WO2014207835A1 - はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法 - Google Patents

はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2014207835A1
WO2014207835A1 PCT/JP2013/067504 JP2013067504W WO2014207835A1 WO 2014207835 A1 WO2014207835 A1 WO 2014207835A1 JP 2013067504 W JP2013067504 W JP 2013067504W WO 2014207835 A1 WO2014207835 A1 WO 2014207835A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
solder
solder ball
opening
sbl
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2013/067504
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
鶴田　加一
健夫 齋藤
村岡　学
大樹 大嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Senju Metal Industry Co Ltd
Original Assignee
Senju Metal Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Senju Metal Industry Co Ltd filed Critical Senju Metal Industry Co Ltd
Priority to US14/392,168 priority Critical patent/US10722965B2/en
Priority to PCT/JP2013/067504 priority patent/WO2014207835A1/ja
Priority to JP2015523710A priority patent/JP5880785B2/ja
Priority to TW103121145A priority patent/TWI604910B/zh
Publication of WO2014207835A1 publication Critical patent/WO2014207835A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K3/00—Tools, devices or special appurtenances for soldering, e.g. brazing, or unsoldering, not specially adapted for particular methods
    • B23K3/06—Solder feeding devices; Solder melting pans
    • B23K3/0607—Solder feeding devices
    • B23K3/0623—Solder feeding devices for shaped solder piece feeding, e.g. preforms, bumps, balls, pellets, droplets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering

Definitions

  • the present invention relates to a solder ball supply method, a solder ball supply device, and a solder bump forming method.
  • the electrodes of electronic components mounted on the electronic devices have also become narrower.
  • the pitch between the electrodes is 100 ⁇ m or less.
  • a plating method, a solder ball mounting method (see, for example, Patent Document 1), and a solder paste printing method are known. From the advantage of production efficiency, In general, the solder paste printing method is widely used.
  • solder paste printing method first, a mask member having an opening is arranged on a substrate where a solder paste mainly composed of solder powder and flux is printed, and the solder paste is applied to the mask member using a squeegee. To fill. Thereafter, solder bumps are formed on the electrodes by heating and melting the solder paste filled in the openings.
  • solder paste printing method after the solder paste is reflowed, a flux residue remains on the surface of the solder and the substrate. Therefore, it is necessary to perform a cleaning process for cleaning and removing the flux residue.
  • the cleaning step requires treatment with an organic solvent or the like, which increases the environmental impact. Therefore, a fluxless solder bump forming method that does not require cleaning of the flux residue is desired.
  • Patent Document 2 discloses that only solder powder is used, and the solder powder is applied to the opening of the mask member disposed on the substrate while irradiating the reducing free radical gas under vacuum. A method is described in which solder bumps are formed by moving and filling a squeegee and subsequently melting the solder powder.
  • solder bump forming method described in Patent Document 1 has the following problems. That is, as in the method of forming solder bumps in Patent Document 1, in general, in a method in which the squeegee is moved in the horizontal direction and the solder powder is filled in the opening of the mask member, the solder powder is smoothly and efficiently applied to the opening. There was a problem that it was difficult to fill.
  • an object of the present invention is to provide a solder ball supply method, a solder ball supply device, and a solder bump formation method that are compatible with electrodes having a fine pitch without flux. There is to do.
  • a solder ball supply method is a solder ball supply method for supplying a solder ball to an opening of a mask member disposed on a substrate having an electrode, wherein the electrode is supplied from a hopper provided above the substrate.
  • a first step of swinging down a plurality of solder balls with respect to the opening formed above, and a plurality of the solder balls swinging down into the opening by moving a squeegee in a plane direction of the mask member A second step of filling the opening into the opening.
  • the side or diameter of the electrode is preferably 10 to 30 ⁇ m.
  • the particle size of the solder ball is preferably 1 to 10 ⁇ m.
  • a solder ball supply device is a solder ball supply device for supplying a solder ball to an opening of a mask member disposed on a substrate having an electrode, the solder ball supply device being provided above the substrate, And a squeegee that fills the opening with the plurality of solder balls that are shaken down by moving in the plane direction of the mask member.
  • the side or diameter of the electrode is preferably 10 to 30 ⁇ m.
  • the particle size of the solder ball is preferably 1 to 10 ⁇ m.
  • a plurality of solder balls are shaken off from a hopper provided above the substrate in an opening formed on the electrode of a mask member disposed on the substrate having electrodes.
  • a first step a second step of filling the opening with a plurality of solder balls shaken down by the opening by moving a squeegee in a plane direction of the mask member, and using an organic acid gas
  • a third step of forming solder bumps on the electrodes by melting a plurality of the solder balls filled in the openings under atmospheric pressure.
  • the side or diameter of the electrode is preferably 10 to 30 ⁇ m.
  • the particle size of the solder ball is preferably 1 to 10 ⁇ m.
  • the solder ball is shaken off from the hopper into the opening, and then the solder ball shaken off by the squeegee is filled into the opening. Therefore, even when the electrode diameter is reduced, the solder ball is efficiently and smoothly applied.
  • the opening can be supplied.
  • FIG. 1 shows an example of the configuration of the solder ball supply device 100.
  • FIG. 2 shows an example of the configuration of the solder transfer unit 20 constituting the solder ball supply device 100.
  • the horizontal direction of the paper surface is the X direction
  • the vertical direction of the paper surface is the Z direction
  • the X direction and the direction orthogonal to the Z direction are the Y direction.
  • the solder ball supply device 100 includes a control device 50 that controls the operation of the entire device, a base 10, and a case 12 that covers the substrate mounting surface side of the base 10.
  • the control device 50 has a CPU (Central Processing Unit) and a ROM (Read Only Memory) (not shown), and activates a program stored in the ROM to control each unit to control solder ball supply processes and solder described later. Each step of bump formation is executed.
  • CPU Central Processing Unit
  • ROM Read Only Memory
  • a stage 14 a solder transfer part 20, a solder filling part 30, and an ionizer 40 are provided.
  • the stage 14 places a substrate 70 on which a resist 74 is placed.
  • a vibration device 60 is attached to the stage 14.
  • the vibration device 60 is driven based on the control of the control device 50 when the solder ball SBL is shaken off by the hopper 22 or when the solder ball SBL is filled by the squeegee 32 to vibrate the stage 14.
  • the vibration direction may be, for example, oscillated in the XY plane.
  • the solder balls SBL in the openings 76 can be densely filled, and as a result, the filling rate of the solder balls SBL can be increased.
  • the solder transfer part 20 has a hopper 22, a net 24, an ultrasonic transmitter 26, and a moving mechanism 28 (see FIG. 1).
  • the hopper 22 is a truncated cone-shaped cylinder provided above the substrate 70, and is attached to the moving mechanism 28 so that the surface side with a smaller area faces downward.
  • the moving mechanism 28 is composed of, for example, an XYZ stage, and enables the hopper 22 to move in the XYZ directions by driving a motor (not shown) under the control of the control device 50.
  • a plurality of solder balls SBL are accommodated in the hopper 22.
  • a predetermined amount of the solder ball SBL may be automatically supplied using a supply device (not shown), or the user manually supplies the solder ball SBL. You may do it.
  • solder ball SBL used in this example, a lead-free solder having a particle diameter of, for example, 1 to 10 ⁇ m and a metal composition of Sn—Ag—Cu can be used. Specifically, a lead-free solder of 3.0Ag-0.5Cu-residual Sn can be suitably used.
  • the solder balls SBL may be made of lead-free solder such as Sn—Zn—Bi, Sn—Cu, Sn—Ag—In—Bi, or Sn—Zn—Al. Sn-Pb-based and Sn-Pb-Ag-based lead-containing solders may be used.
  • the solder composition used in the present invention is not limited to the solder composition.
  • the net 24 is attached to the lower end of the hopper 22 and has a fine lattice-shaped opening.
  • the diameter of the opening is selected to be equal to or slightly larger than the particle diameter of the solder ball SBL to be used.
  • the net 24 can be configured to be detachable from the hopper 22. Thereby, the net
  • the shape of the swinging portion 23 at the tip of the hopper 22 is circular in this example.
  • the ultrasonic transmitter 26 is attached to, for example, a side surface of the hopper 22 and vibrates the hopper 22 at a frequency of, for example, 20 to 40 kHz based on the control of the control device 50. Thereby, the plurality of solder balls SBL accommodated in the hopper 22 can be shaken off onto the resist 74 uniformly and uniformly. Further, since the diameter of the opening of the aperture 24 is equal to or slightly larger than the spherical shape of the solder ball SBL to be used, it can be made to function as a shutter by turning on / off the ultrasonic transmitter 26.
  • the solder filling portion 30 includes a squeegee 32, a fixing portion 34, and a moving mechanism 36.
  • the squeegee 32 is made of urethane, for example, and is attached to the moving mechanism 36 via a fixed portion 34.
  • the moving mechanism 36 is, for example, an XYZ stage, and the squeegee 32 can be moved in the XYZ directions by driving a motor (not shown) under the control of the control device 50.
  • the ionizer 40 is installed on one end side of the substrate 70 placed on the stage 14 so that the air outlet faces the solder balls SBL and the substrate 70 shaken down on the upper surface of the resist 74 and the opening 76.
  • the ionizer 40 operates under the control of the control device 50 to spray positive ions and negative ions onto the solder balls SBL and the substrate 70.
  • the positive ions or the like may be sprayed before the solder ball SBL is shaken off on the resist 74.
  • the static electricity of the solder balls SBL and the substrate 70 is neutralized by neutralizing the bias of the charges of the solder balls SBL and the substrate 70, and the solder balls SBL are aggregated during filling of the openings 76 of the solder balls SBL.
  • the ionizer 40 can also be configured to swing.
  • solder bump formation method (example of solder ball supply method)
  • solder ball supply method an example of a method for forming the solder bump SBP according to the present invention
  • FIGS. 1 to 3H show an example of a process for forming the solder bump SBP.
  • 3A to 3E show an example of a process for supplying the solder ball SBL to the opening 76 of the resist 74.
  • a plurality of electrodes 72 having a diameter of 10 to 30 ⁇ m are formed on the substrate 70, and the pitch between the electrodes 72 and 72 is selected to be 20 to 60 ⁇ m.
  • a substrate 70 is prepared in which a resist 74 having an opening 76 is disposed at a position corresponding to the electrode 72 of the substrate 70.
  • a known photolithography technique can be used for patterning the resist 74. Specifically, a resist 74 is applied on the substrate 70, and the pattern of the opening 76 is transferred by irradiating the applied resist 74 with light through a photomask. Subsequently, an opening 76 is formed on the electrode 72 of the resist 74 by removing the resist 74 in the exposed portion.
  • the resist 74 has been described as an example using a positive type, a negative type may be used.
  • the thickness of the resist 74 is preferably about twice the thickness of the target solder bump SBP, as will be described later. This is because when the plurality of solder balls SBL filled in the openings 76 of the resist 74 are melted, the height becomes about 1 ⁇ 2 of the height of the plurality of solder balls SBL at the time of filling.
  • the resist 74 is generally made of a material that can withstand a temperature in a reflow apparatus 200 described later and can be peeled off from the substrate 70 by a specific solvent.
  • a plurality of solder balls SBL are shaken down from the hopper 22 into the openings 76 of the resist 74 and filled.
  • the control device 50 drives the ultrasonic transmitter 26 to vibrate the hopper 22 at a frequency of 20 to 40 kHz, for example, and shakes the plurality of solder balls SBL from the aperture 24 to the opening 76. Further, the control device 50 drives the moving mechanism 28 to move the hopper 22 in the substrate plane direction (XY direction), and uniformly shakes the solder balls SBL over the entire surface of the resist 74.
  • control device 50 performs static elimination by driving the ionizer 40 and spraying plus / minus ions onto the falling solder ball SBL and the solder ball SBL shaken onto the resist 74.
  • control device 50 may drive the vibration device 60 to vibrate the stage 14.
  • the filling step is performed under atmospheric pressure, but may be performed under vacuum or the like.
  • the solder balls SBL can be uniformly and densely filled into all the openings 76 while preventing aggregation of the plurality of solder balls SBL.
  • the plurality of solder balls SBL are also shaken off and deposited on the upper surface of the resist 74 other than the opening 76.
  • the filling of the solder ball SBL into the opening 76 can be controlled with high accuracy by appropriately adjusting the frequency of the ultrasonic transmitter 26, the moving speed of the hopper 22, and the amount of ions blown from the ionizer 40. .
  • the squeegee 32 is slid in the XY direction on the upper surface of the resist 74 while the ionizer 40 is driven, and the solder balls SBL shaken off other than the openings 76 are removed from the resist. 74 is removed by scraping from the upper surface. Further, by passing the squeegee 32 over the opening 76, the solder balls SBL inside and around the opening 76 are pushed into the opening 76 by the squeegee 32. Thereby, the density of the solder balls SBL in the opening 76 can be increased.
  • the squeegee 32 has a function of increasing the filling rate of the solder ball SBL with respect to the opening 76 in addition to the function of removing the excess solder ball SBL. Further, the spraying of positive ions or the like by the ionizer 40 prevents the solder balls SBL from agglomerating, and the filling of the openings 76 and the removal of the excess solder balls SBL can be performed smoothly.
  • the substrate 70 is taken out from the solder ball supply device 100, and the taken-out substrate 70 is conveyed to the reflow device 200 as shown in FIG. 3F.
  • the reflow apparatus 200 heats and melts the plurality of solder balls SBL in a mixed gas atmosphere of an organic acid gas and an inert gas.
  • the solder ball SBL and the oxide of the electrode 72 are removed by the reducing power of the organic acid in the reflow apparatus 200. Therefore, the conventionally required flux is not required.
  • solder bumps SBP are formed on the respective electrodes 72 as shown in FIG. 3G.
  • organic acid gas examples include, for example, formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, haleric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelargonic acid, succinic acid, malonic acid, succinic acid, acrylic acid, salicylic acid, lactic acid, Any one gas or two or more mixed gases obtained by heating and vaporizing diacetyl, acetylacetone, and acetonylacetone can be used.
  • the inert gas examples include nitrogen, carbon dioxide, helium, and argon.
  • the substrate 70 is taken out from the reflow apparatus 200, and as shown in FIG. 3H, the resist 74 is peeled off from the substrate 70 and cleaned using a solvent. In this way, the solder bump SBP can be formed on each electrode 72 of the substrate 70.
  • FIG. 4A is a view showing a state when a solder ball SBL having a particle size S1 of 2 ⁇ m is filled in the opening 76
  • FIG. 4B shows a state of a solder bump SBP obtained after reflow.
  • the diameter R of the electrode 72 is 10 ⁇ m
  • the pitch between the electrodes 72 and 72 is 20 ⁇ m
  • the thickness of the target solder bump SBP is 5.3 ⁇ m.
  • the solder ball SBL having a particle size S1 of 1/5 or less of the diameter R of the electrode 72 was used. Specifically, solder balls SBL having a particle size of 2 ⁇ m were used. Further, the height 74 of the resist 74 was formed to 10 ⁇ m, which is about twice the thickness (5.3 ⁇ m) of the solder bump SBP. Under such conditions, when the solder balls SBL were filled into the openings 76, the filling rate of the plurality of solder balls SBL into the openings 76 was 43.2%, as shown in FIG. 4A.
  • the target thickness T1 of the solder bump SBP became 5.3 ⁇ m as shown in FIG. 4B.
  • the filling rate of the solder ball SBL into the opening 76 can be increased, and the target thickness of the solder bump SBP can be realized.
  • FIG. 5A is a view when the opening 76 is filled with solder balls SBL having a particle size S2 of 3 ⁇ m
  • FIG. 5B is a view showing solder bumps SBP obtained after reflow.
  • the diameter R of the other electrodes, the height H of the resist 74, and the target thickness of the solder bump SBP were set to the same conditions as in the case of using the solder ball SBL having a particle size S1 of 2 ⁇ m.
  • the filling rate of the openings 76 of the plurality of solder balls SBL is 36.0%. It became.
  • the thickness T2 of the solder bump SBP was 4.58 ⁇ m as shown in FIG. 5B.
  • the solder ball SBL is shaken off from the hopper 22 provided above the substrate 70 to the opening 76, and then the squeegee 32 is shaken off by movement in the XY direction. Since the solder balls SBL are filled into the openings 76, the solder balls SBL can be filled into the openings 76 efficiently and smoothly even if the pitch of the electrodes 72 is fine. At this time, since the solder balls SBL are shaken down evenly over the entire surface of the resist 74 while moving the hopper 22 in the XY directions, the solder balls SBL can be uniformly filled in all the openings 76. it can.
  • the height and width of the solder bump SBP can be easily controlled by changing the height and width of the opening 76 of the resist 74.
  • solder bump SBP when the solder bump SBP is formed, reflow is performed using an organic acid, so that fluxless reflow can be realized. In addition, since no flux is used, the generation of voids during reflow that generally occurs in solder paste can be suppressed.
  • the resist 74 is provided between the electrodes 72 when the solder bump SBP is formed, the occurrence of a bridge can be suppressed.
  • the technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiment, and includes those in which various modifications are made to the above-described embodiment without departing from the spirit of the present invention.
  • the resist 74 is used as the mask member, but the present invention is not limited to this.
  • a metal mask or the like can be used as the mask member.
  • the frequency of the ultrasonic transmitter 26 is not limited to 20 to 40 kHz, and can be appropriately selected in other frequency bands.
  • the shape of the hopper 22 is not limited to a truncated cone shape, and any shape that can accommodate a plurality of solder balls SBL can be adopted as appropriate.
  • the solder ball SBL is shaken off from the hopper 22 to the opening 76, and then the solder ball SBL shaken off by the squeegee 32 is filled into the opening 76. Therefore, even when the diameter of the electrode 72 is reduced, The solder ball SBL can be supplied to the opening 76 smoothly and smoothly. Further, according to the present invention, even when the electrodes 72 having a plurality of types of shapes (circular, rectangular, elliptical, etc.) and areas exist on the same substrate 70, the plurality of solder balls SBL are used, so that it is efficient and smooth. In addition, the solder ball SBL can be supplied to the opening 76. Thereby, a plurality of types of solder bumps SBP can be formed on the same substrate 70.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

　フラックスレスでかつ微細ピッチの電極にも対応可能なはんだボール供給方法、はんだボール供給装置、はんだバンプ形成方法を提供する。　基板７０の１０～３０μｍの直径からなる電極７２上に開口部７６を有するレジスト７４が配置された基板７０を用意する（図３Ａ）。次に、ホッパー２２から粒径が１～１０μｍからなる複数のはんだボールＳBLをレジスト７４の開口部７６に振り落して充填する（図３Ｂ，図３Ｃ）。次に、スキージ３２をレジスト７４上面のＸ－Ｙ方向にスライド移動させることにより、開口部７６以外に振り落とされたはんだボールＳBLをレジスト７４上面からかきとって除去すると共に、開口部７６の内部やその周辺部のはんだボールＳBLをスキージ３２によって開口部７６に押し込む（図３Ｄ，図３Ｅ）。これにより、レジスト７４の開口部７６に高密度ではんだボールＳBLを充填させることができる。

Description

はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法
　本発明は、はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法に関する。
　近年、電子機器の小型化に伴い、電子機器に搭載される電子部品の電極も狭ピッチ化している。例えば、電極間のピッチは１００μｍ以下となっている。このような微細ピッチの電極上にはんだバンプを形成する方法として、めっき法やはんだボール搭載法（例えば特許文献１参照）、ソルダーペースト印刷法が知られているが、生産効率の有利性から、一般的にはソルダーペースト印刷法が広く利用されている。
　ソルダーペースト印刷法では、まず、はんだ粉末とフラックスとを主成分とするはんだペーストを印刷する部分に開口部を有するマスク部材を基板上に配置し、スキージを用いてはんだペーストをマスク部材の開口部に充填させる。その後、開口部に充填されたはんだペーストを加熱、溶融させることにより電極上にはんだバンプを形成している。
　上記ソルダーペースト印刷法では、ソルダーペーストのリフロー後、はんだや基板の表面にフラックス残渣が残るので、フラックス残渣を洗浄除去するための洗浄工程を行う必要がある。ところが、上記洗浄工程では、有機溶剤等による処理が必要となるので、環境への影響を増大させる原因になっている。そのため、フラックス残渣の洗浄を行う必要がないフラックスレスのはんだバンプの形成方法が望まれている。
　フラックスレスのはんだバンプの形成方法として、特許文献２には、はんだ粉末のみを用い、真空下で還元性遊離基ガスを照射しながら、基板上に配置されたマスク部材の開口部にはんだ粉末をスキージを移動させて充填し、続けてはんだ粉末を溶融させることではんだバンプを形成する方法が記載されている。
特開２０１１－２４９４０９号公報 特許第４４５８８３５号
　しかしながら、上記特許文献１の記載されるはんだバンプの形成方法では以下のような問題がある。すなわち、特許文献１のはんだバンプ形成方法のように、一般的にスキージを水平方向に移動させてはんだ粉末をマスク部材の開口部に充填させる方法では、はんだ粉末を円滑かつ効率的に開口部に充填させることが難しいという問題があった。
　そこで、本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、フラックスレスでかつ微細ピッチの電極にも対応可能なはんだボール供給方法、はんだボール供給装置、はんだバンプ形成方法を提供することにある。
　本発明に係るはんだボール供給方法は、電極を有する基板上に配置されたマスク部材の開口部にはんだボールを供給するはんだボール供給方法であって、前記基板の上方に設けられたホッパーから前記電極上に形成される前記開口部に対して複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで前記開口部に振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に充填する第２の工程とを有するものである。
　本発明において、電極の一辺または直径は１０～３０μｍであることが好ましい。また、はんだボールの粒径は１～１０μｍの粒径であることが好ましい。
　また本発明に係るはんだボール供給装置は、電極を有する基板上に配置されたマスク部材の開口部にはんだボールを供給するはんだボール供給装置であって、前記基板の上方に設けられ、前記電極上に形成される前記開口部に複数のはんだボールを振り落すホッパーと、前記マスク部材の平面方向に移動することで前記開口部に振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に充填するスキージとを備えるものである。
　本発明において、電極の一辺または直径は１０～３０μｍであることが好ましい。また、はんだボールの粒径は１～１０μｍの粒径であることが好ましい。
　また本発明に係るはんだバンプ形成方法は、電極を有する基板上に配置されたマスク部材の前記電極上に形成される開口部に前記基板の上方に設けられたホッパーから複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで前記開口部に振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に充填する第２の工程と、有機酸ガスを用いて大気圧下で前記開口部に充填された複数の前記はんだボールを溶融することにより前記電極上にはんだバンプを形成する第３の工程とを有するものである。
　本発明において、電極の一辺または直径は１０～３０μｍであることが好ましい。また、はんだボールの粒径は１～１０μｍの粒径であることが好ましい。
　本発明によれば、ホッパーからはんだボールを開口部に振り落とし、その後スキージにより振り落としたはんだボールを開口部に充填するので、電極の直径が微細化した場合でも効率的かつ円滑にはんだボールを開口部に供給することができる。
本発明の一実施形態に係るはんだボール供給装置の構成例を示す図である。 はんだ振込部の構成例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 はんだバンプの形成工程の一例を示す図である。 粒径が２μｍのはんだボールを開口部に充填したときの状態を示す図である。 開口部に充填した粒径が２μｍのはんだボールをリフローした後に得られるはんだバンプの状態を示す図である。 粒径が３μｍのはんだボールを開口部に充填したときの状態を示す図である。 開口部に充填した粒径が３μｍのはんだボールをリフローした後に得られるはんだバンプの状態を示す図である。
　以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、図面の寸法比率は、説明の都合上拡張されており、実際の比率と異なる場合がある。
［はんだボール供給装置の構成例］
　まず、本発明に係るはんだボール供給装置１００の構成例について説明する。図１は、はんだボール供給装置１００の構成の一例を示している。図２は、はんだボール供給装置１００を構成するはんだ振込部２０の構成の一例を示している。なお、図１において、紙面の水平方向をＸ方向とし、紙面の垂直方向をＺ方向とし、Ｘ方向およびＺ方向に直交する方向をＹ方向としている。
　はんだボール供給装置１００は、図１に示すように、装置全体の動作を制御する制御装置５０と、基台１０と、基台１０の基板載置面側を覆うケース１２とを備えている。制御装置５０は、図示しないＣＰＵ(Central Processing Unit)やＲＯＭ(Read Only Memory)を有し、ＲＯＭに格納されるプログラムを起動して各部を制御することにより後述するはんだボール供給の各工程やはんだバンプ形成の各工程を実行する。
　ケース１２の内部には、ステージ１４と、はんだ振込部２０と、はんだ充填部３０と、イオナイザー４０とがそれぞれ設けられている。ステージ１４は、レジスト７４が配置された基板７０を載置する。ステージ１４には、振動装置６０が取り付けられている。振動装置６０は、ホッパー２２によるはんだボールＳBLの振り落とし時やスキージ３２によるはんだボールＳBLの充填時に制御装置５０の制御に基づいて駆動してステージ１４を振動させる。振動方向は、例えばＸ－Ｙ平面に振動させても良い。これにより、開口部７６内のはんだボールＳBLを密に充填することができ、その結果、はんだボールＳBLの充填率を高くすることができる。
　図２に示すように、はんだ振込部２０は、ホッパー２２と、あみ２４と、超音波発信機２６と、移動機構２８（図１参照）とを有している。ホッパー２２は、基板７０の上方に設けられた円錐台形状の筒体であって、面積の小さい面側が下方に向くようにして移動機構２８に取り付けられている。移動機構２８は、例えばＸ－Ｙ－Ｚステージから構成され、制御装置５０の制御により図示しないモーターが駆動することでホッパー２２をＸ－Ｙ－Ｚ方向に移動可能とする。
　ホッパー２２の内部には、複数のはんだボールＳBLが収容される。はんだボールＳBLをホッパー２２内に供給する方法としては、図示しない供給装置を用いて自動的に所定量のはんだボールＳBLを供給するようにしても良いし、ユーザーが手動ではんだボールＳBLを供給するようにしても良い。
　本例で使用するはんだボールＳBLとしては、粒径が例えば１～１０μｍであり、金属組成がＳｎ－Ａｇ－Ｃｕ系の鉛フリーはんだを用いることができる。具体的には、３.０Ａｇ－０.５Ｃｕ－残Ｓｎの鉛フリーはんだを好適に用いることができる。なお、はんだボールＳBLは、上記以外にも、Ｓｎ－Ｚｎ－Ｂｉ系、Ｓｎ－Ｃｕ系、Ｓｎ－Ａｇ－Ｉｎ－Ｂｉ系またはＳｎ－Ｚｎ－Ａｌ系等の鉛フリーはんだを用いても良いし、Ｓｎ－Ｐｂ系、Ｓｎ－Ｐｂ－Ａｇ系の鉛含有はんだを用いても良い。本発明に使用されるはんだ組成は前記はんだ組成に限定はされることはない。
　あみ２４は、ホッパー２２の下端部に取り付けられ、格子状の微細な開口部を有している。開口部の径は、使用するはんだボールＳBLの粒径と等しいか、または若干大きくなるように選定される。あみ２４は、ホッパー２２に対して着脱可能に構成することができる。これにより、使用するはんだボールＳBLの粒径に応じて網２４を適宜交換することができる。ホッパー２２先端の振出部２３の形状は、本例の場合は円形である。
　超音波発信機２６は、ホッパー２２の例えば側面部に取り付けられ、制御装置５０の制御に基づいて例えば２０～４０ｋＨｚの周波数でホッパー２２を振動させる。これにより、ホッパー２２内に収容されている複数のはんだボールＳBLを均一かつ一様にレジスト７４上に振り落とすことができる。また、あみ２４の開口部の径は、使用するはんだボールＳBLの球形と等しいかまたは若干大きくなっているので、超音波発信機２６のＯＮ・ＯＦＦによってシャッターとして機能させることもできる。
　図１に戻り、はんだ充填部３０は、スキージ３２と、固定部３４と、移動機構３６とを有している。スキージ３２は、例えばウレタンからなり、固定部３４を介して移動機構に３６に取り付けられている。移動機構３６は、例えばＸ－Ｙ－Ｚステージであり、制御装置５０の制御により図示しないモーターが駆動することでスキージ３２をＸ－Ｙ－Ｚ方向に移動可能とする。
　イオナイザー４０は、ステージ１４に載置される基板７０の一方の端部側であって、レジスト７４上面や開口部７６に振り落とされるはんだボールＳBLおよび基板７０に対して吹出口が向くように設置されている。イオナイザー４０は、制御装置５０の制御により作動してプラスイオンおよびマイナスイオンをはんだボールＳBLおよび基板７０に吹き付ける。プラスイオン等は、はんだボールＳBLがレジスト７４上に振り落とされる前に吹き付けるようにしても良い。これにより、はんだボールＳBLおよび基板７０の電荷の偏りを中和することではんだボールＳBLおよび基板７０の静電気を除電し、はんだボールＳBLの開口部７６への充填中にはんだボールＳBL同士が凝集し、開口部７６に充填し難くなることを防止できる。なお、イオナイザー４０は、スイングさせる構成とすることもできる。
［はんだバンプの形成方法例（はんだボールの供給方法例）］
　次に、本発明に係るはんだバンプＳBPの形成方法の一例について図１～図３Ｈを参照して説明する。図３Ａ～図３Ｈは、はんだバンプＳBPを形成する工程の一例を示している。このうち、図３Ａ～図３Ｅは、はんだボールＳBLをレジスト７４の開口部７６に供給する工程の一例を示している。なお、本例では、基板７０上には１０～３０μｍの直径からなる複数の電極７２が形成され、電極７２，７２間のピッチは２０～６０μｍに選定されているものとする。
　図３Ａに示すように、まず、基板７０の電極７２に対応した位置に開口部７６を有するレジスト７４が配置された基板７０を用意する。レジスト７４のパターニングには、例えば公知のフォトリソグラフィの技術を用いることができる。具体的には、基板７０上にレジスト７４を塗布し、塗布したレジスト７４にフォトマスクを介して光を照射することで開口部７６のパターンを転写する。続けて、露光部のレジスト７４を除去することでレジスト７４の電極７２上に開口部７６を形成する。レジスト７４は、ポジ型を用いた例を説明したが、ネガ型を用いても良い。
　レジスト７４の厚みは、後述するように、目標とするはんだバンプＳBPの厚みの約２倍とすることが好ましい。これは、レジスト７４の開口部７６に充填した複数のはんだボールＳBLを溶融すると、充填時における複数のはんだボールＳBLの高さの約１／２となるからである。なお、レジスト７４には、後述するリフロー装置２００での温度に耐性があって、かつ、基板７０から特定の溶剤によって剥離することが可能な材料が一般的に用いられる。
　次に、図３Ｂに示すように、ホッパー２２から複数のはんだボールＳBLをレジスト７４の開口部７６に振り落して充填する。制御装置５０は、超音波発信機２６を駆動して例えば２０～４０ｋＨｚの周波数でホッパー２２を振動させることであみ２４から複数のはんだボールＳBLを開口部７６に振り落とす。また制御装置５０は、移動機構２８を駆動してホッパー２２を基板平面方向（Ｘ－Ｙ方向）に移動させてレジスト７４の全面にはんだボールＳBLを一様に振り落とす。このとき、制御装置５０は、イオナイザー４０を駆動してプラス・マイナスイオンを落下中のはんだボールＳBLやレジスト７４上に振り落されたはんだボールＳBLに対して吹き付けることで除電を行う。このとき制御装置５０は、振動装置６０を駆動してステージ１４を振動させるようにしても良い。なお、本例では、充填工程を大気圧下で行ったが真空下等で行っても良い。
　これらにより、図３Ｃに示すように、複数のはんだボールＳBLの凝集を防止しつつ全ての開口部７６に対して均一かつ高密度にはんだボールＳBLを充填することができる。このとき、複数のはんだボールＳBLは、開口部７６以外のレジスト７４の上面にも振り落とされて堆積する。なお、超音波発信機２６の周波数やホッパー２２の移動速度、イオナイザー４０からのイオンの吹出量を適宜調整することで、はんだボールＳBLの開口部７６への充填を高精度に制御することができる。
　次に、図３Ｄおよび図３Ｅに示すように、イオナイザー４０を駆動させながらスキージ３２をレジスト７４上面のＸ－Ｙ方向にスライド移動させることにより開口部７６以外に振り落とされたはんだボールＳBLをレジスト７４上面からかきとって除去する。また、スキージ３２を開口部７６の上方を通過させることで、開口部７６の内部やその周辺部のはんだボールＳBLをスキージ３２によって開口部７６に押し込む。これにより、開口部７６内のはんだボールＳBLの密度を高くすることができる。このように、スキージ３２は、余分なはんだボールＳBLを取り除く機能の他に、はんだボールＳBLの開口部７６に対する充填率を高くする機能も有している。またイオナイザー４０によるプラスイオン等の吹き付けにより、はんだボールＳBLの凝集を防止し、開口部７６への充填と余分なはんだボールＳBLの除去をスムーズに行うことができる。
　次に、はんだボールＳBLの開口部７６への充填が終了したらはんだボール供給装置１００から基板７０を取り出し、図３Ｆに示すように、取り出した基板７０をリフロー装置２００に搬送する。リフロー装置２００は、有機酸ガスと不活性ガスとの混合ガス雰囲気下で複数のはんだボールＳBLを加熱溶融する。リフロー装置２００内の有機酸の還元力によりはんだボールＳBLや電極７２の酸化物が除去される。したがって従来必要としていたフラックスが不要となる。リフロー工程によるはんだボールＳBLの溶融が終了すると、図３Ｇに示すように、各電極７２上にはんだバンプＳBPが形成される。
　有機酸ガスの一例としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、ハレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、蓚酸、マロン酸、コハク酸、アクリル酸、サリチル酸、乳酸、ジアセチル、アセチルアセトン、アセトニルアセトンを加熱気化させた何れか１種のガスまたは２種以上の混合ガスを用いることができる。不活性ガスの一例としては、例えば、窒素、二酸化炭素、ヘリウム、アルゴン等がある。
　次に、リフロー工程が終了するとリフロー装置２００から基板７０が取り出され、図３Ｈに示すように、溶剤を用いて基板７０からレジスト７４を剥離、洗浄する。このようにして、基板７０の各電極７２上にはんだバンプＳBPを形成することができる。
［はんだボールの粒径と電極の直径との関係例等］
　次に、はんだボールＳBLの粒径Ｓ１と電極７２の直径Ｒとの関係等の一例について説明する。図４Ａは粒径Ｓ１が２μｍのはんだボールＳBLを開口部７６に充填したときの状態を示す図であり、図４Ｂはリフロー後に得られるはんだバンプＳBPの状態を示している。
　本実施の形態では、電極７２の直径Ｒを１０μｍとし、電極７２，７２間のピッチを２０μｍとし、目標のはんだバンプＳBPの厚みを５．３μｍとした。また、はんだボールＳBLとして粒径Ｓ１が電極７２の直径Ｒに対して１／５以下のものを用いた。具体的には、粒径が２μｍのはんだボールＳBLを用いた。また、レジスト７４の高さＨを目標とするはんだバンプＳBPの厚み（５．３μｍ）の約２倍となる１０μｍに形成した。このような条件において、はんだボールＳBLを開口部７６に充填すると、図４Ａに示すように、複数のはんだボールＳBLの開口部７６に対する充填率が４３．２％となった。
　続けて、開口部７６に充填したはんだボールＳBLを加熱、溶融すると、図４Ｂに示すように、はんだバンプＳBPの厚みＴ１が目標とする５．３μｍとなった。このように、はんだボールＳBLの粒径Ｓ１を電極７２の直径Ｒの約１／５以下とすると共にレジスト７４の高さＨを目標とするはんだバンプＳBPの厚みの約２倍とすることで、はんだボールＳBLの開口部７６への充填率を上げることができ、目標とするはんだバンプＳBPの厚みを実現することができた。
　続けて、はんだボールＳBLとして粒径Ｓ２が電極７２の１／５超となる３μｍのものを用いた場合について説明する。図５Ａは粒径Ｓ２が３μｍのはんだボールＳBLを開口部７６に充填したときの図であり、図５Ｂはリフロー後に得られるはんだバンプＳBPを示す図である。なお、その他の電極の直径Ｒ、レジスト７４の高さＨ、目標とするはんだバンプＳBPの厚みは、粒径Ｓ１が２μｍのはんだボールＳBLを用いた場合と同様の条件とした。
　このような条件において、粒径Ｓ２が３μｍのはんだボールＳBLの開口部７６への充填を行うと、図５Ａに示すように、複数のはんだボールＳBLの開口部７６に対する充填率が３６．０％となった。
　続けて、開口部７６に充填したはんだボールＳBLを加熱、溶融すると、図５Ｂに示すように、はんだバンプＳBPの厚みＴ２が４．５８μｍとなった。
　以上説明したように、本実施の形態によれば、基板７０の上方に設けられたホッパー２２からはんだボールＳBLを開口部７６に振り落とし、その後、スキージ３２をＸ－Ｙ方向の移動により振り落としたはんだボールＳBLを開口部７６に充填するので、電極７２のピッチが微細であっても効率的かつ円滑に開口部７６に対してはんだボールＳBLを充填することができる。また、このとき、ホッパー２２をＸ－Ｙ方向に移動させながらレジスト７４の全面に一様にはんだボールＳBLを振り落とすので、全ての開口部７６に対して均一にはんだボールＳBLを充填させることができる。
　また、本実施の形態によれば、はんだバンプＳBPの高さや幅をレジスト７４の開口部７６の高さや幅を変えることにより簡易に制御することができる。
　また、はんだバンプＳBPを形成する場合に、有機酸を用いてリフローを行うため、フラックスレスのリフローを実現することができる。また、フラックスを使用しないため、ソルダーペーストで一般に発生するリフロー時のボイドの発生も抑制することができる。
　さらに、はんだバンプＳBPを形成する場合に、電極７２，７２間にレジスト７４を設けているので、ブリッジの発生も抑制することができる。
　なお、本発明の技術範囲は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した実施形態に種々の変更を加えたものを含む。上記実施の形態では、マスク部材としてレジスト７４を用いたが、これに限定されることはない。例えば、マスク部材としてメタルマスク等を用いることもできる。また、超音波発信機２６の周波数は２０～４０ｋＨｚに限定されることはなく、その他の周波数帯でも適宜選択することができる。また、ホッパー２２の形状は円錐台形状に限定されることはなく、複数のはんだボールＳBLを収容できるような形状であれば適宜採用することができる。
　本発明によれば、ホッパー２２からはんだボールＳBLを開口部７６に振り落とし、その後スキージ３２により振り落としたはんだボールＳBLを開口部７６に充填するので、電極７２の直径が微細化した場合でも効率的かつ円滑にはんだボールＳBLを開口部７６に供給することができる。
　また本発明によれば、同一の基板７０上に複数種類の形状（円形、矩形、楕円等）および面積を有する電極７２が存在した場合でも、複数のはんだボールＳBLを用いるので、効率的かつ円滑にはんだボールＳBLを開口部７６に供給することができる。これにより、同一の基板７０上に複数種類の形状のはんだバンプＳBPを形成することができる。
２２　ホッパー
３２　スキージ
４０　イオナイザー
７０　基板
７４　レジスト
７６　開口部
ＳBL　はんだボール
ＳBP　はんだバンプ

Claims (14)

  1. 　電極を有する基板上に配置されたマスク部材の開口部にはんだボールを供給するはんだボール供給方法であって、
    　前記基板の上方に設けられたホッパーから前記電極上に形成される前記開口部に対して複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、
    　前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで前記開口部に振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に充填する第２の工程と
    　を有するはんだボール供給方法。
  2. 　前記電極の一辺または直径が１０～３０μｍからなる
    　請求項１に記載のはんだボール供給方法。
  3. 　前記はんだボールの粒径が１～１０μｍの粒径からなる
    　請求項１または２に記載のはんだボール供給方法。
  4. 　前記第１および第２の工程において、少なくとも前記マスク部材に振り落とされる複数の前記はんだボールの静電気を除去する
    　請求項１に記載のはんだボール供給方法。
  5. 　前記第２の工程において、前記マスク部材に振り落とされた複数の前記はんだボールを前記スキージを用いて前記マスク部材上から除去する
    　請求項１または２に記載のはんだボール供給方法。
  6. 　電極を有する基板上に配置されたマスク部材の開口部にはんだボールを供給するはんだボール供給装置であって、
    　前記基板の上方に設けられ、前記電極上に形成される前記開口部にはんだボールを振り落すホッパーと、
    　前記マスク部材の平面方向に移動することで前記開口部に振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に充填するスキージと
    　を備えるはんだボール供給装置。
  7. 　前記電極の一辺または直径が１０～３０μｍからなる
    　請求項６に記載のはんだボール供給装置。
  8. 　前記はんだボールの粒径が１～１０μｍの粒径からなる
    　請求項６または７に記載のはんだボール供給装置。
  9. 　少なくとも複数の前記はんだボールの静電気を除去するイオナイザーを備える
    　請求項６に記載のはんだボール供給装置。
  10. 　電極を有する基板上に配置されたマスク部材の前記電極上に形成される開口部に前記基板の上方に設けられたホッパーから複数のはんだボールを振り落す第１の工程と、
    　前記マスク部材の平面方向にスキージを移動させることで前記開口部に振り落された複数の前記はんだボールを前記開口部に充填する第２の工程と、
    　有機酸ガスを用いて前記開口部に充填された複数の前記はんだボールを溶融することにより前記電極上にはんだバンプを形成する第３の工程と
    　を有するはんだバンプ形成方法。
  11. 　前記電極の一辺または直径が１０～３０μｍからなる
    　請求項１０に記載のはんだバンプ形成方法。
  12. 　前記はんだボールの粒径が１～１０μｍの粒径からなる
    　請求項１０または１１に記載のはんだバンプ形成方法。
  13. 　少なくとも複数の前記はんだボールの静電気を除去する工程を有する
    　請求項１０に記載のはんだバンプ形成方法。
  14. 　前記第３の工程が終了した後に、前記基板上に配置された前記マスク部材を除去する第４の工程を有する
    　請求項１０に記載のはんだバンプ形成方法。
PCT/JP2013/067504 2013-06-26 2013-06-26 はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法 Ceased WO2014207835A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/392,168 US10722965B2 (en) 2013-06-26 2013-06-26 Solder ball supplying method, solder ball supplying device, and solder bump forming method
PCT/JP2013/067504 WO2014207835A1 (ja) 2013-06-26 2013-06-26 はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法
JP2015523710A JP5880785B2 (ja) 2013-06-26 2013-06-26 はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法
TW103121145A TWI604910B (zh) 2013-06-26 2014-06-19 A solder ball supplying method, a solder ball supplying device, and a solder bump forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2013/067504 WO2014207835A1 (ja) 2013-06-26 2013-06-26 はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014207835A1 true WO2014207835A1 (ja) 2014-12-31

Family

ID=52141241

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/067504 Ceased WO2014207835A1 (ja) 2013-06-26 2013-06-26 はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10722965B2 (ja)
JP (1) JP5880785B2 (ja)
TW (1) TWI604910B (ja)
WO (1) WO2014207835A1 (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7041953B2 (ja) * 2017-07-28 2022-03-25 アスリートＦａ株式会社 柱状部材搭載装置及び柱状部材搭載方法
JP7513873B2 (ja) * 2019-04-30 2024-07-10 デクセリアルズ株式会社 摺動装置
KR102696530B1 (ko) * 2019-04-30 2024-08-19 데쿠세리아루즈 가부시키가이샤 슬라이딩 대상물의 표면에 대한 슬라이딩 처리물의 공급 또는 배제 방법
CN112091346B (zh) * 2020-09-07 2022-08-19 昆山联滔电子有限公司 一种激光喷射焊球的焊接方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153960A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半田ボールの搭載装置および搭載方法
WO2006004000A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Athlete Fa Corporation 導電性ボールの搭載方法および装置
JP2007125578A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Fujitsu Ltd リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
JP2009081398A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Fujitsu Microelectronics Ltd 電極の形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2010004060A (ja) * 2009-08-12 2010-01-07 Athlete Fa Kk ボール振込装置

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6293456B1 (en) * 1997-05-27 2001-09-25 Spheretek, Llc Methods for forming solder balls on substrates
JP4253748B2 (ja) * 1998-12-25 2009-04-15 澁谷工業株式会社 半田ボール等の供給装置
TW522540B (en) * 2002-02-27 2003-03-01 Advanced Semiconductor Eng Solder ball manufacturing process
TW521361B (en) * 2002-02-27 2003-02-21 Advanced Semiconductor Eng Bump process
CN1477703A (zh) * 2002-08-02 2004-02-25 ǧס������ҵ��ʽ���� 焊球组件及其生产方法，形成焊块的方法
JP3959336B2 (ja) * 2002-11-08 2007-08-15 ユー・エム・シー・ジャパン株式会社 バンプボール圧着装置
US6871776B2 (en) * 2003-03-10 2005-03-29 Trucco Horacio Andres Manufacture of solid-solder-deposit PCB utilizing electrically heated wire mesh
JP4458835B2 (ja) 2003-12-15 2010-04-28 東レエンジニアリング株式会社 半田バンプの形成方法及びその装置
KR100958554B1 (ko) * 2004-12-20 2010-05-17 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 땜납 프리코트 방법 및 전자기기용 워크
US7476976B2 (en) 2005-02-23 2009-01-13 Texas Instruments Incorporated Flip chip package with advanced electrical and thermal properties for high current designs
JP4320350B2 (ja) * 2006-08-23 2009-08-26 Ｔｄｋ株式会社 導電性部材供給装置及び導電性部材供給方法
US20080296355A1 (en) * 2007-05-31 2008-12-04 Texas Instruments Incorporated Direct ball dispenser
TWI462676B (zh) * 2009-02-13 2014-11-21 千住金屬工業股份有限公司 The solder bumps for the circuit substrate are formed using the transfer sheet
JP5462712B2 (ja) 2010-05-24 2014-04-02 株式会社日立製作所 マイクロバンプ形成装置
WO2012063386A1 (ja) * 2010-11-08 2012-05-18 パナソニック株式会社 はんだ転写基材の製造方法、はんだプリコート方法、及びはんだ転写基材

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08153960A (ja) * 1994-11-28 1996-06-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半田ボールの搭載装置および搭載方法
WO2006004000A1 (ja) * 2004-06-30 2006-01-12 Athlete Fa Corporation 導電性ボールの搭載方法および装置
JP2007125578A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Fujitsu Ltd リフロー装置、リフロー方法、および半導体装置の製造方法
JP2009081398A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Fujitsu Microelectronics Ltd 電極の形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2010004060A (ja) * 2009-08-12 2010-01-07 Athlete Fa Kk ボール振込装置

Also Published As

Publication number Publication date
TWI604910B (zh) 2017-11-11
TW201524653A (zh) 2015-07-01
JP5880785B2 (ja) 2016-03-09
JPWO2014207835A1 (ja) 2017-02-23
US10722965B2 (en) 2020-07-28
US20160271715A1 (en) 2016-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5159171A (en) Method and apparatus for solder laser printing
TWI480965B (zh) Solder ball inspection repair device and solder ball detection repair method
TWI418436B (zh) A solder ball printing apparatus and a solder ball printing method
JP5880785B2 (ja) はんだボール供給方法、はんだボール供給装置およびはんだバンプ形成方法
CN105914165B (zh) 基板处理装置、基板处理系统以及基板处理方法
TW200900246A (en) Screen printing device and bump forming method
JP4720608B2 (ja) 部品実装装置および部品実装方法
JPH11297886A (ja) はんだバンプ形成方法
JP2010182983A (ja) 部品実装装置および部品実装方法
JP3860355B2 (ja) 半田バンプの形成方法
JP3829612B2 (ja) 半田バンプ形成装置および半田バンプ形成方法ならびに半田ペースト印刷装置および半田ペースト印刷方法
JP2008060438A (ja) 電子部品実装装置および電子部品実装方法
JPWO2017104746A1 (ja) はんだバンプの修正方法
JP5535122B2 (ja) フラックス塗布方法、実装基板の製造方法およびフラックス塗布装置
CN100531522C (zh) 丝网印刷装置及丝网印刷方法
EP4066976A1 (en) Component mounting method, and component mounting system
JPH09246706A (ja) ハンダ供給方法及び部品実装基板の製造方法
JP7022888B2 (ja) 部品実装方法および部品実装基板の製造方法
JP4053907B2 (ja) フラックス供給方法及び装置、バンプ形成方法、コンピュータプログラム、並びにコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2013098467A (ja) 二次ノズル体と噴流式ハンダ付け方法と噴流式ハンダ付け装置
JP2004096042A (ja) 回路基板上への接続材料の供給方法及び供給装置
CN114245606B (zh) 一种新型的封装外壳焊料预置方法
JP7199507B2 (ja) 成膜装置及び実装機
JP2004186425A (ja) 半田付け装置および半田付け方法
JP4457354B2 (ja) 導電性ボールの搭載装置及び導電性ボールの搭載装置に組み込まれる整列部材

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13887602

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2015523710

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14392168

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13887602

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1