WO2016132460A1 - 発光装置 - Google Patents

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layer
laminated
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Pioneer Corp
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Tohoku Pioneer Corp
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • the organic EL element has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode. Since the organic layer is vulnerable to moisture and oxygen, the light emitting portion needs to be sealed.
  • One method for sealing the light emitting part is to use a sealing layer.
  • a method for forming the sealing layer there is a vapor phase film forming method such as an ALD (Atomic Layer Deposition) method, a CVD method, or a sputtering method.
  • Patent Document 1 discloses a gas barrier film in which an inorganic film and a stress relaxation film are stacked. The stress relaxation film is formed by the atmospheric pressure plasma method. Furthermore, Patent Document 1 describes that a sealing film for sealing an organic EL element is also formed by the same method as this gas barrier film.
  • a sealing film for sealing the organic EL element is also formed on the substrate.
  • a plurality of films are formed on the surface of the substrate on which the organic EL element is formed. In this case, the stress caused by the plurality of films is applied to the substrate, and the substrate may be deformed.
  • the invention according to claim 1 is a substrate including a resin material; A first laminated film formed on the first surface of the substrate and laminated with a plurality of layers; A light emitting part formed on the first laminated film and including an organic layer; A second laminated film covering the light emitting part and having a plurality of layers laminated; A third laminated film formed on the second surface of the substrate and laminated with a plurality of layers; A fourth laminated film formed on the third laminated film and laminated with a plurality of layers; With The number of layers of the third laminated film is the same as the number of layers of the first laminated film, and when the layers are counted from the substrate side, the plurality of layers constituting the third laminated film Each material is the same as the material of the layer located in the corresponding stacking order in the first stacked film, The number of layers of the fourth laminated film is the same as the number of layers of the second laminated film, and when the layers are counted from the substrate side, the plurality of layers constituting the fourth laminated film
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 6 is a plan view of a light emitting device according to Example 2.
  • FIG. 13 is a sectional view taken along line BB in FIG. It is CC sectional drawing of FIG.
  • FIG. 13 is a DD cross-sectional view of FIG. 12. It is an equivalent circuit diagram of a light-emitting device.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a light emitting unit 140, a first stacked film 210, a second stacked film 220, a third stacked film 310, and a fourth stacked film 320.
  • the substrate 100 includes a resin material.
  • the first laminated film 210 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 is formed above the first laminated film 210 and includes an organic layer.
  • the second stacked film 220 has a structure in which a plurality of layers are stacked, and covers the light emitting unit 140.
  • the third laminated film 310 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed on the second surface 104 of the substrate 100.
  • the fourth laminated film 320 has a structure in which a plurality of layers are laminated, and is formed so as to overlap the third laminated film 310. In other words, the third laminated film 310 and the fourth laminated film 320 are formed in this order on the second surface 104.
  • the number of layers of the third laminated film 310 is the same as the number of layers of the first laminated film 210, and when the layers are counted from the substrate 100 side, a plurality of layers constituting the third laminated film 310 are included.
  • the number of layers of the fourth stacked film 320 is the same as the number of layers of the second stacked film 220, and when the layers are counted from the substrate 100 side, a plurality of layers constituting the fourth stacked film 320 are included. These materials are the same as the materials of the layers positioned in the corresponding stacking order in the second stacked film 220. Details will be described below.
  • the substrate 100 contains a resin material and transmits visible light.
  • the substrate 100 is, for example, a resin substrate, and the thickness thereof is, for example, 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the resin used for the substrate 100 is, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • a light emitting unit 140 is formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 has a configuration in which a first electrode, an organic layer, and a second electrode are stacked in this order.
  • the first electrode is a transparent electrode having optical transparency.
  • the material of the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide).
  • the thickness of the first electrode is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode may be formed using a conductive organic material such as a carbon nanotube or PEDOT / PSS.
  • the organic layer has a light emitting layer.
  • the organic layer has, for example, a configuration in which a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer.
  • the organic layer may be formed by a vapor deposition method.
  • at least one of the organic layers, for example, a layer in contact with the first electrode may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer are formed by vapor deposition. Further, all layers of the organic layer may be formed using a coating method.
  • the second electrode is, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag (which may be Ag ink or Ag nanowire), Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or the first electrode. It includes a metal layer made of a metal alloy selected from a group. In this case, the second electrode has a light shielding property.
  • the thickness of the second electrode is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the second electrode may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode.
  • the second electrode is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the second stacked film 220 has a configuration in which a plurality of layers are stacked.
  • the layers constituting the second laminated film 220 are all inorganic films and are formed using an ALD (Atomic Layer Deposition) method.
  • the first laminated film 210 is formed on the first surface 102 of the substrate 100, and the third laminated film 310 and the fourth laminated film 320 are formed on the second surface 104 of the substrate 100 in this order.
  • the first laminated film 210, the third laminated film 310, and the fourth laminated film 320 are formed in order to suppress moisture from passing through the substrate 100, and each has a configuration in which a plurality of layers are laminated. ing. And all these layers are formed using the ALD method.
  • the first laminated film 210, the second laminated film 220, the third laminated film 310, and the fourth laminated film 320 are made of, for example, an inorganic film.
  • the third laminated film 310 is formed in the same process as the first laminated film 210. For this reason, the number of layers of the third stacked film 310 is the same as the number of layers of the first stacked film 210, and each of the plurality of layers constituting the third stacked film 310 is counted when counted from the substrate 100 side.
  • the material is the same as the material of the layer located in the corresponding lamination order in the first laminated film 210.
  • the third laminated film 310 may have the same structure as the first laminated film 210 including the thickness of each layer.
  • the fourth laminated film 320 is formed in the same process as the second laminated film 220.
  • the number of layers of the fourth stacked film 320 is the same as the number of layers of the second stacked film 220, and each of the plurality of layers constituting the fourth stacked film 320 is counted when counted from the substrate 100 side.
  • the material is the same as the material of the layer positioned in the corresponding stacking order in the second stacked film 220.
  • the fourth laminated film 320 may have the same structure as the second laminated film 220 including the thickness of each layer.
  • a planarization layer (for example, an organic layer) may be provided between the first surface 102 of the substrate 100 and the first stacked film 210.
  • a planarization layer may be formed between the second surface 104 of the substrate 100 and the third stacked film 310.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the first laminated film 210.
  • the first stacked film 210 has a first layer 212 and a second layer 214.
  • the first layer 212 and the second layer 214 are, for example, metal oxide films.
  • the first layer 212 is formed using aluminum oxide (Al 2 O 3 )
  • the second layer 214 is formed using titanium oxide (TiO 2 ).
  • the thicknesses of the first layer 212 and the second layer 214 are both 3 nm or more and 10 nm or less. However, the thickness of each of these layers is not limited to this range.
  • the first laminated film 210 may have a configuration in which the first layer 212 and the second layer 214 are repeatedly laminated in this order.
  • the first laminated film 210 may be a laminated film in which three layers having different materials are laminated once or a plurality of times.
  • the third laminated film 310 also has the configuration shown in this figure.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of the second stacked film 220.
  • the second stacked film 220 has a configuration in which the first layer 222 and the second layer 224 are repeatedly stacked a plurality of times. For this reason, the second stacked film 220 is thicker than the first stacked film 210.
  • the sealing ability of the second laminated film 220 is improved.
  • the first layer 222 is formed using aluminum oxide (Al 2 O 3 )
  • the second layer 224 is formed using titanium oxide (TiO 2 ). Titanium oxide has insulating properties at room temperature, but has conductivity when formed into a thin film, for example.
  • the thicknesses of the first layer 222 and the second layer 224 are both 3 nm or more and 10 nm or less. However, the thickness of each of these layers is not limited to this range.
  • the fourth laminated film 320 also has the configuration shown in this figure.
  • FIG. 4 is a diagram showing a first modification of the configuration of the first laminated film 210.
  • the first laminated film 210 has a configuration in which a first layer 212 and a second layer 214 are repeatedly laminated in this order.
  • One of the layers of the first laminated film 210 is thicker than the other layers constituting the first laminated film 210.
  • the uppermost layer (that is, the layer facing the light emitting unit 140) of the first stacked film 210 is thicker than the other layers constituting the first stacked film 210.
  • the thickness of the uppermost first layer 212 is four times or more the thickness of the thickest layer among the other layers.
  • the thickness of the first layer 212 is, for example, not less than 20% and not more than 80% of the thickness of the first laminated film 210.
  • the 3rd laminated film 310 also has the structure shown in FIG. In this case, the layer farthest from the second surface 104 of the substrate 100 in the third stacked film 310 is thicker than the other layers of the third stacked film 310.
  • FIG. 5 is a diagram illustrating a first modification of the configuration of the second stacked film 220.
  • the second laminated film 220 has a configuration in which a first layer 222 and a second layer 224 are repeatedly laminated in this order.
  • the second stacked film 220 is thicker than the first stacked film 210.
  • One of the layers of the second stacked film 220 is thicker than the other layers constituting the second stacked film 220.
  • the lowermost first layer 222 (that is, the layer facing the light emitting unit 140) is thicker than the other layers constituting the second stacked film 220.
  • the thickness of the lowest first layer 222 is four times or more the thickness of the thickest layer among the other layers.
  • the thickness of the first layer 222 is, for example, 20% or more and 80% or less of the thickness of the second stacked film 220.
  • the 4th laminated film 320 also has the structure shown in FIG. In this case, the layer closest to the substrate 100 in the fourth stacked film 320 is thicker than the other layers of the fourth stacked film 320.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a second modification of the first laminated film 210.
  • the first laminated film 210 according to the present modified example is different from the first laminated film 210 except that the second and higher layers counted from the light emitting unit 140 side are thicker than the other layers of the first laminated film 210.
  • the configuration is the same as that of the first laminated film 210 shown in FIG.
  • the 3rd laminated film 310 also has the structure shown in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a second modification of the second laminated film 220.
  • the second laminated film 220 according to this modified example has a layer that is located in the second layer or more counted from the substrate 100 side, except that the second laminated film 220 is thicker than the other layers of the second laminated film 220.
  • the configuration is the same as that of the second laminated film 220 shown in FIG.
  • the 4th laminated film 320 also has the structure shown in FIG.
  • first stacked film 210 illustrated in FIG. 2 includes any of the second stacked film 220 illustrated in FIG. 3, the second stacked film 220 illustrated in FIG. 5, and the second stacked film 220 illustrated in FIG. 7. They may be used in combination.
  • first laminated film 210 shown in FIG. 4 includes any of the second laminated film 220 shown in FIG. 3, the second laminated film 220 shown in FIG. 5, and the second laminated film 220 shown in FIG. They may be used in combination.
  • first laminated film 210 shown in FIG. 6 includes any of the second laminated film 220 shown in FIG. 3, the second laminated film 220 shown in FIG. 5, and the second laminated film 220 shown in FIG. They may be used in combination.
  • FIG. 17 is an equivalent circuit diagram of the light emitting device 10.
  • the light emitting device 10 has a first terminal 112 and a second terminal 132.
  • the first terminal 112 is connected to the first electrode of the light emitting unit 140 via the lead wire 114
  • the second terminal 132 is connected to the second electrode of the light emitting unit 140 via the lead wire 134.
  • the first laminated film 210 is in contact with the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134.
  • the first laminated film 210 has a configuration in which a plurality of layers are laminated. Therefore, when viewed in an equivalent circuit, the first laminated film 210 has a configuration in which a capacitor and a resistor are connected in series between the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134. For this reason, a certain amount of current flows through the first stacked film 210, and as a result, charges are accumulated in the first stacked film 210 when the light emitting unit 140 emits light.
  • This electric charge flows into the light emitting unit 140 when a voltage is no longer applied between the first extraction wiring 114 and the second extraction wiring 134. As a result, the response speed when turning off the light emitting unit 140 decreases. Further, when the light emitting unit 140 is turned on, a part of the current flows through the first laminated film 210. For this reason, the response speed when the light emitting unit 140 is turned on also decreases.
  • the layer of the first laminated film 210 is thicker than the other layers. For this reason, the magnitude of the resistance in the equivalent circuit diagram of FIG. 17 increases. Therefore, it is difficult for current to flow through the first laminated film 210, and as a result, the response speed of the light emitting unit 140 is unlikely to decrease.
  • the layer closest to the light emitting unit 140 in the first stacked film 210 is thicker than the other layers, current does not easily flow through the first stacked film 210 in particular.
  • the substrate 100 is prepared.
  • a plurality of inorganic layers are formed on the first surface 102 of the substrate 100 using, for example, an ALD method.
  • the first laminated film 210 is formed on the first surface 102.
  • the ALD method atoms or molecules to be a film reach the second surface 104 of the substrate 100.
  • the ALD method has high coverage. Therefore, when forming the first stacked film 210 using the ALD method, the third stacked film 310 is formed on the second surface 104 of the substrate 100.
  • the first electrode, the organic layer, and the second electrode of the light emitting unit 140 are formed in this order on the first stacked film 210 of the substrate 100. Thereby, the light emission part 140 is formed. In this step, the terminal of the light emitting unit 140 is also formed.
  • a plurality of inorganic layers are formed on the first laminated film 210 and the light emitting unit 140 of the substrate 100 using, for example, an ALD method.
  • a second stacked film 220 as a sealing film is formed on the first surface 102 and the light emitting unit 140.
  • the ALD method has high coverage. Therefore, when the second stacked film 220 is formed using the ALD method, the fourth stacked film 320 is formed on the second surface 104 of the substrate 100.
  • the first laminated film 210 and the second laminated film 220 are formed on the first surface 102 side of the substrate 100, and the third laminated film is formed on the second surface 104 side of the substrate 100. 310 and the fourth laminated film 320 are formed.
  • the number of layers of the first stacked film 210 is the same as the number of layers of the third stacked film 310, and when the layers are counted from the substrate 100 side, the respective materials of the plurality of layers constituting the third stacked film 310 Is the same as the material of the layer located in the corresponding lamination order in the first laminated film 210.
  • the number of layers of the fourth stacked film 320 is the same as the number of layers of the second stacked film 220, and when the layers are counted from the substrate 100 side, a plurality of layers constituting the fourth stacked film 320 are included. These materials are the same as the materials of the layers positioned in the corresponding stacking order in the second stacked film 220. For this reason, the stress applied to the substrate 100 due to the first stacked film 210 is canceled by the stress applied to the substrate 100 due to the third stacked film 310. Further, the stress applied to the substrate 100 due to the second stacked film 220 is canceled by the stress applied to the substrate 100 due to the fourth stacked film 320. Accordingly, the stress applied to the substrate 100 is reduced.
  • the first laminated film 210 and the third laminated film 310 are simultaneously formed using the ALD method, they have the same structure. Further, since the second stacked film 220 and the fourth stacked film 320 are simultaneously formed using the ALD method, they have the same structure. Accordingly, the stress applied to the substrate 100 is particularly small.
  • the fourth laminated film 320 functions as a barrier film of the substrate 100, the possibility that moisture permeates the substrate 100 is further reduced.
  • FIG. 8 is a plan view illustrating the configuration of the light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • the second laminated film 220 is shown by dotted lines in FIG.
  • FIG. 9 is a view in which the second electrode 130 and the second laminated film 220 are removed from FIG.
  • FIG. 10 is a diagram in which the organic layer 120 and the insulating layer 150 are removed from FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • the light emitting device 10 is a lighting device, and includes a substrate 100 and a light emitting unit 140.
  • the light emitting unit 140 includes a first electrode 110, an organic layer 120, and a second electrode 130.
  • the configurations of the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are the same as in the embodiment. *
  • the edge of the first electrode 110 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes a light emitting region of the light emitting unit 140. By providing the insulating layer 150, it is possible to suppress a short circuit between the first electrode 110 and the second electrode 130 at the edge of the first electrode 110.
  • the insulating layer 150 is formed, for example, by applying a resin material to be the insulating layer 150 and then exposing and developing the resin material.
  • the light emitting device 10 has a first terminal 112 and a second terminal 132.
  • the first terminal 112 is connected to the first electrode 110
  • the second terminal 132 is connected to the second electrode 130.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 include a layer formed of the same material as that of the first electrode 110.
  • a lead wiring may be provided between the first terminal 112 and the first electrode 110.
  • a lead wiring may be provided between the second terminal 132 and the second electrode 130.
  • the light emitting device 10 includes a first stacked film 210, a second stacked film 220, a third stacked film 310, and a fourth stacked film 320.
  • the configuration of these laminated films and the configuration of the substrate 100 are the same as those in the embodiment.
  • the first stacked film 210 and the third stacked film 310 are formed on the substrate 100.
  • the first electrode 110 is formed on the first stacked film 210.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are also formed.
  • the insulating layer 150, the organic layer 120, and the second electrode 130 are formed in this order.
  • the second stacked film 220 and the fourth stacked film 320 are formed.
  • the stress applied to the substrate 100 can be reduced.
  • FIG. 12 is a plan view of the light emitting device 10 according to the second embodiment.
  • the second laminated film 220 is indicated by a dotted line in FIG.
  • FIG. 13 is a view in which the partition 170, the second electrode 130, the organic layer 120, and the insulating layer 150 are removed from FIG. 14 is a sectional view taken along the line BB in FIG. 12
  • FIG. 15 is a sectional view taken along the line CC in FIG. 12
  • FIG. 16 is a sectional view taken along the line DD in FIG.
  • the light emitting device 10 is a display, and includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting unit 140, an insulating layer 150, a plurality of openings 152, a plurality of openings 154, a plurality of lead wires 114, an organic layer 120, a first layer. It has two electrodes 130, a plurality of lead wires 134, and a plurality of partition walls 170.
  • the first electrode 110 extends in a line shape in the first direction (Y direction in FIG. 12). The end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 114.
  • the lead wiring 114 is a wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 112.
  • one end side of the lead wiring 114 is connected to the first electrode 110, and the other end side of the lead wiring 114 is the first terminal 112.
  • the first electrode 110 and the lead-out wiring 114 are integrated.
  • a conductor layer 160 is formed on the lead wiring 114.
  • the conductor layer 160 is formed using a material having a resistance lower than that of the first electrode 110, for example, Al.
  • the conductor layer 160 may have a multilayer structure.
  • a part of the lead wiring 114 is covered with an insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is formed on and between the plurality of first electrodes 110 as shown in FIGS. 12 and 14 to 16.
  • a plurality of openings 152 and a plurality of openings 154 are formed in the insulating layer 150.
  • the plurality of second electrodes 130 extend in parallel to each other in a direction intersecting the first electrode 110 (for example, a direction orthogonal to the X direction in FIG. 12).
  • a partition wall 170 which will be described in detail later, extends between the plurality of second electrodes 130.
  • the opening 152 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 130 in plan view. Specifically, the plurality of openings 152 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (Y direction in FIG. 12). The plurality of openings 152 are also arranged in the extending direction of the second electrode 130 (the X direction in FIG. 12). For this reason, the plurality of openings 152 are arranged to form a matrix.
  • the opening 154 is located in a region overlapping with one end side of each of the plurality of second electrodes 130 in plan view.
  • the openings 154 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 152. When viewed in a direction along this one side (for example, the Y direction in FIG. 12, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 154 are arranged at a predetermined interval. A part of the lead wiring 134 is exposed from the opening 154.
  • the lead wiring 134 is connected to the second electrode 130 through the opening 154.
  • the lead wiring 134 is a wiring that connects the second electrode 130 to the second terminal 132, and has a layer made of the same material as the first electrode 110. One end side of the lead wiring 134 is located below the opening 154, and the other end side of the lead wiring 134 is led out of the insulating layer 150. In the example shown in the figure, the other end side of the lead-out wiring 134 is the second terminal 132. A conductor layer 160 is formed on the lead wiring 134. A part of the lead wiring 134 is covered with an insulating layer 150.
  • the organic layer 120 is formed.
  • the hole injection layer of the organic layer 120 is in contact with the first electrode 110, and the electron injection layer of the organic layer 120 is in contact with the second electrode 130. For this reason, the light emitting part 140 is located in each of the regions overlapping with the opening 152.
  • each layer constituting the organic layer 120 protrudes to the outside of the opening 152.
  • the organic layer 120 may be continuously formed between adjacent openings 152 in the direction in which the partition 170 extends, or may not be formed continuously. Good.
  • the organic layer 120 is not formed in the opening 154.
  • the second electrode 130 extends in a second direction (X direction in FIG. 12) intersecting the first direction, as shown in FIGS.
  • a partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 130.
  • the partition wall 170 extends in parallel to the second electrode 130, that is, in the second direction.
  • the base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 150.
  • the partition 170 is, for example, a photosensitive resin such as a polyimide resin, and is formed in a desired pattern by being exposed and developed.
  • the partition wall 170 may be made of a resin other than a polyimide resin, for example, an inorganic material such as an epoxy resin, an acrylic resin, or silicon dioxide.
  • the partition wall 170 has a trapezoidal cross-sectional shape (reverse trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition wall 170 is larger than the width of the lower surface of the partition wall 170. Therefore, if the partition wall 170 is formed before the second electrode 130, the second electrode 130 is formed on one surface side of the substrate 100 by using an evaporation method or a sputtering method. Can be formed collectively.
  • the partition wall 170 also has a function of dividing the organic layer 120.
  • the first laminated film 210 and the second laminated film 220 are formed on the first surface 102 of the substrate 100, and the third laminated film 310 and the fourth laminated film are formed on the second surface 104 of the substrate 100.
  • a stacked film 320 is formed.
  • the second stacked film 220 seals the light emitting unit 140.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are arranged along the same side of the substrate 100. Therefore, the opening for exposing the first terminal 112 and the opening for exposing the second terminal 132 in the second stacked film 220 are connected to each other.
  • the first stacked film 210 and the third stacked film 310 are formed on the substrate 100. These forming methods are as described in the embodiment.
  • the first electrode 110 and the lead wires 114 and 134 are formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the conductor layer 160 is formed on the lead wiring 114 and the lead wiring 134.
  • the insulating layer 150 is formed, and further the partition 170 is formed.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed. These forming methods are the same as those in Example 1.
  • the second stacked film 220 and the fourth stacked film 320 are formed on the substrate 100. These forming methods are as described in the embodiment.
  • the stress applied to the substrate 100 can be reduced.

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Abstract

　基板（１００）は樹脂材料を含んでいる。第１積層膜（２１０）は複数の層を積層した構造を有しており、基板（１００）の第１面（１０２）に形成されている。発光部（１４０）は第１積層膜（２１０）より上に形成されており、有機層を含んでいる。第２積層膜（２２０）は複数の層を積層した構造を有しており、発光部（１４０）を覆っている。第３積層膜（３１０）は複数の層を積層した構造を有しており、基板（１００）の第２面（１０４）に形成されている。第４積層膜（３２０）は複数の層を積層した構造を有しており、第３積層膜（３１０）の上に形成されている。第３積層膜（３１０）は第１積層膜（２１０）と同一の積層膜であり、第４積層膜（３２０）は第２積層膜（２２０）と同一の積層膜である。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　近年は、発光部に有機ＥＬ（Organic Electroluminescence）素子を有する発光装置の開発が進んでいる。有機ＥＬ素子は、有機層を、第１電極及び第２電極で挟んだ構成を有している。有機層は水分や酸素に弱いため、発光部は封止される必要がある。発光部を封止する方法の一つに、封止層を用いる方法がある。封止層を形成する方法としては、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法、ＣＶＤ法、又はスパッタリング法などの気相成膜法がある。
　一方、有機ＥＬ素子の基板として樹脂基板を用いることが検討されている。樹脂基板を用いると、発光装置に可撓性を持たせることができる。ただし、樹脂材料は水分を透過する。有機ＥＬ素子の有機層に水分が到達すると、この水分に起因して有機層が劣化してしまう。これに対して、樹脂基板にガスバリア膜を形成することが検討されている。例えば特許文献１には、無機膜と応力緩和膜を積層したガスバリア膜が開示されている。応力緩和膜は、大気圧プラズマ法によって形成されている。さらに特許文献１には、有機ＥＬ素子を封止する封止膜も、このガスバリア膜と同じ方法で形成することが記載されている。
国際公開第２００６／０６７９５２号公報
　基板を樹脂で形成した場合、上記したように、ガスバリア膜を形成する必要がある。一方、基板には、有機ＥＬ素子を封止するための封止膜も形成される。このように、基板のうち有機ＥＬ素子が形成される面には複数の膜が形成される。この場合、これら複数の膜に起因した応力が基板に加わり、基板が変形する可能性が出てくる。
　本発明が解決しようとする課題としては、樹脂材料を含む基板に有機ＥＬ素子を形成した場合、この基板に加わる応力を小さくすることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、樹脂材料を含む基板と、
　前記基板の第１面に形成され、複数の層を積層した第１積層膜と、
　前記第１積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
　前記発光部を覆っており、複数の層を積層した第２積層膜と、
　前記基板の第２面に形成され、複数の層を積層した第３積層膜と、
　前記第３積層膜に重ねて形成され、複数の層を積層した第４積層膜と、
を備え、
　前記第３積層膜の層の数は前記第１積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第３積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第１積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一であり、
　前記第４積層膜の層の数は前記第２積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第４積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第４積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一である発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 第１積層膜の構成を示す断面図である。 第２積層膜の構成を示す断面図である。 第１積層膜の構成の第１の変形例を示す図である。 第２積層膜の構成の第１の変形例を示す図である。 第１積層膜の第２の変形例を示す断面図である。 第２積層膜の第２の変形例を示す断面図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す平面図である。 図８から第２電極及び第２積層膜を取り除いた図である。 図９から有機層及び絶縁層を取り除いた図である。 図８のＡ－Ａ断面図である。 実施例２に係る発光装置の平面図である。 図１２から隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。 図１２のＢ－Ｂ断面図である。 図１２のＣ－Ｃ断面図である。 図１２のＤ－Ｄ断面図である。 発光装置の等価回路図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光部１４０、第１積層膜２１０、第２積層膜２２０、第３積層膜３１０、及び第４積層膜３２０を備えている。基板１００は樹脂材料を含んでいる。第１積層膜２１０は複数の層を積層した構造を有しており、基板１００の第１面１０２に形成されている。発光部１４０は第１積層膜２１０より上に形成されており、有機層を含んでいる。第２積層膜２２０は複数の層を積層した構造を有しており、発光部１４０を覆っている。第３積層膜３１０は複数の層を積層した構造を有しており、基板１００の第２面１０４に形成されている。第４積層膜３２０は複数の層を積層した構造を有しており、第３積層膜３１０に重ねて形成されている。言い換えると、第２面１０４には、第３積層膜３１０及び第４積層膜３２０がこの順に形成されている。そして、第３積層膜３１０の層の数は第１積層膜２１０の層の数と同一であり、かつ、基板１００側から層を数えた場合において、第３積層膜３１０を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第１積層膜２１０のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。また、第４積層膜３２０の層の数は第２積層膜２２０の層の数と同一であり、かつ、基板１００側から層を数えた場合において、第４積層膜３２０を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第２積層膜２２０のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。以下、詳細に説明する。
　基板１００は、樹脂材料を含んでおり、可視光を透過する。基板１００は、例えば樹脂基板であり、その厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００に用いられる樹脂は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドである。
　基板１００の第１面１０２には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極、有機層、及び第２電極をこの順に積層させた構成を有している。
　第１電極は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極は、カーボンナノチューブ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料を用いて形成されていてもよい。
　有機層は発光層を有している。有機層は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
　第２電極は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ（ＡｇインクやＡｇナノワイヤの場合もある）、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極は遮光性を有している。第２電極の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極は、第１電極の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。
　また、発光部１４０は第２積層膜２２０を用いて封止されている。第２積層膜２２０は、複数の層を積層した構成を有している。第２積層膜２２０を構成する層は、いずれも無機膜であり、ＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。
　また、基板１００の第１面１０２には第１積層膜２１０が形成されており、基板１００の第２面１０４には第３積層膜３１０及び第４積層膜３２０がこの順に形成されている。第１積層膜２１０、第３積層膜３１０、及び第４積層膜３２０は、水分が基板１００を透過することを抑制するために形成されており、いずれも複数の層を積層した構成を有している。そして、これらのいずれの層も、ＡＬＤ法を用いて形成されている。第１積層膜２１０、第２積層膜２２０、第３積層膜３１０、及び第４積層膜３２０は、例えば無機膜で形成されている。
　なお、第３積層膜３１０は第１積層膜２１０と同一の工程で形成されている。このため、第３積層膜３１０の層数は第１積層膜２１０の層数と同じであり、かつ、基板１００側から数えた場合において、第３積層膜３１０を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第１積層膜２１０のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。さらに、製造条件によっては、第３積層膜３１０は、各層の厚さも含めて第１積層膜２１０と同一の構造を有していることもある。
　また、第４積層膜３２０は第２積層膜２２０と同一の工程で形成されている。このため、第４積層膜３２０の層数は第２積層膜２２０の層数と同じであり、かつ、基板１００側から数えた場合において、第４積層膜３２０を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第２積層膜２２０のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。さらに、製造条件によっては、第４積層膜３２０は、各層の厚さも含めて第２積層膜２２０と同一の構造を有していることもある。
　なお、基板１００の第１面１０２と第１積層膜２１０の間には、平坦化層（例えば有機層）が設けられていてもよい。また、基板１００の第２面１０４と第３積層膜３１０の間にも平坦化層が形成されていてもよい。
　図２は、第１積層膜２１０の構成を示す断面図である。第１積層膜２１０は、第１層２１２及び第２層２１４を有している。第１層２１２及び第２層２１４は、例えば酸化金属膜である。具体的には、第１層２１２は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いて形成されており、第２層２１４は酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いて形成されている。第１層２１２及び第２層２１４の厚さは、いずれも３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。ただし、これら各層の厚さはこの範囲に限定されない。また、第１積層膜２１０は、第１層２１２及び第２層２１４をこの順に繰り返し積層した構成を有していてもよい。また、第１積層膜２１０は、互いに異なる材料を有する３つの層を１回または複数回積層した積層膜であってもよい。
　なお、上記したように、第３積層膜３１０も本図に示した構成を有している。
　図３は、第２積層膜２２０の構成を示す断面図である。第２積層膜２２０は、第１層２２２及び第２層２２４を複数回繰り返し積層した構成を有している。このため、第２積層膜２２０は、第１積層膜２１０よりも厚くなっている。第２積層膜２２０を第１積層膜２１０よりも厚くすることにより、第２積層膜２２０の封止能力は向上する。なお、第１層２２２は酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）を用いて形成されており、第２層２２４は酸化チタン（ＴｉＯ２）を用いて形成されている。酸化チタンは室温の状態で絶縁性を有するが、例えば薄膜にすると、導電性を有する。第１層２２２及び第２層２２４の厚さは、いずれも３ｎｍ以上１０ｎｍ以下である。ただし、これら各層の厚さはこの範囲に限定されない。
　なお、上記したように、第４積層膜３２０も本図に示した構成を有している。
　図４は、第１積層膜２１０の構成の第１の変形例を示す図である。本図に示す例において、第１積層膜２１０は、第１層２１２及び第２層２１４をこの順に繰り返し積層した構成を有している。そして、第１積層膜２１０のいずれかの層は、第１積層膜２１０を構成する他の層と比較して厚くなっている。本図に示す例では、第１積層膜２１０のうち最も上の層（すなわち発光部１４０に面する層）が、第１積層膜２１０を構成する他の層と比較して厚くなっている。例えば最も上の第１層２１２の厚さは、それ以外の層のうち最も厚い層の厚さの４倍以上である。また、この第１層２１２の厚さは、例えば、第１積層膜２１０の厚さの２０％以上８０％以下である。
　なお、第１積層膜２１０が図４に示した構成を有している場合、第３積層膜３１０も図４に示した構成を有している。この場合、第３積層膜３１０のうち最も基板１００の第２面１０４から遠い層は、第３積層膜３１０の他の層と比較して厚くなっている。
　図５は、第２積層膜２２０の構成の第１の変形例を示す図である。本図に示す例において、第２積層膜２２０は、第１層２２２及び第２層２２４をこの順に繰り返し積層した構成を有している。ただし、第２積層膜２２０が有する層の数は第１積層膜２１０が有する層の数よりも多いため、第２積層膜２２０は第１積層膜２１０よりも厚くなっている。そして、第２積層膜２２０のいずれかの層は、第２積層膜２２０を構成する他の層と比較して厚くなっている。本図に示す例では、最も下の第１層２２２（すなわち発光部１４０に面する層）が、第２積層膜２２０を構成する他の層と比較して厚くなっている。例えば最も下の第１層２２２の厚さは、それ以外の層のうち最も厚い層の厚さの４倍以上である。また、この第１層２２２の厚さは、例えば、第２積層膜２２０の厚さの２０％以上８０％以下である。
　なお、第２積層膜２２０が図５に示した構成を有している場合、第４積層膜３２０も図５に示した構成を有している。この場合、第４積層膜３２０のうち最も基板１００に近い層は、第４積層膜３２０の他の層と比較して厚くなっている。
　図６は、第１積層膜２１０の第２の変形例を示す断面図である。本変形例に係る第１積層膜２１０は、発光部１４０側から数えて２層目以上に位置する層が、第１積層膜２１０の他の層と比較して厚くなっている点を除いて、図４に示した第１積層膜２１０と同様の構成である。なお、第１積層膜２１０が図６に示した構成を有している場合、第３積層膜３１０も図６に示した構成を有している。
　図７は、第２積層膜２２０の第２の変形例を示す断面図である。本変形例に係る第２積層膜２２０は、基板１００側から数えて２層目以上に位置する層が、第２積層膜２２０の他の層と比較して厚くなっている点を除いて、図５に示した第２積層膜２２０と同様の構成である。なお、第２積層膜２２０が図７に示した構成を有している場合、第４積層膜３２０も図７に示した構成を有している。
　なお、図２に示した第１積層膜２１０は、図３に示した第２積層膜２２０、図５に示した第２積層膜２２０、及び図７に示した第２積層膜２２０のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。また、図４に示した第１積層膜２１０は、図３に示した第２積層膜２２０、図５に示した第２積層膜２２０、及び図７に示した第２積層膜２２０のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。さらに、図６に示した第１積層膜２１０は、図３に示した第２積層膜２２０、図５に示した第２積層膜２２０、及び図７に示した第２積層膜２２０のいずれと組み合わせて使用されていてもよい。
　図１７は、発光装置１０の等価回路図である。本図に示す例において、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は、引出配線１１４を介して発光部１４０の第１電極に接続しており、第２端子１３２は、引出配線１３４を介して発光部１４０の第２電極に接続している。
　発光装置１０の発光部１４０を発光させるとき、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間には電圧が印加される。また、第１積層膜２１０は第１引出配線１１４と第２引出配線１３４に接している。また、第１積層膜２１０は複数の層を積層した構成を有している。このため、等価回路で見た場合、第１積層膜２１０は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に、容量と抵抗とを直列に接続した構成となる。このため、第１積層膜２１０にある程度電流が流れ、その結果、発光部１４０が発光するときに第１積層膜２１０に電荷が蓄積されてしまう。この電荷は、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間に電圧が印加されなくなったとき、発光部１４０に流れる。これにより、発光部１４０のオフにするときの応答速度は低下してしまう。また、発光部１４０を点灯させるとき、電流の一部は第１積層膜２１０に流れてしまう。このため、発光部１４０を点灯させるときの応答速度も低下してしまう。
　これに対して本実施形態によれば、第１引出配線１１４と第２引出配線１３４の間において、第１積層膜２１０の少なくとも一部の層は、他の層よりも厚くなっている。このため、図１７の等価回路図における抵抗の大きさは、大きくなる。従って、第１積層膜２１０に電流は流れにくくなり、その結果、発光部１４０の応答速度は低下しにくくなる。第１積層膜２１０のうち発光部１４０に最も近い層を他の層より厚くすると、特に第１積層膜２１０に電流は流れにくくなる。
　なお、第２積層膜２２０についても同様である。
　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００を準備する。次いで、例えばＡＬＤ法を用いて、基板１００の第１面１０２に複数の無機層を形成する。これにより、第１面１０２には第１積層膜２１０が形成する。ＡＬＤ法において、膜となる原子または分子は基板１００の第２面１０４にも到達する。言い換えると、ＡＬＤ法は被覆性が高い。このため、ＡＬＤ法を用いて第１積層膜２１０を形成する際、基板１００の第２面１０４には第３積層膜３１０が形成される。
　次いで、基板１００の第１積層膜２１０上に、発光部１４０の第１電極、有機層、及び第２電極をこの順に形成する。これにより、発光部１４０が形成される。なお、この工程において、発光部１４０の端子も形成される。
　次いで、例えばＡＬＤ法を用いて、基板１００の第１積層膜２１０の上及び発光部１４０の上に、複数の無機層を形成する。これにより、第１面１０２の上及び発光部１４０の上には、封止膜である第２積層膜２２０が形成される。また、上記したように、ＡＬＤ法は被覆性が高い。このため、ＡＬＤ法を用いて第２積層膜２２０を形成する際、基板１００の第２面１０４には第４積層膜３２０が形成される。
　以上、本実施形態によれば、基板１００の第１面１０２側には第１積層膜２１０及び第２積層膜２２０が形成されており、基板１００の第２面１０４側には第３積層膜３１０及び第４積層膜３２０が形成されている。第１積層膜２１０の層数は第３積層膜３１０の層数と同じであり、かつ、基板１００側から層を数えた場合において、第３積層膜３１０を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第１積層膜２１０のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。また、第４積層膜３２０の層の数は第２積層膜２２０の層の数と同一であり、かつ、基板１００側から層を数えた場合において、第４積層膜３２０を構成する複数の層のそれぞれの材料は、第２積層膜２２０のうち対応する積層順に位置する層の材料と同一である。このため、第１積層膜２１０に起因して基板１００に加わる応力は、第３積層膜３１０に起因して基板１００に加わる応力によって打ち消される。また、第２積層膜２２０に起因して基板１００に加わる応力は、第４積層膜３２０に起因して基板１００に加わる応力によって打ち消される。従って、基板１００に加わる応力は小さくなる。
　特に本実施形態では、第１積層膜２１０及び第３積層膜３１０はＡＬＤ法を用いて同時に形成されているため、互いに同一の構造になる。また、第２積層膜２２０及び第４積層膜３２０はＡＬＤ法を用いて同時に形成されているため、互いに同一の構造になる。従って、基板１００に加わる応力は特に小さくなる。
　また、第４積層膜３２０は基板１００のバリア膜として機能するため、水分が基板１００を透過する可能性はさらに低くなる。
（実施例１）
　図８は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。説明のため、図８において第２積層膜２２０は点線で示されている。図９は、図８から第２電極１３０及び第２積層膜２２０を取り除いた図である。図１０は図９から有機層１２０及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１１は図８のＡ－Ａ断面図である。
　本実施例において、発光装置１０は照明装置であり、基板１００、及び発光部１４０を備えている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０の構成は、実施形態の通りである。　
　第１電極１１０の縁は、絶縁層１５０によって覆われている。絶縁層１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０の発光領域となる部分を囲んでいる。絶縁層１５０を設けることにより、第１電極１１０の縁において第１電極１１０と第２電極１３０が短絡することを抑制できる。絶縁層１５０は、例えば、絶縁層１５０となる樹脂材料を塗布した後、この樹脂材料を露光及び現像することにより、形成される。
　また、発光装置１０は、第１端子１１２及び第２端子１３２を有している。第１端子１１２は第１電極１１０に接続しており、第２端子１３２は第２電極１３０に接続している。第１端子１１２及び第２端子１３２は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。なお、第１端子１１２と第１電極１１０の間には引出配線が設けられていてもよい。また、第２端子１３２と第２電極１３０の間にも引出配線が設けられていてもよい。
　また、発光装置１０は第１積層膜２１０、第２積層膜２２０、第３積層膜３１０、及び第４積層膜３２０を有している。これらの積層膜の構成、及び基板１００の構成は、実施形態の通りである。
　次に、発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００に第１積層膜２１０及び第３積層膜３１０を形成する。次いで、第１積層膜２１０上に第１電極１１０を形成する。この工程において、第１端子１１２及び第２端子１３２も形成される。次いで、絶縁層１５０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に形成する。次いで、第２積層膜２２０及び第４積層膜３２０を形成する。
　本実施例によれば、実施形態と同様に、発光部１４０を用いた照明装置において、基板１００に加わる応力を小さくすることができる。
（実施例２）
　図１２は、実施例２に係る発光装置１０の平面図である。説明のため、図１２において第２積層膜２２０は点線で示されている。図１３は、図１２から隔壁１７０、第２電極１３０、有機層１２０、及び絶縁層１５０を取り除いた図である。図１４は図１２のＢ－Ｂ断面図であり、図１５は図１２のＣ－Ｃ断面図であり、図１６は図１２のＤ－Ｄ断面図である。
　本実施例に係る発光装置１０はディスプレイであり、基板１００、第１電極１１０、発光部１４０、絶縁層１５０、複数の開口１５２、複数の開口１５４、複数の引出配線１１４、有機層１２０、第２電極１３０、複数の引出配線１３４、及び複数の隔壁１７０を有している。
　第１電極１１０は、第１方向（図１２におけるＹ方向）にライン状に延在している。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１１４に接続している。
　引出配線１１４は、第１電極１１０を第１端子１１２に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１１４の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１１４の他端側は第１端子１１２となっている。本図に示す例において、第１電極１１０及び引出配線１１４は一体になっている。そして引出配線１１４の上には、導体層１６０が形成されている。導体層１６０は、第１電極１１０よりも抵抗が低い材料、例えばＡｌを用いて形成されている。なお、導体層１６０は、多層構造を有していてもよい。引出配線１１４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　絶縁層１５０は、図１２、及び図１４～図１６に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１５０には、複数の開口１５２及び複数の開口１５４が形成されている。複数の第２電極１３０は、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図１２におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１３０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１５２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１３０の交点に位置している。具体的には、複数の開口１５２は、第１電極１１０が延在する方向（図１２におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１５２は、第２電極１３０の延在方向（図１２におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１５２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。
　開口１５４は、平面視で複数の第２電極１３０のそれぞれの一端側と重なる領域に位置している。また開口１５４は、開口１５２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図１２におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１５４は、所定の間隔で配置されている。開口１５４からは、引出配線１３４の一部分が露出している。そして、引出配線１３４は、開口１５４を介して第２電極１３０に接続している。
　引出配線１３４は、第２電極１３０を第２端子１３２に接続する配線であり、第１電極１１０と同一の材料からなる層を有している。引出配線１３４の一端側は開口１５４の下に位置しており、引出配線１３４の他端側は、絶縁層１５０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１３４の他端側が第２端子１３２となっている。そして引出配線１３４の上には、導体層１６０が形成されている。引出配線１３４の一部は絶縁層１５０によって覆われている。
　開口１５２と重なる領域には、有機層１２０が形成されている。有機層１２０の正孔注入層は第１電極１１０に接しており、有機層１２０の電子注入層は第２電極１３０に接している。このため、発光部１４０は、開口１５２と重なる領域それぞれに位置していることになる。
　なお、図１４及び図１５に示す例では、有機層１２０を構成する各層は、いずれも開口１５２の外側まではみ出している場合を示している。そして図１２に示すように、有機層１２０は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１５２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図１６に示すように、有機層１２０は、開口１５４には形成されていない。
　第２電極１３０は、図１２、図１４～図１６に示すように、第１方向と交わる第２方向（図１２におけるＸ方向）に延在している。そして隣り合う第２電極１３０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１３０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１５０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。
　隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１３０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１３０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１３０を一括で形成することができる。また、隔壁１７０は、有機層１２０を分断する機能も有している。
　そして本実施例においても、基板１００の第１面１０２には第１積層膜２１０及び第２積層膜２２０が形成されており、基板１００の第２面１０４には第３積層膜３１０及び第４積層膜３２０が形成されている。第２積層膜２２０は、発光部１４０を封止している。なお、本実施例では、第１端子１１２及び第２端子１３２は、基板１００のうち同一の辺に沿って配置されている。このため、第２積層膜２２０のうち第１端子１１２を露出するための開口と、第２端子１３２を露出するための開口は互いに繋がっている。
　次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００に第１積層膜２１０及び第３積層膜３１０を形成する。これらの形成方法は、実施形態に示した通りである。
　次いで、基板１００の第１面１０２に第１電極１１０、引出配線１１４，１３４を形成する。次いで、引出配線１１４上及び引出配線１３４上に、導体層１６０を形成する。次いで、絶縁層１５０を形成し、さらに隔壁１７０を形成する。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０を形成する。これらの形成方法は、実施例１と同様である。
　次いで、基板１００に第２積層膜２２０及び第４積層膜３２０を形成する。これらの形成方法は実施形態に示した通りである。
　本実施例によれば、実施形態と同様に、発光部１４０を用いたディスプレイにおいて、基板１００に加わる応力を小さくすることができる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (4)

  1. 　樹脂材料を含む基板と、
    　前記基板の第１面に形成され、複数の層を積層した第１積層膜と、
    　前記第１積層膜の上に形成され、有機層を含む発光部と、
    　前記発光部を覆っており、複数の層を積層した第２積層膜と、
    　前記基板の第２面に形成され、複数の層を積層した第３積層膜と、
    　前記第３積層膜に重ねて形成され、複数の層を積層した第４積層膜と、
    を備え、
    　前記第３積層膜の層の数は前記第１積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第３積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第１積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一であり、
    　前記第４積層膜の層の数は前記第２積層膜の層の数と同一であり、かつ、前記基板側から層を数えた場合において、前記第４積層膜を構成する前記複数の層のそれぞれの材料は、前記第４積層膜のうち対応する積層順に位置する前記層の材料と同一である発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記基板側から数えた場合、前記第３積層膜は前記第１積層膜と同一であり、かつ前記第４積層膜は前記第２積層膜と同一である発光装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の発光装置において、
    　前記第２積層膜は前記第１積層膜よりも厚く、前記第４積層膜は前記第３積層膜よりも厚い発光装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１積層膜、前記第２積層膜、前記第３積層膜、及び前記第４積層膜は、いずれも無機膜である発光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018156752A (ja) * 2017-03-16 2018-10-04 パイオニア株式会社 発光装置
JP2020095859A (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 キヤノン株式会社 有機発光素子とその製造方法、有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168556A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Shin Sti Technology Kk 有機ｅｌ素子構造体
JP2004001296A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層膜付きフィルムとその製造方法及びフィルム型表示素子
JP2004119138A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Pioneer Electronic Corp 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2009245893A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Toshiba Corp 発光装置封止構造及びその製造方法
JP2011517302A (ja) * 2008-01-30 2011-06-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング カプセル封入ユニットを有する装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04280094A (ja) * 1991-03-07 1992-10-06 Sony Corp 薄膜発光素子
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
WO1996033594A1 (en) * 1995-04-18 1996-10-24 Cambridge Display Technology Limited Electroluminescent device
JP3808534B2 (ja) * 1996-02-09 2006-08-16 Ｔｄｋ株式会社 画像表示装置
US5917280A (en) * 1997-02-03 1999-06-29 The Trustees Of Princeton University Stacked organic light emitting devices
US5757139A (en) * 1997-02-03 1998-05-26 The Trustees Of Princeton University Driving circuit for stacked organic light emitting devices
JP2000075836A (ja) * 1998-09-02 2000-03-14 Sharp Corp 有機ｅｌ発光装置とその駆動方法
JP2000195664A (ja) * 1998-12-24 2000-07-14 Rohm Co Ltd 発光装置
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
JP2001135479A (ja) * 1999-11-08 2001-05-18 Canon Inc 発光素子、並びにそれを用いた画像読取装置、情報処理装置及びディスプレイ装置
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
JP4234998B2 (ja) * 2001-03-29 2009-03-04 富士フイルム株式会社 エレクトロルミネッセンス素子
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US6872472B2 (en) * 2002-02-15 2005-03-29 Eastman Kodak Company Providing an organic electroluminescent device having stacked electroluminescent units
JP2003303683A (ja) * 2002-04-09 2003-10-24 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6765349B2 (en) * 2002-09-30 2004-07-20 Eastman Kodak Company High work function metal alloy cathode used in organic electroluminescent devices
CN1742518B (zh) * 2003-01-29 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 发光装置
US6870196B2 (en) * 2003-03-19 2005-03-22 Eastman Kodak Company Series/parallel OLED light source
US20060232992A1 (en) * 2003-08-12 2006-10-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Circuit arrangement for ac driving of organic diodes
US20050181535A1 (en) 2004-02-17 2005-08-18 Yun Sun J. Method of fabricating passivation layer for organic devices
JP4276109B2 (ja) * 2004-03-01 2009-06-10 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
US7759856B2 (en) * 2004-12-17 2010-07-20 Honeywell International Inc. Organic light emitting diode (OLED) having improved stability, luminance, and efficiency
WO2006067952A1 (ja) 2004-12-20 2006-06-29 Konica Minolta Holdings, Inc. ガスバリア性薄膜積層体、ガスバリア性樹脂基材、有機ｅｌデバイス
DE602006001930D1 (de) * 2005-12-23 2008-09-04 Novaled Ag tur von organischen Schichten
JP5030742B2 (ja) * 2006-11-30 2012-09-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
KR100833753B1 (ko) * 2006-12-21 2008-05-30 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 구동방법
JP2009031742A (ja) * 2007-04-10 2009-02-12 Fujifilm Corp 有機電界発光表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003168556A (ja) * 2001-11-30 2003-06-13 Shin Sti Technology Kk 有機ｅｌ素子構造体
JP2004001296A (ja) * 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 積層膜付きフィルムとその製造方法及びフィルム型表示素子
JP2004119138A (ja) * 2002-09-25 2004-04-15 Pioneer Electronic Corp 多層バリア膜構造、有機エレクトロルミネッセンス表示パネル及び製造方法
JP2011517302A (ja) * 2008-01-30 2011-06-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング カプセル封入ユニットを有する装置
JP2009245893A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Toshiba Corp 発光装置封止構造及びその製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018156752A (ja) * 2017-03-16 2018-10-04 パイオニア株式会社 発光装置
JP2021193687A (ja) * 2017-03-16 2021-12-23 パイオニア株式会社 発光装置
JP2020095859A (ja) * 2018-12-13 2020-06-18 キヤノン株式会社 有機発光素子とその製造方法、有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器
JP2021168313A (ja) * 2018-12-13 2021-10-21 キヤノン株式会社 有機発光装置とその製造方法、照明装置、移動体、撮像装置、電子機器
US11342535B2 (en) 2018-12-13 2022-05-24 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting element, method for producing organic light-emitting element, organic light-emitting device, method for producing organic light-emitting device, lighting device, moving object, image pickup device, and electronic apparatus

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