトリウム等に代表されるアルカリ金属の水酸化物、炭酸塩、珪酸塩、リン酸塩を含有する無機現像液を用いることができ、アルカリ現像液の濃度は0.0001~10%である。
 また、水を主体とし、少量の有機溶剤を含み、これらに加えて、有機アミン類、界面活性剤等を含んでいてもよい。ネガ型版用現像液は、通常、無機強アルカリ成分は含まず、相対的に低pH(7~11.5)の水溶液である。
 続いて、本発明のパターン形成方法により得られるパターンについて説明する。上記パターンとしては、レジスト膜全体の膜厚が0.1~1000μmであり、好ましくは0.5~100μm、さらに好ましくは1~20μmである。線幅は、1~1000μmであり、好ましくは3~500μmであり、さらに好ましくは5~100μmである。スペースは、1~1000μmであり、好ましくは3~500μmであり、さらに好ましくは5~100μmである。
 上記パターンが上層および下層からなる二層構造を有する場合、上層と下層の膜厚の比は、0.1:99.9~99.9:0.1の間で、使用法に合わせて任意に設定することができ、上層に対する現像液が下層を完全に溶解させない膜厚比であることが好ましい。
 また、本発明の効果を損なわない限り、必要に応じてモノマー、光塩基開始剤、架橋剤、界面活性剤、無機フィラー、有機フィラー、顔料、染料等の着色剤、消泡剤、増粘剤、分散剤、レべリング剤、有機金属カップリング剤、チクソ剤、炭素化合物、金属微粒子、金属酸化物、難燃剤、可塑剤、光安定剤、熱安定剤、老化防止剤、エラストマー粒子、連鎖移動剤、重合禁止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、静電防止剤、離型剤、流動調整剤、密着促進剤、有機重合体、メラミン等の各種樹脂添加物等を添加することができる。
 本発明のパターン形成方法により得られるパターンの具体的な用途としては、印刷版、積層板、プリント基板、ドライフィルム、回路、層間絶縁膜、フォトスペーサー、ブラックカラムスペーサー、カラーフィルタ、固体撮像素子、太陽電池パネル、タッチパネル、フラットパネルディスプレイ、発光ダイオード、有機発光素子、液晶表示素子、半導体素子、感光性エレメント、ルミネセントフィルム、蛍光フィルム、MEMS素子、3D実装素子、インプリント、アクチュエーター、ホログラム、プラズモンデバイス、プリンタヘッド、偏光板、偏光フィルム、光導波路、各種印刷物、錠剤、化粧品、歯科材料等を挙げることができる。
 以下、実施例を用いて、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例では部は質量部を意味する。
[製造例1]アルカリ現像性感光性組成物No.1の調製
 アデカアークルズWR-301(ADEKA社製アルカリ現像性バインダー樹脂)5.1部、カヤラッドDPHA(日本化薬社製ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート)1.1部、NCI-831(ADEKA社製ラジカル重合開始剤)1.0部、MA100(三菱化学社製カーボンブラック)3.5部、KBM403(信越化学工業社製アルコキシシランカップリング剤)0.3部およびPGMEA89部を混合し、アルカリ現像性感光性組成物No.1を得た。
[製造例2]水現像性感光性組成物No.2の調製
 スチルバゾリウム化ポリビニルアルコール5部およびイオン交換水95部を加熱混合し、水現像性感光性組成物No.2を得た。
[製造例3]水現像性感光性組成物No.3の調製
 スチルバゾリウム化ポリビニルアルコール4.8部、WATER BLACK R-510(オリヱント化学工業社製ニグロシン系染料)0.2部およびイオン交換水95部を加熱混合し、水現像性感光性組成物No.3を得た。
[製造例4]アルカリ現像性感光性組成物No.4の調製
 ポリ(p-ヒドロキシスチレン)の30モル%がt-ブトキシカルボニル基で置換された構造を有する樹脂(Mw=12000)49.8部、トリフェニルスルフォニウム ノナフルオロブタン-1-スルホネート 0.1部、トリフルオロメタンスルホン酸=1,3-ジオキソ-1H,3H-ベンゾ[d,e]イソキノリン-2-イルエステル(ナフタルイミドスルホネート化合物)0.1部およびPGMEA50部をアルカリ現像性感光性組成物No.4を得た。
[製造例5]アルカリ現像性感光性組成物No.5の調製
 SPC-1000(昭和電工社製アルカリ現像性バインダー樹脂)12部、M-402(東亞合成社製ラジカル重合性化合物)5.5部、イルガキュアOXE-02(BASF製ラジカル重合開始剤)1.5部、C.I.ピグメントグリーン58分散液28部、C.I.ピグメントイエロー150分散液20部、2-メルカプトベンゾチアゾール1.5部、メガファックF-554(DIC製界面活性剤)0.05部を混合し、固形分が20%となるようPGMEAを加えてアルカリ現像性感光性組成物No.5を得た。
[製造例6]アルカリ現像性感光性組成物No.6の調製
 ノボラック樹脂5部、o-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル8部、メキサメトキシテトラミン2部、乳酸エチル50部、N,N’-ジメチルホルムアミド25部、C.I.ソルベントブルー25の4部C.I.ソルベントイエロー82の2部、C.Iソルベントイエロー162の2部を混合し、アルカリ現像性感光性組成物No.6を得た。
[製造例7]有機溶媒現像性感光性組成物No.7の調製
 3,4-エポキシシクロヘキシルメチル-3,4-エポキシシクロヘキシルカルボキシレート80部、1,4-ブタンジオールジグリシジルエーテル18部、アデカオプトマーSP-171(ADEKA製光カチオン重合開始剤)2部を混合し、溶媒現像性感光性組成物No.7を得た。
[製造例8]有機溶媒現像性感光性組成物No.8の調製
 UA-306Hペンタエリスリトールトリアクリレートヘキサメチレンジイソシアネート ウレタンプレポリマー(共栄社化学製バインダー樹脂)20部、カヤラッドDPCA-60(日本化薬製ジペンタエリスリトールカプロラクトン変性アクリレート)80部、イルガキュア184(BASF製光ラジカル重合開始剤)5部を混合し、溶媒現像性感光性組成物No.8を得た。
[製造例9]アルカリ現像性感光性組成物No.9の調製
 ノボラック樹脂5部、o-ナフトキノンジアジド-4-スルホン酸エステル8部および乳酸エチル50部を混合し、アルカリ現像性感光性組成物No.9を得た。
[製造例10]水溶解性組成物No.10の調製
 クラレポバールPVA203(クラレ製水溶性重合体)5部およびイオン交換水95部を加熱混合し、水溶解性組成物No.10を得た。
[製造例11]水溶解性組成物No.11の調製
 クラレポバールPVA103(クラレ製水溶性重合体)5部およびイオン交換水95部を加熱混合し、水溶解性組成物No.11を得た。
[製造例12]水溶解性組成物No.12の調製
 ニチゴーGポリマーOKS-1083(日本合成化学工業製ブテンジオールビニルアルコールコポリマー)10部およびイオン交換水95部を加熱混合し、水溶解性組成物No.12を得た。
[製造例13]水溶解性組成物No.13の調製
 ゴーセネックスZ-200(日本合成化学工業製アセチルアセトン構造を有するPVA)10部およびイオン交換水90部を加熱混合し、水溶解性組成物No.13を得た。
[製造例14]水溶解性組成物No.14の調製
 ゴーセネックスZ-200を9部、BONJET BLACK CW-1(オリヱント化学工業製自己分散型カーボンブラック、20%水溶液)5部およびイオン交換水86部を加熱混合し、水溶解性組成物No.14を得た。
[製造例15]有機溶媒溶解性組成物No.15の調製
 スミペックスLG(住友化学社製アクリル系バインダー樹脂)10部および2-ブタノン90部を混合し、有機溶媒溶解性組成物No.15を得た。
[製造例16]有機溶媒溶解性組成物No.16の調製
 スミペックスLG9.5部、エチル-2-シアノ-3-(4-ジエチルアミノ)フェニル)アクリレート0.5部、2-ブタノン18部およびシクロヘキサノン72部を混合し、有機溶媒溶解性組成物No.16を得た。
[製造例17]水溶解性組成物No.17の調製
 K-90(日本触媒社製ポリビニルピロリドン)5部およびイオン交換水95部を混合し、水溶解性組成物No.17を得た。
[製造例18]水溶解性組成物No.18の調製
 GE191-053(昭和電工社製ポリビニルアセトアミド)5部およびイオン交換水95部を混合し、水溶解性組成物No.18を得た。
[製造例19]水溶解性組成物No.19の調製
 ポリアクリルアミド(東京化成工業社製)5部およびイオン交換水95部を混合し、水溶解性組成物No.19を得た。
[製造例20]水溶解性組成物No.20の調製
 AQナイロンA-90(東レ社製水溶性重合体)5部およびイオン交換水95部を混合し、水溶解性組成物No.20を得た。
[製造例21]水溶解性組成物No.21の調製
 ゴーセネックスZ-300(日本合成化学工業製アセチルアセトン構造を有するPVA)10部およびイオン交換水90部を加熱混合し、水溶解性組成物No.21を得た。
[製造例22]水溶解性組成物No.22の調製
 上記水溶解性組成物No.21の900部、ペスレジンA-690(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分20%)50部およびエポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部を混合し、水溶解性組成物No.22を得た。
[製造例23]水溶解性組成物No.23の調製
 上記水溶解性組成物No.21の900部、ペスレジンA-690(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分20%)50部、エポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部およびオルガチックスZC-126(マツモトファインケミカル製塩化ジルコニル化合物、固形分30%)1部を混合し、水溶解性組成物No.23を得た。
[製造例24]水溶解性組成物No.24の調製
 上記水溶解性組成物No.21の900部、ペスレジンA-690(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分20%)50部、エポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部およびカルボジライトV-02-L2(日清紡ケミカル製カルボジイミド化合物、固形分40%)2.5部を混合し、水溶解性組成物No.24を得た。
[製造例25]水溶解性組成物No.25の調製
 上記水溶解性組成物No.21の900部、ペスレジンA-690(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分20%)50部、エポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部、カルボジライトV-02-L2(日清紡ケミカル製カルボジイミド化合物、固形分40%)2.5部およびオルガチックスZC-126(マツモトファインケミカル製塩化ジルコニル化合物、固形分30%)0.33部を混合し、水溶解性組成物No.25を得た。
[製造例26]水溶解性組成物No.26の調製
 ゴーセネックスT-330H(日本合成化学工業製カルボキシル基を有するPVA)10部およびイオン交換水90部を加熱混合し、水溶解性組成物No.26を得た。
[製造例27]水溶解性組成物No.27の調製
 上記水溶解性組成物No.21の630部、上記水溶性組成物No.26の270部、ペスレジンA-690(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分20%)50部およびエポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部を混合し、水溶解性組成物No.27を得た。
[製造例28]水溶解性組成物No.28の調製
 ゴーセネックスZ-200(日本合成化学工業製アセチルアセトン構造を有するPVA)10部およびイオン交換水90部を加熱混合し、水溶解性組成物No.28を得た。
[製造例29]水溶解性組成物No.29の調製
 上記水溶解性組成物No.28の900部、ペスレジンA-230(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分30%)33部およびエポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部を混合し、水溶解性組成物No.29を得た。
[製造例30]水溶解性組成物No.30の調製
 上記水溶解性組成物No.28の900部、ペスレジンA-230(高松油脂製カルボキシル基含有ポリエステル、固形分30%)33部、エポクロスWS-700(日本触媒性オキサゾリン化合物、固形分25%)4部およびオルガチックスZC-126(マツモトファインケミカル製塩化ジルコニル化合物、固形分30%)1部を混合し、水溶解性組成物No.30を得た。
[実施例1~166および比較例1~15]パターンの形成
 [表1]~[表6]に示す組み合わせで、ガラス基板または下層膜上にスピンコーターを用いて下層を塗布して乾燥し、上層を塗布した後100℃のホットプレートで10分間プリベークを行い膜を形成した。その後、室温まで冷却し、フォトマスク(LINE/SPACE=100μm/100μm)を介し、高圧水銀ランプを用い、各膜に365nmの波長を含む光を3200mJ/cm照射した。続いて、[表7]に示す現像液を用い、23℃で上層、下層の順に現像を行った。現像後、基板を120℃のオーブン内で10分乾燥させてパターンを得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000014
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000015
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000016
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000017
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000018
A:0.04%水酸化ナトリウム水溶液
B:イオン交換水
C:有機溶媒(2-ブタノン)
 実施例1~166で得られたパターンについて、下記評価を行った。積層性の評価結果を[表8]~[表13]に、フォトリソグラフィー性の結果を[表14]~[表19]に、耐溶剤性の結果を[表20]~[表25]に示す。
 積層膜の膜厚については実施例4および実施例22のパターンについて、密着性およびガスバリア性については、実施例99のパターンおよび、リファレンスとして、溶媒現像性感光性組成物No.8を用いて成膜、露光、現像を行ったパターンについてのみ評価を行った。
(積層性)
 下層、上層の順に成膜した際の積層性について評価した。評価基準は以下のとおりである。
 ○:下層に乱れが無く上層が成膜出来たもの
 △:白濁化や、一部混和が生じたもの
 ×:上層の組成を塗布した際、膜面乱れや下層の溶解等が生じ、積層膜を形成しなかったもの
(フォトリソグラフィー性)
 現像、乾燥後のパターンをレーザー顕微鏡で確認した。評価基準は以下のとおりである。
 ○:パターンが100±5μm以内のもの
 △:100±10μm以内のもの
 ×:100±10μm以上あるいはパターンが無くなっているもの
(耐溶剤性)
 現像、乾燥後のパターンを23℃でN-メチルピロリドン(NMP)に5分間浸漬後、窒素ガスで上面の溶媒を除去した。試験前後の膜面の状態観察により評価を行なった。評価基準は以下のとおりである。
 ○:膜面変化無し
 △:一部膨潤や溶解
 ×:全面が膨潤や溶解により変化
(積層膜の膜厚)
 水溶解性組成物No.10にイオン交換水を加え、2質量%水溶液とした。得られた水溶液を用いて膜厚0.1μmの下層を作製した。続いて、アルカリ現像性感光性組成物No.1を用いて、膜厚10μmの上層を作製した。一方、水溶解性組成物No.10を用いて膜厚10μmの下層を作製し、その上層にアルカリ現像性感光性組成物No.1を用いて、膜厚10μmの上層を作製した。いずれの積層体についても、上層を現像液A、下層を現像液Bで現像することで、良好なパターン形状を得ることが出来た。
 有機溶媒溶解性組成物No.15の組成に2-ブタノンを加え、1質量%の溶液とした。得られた溶液を用いて、膜厚0.1μmの下層を作製した。続いて、水現像性感光性組成物No.2を用いて、膜厚10μmの上層を作製した。一方、有機溶媒溶解性組成物No.15を用いて膜厚10μmの下層を作製した。続いて、アルカリ現像性感光性組成物No.1を用いて、膜厚10μmの上層を作製した。いずれの積層体についても、上層を現像液B、下層を現像液Cで現像することで、良好なパターン形状を得ることが出来た。
(密着性)
 実施例99で得られたパターン、および溶媒現像性感光性組成物No.8を用いて得られたパターンについて、JIS K5600-5-6(付着性(クロスカット法))に準じて密着性を評価した。実施例99はハガレ等が無かった(分類0)であったが、溶媒現像性感光性組成物No.8を用いて得られたパターンは大部分が剥がれた(分類4)。
(ガスバリア性)
 実施例99で得られたパターン、および溶媒現像性感光性組成物No.8を用いて得られたパターンについて、酸素透過率測定装置8001(ILLINOIS INSTRUMENTS,INC.製)を使用し、50cmフォルダーで測定した。実施例99は<0.01cc/m/day、溶媒現像性感光性組成物No.8は150cc/m/dayであった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000019
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000020
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000021
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000022
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000023
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000024
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000025
 ※上層形成せず
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000026
※上層形成せず
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000027
※上層形成せず
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※上層形成せず
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 上記の結果より、本発明のパターン形成方法により得られたパターンは、積層性、フォトリソグラフィー性(感度、解像度、現像性)、ガスバリア性、耐溶剤性等に優れることが明らかである。
  1 基板
  2 第1層
  3 第2層

Claims (17)

  1.  支持体に、組成物を用いて膜を形成する工程(1)と、前記膜の所定部分に活性エネルギー線を照射して所定部分の現像性を変化させる露光工程(2)と、前記膜を現像してパターンを得る現像工程(3)と、を含み、前記工程(1)~(3)を複数回繰り返すパターン形成方法において、
     前記組成物として、現像液に対する溶解性の互いに異なる複数の組成物を用い、得られるパターンが多層構造を有することを特徴とするパターン形成方法。
  2.  前記多層構造の最上層が、水現像性感光性組成物、有機溶媒現像性感光性組成物、またはアルカリ現像性感光性組成物から得られる請求項1記載のパターン形成方法。
  3.  前記複数の組成物が、水溶解性組成物と、有機溶媒溶解性組成物と、アルカリ溶解性組成物と、水現像性感光性組成物と、有機溶媒現像性感光性組成物と、アルカリ現像性感光性組成物と、からなる群から選ばれる少なくとも2種であり、少なくとも最上層には感光性組成物を用いる請求項1記載のパターン形成方法。
  4.  前記工程(1)が、支持体に、水溶解性組成物または水現像性感光性組成物からなる下層を塗布し、続いてアルカリ現像性感光性組成物または有機溶媒現像性感光性組成物からなる上層を塗布する工程であり、前記工程(3)が、前記上層を現像または溶解してパターンを得る現像工程と、続いて前記下層を現像または溶解してパターンを得る現像工程と、である請求項1記載のパターン形成方法。
  5.  前記工程(1)が、支持体に、アルカリ溶解性組成物、アルカリ現像性感光性組成物または有機溶媒現像性感光性組成物からなる下層を塗布し、続いて水現像性感光性組成物からなる上層を塗布する工程であり、感光性組成物であり、前記工程(3)が、前記上層を現像してパターンを得る現像工程と、続いて前記下層を現像してパターンを得る現像工程と、である請求項1記載のパターン形成方法。
  6.  前記工程(1)および前記工程(2)の間、および/または、前記工程(3)の後に加熱工程を有する請求項1記載のパターン形成方法。
  7.  前記水溶解性組成物が、バインダー樹脂および水を含有し、前記有機溶媒溶解性組成物が、バインダー樹脂および有機溶媒を含有する請求項3記載のパターン形成方法。
  8.  前記水溶性組成物および前記有機溶媒溶解性組成物のうち少なくとも一方が、さらに架橋剤を含有する請求項7記載のパターン形成方法。
  9.  前記架橋剤が、オキサゾリン化合物またはカルボジイミド化合物である請求項8記載のパターン形成方法。
  10.  前記有機溶媒現像性感光性組成物が、ラジカル重合性化合物またはカチオン重合性化合物と、重合開始剤と、を含有する請求項2記載のパターン形成方法。
  11.  前記アルカリ現像性感光性組成物が、少なくともアルカリ現像性を有するバインダー樹脂、重合開始剤および溶媒を含有する請求項2記載のパターン形成方法。
  12.  前記水現像性感光性組成物が、感光性基を有する水溶性重合体および水を含有する請求項2記載のパターン形成方法。
  13.  前記活性エネルギー線のエネルギー量が、0.1~500000mJ/cmである請求項1記載のパターン形成方法。
  14.  得られるパターンの多層構造の膜厚を0.1~1000μm、線幅を1~1000μm、スペースを1~1000μmとする請求項1記載のうちいずれか一項記載のパターン形成方法。
  15.  前記上層と前記下層の膜厚の比を、0.1:99.9~99.9:0.1とする請求項4記載のパターン形成方法。
  16.  前記上層と前記下層の膜厚の比を、0.1:99.9~99.9:0.1とする請求項5記載のパターン形成方法。
  17.  請求項1記載のパターン形成方法により形成されたパターンを有することを特徴とする電子デバイス。 
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018117138A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 株式会社Adeka 水溶性組成物、パターン形成剤、これらを用いた硬化物の製造方法および硬化物
JP2018169600A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 東洋インキScホールディングス株式会社 固体撮像素子向けカラーフィルタ用感光性緑色着色組成物および固体撮像素子用カラーフィルタ
WO2018230564A1 (ja) * 2017-06-16 2018-12-20 株式会社Adeka コーティング組成物
JP2021110877A (ja) * 2020-01-14 2021-08-02 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JPWO2021246445A1 (ja) * 2020-06-03 2021-12-09
WO2022186231A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 日産化学株式会社 ベンジリデンシアノ酢酸エステル基を有するレジスト下層膜形成組成物

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018083143A (ja) * 2016-11-22 2018-05-31 キヤノン株式会社 液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド、印字装置および印字方法
TWI614573B (zh) * 2016-12-30 2018-02-11 臻鼎科技股份有限公司 水溶性感光樹脂組合物及覆蓋膜
US11549020B2 (en) 2019-09-23 2023-01-10 Canon Kabushiki Kaisha Curable composition for nano-fabrication
JP2021123048A (ja) * 2020-02-06 2021-08-30 東洋アルミニウム株式会社 加飾フィルムの製造方法
CN111668271B (zh) * 2020-06-11 2021-08-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法、oled显示装置
WO2022145158A1 (ja) * 2020-12-28 2022-07-07 東京応化工業株式会社 感光性ドライフィルム、積層フィルム、積層フィルムの製造方法及びパターン化されたレジスト膜の製造方法
JP2024171383A (ja) * 2023-05-30 2024-12-12 株式会社リコー 液体吐出ヘッド及びその製造方法、液体吐出ユニット、並びに液体吐出装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006220863A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
JP2013164628A (ja) * 2013-05-16 2013-08-22 Renesas Electronics Corp レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法
JP2014098889A (ja) * 2012-10-19 2014-05-29 Fujifilm Corp 保護膜形成用の樹脂組成物、保護膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2014137435A (ja) * 2013-01-16 2014-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法
JP2014178671A (ja) * 2013-02-14 2014-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06326018A (ja) 1993-05-13 1994-11-25 Nec Corp パターン形式用レジスト構造とパターン形成方法
JPH06349728A (ja) 1993-06-14 1994-12-22 Sony Corp レジストパターンの形成方法
JP3894908B2 (ja) 2003-06-24 2007-03-22 電気化学工業株式会社 半導体ウエハ裏面研削用粘着シート
JP4376706B2 (ja) * 2004-06-30 2009-12-02 東京応化工業株式会社 ネガ型ホトレジスト組成物を用いたメッキ形成物の形成方法
JP2007133333A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Fujifilm Corp 感光性組成物及び感光性フィルム、並びに、永久パターン及びその形成方法
CN101149562A (zh) * 2006-09-22 2008-03-26 富士胶片株式会社 感光性组合物、感光性薄膜、永久图案形成方法及印刷电路板
CN101952777B (zh) * 2007-12-18 2014-04-09 旭化成电子材料株式会社 使用负型感光性树脂层压体的抗蚀剂固化物的制造方法、负型感光性树脂层压体、以及负型感光性树脂层压体的使用方法
JP5994618B2 (ja) 2012-12-14 2016-09-21 デクセリアルズ株式会社 光硬化性樹脂組成物及びそれを用いた画像表示装置の製造方法
JP2014157179A (ja) 2013-02-14 2014-08-28 Toppan Printing Co Ltd ブラックマトリックス、カラーフィルタ、液晶表示装置及びブラックマトリックスの形成方法
JP6214903B2 (ja) 2013-04-10 2017-10-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP6414057B2 (ja) 2013-06-06 2018-10-31 横浜ゴム株式会社 光硬化性樹脂および光硬化性樹脂組成物
KR102020812B1 (ko) 2013-06-17 2019-09-11 도레이 카부시키가이샤 적층 수지 블랙 매트릭스 기판의 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006220863A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Fuji Photo Film Co Ltd パターン形成材料、並びにパターン形成装置及びパターン形成方法
JP2014098889A (ja) * 2012-10-19 2014-05-29 Fujifilm Corp 保護膜形成用の樹脂組成物、保護膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
JP2014137435A (ja) * 2013-01-16 2014-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法
JP2014178671A (ja) * 2013-02-14 2014-09-25 Shin Etsu Chem Co Ltd パターン形成方法
JP2013164628A (ja) * 2013-05-16 2013-08-22 Renesas Electronics Corp レジストパターン形成方法および半導体装置の製造方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7096772B2 (ja) 2016-12-22 2022-07-06 株式会社Adeka 水溶性組成物、パターン形成剤、これらを用いた硬化物の製造方法および硬化物
JPWO2018117138A1 (ja) * 2016-12-22 2019-10-31 株式会社Adeka 水溶性組成物、パターン形成剤、これらを用いた硬化物の製造方法および硬化物
WO2018117138A1 (ja) * 2016-12-22 2018-06-28 株式会社Adeka 水溶性組成物、パターン形成剤、これらを用いた硬化物の製造方法および硬化物
JP2018169600A (ja) * 2017-03-29 2018-11-01 東洋インキScホールディングス株式会社 固体撮像素子向けカラーフィルタ用感光性緑色着色組成物および固体撮像素子用カラーフィルタ
KR20190126811A (ko) * 2017-03-29 2019-11-12 토요잉크Sc홀딩스주식회사 고체 촬상소자용 착색 조성물
US11614574B2 (en) 2017-03-29 2023-03-28 Toppan Printing Co., Ltd. Coloring composition for solid-state imaging element
KR102499703B1 (ko) * 2017-03-29 2023-02-15 토요잉크Sc홀딩스주식회사 고체 촬상소자용 착색 조성물
WO2018230564A1 (ja) * 2017-06-16 2018-12-20 株式会社Adeka コーティング組成物
CN110741053A (zh) * 2017-06-16 2020-01-31 株式会社Adeka 涂料组合物
JPWO2018230564A1 (ja) * 2017-06-16 2020-04-30 株式会社Adeka コーティング組成物
EP3640307A4 (en) * 2017-06-16 2021-02-24 Adeka Corporation COATING COMPOSITION
JP2021110877A (ja) * 2020-01-14 2021-08-02 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP7338482B2 (ja) 2020-01-14 2023-09-05 住友電気工業株式会社 半導体装置の製造方法
WO2021246445A1 (ja) * 2020-06-03 2021-12-09 昭和電工株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、及び有機el素子隔壁
JPWO2021246445A1 (ja) * 2020-06-03 2021-12-09
JP7789669B2 (ja) 2020-06-03 2025-12-22 日本ポリテック株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物、及び有機el素子隔壁
WO2022186231A1 (ja) * 2021-03-03 2022-09-09 日産化学株式会社 ベンジリデンシアノ酢酸エステル基を有するレジスト下層膜形成組成物

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