WO2013157442A1 - 研磨用組成物 - Google Patents

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WO2013157442A1
WO2013157442A1 PCT/JP2013/060719 JP2013060719W WO2013157442A1 WO 2013157442 A1 WO2013157442 A1 WO 2013157442A1 JP 2013060719 W JP2013060719 W JP 2013060719W WO 2013157442 A1 WO2013157442 A1 WO 2013157442A1
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polishing
water
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polishing composition
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修一 玉田
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株式会社フジミインコーポレーテッド
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    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Definitions

  • the present invention relates to a polishing composition used for polishing a polishing object having a portion containing a germanium material.
  • the present invention also relates to a polishing method and a substrate manufacturing method using the polishing composition.
  • III-V group compounds As a high mobility channel material, application of III-V group compounds, IV group compounds, graphene consisting only of Ge (germanium), C (carbon) and the like is expected. At present, the formation of III-V compound channels is easier to introduce compared to III-V compounds because there is a problem that the technology for improving the crystallinity of the channels and controlling and growing the shape is not established. Group IV compounds, particularly SiGe, Ge, and the like are being actively investigated.
  • the channel using the high mobility material contains a group IV compound channel and / or a Ge channel (hereinafter also referred to as a portion containing germanium material, a portion containing Ge material, or a Ge material portion) and a silicon material.
  • a polishing object having a portion (hereinafter also referred to as a silicon material portion) can be formed by polishing. At this time, in addition to polishing the Ge material portion at a high polishing rate, it is required that a step such as dishing or erosion does not occur on the polished surface of the object to be polished.
  • polishing compositions such as those described in Patent Document 1 or Patent Document 2 that have been conventionally used in applications for polishing a Ge substrate have been developed for Ge substrates, a Ge material portion and silicon When used for polishing a polishing object having a material portion, it is difficult to prevent dishing of the Ge material portion and erosion of the silicon material portion.
  • JP 2010-130009 A JP 2010-519740 (US2011 / 0117740 (A1))
  • an object of the present invention is polishing that can suppress the occurrence of a step such as dishing or erosion on the surface of the polishing object when a polishing object having a portion containing a germanium material such as SiGe or Ge is polished.
  • Another object of the present invention is to provide a polishing composition, and a polishing method using the polishing composition, and a substrate manufacturing method.
  • the second aspect of the present invention provides a method for polishing a polishing object having a Ge material portion using the polishing composition of the first aspect.
  • a method for manufacturing a substrate having a portion containing a Ge material including the step of polishing by the polishing method of the second aspect.
  • the polishing composition of the present embodiment is prepared by mixing abrasive grains, an oxidizing agent, and a water-soluble polymer, for example, with water. Therefore, polishing composition contains an abrasive grain, an oxidizing agent, and a water-soluble polymer.
  • polishing composition contains an abrasive grain, an oxidizing agent, and a water-soluble polymer.
  • the polishing composition is used for polishing a polishing object having a Ge material portion, more specifically, for polishing a polishing object and manufacturing a substrate.
  • the object to be polished may further have a silicon material portion.
  • the Ge material include Ge (germanium), SiGe (silicon germanium), and the like.
  • the silicon material include polysilicon, silicon oxide, silicon nitride, and the like.
  • the abrasive grains contained in the polishing composition may be either inorganic particles or organic particles.
  • the inorganic particles include particles made of a metal oxide such as silica, alumina, ceria, titania and the like.
  • the organic particles include polymethyl methacrylate (PMMA) particles. Among these, silica particles are preferable, and colloidal silica is particularly preferable.
  • PMMA polymethyl methacrylate
  • the content of abrasive grains in the polishing composition is preferably 0.01% by weight or more, more preferably 0.05% by weight or more, and further preferably 0.1% by weight or more. As the abrasive grain content increases, the polishing rate of the Ge material portion by the polishing composition increases.
  • the content of abrasive grains in the polishing composition is also preferably 20% by weight or less, more preferably 17% by weight or less, and further preferably 15% by weight or less. As the content of the abrasive grains decreases, the material cost of the polishing composition can be suppressed, and the aggregation of the abrasive grains is less likely to occur.
  • the average primary particle diameter of the abrasive grains is preferably 5 nm or more, more preferably 7 nm or more, and further preferably 10 nm or more. As the average primary particle diameter of the abrasive grains increases, the polishing rate of the Ge material portion by the polishing composition increases. In addition, the value of the average primary particle diameter of an abrasive grain can be calculated based on the specific surface area of the abrasive grain measured by BET method, for example.
  • the average primary particle diameter of the abrasive grains is also preferably 150 nm or less, more preferably 110 nm or less, and further preferably 100 nm or less. As the average primary particle diameter of the abrasive grains decreases, it becomes easier to obtain a polished surface with less scratches by polishing the object to be polished using the polishing composition.
  • the average secondary particle diameter of the abrasive grains is preferably 300 nm or less, more preferably 270 nm or less, and further preferably 250 nm or less. As the average secondary particle diameter of the abrasive grains decreases, it becomes easier to obtain a polished surface with less scratches by polishing the object to be polished using the polishing composition.
  • the value of the average secondary particle diameter of the abrasive grains can be measured by, for example, a laser light scattering method.
  • Abrasive grains may be surface-modified. Since ordinary colloidal silica has a zeta potential value close to zero under acidic conditions, silica particles are not electrically repelled with each other under acidic conditions and are likely to agglomerate. On the other hand, abrasive grains whose surfaces are modified so that the zeta potential has a relatively large positive or negative value even under acidic conditions are strongly repelled and dispersed well even under acidic conditions. This will improve the storage stability.
  • Such surface-modified abrasive grains can be obtained, for example, by mixing a metal such as aluminum, titanium or zirconium or an oxide thereof with the abrasive grains and doping the surface of the abrasive grains.
  • the surface-modified abrasive grains in the polishing composition may be silica with an organic acid immobilized thereon.
  • colloidal silica having an organic acid immobilized thereon is preferred.
  • the organic acid is immobilized on the colloidal silica by chemically bonding a functional group of the organic acid to the surface of the colloidal silica. If the colloidal silica and the organic acid are simply allowed to coexist, the organic acid is not fixed to the colloidal silica.
  • sulfonic acid which is a kind of organic acid, is immobilized on colloidal silica, for example, the method described in “Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun.
  • a silane coupling agent having a thiol group such as 3-mercaptopropyltrimethoxysilane is coupled to colloidal silica, and then the thiol group is oxidized with hydrogen peroxide to immobilize the sulfonic acid on the surface.
  • the colloidal silica thus obtained can be obtained.
  • the carboxylic acid is immobilized on colloidal silica, for example, “Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 228, 229 (2000).
  • colloidal silica having a carboxylic acid immobilized on the surface can be obtained by coupling a silane coupling agent containing a photoreactive 2-nitrobenzyl ester to colloidal silica and then irradiating it with light. .
  • the kind of oxidizing agent contained in polishing composition is not specifically limited, It is preferable to have a standard electrode potential of 0.3V or more.
  • a Ge material portion and a silicon material by the polishing composition are compared with a case where an oxidizing agent having a standard electrode potential of less than 0.3 V is used. This is advantageous in that the polishing rate of the portion is improved.
  • Specific examples of the oxidizing agent having a standard electrode potential of 0.3 V or more include, for example, hydrogen peroxide, sodium peroxide, barium peroxide, organic oxidizing agent, ozone water, silver (II) salt, iron (III) salt.
  • Permanganic acid chromic acid, dichromic acid, peroxodisulfuric acid, peroxophosphoric acid, peroxosulfuric acid, peroxoboric acid, performic acid, peracetic acid, perbenzoic acid, perphthalic acid, hypochlorous acid, hypobromine Examples include acids, hypoiodous acid, chloric acid, chlorous acid, perchloric acid, bromic acid, iodic acid, periodic acid, sulfuric acid, persulfuric acid, citric acid, dichloroisocyanuric acid, and salts thereof. These oxidizing agents can be used alone or in admixture of two or more.
  • hydrogen peroxide, ammonium persulfate, periodic acid, hypochlorous acid, and sodium dichloroisocyanurate are preferable because the polishing rate of the Ge material portion and the silicon material portion by the polishing composition is greatly improved.
  • the standard electrode potential is expressed by the following formula 1 when all the chemical species involved in the oxidation reaction are in the standard state.
  • E0 is the standard electrode potential
  • ⁇ G0 is the standard Gibbs energy change of the oxidation reaction
  • K is its parallel constant
  • F is the Faraday constant
  • T is the absolute temperature
  • n is the number of electrons involved in the oxidation reaction.
  • the content of the oxidizing agent in the polishing composition is preferably 0.01 mol / L or more, and more preferably 0.1 mol / L or more. As the content of the oxidizing agent increases, the polishing rate of the Ge material portion by the polishing composition is improved.
  • the content of the oxidizing agent in the polishing composition is also preferably 100 mol / L or less, and more preferably 50 mol / L or less. As the content of the oxidizing agent decreases, the material cost of the polishing composition can be reduced, and the load of the treatment of the polishing composition after use of polishing, that is, the waste liquid treatment can be reduced.
  • the type of the water-soluble polymer contained in the polishing composition is not particularly limited, but a water-soluble polymer of a type that adsorbs 5,000 or more molecules per 1 ⁇ m 2 of the abrasive grain surface area, such as a polyoxyalkylene chain.
  • Specific examples of the nonionic compound having a polyoxyalkylene chain include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polyoxyethylene (hereinafter referred to as POE) alkylene diglyceryl ether, POE alkyl ether, POE sorbitan fatty acid ester, POE alkyl phenyl ether, POE.
  • Examples include glycol fatty acid esters, POE hexitan fatty acid esters, POE polypropylene alkyl ethers, and polyoxypropylene / polyoxyethylene block / random copolymers.
  • a change occurs in the surface properties of the abrasive grains by adsorbing a predetermined amount or more of the water-soluble polymer to the surface of the abrasive grains via the polyoxyalkylene chain. As a result, dishing and erosion can be prevented from occurring on the surface of the object to be polished.
  • alkaline substances such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), or acidic substances such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, etc.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • acidic substances such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, etc.
  • a salt neutralized with may be used.
  • the substrate of the object to be polished is a silicon substrate for a semiconductor integrated circuit or the like, an acid not containing a halogen such as nitric acid or sulfuric acid, or an alkali metal, in order to prevent contamination by alkali metal, alkaline earth metal, halide, etc.
  • tetramethylammonium hydroxide and ammonia which do not contain an alkaline earth metal.
  • the substrate is a glass substrate or the like.
  • those copolymers may be sufficient.
  • dishing and erosion are subject to polishing as a result of a change in the surface properties of the abrasive grains caused by adsorption of a predetermined amount or more of the water-soluble polymer to the surface of the abrasive grains. It can suppress generating on the surface of a thing.
  • the water-soluble polymer contained in the polishing composition may be a water-soluble polymer having an amine value of 10 mgKOH / g or more per 1 g of the solid content of the water-soluble polymer. Since the water-soluble polymer having an amine value of 10 mgKOH / g or more contained in the polishing composition exhibits a cationic property, a predetermined amount or more of the water-soluble polymer is adsorbed on the surface of the abrasive grains, Changes in surface properties occur. As a result, dishing and erosion can be prevented from occurring on the surface of the object to be polished.
  • the amine value is an index indicating cationic strength, and the higher the value, the higher the adsorptivity to the abrasive grains.
  • the water-soluble polymer contained in the polishing composition is preferably a water-soluble polymer having an amine value of 10 mgKOH / g or more. If the amine value is less than 10 mgKOH / g, the dishing suppression effect may be reduced. From the viewpoint of improving the dishing suppression effect, the amine value of the water-soluble polymer is preferably 30 mgKOH / g or more, more preferably 50 mgKOH / g or more, and further preferably 100 mgKOH / g or more. 150 mg KOH / g or more is most preferable.
  • the amine value of the water-soluble polymer contained in the polishing composition is preferably 3000 mgKOH / g or less, more preferably 2000 mgKOH / g or less, and even more preferably 1000 mgKOH / g or less.
  • a lower amine value is preferable because the dispersion stability of the abrasive grains is improved.
  • the amine value of the water-soluble polymer means potassium hydroxide equivalent to hydrochloric acid necessary for neutralizing the primary amine, secondary amine and tertiary amine contained in the unit weight of the water-soluble polymer. It is the number of mg of (KOH).
  • the amine value of the water-soluble polymer can be measured, for example, as follows. First, water is added to a water-soluble polymer having a solid content of 1.0 g to make 100 g. Next, a 0.1N sodium hydroxide aqueous solution is added thereto to prepare a sample whose pH is adjusted to 11.0.
  • the sample is titrated with 0.5 N hydrochloric acid, and the amount of hydrochloric acid dropped until the pH reaches 10 and the amount of hydrochloric acid dropped until the pH reaches 5 are measured. Thereafter, the amine value can be obtained from the following formula 2.
  • water-soluble polymers having an amine value of 10 mgKOH / g or more include, for example, polyalkyleneimines such as polyethyleneimine and polypropyleneimine, allylamine polymers, amine methacrylate polymers, succinic acid / diethylenetriamine copolymers, glutamic acid.
  • Polyethylene polyamine copolymers such as diethylenetriamine copolymer, adipic acid / diethylenetriamine copolymer, polyhydroxypropyldimethylammonium, poly ⁇ 2-hydroxypropyl ⁇ dimethylammonium chloride, polyamine alkyl oxide polymers such as dicyandiamide / diethylenetriamine copolymer , Dicyandiamide polyalkylene copolymers such as 1,3-propanediamine / dicyandiamine condensate, diethylenetriamine Dicyandiamide formalin polymer such as phosphorus copolymer, polyamide alkyl oxide polymer, vinylformamide / vinylamine polymer, polyvinylamidine, diallylamine, copolymer of diallylamine and organic acid, N-vinylformamide / vinylamine copolymer, polyvinylimidazoline, Cationic polymers such as polyvinyl pyridine, copolymers of cationic polymers and polyvinyl alcohol or polyacrylamide
  • alkaline substances such as sodium hydroxide, potassium hydroxide, ammonia, tetramethylammonium hydroxide (TMAH), or acidic substances such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, etc.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • acidic substances such as hydrochloric acid, nitric acid, sulfuric acid, etc.
  • a salt neutralized with may be used.
  • the substrate of the object to be polished is a silicon substrate for a semiconductor integrated circuit or the like, an acid not containing a halogen such as nitric acid or sulfuric acid, or an alkali metal, in order to prevent contamination by alkali metal, alkaline earth metal, halide, etc.
  • tetramethylammonium hydroxide and ammonia which do not contain an alkaline earth metal. This is not the case when the substrate is a glass substrate or the like.
  • one or more monomers different from the monomers constituting the water-soluble polymer may be introduced into these water-soluble polymers.
  • a predetermined amount or more of the water-soluble polymer is adsorbed on the surface of the abrasive grains, and the surface properties of the abrasive grains are changed. As a result, dishing and erosion can be prevented from occurring on the surface of the object to be polished.
  • a water-soluble polymer having a hydrophilic group such as a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, and an ether group can be used.
  • the water-soluble polymer in the polishing composition is adsorbed on the surface of the hydrophobic Ge material portion, so that the wettability of the surface of the polishing object is increased. improves. As a result, it is possible to suppress the occurrence of steps such as dishing and erosion on the surface of the object to be polished.
  • water-soluble polymers include polyvinyl alcohol and ethylene-polyvinyl alcohol copolymer.
  • the number of hydrophilic groups contained in the water-soluble polymer is preferably 3 or more per molecule, more preferably 5 or more, and still more preferably 10 or more. As the number of hydrophilic groups in the water-soluble polymer increases, the hydrophilic effect on the Ge material portion increases, and as a result, the occurrence of steps such as dishing and erosion can be further suppressed.
  • the water-soluble polymer is another composition in which the water contact angle of the Ge material portion after polishing the object to be polished with the polishing composition is a composition obtained by removing the water-soluble polymer from the polishing composition. It is preferable to use a compound selected from among the types of compounds that are smaller than the water contact angle of the Ge material portion after the same polishing object is polished under the same polishing conditions. Such a compound is preferable because it improves the wettability of the surface of the object to be polished. Further, the water contact angle is preferably 57 degrees or less, more preferably 50 degrees or less, and further preferably 45 degrees or less.
  • the conditions for polishing the object to be polished when the water contact angle is measured the conditions described in Table 5 below may be mentioned.
  • water-soluble polymer examples include polysaccharides such as alginic acid, pectic acid, carboxymethylcellulose, hydroxyethylcellulose, starch, agar, curdlan and pullulan, alcohol compounds such as polyethylene glycol, polyglycerin, pentanol, Polypropylene glycol and polyvinyl alcohol (among these, polyethylene glycol, polyglycerin and polypropylene glycol are alcohol compounds and polyethers), nonionic compounds having a polyoxyalkylene chain, POE alkylene diglyceryl ether, POE alkyl ether And monooleic acid POE (6) sorbitan, polycarboxylic acid or a salt thereof, polyaspartic acid, polyglutamic acid, polyricin , Polymalic acid, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid sodium salt, polymaleic acid, polyitaconic acid, polyfumaric acid, poly (p-saccharides such
  • the content of the water-soluble polymer in the polishing composition is preferably 10 ppm by weight or more, more preferably 50 ppm by weight or more, and further preferably 100 ppm by weight or more. As the content of the water-soluble polymer increases, it can be expected to further suppress the occurrence of dishing and erosion.
  • the content of the water-soluble polymer in the polishing composition is preferably 100000 ppm by weight or less, more preferably 50000 ppm by weight or less, and even more preferably 10000 ppm by weight or less. As the content of the water-soluble polymer decreases, aggregation of abrasive grains in the polishing composition is less likely to occur, and as a result, the storage stability of the polishing composition is improved.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 100 or more, and more preferably 300 or more. As the weight average molecular weight of the water-soluble polymer increases, it can be expected to further suppress the occurrence of dishing and erosion.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 500,000 or less, and more preferably 300,000 or less. As the weight average molecular weight of the water-soluble polymer decreases, aggregation of abrasive grains in the polishing composition is less likely to occur, and as a result, the storage stability of the polishing composition is improved.
  • the weight average molecular weight of the water-soluble polymer can be measured by gel permeation chromatography (GPC).
  • the polishing composition of this embodiment may contain an anionic surfactant represented by the chemical formula: R1-X1-Y1 as a water-soluble polymer.
  • R1 represents an alkyl group, an alkylphenyl group, or an alkenyl group
  • X1 represents a polyoxyethylene group, a polyoxypropylene group, or a poly (oxyethylene / oxypropylene) group
  • Y1 represents an SO 3 M1 group, SO 4 M1 group, CO 2 M1 group, or represents a PO 3 M1 2 group.
  • M1 in the SO 3 M1 group, SO 4 M1 group, CO 2 M1 group, and PO 3 M1 2 group represents a counter ion.
  • the counter ions are not particularly limited, for example, hydrogen ions, ammonium cations, amine cations, and alkali metal cations such as lithium cations, sodium cations, and potassium cations.
  • an anionic surfactant is used as a water-soluble polymer, the anionic surfactant is electrically adsorbed on the Ge material portion of the object to be polished to form a protective film, thereby The affinity between the surface and the abrasive grains decreases. As a result, dishing can be prevented from occurring on the surface of the object to be polished.
  • the said water-soluble polymer can be used individually or in mixture of 2 or more types.
  • the polishing composition of the present embodiment a water-soluble polymer that interacts with the Ge material portion of the polishing object is used to suppress the occurrence of steps such as dishing and erosion on the surface of the polishing object. Yes. Therefore, the polishing composition of the present embodiment is suitably used in applications for polishing a polishing object having a Ge material portion.
  • the embodiment may be modified as follows.
  • the polishing composition of the above embodiment may contain water as a dispersion medium or solvent for dispersing or dissolving each component. From the viewpoint of suppressing the inhibition of the action of other components, water containing as little impurities as possible is preferable. Specifically, after removing impurity ions with an ion exchange resin, pure water from which foreign matters are removed through a filter is used. Water, ultrapure water, or distilled water is preferred.
  • the polishing composition of the above embodiment may further contain a known additive such as a preservative as necessary.
  • the polishing composition of the above embodiment may be a one-component type or a multi-component type including a two-component type.
  • the polishing composition of the above embodiment may be prepared by diluting a stock solution of the polishing composition with water.
  • the polishing composition of the present invention is suitably used for polishing a polishing object having a portion containing a Ge material. Therefore, this invention provides the grinding
  • a polishing apparatus As a polishing apparatus, a general holder having a polishing surface plate on which a holder for holding a substrate having a polishing object and a motor capable of changing the number of rotations are attached and a polishing pad (polishing cloth) can be attached.
  • a polishing apparatus can be used.
  • polishing pad a general nonwoven fabric, polyurethane, porous fluororesin, or the like can be used without particular limitation. It is preferable that the polishing pad is grooved so that the polishing liquid accumulates.
  • the polishing conditions are not particularly limited.
  • the rotation speed of the polishing platen is preferably 10 to 500 rpm, and the pressure (polishing pressure) applied to the substrate having the object to be polished is 35 to 700 g / cm 2 (0.5 ⁇ 10 psi) is preferred.
  • the method of supplying the polishing composition to the polishing pad is not particularly limited, and for example, a method of continuously supplying with a pump or the like is employed. Although the supply amount is not limited, it is preferable that the surface of the polishing pad is always covered with the polishing composition of the present invention.
  • the substrate After completion of polishing, the substrate is washed in running water, and water droplets adhering to the substrate are removed by a spin dryer or the like and dried to obtain a substrate having a portion containing a germanium material.
  • Polishing compositions of Examples 1 to 25 were prepared by mixing colloidal silica, an oxidizing agent, and a water-soluble polymer with water. Further, a polishing composition of Comparative Example 1 was prepared by mixing colloidal silica and an oxidizing agent with water. Details of the components in each polishing composition are shown in Tables 1 to 3.
  • each polishing composition was allowed to stand for 1 day in an environment of a temperature of 25 ° C., and then centrifuged at a rotational speed of 20000 rpm for 2 hours to collect a supernatant.
  • the total amount of organic carbon in the collected supernatant was measured using an organic carbon measuring device of a combustion catalytic oxidation method.
  • a composition having a composition obtained by removing colloidal silica from each polishing composition was prepared and allowed to stand in an environment at a temperature of 25 ° C. for one day.
  • the total organic carbon content in this composition was measured using an apparatus. And the total adsorption amount of the water-soluble polymer with respect to the colloidal silica in polishing composition was computed by reducing the total amount of organic carbon in the supernatant liquid of corresponding polishing composition from this.
  • the number of molecules of the water-soluble polymer adsorbed per unit surface area of the colloidal silica could be calculated based on the surface area of the colloidal silica and the molecular weight of the water-soluble polymer from the thus calculated adsorption amount. The results are shown in the column “Number of adsorbed molecules per 1 ⁇ m 2 of colloidal silica” in Table 4 below.
  • Example 1 Using the polishing compositions of Examples 1 to 12 and Comparative Example 1, the polished silicon germanium pattern wafer and the germanium pattern wafer were rinsed with pure water, dried by blowing dry air, and then contact angle evaluation was performed. The water contact angle was measured by the ⁇ / 2 method using an apparatus. The results are shown in the “Water contact angle” column of Table 4. Comparative Example 1 was used as another composition having a composition excluding the water-soluble polymer.
  • the comparative example does not satisfy the conditions of the present invention, that is, does not contain a water-soluble polymer. Compared to the polishing composition of No. 1, it was confirmed that the silicon germanium pattern wafer and the germanium pattern have a significantly superior effect in suppressing the step difference.

Abstract

　本発明は、ゲルマニウム材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨した際、エッチングを原因とした段差が研磨対象物の表面に生じるのを抑えることができる研磨用組成物を提供する。　本発明の研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、および水溶性重合体を含有する。水溶性重合体は、砥粒の表面積１μｍ２あたり５０００個以上の分子が吸着するものであってもよい。あるいは、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後の研磨対象物のゲルマニウム材料を含有する部分の水接触角を小さくするような化合物であってもよい。

Description

研磨用組成物
　本発明は、ゲルマニウム材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物に関する。本発明はまた、その研磨用組成物を用いた研磨方法および基板の製造方法に関する。
　トランジスタの消費電力低減やパフォーマンス（動作特性）を向上させる技術のひとつとして、キャリアの移動度を高める高移動度チャネル材料の検討が進められている。これらのキャリアの輸送特性が向上したチャネルでは、オン時のドレイン電流を高められるため、十分なオン電流を得つつ、電源電圧を下げられる。このコンビネーションは、低い電力におけるより高いＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field-effect transistor）のパフォーマンスをもたらす。
　高移動度チャネル材料としてはＩＩＩ－Ｖ族化合物、ＩＶ族化合物、Ｇｅ（ゲルマニウム）、Ｃ（炭素）のみからなるグラフェン等の適用が期待されている。現在は、ＩＩＩ－Ｖ族化合物チャネルの形成は、チャネルの結晶性を高め、形状をうまく制御・成長させる技術が確立されていない課題がある為、ＩＩＩ－Ｖ族化合物に比べて導入が容易なＩＶ族化合物、特にＳｉＧｅと、Ｇｅなどが積極的に検討されている。
　高移動度材料を使用したチャネルは、ＩＶ族化合物チャネル、および／またはＧｅチャネル（以下、ゲルマニウム材料を含有する部分、Ｇｅ材料を含有する部分、またはＧｅ材料部分ともいう）とケイ素材料を含有する部分（以下、ケイ素材料部分ともいう）とを有する研磨対象物を研磨して形成することができる。このとき、Ｇｅ材料部分を高い研磨速度で研磨することに加えて、研磨対象物の研磨後の表面にディッシングやエロージョンなどの段差を生じないことが求められる。しかしながら、Ｇｅ基板を研磨する用途で従来使用されている例えば特許文献１、または特許文献２に記載のような研磨用組成物は、Ｇｅ基板向けに開発されているために、Ｇｅ材料部分とケイ素材料部分とを有する研磨対象物を研磨する用途で使用した場合、Ｇｅ材料部分のディッシングや、ケイ素材料部分のエロージョンの発生を防ぐことが難しい。
特開２０１０－１３０００９号公報 特表２０１０－５１９７４０号公報（ＵＳ２０１１／０１１７７４０（Ａ１））
　そこで本発明の目的は、ＳｉＧｅやＧｅのようなゲルマニウム材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨した際、ディッシングやエロージョンなどの段差が研磨対象物の表面に生じることを抑えることができる研磨用組成物を提供すること、またその研磨用組成物を用いた研磨方法、および基板の製造方法を提供することにある。
　上記の目的を達成するために、本発明の第１の態様では、ゲルマニウム材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、酸化剤、および水溶性重合体を含有する研磨用組成物を提供する。
　本発明の第２の態様では、上記第１の態様の研磨用組成物を用いて、Ｇｅ材料部分を有する研磨対象物を研磨する方法を提供する。
　本発明の第３の態様では、上記第２の態様の研磨方法で研磨する工程を含む、Ｇｅ材料を含有する部分を有する基板を製造する方法を提供する。
　以下、本発明の一実施形態を説明する。
　本実施形態の研磨用組成物は、砥粒と酸化剤と水溶性重合体とを、例えば水に混合して調製される。したがって、研磨用組成物は、砥粒、酸化剤、および水溶性重合体を含有する。かような構成を有する研磨用組成物を用いて、Ｇｅ材料部分を有する研磨対象物を研磨すれば、ディッシングやエロージョンなどの段差が研磨対象物の表面に生じることを抑えることができる。
　この研磨用組成物は、Ｇｅ材料部分を有する研磨対象物を研磨する用途、さらに言えば、その研磨対象物を研磨して基板を製造する用途で使用される。研磨対象物は、ケイ素材料部分をさらに有していてもよい。Ｇｅ材料の例としては、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＳｉＧｅ（シリコンゲルマニウム）等が挙げられる。また、ケイ素材料の例としては、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン等が挙げられる。
　（砥粒）
　研磨用組成物中に含まれる砥粒は、無機粒子および有機粒子のいずれであってもよい。無機粒子の具体例としては、シリカ、アルミナ、セリア、チタニアなどの金属酸化物からなる粒子が挙げられる。有機粒子の具体例としては、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）粒子が挙げられる。その中でもシリカ粒子が好ましく、特に好ましいのはコロイダルシリカである。これら砥粒は、単独でもまたは２種以上混合しても用いることができる。
　研磨用組成物中の砥粒の含有量は０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。砥粒の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるＧｅ材料部分の研磨速度が向上する。
　研磨用組成物中の砥粒の含有量はまた、２０重量％以下であることが好ましく、１７重量％以下であることがより好ましく、１５重量％以下であることがさらに好ましい。砥粒の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができるのに加え、砥粒の凝集が起こりにくくなる。
　砥粒の平均一次粒子径は５ｎｍ以上であることが好ましく、７ｎｍ以上であることがより好ましく、１０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。砥粒の平均一次粒子径が大きくなるにつれて、研磨用組成物によるＧｅ材料部分の研磨速度が向上する。なお、砥粒の平均一次粒子径の値は、例えば、ＢＥＴ法で測定される砥粒の比表面積に基づいて計算することができる。
　砥粒の平均一次粒子径はまた、１５０ｎｍ以下であることが好ましく、１１０ｎｍ以下であることがより好ましく、１００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。砥粒の平均一次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。
　砥粒の平均二次粒子径は３００ｎｍ以下であることが好ましく、２７０ｎｍ以下であることがより好ましく、２５０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。砥粒の平均二次粒子径が小さくなるにつれて、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨することによりスクラッチのより少ない研磨面を得ることが容易になる。砥粒の平均二次粒子径の値は、例えば、レーザー光散乱法により測定することができる。
　砥粒は表面修飾されていてもよい。通常のコロイダルシリカは、酸性条件下でゼータ電位の値がゼロに近いために、酸性条件下ではシリカ粒子同士が互いに電気的に反発せず凝集を起こしやすい。これに対し、酸性条件でもゼータ電位が比較的大きな正又は負の値を有するように表面修飾された砥粒は、酸性条件下においても互いに強く反発して良好に分散する結果、研磨用組成物の保存安定性を向上させることになる。このような表面修飾砥粒は、例えば、アルミニウム、チタン又はジルコニウムなどの金属あるいはそれらの酸化物を砥粒と混合して砥粒の表面にドープさせることにより得ることができる。
　あるいは、研磨用組成物中の表面修飾砥粒は、有機酸を固定化したシリカであってもよい。中でも有機酸を固定化したコロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカへの有機酸の固定化は、コロイダルシリカの表面に有機酸の官能基を化学的に結合させることにより行われる。コロイダルシリカと有機酸を単に共存させただけではコロイダルシリカへの有機酸の固定化は果たされない。有機酸の一種であるスルホン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Sulfonic acid-functionalized silica through quantitative oxidation of thiol groups”, Chem. Commun. 246-247 (2003)に記載の方法で行うことができる。具体的には、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン等のチオール基を有するシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に過酸化水素でチオール基を酸化することにより、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。あるいは、カルボン酸をコロイダルシリカに固定化するのであれば、例えば、“Novel Silane Coupling Agents Containing a Photolabile 2-Nitrobenzyl Ester for Introduction of a Carboxy Group on the Surface of Silica Gel”, Chemistry Letters, 3, 228-229 (2000)に記載の方法で行うことができる。具体的には、光反応性２－ニトロベンジルエステルを含むシランカップリング剤をコロイダルシリカにカップリングさせた後に光照射することにより、カルボン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得ることができる。
　（酸化剤）
　研磨用組成物中に含まれる酸化剤の種類は特に限定されないが、０．３Ｖ以上の標準電極電位を有していることが好ましい。０．３Ｖ以上の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合には、０．３Ｖ未満の標準電極電位を有する酸化剤を使用した場合に比べて、研磨用組成物によるＧｅ材料部分およびケイ素材料部分の研磨速度が向上する点で有利である。０．３Ｖ以上の標準電極電位を有する酸化剤の具体例としては、例えば、過酸化水素、過酸化ナトリウム、過酸化バリウム、有機酸化剤、オゾン水、銀（ＩＩ）塩、鉄（ＩＩＩ）塩、ならびに過マンガン酸、クロム酸、重クロム酸、ペルオキソ二硫酸、ペルオキソリン酸、ペルオキソ硫酸、ペルオキソホウ酸、過ギ酸、過酢酸、過安息香酸、過フタル酸、次亜塩素酸、次亜臭素酸、次亜ヨウ素酸、塩素酸、亜塩素酸、過塩素酸、臭素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸、硫酸、過硫酸、クエン酸、ジクロロイソシアヌル酸およびそれらの塩等が挙げられる。これら酸化剤は、単独でもまたは２種以上混合しても用いることができる。
　これらの中でも、研磨用組成物によるＧｅ材料部分およびケイ素材料部分の研磨速度が大きく向上することから、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、過ヨウ素酸、次亜塩素酸、およびジクロロイソシアヌル酸ナトリウムが好ましい。
　なお、標準電極電位とは、酸化反応に関与するすべての化学種が標準状態にあるときに下記数式１で表される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
　ここで、Ｅ０は標準電極電位、△Ｇ０は酸化反応の標準ギブスエネルギー変化、Ｋはその平行定数、Ｆはファラデー定数、Ｔは絶対温度、ｎは酸化反応に関与する電子数である。上記数式１から明らかなように、標準電極電位は温度により変動するので、本明細書中においては２５℃における標準電極電位を採用している。なお、水溶液系の標準電極電位は、例えば改訂４版化学便覧（基礎編）ＩＩ、ｐｐ４６４－４６８（日本化学会編）等に記載されている。
　研磨用組成物中の酸化剤の含有量は０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上であることが好ましく、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上であることがより好ましい。酸化剤の含有量が多くなるにつれて、研磨用組成物によるＧｅ材料部分の研磨速度が向上する。
　研磨用組成物中の酸化剤の含有量はまた、１００ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましく、５０ｍｏｌ／Ｌ以下であることがより好ましい。酸化剤の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物の材料コストを抑えることができることに加え、研磨使用後の研磨用組成物の処理、すなわち廃液処理の負荷を軽減することができる。
　（水溶性重合体）
　研磨用組成物中に含まれる水溶性重合体の種類は特に限定されないが、砥粒の表面積１μｍ２あたりに５０００個以上の分子が吸着するような種類の水溶性重合体、例えばポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物を好ましく使用することができる。ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物の具体例としては、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリオキシエチレン（以下、ＰＯＥという）アルキレンジグリセリルエーテル、ＰＯＥアルキルエーテル、ＰＯＥソルビタン脂肪酸エステル、ＰＯＥアルキルフェニルエーテル、ＰＯＥグリコール脂肪酸エステル、ＰＯＥヘキシタン脂肪酸エステル、ＰＯＥポリプロピレンアルキルエーテル、およびポリオキシプロピレン／ポリオキシエチレンのブロック／ランダムコポリマーが挙げられる。このような水溶性重合体を使用した場合には、ポリオキシアルキレン鎖を介して、所定の量以上の水溶性重合体が砥粒の表面に吸着することにより砥粒の表面性質に変化が生じる結果、ディッシングやエロージョンが研磨対象物の表面に発生するのを抑えることができる。
　前述の水溶性重合体について、水に対する溶解性を高める為に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などのアルカリ性物質、または塩酸、硝酸、硫酸などの酸性物質で中和した塩を使用してもよい。研磨対象物の基体が半導体集積回路用シリコン基板などの場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染を防止するために、特に硝酸や硫酸などのハロゲンを含まない酸、またはアルカリ金属、アルカリ土類金属を含まない水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニアを使用することが望ましい。ただし、基体がガラス基板等である場合はその限りではない。さらに、それらの共重合体であってもよい。このような水溶性重合体を使用した場合には、所定の量以上の水溶性重合体が砥粒の表面に吸着することにより砥粒の表面性質に変化が生じる結果、ディッシングやエロージョンが研磨対象物の表面に発生することを抑えることができる。
　また、研磨用組成物中に含まれる水溶性重合体は、その水溶性重合体の固体分量１ｇあたり１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上のアミン価を有する水溶性重合体であってもよい。研磨用組成物中に含まれる１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上のアミン価を有する水溶性重合体は、カチオン性を示すため、所定の量以上の水溶性重合体が砥粒の表面に吸着し、砥粒の表面性質に変化が生じる。その結果、ディッシングやエロージョンが研磨対象物の表面に発生することを抑えることができる。
　アミン価はカチオン性の強度を示す指標であり、値が高いほど砥粒への吸着性が増加する。本実施形態では、研磨用組成物中に含まれる水溶性重合体は、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上のアミン価を有する水溶性重合体であることが好ましい。アミン価が１０ｍｇＫＯＨ／ｇより小さくなると、ディッシング抑制効果が低下する虞がある。ディッシング抑制効果が向上するという観点から、水溶性重合体のアミン価は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがより好ましく、１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがさらに好ましく、１５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが最も好ましい。
　研磨用組成物中に含まれる水溶性重合体のアミン価は、３０００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、２０００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましく、１０００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがさらに好ましい。アミン価が低いほど、砥粒の分散安定性が向上するので好ましい。
　水溶性重合体のアミン価とは、単位重量の水溶性重合体中に含まれる第１級アミン、第２級アミンおよび第３級アミンを中和するのに必要な塩酸と当量の水酸化カリウム（ＫＯＨ）のｍｇ数である。水溶性重合体のアミン価は、例えば次のようにして測定することができる。まず、固形分量１．０ｇの水溶性重合体に水を加えて１００ｇとする。次に、そこに０．１規定の水酸化ナトリウム水溶液を加えてｐＨを１１．０に調整した試料を作製する。そして、その試料を０．５規定の塩酸で滴定し、ｐＨが１０になるまでに滴下した塩酸の量およびｐＨが５になるまでに滴下した塩酸の量を測定する。その後、下記数式２からアミン価を求めることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
　１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上のアミン価を有する水溶性重合体の例としては、例えば、ポリエチレンイミン、ポリプロピレンイミンなどのポリアルキレンイミン、アリルアミン重合体、アミンメタクリレート重合体、コハク酸・ジエチレントリアミン共重合物、グルタミン酸・ジエチレントリアミン共重合物、アジピン酸・ジエチレントリアミン共重合物などのポリアミドポリアミン共重合物、ポリヒドロキシプロピルジメチルアンモニウム、ポリ｛塩化（２－ヒドロキシプロピル）｝ジメチルアンモニウム、ポリアミンアルキルオキシドポリマー、例えばジシアンジアミド・ジエチレントリアミン共重合物、１，３－プロパンジアミン・ジシアンジアミン縮合物などのジシアンジアミドポリアルキレン共重合物、ジエチレントリアミン・ホルマリン共重合物などのジシアンジアミドホルマリン重合物、ポリアミドアルキルオキシドポリマー、ビニルホルムアミド・ビニルアミンポリマー、ポリビニルアミジン、ジアリルアミンおよびジアリルアミンと有機酸の共重合物、Ｎ－ビニルホルムアミド・ビニルアミン共重合物、ポリビニルイミダゾリン、ポリビニルピリジンなどのカチオン性ポリマー等、カチオン性ポリマーとポリビニルアルコールまたはポリアクリルアミド共重合物との共重合体、カチオン性官能基を有するポリビニルアルコール（カチオン化ポリビニルアルコール）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ジメチルアミン・エチレンジアミン・エピクロロヒドリン共重合体、ポリジアリルジメチルアンモニウムクロライド、ならびにこれら前述した水溶性重合体の変性ポリマー、例えば、尿素変性ポリマー、カルボキシメチル変性ポリマー、エピハロヒドリン変性ポリマー等が挙げられる。
　前述の水溶性重合体について、水に対する溶解性を高める為に、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）などのアルカリ性物質、または塩酸、硝酸、硫酸などの酸性物質で中和した塩を使用してもよい。研磨対象物の基体が半導体集積回路用シリコン基板などの場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染を防止するために、特に硝酸や硫酸などのハロゲンを含まない酸、またはアルカリ金属、アルカリ土類金属を含まない水酸化テトラメチルアンモニウム、アンモニアを使用することが望ましい。基体がガラス基板等である場合はその限りではない。さらに基板表面への作用を向上させる為に、これらの水溶性重合体に、水溶性重合体を構成するモノマーと異なるモノマーの１種または２種以上を導入してもよい。このような水溶性重合体を使用した場合には、所定の量以上の水溶性重合体が砥粒の表面に吸着し、砥粒の表面性質に変化が生じる。その結果、ディッシングやエロージョンが研磨対象物の表面に発生することを抑えることができる。
　また、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、およびエーテル基等の親水性基を有する水溶性重合体を使用することもできる。このような水溶性重合体を使用した場合には、疎水性を有するＧｅ材料部分の表面に研磨用組成物中の水溶性重合体が吸着することにより、当該研磨対象物の表面の濡れ性が向上する。その結果、ディッシングやエロージョンなどの段差が研磨対象物の表面に発生することを抑えることができる。このような水溶性重合体の例としては、例えば、ポリビニルアルコール、エチレン－ポリビニルアルコール共重合体等が挙げられる。
　水溶性重合体が有する親水性基の数は、一分子当たり３個以上であることが好ましく、より好ましくは５個以上、さらに好ましくは１０個以上である。水溶性重合体が有する親水性基の数が多いほど、Ｇｅ材料部分に対する親水効果が高まり、その結果としてディッシングやエロージョンなどの段差の発生がさらに抑えられる。
　前記水溶性重合体は、研磨用組成物を用いて研磨対象物を研磨した後のＧｅ材料部分の水接触角が、この研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて、同じ研磨対象物を同じ研磨条件で研磨した後のＧｅ材料部分の水接触角と比較して小さくなるような種類の化合物の中から選択して使用されることが好ましい。かような化合物は、研磨対象物の表面の濡れ性をより向上させるため好ましい。さらに、該水接触角は、５７度以下であることが好ましく、５０度以下であることがより好ましく、４５度以下であることがさらに好ましい。ここで、水接触角を測定する際の研磨対象物の研磨条件としては、下記表５に記載の条件が挙げられる。このような水溶性重合体の具体例としては、多糖類であるアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、デンプン、寒天、カードランおよびプルラン、アルコール化合物であるポリエチレングリコール、ポリグリセリン、ペンタノール、ポリプロピレングリコールおよびポリビニルアルコール（このうちポリエチレングリコール、ポリグリセリンおよびポリプロピレングリコールは、アルコール化合物であってかつポリエーテルである）、ポリオキシアルキレン鎖を有するノニオン性化合物であるＰＯＥアルキレンジグリセリルエーテル、ＰＯＥアルキルエーテルおよびモノオレイン酸ＰＯＥ（６）ソルビタン、ポリカルボン酸またはその塩であるポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ－スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩、ポリグリオキシル酸、ポリカルボン酸アミド、ポリカルボン酸エステル、およびポリカルボン酸塩が挙げられる。
　研磨用組成物中の水溶性重合体の含有量は、１０重量ｐｐｍ以上であることが好ましく、５０重量ｐｐｍ以上であることがより好ましく、１００重量ｐｐｍ以上であることがさらに好ましい。水溶性重合体の含有量が多くなるにつれて、ディッシングやエロージョンの発生をさらに抑制することが期待できる。
　研磨用組成物中の水溶性重合体の含有量はまた、１０００００重量ｐｐｍ以下であることが好ましく、５００００重量ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１００００重量ｐｐｍ以下であることがさらに好ましい。水溶性重合体の含有量が少なくなるにつれて、研磨用組成物中の砥粒の凝集が起こりにくくなり、その結果として研磨用組成物の保存安定性が向上する。
　水溶性重合体の重量平均分子量は１００以上であることが好ましく、３００以上であることがより好ましい。水溶性重合体の重量平均分子量が大きくなるにつれて、デッィシングやエロージョンの発生をさらに抑制することが期待できる。
　水溶性重合体の重量平均分子量は５０００００以下であることが好ましく、３０００００以下であることがより好ましい。水溶性重合体の重量平均分子量が小さくなるにつれて、研磨用組成物中の砥粒の凝集が起こりにくくなり、その結果として研磨用組成物の保存安定性が向上する。なお、水溶性重合体の重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）により測定することができる。
　本実施形態の研磨用組成物は、化学式：Ｒ１－Ｘ１－Ｙ１で表されるアニオン界面活性剤を水溶性重合体として含んでもよい。ただし、Ｒ１はアルキル基、アルキルフェニル基またはアルケニル基を表し、Ｘ１はポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、またはポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）基を表し、Ｙ１はＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基、またはＰＯ３Ｍ１２基を表す。ＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基、およびＰＯ３Ｍ１２基のＭ１はカウンターイオンを表す。カウンターイオンは、例えば、水素イオン、アンモニウムカチオン、アミン類カチオン、およびリチウムカチオン、ナトリウムカチオン、カリウムカチオンのようなアルカリ金属カチオンなど特に限定されない。このようなアニオン界面活性剤を水溶性重合体として使用した場合には、研磨対象物のＧｅ材料部分にアニオン界面活性剤が電気的に吸着して保護膜を形成することにより、Ｇｅ材料部分の表面と砥粒との間の親和性が低下する。その結果、ディッシングが研磨対象物の表面に発生することを抑えることができる。
　なお、上記水溶性重合体は、単独でもまたは２種以上混合しても用いることができる。
　本実施形態によれば以下の作用効果が得られる。
　本実施形態の研磨用組成物では、ディッシングやエロージョンなどの段差が研磨対象物の表面に発生することを抑えるために、研磨対象物のＧｅ材料部分と相互作用する水溶性重合体が使用されている。そのため、本実施形態の研磨用組成物は、Ｇｅ材料部分を有する研磨対象物を研磨する用途で好適に用いられる。
　前記実施形態は次のように変更されてもよい。
　・前記実施形態の研磨用組成物は、各成分を分散または溶解するための分散媒または溶媒として水を含んでもよい。他の成分の作用を阻害することを抑制するという観点から、不純物をできる限り含有しない水が好ましく、具体的には、イオン交換樹脂にて不純物イオンを除去した後、フィルタを通して異物を除去した純水や超純水、または蒸留水が好ましい。
　・前記実施形態の研磨用組成物は、防腐剤のような公知の添加剤を必要に応じてさらに含有してもよい。
　・前記実施形態の研磨用組成物は一液型であってもよいし、二液型をはじめとする多液型であってもよい。
　・前記実施形態の研磨用組成物は、研磨用組成物の原液を水で希釈することにより調製されてもよい。
　［研磨方法および基板の製造方法］
　上述のように、本発明の研磨用組成物は、Ｇｅ材料を含有する部分を有する研磨対象物の研磨に好適に用いられる。よって、本発明は、Ｇｅ材料を含有する部分を有する研磨対象物を本発明の研磨用組成物で研磨する研磨方法を提供する。また、本発明は、Ｇｅ材料を含有する部分を有する研磨対象物を前記研磨方法で研磨する工程を含む基板の製造方法を提供する。
　研磨装置としては、研磨対象物を有する基板等を保持するホルダーと回転数を変更可能なモータ等とが取り付けてあり、研磨パッド（研磨布）を貼り付け可能な研磨定盤を有する一般的な研磨装置を使用することができる。
　前記研磨パッドとしては、一般的な不織布、ポリウレタン、および多孔質フッ素樹脂等を特に制限なく使用することができる。研磨パッドには、研磨液が溜まるような溝加工が施されていることが好ましい。
　研磨条件にも特に制限はなく、例えば、研磨定盤の回転速度は、１０～５００ｒｐｍが好ましく、研磨対象物を有する基板にかける圧力（研磨圧力）は、３５～７００ｇ／ｃｍ２（０．５～１０ｐｓｉ）が好ましい。研磨パッドに研磨用組成物を供給する方法も特に制限されず、例えば、ポンプ等で連続的に供給する方法が採用される。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に本発明の研磨用組成物で覆われていることが好ましい。
　研磨終了後、基板を流水中で洗浄し、スピンドライヤ等により基板上に付着した水滴を払い落として乾燥させることにより、ゲルマニウム材料を含有する部分を有する基板が得られる。
　次に、本発明の実施例および比較例を説明する。
　コロイダルシリカ、酸化剤および水溶性重合体を水と混合することにより、実施例１～２５の研磨用組成物を調製した。また、コロイダルシリカおよび酸化剤を水と混合して比較例１の研磨用組成物を調製した。各研磨用組成物中の成分の詳細を表１～表３に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000003
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
　実施例１～１２の各研磨用組成物について、コロイダルシリカの単位表面積あたりに吸着する水溶性重合体の分子数を次のようにして測定した。すなわち、各研磨用組成物を２５℃の温度の環境下で一日間静置した後、２００００ｒｐｍの回転速度で２時間遠心分離して上澄み液を回収した。回収した上澄み液中の全有機炭素量を、燃焼触媒酸化方式の有機炭素測定装置を用いて計測した。また、それとは別に、各研磨用組成物からコロイダルシリカを除いた組成を有する組成物を用意し、２５℃の温度の環境下で一日間静置した後、同じく燃焼触媒酸化方式の有機炭素測定装置を用いてこの組成物中の全有機炭素量を計測した。そして、対応する研磨用組成物の上澄み液中の全有機炭素量をこれから減ずることにより、研磨用組成物中のコロイダルシリカに対する水溶性重合体の全吸着量を算出した。コロイダルシリカの単位表面積あたりに吸着する水溶性重合体の分子数は、こうして算出した吸着量からコロイダルシリカの表面積および水溶性重合体の分子量に基づいて算出することができた。その結果を下記表４の“コロイダルシリカ１μｍ２あたりの吸着分子数”欄に示す。
　実施例１～２５および比較例１の各研磨用組成物を用いて、シリコンゲルマニウムパターンウェーハとゲルマニウムパターンウェーハとを表５に記載の条件で研磨し、得られたディッシングの値を、それぞれ表４の“Ｇｅのディッシング”および“ＳｉＧｅのディッシング”欄に示す。ディッシングは段差測定機で求めた。なお、研磨時間は、ＧｅまたはＳｉＧｅ、およびＴＥＯＳのパターンが露出するまでの適切な時間を設定した。
　実施例１～２５および比較例１の各研磨用組成物を用いて、シリコンゲルマニウムパターンウェーハとゲルマニウムパターンウェーハを表５に記載の条件で研磨し、得られたエロージョン評価の結果を、それぞれ表４の“Ｇｅ／ＴＥＯＳのエロージョン”および“ＳｉＧｅ／ＴＥＯＳのエロージョン”欄に示す。エロージョンは研磨後の各パターンウェーハについて、ＧｅまたはＳｉＧｅとＴＥＯＳの境界領域で、原子間力顕微鏡を用いて、エロージョンの進行量を測定した。エロージョンの進行量が２５Å以下の場合は“◎”、２５Åより大きく１００Åより小さい場合は“○”、１００Å以上の場合は“×”と評価した。なお、研磨時間は、ＧｅまたはＳｉＧｅ、およびＴＥＯＳのパターンが露出するまでの適切な時間を設定した。
　実施例１～１２および比較例１の各研磨用組成物を用いて、研磨後のシリコンゲルマニウムパターンウェーハ、およびゲルマニウムパターンウェーハを純水でリンスし、乾燥空気を吹き付けて乾燥した後、接触角評価装置を用いてθ／２法で水接触角を測定した。その結果を表４の“水接触角”欄に示す。水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物としては、比較例１を用いた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
　上記表４に示すように、水溶性重合体を含有する実施例１～２５の研磨用組成物を用いた場合には、本発明の条件を満たさない、つまり水溶性重合体を含有しない比較例１の研磨用組成物に比べて、シリコンゲルマニウムパターンウェーハ、およびゲルマニウムパターンの段差抑制において顕著に優れた効果を奏することが認められた。
　なお、本出願は、２０１２年４月１８日に出願された日本特許出願第２０１２－０９４５８４号に基づいており、その開示内容は、参照により全体として引用されている。

Claims (7)

  1. 　ゲルマニウム材料を含有する部分を有する研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、砥粒、酸化剤、および水溶性重合体を含有する、研磨用組成物。
  2. 　前記砥粒の表面積１μｍ２あたり５０００個以上の前記水溶性重合体の分子が吸着する、請求項１に記載の研磨用組成物。
  3. 　前記水溶性重合体のアミン価が、１０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上である、請求項１または２に記載の研磨用組成物。
  4. 　前記水溶性重合体は親水性基を有し、
    　前記研磨用組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後の前記ゲルマニウム材料を含有する部分の水接触角が、その研磨用組成物から水溶性重合体を除いた組成を有する別の組成物を用いて前記研磨対象物を研磨した後の前記ゲルマニウム材料を含有する部分の水接触角と比較して小さい、請求項１～３のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  5. 　前記水溶性重合体は、化学式：Ｒ１－Ｘ１－Ｙ１（ただし、Ｒ１はアルキル基、アルキルフェニル基またはアルケニル基を表し、Ｘ１はポリオキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基、またはポリ（オキシエチレン・オキシプロピレン）基を表し、Ｙ１はＳＯ３Ｍ１基、ＳＯ４Ｍ１基、ＣＯ２Ｍ１基、またはＰＯ３Ｍ１２基（ただし、Ｍ１はカウンターイオンを表す）を表す。）で表されるアニオン界面活性剤である、請求項１～４のいずれか１項に記載の研磨用組成物。
  6. 　ゲルマニウム材料を含有する部分を有する研磨対象物を、請求項１～５のいずれか１項に記載の研磨用組成物を用いて研磨する、研磨方法。
  7. 　請求項６に記載の研磨方法で研磨する工程を含む、ゲルマニウム材料を含有する部分を有する基板の製造方法。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015193714A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2016017063A1 (ja) * 2014-07-28 2016-02-04 信越半導体株式会社 ゲルマニウムウェーハの研磨方法
WO2016052408A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR20170044156A (ko) * 2014-08-22 2017-04-24 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 게르마늄 화학적 기계적 연마
WO2018124229A1 (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
WO2018124226A1 (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160010495A (ko) * 2013-05-15 2016-01-27 바스프 에스이 폴리에틸렌 이민을 포함하는 화학-기계적 연마 조성물
WO2016181888A1 (ja) * 2015-05-08 2016-11-17 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
KR102462501B1 (ko) 2016-01-15 2022-11-02 삼성전자주식회사 슬러리 조성물을 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법
JP7104053B2 (ja) * 2017-09-07 2022-07-20 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法
JP2021089906A (ja) * 2018-03-22 2021-06-10 株式会社フジミインコーポレーテッド ゲルマニウム溶解抑制剤
US11434391B2 (en) * 2018-09-28 2022-09-06 Fujimi Incorporated Polishing composition, polishing method, and method of producing substrate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278981A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fujimi Inc 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法
WO2009131133A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 日立化成工業株式会社 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
JP2010153781A (ja) * 2008-11-20 2010-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 基板の研磨方法

Family Cites Families (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5352277A (en) * 1988-12-12 1994-10-04 E. I. Du Pont De Nemours & Company Final polishing composition
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
US6420269B2 (en) * 1996-02-07 2002-07-16 Hitachi Chemical Company, Ltd. Cerium oxide abrasive for polishing insulating films formed on substrate and methods for using the same
CN1245471C (zh) * 1996-09-30 2006-03-15 日立化成工业株式会社 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法
JP3850218B2 (ja) * 1998-09-10 2006-11-29 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製法
JP4282173B2 (ja) * 1999-09-03 2009-06-17 シャープ株式会社 窒素化合物半導体発光素子およびその製造方法
CN1240797C (zh) * 2000-03-31 2006-02-08 拜尔公司 抛光剂和生产平面层的方法
JP2002164307A (ja) * 2000-11-24 2002-06-07 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
SG144688A1 (en) * 2001-07-23 2008-08-28 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method employing it
TW200300168A (en) * 2001-10-31 2003-05-16 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing fluid and polishing method
US7485162B2 (en) * 2003-09-30 2009-02-03 Fujimi Incorporated Polishing composition
JP2005123482A (ja) * 2003-10-17 2005-05-12 Fujimi Inc 研磨方法
CN1886232A (zh) * 2003-11-26 2006-12-27 3M创新有限公司 研磨工件的方法
JP2005244123A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujimi Inc 研磨用組成物
US20060000808A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polishing solution of metal and chemical mechanical polishing method
JP2006019641A (ja) * 2004-07-05 2006-01-19 Asahi Kasei Chemicals Corp 半導体ウエハの研磨法
US7563383B2 (en) * 2004-10-12 2009-07-21 Cabot Mircroelectronics Corporation CMP composition with a polymer additive for polishing noble metals
US7368388B2 (en) * 2005-04-15 2008-05-06 Small Robert J Cerium oxide abrasives for chemical mechanical polishing
KR20080070074A (ko) * 2005-12-27 2008-07-29 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 금속용 연마액 및 피연마막의 연마 방법
US7897061B2 (en) * 2006-02-01 2011-03-01 Cabot Microelectronics Corporation Compositions and methods for CMP of phase change alloys
KR101032504B1 (ko) * 2006-06-30 2011-05-04 주식회사 엘지화학 Ｃｍｐ 슬러리
CN101484276B (zh) * 2006-07-05 2011-07-20 日立化成工业株式会社 Cmp用研磨液及研磨方法
US7507631B2 (en) * 2006-07-06 2009-03-24 International Business Machines Corporation Epitaxial filled deep trench structures
JP5287720B2 (ja) * 2007-07-05 2013-09-11 日立化成株式会社 金属膜用研磨液及び研磨方法
KR101325455B1 (ko) * 2007-07-26 2013-11-04 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 상 변화 물질의 화학적 기계적 연마를 위한 조성물 및 방법
DE102007035266B4 (de) * 2007-07-27 2010-03-25 Siltronic Ag Verfahren zum Polieren eines Substrates aus Silicium oder einer Legierung aus Silicium und Germanium
US7678605B2 (en) * 2007-08-30 2010-03-16 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials
US7915071B2 (en) * 2007-08-30 2011-03-29 Dupont Air Products Nanomaterials, Llc Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials
JP2009099819A (ja) * 2007-10-18 2009-05-07 Daicel Chem Ind Ltd Ｃｍｐ用研磨組成物及び該ｃｍｐ用研磨組成物を使用したデバイスウェハの製造方法
US9202709B2 (en) * 2008-03-19 2015-12-01 Fujifilm Corporation Polishing liquid for metal and polishing method using the same
JP2010028086A (ja) * 2008-06-16 2010-02-04 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤、このｃｍｐ研磨剤を用いた研磨方法
JP5403956B2 (ja) * 2008-07-01 2014-01-29 花王株式会社 研磨液組成物
JP2010087457A (ja) * 2008-09-05 2010-04-15 Hitachi Chem Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤及びこれを用いた研磨方法
CN102627914B (zh) * 2009-10-22 2014-10-29 日立化成株式会社 研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂、基板研磨法
JP5481166B2 (ja) * 2009-11-11 2014-04-23 株式会社クラレ 化学的機械的研磨用スラリー
JP5587620B2 (ja) * 2010-01-25 2014-09-10 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP5774283B2 (ja) * 2010-04-08 2015-09-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
JP5710158B2 (ja) * 2010-06-18 2015-04-30 山口精研工業株式会社 研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法
JP5141792B2 (ja) * 2010-06-29 2013-02-13 日立化成工業株式会社 Ｃｍｐ研磨液及び研磨方法
CN101880907B (zh) * 2010-07-07 2012-04-25 厦门大学 纳米精度的电化学整平和抛光加工方法及其装置
JP5544244B2 (ja) * 2010-08-09 2014-07-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物および研磨方法
JP2012069785A (ja) * 2010-09-24 2012-04-05 Fujimi Inc 研磨用組成物および研磨方法
US8826640B2 (en) * 2010-11-12 2014-09-09 Raytheon Company Flight vehicles including electrically-interconnective support structures and methods for the manufacture thereof
CN102690604A (zh) * 2011-03-24 2012-09-26 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 化学机械抛光液
EP2722872A4 (en) * 2011-06-14 2015-04-29 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION
EP2741892A4 (en) * 2011-08-01 2015-03-18 Basf Se METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING ELEMENTARY GERMANIUM AND / OR SI1-XGEX MATERIALS IN THE PRESENCE OF A CMP COMPOSITION OF A PH BETWEEN 3.0 AND 5.5
KR20130049538A (ko) * 2011-11-04 2013-05-14 삼성전자주식회사 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 상변화 메모리 장치의 제조 방법
US9238755B2 (en) * 2011-11-25 2016-01-19 Fujima Incorporated Polishing composition
US9346977B2 (en) * 2012-02-21 2016-05-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Abrasive, abrasive set, and method for abrading substrate
US8778211B2 (en) * 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006278981A (ja) * 2005-03-30 2006-10-12 Fujimi Inc 単結晶表面用の研磨剤及び研磨方法
WO2009131133A1 (ja) * 2008-04-23 2009-10-29 日立化成工業株式会社 研磨剤及びこの研磨剤を用いた基板の研磨方法
JP2010153781A (ja) * 2008-11-20 2010-07-08 Hitachi Chem Co Ltd 基板の研磨方法

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015193714A (ja) * 2014-03-31 2015-11-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2016017063A1 (ja) * 2014-07-28 2016-02-04 信越半導体株式会社 ゲルマニウムウェーハの研磨方法
JP2016031971A (ja) * 2014-07-28 2016-03-07 信越半導体株式会社 ゲルマニウムウェーハの研磨方法
KR102444550B1 (ko) * 2014-08-22 2022-09-20 씨엠씨 머티리얼즈, 인코포레이티드 게르마늄 화학적 기계적 연마
KR20170044156A (ko) * 2014-08-22 2017-04-24 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션 게르마늄 화학적 기계적 연마
WO2016052408A1 (ja) * 2014-09-30 2016-04-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JPWO2016052408A1 (ja) * 2014-09-30 2017-07-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2018124229A1 (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
CN110050053A (zh) * 2016-12-28 2019-07-23 霓达哈斯股份有限公司 研磨用组合物和研磨方法
JPWO2018124229A1 (ja) * 2016-12-28 2019-10-31 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
JPWO2018124226A1 (ja) * 2016-12-28 2019-10-31 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
CN110050053B (zh) * 2016-12-28 2022-04-01 霓达杜邦股份有限公司 研磨用组合物和研磨方法
JP7061969B2 (ja) 2016-12-28 2022-05-02 ニッタ・デュポン株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
JP7061968B2 (ja) 2016-12-28 2022-05-02 ニッタ・デュポン株式会社 研磨用組成物及び研磨方法
WO2018124226A1 (ja) * 2016-12-28 2018-07-05 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物及び研磨方法

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