WO2014104328A1 - 支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a laminated body with a supporting substrate, a manufacturing method thereof, and a manufacturing method of a multilayer wiring board, and in particular, a laminated body with a supporting substrate to which a direct laser method can be applied even in a coreless method, a manufacturing method thereof, and a multilayer wiring board. It relates to the manufacturing method.
- the core substrate is a substrate that serves as a support substrate for the build-up layer, and has an insulating layer and a wiring pattern thereon.
- the insulating layer is a reinforcing material such as a glass cloth, epoxy resin, or the like. A material having a certain degree of rigidity, which is impregnated with a thermosetting resin and cured.
- the build-up layer is a layer having an insulating layer and a wiring pattern thereon stacked on the wiring pattern of the core substrate.
- a multilayer wiring board (hereinafter sometimes referred to as a “coreless board”) that does not include the core board is advantageous in that it can be easily thinned and a wiring pattern can be formed at a high density.
- a method of manufacturing such a coreless substrate after forming a laminated plate having a desired number of insulating layers and wiring patterns on both surfaces of a metal foil-clad laminated plate to be a supporting substrate, the laminated plate is separated from the supporting substrate.
- a method of manufacturing a multilayer wiring board by performing subsequent steps on the separated laminated board has been devised (see Patent Documents 1 to 4).
- a method of manufacturing a multilayer wiring board using a support substrate (sometimes referred to as a “dummy core”) that is used only in the manufacturing process and does not constitute the product multilayer wiring board itself is hereinafter referred to as a coreless method. It is called construction method.
- a coreless construction method as a method of forming a non-through hole for interlayer connection of a multilayer wiring board, an opening is provided in a metal foil at a laser processing planned position, and a laser is irradiated to aim at this opening, and a metal A method (conformal method) of processing an insulating layer under the foil as a mask is generally used.
- JP 2000-323613 A JP 2004-356219 A Japanese Patent Laying-Open No. 2005-236067 Japanese Patent No. 4669908
- guide marks 28 for example, a reference for laser processing and wiring pattern formation at the same time
- Ring-shaped opening can be formed, and laser processing aiming at the opening 30 of the metal foil C8 is performed based on the guide mark 28, and the wiring pattern formation after forming the interlayer connection by plating or the like is similarly performed.
- An alignment method in which the guide mark 28 is commonly used can be considered. According to this method, it is possible to ensure the positional accuracy between the non-through hole formed by laser processing and the wiring pattern (particularly the land).
- the opening (window hole) at the laser processing scheduled position in the metal foil C8, and the reference for laser processing and wiring pattern formation The guide mark (for example, ring-shaped opening) is not provided in advance before laser processing. For this reason, as in the case of the conformal method, laser processing and wiring pattern formation cannot be performed using the guide mark provided on the metal foil C8 as a common reference.
- a laminated body 29 with a supporting substrate in which a solid metal foil B6 on which a wiring pattern is not formed, an insulating layer B7, and a metal foil C8 are laminated and integrated is used on the supporting substrate 4.
- the metal foil B6 under the metal foil C8 is a solid conductor layer on which no wiring pattern has been formed yet, and the metal foil B6 also has a reference for alignment of laser processing and wiring pattern formation ( There is no guide mark). Accordingly, there is a possibility that a positional deviation between a non-through hole formed by laser processing and a wiring pattern (particularly a land) occurs.
- a method of forming a wiring pattern based on a non-through hole formed by a direct laser method can be considered. This is a method of forming a non-through hole for interlayer connection and a non-through hole for alignment reference (guide mark) for wiring pattern formation by a direct laser method.
- the metal foil is directly processed by the laser, but the metal foil is originally a mask for laser processing, and the laser processability is inferior. It can be improved by performing surface treatment (roughening treatment, etc.) to make it easier to absorb laser light on the surface of the metal foil, but this surface treatment (roughening treatment, etc.) is performed in the vicinity of the place where laser processing has been performed. Since it tends to disappear due to melting of the metal foil or the like and it becomes difficult to absorb the laser beam, it is difficult to form a shape in which the opening is continuous in the metal foil. For this reason, since it is difficult to form an opening, such as a ring shape, which is generally used as a guide mark, the non-through hole formed by the direct laser method has insufficient readability as a guide mark. There is a possibility.
- the present invention has been made in view of the above problems, and the positional accuracy between the non-through hole and the wiring pattern by the direct laser method is good, and the laminated body with a support substrate to which the direct laser method can be applied even in the coreless method
- Another object of the present invention is to provide a method for manufacturing the same and a method for manufacturing a multilayer wiring board.
- the present invention is a laminate with a support substrate comprising a support substrate and a laminate on the support substrate, wherein the laminate is disposed on the metal foil B disposed on the support substrate, and on the metal foil B.
- the insulating layer B arranged, the metal foil C arranged on the insulating layer B, the non-through hole for the product and the guide mark which penetrates the metal foil C and the insulating layer B and reaches the metal foil B
- the wiring pattern is not formed in the metal foil B, it is applicable to the coreless construction method in which the solid metal foil B in which the wiring pattern is not formed is arranged on the support substrate. Further, since no wiring pattern is formed on the metal foil C, a direct laser method can be applied. Further, the non-through hole for product and the non-through hole for guide mark are formed with the same position reference by processing in one laser processing step. Furthermore, since the non-through holes for guide marks are filled with plating, contrast is easily obtained when the guide marks are read by an X-ray observation apparatus. Further, since it is a dot pattern guide mark, even a dot can be recognized as a pattern. For this reason, since the readability of the guide mark can be ensured, the positional accuracy between the non-through hole and the wiring pattern in the case of the direct laser method can be ensured.
- the guide mark is a dot pattern in which the guide mark non-through holes are individually arranged in a multiple ring shape in an independent state.
- the guide mark is a dot pattern assembled and arranged in a multiple ring shape, even if part of the dot pattern formed by laser processing is missing, the other part is used to correct the missing part. It is possible to suppress the influence of a decrease in position accuracy due to missing dots.
- the support substrate includes the insulating layer A and the metal foil A, and the laminated body is directly disposed on the metal foil A and is slightly smaller than the metal foil A.
- An insulating layer B that is slightly larger than the foil B, a metal foil C disposed on the insulating layer B, a non-through hole for a product passing through the metal foil C and the insulating layer B and reaching the metal foil B, and It is preferable to provide a non-through hole for a guide mark.
- the metal foil B is not bonded to the metal foil A of the support substrate, and the one-size larger insulating layer B and the metal foil A are bonded to each other, and the metal foil B is sealed to be fixed to the support substrate. ing.
- the supporting substrate and the laminate can be easily separated by simply cutting and removing the portion where the insulating layer B and the metal foil A on the outer periphery of the metal foil B are bonded, the coreless method using the direct laser method Becomes easier.
- the present invention is a method for producing any one of the above-described laminates with a supporting substrate, and on the metal foil A of the supporting substrate, a metal foil B that is slightly smaller than the metal foil A and the metal foil B
- the coreless construction method is facilitated.
- the non-through hole for the product from the metal foil C to the metal foil B and the non-through hole for the guide mark of the dot pattern are formed and filled with plating, the readability of the guide mark can be ensured and the direct laser construction method is applied Even in this case, the positional accuracy between the non-through hole and the wiring pattern can be ensured.
- the present invention includes a step (d) of separating the support substrate and the laminate after the step (c) of the method for producing the laminate with the support substrate, and a dot pattern filled with plating of the separated laminate.
- a step (g) of forming a wiring pattern by etching is a step (d) of separating the support substrate and the laminate after the step (c) of the method for producing the laminate with the support substrate, and a dot pattern filled with plating of the separated laminate.
- guide holes that serve as a reference for wiring pattern formation are formed on the basis of the non-through holes for guide marks of the dot pattern filled with the plating of the separated laminate, so even if the direct laser method is applied, non-through Position accuracy between the hole and the wiring pattern can be ensured.
- the position accuracy between the non-through hole and the wiring pattern by the direct laser method is good, and the laminated body with the supporting substrate to which the direct laser method can be applied even in the coreless method, the manufacturing method thereof, and the manufacturing of the multilayer wiring substrate A method can be provided.
- the step a of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process b of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process c of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- Step d of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of the present embodiment is shown.
- Process e of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process f of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process g of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process h of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the step i of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process j of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the process k of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board of this Embodiment is represented.
- the top view of the laminated body and guide mark of this Embodiment is represented.
- Step a ′ of the method for manufacturing a laminate or multilayer wiring board in the case of the conformal method is shown.
- Step b 'of the manufacturing method of the laminated body or multilayer wiring board in the case of the conformal method is represented.
- the step c ′ of the manufacturing method of the laminate or the multilayer wiring board in the case of the conformal method is shown.
- the top view of the laminated body and guide mark in the case of a conformal construction method
- the laminate 29 with a support substrate of the present embodiment is a laminate 29 with a support substrate including a support substrate 4 and a laminate 9 on the support substrate 4, and the laminate
- the body 9 is a non-wiring pattern forming metal foil B6 disposed on the support substrate 4, an insulating layer B7 disposed on the metal foil B6, and an unwiring pattern forming disposed on the insulating layer B7.
- the metal foil C8, the product non-through hole 26a and the guide mark non-through hole 26b that penetrate the metal foil C8 and the insulating layer B7 and reach the metal foil B6, and the guide mark non-through hole 26b It is a laminated body 29 with a supporting substrate having dot pattern guide marks 28 filled with plating 27 and arranged in an independent state.
- the support substrate 4 uses a metal foil-clad laminate 4 in which a metal foil A3 is bonded to both surfaces of a glass epoxy insulating layer A2.
- the support substrate 4 is not limited to the metal foil-clad laminate 4 and can be used without particular limitation as long as it can support the product laminate 9 in the manufacturing process. Therefore, an insulating substrate or a copper foil-clad laminate used for manufacturing a general multilayer wiring board is preferable.
- a metal foil B6 having an unwiring pattern is disposed on the support substrate 4.
- the non-wiring pattern formation means that a wiring pattern is not formed by etching or the like.
- metal foil B6 it is preferable from the point of versatility to use the copper foil used for manufacture of a multilayer wiring board.
- the metal foil B6 is in the state of the metal foil with the non-wiring pattern formed, and no wiring pattern is formed including the wiring pattern serving as the guide mark.
- the metal foil B6 is formed with an unwiring pattern, it can also be used for a coreless construction method in which the metal foil B6 with an unwiring pattern is disposed on the support substrate 4.
- An insulating layer B7 is disposed on the metal foil B6.
- a resin film such as an epoxy resin or a polyimide resin, or a prepreg obtained by impregnating and curing a resin such as an epoxy resin or a phenol resin on a glass substrate such as a glass cloth or a glass nonwoven fabric can be used.
- a metal foil C8 having a non-wiring pattern is disposed on the insulating layer B7.
- the metal foil C8 is in a state where a non-wiring pattern is formed, and no wiring pattern is formed including a wiring pattern serving as a guide mark.
- a direct laser construction method is applicable.
- a non-through hole for product 26a and a non-through hole for guide mark 26b that penetrate through the metal foil C8 and the insulating layer B7 to reach the metal foil B6 are formed.
- the non-through hole for product 26a and the non-through hole for guide mark 26b are formed with the same position reference by processing in one laser processing step.
- These non-through holes that penetrate through the metal foil C8 and the insulating layer B7 to reach the metal foil B6 can be formed by directly processing the metal foil C8 using the direct laser method.
- the guide mark non-through holes 26b are filled with plating 27 and have the dot pattern guide marks 28 that are individually arranged in an independent state.
- the guide mark non-through hole 26b is filled with the plating 27, contrast is easily obtained when the guide mark 28 is read by the X-ray observation apparatus.
- the dots are individually independent and the dots are not continuously connected, a gap is secured between the dots, so that the surface roughness of the metal foil C8 in the vicinity of the dots is achieved by laser processing. Since the adjacent dots are formed avoiding the location where the shaped shape disappears, the dot pattern can be formed while maintaining the laser processability.
- the individually independent state means that the guide mark non-through holes 26b adjacent to each other are arranged so as not to overlap each other in plan view, and need not be electrically independent. Furthermore, since it is a dot pattern guide mark, even a dot can be recognized as a pattern. For this reason, since the readability of the guide mark can be ensured, the positional accuracy between the non-through hole and the wiring pattern in the case of the direct laser method can be ensured.
- the guide mark 28 is preferably a dot pattern in which the guide mark non-through holes 26b are gathered and arranged in a multiple ring shape in an independent state.
- the surface of the metal foil C8 is subjected to surface treatment (roughening treatment, etc.) for facilitating the absorption of laser light in order to improve laser workability. (Roughening treatment or the like) tends to disappear due to melting of the metal foil C8 and the like, and it becomes difficult to absorb the laser beam, so the formation of dots by laser processing may be incomplete.
- the guide mark 28 is a dot pattern that is arranged in a multiple ring shape, even if a dot pattern that is formed by laser processing is partially missing, the missing part is corrected using another part. It is possible to suppress the influence of a decrease in position accuracy due to missing dots.
- the support substrate 4 includes an insulating layer A2 and a metal foil A3, and the laminate 9 is disposed directly on the metal foil A3 and is slightly smaller than the metal foil A3.
- An insulating layer B7 that is slightly larger than the metal foil B6, a metal foil C8 disposed on the insulating layer B7, and a non-product for the metal foil B6 that passes through the metal foil C8 and the insulating layer B7 and reaches the metal foil B6. It is preferable to provide the through hole 26a and the guide mark non-through hole 26b.
- the metal foil B6 is not bonded to the metal foil A3 of the support substrate 4, and the insulating layer B7 that is slightly larger than the metal foil A3 is bonded to the metal foil B6 so that the metal foil B6 is sealed. It is fixed. For this reason, since the support substrate 4 and the laminated body 9 can be easily separated simply by cutting and removing the portion where the insulating layer B and the metal foil A3 on the outer periphery of the metal foil B6 are bonded, the direct laser method is used. The coreless construction method becomes easy.
- a metal foil-clad laminate 4 in which a composite metal foil in which two or more layers of metal foils are bonded together in a peelable state may be used.
- a so-called copper foil with carrier copper foil (or peelable copper foil) including a carrier copper foil serving as a support layer and an ultrathin copper foil generally used for forming a wiring pattern can be mentioned.
- the carrier copper foil a copper foil having a thickness of about 9 to 70 ⁇ m is generally used, and as the ultrathin copper foil, a copper foil having a thickness of about 1 to 9 ⁇ m is used.
- the carrier copper foil side of the composite metal foil is bonded to the insulating layer A2 side.
- the carrier copper foil corresponds to the metal foil A3
- the ultrathin copper foil corresponds to the metal foil B6.
- metal foil B6 becomes unnecessary.
- the laminated body 9 and the support substrate 4 of the laminated body 29 with a support substrate can be isolate
- the manufacturing method of the laminated body 29 with the support substrate of the present embodiment includes a metal foil B6 that is slightly smaller than the metal foil A3 on the metal foil A3 of the support substrate 4,
- B (FIG. 2) for forming a product non-through hole 26a and a dot mark guide mark non-through hole 26b from the metal foil C8 to the metal foil B6.
- C (FIG.
- the manufacturing method of the multilayer wiring board 1 includes the supporting substrate 4 after the step (c) (FIG. 3) of the manufacturing method of the laminate 29 with the supporting substrate.
- (D) (FIG. 4) which separates the laminated body 9 and the guide pattern non-through hole 26b of the dot pattern filled with the plating 27 of the separated laminated body 9 as a reference Step (e) for forming hole 24 (FIG. 5), Step (f) for forming etching resist 25 (FIG. 6), and metal foil B6 or C8 are etched using this guide hole 24 as a reference.
- G (FIG. 7) which performs pattern formation.
- the guide hole 24 serving as a reference for forming the wiring pattern is formed on the basis of the non-through hole 26b for the guide mark of the dot pattern filled with the plating 27 of the separated laminated body 9, so that the direct laser method is applied.
- the non-through holes here, the product non-through hole 26a and the guide mark non-through hole 26b
- the wiring pattern here, the wiring pattern C11
- a copper foil-clad laminate (metal foil-clad laminate 4, MCL-E-67 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) obtained by bonding a 12 ⁇ m thick copper foil A3 to a glass epoxy material (insulating layer A2).
- MCL is a registered trademark
- the glossy surface of ⁇ 12) was disposed so as to face the copper foil A3 of the copper foil-clad laminate 4.
- a prepreg (GEA-679FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) as an insulating layer B7 on the outside, a copper foil C8 having a thickness of 12 ⁇ m (3EC-VLP-12 manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) on the outside, and a copper foil C8
- the roughened surface was configured to adhere to the insulating layer B7 and laminated by vacuum hot pressing to form a laminated plate 29 with a supporting substrate.
- the thickness of the insulating layer B7 was 20 to 60 ⁇ m.
- the surface of the copper foil C8 is used with HIST7100 (trade name, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.).
- the copper oxide was roughened so that the thickness was 2 ⁇ m or more.
- the guide mark non-through holes 26b are formed with dot pattern guide marks 28 that are arranged in a triple ring shape independently of each other.
- the outer periphery of the triple ring of the dot pattern is 3,250 ⁇ m and the inner periphery is 2,750 ⁇ m.
- Each dot is formed at a pitch of 120 to 140 ⁇ m and has a gap of 40 to 60 ⁇ m.
- the product non-through hole 26a and the guide mark non-through hole 26b are desmeared, pre-plated (degreasing, applying a catalyst, thin electroless copper plating), and electrolytic filled vias.
- Plating was performed and the plating 27 was filled to form an interlayer connection BC.
- the interlayer connection BC10 was formed by filled via plating, the thickness of the plating 27 formed on the copper foil C8 was 21 to 24 ⁇ m.
- buffing was further performed to smooth the surface.
- the dot pattern assembled and arranged in a triple ring shape is read with reference to the guide mark 28 using a drill machine (manufactured by Motronics) with an X-ray observation device.
- the guide hole 24 was drilled aiming at the center.
- etching resist is applied to both surfaces of the laminate 9 (the surface of the plating 27 on the copper foil C8 and the surface of the copper foil B6) using SL-1329 (trade name, Hitachi Chemical Co., Ltd.). Formed.
- the alignment at the time of exposure of the etching resist was performed with reference to the guide hole 24.
- wiring patterns B16 and C11 having a predetermined wiring pattern were formed on both surfaces of the laminate 9 by an etching method.
- the surface of the obtained wiring pattern C11 was roughened with a roughening treatment solution Multibond MB-100 (trade name, manufactured by Nihon McDermid Co., Ltd.).
- a prepreg (GEA-679FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) as the insulating layer C12, an ultrathin copper foil D13 having a thickness of 5 ⁇ m on the outside thereof, and a carrier copper foil having a thickness of 18 ⁇ m (not shown) .) Is attached so that the roughened surface of ultrathin copper foil D13 with a thickness of 5 ⁇ m adheres to the insulating layer C12, and is applied to a vacuum hot press. Then, the laminated body 9 was formed by peeling the 18 ⁇ m carrier copper foil (not shown).
- an interlayer connection hole (not shown) is provided in the laminate 9, and an interlayer connection CD 14 for interlayer connection between the copper foil D 13 and the wiring pattern C 11 is formed by filled plating.
- a wiring pattern of a wiring pattern D17 was formed by an etching method.
- a prepreg (GEA-679FG manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is formed as an insulating layer D18 on both upper and lower sides of the laminate 9 on which the wiring pattern D17 is formed.
- the carrier copper foil (not shown) with an ultrathin copper foil with carrier (MT18SDH5 manufactured by Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd.) adhered to the insulating layer D18 with the roughened surface of the ultrathin copper foil E19 having a thickness of 5 ⁇ m.
- the laminate 9 was formed by laminating by a vacuum hot press and peeling off the 18 ⁇ m carrier copper foil (not shown).
- an interlayer connection hole is provided in the laminate 9, and an interlayer connection DE20 that interconnects the copper foil E19 and the wiring pattern D17 is formed by filled plating, and then the wiring pattern is formed by etching.
- An E22 wiring pattern was formed.
- the multilayer wiring board 1 was obtained by cutting at the cutting position 15b of the laminated body 9 and removing the region where the guide mark 28 was formed by the non-through hole for guide mark.
- the laminated body with a supporting substrate of the present invention, the manufacturing method thereof and the manufacturing method of the multilayer wiring board have good positional accuracy between the non-through hole and the wiring pattern by the direct laser method, and the direct laser method can be applied even in the coreless method. Therefore, it is industrially effective.
- Multilayer wiring board 2 Insulating layer A 3: Metal foil A or copper foil A 4: Support substrate, metal foil-clad laminate or copper foil-clad laminate 6: metal foil B or copper foil B 7: Insulating layer B 8: Metal foil C or copper foil C 9: Laminate 10: Interlayer connection BC 11: Wiring pattern C 12: Insulating layer C 13: Metal foil D or copper foil D 14: Interlayer connection CD 15a: Cutting position 15b (when the support substrate and the laminate are separated at the separation position): Cutting position 16 (when removing the region where the guide mark is formed) 16: Wiring pattern B 17: Wiring pattern D 18: Insulating layer D 19: Metal foil E or Copper foil E 20: Interlayer connection DE 21: Interlayer connection BE 22: Wiring pattern E 23: Separation position 24: Guide hole 25: Etching resist 26: Non-through hole 26a: Product non-through hole 26b: Guide mark non-through hole 27: Plating 28: Guide mark 29: Laminated body 30 with support substrate (opening) Window hole)
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Abstract
支持基板とこの支持基板上に積層体とを備える支持基板付き積層体であって、前記積層体が、前記支持基板上に配置された未配線パターン形成の金属箔Bと、この金属箔B上に配置された絶縁層Bと、この絶縁層B上に配置された未配線パターン形成の金属箔Cと、この金属箔C及び絶縁層Bを貫通して前記金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔と、このガイドマーク用非貫通孔をめっきで充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマークと、を有する支持基板付き積層体。
Description
本発明は、支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法に関し、特には、コアレス工法においても、ダイレクトレーザ工法が適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法に関する。
半導体素子を搭載する多層配線基板には、コア基板の両面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が広く用いられている。ここで、コア基板とは、ビルドアップ層の支持基板となる基板であり、絶縁層とその上の配線パターンとを有し、絶縁層としては、一般に、ガラスクロス等の補強材にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて硬化させた、ある程度剛性のあるものが用いられる。また、ビルドアップ層は、このコア基板の配線パターン上に積み重ねられた、絶縁層とその上の配線パターンとを有する層をいう。近年、多層配線基板の薄型化、配線パターンの高密度化とともに、コア基板を備えない多層配線基板が提供されるようになってきた。このコア基板を備えない多層配線基板(以下、「コアレス基板」ということがある。)は、薄型化が容易であり、高密度に配線パターンを形成することができるという利点を有する。
このようなコアレス基板の製造方法としては、支持基板となる金属箔張り積層板の両面に、所望の層数の絶縁層と配線パターンを有する積層板を形成した後、積層板を支持基板から分離し、分離した積層板に対してその後の工程を行うことにとより多層配線基板を製造する方法が考案されている(特許文献1~4参照)。なお、このように、製造プロセスでのみ使用され、製品となる多層配線基板自体は構成しない支持基板(「ダミーコア」ということがある。)を用いて多層配線基板を製造する工法を、以下、コアレス工法という。
このようなコアレス工法においては、多層配線基板の層間接続用の非貫通孔を形成する方法として、レーザ加工予定位置の金属箔に開口を設けておき、この開口を狙ってレーザを照射し、金属箔をマスクとして、その下の絶縁層を加工する方法(コンフォーマル工法)が、一般的に用いられている。
このコンフォーマル工法の場合は、図13~16に示すように、レーザ加工予定位置の金属箔C8に開口30を設ける際に、同時にレーザ加工と配線パターン形成の基準となるガイドマーク28(例えば、リング状開口)を形成することができるので、金属箔C8の開口30を狙ったレーザ加工は、このガイドマーク28を基準として行い、めっき等で層間接続を形成した後の配線パターン形成も同様に、このガイドマーク28を共通に使用するという位置合せ方法が考えられる。この方法によれば、レーザ加工により形成された非貫通孔と配線パターン(特にランド)との位置精度を確保することができる。
近年、薄型高密度化に加えて、コスト低減の要求が厳しくなっており、この要求に応える方法として、薄型高密度化が可能なコアレス工法を用いたうえで、層間接続用の非貫通孔を形成する方法として、レーザ加工予定位置の金属箔に開口を設けずに、直接レーザを照射して、金属箔とその下の絶縁層を加工する方法(ダイレクトレーザ工法)を適用することが考えられる。
しかし、図1に示すように、ダイレクトレーザ工法では、上述したコンフォーマル工法の場合のように、金属箔C8にレーザ加工予定位置の開口(窓穴)と、レーザ加工及び配線パターン形成の基準となるガイドマーク(例えば、リング状開口)とを、レーザ加工の前に予め設けることはない。このため、コンフォーマル工法の場合のように、金属箔C8に設けたガイドマークを共通の基準として、レーザ加工と配線パターン形成を行なうことはできない。また、図1に示すように、支持基板4上に、配線パターンを形成していないベタの金属箔B6と、絶縁層B7と、金属箔C8を積層一体化した支持基板付き積層体29を用いるコアレス工法の場合には、金属箔C8の下層の金属箔B6が、まだ配線パターンが形成されていないベタの導体層であり、金属箔B6にもレーザ加工及び配線パターン形成の位置合せの基準(ガイドマーク)は設けられていない。したがって、レーザ加工で形成した非貫通孔と配線パターン(特にランド)との位置ずれが生じる可能性がある。
この対策としては、ダイレクトレーザ工法により形成された非貫通孔自体を基準として、配線パターンを形成する方法が考えられる。これは、ダイレクトレーザ工法により層間接続用の非貫通孔と、配線パターン形成の位置合せ基準(ガイドマーク)用の非貫通孔を形成する方法である。
しかし、ダイレクトレーザ工法では、金属箔を直接レーザで加工するが、金属箔は本来レーザ加工のマスクとなるものであり、レーザ加工性が劣る。金属箔表面にレーザ光を吸収し易くするための表面処理(粗化処理等)を行なうことで改善されるが、レーザ加工を行なった箇所の近傍は、この表面処理(粗化処理等)が金属箔の溶融等で消失する傾向があり、レーザ光を吸収し難くなることから、金属箔に開口が連続的した形状を形成し難い。このため、ガイドマークとして一般的に用いられる、例えばリング形状のような、開口の形成が困難であることから、ダイレクトレーザ工法により形成された非貫通孔では、ガイドマークとしての読み取り性が不十分となる可能性がある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、支持基板とこの支持基板上に積層体とを備える支持基板付き積層体であって、前記積層体が、前記支持基板上に配置された金属箔Bと、この金属箔B上に配置された絶縁層Bと、この絶縁層B上に配置された金属箔Cと、この金属箔C及び絶縁層Bを貫通して前記金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔と、このガイドマーク用非貫通孔をめっきで充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマークと、を有する支持基板付き積層体である。
これにより、金属箔Bには配線パターンが形成されていないため、支持基板上に配線パターンを形成していないベタの金属箔Bを配置するコアレス工法にも適用可能である。また、金属箔Cには配線パターンが形成されていないため、ダイレクトレーザ工法が適用できる。また、製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔は、1回のレーザ加工工程で加工することにより、同一の位置基準で形成される。さらに、ガイドマーク用非貫通孔がめっきで充填されているので、X線観察装置によってガイドマークを読み取る場合のコントラストが付き易い。また、ドットパターンのガイドマークであるため、ドットであっても、パターンとして認識することが可能となる。このため、ガイドマークの読み取り性を確保できるため、ダイレクトレーザ工法の場合の非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
これにより、金属箔Bには配線パターンが形成されていないため、支持基板上に配線パターンを形成していないベタの金属箔Bを配置するコアレス工法にも適用可能である。また、金属箔Cには配線パターンが形成されていないため、ダイレクトレーザ工法が適用できる。また、製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔は、1回のレーザ加工工程で加工することにより、同一の位置基準で形成される。さらに、ガイドマーク用非貫通孔がめっきで充填されているので、X線観察装置によってガイドマークを読み取る場合のコントラストが付き易い。また、ドットパターンのガイドマークであるため、ドットであっても、パターンとして認識することが可能となる。このため、ガイドマークの読み取り性を確保できるため、ダイレクトレーザ工法の場合の非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
上記において、ガイドマークが、ガイドマーク用非貫通孔を個々に独立した状態で多重リング状に集合配置したドットパターンであるのが好ましい。
これにより、ガイドマークが多重リング状に集合配置したドットパターンであるため、仮にレーザ加工により形成されるドットパターンに一部欠落が生じても、他の部分を用いて、欠落部分を補正することが可能であり、ドットの欠落による位置精度低下の影響が抑制される。
これにより、ガイドマークが多重リング状に集合配置したドットパターンであるため、仮にレーザ加工により形成されるドットパターンに一部欠落が生じても、他の部分を用いて、欠落部分を補正することが可能であり、ドットの欠落による位置精度低下の影響が抑制される。
上記の何れかにおいて、支持基板が、絶縁層Aと金属箔Aとを備え、積層体が、前記金属箔A上に直接配置され前記金属箔Aよりも一回り小さい金属箔Bと、この金属箔Bよりも一回り大きい絶縁層Bと、この絶縁層B上に配置された金属箔Cと、この金属箔C及び絶縁層Bを貫通して金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔とを備えるのが好ましい。
つまり、金属箔Bは、支持基板の金属箔Aとは接着しておらず、一回り大きい絶縁層Bと金属箔Aとが接着し、金属箔Bを密閉することで、支持基板に固定されている。このため、金属箔Bの外周の絶縁層Bと金属箔Aとが接着している部分を切断除去するだけで、支持基板と積層体とが容易に分離できるので、ダイレクトレーザ工法を用いるコアレス工法が容易になる。
つまり、金属箔Bは、支持基板の金属箔Aとは接着しておらず、一回り大きい絶縁層Bと金属箔Aとが接着し、金属箔Bを密閉することで、支持基板に固定されている。このため、金属箔Bの外周の絶縁層Bと金属箔Aとが接着している部分を切断除去するだけで、支持基板と積層体とが容易に分離できるので、ダイレクトレーザ工法を用いるコアレス工法が容易になる。
本発明は、上記の何れかの支持基板付き積層体の製造方法であって、支持基板の金属箔A上に、この金属箔Aよりも一回り小さい金属箔Bと、この金属箔Bよりも一回り大きい絶縁層Bと、金属箔Cとを、この順番に重ねて加熱加圧し、積層一体化する工程(a)と、前記金属箔C及び絶縁層Bをレーザで貫通して、前記金属箔Cから金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成する工程(b)と、前記製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔にめっきを充填する工程(c)と、を有する支持基板付き積層体の製造方法である。
これにより、支持基板側の金属箔A上に直接配置した積層体側の金属箔Bとの間で、支持基板と積層体との分離が容易なので、コアレス工法が容易となる。また、金属箔Cから金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成しめっきを充填するので、ガイドマークの読み取り性を確保でき、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
これにより、支持基板側の金属箔A上に直接配置した積層体側の金属箔Bとの間で、支持基板と積層体との分離が容易なので、コアレス工法が容易となる。また、金属箔Cから金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成しめっきを充填するので、ガイドマークの読み取り性を確保でき、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
本発明は、上記の支持基板付き積層体の製造方法の工程(c)の後、支持基板と積層体とを分離する工程(d)と、前記分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターンの位置決め用ガイド孔を形成する工程(e)と、このガイド孔を基準として、エッチングレジストを形成する工程(f)と、金属箔B又はCをエッチングして、配線パターン形成を行なう工程(g)と、を有する多層配線基板の製造方法である。
これにより、分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターン形成の基準となるガイド孔を形成するので、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
これにより、分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターン形成の基準となるガイド孔を形成するので、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
本発明によれば、ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能な支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法を提供することができる。
<支持基板付き積層体>
本実施の形態の支持基板付き積層体を、図3、図12を用いて、以下に説明する。
本実施の形態の支持基板付き積層体を、図3、図12を用いて、以下に説明する。
図3、図12に示すように、本実施形態の支持基板付き積層体29は、支持基板4とこの支持基板4上に積層体9とを備える支持基板付き積層体29であって、前記積層体9が、前記支持基板4上に配置された未配線パターン形成の金属箔B6と、この金属箔B6上に配置された絶縁層B7と、この絶縁層B7上に配置された未配線パターン形成の金属箔C8と、この金属箔C8及び絶縁層B7を貫通して前記金属箔B6に到る製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bと、このガイドマーク用非貫通孔26bをめっき27で充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマーク28と、を有する支持基板付き積層体29である。
支持基板4は、ガラスエポキシ製の絶縁層A2の両面に金属箔A3を貼り合わせた金属箔張り積層板4を用いている。支持基板4としては、金属箔張り積層板4に限らず、製品となる積層体9を製造プロセスでの取り扱いにおいて、支持可能なものであれば特に限定なく用いることができるが、汎用性の面から、一般の多層配線基板の製造に用いられる絶縁基板又は銅箔張り積層板であるのが好ましい。
支持基板4上には、未配線パターン形成の金属箔B6が配置される。未配線パターン形成とは、エッチング等による配線パターン形成が行われていないことをいう。金属箔B6としては、多層配線基板の製造に用いられる銅箔を用いるのが、汎用性の点から好ましい。金属箔B6は、未配線パターン形成の金属箔のままの状態であり、ガイドマークとなる配線パターンを含めて配線パターンが形成されていない。このように、金属箔B6が未配線パターン形成であるため、支持基板4上に未配線パターン形成の金属箔B6を配置するコアレス工法にも用いることができる。
金属箔B6上には、絶縁層B7が配置される。絶縁層B7としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の樹脂フィルムや、ガラスクロス、ガラス不織布等のガラス基材にエポキシ樹脂、フェノ-ル樹脂等の樹脂を含浸し硬化させたプリプレグが使用できる。
絶縁層B7上には、未配線パターン形成の金属箔C8が配置される。金属箔C8は、未配線パターン形成の状態であり、ガイドマークとなる配線パターンを含めて配線パターンが形成されていない。このように、金属箔Cが未配線パターン形成であるため、ダイレクトレーザ工法が適用できる。
金属箔C8及び絶縁層B7を貫通して金属箔B6に到る製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bが形成されている。製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bは、1回のレーザ加工工程で加工することにより、同一の位置基準で形成される。金属箔C8及び絶縁層B7を貫通して金属箔B6に到るこれらの非貫通孔は、ダイレクトレーザ工法を用い、金属箔C8を直接加工して形成することができる。
図12に示すように、ガイドマーク用非貫通孔26bをめっき27で充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマーク28を有している。このように、ガイドマーク用非貫通孔26bがめっき27で充填されているので、X線観察装置によってガイドマーク28を読み取る場合のコントラストが付き易い。また、個々に独立した状態のドットであり、ドットが連続して繋がってはいないため、ドットとドットの間には間隙が確保されるので、レーザ加工によってドットの近傍の金属箔C8の表面粗化形状が消失した箇所を避けて、隣のドットが形成されるので、レーザの加工性を維持したままドットパターンを形成できる。ここで、個々に独立した状態とは、平面視において、隣接したガイドマーク用非貫通孔26b同士が重ならない状態で配置されていることをいい、電気的に独立である必要はない。さらに、ドットパターンのガイドマークであるため、ドットであっても、パターンとして認識することが可能となる。このため、ガイドマークの読み取り性を確保できるため、ダイレクトレーザ工法の場合の非貫通孔と配線パターンとの位置精度を確保できる。
図12に示すように、ガイドマーク28が、ガイドマーク用非貫通孔26bを個々に独立した状態で多重リング状に集合配置したドットパターンであるのが好ましい。金属箔C8の表面には、レーザ加工性を改善するため、レーザ光を吸収し易くするための表面処理(粗化処理等)を行なうが、レーザ加工を行なった箇所の近傍は、この表面処理(粗化処理等)が金属箔C8の溶融等で消失する傾向があり、レーザ光を吸収し難くなることから、レーザ加工によるドットの形成が不完全になる場合がある。しかし、ガイドマーク28が、多重リング状に集合配置したドットパターンであることにより、仮にレーザ加工による形成されるドットパターンに一部欠落が生じても、他の部分を用いて、欠落部分を補正することが可能であり、ドットの欠落による位置精度低下の影響が抑制される。
図3に示すように、支持基板4が、絶縁層A2と金属箔A3とを備え、積層体9が、前記金属箔A3上に直接配置され前記金属箔A3よりも一回り小さい金属箔B6と、この金属箔B6よりも一回り大きい絶縁層B7と、この絶縁層B7上に配置された金属箔C8と、この金属箔C8及び絶縁層B7を貫通して金属箔B6に到る製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bとを備えるのが好ましい。つまり、金属箔B6は、支持基板4の金属箔A3とは接着しておらず、一回り大きい絶縁層B7と金属箔A3とが接着し、金属箔B6を密閉することで、支持基板4に固定されている。このため、金属箔B6の外周の絶縁層Bと金属箔A3とが接着している部分を切断除去するだけで、支持基板4と積層体9とが容易に分離できるので、ダイレクトレーザ工法を用いるコアレス工法が容易になる。
<支持基板付き積層体の変形例>
本実施形態の支持基板付き積層体29の変形例としては、支持基板4として、ガラスエポキシ製の絶縁層A2の両面に、図1における金属箔A3及び金属箔B6の代わりに、物理的に引き剥がし可能な状態で2層以上の金属箔が張り合わされた複合金属箔を貼り合わせた金属箔張り積層板4を用いてもよい。このような複合金属箔として、支持層となるキャリア銅箔と、一般に配線パターンの形成に用いられる極薄銅箔とを備える、いわゆるキャリア銅箔付き銅箔(又はピーラブル銅箔)が挙げられる。キャリア銅箔としては、一般に厚さ9~70μm程度の銅箔が用いられ、極薄銅箔としては、厚さ1~9μm程度の銅箔が用いられる。この複合金属箔を用い、複合金属箔のキャリア銅箔側を絶縁層A2側に向けて張り合わせる。このように複合金属箔を張り合わせた金属箔張り積層板4を用いた場合、図1において、キャリア銅箔が金属箔A3に対応し、極薄銅箔が金属箔B6に対応する。このため、金属箔B6は不要となる。また、複合金属箔のキャリア銅箔と極薄銅箔との間で剥離することで、支持基板付き積層体29の積層体9と支持基板4とを分離することができる。
本実施形態の支持基板付き積層体29の変形例としては、支持基板4として、ガラスエポキシ製の絶縁層A2の両面に、図1における金属箔A3及び金属箔B6の代わりに、物理的に引き剥がし可能な状態で2層以上の金属箔が張り合わされた複合金属箔を貼り合わせた金属箔張り積層板4を用いてもよい。このような複合金属箔として、支持層となるキャリア銅箔と、一般に配線パターンの形成に用いられる極薄銅箔とを備える、いわゆるキャリア銅箔付き銅箔(又はピーラブル銅箔)が挙げられる。キャリア銅箔としては、一般に厚さ9~70μm程度の銅箔が用いられ、極薄銅箔としては、厚さ1~9μm程度の銅箔が用いられる。この複合金属箔を用い、複合金属箔のキャリア銅箔側を絶縁層A2側に向けて張り合わせる。このように複合金属箔を張り合わせた金属箔張り積層板4を用いた場合、図1において、キャリア銅箔が金属箔A3に対応し、極薄銅箔が金属箔B6に対応する。このため、金属箔B6は不要となる。また、複合金属箔のキャリア銅箔と極薄銅箔との間で剥離することで、支持基板付き積層体29の積層体9と支持基板4とを分離することができる。
<支持基板付き積層体の製造方法>
本実施の形態の支持基板付き積層体の製造方法を、図1~図3を用いて、以下に説明する。
本実施の形態の支持基板付き積層体の製造方法を、図1~図3を用いて、以下に説明する。
図1~図3に示すように、本実施の形態の支持基板付き積層体29の製造方法は、支持基板4の金属箔A3上に、この金属箔A3よりも一回り小さい金属箔B6と、この金属箔B6よりも一回り大きい絶縁層B7と、金属箔C8を、この順番に重ねて加熱加圧し、積層一体化する工程(a)(図1)と、前記金属箔C8及び絶縁層B7をレーザで貫通して、前記金属箔C8から金属箔B6に到る製品用非貫通孔26a及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔26bを形成する工程(b)(図2)と、前記製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bにめっき27を充填する工程(c)(図3)と、を有する。これにより、支持基板4側の金属箔A3上に直接配置した積層体9側の金属箔B6との間で、支持基板4と積層体9との分離が容易なので、コアレス工法が容易となる。また、金属箔C8から金属箔B6に到る製品用非貫通孔26a及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔26bを形成しめっき27を充填するので、ガイドマーク28の読み取り性を確保でき、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔26と配線パターンとの位置精度を確保できる。
<多層配線基板の製造方法>
本実施の形態の多層配線基板の製造方法を、図1~図11を用いて、以下に説明する。
本実施の形態の多層配線基板の製造方法を、図1~図11を用いて、以下に説明する。
図1~図11に示すように、本実施の形態の多層配線基板1の製造方法は、上記の支持基板付き積層体29の製造方法の工程(c)(図3)の後、支持基板4と積層体9とを分離する工程(d)(図4)と、前記分離した積層体9のめっき27を充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔26bを基準として、配線パターンの位置決め用ガイド孔24を形成する工程(e)(図5)と、このガイド孔24を基準として、エッチングレジスト25を形成する工程(f)(図6)と、金属箔B6又はC8をエッチングして、配線パターン形成を行なう工程(g)(図7)と、を有する。これにより、分離した積層体9のめっき27を充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔26bを基準として、配線パターン形成の基準となるガイド孔24を形成するので、ダイレクトレーザ工法を適用する場合でも、非貫通孔(ここでは、製品用非貫通孔26a、ガイドマーク用非貫通孔26b)と配線パターン(ここでは、配線パターンC11)との位置精度を確保できる。
以下に、図1~図12を用いて、本発明の実施例を説明するが、本発明は本実施例に限定されない。
まず、支持基板4として、ガラスエポキシ材(絶縁層A2)に厚さ12μmの銅箔A3を貼り合わせた銅箔張り積層板(金属箔張り積層板4、日立化成株式会社製 MCL-E-67、「MCL」は登録商標。)を準備した。
次に、図1に示すように、支持基板4の両側に、その銅箔張り積層板4の銅箔A3よりも一回り小さい厚さ12μmの銅箔B6(三井金属鉱業株式会社製 3EC-VLP-12)の光沢面が銅箔張り積層板4の銅箔A3に対向するように配置した。その外側に絶縁層B7として、プリプレグ(日立化成株式会社製 GEA-679FG)と、その外側に厚さ12μmの銅箔C8(三井金属鉱業株式会社製 3EC-VLP-12)を、銅箔C8の粗化面(マット面)が絶縁層B7と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、支持基板付き積層板29を形成した。このとき、絶縁層B7の厚みは20~60μmであった
次に、この支持基板付き積層板29の両外側の銅箔C8を、厚さ7μmとなるまでエッチングした後、銅箔C8の表面を、HIST7100(日立化成株式会社製、商品名)を用いて、酸化銅厚みが2μm以上となるよう粗化した。
次に、図2に示すように、粗化処理を行った銅箔C8の表面側から、炭酸ガスレーザ加工装置(日立ビアメカニクス株式会社製)を用い、ダイレクトレーザ工法によるレーザ加工を行い、銅箔C8及び絶縁層B7を貫通して銅箔B6に到る製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bを形成した。このとき、これらの非貫通孔26a、26bの孔径は80μmであり、孔の深さ(絶縁層B7の厚み)は20~70μmであった。また、図12に示すように、ガイドマーク用非貫通孔26bは、個々に独立した状態で3重リング状に集合配置したドットパターンのガイドマーク28を形成するようにした。ドットパターンの3重リングの外周は3,250μm、内周は2,750μmであり、それぞれのドットは、120~140μmのピッチで形成され、40~60μmの間隙を有している。このように、ドット間に40μm以上の間隙を有することにより、ダイレクトレーザ工法によるレーザ加工を行うことで、非貫通孔(ドット)近傍の銅箔C8表面の粗化形状がダメージを受けても、その影響を受け難くなり、レーザ加工性を確保することができる。
次に、銅箔C8の表面側から2μm程度エッチングし、銅箔C8の表面に残留した銅箔C8の加工残渣及び粗化形状を除去した。
次に、図3に示すように、製品用非貫通孔26a及びガイドマーク用非貫通孔26bに対して、デスミア処理、めっき前処理(脱脂、触媒付与、薄付け無電解銅めっき)、電解フィルドビアめっきを行い、めっき27を充填して層間接続BCを形成した。フィルドビアめっきにより、層間接続BC10を形成する際に、銅箔C8上に生じるめっき27の厚さは21~24μmであった。
次に、銅箔C8上のめっき層側から5μm程度エッチングを行い、全体の導体厚みを減少させた後、さらに、バフ研磨を行い、表面を平滑化した。
次に、図4に示すように、銅箔B6の外周の少し内側の切断位置15aで、支持基板付き積層体29の銅箔B6の外周部を切断除去することにより、支持基板4と上下各1枚の積層体9とをそれぞれ分離位置23で分離し、2枚の積層体9を得た。以下、支持基板4から分離して得た積層体9のうち、上側の積層体9のみを取り上げて説明する。
次に、図12に示すように、3重リング状に集合配置したドットパターンをガイドマーク28を基準として、これをX線観察装置付きのドリルマシン(株式会社モトロニクス製)を用いて読み取り、図5に示すように、中心を狙ってガイド孔24をドリルで形成した。
次に、図6に示すように、積層体9の両面(銅箔C8上のめっき27表面及び銅箔B6表面)に、SL-1329(日立化成株式会社、商品名)を用いてエッチングレジストを形成した。エッチングレジストの露光の際の位置合せは、ガイド孔24を基準として行った。
次に、図7に示すように、積層体9の両面に、エッチング法により所定の配線パターンを有する配線パターンB16及び配線パターンC11を形成した。
次に、得られた配線パターンC11の表面を粗化処理液マルチボンドMB-100(日本マクダーミッド株式会社製、商品名)で粗化した。
次に、図8に示すように、絶縁層C12としてプリプレグ(日立化成株式会社製 GEA-679FG)と、その外側に厚さ5μmの極薄銅箔D13に厚さ18μmのキャリア銅箔(図示しない。)が貼り合わされたキャリア付極薄銅箔(三井金属鉱業株式会社製 MT18SDH5)を、5μmの極薄銅箔D13の粗化面が絶縁層C12と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、18μmのキャリア銅箔(図示しない。)を剥がすことで積層体9を形成した。
次に、図9に示すように、積層体9に層間接続用の孔(図示しない。)を設け、フィルドめっきにより、銅箔D13と配線パターンC11を層間接続する層間接続CD14を形成した後、エッチング法により配線パターンD17の配線パターンを形成した。
次に、配線パターンD17を形成した積層体9の上下両側に、絶縁層D18としてプリプレグ(日立化成株式会社製 GEA-679FG)と、その外側に厚さ5μmの極薄銅箔E19に厚さ18μmのキャリア銅箔(図示しない。)が貼りあわされたキャリア付極薄銅箔(三井金属鉱業株式会社製 MT18SDH5)を、5μmの極薄銅箔E19の粗化面が絶縁層D18と接着するように構成し、真空ホットプレスにて積層し、18μmのキャリア銅箔(図示しない。)を剥がすことで積層体9を形成した。
次に、図10に示すように、積層体9に層間接続用の孔を設け、フィルドめっきにより、銅箔E19と配線パターンD17を層間接続する層間接続DE20を形成した後、エッチング法により配線パターンE22の配線パターンを形成した。
次に、図11に示すように、積層体9の切断位置15bで切断し、ガイドマーク用非貫通孔によりガイドマーク28を形成した領域を除去することで、多層配線基板1を得た。
本発明の支持基板付き積層体とその製造方法及び多層配線基板の製造方法は、ダイレクトレーザ工法による非貫通孔と配線パターンとの位置精度が良好で、コアレス工法においてもダイレクトレーザ工法を適用可能であるため、産業上有効である。
1:多層配線基板
2:絶縁層A
3:金属箔A又は銅箔A
4:支持基板又は金属箔張り積層板又は銅箔張り積層板
6:金属箔B又は銅箔B
7:絶縁層B
8:金属箔C又は銅箔C
9:積層体
10:層間接続BC
11:配線パターンC
12:絶縁層C
13:金属箔D又は銅箔D
14:層間接続CD
15a:(支持基板と積層体とをそれぞれ分離位置で分離する際の)切断位置
15b:(ガイドマークを形成した領域を除去する際の)切断位置
16:配線パターンB
17:配線パターンD
18:絶縁層D
19:金属箔E又は銅箔E
20:層間接続DE
21:層間接続BE
22:配線パターンE
23:分離位置
24:ガイド孔
25:エッチングレジスト
26:非貫通孔
26a:製品用非貫通孔
26b:ガイドマーク用非貫通孔
27:めっき
28:ガイドマーク
29:支持基板付き積層体
30:開口(窓孔)
2:絶縁層A
3:金属箔A又は銅箔A
4:支持基板又は金属箔張り積層板又は銅箔張り積層板
6:金属箔B又は銅箔B
7:絶縁層B
8:金属箔C又は銅箔C
9:積層体
10:層間接続BC
11:配線パターンC
12:絶縁層C
13:金属箔D又は銅箔D
14:層間接続CD
15a:(支持基板と積層体とをそれぞれ分離位置で分離する際の)切断位置
15b:(ガイドマークを形成した領域を除去する際の)切断位置
16:配線パターンB
17:配線パターンD
18:絶縁層D
19:金属箔E又は銅箔E
20:層間接続DE
21:層間接続BE
22:配線パターンE
23:分離位置
24:ガイド孔
25:エッチングレジスト
26:非貫通孔
26a:製品用非貫通孔
26b:ガイドマーク用非貫通孔
27:めっき
28:ガイドマーク
29:支持基板付き積層体
30:開口(窓孔)
Claims (5)
- 支持基板とこの支持基板上に積層体とを備える支持基板付き積層体であって、
前記積層体が、前記支持基板上に配置された金属箔Bと、この金属箔B上に配置された絶縁層Bと、この絶縁層B上に配置された金属箔Cと、この金属箔C及び絶縁層Bを貫通して前記金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔と、このガイドマーク用非貫通孔をめっきで充填し個々に独立した状態で集合配置したドットパターンのガイドマークと、を有する支持基板付き積層体。 - 請求項1において、
ガイドマークが、ガイドマーク用非貫通孔を個々に独立した状態で多重リング状に集合配置したドットパターンである支持基板付き積層体。 - 請求項1又は2において、
支持基板が、絶縁層Aと金属箔Aとを備え、
積層体が、前記金属箔A上に直接配置され前記金属箔Aよりも一回り小さい金属箔Bと、この金属箔Bよりも一回り大きい絶縁層Bと、この絶縁層B上に配置された金属箔Cと、この金属箔C及び絶縁層Bを貫通して金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔とを備える支持基板付き積層体。 - 請求項1から3の何れかの支持基板付き積層体の製造方法であって、
支持基板の金属箔A上に、この金属箔Aよりも一回り小さい金属箔Bと、この金属箔Bよりも一回り大きい絶縁層Bと、金属箔Cとを、この順番に重ねて加熱加圧し、積層一体化する工程(a)と、
前記金属箔C及び絶縁層Bをレーザで貫通して、前記金属箔Cから金属箔Bに到る製品用非貫通孔及びドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を形成する工程(b)と、
前記製品用非貫通孔及びガイドマーク用非貫通孔にめっきを充填する工程(c)と、
を有する支持基板付き積層体の製造方法。 - 請求項4の工程(c)の後、
支持基板と積層体とを分離する工程(d)と、
前記分離した積層体のめっきを充填したドットパターンのガイドマーク用非貫通孔を基準として、配線パターンの位置決め用ガイド孔を形成する工程(e)と、
このガイド孔を基準として、エッチングレジストを形成する工程(f)と、
金属箔B又はCをエッチングして、配線パターン形成を行なう工程(g)と、
を有する多層配線基板の製造方法。
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