WO2013145763A1 - 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 - Google Patents

超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2013145763A1
WO2013145763A1 PCT/JP2013/002146 JP2013002146W WO2013145763A1 WO 2013145763 A1 WO2013145763 A1 WO 2013145763A1 JP 2013002146 W JP2013002146 W JP 2013002146W WO 2013145763 A1 WO2013145763 A1 WO 2013145763A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
ultrasonic transducer
transducer element
element chip
opening
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/002146
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
友亮 中村
次郎 鶴野
清瀬　摂内
Original Assignee
セイコーエプソン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セイコーエプソン株式会社 filed Critical セイコーエプソン株式会社
Priority to KR1020147030034A priority Critical patent/KR101595690B1/ko
Priority to CN201380016075.2A priority patent/CN104205876B/zh
Priority to EP13768807.3A priority patent/EP2833649B1/en
Publication of WO2013145763A1 publication Critical patent/WO2013145763A1/ja

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0207—Driving circuits
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S15/00—Systems using the reflection or reradiation of acoustic waves, e.g. sonar systems
    • G01S15/88—Sonar systems specially adapted for specific applications
    • G01S15/89—Sonar systems specially adapted for specific applications for mapping or imaging
    • G01S15/8906—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques
    • G01S15/8909—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration
    • G01S15/8915—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array
    • G01S15/8925—Short-range imaging systems; Acoustic microscope systems using pulse-echo techniques using a static transducer configuration using a transducer array the array being a two-dimensional transducer configuration, i.e. matrix or orthogonal linear arrays
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
    • A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
    • A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
    • A61B8/4494—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer characterised by the arrangement of the transducer elements
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/06—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction
    • B06B1/0607—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements
    • B06B1/0622—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy operating with piezoelectric effect or with electrostriction using multiple elements on one surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
    • G01S7/52017—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00 particularly adapted to short-range imaging
    • G01S7/52079—Constructional features
    • G01S7/5208—Constructional features with integration of processing functions inside probe or scanhead
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
    • G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
    • G01S7/52—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S15/00
    • G01S7/56—Display arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R31/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of transducers or diaphragms therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49005—Acoustic transducer

Definitions

  • the present invention relates to an ultrasonic transducer element chip, a probe using the same, an electronic device using such a probe, an ultrasonic diagnostic apparatus, and the like.
  • the ultrasonic transducer element chip includes a substrate. A plurality of openings are formed in the substrate. An ultrasonic transducer element is provided at each opening. The ultrasonic transducer element includes a vibrating membrane. The vibrating membrane closes the opening from the surface of the substrate.
  • the strength of the substrate decreases.
  • the strength is insufficient with respect to the force in the thickness direction of the substrate.
  • the ultrasonic transducer element chip is pressed against the subject, the ultrasonic transducer element may be damaged.
  • an ultrasonic transducer element chip that is thin and strong enough to withstand pressing in the thickness direction of the substrate can be provided.
  • a substrate having openings arranged in an array, an ultrasonic transducer element provided in each of the openings on the first surface of the substrate, and the first surface of the substrate
  • a reinforcing member that is fixed to the second surface of the substrate on the opposite side and reinforces the substrate, and the reinforcing member is a surface fixed to the second surface of the substrate, and is in the plane of the surface.
  • the ultrasonic transducer element can be formed thin.
  • the ultrasonic transducer element can be formed on a thin substrate. Even if the reinforcing member is fixed to the substrate, the ultrasonic transducer element chip can be formed thin.
  • the reinforcing member is fixed to the second surface of the substrate, the strength of the substrate can be reinforced in the thickness direction of the substrate.
  • the internal space of the opening is surrounded by the substrate, the ultrasonic transducer element, and the reinforcing member.
  • the linear groove portion connects the internal space of the opening and the external space of the substrate. In this way, ventilation can be ensured between the internal space of each opening and the outside of the internal space.
  • the linear groove portions are arranged side by side with an interval smaller than the opening width in the first direction, even if a relative displacement occurs between the substrate and the reinforcing member, at least one linear groove portion is formed in the opening.
  • the internal space of the opening is not sealed. The internal space of the opening can easily follow ambient pressure fluctuations. In this way, damage to the ultrasonic transducer element can be reliably avoided. If the internal space of the opening is hermetically sealed, the ultrasonic transducer element may be damaged due to pressure fluctuation.
  • the reinforcing member may be bonded to the partition wall portion of the substrate between the openings arranged in an array at at least one bonding region.
  • the partition wall portion When the partition wall portion is joined to the reinforcing member, the movement of the partition wall portion is restrained by the reinforcing member. Therefore, vibration of the partition wall portion can be prevented. As a result, crosstalk between the ultrasonic transducer elements can be prevented.
  • the action of vibration of the partition wall portion on the ultrasonic vibration of the ultrasonic transducer element can be avoided.
  • the ultrasonic transducer element can provide ultrasonic vibration in a clear vibration mode. When the vibration of the partition wall portion is avoided in this way, a decrease in the amplitude of the ultrasonic vibration can be suppressed.
  • the ultrasonic transducer element chip communicates the openings one after another across the row of the openings in order for each of the linear groove portions in a plan view from the thickness direction of the substrate, It is possible to communicate with the space outside the outline of the substrate from the opening at the row end. In this way, ventilation can be ensured with a single row of openings.
  • a plurality of the linear groove portions are combined to form one row of the openings.
  • the openings can be communicated one after another across the order, and can be communicated from the opening at the end of the row to the space outside the outline of the substrate. In this way, ventilation can be ensured with a single row of openings.
  • the interval between the linear grooves in the first direction may be not less than one third of the opening width of the opening in the first direction and may be smaller than one half. If the linear grooves are arranged at such intervals, the two linear grooves can cross the outline of the opening. Therefore, in the opening, even if clogging occurs in one of the linear groove portions, ventilation can be ensured between the other linear groove portion and the outside of the opening.
  • the outline of the opening is formed in a rectangular shape, and the linear groove can cross the opening in the short side direction of the rectangle.
  • the outline of the opening is formed in a rectangle, and the linear groove portion can cross the opening in the long side direction of the rectangle.
  • the contour wall of the opening is difficult to deform due to the aspect ratio. Even if the overlapping range is narrowed based on the formation of the linear groove portion, the wall can maintain a relatively high rigidity. Therefore, the vibration of the wall can be suppressed.
  • the openings may be arranged in the first direction at a constant pitch, and the linear groove portions may be arranged at an equal pitch in the first direction.
  • the relative position between the linear groove portion and the reinforcing member can be freely set.
  • the positioning accuracy of the reinforcing member can be relaxed. The processing of the reinforcing member can be simplified.
  • the ultrasonic transducer element chip can be used by being incorporated in a probe.
  • the probe may include an ultrasonic transducer element chip and a housing that supports the ultrasonic transducer element chip.
  • the probe can be used by being incorporated in an electronic device.
  • the electronic apparatus can include a probe and a processing circuit connected to the probe and processing an output of the ultrasonic transducer element.
  • the probe can be used by being incorporated in an ultrasonic diagnostic apparatus.
  • the ultrasonic diagnostic apparatus may include a probe, a processing circuit that is connected to the probe and processes an output of the ultrasonic transducer element to generate an image, and a display device that displays the image.
  • the ultrasonic transducer element chip can be used by being incorporated in a probe head.
  • the probe head can include an ultrasonic transducer element chip and a housing that supports the ultrasonic transducer element chip.
  • a specific manufacturing method can be provided in manufacturing the ultrasonic transducer element chip.
  • the manufacturing method of the ultrasonic transducer element chip is a reinforcement having a surface provided with linear grooves arranged at intervals smaller than the opening width in the first direction of the openings arranged in an array on the substrate. Holding the member, and superposing the second surface of the substrate opposite to the first surface of the substrate on which the ultrasonic transducer element is provided in each of the openings and the surface of the reinforcing member. be able to.
  • the interval between the linear groove portions when the interval between the linear groove portions is set, at least one linear groove portion can communicate with the opening even if a relative displacement occurs between the substrate and the reinforcing member.
  • the substrate and the reinforcing member are superposed on each other in the air or other gas atmosphere, the superposition can be realized relatively easily.
  • gas is squeezed into the individual openings in the plane of the reinforcing member. At atmospheric pressure, a volume of gas larger than the volume of the space in the opening tends to stay in the opening. If the excess gas does not escape from the gap between the substrate and the reinforcing member simultaneously with the sealing of the opening, the bonding of the substrate and the reinforcing member cannot be realized.
  • FIG. 1 is an external view schematically showing a specific example of an electronic apparatus according to an embodiment, that is, an ultrasonic diagnostic apparatus. It is an enlarged front view of an ultrasonic probe. It is an enlarged plan view of an ultrasonic transducer element chip.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 of FIG. It is a top view of the reinforcement board which shows a groove
  • FIG. 6 is an enlarged partial plan view of FIG. 5.
  • 1 is a block diagram schematically showing a circuit configuration of an ultrasonic diagnostic apparatus. It is a partial expanded vertical sectional view which shows schematically the flexible film and lower electrode which were formed on the silicon wafer.
  • FIG. 3 is a partially enlarged vertical sectional view schematically showing a piezoelectric film and an upper electrode formed on a lower electrode.
  • FIG. It is a partial expanded vertical sectional view which shows schematically the electrically conductive film which covers a silicon wafer. It is a partial expanded vertical sectional view which shows schematically the wafer for the opening and reinforcement board which were formed in the silicon wafer.
  • FIG. 4 is a partially enlarged plan view schematically showing a positional relationship between an opening and a groove when a silicon wafer and a reinforcing plate wafer are overlapped.
  • FIG. 6 is a partially enlarged plan view schematically showing an ultrasonic transducer element chip according to another embodiment.
  • FIG. 5 is a partially enlarged plan view schematically showing an ultrasonic transducer element chip according to still another embodiment.
  • FIG. 1 schematically shows a specific example of an electronic apparatus according to an embodiment of the present invention, that is, a configuration of an ultrasonic diagnostic apparatus 11.
  • the ultrasonic diagnostic apparatus 11 includes an apparatus terminal 12 and an ultrasonic probe (probe) 13.
  • the apparatus terminal 12 and the ultrasonic probe 13 are connected to each other by a cable 14.
  • the apparatus terminal 12 and the ultrasonic probe 13 exchange electric signals through the cable 14.
  • a display panel (display device) 15 is incorporated in the device terminal 12.
  • the screen of the display panel 15 is exposed on the surface of the device terminal 12.
  • an image is generated based on the ultrasonic waves detected by the ultrasonic probe 13.
  • the imaged detection result is displayed on the screen of the display panel 15.
  • the ultrasonic probe 13 has a housing 16.
  • An ultrasonic transducer element chip (hereinafter referred to as “element chip”) 17 is accommodated in the housing 16.
  • the surface of the element chip 17 can be exposed on the surface of the housing 16.
  • the element chip 17 outputs an ultrasonic wave from the surface and receives a reflected wave of the ultrasonic wave.
  • the ultrasonic probe 13 can include a probe head 13b that is detachably connected to the probe main body 13a. At this time, the element chip 17 can be incorporated into the housing 16 of the probe head 13b.
  • FIG. 3 schematically shows a plan view of the element chip 17.
  • the element chip 17 includes a substrate 21.
  • An element array 22 is formed on the substrate 21.
  • the element array 22 includes an array of ultrasonic transducer elements (hereinafter referred to as “elements”) 23.
  • the array is formed of a matrix having a plurality of rows and a plurality of columns.
  • Each element 23 includes a piezoelectric element portion.
  • the piezoelectric element portion includes a lower electrode 24, an upper electrode 25, and a piezoelectric film 26.
  • a piezoelectric film 26 is sandwiched between the lower electrode 24 and the upper electrode 25 for each element 23.
  • the lower electrode 24 has a plurality of first conductors 24a.
  • the first conductors 24a extend parallel to each other in the row direction of the array.
  • One first conductor 24 a is assigned to each row of the elements 23.
  • One first conductor 24a is disposed in common on the piezoelectric film 26 of the elements 23 arranged in the row direction of the array. Both ends of the first conductor 24a are connected to a pair of lead wires 27, respectively.
  • the lead wires 27 extend parallel to each other in the column direction of the array. Accordingly, all the first conductors 24a have the same length.
  • the lower electrode 24 is commonly connected to the elements 23 of the entire matrix.
  • the upper electrode 25 has a plurality of second conductors 25a.
  • the second conductors 25a extend parallel to each other in the column direction of the array.
  • One second conductor 25a is assigned to each element 23 in one row.
  • One second conductor 25a is disposed in common on the piezoelectric film 26 of the elements 23 arranged in the column direction of the array. Energization of the element 23 is switched for each column. Line scan and sector scan are realized according to such switching of energization. Since the elements 23 in one column output ultrasonic waves simultaneously, the number of columns, that is, the number of rows in the array, can be determined according to the output level of the ultrasonic waves. For example, the number of lines may be set to about 10 to 15 lines. In the figure, five lines are drawn without illustration.
  • the number of columns in the array can be determined according to the spread of the scanning range.
  • the number of columns may be set to 128 columns or 256 columns, for example. In the figure, there are omitted and 8 columns are drawn.
  • a staggered arrangement may be established in the array. In the staggered arrangement, the even-numbered element groups 23 need only be shifted by half the row pitch with respect to the odd-numbered element groups 23. The number of elements in one of the odd and even columns may be one less than the number of the other element.
  • the roles of the lower electrode 24 and the upper electrode 25 may be interchanged. That is, while the upper electrode is commonly connected to the elements 23 of the entire matrix, the lower electrode may be commonly connected to the elements 23 for each column of the array.
  • the outline of the substrate 21 has a first side 21 a and a second side 21 b that are partitioned by a pair of straight lines 29 that are parallel to each other and face each other.
  • a first line array 32a of one line is disposed between the first side 21a and the contour of the element array 22, and the second side
  • One line of the second terminal array 32 b is arranged between the edge 21 b and the outline of the element array 22.
  • the first terminal array 32a can form one line parallel to the first side 21a.
  • the second terminal array 32b can form one line parallel to the second side 21b.
  • the first terminal array 32 a includes a pair of lower electrode terminals 33 and a plurality of upper electrode terminals 34.
  • the second terminal array 32 b includes a pair of lower electrode terminals 35 and a plurality of upper electrode terminals 36.
  • Lower electrode terminals 33 and 35 are connected to both ends of one lead wiring 27, respectively.
  • the lead wiring 27 and the lower electrode terminals 33 and 35 may be formed symmetrically on a vertical plane that bisects the element array 22.
  • Upper electrode terminals 34 and 36 are respectively connected to both ends of one second conductor 25a.
  • the second conductor 25a and the upper electrode terminals 34 and 36 may be formed symmetrically on a vertical plane that bisects the element array 22.
  • the outline of the substrate 21 is formed in a rectangular shape.
  • the outline of the substrate 21 may be square or trapezoidal.
  • a first flexible printed circuit board (hereinafter referred to as “first flexible”) 37 is connected to the substrate 21.
  • the first flexible board 37 covers the first terminal array 32a.
  • Conductive lines, that is, first signal lines 38 are formed at one end of the first flexible board 37 corresponding to the lower electrode terminal 33 and the upper electrode terminal 34, respectively.
  • the first signal lines 38 are individually faced and joined to the lower electrode terminal 33 and the upper electrode terminal 34, respectively.
  • the substrate 21 is covered with a second flexible printed circuit board (hereinafter referred to as “second flexible”) 41.
  • the second flexible board 41 covers the second terminal array 32b.
  • Conductive lines, that is, second signal lines 42 are formed at the first end 41a of the second flexible printed circuit 41 corresponding to the lower electrode terminal 35 and the upper electrode terminal 36, respectively.
  • the second signal lines 42 are individually faced and joined to the lower electrode terminal 35 and the upper electrode terminal 36, respectively.
  • each element 23 has a vibration film 43.
  • an opening 45 is formed in the base 44 of the substrate 21 for each element 23.
  • the openings 45 are arranged in an array with respect to the base body 44.
  • a flexible film 46 is formed on the entire surface of the substrate 44.
  • the flexible film 46 includes a silicon oxide (SiO 2 ) layer 47 laminated on the surface of the base 44 and a zirconium oxide (ZrO 2 ) layer 48 laminated on the surface of the silicon oxide layer 47.
  • the flexible film 46 is in contact with the opening 45.
  • a part of the flexible film 46 functions as the vibrating film 43 corresponding to the outline of the opening 45.
  • the film thickness of the silicon oxide layer 47 can be determined based on the resonance frequency.
  • the lower electrode 24, the piezoelectric film 26, and the upper electrode 25 are sequentially laminated on the surface of the vibration film 43.
  • a laminated film of titanium (Ti), iridium (Ir), platinum (Pt) and titanium (Ti) can be used.
  • the piezoelectric film 26 can be formed of, for example, lead zirconate titanate (PZT).
  • the upper electrode 25 can be formed of iridium (Ir), for example.
  • Other conductive materials may be used for the lower electrode 24 and the upper electrode 25, and other piezoelectric materials may be used for the piezoelectric film 26.
  • the piezoelectric film 26 completely covers the lower electrode 24 under the upper electrode 25. A short circuit between the upper electrode 25 and the lower electrode 24 can be avoided by the action of the piezoelectric film 26.
  • a protective film 49 is laminated on the surface of the substrate 21.
  • the protective film 49 covers the entire surface of the substrate 21 over the entire surface.
  • the element array 22, the first and second terminal arrays 32 a and 32 b, and the first and second flexes 37 and 41 are covered with the protective film 49.
  • a silicone resin film can be used as the protective film 49.
  • the protective film 49 protects the structure of the element array 22, the junction between the first terminal array 32 a and the first flex 37, and the junction between the second terminal array 32 b and the second flex 41.
  • a partition wall 51 is defined between adjacent openings 45.
  • the openings 45 are partitioned by a partition wall 51.
  • the wall thickness t of the partition wall 51 corresponds to the space between the openings 45.
  • the partition wall 51 defines two wall surfaces in a plane extending parallel to each other.
  • the wall thickness t corresponds to the distance between the wall surfaces. That is, the wall thickness t can be defined by the length of a perpendicular line sandwiched between the wall surfaces perpendicular to the wall surfaces.
  • the wall height H of the partition wall 51 corresponds to the depth of the opening 45.
  • the depth of the opening 45 corresponds to the thickness of the base body 44. Therefore, the wall height H of the partition wall 51 can be defined by the length of the wall surface defined in the thickness direction of the base body 44.
  • the partition wall 51 can have a constant wall height H over its entire length. If the wall thickness t of the partition wall 51 is reduced, the arrangement density of the vibration films 43 is increased. This can contribute to miniaturization of the element chip 17. If the wall height H of the partition wall 51 is larger than the wall thickness t, the bending rigidity of the element chip 17 can be increased. Thus, the interval between the openings 45 is set smaller than the depth of the openings 45.
  • a reinforcing plate (reinforcing member) 52 is fixed to the back surface of the base body 44.
  • the back surface of the base 44 is overlaid on the surface of the reinforcing plate 52.
  • the reinforcing plate 52 closes the opening 45 on the back surface of the element chip 17.
  • the reinforcing plate 52 can include a rigid base material.
  • the reinforcing plate 52 can be formed from, for example, a silicon substrate.
  • the thickness of the base 44 is set to about 100 ⁇ m, for example, and the thickness of the reinforcing plate 52 is set to about 100 to 150 ⁇ m, for example.
  • the partition wall 51 is coupled to the reinforcing plate 52.
  • the reinforcing plate 52 is joined to each partition wall 51 at at least one joining region.
  • An adhesive can be used for bonding.
  • a straight groove (straight groove portion) 53 is formed on the surface of the reinforcing plate 52.
  • the groove 53 divides the surface of the reinforcing plate 52 into a plurality of flat surfaces 54.
  • the plurality of planes 54 extend within one virtual plane HP.
  • the back surface of the base body 44 spreads within the virtual plane HP.
  • the partition wall 51 is joined to the flat surface 54.
  • the groove 53 is recessed from the virtual plane HP.
  • the cross-sectional shape of the groove 53 may be a square, a triangle, a semicircular shape, or other shapes.
  • the openings 45 form a row in the first direction D1.
  • Concentric centroids 45c of the openings 45 are arranged at equal pitch on one straight line 56 in the first direction D1. Since the outline 45a of the opening 45 is formed by copying one shape, the openings 45 having the same shape are repeatedly arranged at a constant pitch.
  • An outline 45a of the opening 45 is defined as a quadrangle, for example. Specifically, it is formed in a rectangular shape. The long side of the rectangle is aligned with the first direction D1.
  • the partition wall 51 can have a constant wall thickness t over its entire length. At this time, the junction area of the partition wall 51 may be an area including the center position of the long side.
  • the joining area of the partition wall 51 may be an area including the entire length of the long side.
  • the partition wall 51 can be surface-bonded to the reinforcing plate 52 over the entire length between the openings 45 over the entire length of the long side.
  • at least one junction region of the partition wall 51 can be arranged on each side of the quadrangle.
  • the junction area of the partition wall 51 can surround the quadrangle without interruption.
  • the partition wall 51 can be surface-bonded to the reinforcing plate 52 on the entire surface between the openings 45 over the entire circumference of the quadrilateral.
  • the grooves 53 are arranged in the first direction D1 parallel to each other at a constant interval L.
  • the groove 53 extends in a second direction D2 that intersects the first direction D1. Both ends of the groove 53 are opened at end surfaces 57 a and 57 b of the reinforcing plate 52.
  • One groove 53 crosses the outline 45a of the opening 45 in one column (here, one row) in order. At least one groove 53 is connected to each opening 45.
  • the second direction D2 is orthogonal to the first direction D1. Therefore, the groove 53 crosses the outline 45a of the opening 45 in the short side direction of the rectangle.
  • the groove 53 forms passages 58 a and 58 b between the base body 44 and the reinforcing plate 52 between the flat surfaces 54.
  • the passages 58 a and 58 b ensure ventilation between the internal space of the opening 45 and the external space of the substrate 21. Since one groove 53 crosses the outline 45a of the openings 45 in one column (here, one row) in order in a direction perpendicular to the surface of the substrate 21, that is, in the thickness direction of the substrate 21, one after another.
  • the openings 45 are connected by a passage 58a. Both ends of the groove 53 are opened at end surfaces 57 a and 57 b of the reinforcing plate 52.
  • the passage 58b is opened from the opening 45 at the row end to the outside of the outline of the substrate 21.
  • the interval L between the grooves 53 is set smaller than the opening width S of the opening 45.
  • the opening width S is defined by the maximum length of the line segments that cross the opening 45 in the direction in which the grooves 53 are arranged, that is, in the first direction D1.
  • the opening width S corresponds to the interval between the parallel lines 59 circumscribing the outline 45 a of the opening 45.
  • a parallel line 59 circumscribing the outline 45a of the opening 45 is specified.
  • the parallel line 59 extends in the second direction D2.
  • the grooves 53 may be arranged at intervals L smaller than the minimum value of the opening width S.
  • the interval L between the grooves 53 is set to be one third or more of the opening width S of the opening 45 and smaller than one half.
  • the integrated circuit includes a multiplexer 61 and a transmission / reception circuit 62.
  • the multiplexer 61 includes a port group 61a on the element chip 17 side and a port group 61b on the transmission / reception circuit 62 side.
  • the first signal line 38 and the second signal line 42 are connected to the port group 61 a on the element chip 17 side via the first wiring 54.
  • the port group 61a is connected to the element array 22.
  • a prescribed number of signal lines 63 in the integrated circuit chip 55 are connected to the port group 61b on the transmission / reception circuit 62 side.
  • the specified number corresponds to the number of columns of the elements 23 that are simultaneously output during scanning.
  • the multiplexer 61 manages the interconnection between the port on the cable 14 side and the port on the element chip 17 side.
  • the transmission / reception circuit 62 includes a specified number of changeover switches 64. Each changeover switch 64 is individually connected to a corresponding signal line 63.
  • the transmission / reception circuit 62 includes a transmission path 65 and a reception path 66 for each changeover switch 64. A transmission path 65 and a reception path 66 are connected in parallel to the changeover switch 64.
  • the changeover switch 64 selectively connects the transmission path 65 or the reception path 66 to the multiplexer 61.
  • a pulsar 67 is incorporated in the transmission path 65. The pulsar 67 outputs a pulse signal at a frequency corresponding to the resonance frequency of the vibration film 52.
  • An amplifier 68, a low-pass filter (LPF) 69, and an analog-digital converter (ADC) 71 are incorporated in the reception path 66.
  • the detection signals of the individual elements 23 are amplified and converted into digital signals.
  • the transmission / reception circuit 62 includes a drive / reception circuit 72.
  • the transmission path 65 and the reception path 66 are connected to the drive / reception circuit 72.
  • the driving / receiving circuit 72 controls the pulsar 67 simultaneously according to the scanning mode.
  • the driving / receiving circuit 72 receives a digital signal of the detection signal in accordance with the scanning mode.
  • the driving / receiving circuit 72 is connected to the multiplexer 61 by a control line 73.
  • the multiplexer 61 manages the interconnection based on the control signal supplied from the driving / receiving circuit 72.
  • a processing circuit 74 is incorporated in the device terminal 12.
  • the processing circuit 74 can include, for example, a central processing unit (CPU) and a memory.
  • the overall operation of the ultrasonic diagnostic apparatus 11 is controlled according to the processing of the processing circuit 74.
  • the processing circuit 74 controls the driving / receiving circuit 72 in accordance with an instruction input from the user.
  • the processing circuit 74 generates an image according to the detection signal of the element 23. An image is specified by drawing data.
  • a drawing circuit 75 is incorporated in the device terminal 12.
  • the drawing circuit 75 is connected to the processing circuit 74.
  • the display panel 15 is connected to the drawing circuit 75.
  • the drawing circuit 75 generates a drive signal according to the drawing data generated by the processing circuit 74.
  • the drive signal is sent to the display panel 15. As a result, an image is displayed on the display panel 15.
  • the processing circuit 74 instructs the driving / receiving circuit 72 to transmit and receive ultrasonic waves.
  • the driving / receiving circuit 72 supplies a control signal to the multiplexer 61 and also supplies a driving signal to each pulsar 67.
  • the pulsar 67 outputs a pulse signal in response to the supply of the drive signal.
  • the multiplexer 61 connects the port of the port group 61a to the port of the port group 61b according to the instruction of the control signal.
  • the pulse signal is supplied to the element 23 for each column through the lower electrode terminals 33 and 35 and the upper electrode terminals 34 and 36 according to the selection of the port.
  • the vibration film 43 vibrates in response to the supply of the pulse signal. As a result, desired ultrasonic waves are emitted toward an object (for example, the inside of a human body).
  • the changeover switch 64 After the transmission of the ultrasonic wave, the changeover switch 64 is switched.
  • the multiplexer 61 maintains the port connection relationship.
  • the changeover switch 64 establishes a connection between the reception path 66 and the signal line 63 instead of the connection between the transmission path 65 and the signal line 63.
  • the ultrasonic reflected wave vibrates the vibration film 43.
  • a detection signal is output from the element 23.
  • the detection signal is converted into a digital signal and sent to the driving / receiving circuit 72.
  • the element 23 can be formed thin.
  • the element 23 can be formed on a thin substrate 21. Even if the reinforcing plate 52 is fixed to the substrate 21, the element chip 17 can be formed thin. At the same time, the reinforcing plate 52 reinforces the strength of the substrate 21.
  • the wall thickness t of the partition wall 51 is smaller than the wall height H, sufficient rigidity in the thickness direction of the substrate 21 can be ensured in the partition wall 51 because of the section modulus. The force in the thickness direction of the substrate 21 can be supported by the reinforcing plate 52 along the partition wall 51.
  • the element chip 17 can have a sufficient strength in the thickness direction of the substrate 21.
  • the reinforcing plate 52 can prevent the substrate 21 from being damaged.
  • the thickness of the substrate is set to about several mm. Even if the reinforcing plate 52 is bonded, the thickness of the element chip 17 can be surely reduced as compared with the case where the element array is constituted by bulk type ultrasonic transducer elements.
  • the element chip 17 omits the acoustic impedance matching layer compared to the bulk type ultrasonic transducer element. Can be done. Such omission of the matching layer can further contribute to the thinning of the element chip 17.
  • the reinforcing plate 52 is joined to each partition wall 51 at at least one joining region.
  • the partition wall 51 is joined to the reinforcing plate 52, the movement of the partition wall 51 is restrained by the reinforcing plate 52. Therefore, vibration of the partition wall 51 can be prevented. As a result, crosstalk between the elements 23 can be prevented.
  • the action of the partition wall 51 on the ultrasonic vibration of the element 23 can be avoided.
  • ultrasonic vibration in a clear vibration mode is obtained. When the vibration of the partition wall 51 is avoided in this way, the decrease in the amplitude of the ultrasonic vibration can be suppressed.
  • the space in the opening 45 is surrounded by the substrate 21, the flexible film 46 (vibrating film 43), and the reinforcing plate 52.
  • the groove 53 crosses the outline 45 a of the opening 45 in a plan view as viewed from the thickness direction of the substrate 21. In this way, ventilation can be ensured between the internal spaces of the individual openings 45 and the external space of the substrate 21.
  • the internal space of the opening 45 is connected to the atmospheric space. In the internal space of the opening 45, an increase in pressure can be avoided. Damage to the vibration film 43 can be prevented.
  • the external space means a space that is separated from the internal space by the substrate 21, the flexible film 46, and the reinforcing plate 52 and is significantly larger than the internal space.
  • the interval L between the grooves 53 is set to be smaller than the opening width S of the opening 45. Therefore, even if a relative displacement occurs between the substrate 21 and the reinforcing plate 52, at least one groove 53 can be connected to the outline 45 a of the opening 45. The individual openings 45 can always ensure ventilation with the outside of the openings 45.
  • the interval L between the grooves 53 is set to be one third or more of the opening width S and smaller than one half, at least two grooves 53 are provided for each opening 45. It can be connected to the contour line 45a. Therefore, even if clogging occurs in one groove 53 in each opening 45, ventilation can be ensured between the other groove 53 and the outside of the opening 45.
  • the width of the groove 53 is set smaller than the wall thickness t of the partition wall 51. In this way, even if the groove 53 is disposed between the openings 45 adjacent to each other in the first direction D1, a sufficiently large joining area can be ensured between the partition wall 51 and the reinforcing plate 52. . A decrease in the bonding strength of the partition wall 51 can be suppressed.
  • the joining area of the partition wall 51 can be an area including the center position of the long side. A portion of the partition wall 51 having a large vibration amplitude is joined to the reinforcing plate 52. As a result, vibration of the partition wall 51 can be effectively prevented. And the junction area of the partition wall 51 can be an area
  • the junction area of the partition wall 51 may be arranged at least one place on each side of the rectangle.
  • the junction area of the partition wall 51 can surround the quadrangle without interruption. In this way, if the partition wall 51 is joined to the reinforcing plate 52 over the entire rectangular area, vibration of the partition wall 51 can be reliably prevented.
  • the partition wall 51 can be surface-joined on the entire surface between the openings 45 over the entire circumference of the square. Thus, if the partition wall 51 is surface-bonded to the reinforcing plate 52 over the entire circumference of the quadrangular shape between the openings 45, vibration of the partition wall 51 can be reliably prevented.
  • the openings 45 adjacent to each other in the row direction communicate with each other through a passage 55a.
  • the passage 55b is opened from the opening 45 at the row end to the outside of the outline of the substrate 21.
  • the passages 55a and 55b are formed by one groove 53. In this way, the ventilation of all the openings 45 in one row can be ensured by one groove 53.
  • the groove 53 crosses the opening 45 in the short side direction of the rectangle in a plan view from the thickness direction of the substrate 21.
  • the grooves 53 need only be formed with a small number. Processing efficiency can be achieved.
  • the grooves 53 are arranged at an equal pitch in the first direction D1.
  • the relative position between the groove 53 and the reinforcing plate 52 can be freely set as long as an equal pitch is secured.
  • the positioning accuracy of the reinforcing plate 52 can be relaxed. The processing of the reinforcing plate 52 can be simplified.
  • a silicon oxide film 79 and a zirconium oxide film 81 are successively formed on the surface of the silicon wafer 78.
  • a conductive film is formed on the surface of the zirconium oxide film 81.
  • the conductive film is composed of a laminated film of titanium, iridium, platinum and titanium.
  • the lower electrode 24, the lead-out wiring 27, and the lower electrode terminals 33 and 35 are formed from the conductive film based on the photolithography technique.
  • a piezoelectric film 26 and an upper electrode 25 are formed for each element 23 on the surface of the lower electrode 24.
  • a piezoelectric material film and a conductive film are formed on the surface of the silicon wafer 78.
  • the piezoelectric material film is composed of a PZT film.
  • the conductive film is composed of an iridium film. Based on the photolithography technique, the piezoelectric film 26 and the upper electrode 25 are formed from the piezoelectric material film and the conductive film for each element 23.
  • a conductive film 82 is formed on the surface of the silicon wafer 78.
  • the conductive film 82 connects the upper electrodes 25 to each other in each element chip 17 in each column.
  • the upper electrode 25 and the upper electrode terminals 34 and 36 are formed from the conductive film 82 based on the photolithography technique.
  • an array-shaped opening 45 is formed from the back surface of the silicon wafer 78.
  • an etching process is performed.
  • the silicon oxide film 79 functions as an etching stop layer.
  • the vibration film 43 is partitioned by the silicon oxide film 79 and the zirconium oxide film 81.
  • the surface of the reinforcing plate wafer (reinforcing member) 83 is superimposed on the back surface of the silicon wafer 78. Prior to superposition, the wafer 83 is held on a handling mechanism or a stage.
  • a rigid insulating substrate can be used for the wafer 83.
  • a silicon wafer can be used as the insulating substrate.
  • an adhesive can be used for joining. After bonding, the individual element chips 17 are cut out from the silicon wafer 78.
  • a linear groove 84 is formed on the surface of the reinforcing plate wafer 83.
  • the grooves 84 extend in parallel with each other at equal intervals. At least one end of the groove 84 is opened at the end face of the wafer 83.
  • the grooves 84 are arranged at an interval L that is smaller than the opening width S of the opening 45. When the distance L between the grooves 84 is set in this way, at least one groove 84 defines the outline 45a of the opening 45 even if a relative displacement occurs between the silicon wafer 78 and the reinforcing plate wafer 83. You can cross. For example, as shown in FIG.
  • the two openings 45 are respectively At least one groove 84b may be disposed.
  • the grooves 84 provide the grooves 53 of the reinforcing plate 52 when the individual device chips 17 are cut out from the silicon wafer 78.
  • the groove 84 when the groove 84 is formed, even if the silicon wafer 78 and the wafer 83 are superposed on each other in the air or other gas atmosphere, the superposition can be realized relatively easily.
  • gas is squeezed into the individual openings 45 on the plane of the reinforcing plate wafer.
  • a gas having a volume larger than the volume of the space in the opening 45 tends to stay in the opening 45. If the excess gas does not escape from the gap between the silicon wafer 78 and the reinforcing plate wafer simultaneously with the closing of the opening 45, the bonding of the silicon wafer 78 and the reinforcing plate wafer cannot be realized.
  • FIG. 13 schematically shows an ultrasonic transducer element chip 17a according to another embodiment.
  • each groove 85 extends locally in the second direction D2.
  • Such local grooves 85 form passages 55a, 55b between several openings 45.
  • a combination of the plurality of grooves 85 forms a series of passages 55a and 55b that sequentially connect the openings 45 across one row of openings 45 in plan view from the thickness direction of the substrate 21. In this way, ventilation of all the openings 45 in one row can be ensured by the combination of the passages 55a and 55b.
  • the groove 85 can be configured similarly to the groove 53.
  • Other configurations can be configured similarly to the element chip 17. In the figure, the same reference numerals are assigned to the configurations and structures equivalent to the element chip 17.
  • FIG. 14 schematically shows an ultrasonic transducer element chip 17b according to still another embodiment.
  • the groove 86 extends in the first direction D1, that is, in the long side direction of the rectangle. Therefore, the groove 86 crosses the outline 45a of the opening 45 at the short side of the rectangle in a plan view from the thickness direction of the substrate 21.
  • the wall of the contour 45a of the opening 45 that is, the partition wall 51 is difficult to deform due to the section modulus. Even if the joining range is narrowed based on the formation of the groove 86, the partition wall 51 can maintain a relatively high rigidity. Therefore, vibration (residual vibration) of the partition wall 51 can be suppressed.
  • Other configurations can be configured similarly to the element chip 17. In the figure, the same reference numerals are assigned to the configurations and structures equivalent to the element chip 17.
  • a staggered arrangement may be established in the arrangement of the openings 45.
  • the even-numbered element groups 23 need only be shifted by half the row pitch with respect to the odd-numbered element groups 23.
  • the number of elements in one of the odd and even columns may be one less than the number of the other element.
  • the grooves 53, 85, and 86 may be inclined at a predetermined inclination angle with respect to the first direction D1 and the second direction D2.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Gynecology & Obstetrics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

　開口がアレイ状に配置された基板と、前記基板の第１面において個々の前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、前記基板の前記第１面とは反対側の前記基板の第２面に固定されて前記基板を補強する補強部材と、を備え、前記補強部材は、前記基板の前記第２面に固定される面において、当該面の面内の第１の方向に、前記基板の前記第２面における前記開口の前記第１の方向の開口幅よりも小さい間隔で並べて配置され、前記開口の内部空間および前記基板の外部空間を相互に連通する直線状溝部を有することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。

Description

超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
　本発明は、超音波トランスデューサー素子チップ、および、それを利用したプローブ、並びに、そういったプローブを利用した電子機器および超音波診断装置等に関する。
　例えば特許文献１に開示されるように、超音波トランスデューサー素子チップは基板を備える。基板には複数の開口が形成される。個々の開口に超音波トランスデューサー素子が設けられる。超音波トランスデューサー素子は振動膜を備える。振動膜は基板の表面から開口を塞ぐ。
特開２０１１－８２６２４号公報 特開２０１１－７７９１８号公報
　基板に開口が形成されると、基板の強度は低下する。基板の厚み方向の力に対して強度が不足する。超音波トランスデューサー素子チップが被検体に押し付けられると、超音波トランスデューサー素子が破損することがあった。
　本発明の少なくとも１つの態様によれば、薄型で、かつ、基板の厚み方向の押圧に耐える強度を有する超音波トランスデューサー素子チップは提供されることができる。
　（１）本発明の一態様は、開口がアレイ状に配置された基板と、前記基板の第１面において個々の前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、前記基板の前記第１面とは反対側の前記基板の第２面に固定されて前記基板を補強する補強部材と、を備え、前記補強部材は、前記基板の前記第２面に固定される面において、当該面の面内の第１の方向に、前記基板の前記第２面における前記開口の前記第１の方向の開口幅よりも小さい間隔で並べて配置され、前記開口の内部空間および前記基板の外部空間を相互に連通する直線状溝部を有する超音波トランスデューサー素子チップに関する。
　こうした超音波トランスデューサー素子チップでは超音波トランスデューサー素子は薄型に形成されることができる。超音波トランスデューサー素子は薄型の基板に形成されることができる。補強部材が基板に固定されても、超音波トランスデューサー素子チップは薄型に形成されることができる。加えて、基板の第２面には補強部材が固定されることから、基板の厚み方向に基板の強度は補強されることができる。開口の内部空間は基板、超音波トランスデューサー素子および補強部材で囲まれる。直線状溝部は開口の内部空間と基板の外部空間とを相互に接続する。こうして個々の開口の内部空間と内部空間の外側との間で通気は確保されることができる。第１の方向の開口幅よりも小さい間隔で直線状溝部が並べて配置されれば、基板と補強部材との間で相対的に位置ずれが生じても、少なくとも１本の直線状溝部は開口に接続されることができる。個々の開口は必ず開口の外側との間で通気を確保することができる。開口の内部空間は密閉されない。開口の内部空間は周囲の圧力変動に容易に追従することができる。こうして超音波トランスデューサー素子の破損は確実に回避されることができる。仮に開口の内部空間が気密に密閉されてしまうと、圧力変動に起因して超音波トランスデューサー素子の破損が懸念されてしまう。
　（２）前記補強部材は、アレイ状に配置された前記開口の間の前記基板の仕切り壁部に少なくとも１カ所の接合域で接合されることができる。仕切り壁部が補強部材に接合されると、仕切り壁部の動きは補強部材で拘束される。したがって、仕切り壁部の振動は防止されることができる。その結果、超音波トランスデューサー素子同士のクロストークは防止されることができる。しかも、こうして仕切り壁部の動きが拘束されると、超音波トランスデューサー素子の超音波振動に対して仕切り壁部の振動の作用は回避されることができる。超音波トランスデューサー素子ではクリアな振動モードの超音波振動が得られる。こうして仕切り壁部の振動が回避されると、超音波振動の振幅の低下も抑制されることができる。
　（３）超音波トランスデューサー素子チップは、前記基板の厚み方向からの平面視で、１本の前記直線状溝部ごとに、１列の前記開口を順番に横切って次々に開口同士を連通し、列端の前記開口から前記基板の輪郭の外側の空間に連通することができる。こうして１列の開口で全て通気は確保されることができる。
　（４）超音波トランスデューサー素子チップは、１本の前記直線状溝部に代えて、前記基板の厚み方向からの平面視で、複数本の前記直線状溝部の組み合わせで、１列の前記開口を順番に横切って次々に開口同士を連通し、列端の前記開口から前記基板の輪郭の外側の空間に連通することができる。こうして１列の開口で全て通気は確保されることができる。
　（５）前記直線状溝部の前記第１の方向に並ぶ間隔は前記開口の前記第１の方向の開口幅の３分の１以上であって２分の１よりも小さくてもよい。こうした間隔で直線状溝部が並べられれば、２本の直線状溝部が開口の輪郭線を横切ることができる。したがって、開口では、たとえ一方の直線状溝部で目詰まりが生じても、他方の直線状溝部で開口の外側との間で通気が確保されることができる。
　（６）前記基板の厚み方向からの平面視で、前記開口の輪郭は矩形に形成され、前記直線状溝部は前記矩形の短辺方向に前記開口を横切ることができる。こうして矩形の長辺方向に直線状溝部同士の間隔が設定されると、矩形の短辺方向に直線状溝部同士の間隔が設定される場合に比べて平行線同士で大きな間隔が確保されることができる。したがって、少ない本数で直線状溝部は形成されれば済む。加工の効率化は達成されることができる。
　（７）前記基板の厚み方向からの平面視で、前記開口の輪郭は矩形に形成され、前記直線状溝部は前記矩形の長辺方向に前記開口を横切ることができる。矩形の短辺ではアスペクト比に起因して開口の輪郭の壁は変形しづらい。直線状溝部の形成に基づき重ね合わせの範囲が狭められても、壁は比較的に高い剛性を維持することができる。したがって、壁の振動は抑制されることができる。
　（８）前記基板の厚み方向からの平面視で、前記開口は一定のピッチで前記第１の方向に配列され、前記直線状溝部は前記第１の方向に等ピッチで並べられることができる。直線状溝部の形成にあたって、等ピッチさえ確保されれば、直線状溝部と補強部材との相対的位置は自由に設定されることができる。補強部材の加工にあたって補強部材の位置決め精度は緩められることができる。補強部材の加工は簡易化されることができる。
　（９）超音波トランスデューサー素子チップはプローブに組み込まれて利用されることができる。プローブは、超音波トランスデューサー素子チップと、前記超音波トランスデューサー素子チップを支持する筐体とを備えることができる。
　（１０）プローブは電子機器に組み込まれて利用されることができる。電子機器は、プローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理する処理回路とを備えることができる。
　（１１）同様にプローブは超音波診断装置に組み込まれて利用されることができる。超音波診断装置は、プローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理し、画像を生成する処理回路と、前記画像を表示する表示装置とを備えることができる。
　（１２）超音波トランスデューサー素子チップはプローブヘッドに組み込まれて利用されることができる。プローブヘッドは、超音波トランスデューサー素子チップと、前記超音波トランスデューサー素子チップを支持する筐体とを備えることができる。
　（１３）超音波トランスデューサー素子チップの製造にあたって特定の製造方法は提供されることができる。ここでは、超音波トランスデューサー素子チップの製造方法は、基板上にアレイ状に配置された開口の第１の方向の開口幅よりも小さい間隔で並べられた直線状溝部を備えた表面を有する補強部材を保持する工程と、個々の前記開口に超音波トランスデューサー素子が設けられる前記基板の第１面と反対側の前記基板の第２面および前記補強部材の前記表面を重ね合わせる工程とを含むことができる。
　こうして直線状溝部の間隔が設定されると、基板と補強部材との間で相対的に位置ずれが生じても、少なくとも１本の直線状溝部は開口に連通することができる。加えて、基板および補強部材が大気中またはその他の気体雰囲気下で相互に重ね合わせられる場合でも、比較的に簡単に重ね合わせは実現されることができる。その一方で、基板の第２面が均一な平面に重ね合わせられると、個々の開口内に補強部材の平面で気体が押し詰められる。大気圧では開口内の空間の体積よりも大きい体積の気体が開口内に留まろうとする。開口の封鎖と同時に、基板および補強部材の隙間から余分な気体が逃げないと、基板および補強部材の張り合わせは実現されることができない。
一実施形態に係る電子機器の一具体例すなわち超音波診断装置を概略的に示す外観図である。 超音波プローブの拡大正面図である。 超音波トランスデューサー素子チップの拡大平面図である。 図３の４－４線に沿った断面図である。 溝を示す補強板の平面図である。 図５の拡大部分平面図である。 超音波診断装置の回路構成を概略的に示すブロック図である。 シリコンウエハー上に形成された可撓膜および下部電極を概略的に示す部分拡大垂直断面図である。 下部電極上に形成された圧電体膜および上部電極を概略的に示す部分拡大垂直断面図である。 シリコンウエハーを覆う導電膜を概略的に示す部分拡大垂直断面図である。 シリコンウエハーに形成された開口および補強板用のウエハーを概略的に示す部分拡大垂直断面図である。 シリコンウエハーと補強板用のウエハーとの重ね合わせにあたって開口と溝との位置関係を概略的に示す部分拡大平面図である。 他の実施形態に係る超音波トランスデューサー素子チップを概略的に示す部分拡大平面図である。 さらに他の実施形態に係る超音波トランスデューサー素子チップを概略的に示す部分拡大平面図である。
　以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。なお、以下に説明する本実施形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
（１）超音波診断装置の全体構成
　図１は本発明の一実施形態に係る電子機器の一具体例すなわち超音波診断装置１１の構成を概略的に示す。超音波診断装置１１は装置端末１２と超音波プローブ（プローブ）１３とを備える。装置端末１２と超音波プローブ１３とはケーブル１４で相互に接続される。装置端末１２と超音波プローブ１３とはケーブル１４を通じて電気信号をやりとりする。装置端末１２にはディスプレイパネル（表示装置）１５が組み込まれる。ディスプレイパネル１５の画面は装置端末１２の表面で露出する。装置端末１２では、後述されるように、超音波プローブ１３で検出された超音波に基づき画像が生成される。画像化された検出結果がディスプレイパネル１５の画面に表示される。
　図２に示されるように、超音波プローブ１３は筐体１６を有する。筐体１６内には超音波トランスデューサー素子チップ（以下「素子チップ」という）１７が収容される。素子チップ１７の表面は筐体１６の表面で露出することができる。素子チップ１７は表面から超音波を出力するとともに超音波の反射波を受信する。その他、超音波プローブ１３は、プローブ本体１３ａに着脱自在に連結されるプローブヘッド１３ｂを備えることができる。このとき、素子チップ１７はプローブヘッド１３ｂの筐体１６内に組み込まれることができる。
　図３は素子チップ１７の平面図を概略的に示す。素子チップ１７は基板２１を備える。基板２１には素子アレイ２２が形成される。素子アレイ２２は超音波トランスデューサー素子（以下「素子」という）２３の配列で構成される。配列は複数行複数列のマトリクスで形成される。個々の素子２３は圧電素子部を備える。圧電素子部は下部電極２４、上部電極２５および圧電体膜２６で構成される。個々の素子２３ごとに下部電極２４および上部電極２５の間に圧電体膜２６が挟み込まれる。
　下部電極２４は複数本の第１導電体２４ａを有する。第１導電体２４ａは配列の行方向に相互に平行に延びる。１行の素子２３ごとに１本の第１導電体２４ａが割り当てられる。１本の第１導電体２４ａは配列の行方向に並ぶ素子２３の圧電体膜２６に共通に配置される。第１導電体２４ａの両端は１対の引き出し配線２７にそれぞれ接続される。引き出し配線２７は配列の列方向に相互に平行に延びる。したがって、全ての第１導電体２４ａは同一長さを有する。こうしてマトリクス全体の素子２３に共通に下部電極２４は接続される。
　上部電極２５は複数本の第２導電体２５ａを有する。第２導電体２５ａは配列の列方向に相互に平行に延びる。１列の素子２３ごとに１本の第２導電体２５ａが割り当てられる。１本の第２導電体２５ａは配列の列方向に並ぶ素子２３の圧電体膜２６に共通に配置される。列ごとに素子２３の通電は切り替えられる。こうした通電の切り替えに応じてラインスキャンやセクタースキャンは実現される。１列の素子２３は同時に超音波を出力することから、１列の個数すなわち配列の行数は超音波の出力レベルに応じて決定されることができる。行数は例えば１０～１５行程度に設定されればよい。図中では省略されて５行が描かれる。配列の列数はスキャンの範囲の広がりに応じて決定されることができる。列数は例えば１２８列や２５６列に設定されればよい。図中では省略されて８列が描かれる。その他、配列では千鳥配置が確立されてもよい。千鳥配置では偶数列の素子２３群は奇数列の素子２３群に対して行ピッチの２分の１でずらされればよい。奇数列および偶数列の一方の素子数は他方の素子数に比べて１つ少なくてもよい。さらにまた、下部電極２４および上部電極２５の役割は入れ替えられてもよい。すなわち、マトリクス全体の素子２３に共通に上部電極が接続される一方で、配列の列ごとに共通に素子２３に下部電極が接続されてもよい。
　基板２１の輪郭は、相互に平行な１対の直線２９で仕切られて対向する第１辺２１ａおよび第２辺２１ｂを有する。素子アレイ２２の輪郭と基板２１の外縁との間に広がる周縁領域３１には、第１辺２１ａと素子アレイ２２の輪郭との間に１ラインの第１端子アレイ３２ａが配置され、第２辺２１ｂと素子アレイ２２の輪郭との間に１ラインの第２端子アレイ３２ｂが配置される。第１端子アレイ３２ａは第１辺２１ａに平行に１ラインを形成することができる。第２端子アレイ３２ｂは第２辺２１ｂに平行に１ラインを形成することができる。第１端子アレイ３２ａは１対の下部電極端子３３および複数の上部電極端子３４で構成される。同様に、第２端子アレイ３２ｂは１対の下部電極端子３５および複数の上部電極端子３６で構成される。１本の引き出し配線２７の両端にそれぞれ下部電極端子３３、３５は接続される。引き出し配線２７および下部電極端子３３、３５は素子アレイ２２を二等分する垂直面で面対称に形成されればよい。１本の第２導電体２５ａの両端にそれぞれ上部電極端子３４、３６は接続される。第２導電体２５ａおよび上部電極端子３４、３６は素子アレイ２２を二等分する垂直面で面対称に形成されればよい。ここでは、基板２１の輪郭は矩形に形成される。基板２１の輪郭は正方形であってもよく台形であってもよい。
　基板２１には第１フレキシブルプリント基板（以下「第１フレキ」という）３７が連結される。第１フレキ３７は第１端子アレイ３２ａに覆い被さる。第１フレキ３７の一端には下部電極端子３３および上部電極端子３４に個別に対応して導電線すなわち第１信号線３８が形成される。第１信号線３８は下部電極端子３３および上部電極端子３４に個別に向き合わせられ個別に接合される。同様に、基板２１には第２フレキシブルプリント基板（以下「第２フレキ」という）４１が覆い被さる。第２フレキ４１は第２端子アレイ３２ｂに覆い被さる。第２フレキ４１の第１端４１ａには下部電極端子３５および上部電極端子３６に個別に対応して導電線すなわち第２信号線４２が形成される。第２信号線４２は下部電極端子３５および上部電極端子３６に個別に向き合わせられ個別に接合される。
　図４に示されるように、個々の素子２３は振動膜４３を有する。振動膜４３の構築にあたって基板２１の基体４４には個々の素子２３ごとに開口４５が形成される。開口４５は基体４４に対してアレイ状に配置される。基体４４の表面には可撓膜４６が一面に形成される。可撓膜４６は、基体４４の表面に積層される酸化シリコン（ＳｉＯ2）層４７と、酸化シリコン層４７の表面に積層される酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）層４８とで構成される。可撓膜４６は開口４５に接する。こうして開口４５の輪郭に対応して可撓膜４６の一部が振動膜４３として機能する。酸化シリコン層４７の膜厚は共振周波数に基づき決定されることができる。
　振動膜４３の表面に下部電極２４、圧電体膜２６および上部電極２５が順番に積層される。下部電極２４には例えばチタン（Ｔｉ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）およびチタン（Ｔｉ）の積層膜が用いられることができる。圧電体膜２６は例えばジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）で形成されることができる。上部電極２５は例えばイリジウム（Ｉｒ）で形成されることができる。下部電極２４および上部電極２５にはその他の導電材が利用されてもよく、圧電体膜２６にはその他の圧電材料が用いられてもよい。ここでは、上部電極２５の下で圧電体膜２６は完全に下部電極２４を覆う。圧電体膜２６の働きで上部電極２５と下部電極２４との間で短絡は回避されることができる。
　基板２１の表面には保護膜４９が積層される。保護膜４９は例えば全面にわたって基板２１の表面に覆い被さる。その結果、素子アレイ２２や第１および第２端子アレイ３２ａ、３２ｂ、第１および第２フレキ３７、４１は保護膜４９で覆われる。保護膜４９には例えばシリコーン樹脂膜が用いられることができる。保護膜４９は、素子アレイ２２の構造や、第１端子アレイ３２ａおよび第１フレキ３７の接合、第２端子アレイ３２ｂおよび第２フレキ４１の接合を保護する。
　隣接する開口４５同士の間には仕切り壁５１が区画される。開口４５同士は仕切り壁５１で仕切られる。仕切り壁５１の壁厚みｔは開口４５の空間同士の間隔に相当する。仕切り壁５１は相互に平行に広がる平面内に２つの壁面を規定する。壁厚みｔは壁面同士の距離に相当する。すなわち、壁厚みｔは壁面に直交して壁面同士の間に挟まれる垂線の長さで規定されることができる。仕切り壁５１の壁高さＨは開口４５の深さに相当する。開口４５の深さは基体４４の厚みに相当する。したがって、仕切り壁５１の壁高さＨは基体４４の厚み方向に規定される壁面の長さで規定されることができる。基体４４は均一な厚みを有することから、仕切り壁５１は全長にわたって一定の壁高さＨを有することができる。仕切り壁５１の壁厚みｔが縮小されれば、振動膜４３の配置密度は高められる。素子チップ１７の小型化に寄与することができる。壁厚みｔに比べて仕切り壁５１の壁高さＨが大きければ、素子チップ１７の曲げ剛性は高められることができる。こうして開口４５同士の間隔は開口４５の深さよりも小さく設定される。
　基体４４の裏面には補強板（補強部材）５２が固定される。補強板５２の表面に基体４４の裏面が重ねられる。補強板５２は素子チップ１７の裏面で開口４５を閉じる。補強板５２はリジッドな基材を備えることができる。補強板５２は例えばシリコン基板から形成されることができる。基体４４の板厚は例えば１００μｍ程度に設定され、補強板５２の板厚は例えば１００～１５０μｍ程度に設定される。ここでは、仕切り壁５１は補強板５２に結合される。補強板５２は個々の仕切り壁５１に少なくとも１カ所の接合域で接合される。接合にあたって接着剤は用いられることができる。
　補強板５２の表面には直線状の溝（直線状溝部）５３が形成される。溝５３は補強板５２の表面を複数の平面５４に分割する。複数の平面５４は１つの仮想平面ＨＰ内で広がる。その仮想平面ＨＰ内で基体４４の裏面は広がる。仕切り壁５１は平面５４に接合される。溝５３は仮想平面ＨＰから窪む。溝５３の断面形状は四角形であってもよく三角形であってもよく半円形その他の形状であってもよい。
　図５に示されるように、開口４５は第１方向Ｄ１に列を形成する。開口４５の輪郭形状の図心４５ｃは第１方向Ｄ１の１直線５６上で等ピッチに配置される。開口４５の輪郭４５ａは１つの形状の複写で象られることから、同一形状の開口４５が一定のピッチで繰り返し配置される。開口４５の輪郭４５ａは例えば四角形に規定される。具体的には矩形に形成される。矩形の長辺は第１方向Ｄ１に合わせ込まれる。こうして開口４５は矩形の輪郭４５ａを有することから、仕切り壁５１は全長にわたって一定の壁厚みｔを有することができる。このとき、仕切り壁５１の接合域は長辺の中央位置を含む領域であればよい。特に、仕切り壁５１の接合域は長辺の全長を含む領域であればよい。仕切り壁５１は長辺の全長にわたって開口４５同士の間の全面で補強板５２に面接合されることができる。さらに、仕切り壁５１の接合域は四角形の各辺に少なくとも１カ所ずつ配置されることができる。仕切り壁５１の接合域は四角形を途切れなく囲むことができる。仕切り壁５１は四角形の全周にわたって開口４５同士の間の全面で補強板５２に面接合されることができる。
　溝５３は一定の間隔Ｌで相互に平行に第１方向Ｄ１に並べられる。溝５３は第１方向Ｄ１に交差する第２方向Ｄ２に延びる。溝５３の両端は補強板５２の端面５７ａ、５７ｂで開口する。１本の溝５３は１列（ここでは１行）の開口４５の輪郭４５ａを順番に横切る。個々の開口４５には少なくとも１本の溝５３が接続される。ここでは、第２方向Ｄ２は第１方向Ｄ１に直交する。したがって、溝５３は矩形の短辺方向に開口４５の輪郭４５ａを横切る。
　図６に示されるように、平面５４同士の間で溝５３は基体４４と補強板５２との間に通路５８ａ、５８ｂを形成する。こうして溝５３内の空間は開口４５の内部空間に連通する。通路５８ａ、５８ｂは開口４５の内部空間と基板２１の外部空間との間で通気を確保する。基板２１の表面に直交する方向すなわち基板２１の厚み方向から見た平面視で、１本の溝５３は１列（ここでは１行）の開口４５の輪郭４５ａを順番に横切ることから、次々に開口４５同士は通路５８ａで接続される。溝５３の両端は補強板５２の端面５７ａ、５７ｂで開口する。こうして列端の開口４５から基板２１の輪郭の外側に通路５８ｂは開放される。
　溝５３の間隔Ｌは開口４５の開口幅Ｓよりも小さく設定される。開口幅Ｓは、溝５３の並び方向すなわち第１方向Ｄ１に開口４５を横切る線分のうち最大の長さのもので規定される。言い換えると、開口幅Ｓは、開口４５の輪郭４５ａに外接する平行線５９同士の間隔に相当する。開口４５ごとに開口４５の輪郭４５ａに外接する平行線５９は特定される。平行線５９は第２方向Ｄ２に延びる。仮に開口４５ごとに開口幅Ｓが相互に相違する場合には、開口幅Ｓの最小値よりも小さい間隔Ｌで溝５３は並べられればよい。ここでは、溝５３の間隔Ｌは、開口４５の開口幅Ｓの３分の１以上であって２分の１よりも小さく設定される。
（２）超音波診断装置の回路構成
　図７に示されるように、集積回路はマルチプレクサー６１および送受信回路６２を備える。マルチプレクサー６１は素子チップ１７側のポート群６１ａと送受信回路６２側のポート群６１ｂとを備える。素子チップ１７側のポート群６１ａには第１配線５４経由で第１信号線３８および第２信号線４２が接続される。こうしてポート群６１ａは素子アレイ２２に繋がる。ここでは、送受信回路６２側のポート群６１ｂには集積回路チップ５５内の規定数の信号線６３が接続される。規定数はスキャンにあたって同時に出力される素子２３の列数に相当する。マルチプレクサー６１はケーブル１４側のポートと素子チップ１７側のポートとの間で相互接続を管理する。
　送受信回路６２は規定数の切り替えスイッチ６４を備える。個々の切り替えスイッチ６４はそれぞれ個別に対応の信号線６３に接続される。送受信回路６２は個々の切り替えスイッチ６４ごとに送信経路６５および受信経路６６を備える。切り替えスイッチ６４には送信経路６５と受信経路６６とが並列に接続される。切り替えスイッチ６４はマルチプレクサー６１に選択的に送信経路６５または受信経路６６を接続する。送信経路６５にはパルサー６７が組み込まれる。パルサー６７は振動膜５２の共振周波数に応じた周波数でパルス信号を出力する。受信経路６６にはアンプ６８、ローパスフィルター（ＬＰＦ）６９およびアナログデジタル変換器（ＡＤＣ）７１が組み込まれる。個々の素子２３の検出信号は増幅されてデジタル信号に変換される。
　送受信回路６２は駆動／受信回路７２を備える。送信経路６５および受信経路６６は駆動／受信回路７２に接続される。駆動／受信回路７２はスキャンの形態に応じて同時にパルサー６７を制御する。駆動／受信回路７２はスキャンの形態に応じて検出信号のデジタル信号を受信する。駆動／受信回路７２は制御線７３でマルチプレクサー６１に接続される。マルチプレクサー６１は駆動／受信回路７２から供給される制御信号に基づき相互接続の管理を実施する。
　装置端末１２には処理回路７４が組み込まれる。処理回路７４は例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）やメモリーを備えることができる。超音波診断装置１１の全体動作は処理回路７４の処理に従って制御される。ユーザーから入力される指示に応じて処理回路７４は駆動／受信回路７２を制御する。処理回路７４は素子２３の検出信号に応じて画像を生成する。画像は描画データで特定される。
　装置端末１２には描画回路７５が組み込まれる。描画回路７５は処理回路７４に接続される。描画回路７５にはディスプレイパネル１５が接続される。描画回路７５は処理回路７４で生成された描画データに応じて駆動信号を生成する。駆動信号はディスプレイパネル１５に送り込まれる。その結果、ディスプレイパネル１５に画像が映し出される。
（３）超音波診断装置の動作
　次に超音波診断装置１１の動作を簡単に説明する。処理回路７４は駆動／受信回路７２に超音波の送信および受信を指示する。駆動／受信回路７２はマルチプレクサー６１に制御信号を供給するとともに個々のパルサー６７に駆動信号を供給する。パルサー６７は駆動信号の供給に応じてパルス信号を出力する。マルチプレクサー６１は制御信号の指示に従ってポート群６１ｂのポートにポート群６１ａのポートを接続する。パルス信号はポートの選択に応じて下部電極端子３３、３５および上部電極端子３４、３６を通じて列ごとに素子２３に供給される。パルス信号の供給に応じて振動膜４３は振動する。その結果、対象物（例えば人体の内部）に向けて所望の超音波は発せられる。
　超音波の送信後、切り替えスイッチ６４は切り替えられる。マルチプレクサー６１はポートの接続関係を維持する。切り替えスイッチ６４は送信経路６５および信号線６３の接続に代えて受信経路６６および信号線６３の接続を確立する。超音波の反射波は振動膜４３を振動させる。その結果、素子２３から検出信号が出力される。検出信号はデジタル信号に変換されて駆動／受信回路７２に送り込まれる。
　超音波の送信および受信は繰り返される。繰り返しにあたってマルチプレクサー６１はポートの接続関係を変更する。その結果、ラインスキャンやセクタースキャンは実現される。スキャンが完了すると、処理回路７４は検出信号のデジタル信号に基づき画像を形成する。形成された画像はディスプレイパネル１５の画面に表示される。
　素子チップ１７では素子２３は薄型に形成されることができる。素子２３は薄型の基板２１に形成されることができる。補強板５２が基板２１に固定されても、素子チップ１７は薄型に形成されることができる。同時に、補強板５２は基板２１の強度を補強する。特に、仕切り壁５１で壁厚みｔが壁高さＨよりも小さいことから、断面係数の関係で仕切り壁５１では基板２１の厚み方向に十分な剛性が確保されることができる。基板２１の厚み方向の力は仕切り壁５１を伝って補強板５２で支持されることができる。こうして素子チップ１７は基板２１の厚み方向に十分な強度を有することができる。基板２１の板厚が例えば１００μｍ程度に設定されても、補強板５２は基板２１の破損を防止することができる。その一方で、バルク型の超音波トランスデューサー素子で素子アレイが構成される場合には、基板の板厚は数ｍｍ程度に設定される。たとえ補強板５２が接合されても、素子チップ１７の厚みは、バルク型の超音波トランスデューサー素子で素子アレイが構成される場合に比べて確実に縮小されることができる。加えて、振動膜４３の音響インピーダンスはバルク型の超音波トランスデューサー素子に比べて人体のそれに近いことから、素子チップ１７ではバルク型の超音波トランスデューサー素子に比べて音響インピーダンスの整合層が省略されることができる。こういった整合層の省略は素子チップ１７の薄型化にさらに寄与することができる。
　補強板５２は個々の仕切り壁５１に少なくとも１カ所の接合域で接合される。仕切り壁５１が補強板５２に接合されると、仕切り壁５１の動きは補強板５２で拘束される。したがって、仕切り壁５１の振動は防止されることができる。その結果、素子２３同士のクロストークは防止されることができる。しかも、こうして仕切り壁５１の動きが拘束されると、素子２３の超音波振動に対して仕切り壁５１の振動の作用は回避されることができる。素子２３ではクリアな振動モードの超音波振動が得られる。こうして仕切り壁５１の振動が回避されると、超音波振動の振幅の低下も抑制されることができる。その一方で、仕切り壁５１が動くと、振動膜４３の上下振動モードよりも低い周波数の歪んだ振動モードが現れる。しかも、仕切り壁５１が動く分だけ振動膜４３の運動エネルギーが減少し振動の振幅が低下してしまう。
　開口４５内の空間は基板２１、可撓膜４６（振動膜４３）および補強板５２で囲まれる。基板２１の厚み方向から見た平面視で溝５３は開口４５の輪郭線４５ａを横切る。こうして個々の開口４５の内部空間は基板２１の外部空間との間で通気を確保することができる。その結果、開口４５の内部空間は大気空間に繋がる。開口４５の内部空間では圧力上昇は回避されることができる。振動膜４３の破損は防止されることができる。ここで、外部空間は、基板２１、可撓膜４６および補強板５２で内部空間から隔てられる空間であって内部空間に比べて著しく大きな空間を意味する。
　素子チップ１７では溝５３の間隔Ｌは開口４５の開口幅Ｓよりも小さく設定される。したがって、基板２１と補強板５２との間で相対的に位置ずれが生じても、少なくとも１本の溝５３は開口４５の輪郭線４５ａに接続されることができる。個々の開口４５は必ず開口４５の外側との間で通気を確保することができる。加えて、溝５３の間隔Ｌは開口幅Ｓの３分の１以上であって２分の１よりも小さく設定されることから、個々の開口４５ごとに少なくとも２本の溝５３が開口４５の輪郭線４５ａに接続されることができる。したがって、個々の開口４５では、たとえ一方の溝５３で目詰まりが生じても、他方の溝５３で開口４５の外側との間で通気が確保されることができる。しかも、４本を超えて溝５３が輪郭線４５ａを横切ることは回避されることから、仕切り壁５１の接合強度の低下は抑制されることができる。ここでは、溝５３の幅は仕切り壁５１の壁厚みｔよりも小さく設定されることが望まれる。こうすれば、第１方向Ｄ１に隣接する開口４５同士の間に溝５３が配置されても、仕切り壁５１と補強板５２との間で十分な大きさの接合面積が確保されることができる。仕切り壁５１の接合強度の低下は抑制されることができる。
　仕切り壁５１の接合域は長辺の中央位置を含む領域であることができる。仕切り壁５１のうち振動振幅の大きい部位が補強板５２に接合される。その結果、仕切り壁５１の振動は効果的に防止されることができる。しかも、仕切り壁５１の接合域は長辺の全長を含む領域であることができる。こうして長辺の全長にわたって仕切り壁５１が補強板５２に接合されれば、仕切り壁５１の振動は確実に防止されることができる。さらに、仕切り壁５１は長辺の全長にわたって開口４５同士の間の全面で面接合されることができる。こうして長辺の全長にわたって開口４５同士の間で全面で仕切り壁５１が補強板５２に面接合されれば、仕切り壁５１の振動は確実に防止されることができる。
　仕切り壁５１の接合域は四角形の各辺に少なくとも１カ所ずつ配置されればよい。こうして四角形の各辺で仕切り壁５１が補強板５２に接合されれば、仕切り壁５１の振動は確実に防止されることができる。しかも、仕切り壁５１の接合域は四角形を途切れなく囲むことができる。こうして四角形の全域で仕切り壁５１が補強板５２に接合されれば、仕切り壁５１の振動は確実に防止されることができる。その上、仕切り壁５１は四角形の全周にわたって開口４５同士の間の全面で面接合されることができる。こうして四角形の全周にわたって開口４５同士の間で全面で仕切り壁５１が補強板５２に面接合されれば、仕切り壁５１の振動は確実に防止されることができる。
　素子チップ１７では、行方向に隣接する開口４５同士では開口４５内の空間は通路５５ａで相互に連通される。そして、列端の開口４５から基板２１の輪郭の外側に通路５５ｂは開放される。１本の溝５３で通路５５ａ、５５ｂは形成される。こうして１本の溝５３で１列の開口４５全ての通気は確保されることができる。
　しかも、溝５３は基板２１の厚み方向からの平面視で矩形の短辺方向に開口４５を横切る。こうして矩形の長辺方向に溝５３同士の間隔Ｌが設定されると、矩形の短辺方向に溝５３同士の間隔が設定される場合に比べて平行線５６同士で大きな間隔が確保されることができる。したがって、少ない本数で溝５３は形成されれば済む。加工の効率化は達成されることができる。
　加えて、溝５３は第１方向Ｄ１に等ピッチで並べられる。溝５３の形成にあたって、等ピッチさえ確保されれば、溝５３と補強板５２との相対的位置は自由に設定されることができる。補強板５２の加工にあたって補強板５２の位置決め精度は緩められることができる。補強板５２の加工は簡易化されることができる。
（４）超音波トランスデューサー素子チップの製造方法
　図８に示されるように、シリコンウエハー（基板）７８の表面で個々の素子チップ１７ごとに下部電極２４、引き出し配線２７および下部電極端子３３、３５が形成される（図７以降では図示されず）。下部電極２４、引き出し配線２７および下部電極端子３３、３５の形成に先立ってシリコンウエハー７８の表面には酸化シリコン膜７９および酸化ジルコニウム膜８１が相次いで形成される。酸化ジルコニウム膜８１の表面には導電膜が形成される。導電膜はチタン、イリジウム、白金およびチタンの積層膜で構成される。フォトリソグラフィ技術に基づき導電膜から下部電極２４、引き出し配線２７および下部電極端子３３、３５は成形される。
　図９に示されるように、下部電極２４の表面で個々の素子２３ごとに圧電体膜２６および上部電極２５が形成される。圧電体膜２６および上部電極２５の形成にあたってシリコンウエハー７８の表面には圧電材料膜および導電膜が成膜される。圧電材料膜はＰＺＴ膜から構成される。導電膜はイリジウム膜から構成される。フォトリソグラフィ技術に基づき個々の素子２３ごとに圧電材料膜および導電膜から圧電体膜２６および上部電極２５が成形される。
　続いて、図１０に示されるように、シリコンウエハー７８の表面に導電膜８２が成膜される。導電膜８２は個々の素子チップ１７内で列ごとに上部電極２５を相互に接続する。そして、フォトリソグラフィ技術に基づき導電膜８２から上部電極２５、上部電極端子３４、３６が成形される。
　その後、図１１に示されるように、シリコンウエハー７８の裏面からアレイ状の開口４５が形成される。開口４５の形成にあたってエッチング処理が施される。酸化シリコン膜７９はエッチングストップ層として機能する。酸化シリコン膜７９および酸化ジルコニウム膜８１に振動膜４３は区画される。開口４５の形成後、シリコンウエハー７８の裏面に補強板用のウエハー（補強部材）８３の表面が重ね合わせられる。重ね合わせに先立ってウエハー８３はハンドリング機構やステージ上に保持される。ウエハー８３には例えばリジッドな絶縁性基板が用いられることができる。絶縁性基板にはシリコンウエハーが用いられることができる。接合にあたって例えば接着剤が用いられることができる。接合後、シリコンウエハー７８から個々の素子チップ１７は切り出される。
　接合に先立って補強板用のウエハー８３の表面には直線状の溝８４が形成される。溝８４は相互に平行に等間隔で延びる。溝８４の少なくとも一端はウエハー８３の端面で開放される。溝８４は、開口４５の開口幅Ｓよりも小さい間隔Ｌで並べられる。こうして溝８４の間隔Ｌが設定されると、シリコンウエハー７８と補強板用のウエハー８３との間で相対的に位置ずれが生じても、少なくとも１本の溝８４は開口４５の輪郭線４５ａを横切ることができる。例えば図１２に示されるように、シリコンウエハー７８に対して補強板用のウエハー８３が第１方向Ｄ１にずれて溝８４ａが開口４５同士の間に位置しても、２つの開口４５にはそれぞれ少なくとも１本の溝８４ｂが配置されることができる。シリコンウエハー７８から個々の素子チップ１７が切り出された際に、溝８４は補強板５２の溝５３を提供する。
　こうして溝８４が形成されると、シリコンウエハー７８およびウエハー８３が大気中またはその他の気体雰囲気下で相互に重ね合わせられる場合でも、比較的に簡単に重ね合わせは実現されることができる。その一方で、シリコンウエハー７８の裏面が均一な平面に重ね合わせられると、個々の開口４５内に補強板用のウエハーの平面で気体が押し詰められる。大気圧では開口４５内の空間の体積よりも大きい体積の気体が開口４５内に留まろうとする。開口４５の封鎖と同時に、シリコンウエハー７８および補強板用のウエハーの隙間から余分な気体が逃げないと、シリコンウエハー７８および補強板用のウエハーの張り合わせは実現されることができない。
（５）他の実施形態に係る超音波トランスデューサー素子チップ
　図１３は他の実施形態に係る超音波トランスデューサー素子チップ１７ａを概略的に示す。この素子チップ１７ａでは１本１本の溝８５は局所的に第２方向Ｄ２に延びる。こうした局所的な溝８５がいくつかの開口４５同士の間で通路５５ａ、５５ｂを形成する。複数本の溝８５の組み合わせで、基板２１の厚み方向からの平面視で１列の開口４５を順番に横切って次々に開口４５同士を接続する一連の通路５５ａ、５５ｂが形成される。こうして通路５５ａ、５５ｂの組み合わせで１列の開口４５全ての通気は確保されることができる。溝８５は溝５３と同様に構成されることができる。その他の構成は素子チップ１７と同様に構成されることができる。図中、素子チップ１７と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
　図１４はさらに他の実施形態に係る超音波トランスデューサー素子チップ１７ｂを概略的に示す。この素子チップ１７ｂでは溝８６は第１方向Ｄ１すなわち矩形の長辺方向に延びる。したがって、基板２１の厚み方向からの平面視で、溝８６は矩形の短辺で開口４５の輪郭線４５ａを横切る。矩形の短辺では断面係数に起因して開口４５の輪郭４５ａの壁すなわち仕切り壁５１は変形しづらい。溝８６の形成に基づき接合の範囲が狭められても、仕切り壁５１は比較的に高い剛性を維持することができる。したがって、仕切り壁５１の振動（残留振動）は抑制されることができる。その他の構成は素子チップ１７と同様に構成されることができる。図中、素子チップ１７と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
　その他、いずれの実施形態でも、開口４５の配列では千鳥配置が確立されてもよい。千鳥配置では偶数列の素子２３群は奇数列の素子２３群に対して行ピッチの２分の１でずらされればよい。奇数列および偶数列の一方の素子数は他方の素子数に比べて１つ少なくてもよい。その他、溝５３、８５、８６は第１方向Ｄ１や第２方向Ｄ２に対して所定の傾斜角で傾斜してもよい。
　なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれる。例えば、明細書または図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語とともに記載された用語は、明細書または図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えられることができる。また、超音波診断装置１１や超音波プローブ１３、プローブヘッド１３ｂ、素子チップ１７、１７ａ、１７ｂ、素子２３等の構成および動作も本実施形態で説明したものに限定されず、種々の変形が可能である。
　１１　電子機器（超音波診断装置）、１３　プローブ（超音波プローブ）、１３ｂ　プローブヘッド、１５　表示装置（ディスプレイパネル）、１６　筐体、１７　超音波トランスデューサー素子チップ、１７ａ　超音波トランスデューサー素子チップ、１７ｂ　超音波トランスデューサー素子チップ、２１　基板、２３　超音波トランスデューサー素子、４５　開口、４５ａ　輪郭、５２　補強部材（補強板）、５３　直線状溝部（溝）、５５ａ　通路、５５ｂ　通路、５６　平行線、７４　処理回路、８３　補強部材（補強板用のウエハー）、８４　直線状溝部（溝）、８５　直線状溝部（溝）、８６　直線状溝部（溝）、Ｄ１　第１の方向（第１方向）、Ｄ２　第１の方向（第２方向）、Ｌ　（直線状溝部の）間隔、Ｓ　開口幅。

Claims (13)

  1. 　開口がアレイ状に配置された基板と、
    　前記基板の第１面において個々の前記開口に設けられる超音波トランスデューサー素子と、
    　前記基板の前記第１面とは反対側の前記基板の第２面に固定されて前記基板を補強する補強部材と、を備え、
    　前記補強部材は、前記基板の前記第２面に固定される面において、当該面の面内の第１の方向に、前記基板の前記第２面における前記開口の前記第１の方向の開口幅よりも小さい間隔で並べて配置され、前記開口の内部空間および前記基板の外部空間を相互に連通する直線状溝部を有することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  2. 　請求項１に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記補強部材は、アレイ状に配置された前記開口の間の前記基板の仕切り壁部に少なくとも１カ所の接合域で接合されることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  3. 　請求項１または２に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板の厚み方向からの平面視で、１本の前記直線状溝部ごとに、１列の前記開口を順番に横切って次々に開口同士を連通し、列端の前記開口から前記基板の輪郭の外側の空間に連通することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  4. 　請求項１または２に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板の厚み方向からの平面視で、複数本の前記直線状溝部の組み合わせで、１列の前記開口を順番に横切って次々に開口同士を連通し、列端の前記開口から前記基板の輪郭の外側の空間に連通することを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  5. 　請求項１～４のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記直線状溝部の前記第１方向に並ぶ間隔は前記開口の前記第１の方向の開口幅の３分の１以上であって２分の１よりも小さいことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  6. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板の厚み方向からの平面視で、前記開口の輪郭は矩形に形成され、前記直線状溝部は前記矩形の短辺方向に前記開口を横切ることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  7. 　請求項１～５のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板の厚み方向からの平面視で、前記開口の輪郭は矩形に形成され、前記直線状溝部は前記矩形の長辺方向に前記開口を横切ることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  8. 　請求項１～６のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップにおいて、前記基板の厚み方向からの平面視で、前記開口は一定のピッチで前記第１の方向に配列され、前記直線状溝部は前記第１の方向に等ピッチで並べられることを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップ。
  9. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップと、前記超音波トランスデューサー素子チップを支持する筐体とを備えることを特徴とするプローブ。
  10. 　請求項９に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理する処理回路とを備えることを特徴とする電子機器。
  11. 　請求項９に記載のプローブと、前記プローブに接続されて、前記超音波トランスデューサー素子の出力を処理し、画像を生成する処理回路と、前記画像を表示する表示装置とを備えることを特徴とする超音波診断装置。
  12. 　請求項１～８のいずれか１項に記載の超音波トランスデューサー素子チップと、
    　前記超音波トランスデューサー素子チップを支持し、かつプローブのプローブ本体部に取付けられるようになっている筐体と、
    　を備えることを特徴とするプローブヘッド。
  13. 　基板上にアレイ状に配置された開口の第１の方向の開口幅よりも小さい間隔で並べられた直線状溝部を備えた表面を有する補強部材を保持する工程と、
    　個々の前記開口に超音波トランスデューサー素子が設けられる前記基板の第１面と反対側の前記基板の第２面および前記補強部材の前記表面を重ね合わせる工程と
    　を含むことを特徴とする超音波トランスデューサー素子チップの製造方法。
PCT/JP2013/002146 2012-03-30 2013-03-28 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置 WO2013145763A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020147030034A KR101595690B1 (ko) 2012-03-30 2013-03-28 초음파 트랜스듀서 소자 칩 및 프로브, 및 전자 기기 및 초음파 진단 장치
CN201380016075.2A CN104205876B (zh) 2012-03-30 2013-03-28 超声波换能器元件芯片、探测器、电子设备和超声波诊断装置
EP13768807.3A EP2833649B1 (en) 2012-03-30 2013-03-28 Ultrasonic transducer element chip and probe, and electronic device and ultrasound diagnostic equipment

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012078673A JP5900107B2 (ja) 2012-03-30 2012-03-30 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP2012-078673 2012-03-30

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013145763A1 true WO2013145763A1 (ja) 2013-10-03

Family

ID=49234864

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/002146 WO2013145763A1 (ja) 2012-03-30 2013-03-28 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9089872B2 (ja)
EP (1) EP2833649B1 (ja)
JP (1) JP5900107B2 (ja)
KR (1) KR101595690B1 (ja)
CN (1) CN104205876B (ja)
TW (1) TWI599231B (ja)
WO (1) WO2013145763A1 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130258803A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US20130258802A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5990930B2 (ja) * 2012-02-24 2016-09-14 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6135088B2 (ja) * 2012-10-12 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサーデバイス、プローブヘッド、超音波プローブ、電子機器及び超音波診断装置
JP6175780B2 (ja) * 2013-01-28 2017-08-09 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス、超音波プローブ、電子機器および超音波画像装置
JP6442821B2 (ja) 2013-09-30 2018-12-26 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス及び電子機器
JP6252280B2 (ja) * 2014-03-20 2017-12-27 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイスユニットおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP6402983B2 (ja) 2014-08-29 2018-10-10 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス、超音波デバイスの製造方法、超音波プローブ、超音波測定装置、電子機器
JP6536792B2 (ja) 2015-03-25 2019-07-03 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー及びその製造方法
JP6625441B2 (ja) * 2015-06-26 2019-12-25 キヤノンメディカルシステムズ株式会社 超音波プローブ
JP6597026B2 (ja) * 2015-07-30 2019-10-30 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス及び超音波モジュール
JP6753293B2 (ja) * 2016-12-09 2020-09-09 セイコーエプソン株式会社 超音波デバイス及び超音波装置
TWI675647B (zh) * 2018-03-08 2019-11-01 余學致 超音波導引方法
JP7205191B2 (ja) * 2018-11-22 2023-01-17 セイコーエプソン株式会社 超音波センサー、及び電子機器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077918A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Murata Mfg Co Ltd 超音波トランスデューサ
JP2011082624A (ja) 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 近接超音波センサ
JP2011259316A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Tohoku Univ 高周波振動圧電素子、超音波センサおよび高周波振動圧電素子の製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0765986B2 (ja) * 1986-12-24 1995-07-19 株式会社東芝 アレイ型超音波探触子
JPH02114947A (ja) 1988-10-24 1990-04-27 Yokogawa Medical Syst Ltd 超音波探触子の製造方法
JP2002165793A (ja) * 2000-11-29 2002-06-11 Olympus Optical Co Ltd 超音波探触子
US6758094B2 (en) * 2001-07-31 2004-07-06 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Ultrasonic transducer wafer having variable acoustic impedance
WO2005120130A1 (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Olympus Corporation 静電容量型超音波振動子とその製造方法、静電容量型超音波プローブ
JP4991145B2 (ja) * 2005-11-30 2012-08-01 ブラザー工業株式会社 圧電アクチュエータの検査方法
JP4618165B2 (ja) 2006-03-06 2011-01-26 株式会社デンソー 超音波センサ
US7730785B2 (en) * 2006-04-26 2010-06-08 Denso Corporation Ultrasonic sensor and manufacture method of the same
JP5434109B2 (ja) 2009-02-06 2014-03-05 セイコーエプソン株式会社 超音波センサーユニット
JP5310119B2 (ja) 2009-03-06 2013-10-09 セイコーエプソン株式会社 超音波センサーユニット
US9327316B2 (en) * 2009-06-30 2016-05-03 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Multi-frequency acoustic array
JP5671876B2 (ja) 2009-11-16 2015-02-18 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー、超音波センサー、超音波トランスデューサーの製造方法、および超音波センサーの製造方法
JP5659564B2 (ja) * 2010-06-10 2015-01-28 コニカミノルタ株式会社 超音波探触子および超音波診断装置
JP5990930B2 (ja) * 2012-02-24 2016-09-14 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP5900107B2 (ja) * 2012-03-30 2016-04-06 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6019671B2 (ja) * 2012-03-30 2016-11-02 セイコーエプソン株式会社 超音波プローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6102075B2 (ja) * 2012-03-30 2017-03-29 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6135088B2 (ja) * 2012-10-12 2017-05-31 セイコーエプソン株式会社 超音波トランスデューサーデバイス、プローブヘッド、超音波プローブ、電子機器及び超音波診断装置
JP7065986B2 (ja) 2018-02-09 2022-05-12 ホアウェイ・テクノロジーズ・カンパニー・リミテッド 周期的なビーム障害測定のためのシステムおよび方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011077918A (ja) 2009-09-30 2011-04-14 Murata Mfg Co Ltd 超音波トランスデューサ
JP2011082624A (ja) 2009-10-02 2011-04-21 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 近接超音波センサ
JP2011259316A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Tohoku Univ 高周波振動圧電素子、超音波センサおよび高周波振動圧電素子の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130258803A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US20130258802A1 (en) * 2012-03-30 2013-10-03 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US9079220B2 (en) * 2012-03-30 2015-07-14 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US9089872B2 (en) * 2012-03-30 2015-07-28 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US9554775B2 (en) 2012-03-30 2017-01-31 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device
US10040098B2 (en) 2012-03-30 2018-08-07 Seiko Epson Corporation Ultrasonic transducer element chip, probe, electronic instrument, and ultrasonic diagnostic device

Also Published As

Publication number Publication date
JP5900107B2 (ja) 2016-04-06
TWI599231B (zh) 2017-09-11
EP2833649A1 (en) 2015-02-04
JP2013211604A (ja) 2013-10-10
EP2833649B1 (en) 2018-02-14
KR101595690B1 (ko) 2016-02-18
EP2833649A4 (en) 2015-11-18
US9089872B2 (en) 2015-07-28
TW201340728A (zh) 2013-10-01
KR20140139093A (ko) 2014-12-04
US20130258802A1 (en) 2013-10-03
CN104205876A (zh) 2014-12-10
CN104205876B (zh) 2018-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6102075B2 (ja) 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP5900107B2 (ja) 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP5990930B2 (ja) 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6078994B2 (ja) 超音波トランスデューサー素子ユニットおよびプローブおよびプローブヘッド並びに電子機器および超音波診断装置
JP6442821B2 (ja) 超音波デバイス及び電子機器
JP6252280B2 (ja) 超音波デバイスユニットおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP6326833B2 (ja) 超音波デバイス、超音波デバイスの製造方法、プローブ、電子機器、超音波画像装置
TWI632710B (zh) 超音波轉換器裝置及超音波探針及電子機器及超音波影像裝置
JP6252279B2 (ja) 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP2015070473A (ja) 超音波デバイスおよびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置
JP6222259B2 (ja) 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6311815B2 (ja) 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP6365726B2 (ja) 超音波トランスデューサー装置及び電子機器
JP2017000792A (ja) 超音波トランスデューサー素子チップおよびプローブ並びに電子機器および超音波診断装置
JP2014197735A (ja) 超音波トランスデューサー装置およびプローブ並びに電子機器および超音波画像装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13768807

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147030034

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013768807

Country of ref document: EP