WO2016042638A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2016042638A1
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electrode
light emitting
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insulating film
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青木　謙治
弘務 奈良
友哉 鏡
昌紀 駒田
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パイオニア株式会社
東北パイオニア株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • This light-emitting device is used as a lighting device or a display device, and has a configuration in which an organic layer is sandwiched between a first electrode and a second electrode.
  • a transparent material is used for the first electrode
  • a metal material is used for the second electrode.
  • Patent Document 1 One of light-emitting devices using organic EL is a technique described in Patent Document 1.
  • the second electrode is provided only in a part of the pixel so that the display device using the organic EL has light transmittance (see-through).
  • the display device since the region positioned between the plurality of second electrodes transmits light, the display device can have light transmittance.
  • a light-transmitting insulating film is formed between the plurality of second electrodes in order to define pixels.
  • Patent Document 1 exemplifies inorganic materials such as silicon oxide and resin materials such as acrylic resin as the material of the insulating film.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to increase the light transmittance of a light emitting device.
  • the invention according to claim 1 is a translucent substrate; A plurality of light-transmitting first electrodes formed on the substrate, a second electrode at least partially overlapping the first electrode, and an organic layer positioned between the first electrode and the second electrode.
  • Have The width of the second region is a light emitting device narrower than the width of the third region.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 2.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 3.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Example 4.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment.
  • the supervisor P looks at the light emission surface of the light emitting device 10 from a direction perpendicular to the substrate 100 in FIG.
  • FIG. 2 is an enlarged view of the light emitting unit 140 of the light emitting device 10.
  • the light emitting device 10 according to the embodiment is a lighting device or a display device. 1 and 2 show a case where the light emitting device 10 is a lighting device.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a plurality of light emitting units 140, and an insulating film 150.
  • the substrate 100 is made of a light transmissive material.
  • the plurality of light emitting units 140 are separated from each other, and all include the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130.
  • the first electrode 110 is a light-transmitting electrode
  • the second electrode 130 is a light-shielding electrode, and at least partly overlaps the first electrode 110.
  • the second electrode 130 may be a translucent electrode.
  • the organic layer 120 is located between the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the insulating film 150 covers the edge of the first electrode 110. Further, at least a part of the insulating film 150 is not covered with the second electrode 130.
  • the light emitting device 10 When viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the light emitting device 10 includes a first region 102, a second region 104, and a third region 106.
  • the first region 102 is a region overlapping with the second electrode 130. That is, the first region 102 is a region covered with the second electrode 130 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100.
  • the second electrode 130 has a light shielding property
  • the first region 102 is a region that does not transmit light.
  • the second region 104 is a region including the insulating film 150 among regions between the plurality of light emitting units 140.
  • the third region 106 is a region that does not include the insulating film 150 among regions between the plurality of light emitting units 140.
  • the width of the second region 104 is narrower than the width of the third region 106. Details will be described below.
  • the substrate 100 is a light-transmitting substrate such as a glass substrate or a resin substrate.
  • the substrate 100 may have flexibility. In the case of flexibility, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less.
  • the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle or a circle.
  • the substrate 100 is formed using, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • an inorganic barrier film such as SiN x or SiON is formed on at least one surface (preferably both surfaces) of the substrate 100 in order to prevent moisture from permeating the substrate 100. It is preferable.
  • a light emitting unit 140 is formed on one surface of the substrate 100.
  • the light emitting unit 140 has a configuration in which the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 are stacked in this order.
  • the plurality of light emitting units 140 extend in a line shape.
  • the plurality of light emitting units 140 are arranged so as to form a matrix, or form a segment or display a predetermined shape (for example, display an icon). It may be.
  • the plurality of light emitting units 140 are formed for each pixel.
  • the first electrode 110 is a transparent electrode having optical transparency.
  • the material of the transparent electrode is a metal-containing material, for example, a metal oxide such as ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide), or ZnO (Zinc Oxide).
  • the thickness of the first electrode 110 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first electrode 110 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method.
  • the first electrode 110 may be a carbon nanotube or a conductive organic material such as PEDOT / PSS. In the drawing, a plurality of linear first electrodes 110 are formed on a substrate 100 in parallel with each other. For this reason, the first electrode 110 is not located in the second region 104 and the third region 106.
  • the organic layer 120 has a light emitting layer.
  • the organic layer 120 has a configuration in which, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer are stacked in this order.
  • a hole transport layer may be formed between the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an electron transport layer may be formed between the light emitting layer and the electron injection layer.
  • the organic layer 120 may be formed by a vapor deposition method.
  • at least one layer of the organic layer 120, for example, a layer in contact with the first electrode 110, may be formed by a coating method such as an inkjet method, a printing method, or a spray method. In this case, the remaining layers of the organic layer 120 are formed by vapor deposition.
  • all the layers of the organic layer 120 may be formed using the apply
  • the second electrode 130 is made of, for example, a metal selected from the first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In, or an alloy of a metal selected from the first group. Contains a metal layer. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. In the example shown in this drawing, the light emitting device 10 has a plurality of linear second electrodes 130.
  • the second electrode 130 is provided for each of the first electrodes 110 and is wider than the first electrode 110. For this reason, when viewed from the direction perpendicular to the substrate 100, the entire first electrode 110 is overlapped and covered by the second electrode 130 in the width direction. Further, the first electrode 110 is wider than the second electrode 130, and when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the first electrode 110 may be entirely covered with the first electrode 110 in the width direction. Good.
  • the edge of the first electrode 110 is covered with an insulating film 150.
  • the insulating film 150 is made of, for example, a photosensitive resin material such as polyimide, and surrounds a portion of the first electrode 110 that becomes the light emitting portion 140.
  • An edge in the width direction of the second electrode 130 is located on the insulating film 150. In other words, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, a part of the insulating film 150 protrudes from the second electrode 130.
  • the organic layer 120 is also formed on the top and side surfaces of the insulating film 150. However, the organic layer 120 is divided between the adjacent light emitting units 140.
  • the light emitting device 10 includes the first region 102, the second region 104, and the third region 106.
  • the first region 102 is a region overlapping with the second electrode 130.
  • the second region 104 is a region including the insulating film 150 among regions between the plurality of light emitting units 140.
  • the organic layer 120 is also formed in the second region 104.
  • the third region 106 is a region that does not include the insulating film 150 among regions between the plurality of light emitting units 140.
  • the organic layer 120 is not formed in at least a part of the third region 106.
  • the width of the second region 104 is narrower than the width of the third region 106.
  • the width of the third region 106 may be wider or narrower than that of the first region 102.
  • the width of the second region 104 is, for example, 0 or more (or more than 0) 0.2 or less
  • the width of the third region 106 is, for example, 0.3 or more and 2 or less.
  • the width of the first region 102 is, for example, 50 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less
  • the width of the second region 104 is, for example, 0 ⁇ m or more (or more than 0 ⁇ m)
  • the width of the third region 106 is, for example, 15 ⁇ m or more and 1000 ⁇ m or less. is there.
  • FIG. 3 is a plan view of the light emitting device 10. 1 corresponds to the AA cross section of FIG.
  • the first region 102, the second region 104, and the third region 106 are all linear and extend in the same direction.
  • the second area 104, the first area 102, the second area 104, and the third area 106 are repeatedly arranged in this order.
  • the first electrode 110 is formed on the substrate 100 by using, for example, a sputtering method.
  • the first electrode 110 is formed into a predetermined pattern using, for example, a photolithography method.
  • the insulating film 150 is formed on the edge of the first electrode 110.
  • the organic layer 120 and the second electrode 130 are formed in this order.
  • the organic layer 120 includes a layer formed by an evaporation method, this layer is formed in a predetermined pattern using, for example, a mask.
  • the second electrode 130 is also formed in a predetermined pattern using, for example, a mask.
  • the light emitting unit 140 is sealed using a sealing member (not shown).
  • the first region 102 has the lowest light transmittance.
  • the second region 104 has a lower light transmittance than the third region 106 due to the presence of the insulating film 150.
  • the width of the second region 104 is narrower than the width of the third region 106. For this reason, in the light emitting device 10, the area occupancy of the second region 104 is lower than the area occupancy of the third region 106. Therefore, the light transmittance of the light emitting device 10 is increased.
  • the insulating film 150 is formed of a light transmissive material, generally, the light transmittance of the light transmissive material varies depending on the wavelength of light. For this reason, when the width of the insulating film 150 is wide, the spectral distribution of the light changes when light passes through the insulating film 150. In this case, when an object is viewed through the light emitting device 10, the color of the object looks different from the actual color. That is, the color of the object changes through the light emitting device 10. For example, when the absorption at a blue wavelength of 400 nm to 600 nm is 50% and is larger than the absorption at other wavelengths, the blue color becomes weak and yellowish when viewed through the light emitting device 10. In contrast, in the present embodiment, since the width of the second region 104 is narrower than the width of the third region 106, the above-described color change can be suppressed.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to Example 1, and corresponds to FIG. 1 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as the light emitting device 10 according to the embodiment except for the layout of the organic layer 120.
  • the organic layer 120 is formed on the entire surface of the third region 106. In other words, the organic layer 120 is continuously formed over the first region 102, the second region 104, and the third region 106. The organic layer 120 is continuously formed so as to connect the plurality of light emitting units 140.
  • the light transmittance of the light emitting device 10 is increased as in the embodiment. Moreover, since the organic layer 120 is formed continuously, the cost for forming the organic layer 120 is reduced.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to Example 2, and corresponds to FIG. 2 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as the light emitting device 10 according to Example 1 except for the width of the second electrode 130.
  • the width of the second electrode 130 is narrower than the width of the first electrode 110. For this reason, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the end portion of the first electrode 110 in the width direction protrudes from the second electrode 130. In other words, a part of the second region 104 overlaps the first electrode 110.
  • the light transmittance of the light emitting device 10 is increased as in the embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to Example 3, and corresponds to FIG. 2 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to Example 1, except that the peeling preventing unit 160 is provided.
  • the peeling preventing unit 160 is provided on the surface of the substrate 100 where the light emitting unit 140 is formed.
  • the peeling prevention unit 160 is insulated from the first electrode 110 and is formed of a material having higher adhesion to the insulating film 150 than the substrate 100.
  • the insulating film 150 is formed from the edge of the first electrode 110 to the peeling prevention unit 160.
  • the peeling prevention unit 160 is made of the same material as the first electrode 110 and is physically separated from the first electrode 110 to be insulated from the first electrode 110. ing. In this case, the peeling prevention unit 160 is formed in the same process as the first electrode 110.
  • the insulating film 150 is also formed on a region of the substrate 100 located between the peeling prevention unit 160 and the first electrode 110. The edge of the insulating film 150 is located on the peeling prevention unit 160.
  • the light transmittance of the light emitting device 10 is increased as in the embodiment. Further, the edge of the insulating film 150 is located on the peeling preventing portion 160.
  • the peeling prevention unit 160 has higher adhesion to the insulating film 150 than the substrate 100. Accordingly, the insulating film 150 can be prevented from peeling off.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to Example 4, and corresponds to FIG. 2 in the embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to Example 3, except that the conductive portion 170 is provided.
  • the conductive part 170 is, for example, an auxiliary electrode of the first electrode 110 and is in contact with the first electrode 110.
  • the conductive portion 170 is formed of a material having a lower resistance value than that of the first electrode 110, and is formed using, for example, at least one metal layer.
  • the conductive portion 170 has a configuration in which, for example, a first metal layer such as Mo or Mo alloy, a second metal layer such as Al or Al alloy, and a third metal layer such as Mo or Mo alloy are stacked in this order. Yes. Of these three metal layers, the second metal layer is the thickest.
  • the conductive portion 170 is covered with the insulating film 150. For this reason, the conductive part 170 is not directly connected to either the organic layer 120 or the second electrode 130.
  • FIG. 8A is a first example of an enlarged view of a region surrounded by a dotted line ⁇ in FIG.
  • the conductive portion 170 has a configuration in which a second layer 174 is stacked on a first layer 172.
  • the first layer 172 is formed of a metal such as Al or an Al alloy, for example, and the second layer 174 is formed of a conductive material having a higher hardness and a lower etching rate than the first layer 172, for example, Mo or an Mo alloy.
  • the first layer 172 is made of a material having a lower resistance than the second layer 174.
  • the second layer 174 is formed of a MoNb alloy.
  • the thickness of the first layer 172 is, for example, not less than 50 nm and not more than 1000 nm. Preferably it is 600 nm or less.
  • the second layer 174 is thinner than the first layer 172.
  • the thickness of the second layer 174 is, for example, 100 nm or less, preferably 60 nm or less, more preferably 30 nm or less.
  • the visible light reflectance of the second layer 174 is lower than the visible light reflectance of the first layer 172.
  • the reflectance of the second layer 174 is about 60%
  • the reflectance of the first layer 172 is about 90%.
  • the width of the first layer 172 is narrower than the width of the second layer 174. For this reason, in the width direction of the conductive portion 170, the end portion of the first layer 172 is located closer to the center of the conductive portion 170 than the end portion of the second layer 174.
  • the distance d between the end of the first layer 172 and the end of the second layer 174 is preferably 150 nm or more, more preferably 300 nm or more.
  • the conductive part 170 overlaps the second electrode 130.
  • the width w of the conductive portion 170 overlapping the second electrode 130 is preferably, for example, 150 nm or more. In the example shown in this drawing, the entire conductive portion 170 overlaps the second electrode 130.
  • the timing for forming the conductive portion 170 is after the first electrode 110 is formed and before the insulating film 150 is formed.
  • the conductive portion 170 is formed as follows, for example. First, the first layer 172 and the second layer 174 are formed in this order by using a film forming method such as a sputtering method. Next, a resist pattern (not shown) is formed on the second layer 174, and the second layer 174 and the first layer 172 are etched (for example, wet etching) using the resist pattern as a mask. At this time, the etching is made isotropic. Also, under this etching condition, the etching rate of the first layer 172 is faster than the etching rate of the second layer 174.
  • the first layer 172 is etched faster than the second layer 174.
  • the side surface of the first layer 172 enters the center side of the conductive portion 170 more than the side surface of the second layer 174. That is, the end portion of the first layer 172 is located closer to the center of the conductive portion 170 than the end portion of the second layer 174.
  • the size of the interval d is controlled by adjusting etching conditions (for example, etching time).
  • the light transmittance of the light emitting device 10 is increased as in the embodiment. Further, since the conductive portion 170 is formed on the first electrode 110, the apparent resistance value of the first electrode 110 can be lowered. Moreover, it is suppressed that the color of the thing when seeing an object via the light-emitting device 10 looks different from an actual color.
  • the conductive portion 170 is covered with the insulating film 150, when light is reflected from the end face of the conductive portion 170, the amount of light transmitted through the insulating film 150 increases. Since the light transmittance of the insulating film 150 varies depending on the wavelength of light, when the amount of light transmitted through the insulating film 150 increases, the color of the object changes when the object is viewed through the light emitting device 10. The chance of seeing is increased.
  • the visible light reflectance of the second layer 174 is lower than the visible light reflectance of the first layer 172. The end portion of the first layer 172 is located closer to the center of the conductive portion 170 than the end portion of the second layer 174. Accordingly, at least part of the light incident on the end portion of the first layer 172 is blocked by the second layer 174. Thereby, the amount of light transmitted through the insulating film 150 can be reduced.
  • the conductive portion 170 may have a configuration in which the first layer 172 is stacked on the second layer 174. In this case, at least a part of the light reflected by the end portion of the first layer 172 is blocked by the second layer 174 before entering the substrate 100. Thereby, the amount of light transmitted through the insulating film 150 can be reduced.
  • the conductive portion 170 may have a configuration in which the second layer 174, the first layer 172, and the second layer 174 are stacked in this order.
  • the film thicknesses of the two second layers 174 may be different from each other or the same.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view illustrating a configuration of the light emitting device 10 according to the fifth embodiment.
  • FIG. 10 is a plan view of the light emitting device 10 shown in FIG. However, some members are omitted in FIG. FIG. 9 corresponds to the BB cross section of FIG.
  • the light emitting device 10 according to this example has the same configuration as that of the light emitting device 10 according to the embodiment or any of Examples 1 to 4 except that the sealing member 180 and the desiccant 190 are provided.
  • the planar shape of the substrate 100 is, for example, a polygon such as a rectangle or a circle.
  • the sealing member 180 has translucency and is formed using, for example, glass or resin.
  • the sealing member 180 is a polygon or a circle similar to the substrate 100, and has a shape in which a recess is provided at the center.
  • the edge of the sealing member 180 is fixed to the substrate 100 with an adhesive. Thereby, the space surrounded by the sealing member 180 and the substrate 100 is sealed.
  • the plurality of light emitting units 140 are all located in a sealed space.
  • the light emitting device 10 includes a first terminal 112, a first lead wire 114, a second terminal 132, and a second lead wire 134.
  • the first terminal 112, the first lead wiring 114, the second terminal 132, and the second lead wiring 134 are all formed on the same surface of the substrate 100 as the light emitting unit 140.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are located outside the sealing member 180.
  • the first lead wire 114 connects the first terminal 112 and the first electrode 110
  • the second lead wire 134 connects the second terminal 132 and the second electrode 130.
  • each of the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134 extends from the inside to the outside of the sealing member 180.
  • the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134 have, for example, a layer formed of the same material as that of the first electrode 110.
  • at least a part of at least one of the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134 is a metal film having a lower resistance than the first electrode 110 on this layer. (For example, a film similar to the conductive portion 170) may be included. This metal film does not need to be formed on all of the first terminal 112, the second terminal 132, the first lead wiring 114, and the second lead wiring 134.
  • the first terminal 112 the first lead wire 114, the second terminal 132, and the second lead wire 134
  • a layer formed of the same material as the first electrode 110 is formed in the same process as the first electrode 110. Yes.
  • the first electrode 110 is integrated with at least a part of the layer of the first terminal 112.
  • the metal film is formed in the same process as that of the conductive portion 170, for example.
  • the light transmittance of the first terminal 112, the first lead wire 114, the second terminal 132, and the second lead wire 134 is lower than the light transmittance of the substrate 100.
  • the first lead-out wiring 114 and the second lead-out wiring 134 are formed one by one for one light emitting unit 140.
  • the plurality of first lead wires 114 are all connected to the same first terminal 112, and the plurality of second lead wires 134 are all connected to the same second terminal 132.
  • the first terminal 112 is connected to a positive terminal of a control circuit via a conductive member such as a bonding wire or a lead terminal, and the second terminal 132 is controlled via a conductive member such as a bonding wire or a lead terminal.
  • the negative terminal of the circuit is connected.
  • the desiccant 190 is a region sealed with the sealing member 180 and does not overlap any of the light emitting portions 140 when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, for example, the first extraction wiring 114 and the first wiring. It is arranged in a region overlapping with at least one of the two lead wires 134.
  • the desiccant 190 contains a drying member such as CaO or BaO.
  • the light transmittance of the desiccant 190 is lower than the light transmittance of the substrate 100.
  • the desiccant 190 is fixed to the surface of the sealing member 180 that faces the substrate 100.
  • the desiccant 190 is disposed in each of the region overlapping the first lead wiring 114 and the region overlapping the second lead wiring 134.
  • the desiccant 190 is disposed along two opposite sides of the rectangular substrate 100, but is disposed along the remaining two sides, that is, the remaining two sides and the light emitting unit 140. Not.
  • FIG. 11 is a plan view showing a modification of FIG.
  • a part of the first terminal 112 and the second terminal 132 is located inside the sealing member 180.
  • At least a part of the desiccant 190 overlaps at least one of the first terminal 112 and the second terminal 132.
  • the light transmittance of the light emitting device 10 is increased as in the embodiment. Further, when viewed from a direction perpendicular to the substrate 100, the desiccant 190 does not overlap the light emitting unit 140 and is located near the edge of the substrate 100. Therefore, as compared with the case where the desiccant 190 is provided at a position overlapping the light emitting unit 140, the desiccant 190 is less visible to the user. In particular, in the present embodiment, the desiccant 190 overlaps the first lead wiring 114 and the second lead wiring 134. The first lead wiring 114 and the second lead wiring 134 also have low light transmittance.
  • the light transmittance of the light-emitting device 10 improves.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 are overlapped with the desiccant 190, the light transmittance of the light emitting device 10 is greatly improved as compared with the case where they are not overlapped.
  • the luminance of the light emitting unit 140 varies depending on the temperature of the organic layer 120.
  • the desiccant 190 is provided at a position overlapping the organic layer 120, at least a part of the heat radiated from the light emitting unit 140 is absorbed by the desiccant 190. Therefore, the temperature of the region of the organic layer 120 that overlaps with the desiccant 190 is lower than the other regions of the organic layer 120. In this case, in-plane variation occurs in the luminance of the light emitting unit 140.
  • the desiccant 190 does not overlap the light emitting unit 140. Therefore, it is possible to suppress in-plane variation in the luminance of the light emitting unit 140.
  • the desiccant 190 is provided at a position overlapping the first extraction wiring 114 and a position overlapping the second extraction wiring 134. Accordingly, the temperature of the region located near the first lead wire 114 in the organic layer 120 and the temperature of the region located near the second lead wire 134 are both the center of the light emitting unit 140 in the organic layer 120. It becomes lower than the temperature of the region located in the part. Thereby, the variation in the luminance of the light emitting unit 140 due to the resistance of the first electrode 110 and the second electrode 130 is absorbed. Accordingly, the in-plane variation in luminance of the light emitting unit 140 is reduced.

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Abstract

　基板（１００）は透光性の基板である。発光部（１４０）は第１電極（１１０）、有機層（１２０）、及び第２電極（１３０）を有している。また、発光装置（１０）は、第１領域（１０２）、第２領域（１０４）、及び第３領域（１０６）を有している。第１領域（１０２）は第２電極（１３０）と重なる領域である。第２電極（１３０）が遮光性を有している場合、第１領域（１０２）は光を通さない領域である。第２領域（１０４）は、複数の発光部（１４０）の間の領域のうち絶縁膜（１５０）を含む領域である。第３領域（１０６）は、複数の発光部（１４０）の間の領域のうち絶縁膜（１５０）を含まない領域である。そして、第２領域（１０４）の幅は第３領域（１０６）の幅よりも狭い。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　近年は有機ＥＬを利用した発光装置の開発が進んでいる。この発光装置は、照明装置や表示装置として使用されており、第１電極と第２電極の間に有機層を挟んだ構成を有している。そして、一般的には第１電極には透明材料が用いられており、第２電極には金属材料が用いられている。
　有機ＥＬを利用した発光装置の一つに、特許文献１に記載の技術がある。特許文献１の技術は、有機ＥＬを利用した表示装置に光透過性（シースルー）を持たせるために、第２電極を画素の一部にのみ設けている。このような構造において、複数の第２電極の間に位置する領域は光を透過させるため、表示装置は光透過性を有することができる。なお、特許文献１に記載の技術において、複数の第２電極の間には、画素を画定するために、透光性の絶縁膜が形成されている。特許文献１において、この絶縁膜の材料として、酸化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂などの樹脂材料が例示されている。
特開２０１１－２３３３６号公報
　光透過性を評価する指標として光線透過率がある。この光線透過率は、ある物体に入射した光が透過した割合を示すものである。一般的に、透光性の材料における光の光線透過率は１００％ではない。このため、特許文献１で示されるように光を透過する領域に絶縁膜が存在していると、この絶縁膜を透過する際に光の一部が吸収されてしまう。この場合、発光装置の光線透過率は低下してしまう。
　本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の光線透過率を上げることが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、透光性の基板と、
　前記基板に形成され、透光性の第１電極、前記第１電極と少なくとも一部が重なっている第２電極、及び前記第１電極と第２電極の間に位置する有機層とを有する複数の発光部と、
　前記第１電極の縁を覆う絶縁膜と、
を備え、
　前記複数の発光部は互いに離間しており、
　前記絶縁膜の少なくとも一部は前記第２電極で覆われておらず、
　前記基板に垂直な方向から見た場合において、
　　前記第２電極と重なる領域である第１領域と、
　　前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含む領域である第２領域と、
　　前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含まない領域である第３領域と、
を有し、
　前記第２領域の幅は前記第３領域の幅よりも狭い発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
実施形態に係る発光装置の構成を示す断面図である。 発光装置の発光部を拡大した図である。 発光装置の平面図である。 実施例１に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例２に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例３に係る発光装置の構成を示す断面図である。 実施例４に係る発光装置の構成を示す断面図である。 各図は、図７の点線αで囲んだ領域を拡大した図である。 実施例５に係る発光装置の構成を示す断面図である。 図９に示した発光装置の平面図である。 図１０の変形例を示す平面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
　図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。監視者Ｐは、図１の基板１００に垂直な方向から発光装置１０の光射出面を見ている。図２は発光装置１０の発光部１４０を拡大した図である。実施形態に係る発光装置１０は、照明装置または表示装置である。図１及び図２は、発光装置１０が照明装置である場合を示している。発光装置１０は、基板１００、複数の発光部１４０、及び絶縁膜１５０を備えている。基板１００は透光性の材料が用いられている。複数の発光部１４０は互いに離間しており、いずれも、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０を有している。第１電極１１０は透光性の電極であり、第２電極１３０は遮光性の電極であり、第１電極１１０と少なくとも一部が重なっている。ただし第２電極１３０は透光性の電極であってもよい。有機層１２０は第１電極１１０と第２電極１３０の間に位置している。絶縁膜１５０は第１電極１１０の縁を覆っている。また、絶縁膜１５０の少なくとも一部は第２電極１３０で覆われていない。
　そして、基板１００に垂直な方向から見た場合において、発光装置１０は、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は第２電極１３０と重なる領域である。つまり、第１領域１０２は基板１００に垂直な方向から見た場合において、第２電極１３０に覆われている領域である。第２電極１３０が遮光性を有している場合、第１領域１０２は光を通さない領域である。第２領域１０４は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含む領域である。第３領域１０６は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含まない領域である。そして、第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭い。以下、詳細に説明する。
　基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透光性を有する基板である。基板１００は可撓性を有していてもよい。可撓性を有している場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００は、例えば矩形などの多角形や円形である。基板１００が樹脂基板である場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）、又はポリイミドを用いて形成されている。また、基板１００が樹脂基板である場合、水分が基板１００を透過することを抑制するために、基板１００の少なくとも一面（好ましくは両面）に、ＳｉＮｘやＳｉＯＮなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。
　基板１００の一面には、発光部１４０が形成されている。発光部１４０は、第１電極１１０、有機層１２０、及び第２電極１３０をこの順に積層させた構成を有している。発光装置１０が照明装置の場合、複数の発光部１４０はライン状に延在している。一方、発光装置１０が表示装置の場合、複数の発光部１４０はマトリクスを構成するように配置されているか、セグメントを構成したり所定の形状を表示するように（例えばアイコンを表示するように）なっていてもよい。そして複数の発光部１４０は、画素別に形成されている。
　第１電極１１０は、光透過性を有する透明電極である。透明電極の材料は、金属を含む材料、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物である。第１電極１１０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。第１電極１１０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、第１電極１１０は、カーボンナノチューブ、又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳなどの導電性有機材料であってもよい。本図において、基板１００の上には、複数の線状の第１電極１１０が互いに平行に形成されている。このため、第２領域１０４及び第３領域１０６には第１電極１１０は位置していない。
　有機層１２０は発光層を有している。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層、及び電子注入層をこの順に積層させた構成を有している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層が形成されていてもよい。また、発光層と電子注入層との間には電子輸送層が形成されていてもよい。有機層１２０は蒸着法で形成されてもよい。また、有機層１２０のうち少なくとも一つの層、例えば第１電極１１０と接触する層は、インクジェット法、印刷法、又はスプレー法などの塗布法によって形成されてもよい。なお、この場合、有機層１２０の残りの層は、蒸着法によって形成されている。また、有機層１２０のすべての層が、塗布法を用いて形成されていてもよい。
　第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属、又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。本図に示す例において、発光装置１０は複数の線状の第２電極１３０を有している。第２電極１３０は、第１電極１１０のそれぞれに対して設けられており、かつ第１電極１１０よりも幅が広くなっている。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第１電極１１０の全体が第２電極１３０によって重なっており、また覆われている。また、第１電極１１０は、第２電極１３０よりも幅が広く、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向において第２電極１３０の全体が第１電極１１０によって覆われていてもよい。
　第１電極１１０の縁は、絶縁膜１５０によって覆われている。絶縁膜１５０は例えばポリイミドなどの感光性の樹脂材料によって形成されており、第１電極１１０のうち発光部１４０となる部分を囲んでいる。第２電極１３０の幅方向の縁は、絶縁膜１５０上に位置している。言い換えると、基板１００に垂直な方向から見た場合において、絶縁膜１５０の一部は第２電極１３０から食み出ている。また本図に示す例において、有機層１２０は絶縁膜１５０の上及び側面にも形成されている。ただし、有機層１２０は隣り合う発光部１４０の間で分断されている。
　そして上記したように、発光装置１０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６を有している。第１領域１０２は第２電極１３０と重なる領域である。第２領域１０４は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含む領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第２領域１０４にも形成されている。第３領域１０６は、複数の発光部１４０の間の領域のうち絶縁膜１５０を含まない領域である。本図に示す例において、有機層１２０は第３領域１０６の少なくとも一部には形成されていない。そして第２領域１０４の幅は、第３領域１０６の幅よりも狭い。また第３領域１０６の幅は第１領域１０２の幅よりも広くてもよいし、狭くてもよい。第１領域１０２の幅を１とした場合、第２領域１０４の幅は例えば０以上（又は０超）０．２以下であり、第３領域１０６の幅は例えば０．３以上２以下である。また第１領域１０２の幅は、例えば５０μｍ以上５００μｍ以下であり、第２領域１０４の幅は例えば０μｍ以上（又は０μｍ超）１００μｍ以下であり、第３領域１０６の幅は例えば１５μｍ以上１０００μｍ以下である。
　図３は発光装置１０の平面図である。なお、図１は図３のＡ－Ａ断面に対応している。本図に示す例において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６は、いずれも線状かつ同一方向に延在している。そして本図及び図１に示すように、第２領域１０４、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６が、この順に繰り返し並んでいる。
　次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００に第１電極１１０を、例えばスパッタリング法を用いて形成する。次いで、第１電極１１０を例えばフォトリソグラフィー法を利用して所定のパターンにする。次いで、第１電極１１０の縁の上に絶縁膜１５０を形成する。例えば絶縁膜１５０が感光性の樹脂で形成されている場合、絶縁膜１５０は、露光及び現像工程を経ることにより、所定のパターンに形成される。次いで、有機層１２０及び第２電極１３０をこの順に形成する。有機層１２０が蒸着法で形成される層を含む場合、この層は、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。第２電極１３０も、例えばマスクを用いるなどして所定のパターンに形成される。その後、封止部材（図示せず）を用いて発光部１４０を封止する。
　本実施形態において、第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６のうち第１領域１０２は最も光線透過率が低い。また、第２領域１０４は絶縁膜１５０が存在している分、第３領域１０６に対して光線透過率が低くなっている。本実施形態では第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭い。このため、発光装置１０において第２領域１０４の面積占有率は、第３領域１０６の面積占有率よりも低い。従って、発光装置１０の光線透過率は高くなる。
　また、絶縁膜１５０は透光性の材料によって形成されているが、一般的に、透光性の材料の光線透過率は光の波長によって異なる。このため、絶縁膜１５０の幅が広いと、絶縁膜１５０を光が透過する際に、その光のスペクトル分布が変わってしまう。この場合、発光装置１０を介して物を見ると、その物の色が実際とは異なる色に見えてしまう。すなわち発光装置１０を介することによって物の色が変化してしまう。例えば、青色の波長４００ｎｍ～６００ｎｍの吸収が５０％となり、他の波長の吸収より大きい場合、発光装置１０を介して物を見たときに青色が弱くなり、黄みがかって見えてしまう。これに対して本実施形態では第２領域１０４の幅は第３領域１０６の幅よりも狭いため、上記した色の変化を抑制できる。
（実施例１）
　図４は、実施例１に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図１に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、有機層１２０のレイアウトを除いて、実施形態に係る発光装置１０と同様の構成である。
　本実施形態において、有機層１２０は第３領域１０６の全面に形成されている。言い換えると有機層１２０は第１領域１０２、第２領域１０４、及び第３領域１０６にわたって連続して形成されている。そして有機層１２０は、複数の発光部１４０を繋ぐように連続的に形成されている。
　本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また有機層１２０を連続的に形成しているため、有機層１２０を形成するためのコストが低くなる。
（実施例２）
　図５は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、第２電極１３０の幅を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。
　本実施例において、第２電極１３０の幅は第１電極１１０の幅よりも狭い。このため、基板１００に垂直な方向から見た場合において、幅方向における第１電極１１０の端部は第２電極１３０から食み出している。言い換えると、第２領域１０４の一部は第１電極１１０と重なっている。
　本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。
（実施例３）
　図６は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、剥離防止部１６０を備えている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。
　剥離防止部１６０は基板１００のうち発光部１４０が形成されている面に設けられている。剥離防止部１６０は第１電極１１０に対して絶縁しており、基板１００よりも絶縁膜１５０との密着性が高い材料から形成されている。絶縁膜１５０は、第１電極１１０の縁から剥離防止部１６０に渡って形成されている。本図に示す例において、剥離防止部１６０は、第１電極１１０と同一の材料から形成されており、かつ物理的に第１電極１１０から分離することにより、第１電極１１０に対して絶縁している。この場合、剥離防止部１６０は第１電極１１０と同一工程で形成される。そして絶縁膜１５０は、基板１００のうち剥離防止部１６０と第１電極１１０の間に位置する領域の上にも形成されている。そして絶縁膜１５０の縁は剥離防止部１６０上に位置している。
　本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また、絶縁膜１５０の縁は剥離防止部１６０上に位置している。剥離防止部１６０は、基板１００と比較して絶縁膜１５０との密着性が高い。従って、絶縁膜１５０が剥離することを抑制できる。
（実施例４）
　図７は、実施例４に係る発光装置１０の構成を示す断面図であり、実施形態における図２に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、導電部１７０を備えている点を除いて、実施例３に係る発光装置１０と同様の構成である。
　導電部１７０は、例えば第１電極１１０の補助電極であり、第１電極１１０に接触している。導電部１７０は第１電極１１０よりも抵抗値が低い材料によって形成されており、例えば少なくとも一つの金属層を用いて形成されている。導電部１７０は、例えばＭｏ又はＭｏ合金などの第１金属層、Ａｌ又はＡｌ合金などの第２金属層、及びＭｏ又はＭｏ合金などの第３金属層をこの順に積層させた構成を有している。これら３つの金属層のうち第２金属層が最も厚い。そして導電部１７０は、絶縁膜１５０によって覆われている。このため、導電部１７０は有機層１２０及び第２電極１３０のいずれにも直接接続していない。
　図８（ａ）は、図７の点線αで囲んだ領域を拡大した図の第１例である。本図に示す例において、導電部１７０は、第１層１７２の上に第２層１７４を積層した構成を有している。第１層１７２は、例えばＡｌ又はＡｌ合金などの金属で形成されており、第２層１７４は、第１層１７２よりも硬度が高くてエッチングレートが低い導電材料、 例えばＭｏ又はＭｏ合金で形成されている。また、第１層１７２は、第２層１７４よりも低抵抗な材料により形成されている。第１層１７２がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第２層１７４は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第１層１７２の厚さは、例えば５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。好ましくは６００ｎｍ以下である。第２層１７４は第１層１７２よりも薄い。第２層１７４の厚さは、例えば１００ｎｍ以下、好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下である。
　また、第２層１７４の可視光の反射率は、第１層１７２の可視光の反射率よりも低い。例えば波長５３０ｎｍの光において、第２層１７４の反射率は６０％程度、第１層１７２の反射率は９０％程度である。
　そして、第１層１７２の幅は第２層１７４の幅よりも狭くなっている。このため、導電部１７０の幅方向において、第１層１７２の端部は、第２層１７４の端部よりも導電部１７０の中心側に位置している。第１層１７２の端部と第２層１７４の端部の間隔ｄは、好ましくは１５０ｎｍ以上、さらに好ましくは３００ｎｍ以上である。
　また、導電部１７０の少なくとも一部は、第２電極１３０と重なっている。導電部１７０のうち第２電極１３０と重なっている部分の幅ｗは、例えば１５０ｎｍ以上であるのが好ましい。本図に示す例では、導電部１７０の全部が第２電極１３０と重なっている。
　導電部１７０を形成するタイミングは、第１電極１１０を形成した後、絶縁膜１５０を形成する前である。導電部１７０は、例えば以下のようにして形成される。まず、第１層１７２及び第２層１７４を、例えばスパッタ法などの成膜法を用いてこの順に形成する。次いで、第２層１７４上にレジストパターン（図示せず）を形成し、このレジストパターンをマスクとして第２層１７４及び第１層１７２をエッチング（例えばウェットエッチング）する。この時、エッチングに等方性を持たせる。また、このエッチングの条件において、第１層１７２のエッチングレートは、第２層１７４のエッチングレートよりも速い。このため、第１層１７２は第２層１７４よりも速くエッチングされる。その結果、第１層１７２の側面は、第２層１７４の側面よりも、導電部１７０の中心側に入り込む。つまり、第1層１７２の端部は、第２層１７４の端部より導電部１７０の中心側に位置することになる。なお、間隔ｄの大きさは、エッチング条件（例えばエッチング時間）を調整することにより、制御される。
　本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また、第１電極１１０上に導電部１７０を形成しているため、第１電極１１０の見かけ上の抵抗値を低くすることができる。また、発光装置１０を介して物を見たときの物の色が実際と異なる色に見えることを抑制している。
　また、導電部１７０は絶縁膜１５０に覆われているため、導電部１７０の端面で光が反射されると、絶縁膜１５０を透過する光の量が増えてしまう。絶縁膜１５０の光線透過率は光の波長によって異なるため、絶縁膜１５０を透過する光の量が増加すると、発光装置１０を介して物を見た場合に、その物の色が変化したように見える可能性が高くなる。これに対して本実施形態では、第２層１７４の可視光の反射率は、第１層１７２の可視光の反射率よりも低い。そして、第１層１７２の端部は第２層１７４の端部よりも導電部１７０の中心側に位置している。従って、第１層１７２の端部に入射する光の少なくとも一部は第２層１７４によって遮られる。これにより、絶縁膜１５０を透過する光の量を減らすことができる。
　なお、図８（ｂ）に示すように、導電部１７０は、第２層１７４の上に第１層１７２を積層した構成を有していてもよい。この場合、第１層１７２の端部で反射した光の少なくとも一部は、基板１００に入射する前に第２層１７４によって遮られる。これにより、絶縁膜１５０を透過する光の量を減らすことができる。
　また、図８（ｃ）に示すように、導電部１７０は、第２層１７４、第１層１７２、及び第２層１７４をこの順に積層した構成を有していてもよい。図８（ｃ）の例において、２つの第２層１７４の膜厚は互いに異なっていてもよいし、互いに同一であってもよい。
（実施例５）
　図９は、実施例５に係る発光装置１０の構成を示す断面図である。図１０は図９に示した発光装置１０の平面図である。ただし、図１０において一部の部材は省略されている。図９は図１０のＢ－Ｂ断面に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、封止部材１８０及び乾燥剤１９０を備えている点を除いて、実施形態又は実施例１～４のいずれかに係る発光装置１０と同様の構成である。
　本図に示す例において、基板１００の平面形状は、例えば矩形などの多角形や円形である。封止部材１８０は透光性を有しており、例えばガラス又は樹脂を用いて形成されている。封止部材１８０は、基板１００と同様の多角形や円形であり、中央に凹部を設けた形状を有している。そして封止部材１８０の縁は接着材で基板１００に固定されている。これにより、封止部材１８０と基板１００で囲まれた空間は封止される。そして複数の発光部１４０は、いずれも封止された空間の中に位置している。
　また、発光装置１０は、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４を備えている。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４は、いずれも基板１００のうち発光部１４０と同一面に形成されている。第１端子１１２及び第２端子１３２は封止部材１８０の外部に位置している。第１引出配線１１４は第１端子１１２と第１電極１１０とを接続しており、第２引出配線１３４は第２端子１３２と第２電極１３０とを接続している。言い換えると、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は、いずれも封止部材１８０の内側から外側に延在している。
　第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４は、例えば、第１電極１１０と同一の材料で形成された層を有している。また、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４の少なくとも一つの少なくとも一部は、この層の上に、第１電極１１０よりも低抵抗な金属膜（例えば導電部１７０と同様の膜）を有していてもよい。この金属膜は、第１端子１１２、第２端子１３２、第１引出配線１１４、及び第２引出配線１３４のすべてに形成されている必要はない。第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４のうち第１電極１１０と同一の材料で形成された層は、第１電極１１０と同一工程で形成されている。このため、第１電極１１０は、第１端子１１２の少なくとも一部の層と一体になっている。またこれらが金属膜を有している場合、この金属膜は、例えば導電部１７０と同一工程で形成される。この場合、第１端子１１２、第１引出配線１１４、第２端子１３２、及び第２引出配線１３４の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低くなる。
　本図に示す例において、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４は一つの発光部１４０について一つずつ形成されている。複数の第１引出配線１１４はいずれも同一の第１端子１１２に接続しており、複数の第２引出配線１３４はいずれも同一の第２端子１３２に接続している。そして、第１端子１１２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の正極端子が接続され、第２端子１３２には、ボンディングワイヤ又はリード端子などの導電部材を介して制御回路の負極端子が接続される。
　そして、乾燥剤１９０は、封止部材１８０で封止された空間のうち、基板１００に垂直な方向から見た場合においていずれの発光部１４０にも重ならない領域、例えば第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４の少なくとも一方と重なる領域に配置されている。
　具体的には、乾燥剤１９０は、例えばＣａＯ，ＢａＯなどの乾燥部材を含有している。乾燥剤１９０の光線透過率は、基板１００の光線透過率よりも低い。乾燥剤１９０は、封止部材１８０の基板１００に対向する面に固定されている。本図に示す例では、乾燥剤１９０は、第１引出配線１１４と重なる領域及び第２引出配線１３４と重なる領域のそれぞれに配置されている。言い換えると、乾燥剤１９０は、矩形の基板１００のうち互いに対向する２辺に沿うように配置されているが、残りの２辺に沿う位置、すなわち残りの２辺と発光部１４０には配置されていない。
　図１１は、図１０の変形例を示す平面図である。本図に示す例において、第１端子１１２及び第２端子１３２の一部は、封止部材１８０の内側に位置している。そして、乾燥剤１９０の少なくとも一部は、第１端子１１２及び第２端子１３２の少なくとも一方と重なっている。
　本実施例によっても、実施形態と同様に、発光装置１０の光線透過率は高くなる。また、基板１００に垂直な方向から見た場合において、乾燥剤１９０は発光部１４０と重なっておらず、基板１００の縁の近くに位置している。従って、乾燥剤１９０を発光部１４０と重なる位置に設けた場合と比較して、乾燥剤１９０はユーザに視認されにくくなる。特に本実施形態では、乾燥剤１９０は第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４と重なっている。第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４も、光線透過率が低い。このため、乾燥剤１９０を、第１引出配線１１４及び第２引出配線１３４と重ねない場合と比較して、発光装置１０の光線透過率は向上する。特に第１端子１１２及び第２端子１３２と乾燥剤１９０を重ねた場合、これらを重ねない場合と比較して、発光装置１０の光線透過率は大きく向上する。
　また、発光部１４０の輝度は、有機層１２０の温度によって異なる。乾燥剤１９０を有機層１２０と重なる位置に設けた場合、発光部１４０から放射された熱の少なくとも一部は乾燥剤１９０によって吸収される。従って、有機層１２０のうち乾燥剤１９０と重なる領域の温度は、有機層１２０の他の領域と比べて低くなる。この場合、発光部１４０の輝度に面内ばらつきが生じる。
　これに対して本実施例では、乾燥剤１９０は発光部１４０と重なっていない。従って、発光部１４０の輝度に面内ばらつきが生じることを抑制できる。
　また、第１電極１１０及び第２電極１３０の抵抗に起因して、発光部１４０のうち第１引出配線１１４の近くに位置する領域の輝度、及び第２引出配線１３４の近くに位置する領域の輝度は、発光部１４０の中心部の輝度と比較して高くなる。一方、本実施例では、乾燥剤１９０は第１引出配線１１４と重なる位置及び第２引出配線１３４と重なる位置に設けられている。これにより、有機層１２０のうち第１引出配線１１４の近くに位置する領域の温度、及び第２引出配線１３４の近くに位置する領域の温度は、いずれも有機層１２０のうち発光部１４０の中心部に位置する領域の温度よりも低くなる。これにより、第１電極１１０及び第２電極１３０の抵抗に起因した発光部１４０の輝度のばらつきは吸収される。従って、発光部１４０の輝度の面内ばらつきは小さくなる。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (6)

  1. 　透光性の基板と、
    　前記基板に形成され、透光性の第１電極、前記第１電極と少なくとも一部が重なっている第２電極、及び前記第１電極と第２電極の間に位置する有機層とを有する複数の発光部と、
    　前記第１電極の縁を覆う絶縁膜と、
    を備え、
    　前記複数の発光部は互いに離間しており、
    　前記絶縁膜の少なくとも一部は前記第２電極で覆われておらず、
    　前記基板に垂直な方向から見た場合において、
    　　前記第２電極と重なる領域である第１領域と、
    　　前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含む領域である第２領域と、
    　　前記複数の発光部の間の領域のうち前記絶縁膜を含まない領域である第３領域と、
    を有し、
    　前記第２領域の幅は前記第３領域の幅よりも狭い発光装置。
  2. 　請求項１に記載の発光装置において、
    　前記第２領域、前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域が繰り返しこの順に並んでいる発光装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の発光装置において、
    　前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域が同一方向に延在している発光装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記有機層の少なくとも一部は前記第１領域、前記第２領域、及び前記第３領域にわたって連続して形成されている発光装置。
  5. 　請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１電極の上に形成され、かつ前記絶縁膜に覆われていて前記第１電極よりも抵抗値が低い材料からなる導電部を有する発光装置。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板に設けられ、前記第１電極に対して絶縁しており、前記基板よりも前記絶縁膜との密着性が高い材料からなる剥離防止部を備え、
    　前記絶縁膜は、前記第１電極の縁から前記剥離防止部に跨って形成されており、かつ前記絶縁膜の縁は前記剥離防止部上に位置している発光装置。
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