WO2017187639A1 - 発光装置 - Google Patents

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WO2017187639A1
WO2017187639A1 PCT/JP2016/063496 JP2016063496W WO2017187639A1 WO 2017187639 A1 WO2017187639 A1 WO 2017187639A1 JP 2016063496 W JP2016063496 W JP 2016063496W WO 2017187639 A1 WO2017187639 A1 WO 2017187639A1
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layer
insulating layer
light shielding
shielding layer
light
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PCT/JP2016/063496
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Inventor
秀雄 工藤
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パイオニア株式会社
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    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
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    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • Organic light emitting diodes may have an insulating layer around the light emitting part.
  • the insulating layer defines the light emitting part.
  • the insulating layer may contain a resin. When the insulating layer contains a resin, outgas may be generated from the insulating layer. The light emitting part may be deteriorated by the outgas.
  • Patent Document 1 describes a method for suppressing generation of outgas from an insulating layer.
  • Ar ions are implanted into the surface of the insulating layer.
  • Patent Document 1 describes that the number of carbon double bonds on the surface of the insulating layer becomes larger than the number of carbon double bonds inside the insulating layer by Ar ion implantation.
  • Patent Document 1 discloses that when the number of carbon double bonds on the surface of the insulating layer is larger than the number of carbon double bonds inside the insulating layer, outgas inside the insulating layer is prevented from coming out of the insulating layer. It is stated that it will be.
  • an OLED may have a black matrix.
  • the OLED of Patent Document 2 has a first substrate and a second substrate.
  • a plurality of light emitting units are arranged in a matrix on the first substrate.
  • a plurality of color filters are arranged in a matrix on the second substrate. Each color filter is partitioned by a black matrix.
  • the second substrate is positioned on the first substrate such that each of the plurality of light emitting units faces each of the plurality of color filters.
  • outgas may be generated from the insulating layer due to external light (specifically, ultraviolet rays).
  • the inventor studied a structure for preventing the insulating layer from being irradiated with ultraviolet rays from the outside.
  • An example of a problem to be solved by the present invention is to suppress the irradiation of ultraviolet rays from the outside onto the insulating layer.
  • the invention described in claim 1 A substrate, An insulating layer on the substrate and comprising a resin; A first light-shielding layer that is disposed so that at least a portion thereof overlaps between the substrate and the insulating layer when viewed from a direction perpendicular to the substrate; With The upper end of the first light shielding layer is a light emitting device that is at the same height as the lower end of the insulating layer or below the lower end of the insulating layer.
  • the invention described in claim 2 A substrate, An insulating layer on the substrate and comprising a resin; A first light shielding layer between the substrate and the insulating layer; With In the width direction of the insulating layer, the insulating layer is a light emitting device located between both ends of the first light shielding layer over 90% or more of the entire width of the insulating layer.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the line BB in FIG.
  • FIG. 5 is a view for explaining an example of a manufacturing method of the light emitting device shown in FIGS. 1 to 4; It is a figure which shows the 1st modification of FIG. It is a figure which shows the 2nd modification of FIG. It is a figure which shows the 3rd modification of FIG. It is a figure which shows the 4th modification of FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to Modification Example 1.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to Modification 2.
  • 12 is a cross-sectional view showing a light emitting device according to Modification 3.
  • FIG. It is a top view which shows the light-emitting device which concerns on the modification 4. It is the figure which removed the 2nd electrode, the insulating layer, the 1st conductive layer, and the 2nd conductive layer from FIG. It is BB sectional drawing of FIG.
  • FIG. 1 is a plan view showing a light emitting device 10 according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram in which the second electrode 130, the insulating layer 150, the first conductive layer 210, and the second conductive layer 230 are removed from FIG.
  • the first conductive layer 210 and the second conductive layer 230 are indicated by broken lines for the sake of explanation.
  • 3 is a cross-sectional view taken along the line AA in FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, an insulating layer 150, and a light shielding layer 160. As shown in FIG. 3, the insulating layer 150 is on the substrate 100.
  • the insulating layer 150 contains a resin.
  • the light shielding layer 160 (first light shielding layer) is between the substrate 100 and the insulating layer 150. When viewed from a direction perpendicular to the substrate 100 (more specifically, the first surface 102 of the substrate 100), at least a part of the light shielding layer 160 overlaps the insulating layer 150.
  • the upper end of the light shielding layer 160 (that is, the upper surface of the light shielding layer 160) is located below the lower end of the insulating layer 150 (that is, the lower surface of the light shielding layer 160).
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 (details will be described later) along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is outside the first end portion of the insulating layer 150
  • the second end portion of the light shielding layer 160 is the second end portion of the insulating layer 150. Is on the outside.
  • the width of the light shielding layer 160 is greater than or equal to the width of the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is between both ends of the light shielding layer 160 over 100% of the entire width of the insulating layer 150. Details will be described below.
  • the light emitting device 10 is a transflective OLED.
  • the light emitting device 10 includes a plurality of light emitting units 140.
  • Each light emitting unit 140 has a longitudinal direction.
  • the plurality of light emitting units 140 are arranged along a direction intersecting (specifically, orthogonal to) the longitudinal direction of each light emitting unit 140.
  • the plurality of light emitting units 140 are arranged in a stripe shape.
  • the first surface 102 side of the substrate 100 When light is not emitted from the plurality of light emitting units 140, an object on the first surface 102 side of the substrate 100 can be seen through from the second surface 104 side of the substrate 100 by human vision. Furthermore, when the second electrode 130 is opaque, the first surface 102 side of the substrate 100 emits light from the plurality of light emitting units 140, and when it is not emitted, in human vision, An object on the second surface 104 side of the substrate 100 can be seen through from the first surface 102 side of the substrate 100.
  • the light emitting device 10 is used for a high-mount stop lamp of an automobile.
  • the plurality of light emitting units 140 emit red light, for example.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a first conductive layer 210, a second conductive layer 230, and a plurality of second electrodes 130. Further, as illustrated in FIG. 2, the light emitting device 10 includes a light shielding layer 260 and a light shielding layer 270.
  • the first conductive layer 210 includes a plurality of first electrodes 110, a first terminal 112, and a plurality of first wirings 114.
  • the first electrode 110, the first terminal 112, and the first wiring 114 are different portions of the first conductive layer 210.
  • the second conductive layer 230 has a second terminal 132 and a plurality of second wirings 134.
  • the second terminal 132 and the second wiring 134 are different portions of the second conductive layer 230.
  • the light shielding layer 260 includes a plurality of light shielding layers 160 and a light shielding layer 162.
  • the light shielding layers 160 and the light shielding layers 162 are different portions of the light shielding layer 260.
  • the light shielding layer 270 includes a plurality of light shielding layers 170 and a light shielding layer 172.
  • the plurality of light shielding layers 170 and the light shielding layers 172 are different portions of the light shielding layer 270.
  • the second electrode 130 is connected to the second terminal 132 via the second wiring 134.
  • the plurality of first electrodes 110 are arranged in a straight line. Specifically, each first electrode 110 has a longitudinal direction. The plurality of first electrodes 110 are arranged along a direction intersecting (specifically, orthogonal) to the longitudinal direction of each first electrode 110. In other words, the plurality of first electrodes 110 are arranged in a stripe shape. Each of the plurality of first electrodes 110 is connected to the first terminal 112 via each of the plurality of first wirings 114. In the example illustrated in FIG. 1, the first terminal 112 has a longitudinal direction along a direction intersecting the longitudinal direction of the first electrode 110 (specifically, a direction orthogonal to the first electrode 110). A voltage can be applied to each first electrode 110 via the first terminal 112. The first terminal 112 can be connected to an external element (not shown) via a conductive member (for example, a bonding wire or a lead terminal). As a result, a voltage can be applied to the first electrode 110 from an external element.
  • a conductive member for example, a bonding
  • each second electrode 130 has a longitudinal direction.
  • the plurality of second electrodes 130 are arranged along a direction intersecting (specifically, orthogonal to) the longitudinal direction of each second electrode 130.
  • the plurality of second electrodes 130 are arranged in a stripe shape.
  • Each of the plurality of second electrodes 130 is connected to the second terminal 132 via each of the plurality of second wirings 134.
  • the second terminal 132 includes a first portion having a longitudinal direction along a direction intersecting the longitudinal direction of the second electrode 130 (specifically, a direction orthogonal to the second electrode 130), and the second electrode 130. And two second parts having a longitudinal direction along the longitudinal direction of the second part.
  • the two second parts are connected to both ends of the first part, and face each other with the plurality of second electrodes 130 interposed therebetween.
  • the first terminal 112 and the second terminal 132 face each other across the plurality of first electrodes 110 and the plurality of second electrodes 130.
  • a voltage can be applied to each second electrode 130 via the second terminal 132.
  • the second terminal 132 can be connected to an external element (not shown) via a conductive member (for example, a bonding wire or a lead terminal). Thereby, a voltage can be applied to the second electrode 130 from an external element.
  • the light shielding layer 162 has a longitudinal direction along the longitudinal direction of the first terminal 112.
  • Each of the plurality of light shielding layers 160 is provided on each of the plurality of first electrodes 110.
  • Each light shielding layer 160 has a longitudinal direction along the longitudinal direction of the first electrode 110.
  • Each light shielding layer 160 has an opening. In the example shown in FIG. 2, the opening of each light shielding layer 160 is located inside the insulating layer 150.
  • the light shielding layer 172 includes a first portion having a longitudinal direction along a direction intersecting the longitudinal direction of the second electrode 130 (specifically, an orthogonal direction), and a longitudinal direction along the longitudinal direction of the second electrode 130. Two second parts having The two second parts are connected to both ends of the first part, and face each other with the plurality of second electrodes 130 interposed therebetween.
  • the plurality of light shielding layers 170 are between the two second portions of the light shielding layer 172.
  • Each of the plurality of light shielding layers 170 is provided on each of the plurality of second wirings 134.
  • the insulating layer 150 may be shielded from light by the light shielding layer 172 without providing the plurality of light shielding layers 170.
  • the width of the light shielding layer 172 is substantially equal to the width of the light shielding layer 162, and is, for example, 95% to 105% of the width of the light shielding layer 162.
  • the light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, an organic layer 120, a second electrode 130, an insulating layer 150, and a light shielding layer 160.
  • the substrate 100 has a first surface 102 and a second surface 104.
  • the shape of the first surface 102 is a rectangle.
  • the second surface 104 is on the opposite side of the first surface 102 and is the back surface of the substrate 100.
  • the substrate 100 is made of a translucent material (for example, glass or resin).
  • On the first surface 102 of the substrate 100 there is a light emitting unit 140. The light from the light emitting unit 140 passes through the substrate 100 and is emitted from the second surface 104 of the substrate 100.
  • the substrate 100 may have flexibility or may not have flexibility.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, not less than 10 ⁇ m and not more than 1000 ⁇ m.
  • the thickness of the substrate 100 is, for example, 200 ⁇ m or less.
  • the substrate 100 is flexible and made of a resin, the substrate 100 includes, for example, PEN (polyethylene naphthalate), PES (polyethersulfone), PET (polyethylene terephthalate), or polyimide.
  • the first surface 102 (preferably both the first surface 102 and the second surface 104) of the substrate 100 may be covered with an inorganic insulating layer (for example, SiN x or SiON). In this case, even if the substrate 100 includes a material (for example, resin) having a high water vapor transmission rate, the water vapor is prevented from reaching the first surface 102 of the substrate 100.
  • the first electrode 110 is on the first surface 102 of the substrate 100 and has translucency. More specifically, the first conductive layer 210 (the first electrode 110, the first terminal 112, and the first wiring 114) is made of a light-transmitting conductive material, such as a metal oxide, more specifically, for example, ITO. (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), IWZO (Indium Tungsten Zinc Oxide) or ZnO (Zinc Oxide).
  • the film thickness of the first conductive layer 210 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm.
  • the first conductive layer 210 may be a stacked film including a metal oxide layer and a metal layer or a stacked film including a metal oxide layer and an alloy layer.
  • the thickness of the metal layer and the alloy layer is extremely thin, for example, 5 nm or more and 25 nm or less (in the case of an Ag alloy).
  • the first conductive layer 210 may be made of a conductive organic material (eg, carbon nanotube, graphene, or PEDOT / PSS).
  • the organic layer 120 is on the first electrode 110.
  • the organic layer 120 has, for example, a hole injection layer, a light emitting layer, and an electron injection layer.
  • the light emitting layer is between the hole injection layer and the electron injection layer.
  • the hole injection layer is connected to the first electrode 110. In other words, the first electrode 110 functions as a positive electrode.
  • the electron injection layer is connected to the second electrode 130. In other words, the second electrode 130 functions as a negative electrode.
  • the organic layer 120 is formed by, for example, vapor deposition or a coating process.
  • the second electrode 130 is on the organic layer 120.
  • the second electrode 130 is, for example, a metal selected from a first group consisting of Al, Au, Ag, Pt, Mg, Sn, Zn, and In or a metal alloy selected from the first group. Contains layers. In this case, the second electrode 130 has a light shielding property.
  • the thickness of the second electrode 130 is, for example, not less than 10 nm and not more than 500 nm. However, the second electrode 130 may be formed using the material exemplified as the material of the first electrode 110.
  • the second electrode 130 is formed by, for example, vapor deposition or sputtering.
  • the insulating layer 150 is on the first electrode 110.
  • the insulating layer 150 is made of, for example, an organic insulating material, specifically, for example, polyimide.
  • the insulating layer 150 may be an acrylic resin, a phenol resin, or an olefin resin.
  • the insulating layer 150 may include a liquid repellent material.
  • the insulating layer 150 has an opening 152. In the example shown in FIG. 1, the shape of the opening 152 is a rectangle. However, the end of the opening 152 may have a curvature.
  • the first electrode 110, the organic layer 120, and the second electrode 130 overlap each other through the opening 152. In other words, the light emitting unit 140 is defined by the opening 152.
  • a part of the first electrode 110, a part of the organic layer 120, and a part of the second electrode 130 are located in the opening 152.
  • a part of the first electrode 110, a part of the organic layer 120, and a part of the second electrode 130 function as the light emitting unit 140.
  • the insulating layer 150 has a first part and a second part located on opposite sides of the opening 152.
  • the width of the upper end of the first part is narrower than the width of the lower end of the first part, and the width of the upper end of the second part is narrower than the width of the lower end of the first part.
  • each of the first portion and the second portion has an inner surface facing the opening 156 side and an outer surface opposite to the inner surface.
  • the inner surface of each of the first portion and the second portion is inclined so that the upper end of the inner surface is located outside the lower end of the inner surface.
  • the outer surface of each of the first portion and the second portion is inclined so that the upper end of the outer surface is located inside the lower end of the outer surface.
  • the insulating layer 150 may have liquid repellency.
  • the insulating layer 150 has a contact angle larger than 30 ° with respect to the solvent (solvent) used in the coating solution.
  • the insulating layer 150 includes a liquid repellent.
  • the liquid repellent contained in the insulating layer 150 is, for example, a fluorine compound.
  • the first end of the insulating layer 150 (the end facing the center side of the light emitting unit 140) is the lower end of the inner surface of the first part or the second part.
  • the second end of the insulating layer 150 (the end facing the outside of the light emitting unit 140) is the lower end of the outer surface of the first part or the second part.
  • the light emitting unit 140 is defined by the lower end of the inner surface of the first portion and the lower end of the inner surface of the second portion.
  • the light shielding layer 160 is covered with the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 functions as an auxiliary electrode for the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 is provided to suppress a voltage drop of the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 is made of a conductive material (for example, metal).
  • the light shielding layer 160 is electrically connected to the first electrode 110.
  • the conductivity of the light shielding layer 160 is higher than the conductivity of the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 is covered with the first electrode 110, in other words, not positioned on the upper surface of the first electrode 110.
  • the short circuit of the light shielding layer 160 and the 2nd electrode 130 can be suppressed as follows. That is, the light shielding layer 160 may be patterned so that the angle formed between the upper surface of the light shielding layer 160 and the side surface of the light shielding layer 160 becomes an acute angle. If the light shielding layer 160 is on the upper surface of the first electrode 110 and the organic layer 120 covers the corner of the light shielding layer 160, the film thickness of the organic layer 120 tends to be thin in the vicinity of the corner.
  • the second electrode 130 is easily short-circuited with the corner of the light shielding layer 160 through the organic layer 120.
  • the corner of the light shielding layer 160 may be covered with the insulating layer 150.
  • a part of the lower surface of the insulating layer 150 is exposed from the light shielding layer 160.
  • the light shielding layer 160 is covered with the first electrode 110. For this reason, the short circuit between the light shielding layer 160 and the second electrode 130 can be suppressed without covering the light shielding layer 160 with the insulating layer 150.
  • the optical density of the light shielding layer 160 is, for example, 2.0 or more, preferably 3.5 or more at a wavelength of 200 nm or more and 400 nm or less. Thereby, light (specifically, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the light shielding layer 160 is, for example, MAM (Mo / Al / Mo laminated film) or an Ag alloy.
  • the light shielding layer 160 may be a conductive black matrix layer having a conductivity higher than that of the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 is made of chromium, or a Ni-based alloy, specifically, a Ni—Mo alloy or a Ni—W—Zr alloy.
  • the light shielding layer 162 (FIG. 2) is made of the same material as the light shielding layer 160.
  • the reflectance of the light shielding layer 160 is preferably 10% or less, for example. When the reflectance of the light shielding layer 160 is within this range, the amount of light reflected by the light shielding layer 160 can be reduced.
  • the cross-sectional area of the light shielding layer 160 (that is, the conductivity of the light shielding layer 160) can be increased to some extent even if the thickness of the light shielding layer 160 is small since the width of the light shielding layer 160 is wide.
  • the width of the light shielding layer 160 is 30 times or more, preferably 100 times or more the film thickness of the light shielding layer 160.
  • the width of the light shielding layer 160 is, for example, 15 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less
  • the thickness of the light shielding layer 160 is, for example, 150 nm or more and 500 nm or less.
  • the light shielding layer 160 when the light shielding layer 160 is formed by patterning, it is easy to form the end of the light shielding layer 160 substantially perpendicular to the first surface 102 of the substrate 100. This is because the thickness of the light shielding layer 160 can be reduced as described above. If the thickness of the light shielding layer 160 is large to some extent, it is difficult to form the end of the light shielding layer 160 perpendicular to the first surface 102 of the substrate 100.
  • the cost for forming the light shielding layer 160 by patterning can be reduced. This is because the thickness of the light shielding layer 160 can be reduced as described above. If the thickness of the light shielding layer 160 is relatively large, the cost for patterning the light shielding layer 160 (that is, removing a layer other than the portion that becomes the light shielding layer 160) is high. Furthermore, by reducing the thickness of the light shielding layer 160, the film formation time can be reduced.
  • the first surface 102 of the substrate 100 has a first region 102a, a second region 102b, and a third region 102c.
  • the first region 102 a is a region from one end to the other end of the second electrode 130 in the width direction of the insulating layer 150.
  • the second region 102b is a region from one end (or the other end) of the second electrode 130 to the second end of the light shielding layer 160 (the end facing the outside of the light emitting unit 140).
  • the third region 102c includes a second end portion (light emission) of the other light shielding layer 160 from a second end portion (end portion facing the outside of the light emitting portion 140) of one light shielding layer 160 of the light emitting portions 140 adjacent to each other. This is a region up to the end of the portion 140 facing the outside.
  • the width of the second region 102b is narrower than the width of the third region 102c.
  • the width of the third region 102c may be wider or narrower than the width of the first region 102a.
  • the width of the second region 102b is, for example, not less than 0 times and not more than 0.2 times the width of the first region 102a (the width of the second region 102b may be 0).
  • the first electrode 110 and the second electrode 130 are configured not to be short-circuited.
  • the width of the third region 102c is not less than 0.5 times and not more than twice the width of the first region 102a, for example.
  • the width of the first region 102a is, for example, not less than 50 ⁇ m and not more than 500 ⁇ m.
  • the width of the second region 102b is, for example, 0 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the width of the third region 102c is, for example, not less than 25 ⁇ m and not more than 1000
  • the light transmittance of the light emitting device 10 is increased.
  • the second electrode 130 is located in the first region 102a.
  • the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 are located in the second region 102b.
  • the second electrode 130, the insulating layer 150, and the light shielding layer 160 are not located in the third region 102c.
  • the light transmittance of the third region 102c is higher than the light transmittance of the first region 102a and the light transmittance of the second region 102b.
  • the width of the second region 102b is narrower than the width of the third region 102c. For this reason, the light transmittance of the light emitting device 10 is increased.
  • the light emitting device 10 is suppressed from functioning as a filter that blocks light of a specific wavelength.
  • the light transmittance of the insulating layer 150 may differ depending on the wavelength.
  • the light emitting device 10 can function as a filter that blocks light having a low light transmittance of the insulating layer 150 when the width of the insulating layer 150 is wide.
  • the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • the light-emitting device 10 functions as a filter which interrupts
  • the first end portion of the light shielding layer 160 (the end portion facing the center side of the light emitting portion 140) and the first end portion of the insulating layer 150 (the light emitting portion 140 of the light emitting portion 140).
  • the distance between the ends facing the center side) is preferably 10% or less, more specifically, for example, 5% or less of the width of the light emitting unit 140.
  • the amount of light blocked by the light blocking layer 160 can be reduced.
  • the second end portion (end portion facing the outside of the light emitting portion 140) of the light shielding layer 160 and the second end portion (light emitting portion 140) of the insulating layer 150 Is preferably 2% or less, more specifically, for example, 1% or less of the width of the third region 102c. In this example, the area of the third region 102c can be increased.
  • the light emitting device 10 includes a light shielding layer 160, a light shielding layer 162, a light shielding layer 170, and a light shielding layer 172.
  • the light shielding layer 160 and the light shielding layer 162 are made of the same material. As described above, the light shielding layer 160 functions as an auxiliary electrode of the first wiring 114. Specifically, the light shielding layer 160 is electrically connected to the first wiring 114. The conductivity of the light shielding layer 160 is higher than the conductivity of the first wiring 114. The light shielding layer 162 functions as an extraction electrode for the first terminal 112. Specifically, the light shielding layer 162 is electrically connected to the first terminal 112. The conductivity of the light shielding layer 162 is higher than the conductivity of the first terminal 112.
  • the light shielding layer 170 and the light shielding layer 172 are made of the same material.
  • the light shielding layer 160 and the light shielding layer 162 are made of the same material.
  • the light shielding layer 170 functions as an auxiliary electrode for the second wiring 134. Specifically, the light shielding layer 170 is electrically connected to the second wiring 134.
  • the conductivity of the light shielding layer 170 is higher than the conductivity of the second wiring 134.
  • the light shielding layer 172 functions as an extraction electrode for the second terminal 132. Specifically, the light shielding layer 172 is electrically connected to the second terminal 132.
  • the conductivity of the light shielding layer 172 is higher than the conductivity of the second terminal 132.
  • the insulating layer 150 has a first portion 151 and a second portion 153.
  • the first portion 151 and the second portion 153 are on opposite sides of the opening 152.
  • the light shielding layer 160 has a first portion 161 and a second portion 163.
  • the first portion 161 and the second portion 163 are on opposite sides of the opening (FIG. 2) of the light shielding layer 160.
  • both ends of the first portion 151 of the insulating layer 150 are inside the first portion 161 of the light shielding layer 160 and both ends of the light shielding layer 162 in the direction along the longitudinal direction of the first electrode 110. .
  • the first portion 151 of the insulating layer 150 covers the first portion 161 of the light shielding layer 160 over 100% of the entire width of the first portion 151 of the insulating layer 150.
  • the first portion 151 may not be between both ends of the first portion 161 and the light shielding layer 162 of the light shielding layer 160 over 100% of the entire width of the first portion 151.
  • the first portion 151 may have the entire width of the first portion 151. It may exist between the both ends of the 1st part 161 of the light shielding layer 160, and the light shielding layer 162 over 90% or more and less than 100%.
  • the lower surface of the first portion 151 of the insulating layer 150 is covered with the first portion 161 of the light shielding layer 160. Light traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the first portion 151 side of the insulating layer 150 is blocked by the first portion 161 of the light shielding layer 160.
  • the second portion 153 of the insulating layer 150 overlaps the second portion 163 of the light shielding layer 160 and the light shielding layer 170. More specifically, the second portion 153 of the insulating layer 150 has a first end facing the center side of the light emitting unit 140 and a second end facing the outside of the light emitting unit 140. The second portion 163 of the light shielding layer 160 also has a first end facing the center side of the light emitting unit 140 and a second end facing the outside of the light emitting unit 140. The light shielding layer 170 has a first end facing the center side of the light emitting unit 140. The first end of the second portion 163 of the light shielding layer 160 is outside the first end of the insulating layer 150.
  • the second end of the light shielding layer 160 is between the first end of the insulating layer 150 and the second end of the insulating layer 150.
  • the first end portion of the light shielding layer 170 is inside the second end portion of the insulating layer 150 and is separated from the second end portion of the second portion 163 of the light shielding layer 160 with a distance G.
  • the lower surface of the second portion 153 of the insulating layer 150 is formed by the second portion 163 of the light shielding layer 160 and the light shielding layer 170 except for the area between the second portion 163 of the light shielding layer 160 and the light shielding layer 170. Covered.
  • the distance G between the second end of the second portion 163 of the light shielding layer 160 and the first end of the light shielding layer 170 is preferably as small as possible, for example, 10 ⁇ m to 20 ⁇ m, preferably 12.5 ⁇ m to 17 .5 ⁇ m or less. Most of the light traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the second portion 153 side of the insulating layer 150 is blocked by the second portion 163 and the light shielding layer 170 of the light shielding layer 160.
  • FIG. 5 is a view for explaining an example of a manufacturing method of the light emitting device 10 shown in FIGS.
  • the light shielding layer 260 (the light shielding layer 160 and the light shielding layer 162) and the light shielding layer 270 (the light shielding layer 170 and the light shielding layer 172) are formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • a conductive layer is formed on the first surface 102 of the substrate 100.
  • a mask film specifically, a photoresist
  • the mask film covers a region where the light shielding layer 260 and the conductive layer 172 are formed.
  • the conductive layer is etched with an etchant using the mask film as a mask. Thereby, the light shielding layer 260 and the conductive layer 172 are formed.
  • the first conductive layer 210 (first electrode 110, first terminal 112 and first wiring 114) and second conductive layer 230 (second terminal 132 and second wiring 134) are formed on the light shielding layer 260 and the conductive layer 172. Respectively. Specifically, the conductive layer is formed on the first surface 102 of the substrate 100 by sputtering. Next, a mask film (specifically, a photoresist) is formed over the conductive layer. The mask film covers a region where the first conductive layer 210 is formed and a region where the second conductive layer 230 is formed. Next, the conductive layer is etched with an etchant using the mask film as a mask. Thereby, the first conductive layer 210 and the second conductive layer 230 are formed. Note that the first conductive layer 210 and the second conductive layer 230 may be formed using lift-off.
  • a mask film specifically, a photoresist
  • the insulating layer 150 is formed on the first electrode 110 and the conductive part 160. Specifically, photosensitive polyimide is applied on the first surface 102 of the substrate 100, the first electrode 110, and the conductive portion 160. Next, the photosensitive polyimide is dried. Next, the photosensitive polyimide is patterned by exposure and development. The polyimide pattern after development is located inside both ends of the light shielding layer 160 in the width direction of the light shielding layer 160. Next, the polyimide is cured by baking. Thereby, the insulating layer 150 is formed.
  • the organic layer 120 is formed. Specifically, as shown in FIG. 5, a hole injection layer 122 is applied on the first electrode 110 in the opening 152. In the example shown in FIG. 5, the hole injection layer 122 is liquid. The insulating layer 150 has liquid repellency. For this reason, the hole injection layer 122 is repelled from the insulating layer 150. Next, an organic layer and an electron injection layer are formed on the hole injection layer 122. Thereby, the organic layer 120 is formed.
  • the second electrode 130 is formed by vapor deposition. Thereby, the light-emitting device 10 is manufactured.
  • the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160. Therefore, light traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160. For this reason, it is suppressed that the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100.
  • FIG. 6 is a diagram showing a first modification of FIG.
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is inside the first end portion of the insulating layer 150, in other words, outside the light emitting unit 140. For this reason, the light from the end of the light emitting unit 140 is not blocked by the light blocking layer 160.
  • the second end portion of the light shielding layer 160 is located outside the second end portion of the insulating layer 150 in the width direction of the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 has 90% or more of the entire width of the insulating layer 150 (less than 100% in the example shown in this figure).
  • most of the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • most of light (for example, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Thereby, degradation of a light emission part can be suppressed by outgas.
  • FIG. 7 is a diagram showing a second modification of FIG.
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the second end portion of the light shielding layer 160 is inside the second end portion of the insulating layer 150, in other words, inside the insulating layer 150. For this reason, the width of the light transmission region of the light emitting device 10 (region outside the insulating layer 150 where the light shielding layer 160 is not located) is widened.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is located outside the first end portion of the insulating layer 150 in the width direction of the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 has 90% or more of the entire width of the insulating layer 150 (less than 100% in the example shown in this figure).
  • most of the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • most of light (for example, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Thereby, degradation of a light emission part can be suppressed by outgas.
  • the second region 102b is a region from one end (or the other end) of the second electrode 130 to the second end of the insulating layer 150 (the end facing the outside of the light emitting unit 140). It is.
  • the third region 102c includes a second end portion (light emission) of the other insulating layer 150 from a second end portion (end portion facing the outside of the light emitting portion 140) of one insulating layer 150 of the light emitting portions 140 adjacent to each other. This is a region up to the end of the portion 140 facing the outside.
  • the width of the second region 102b is narrower than the width of the third region 102c. For this reason, the light transmittance of the light emitting device 10 is increased.
  • FIG. 8 is a diagram showing a third modification of FIG.
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is inside the first end portion of the insulating layer 150, in other words, outside the light emitting unit 140. For this reason, the light from the end of the light emitting unit 140 is not blocked by the light blocking layer 160.
  • the second end portion of the light shielding layer 160 is inside the second end portion of the insulating layer 150 in the width direction of the insulating layer 150, in other words, inside the insulating layer 150. is there. For this reason, the width of the light transmission region of the light emitting device 10 (region outside the insulating layer 150 where the light shielding layer 160 is not located) is widened.
  • the insulating layer 150 has both ends of the light shielding layer 160 over 90% or more (less than 100% in the example shown in this figure) of the entire width of the insulating layer 150.
  • most of the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • most of light (for example, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Thereby, degradation of a light emission part can be suppressed by outgas.
  • FIG. 9 is a diagram showing a fourth modification of FIG.
  • the insulating layer 150 may be covered with a light shielding layer 180 (second light shielding layer).
  • the light shielding layer 180 covers the insulating layer 150 on the first electrode 110.
  • the optical density of the light shielding layer 180 is, for example, 2.0 or more, preferably 3.5 or more at a wavelength of 200 nm to 400 nm.
  • light specifically, ultraviolet rays
  • the light shielding layer 180 is in contact with both the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the light shielding layer 180 is made of an insulating material, for example, an insulating black matrix layer. For this reason, the first electrode 110 and the second electrode 130 are prevented from being short-circuited via the light shielding layer 180.
  • the light shielding layer 180 may be provided so as to cover not only the insulating layer 150 but also a part or the whole of the second electrode 130. In this case, the light shielding layer 180 is formed after the second electrode 130 is formed. Thereby, the insulating layer 150 covers a part or the whole of the second electrode 130. Therefore, light traveling from the second electrode 130 toward the upper side or the side of the second electrode 130 is blocked by the light shielding layer 180, and glare when viewed from the first surface 102 side of the substrate 100 can be reduced.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing the light emitting device 10 according to the second embodiment, and corresponds to FIG. 3 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to the present embodiment is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.
  • the light shielding layer 160 (first light shielding layer) may be on the first electrode 110.
  • the upper end of the light shielding layer 160 (that is, the upper surface of the light shielding layer 160) is at the same height as the lower end of the insulating layer 150 (that is, the lower surface of the insulating layer 150). Is in contact with the lower end (that is, the lower surface of the insulating layer 150).
  • the first end of the light shielding layer 160 (the end facing the center of the light emitting unit 140) is directed to the first end of the insulating layer 150 (the center of the light emitting unit 140).
  • the second end of the light shielding layer 160 (the end facing the outside of the light emitting portion 140) is the second end of the insulating layer 150 (the end facing the outside of the light emitting portion 140). Part).
  • the width of the light shielding layer 160 is greater than or equal to the width of the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 is between both ends of the light shielding layer 160 over 100% of the entire width of the insulating layer 150.
  • the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160. Therefore, light traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160. For this reason, it is suppressed that the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Further, in the present embodiment, even if light traveling from the second surface 104 side toward the second electrode 130 side is reflected by the second electrode 130 and then reflected by the interface between the substrate 100 and the first electrode 110, this light Is prevented from entering the insulating layer 150 by the light shielding layer 160.
  • FIG. 11 is a diagram illustrating a first modification of FIG. 10 and corresponds to FIG. 6 of the first embodiment.
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is inside the first end portion of the insulating layer 150, in other words, outside the light emitting unit 140. For this reason, the light from the end of the light emitting unit 140 is not blocked by the light blocking layer 160.
  • the second end portion of the light shielding layer 160 is located outside the second end portion of the insulating layer 150 in the width direction of the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 has 90% or more of the entire width of the insulating layer 150 (less than 100% in the example shown in this figure).
  • most of the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • most of light (for example, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Thereby, degradation of a light emission part can be suppressed by outgas.
  • the lower end of the insulating layer 150 is at the same height as the upper end of the first electrode 110 (that is, the upper surface of the first electrode 110).
  • the upper end of the light shielding layer 160 (that is, the upper surface of the light shielding layer 160) is in contact with part of the lower surface of the insulating layer 150.
  • the upper end of the light shielding layer 160 is located higher than the lower end of the insulating layer 150.
  • FIG. 12 is a diagram illustrating a second modification of FIG. 10 and corresponds to FIG. 7 of the first embodiment.
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the second end portion of the light shielding layer 160 is inside the second end portion of the insulating layer 150, in other words, inside the insulating layer 150. For this reason, the width of the light transmission region of the light emitting device 10 (region outside the insulating layer 150 where the light shielding layer 160 is not located) is widened.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is located outside the first end portion of the insulating layer 150 in the width direction of the insulating layer 150.
  • the insulating layer 150 has 90% or more of the entire width of the insulating layer 150 (less than 100% in the example shown in this figure).
  • most of the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • most of light (for example, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Thereby, degradation of a light emission part can be suppressed by outgas.
  • the lower end of the insulating layer 150 is at the same height as the upper end of the first electrode 110 (that is, the upper surface of the first electrode 110).
  • the upper end of the light shielding layer 160 (that is, the upper surface of the light shielding layer 160) is in contact with part of the lower surface of the insulating layer 150.
  • the upper end of the light shielding layer 160 is located higher than the lower end of the insulating layer 150.
  • FIG. 13 is a diagram showing a third modification of FIG. 10, and corresponds to FIG. 8 of the first embodiment.
  • each of the insulating layer 150 and the light shielding layer 160 includes a first end facing the center side of the light emitting unit 140 along the width direction of the insulating layer 150 and a width direction of the insulating layer 150. And a second end facing the outside of the light emitting unit 140.
  • the first end portion of the light shielding layer 160 is inside the first end portion of the insulating layer 150, in other words, outside the light emitting unit 140. For this reason, the light from the end of the light emitting unit 140 is not blocked by the light blocking layer 160.
  • the second end of the light shielding layer 160 is inside the second end of the insulating layer 150, in other words, inside the insulating layer 150. For this reason, the width of the light transmission region of the light emitting device 10 (region outside the insulating layer 150 where the light shielding layer 160 is not located) is widened.
  • the insulating layer 150 has both ends of the light shielding layer 160 over 90% or more (less than 100% in the example shown in this figure) of the entire width of the insulating layer 150.
  • most of the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160.
  • most of light (for example, ultraviolet rays) traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160.
  • the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100. Thereby, degradation of a light emission part can be suppressed by outgas.
  • the lower end of the insulating layer 150 is at the same height as the upper end of the first electrode 110 (that is, the upper surface of the first electrode 110).
  • the upper end of the light shielding layer 160 (that is, the upper surface of the light shielding layer 160) is in contact with part of the lower surface of the insulating layer 150.
  • the upper end of the light shielding layer 160 is located higher than the lower end of the insulating layer 150.
  • FIG. 14 is a diagram showing a fourth modification of FIG. 10, and corresponds to FIG. 9 of the first embodiment.
  • the insulating layer 150 may be covered with a light shielding layer 180 (second light shielding layer).
  • the light shielding layer 180 covers the insulating layer 150 on the first electrode 110.
  • the optical density of the light shielding layer 180 is, for example, 2.0 or more, preferably 3.5 or more at a wavelength of 200 nm to 400 nm.
  • light specifically, ultraviolet rays
  • the light shielding layer 180 is in contact with both the first electrode 110 and the second electrode 130.
  • the light shielding layer 180 is made of an insulating material, for example, an insulating black matrix layer. For this reason, the first electrode 110 and the second electrode 130 are prevented from being short-circuited via the light shielding layer 180.
  • the light shielding layer 180 may be provided so as to cover not only the insulating layer 150 but also a part or the whole of the second electrode 130. In this case, the light shielding layer 180 is formed after the second electrode 130 is formed. Thereby, the insulating layer 150 covers a part or the whole of the second electrode 130. Therefore, light traveling from the second electrode 130 toward the upper side or the side of the second electrode 130 is blocked by the light shielding layer 180, and glare when viewed from the first surface 102 side of the substrate 100 can be reduced.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing a light emitting device 10 according to Modification 1, and corresponds to FIG. 3 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.
  • the light shielding layer 160 does not function as an auxiliary electrode of the first electrode 110.
  • the conductivity of the light shielding layer 160 is equal to or lower than the conductivity of the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 is a conductive black matrix layer having a conductivity equal to or lower than that of the first electrode 110.
  • the light shielding layer 160 may be an insulating black matrix layer.
  • the optical density of the light shielding layer 160 is, for example, 2.0 or more, preferably 3.5 or more at a wavelength of 200 nm to 400 nm.
  • the reflectance of the light shielding layer 160 is preferably 10% or less, for example. When the reflectance of the light shielding layer 160 is within this range, the amount of light reflected by the light shielding layer 160 can be reduced.
  • the lower surface of the insulating layer 150 is covered with the light shielding layer 160. Therefore, light traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 toward the insulating layer 150 side is blocked by the light shielding layer 160. For this reason, it is suppressed that the insulating layer 150 generates outgas by light (specifically, ultraviolet rays) from the second surface 104 side of the substrate 100.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing the light emitting device 10 according to Modification Example 2, and corresponds to FIG. 3 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.
  • the light shielding layer 160 includes a first layer 160a and a second layer 160b.
  • the first layer 160 a is on the first surface 102 of the substrate 100.
  • the second layer 160b is on the first layer 160a.
  • the reflectance of the first layer 160a is lower than the reflectance of the second layer 160b.
  • the reflectance of the first layer 160a is preferably 10% or less, for example. Accordingly, when light is irradiated from the second surface 104 side of the substrate 100, the amount of light reflected by the light shielding layer 160 can be reduced even if the reflectance of the second layer 160b is high.
  • the first layer 160a is chromium oxide (CrO x ), and the second layer 160b is chromium (Cr).
  • FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating a light emitting device 10 according to Modification 3, and corresponds to FIG. 3 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.
  • the light shielding layer 160 contains an ultraviolet absorber.
  • the ultraviolet absorber is an ultraviolet absorber selected from the group consisting of benzotriazole, benzophenone, triazine, cyanoacrylate, oxanilide, salicylate and formamidine. Thereby, the light absorption rate of the light shielding layer 160 is increased.
  • the light shielding layer 160 may have electrical conductivity or may not have electrical conductivity.
  • the light shielding layer 160 is made of a resin containing the above-described ultraviolet absorber.
  • FIG. 18 is a plan view showing a light-emitting device 10 according to Modification 4, and corresponds to FIG. 1 of the first embodiment.
  • FIG. 19 is a diagram in which the second electrode 130, the insulating layer 150, the first conductive layer 210, and the second conductive layer 230 are removed from FIG. 18, and corresponds to FIG. 2 of the first embodiment.
  • 20 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 18, and corresponds to FIG. 4 of the first embodiment.
  • the light emitting device 10 according to this modification is the same as the light emitting device 10 according to the first embodiment except for the following points.
  • the second conductive layer 230 does not have the second wiring 134 (for example, FIG. 1).
  • the second electrode 130 is connected to the second terminal 132 (second conductive layer 230) without passing through the second wiring 134 (for example, FIG. 1).
  • the light shielding layer 270 does not have the light shielding layer 170 (for example, FIG. 2).
  • the light shielding layer 172 (light shielding layer 270) covers a part of the lower surface of the insulating layer 150 in the same manner as the light shielding layer 170 shown in FIG. Specifically, as shown in FIG. 20, each of the second portion 153 of the insulating layer 150 and the second portion 163 of the light shielding layer 160 has an end portion facing the outside of the light emitting unit 140 (described with reference to FIG. 4). Second end). On the other hand, the light shielding layer 172 (the light shielding layer 270) has a first end portion facing the center side of the light emitting unit 140.
  • the first end of the light shielding layer 172 (the light shielding layer 270) is inside the second end of the insulating layer 150 and is separated from the second end of the second portion 163 of the light shielding layer 160 with a distance G. ing.
  • the distance G is preferably as small as possible. When the distance G is small, most of the light traveling from the second surface 104 side of the substrate 100 to the second portion 153 side of the insulating layer 150 is blocked by the second portion 163 of the light shielding layer 160 and the light shielding layer 172 (light shielding layer 270). It is done.
  • the light shielding layer 172 (light shielding layer 270) has a first portion having a longitudinal direction along a direction intersecting the longitudinal direction of the second electrode 130 (specifically, an orthogonal direction). And two second portions having a longitudinal direction along the longitudinal direction of the second electrode 130. The two second parts are connected to both ends of the first part, and face each other with the plurality of second electrodes 130 interposed therebetween.
  • the width of the first portion of the light shielding layer 172 (light shielding layer 270) is wider than the width of the second portion of the light shielding layer 172 (light shielding layer 270).
  • the width of the second portion of the light shielding layer 172 (light shielding layer 270) is substantially equal to the width of the light shielding layer 162, and is, for example, 95% or more and 105% or less of the width of the light shielding layer 162.

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Abstract

遮光層（１６０）は、基板（１００）と絶縁層（１５０）の間にある。 基板（１００）に垂直な方向から見た場合、遮光層（１６０）の少なくとも一部は、絶縁層（１５０）と重なっている。遮光層（１６０）の上端は、絶縁層（１５０）の下端よりも下方に位置している。さらに、絶縁層（１５０）及び遮光層（１６０）の各々は、絶縁層（１５０）の幅方向に沿って発光部（１４０）の中心側を向いた第１端部と、絶縁層（１５０）の幅方向に沿って発光部（１４０）の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層（１５０）の幅方向において、遮光層（１６０）の第１端部は、絶縁層（１５０）の第１端部よりも外側にあり、遮光層（１６０）の第２端部は、絶縁層（１５０）の第２端部よりも外側にある。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）は、発光部の周囲に絶縁層を有することがある。絶縁層は、発光部を画定している。絶縁層は、樹脂を含んでいることがある。絶縁層が樹脂を含んでいる場合、絶縁層からアウトガスが発生することがある。アウトガスによって発光部が劣化することがある。
　特許文献１には、絶縁層からのアウトガスの発生を抑制する方法について記載されている。特許文献１では、絶縁層の表面にＡｒイオンを注入している。特許文献１には、Ａｒイオンの注入によって絶縁層の表面における炭素二重結合数が絶縁層の内部における炭素二重結合数よりも多くなることが記載されている。さらに、特許文献１には、絶縁層の表面における炭素二重結合数が絶縁層の内部における炭素二重結合数よりも多い場合、絶縁層の内部のアウトガスが絶縁層の外部に出ることが抑制されると記載されている。
　特許文献２に記載されているように、ＯＬＥＤは、ブラックマトリクスを有していることがある。特許文献２のＯＬＥＤは、第１基板及び第２基板を有している。第１基板上には、複数の発光部がマトリクス状に並んでいる。第２基板上には、複数のカラーフィルタがマトリクス状に並んでいる。各カラーフィルタは、ブラックマトリクスによって仕切られている。第２基板は、複数の発光部の各々が複数のカラーフィルタの各々と対向するように第１基板上に位置している。
特開２０１２－７９４８６号公報 特開２０１１－１００５５４号公報
　発光部を画定する絶縁層が樹脂を含んでいる場合、外部からの光（具体的には、紫外線）によって絶縁層からアウトガスが発生することがある。本発明者は、外部からの紫外線が絶縁層に照射されないようにするための構造を検討した。
　本発明が解決しようとする課題としては、外部からの紫外線が絶縁層に照射されることを抑制することが一例として挙げられる。
　請求項１に記載の発明は、
　基板と、
　前記基板上にあって、樹脂を含む絶縁層と、
　前記基板に垂直な方向から見たとき、前記基板と前記絶縁層の間に少なくとも一部が重なるように配置される第１遮光層と、
を備え、
　前記第１遮光層の上端は、前記絶縁層の下端と同じ高さにあり、又は前記絶縁層の下端よりも下にある発光装置である。
　請求項２に記載の発明は、
　基板と、
　前記基板上にあって、樹脂を含む絶縁層と、
　前記基板と前記絶縁層の間の第１遮光層と、
を備え、
　前記絶縁層の幅方向において、前記絶縁層は、前記絶縁層の全幅の９０％以上に亘って前記第１遮光層の両端の間にある発光装置である。
　上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
第１の実施形態に係る発光装置を示す平面図である。 図１から第２電極、絶縁層、第１導電層及び第２導電層を取り除いた図である。 図１のＡ－Ａ断面図である。 図１のＢ－Ｂ断面図である。 図１～図４に示した発光装置の製造方法の一例を説明するための図である。 図３の第１の変形例を示す図である。 図３の第２の変形例を示す図である。 図３の第３の変形例を示す図である。 図３の第４の変形例を示す図である。 第２の実施形態に係る発光装置を示す断面図である。 図１０の第１の変形例を示す図である。 図１０の第２の変形例を示す図である。 図１０の第３の変形例を示す図である。 図１０の第４の変形例を示す図である。 変形例１に係る発光装置を示す断面図である。 変形例２に係る発光装置を示す断面図である。 変形例３に係る発光装置を示す断面図である。 変形例４に係る発光装置を示す平面図である。 図１８から第２電極、絶縁層、第１導電層及び第２導電層を取り除いた図である。 図１８のＢ－Ｂ断面図である。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
（第１の実施形態）
　図１は、第１の実施形態に係る発光装置１０を示す平面図である。図２は、図１から第２電極１３０、絶縁層１５０、第１導電層２１０及び第２導電層２３０を取り除いた図である。なお、図２では、説明のため、第１導電層２１０及び第２導電層２３０を破線で示している。図３は、図１のＡ－Ａ断面図である。図４は、図１のＢ－Ｂ断面図である。発光装置１０は、基板１００、絶縁層１５０及び遮光層１６０を有している。図３に示すように、絶縁層１５０は、基板１００上にある。絶縁層１５０は、樹脂を含んでいる。遮光層１６０（第１遮光層）は、基板１００と絶縁層１５０の間にある。基板１００（より具体的には、基板１００の第１面１０２）に垂直な方向から見た場合、遮光層１６０の少なくとも一部は、絶縁層１５０と重なっている。遮光層１６０の上端（すなわち、遮光層１６０の上面）は、絶縁層１５０の下端（すなわち、遮光層１６０の下面）よりも下方に位置している。さらに、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０（詳細は後述）の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも外側にあり、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも外側にある。言い換えると、遮光層１６０の幅は、絶縁層１５０の幅以上である。さらに言い換えると、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の１００％に亘って遮光層１６０の両端の間にある。以下、詳細に説明する。
　図１～図４に示す例において、発光装置１０は、半透過ＯＬＥＤである。図１に示すように、発光装置１０は、複数の発光部１４０を有している。各発光部１４０は、長手方向を有している。複数の発光部１４０は、各発光部１４０の長手方向に交差する（具体的には、直交する）方向に沿って並んでいる。言い換えると、複数の発光部１４０は、ストライプ状に配置されている。複数の発光部１４０から光が発せられている場合、人間の視覚では、発光装置１０からある程度離れた領域からは、複数の発光部１４０の一端から他端までの全面に亘って光が発せられているように見える。複数の発光部１４０から光が発せられていない場合、人間の視覚では、基板１００の第２面１０４側からは、基板１００の第１面１０２側の物体が透けて見える。さらに、第２電極１３０が不透明のとき、基板１００の第１面１０２側からは、複数の発光部１４０から光が発せられている場合、発せられていない場合のいずれも、人間の視覚では、基板１００の第１面１０２側からは、基板１００の第２面１０４側の物体が透けて見える。
　一例において、発光装置１０は、自動車のハイマウントストップランプに用いられる。この例においては、複数の発光部１４０は、例えば、赤色の光を発する。
　図１に示すように、発光装置１０は、基板１００、第１導電層２１０、第２導電層２３０及び複数の第２電極１３０を有している。さらに、図２に示すように、発光装置１０は、遮光層２６０及び遮光層２７０を有している。第１導電層２１０は、複数の第１電極１１０、第１端子１１２及び複数の第１配線１１４を有している。第１電極１１０、第１端子１１２及び第１配線１１４は第１導電層２１０のうちの互いに異なる部分である。第２導電層２３０は、第２端子１３２及び複数の第２配線１３４を有している。第２端子１３２及び第２配線１３４は、第２導電層２３０のうちの互いに異なる部分である。遮光層２６０は、複数の遮光層１６０及び遮光層１６２を有している。複数の遮光層１６０及び遮光層１６２は、遮光層２６０のうちの互いに異なる部分である。遮光層２７０は、複数の遮光層１７０及び遮光層１７２を有している。複数の遮光層１７０及び遮光層１７２は、遮光層２７０のうちの互いに異なる部分である。図４に示すように、第２電極１３０は、第２配線１３４を介して第２端子１３２に接続している。
　複数の第１電極１１０は、一直線に並んでいる。具体的には、各第１電極１１０は、長手方向を有している。複数の第１電極１１０は、各第１電極１１０の長手方向に交差する（具体的には、直交する）方向に沿って並んでいる。言い換えると、複数の第１電極１１０は、ストライプ状に配置されている。複数の第１電極１１０の各々は、複数の第１配線１１４の各々を介して第１端子１１２に接続している。図１に示す例では、第１端子１１２は、第１電極１１０の長手方向と交差する方向（具体的には、直交する方向）に沿った長手方向を有している。各第１電極１１０には、第１端子１１２を介して電圧を印加することができる。なお、第１端子１１２は、導電部材（例えば、ボンディングワイヤ又はリード端子）を介して外部素子（不図示）に接続させることができる。これにより外部素子から第１電極１１０に電圧を印加することができる。
　複数の第２電極１３０は、一直線に並んでいる。具体的には、各第２電極１３０は、長手方向を有している。複数の第２電極１３０は、各第２電極１３０の長手方向に交差する（具体的には、直交する）方向に沿って並んでいる。言い換えると、複数の第２電極１３０は、ストライプ状に配置されている。複数の第２電極１３０の各々は、複数の第２配線１３４の各々を介して第２端子１３２に接続している。図１に示す例では、第２端子１３２は、第２電極１３０の長手方向と交差する方向（具体的には、直交する方向）に沿った長手方向を有する第１部分と、第２電極１３０の長手方向に沿った長手方向を有する２つの第２部分と、を含んでいる。２つの第２部分は、第１部分の両端に接続しており、複数の第２電極１３０を挟んで互いに対向している。第１端子１１２と第２端子１３２は、複数の第１電極１１０及び複数の第２電極１３０を挟んで互いに対向している。各第２電極１３０には、第２端子１３２を介して電圧を印加することができる。なお、第２端子１３２は、導電部材（例えば、ボンディングワイヤ又はリード端子）を介して外部素子（不図示）に接続させることができる。これにより外部素子から第２電極１３０に電圧を印加することができる。
　遮光層１６２は、第１端子１１２の長手方向に沿った長手方向を有している。複数の遮光層１６０の各々は、複数の第１電極１１０の各々に設けられている。各遮光層１６０は、第１電極１１０の長手方向に沿った長手方向を有している。各遮光層１６０は、開口を有している。図２に示す例では、各遮光層１６０の開口は、絶縁層１５０の内側に位置している。
　遮光層１７２は、第２電極１３０の長手方向と交差する方向（具体的には、直交する方向）に沿った長手方向を有する第１部分と、第２電極１３０の長手方向に沿った長手方向を有する２つの第２部分と、を含んでいる。２つの第２部分は、第１部分の両端に接続しており、複数の第２電極１３０を挟んで互いに対向している。複数の遮光層１７０は、遮光層１７２の２つの第２部分の間にある。複数の遮光層１７０の各々は、複数の第２配線１３４の各々に設けられている。ただし、複数の遮光層１７０を設けず、遮光層１７２によって絶縁層１５０を遮光してもよい。なお、図２に示す例では、遮光層１７２の幅は、遮光層１６２の幅とほぼ等しく、例えば、遮光層１６２の幅の９５％以上１０５％以下である。
　まず、図３を用いて、第１電極１１０の長手方向に垂直な断面構造について説明する。図３に示すように、発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、有機層１２０、第２電極１３０、絶縁層１５０及び遮光層１６０を有している。
　基板１００は、第１面１０２及び第２面１０４を有している。図１及び図２に示す例において、第１面１０２の形状は矩形である。ただし、第１面１０２の形状は、矩形に限定されるものではなく、他の形状であってもよい。第２面１０４は、第１面１０２の反対側にあり、基板１００の裏面である。基板１００は、透光性の材料（例えばガラス又は樹脂）からなる。基板１００の第１面１０２上には、発光部１４０がある。発光部１４０からの光は、基板１００を透過して、基板１００の第２面１０４から出射される。
　基板１００は、可撓性を有していてもよいし、又は可撓性を有していなくてもよい。基板１００が可撓性を有する場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。基板１００が可撓性を有し、かつガラスからなる場合、基板１００の厚さは、例えば２００μｍ以下である。基板１００が可撓性を有し、かつ樹脂からなる場合、基板１００は、例えばＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＥＳ（ポリエーテルサルホン）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）又はポリイミドを含む。なお、基板１００の第１面１０２（好ましくは、第１面１０２及び第２面１０４の双方）は、無機絶縁層（例えばＳｉＮｘ又はＳｉＯＮ）により覆われていてもよい。この場合、基板１００が水蒸気透過率の高い材料（例えば樹脂）を含んでいても、水蒸気が基板１００の第１面１０２よりも上に達することが抑制される。
　第１電極１１０は、基板１００の第１面１０２上にあり、透光性を有している。より具体的には、第１導電層２１０（第１電極１１０、第１端子１１２及び第１配線１１４）は、透光性の導電材料からなり、例えば金属酸化物、より具体的には例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＷＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｕｎｇｓｔｅｎ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）からなる。第１導電層２１０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。他の例として、第１導電層２１０は、金属酸化物層と金属層を含む積層膜又は金属酸化物層と合金層を含む積層膜であってもよい。金属層及び合金層の膜厚は、極薄であり、例えば５ｎｍ以上２５ｎｍ以下（Ａｇ合金の場合）である。さらに他の例として、第１導電層２１０は、導電性有機材料（例えば、カーボンナノチューブ、グラフェン又はＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）からなってもよい。
　有機層１２０は、第１電極１１０上にある。有機層１２０は、例えば、正孔注入層、発光層及び電子注入層を有している。発光層は、正孔注入層と電子注入層の間にある。正孔注入層は、第１電極１１０に接続している。言い換えると、第１電極１１０は正極として機能している。電子注入層は、第２電極１３０に接続している。言い換えると、第２電極１３０は負極として機能している。正孔注入層と発光層との間には正孔輸送層があってもよい。発光層と電子注入層との間には電子輸送層があってもよい。発光層では、電子と正孔が再結合する。これにより、発光層からは光が発せられる。有機層１２０は、例えば、蒸着又は塗布プロセスにより形成される。
　第２電極１３０は、有機層１２０上にある。第２電極１３０は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｚｎ及びＩｎからなる第１群の中から選択される金属又はこの第１群から選択される金属の合金からなる金属層を含んでいる。この場合、第２電極１３０は遮光性を有している。第２電極１３０の厚さは、例えば１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。ただし、第２電極１３０は、第１電極１１０の材料として例示した材料を用いて形成されていてもよい。第２電極１３０は、例えば蒸着又はスパッタリングにより形成される。
　絶縁層１５０は、第１電極１１０上にある。絶縁層１５０は、例えば有機絶縁材料、具体的には例えばポリイミドからなる。他の例として、絶縁層１５０は、アクリル系、フェノール系又はオレフィン系の樹脂であってもよい。さらに、絶縁層１５０は、撥液材料を含んでいてもよい。絶縁層１５０は、開口１５２を有している。図１に示す例において、開口１５２の形状は、矩形である。ただし、開口１５２の端部は、曲率を有しても良い。第１電極１１０、有機層１２０及び第２電極１３０は、開口１５２で互いに重なっている。言い換えると、開口１５２によって発光部１４０が画定される。具体的には、第１電極１１０の一部分、有機層１２０の一部分及び第２電極１３０の一部分が開口１５２内に位置している。第１電極１１０の一部分、有機層１２０の一部分及び第２電極１３０の一部分は、発光部１４０として機能する。
　図３に示す例では、絶縁層１５０は、開口１５２を挟んで互いに反対側に位置する第１部分及び第２部分を有している。第１部分の上端の幅は第１部分の下端の幅よりも狭くなっており、第２部分の上端の幅は第１部分の下端の幅よりも狭くなっている。より具体的には、第１部分及び第２部分の各々は、開口１５６側を向いた内側面及び内側面とは反対側の外側面を有している。第１部分及び第２部分の各々の内側面は、この内側面の上端がこの内側面の下端よりも外側に位置するように傾いている。第１部分及び第２部分の各々の外側面は、この外側面の上端がこの外側面の下端よりも内側に位置するように傾いている。
　絶縁層１５０は、撥液性を有していてもよい。例えば、絶縁層１５０は、塗布液で用いる溶剤（溶媒）に対して３０°よりも大きい接触角を有している。具体的には、絶縁層１５０は、撥液剤を含んでいる。絶縁層１５０に含まれる撥液剤は、例えばフッ素系化合物である。
　なお、図３に示す例において、絶縁層１５０の第１端部（発光部１４０の中心側を向いた端部）は、第１部分又は第２部分の内側面の下端である。絶縁層１５０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）は、第１部分又は第２部分の外側面の下端である。発光部１４０は、第１部分の内側面の下端及び第２部分の内側面の下端によって画定されている。
　遮光層１６０は、第１電極１１０によって覆われている。遮光層１６０は、第１電極１１０の補助電極として機能している。具体的には、遮光層１６０は、第１電極１１０の電圧降下を抑制するために設けられている。より具体的には、遮光層１６０は、導電性材料（例えば、金属）からなる。遮光層１６０は、第１電極１１０に電気的に接続している。遮光層１６０の導電率は、第１電極１１０の導電率よりも高い。
　図３に示す例では、遮光層１６０は、第１電極１１０によって覆われており、言い換えると、第１電極１１０の上面上に位置していない。これにより、次のようにして、遮光層１６０と第２電極１３０の短絡を抑制することができる。すなわち、遮光層１６０は、遮光層１６０の上面と遮光層１６０の側面のなす角が鋭角になるようにパターニングされることがある。仮に、遮光層１６０が第１電極１１０の上面上にあり、かつ有機層１２０が遮光層１６０の上記角を覆う場合、有機層１２０の膜厚は、上記角の近傍において薄くなりやすい。このような場合、第２電極１３０は、有機層１２０を介して遮光層１６０の上記角と短絡しやすい。このような短絡を抑制するため、遮光層１６０の上記角を絶縁層１５０で覆うことがある。しかしながら、この場合、絶縁層１５０の下面の一部が遮光層１６０から露出してしまう。これに対して、図３に示す例では、遮光層１６０は、第１電極１１０によって覆われている。このため、遮光層１６０を絶縁層１５０で覆うことなく、遮光層１６０と第２電極１３０の短絡を抑制することができる。
　さらに、図３に示す例では、遮光層１６０に光が照射されることによって遮光層１６０から絶縁層１５０側に向かう熱エネルギーが発生しても、その熱エネルギーは、第１電極１１０によって遮断される。このため、絶縁層１５０が遮光層１６０からの熱エネルギーによって影響を受けることを抑制することができる。
　遮光層１６０の光学密度は、波長２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下において例えば２．０以上、好ましくは３．５以上である。これにより、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（具体的には、紫外線）が遮光層１６０によって遮られる。
　遮光層１６０は、例えばＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層膜）又はＡｇ合金である。その他の例として、遮光層１６０は、第１電極１１０の導電率よりも高い導電率を有する導電性ブラックマトリクス層であってもよい。例えば、遮光層１６０は、クロムからなり、又はＮｉ系合金、具体的にはＮｉ－Ｍｏ合金又はＮｉ－Ｗ－Ｚｒ合金からなる。なお、遮光層１６２（図２）は、遮光層１６０と同一の材料からなる。
　可視光（４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長）において、遮光層１６０の反射率は、例えば１０％以下であることが好ましい。遮光層１６０の反射率がこの値の範囲にある場合、遮光層１６０によって反射する光の量を少なくすることができる。
　遮光層１６０の断面積（すなわち、遮光層１６０の導電率）は、遮光層１６０の幅が広いため、遮光層１６０の膜厚が小さくても、ある程度大きくすることができる。例えば、遮光層１６０の幅は、遮光層１６０の膜厚の３０倍以上、好ましくは１００倍以上である。具体的には、遮光層１６０の幅は例えば１５μｍ以上４０μｍ以下であり、遮光層１６０の膜厚は例えば１５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下である。
　図３に示す例では、パターニングにより遮光層１６０を形成する際、遮光層１６０の端部を基板１００の第１面１０２に対してほぼ垂直に形成することが容易となる。これは、上記したように、遮光層１６０の膜厚を薄くすることができるためである。仮に、遮光層１６０の膜厚がある程度厚いと、遮光層１６０の端部を基板１００の第１面１０２に対して垂直に形成することが難しくなる。
　さらに、図３に示す例では、パターニングにより遮光層１６０を形成する際のコストを低下させることができる。これは、上記したように、遮光層１６０の膜厚を薄くすることができるためである。仮に、遮光層１６０の膜厚がある程度厚いと、遮光層１６０をパターニングする（すなわち、遮光層１６０となる部分以外の層を除去する）際のコストが高いものとなる。さらに、遮光層１６０を薄くすることにより、成膜時間を削減することができる。
　図３に示すように、基板１００の第１面１０２は、第１領域１０２ａ、第２領域１０２ｂ及び第３領域１０２ｃを有している。第１領域１０２ａは、絶縁層１５０の幅方向において、第２電極１３０の一端から他端までの領域である。第２領域１０２ｂは、第２電極１３０の一端（又は他端）から遮光層１６０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）までの領域である。第３領域１０２ｃは、互いに隣接する発光部１４０のうちの一方の遮光層１６０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）から他方の遮光層１６０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）までの領域である。
　第２領域１０２ｂの幅は、第３領域１０２ｃの幅よりも狭い。第３領域１０２ｃの幅は、第１領域１０２ａの幅よりも広くてもよいし、又は狭くてもよい。第２領域１０２ｂの幅は、第１領域１０２ａの幅の例えば０倍以上０．２倍以下である（第２領域１０２ｂの幅は０であってもよい）。ただし、第１電極１１０及び第２電極１３０はショートしない構成である。第３領域１０２ｃの幅は、第１領域１０２ａの幅の例えば０．５倍以上２倍以下である。第１領域１０２ａの幅は、例えば、５０μｍ以上５００μｍ以下である。第２領域１０２ｂの幅は、例えば、０μｍ以上１００μｍ以下である。第３領域１０２ｃの幅は、例えば、２５μｍ以上１０００μｍ以下である。
　図３に示す例では、発光装置１０の光線透過率が高くなる。詳細には、第１領域１０２ａには、第２電極１３０が位置している。第２領域１０２ｂには、絶縁層１５０及び遮光層１６０が位置している。これに対して、第３領域１０２ｃの領域には、第２電極１３０、絶縁層１５０及び遮光層１６０が位置していない。このため、第３領域１０２ｃの光線透過率は、第１領域１０２ａの光線透過率及び第２領域１０２ｂの光線透過率よりも高い。上記したように、第２領域１０２ｂの幅は、第３領域１０２ｃの幅よりも狭い。このため、発光装置１０の光線透過率が高くなる。
　さらに、図３に示す例では、発光装置１０が特定の波長の光を遮断するフィルタとして機能することが抑制される。詳細には、絶縁層１５０の光線透過率が波長によって異なっていることがある。絶縁層１５０の光線透過率が波長によって異なっている場合、絶縁層１５０の幅が広いと、発光装置１０は、絶縁層１５０の光線透過率の低い波長の光を遮断するフィルタとして機能し得る。これに対して、本実施形態では、絶縁層１５０の下面は、遮光層１６０によって覆われている。このため、絶縁層１５０側から第２面１０４側に向かう光は遮光層１６０によって遮られ、第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光も遮光層１６０によって遮られる。このため、発光装置１０が特定の波長の光を遮断するフィルタとして機能することが抑制される。
　図３に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部（発光部１４０の中心側を向いた端部）と絶縁層１５０の第１端部（発光部１４０の中心側を向いた端部）の間の距離は、発光部１４０の幅の例えば１０％以下、より具体的には例えば５％以下であることが好ましい。この例においては、発光部１４０から基板１００の第２面１０４側に向けて光が発せられる場合、遮光層１６０によって遮られる光の量を少なくすることができる。
　さらに、図３に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）と絶縁層１５０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）の間の距離は、第３領域１０２ｃの幅の２％以下、より具体的には例えば１％以下であることが好ましい。この例においては、第３領域１０２ｃの面積を大きくすることができる。
　次に、図４を用いて、第１電極１１０の短手方向に垂直な断面構造について説明する。図４に示すように、発光装置１０は、遮光層１６０、遮光層１６２、遮光層１７０及び遮光層１７２を有している。
　遮光層１６０及び遮光層１６２は、同一の材料からなる。上記したように、遮光層１６０は、第１配線１１４の補助電極として機能している。具体的には、遮光層１６０は、第１配線１１４に電気的に接続している。遮光層１６０の導電率は、第１配線１１４の導電率よりも高い。遮光層１６２は、第１端子１１２の取り出し電極として機能している。具体的には、遮光層１６２は、第１端子１１２に電気的に接続している。遮光層１６２の導電率は、第１端子１１２の導電率よりも高い。
　遮光層１７０及び遮光層１７２は、同一の材料からなり、例えば、遮光層１６０及び遮光層１６２と同一の材料からなる。遮光層１７０は、第２配線１３４の補助電極として機能している。具体的には、遮光層１７０は、第２配線１３４に電気的に接続している。遮光層１７０の導電率は、第２配線１３４の導電率よりも高い。遮光層１７２は、第２端子１３２の取り出し電極として機能している。具体的には、遮光層１７２は、第２端子１３２に電気的に接続している。遮光層１７２の導電率は、第２端子１３２の導電率よりも高い。
　図４に示すように、絶縁層１５０は、第１部分１５１及び第２部分１５３を有している。第１部分１５１及び第２部分１５３は、開口１５２を挟んで互いに反対側にある。遮光層１６０は、第１部分１６１及び第２部分１６３を有している。第１部分１６１及び第２部分１６３は、遮光層１６０の開口（図２）を挟んで互いに反対側にある。
　図４に示すように、第１電極１１０の長手方向に沿った方向において、絶縁層１５０の第１部分１５１の両端は、遮光層１６０の第１部分１６１及び遮光層１６２の両端の内側にある。言い換えると、第１電極１１０の長手方向に沿った方向において、絶縁層１５０の第１部分１５１は、絶縁層１５０の第１部分１５１の全幅の１００％に亘って遮光層１６０の第１部分１６１及び遮光層１６２の両端の間にある。ただし、第１部分１５１は、第１部分１５１の全幅の１００％に亘って遮光層１６０の第１部分１６１及び遮光層１６２の両端の間になくてもよく、例えば第１部分１５１の全幅の９０％以上１００％未満に亘って遮光層１６０の第１部分１６１及び遮光層１６２の両端の間にあってもよい。
　図４に示す例では、絶縁層１５０の第１部分１５１の下面が遮光層１６０の第１部分１６１によって覆われている。基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０の第１部分１５１側に向かう光は、遮光層１６０の第１部分１６１によって遮られる。
　図４に示すように、絶縁層１５０の第２部分１５３は、遮光層１６０の第２部分１６３及び遮光層１７０と重なっている。より詳細には、絶縁層１５０の第２部分１５３は、発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。遮光層１６０の第２部分１６３も、発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。遮光層１７０は、発光部１４０の中心側を向いた第１端部を有している。遮光層１６０の第２部分１６３の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも外側にある。遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第１端部と絶縁層１５０の第２端部の間にある。遮光層１７０の第１端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも内側にあって、距離Ｇを置いて遮光層１６０の第２部分１６３の第２端部から離れている。
　図４に示す例では、絶縁層１５０の第２部分１５３の下面が、遮光層１６０の第２部分１６３と遮光層１７０の間を除いて、遮光層１６０の第２部分１６３及び遮光層１７０によって覆われている。遮光層１６０の第２部分１６３の第２端部と遮光層１７０の第１端部の間の距離Ｇは、できる限り小さいことが好ましく、例えば、１０μｍ以上２０μｍ以下、好ましくは１２．５μｍ以上１７．５μｍ以下である。基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０の第２部分１５３側に向かう光のほとんどは、遮光層１６０の第２部分１６３及び遮光層１７０によって遮られる。
　図５は、図１～図４に示した発光装置１０の製造方法の一例を説明するための図である。まず、基板１００の第１面１０２上に遮光層２６０（遮光層１６０及び遮光層１６２）及び遮光層２７０（遮光層１７０及び遮光層１７２）を形成する。具体的には、基板１００の第１面１０２上に導電層を形成する。次いで、導電層上にマスク膜（具体的には、フォトレジスト）を形成する。マスク膜は、遮光層２６０及び導電層１７２が形成される領域を覆っている。次いで、マスク膜をマスクとして、エッチング液により導電層をエッチングする。これにより、遮光層２６０及び導電層１７２が形成される。
　次いで、遮光層２６０上及び導電層１７２上に第１導電層２１０（第１電極１１０、第１端子１１２及び第１配線１１４）及び第２導電層２３０（第２端子１３２及び第２配線１３４）をそれぞれ形成する。具体的には、導電層を基板１００の第１面１０２上にスパッタリングにより形成する。次いで、導電層上にマスク膜（具体的には、フォトレジスト）を形成する。マスク膜は、第１導電層２１０が形成される領域及び第２導電層２３０が形成される領域を覆っている。次いで、マスク膜をマスクとして、エッチング液により導電層をエッチングする。これにより、第１導電層２１０及び第２導電層２３０が形成される。なお、第１導電層２１０及び第２導電層２３０は、リフトオフを用いて形成してもよい。
　次いで、第１電極１１０上及び導電部１６０上に絶縁層１５０を形成する。具体的には、基板１００の第１面１０２上、第１電極１１０上及び導電部１６０上に感光性ポリイミドを塗布する。次いで、感光性ポリイミドを乾燥させる。次いで、露光及び現像により感光性ポリイミドをパターニングする。現像後のポリイミドのパターンは、遮光層１６０の幅方向において、遮光層１６０の両端の内側に位置している。次いで、ベークによりポリイミドを硬化させる。これにより、絶縁層１５０が形成される。
　次いで、有機層１２０を形成する。具体的には、図５に示すように、開口１５２内において第１電極１１０上に正孔注入層１２２を塗布する。図５に示す例において、正孔注入層１２２は液状である。絶縁層１５０は、撥液性を有している。このため、正孔注入層１２２は、絶縁層１５０から弾かれる。次いで、正孔注入層１２２上に有機層及び電子注入層を形成する。これにより、有機層１２０が形成される。
　次いで、蒸着により第２電極１３０を形成する。これにより、発光装置１０が製造される。
　以上、本実施形態によれば、絶縁層１５０の下面は、遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光は、遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。
　図６は、図３の第１の変形例を示す図である。本図に示す例では、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも内側にあり、言い換えると、発光部１４０の外側にある。このため、発光部１４０の端部からの光が遮光層１６０によって遮られることがない。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも外側にある。さらに、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の９０％以上（本図に示す例では１００％未満）に亘って遮光層１６０の両端（第１端部及び第２端部）の間にあり、言い換えると、絶縁層１５０の下面のほとんどの部分が遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（例えば、紫外線）のほとんどが遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。これにより、アウトガスによって発光部が劣化を抑制することができる。
　図７は、図３の第２の変形例を示す図である。本図に示す例では、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも内側にあり、言い換えると、絶縁層１５０の内側にある。このため、発光装置１０の光透過領域（絶縁層１５０の外側にあって遮光層１６０が位置しない領域）の幅が広くなる。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも外側にある。さらに、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の９０％以上（本図に示す例では１００％未満）に亘って遮光層１６０の両端（第１端部及び第２端部）の間にあり、言い換えると、絶縁層１５０の下面のほとんどの部分が遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（例えば、紫外線）のほとんどが遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。これにより、アウトガスによって発光部が劣化を抑制することができる。
　なお、本図に示す例において、第２領域１０２ｂは、第２電極１３０の一端（又は他端）から絶縁層１５０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）までの領域である。第３領域１０２ｃは、互いに隣接する発光部１４０のうちの一方の絶縁層１５０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）から他方の絶縁層１５０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）までの領域である。本図に示す例においても、第２領域１０２ｂの幅は、第３領域１０２ｃの幅よりも狭い。このため、発光装置１０の光線透過率が高くなる。
　図８は、図３の第３の変形例を示す図である。本図に示す例では、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも内側にあり、言い換えると、発光部１４０の外側にある。このため、発光部１４０の端部からの光が遮光層１６０によって遮られることがない。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも内側にあり、言い換えると、絶縁層１５０の内側にある。このため、発光装置１０の光透過領域（絶縁層１５０の外側にあって遮光層１６０が位置しない領域）の幅が広くなる。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の９０％以上（本図に示す例では１００％未満）に亘って遮光層１６０の両端（第１端部及び第２端部）の間にあり、言い換えると、絶縁層１５０の下面のほとんどの部分が遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（例えば、紫外線）のほとんどが遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。これにより、アウトガスによって発光部が劣化を抑制することができる。
　図９は、図３の第４の変形例を示す図である。本図に示すように、絶縁層１５０は、遮光層１８０（第２遮光層）によって覆われていてもよい。遮光層１８０は、第１電極１１０上において絶縁層１５０を覆っている。遮光層１８０の光学密度は、波長２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下において例えば２．０以上、好ましくは３．５以上である。これにより、絶縁層１５０の上方又は側方から絶縁層１５０に向かう光（具体的には、紫外線）が遮光層１８０によって遮られる。本図に示す例において、遮光層１８０は、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方に接している。遮光層１８０は、絶縁性材料からなり、例えば絶縁性ブラックマトリクス層である。このため、第１電極１１０と第２電極１３０が遮光層１８０を介して短絡することが防止される。
　なお、遮光層１８０は、絶縁層１５０だけでなく、第２電極１３０の一部又は全体を覆うように設けられていてもよい。この場合、遮光層１８０は、第２電極１３０を形成した後に形成される。これにより、絶縁層１５０は、第２電極１３０の一部又は全体を覆うようになる。このため、第２電極１３０から第２電極１３０の上方又は側方に向かう光が遮光層１８０によって遮られ、基板１００の第１面１０２側から見たときのぎらつきを低減できる。
（第２の実施形態）
　図１０は、第２の実施形態に係る発光装置１０を示す断面図であり、第１の実施形態の図３に対応する。本実施形態に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様である。
　本図に示すように、遮光層１６０（第１遮光層）は、第１電極１１０上にあってもよい。本図に示す例では、遮光層１６０の上端（すなわち、遮光層１６０の上面）は、絶縁層１５０の下端（すなわち、絶縁層１５０の下面）と同じ高さにあり、言い換えると、絶縁層１５０の下端（すなわち、絶縁層１５０の下面）に接している。さらに、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部（発光部１４０の中心側を向いた端部）は、絶縁層１５０の第１端部（発光部１４０の中心側を向いた端部）よりも外側にあり、遮光層１６０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）は、絶縁層１５０の第２端部（発光部１４０の外側を向いた端部）よりも外側にある。言い換えると、遮光層１６０の幅は、絶縁層１５０の幅以上である。さらに言い換えると、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の１００％に亘って遮光層１６０の両端の間にある。
　本実施形態においても、絶縁層１５０の下面は、遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光は、遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。さらに、本実施形態では、第２面１０４側から第２電極１３０側に向かう光が、第２電極１３０で反射し、その後、基板１００と第１電極１１０の界面で反射しても、この光が絶縁層１５０に入射することが遮光層１６０によって防止される。
　図１１は、図１０の第１の変形例を示す図であり、第１の実施形態の図６に対応する。本図に示す例では、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも内側にあり、言い換えると、発光部１４０の外側にある。このため、発光部１４０の端部からの光が遮光層１６０によって遮られることがない。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも外側にある。さらに、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の９０％以上（本図に示す例では１００％未満）に亘って遮光層１６０の両端（第１端部及び第２端部）の間にあり、言い換えると、絶縁層１５０の下面のほとんどの部分が遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（例えば、紫外線）のほとんどが遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。これにより、アウトガスによって発光部が劣化を抑制することができる。
　なお、本図に示す例において、絶縁層１５０の下端は、第１電極１１０の上端（すなわち、第１電極１１０の上面）と同じ高さにある。遮光層１６０の上端（すなわち、遮光層１６０の上面）は、絶縁層１５０の下面の一部と接している。このように、遮光層１６０の上端は、絶縁層１５０の下端よりも高い位置にある。
　図１２は、図１０の第２の変形例を示す図であり、第１の実施形態の図７に対応する。本図に示す例では、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも内側にあり、言い換えると、絶縁層１５０の内側にある。このため、発光装置１０の光透過領域（絶縁層１５０の外側にあって遮光層１６０が位置しない領域）の幅が広くなる。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも外側にある。さらに、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の９０％以上（本図に示す例では１００％未満）に亘って遮光層１６０の両端（第１端部及び第２端部）の間にあり、言い換えると、絶縁層１５０の下面のほとんどの部分が遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（例えば、紫外線）のほとんどが遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。これにより、アウトガスによって発光部が劣化を抑制することができる。
　なお、本図に示す例において、絶縁層１５０の下端は、第１電極１１０の上端（すなわち、第１電極１１０の上面）と同じ高さにある。遮光層１６０の上端（すなわち、遮光層１６０の上面）は、絶縁層１５０の下面の一部と接している。このように、遮光層１６０の上端は、絶縁層１５０の下端よりも高い位置にある。
　図１３は、図１０の第３の変形例を示す図であり、第１の実施形態の図８に対応する。本図に示す例では、絶縁層１５０及び遮光層１６０の各々は、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の中心側を向いた第１端部と、絶縁層１５０の幅方向に沿って発光部１４０の外側を向いた第２端部と、を有している。絶縁層１５０の幅方向において、遮光層１６０の第１端部は、絶縁層１５０の第１端部よりも内側にあり、言い換えると、発光部１４０の外側にある。このため、発光部１４０の端部からの光が遮光層１６０によって遮られることがない。
　さらに、本図に示す例では、遮光層１６０の第２端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも内側にあり、言い換えると、絶縁層１５０の内側にある。このため、発光装置１０の光透過領域（絶縁層１５０の外側にあって遮光層１６０が位置しない領域）の幅が広くなる。
　さらに、本図に示す例では、絶縁層１５０の幅方向において、絶縁層１５０は、絶縁層１５０の全幅の９０％以上（本図に示す例では１００％未満）に亘って遮光層１６０の両端（第１端部及び第２端部）の間にあり、言い換えると、絶縁層１５０の下面のほとんどの部分が遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光（例えば、紫外線）のほとんどが遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。これにより、アウトガスによって発光部が劣化を抑制することができる。
　なお、本図に示す例において、絶縁層１５０の下端は、第１電極１１０の上端（すなわち、第１電極１１０の上面）と同じ高さにある。遮光層１６０の上端（すなわち、遮光層１６０の上面）は、絶縁層１５０の下面の一部と接している。このように、遮光層１６０の上端は、絶縁層１５０の下端よりも高い位置にある。
　図１４は、図１０の第４の変形例を示す図であり、第１の実施形態の図９に対応する。本図に示すように、絶縁層１５０は、遮光層１８０（第２遮光層）によって覆われていてもよい。遮光層１８０は、第１電極１１０上において絶縁層１５０を覆っている。遮光層１８０の光学密度は、波長２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下において例えば２．０以上、好ましくは３．５以上である。これにより、絶縁層１５０の上方又は側方から絶縁層１５０に向かう光（具体的には、紫外線）が遮光層１８０によって遮られる。本図に示す例において、遮光層１８０は、第１電極１１０及び第２電極１３０の双方に接している。遮光層１８０は、絶縁性材料からなり、例えば絶縁性ブラックマトリクス層である。このため、第１電極１１０と第２電極１３０が遮光層１８０を介して短絡することが防止される。
　なお、遮光層１８０は、絶縁層１５０だけでなく、第２電極１３０の一部又は全体を覆うように設けられていてもよい。この場合、遮光層１８０は、第２電極１３０を形成した後に形成される。これにより、絶縁層１５０は、第２電極１３０の一部又は全体を覆うようになる。このため、第２電極１３０から第２電極１３０の上方又は側方に向かう光が遮光層１８０によって遮られ、基板１００の第１面１０２側から見たときのぎらつきを低減できる。
（変形例１）
　図１５は、変形例１に係る発光装置１０を示す断面図であり、第１の実施形態の図３に対応する。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様である。
　本図に示す例において、遮光層１６０は、第１電極１１０の補助電極として機能していない。具体的には、遮光層１６０の導電率は、第１電極１１０の導電率以下である。より具体的には、例えば、遮光層１６０は、第１電極１１０の導電率以下の導電率を有する導電性ブラックマトリクス層である。その他の例として、遮光層１６０は、絶縁性ブラックマトリクス層であってもよい。より詳細には、遮光層１６０は、例えば、クロム酸化物（ＣｒＯｘ）又はマンガン酸化物（ＭｎＯｘ（ｘ＝２又は３））からなる。遮光層１６０の光学密度は、波長２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下において例えば２．０以上、好ましくは３．５以上である。
　可視光（４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長）において、遮光層１６０の反射率は、例えば１０％以下であることが好ましい。遮光層１６０の反射率がこの値の範囲にある場合、遮光層１６０によって反射する光の量を少なくすることができる。
　本変形例においても、絶縁層１５０の下面は、遮光層１６０によって覆われている。このため、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０側に向かう光は、遮光層１６０によって遮られる。このため、絶縁層１５０が基板１００の第２面１０４側からの光（具体的には、紫外線）によってアウトガスを発生させることが抑制される。
（変形例２）
　図１６は、変形例２に係る発光装置１０を示す断面図であり、第１の実施形態の図３に対応する。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様である。
　本図に示す例において、遮光層１６０は、第１層１６０ａ及び第２層１６０ｂを有している。第１層１６０ａは、基板１００の第１面１０２上にある。第２層１６０ｂは、第１層１６０ａ上にある。可視光（４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長）において、第１層１６０ａの反射率は、第２層１６０ｂの反射率よりも低い。具体的には、可視光（４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長）において、第１層１６０ａの反射率は、例えば１０％以下であることが好ましい。これにより、基板１００の第２面１０４側から光が照射された場合、第２層１６０ｂの反射率が高くても、遮光層１６０によって反射する光の量を少なくすることができる。
　第１例において、第１層１６０ａは、クロム酸化物（ＣｒＯｘ）であり、第２層１６０ｂは、クロム（Ｃｒ）である。第２例において、第１層１６０ａは、マンガン酸化物マンガン酸化物（ＭｎＯｘ（ｘ＝２又は３））であり、第２層１６０ｂは、ＭＡＭ（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層膜）である。
（変形例３）
　図１７は、変形例３に係る発光装置１０を示す断面図であり、第１の実施形態の図３に対応する。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様である。
　本図に示す例において、遮光層１６０は、紫外線吸収剤を含んでいる。紫外線吸収剤は、ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、トリアジン、シアノアクリレート、オキザニリド、サリシレート及びホルムアミジンからなる群から選択される紫外線吸収剤である。これにより、遮光層１６０の紫外線の吸収率が高くなる。
　遮光層１６０は、導電性を有していてもよいし、又は導電性を有していなくてもよい。例えば、遮光層１６０は、上記した紫外線吸収剤を含んだ樹脂からなる。
（変形例４）
　図１８は、変形例４に係る発光装置１０を示す平面図であり、第１の実施形態の図１に対応する。図１９は、図１８から第２電極１３０、絶縁層１５０、第１導電層２１０及び第２導電層２３０を取り除いた図であり、第１の実施形態の図２に対応する。図２０は、図１８のＢ－Ｂ断面図であり、第１の実施形態の図４に対応する。本変形例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、第１の実施形態に係る発光装置１０と同様である。
　図１８に示すように、本変形例では、第２導電層２３０は、第２配線１３４（例えば、図１）を有していない。第２電極１３０は、第２配線１３４（例えば、図１）を介さずに第２端子１３２（第２導電層２３０）に接続している。図１９に示すように、本変形例では、遮光層２７０は、遮光層１７０（例えば、図２）を有していない。
　図２０に示す例において、遮光層１７２（遮光層２７０）は、図４に示した遮光層１７０と同様にして、絶縁層１５０の下面の一部を覆っている。具体的には、図２０に示すように、絶縁層１５０の第２部分１５３及び遮光層１６０の第２部分１６３の各々は、発光部１４０の外側を向いた端部（図４を用いて説明した第２端部）を有している。これに対して、遮光層１７２（遮光層２７０）は、発光部１４０の中心側を向いた第１端部を有している。遮光層１７２（遮光層２７０）の第１端部は、絶縁層１５０の第２端部よりも内側にあって、距離Ｇを置いて遮光層１６０の第２部分１６３の第２端部から離れている。図４に示した例と同様にして、距離Ｇは、できる限り小さいことが好ましい。距離Ｇが小さい場合、基板１００の第２面１０４側から絶縁層１５０の第２部分１５３側に向かう光のほとんどは、遮光層１６０の第２部分１６３及び遮光層１７２（遮光層２７０）によって遮られる。
　なお、図１９に示す例において、遮光層１７２（遮光層２７０）は、第２電極１３０の長手方向と交差する方向（具体的には、直交する方向）に沿った長手方向を有する第１部分と、第２電極１３０の長手方向に沿った長手方向を有する２つの第２部分と、を含んでいる。２つの第２部分は、第１部分の両端に接続しており、複数の第２電極１３０を挟んで互いに対向している。図１９に示す例では、遮光層１７２（遮光層２７０）の第１部分の幅は、遮光層１７２（遮光層２７０）の第２部分の幅よりも広い。遮光層１７２（遮光層２７０）の第２部分の幅は、遮光層１６２の幅とほぼ等しく、例えば、遮光層１６２の幅の９５％以上１０５％以下である。
　以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

Claims (16)

  1. 　基板と、
    　前記基板上にあって、樹脂を含む絶縁層と、
    　前記基板に垂直な方向から見たとき、前記基板と前記絶縁層の間に少なくとも一部が重なるように配置される第１遮光層と、
    を備え、
    　前記第１遮光層の上端は、前記絶縁層の下端と同じ高さにあり、又は前記絶縁層の下端よりも下にある発光装置。
  2. 　基板と、
    　前記基板上にあって、樹脂を含む絶縁層と、
    　前記基板と前記絶縁層の間の第１遮光層と、
    を備え、
    　前記絶縁層の幅方向において、前記絶縁層は、前記絶縁層の全幅の９０％以上に亘って前記第１遮光層の両端の間にある発光装置。
  3. 　請求項１又は２に記載の発光装置において、
    　前記第１遮光層の幅は、前記絶縁層の幅以上である発光装置。
  4. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板上にあって、透光性を有する第１電極を備え、
    　前記第１遮光層は、前記第１電極によって覆われており、
    　前記絶縁層は、前記第１電極上にある発光装置。
  5. 　請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記基板上にあって、透光性を有する第１電極を備え、
    　前記第１遮光層及び前記絶縁層は、前記第１電極上にある発光装置。
  6. 　請求項４又は５に記載の発光装置において、
    　前記第１電極上の有機層と、
    　前記有機層上の第２電極と、
    　前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が互いに重なった発光部と、
    を備え、
    　前記絶縁層及び前記第１遮光層の各々は、前記絶縁層の幅方向に沿って前記発光部の中心側を向いた第１端部と、前記絶縁層の幅方向に沿って前記発光部の外側を向いた第２端部と、を有し、
    　前記絶縁層の幅方向において、
    　　前記第１遮光層の前記第１端部は、前記絶縁層の前記第１端部よりも外側にあり、
    　　前記第１遮光層の前記第２端部は、前記絶縁層の前記第２端部よりも外側にある発光装置。
  7. 　請求項４又は５に記載の発光装置において、
    　前記第１電極上の有機層と、
    　前記有機層上の第２電極と、
    　前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が互いに重なった発光部と、
    を備え、
    　前記絶縁層及び前記第１遮光層の各々は、前記絶縁層の幅方向に沿って前記発光部の中心側を向いた第１端部と、前記絶縁層の幅方向に沿って前記発光部の外側を向いた第２端部と、を有し、
    　前記絶縁層の幅方向において、
    　　前記第１遮光層の前記第１端部は、前記絶縁層の前記第１端部よりも内側にあり、
    　　前記第１遮光層の前記第２端部は、前記絶縁層の前記第２端部よりも外側にある発光装置。
  8. 　請求項４又は５に記載の発光装置において、
    　前記第１電極上の有機層と、
    　前記有機層上の第２電極と、
    　前記第１電極、前記有機層及び前記第２電極が互いに重なった発光部と、
    を備え、
    　前記絶縁層及び前記第１遮光層の各々は、前記絶縁層の幅方向に沿って前記発光部の中心側を向いた第１端部と、前記絶縁層の幅方向に沿って前記発光部の外側を向いた第２端部と、を有し、
    　前記絶縁層の幅方向において、
    　　前記第１遮光層の前記第１端部は、前記絶縁層の前記第１端部よりも外側にあり、
    　　前記第１遮光層の前記第２端部は、前記絶縁層の前記第２端部よりも内側にある発光装置。
  9. 　請求項４～８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１遮光層は、前記第１電極に電気的に接続しており、
    　前記第１遮光層の導電率は、前記第１電極の導電率よりも高い発光装置。
  10. 　請求項４～８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１遮光層の導電率は、前記第１電極の導電率以下である発光装置。
  11. 　請求項４～８のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１遮光層は、前記基板上の第１層と、前記第１層上の第２層と、を含み、
    　４００ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長において、前記第１層の反射率は、前記第２層の反射率よりも低い発光装置。
  12. 　請求項１～１１のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記絶縁層を覆う第２遮光層を備える発光装置。
  13. 　請求項１～８、１１又は１２のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記第１遮光層は、紫外線吸収剤を含んでいる発光装置。
  14. 　請求項１３に記載の発光装置において、
    　前記紫外線吸収剤は、ベンゾトリアゾール、ベンゾフェノン、トリアジン、シアノアクリレート、オキザニリド、サリシレート及びホルムアミジンからなる群から選択される紫外線吸収剤である発光装置。
  15. 　請求項１～１４のいずれか一項に記載の発光装置において、
    　前記絶縁層は、撥液剤を含んでいる発光装置。
  16. 　請求項１５に記載の発光装置において、
    　前記撥液剤は、フッ素系化合物である発光装置。
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