WO2014080832A1 - 積層フィルム - Google Patents

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WO2014080832A1
WO2014080832A1 PCT/JP2013/080808 JP2013080808W WO2014080832A1 WO 2014080832 A1 WO2014080832 A1 WO 2014080832A1 JP 2013080808 W JP2013080808 W JP 2013080808W WO 2014080832 A1 WO2014080832 A1 WO 2014080832A1
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vdf
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copolymer
tfe
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明天 高
信之 小松
武史 硲
尚子 仲村
幸治 横谷
美晴 太田
普巳子 茂内
麻有子 立道
雅量 木下
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ダイキン工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a laminated film.
  • capacitors such as film capacitors.
  • the capacitance of capacitors is proportional to the electrode area, they are small without reducing the capacitance. It is not easy to make it.
  • Examples of a method for reducing the size of the film capacitor include a method of increasing the dielectric constant of the dielectric and a method of reducing the thickness of the dielectric.
  • a dielectric thin film is formed by applying a melt or solution of a dielectric organic substance on a conductive thin film, and two or more obtained laminates are formed into a conductive thin film and a dielectric.
  • a method for manufacturing a wound capacitor is described, in which the film is superposed and wound so as to alternate with a conductive thin film.
  • Patent Document 2 a flexible film made of an organic polymer composition is used as a base material, and an electrode layer made of a metal thin film is laminated on one side or both sides thereof, and further, on one side or both sides of the electrode layer, A laminated film having a configuration in which dielectric layers made of a high dielectric thin film are laminated is described.
  • An object of this invention is to provide the laminated film which can enlarge an electrostatic capacitance.
  • the present invention is a laminated film in which a first electrode layer, a resin substrate, a second electrode layer, and a dielectric layer are laminated in this order, and the dielectric layer is a vinylidene fluoride / tetrafluoroethylene copolymer ( A), and the copolymer (A) is a laminated film characterized in that vinylidene fluoride / tetrafluoroethylene is in a molar ratio of 97/3 to 60/40.
  • the copolymer (A) preferably has a vinylidene fluoride / tetrafluoroethylene molar ratio of 95/5 to 75/25.
  • the dielectric layer preferably has a thickness of 0.1 to 12 ⁇ m.
  • the resin substrate is preferably at least one resin film selected from the group consisting of polyolefin, polyester, polycarbonate, polyimide, polysulfone, and polyphenylsulfone.
  • the resin base material preferably has a thickness of 0.5 to 15.0 ⁇ m.
  • This invention is also a film capacitor provided with the above-mentioned laminated film.
  • the laminated film of the present invention can increase the capacitance by having the above-described configuration.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the laminated film of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the structure of the laminated film of the present invention.
  • the laminated film of the present invention is a laminated film in which a first electrode layer, a resin substrate, a second electrode layer, and a dielectric layer are laminated in this order, and the dielectric layer is made of vinylidene fluoride (VdF) / tetra A fluoroethylene (TFE) copolymer (A) is included, and the copolymer (A) has a molar ratio of VdF / TFE of 97 to 60/3 to 40.
  • the laminated film of the present invention has the above laminated structure, and since the dielectric layer is a layer containing a specific VdF / TFE copolymer (A), the dielectric layer has a high relative dielectric constant and a capacitance. Can be increased.
  • the present invention is described in detail below.
  • the laminated film of the present invention is a laminated film in which a first electrode layer, a resin substrate, a second electrode layer, and a dielectric layer are laminated in this order.
  • 1 and 2 are schematic cross-sectional views showing the structure of the laminated film of the present invention.
  • the laminated film of the present invention is obtained by laminating a first electrode layer 13, a resin substrate 12, a second electrode layer 11, and a dielectric layer 10 in this order.
  • the laminated film of the present invention is such that the first electrode layer 23, the resin base material 22, the second electrode layer 21, and the dielectric layer 20 are laminated without overlapping each other. May be.
  • the material for the first electrode layer and the second electrode layer is not particularly limited, and usually a conductive metal such as aluminum, zinc, gold, platinum, or copper is used.
  • a metal foil may be sufficient as a 1st electrode layer and a 2nd electrode layer, and a vapor deposition metal film may be sufficient as it.
  • a metal foil or a vapor deposited metal film may be used, or both may be used in combination.
  • a vapor-deposited metal film is preferable because the electrode layer can be thinned, and as a result, the capacitance can be increased with respect to the volume, the adhesiveness with the dielectric is excellent, and the thickness variation is small.
  • the vapor-deposited metal film is not limited to a single layer, and for example, a method of forming a semiconductor aluminum oxide layer on an aluminum layer to provide moisture resistance to form an electrode layer (for example, JP-A-2-250306) If necessary, it may be multilayered.
  • the thickness of the deposited metal film is not particularly limited, but is preferably in the range of 100 to 2000 angstroms, more preferably 200 to 1000 angstroms. When the thickness of the vapor-deposited metal film is within this range, it is suitable for achieving both electrical conductivity and improvement of the withstand voltage of the film.
  • the method for forming the film is not particularly limited. For example, a vacuum deposition method, a plasma method, a sputtering method, an ion plating method, or the like can be employed. From the viewpoint of productivity, a vacuum deposition method, a plasma method, and a sputtering method are preferable.
  • the thickness of the metal foil is not particularly limited, but is usually 0.1 to 100 ⁇ m, preferably 1 to 50 ⁇ m, more preferably 3 to The range is 15 ⁇ m.
  • the surface of the resin substrate can be previously subjected to a treatment for improving adhesion such as a corona treatment or a plasma treatment.
  • the laminated film of the present invention has a resin base material. Since the laminated film of the present invention has a dielectric layer containing the copolymer (A), the capacitance is large. However, a laminated film having sufficient strength cannot be obtained only by using the copolymer (A) alone. Since the laminated film of the present invention uses a resin base material and a dielectric layer in combination, the capacitance can be increased and the strength is also excellent.
  • the resin base material may be a film of polyolefin such as polypropylene or polyethylene, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polysulfone, polyethersulfone, polyphenylsulfone, polystyrene, polyfluorinated ethylene, or a polyimide-based, polyamide It may be a film of imide, polyether ketone, polyarylate, polyvinyl chloride or the like.
  • the resin substrate is preferably at least one resin film selected from the group consisting of polyolefin, polyester, polycarbonate, polyimide, polysulfone, and polyphenylsulfone because a high-strength laminated film is obtained. More preferred is at least one resin film selected from the group consisting of polyesters.
  • the thickness of the resin substrate is, for example, preferably 0.5 to 15.0 ⁇ m, more preferably 1.0 to 14.0 ⁇ m, and still more preferably 1.2 to 12.0 ⁇ m.
  • the thickness of the resin substrate is preferably 1.5 to 4.0 ⁇ m.
  • the thickness of the resin substrate is 4.0 to 12.0 ⁇ m. It is preferable.
  • the resin base material preferably has a relative dielectric constant (1 kHz, 30 ° C.) of 2 to 4, more preferably 2 to 3.5.
  • C electrostatic capacity
  • S the electrode area
  • d thickness
  • the dielectric layer is a layer containing a vinylidene fluoride (VdF) / tetrafluoroethylene (TFE) copolymer (A), and the copolymer (A) is VdF / TFE.
  • the molar ratio is 97-60 / 3-40.
  • the dielectric film is a layer containing a VdF / TFE copolymer (A) having a specific composition, whereby the dielectric constant of the dielectric layer is increased, and the laminated film can increase the capacitance. Is obtained.
  • the VdF / TFE copolymer (A) may have polymerized units based on monomers copolymerizable with VdF and TFE.
  • the total of polymerized units based on VdF and TFE is 60 to 100 mol% with respect to 100 mol% of all polymerized units, and is a monomer copolymerizable with VdF and TFE.
  • the total of polymerized units based on VdF and TFE is 80 to 100 mol% with respect to 100 mol% of all polymerized units, and the polymerized units based on monomers copolymerizable with VdF and TFE are 0 to 20 mol%. Mol%.
  • Monomers copolymerizable with VdF and TFE include tetrafluoroethylene (TFE), chlorotrifluoroethylene (CTFE), trifluoroethylene (TrFE), monofluoroethylene, hexafluoropropylene (HFP), and perfluoro.
  • fluorine-containing olefins such as (alkyl vinyl ether) (PAVE); fluorine-containing acrylates; and fluorine-containing monomers having functional groups.
  • PAVE alkyl vinyl ether
  • fluorine-containing acrylates fluorine-containing acrylates
  • fluorine-containing monomers having functional groups include TFE, CTFE, TrFE, and HFP from the viewpoint of good solvent solubility.
  • the copolymer (A) has a VdF / TFE molar ratio of 97/3 to 60/40.
  • VdF / TFE is in a molar ratio of 97/3 to 60/40, the dielectric constant of the dielectric layer of the laminated film of the present invention is increased, and the capacitance can be increased. Furthermore, the dielectric loss tangent can be lowered. Moreover, the ratio of ⁇ -type crystal structure can be increased by using a new casting method described later.
  • the molar ratio of VdF / TFE is less than 60/40, the dielectric constant of the dielectric layer tends to be low.
  • VdF / TFE is more preferably 95/5 to 75/25 in molar ratio.
  • the dielectric layer is preferably composed of an ⁇ -type crystal structure and a ⁇ -type crystal structure, and the ⁇ -type crystal structure is preferably 50% or more.
  • the laminated film of the present invention does not lose the high dielectric property that is characteristic of the vinylidene fluoride resin even when a high voltage is applied for a long time. Is large and the dielectric loss tangent is also low. It also has excellent insulating properties.
  • the ⁇ -type crystal structure is more preferably 70% or more, further preferably 80% or more, and the ⁇ -type crystal structure may be 100%.
  • the ratio of the ⁇ -type crystal structure was determined by using a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR), the absorbance of the absorption peak derived from the ⁇ -type crystal (839 cm ⁇ 1 ) and the absorption peak derived from the ⁇ -type crystal (763 cm ⁇ 1 ) The value obtained from the absorbance ratio.
  • the ratio of the ⁇ -type crystal structure can be obtained by calculation using the result of FT-IR measurement and the following formula.
  • the VdF / TFE copolymer (A) preferably has a melting point of 100 to 165 ° C. More preferably, it is 110 to 160 ° C, and further preferably 115 to 155 ° C.
  • the VdF / TFE copolymer (A) was obtained as a temperature corresponding to the maximum value in the heat of fusion curve when the temperature was raised at a rate of 10 ° C./min using a differential scanning calorimetry (DSC) apparatus. .
  • the VdF / TFE copolymer (A) preferably has a relative dielectric constant (30 ° C., 1 kHz) of 5 or more, more preferably 6 or more, and still more preferably 7 or more.
  • the upper limit of the relative dielectric constant is not particularly limited, but is 12, for example.
  • the dielectric layer preferably contains only the VdF / TFE copolymer (A) as a polymer from the viewpoint of increasing the dielectric constant.
  • the dielectric layer preferably further contains inorganic oxide particles (B).
  • the laminated film of the present invention has a high dielectric constant. Further, the volume resistivity can be greatly improved while maintaining a high dielectric constant.
  • the inorganic oxide particles (B) are preferably at least one of the following inorganic oxide particles.
  • Inorganic oxide particles of metal elements of Group 2, 3, 4, 12, or 13 of the periodic table, or these inorganic oxide composite particles examples include Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Y, Ti, Zr, Zn, and Al.
  • oxides of Al, Mg, Y, and Zn are versatile and inexpensive, and This is preferable from the viewpoint of high volume resistivity.
  • at least one particle selected from the group consisting of Al 2 O 3 , MgO, ZrO 2 , Y 2 O 3 , BeO, and MgO ⁇ Al 2 O 3 is preferable from the viewpoint of high volume resistivity.
  • ⁇ -type Al 2 O 3 having a crystal structure is more preferable because it has a large specific surface area and good dispersibility in the VdF / TFE copolymer (A).
  • (B2) Formula (1): M 1 a1 M 2 b1 O c1 (Wherein M 1 is a Group 2 metal element; M 2 is a Group 4 metal element; a1 is 0.9 to 1.1; b1 is 0.9 to 1,1; c1 is 2.8 to 3.2. And there may be a plurality of M 1 and M 2 ).
  • M 1 is a Group 2 metal element
  • M 2 is a Group 4 metal element
  • a1 is 0.9 to 1.1
  • b1 is 0.9 to 1,1
  • c1 is 2.8 to 3.2.
  • M 1 and M 2 a plurality of M 1 and M 2 .
  • Ti and Zr are preferable as the Group 4 metal element
  • Mg, Ca, Sr, and Ba are preferable as the Group 2 metal element.
  • At least one kind of particle selected from the group consisting of BaTiO 3 , SrTiO 3 , CaTiO 3 , MgTiO 3 , BaZrO 3 , SrZrO 3 , CaZrO 3 and MgZrO 3 is preferable from the viewpoint of high volume resistivity.
  • (B3) Inorganic oxide composite particles of an oxide of a metal element of Group 2, Group 3, Group 4, Group 12, or Group 13 of the periodic table and silicon oxide: A composite particle of the inorganic oxide particles (B1) and silicon oxide, specifically, from the 3A1 2 O 3 ⁇ 2SiO 2, 2MgO ⁇ SiO 2, ZrO 2 ⁇ SiO 2 and the group consisting of MgO ⁇ SiO 2 There may be mentioned at least one kind of particles selected.
  • the inorganic oxide particles (B) are not necessarily highly dielectric and may be appropriately selected depending on the use of the laminated film.
  • the volume resistivity can be improved.
  • the relative dielectric constant (1 kHz, 25 ° C.) of these one kind of metal oxide particles (B1) is usually less than 100 and further 10 or less.
  • ferroelectric relative permittivity (1 kHz, 25 ° C.) of 100 or more
  • metal oxide particles for example, (B2) to (B3)
  • the inorganic material constituting the ferroelectric metal oxide particles (B2) to (B3) include composite metal oxides, composites thereof, solid solutions, and sol-gel bodies, but are not limited thereto. Absent.
  • the dielectric layer preferably contains 0.01 to 300 parts by mass of the inorganic oxide particles (B) with respect to 100 parts by mass of the copolymer (A). More preferably, it is 0.1 to 250 parts by mass, and still more preferably 1 to 250 parts by mass. If the content of the inorganic oxide particles (B) is too large, it may be difficult to uniformly disperse the inorganic oxide particles (B) in the copolymer (A), and electrical insulation (resistance) (Voltage) may also be reduced.
  • the average primary particle diameter of the inorganic oxide particles (B) is preferably small, and so-called nanoparticles of 1 ⁇ m or less are particularly preferable. By uniformly dispersing such inorganic oxide nanoparticles, the electrical insulation of the film can be significantly improved with a small amount of blending.
  • a preferable average primary particle diameter is 300 nm or less, further 200 nm or less, and particularly 100 nm or less.
  • the lower limit is not particularly limited, but is preferably 10 nm or more, more preferably 20 nm or more, and still more preferably 50 nm or more from the viewpoint of manufacturing difficulty, difficulty of uniform dispersion, and cost.
  • the average primary particle diameter of the inorganic oxide particles is a value calculated using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer (trade name: LA-920, manufactured by Horiba, Ltd.).
  • the relative dielectric constant (25 ° C., 1 kHz) of the inorganic oxide particles (B) is preferably 10 or more. From the viewpoint of increasing the capacitance of the laminated film, it is more preferably 100 or more, and even more preferably 300 or more. The upper limit is not particularly limited, but is usually about 3000.
  • the dielectric layer may contain other components such as other reinforcing fillers and affinity improvers as desired.
  • the reinforcing filler is a component added to impart mechanical properties (tensile strength, hardness, etc.), and is a particle or fiber other than the inorganic oxide particles (B), such as silicon carbide and silicon nitride. And boron compound particles or fibers.
  • Silica silicon oxide
  • Silica may be blended as a processing improver or a reinforcing filler. However, from the viewpoint of the effect of improving insulation, the thermal conductivity is low, and the volume resistivity is greatly reduced particularly at high temperatures. Inferior to the inorganic oxide particles (B).
  • the affinity improver enhances the affinity between the inorganic oxide particles (B) and the copolymer (A), and uniformly disperses the inorganic oxide particles (B) in the copolymer (A).
  • the oxide particles (B) and the copolymer (A) can be firmly bonded in the dielectric layer to suppress the generation of voids and increase the relative dielectric constant.
  • a coupling agent, a surfactant, or an epoxy group-containing compound is effective.
  • Examples of the “coupling agent” as the affinity improver include organic titanium compounds, organic silane compounds, organic zirconium compounds, organic aluminum compounds, and organic phosphorus compounds.
  • organic titanium compound examples include coupling agents such as alkoxytitanium, titanium chelate, and titanium acylate.
  • coupling agents such as alkoxytitanium, titanium chelate, and titanium acylate.
  • the affinity with the inorganic oxide particles (B) is good.
  • tetraisopropyl titanate titanium isopropoxyoctylene glycolate, diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium, diisopropoxytitanium diisostearate, tetraisopropyl bis (dioctylphosphite) titanate
  • examples thereof include isopropyl tri (n-aminoethyl-aminoethyl) titanate and tetra (2,2-diallyloxymethyl-1-butyl) bis (di-tridecyl) phosphite titanate.
  • the organic silane compound may be a high molecular type or a low molecular type, and examples thereof include alkoxysilanes such as monoalkoxysilane, dialkoxysilane, trialkoxysilane, and tetraalkoxysilane. Also, vinyl silane, epoxy silane, amino silane, methacryloxy silane, mercapto silane and the like can be suitably used.
  • the volume resistivity which is the effect of the surface treatment, can be further improved (improvement of electrical insulation) by hydrolysis.
  • organic zirconium compounds include alkoxyzirconium and zirconium chelates.
  • organoaluminum compound examples include alkoxyaluminum and aluminum chelate.
  • organophosphorus compounds include phosphites, phosphate esters, and phosphate chelates.
  • the “surfactant” as the affinity improver may be of a high molecular type or a low molecular type, and examples thereof include nonionic surfactants, anionic surfactants, and cations. Surfactants. Among these, a high molecular weight surfactant is preferable from the viewpoint of good thermal stability.
  • nonionic surfactants include polyether derivatives, polyvinyl pyrrolidone derivatives, and alcohol derivatives.
  • polyether derivatives are preferred because of their good affinity with inorganic oxide particles (B). preferable.
  • anionic surfactant examples include polymers containing sulfonic acid, carboxylic acid, and salts thereof. Among them, from the viewpoint of good affinity with the copolymer (A), Preferable examples include acrylic acid derivative polymers and methacrylic acid derivative polymers.
  • Examples of the cationic surfactant include amine compounds, compounds having a nitrogen-containing complex ring such as imidazoline, and halogenated salts thereof.
  • the “epoxy group-containing compound” as the affinity improver may be a low molecular weight compound or a high molecular weight compound, and examples thereof include an epoxy compound and a glycidyl compound. Among these, a low molecular weight compound having one epoxy group is preferable from the viewpoint of particularly good affinity with the copolymer (A).
  • R represents a hydrogen atom, a methyl group, an oxygen atom, or a hydrocarbon group having 2 to 10 carbon atoms that may intervene with a nitrogen atom or an optionally substituted aromatic ring group.
  • m represents 0 or 1
  • n represents an integer of 0 to 10.
  • Examples thereof include compounds having a ketone group or an ester group.
  • the affinity improver can be used in an amount within the range in which the effects of the present invention are not lost. Specifically, from the viewpoint of uniform dispersion and a high dielectric constant of the obtained dielectric layer, the amount is The amount is preferably 0.01 to 30 parts by mass, more preferably 0.1 to 25 parts by mass, and still more preferably 1 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic oxide particles (B).
  • the dielectric layer may contain other additives as long as the effects of the present invention are not lost.
  • the laminated film of the present invention preferably has a dielectric layer content of 5 to 70% by volume, and preferably 10 to 60% by volume. More preferably, the content is 20 to 55% by volume.
  • the thickness of the dielectric layer is preferably 0.1 to 12 ⁇ m, more preferably 0.1 to 8 ⁇ m, and still more preferably 0.1 to 4 ⁇ m.
  • the laminated film of the present invention is produced by a production method including a step of forming a first electrode layer and a second electrode layer on a resin substrate, and a step of forming a dielectric layer on the second electrode layer. be able to.
  • a deposited metal film is formed by a method of attaching a metal foil to the resin base material, a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or the like. The method of forming etc. are mentioned.
  • Examples of the method for forming the dielectric layer on the second electrode layer include a known film forming method such as a casting method.
  • the method containing is mentioned.
  • the VdF / TFE copolymer has a small VdF ratio, and when the TFE ratio is large, the resulting film has a ⁇ -type crystal structure.
  • the ratio of VdF is increased, an ⁇ -type crystal structure is easily obtained.
  • the present inventors formed a dielectric layer by a casting method performed under extremely limited conditions, even when a VdF / TFE copolymer having a large VdF ratio was used as a material, a ⁇ -type crystal structure was obtained. It has been found that a dielectric layer containing a large amount can be formed.
  • the VdF / TFE copolymer (A) has a large VdF ratio of 95/5 to 75/25 by the following novel casting method, the VdF / TFE copolymer (A)
  • the polymer (A) is composed of an ⁇ -type crystal structure and a ⁇ -type crystal structure, and a dielectric layer having a ⁇ -type crystal structure of 50% or more can be formed.
  • any solvent that can dissolve or uniformly disperse the copolymer (A) can be used, and a polar organic solvent is particularly preferable.
  • Preferred examples of the polar organic solvent include ketone solvents, ester solvents, carbonate solvents, cyclic ether solvents, and amide solvents, and preferred specific examples thereof include methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), Acetone, diethyl ketone, dipropyl ketone, ethyl acetate, methyl acetate, propyl acetate, butyl acetate, ethyl lactate, dimethyl carbonate, diethyl carbonate, dipropyl carbonate, methyl ethyl carbonate, tetrahydrofuran, methyltetrahydrofuran, dioxane, dimethylformamide (DMF) , And dimethylacetamide.
  • MIBK methyl isobutyl ketone
  • the cast method as a method for applying the liquid composition onto the substrate, for example, knife coating method, cast coating method, roll coating method, gravure coating method, die coating method, blade coating method, rod coating Method, air doctor coating method, etc., but the roll coating method, gravure coating method, die coating method, Or the cast coating method is preferable.
  • a very thin dielectric layer can be obtained.
  • the drying temperature is preferably a temperature near the melting point of the copolymer, whereby the dielectric layer containing the copolymer (A) having a ⁇ -type crystal structure of 50% or more is formed. It can form and can manufacture the laminated
  • the drying time is preferably 0.75 to 4/3 minutes, more preferably 1 to 4/3 minutes.
  • the drying can be performed by passing through a drying furnace. For example, when using a drying furnace having a total length of 10 m (for example, 2 m ⁇ 5 pieces), a speed of 7.5 to 10 m / min. Can be carried out by passing it through a drying oven.
  • the casting method is preferably performed in a clean room, and is performed in a clean room of FED-STD-209D (US federal standard) class 1000 or less (for example, class 500, class 100, class 10, class 1, etc.). Is more preferable.
  • FED-STD-209D US federal standard
  • the laminated film of the present invention can be suitably used as a dielectric film for a film capacitor, for example, because the dielectric layer has a high relative dielectric constant, can increase the capacitance, and is excellent in strength. is there.
  • This invention is also a film capacitor provided with the said laminated
  • a laminated type in which the laminated film is laminated Japanese Patent Laid-Open No. 63-181141
  • a wound type in which the laminated film is wound electrodes are continuously formed on a dielectric film.
  • electrodes are continuously formed on a dielectric film.
  • a wound film capacitor that has a simple structure and is relatively easy to manufacture, and in which a wound film capacitor is formed by continuously laminating electrode layers on a dielectric film, it is generally a high dielectric film with electrodes laminated on one side. Two electrodes are rolled up so that the electrodes do not come into contact with each other, and, if necessary, are wound and fixed so that they do not come loose.
  • the thickness of the film was measured using a digital length measuring machine (MF-1001 manufactured by Nikon Corporation).
  • volume resistivity The volume resistivity ( ⁇ ⁇ cm) is measured at 30 ° C. in a dry air atmosphere at DC 300 V with a digital superinsulator / microammeter.
  • composition of fluoropolymer F-NMR measurement was performed with a nuclear magnetic resonance apparatus (manufacturer name: Varian (currently Agilent Technology Co., Ltd., apparatus type: VNS 400 MHz)), and the composition ratio was determined from the integrated value of each peak and the following formula.
  • fusing point was calculated
  • the ratio of the ⁇ -type crystal structure was determined by using a Fourier transform infrared spectrophotometer (FT-IR) (trade name: spectrum One, manufactured by Perkin Elmer) of the ⁇ -type crystal-derived absorption peak (839 cm ⁇ 1 ).
  • FT-IR Fourier transform infrared spectrophotometer
  • the ratio between the absorbance and the absorbance of the absorption peak (763 cm ⁇ 1 ) derived from the ⁇ -type crystal was regarded as the ratio of each crystallinity, and the ratio of the ⁇ -type crystal structure was calculated from the following formula. More specifically, it is a value obtained by calculation based on the result of FT-IR measurement and the following formula.
  • TFE tetrafluoroethylene
  • VdF 1,1-difluoroethylene
  • MEK methyl ethyl ketone
  • NMP N-methyl-2pyrrolidone
  • This fluororesin solution was cast on a 3 ⁇ m-thick polypropylene (PP) film that had been subjected to double-sided vapor deposition using a gravure coater in a class 1000 clean room, and 80 ° C.-120 ° C.-175 ° C.-175 ° C.- A laminate in which a fluororesin layer is formed on a PP vapor-deposited film by passing it through a drying furnace at 175 ° C. (2 m each, 10 m in total) under conditions of a speed of 7.5 m / min and 1.3 minutes. A film was obtained. The film thickness of the laminated film was 4.5 ⁇ m.
  • Example 2 In the same manner as in Example 1, a 20 w / w% concentration fluororesin solution was prepared and cast on a PP film to obtain a laminated film having a thickness of 6.1 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • Example 3 In the same manner as in Example 1, a fluororesin solution having a concentration of 20 w / w% was prepared. To 1000 parts by mass of this fluororesin solution, ⁇ -Al 2 O 3 (trade name: AKP-G15, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., average (Primary particle diameter: 100 nm) 10 parts by mass was added. This mixture was subjected to a dispersion treatment at a rotational speed of 12 m / s for 60 minutes with a bead mill (LMZ015, manufactured by Ashizawa Finetech Co., Ltd.) to obtain a coating solution. This solution was cast on a PP film in the same manner as in Example 1 to obtain a laminated film having a thickness of 4.5 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • ⁇ -Al 2 O 3 trade name: AKP-G15, manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., average
  • Example 4 In the same manner as in Example 1, a 20 w / w% concentration fluororesin solution was prepared, and 20 parts by mass of BaTiO 3 (trade name: BT-01: 100 nm) was added to 1000 parts by mass of the fluororesin solution. This mixture was subjected to a dispersion treatment at a rotational speed of 12 m / s for 60 minutes with a bead mill (LMZ015, manufactured by Ashizawa Finetech Co., Ltd.) to obtain a coating solution. This solution was cast on a PP film in the same manner as in Example 1 to obtain a laminated film having a thickness of 4.7 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • BaTiO 3 trade name: BT-01: 100 nm
  • Example 5 A laminated film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the resin substrate was changed to a polypropylene film having a film thickness of 2.3 ⁇ m to obtain a laminated film having a film thickness of 4.7 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • Example 6 A film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the resin base material was changed to a polypropylene film having a film thickness of 15 ⁇ m to obtain a laminated film having a film thickness of 17.5 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • Example 7 A laminated film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the resin substrate was changed to a polyester (PET) film having a film thickness of 4.8 ⁇ m to obtain a laminated film having a thickness of 6.9 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • PET polyester
  • Example 8 A film was prepared in the same manner as in Example 1 except that the resin base material was changed to a polyimide (PI) film having a film thickness of 7.5 ⁇ m to obtain a laminated film having a film thickness of 9.0 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • PI polyimide
  • Example 11 In the same manner as in Example 1, a 20 w / w% concentration fluororesin solution was prepared and cast on a PP film to obtain a laminated film having a thickness of 12.0 ⁇ m. In the fluororesin layer, the proportion of the ⁇ -type crystal structure was 100%.
  • the laminated film of the present invention can increase the capacitance, it is suitable as a dielectric film for a film capacitor.

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Abstract

本発明は、静電容量を大きくすることができる積層フィルムを提供することを目的とする。 本発明は、第一電極層、樹脂基材、第二電極層及び誘電体層がこの順に積層された積層フィルムであって、前記誘電体層が、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体（Ａ）を含み、前記共重合体（Ａ）は、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレンがモル比で９７／３～６０／４０であることを特徴とする積層フィルムである。

Description

積層フィルム
本発明は、積層フィルムに関する。
近年のトランジスタやダイオード等の小型化に伴い、フィルムコンデンサ等のコンデンサにも小型化が求められているが、コンデンサの静電容量は電極面積に比例するため、静電容量を低下させずに小型化することは容易ではない。
フィルムコンデンサを小型化するための方法としては、誘電体の誘電率を大きくする方法、誘電体の厚さを薄くする方法が挙げられる。
例えば、特許文献１には、導電性薄膜上に誘電性有機物質の溶融液、溶液等を塗布して誘電性微薄膜を形成し、得られた２枚以上の積層体を導電性薄膜と誘電性微薄膜とが交互になるように重ね合わせて巻回することを特徴とする巻回型コンデンサの製造方法が記載されている。
また、特許文献２には、有機高分子組成物から成る可撓性フィルムを基材とし、その片面もしくは両面に金属薄膜から成る電極層が積層され、さらに、その電極層の片面もしくは両面に、高誘電体薄膜から成る誘電体層が積層された構成を持つ積層フィルムが記載されている。
特開昭５６－２１３１０号公報 特開昭５９－１３５７１４号公報
本発明は、静電容量を大きくすることができる積層フィルムを提供することを目的とする。
本発明は、第一電極層、樹脂基材、第二電極層及び誘電体層がこの順に積層された積層フィルムであって、前記誘電体層が、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体（Ａ）を含み、前記共重合体（Ａ）は、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレンがモル比で９７／３～６０／４０であることを特徴とする積層フィルムである。
上記共重合体（Ａ）は、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレンがモル比で９５／５～７５／２５であることが好ましい。
上記誘電体層は、厚みが０．１～１２μｍであることが好ましい。
上記樹脂基材は、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリスルホン、及び、ポリフェニルスルホンからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂フィルムであることが好ましい。
上記樹脂基材は、厚みが０．５～１５．０μｍであることが好ましい。
本発明はまた、上述の積層フィルムを備えるフィルムコンデンサでもある。
本発明の積層フィルムは、上記構成を有することにより静電容量を大きくすることができる。
図１は、本発明の積層フィルムの構造を示す断面模式図である。 図２は、本発明の積層フィルムの構造を示す断面模式図である。
本発明の積層フィルムは、第一電極層、樹脂基材、第二電極層及び誘電体層がこの順に積層された積層フィルムであって、上記誘電体層が、フッ化ビニリデン（ＶｄＦ）／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）共重合体（Ａ）を含み、上記共重合体（Ａ）は、ＶｄＦ／ＴＦＥがモル比で９７～６０／３～４０である。
本発明の積層フィルムは、上記の積層構造を有し、上記誘電体層が特定のＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）を含む層であるため誘電体層の比誘電率が高く、静電容量を大きくすることができる。
以下に、本発明を詳細に説明する。
本発明の積層フィルムは、第一電極層、樹脂基材、第二電極層及び誘電体層がこの順に積層された積層フィルムである。
図１及び２は、本発明の積層フィルムの構造を示す断面模式図である。
本発明の積層フィルムは、図１で示されるように、第一電極層１３、樹脂基材１２、第二電極層１１及び誘電体層１０がこの順に積層したものである。
本発明の積層フィルムは、図２で示されるように、第一電極層２３、樹脂基材２２、第二電極層２１及び誘電体層２０が一部重複せずに積層されているものであってもよい。
第一電極層及び第二電極層の材料としては、特に限定されず、通常、アルミニウム、亜鉛、金、白金、銅などの導電性金属が用いられる。第一電極層及び第二電極層は、金属箔であってもよいし、蒸着金属被膜であってもよい。
本発明においては、金属箔と蒸着金属被膜のいずれを使用してもよいし、両者を併用してもよい。電極層を薄くでき、その結果、体積に対して静電容量を大きくできる点、誘電体との密着性に優れる点、厚さのバラつきが小さい点などから、通常は、蒸着金属被膜が好ましい。
蒸着金属被膜は、一層のものに限らず、たとえば耐湿性を持たせるためにアルミニウム層にさらに半導体の酸化アルミニウム層を形成して電極層とする方法（たとえば特開平２－２５０３０６号公報など）など、必要に応じて多層にしてもよい。蒸着金属被膜の厚さも特に限定されないが、好ましくは１００～２０００オングストローム、より好ましくは２００～１０００オングストロームの範囲とする。蒸着金属被膜の厚さがこの範囲であると、電気伝導性とフィルムの耐電圧向上の両立のため好適である。
電極層として蒸着金属被膜を用いる場合、被膜の形成方法は特に限定されず、たとえば真空蒸着法、プラズマ法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などを採用することができる。生産性の観点から、真空蒸着法、プラズマ法、スパッタリング法が好ましい。
第一電極層及び／又は第二電極層として金属箔を用いる場合も、金属箔の厚さは特に限定されないが、通常は、０．１～１００μｍ、好ましくは１～５０μｍ、より好ましくは３～１５μｍの範囲である。
樹脂基材上に上記電極層を形成する場合、あらかじめ樹脂基材表面に、コロナ処理、プラズマ処理など、接着性向上のための処理を施しておくこともできる。
本発明の積層フィルムは、樹脂基材を有するものである。
本発明の積層フィルムは、上記共重合体（Ａ）を含む誘電体層を有するため静電容量が大きい。しかしながら、上記共重合体（Ａ）を単独で使用するだけでは充分な強度の積層フィルムが得られない。本発明の積層フィルムは、樹脂基材と誘電体層とを併用するものであるため、静電容量を大きくすることができ、更に強度にも優れる。
樹脂基材は、ポリプロピレン、ポリエチレン等のポリオレフィン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニルスルホン、ポリスチレン、ポリフッ化エチレン等のフィルムであってもよいし、ポリイミド系、ポリアミドイミド系、ポリエーテルケトン、ポリアリレート、ポリ塩化ビニル等のフィルムであってもよい。
樹脂基材は、中でも、高い強度の積層フィルムが得られることから、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリスルホン、及びポリフェニルスルホンからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂フィルムが好ましく、ポリオレフィン及びポリエステルからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂フィルムがより好ましい。
樹脂基材の厚みは、例えば、０．５～１５．０μｍであることが好ましく、１．０～１４．０μｍであることがより好ましく、１．２～１２．０μｍであることが更に好ましい。
本発明の積層フィルムが車載用のフィルムコンデンサに使用されるものである場合、樹脂基材の厚みは、１．５～４．０μｍであることが好ましい。
また、本発明の積層フィルムが、高電圧（例えば９００Ｖ以上）で使用される産業用のフィルムコンデンサに使用されるものである場合、樹脂基材の厚みは、４．０～１２．０μｍであることが好ましい。
樹脂基材は、比誘電率（１ｋＨｚ、３０℃）が、２～４であることが好ましく、２～３．５であることがより好ましい。
樹脂基材の比誘電率は、ＬＣＲメーターを用いて静電容量（Ｃ）を測定し、静電容量、電極面積（Ｓ）、基材の厚み（ｄ）から、式Ｃ＝ε×ε０×Ｓ／ｄ（ε０は真空の誘電率）で算出した値である。
本発明の積層フィルムは、上記誘電体層が、フッ化ビニリデン（ＶｄＦ）／テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）共重合体（Ａ）を含む層であり、前記共重合体（Ａ）は、ＶｄＦ／ＴＦＥがモル比で９７～６０／３～４０である。
上記誘電体層が、特定の組成を有するＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）を含む層であることによって、誘電体層の比誘電率が高くなり、静電容量を大きくすることができる積層フィルムが得られる。
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）は、ＶｄＦ及びＴＦＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位を有してもよい。
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）は、ＶｄＦ及びＴＦＥに基づく重合単位の合計が全重合単位１００モル％に対して６０～１００モル％であり、ＶｄＦ及びＴＦＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位は０～４０モル％であることが好ましい。より好ましくは、ＶｄＦ及びＴＦＥに基づく重合単位の合計が全重合単位１００モル％に対して８０～１００モル％であり、ＶｄＦ及びＴＦＥと共重合可能な単量体に基づく重合単位は０～２０モル％である。
ＶｄＦ及びＴＦＥと共重合可能な単量体としては、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）、トリフルオロエチレン（ＴｒＦＥ）、モノフルオロエチレン、ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）、およびパーフルオロ（アルキルビニルエーテル）（ＰＡＶＥ）などの含フッ素オレフィン類；含フッ素アクリレート；および官能基を有する含フッ素単量体が挙げられる。なかでも、溶剤溶解性が良好な点から、好ましい例として、ＴＦＥ、ＣＴＦＥ、ＴｒＦＥおよびＨＦＰが挙げられる。
上記共重合体（Ａ）は、ＶｄＦ／ＴＦＥがモル比で９７／３～６０／４０である。ＶｄＦ／ＴＦＥがモル比で９７／３～６０／４０であることによって、本発明の積層フィルムは誘電体層の比誘電率が高くなり、静電容量を大きくすることができる。更に、誘電正接を低くすることもできる。また、後述する新規なキャスト法を用いることにより、β型の結晶構造の割合を大きくすることができる。
ＶｄＦ／ＴＦＥのモル比が６０／４０未満であると、誘電体層の比誘電率が低くなる傾向がある。ＶｄＦ／ＴＦＥのモル比が９７／３を超えると、共重合体（Ａ）のβ型の結晶構造の割合を５０％以上とすることができない。
誘電率と結晶系の観点から、ＶｄＦ／ＴＦＥはモル比で９５／５～７５／２５であることがより好ましい。
上記誘電体層は、α型の結晶構造とβ型の結晶構造とから構成され、β型の結晶構造が５０％以上であることが好ましい。
β型の結晶構造が５０％以上であることによって、本発明の積層フィルムは、高電圧を長時間印加してもフッ化ビニリデン系樹脂の特徴である高誘電性が損なわれず、更に静電容量が大きく、誘電正接も低くなる。また、優れた絶縁性をも有する。
β型の結晶構造は７０％以上であることがより好ましく、８０％以上であることが更に好ましく、β型の結晶構造は１００％であってもよい。
β型の結晶構造の比率は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）を用いて、β型結晶由来の吸収ピーク（８３９ｃｍ－１）の吸光度とα型結晶由来の吸収ピーク（７６３ｃｍ－１）の吸光度の比率から求めた値である。
β型の結晶構造の比率は、ＦＴ－ＩＲ測定の結果と下記式により計算して求めることができる。
Ｆ（β）＝Ｘβ／（Ｘα＋Ｘβ）＝Ａβ／（１．２６Ａα＋Ａβ）
Ｆ（β）：β型の結晶構造の割合
Ｘα：α型の結晶化度
Ｘβ：β型の結晶化度
Ａα：７６３ｃｍ－１での吸光度
Ａβ：８３９ｃｍ－１での吸光度
Ｋβ／Ｋα＝１．２６（β型（８３９ｃｍ－１）、α型（７６３ｃｍ－１）での吸収光度係数の比）
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）は、融点が１００～１６５℃であることが好ましい。より好ましくは、１１０～１６０℃であり、更に好ましくは１１５～１５５℃である。
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置を用い、１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度として求めたものである。
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）は、比誘電率（３０℃、１ｋＨｚ）が５以上であることが好ましく、６以上であることがより好ましく、７以上であることが更に好ましい。
比誘電率の上限は特に制限されないが、例えば１２である。
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）の比誘電率は、ＬＣＲメーターを用いて静電容量（Ｃ）を測定し、静電容量、電極面積（Ｓ）フィルムの厚み（ｄ）から、式Ｃ＝ε×ε０×Ｓ／ｄ（ε０は真空の誘電率）で算出した値である。
上記誘電体層は、高誘電率化の観点から、ポリマーとしてＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）のみを含むことが好ましい。
上記誘電体層は、更に、無機酸化物粒子（Ｂ）を含むことが好ましい。無機酸化物粒子（Ｂ）を含有することによって、本発明の積層フィルムは、高い誘電率を有する。また、高い誘電率を維持したまま、体積抵抗率を大幅に向上させることができる。
上記無機酸化物粒子（Ｂ）は、以下の無機酸化物粒子の少なくとも１種であることが好ましい。
（Ｂ１）周期表の２族、３族、４族、１２族または１３族の金属元素の無機酸化物粒子、またはこれらの無機酸化物複合粒子：
上記金属元素としては、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｚｎ、Ａｌなどがあげられ、特に、Ａｌ、Ｍｇ、Ｙ、Ｚｎの酸化物が汎用で安価であり、また体積抵抗率が高い点から好ましい。
具体的には、Ａｌ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＢｅＯおよびＭｇＯ・Ａｌ２Ｏ３よりなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子が、体積抵抗率が高い点から好ましい。
なかでも、結晶構造がγ型のＡｌ２Ｏ３が、比表面積が大きく、ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）への分散性が良好な点からより好ましい。
（Ｂ２）式（１）：
Ｍ１ ａ１Ｍ２ ｂ１Ｏｃ１
（式中、Ｍ１は２族金属元素；Ｍ２は４族金属元素；ａ１は０．９～１．１；ｂ１は０．９～１，１；ｃ１は２．８～３．２である；Ｍ１とＭ２はそれぞれ複数であってもよい）で示される無機複合酸化物粒子：
４族の金属元素としては、たとえばＴｉ、Ｚｒが好ましく、２族の金属元素としてはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａが好ましい。
具体的には、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＭｇＴｉＯ３、ＢａＺｒＯ３、ＳｒＺｒＯ３、ＣａＺｒＯ３およびＭｇＺｒＯ３よりなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子が、体積抵抗率が高い点から好ましい。
（Ｂ３）周期表の２族、３族、４族、１２族または１３族の金属元素の酸化物と酸化ケイ素との無機酸化物複合粒子：
無機酸化物粒子（Ｂ１）と酸化ケイ素との複合体粒子であり、具体的には、３Ａ１２Ｏ３・２ＳｉＯ２、２ＭｇＯ・ＳｉＯ２、ＺｒＯ２・ＳｉＯ２およびＭｇＯ・ＳｉＯ２よりなる群から選ばれる少なくとも１種の粒子があげられる。
上記無機酸化物粒子（Ｂ）は、必ずしも高誘電性である必要はなく、積層フィルムの用途により適宜選択すればよい。
例えば、汎用で安価な１種類の金属の酸化物粒子（Ｂ１）、特にＡｌ２Ｏ３やＭｇＯなどを使用すると、体積抵抗率の向上を図ることができる。これら１種類の金属の酸化物粒子（Ｂ１）の比誘電率（１ｋＨｚ、２５℃）は、通常１００未満、さらには１０以下である。
無機酸化物粒子（Ｂ）としては、誘電率を向上させる目的で強誘電性（比誘電率（１ｋＨｚ、２５℃）が１００以上）の金属酸化物粒子（例えば、（Ｂ２）～（Ｂ３））を用いてもよい。
強誘電性の金属酸化物粒子（Ｂ２）～（Ｂ３）を構成する無機材料としては、複合金属酸化物、その複合体、固溶体、ゾルゲル体などが例示できるが、これらのみに限定されるものではない。
上記誘電体層は、共重合体（Ａ）１００質量部に対し、無機酸化物粒子（Ｂ）を０．０１～３００質量部含有するものであることが好ましい。より好ましくは、０．１～２５０質量部であり、更に好ましくは、１～２５０質量部である。
無機酸化物粒子（Ｂ）の含有量が多すぎると、無機酸化物粒子（Ｂ）を共重合体（Ａ）中に均一に分散させることが難しくなるおそれがあり、また、電気絶縁性（耐電圧）が低下するおそれもある。
無機酸化物粒子（Ｂ）の平均一次粒子径は小さい方が好ましく、特に１μｍ以下のいわゆるナノ粒子が好ましい。このような無機酸化物ナノ粒子が均一分散することにより、少量の配合でフィルムの電気絶縁性を大幅に向上させることができる。好ましい平均一次粒子径は３００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以下、特に１００ｎｍ以下である。下限は特に限定されないが、製造の困難性や均一分散の困難性、価格の面から、１０ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは２０ｎｍ以上、更に好ましくは５０ｎｍ以上である。
無機酸化物粒子の平均一次粒子径は、レーザー回折・散乱式粒度分布測定装置（商品名：ＬＡ－９２０、堀場製作所社製）を用いて算出した値である。
無機酸化物粒子（Ｂ）の比誘電率（２５℃、１ｋＨｚ）は、１０以上であることが好ましい。積層フィルムの静電容量を高くする観点からは、１００以上であることがより好ましく、更に好ましくは３００以上である。上限は特に制限されないが、通常３０００程度である。
無機酸化物粒子（Ｂ）の比誘電率（ε）（２５℃、１ｋＨｚ）は、ＬＣＲメーターを用いて静電容量（Ｃ）を測定し、静電容量、電極面積（Ｓ）、焼結体の厚み（ｄ）から、式Ｃ＝ε×ε０×Ｓ／ｄ（ε０は真空の誘電率真空の誘電率）で算出した値である。
（その他の成分）
上記誘電体層は、所望により、他の補強用フィラーや親和性向上剤などの、その他の成分を含有してもよい。
補強用フィラーは機械的特性（引張強度、硬度など）を付与するために添加される成分であって、上記の無機酸化物粒子（Ｂ）以外の粒子または繊維であり、たとえば炭化ケイ素、窒化ケイ素、硼素化合物の粒子または繊維があげられる。なお、シリカ（酸化ケイ素）は、加工改良剤や補強用フィラーとして配合してもよいが、絶縁性向上効果の点からは、熱伝導率が低く、特に高温で体積抵抗率が大きく低下するため、上記無機酸化物粒子（Ｂ）よりも劣る。
親和性向上剤は、無機酸化物粒子（Ｂ）と共重合体（Ａ）との間の親和性を高め、無機酸化物粒子（Ｂ）を共重合体（Ａ）に均一に分散させ、無機酸化物粒子（Ｂ）と共重合体（Ａ）を誘電体層中でしっかり結合させ、ボイドの発生を抑制し、および比誘電率を高めることができる。
親和性向上剤としては、カップリング剤、界面活性剤、またはエポキシ基含有化合物が有効である。
親和性向上剤としての「カップリング剤」の例としては、有機チタン化合物、有機シラン化合物、有機ジルコニウム化合物、有機アルミニウム化合物、および有機リン化合物が挙げられる。
有機チタン化合物の例としては、アルコキシチタニウム、チタニウムキレート、およびチタニウムアシレートなどのカップリング剤が挙げられ、なかでも、無機酸化物粒子（Ｂ）との親和性が良好な点から、好ましい例として、アルコキシチタニウム、およびチタニウムキレートが挙げられる。
その具体例としては、テトライソプロピルチタネート、チタニウムイソプロポキシオクチレングリコレート、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナト）チタン、ジイソプロポキシチタンジイソステアレート、テトライソプロピルビス（ジオクチルフォスファイト）チタネート、およびイソプロピルトリ（ｎ－アミノエチル－アミノエチル）チタネート、テトラ（２，２－ジアリルオキシメチル－１－ブチル）ビス（ジ－トリデシル）ホスファイトチタネートが挙げられる。
有機シラン化合物は、高分子型であっても、低分子型であってもよく、その例として、モノアルコキシシラン、ジアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、およびテトラアルコキシシランなどのアルコキシシランが挙げられる。また、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、メタクロキシシラン、およびメルカプトシランなども好適に使用できる。
アルコキシシランを用いる場合、加水分解により、表面処理の効果である体積抵抗率の一層の向上（電気絶縁性の向上）を図ることができる。
有機ジルコニウム化合物の例としては、アルコキシジルコニウム、およびジルコニウムキレートが挙げられる。
有機アルミニウム化合物の例としては、アルコキシアルミニウム、およびアルミニウムキレートが挙げられる。
有機リン化合物の例としては、亜リン酸エステル、リン酸エステル、およびリン酸キレートが挙げられる。
親和性向上剤としての「界面活性剤」は、高分子型であっても、低分子型であってもよく、その例としては、非イオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、およびカチオン性界面活性剤が挙げられる。なかでも、熱安定性が良好な点から、高分子型の界面活性剤が好ましい。
非イオン性界面活性剤の例としては、ポリエーテル誘導体、ポリビニルピロリドン誘導体、およびアルコール誘導体が挙げられ、なかでも、無機酸化物粒子（Ｂ）との親和性が良好な点から、ポリエーテル誘導体が好ましい。
アニオン性界面活性剤との例としては、スルホン酸、およびカルボン酸、およびそれらの塩を含有するポリマーなどが挙げられ、なかでも、共重合体（Ａ）との親和性が良好な点から、好ましい例として、アクリル酸誘導体系ポリマー、メタクリル酸誘導体系ポリマーが挙げられる。
カチオン性界面活性剤の例としては、アミン系化合物、およびイミダゾリンなどの含窒素系複合環を有する化合物、およびそのハロゲン化塩が挙げられる。
親和性向上剤としての「エポキシ基含有化合物」は、低分子量化合物であっても、高分子量化合物であってもよく、その例としては、エポキシ化合物、およびグリシジル化合物が挙げられる。なかでも、共重合体（Ａ）との親和性が特に良好な点から、エポキシ基を１個有する低分子量の化合物が好ましい。
エポキシ基含有化合物の好ましい例としては、特に共重合体（Ａ）との親和性に優れている点から、式：
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
（式中、Ｒは、水素原子、メチル基、酸素原子又は窒素原子を介在してもよい炭素数２～１０の炭化水素基、若しくは、置換されていてもよい芳香環基を表す。ｌは０または１を表し、ｍは０または１を表し、ｎは０～１０の整数を表す。）で示される化合物が挙げられる。
その具体例としては、
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
などの、ケトン基、またはエステル基を有する化合物が挙げられる。
親和性向上剤は、本発明の効果が失われない範囲内の量で使用できるが、具体的には、均一な分散、および得られる誘電体層の比誘電率が高い点から、その量は、無機酸化物粒子（Ｂ）１００質量部に対して、好ましくは０．０１～３０質量部、より好ましくは０．１～２５質量部、更に好ましくは１～２０質量部である。
上記誘電体層は、本発明の効果が失われない範囲内で、他の添加剤を含有してもよい。
高い静電容量、低い誘電正接、優れた強度を両立させる点から、本発明の積層フィルムは、誘電体層が占める割合が５～７０体積％であることが好ましく、１０～６０体積％であることがより好ましく、２０～５５体積％であることが更に好ましい。
また、本発明の積層フィルムは、誘電体層の厚みが０．１～１２μｍであることが好ましく、０．１～８μｍであることがより好ましく、０．１～４μｍであることが更に好ましい。
（製造方法）
本発明の積層フィルムは、樹脂基材上に、第一電極層及び第二電極層を形成する工程、及び、第二電極層上に誘電体層を形成する工程、を含む製造方法による製造することができる。
樹脂基材上に、第一電極層及び第二電極層を形成する方法としては、金属箔を樹脂基材に貼り付ける方法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などにより蒸着金属被膜を形成する方法等が挙げられる。
第二電極層上に誘電体層を形成する方法は、例えば、キャスト法のような公知のフィルム形成方法が挙げられる。
キャスト法による製造方法としては、例えば、
（１）共重合体（Ａ）、および所望により、無機酸化物粒子（Ｂ）、親和性向上剤を溶媒中に溶解または分散させて液状組成物を調製する工程、および、
（２）液状組成物を基材上に塗布し、および乾燥させてフィルムを形成する工程、
を含む方法が挙げられる。
ところで、ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体は、ＶｄＦの比率が小さく、ＴＦＥの比率が大きいと、得られるフィルムが自ずとβ型の結晶構造を取る。しかし、ＶｄＦの比率を高めると、α型の結晶構造をとりやすい。
本発明者らは、極めて限定された条件の下で実施するキャスト法により誘電体層を形成すると、ＶｄＦの比率が大きいＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体を材料とした場合でも、β型の結晶構造を多く含む誘電体層を形成することができることを見出した。
そして、以下の新規なキャスト法により、ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）のＶｄＦ／ＴＦＥがモル比で９５／５～７５／２５というＶｄＦの比率が大きい場合であっても、ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（Ａ）がα型の結晶構造とβ型の結晶構造とから構成され、β型の結晶構造が５０％以上である誘電体層を形成することができる。
上記キャスト法による製造方法において、上記溶媒としては、共重合体（Ａ）を溶解または均一に分散し得る任意の溶媒を使用できるが、特に、極性有機溶媒が好ましい。極性有機溶媒の好ましい例としては、ケトン系溶剤、エステル系溶媒、カーボネート系溶媒、環状エーテル系溶媒、およびアミド系溶剤が挙げられ、その好ましい具体例としては、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、アセトン、ジエチルケトン、ジプロピルケトン、酢酸エチル、酢酸メチル、酢酸プロピル、酢酸ブチル、乳酸エチル、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジプロピルカーボネート、メチルエチルカーボネート、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、およびジメチルアセトアミドが挙げられる。
上記キャスト法による製造方法において、液状組成物を基材上に塗布する方法としては、例えば、ナイフコーティング法、キャストコーティング法、ロールコーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、ブレードコーティング法、ロッドコーティング法、またはエアドクタコーティング法などを使用できるが、なかでも、操作性が容易な点、膜厚のバラツキが少ない点、生産性に優れる点から、ロールコーティング法、グラビアコーティング法、ダイコーティング法、またはキャストコーティング法が好ましい。
このようなコーティング法を採用した場合、非常に薄い膜厚の誘電体層を得ることができる。
上記キャスト法による製造方法において、乾燥温度は共重合体の融点付近の温度であることが好ましく、これによりβ型の結晶構造が５０％以上である共重合体（Ａ）を含む誘電体層を形成し、本発明の積層フィルムを製造することができる。より好ましくは、共重合体（Ａ）の融点±３０℃程度の温度である。更に好ましくは融点を超える温度である。
乾燥温度として具体的には、例えば、１５０℃±３０℃程度が好ましい。
上記キャスト法による製造方法において、乾燥時間は、０．７５～４／３分であることが好ましく、１～４／３分であることがより好ましい。乾燥時間が上記範囲であることによって、共重合体（Ａ）におけるβ型の結晶構造の割合を高くすることができる。
上記乾燥は、乾燥炉の中を通過させることにより行うことができ、例えば、合計の長さが１０ｍの乾燥炉（例えば、２ｍ×５個）を用いる場合、７．５～１０ｍ／分の速度で乾燥炉を通過させることによって行うことができる。
上記キャスト法による製造方法は、クリーンルームで行うことが好ましく、ＦＥＤ－ＳＴＤ－２０９Ｄ（米国連邦規格）でクラス１０００以下（例えば、クラス５００、クラス１００、クラス１０、クラス１等）のクリーンルームで行うことがより好ましい。
本発明の積層フィルムは、誘電体層の比誘電率が高く、静電容量を大きくすることができ、更に、強度にも優れるので、例えば、フィルムコンデンサ用の誘電体フィルムとして好適に使用可能である。
本発明はまた、上記積層フィルムを備えるフィルムコンデンサでもある。
フィルムコンデンサの構造としては、たとえば、上記積層フィルムが積層された積層型（特開昭６３一１８１４１１号公報など）や、上記積層フィルムを巻き込んだ巻回型（誘電体フィルム上に電極が連続して積層されていない特開昭６０一２６２４１４号公報などに開示されたものや、誘電体フィルム上に電極が連続して積層されている特開平３－２８６５１４号公報などに開示されたものなど）などがあげられる。
構造が単純で、製造も比較的容易な、誘電体フィルム上に電極層が連続して積層されている巻回型フィルムコンデンサの場合は、一般的には片面に電極を積層した高誘電体フィルムを電極同士が接触しないように２枚重ねて巻き込んで、必要に応じて、巻き込んだ後に、ほぐれないように固定して製造される。
本明細書で使用している特性値は、つぎの方法で測定したものである。
（膜厚）
デジタル測長機（ニコン社製のＭＦ－１００１）を用いて、フィルムの厚さを測定した。
（誘電正接および比誘電率）
フィルムを真空中で両面にアルミニウムを蒸着しサンプルとした。このサンプルをＬＣＲメーター（ＺＭ２３５３、エヌエフ回路設計ブロック社製）にて、ドライエアー雰囲気下、３０℃にて、周波数１ｋＨｚでの静電容量と誘電正接を測定した。膜厚と静電容量から比誘電率を算出した。
（体積抵抗率）
デジタル超絶縁計／微小電流計にて、体積抵抗率（Ω・ｃｍ）を３０℃、ドライエアー雰囲気下、ＤＣ３００Ｖで測定する。
（フッ素重合体の組成）
核磁気共鳴装置（メーカー名：Ｖａｒｉａｎ（現：アジレント・テクノロジー株式会社）、装置タイプ：ＶＮＳ４００ＭＨｚ）でＦ－ＮＭＲ測定を行い、各ピークの積分値と下記計算式から組成比を求めた。
計算式
ＶｄＦ：Ａ＋Ｂ－Ｄ
ＴＦＥ：Ｃ／２＋Ｄ
ＶｄＦ（ｍｏｌ％）＝１００×｛ＶｄＦ／（ＶｄＦ＋ＴＦＥ）｝
ＴＦＥ（ｍｏｌ％）＝１００×｛ＴＦＥ／（ＶｄＦ＋ＴＦＥ）｝
Ａ：（－９０～－９８ｐｐｍのピーク積分値）
Ｂ：（－１１０～－１１８ｐｐｍのピーク積分値）
Ｃ：（－１１９～－１２４．５ｐｐｍのピーク積分値）
Ｄ：（－１２４．５～－１２７ｐｐｍのピーク積分値）
（融点）
融点は、示差走査熱量測定（ＤＳＣ）装置を用い、１０℃／分の速度で昇温したときの融解熱曲線における極大値に対応する温度として求めた。
（β型の結晶構造の比率）
β型の結晶構造の比率は、フーリエ変換赤外分光光度計（ＦＴ－ＩＲ）（商品名：ｓｐｅｃｔｒｕｍ　Ｏｎｅ、Ｐｅｒｋｉｎ　Ｅｌｍｅｒ社製）を用いて、β型結晶由来の吸収ピーク（８３９ｃｍ－１）の吸光度とα型結晶由来の吸収ピーク（７６３ｃｍ－１）の吸光度の比率を、各結晶化度の比率とみなし、下記計算式からβ型の結晶構造の比率を算出した。
より具体的には、ＦＴ－ＩＲ測定の結果と下記式により計算して求めた値である。
Ｆ（β）＝Ｘβ／（Ｘα＋Ｘβ）＝Ａβ／（１．２６Ａα＋Ａβ）
Ｆ（β）：β型の結晶構造の比率
Ｘα：α型の結晶化度
Ｘβ：β型の結晶化度
Ａα：７６３ｃｍ－１での吸光度
Ａβ：８３９ｃｍ－１での吸光度
Ｋβ／Ｋα＝１．２６（β型（８３９ｃｍ－１）、α型（７６３ｃｍ－１）での吸収光度係数の比）
合成例１（ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（ａ１）の製造）
内容積４Ｌのオートクレーブに純水１．３ｋｇを投入し、充分に窒素置換を行った後、オクタフルオロシクロブタン１．３ｇを仕込み、系内を３７℃、攪拌速度５８０ｒｐｍに保った。その後、テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）／１，１－ジフルオロエチレン（フッ化ビニリデン：ＶｄＦ）＝７／９３モル％の混合ガス２００ｇ、酢酸エチル１ｇを仕込み、その後にジ－ｎ－プロピルパーオキシジカーボネートの５０質量％メタノール溶液を１ｇ添加して重合を開始した。重合の進行と共に系内圧力が低下するので、テトラフルオロエチレン／１，１－ジフルオロエチレン＝７／９３モル％の混合ガスを連続して供給し、系内圧力を１．３ＭＰａＧに保った。２０時間、攪拌を継続した。そして、放圧して大気圧に戻した後、反応生成物を水洗、乾燥して、フッ素重合体の白色粉末１３０ｇを得た。
合成例２（ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（ａ２）の製造）
内容積４Ｌのオートクレーブに純水１．３ｋｇを投入し、充分に窒素置換を行った後、オクタフルオロシクロブタン１．３ｇを仕込み、系内を３７℃、攪拌速度５８０ｒｐｍに保った。その後、ＴＦＥ／ＶｄＦ＝３５／６５モル％の混合ガス２００ｇ、酢酸エチル１ｇを仕込み、その後にジ－ｎ－プロピルパーオキシジカーボネートの５０質量％メタノール溶液を１ｇ添加して重合を開始した。重合の進行と共に系内圧力が低下するので、テトラフルオロエチレン／１，１－ジフルオロエチレン＝３５／６５モル％の混合ガスを連続して供給し、系内圧力を１．３ＭＰａＧに保った。２０時間、攪拌を継続した。そして、放圧して大気圧に戻した後、反応生成物を水洗、乾燥して、フッ素重合体の白色粉末１２５ｇを得た。
合成例３（ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（ａ３）の製造）
内容積４Ｌのオートクレーブに純水１．３ｋｇを投入し、充分に窒素置換を行った後、オクタフルオロシクロブタン１．３ｇを仕込み、系内を３７℃、攪拌速度５８０ｒｐｍに保った。その後、ＴＦＥ／ＶｄＦ＝２０／８０モル％の混合ガス２００ｇ、酢酸エチル１ｇを仕込み、その後にジ－ｎ－プロピルパーオキシジカーボネートの５０質量％メタノール溶液を１ｇ添加して重合を開始した。重合の進行と共に系内圧力が低下するので、テトラフルオロエチレン／１，１－ジフルオロエチレン＝２０／８０モル％の混合ガスを連続して供給し、系内圧力を１．３ＭＰａＧに保った。２０時間、攪拌を継続した。そして、放圧して大気圧に戻した後、反応生成物を水洗、乾燥して、フッ素重合体の白色粉末１３０ｇを得た。
実施例１
２Ｌタンク中にメチルエチルケトン（ＭＥＫ）（キシダ化学株式会社製）５６０質量部とＮ－メチル－２ピロリドン（ＮＭＰ）（日本リファイン株式会社製）２４０質量部、合成例１で得られたＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（ａ１）（ＶｄＦ／ＴＦＥ＝９３／７ｍｏｌ％、融点１５０℃）を２００質量部入れ、攪拌機で攪拌し、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を得た。
このフッ素樹脂溶液を、クラス１０００のクリーンルームにて、グラビアコーターを用いて、両面蒸着処理を施した３μｍ厚のポリプロピレン（ＰＰ）フィルム上にキャストし、８０℃－１２０℃－１７５℃－１７５℃－１７５℃の乾燥炉（各２ｍ、計１０ｍ）に、速さ７．５ｍ／分、１．３分間の条件で通過させて乾燥させることにより、ＰＰ蒸着フィルム上にフッ素樹脂層が形成された積層フィルムを得た。積層フィルムの膜厚は４．５μｍであった。
また上記の乾燥条件でフィルムを作成することで、β型の結晶構造の割合が１００％のＶｄＦ／ＴＦＥ＝９３／７ｍｏｌ％のフッ素樹脂層（ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体層）を形成することが出来た。
実施例２
実施例１と同様にして、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を作製し、ＰＰフィルム上にキャストし、膜厚６．１μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例３
実施例１と同様にして、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を作製し、このフッ素樹脂溶液１０００質量部に、γ－Ａｌ２Ｏ３（商品名：ＡＫＰ－Ｇ１５、住友化学社製、平均一次粒子径：１００ｎｍ）１０質量部を加えた。この混合物を、ビーズミル（ＬＭＺ０１５、アシザワ・ファインテック株式会社製）にて回転数１２ｍ／ｓ、６０分間分散処理を行い、コーティング用溶液を得た。この溶液を、実施例１と同様にＰＰフィルム上にキャストし、膜厚４．５μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例４
実施例１と同様にして、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を作製し、このフッ素樹脂溶液１０００質量部に、ＢａＴｉＯ３（商品名：ＢＴ－０１：１００ｎｍ）２０質量部を加えた。この混合物を、ビーズミル（ＬＭＺ０１５、アシザワ・ファインテック株式会社製）にて回転数１２ｍ／ｓ、６０分間分散処理を行い、コーティング用溶液を得た。この溶液を、実施例１と同様にＰＰフィルム上にキャストし、膜厚４．７μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例５
樹脂基材を膜厚２．３μｍのポリプロピレンフィルムに変更したほかは、実施例１と同様に積層フィルムを作成し、膜厚４．７μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例６
樹脂基材を膜厚１５μｍのポリプロピレンフィルムに変更したほかは、実施例１と同様にフィルム作成し、膜厚１７．５μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例７
樹脂基材を膜厚４．８μｍのポリエステル（ＰＥＴ）フィルムに変更したほかは、実施例１と同様に積層フィルムを作成し、膜厚６．９μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例８
樹脂基材を膜厚７．５μｍのポリイミド（ＰＩ）フィルムに変更したほかは、実施例１と同様にフィルム作成し、膜厚９．０μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例９
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体を合成例２で得られたＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（ａ２）（ＶｄＦ／ＴＦＥ＝６５／３５ｍｏｌ％、融点１７０℃）に変更したほかは、実施例１と同様にして、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を作製し、ＰＰフィルム上にキャストし、膜厚４．５μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例１０
ＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体を合成例３で得られたＶｄＦ／ＴＦＥ共重合体（ａ３）（ＶｄＦ／ＴＦＥ＝８０／２０ｍｏｌ％、融点１３０℃）に変更したほかは、実施例１と同様にして、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を作製し、ＰＰフィルム上にキャストし、膜厚４．５μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例１１
実施例１と同様にして、２０ｗ／ｗ％濃度のフッ素樹脂溶液を作製し、ＰＰフィルム上にキャストし、膜厚１２．０μｍの積層フィルムを得た。
フッ素樹脂層において、β型の結晶構造の割合は１００％であった。
実施例１～１１で得られたフィルムについて、静電容量、比誘電率、誘電正接、体積抵抗率のデータを得た。結果を表１、表２、表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
本発明の積層フィルムは、静電容量を大きくすることができるため、フィルムコンデンサ用の誘電体フィルムとして好適である。
１０、２０：誘電体層
１１、２１：第二電極層
１２、２２：樹脂基材
１３、２３：第一電極層

Claims (6)

  1. 第一電極層、樹脂基材、第二電極層及び誘電体層がこの順に積層された積層フィルムであって、
    前記誘電体層が、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレン共重合体（Ａ）を含み、
    前記共重合体（Ａ）は、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレンがモル比で９７／３～６０／４０である
    ことを特徴とする積層フィルム。
  2. 共重合体（Ａ）は、フッ化ビニリデン／テトラフルオロエチレンがモル比で９５／５～７５／２５である請求項１記載の積層フィルム。
  3. 誘電体層は、厚みが０．１～１２μｍである請求項１又は２記載の積層フィルム。
  4. 樹脂基材は、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリスルホン、及び、ポリフェニルスルホンからなる群より選択される少なくとも１種の樹脂フィルムである請求項１、２又は３記載の積層フィルム。
  5. 樹脂基材は、厚みが０．５～１５．０μｍである請求項１、２、３又は４記載の積層フィルム。
  6. 請求項１、２、３、４又は５記載の積層フィルムを備えるフィルムコンデンサ。
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