WO2014050658A1 - ダイシングフィルム - Google Patents

ダイシングフィルム Download PDF

Info

Publication number
WO2014050658A1
WO2014050658A1 PCT/JP2013/075135 JP2013075135W WO2014050658A1 WO 2014050658 A1 WO2014050658 A1 WO 2014050658A1 JP 2013075135 W JP2013075135 W JP 2013075135W WO 2014050658 A1 WO2014050658 A1 WO 2014050658A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
dicing
dicing film
base material
film
material layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/075135
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
織田 直哉
佳典 長尾
Original Assignee
住友ベークライト株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 住友ベークライト株式会社 filed Critical 住友ベークライト株式会社
Priority to JP2014538418A priority Critical patent/JP6160623B2/ja
Priority to CN201380036534.3A priority patent/CN104428873B/zh
Priority to KR1020147034758A priority patent/KR101948374B1/ko
Publication of WO2014050658A1 publication Critical patent/WO2014050658A1/ja

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22Plastics; Metallised plastics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2421/00Presence of unspecified rubber
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00Presence of (meth)acrylic polymer
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09JADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2483/00Presence of polysiloxane
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H01L2221/68336Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding involving stretching of the auxiliary support post dicing

Definitions

  • the present invention relates to a dicing film.
  • a dicing film is used when cutting a semiconductor member such as a semiconductor wafer or a package.
  • the dicing film is used for attaching a semiconductor member, dicing (cutting, dividing into pieces), expanding the dicing film, and picking up the semiconductor wafer.
  • a dicing film is composed of a base film and an adhesive layer.
  • a polyvinyl chloride (PVC) resin film has been often used as a base film.
  • PVC resin films from the prevention of contamination of semiconductor members due to the adhesion of plasticizers contained in PVC resin films and the growing awareness of environmental issues, recently, such as olefin resins, ethylene vinyl alcohol resins and ethylene methacrylate acrylate resins, etc.
  • a base film using a non-PVC resin-based material has been developed (see, for example, Patent Document 1).
  • the dicing film is expanded in order to widen the gap between the semiconductor members.
  • the base material does not have sufficient toughness, the dicing film may break when expanded. . Therefore, there is a need for a dicing film that can suppress substrate whiskers during dicing and that does not break during expansion.
  • An object of the present invention is to provide a dicing film that generates less chips and substrate whiskers in a dicing process during semiconductor manufacturing and has a suitable expandability.
  • the pressure-sensitive adhesive layer contains one or more of rubber-based, silicone-based, and acrylic pressure-sensitive adhesives.
  • a dicing film that has less generation of chips and substrate whiskers in a dicing process during semiconductor manufacturing and that has suitable expandability.
  • the dicing film 10 includes a base material layer 1 and an adhesive layer 2 as illustrated in FIG.
  • the base material layer 1 is used to stabilize the wafer during conveyance, to cut into the lower layer of the pressure-sensitive adhesive layer during dicing, and to increase the chip interval after dicing.
  • the base material layer 1 has a breaking elongation at 80 ° C. of 750% or less.
  • the contact portion with the dicing blade is exposed to a high temperature of 80 ° C. or more due to frictional heat with the dicing blade in the dicing process. In such a high temperature state, the base material layer becomes soft and easily stretched, and the chips are pulled by the rotation of the dicing blade and are elongated, which is one cause of the generation of the base whiskers in the dicing process.
  • the base material layer 1 of the present invention has a breaking elongation at 80 ° C. of 750% or less, it is difficult to be soft and easily stretched at a high temperature, so that generation of whiskers in the dicing process is suppressed. It is something that can be done.
  • the breaking elongation at 80 ° C. of the base material layer 1 is not particularly limited as long as it is 750% or less, but is preferably 600% or less, and more preferably 400% or less.
  • the base material layer 1 preferably has a breaking elongation at 23 ° C. of 50% or more.
  • the base material layer 1 is hardly broken at the time of expansion because the base material layer 1 has a breaking elongation of 50% or more at 23 ° C. near the normal temperature at which the expanding step is performed. It becomes.
  • the breaking elongation at 23 ° C. of the base material layer 1 is not particularly limited as long as it is 50% or more, but is preferably 100% or more, and more preferably 200% or more. Thereby, the fracture
  • the base material layer 1 preferably has a low elongation at break even at a temperature exceeding 80 ° C.
  • the degree is preferably 600% or less, and more preferably 400% or less.
  • resin which comprises the base material layer 1 For example, a low density polyethylene, a polystyrene, a polystyrene, and rubber
  • the thickness of the base material layer 1 is not particularly limited, but is preferably 50 to 250 ⁇ m, more preferably 70 to 200 ⁇ m, and still more preferably 80 to 150 ⁇ m. When the thickness of the base material layer 1 is equal to or greater than the lower limit value, the base material layer 1 is more difficult to break during expansion, and when the thickness of the base material layer 1 is equal to or less than the upper limit value, Can be further suppressed.
  • the base material layer 1 can add various resin, an additive, etc. according to the objective in the range which does not impair the effect of this invention.
  • a polymer type antistatic agent such as a polyether / polyolefin block polymer or a polyether ester amide block polymer, carbon black or the like can be added.
  • an ion conductive antistatic agent using a polyether / polyolefin copolymer is preferable from the viewpoint of compatibility with the olefin resin.
  • an adhesive layer 2 is provided on at least one surface of the base material layer 1 of the dicing film 10 according to the present invention.
  • the adhesive layer 2 has a role of holding the adherend on the dicing film 10.
  • the resin composition used for the adhesive layer 2 include a rubber adhesive, a silicone adhesive, an acrylic adhesive, a UV curable urethane acrylate resin, and an isocyanate crosslinking agent.
  • a rubber-based adhesive in order to suppress the semiconductor member mount, end material jumping, and chipping, it is preferable to include any one or more of a rubber-based adhesive, a silicone-based adhesive, and an acrylic-based adhesive.
  • the acrylic pressure-sensitive adhesive preferably has a polar group, and examples of the acrylic pressure-sensitive adhesive having a polar group include carboxyl group-containing butyl acrylate.
  • the adhesive layer 2 contains an acrylic adhesive having a polar group, the mounting of the semiconductor member, the jumping of the end material, and the suppression of chipping become particularly suitable.
  • the thickness of the adhesion layer 2 is not specifically limited, It is preferable that they are 3 micrometers or more and 40 micrometers or less, and it is preferable that they are 5 micrometers or more and 20 micrometers or less for the semiconductor wafer dicing of a dicing film. Further, for dicing special members such as packages, it is preferably 10 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less. By setting it to the range lower limit value or more, the holding power of the adherend is excellent, and by setting it to the range upper limit value or less, the workability during dicing is excellent.
  • the combination of the resin that constitutes the base layer 1 and the resin that constitutes the adhesive layer 2 is not particularly limited.
  • the resin that constitutes the base layer 1 is low-density polyethylene, polystyrene, and rubber.
  • the adhesive layer 2 is a mixture of a rubber or an elastomer
  • the resin constituting the adhesive layer 2 is preferably a rubber adhesive, a silicone adhesive, an acrylic adhesive, a UV curable urethane acrylate resin, an isocyanate crosslinking agent, or the like.
  • a rubber-based adhesive e.g., a silicone-based adhesive, and an acrylic-based adhesive
  • an acrylic-based adhesive having a polar group is further included.
  • generation of whiskers during dicing can be further suppressed, and suppression of mounting of semiconductor members, jumping of end materials, and chipping can be further improved.
  • the resin used as the adhesive layer 2 is appropriately dissolved or dispersed in a solvent with respect to the base material layer 1 or the resin film including the base material layer 1 to form a coating solution. It is formed by applying and drying by a known coating method such as roll coating or gravure coating.
  • the dicing film 10 according to the present invention can be provided with other resin layers depending on the purpose within a range not impairing the effects of the present invention.
  • Example 1 ⁇ Production of dicing tape>
  • Low density polyethylene F522N manufactured by Ube Maruzen Polyethylene
  • a copolymer (weight average molecular weight) obtained by copolymerizing 30 parts by weight of 2-ethylhexyl acrylate, 70 parts by weight of vinyl acetate and 3 parts by weight of 2-hydroxyethyl methacrylate. was 300,000).
  • urethane acrylate having a weight average molecular weight of 5,000 and a polymerizable functional group of 4 was prepared.
  • a photopolymerization initiator for the adhesive layer 3% by weight of 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one (trade name “Irgacure 651”) was prepared.
  • an isocyanate-based crosslinking agent for the adhesive layer 8% by weight of a polyisocyanate compound (trade name “Coronate L”) was prepared.
  • the base polymer of the above adhesive layer, the curing component, the photopolymerization initiator, the cross-linking agent, and twice the total amount of ethyl acetate were mixed to prepare a resin solution.
  • This resin solution was bar-coated on the substrate so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer after drying was 10 ⁇ m, and then dried at 80 ° C. for 1 minute to obtain a desired dicing tape.
  • Example 2 As materials constituting the HIPS / elastomer mixed base material, a styrene-methyl methacrylate-butyl acrylate copolymer and 60 phr of a styrene-butadiene copolymer SX100 (manufactured by PS Japan Co., Ltd.) After dry blending with 7125 40 phr (manufactured by Kuraray Co., Ltd.), a dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that a sheet having a thickness of 150 ⁇ m was obtained.
  • Example 3 As a laminated substrate of LDPE / HDPE, a low density polyethylene F522N (made by Ube Maruzen polyethylene) layer (50 ⁇ thickness) and a high density polyethylene resin Suntec B161 (made by Asahi Kasei Co., Ltd.) layer (50 ⁇ thickness) are laminated.
  • a dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that a 100- ⁇ sheet was used.
  • Example 4 A dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of a styrene-butadiene copolymer SX100 (manufactured by PS Japan Co., Ltd.) was used as a material constituting the substrate.
  • a styrene-butadiene copolymer SX100 manufactured by PS Japan Co., Ltd.
  • Example 1 A dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of ionomer resin Himiran 1855 (manufactured by Mitsui DuPont) obtained by crosslinking a carboxyl group-containing compound with a cation was used as a material constituting the substrate.
  • ionomer resin Himiran 1855 manufactured by Mitsui DuPont
  • Example 2 A dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of high-density polyethylene resin Suntec B161 (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.) was used as the material constituting the substrate.
  • Suntec B161 manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.
  • Example 3 A dicing tape was obtained in the same manner as in Example 1 except that 100 parts by weight of a linear low density polyethylene resin Moatech 0248Z (manufactured by Prime Polymer Co., Ltd.) was used as the material constituting the substrate. Next, the obtained dicing tape was evaluated as follows. The obtained evaluation results are shown in Table 1. ⁇ Evaluation test> (1) Tensile test (1-1) The tensile elongation at 23 ° C. was measured by the following method. Plastic-tensile property test method JISK7127 compliant. (1-2) Tensile elongation at 80 ° C. was measured by the following method.
  • a strip having a width of 6 mm and a length of 50 mm was prepared, pulled at 200 mm / min in the MD direction until it was broken, and the elongation at break was determined.
  • (2) Evaluation of substrate scrap after dicing A wafer (thickness 0.1 mm) that has been back-grinded (DAG810 manufactured by DISCO Corporation) is attached to the prepared dicing tape, and after dicing under the following conditions, the chip is removed. The surface of the tape was observed, and the number of substrate scraps having a length of 100 ⁇ m or more coming out from the cut line was counted. ⁇ : 0 to 5 ⁇ : 6-10 ⁇ : 11 or more
  • Chip spacing is 50 ⁇ m or more open ⁇ : Chip spacing is 30 ⁇ m or more and less than 50 ⁇ m ⁇ : Chip spacing is not opened 30 ⁇ m or more
  • the dicing film of the present invention has less generation of chips and substrate whiskers during dicing and has a suitable strength and good appearance as a dicing film, it is suitably used as a film for fixing a semiconductor member in a dicing process of manufacturing a semiconductor device. be able to.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適な強度および良好な外観を有するダイシングフィルムを提供することにあり、基材層(1)と粘着層(2)とを有するものであり、基材層(1)の80℃における破断伸度が750%以下であることを特徴とするダイシングフィルムを提供する。

Description

ダイシングフィルム
本発明は、ダイシングフィルムに関するものである。
半導体装置を製造する工程において、半導体ウエハやパッケージ等の半導体部材を切断する際にダイシングフィルムが用いられている。ダイシングフィルムとは、半導体部材を貼り付け、ダイシング(切断、個片化)し、さらに当該ダイシングフィルムをエキスパンティング等し、かつ前記半導体ウエハ等をピックアップするために用いられるものである。
 一般にダイシングフィルムは、基材フィルムと、粘着層とで構成されている。従来、基材フィルムとしてはポリ塩化ビニル(PVC)樹脂フィルムが多く用いられていた。しかしながら、PVC樹脂フィルムに含有される可塑剤の付着による半導体部材の汚染防止や、環境問題に対する意識の高まりから、最近ではオレフィン系樹脂並びに、エチレンビニルアルコール系樹脂およびエチレンメタクリル酸アクリレート系樹脂等の非PVC樹脂系材料を用いた基材フィルムが開発されている(例えば特許文献1参照)。
また近年、半導体部材の小型化・薄型化が進むことで、ダイシングフィルムの厚み精度にバラつきがある場合、ダイシング工程において、ダイシングブレードの接触の仕方に差が生じ半導体ウエハに割れが発生しやすくなるという問題を生じさせる。また、フィルム厚み精度にバラつきがあると半導体部材のカット残りやダイシング時の切り屑や基材ヒゲ(基材フィルムのカットラインから伸びたヒゲ状の切り残査)が発生し半導体デバイスに付着するといった問題も発生する。特にウエハのチップ欠けを改良するために、ダイシングブレードの回転速度を上げると、基材ヒゲ発生の問題が顕著に現れる。また、半導体部材を貼り付けてダイシングした後、半導体部材の間隔を広げるために、ダイシングフィルムのエキスパンドを行うが、基材に十分な靭性がないとエキスパンド時にダイシングフィルムが破断するといった問題も発生する。そのため、ダイシング時に基材ヒゲを抑制することができ、かつ、エキスパンディング時に基材が破断しないダイシングフィルムが求められている。
特開2003-257893
本発明の目的は、半導体製造時のダイシング工程において切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有するダイシングフィルムを提供することにある。
このような目的は、下記(1)~(6)に記載の本発明により達成される。
(1)基材層と粘着層とを有するダイシングフィルムであって、
前記基材層の80℃における破断伸度が750%以下であることを特徴とするダイシングフィルム。
(2)前記基材層の23℃における破断伸度が50%以上である上記(1)に記載のダイシングフィルム。
(3)前記基材層の厚みが、50~250μmである上記(1)または(2)に記載のダイシングフィルム。
(4)前記粘着層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか1つ以上を含むものである上記(1)ないし(3)に記載のダイシングフィルム。
(5)前記アクリル系粘着剤が極性基を有するものである上記(1)ないし(4)いずれかに記載のダイシングフィルム。
(6)前記粘着層の厚みが、3~40μmである上記(1)ないし(5)いずれかに記載のダイシングフィルム。
本発明によれば、半導体製造時のダイシング工程において切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、また好適なエキスパンド性を有するダイシングフィルムを提供することができる。
本発明に係るダイシングフィルムの一例を示す概略断面図である。
本発明のダイシングフィルムの一例を、図を参照しながら詳細に説明する。
 本発明に係るダイシングフィルム10は、図1に例示するように基材層1と粘着層2とを有する。
以下、ダイシングフィルム10の各部の構成について順次説明する。
<基材層1>
基材層1は、ウエハの搬送時に安定させるため、並びにダイシング時に粘着剤層の下層まで切り込みを入れるため、またダイシング後のチップ間隔を広げるためのものである。
基材層1は、80℃における破断伸度が750%以下である。
ここで、ダイシングフィルムは、ダイシング工程において、ダイシングブレードとの摩擦熱により、ダイシングブレードとの接触部は、80℃以上の高温に晒される。このような高温状態においては、基材層が柔らかく伸びやすい状態となり、切り屑がダイシングブレードの回転に引っ張られ伸長することがダイシング工程で基材ヒゲが発生する一因である。
この点、本発明の基材層1は、80℃における破断伸度が750%以下であることにより、高温状態において柔らかく伸びやすい状態にはなりにくいために、ダイシング工程におけるヒゲの発生を抑制することができるものである。
基材層1の80℃における破断伸度は、750%以下であれば特に限定されないが、600%以下であることが好ましく、400%以下であることがより好ましい。
また、基材層1は、23℃における破断伸度が50%以上であることが好ましい。
ダイシングフィルムは、基材に十分な靭性がないと、エキスパンド時に基材層が破断するといった問題が発生する場合がある。これに対して本発明のダイシングフィルムでは、エキスパンド工程が行われる常温付近の23℃における基材層1の破断伸度が50%以上であることにより、エキスパンド時に基材層1が破断し難いものとなる。
基材層1の23℃における破断伸度は、50%以上であれば特に限定されないが、100%以上であることが好ましく、200%以上であることがより好ましい。
これにより、エキスパンド時のダイシングフィルム10の破断を十分に防止することができる。
また、ダイシングブレードとの摩擦熱が、80℃を超える場合を考慮すれば、基材層1は、80℃を超える温度においても、低い破断伸度を有することが好ましく、例えば100℃における判断伸度が、600%以下であることが好ましく、400%以下であることがより好ましい。
これにより、ダイシング工程おける基材ヒゲの発生をさらに抑制することができる。
基材層1を構成する樹脂としては、特に限定されないが、例えば、低密度ポリエチレン、ポリスチレン、ポリスチレンとゴムが挙げられる。
なかでも、低密度ポリエチレンやポリスチレンとゴムやエラストマーの混合物が好ましい。
基材層1を構成する樹脂が、低密度ポリエチレンやポリスチレンとゴムやエラストマーの混合物であることにより、基材層1の23℃おける破断伸度を上記下限値以上とすることが容易となり、良好なエキスパンド性を発揮することができる。
また、基材層1の80℃および100℃における破断伸度を上記上限値以下とすることが容易となり、ダイシング時のヒゲの発生をより抑制することができる。
基材層1の厚みは、特に限定されないが、50~250μmであることが好ましく、70~200μmであることがより好ましく、80~150μmであることがより一層好ましい。
 基材層1の厚みが前記下限値以上であることにより、エキスパンド時に基材層1がより破断しにくいものとなり、基材層1の厚みが前記上限値以下であることにより、ダイシング時のヒゲの発生をより抑制することができる。
また基材層1は、本発明の効果を損なわない範囲で、目的に合わせて、各種樹脂や添加剤等を添加することができる。例えば、帯電防止性を付与するために、ポリエーテル/ポリオレフィンブロックポリマーやポリエーテルエステルアミドブロックポリマー等の高分子型帯電防止剤やカーボンブラック等が添加可能な材料として挙げられる。なお、帯電防止効果を付与する場合においては、オレフィン系樹脂との相溶性という観点からは、ポリエーテル/ポリオレフィン共重合体を用いたイオン伝導型帯電防止剤が好ましい。
 (粘着層2)
図1に例示するように本発明に係るダイシングフィルム10の基材層1の少なくとも片面には、粘着層2が設けられる。粘着層2は、ダイシングフィルム10に被着体を保持する役割を有する。
粘着層2に用いられる樹脂組成物としては、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、UV硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等があげられる。これらの中でも半導体部材マウント、端材飛び及びチッピングを抑制するためには、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤のいずれか1つ以上を含むものであることが好ましい。
また、上記アクリル系粘着剤は、極性基を有するものであることがより好ましく、極性基を有するアクリル系粘着剤としては、カルボキシル基含有のアクリル酸ブチル等が挙げられる。
粘着層2が極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことにより、半導体部材のマウント、端材飛び及びチッピングの抑制が特に好適なものとなる。
 粘着層2の厚みは、特に限定されないが、3μm以上40μm以下であることが好ましく、ダイシングフィルムの半導体ウエハダイシング用では5μm以上20μm以下であることが好ましい。
また、パッケージ等の特殊部材ダイシング用としては10μm以上30μm以下であることが好ましい。前記範囲下限値以上とすることにより被着体の保持力に優れ、前記範囲上限値以下とすることによりダイシング時の加工性に優れる。
ダイシングフィルム10において、基材層1を構成する樹脂と、粘着層2を構成する樹脂の組み合わせは特に限定されないが、例えば、基材層1を構成する樹脂が、低密度ポリエチレンやポリスチレンと、ゴムやエラストマーとの混合物であるとき、粘着層2を構成する樹脂が、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤、UV硬化性ウレタンアクリレート樹脂、イソシアネート系架橋剤等であることが好ましく、その中でもゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、アクリル系粘着剤のいずれか1つ以上を含むものであることこがより好ましく、さらにその中でも、極性基を有するアクリル系粘着剤を含むことがより一層好ましい。
これにより、ダイシング時のヒゲの発生をより一層抑制することができるとともに、半導体部材のマウント、端材飛び及びチッピングの抑制がさらに好適なものとなる。
<ダイシングフィルムの製造方法の一例>
 本発明に係るダイシングフィルム10の粘着層2は、基材層1または基材層1を含む樹脂フィルムに対して、粘着層2として用いられる樹脂を適宜溶剤に溶解または分散させて塗工液とし、ロールコーティングやグラビアコーティングなどの公知のコーティング法により塗布し、乾燥することにより形成される。
本発明に係るダイシングフィルム10には、本発明の効果を損なわない範囲で目的に応じて他の樹脂層を設けることができる。
本発明を実施例により更に詳細に説明するが、これは単なる例示であり、本発明はこれにより限定されるものではない。
(実施例1)
 <ダイシングテープの作製>
基材を構成する材料として、低密度ポリエチレンF522N(宇部丸善ポリエチレン製)を準備し、Φ50mm押出機(L/D=25 ユニメルトピンスクリュー スクリュー圧縮比=2.9)、300mm幅のコートハンガーダイ(リップ間隙=0.5mm)、押出温度=220℃(スクリュー先端)の条件で押出製膜し、厚み100μmのシートを得た。その後、得られたシートの粘着剤塗工面にコロナ処理を施した。
 粘着層のベースポリマーとして、アクリル酸2-エチルヘキシルを30重量部と、酢酸ビニル70重量部と、メタクリル酸2-ヒドロキシエチル3重量部とを共重合させて得られた共重合体(重量平均分子量は300,000)を42重量%用いた。
 粘着層の硬化成分として、重量平均分子量が5,000、重合性官能基が4であるウレタンアクリレートを47重量%準備した。
粘着層の光重合開始剤として、2,2-ジメトキシ-1,2-ジフェニルエタン-1-オン(商品名「イルガキュア651」)を3重量%準備した。粘着層のイソシアネート系架橋剤として、ポリイソシアネート化合物(商品名「コロネートL」)を8重量%準備した。
 上記の粘着層のベースポリマーと、硬化成分と、光重合開始剤と、架橋剤と、その合計の2倍量の酢酸エチルとを混合し、樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を、乾燥後の粘着層の厚みが10μmになるようにして基材にバーコート塗工した後、80℃で1分間乾燥させて、所望のダイシングテープを得た。
(実施例2) HIPS/エラストマー混合
基材を構成する材料として、スチレン-メタクリル酸メチル-アクリル酸ブチル共重合物と、スチレンーブタジエン共重合物SX100(PSジャパン株式会社製)60phrとを、ハイブラー7125 40phr(株式会社クラレ製)によりドライブレンドした後、厚み150μmのシートを得た以外は実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
(実施例3) LDPE/HDPEの積層
基材として、低密度ポリエチレンF522N(宇部丸善ポリエチレン製)層(50μ厚)と高密度ポリエチレン樹脂サンテックB161(旭化成株式会社製)層(50μ厚)が積層された100μのシートを使用した以外は実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
(実施例4)
基材を構成する材料として、スチレンーブタジエン共重合物SX100(PSジャパン株式会社製) 100重量部を使用した以外は実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
(比較例1) 
基材を構成する材料として、カルボキシル基を有する化合物を陽イオンで架橋したアイオノマー樹脂ハイミラン1855(三井デュポン製)100重量部を使用した以外は実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
(比較例2)
基材を構成する材料として、高密度ポリエチレン樹脂サンテックB161(旭化成株式会社製)100重量部を使用した以外は実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
(比較例3)
基材を構成する材料として、直鎖状低密度ポリエチレン樹脂モアテック0248Z(株式会社プライムポリマー製)100重量部を使用した以外は実施例1と同様にしてダイシングテープを得た。
次いで得られたダイシングテープの評価を以下のとおり行った。得られた評価結果は表1に示す。
<評価試験>
(1)引っ張り試験
   (1-1)23℃環境下での引っ張り伸度を以下の方法で測定した。
   プラスチック-引張特性の試験方法JISK7127準拠。
   (1-2)80℃環境下での引っ張り伸度を以下の方法で測定した。
   6mm幅、50mm長さの短冊を準備し、MD方向に200mm/minで引張って破断するまで引っ張って、破断伸度を求めた。
(2)ダイシング後の基材屑評価
 作製したダイシングテープに、バックグラインド加工(ディスコ社製DAG810)したウエハ(厚み0.1mm)を貼り付け、下記条件でダイシングを行った後、チップを取り除いてテープ表面の観察を行い、カットラインから出てくる長さ100μ以上の基材屑の数をカウントした。
◎ : 0~5本
○ : 6-10本
× : 11本以上
<ダイシング条件>
ダイサー     「DAD―3350」、DISCO製
ブレード     「ZH205O 27HEDD」、DISCO製
ブレード回転数  30000rpm、60000rpm
カット速度    50mm/sec
切込量      粘着シート表面から30μm
カットサイズ   10mm×10mm
ブレードクーラー 2L/min
(3)エキスパンド性
 5インチミラーウエハをテープに保持固定し、ダイシングソー(DISCO製 DAD3350)を用いてスピンドル回転数60,000rpm、カッティングスピード50mm/min.で10mm□のチップサイズにカット後、UV照射を行い、エキスパンダー(ヒューグル製)を使用し、20mmのストロークで10分間エキスパンドを行い、チップ間隔を測定することで評価した。
<評価基準>
◎:チップ間隔が50μm以上開いているもの
○:チップ間隔が30μm以上50μm未満開いているもの
×:チップ間隔が30μm以上開いていないもの
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
本発明のダイシングフィルムはダイシング時の切り屑や基材ヒゲの発生が少なく、ダイシングフィルムとして好適な強度と良好な外観を有するため半導体装置製造のダイシング工程において半導体部材固定用のフィルムとして好適に用いることができる。
1・・・基材フィルム
2・・・粘着層
10・・・ダイシングフィルム

Claims (6)

  1. 基材層と粘着層とを有するダイシングフィルムであって、
    前記基材層の80℃における破断伸度が750%以下であることを特徴とするダイシングフィルム。
  2. 前記基材層の23℃における破断伸度が50%以上である請求項1に記載のダイシングフィルム。
  3. 前記基材層の厚みが、50~250μmである請求項1または2に記載のダイシングフィルム。
  4. 前記粘着層が、ゴム系、シリコーン系、アクリル系粘着剤のいずれか1つ以上を含むものである請求項1ないし3いずれか1項に記載のダイシングフィルム。
  5. 前記アクリル系粘着剤が極性基を有するものである請求項1ないし4いずれか1項に記載のダイシングフィルム。
  6. 前記粘着層の厚みが、3~40μmである請求項1ないし5いずれか1項に記載のダイシングフィルム。
PCT/JP2013/075135 2012-09-25 2013-09-18 ダイシングフィルム WO2014050658A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014538418A JP6160623B2 (ja) 2012-09-25 2013-09-18 ダイシングフィルム
CN201380036534.3A CN104428873B (zh) 2012-09-25 2013-09-18 切割膜
KR1020147034758A KR101948374B1 (ko) 2012-09-25 2013-09-18 다이싱 필름

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012210585 2012-09-25
JP2012-210585 2012-09-25

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014050658A1 true WO2014050658A1 (ja) 2014-04-03

Family

ID=50388063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/075135 WO2014050658A1 (ja) 2012-09-25 2013-09-18 ダイシングフィルム

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6160623B2 (ja)
KR (1) KR101948374B1 (ja)
CN (1) CN104428873B (ja)
MY (1) MY168738A (ja)
TW (1) TWI614323B (ja)
WO (1) WO2014050658A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI624527B (zh) * 2015-08-26 2018-05-21 feng qian Chen Polyethylene tape

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278156A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Nitto Denko Corp 電子部品のダイシング用粘着シート
JP2011195712A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sekisui Chem Co Ltd 硬化性組成物、ダイシング−ダイボンディングテープ、接続構造体及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2011198976A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングフィルム

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04196342A (ja) * 1990-11-28 1992-07-16 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体ウエハダイシング用フィルム
JP3984076B2 (ja) * 2002-02-27 2007-09-26 日東電工株式会社 ダイシング用粘着シート
JP2006310846A (ja) * 2005-04-28 2006-11-09 Ls Cable Ltd 半導体用ダイシングダイ接着フィルム
TW200800584A (en) * 2006-04-03 2008-01-01 Gunze Kk Surface protective tape used for back grinding of semiconductor wafer and base film for the surface protective tape
JP4993446B2 (ja) * 2006-09-08 2012-08-08 日東電工株式会社 ウエハ保持用粘着シート
JP2008117943A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Nitto Denko Corp ウォータージェットレーザダイシング用粘着シート
JP4994429B2 (ja) * 2008-08-04 2012-08-08 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5561949B2 (ja) 2009-04-08 2014-07-30 日東電工株式会社 熱硬化型ダイボンドフィルム
JP2012094834A (ja) * 2010-09-13 2012-05-17 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングフィルム
KR101393878B1 (ko) * 2010-09-30 2014-05-12 미쓰이 가가쿠 토세로 가부시키가이샤 확장성 필름, 다이싱 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010278156A (ja) * 2009-05-27 2010-12-09 Nitto Denko Corp 電子部品のダイシング用粘着シート
JP2011195712A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sekisui Chem Co Ltd 硬化性組成物、ダイシング−ダイボンディングテープ、接続構造体及び粘接着剤層付き半導体チップの製造方法
JP2011198976A (ja) * 2010-03-19 2011-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd ダイシングフィルム

Also Published As

Publication number Publication date
MY168738A (en) 2018-11-29
CN104428873A (zh) 2015-03-18
CN104428873B (zh) 2018-01-09
JPWO2014050658A1 (ja) 2016-08-22
TWI614323B (zh) 2018-02-11
TW201418401A (zh) 2014-05-16
KR20150058100A (ko) 2015-05-28
KR101948374B1 (ko) 2019-02-14
JP6160623B2 (ja) 2017-07-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012036149A1 (ja) ダイシングフィルム
WO2011004825A1 (ja) ウエハ貼着用粘着シートおよびそれを用いたウエハの加工方法
JP2012209363A (ja) ダイシングフィルム
TWI661023B (zh) 切割膜片、半導體晶圓用切割膜片、切割用基體膜、及半導體晶片之製造方法
JP2010258341A (ja) ダイシング用粘着シート
WO2017170436A1 (ja) 半導体加工用粘着シート
JP5494132B2 (ja) ダイシングフィルム
JP5448430B2 (ja) ウエハ貼着用貼着シートおよびウエハの加工方法
JP2015162561A (ja) ダイシングフィルム
JP2007009109A (ja) 表面保護用粘着フィルム
WO2014136181A1 (ja) ダイシングシート用基材フィルムおよび当該基材フィルムを備えるダイシングシート
JP5805113B2 (ja) 粘着テープ、及び粘着テープを用いた半導体装置の製造方法
JP2013143489A (ja) 半導体ウエハ等加工用粘着テープ
JP6107230B2 (ja) ダイシングフィルム
JP6160623B2 (ja) ダイシングフィルム
JP2010123763A (ja) 半導体ウエハ加工用粘着フィルム
WO2012128317A1 (ja) 半導体ウエハ等加工用粘着テープ
JP5253322B2 (ja) 半導体製造工程粘着テープ用フィルム
JP5494075B2 (ja) ダイシングフィルム
JP6535047B2 (ja) 半導体加工用粘着テープ
TWI747985B (zh) 切割片
TWI490303B (zh) Wafer adhesive tape and wafer processing methods
JP2014207355A (ja) 半導体ウエハ用ダイシングフィルム
JP2023073945A (ja) 半導体加工用粘着テープ
JP2010141367A (ja) ダイシング用固定シート及びダイシング方法

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13841999

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014538418

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147034758

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13841999

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1