WO2015156235A1

WO2015156235A1 - 発光素子およびそれに用いる組成物

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Publication number: WO2015156235A1
Application number: PCT/JP2015/060679
Authority: WO
Inventors: 敏明佐々田; 津幡　義昭; 星一郎横家
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2014-04-09
Filing date: 2015-03-30
Publication date: 2015-10-15
Also published as: CN106133938A; KR20160143723A; KR102311404B1; JPWO2015156235A1; CN106133938B; EP3131131A4; JP6610536B2; EP3131131A1; US20170117491A1; EP3131131B1

Abstract

　陽極と、　陰極と、　陽極および陰極の間に設けられた第１の有機層と、　陽極および陰極の間に設けられた第２の有機層とを含み、　第１の有機層が、式（Ｈ－Ａ）で表される化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物を用いて得られる層であり、　第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物を用いて得られる層である発光素子。［式（Ｈ－Ａ）中、　Ｚ^Ａは、－Ｎ（Ｒ^ＺＡ）－で表される基、硫黄原子、酸素原子等を表す。Ｒ^ＺＡおよびＲ^Ｚ１～Ｒ^Ｚ４は、水素原子または置換基を表す。但し、Ｒ^Ｚ１～Ｒ^Ｚ４の少なくとも１つは１価の複素環基である。Ｚ^１～Ｚ^４は、炭素原子または窒素原子を表す。　環Ｒ^ＨＡは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。］［式（１）中、　Ｍは、イリジウム原子、白金原子等を表す。　ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２または３である。　Ｅ^１Ａ～Ｅ^４ＡおよびＥ^２は、窒素原子または炭素原子を表す。　Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａは、水素原子または置換基を表す。　環Ｒ^１Ａは、トリアゾール環を表す。　環Ｒ^Ｂは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表す。　Ａ^１－Ｇ^１－Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表す。］

Description

発光素子およびそれに用いる組成物

　本発明は、発光素子およびそれに用いる組成物に関する。

　有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）等の発光素子は、外部量子効率が高く、駆動電圧が低いことから、ディスプレイおよび照明の用途に好適に使用することが可能であり、近年、注目されている。この発光素子は、発光層、電荷輸送層等の有機層を備える。
　特許文献１には、下記式で表される金属錯体Ａ１および低分子化合物Ａ１を発光層に用いた発光素子が記載されている。また、特許文献２には、下記式で表される金属錯体Ａ２および低分子化合物Ａ２を発光層に用いた発光素子が記載されている。

国際公開第２００４／１０１７０７号特開２０１０−１３５４６７号公報

　しかし、上記の特許文献１および２に記載された発光素子は、外部量子効率が必ずしも十分ではなかった。
　そこで、本発明は、外部量子効率に優れる発光素子を提供することを目的とする。本発明はまた、外部量子効率に優れる発光素子の製造に有用な組成物を提供することを目的とする。

　本発明は、第一に、
　陽極と、
　陰極と、
　陽極および陰極の間に設けられた第１の有機層と、
　陽極および陰極の間に設けられた第２の有機層とを含み、
　第１の有機層が、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物を用いて得られる層であり、
　第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物を用いて得られる層である発光素子を提供する。

［式中、
　Ｚ^Ａは、−Ｃ（Ｒ^ＺＡ）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^ＺＡ）_２−で表される基、−Ｎ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、−Ｂ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、−Ｐ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、硫黄原子または酸素原子を表す。Ｒ^ＺＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＺＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４のうち、少なくとも１つは炭素原子である。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ１は存在しない。Ｚ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ２は存在しない。Ｚ^３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ３は存在しない。Ｚ^４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ４は存在しない。但し、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。
　環Ｒ^ＨＡは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｒ^Ｚ１とＲ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ２とＲ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ３とＲ^Ｚ４、Ｒ^Ｚ１とＲ^ＺＡ、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^ＺＡ、および、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^Ｚ４は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　環Ｒ^Ｈ１および環Ｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子または白金原子を表す。
　ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２または３である。Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子またはイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍがパラジウム原子または白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
　Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。但し、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａのうち、２つは窒素原子であり、残りの２つは炭素原子である。Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｅ^２は、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｅ^１ＡおよびＥ^２のうち、少なくとも一方は炭素原子である。
　Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａが複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２ＡとＲ^３Ａ、Ｒ^３ＡとＲ^４Ａ、および、環Ｒ^Ｂが有していてもよい置換基とＲ^２Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｅ^２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^３Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^４Ａが窒素原子の場合、Ｒ^４Ａは存在しても存在しなくてもよい。
　環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａとで構成されるトリアゾール環を表す。
　環Ｒ^Ｂは、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^Ｂが６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^２は炭素原子である。
　Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、環を構成する炭素原子、酸素原子または窒素原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　本発明は、第二に、
　式（Ｈ−Ｂ）で表される化合物と、
　式（１−Ａ１）で表される金属錯体および式（１−Ａ２）で表される金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属錯体とを含有する組成物を提供する。

［式中、
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４のうち、少なくとも１つは炭素原子である。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ１は存在しない。Ｚ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ２は存在しない。Ｚ^３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ３は存在しない。Ｚ^４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ４は存在しない。但し、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。
　環Ｒ^ＨＡは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｒ^Ｚ１とＲ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ２とＲ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ３とＲ^Ｚ４、Ｒ^Ｚ１とＲ^ＺＡ、および、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^Ｚ４は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　Ｍ^１は、イリジウム原子または白金原子を表す。
　ｎ^１Ａは２または３の整数を表し、Ｍ^１がイリジウムの場合、ｎ^１Ａは３であり、Ｍ^１が白金の場合、ｎ^１Ａは２である。
　Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３ＡとＲ^４Ａ、Ｒ^２ＡとＲ^２Ｂ、Ｒ^２ＢとＲ^３Ｂ、Ｒ^３ＢとＲ^４Ｂ、および、Ｒ^４ＢとＲ^５Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

　本発明によれば、外部量子効率に優れる発光素子を提供することができる。また、本発明によれば、外部量子効率に優れる発光素子の製造に有用な組成物を提供することができる。

　以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。
　＜共通する用語の説明＞
　本明細書で共通して用いられる用語は、特記しない限り、以下の意味である。
　Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｂｕはブチル基、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。
　水素原子は、重水素原子であっても、軽水素原子であってもよい。
　金属錯体を表す式中、中心金属との結合を表す実線は、共有結合または配位結合を意味する。
　「高分子化合物」とは、分子量分布を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３~１×１０^８である重合体を意味する。
　高分子化合物は、ブロック共重合体、ランダム共重合体、交互共重合体、グラフト共重合体のいずれであってもよいし、その他の態様であってもよい。
　高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、高分子化合物を発光素子の作製に用いた場合に発光特性または輝度寿命が低下する可能性があるので、好ましくは安定な基である。この末端基としては、好ましくは主鎖と共役結合している基であり、例えば、炭素−炭素結合を介してアリール基または１価の複素環基と結合している基が挙げられる。
　「低分子化合物」とは、分子量分布を有さず、分子量が１×１０^４以下の化合物を意味する。
　「構成単位」とは、高分子化合物中に１個以上存在する単位を意味する。
　「アルキル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１~５０であり、好ましくは３~３０であり、より好ましくは４~２０である。分岐のアルキル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~５０であり、好ましくは３~３０であり、より好ましくは４~２０である。
　アルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、イソアミル基、２−エチルブチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−プロピルヘプチル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、２−エチルオクチル基、２−ヘキシルデシル基、ドデシル基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられ、例えば、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、３−フェニルプロピル基、３−（４−メチルフェニル）プロピル基、３−（３，５−ジ−ヘキシルフェニル）プロピル基、６−エチルオキシヘキシル基が挙げられる。
　「シクロアルキル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~５０であり、好ましくは３~３０であり、より好ましくは４~２０である。
　シクロアルキル基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシル基、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基が挙げられる。
　「アリール基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。アリール基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６~６０であり、好ましくは６~２０であり、より好ましくは６~１０である。
　アリール基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、２−フルオレニル基、３−フルオレニル基、４−フルオレニル基、２−フェニルフェニル基、３−フェニルフェニル基、４−フェニルフェニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
　「アルコキシ基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１~４０であり、好ましくは４~１０である。分岐のアルコキシ基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~４０であり、好ましくは４~１０である。
　アルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、イソブチルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
　「シクロアルコキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~４０であり、好ましくは４~１０である。
　シクロアルコキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、シクロヘキシルオキシ基が挙げられる。
　「アリールオキシ基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６~６０であり、好ましくは７~４８である。
　アリールオキシ基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、１−アントラセニルオキシ基、９−アントラセニルオキシ基、１−ピレニルオキシ基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、フッ素原子等で置換された基が挙げられる。
　「ｐ価の複素環基」（ｐは、１以上の整数を表す。）とは、複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団を意味する。ｐ価の複素環基の中でも、芳香族複素環式化合物から、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうちｐ個の水素原子を除いた残りの原子団である「ｐ価の芳香族複素環基」が好ましい。
　「芳香族複素環式化合物」は、オキサジアゾール、チアジアゾール、チアゾール、オキサゾール、チオフェン、ピロール、ホスホール、フラン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、トリアジン、ピリダジン、キノリン、イソキノリン、カルバゾール、ジベンゾホスホール等の複素環自体が芳香族性を示す化合物、および、フェノキサジン、フェノチアジン、ジベンゾボロール、ジベンゾシロール、ベンゾピラン等の複素環自体は芳香族性を示さなくとも、複素環に芳香環が縮環されている化合物を意味する。
　１価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２~６０であり、好ましくは４~２０である。
　１価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、チエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、および、これらの基における水素原子が、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基等で置換された基が挙げられる。
　「ハロゲン原子」とは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子を示す。
　「アミノ基」は、置換基を有していてもよく、置換アミノ基が好ましい。アミノ基が有する置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基が好ましい。
　置換アミノ基としては、例えば、ジアルキルアミノ基、ジシクロアルキルアミノ基およびジアリールアミノ基が挙げられる。
　アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）アミノ基が挙げられる。
　「アルケニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。直鎖のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常２~３０であり、好ましくは３~２０である。分岐のアルケニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~３０であり、好ましくは４~２０である。
　「シクロアルケニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~３０であり、好ましくは４~２０である。
　アルケニル基およびシクロアルケニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、ビニル基、１−プロペニル基、２−プロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、３−ペンテニル基、４−ペンテニル基、１−ヘキセニル基、５−ヘキセニル基、７−オクテニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
　「アルキニル基」は、直鎖および分岐のいずれでもよい。アルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常２~２０であり、好ましくは３~２０である。分岐のアルキニル基の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４~３０であり、好ましくは４~２０である。
　「シクロアルキニル基」の炭素原子数は、置換基の炭素原子を含めないで、通常４~３０であり、好ましくは４~２０である。
　アルキニル基およびシクロアルキニル基は、置換基を有していてもよく、例えば、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、１−ヘキシニル基、５−ヘキシニル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられる。
　「アリーレン基」は、芳香族炭化水素から環を構成する炭素原子に直接結合する水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。アリーレン基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、６~６０であり、好ましくは６~３０であり、より好ましくは６~１８である。
　アリーレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、ナフタセンジイル基、フルオレンジイル基、ピレンジイル基、ペリレンジイル基、クリセンジイル基、および、これらの基が置換基を有する基が挙げられ、好ましくは、式（Ａ−１）~式（Ａ−２０）で表される基である。アリーレン基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表す。複数存在するＲおよびＲ^ａは、各々、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^ａ同士は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよい。］
　２価の複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常、２~６０であり、好ましくは、３~２０であり、より好ましくは、４~１５である。
　２価の複素環基は、置換基を有していてもよく、例えば、ピリジン、ジアザベンゼン、トリアジン、アザナフタレン、ジアザナフタレン、カルバゾール、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、ジベンゾシロール、フェノキサジン、フェノチアジン、アクリジン、ジヒドロアクリジン、フラン、チオフェン、アゾール、ジアゾール、トリアゾールから、環を構成する炭素原子またはヘテロ原子に直接結合している水素原子のうち２個の水素原子を除いた２価の基が挙げられ、好ましくは、式（ＡＡ−１）~式（ＡＡ−３４）で表される基である。２価の複素環基は、これらの基が複数結合した基を含む。

［式中、ＲおよびＲ^ａは、前記と同じ意味を表す。］
　「架橋基」とは、加熱処理、紫外線照射処理、ラジカル反応等に供することにより、新たな結合を生成することが可能な基であり、好ましくは、架橋基Ａ群の式（ＸＬ−１）~（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。
（架橋基Ａ群）

［式中、Ｒ^ＸＬは、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎ^ＸＬは、０~５の整数を表す。Ｒ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋性基は置換基を有していてもよい。］
　「置換基」とは、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基またはシクロアルキニル基を表す。置換基は架橋基またはデンドロンであってもよい。
　「デンドロン」とは、原子または環を分岐点とする規則的な樹枝状分岐構造（即ち、デンドリマー構造）を有する基を意味する。デンドロンを有する化合物（以下、「デンドリマー」と言う。）としては、例えば、国際公開第０２／０６７３４３号、特開２００３−２３１６９２号公報、国際公開第２００３／０７９７３６号、国際公開第２００６／０９７７１７号等の文献に記載の構造が挙げられる。
　デンドロンとしては、好ましくは、式（Ｄ−Ａ）または（Ｄ−Ｂ）で表される基である。

［式中、
　ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２およびｍ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２およびＡｒ^ＤＡ３が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
　ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。
　Ｇ^ＤＡは、窒素原子、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＧ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。
　Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｔ^ＤＡは、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数あるＴ^ＤＡは、同一でも異なっていてもよい。］
　ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、通常１０以下の整数であり、好ましくは５以下の整数であり、より好ましくは０または１である。ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることが好ましく、ｍ^ＤＡ１、ｍ^ＤＡ２、ｍ^ＤＡ３、ｍ^ＤＡ４、ｍ^ＤＡ５、ｍ^ＤＡ６およびｍ^ＤＡ７は、同一の整数であることがより好ましい。
　Ｇ^ＤＡは、好ましくは式（ＧＤＡ−１１）~（ＧＤＡ−１５）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、
　＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ１、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３との結合を表す。
　＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ２、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ４、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ６との結合を表す。
　＊＊＊は、式（Ｄ−Ａ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ３、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ５、または、式（Ｄ−Ｂ）におけるＡｒ^ＤＡ７との結合を表す。
　Ｒ^ＤＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は更に置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＡが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　Ｒ^ＤＡは、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基であり、より好ましくは水素原子、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^ＤＡ１、Ａｒ^ＤＡ２、Ａｒ^ＤＡ３、Ａｒ^ＤＡ４、Ａｒ^ＤＡ５、Ａｒ^ＤＡ６およびＡｒ^ＤＡ７は、好ましくは式（ＡｒＤＡ−１）~（ＡｒＤＡ−３）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^ＤＢは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＤＢが複数ある場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　Ｒ^ＤＢは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基または１価の複素環基であり、更に好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｔ^ＤＡは、好ましくは式（ＴＤＡ−１）~（ＴＤＡ−３）で表される基である。

［式中、Ｒ^ＤＡおよびＲ^ＤＢは前記と同じ意味を表す。］
　式（Ｄ−Ａ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ａ１）~（Ｄ−Ａ４）で表される基であり、より好ましくは式（Ｄ−Ａ１）~（Ｄ−Ａ３）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ＤＡは前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ｎｐ１は、０~５の整数を表し、ｎｐ２は０~３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。複数あるｎｐ１は、同一でも異なっていてもよい。］
　式（Ｄ−Ｂ）で表される基は、好ましくは式（Ｄ−Ｂ１）~（Ｄ−Ｂ３）で表される基である。

［式中、
　Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、それぞれ独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基またはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｐ１およびＲ^ｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　ｎｐ１は０~５の整数を表し、ｎｐ２は０~３の整数を表し、ｎｐ３は０または１を表す。ｎｐ１およびｎｐ２が複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。］
　ｎｐ１は、好ましくは０または１であり、より好ましくは１である。ｎｐ２は、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。ｎｐ３は好ましくは０である。
　Ｒ^ｐ１、Ｒ^ｐ２およびＲ^ｐ３は、好ましくはアルキル基またはシクロアルキル基である。
　＜発光素子＞
　次に、本発明の発光素子について説明する。
　本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた第１の有機層と、陽極および陰極の間に設けられた第２の有機層とを含み、第１の有機層が、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物を用いて得られる層であり、第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物を用いて得られる層である発光素子である。
　第１の有機層と該有機層を形成するための組成物との関係についていう「用いて得られる」とは、組成物を用いて第１の有機層が形成されていることを意味する。組成物がそのまま第１の有機層に含まれていてもよいし、組成物に含有される材料が分子内、分子間、または、それらの両方で架橋した状態で第１の有機層に含有されていてもよい。
　第２の有機層と該有機層を形成するための高分子化合物との関係についていう「用いて得られる」とは、高分子化合物を用いて第２の有機層が形成されていることを意味する。高分子化合物がそのまま第２の有機層に含まれていてもよいし、高分子化合物が分子内、分子間、または、それらの両方で架橋した状態で第２の有機層に含有されていてもよい。
　第１の有機層および第２の有機層の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、並びに、スピンコート法およびインクジェット印刷法に代表される塗布法が挙げられる。
　第１の有機層を塗布法により形成する場合、後述する第１の有機層のインクを用いることが好ましい。第１の有機層を形成後、加熱または光照射することで、組成物に含有される材料を架橋させることができる。組成物に含有される材料が架橋された状態で、第１の有機層に含有されている場合、第１の有機層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、該第１の有機層は、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
　第２の有機層を塗布法により形成する場合、後述する第２の有機層のインクを用いることが好ましい。第２の有機層を形成後、加熱または光照射することで、高分子化合物を架橋させることができる。高分子化合物が架橋された状態で、第２の有機層に含有されている場合、第２の有機層は溶媒に対して実質的に不溶化されている。そのため、該第２の有機層は、発光素子の積層化に好適に使用することができる。
　本発明の発光素子は、高分子化合物が架橋された状態で、第２の有機層に含有されていることが好ましい。
　架橋させるための加熱の温度は、通常、２５~３００℃であり、好ましくは５０~２５０℃であり、より好ましくは１５０~２００℃である。
　架橋させるための光照射に用いられる光の種類は、例えば、紫外光、近紫外光、可視光である。
　＜第１の有機層＞
　第１の有機層は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物（以下、「第１の有機層の組成物」ともいう。）を用いて得られる層である。
　［式（Ｈ−Ａ）で表される化合物］

　Ｚ^Ａは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、−Ｃ（Ｒ^ＺＡ）_２−で表される基、−Ｎ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、酸素原子または硫黄原子であることが好ましく、−Ｎ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、酸素原子または硫黄原子であることがより好ましく、−Ｎ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基または硫黄原子であることが更に好ましく、硫黄原子であることが特に好ましい。すなわち、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物は、式（Ｈ−Ｂ）で表される化合物であることが好ましい。

　Ｒ^ＺＡは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましく、アルキル基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^ＺＡで表されるアリール基としては、フェニル基、フルオレニル基またはスピロビフルオレニル基が好ましく、フェニル基がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^ＺＡで表される１価の複素環基としては、ピリジル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基、カルバゾリル基またはアザカルバゾリル基が好ましく、ピリジル基、ジベンゾチエニル基、ジベンゾフリル基またはカルバゾリル基がより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^ＺＡが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基または１価の複素環基が好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基がより好ましく、アルキル基、アリール基または１価の複素環基が更に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
　本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４のうち、少なくとも３つが炭素原子であることが好ましく、すべてが炭素原子であることがより好ましい。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、水素原子、アリール基または１価の複素環基であることが更に好ましく、水素原子または１価の複素環基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４で表されるアリール基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡで表されるアリール基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４で表される１価の複素環基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡで表される１価の複素環基の例および好ましい範囲と同じである。但し、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。
　本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、Ｒ^Ｚ１またはＲ^Ｚ３が式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基であることが好ましく、Ｒ^Ｚ３が式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基であることがより好ましい。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４が有していてもよい置換基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡが有していてもよい置換基の例および好ましい範囲と同じである。
　環Ｒ^ＨＡは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、ベンゼン環、フルオレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環またはカルバゾール環であることが好ましく、ベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環であることがより好ましく、ベンゼン環またはピリジン環であることが更に好ましく、ベンゼン環であることが特に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
　環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡが有していてもよい置換基の例および好ましい範囲と同じである。

　環Ｒ^Ｈ１および環Ｒ^Ｈ２の例および好ましい範囲は、環Ｒ^ＨＡの例および好ましい範囲と同じである。
　式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｈ−２）で表される１価の複素環基であることが好ましい。

［式中、
　Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３、Ｚ^Ｈ４、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。
　Ｒ^Ｈ１、Ｒ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４、Ｒ^Ｈ５、Ｒ^Ｈ６、Ｒ^Ｈ７およびＲ^Ｈ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^Ｈ１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ１は存在しない。Ｚ^Ｈ２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ２は存在しない。Ｚ^Ｈ３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ３は存在しない。Ｚ^Ｈ４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ４は存在しない。Ｚ^Ｈ５が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ５は存在しない。Ｚ^Ｈ６が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ６は存在しない。Ｚ^Ｈ７が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ７は存在しない。Ｚ^Ｈ８が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ８は存在しない。
　Ｒ^Ｈ１とＲ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ２とＲ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ３とＲ^Ｈ４、Ｒ^Ｈ４とＲ^Ｈ５、Ｒ^Ｈ５とＲ^Ｈ６、Ｒ^Ｈ６とＲ^Ｈ７、および、Ｒ^Ｈ７とＲ^Ｈ８は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
　本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３、Ｚ^Ｈ４、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８のうち、少なくとも６つは炭素原子であることが好ましく、少なくとも７つは炭素原子であることがより好ましく、すべてが炭素原子であることが更に好ましい。
　Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３、Ｚ^Ｈ４、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８のうちの２つが窒素原子である場合、Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３およびＺ^Ｈ４のうちの１つが窒素原子であり、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８のうちの１つが窒素原子であることが好ましい。
　Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３、Ｚ^Ｈ４、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８のうちの１つが窒素原子である場合、Ｚ^Ｈ３またはＺ^Ｈ４が窒素原子であることが好ましい。
　Ｒ^Ｈ１、Ｒ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４、Ｒ^Ｈ５、Ｒ^Ｈ６、Ｒ^Ｈ７およびＲ^Ｈ８は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^Ｈ１、Ｒ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４、Ｒ^Ｈ５、Ｒ^Ｈ６、Ｒ^Ｈ７およびＲ^Ｈ８が有していてもよい置換基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡが有していてもよい置換基の例および好ましい範囲と同じである。
　式（Ｈ−２）で表される１価の複素環基としては、式（Ｈ−２−１）~式（Ｈ−２−６）で表される１価の複素環基が好ましく、式（Ｈ−２−１）~式（Ｈ−２−３）で表される１価の複素環基がより好ましく、式（Ｈ−２−１）で表される基が更に好ましい。

［式中、Ｒ^Ｈ３およびＲ^Ｈ６は前記と同じ意味を表す。］
　式（Ｈ−２）で表される１価の複素環基の具体例としては、式（Ｈ−２−１’）~式（Ｈ−２−１１’）で表される１価の複素環基が挙げられる。

　式（Ｈ−Ａ）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｈ−Ａ１）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、
　Ｚ^Ａ、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、前記と同じ意味を表す。
　Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７およびＺ^８は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。
　Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^５が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ５は存在しない。Ｚ^６が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ６は存在しない。Ｚ^７が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ７は存在しない。Ｚ^８が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ８は存在しない。
　Ｒ^Ｚ４とＲ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ５とＲ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ６とＲ^Ｚ７、Ｒ^Ｚ７とＲ^Ｚ８、および、Ｒ^Ｚ８とＲ^ＺＡは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
　式（Ｈ−Ａ１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｈ−Ｂ１）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７、Ｚ^８、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ４、Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８は前記と同じ意味を表す。］
　本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７およびＺ^８のうち、少なくとも３つが炭素原子であることが好ましく、すべてが炭素原子であることがより好ましい。
　Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基または１価の複素環基であることがより好ましく、水素原子、アリール基または１価の複素環基であることが更に好ましく、水素原子または１価の複素環基であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８で表されるアリール基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡで表されるアリール基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８で表される１価の複素環基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡで表される１価の複素環基の例および好ましい範囲と同じである。
　本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基であることが好ましく、Ｒ^Ｚ６またはＲ^Ｚ８が式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基であることがより好ましく、Ｒ^Ｚ６が式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基であることが更に好ましい。
　Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８が有していてもよい置換基の例および好ましい範囲は、Ｒ^ＺＡが有していてもよい置換基の例および好ましい範囲と同じである。
　式（Ｈ−Ａ１）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｈ−Ａ２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ｚ^Ａ、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ６およびＲ^Ｚ８は、前記と同じ意味を表す。但し、Ｒ^Ｚ１およびＲ^Ｚ３のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。］
　式（Ｈ−Ａ２）で表される化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｈ−Ｂ２）で表される化合物であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ６およびＲ^Ｚ８は、前記と同じ意味を表す。但し、Ｒ^Ｚ１およびＲ^Ｚ３のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。］
　式（Ｈ−Ａ）で表される化合物としては、例えば、式（Ｈ−Ａ−１）~（Ｈ−Ａ−５）で表される化合物および式（Ｈ−Ａ２−１）~（Ｈ−Ａ２−２５）で表される化合物が挙げられ、式（Ｈ−Ａ２−１）~（Ｈ−Ａ２−１５）で表される化合物が好ましく、式（Ｈ−Ａ２−１）~（Ｈ−Ａ２−１０）で表される化合物がより好ましい。なお、式（Ｈ−Ａ２−１）~（Ｈ−Ａ２−２５）で表される化合物は、式（Ｈ−Ａ２）で表される化合物である。

［式中、Ｚ^ＡおよびＲ^ＺＡは、前記と同じ意味を表す。Ｒ^ＨＸは、式（Ｈ−１）で表される基を表す。］
　式（Ｈ−Ａ２）で表される化合物としては、例えば、式（Ｈ−Ａ２−１）~（Ｈ−Ａ２−２５）で表される化合物が挙げられる。

　表１~表３中、式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基の具体例としては、前記式（Ｈ−２−１’）~式（Ｈ−２−１１’）で表される１価の複素環基が挙げられる。
　式（Ｈ−Ａ）で表される化合物は、例えば、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／０９６２０２号、特開２００９−４６４０８号公報、特開２００９−２６７２５５号公報に記載の方法に従って合成することができる。
　具体的には、式（Ｈ−Ａ’）で表される化合物と、式（Ｈ−１’）で表される化合物とを、Ｂｕｃｈｗａｌｄ−Ｈａｒｔｗｉｇ反応、Ｕｌｌｍａｎｎ反応等の公知のカップリング反応させることにより、合成することができる。詳細には、式（Ｈ−Ａ’）で表される化合物中の塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１で表される基と結合する炭素原子と、式（Ｈ−１’）で表される化合物中の窒素原子とが結合する。

［式中、
　Ｚ^Ａ、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４および環Ｒ^ＨＡは、前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^Ｚ１’、Ｒ^Ｚ２’、Ｒ^Ｚ３’およびＲ^Ｚ４’は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子または−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１（式中、Ｒ^Ｃ１は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。）で表される基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ１’は存在しない。Ｚ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ２’は存在しない。Ｚ^３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ３’は存在しない。Ｚ^４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ４’は存在しない。但し、Ｒ^Ｚ１’、Ｒ^Ｚ２’、Ｒ^Ｚ３’およびＲ^Ｚ４’のうち、少なくとも１つは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子または−Ｏ−Ｓ（＝Ｏ）_２Ｒ^Ｃ１で表される基である。
　Ｒ^Ｚ１’とＲ^Ｚ２’、Ｒ^Ｚ２’とＲ^Ｚ３’、Ｒ^Ｚ３’とＲ^Ｚ４’、Ｒ^Ｚ１’とＲ^ＺＡ、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^ＺＡ’、および、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^Ｚ４’は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、環Ｒ^Ｈ１および環Ｒ^Ｈ２は、前記と同じ意味を表す。］
　カップリング反応は、通常、触媒、塩基および反応溶媒の存在下で行われる。触媒、塩基および反応溶媒は、それぞれ、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　触媒としては、例えば、パラジウム触媒および銅触媒が挙げられる。該触媒は、アミン化合物、リン化合物等と併用してもよい。
　塩基としては、例えば、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、カリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシドが挙げられる。
　反応溶媒としては、例えば、ｔｅｒｔ−ブタノール、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、塩化メチレン、クロロホルム、アセトニトリル、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等の有機溶媒、水が挙げられる。
　カップリング反応の反応温度は、通常−１００~２００℃である。カップリング反応の反応時間は、通常、３０分以上である。
　［式（１）で表される金属錯体］

　Ｍは、本発明の発光素子の輝度寿命が優れるので、イリジウム原子または白金原子であることが好ましく、イリジウム原子であることがより好ましい。
　Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子またはイリジウム原子の場合、ｎ^１は２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
　Ｍがパラジウム原子または白金原子の場合、ｎ^１は２であることが好ましい。
　Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａのうち、２つは窒素原子であり、残りの２つは炭素原子であり、環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａとで構成されるトリアゾール環である。本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、Ｅ^２ＡおよびＥ^３Ａが窒素原子であること、または、Ｅ^２ＡおよびＥ^４Ａが窒素原子であることが好ましく、Ｅ^２ＡおよびＥ^３Ａが窒素原子であることがより好ましい。
　Ｅ^２Ａが窒素原子であり、且つ、Ｒ^２Ａが存在する場合、Ｒ^２Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｅ^２Ａが炭素原子である場合、Ｒ^２Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｅ^３Ａが窒素原子であり、且つ、Ｒ^３Ａが存在する場合、Ｒ^３Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｅ^３Ａが炭素原子である場合、Ｒ^３Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｅ^４Ａが窒素原子であり、且つ、Ｒ^４Ａが存在する場合、Ｒ^４Ａは、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることがより好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｅ^４Ａが炭素原子である場合、Ｒ^４Ａは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａで表されるデンドロンは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式（Ｄ−Ａ１）または（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ１）で表される基であることがより好ましい。
　Ｅ^２Ａが窒素原子であり、且つ、Ｒ^２Ａが存在する場合、Ｒ^２Ａで表されるデンドロンは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ４）または（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ４）で表される基であることがより好ましい。
　Ｅ^３Ａが窒素原子であり、且つ、Ｒ^３Ａが存在する場合、Ｒ^３Ａで表されるデンドロンは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ４）または（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ４）で表される基であることがより好ましい。
　Ｅ^４Ａが窒素原子であり、且つ、Ｒ^４Ａが存在する場合、Ｒ^４Ａで表されるデンドロンは、本発明の発光素子の外部量子効率が優れるので、式（Ｄ−Ａ１）、（Ｄ−Ａ４）または（Ｄ−Ｂ１）で表される基であることが好ましく、式（Ｄ−Ａ４）で表される基であることがより好ましい。
　Ｅ^２は、式（１）で表される金属錯体の合成が容易であるので、炭素原子であることが好ましい。
　環Ｒ^Ｂは、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、ピリジン環、ジアザベンゼン環またはトリアジン環であることが好ましく、ベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環であることがより好ましく、ベンゼン環が更に好ましく、これらの環は置換基を有していてもよい。
　環Ｒ^Ｂが有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基またはデンドロンが好ましく、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンがより好ましく、アルキル基、アリール基またはデンドロンが更に好ましく、アリール基またはデンドロンが特に好ましく、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
　環Ｒ^Ｂが有していてもよい置換基におけるデンドロンの例および好ましい範囲は、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａで表されるデンドロンの例および好ましい範囲と同様である。
　Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子としては、例えば、下記式で表される配位子が挙げられる。

［式中、＊２は、Ｍまたは後述するＭ^１と結合する部位を示す。］
　Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２で表されるアニオン性の２座配位子は、下記式で表される配位子であってもよい。

［式中、
　＊２は、前記と同じ意味を表す。
　Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｌ１は、同一でも異なっていてもよい。
　Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
　Ｒ^Ｌ１は、水素原子、アルキル基、アリール基、フッ素原子またはデンドロンであることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^Ｌ２は、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることが好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　式（１）で表される金属錯体は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（１−Ａ）で表される金属錯体であることが好ましい。

［式中、
　Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３Ａ、Ｅ^４Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、環Ｒ^１ＡおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
　Ｍ^１は、イリジウム原子または白金原子を表す。
　ｎ^３は１以上の整数を表し、ｎ^４は０以上の整数を表し、ｎ^３＋ｎ^４は２または３である。Ｍ^１がイリジウム原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は３であり、Ｍ^１が白金原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は２である。
　Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢおよびＥ^５Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢおよびＥ^５Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２Ｂは存在しない。Ｅ^３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^３Ｂは存在しない。Ｅ^４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^４Ｂは存在しない。Ｅ^５Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^５Ｂは存在しない。
　Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２ＡとＲ^３Ａ、Ｒ^３ＡとＲ^４Ａ、Ｒ^２ＡとＲ^２Ｂ、Ｒ^２ＢとＲ^３Ｂ、Ｒ^３ＢとＲ^４Ｂ、および、Ｒ^４ＢとＲ^５Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　環Ｒ^１Ｂは、２つの炭素原子、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢおよびＥ^５Ｂとで構成されるベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環を表す。］
　Ｍ^１は、イリジウム原子であることが好ましい。
　Ｍ^１がイリジウム原子の場合、ｎ^３は２または３であることが好ましく、３であることがより好ましい。
　Ｍ^１が白金原子の場合、ｎ^３は２であることが好ましい。
　環Ｒ^１Ｂがピリジン環である場合、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢまたはＥ^５Ｂが窒素原子であることが好ましく、Ｅ^３Ｂが窒素原子であることがより好ましい。
　環Ｒ^１Ｂがピリミジン環である場合、Ｅ^２ＢおよびＥ^４Ｂ、または、Ｅ^３ＢおよびＥ^５Ｂが窒素原子であることが好ましく、Ｅ^３ＢおよびＥ^５Ｂが窒素原子であることがより好ましい。
　環Ｒ^１Ｂは、ベンゼン環であることが好ましい。
　Ｒ^２Ｂは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、フッ素原子またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、アルキル基またはアリール基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^３Ｂは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることが更に好ましく、水素原子、アリール基またはデンドロンであることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^４Ｂは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、フッ素原子またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基またはデンドロンであることが更に好ましく、水素原子、アリール基またはデンドロンであることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^５Ｂは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、１価の複素環基、フッ素原子またはデンドロンであることが好ましく、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはデンドロンであることがより好ましく、水素原子またはアルキル基であることが更に好ましく、水素原子であることが特に好ましく、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂで表されるデンドロンの例および好ましい範囲は、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａで表されるデンドロンの例および好ましい範囲と同様である。
　式（１−Ａ）で表される金属錯体は、式（１−Ａ１）または（１−Ａ２）で表される金属錯体であることが好ましく、式（１−Ａ１）で表される金属錯体であることがより好ましい。

［式中、
　Ｍ^１、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂは、前記と同じ意味を表す。
　ｎ^１Ａは２または３の整数を表し、Ｍ^１がイリジウムの場合、ｎ^１Ａは３であり、Ｍ^１が白金の場合、ｎ^１Ａは２である。］
　式（１）で表される金属錯体としては、例えば、式（１−１）~（１−７）、式（１−Ａ１−１）~（１−Ａ１−１８）および式（１−Ａ２−１）~（１−Ａ２−１２）で表される金属錯体が挙げられ、式（１−Ａ１−１）~（１−Ａ１−１８）または式（１−Ａ２−１）~（１−Ａ２−１２）で表される金属錯体であることが好ましく、式（１−Ａ１−１）~（１−Ａ１−１８）で表される金属錯体であることがより好ましい。なお、式（１−Ａ１−１）~（１−Ａ１−１８）で表される金属錯体は、式（１−Ａ１）で表される金属錯体であり、式（１−Ａ２−１）~（１−Ａ２−１２）で表される金属錯体は、式（１−Ａ２）で表される金属錯体である。

　表４~６中、式（Ｄ−Ａ−１）~（Ｄ−Ａ−４）で表される基は、下記のとおりである。

［式中、Ｒ^Ｐは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基またはシクロアルコキシ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｐは、同一でも異なっていてもよい。］
　Ｒ^Ｐは、水素原子またはアルキル基であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましく、メチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基または式（Ｒｐ−１）で表される基であることが更に好ましく、ｔｅｒｔ−ブチル基または式（Ｒｐ−１）で表される基であることが特に好ましい。

　式（１）で表される金属錯体は、例えば、「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０７，１４３１−１４３２（１９８５）」、「Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ａｍｅｒｉｃａｎ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１０６，６６４７−６６５３（１９８４）」、国際公開第２００４／１０１７０７号、特開２０１３−１４７４４９号公報、特開２０１３−１４７４５０号公報、特開２０１３−１４７４５１号公報に記載の方法により製造することができる。
　［第１の有機層の組成物］
　第１の有機層の組成物は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する。
　第１の有機層の組成物において、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。また、第１の有機層の組成物において、式（１）で表される金属錯体が１種単独で含有されていてもよく、２種以上含有されていてもよい。
　第１の有機層の組成物において、式（１）で表される金属錯体の含有量は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される化合物との合計を１００重量部とした場合、通常、０．０１~９０重量部であり、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、１~６０重量部であることが好ましく、１０~４０重量部であることがより好ましく、２０~３０重量部であることが更に好ましい。
　第１の有機層の組成物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物として式（Ｈ−Ｂ）で表される化合物を含有し、式（１）で表される金属錯体として、式（１−Ａ１）で表される金属錯体および式（１−Ａ２）で表される金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属錯体を含有することが好ましい。
　第１の有機層の組成物には、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料（式（１）で表される金属錯体とは異なる。）、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料が更に含有されていてもよい。
　［正孔輸送材料］
　正孔輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類され、好ましくは高分子化合物であり、より好ましくは架橋基を有する高分子化合物である。
　高分子化合物としては、例えば、ポリビニルカルバゾールおよびその誘導体；側鎖または主鎖に芳香族アミン構造を有するポリアリーレンおよびその誘導体が挙げられる。高分子化合物は、電子受容性部位が結合された化合物でもよい。電子受容性部位としては、例えば、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン、トリニトロフルオレノンが挙げられ、好ましくはフラーレンである。
　第１の有機層の組成物において、正孔輸送材料の配合量は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される金属錯体との合計を１００重量部とした場合、通常、１~４００重量部であり、好ましくは５~１５０重量部である。
　正孔輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　［電子輸送材料］
　電子輸送材料は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。電子輸送材料は、架橋基を有していてもよい。
　低分子化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンを配位子とする金属錯体、オキサジアゾール、アントラキノジメタン、ベンゾキノン、ナフトキノン、アントラキノン、テトラシアノアントラキノジメタン、フルオレノン、ジフェニルジシアノエチレンおよびジフェノキノン、並びに、これらの誘導体が挙げられる。
　高分子化合物としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフルオレン、および、これらの誘導体が挙げられる。高分子化合物は、金属でドープされていてもよい。
　第１の有機層の組成物において、電子輸送材料の配合量は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される金属錯体との合計を１００重量部とした場合、通常、１~４００重量部であり、好ましくは５~１５０重量部である。
　電子輸送材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　［正孔注入材料および電子注入材料］
　正孔注入材料および電子注入材料は、各々、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。正孔注入材料および電子注入材料は、架橋基を有していてもよい。
　低分子化合物としては、例えば、銅フタロシアニン等の金属フタロシアニン；カーボン；モリブデン、タングステン等の金属酸化物；フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化セシウム、フッ化カリウム等の金属フッ化物が挙げられる。
　高分子化合物としては、例えば、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリキノリンおよびポリキノキサリン、並びに、これらの誘導体；芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体等の導電性高分子が挙げられる。
　第１の有機層の組成物において、正孔注入材料および電子注入材料の配合量は、各々、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される金属錯体との合計を１００重量部とした場合、通常、１~４００重量部であり、好ましくは５~１５０重量部である。
　正孔注入材料および電子注入材料は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
［イオンドープ］
　正孔注入材料または電子注入材料が導電性高分子を含む場合、導電性高分子の電気伝導度は、好ましくは、１×１０^−５Ｓ／ｃｍ~１×１０^３Ｓ／ｃｍである。導電性高分子の電気伝導度をかかる範囲とするために、導電性高分子に適量のイオンをドープすることができる。
　ドープするイオンの種類は、正孔注入材料であればアニオン、電子注入材料であればカチオンである。アニオンとしては、例えば、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンが挙げられる。カチオンとしては、例えば、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンが挙げられる。
　ドープするイオンは、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　［発光材料］
　発光材料（式（１）で表される金属錯体とは異なる。）は、低分子化合物と高分子化合物とに分類される。発光材料は、架橋基を有していてもよい。
　低分子化合物としては、例えば、ナフタレンおよびその誘導体、アントラセンおよびその誘導体、ペリレンおよびその誘導体、並びに、イリジウム、白金またはユーロピウムを中心金属とする三重項発光錯体が挙げられる。
　高分子化合物としては、例えば、フェニレン基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フルオレンジイル基、フェナントレンジイル基、ジヒドロフェナントレンジイル基、式（Ｘ）で表される基、カルバゾールジイル基、フェノキサジンジイル基、フェノチアジンジイル基、ピレンジイル基等を含む高分子化合物が挙げられる。
　発光材料は、好ましくは、三重項発光錯体および高分子化合物を含む。
　三重項発光錯体としては、例えば、以下に示す金属錯体が挙げられる。

　第１の有機層の組成物において、発光材料の配合量は、各々、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される金属錯体との合計を１００重量部とした場合、通常、１~４００重量部であり、好ましくは５~１５０重量部である。
　発光材料は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　［酸化防止剤］
　酸化防止剤は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物および式（１）で表される金属錯体と同じ溶媒に可溶であり、発光および電荷輸送を阻害しない化合物であればよく、例えば、フェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤が挙げられる。
　第１の有機層の組成物において、酸化防止剤の配合量は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される金属錯体との合計を１００重量部とした場合、通常、０．００１~１０重量部である。
　酸化防止剤は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　［第１の有機層のインク］
　溶媒を含有する第１の有機層の組成物（以下、「第１の有機層のインク」ともいう。）は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、キャピラリ−コート法、ノズルコート法等の塗布法に好適に使用することができる。
　第１の有機層のインクの粘度は、塗布法の種類によって調整すればよいが、インクジェット印刷法等の溶液が吐出装置を経由する印刷法に適用する場合には、吐出時の目づまりと飛行曲がりが起こりづらいので、好ましくは２５℃において１~２０ｍＰａ・ｓである。
　第１の有機層のインクに含有される溶媒は、好ましくは、インク中の固形分を溶解または均一に分散できる溶媒である。溶媒としては、例えば、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒；ＴＨＦ、ジオキサン、アニソール、４−メチルアニソール等のエーテル系溶媒；トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、ｎ−ヘキシルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒；シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ドデカン、ビシクロヘキシル等の脂肪族炭化水素系溶媒；アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトフェノン等のケトン系溶媒；酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート、安息香酸メチル、酢酸フェニル等のエステル系溶媒；エチレングリコール、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール系溶媒；イソプロピルアルコール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が挙げられる。溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　第１の有機層のインクにおいて、溶媒の配合量は、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と式（１）で表される金属錯体との合計を１００重量部とした場合、通常、１０００~１０００００重量部であり、好ましくは２０００~２００００重量部である。
　＜第２の有機層＞
　第２の有機層は、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物（以下、「第２の有機層の高分子化合物」ともいう。）を用いて得られる層である。
　第２の有機層は、第２の有機層の高分子化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物を用いて得られる層であってもよい。第２の有機層の高分子化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物において、式（１）で表される金属錯体の含有量は、式（１）で表される金属錯体と第２の有機層の高分子化合物との合計を１００重量部とした場合、通常、０．１~５０重量部であり、好ましくは０．５~４０重量部であり、より好ましくは１~３０重量部である。
　［第２の有機層の高分子化合物］
　第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位が有する架橋基は、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基であることが好ましく、式（ＸＬ−１）、（ＸＬ−３）、（ＸＬ−５）、（ＸＬ−７）、（ＸＬ−９）、（ＸＬ−１０）、（ＸＬ−１６）または（ＸＬ−１７）で表される架橋基であることがより好ましく、式（ＸＬ−１）、（ＸＬ−３）、（ＸＬ−７）、（ＸＬ−９）、（ＸＬ−１０）、（ＸＬ−１６）または（ＸＬ−１７）で表される架橋基であることが更に好ましく、式（ＸＬ−１）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であることが特に好ましく、式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であることがとりわけ好ましい。
　第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位が有する架橋基は、１種のみでもよく、２種以上でもよい。
　第２の有機層の高分子化合物に含まれる架橋基を有する構成単位は、後述する式（２）で表される構成単位または式（２’）で表される構成単位であることが好ましいが、下記式で表される構成単位であってもよい。

　第２の有機層の高分子化合物に含まれる架橋基を有する構成単位は、式（２）で表される構成単位または式（２’）で表される構成単位であることが好ましい。
　［式（２）で表される構成単位］

［式中、
　ｎＡは０~５の整数を表し、ｎは１または２を表す。
　Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｌ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｘは、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　ｎＡは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは０~２であり、より好ましくは０または１であり、更に好ましくは０である。
　ｎは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは２である。
　Ａｒ^３は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６~６０であり、好ましくは６~３０であり、より好ましくは６~１８である。
　Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基のｎ個の置換基を除いたアリーレン基部分としては、好ましくは、式（Ａ−１）~式（Ａ−２０）で表される基であり、より好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−６）~式（Ａ−１０）、式（Ａ−１９）または式（Ａ−２０）で表される基であり、さらに好ましくは、式（Ａ−１）、式（Ａ−２）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^３で表される複素環基の炭素原子数は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常６~６０であり、好ましくは６~３０であり、より好ましくは６~１８である。
　Ａｒ^３で表される複素環基のｎ個の置換基を除いた２価の複素環基部分としては、好ましくは、式（ＡＡ−１）~式（ＡＡ−３４）で表される基である。
　Ａｒ^３で表される芳香族炭化水素基および複素環基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。
　Ｌ^Ａで表されるアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常１~１０であり、好ましくは１~５であり、より好ましくは１~３である。Ｌ^Ａで表されるシクロアルキレン基は、置換基の炭素原子数を含めないで、通常３~１０である。
　アルキレン基およびシクロアルキレン基は、置換基を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ヘキシレン基、シクロヘキシレン基、オクチレン基が挙げられる。
　Ｌ^Ａで表されるアルキレン基およびシクロアルキレン基が有していてもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、ハロゲン原子およびシアノ基が挙げられる。
　Ｌ^Ａで表されるアリーレン基は、置換基を有していてもよい。アリーレン基としては、例えば、ｏ−フェニレン基、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基が挙げられる。アリーレン基としては、フェニレン基またはフルオレンジイル基が好ましく、ｍ−フェニレン基、ｐ−フェニレン基、フルオレン−２，７−ジイル基、フルオレン−９，９−ジイル基がより好ましい。アリーレン基が有してもよい置換基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子、シアノ基および架橋基Ａ群から選ばれる架橋基が挙げられる。
　Ｌ^Ａは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になるので、好ましくはアリーレン基またはアルキレン基であり、より好ましくはフェニレン基、フルオレンジイル基またはアルキレン基であり、更に好ましくはフェニレン基またはアルキレン基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｘで表される架橋基としては、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（ＸＬ−１）、（ＸＬ−３）、（ＸＬ−７）、（ＸＬ−９）、（ＸＬ−１０）、（ＸＬ−１６）または（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、より好ましくは式（ＸＬ−１）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、更に好ましくは式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。
　式（２）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物の安定性および架橋性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５~５０モル％であり、より好ましくは３~３０モル％であり、更に好ましくは３~２０モル％である。
　式（２）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
　［式（２’）で表される構成単位］

［式中、
　ｍＡは０~５の整数を表し、ｍは１~４の整数を表し、ｃは０または１の整数を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^４およびＡｒ^６は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接または酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
　Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｘ’は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
　ｍＡは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは０または１であり、より好ましくは０である。
　ｍは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは２である。
　ｃは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になり、かつ、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは０である。
　Ａｒ^５は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である。
　Ａｒ^５で表される芳香族炭化水素基のｍ個の置換基を除いたアリーレン基部分の例および好ましい範囲は、後述する式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表されるアリーレン基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^５で表される複素環基のｍ個の置換基を除いた２価の複素環基部分の例および好ましい範囲は、後述する式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表される２価の複素環基部分の例および好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^５で表される少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環が直接結合した基のｍ個の置換基を除いた２価の基の定義や例は、後述する式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ２で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^４およびＡｒ^６は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
　Ａｒ^４およびＡｒ^６で表されるアリーレン基の例および好ましい範囲は、後述する式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^４およびＡｒ^６で表される２価の複素環基の例および好ましい範囲は、後述する式（Ｘ）におけるＡｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６で表される基は置換基を有していてもよく、置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基およびシアノ基が挙げられる。
　Ｋ^Ａで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の例および好ましい範囲は、それぞれ、Ｌ^Ａで表されるアルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基の例および好ましい範囲と同じである。
　Ｋ^Ａは、第２の有機層の高分子化合物の製造が容易になるので、フェニレン基またはメチレン基であることが好ましい。
　Ｘ’で表される架橋基としては、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（ＸＬ−１）、（ＸＬ−３）、（ＸＬ−７）、（ＸＬ−９）、（ＸＬ−１０）、（ＸＬ−１６）または（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、より好ましくは式（ＸＬ−１）または式（ＸＬ−１７）で表される架橋基であり、更に好ましくは式（ＸＬ−１７）で表される架橋基である。
　式（２’）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物の安定性が優れ、かつ、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５~５０モル％であり、より好ましくは３~３０モル％であり、更に好ましくは３~２０モル％である。
　式（２’）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
　［式（２）または（２’）で表される構成単位の好ましい態様］
　式（２）で表される構成単位としては、例えば、式（２−１）~式（２−３０）で表される構成単位が挙げられ、式（２’）で表される構成単位としては、例えば、式（２’−１）~式（２’−１３）で表される構成単位が挙げられる。これらの中でも、第２の有機層の高分子化合物の架橋性が優れるので、好ましくは式（２−１）~式（２−３０）で表される構成単位であり、より好ましくは式（２−１）~式（２−１５）、式（２−１９）、式（２−２０）、式（２−２３）、式（２−２５）または式（２−３０）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（２−１）~式（２−９）または式（２−３０）で表される構成単位である。

　［その他の構成単位］
　第２の有機層の高分子化合物は、正孔輸送性が優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、ａ^Ｘ１およびａ^Ｘ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表す。Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、それぞれ独立に、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
　ａ^Ｘ１は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは１である。
　ａ^Ｘ２は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、好ましくは２以下であり、より好ましくは０である。
　Ｒ^Ｘ１、Ｒ^Ｘ２およびＲ^Ｘ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）または式（Ａ−９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−１）、式（ＡＡ−２）または式（ＡＡ−７）~式（ＡＡ−２６）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
　Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）~式（Ａ−１１）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される２価の複素環基のより好ましい範囲は、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表される２価の複素環基のより好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、Ａｒ^Ｘ１およびＡｒ^Ｘ３で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられ、これらは置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^ＸＸは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
　Ｒ^ＸＸは、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４は、好ましくは置換基を有していてもよいアリーレン基である。
　Ａｒ^Ｘ１~Ａｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ１~Ｒ^Ｘ３で表される基が有してもよい置換基としては、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
　式（Ｘ）で表される構成単位としては、好ましくは式（Ｘ−１）~（Ｘ−７）で表される構成単位であり、より好ましくは式（Ｘ−３）~（Ｘ−７）で表される構成単位であり、更に好ましくは式（Ｘ−３）~（Ｘ−６）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｘ４およびＲ^Ｘ５は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、ハロゲン原子、１価の複素環基またはシアノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｘ４は、同一でも異なっていてもよい。複数存在するＲ^Ｘ５は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｘ５同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
　式（Ｘ）で表される構成単位は、正孔輸送性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．１~９０モル％であり、より好ましくは５~７０モル％であり、更に好ましくは１０~５０モル％である。
　式（Ｘ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｘ１−１）~（Ｘ１−１９）で表される構成単位が挙げられ、好ましくは式（Ｘ１−６）~（Ｘ１−１４）で表される構成単位である。

　第２の有機層の高分子化合物において、式（Ｘ）で表される構成単位は、１種のみ含まれていても、２種以上含まれていてもよい。
　第２の有機層の高分子化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、更に、式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。
　第２の有機層の高分子化合物は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、更に、式（Ｘ）で表される構成単位および式（Ｙ）で表される構成単位を含むことが好ましい。

［式中、Ａｒ^Ｙ１は、アリーレン基、２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
　Ａｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基は、より好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−６）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）~式（Ａ−１１）、式（Ａ−１３）または式（Ａ−１９）で表される基であり、更に好ましくは式（Ａ−１）、式（Ａ−７）、式（Ａ−９）または式（Ａ−１９）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｙ１で表される２価の複素環基は、より好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１３）、式（ＡＡ−１５）、式（ＡＡ−１８）または式（ＡＡ−２０）で表される基であり、更に好ましくは式（ＡＡ−４）、式（ＡＡ−１０）、式（ＡＡ−１８）または式（ＡＡ−２０）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基における、アリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲は、それぞれ、前述のＡｒ^Ｙ１で表されるアリーレン基および２価の複素環基のより好ましい範囲、更に好ましい範囲と同じである。
　Ａｒ^Ｙ１で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基としては、式（Ｘ）のＡｒ^Ｘ２およびＡｒ^Ｘ４で表される少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基と同様のものが挙げられる。
　Ａｒ^Ｙ１で表される基が有してもよい置換基は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は更に置換基を有していてもよい。
　式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１）~（Ｙ−７）で表される構成単位が挙げられ、本発明の発光素子の外部量子効率の観点からは、好ましくは式（Ｙ−１）または（Ｙ−２）で表される構成単位であり、第２の有機層の高分子化合物の電子輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−３）または（Ｙ−４）で表される構成単位であり、第２の有機層の高分子化合物の正孔輸送性の観点からは、好ましくは式（Ｙ−５）~（Ｙ−７）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１は、同一でも異なっていてもよく、隣接するＲ^Ｙ１同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
　Ｒ^Ｙ１は、好ましくは水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　式（Ｙ−１）で表される構成単位は、好ましくは、式（Ｙ−１’）で表される構成単位である。

［式中、Ｒ^Ｙ１１は、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ１１は、同一でも異なっていてもよい。］
　Ｒ^Ｙ１１は、好ましくは、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、より好ましくは、アルキル基またはシクロアルキル基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｘ^Ｙ１は、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−またはＣ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基を表す。Ｒ^Ｙ２は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｙ２は、同一でも異なっていてもよく、Ｒ^Ｙ２同士は互いに結合して、それぞれが結合する炭素原子と共に環を形成していてもよい。］
　Ｒ^Ｙ２は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアルキル基、シクロアルキル基またはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、双方がアリール基、双方が１価の複素環基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基もしくは１価の複素環基であり、より好ましくは一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。２個存在するＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基としては、好ましくは式（Ｙ−Ａ１）~（Ｙ−Ａ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ａ４）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

　Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）＝Ｃ（Ｒ^Ｙ２）−で表される基中の２個のＲ^Ｙ２の組み合わせは、好ましくは双方がアルキル基もしくはシクロアルキル基、または、一方がアルキル基もしくはシクロアルキル基で他方がアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｘ^Ｙ１において、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基中の４個のＲ^Ｙ２は、好ましくは置換基を有していてもよいアルキル基またはシクロアルキル基である。複数あるＲ^Ｙ２は互いに結合して、それぞれが結合する原子と共に環を形成していてもよく、Ｒ^Ｙ２が環を形成する場合、−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−Ｃ（Ｒ^Ｙ２）_２−で表される基は、好ましくは式（Ｙ−Ｂ１）~（Ｙ−Ｂ５）で表される基であり、より好ましくは式（Ｙ−Ｂ３）で表される基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ２は前記と同じ意味を表す。］
　式（Ｙ−２）で表される構成単位は、式（Ｙ−２’）で表される構成単位であることが好ましい。

［式中、Ｒ^Ｙ１１およびＸ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。］

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記と同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ３は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
　Ｒ^Ｙ３は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^Ｙ１は前記を同じ意味を表す。Ｒ^Ｙ４は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。］
　Ｒ^Ｙ４は、好ましくはアルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基または１価の複素環基であり、より好ましくはアリール基であり、これらの基は置換基を有していてもよい。
　式（Ｙ）で表される構成単位としては、例えば、式（Ｙ−１１）~（Ｙ−５５）で表される構成単位が挙げられる。

　式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１がアリーレン基である構成単位は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５~８０モル％であり、より好ましくは３０~６０モル％である。
　式（Ｙ）で表される構成単位であって、Ａｒ^Ｙ１が２価の複素環基、または、少なくとも１種のアリーレン基と少なくとも１種の２価の複素環基とが直接結合した２価の基である構成単位は、本発明の発光素子の電荷輸送性が優れるので、第２の有機層の高分子化合物に含まれる構成単位の合計量に対して、好ましくは０．５~５０モル％であり、より好ましくは３~４０モル％である。
　式（Ｙ）で表される構成単位は、第２の有機層の高分子化合物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上含まれていてもよい。
　第２の有機層の高分子化合物としては、例えば、表７に示す高分子化合物Ｐ−１~Ｐ−９が挙げられる。ここで、「その他の構成単位」とは、式（２）、式（２’）、式（Ｘ）および式（Ｙ）で表される構成単位以外の構成単位を意味する。

［表中、ｑ、ｒ、ｓ、ｔおよびｕは、各構成単位のモル比率を表す。ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ＋ｕ＝１００であり、かつ、７０≦ｑ＋ｒ＋ｓ＋ｔ≦１００である。］
　高分子化合物Ｐ−１~Ｐ−９における、式（２）、式（２’）、式（Ｘ）および式（Ｙ）で表される構成単位の例および好ましい範囲は、上述のとおりである。
　［第２の有機層の高分子化合物の製造方法］
　第２の有機層の高分子化合物は、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第１０９巻，８９７−１０９１頁（２００９年）等に記載の公知の重合方法を用いて製造することができ、Ｓｕｚｕｋｉ反応、Ｙａｍａｍｏｔｏ反応、Ｂｕｃｈｗａｌｄ反応、Ｓｔｉｌｌｅ反応、Ｎｅｇｉｓｈｉ反応およびＫｕｍａｄａ反応等の遷移金属触媒を用いるカップリング反応により重合させる方法が例示される。
　前記重合方法において、単量体を仕込む方法としては、単量体全量を反応系に一括して仕込む方法、単量体の一部を仕込んで反応させた後、残りの単量体を一括、連続または分割して仕込む方法、単量体を連続または分割して仕込む方法等が挙げられる。
　遷移金属触媒としては、パラジウム触媒、ニッケル触媒等が挙げられる。
　重合反応の後処理は、公知の方法、例えば、分液により水溶性不純物を除去する方法、メタノール等の低級アルコールに重合反応後の反応液を加えて、析出させた沈殿を濾過した後、乾燥させる方法等を単独または組み合わせて行う。高分子ホストの純度が低い場合、例えば、再結晶、再沈殿、ソックスレー抽出器による連続抽出、カラムクロマトグラフィー等の通常の方法にて精製することができる。
　［第２の有機層の組成物］
　第２の有機層は、第２の有機層の高分子化合物と、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤および溶媒からなる群から選ばれる少なくとも１種の材料とを含有する組成物（以下、「第２の有機層の組成物」ともいう。）を用いて得られる層であってもよい。
　第２の有機層の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料および発光材料の例および好ましい範囲は、第１の有機層の組成物に含有される正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料および発光材料の例および好ましい範囲と同じである。第２の有機層の組成物において、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料および発光材料の配合量は、各々、第２の有機層の高分子化合物を１００重量部とした場合、通常、１~４００重量部であり、好ましくは５~１５０重量部である。
　第２の有機層の組成物に含有される酸化防止剤の例および好ましい範囲は、第１の有機層の組成物に含有される酸化防止剤の例および好ましい範囲と同じである。第２の有機層の組成物において、酸化防止剤の配合量は、第２の有機層の高分子化合物を１００重量部とした場合、通常、０．００１~１０重量部である。
　［第２の有機層のインク］
　溶媒を含有する第２の有機層の組成物（以下、「第２の有機層のインク」ともいう。）は、第１の有機層のインクと同様に、スピンコート法、インクジェット印刷法等の塗布法に好適に使用することができる。
　第２の有機層のインクの粘度の好ましい範囲は、第１の有機層のインクの粘度の好ましい範囲と同じである。
　第２の有機層のインクに含有される溶媒の例および好ましい範囲は、第１の有機層のインクに含有される溶媒の例および好ましい範囲と同じである。
　第２の有機層のインクにおいて、溶媒の配合量は、第２の有機層の高分子化合物を１００重量部とした場合、通常、１０００~１０００００重量部であり、好ましくは２０００~２００００重量部である。
　＜発光素子の層構成＞
　本発明の発光素子は、陽極と、陰極と、陽極および陰極の間に設けられた第１の有機層と、陽極および陰極の間に設けられた第２の有機層とを含む。本発明の発光素子は、陽極、陰極、第１の有機層および第２の有機層以外の層を有していてもよい。
　本発明の発光素子において、第１の有機層は、通常、発光層である。
　本発明の発光素子において、第２の有機層は、通常、第２の発光層、正孔輸送層または電子輸送層であり、より好ましくは正孔輸送層である。第２の有機層は、第２の有機層の高分子化合物を用いて得られる層であるが、第２の有機層の高分子化合物は、一種単独で用いられてもよく、二種以上で用いられてもよい。
　本発明の発光素子において、第１の有機層と第２の有機層とは、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、隣接していることが好ましい。
　本発明の発光素子において、第２の有機層は、本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、陽極および第１の有機層の間に設けられた層であることが好ましく、陽極および第１の有機層の間に設けられた正孔輸送層であることがより好ましい。
　本発明の発光素子は、本発明の発光素子の外部量子効率が更に優れるので、陽極と、陽極および第１の有機層の間に設けられた第２の有機層との間に、更に、正孔注入層を有することが好ましい。また、本発明の発光素子は、本発明の発光素子の外部量子効率が更に優れるので、陰極と、陰極および第２の有機層の間に設けられた第１の有機層との間に、更に、電子注入層および電子輸送層の少なくとも１層を有することが好ましい。
　本発明の発光素子は、電荷発生層等の任意の層をさらに備えていてもよい。
　本発明の発光素子の具体的な層構成は、例えば、下記の（Ｄ１）~（Ｄ１９）で表される層構成が挙げられる。本発明の発光素子は、通常、基板を有するが、基板上に陽極から積層されていてもよく、基板上に陰極から積層されていてもよい。
（Ｄ１）陽極／第２の発光層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ２）陽極／発光層（第１の有機層）／第２の発光層（第２の有機層）／陰極
（Ｄ３）陽極／発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第２の有機層）／陰極
（Ｄ４）陽極／正孔注入層／発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第２の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層／発光層（第１の有機層）／電子輸送層（第２の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ６）陽極／正孔注入層／第２の発光層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／第２の発光層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ８）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ９）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１０）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ１１）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１２）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ１３）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子注入層／陰極
（Ｄ１４）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ１５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
（Ｄ１６）陽極／第２の発光層（第２の有機層）／電荷発生層／発光層（第１の有機層）／陰極
（Ｄ１７）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電荷発生層／正孔輸送層／第２の発光層／陰極
（Ｄ１８）陽極／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電荷発生層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／陰極
（Ｄ１９）陽極／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電荷発生層／正孔注入層／正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）／電子輸送層／電子注入層／陰極
　上記の（Ｄ１）~（Ｄ１９）中、「／」は、その前後の層が隣接して積層していることを意味する。具体的には、「正孔輸送層（第２の有機層）／発光層（第１の有機層）」とは、正孔輸送層（第２の有機層）と発光層（第１の有機層）とが隣接して積層していることを意味する。
　本発明の発光素子の外部量子効率がより優れるので、上記の（Ｄ６）~（Ｄ１５）で表される層構成が好ましく、上記の（Ｄ１２）~（Ｄ１５）で表される層構成がより好ましい。
　本発明の発光素子において、陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層および電荷発生層は、それぞれ、必要に応じて、２層以上設けられていてもよい。
　陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層および電荷発生層が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　陽極、陰極、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層および電荷輸送層の厚さは、通常、１ｎｍ~１μｍであり、好ましくは２ｎｍ~５００ｎｍであり、更に好ましくは５ｎｍ~１５０ｎｍである。
　本発明の発光素子において、積層する層の順番、数および厚さは、発光素子の外部量子効率および素子寿命を勘案して調整すればよい。
　［発光層］
　発光層は、通常、第１の有機層である。第１の有機層は、上述のとおり、第１の有機層の組成物を用いて得られる層である。
　［第２の発光層］
　第２の発光層は、通常、第２の有機層であるか、または、発光材料を用いて形成される層であり、発光材料を用いて形成される層であることが好ましい。第２の有機層は、上述のとおり、第２の有機層の高分子化合物を用いて得られる層である。第２の発光層の形成に用いる発光材料としては、例えば、上述の第１の有機層の組成物が含有していてもよい発光材料が挙げられる。
　［正孔輸送層］
　正孔輸送層は、通常、第２の有機層であるか、または、正孔輸送材料を用いて形成される層であり、第２の有機層であることが好ましい。第２の有機層は、上述のとおり、第２の有機層の高分子化合物を用いて得られる層である。正孔輸送層の形成に用いる正孔輸送材料としては、例えば、上述の第１の有機層の組成物が含有していてもよい正孔輸送材料が挙げられる。
　［電子輸送層］
　電子輸送層は、通常、第２の有機層であるか、または、電子輸送材料を用いて形成される層であり、電子輸送材料を用いて得られる層であることが好ましい。第２の有機層は、上述のとおり、第２の有機層の高分子化合物を用いて得られる層である。電子輸送層の形成に用いる電子輸送材料としては、例えば、上述の第１の有機層の組成物が含有していてもよい電子輸送材料が挙げられる。
　本発明の発光素子が電子輸送層を有し、かつ、電子輸送層が第２の有機層でない場合、電子輸送層の形成に用いる電子輸送材料としては、式（ＥＴ−１）で表される構成単位および式（ＥＴ−２）で表される構成単位からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成単位を含む高分子化合物が好ましい。

［式中、
　ｎＥ１は、１以上の整数を表す。
　Ａｒ^Ｅ１は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基はＲ^Ｅ１以外の置換基を有していてもよい。
　Ｒ^Ｅ１は、式（ＥＳ−１）で表される基を表す。Ｒ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　−Ｒ^Ｅ３−｛（Ｑ^Ｅ１）_ｎＥ３−Ｙ^Ｅ１（Ｍ^Ｅ１）_ａＥ１（Ｚ^Ｅ１）_ｂＥ１｝_ｍＥ１
　　（ＥＳ−１）
［式中、
　ｎＥ３は０以上の整数を表し、ａＥ１は１以上の整数を表し、ｂＥ１は０以上の整数を表し、ｍＥ１は１以上の整数を表す。ｎＥ３、ａＥ１およびｂＥ１が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^Ｅ３が単結合である場合、ｍＥ１は１である。また、ａＥ１およびｂＥ１は、式（ＥＳ−１）で表される基の電荷が０となるように選択される。
　Ｒ^Ｅ３は、単結合、炭化水素基、複素環基または−Ｏ−Ｒ^Ｅ３’を表し（Ｒ^Ｅ３’は、炭化水素基または複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｑ^Ｅ１は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｙ^Ｅ１は、−ＣＯ_２ ⁻、−ＳＯ_３ ⁻、−ＳＯ_２ ⁻またはＰＯ_３ ^２−を表す。Ｙ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｍ^Ｅ１は、アルカリ金属カチオン、アルカリ土類金属カチオンまたはアンモニウムカチオンを表し、このアンモニウムカチオンは置換基を有していてもよい。Ｍ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ^Ｅ１は、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｂ（Ｒ^Ｅ４）_４ ⁻、Ｒ^Ｅ４ＳＯ_３ ⁻、Ｒ^Ｅ４ＣＯＯ⁻、ＮＯ_３ ⁻、ＳＯ_４ ^２−、ＨＳＯ_４ ⁻、ＰＯ_４ ^３−、ＨＰＯ_４ ^２−、Ｈ_２ＰＯ_４ ⁻、ＢＦ_４ ⁻またはＰＦ_６ ⁻を表す。Ｒ^Ｅ４は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^Ｅ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　ｎＥ１は、通常１~４の整数であり、好ましくは１または２である。
　Ａｒ^Ｅ１で表される芳香族炭化水素基または複素環基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基または２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ１個を除いた基が好ましく、Ｒ^Ｅ１以外の置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｅ１が有していてもよいＲ^Ｅ１以外の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、シクロアルキニル基、カルボキシル基および式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられる。
　−Ｏ−（Ｃ_ｎ’Ｈ_２ｎ’Ｏ）_ｎｘ−Ｃ_ｍ’Ｈ_{２ｍ’＋１}　　（ＥＳ−３）
［式中、ｎ’、ｍ’およびｎｘは、それぞれ独立に、１以上の整数を表す。］
　ｎＥ３は、通常０~１０の整数であり、好ましくは０~８の整数であり、より好ましくは０~２の整数である。
　ａＥ１は、通常１~１０の整数であり、好ましくは１~５の整数であり、より好ましくは１または２である。
　ｂＥ１は、通常０~１０の整数であり、好ましくは０~４の整数であり、より好ましくは０または１である。
　ｍＥ１は、通常１~５の整数であり、好ましくは１または２であり、より好ましくは０または１である。
　Ｒ^Ｅ３が−Ｏ−Ｒ^Ｅ３’の場合、式（ＥＳ−１）で表される基は、下記式で表される基である。
　−Ｏ−Ｒ^Ｅ３’−｛（Ｑ^Ｅ１）_ｎＥ３−Ｙ^Ｅ１（Ｍ^Ｅ１）_ａＥ１（Ｚ^Ｅ１）_ｂＥ１｝_ｍＥ１
　Ｒ^Ｅ３としては、炭化水素基または複素環基が好ましく、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基がより好ましく、芳香族炭化水素基が更に好ましい。
　Ｒ^Ｅ３が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基および式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられ、式（ＥＳ−３）で表される基が好ましい。
　Ｑ^Ｅ１としては、アルキレン基、アリーレン基または酸素原子が好ましく、アルキレン基または酸素原子がより好ましい。
　Ｙ^Ｅ１としては、−ＣＯ_２ ⁻、−ＳＯ_２ ⁻またはＰＯ_３ ^２−が好ましく、−ＣＯ_２ ⁻がより好ましい。
　Ｍ^Ｅ１で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋が挙げられ、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋またはＣｓ^＋が好ましく、Ｃｓ^＋がより好ましい。
　Ｍ^Ｅ１で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｂｅ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｂａ^２＋が挙げられ、Ｍｇ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｓｒ^２＋またはＢａ^２＋が好ましく、Ｂａ^２＋がより好ましい。
　Ｍ^Ｅ１としては、アルカリ金属カチオンまたはアルカリ土類金属カチオンが好ましく、アルカリ金属カチオンがより好ましい。
　Ｚ^Ｅ１としては、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｂ（Ｒ^Ｅ４）_４ ⁻、Ｒ^Ｅ４ＳＯ_３ ⁻、Ｒ^Ｅ４ＣＯＯ⁻またはＮＯ_３ ⁻が好ましく、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｒ^Ｅ４ＳＯ_３ ⁻またはＲ^Ｅ４ＣＯＯ⁻が好ましい。Ｒ^Ｅ４としては、アルキル基が好ましい。
　式（ＥＳ−１）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｍ^＋は、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｃｓ^＋またはＮ（ＣＨ_３）_４ ^＋を表す。Ｍ^＋が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
　ｎＥ２は、１以上の整数を表す。
　Ａｒ^Ｅ２は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基はＲ^Ｅ２以外の置換基を有していてもよい。
　Ｒ^Ｅ２は、式（ＥＳ−２）で表される基を表す。Ｒ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　−Ｒ^Ｅ５−｛（Ｑ^Ｅ２）_ｎＥ４−Ｙ^Ｅ２（Ｍ^Ｅ２）_ａＥ２（Ｚ^Ｅ２）_ｂＥ２｝_ｍＥ２
　　（ＥＳ−２）
［式中、
　ｎＥ４は０以上の整数を表し、ａＥ２は１以上の整数を表し、ｂＥ２は０以上の整数を表し、ｍＥ２は１以上の整数を表す。ｎＥ４、ａＥ２およびｂＥ２が複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。但し、Ｒ^Ｅ５が単結合である場合、ｍＥ２は１である。また、ａＥ２およびｂＥ２は、式（ＥＳ−２）で表される基の電荷が０となるように選択される。
　Ｒ^Ｅ５は、単結合、炭化水素基、複素環基または−Ｏ−Ｒ^Ｅ５’を表し（Ｒ^Ｅ５’は、炭化水素基または複素環基を表す。）、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｑ^Ｅ２は、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｑ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｙ^Ｅ２は、−Ｃ^＋Ｒ^Ｅ６ _２、−Ｎ^＋Ｒ^Ｅ６ _３、−Ｐ^＋Ｒ^Ｅ６ _３、−Ｓ^＋Ｒ^Ｅ６ _２または−Ｉ^＋Ｒ^Ｅ６ _２を表す。Ｒ^Ｅ６は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^Ｅ６は、同一でも異なっていてもよい。Ｙ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｍ^Ｅ２は、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、ＯＨ⁻、Ｂ（Ｒ^Ｅ７）_４ ⁻、Ｒ^Ｅ７ＳＯ_３ ⁻、Ｒ^Ｅ７ＣＯＯ⁻、ＢＦ_４ ⁻、ＳｂＣｌ_６ ⁻またはＳｂＦ_６ ⁻を表す。Ｒ^Ｅ７は、アルキル基、シクロアルキル基またはアリール基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｍ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｚ^Ｅ２は、アルカリ金属カチオンまたはアルカリ土類金属カチオンを表す。Ｚ^Ｅ２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　ｎＥ２は、通常１~４の整数であり、好ましくは１または２である。
　Ａｒ^Ｅ２で表される芳香族炭化水素基または複素環基としては、１，４−フェニレン基、１，３−フェニレン基、１，２−フェニレン基、２，６−ナフタレンジイル基、１，４−ナフタレンジイル基、２、７−フルオレンジイル基、３，６−フルオレンジイル基、２，７−フェナントレンジイル基または２，７−カルバゾールジイル基から、環を構成する原子に直接結合する水素原子ｎＥ２個を除いた基が好ましく、Ｒ^Ｅ２以外の置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^Ｅ２が有していてもよいＲ^Ｅ２以外の置換基としては、Ａｒ^Ｅ１が有していてもよいＲ^Ｅ１以外の置換基と同様である。
　ｎＥ４は、通常０~１０の整数であり、好ましくは０~８の整数であり、より好ましくは０~２の整数である。
　ａＥ２は、通常１~１０の整数であり、好ましくは１~５の整数であり、より好ましくは１または２である。
　ｂＥ２は、通常０~１０の整数であり、好ましくは０~４の整数であり、より好ましくは０または１である。
　ｍＥ２は、通常１~５の整数であり、好ましくは１または２であり、より好ましくは０または１である。
　Ｒ^Ｅ５が−Ｏ−Ｒ^Ｅ５’の場合、式（ＥＳ−２）で表される基は、下記式で表される基である。
　−Ｏ−Ｒ^Ｅ５’−｛（Ｑ^Ｅ１）_ｎＥ３−Ｙ^Ｅ１（Ｍ^Ｅ１）_ａＥ１（Ｚ^Ｅ１）_ｂＥ１｝_ｍＥ１
　Ｒ^Ｅ５としては、炭化水素基または複素環基が好ましく、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基がより好ましく、芳香族炭化水素基が更に好ましい。
　Ｒ^Ｅ５が有していてもよい置換基としては、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、１価の複素環基および式（ＥＳ−３）で表される基が挙げられ、式（ＥＳ−３）で表される基が好ましい。
　Ｑ^Ｅ２としては、アルキレン基、アリーレン基または酸素原子が好ましく、アルキレン基または酸素原子がより好ましい。
　Ｙ^Ｅ２としては、−Ｃ^＋Ｒ^Ｅ６ _２、−Ｎ^＋Ｒ^Ｅ６ _３、−Ｐ^＋Ｒ^Ｅ６ _３または−Ｓ^＋Ｒ^Ｅ６ _２が好ましく、−Ｎ^＋Ｒ^Ｅ６ _３がより好ましい。Ｒ^Ｅ６としては、水素原子、アルキル基またはアリール基が好ましく、水素原子またはアルキル基がより好ましい。
　Ｍ^Ｅ２としては、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、Ｂ（Ｒ^Ｅ７）_４ ⁻、Ｒ^Ｅ７ＳＯ_３ ⁻、Ｒ^Ｅ７ＣＯＯ⁻、ＢＦ_４ ⁻またはＳｂＦ^６−が好ましく、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、Ｂ（Ｒ^Ｅ７）_４ ⁻、Ｒ^Ｅ７ＣＯＯ⁻またはＳｂＦ^６−がより好ましい。Ｒ^Ｅ７としては、アルキル基が好ましい。
　Ｚ^Ｅ２で表されるアルカリ金属カチオンとしては、例えば、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋、Ｋ^＋、Ｒｂ^＋、Ｃｓ^＋が挙げられ、Ｌｉ^＋、Ｎａ^＋またはＫ^＋が好ましい。
　Ｚ^Ｅ２で表されるアルカリ土類金属カチオンとしては、例えば、Ｂｅ^２＋、Ｍｇ^２＋、Ｃａ^２＋、Ｓｒ^２＋、Ｂａ^２＋が挙げられ、Ｍｇ^２＋またはＣａ^２＋が好ましい。
　Ｚ^Ｅ２としては、アルカリ金属カチオンが好ましい。
　式（ＥＳ−２）で表される基としては、例えば、下記式で表される基が挙げられる。

［式中、Ｘ⁻は、Ｆ⁻、Ｃｌ⁻、Ｂｒ⁻、Ｉ⁻、Ｂ（Ｃ_６Ｈ_５）_４ ⁻、ＣＨ_３ＣＯＯ⁻またはＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻を表す。Ｘ⁻が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　式（ＥＴ−１）および式（ＥＴ−２）で表される構成単位としては、例えば、下記式（ＥＴ−３１）~式（ＥＴ−３４）で表される構成単位が挙げられる。

　［正孔注入層および電子注入層］
　正孔注入層は、通常、正孔注入材料を用いて形成される層である。正孔注入層の形成に用いる正孔注入材料としては、例えば、上述の第１の有機層の組成物が含有していてもよい正孔注入材料が挙げられる。
　電子注入層は、通常、電子注入材料を用いて形成される層である。電子注入層の形成に用いる電子注入材料としては、例えば、上述の第１の有機層の組成物が含有していてもよい電子注入材料が挙げられる。
　［電荷発生層］
　電荷発生層は、通常、電荷発生材料を用いて形成される層である。電荷発生層の形成に用いる電荷発生材料としては、例えば、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン等の金属酸化物を用いて得られる層；該金属酸化物と、１，１−ビス［４−［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］フェニル］シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）、４，４’−ビス［Ｎ−（ｍ−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（ＮＰＢ）等に代表される芳香族アミン化合物とを含有する組成物を用いて得られる層；ＴＡＰＣ、ＴＰＤ、ＮＰＢ等に代表される芳香族アミン化合物と、フラーレン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等に代表される電子受容性物質とを含有する組成物を用いて得られる層が挙げられる。
　［基板／電極］
　発光素子における基板は、電極を形成することができ、かつ、有機層を形成する際に化学的に変化しない基板であればよく、例えば、ガラス、プラスチック、シリコン等の材料からなる基板である。不透明な基板の場合には、基板から最も遠くにある電極が透明または半透明であることが好ましい。
　陽極の材料としては、例えば、導電性の金属酸化物、半透明の金属が挙げられ、好ましくは、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ；インジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等の導電性化合物；銀とパラジウムと銅との複合体（ＡＰＣ）；ＮＥＳＡ、金、白金、銀、銅である。
　陰極の材料としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、亜鉛、インジウム等の金属；それらのうち２種以上の合金；それらのうち１種以上と、銀、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１種以上との合金；並びに、グラファイトおよびグラファイト層間化合物が挙げられる。合金としては、例えば、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金が挙げられる。
　発光素子において、陽極および陰極の少なくとも一方は、通常、透明または半透明であるが、陽極が透明または半透明であることが好ましい。
　陽極および陰極の形成方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法およびラミネート法が挙げられる。
　［発光素子の製造方法］
　本発明の発光素子において、発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、電荷発生層の形成方法としては、低分子化合物を用いる場合、例えば、粉末からの真空蒸着法、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられ、高分子化合物を用いる場合、例えば、溶液または溶融状態からの成膜による方法が挙げられる。
　発光層、第２の発光層、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、電荷発生層は、第１の有機層の組成物、第２の有機層の高分子化合物、上述した発光材料、正孔輸送材料、電子輸送材料、正孔注入材料、電子注入材料、電荷発生材料をそれぞれ含有するインクを用いて、スピンコート法、インクジェット印刷法に代表される塗布法により形成することができる。
　正孔注入層の形成に用いる材料、正孔輸送層の形成に用いる材料、発光層の形成に用いる材料、第２の発光層の形成に用いる材料、電子輸送層の形成に用いる材料、電子注入層の形成に用いる材料、電荷発生層の形成に用いる材料は、発光素子の作製において、各々、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、第２の発光層、電子輸送層、電子注入層および電荷発生層に隣接する層の形成時に使用される溶媒に溶解する場合、該溶媒に該材料が溶解することを回避するために、該材料が架橋基を有することが好ましい。架橋基を有する材料を用いて各層を形成した後、該架橋基を架橋させることにより、該層を不溶化させることができる。
　［発光素子の用途］
　本発明の発光素子を用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。パターン状の発光を得るためには、面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部にしたい層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極もしくは陰極、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯＮ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字、文字等を表示できるセグメントタイプの表示装置が得られる。ドットマトリックス表示装置とするためには、陽極と陰極を共にストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子化合物を塗り分ける方法、カラーフィルターまたは蛍光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス表示装置は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴ等と組み合わせてアクティブ駆動も可能である。これらの表示装置は、コンピュータ、テレビ、携帯端末等のディスプレイに用いることができる。面状の発光素子は、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、または、面状の照明用光源として好適に用いることができる。フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源、および、表示装置としても使用できる。

　以下、実施例によって本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
　実施例において、高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）およびポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、ＳＥＣの測定条件は、次のとおりである。
　［測定条件］
　測定する高分子化合物を約０．０５重量％の濃度でＴＨＦに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてＴＨＦを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ　ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
　液体クロマトグラフ質量分析（ＬＣ−ＭＳ）は、下記の方法で行った。
　測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルムまたはＴＨＦに溶解させ、ＬＣ−ＭＳ（アジレントテクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、アセトニトリルおよびＴＨＦの比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ　２　ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
　ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。
　５~１０ｍｇの測定試料を約０．５ｍＬの重クロロホルム（ＣＤＣｌ_３）、重テトラヒドロフラン（ＴＨＦ−ｄ_８）、重ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ−ｄ_６）、重アセトン（ＣＤ_３−（Ｃ＝Ｏ）−ＣＤ_３）、重Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ−ｄ_７）、重トルエン（Ｃ_６Ｄ_５−ＣＤ_３）、重メタノール（ＣＤ_３ＯＤ）、重エタノール（ＣＤ_３ＣＤ_２ＯＤ）、重２−プロパノール（ＣＤ_３−ＣＤＯＤ−ＣＤ_３）または重塩化メチレン（ＣＤ_２Ｃｌ_２）に溶解させ、ＮＭＲ装置（Ａｇｉｌｅｎｔ製、商品名：ＩＮＯＶＡ３００またはＭＥＲＣＵＲＹ　４００ＶＸ）を用いて測定した。
　化合物の純度の指標として、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）面積百分率の値を用いた。この値は、特に記載がない限り、ＨＰＬＣ（島津製作所製、商品名：ＬＣ−２０Ａ）での２５４ｎｍにおける値とする。この際、測定する化合物は、０．０１~０．２重量％の濃度になるようにＴＨＦまたはクロロホルムに溶解させ、ＨＰＬＣに、濃度に応じて１~１０μＬ注入した。ＨＰＬＣの移動相には、アセトニトリルおよびＴＨＦを用い、１ｍＬ／分の流速で、アセトニトリル／ＴＨＦ＝１００／０~０／１００（容積比）のグラジエント分析で流した。カラムは、Ｋａｓｅｉｓｏｒｂ　ＬＣ　ＯＤＳ　２０００（東京化成工業製）または同等の性能を有するＯＤＳカラムを用いた。検出器には、フォトダイオードアレイ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−Ｍ２０Ａ）を用いた。
＜合成例１＞　金属錯体１、２および３の合成
　金属錯体１および２は、特開２０１３−１４７５５１号公報に記載の方法に従って合成した。
　金属錯体３は、国際公開第２００６／１２１８１１号に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例２＞　金属錯体４の合成
（合成例２−１）　化合物Ｓ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、４−ｔｅｒｔ−オクチルフェノール（２５０．００ｇ、Ａｌｄｒｉｃｈ製品）、Ｎ，Ｎ−ジメチル−４−アミノピリジン（１７７．６４ｇ）およびジクロロメタン（３１００ｍＬ）を加え、これを５℃に氷冷した。その後、これに、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（３７６．０６ｇ）を４５分かけて滴下した。滴下終了後、氷冷下で３０分間攪拌し、次いで、室温に戻して更に１．５時間攪拌した。得られた反応混合物にヘキサン（３１００ｍＬ）を加え、この反応混合物を、４１０ｇのシリカゲルを用いてろ過し、更に、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒（２．５Ｌ）でシリカゲルを洗浄した。得られたろ液と洗浄液を濃縮し、無色オイルの化合物Ｓ１−ａ（４１０．９４ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値９９．７％）を得た。
＜ｓｔａｇｅ２＞
　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１−ａ（４１０．９４ｇ）、ビス（ピナコレート）ジボロン（３３８．４７ｇ）、酢酸カリウム（２３７．８３ｇ）、１，４−ジオキサン（２６００ｍＬ）、酢酸パラジウム（４．０８ｇ）およびトリシクロヘキシルホスフィン（１０．１９ｇ）を加え、２時間還流した。室温に冷却後、得られた反応混合物をろ過してろ液を集め、さらにろ過物を１，４−ジオキサン（２．５Ｌ）で洗浄し、得られたろ液と洗浄液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒に溶解させ、７７０ｇのシリカゲルを用いてろ過し、更に、ヘキサン／ジクロロメタン（１／１（体積基準））の混合溶媒（２．５Ｌ）でシリカゲルを洗浄した。得られたろ液と洗浄液を濃縮し、得られた残渣にメタノール（１５００ｍＬ）を加えて３０分間超音波洗浄を行った。その後、これをろ過することにより、化合物Ｓ１−ｂ（２７４．２７ｇ）を得た。ろ液と洗浄液を濃縮し、メタノールを加え、超音波洗浄を行い、ろ過するという操作を繰り返すことことにより、化合物Ｓ１−ｂ（１４．２９ｇ）を得た。得られた化合物Ｓ１−ｂの合計の収量は２８８．５６ｇであった。
＜ｓｔａｇｅ３＞
　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、１，３−ジブロモベンゼン（１０２．４８ｇ）、化合物Ｓ１−ｂ（２８８．５６ｇ）、トルエン（２１００ｍＬ）、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（９６２．３８ｇ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（３．０４ｇ）を加え、７時間還流した。室温に冷却後、水層と有機層を分離し、有機層を集めた。この水層にトルエン（１Ｌ）を加えて、有機層をさらに抽出した。得られた有機層を合わせて、これを蒸留水／飽和食塩水（１．５Ｌ／１．５Ｌ）の混合水溶液で洗浄した。得られた有機層を４００ｇのシリカゲルでろ過し、更にトルエン（２Ｌ）でシリカゲルを洗浄した。得られた溶液を濃縮し、得られた残渣をヘキサンに溶解させた。これをシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製した。展開溶媒であるヘキサンで不純物を溶出させた後に、ヘキサン／ジクロロメタン（１０／１（体積基準））の混合溶媒で展開した。得られた各フラクションを減圧濃縮により溶媒を除去し、無色結晶の化合物Ｓ１−ｃ（１５４．０８ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値９９．１％）、および、粗製の化合物Ｓ１−ｃ（３８．６４ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値８３％）を得た。この粗製の化合物Ｓ１−ｃを再び同様の展開条件にてカラム精製し、溶媒を減圧留去し、化合物Ｓ１−ｃ（２８．４ｇ、ＨＰＬＣ面積百分率値９９．６％）を得た。得られた化合物Ｓ１−ｃの合計の収量は１８２．４８ｇであった。
＜ｓｔａｇｅ４＞
　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１−ｃ（１８２．４８ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（１１２．０９ｇ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（３．２３ｇ）、シクロヘキサン（２０００ｍＬ）およびビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（３．９９ｇ）を加え、２時間還流した。室温に空冷後、得られた反応混合物を攪拌しながらシリカゲル（２２０ｇ）を２０分かけて加えた。得られた懸濁液を４４０ｇのシリカゲルでろ過し、さらにジクロロメタン（２Ｌ）でシリカゲルを洗浄し、溶液を濃縮した。得られた残渣に、メタノール（１１００ｍＬ）およびジクロロメタン（１１０ｍＬ）を加え、１時間還流した。室温に冷却後、これをろ過した。得られたろ過物をメタノール（５００ｍＬ）で洗浄し、得られた固体を乾燥させて、化合物Ｓ１（２２０．８５ｇ）を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｓ，２Ｈ），７．９２（ｓ，１Ｈ），７．６０（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．４４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），１．７８（ｓ，４Ｈ），１．４１（ｓ，１２Ｈ），１．３７（ｓ，１２Ｈ），０．７５（ｓ，１８Ｈ）．
（合成例２−２）　化合物Ｓ２の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ１（９１．４９ｇ）、ｍ−ジブロモベンゼン（１７．７０ｇ）およびトルエン（４７８ｍＬ）を加え、２０分間窒素ガスバブリングした。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１６６ｍＬ）およびビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（０．２６ｇ）を加え、６．５時間還流させた。室温に冷却後、得られた反応液から有機層を分離し、この有機層を水（３００ｍＬ）、飽和食塩水（３００ｍＬ）の順で洗浄した。得られた有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後、溶媒を減圧留去した。得られた残渣を、ヘキサン／クロロホルム（２０／１（体積基準））の混合溶媒に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、減圧濃縮により溶媒を除去した。得られた残渣に、メタノール（８４５ｍＬ）およびクロロホルム（５６ｍＬ）を加え、３０分間還流した。得られた溶液を冷却して得られた沈殿をろ過し、乾燥させることにより、化合物Ｓ２−ａ（７４．４０ｇ）を得た。
＜ｓｔａｇｅ２＞
　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、化合物Ｓ２−ａ（７４．４０ｇ）、ビス（ピナコラート）ジボロン（２１．１３ｇ）、４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２，２’−ジピリジル（６０９ｍｇ）、シクロヘキサン（７３４ｍＬ）およびビス（１，５−シクロオクタジエン）ジ−μ−メトキシジイリジウム（Ｉ）（７５２ｍｇ）を加え、８時間還流した。室温に空冷後、得られた反応液にシリカゲル（８３．９３ｇ）を加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ジクロロメタン／アセトニトリル（１００／１（体積基準））の混合溶媒）で精製した。その語、溶媒を減圧留去し、得られた残渣をトルエン（４２０ｍＬ）に溶解させ、これを５０℃に加熱した。その後、これに、アセトニトリル（８３９ｍＬ）を滴下し、析出した固体をろ過した。得られた固体を、ヘキサン／アセトニトリル（１／１（体積基準））の混合溶媒中で３０分間還流した後、室温に冷却して沈殿を濾取し、乾燥させることにより、化合物Ｓ２（６８．５３ｇ）を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．１４（ｄ，Ｊ＝１．８Ｈｚ，２Ｈ），８．０９（ｍ，１Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝１．６Ｈｚ，４Ｈ），７．８２（ｍ，２Ｈ），７．６４（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，８Ｈ），１．７９（ｓ，８Ｈ），１．４２（ｓ，２４Ｈ），１．３９（ｓ，１２Ｈ），０．７７（ｓ，３６Ｈ）．
（合成例２−３）　化合物ＩＬ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
　反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、３−ブロモベンゾイルクロライド（１１７ｇ）、ブチルイミド酸エチル塩酸塩（８１ｇ）およびクロロホルム（３７３２ｍｌ）を加え、室温にて攪拌混合し、トリエチルアミン（１１３ｇ）を室温にて２時間かけて滴下し、更に室温にて２時間攪拌することにより反応液を得た。得られた反応液を減圧濃縮した後、水（７００ｍｌ）およびクロロホルム（１０００ｍｌ）を用いて反応生成物を有機層へ抽出し、得られた有機層を、水（７００ｍｌ）、飽和食塩水（７００ｍｌ）で順次洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、無機塩をろ過により除去し、得られたろ液を濃縮することにより、化合物ＩＬ１−ａを含む混合物（１９７．５７ｇ）を黄色の油状物として得た。ＨＰＬＣによる純度は９８．２４％であった。
＜ｓｔａｇｅ２＞
　反応容器内を不活性ガス雰囲気下とした後、化合物ＩＬ１−ａを含む混合物（１９７．５７ｇ）およびクロロホルム（２６６６ｍｌ）を加え、室温で撹拌混合し、メチルヒドラジン（２１．６１ｇ）を水（２１．６１ｇ）に加えて調製した溶液を、反応液の温度を室温付近に保ちながらゆっくりと滴下した後、室温で２時間撹拌することにより反応液を得た。得られた反応液を、水（１０００ｍｌ）で２回洗浄後、得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。無機塩をろ過により除去し、更に減圧濃縮により溶媒を除去することにより、化合物ＩＬ１を含む混合物（１７１ｇ）を得た。得られた混合物を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒；ジクロロメタン／酢酸エチルの混合溶媒）により精製する作業を２回行うことにより、化合物ＩＬ１を９２．９ｇ（ＨＰＬＣ面積百分率値９８．９１％、ブロモベンゾイルクロライドからの収率６２．２％）、黄色の油状物として得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ（ｐｐｍ）＝１．０１（ｔ，９Ｈｚ，３Ｈ），１．６５−１．８５（ｍ，２Ｈ），２．７１（ｔ，６Ｈｚ，２Ｈ），３．９３（ｓ，３Ｈ），７．３０−７．４５（ｍ，１Ｈ），７．５５−７．６５（ｍ，２Ｈ），７．８４（ｓ，１Ｈ）．
（合成例２−４）　金属錯体ＩＭ１の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
　反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、イリジウムクロライド３水和物（２０ｇ）および化合物ＩＬ１（３９．７３ｇ）を加え、更に、予めアルゴンガスでバブリングしたエトキシエタノール（７９４ｍｌ）および予めアルゴンガスでバブリングした水（２６５ｍｌ）加え、更に、撹拌しながらアルゴンガスで２０分間バブリングすることにより、溶存酸素を除去した。その後、これを１２５℃の油浴を用いて加熱しながら、２２時間還流下で撹拌することにより、反応液を得た。得られた反応液を室温まで冷却した後、水（７９４ｇ）を加え、強撹拌し、析出した沈殿をろ過により固体として取出し、得られた固体を、水（３００ｍｌ）、ヘキサン（３００ｍｌ）の順で洗浄し、５０℃にて減圧乾燥することにより、目的とする粗製の化合物ＩＭ１−ａ（４０．６１ｇ）を黄色の粉末として得た。ＨＰＬＣによる純度は９８．２４％であった。
＜ｓｔａｇｅ２＞
　反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、粗製の化合物ＩＭ１−ａ（４０．６１ｇ）、上記と同様の手法で合成した化合物ＩＬ１（９５．３４ｇ）、ジエチレングリコールジメチルエーテル（５６７ｍｌ）およびトリフルオロ酢酸銀（２９．１５ｇ）を加え、更に、攪拌しながら窒素ガスで２０分間バブリングすることにより、溶存酸素を除去した。その後、これを１７０℃の油浴を用いて加熱しながら、２２時間攪拌することにより反応液を得た。得られた反応液を冷却後、固体をろ過により除去し、得られたろ液に水（５６７ｇ）を加えて撹拌し、析出した沈殿をろ過により固体として取出した。得られた固体を、水（２００ｍｌ）で１回、更に、メタノール（２００ｍｌ）で２回洗浄し、減圧乾燥することにより、黄色固体（６４．５９ｇ、純度９６．２３％）を得た。得られた黄色固体をジクロロメタンに溶解させ、シリカゲルカラム（シリカゲル量２９２ｇ）に通液し、得られた溶液を濃縮し、目的物を含む混合物（５８．７２ｇ、純度９６．２５％）を黄色の固体として得た。得られた混合物を、再結晶（ジクロロメタン／メタノールの混合溶媒）により精製し、更に再結晶（ジクロロメタン／酢酸エチルの混合溶媒）により精製することにより、金属錯体ＩＭ１（４８．６６ｇ）を得た。得られた粗製の金属錯体ＩＭ１に、酢酸エチル（４８７ｍｌ）を加え、加熱還流下で攪拌した後に、メタノール（４８７ｍｌ）を滴下し、室温まで冷却することにより生じた結晶をろ過により取出し、これをメタノールで洗浄し、減圧乾燥することより、目的とする金属錯体ＩＭ１（４８．０３ｇ、純度９９．３６％）を得た。
　ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ：ｐｏｓ）：計算値［Ｃ_３６Ｈ_３９Ｂｒ_３ＩｒＮ_９］＝１０２７．０５，測定値＝１０２８．１（Ｍ＋Ｈ）
（合成例２−５）　金属錯体４の合成

　反応容器内を窒素ガス気流下とした後、金属錯体ＩＭ１（２．５０ｇ）および化合物Ｓ２（８．８９ｇ）を加え、これを室温でテトラヒドロフラン（２００ｍＬ）に溶解させた。その後、これに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．５１ｇ）およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（５６．１ｍｇ）を加え、遮光しながら２３時間還流した。室温に冷却後、得られた反応混合物を蒸留水（２００ｍＬ）に注ぎ、トルエン（１５０ｍＬ）で抽出した。得られた有機層を、蒸留水（２００ｍＬ）、飽和食塩水（３５０ｍＬ）の順で洗浄した。得られた有機層を、硫酸ナトリウムで乾燥させた後、ろ過し、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝１０／１（体積基準）の混合溶媒）で精製し、減圧濃縮により溶媒を除去した。得られた残渣に、トルエン（１１５ｍＬ）およびアセトニトリル（６５５ｍＬ）を加え、遮光しながら５０℃で１時間加熱した。その後、これをろ過し、減圧下で乾燥させることにより、上記式で表される金属錯体４（７．０７ｇ）を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ_２Ｃｌ_２，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝８．００（ｍ，９Ｈ），７．９５−７．９３（ｍ，１５Ｈ），７．８７（ｓ，６Ｈ），７．６７（ｄ，２４Ｈ），７．４７（ｄ，２４Ｈ），７．３１（ｄ，３Ｈ），６．９７（ｄ，３Ｈ），４．２９（ｓ，９Ｈ），２．３１−２．２１（ｍ，３Ｈ），２．０２−１．９２（ｍ，３Ｈ），１．７７（ｓ，２４Ｈ），１．５１−１．１９（ｍ，７８Ｈ），０．７８−０．７１（ｍ，１１７Ｈ）．
＜合成例３＞　金属錯体５の合成

＜ｓｔａｇｅ１＞
　反応容器内において、亜硝酸ナトリウム（１．３８ｇ）を秤量し、窒素ガス雰囲気下において、０℃の水１１ｍＬに溶解させた。その後、４−ブロモ−２，６−ジメチルアニリン（４．０ｇ）を３３ｍＬの濃塩酸に懸濁させて、５℃を超えないよう範囲で亜硝酸水溶液に滴下した。その後、０℃で１５分間撹拌し、塩化スズ（ＩＩ）（５．３１ｇ）の濃塩酸溶液１５ｍＬを得られた反応液に加え、室温に戻し６時間撹拌した。得られた懸濁液を吸引ろ過し、濃塩酸と冷水で洗浄し真空乾燥し、乳白色の固体として化合物Ｓ３−１を４．９８ｇ得た。
＜ｓｔａｇｅ２＞
　反応容器内において、化合物Ｓ３−１（１．２６ｇ）と化合物ＩＬ１−ａ（１．１９ｇ）と酢酸ナトリウム（４１０ｍｇ）を秤量し、酢酸とジオキサンを８ｍＬずつ加えた後、窒素ガス雰囲気下に置いた。得られた反応混合物を９０℃で１５時間加熱した後、放冷した。その後、そこへトルエンを加えてから、吸引ろ過してろ液を濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通し、ヘキサン−酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製し、淡黄色液体として化合物Ｓ３−２を１．０ｇ（収率５６％）で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／（ＣＤ_３）_２ＣＯ）：δ（ｐｐｍ）＝７．６０（ｄｔ，１Ｈ）、７．４９（ｓ，２Ｈ）、７．３４−７．２７（ｍ，３Ｈ）、２．７４（ｔ，２Ｈ）、１．９５（ｓ，６Ｈ）、１．８３（ｑ，２Ｈ）、０．９９（ｔ，３Ｈ）．
＜ｓｔａｇｅ３＞
　反応容器内において、化合物Ｓ３−２（９９０ｍｇ）と３，５−ジ（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フェニルボロン酸ピナコールエステル（２．２ｇ）と炭酸ナトリウム１．４ｇ（１３ｍｍｏｌ）を秤量し、水５ｍＬとジオキサン１５ｍＬを加えた後、窒素ガス雰囲気下において、６時間加熱還流した。放冷後、そこへトルエンを加えて吸引ろ過して、ろ液を濃縮した。その後、水、トルエンを加えて水洗し、得られた油層を回収後濃縮した。得られた粗生成物をシリカゲルカラムに通してクロロホルム−酢酸エチルの混合溶媒を用いて分離精製した。得られた溶離液を濃縮し、ヘキサンより再結晶することで、化合物Ｓ３を白色固体として、２．０ｇ（収率９４％）で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．９７（ｓ，１Ｈ）、７．８２（ｓ，１Ｈ）、７．７５−７．７０（ｍ，４Ｈ）、７．６２−７．５４（ｍ，１１Ｈ）、７．４９−７．４６（ｍ，６Ｈ）、７．４２（ｄ，１Ｈ）、７．３７（ｄ，４Ｈ）、２．８８（ｔ，２Ｈ）、２．１０（ｓ，６Ｈ）、１．９２（ｔｄ，２Ｈ）、１．３７（ｓ，１８Ｈ）、１．３１（ｓ，１８Ｈ）、１．０６（ｔ，３Ｈ）．
＜ｓｔａｇｅ４＞
　反応容器内において、塩化イリジウム（９１ｍｇ）と化合物Ｓ３（５００ｍｇ）を秤量し、水１０ｍＬと２−ブトキシエタノール１０ｍＬを加えた後、アルゴンガス雰囲気下で１８時間加熱還流した。放冷後、そこへ水とメタノールを注ぎ、析出した沈殿物を吸引ろ過した。得られたろ取物を乾燥し、黄褐色固体として５００ｍｇ得た。
　別の反応容器内において、この褐色固体５００ｍｇ、化合物Ｓ３（１．２３ｇ）とトリフルオロメタンスルホン酸銀６７ｍｇを秤量し、ジエチレングリコールジメチルエステル１０ｍＬを加えた後、アルゴンガス雰囲気下において１１時間加熱還流した。放冷後、そこへトルエンを注ぎ、吸引ろ過した。得られたろ液を濃縮してからシリカゲルカラムに通し、トルエン−ヘキサンの混合溶媒を用いて分離精製した。得られた溶離液を濃縮し、トルエン−ヘキサンの混合溶媒より再結晶し、粉末状黄色固体として、金属錯体５を４２０ｍｇ（収率５２％）で得た。^１Ｈ−ＮＭＲ分析の結果を以下に示す。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ_３）：δ（ｐｐｍ）＝７．８５−７．８２（ｍ，９Ｈ）、７．６４（ｓ，３Ｈ）、７．７０（ｓ，３Ｈ）、７．５８−７．５２（ｍ，１５Ｈ）、７．３９−７．４６（ｍ，３０Ｈ）、７．２３−７．１３（ｍ，１８Ｈ）、６．８２（ｄ，３Ｈ）、２．５５（ｍ，６Ｈ）、２．４１（ｓ，９Ｈ）、２．０５（ｓ，９Ｈ）、１．８６−１．７３（ｍ，６Ｈ）、１．３６（ｓ，５４Ｈ）、１．１９（ｓ，５４Ｈ）、０．８８（ｔ，９Ｈ）．
＜合成例４＞　金属錯体６および７の合成
　金属錯体６は、前述の合成例３に記載の方法に準じて合成した。
　金属錯体７は、特開２０１２−６９１４号公報に記載の方法に準じて合成した。

＜合成例５＞　高分子化合物ＨＴＬ−１の合成

（工程１）反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、特開２０１０−１８９６３０号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ１（０．９９５ｇ）、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ２（０．１０６ｇ）、特開２０１０−２１５８８６号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ３（０．０９２４ｇ）、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ４（０．７３６ｇ）、ジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．８ｍｇ）およびトルエン（５０ｍｌ）を加え、１０５℃に加熱した。
（工程２）得られた反応液に、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍｌ）を滴下し、５．５時間還流させた。
（工程３）その後、そこに、フェニルボロン酸（２４．４ｍｇ）、２０重量％水酸化テトラエチルアンモニウム水溶液（６．６ｍｌ）およびジクロロビス〔トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン〕パラジウム（１．８ｍｇ）を加え、１４時間還流させた。
（工程４）その後、そこに、ジエチルジチアカルバミン酸ナトリウム水溶液を加え、８０℃で２時間撹拌した。得られた反応液を冷却後、水で２回、３重量％酢酸水溶液で２回、水で２回洗浄し、得られた溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をトルエンに溶解させ、アルミナカラム、シリカゲルカラムの順番で通液することにより精製した。得られた溶液をメタノールに滴下し、撹拌したところ、沈殿が生じた。得られた沈殿物をろ取し、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．９１ｇ得た。高分子化合物ＨＴＬ−１のＭｎは５．２×１０^４であり、Ｍｗは２．５×１０^５であった。
　高分子化合物ＨＴＬ−１は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ２から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ３から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ４から誘導される構成単位とが、５０：５：５：４０のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜合成例６＞　高分子化合物ＨＴＬ−２の合成

　反応容器内を窒素ガス雰囲気下とした後、化合物ＣＭ１（１．７３ｇ）、国際公開第２００５／０４９５４６号に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ５（２．６８ｇ）、国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ６（０．２２３ｇ）およびトルエン（７３ｍｌ）を加え、約８０℃に加熱した。その後、そこへ、酢酸パラジウム（０．７７ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．９０ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．３ｇ）を加え、還流下で約４時間攪拌した。その後、そこへ、フェニルボロン酸（８５．６ｍｇ）、酢酸パラジウム（０．７２ｍｇ）、トリス（２−メトキシフェニル）ホスフィン（４．８９ｍｇ）および２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液（１２．３ｇ）を加え、更に還流下で約１９．５時間攪拌した。その後、そこへ、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物（０．９８ｇ）をイオン交換水（２０ｍｌ）に溶解した溶液を加え、８５℃に加熱しながら２時間攪拌した。その後、有機層を３．６重量％塩酸で２回、２．５重量％アンモニア水溶液で２回、イオン交換水で５回、順次洗浄した。得られた有機層をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、固体を得た。得られた固体をトルエンに溶解させ、予めトルエンを通液したシリカゲルカラムおよびアルミナカラムに通液した。得られた溶液をメタノールに滴下することで沈殿を生じさせ、ろ取、乾燥させることにより、高分子化合物ＨＴＬ−２（２．９０７ｇ）を得た。高分子化合物ＨＴＬ−２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）および重量平均分子量（Ｍｗ）は、Ｍｎ＝１．９×１０^４、Ｍｗ＝９．９×１０^４であった。
　高分子化合物ＨＴＬ−２は、単量体の仕込み量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ５から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ６から誘導される構成単位とが、５０：４２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜合成例７＞　高分子化合物ＨＴＬ−３の合成
（合成例７−１）　化合物Ｍａ３の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍａ２（６４．６ｇ）およびテトラヒドロフラン（６１５ｍｌ）を加え、−７０℃に冷却した。そこへ、ｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６Ｍ、２１８ｍｌ）を１時間かけて滴下した後、−７０℃で２時間撹拌した。そこへ、化合物Ｍａ１（４２．１ｇ）を数回に分けて加えた後、−７０℃で２時間撹拌した。そこへ、メタノール（４０ｍｌ）を１時間かけて滴下した後、室温まで昇温した。その後、減圧濃縮して溶媒を留去し、トルエンおよび水を加えた。その後、水層を分離し、得られた有機層をさらに水で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して、得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒　ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、無色油状物として化合物Ｍａ３を７１ｇ得た。得られた化合物Ｍａ３のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９７．５％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍａ３の必要量を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：２．４３（１Ｈ，ｓ），３．０７−３．１３（４Ｈ，ｍ），６．９５（１Ｈ，ｄ），７．０７（１Ｈ．Ｓ），７．１８−７．２８（３Ｈ，ｍ），７．２８−７．４０（４Ｈ，ｍ），７．６６（２Ｈ，ｓ）．
（合成例７−２）　化合物Ｍａ４の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍａ３（７２．３ｇ）、トルエン（７２３ｍｌ）およびトリエチルシラン（１１８．０ｇ）を加え、７０℃に昇温した。そこへ、メタンスルホン酸（９７．７ｇ）を１．５時間かけて滴下した後、７０℃で０．５時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（１Ｌ）および水（１Ｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を、水、５重量％炭酸水素ナトリウム水、水の順番で洗浄した。得られた有機層を減圧濃縮して、得られた粗生成物をトルエンおよびエタノールの混合溶液で再結晶することで、白色固体として化合物Ｍａ４を５１．８ｇ得た。得られた化合物Ｍａ４のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍａ４の必要量を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：３．０３−３．１４（４Ｈ，ｍ），４．９９（１Ｈ，ｓ），６．６８（１Ｈ，ｓ），６．９２−７．０１（２Ｈ，ｍ），７．２０−７．２８（２Ｈ，ｍ），７．２９−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．７８（２Ｈ，ｄ）．
（合成例７−３）　化合物Ｍｂ３の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ１（１８５．０ｇ）、化合物Ｍｂ２（１２１．１ｇ）、ＣｕＩ（３．２ｇ）、ジクロロメタン（１８５ｍｌ）およびトリエチルアミン（２．５９Ｌ）を加え、還流温度に昇温した。その後、還流温度で０．５時間撹拌し、室温まで冷却した。そこへ、ジクロロメタン（１．８５Ｌ）を加えた後、セライトを敷き詰めたろ過器でろ過した。得られたろ液に１０重量％炭酸水素ナトリウム水溶液を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で２回洗浄し、飽和ＮａＣｌ水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒　クロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、粗生成物を得た。得られた粗生成物をエタノール（１．４Ｌ）に溶解させた後、活性炭（５ｇ）を加え、ろ過した。得られたろ液を減圧濃縮して、得られた残渣をヘキサンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ３を９９．０ｇ得た。得られた化合物Ｍｂ３のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍｂ３の必要量を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．５２−１．５５（８Ｈ，ｍ），２．４２（４Ｈ，ｔ），３．３８−３．４４（４Ｈ，ｍ），４．３９−４．４３（２Ｈ，ｍ），７．３１（４Ｈ，ｓ）．
（合成例７−４）　化合物Ｍｂ４の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ３（１１０．０ｇ）、エタノール（１．６５Ｌ）およびパラジウム／炭素（Ｐｄ重量１０％）（１１．０ｇ）を加え、３０℃まで昇温した。その後、フラスコ内の気体を水素ガスで置換した。その後、フラスコ内に水素ガスを供給しながら、３０℃で３時間撹拌した。その後、フラスコ内の気体を窒素ガスで置換した。得られた混合物をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒　クロロホルムと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、粗生成物を得た。得られた粗生成物をヘキサンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ４を９３．４ｇ得た。得られた化合物Ｍｂ４のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．３％であった。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３０−１．４０（８Ｈ，ｍ），１．５５−１．６５（８Ｈ，ｍ），２．５８（４Ｈ，ｔ），３．６４（４Ｈ，ｔ），７．０９（４Ｈ，ｓ）．
　^１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，７５ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：２５．５３，２８．９９，３１．３９，３２．６２，３５．３７，６２．９０，１２８．１８，１３９．８５．
（合成例７−５）　化合物Ｍｂ５の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ４（６１．０ｇ）、ピリジン（０．９ｇ）およびトルエン（７３２ｍｌ）を加え、６０℃に昇温した。そこへ、塩化チオニル（９１．４ｇ）を１．５時間かけて滴下した後、６０℃で５時間撹拌した。得られた混合物を室温まで冷却した後、減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒　ヘキサンと酢酸エチルの混合溶媒）を用いて精製することで、無色油状物として化合物Ｍｂ５を６４．３ｇ得た。得られた化合物Ｍｂ５のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９７．２％であった。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３５−１．４０（４Ｈ，ｍ），１．４１−１．５０（４Ｈ，ｍ），１．６０−１．６８（４Ｈ，ｍ），１．７５−１．８２（４Ｈ，ｍ），２．６０（４Ｈ，ｔ），３．５５（４Ｈ，ｔ），７．１１（４Ｈ，ｓ）．
（合成例７−６）　化合物Ｍｂ６の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ５（４２．０ｇ）、鉄粉（１．７ｇ）、ヨウ素（０．３ｇ）およびジクロロメタン（８００ｍｌ）を加えた。その後、フラスコ全体を遮光し、０~５℃に冷却した。そこへ、臭素（４４．７ｇ）およびジクロロメタン（２００ｍｌ）の混合液を１時間かけて滴下した後、０~５℃にて一晩撹拌した。得られた混合液を、０~５℃に冷却した水（１．２Ｌ）に加えた後、有機層を分離した。得られた有機層を１０重量％チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗浄し、さらに、飽和塩化ナトリウム水、水の順番で洗浄した。得られた有機層に硫酸ナトリウムを加えた後、ろ過し、得られたろ液を減圧濃縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム（展開溶媒　ヘキサン）を用いて精製することで、粗生成物を得た。得られた粗生成物をヘキサンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ６を４７．０ｇ得た。得られた化合物Ｍｂ６のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９８．３％であった。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３８−１．４５（４Ｈ，ｍ），１．４７−１．５５（４Ｈ，ｍ），１．５７−１．６７（４Ｈ，ｍ），１．７７−１．８４（４Ｈ，ｍ），２．６６（４Ｈ，ｔ），３．５５（４Ｈ，ｔ），７．３６（２Ｈ，ｓ）．
（合成例７−７）　化合物Ｍｂ７の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、ヨウ化ナトリウム（１５２．１ｇ）およびアセトン（６００ｍｌ）を加え、室温で０．５時間撹拌した。そこへ、化合物Ｍｂ６（４０．０ｇ）を加えた後、還流温度まで昇温し、還流温度で２４時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、得られた混合液を水（１．２Ｌ）に加えた。析出した固体をろ別した後、水で洗浄することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をトルエンおよびメタノールの混合液で再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ７を４６．０ｇ得た。得られた化合物Ｍｂ７のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％であった。この操作を繰り返し行うことで、化合物Ｍｂ７の必要量を得た。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：１．３５−１．５０（８Ｈ，ｍ），１．５７−１．６５（４Ｈ，ｍ），１．８０−１．８９（４Ｈ，ｍ），２．６５（４Ｈ，ｔ），３．２０（４Ｈ，ｔ），７．３６（２Ｈ，ｓ）．
（合成例７−８）　化合物Ｍｂ８の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、水素化ナトリウム（６０重量％、流動パラフィンに分散）（９．４ｇ）、テトラヒドロフラン（１１０ｍｌ）および化合物Ｍｂ７（６３．２ｇ）を加えた。そこへ、化合物Ｍａ４（５５．０ｇ）を数回に分けて加えた後、１２時間撹拌した。そこへ、トルエン（４４０ｍｌ）および水（２２０ｍｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、硫酸マグネシウムを加えた。得られた混合液をろ過して、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒　ヘキサンとトルエンの混合溶媒）を用いて精製した。その後、ヘプタンで再結晶することで、白色固体として化合物Ｍｂ８を８４．１ｇ得た。得られた化合物Ｍｂ８のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．５％以上であった。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．７０−０．７６（４Ｈ，ｍ），１．１０−１．２１（８Ｈ，ｍ），１．３２−１．４４（４Ｈ，ｍ），２．３９−２．５８（８Ｈ，ｍ），３．００−３．１２（８Ｈ，ｍ），６．８２−６．９４（４Ｈ，ｍ），７．００−７．０５（２Ｈ，ｍ），７．１７−７．２８（１０Ｈ，ｍ），７．３０−７．３８（４Ｈ，ｍ），７．７１−７．７７（４Ｈ，ｍ）．
（合成例７−９）　化合物ＣＭ７の合成

　撹拌器を備えたフラスコ内の気体を窒素ガスで置換した後、化合物Ｍｂ８（８４．０ｇ）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（ＩＩ）ジクロリド　ジクロロメタン付加物（ＰｄＣｌ_２（ｄｐｐｆ）・ＣＨ_２Ｃｌ_２、２．２ｇ）、ビスピナコラートジボロン（６８．３ｇ）、酢酸カリウム（５２．８ｇ）およびシクロペンチルメチルエーテル（８４０ｍｌ）を加え、還流温度まで昇温した後、還流温度で５時間撹拌した。その後、室温まで冷却し、トルエン（５００ｍｌ）および水（３００ｍｌ）を加えた後、水層を分離した。得られた有機層を水で洗浄した後、活性炭（１８．５ｇ）を加えた。得られた混合液をろ過し、得られたろ液を減圧濃縮することで粗生成物を得た。得られた粗生成物をシリカゲルカラム（展開溶媒　ヘキサンとトルエンの混合溶媒）を用いて精製した。その後、トルエンおよびアセトニトリルの混合液で再結晶する操作を繰り返すことで、白色固体として化合物ＣＭ７を４５．８ｇ得た。得られた化合物ＣＭ７のＨＰＬＣ面積百分率値（ＵＶ２５４ｎｍ）は９９．４％であった。
　^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）δ（ｐｐｍ）：０．７０−０．７６（４Ｈ，ｍ），１．２４−１．４０（３６Ｈ，ｍ），２．３９−２．４８（４Ｈ，ｍ），２．６６−２．７５（４Ｈ，ｍ），３．００−３．１０（８Ｈ，ｍ），６．７６−６．９０（４Ｈ，ｍ），７．００−７．０５（２Ｈ，ｍ），７．１９−７．３０（８Ｈ，ｍ），７．３０−７．３６（４Ｈ，ｍ），７．４３（２Ｈ，ｓ），７．７２（４Ｈ，ｄ）．
（合成例７−１０）　高分子化合物ＨＴＬ−３の合成

　高分子化合物ＨＴＬ−１の合成における（工程１）を、「反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、化合物ＣＭ７（０．１２９７６ｇ）、国際公開第２０１３／１４６８０６号に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ８（０．０６２０ｇ）、化合物ＣＭ１（０．４９３ｇ）、化合物ＣＭ５（１．１５ｇ）−ジクロロビス（トリス−ｏ−メトキシフェニルホスフィン）パラジウム（２．２０ｍｇ）およびトルエン（３０ｍＬ）を加え、１０５℃に加熱した。」とする以外は、高分子化合物ＨＴＬ−１の合成に準じた方法により、高分子化合物ＨＴＬ−３を１．０５ｇ得た。
　高分子化合物ＨＴＬ−３のポリスチレン換算の数平均分子量は２．４×１０^４であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量は１．８×１０^５であった。
　高分子化合物ＨＴＬ−３は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ７から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ８から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ５から誘導される構成単位とが、５：５：４０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜合成例８＞　高分子化合物ＨＴＬ−４の合成

　高分子化合物ＨＴＬ−４は、国際公開第２００２／０４５１８４号に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ９、並びに、化合物ＣＭ４および化合物ＣＭ６を用いて、国際公開第２０１１／０４９２４１号に記載の方法に従って合成した。
　高分子化合物ＨＴＬ−４のポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれ、Ｍｎ＝８．９×１０^４およびＭｗ＝４．２×１０^５であった。
　高分子化合物ＨＴＬ−４は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ９から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ４から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ６から誘導される構成単位とが、５０：４２．５：７．５のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜合成例９＞　高分子化合物ＨＴＬ−５の合成
　高分子化合物ＨＴＬ−５は、化合物ＣＭ９および化合物ＣＭ４を用いて、特開２０１２−３６３８１号公報に記載の方法に従って合成した。
　高分子化合物ＨＴＬ−５のポリスチレン換算の数平均分子量および重量平均分子量は、それぞれ、Ｍｎ＝８．１×１０^４およびＭｗ＝３．４×１０^５であった。
　高分子化合物ＨＴＬ−５は、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ９から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ４から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。
＜合成例１０＞　高分子化合物ＥＴＬ−１の合成

（高分子化合物ＥＴＬ−１ａの合成）
　高分子化合物ＥＴＬ−１ａは、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ１０、および、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した化合物ＣＭ１１を用いて、特開２０１２−３３８４５号公報に記載の方法に従って合成した。
　高分子化合物ＥＴＬ−１ａのＭｎは５．２×１０^４であった。
　高分子化合物ＥＴＬ−１ａは、仕込み原料の量から求めた理論値では、化合物ＣＭ１０から誘導される構成単位と、化合物ＣＭ１１から誘導される構成単位とが、５０：５０のモル比で構成されてなる共重合体である。

（高分子化合物ＥＴＬ−１の合成）
　反応容器内を不活性ガス雰囲気とした後、高分子化合物ＥＴＬ−１ａ（２００ｍｇ）、テトラヒドロフラン（２０ｍＬ）およびエタノール（２０ｍＬ）を加え、５５℃に加熱した。そこへ、水（２ｍＬ）に溶解させた水酸化セシウム（２００ｍｇ）を加え、５５℃で６時間撹拌した。その後、室温まで冷却した後、減圧濃縮することにより、固体を得た。得られた固体を水で洗浄した後、減圧乾燥させるにより、高分子化合物ＥＴＬ−１（１５０ｍｇ、薄黄色固体）を得た。得られた高分子化合物ＥＴＬ−１のＮＭＲスペクトルにより、高分子化合物ＥＴＬ−１ａのエチルエステル部位のエチル基由来のシグナルが完全に消失していることを確認した。
＜実施例Ｄ１＞　発光素子Ｄ１の作製および評価
（陽極および正孔注入層の形成）
　ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（正孔輸送層の形成）
　キシレンに高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。
（発光層の形成）
　トルエンに、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。

（陰極の形成）
　発光層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、発光層の上にフッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１を作製した。
（発光素子の評価）
　発光素子Ｄ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は３．２３％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２２）であった。
＜実施例Ｄ２＞　発光素子Ｄ２の作製および評価
（発光素子Ｄ２の作製）
　実施例Ｄ１における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体２（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体２＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ２を作製した。
　発光素子Ｄ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１２．８９％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３２）であった。
＜実施例Ｄ３＞　発光素子Ｄ３の作製および評価
（発光素子Ｄ３の作製）
　実施例Ｄ１における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ２（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ２／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ３を作製した。
　発光素子Ｄ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１．７５％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１８，０．２７）であった。

＜実施例Ｄ４＞　発光素子Ｄ４の作製および評価
（発光素子Ｄ４の作製）
　実施例Ｄ１における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体４（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体４＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ４を作製した。
　発光素子Ｄ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１３．８２％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３２）であった。
＜実施例Ｄ５＞　発光素子Ｄ５の作製および評価
（発光素子Ｄ５の作製）
　実施例Ｄ１における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体５（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体５＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ５を作製した。
　発光素子Ｄ５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１８．６８％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３４）であった。
＜実施例Ｄ６＞　発光素子Ｄ６の作製および評価
（発光素子Ｄ６の作製）
　実施例Ｄ１における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体６（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体６＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ６を作製した。
　発光素子Ｄ６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１１．５２％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３５）であった。
＜実施例Ｄ７＞　発光素子Ｄ７の作製および評価
（発光素子Ｄ７の作製）
　実施例Ｄ２における、高分子化合物ＨＴＬ−１に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−２を用いた以外は、実施例Ｄ２と同様にして、発光素子Ｄ７を作製した。
　発光素子Ｄ７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は５．２３％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３０）であった。
＜実施例Ｄ８＞　発光素子Ｄ８の作製および評価
（発光素子Ｄ８の作製）
　実施例Ｄ２における、高分子化合物ＨＴＬ−１に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−３を用いた以外は、実施例Ｄ２と同様にして、発光素子Ｄ８を作製した。
　発光素子Ｄ８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は５．９５％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３１）であった。
＜実施例Ｄ９＞　発光素子Ｄ９の作製および評価
（発光素子Ｄ９の作製）
　実施例Ｄ１における、高分子化合物ＨＴＬ−１に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−４を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子Ｄ９を作製した。
　発光素子Ｄ９に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は２．９９％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２３）であった。
＜比較例ＣＤ１＞　発光素子ＣＤ１の作製および評価
（発光素子ＣＤ１の作製）
　実施例Ｄ１における（発光層の形成）を、「クロロホルムに、低分子化合物ＳＭ３（同仁化学研究所社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ３／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。」とする以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ１を作製した。
　発光素子ＣＤ１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は０．４９％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．２５）であった。

＜比較例ＣＤ２＞　発光素子ＣＤ２の作製および評価
（発光素子ＣＤ２の作製）
　実施例Ｄ１における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体３（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体３＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１と同様にして、発光素子ＣＤ２を作製した。
　発光素子ＣＤ２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１．０３％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．２４，０．５０）であった。

＜実施例Ｄ１０＞　発光素子Ｄ１０の作製および評価
（陽極および正孔注入層の形成）
　ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（正孔輸送層の形成）
　キシレンに高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。
（発光層の形成）
　トルエンに、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。
（電子輸送層の形成）
　２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴＬ−１を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層を形成した。
（陰極の形成）
　電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１０を作製した。
（発光素子の評価）
　発光素子Ｄ１０に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は４．６０％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２５）であった。
＜実施例Ｄ１１＞　発光素子Ｄ１１の作製および評価
（発光素子Ｄ１１の作製）
　実施例Ｄ１０における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体２（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体２＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１０と同様にして、発光素子Ｄ１１を作製した。
　発光素子Ｄ１１に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１０．９８％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．３８）であった。
＜実施例Ｄ１２＞　発光素子Ｄ１２の作製および評価
（発光素子Ｄ１２の作製）
　実施例Ｄ１０における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ２（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ２／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１０と同様にして、発光素子Ｄ１２を作製した。
　発光素子Ｄ１２に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は４．３５％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１８，０．２７）であった。
＜実施例Ｄ１３＞　発光素子Ｄ１３の作製および評価
（発光素子Ｄ１３の作製）
　実施例Ｄ１０における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ４および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ４／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１０と同様にして、発光素子Ｄ１３を作製した。

　発光素子Ｄ１３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は３．２３％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１６，０．２５）であった。
＜実施例Ｄ１４＞　発光素子Ｄ１４の作製および評価
（発光素子Ｄ１４の作製）
　実施例Ｄ１０における、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）に代えて、低分子化合物ＳＭ１および金属錯体７（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体７＝７５重量％／２５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１０と同様にして、発光素子Ｄ１４を作製した。
　発光素子Ｄ１４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１．９３％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．３０，０．５５）であった。
＜比較例ＣＤ３＞　発光素子ＣＤ３の作製および評価
（発光素子ＣＤ３の作製）
　実施例Ｄ１０における、（発光層の形成）を、「クロロホルムに、低分子化合物ＳＭ３（同仁化学研究所社製）および金属錯体１（低分子化合物ＳＭ３／金属錯体１＝７５重量％／２５重量％）を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロホルム溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。」とする以外は、実施例Ｄ１０と同様にして、発光素子ＣＤ３を作製した。
　発光素子ＣＤ３に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。２０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１．２８％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１７，０．２８）であった。

　＜実施例Ｄ１５＞　発光素子Ｄ１５の作製と評価
（陽極および正孔注入層の形成）
　ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（正孔輸送層の形成）
　キシレンに、高分子化合物ＨＴＬ−１を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。
（発光層の形成）
　トルエンに、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体２（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体２＝７０重量％／３０重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたトルエン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により６０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。
（電子輸送層の形成）
　２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴＬ−１を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層を形成した。
（陰極の形成）
　電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１５を作製した。
（発光素子の評価）
　発光素子Ｄ１５に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１３．３２％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３０）であった。
＜実施例Ｄ１６＞　発光素子Ｄ１６の作製および評価
（発光素子Ｄ１６の作製）
　実施例Ｄ１５における、高分子化合物ＨＴＬ−１に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−１および金属錯体２（高分子化合物ＨＴＬ−１／金属錯体２＝９５重量％／５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子Ｄ１６を作製した。
　発光素子Ｄ１６に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は８．７７％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３０）であった。
＜実施例Ｄ１７＞　発光素子Ｄ１７の作製および評価
（発光素子Ｄ１７の作製）
　実施例Ｄ１５における、高分子化合物ＨＴＬ−１に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−１および金属錯体２（高分子化合物ＨＴＬ−１／金属錯体２＝８５重量％／１５重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子Ｄ１７を作製した。
　発光素子Ｄ１７に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は７．８８％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．３０）であった。
＜実施例Ｄ１８＞　発光素子Ｄ１８の作製および評価
（発光素子Ｄ１８の作製）
　実施例Ｄ１５における、高分子化合物ＨＴＬ−１に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−１および金属錯体２（高分子化合物ＨＴＬ−１／金属錯体２＝７０重量％／３０重量％）を用いた以外は、実施例Ｄ１５と同様にして、発光素子Ｄ１８を作製した。
　発光素子Ｄ１８に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。１０００ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は７．１８％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２９）であった。
＜実施例Ｄ１９＞　発光素子Ｄ１９の作製および評価
（陽極および正孔注入層の形成）
　ガラス基板にスパッタ法により４５ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けることにより陽極を形成した。該陽極上に、ポリチオフェン・スルホン酸系の正孔注入材料であるＡＱ−１２００（Ｐｌｅｘｔｒｏｎｉｃｓ社製）をスピンコート法により３５ｎｍの厚さで成膜し、大気雰囲気下において、ホットプレート上で１７０℃、１５分間加熱することにより正孔注入層を形成した。
（正孔輸送層の形成）
　キシレンに高分子化合物ＨＴＬ−４を０．７重量％の濃度で溶解させた。得られたキシレン溶液を用いて、正孔注入層の上にスピンコート法により２０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、ホットプレート上で１８０℃、６０分間加熱することにより正孔輸送層を形成した。
（発光層の形成）
　クロロベンゼンに、低分子化合物ＳＭ１（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｓｅ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製）および金属錯体７（低分子化合物ＳＭ１／金属錯体７＝７５重量％／２５重量％）を２．０重量％の濃度で溶解させた。得られたクロロベンゼン溶液を用いて、正孔輸送層の上にスピンコート法により７５ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより発光層を形成した。
（電子輸送層の形成）
　２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノールに、高分子化合物ＥＴＬ−１を０．２５重量％の濃度で溶解させた。得られた２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール溶液を用いて、発光層の上にスピンコート法により１０ｎｍの厚さで成膜し、窒素ガス雰囲気下において、１３０℃、１０分間加熱することにより電子輸送層を形成した。
（陰極の形成）
　電子輸送層を形成した基板を蒸着機内において、１．０×１０^−４Ｐａ以下にまで減圧した後、陰極として、電子輸送層の上にフッ化ナトリウムを約７ｎｍ、次いで、フッ化ナトリウム層の上にアルミニウムを約１２０ｎｍ蒸着した。蒸着後、ガラス基板を用いて封止することにより、発光素子Ｄ１９を作製した。
（発光素子の評価）
　発光素子Ｄ１９に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は３．０４％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．２９，０．５５）であった。
＜比較例ＣＤ４＞　発光素子ＣＤ４の作製および評価
（発光素子ＣＤ４の作製）
　実施例Ｄ１９における、高分子化合物ＨＴＬ−４に代えて、高分子化合物ＨＴＬ−５を用いた以外は、実施例Ｄ１９と同様にして、発光素子ＣＤ４を作製した。
　発光素子ＣＤ４に電圧を印加することによりＥＬ発光が観測された。５０ｃｄ／ｍ^２における外部量子効率は１．８４％、ＣＩＥ色度座標（ｘ，ｙ）＝（０．２８，０．５３）であった。

　本発明によれば、外部量子効率に優れる発光素子が得られる。

Claims

　陽極と、
　陰極と、
　陽極および陰極の間に設けられた第１の有機層と、
　陽極および陰極の間に設けられた第２の有機層とを含み、
　第１の有機層が、式（Ｈ−Ａ）で表される化合物と、式（１）で表される金属錯体とを含有する組成物を用いて得られる層であり、
　第２の有機層が、架橋基を有する構成単位を含む高分子化合物を用いて得られる層である発光素子。

［式中、
　Ｚ^Ａは、−Ｃ（Ｒ^ＺＡ）_２−で表される基、−Ｓｉ（Ｒ^ＺＡ）_２−で表される基、−Ｎ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、−Ｂ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、−Ｐ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、硫黄原子または酸素原子を表す。Ｒ^ＺＡは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^ＺＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４のうち、少なくとも１つは炭素原子である。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ１は存在しない。Ｚ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ２は存在しない。Ｚ^３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ３は存在しない。Ｚ^４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ４は存在しない。但し、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。
　環Ｒ^ＨＡは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｒ^Ｚ１とＲ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ２とＲ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ３とＲ^Ｚ４、Ｒ^Ｚ１とＲ^ＺＡ、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^ＺＡ、および、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^Ｚ４は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　環Ｒ^Ｈ１および環Ｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　Ｍは、ルテニウム原子、ロジウム原子、パラジウム原子、イリジウム原子または白金原子を表す。
　ｎ^１は１以上の整数を表し、ｎ^２は０以上の整数を表し、ｎ^１＋ｎ^２は２または３である。Ｍがルテニウム原子、ロジウム原子またはイリジウム原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は３であり、Ｍがパラジウム原子または白金原子の場合、ｎ^１＋ｎ^２は２である。
　Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａは、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。但し、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａのうち、２つは窒素原子であり、残りの２つは炭素原子である。Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
　Ｅ^２は、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｅ^１ＡおよびＥ^２のうち、少なくとも一方は炭素原子である。
　Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２Ａ、Ｒ^３ＡおよびＲ^４Ａが複数ある場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２ＡとＲ^３Ａ、Ｒ^３ＡとＲ^４Ａ、および、環Ｒ^Ｂが有していてもよい置換基とＲ^２Ａは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｅ^２Ａが窒素原子の場合、Ｒ^２Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^３Ａが窒素原子の場合、Ｒ^３Ａは存在しても存在しなくてもよい。Ｅ^４Ａが窒素原子の場合、Ｒ^４Ａは存在しても存在しなくてもよい。
　環Ｒ^１Ａは、窒素原子、Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３ＡおよびＥ^４Ａとで構成されるトリアゾール環を表す。
　環Ｒ^Ｂは、５員環もしくは６員環の芳香族炭化水素環、または、５員環もしくは６員環の芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。環Ｒ^Ｂが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。但し、環Ｒ^Ｂが６員環の芳香族複素環である場合、Ｅ^２は炭素原子である。
　Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、アニオン性の２座配位子を表し、Ｇ^１は、Ａ^１およびＡ^２とともに２座配位子を構成する原子団を表す。Ａ^１およびＡ^２は、それぞれ独立に、炭素原子、酸素原子または窒素原子を表し、環を構成する炭素原子、酸素原子または窒素原子であってもよい。Ａ^１−Ｇ^１−Ａ^２が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
　前記第１の有機層と、前記第２の有機層とが隣接している、請求項１に記載の発光素子。
　前記第２の有機層が、前記陽極および前記第１の有機層との間に設けられた層である、請求項１または２に記載の発光素子。
　前記式（Ｈ−Ａ）で表される化合物が、式（Ｈ−Ａ１）で表される化合物である、請求項１~３のいずれか一項に記載の発光素子。

［式中、
　Ｚ^Ａ、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、前記と同じ意味を表す。
　Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７およびＺ^８は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。
　Ｒ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ７およびＲ^Ｚ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^５が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ５は存在しない。Ｚ^６が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ６は存在しない。Ｚ^７が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ７は存在しない。Ｚ^８が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ８は存在しない。
　Ｒ^Ｚ４とＲ^Ｚ５、Ｒ^Ｚ５とＲ^Ｚ６、Ｒ^Ｚ６とＲ^Ｚ７、Ｒ^Ｚ７とＲ^Ｚ８、および、Ｒ^Ｚ８とＲ^ＺＡは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］
　前記Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５、Ｚ^６、Ｚ^７およびＺ^８が、炭素原子である、請求項４に記載の発光素子。
　前記Ｒ^Ｚ３が、前記式（Ｈ−１）で表される基である、請求項１~５のいずれか一項に記載の発光素子。
　前記Ｚ^Ａが、−Ｎ（Ｒ^ＺＡ）−で表される基、硫黄原子または酸素原子である、請求項１~６のいずれか一項に記載の発光素子。
　前記式（Ｈ−１）で表される基が、式（Ｈ−２）で表される基である、請求項１~７のいずれか一項に記載の発光素子。

［式中、
　Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３、Ｚ^Ｈ４、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。
　Ｒ^Ｈ１、Ｒ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ４、Ｒ^Ｈ５、Ｒ^Ｈ６、Ｒ^Ｈ７およびＲ^Ｈ８は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^Ｈ１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ１は存在しない。Ｚ^Ｈ２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ２は存在しない。Ｚ^Ｈ３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ３は存在しない。Ｚ^Ｈ４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ４は存在しない。Ｚ^Ｈ５が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ５は存在しない。Ｚ^Ｈ６が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ６は存在しない。Ｚ^Ｈ７が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ７は存在しない。Ｚ^Ｈ８が窒素原子の場合、Ｒ^Ｈ８は存在しない。
　Ｒ^Ｈ１とＲ^Ｈ２、Ｒ^Ｈ２とＲ^Ｈ３、Ｒ^Ｈ３とＲ^Ｈ４、Ｒ^Ｈ４とＲ^Ｈ５、Ｒ^Ｈ５とＲ^Ｈ６、Ｒ^Ｈ６とＲ^Ｈ７、および、Ｒ^Ｈ７とＲ^Ｈ８は、それぞれ結合して、それぞれが結合する炭素原子とともに環を形成していてもよい。］
　前記Ｚ^Ｈ１、Ｚ^Ｈ２、Ｚ^Ｈ３、Ｚ^Ｈ４、Ｚ^Ｈ５、Ｚ^Ｈ６、Ｚ^Ｈ７およびＺ^Ｈ８が、炭素原子である、請求項８に記載の発光素子。
　前記式（１）で表される金属錯体が、式（１−Ａ）で表される金属錯体である、請求項１~９のいずれか一項に記載の発光素子。

［式中、
　Ｅ^１Ａ、Ｅ^２Ａ、Ｅ^３Ａ、Ｅ^４Ａ、Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、環Ｒ^１ＡおよびＡ^１−Ｇ^１−Ａ^２は、前記と同じ意味を表す。
　Ｍ^１は、イリジウム原子または白金原子を表す。
　ｎ^３は１以上の整数を表し、ｎ^４は０以上の整数を表し、ｎ^３＋ｎ^４は２または３である。Ｍ^１がイリジウム原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は３であり、Ｍ^１が白金原子の場合、ｎ^３＋ｎ^４は２である。
　Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢおよびＥ^５Ｂは、それぞれ独立に、窒素原子または炭素原子を表す。Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢおよびＥ^５Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｅ^２Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^２Ｂは存在しない。Ｅ^３Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^３Ｂは存在しない。Ｅ^４Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^４Ｂは存在しない。Ｅ^５Ｂが窒素原子の場合、Ｒ^５Ｂは存在しない。
　Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^２ＡとＲ^３Ａ、Ｒ^３ＡとＲ^４Ａ、Ｒ^２ＡとＲ^２Ｂ、Ｒ^２ＢとＲ^３Ｂ、Ｒ^３ＢとＲ^４Ｂ、および、Ｒ^４ＢとＲ^５Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　環Ｒ^１Ｂは、２つの炭素原子、Ｅ^２Ｂ、Ｅ^３Ｂ、Ｅ^４ＢおよびＥ^５Ｂとで構成されるベンゼン環、ピリジン環またはピリミジン環を表す。］
　前記架橋基を有する構成単位が、架橋基Ａ群から選ばれる少なくとも１つの架橋基を有する構成単位である、請求項１~１０のいずれか一項に記載の発光素子。
（架橋基Ａ群）

［式中、Ｒ^ＸＬは、メチレン基、酸素原子または硫黄原子を表し、ｎ^ＸＬは、０~５の整数を表す。Ｒ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、ｎ^ＸＬが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。＊１は結合位置を表す。これらの架橋性基は置換基を有していてもよい。］
　前記架橋基を有する構成単位が、式（２）で表される構成単位または式（２’）で表される構成単位である、請求項１１に記載の発光素子。

［式中、
　ｎＡは０~５の整数を表し、ｎは１または２を表す。
　Ａｒ^３は、芳香族炭化水素基または複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｌ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｌ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｘは、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基を表す。Ｘが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］

［式中、
　ｍＡは０~５の整数を表し、ｍは１~４の整数を表し、ｃは０または１の整数を表す。ｍＡが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ａｒ^５は、芳香族炭化水素基、複素環基、または、少なくとも１種の芳香族炭化水素環と少なくとも１種の複素環とが直接結合した基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^４およびＡｒ^６は、それぞれ独立に、アリーレン基または２価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ａｒ^４、Ａｒ^５およびＡｒ^６はそれぞれ、当該基が結合している窒素原子に結合している当該基以外の基と、直接または酸素原子もしくは硫黄原子を介して結合して、環を形成していてもよい。
　Ｋ^Ａは、アルキレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の複素環基、−ＮＲ’−で表される基、酸素原子または硫黄原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ’は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｋ^Ａが複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
　Ｘ’は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基または１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。但し、少なくとも１つのＸ’は、架橋基Ａ群から選ばれる架橋基である。］
　前記架橋基を有する構成単位が、前記式（ＸＬ−１７）で表される架橋基を有する構成単位である、請求項１１または１２に記載の発光素子。
　式（Ｈ−Ｂ）で表される化合物と、
　式（１−Ａ１）で表される金属錯体および式（１−Ａ２）で表される金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも１種の金属錯体とを含有する組成物。

［式中、
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４は、それぞれ独立に、炭素原子または窒素原子を表す。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３およびＺ^４のうち、少なくとも１つは炭素原子である。
　Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基またはハロゲン原子を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｚ^１が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ１は存在しない。Ｚ^２が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ２は存在しない。Ｚ^３が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ３は存在しない。Ｚ^４が窒素原子の場合、Ｒ^Ｚ４は存在しない。但し、Ｒ^Ｚ１、Ｒ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ３およびＲ^Ｚ４のうち、少なくとも１つは式（Ｈ−１）で表される１価の複素環基である。
　環Ｒ^ＨＡは、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
　Ｒ^Ｚ１とＲ^Ｚ２、Ｒ^Ｚ２とＲ^Ｚ３、Ｒ^Ｚ３とＲ^Ｚ４、Ｒ^Ｚ１とＲ^ＺＡ、および、環Ｒ^ＨＡが有していてもよい置換基とＲ^Ｚ４は、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　環Ｒ^Ｈ１および環Ｒ^Ｈ２は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素環または芳香族複素環を表し、これらの環は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］

［式中、
　Ｍ^１は、イリジウム原子または白金原子を表す。
　ｎ^１Ａは２または３の整数を表し、Ｍ^１がイリジウムの場合、ｎ^１Ａは３であり、Ｍ^１が白金の場合、ｎ^１Ａは２である。
　Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子またはデンドロンを表し、これらの基は置換基を有していてもよい。Ｒ^２Ａ、Ｒ^３Ａ、Ｒ^４Ａ、Ｒ^２Ｂ、Ｒ^３Ｂ、Ｒ^４ＢおよびＲ^５Ｂが複数存在する場合、それらはそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３ＡとＲ^４Ａ、Ｒ^２ＡとＲ^２Ｂ、Ｒ^２ＢとＲ^３Ｂ、Ｒ^３ＢとＲ^４Ｂ、および、Ｒ^４ＢとＲ^５Ｂは、それぞれ結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。］