WO2013128663A1

WO2013128663A1 - 溶接トランス、溶接トランス組体、溶接装置、および抵抗溶接方法

Info

Publication number: WO2013128663A1
Application number: PCT/JP2012/066646
Authority: WO
Inventors: 甲斐　孝治; 和生寳山; 煕永井; 一宏鈴木
Original assignee: 株式会社向洋技研
Priority date: 2012-02-29
Filing date: 2012-06-29
Publication date: 2013-09-06
Also published as: TW201335959A; AU2012371845A1; TWI509645B; KR20140026558A; JP5220931B1; KR101417791B1; JP2013179205A; EP2749373B1; US9202622B2; EP2749373A1; AU2012371845B2; EP2749373A4; CN203277072U; US20140360994A1; CN103295750A

Abstract

【課題】高速で精密な大電流の溶接制御を可能にし消費電力も節減する。【解決手段】環状磁心（２５）と、分割巻きされた１次コイル（１２）と、１次コイル（１２）の各間隙（１２ａ）に交互に１個ずつ挟み込まれた複数の正側コイル（１４）と複数の負側コイル（１６）とを備える。複数の正側コイル（１４）と複数の負側コイル（１６）とで２次コイルを構成する。正側コイル（１４）は第１連結極板（４４）を介して正側導体（３０）に電気接続される。負側コイル（１６）は第２連結極板（４６）を介して負側導体（３２）に電気接続される。正側コイル（１４）と負側コイル（１６）の接続部は第３連結極板（４８）に電気接続される。薄い絶縁層（３１）を挟んで、一方に正側導体（３０）と整流素子（１８）と第１極板（３４）を配置する。他方に負側導体（３２）と整流素子（２０）と第２極板（３６）とを配置する。第１極板（３４）と第２極板（３６）を第３極板（３８）で電気接続する。小型大容量の溶接トランスを実現できる。

Description

溶接トランス、溶接トランス組体、溶接装置、および抵抗溶接方法

　本発明は、抵抗溶接に使用され、短時間で高品質な溶接を可能にする大容量の溶接トランス、溶接トランス組体、溶接装置、および抵抗溶接方法に関する。

　抵抗溶接機用溶接トランスの１次電流をインバータにより制御することによって、溶接電流を高精度で制御することを可能にした技術が公知である（特許文献１参照）。また、この公知技術に適用される溶接トランスの巻線構造を工夫することにより、さらに高速な制御を可能にする技術も公知である（特許文献１参照）。
　抵抗溶接は、自動車やその他の車両の製造業等を含む種々の産業分野で広く普及している。即ち、種々の産業分野で、例えば、各種装置の筐体を構成する金属部材などの接合などにも一般的に使われている。それらの産業では、世界レベルでの競争に打ち勝つために、生産性の向上が必須条件とされる。さらに、地球環境保護の観点からＣＯ₂ を削減する省エネルギー技術の開発も緊急な課題である。しかし、溶接性の悪い鋼板に対する、従来の抵抗溶接方法は、生産性や省エネルギーに逆行する様相を呈している。そして、既に、各種用途に適する様々な抵抗溶接方法が開発されている（特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４参照）。

特許第４６８７９３０号公報特開２００８－１０５０４１号公報特開２００９－２９１８２７号公報特開２０１１－５５４４号公報

　大電流で短時間の溶接を可能にするには、溶接トランスの１次電流を高い周波数で制御する必要がある。これに加えて高品質な溶接を実現するには、この１次電流を従来の数倍から数十倍の周波数で制御することが望まれる。しかしながら、従来の溶接装置では、１次電流の周波数を従来の一般的値の数倍以上に上げていくと、所要の溶接電流が得られないという問題や、動作が不安定になるといった問題があった。さらにまた、大容量化をはかるために２次コイルの電流を大きくすると、磁気飽和によって溶接トランスに障害を生じるおそれもあった。

　図２３は、抵抗溶接装置の溶接部の主要部断面図である。
　抵抗溶接では、図２３に示すように、重ね合わせた鋼板等の被溶接材１２０Ａ、１２０Ｂを電極１２２Ａ、１２２Ｂで加圧して電流を流す。被溶接材１２０Ａ、１２０Ｂの接触部位にジュール熱を発生させ、被溶接材１２０Ａ、１２０Ｂの一部を溶解させてナゲット１２４を形成する。この方法を応用した溶接法にスポット溶接、シーム溶接等がある。溶接時の発熱量は以下の式であらわすことができる。
　熱量=０．２４ｉ²ｒｔ
　　式中の各値の意味；
　ｉ：　電流値（単位Ａ　アンペア）
　ｒ：　被溶接材の抵抗値（単位オーム）
　ｔ：　通電時間（単位秒）
　熱量：発生する熱量（単位カロリー。単位をジュールで計ると、式中の0.24が消え、右辺は単にｉ²ｒｔとなる。）

　例えば、板厚が０．８～３．２ｍｍの軟鋼板の抵抗溶接では、最良条件がＲＷＭＡ（アメリカ抵抗溶接製造者協会）により規定されている。この規定では、通電時間が１６０～６４０ｍｓｅｃ（ミリ秒）（８～３２サイクル）、溶接電流が７８００～１７４００Ａ（アンペア）である。防請効果を強めるためにメッキ厚を増した鋼板や、強度を増した高張力鋼板などは、溶接性が悪い。溶接性が悪い被溶接材が数多くの製品に利用されるため、このような被溶接材が多用されるに従って、通電時間はもっと長くなる傾向にある。既知の溶接技術では、こうした大電流の抵抗溶接において、溶接時間の短縮が大きな課題になっていた。
　本発明は、上述のような問題に対処するべくなされたものである。
　即ち、本発明は、１次電流を高い周波数で制御する場合においても安定的に大きな値の溶接電流が確保され、また、磁気飽和が抑制され、かつ、消費電力を大幅に節減可能な溶接トランス、この溶接トランスを使用した溶接トランス組体、および、溶接装置を提供することを目的とする。
　また、本発明は、抵抗溶接において飛躍的な生産性の向上と省エネルギーを実現する抵抗溶接方法を提供することを目的とする。

　以下の構成はそれぞれ上記の課題を解決するための手段である。
　〈構成１〉
　１次コイル１２と、正側コイル１４と負側コイル１６とを直列接続した２次コイルとを、磁心に巻回したトランス部と、前記正側コイル１４の一端に一方の整流素子１８の一端を接続し、前記負側コイル１６の一端に他方の整流素子２０の一端を接続し、前記一方の整流素子１８の他端と前記他方の整流素子２０の他端をプラス電極２２に接続し、前記正側コイルの他端と前記負側コイルの他端をマイナス電極２４に接続し、前記プラス電極２２と前記マイナス電極２４を溶接機２８に接続する２次回路とを備え、前記１次コイルには、インバータにより一定の繰り返し周波数で極性を反転させるパルス状の１次電流が供給されており、前記正側コイル１４と前記負側コイル１６とは、両者の間に前記１次コイル１２を挟むように配置され、前記正側コイル１４の一端は第１連結極板４４を介して正側導体３０に電気接続され、前記負側コイル１６の一端は第２連結極板４６を介して負側導体３２に電気接続され、前記正側導体３０と前記負側導体３２とは、絶縁層３１を介して密着するように配置され、前記正側導体３０と前記負側導体３２の両側に前記整流素子１８、２０を配置して、第１極板３４と第２極板３６で挟み、前記第１極板３４と第２極板３６は第３極板３８により電気接続され、第３極板３８にプラス電極２２が接続され、前記正側コイルの他端と前記負側コイルの他端にはマイナス電極２４が接続されていることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成２〉
　構成１に記載の溶接トランスにおいて、前記正側コイル１４と前記負側コイル１６とを交互に配置し、それぞれの間に分割巻きした前記１次コイル１２を配置し、分割した前記１次コイル１２は、全て直列接続されるかもしくは全部または一部が並列接続され、前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とは相互に直列接続され、前記複数の正側コイル１４の一端を第１連結極板４４に接続し、前記複数の負側コイル１６の一端を第２連結極板４６に接続し、複数の正側コイル１４の他端と複数の負側コイル１６の他端を第３連結極板４８に接続したことを特徴とする溶接トランス。

　〈構成３〉
　構成２に記載の溶接トランスにおいて、磁心上の全ての場所で、正側コイル１４と負側コイル１６が分割された１次コイルを挟むように配置されていることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成４〉
　構成３に記載の溶接トランスにおいて、２次コイルには、銅板をＣ字状に切削加工したワンターンコイルを２個直列接続して使用することを特徴とする溶接トランス。

　〈構成５〉
　構成１に記載の溶接トランスにおいて、中心に負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に正側コイル１４を配置するように同軸巻きされたコイルユニット、または、中心に正側コイル１４を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に負側コイル１６を配置するように同軸巻きされたコイルユニットを、磁心上に配置したことを特徴とする溶接トランス。

　〈構成６〉
　構成５に記載の溶接トランスにおいて、中心に負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットと、中心に正側コイル１４を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットとを、磁心上に磁心の軸方向に交互に隙間なく配列したことを特徴とする溶接トランス。

　〈構成７〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される溶接トランスであって、平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、前記環状磁心２５の平行部２５ａに、複数の部分に分けて間隙１２ａを空けて分割巻きされる１次コイル１２と、前記１次コイル１２と共に環状磁心２５の平行部２５ａに巻回され、前記１次コイル１２に設けられた前記各間隙１２ａに１個ずつ挟み込むように、複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６とを交互に配列した２次コイル１４，１６と、前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６との端子間を電気接続する導体群が設けられ、かつ、前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２が設けられ、前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８とを備えていることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成８〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される溶接トランスであって、この２次コイルは正側コイル１４と負側コイル１６とを含んで構成され、平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、中心に前記負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に前記正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットと、中心に前記正側コイル１４を配置し、その上に前記１次コイル１２を配置し、最外周に前記負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットとを、前記環状磁心２５の平行部２５ａに交互に隙間なく配列したコイルユニット配列体と、前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６の端子間を電気接続をする導体群を有し、かつ、前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２を備え、前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８とを備えていることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成９〉
　構成７または８に記載の溶接トランスにおいて、前記接続基体６２は中空部を有し、この中空部は冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成１０〉
　構成９に記載の溶接トランスにおいて、前記正側コイル１４と負側コイル１６と前記接続基体６２とは、いずれも、中空部を有し、各中空部は配管に連結されて、冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成１１〉
　構成７に記載の溶接トランスにおいて、前記接続基体６２は、前記１次コイル１２の間隙１２ａに前記正側コイル１４と負側コイル１６を１個ずつ挟み込んだ状態のコイル群の２側面を支持するように、断面Ｌ字状に形成されていることを特徴とする溶接トランス。

　〈構成１２〉
　構成１乃至１１のいずれかに記載の溶接トランスを２台以上組み合わせた溶接トランス組体。

　〈構成１３〉
　構成１２に記載の溶接トランス組体であって、各溶接トランスの前記環状磁心２５の平行部２５ａが互いに平行になり、前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な面を突き合わせ、前記各溶接トランスの各第３極板３８に連結した各プラス電極２２を共通プラス電極６４により連結固定し、前記各溶接トランスの各マイナス電極を共通マイナス電極６６により連結固定したことを特徴とする溶接トランス組体。

　〈構成１４〉
　構成１２に記載の溶接トランス組体であって、前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な２個の側面以外の面に、プラス電極２２、マイナス電極２４、第３極板３８及び冷媒供給口７４を配置したことを特徴とする溶接トランス組体。

　〈構成１５〉
　構成１乃至１１のいずれかに記載の溶接トランスを備えた溶接装置。

　〈構成１６〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置であって、溶接制御電源装置と溶接トランスと抵抗溶接機本体と溶接条件データベースを記憶した記憶装置とを備え、前記抵抗溶接機本体は、重ね合せた溶接材を加圧して溶接電流を流す一対の電極と、これらの電極に所望の加圧力を与える機構を備え、前記溶接制御電源装置は、前記記憶装置に記憶された溶接条件データベースから、溶接電流のレベルと供給タイミングを指定するデータを読み出して、前記一対の電極を介して前記溶接材に溶接電流を供給するためのものであって、溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、前記溶接制御電源装置は、前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とするように、前記溶接電流を制御することを特徴とする溶接装置。

　〈構成１７〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置であって、抵抗溶接機本体と溶接トランスと溶接制御電源装置と記憶装置とを備え、前記抵抗溶接機本体は、重ね合せた溶接材を加圧して溶接電流を流す一対の電極と、これらの電極に所望の加圧力を与える機構を備え、前記溶接トランスは、平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、前記環状磁心２５の平行部２５ａに、複数の部分に分けて間隙１２ａを空けて分割巻きされる１次コイル１２と、前記１次コイル１２と共に環状磁心２５の平行部２５ａに巻回され、前記１次コイル１２に設けられた前記各間隙１２ａに１個ずつ挟み込むように、複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６とを交互に配列した２次コイル１４，１６と、前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６との端子間を電気接続する導体群が設けられ、かつ、前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２が設けられ、前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８とを備え、前記溶接制御電源装置は、前記記憶装置に記憶された溶接条件データベースから、溶接電流のレベルと供給タイミングを指定するデータを読み出して、前記一対の電極を介して前記溶接材に溶接電流を供給するためのものであって、溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、前記溶接制御電源装置は、前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とするように、前記記憶装置が保有するデータに依拠して、前記溶接電流を制御するように構成され、前記記憶装置は、前記溶接制御電源装置における溶接の制御態様を規定する溶接条件データベースを記憶したものであることを特徴とする溶接装置。

　〈構成１８〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置であって、抵抗溶接機本体と溶接トランスと溶接制御電源装置と記憶装置とを備え、前記抵抗溶接機本体は、重ね合せた溶接材を加圧して溶接電流を流す一対の電極と、これらの電極に所望の加圧力を与える機構を備え、前記溶接トランスは、その２次コイルが正側コイル１４と負側コイル１６とを含んで構成され、平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、中心に前記負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に前記正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットと、中心に前記正側コイル１４を配置し、その上に前記１次コイル１２を配置し、最外周に前記負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットとを、前記環状磁心２５の平行部２５ａに交互に隙間なく配列したコイルユニット配列体と、前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６の端子間を電気接続する導体群を有し、かつ、前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２を備え、前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８と、を備え、前記溶接制御電源装置は、前記記憶装置に記憶された溶接条件データベースから、溶接電流のレベルと供給タイミングを指定するデータを読み出して、前記一対の電極を介して前記溶接材に溶接電流を供給するためのものであって、溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、前記溶接制御電源装置は、前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とするように、前記記憶装置が保有するデータに依拠して、前記溶接電流を制御するように構成され、前記記憶装置は、前記溶接制御電源装置における溶接の制御態様を規定する溶接条件データベースを記憶したものであることを特徴とする溶接装置。

　〈構成１９〉
　構成１７または１８に記載の溶接装置において、前記溶接トランスは、前記接続基体６２は中空部を有し、この中空部は冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接装置。

　〈構成２０〉
　構成１９に記載の溶接装置において、前記溶接トランスは、前記正側コイル１４と負側コイル１６と前記接続基体６２とは、いずれも、中空部を有し、各中空部は配管に連結されて、冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接装置。

　〈構成２１〉
　構成１７または１８に記載の溶接装置において、前記溶接トランスは、前記接続基体６２は、前記１次コイル１２の間隙１２ａに前記正側コイル１４と負側コイル１６を１個ずつ挟み込んだ状態のコイル群の２側面を支持するように、断面Ｌ字状に形成されていることを特徴とする溶接装置。

　〈構成２２〉
　構成２１に記載の溶接装置において、各溶接トランスの前記環状磁心２５の平行部２５ａが互いに平行になり、前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な面を突き合わせ、前記各溶接トランスの各第３極板３８に連結した各プラス電極２２を共通プラス電極６４により連結固定し、前記各溶接トランスの各マイナス電極を共通マイナス電極６６により連結固定した溶接トランス組体を成していることを特徴とする溶接装置。

　〈構成２３〉
　構成２２に記載の溶接装置において、前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な２個の側面以外の面に、プラス電極２２、マイナス電極２４、第３極板３８及び冷媒供給口７４を配置した溶接トランス組体を成していることを特徴とする溶接装置。

　〈構成２４〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される抵抗溶接方法であって、溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下としたことを特徴とする抵抗溶接方法。

　〈構成２５〉
　構成２４に記載の抵抗溶接方法において、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２と温度維持制御期間Ｔ３の和の（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）時間は、５０ミリ秒以下としたことを特徴とする抵抗溶接方法。

　〈構成２６〉
　構成２４に記載の抵抗溶接方法において、前記立ち上げ制御期間Ｔ１は５ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２と温度維持制御期間Ｔ３の和の（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）時間は２０ミリ秒以下としたことを特徴とする抵抗溶接方法。

　〈構成２７〉
　構成２５または２６に記載の抵抗溶接方法において、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の間に、溶接部温度が融点以上であって、許容値以下の温度に達する最大の溶接電流を供給し、その後、適切なサイズのナゲットが形成されるまで、溶接電流を漸減させることを特徴とする抵抗溶接方法。

　〈構成２８〉
　構成２７に記載の抵抗溶接方法において、前記ピークレベル制御期間Ｔ２経過後の溶接電流値から、前記電流遮断時刻ｔ３における溶接電流の終了値まで、溶接電流を段階的に漸減することを特徴とする抵抗溶接方法。

　〈構成２９〉
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される抵抗溶接方法であって、溶接電流が通電開始から５ミリ秒以内で最大値になるように溶接初期の溶接電流を制御し、前記溶接電流の通電開始から５０ミリ秒以下の通電時間で溶接を終了することを特徴とする抵抗溶接方法。

　上記の各構成毎に、それぞれ次のような効果がある。
　〈構成１の効果〉
　正側導体３０と負側導体３２とを絶縁層を介して密着させ、正側コイル１４と負側コイル１６との間に１次コイル１２を挟むように配置したので、２次回路の転流時のインダクタンスを低減して、転流時間を短くし、高い周波数のインバータ制御が可能になる。
　〈構成２の効果〉
　１次コイルと２次側の正側コイルと負側コイルとを分割巻きして、１次２次コイル間の結合を良くし、２次側の大電流による磁気飽和を防止できる。
　〈構成３の効果〉
　１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６との関係がどの場所でも均等で互いに密接して配置させることができる。
　〈構成４の効果〉
　大電流を流す正側コイル１４と負側コイル１６をいずれも単純なワンターンコイルにして、インダクタンスも極小にし、分割巻きをし易くした。
　〈構成５と６の効果〉
　負側コイル１６と１次コイル１２と正側コイル１４とを同軸巻きしても、上記の構成と同様の効果を得ることができる。
　〈構成７の効果〉
（１）正側導体３０と負側導体３２とを絶縁層を介して密着させ、正側コイル１４と負側コイル１６との間に１次コイル１２を挟むように配置したので、２次回路の転流時のインダクタンスを低減して、転流時間を短くし、高い周波数のインバータ制御が可能になる。
（２）複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６との間に分割巻きされた１次コイル１２の各部を挟むように配置したので、トランス全体の熱分布が均一になる。
（３）１次コイルと２次側の正側コイルと負側コイルとを分割巻きして、１次２次コイル間の結合を良くし、２次側の大電流による磁気飽和を防止できる。
（４）１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６との関係がどの場所でも均等で互いに密接して配置させることができる。
　〈構成８の効果〉
　接続基体６２の中空部に冷媒が供給されて、正側コイル１４や負側コイル１６を冷却する。複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６との間に分割巻きされた１次コイル１２の各部を挟むように配置したので、正側コイル１４と負側コイル１６によって１次コイル１２を含むトランス全体を効率よく冷却できる。
　〈構成９と１０の効果〉
　正側コイル１４と負側コイル１６と接続基体６２とが冷媒により十分に冷却される。
　〈構成１１の効果〉
　断面Ｌ字状に形成された接続基体６２により強度が向上し、冷却効率も良くなる。
　〈構成１３と１４の効果〉
　接続基体６２の一方の側に、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６を配置し、接続基体６２の他方の側に、電気接続のための極板や整流素子を配置したので、全体をコイル部分の厚みに納めることができる。従って、複数の溶接トランスを共通プラス電極６４及びまたは共通マイナス電極６６により連結して、任意の大容量の溶接トランスを組み立てることができる。
　（構成１６～１８の効果）
　通電時間を大幅に短縮しても良好な溶接を可能にし、溶接トランスの小型化による溶接装置全体としての小型化、電極の耐久性、冷却装置の簡素化等による生産性の飛躍的な向上と省エネルギーを実現できる。
　〈構成２４の効果〉
　溶接初期の溶接電流を短時間で立ち上げると、従来と比較して大幅に供給電力量の節約ができる。
　〈構成１５の効果〉
　溶接初期の溶接電流を短時間で立ち上げると、ナゲット形成のための時間がより短縮できる。
　〈構成２６の効果〉
　材料の性質によるが、合計の溶接時間をきわめて短時間に圧縮できる。
　〈構成２７の効果〉
　全体として溶接時間を短縮すると溶接電流の制御が難しくなるが、初期に最大の溶接電流を供給して溶接電流を漸減させる方法によれば、比較的制御が容易になる。
　〈構成２８の効果〉
　溶接電流を段階的に漸減することにより、精度の高い溶接温度の管理が可能になる。
　〈構成２９の効果〉
　通電時間を大幅に短縮しても良好な溶接をすることができる。したがって、溶接トランスの小型化、電極の耐久性、冷却装置の簡素化等による生産性の飛躍的な向上と省エネルギーを実現できる。

本発明で採用する溶接装置の電源回路の結線図である。整流素子１８に順方向電流が流れたときの回路動作を示す結線図である。整流素子２０に順方向電流が流れたときの回路動作を示す結線図である。（ａ）はトランスの１次側に供給される電流をインバータで制御するための制御パルス、（ｂ）は１次電流、（ｃ）は整流後の溶接電流を示す。実験例の分解斜視図と側面図である。転流時間中におけるトランスの２次回路の電流を示す説明図である。本発明で使用する１次コイルと２次コイルおよび磁心の一例を示す斜視図である。本発明の溶接トランスの実施例における主要部を示す分解斜視図と側面図である。図８の実施例における１次コイルと正側コイルと負側コイルの位置関係を示す説明図である。１次コイルと正側コイルと負側コイルと磁心の関係を示す説明図である。２次コイルの結線例を示す斜視図である。実施例１の溶接トランス１０の更に実際的な構成を示す分解斜視図である。正側コイル１４と負側コイル１６と接続基体６２の斜視図である。第１連結極板４４と第２連結極板４６と第３連結極板４８等の分解斜視図である。接続基体６２に各極板を固定した後の状態を示す斜視図である。整流素子１８や整流素子２０を取り付ける直前の状態を示す分解斜視図である。ほぼ組み立てを完了した溶接トランスの斜視図である。プラス電極とマイナス電極を取り付けた状態の溶接トランスの斜視図である。図１８に示した溶接トランスを２個組み合わせた溶接トランス組体の斜視図である。正側コイル１４と負側コイル１６と接続基体６２の関係を示す側面図である。実施例４の１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６の斜視図である。整流素子の配置の変形例を示す主要部斜視図である。抵抗溶接装置の溶接部の主要部側面図である。本発明に係る溶接装置のブロック図である。溶接装置の一例を示す回路図である。抵抗溶接方法による溶接電流の時間変化と電流の流れに伴う電極変位量を示す説明図である。溶接電流供給開始から１５ｍｓｅｃ後のナゲットの状態を示す溶接部主要部断面図である。鋼板２枚を重ねて通電時間４０ｍｓｅｃで溶接を行った事例を示す説明図である。本発明と従来方法のナゲット径と引張強度を測定した事例の比較説明図である。本発明と従来方法の溶接エネルギーを測定した事例の比較説明図である。本発明と従来の溶接方法による溶接部の中心部の温度変化を比較した説明図である。ナゲット周辺の温度分布例を比較した説明図である。実施例７の溶接電流制御方法の説明図である。冷間圧延鋼板をピーク電流値Ｃ１が１４０００Ａ加熱終了時電流値Ｃ２が１００００Ａで制御した結果説明図である。ステンレス板をピーク電流値Ｃ１が１４０００Ａ加熱終了時電流値Ｃ２が１００００Ａで制御した結果説明図である。溶接トランスの具体的な動作を説明する説明図である。

　図１は、本発明で採用する溶接装置の電源回路の結線図である。
　溶接トランス２６の１次コイル１２には、後で図４を用いて説明する１次電流が供給される。整流回路は、単相全波整流式を採用する。この回路自体は良く知られている。２次コイル自体に極性を考慮する必要はないが、便宜上、２次コイルを、正側コイル１４と負側コイル１６とを直列接続したものと呼ぶことにする。正側コイル１４の一端に整流素子１８の一端を接続し、負側コイル１６の一端に整流素子２０の一端を接続し、整流素子１８の他端と整流素子２０の他端をまとめてプラス電極２２に接続する。正側コイルの他端と負側コイルの他端は接続点を介して連結しているが、この接続点をマイナス電極２４に接続する。プラス電極２２とマイナス電極２４が溶接機２８に接続されている。

　図２は、整流素子１８に順方向電流が流れたときの回路動作を示す。図３は整流素子２０に順方向電流が流れたときの回路動作を示す。
　回路動作上問題になる等価的なインダクタンス成分を図２と３に書き加えた。即ち、正側コイル１４と整流素子１８を接続する正側導体３０と、負側コイル１６と整流素子２０を接続する負側導体３２、及び溶接機２８内部の導体のインダクタンスが、溶接装置の性能に影響を及ぼすと考えられる。その詳細は後で説明する。

　溶接トランス２６や溶接機２８に発生する大量の熱の発生を抑制することができれば、溶接装置の省エネルギー化を図ることができる。従来よりも大電流を短時間溶接部に供給するように制御して、溶接時間を短縮すれば、大きな節電効果が期待できる。
　一方、溶接される材料や構造等に最適な溶接電流を供給するためには、溶接電流の供給時間をきわめて高精度に制御しなければならない。
　このために、溶接電流を供給するトランスの１次側にインバータを接続して、ＰＷＭ制御により溶接電流の大きさと供給時間とを制御することが行われている。

　図４の（ａ）はトランスの１次側に供給される電流をインバータで制御するための制御パルス、図４の（ｂ）は１次電流、図４の（ｃ）は整流後の溶接電流を示す。
　図示しないインバータにより制御された幅Ｗのパルスが、一定時間Ｈ内に一定回数、ここでは正方向のパルスと負方向のパルスとで合計１０回、１次コイルに供給される。その結果、トランスの１次コイル１２（図１）には、図４の（ｂ）に示すような電流が流れる。トランスの２次側で全波整流をして、図４の（ｃ）に示すような溶接電流を発生させる。

　図４の（ａ）に示したパルスの幅Ｗを増減すると溶接電流を調整できる。バルスの供給回数を増減すれば溶接時間を調整できる。このパルスの繰り返し周波数を高くすると、溶接時間をより細かく微調整できる。１次コイルに供給する電力を増やせば、２次コイルからより大きな溶接電流を取り出せる。

　従来の溶接装置は、例えば、１万アンペアで２００ｍ秒～７００ｍ秒の溶接電流を供給するようにしていたが、溶接電流をその２倍の２万アンペアにしてみる。溶接装置は、溶接部以外の場所で熱エネルギーになって消費される電力損失がきわめて大きい。一方、溶接電流を２倍にしても、溶接時間を１０分の１に短縮すると、消費電力を５分の１にすることができる。これで、従来の１万アンペアでの溶接と同等の溶接品質が可能になる。

　一方、溶接トランスの１次側に供給される電流をインバータで制御するための制御パルスは、従来、繰り返し周波数が１ｋＨｚ程度のものを使用していた。しかしながら、大電流を短時間供給するには、もっと分解能の高い制御パルスが必要になる。望ましくは、繰り返し周波数が５ｋＨｚ～５０ｋＨｚ程度のパルスを使用することが望ましい。

　このように、従来の数倍から数十倍の高い繰り返し周波数の制御パルスでインバータを駆動することによって溶接トランスの１次コイルの電流を制御した場合に、従来構造の溶接トランスでは、予定した溶接電流が得られないことがわかった。即ち、このような制御で２次コイルから大電流を出力するためには、トランスの構造に様々な改善が要求される。

　図１に示すような２個の整流素子１８、２０を使用した全波整流型の２次回路は、ブリッジを使用した回路に比べて整流素子数が少なく、小型化できて電力損失も少ないため、溶接装置に適することが知られている。

　しかしながら、この回路では、１次コイル１２に流れる電流の極性反転によって、２次コイルに誘起される電圧が極性反転したとき、一方の整流素子を通じて供給されていた負荷電流が他方の整流素子側に流れを変える転流が生じる。

　溶接電流が大電流になると、回路各部のインダクタンスに蓄積された電流エネルギーは非常に大きくなる。この電流エネルギーが一方の整流素子から他方の整流素子の側に移る転流時間は、図２や図３に示した２次コイルの各部のインダクタンスが大きいほど長くなる。

　図４の（ｂ）に示した１次コイルの電流の立ち下がり開始から反対極性の電流の立ち上がり終了までの時間Ｍの間に２次回路の転流が完了しないと、２次電流の立ち上がりが遅れて、図４の（ｃ）に破線で示すように、予定した溶接電流が得られなくなる。

　図５は実験例の分解斜視図と側面図である。
　図５の（ａ）も（ｂ）も、左側に分解斜視図を示し、右側に組み立て後の側面図を示した。図５（ａ）の例では、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６とが図示しない磁心に巻回されている。大電流を取り出せるように、内部に冷却水を供給する中空構造を採り、正側導体３０や負側導体３２は、厚い銅板で構成している。正側導体３０と負側導体３２とが薄い絶縁層３１を挟んで重ね合わされたブロックの両側に整流素子１８、２０が配置される。さらに、このように配置される整流素子１８、２０を、同極性である各外面から第１極板３４と第２極板３６とで挟むようにしている。第１極板３４と第２極板３６は第３極板３８により電気接続され、第３極板３８にプラス電極２２が固定される。正側コイル１４と負側コイル１６の接続点には図示しない銅板を接続してマイナス電極２４（図１、図２、図３）を取り付ける。

　図５（ｂ）の例では、正側コイル１４と負側コイル１６との間に１次コイル１２を挟むように配置した。この構造では、正側導体３０と負側導体３２との間に第３極板３８を配置した。そして、第３極板３８と正側導体３０の間に整流素子１８を挟んだ。また、第３極板３８と負側導体３２との間に整流素子２０を挟んだ。第３極板３８にプラス電極２２が固定される。正側コイル１４と負側コイル１６の接続点には図示しない銅板を接続してマイナス電極２４（図１、図２、図３）を取り付ける。

　図６は、転流時間中におけるトランスの２次回路の電流を示す説明図である。
　この図を用いて、上記の実験例の検証をする。図６は、２次コイルを構成する正側コイル１４と負側コイル１６の結線を立体的に表示したもので、両者の位置関係も意識して説明する。正側コイル１４と負側コイル１６とは連続した磁心（図示しない）上に巻回されており、正側導体３０と負側導体３２とは側方に引き出されて整流素子１８や整流素子２０に接続される。

　転流時間中には、正側導体３０にＣ１、正側コイル１４にＣ２、負側コイル１６にＣ３、負側導体３２にＣ４の方向の電流が流れる。この状態は正側コイル１４に直前までＣ１と反対方向に電流が流れており、転流が開始されると、正側コイル１４に蓄積された電流エネルギーが負側コイル１６の方向に放出されるところを示している。正側コイル１４には、整流素子１８方向から電流が流れ込まないので、蓄積されたエネルギーが放出されるとＣ１方向の電流は消滅する。これで転流が終了する。

　図５（ａ）の実験例では、ほぼ同一形状の正側導体３０と負側導体３２とを薄い絶縁層３１を介して密着させている。このような構造にすると、図６に示したように、正側導体３０と負側導体３２の電流の向きが反対だから、磁束が相互に打ち消しあって、両者のインダクタンスが相殺される。即ち、正側導体３０と負側導体３２のインダクタンスが見かけ上極小になる。従って転流時間をより短縮できる。

　ところが、図５（ａ）に示すように正側コイル１４と負側コイル１６とを密着させて配置すると、図６に示すように、正側コイル１４と負側コイル１６にＣ２とＣ３方向に流れる電流に対して、これらのコイルのインダクタンスが大きく影響することがわかった。即ち、正側コイル１４と負側コイル１６のインダクタンスが転流時間を遅らせることが分かった。

　また、図５（ａ）の構造の場合に、正側コイル１４に負荷電流が流れている状態と、負側コイル１６に負荷電流が流れている状態とでは、１次コイル１２との磁気的結合の程度が異なる。負側コイル１６に負荷電流が流れている状態では漏れ磁束が増大する。このような磁気的結合のアンバランスは異常電流を引き起こし易い。

　さらに、高い繰り返し周波数のパルスを１次コイルに供給すると、１次コイルの電流の立ち下がり開始から反対極性の電流の立ち上がり終了までの時間Ｍが短くなるので、急激な磁束変化により磁心が磁気飽和を生じやすい。正側コイル１４と負側コイル１６とを近接配置すると、２次コイルに流れる大電流による磁束が２次コイル付近に集中して、磁気飽和を生じやすい。

　一方、図５（ｂ）に示すように、１次コイル１２を正側コイル１４と負側コイル１６とで挟む構造を採用すると、１次コイル１２と正側コイル１４の位置関係は、１次コイル１２と負側コイル１６の位置関係と同じになり、磁気的結合のアンバランスを生じない。また、正側コイル１４と負側コイル１６の間に１次コイル１２を挟むことにより、正側コイル１４と負側コイル１６との間の距離を離して、転流時間中に流れる電流に対するインダクタンスを小さくできる。また、図５（ａ）の構造に比べて磁気飽和を生じにくい。しかしながら、図５（ｂ）の例では、正側導体３０と負側導体３２の間の距離が離れているから、正側導体３０と負側導体３２のインダクタンスが図５（ａ）の例よりも大きくなる。

　図７は本発明で使用する１次コイルと２次コイルおよび磁心の一例を示す斜視図である。
　本発明は、上記の実施例等を考慮して、トランスの部分の構造を次のように改良した。
　まず、１次コイル１２は、例えば、図７の（ａ）に示すように、平角絶縁線を磁心を軸にして多層に巻き付けたものを使用する。２次コイルには、銅板をＣ字状に切削加工したワンターンコイルを２個直列接続して使用する。（ｂ）が正側コイル１４で（ｃ）が負側コイル１６である。これらは（ｄ）に示したような磁心２５に巻き付けられる。

　この磁心２５は、平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状のものである。磁気抵抗を低くしてトランスの効率を上げている。また、あとで説明するように、磁心２５の平行部２５ａに１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６とを隙間なく配列して、漏れ磁束を最小にしている。

　図７（ｅ）は、コイル群を電気接続する接続基体６２の導体群構造の一例を示す。図の例では、正側コイル１４および負側コイル１６が、破線に示すように内部に中空部を有する。これらは、例えば、中空パイプを成形して製造される。導体７８と導体８２と導体９０とは、正側コイル１４と負側コイル１６とを電気接続するための接続基体６２を構成する。また、これら導体７８、導体８２、および、導体９０には、それぞれ図示しない中空部が形成され、それらの中空部を通して冷媒を流すことができる。導体７８には、正側コイル１４と同数の突起７６が設けられている。導体８２には、負側コイル１６と同数の突起８０が設けられている。導体９０には、正側コイル１４と負側コイル１６の接続点の数と同数の枝８８と、突起８４と、突起８６とが設けられている。なお、各枝８８にも導体９０内の中空部と連通する中空部が形成されている。

　各突起はパイプ状の導体で、各導体の壁面に固定されている。全ての正側コイル１４の一端に突起７６が接続される。即ち、突起７６と導体７８とは、中空部を通じて冷却水等の冷媒を各コイルに供給する機能と、正側コイル１４の一端を電気的に並列接続する機能を持つ。

　全ての負側コイル１６の一端に突起８０が接続される。即ち、突起８０と導体８２とは、中空部を通じて冷却水等の冷媒を各コイルに供給する機能と、負側コイル１６の一端を電気的に並列接続する機能を持つ。

　全ての正側コイル１４の他端（上記接続点側）に突起８６が接続される。全ての負側コイル１６の他端（上記接続点側）に突起８４が接続される。枝８８は、正側コイル１４の他端と負側コイル１６の他端を電気接続する。全ての枝８８は導体９０と一体化されている。そして、突起８４、突起８６，枝８８および導体９０は、既述の中空部を通じて冷却水等の冷媒を各コイルから排出する機能を有する。同時に、突起８４、突起８６，枝８８および導体９０は、正側コイル１４と負側コイル１６の接続点を、電気的に並列接続する機能を持つ。なお、突起８４、突起８６，枝８８および導体９０には、既述のような中空部に替えて、冷媒の流通を可能にするパイプなど適宜の流路を設けてもよい。

　接続基体６２を構成する導体７８と導体８２と導体９０とは、絶縁塗料等が被覆された状態で一体化される。その状態を図８に示した。一方、さらに導体７８と導体８２と導体９０と各コイルとの接触面積を広げて、冷却効率を高めるように、接続基体６２の形状を直方体に近づけることができる。そのような例を図１２以下に示した。

　図８は、本発明の溶接トランスの実施例１における主要部を示す分解斜視図と側面図である。
　図の例では、正側コイル１４と負側コイル１６とで１次コイル１２を左右から挟んだペアを３組ずつ、合計６組使用して、２列構成のコイル群を形成する。この場合、正側コイル１４と負側コイル１６とのペアによって挟まれた各コイルは、分割巻きにより構成した１次コイル１２の各部分である。図が煩雑になるので、２列目のコイル群は破線で表示した。また、磁心５も破線で表示した。

　分割巻きした１次コイル１２は全て直列接続してもよいし全部または一部を並列接続してもよい。複数の正側コイル１４は全て並列接続してもよいし全部または一部を直列接続してもよい。複数の負側コイル１６は全て並列接続してもよいし全部または一部を直列接続してもよい。

　また、正側コイル１４と負側コイル１６の数を適宜増やしてよい。複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６とは直列接続される。正側コイル１４の一端は第１連結極板４４を介して正側導体３０に電気接続される。負側コイル１６の一端は第２連結極板４６を介して負側導体３２に電気接続される。正側コイル１４の他端と負側コイル１６の他端は第３連結極板４８に電気接続される。第３連結極板４８はマイナス電極２４に接続される。

　なお、第１連結極板４４と第２連結極板４６と第３連結極板４８とは、いずれも、環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びている。換言すれば、正側コイル１４と１次コイル１２と負側コイル１６の配列方向に長い導体を使用している。これにより、コイル群と接続基体６２と連結導体群とが同じ方向に長い長方形の枠内に収まる。そして、接続基体６２の一方の面側にコイル群を支持固定している。さらに、正側導体３０と負側導体３２とは、接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面を有する形状にしたので、接続基体６２の一方の面側も他方の面側も同じ厚さの直方体の中に収まる。従って、後で図１８等を用いて説明するように、扁平でコンパクトな形状にできる。

　正側導体３０と負側導体３２とはそれらの間に絶縁層３１を密着するように挟んで重ね合わされてブロック体を成している。このブロック体の左右両側に整流素子１８、２０を配置して、さらにその外側を第１極板３４と第２極板３６で挟む。第１極板３４と第２極板３６は第３極板３８により電気接続される。第３極板３８にプラス電極２２が固定される。第１連結極板４４と第２連結極板４６とは、絶縁層３１を介して密着している。これらの薄い絶縁層３１は、例えば、絶縁塗料含浸層のような薄い絶縁層である。

　既述のように、接続基体６２は、複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６と、第１連結極板４４、第２連結極板４６および第３連結極板４８の間の電気接続を得るために配置されている。接続基体６２の上面に設けられた複数の突起は、正側コイル１４や負側コイル１６の端部と電気接続される。図示の実施例では、これらの突起が筒状になっており、これらの突起を通じて冷却水が正側コイル１４や負側コイル１６の中空部を流れる。

　この接続基体６２の導体構造は、同等の結線ができるものであれば任意に設計できる。特に、接続基体６２は、複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６に直結しているから、中空構造にして冷却すれば、正側コイル１４や負側コイル１６や１次コイルを強力に冷却できる。正側コイル１４や負側コイル１６も、中空構造の銅板により構成することができる。

　上記の構造によれば、第１連結極板４４と第２連結極板４６とを近接配置し、かつ、正側導体３０と負側導体３２とを近接配置したので、転流時間における正側導体３０と負側導体３２のインダクタンスを極小にできる。また、正側コイル１４と負側コイル１６との間の距離を離したので、転流時間における正側コイル１４と負側コイル１６のインダクタンスを低下させることができる。従って、溶接トランスの２次側における転流時間を効果的に短縮することができる。このため、溶接トランスの一次側におけるインバータの駆動周波数を高めてパルス状の１次電流の繰り返し周波数が５ｋＨｚ～５０ｋＨｚ程度にまで及ぶような高い分解能での制御が可能になる。

　また、正側コイル１４と負側コイル１６との間に１次コイル１２を配置したので、１次コイル１２と正側コイル１４や負側コイル１６との間の磁気的結合のバランスが良く、安定で良好な溶接電流が得られる。さらに、同相の大電流の流れるワンターンコイルを並列接続して構成した正側コイル１４と負側コイル１６とを離すことにより、適度な磁束漏れを生じるため、双方のコイルを近接して配した場合に比し、磁心２５の磁気飽和も起こり難くすることができる。

　図９は、図８の実施例における１次コイルと正側コイルと負側コイルの位置関係を示す説明図である。この図９では、コイル群（１２，１４，１６）を正面から見た状態を示し、正側導体３０や負側導体３２等は側面から見た状態を示している。
　この装置は、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６との密着が良く、バランスも最適に構成されている。図９（ａ）に示すように、上から順に、正側コイル１４、１次コイル１２、負側コイル１６、１次コイル１２、正側コイル１４、１次コイル１２・・というように、各コイルが配列されている。

　複数の正側コイル１４は全て並列接続されて、一端が正側導体３０に接続されているものとする。また、負側コイル１６も全て並列接続されて、一端が負側導体３２に接続されているものとする。接続基体６２が、これらを電気接続している。
　図９（ｂ）は、正側コイル１４の電流が溶接機側に供給されるときの、電流が有効に流れる部分のみを図示したものである。
　図９の（ｃ）は、負側コイル１６の電流が溶接機側に供給されるときの、電流が有効に流れる部分のみを図示したものである。

　図９（ｂ）を見てわかるように、どの１次コイル１２もいずれかの正側コイル１４に密着している。また、図９（ｃ）を見てわかるように、どの１次コイル１２もいずれかの負側コイル１６に密着している。これは、磁心上の全ての場所で、正側コイル１４と負側コイル１６とが、分割された１次コイル１２を挟むように配置されているからである。

　これにより、１次コイル１２と正側コイル１４との磁気的結合も、１次コイル１２と負側コイル１６との磁気的結合も良好で、正側コイル１４と負側コイル１６とが完全に均衡をとれている。

　図１０は、１次コイルと正側コイルと負側コイルと磁心の位置関係を示す説明図である。
　図のように、磁心２５はその両端にＵ字状の湾曲部２５ｂを備えており、湾曲部２５ｂは露出しているが、平行部２５ａには、隙間なくコイル群が巻回されている。これにより、漏れ磁束の減少と小型化を図っている。ここで、図１０（ａ）は、２列のコイル群の構造も配列も全く同一にしている。即ち、左から順に、正側コイル１４、１次コイル１２、負側コイル１６の順にコイルが配列されている。

　一方、図１０（ｂ）は、一方の例は左から順に、正側コイル１４、１次コイル１２、負側コイル１６の順にコイルが配列され、他方の列は左から順に、負側コイル１６、１次コイル１２、正側コイル１４の順にコイルが配列されている。それぞれ、生産性、磁気特性、接続基体６２の構成等に一長一短がある。全体のサイズやコイル数等に応じて、最適な構成を選択するとよい。

　また、磁心２５のループに沿って正側コイル１４と負側コイル１６の配列を調べてみたとき、図１０（ａ）は磁心２５の両端に、正側コイル１４が２個隣接した部分と、負側コイル１６が２個隣接した部分がある。いずれも、間に１次コイル１２を挟んでいない。図１０の（ｂ）では、磁心２５の両端に、正側コイル１４と負側コイル１６とが隣接した部分がある。ここも、１次コイル１２を挟んでいない。このように、一部に、他の部分に比べて特性が劣る部分が含まれていても構わない。正側コイル１４と１次コイル１２と負側コイル１６をこの順に配置した場所を全体として多く設けることにより目的を達成できる。

　図１１は、２次コイルの結線例を示す斜視図である。
　図１１の（ａ）は図１０の（ａ）の実施例の結線を示し、図１１の（ｂ）は図１０（ｂ）の実施例の結線を示す。
　図１１の（ａ）の場合には、図の手前から、直列接続された正側コイル１４と負側コイル１６とのペア３組がそれらの中心軸の方向に順次整列して配置されている。そして、各ペアの正側コイル１４の一端が第１連結極板４４に接続され、負側コイル１６の一端が第２連結極板４６にそれぞれ接続されている。図１１の（ａ）の結線は、図７の（ｅ）を参照して既述のような導体の配置と接続によって実現される。

　図１１の（ｂ）の場合は、正側コイル１４と負側コイル１６とがそれらの中心軸が平行になるように左右に並んでペアをなすように配置されている。そして、これら左右に並んだ正側コイル１４と負側コイル１６とのペア４組が、それらの中心軸に沿う方向に、順次左右の関係が入れ替わって整列するように配置されている。電気的な接続関係に着目すると、正側コイル１４と負側コイル１６との各一端が、第１連結極板４４と第２連結極板４６とに対して、一組毎に入れ替わるように接続されて、この結線が実現されている。そして、正側コイル１４と負側コイル１６の接続点は第３連結極板４８に接続されている。

　なお、正側コイル１４と負側コイル１６とは、必ずしも同数でなくて構わない。また、個々のコイルの太さや形状も必ずしも同一でなくて構わない。正側コイル１４（またはコイル群）と負側コイル１６（またはコイル群）とは相互に直列接続される。各コイルと極板との間の結線は、図のように比較的複雑になる。この場合、例えば、図８に示したような導体群を立体的に配置して結線を行うように構成すると、接続基体６２の既述の中空部を通る冷媒の冷却作用によりトランス全体を効果的に冷却することが可能になる。

　各コイルと第１連結極板４４や第２連結極板４６との間の導体の長さは短い。しかし、第１連結極板４４や第２連結極板４６とこれに接続される正側導体３０や負側導体３２はコイルサイズに比べて長い。従って、この部分のインダクタンスが問題になる。そこで、上述したように、正側導体３０と負側導体３２とを近接配置してインダクタンスを極力低減するようにしている。なお、第１連結極板４４や第２連結極板４６は、必然的に近接配置されるが、第３連結極板４８を第１連結極板４４と第２連結極板４６の間に配置しないこともインダクタンスの低減には有効である。

　図１２は、実施例１の溶接トランス１０の更に実際的な構成を示す分解斜視図である。
　正側コイル１４と負側コイル１６とを７組配置する。これらの正側コイル１４と負側コイル１６の間に、１次コイル１２を配置する。１次コイル１２に１次電流を供給するための入力端５８を成す導体部は側方に引き出す。分割巻きされた１次コイル１２は全て直列接続されている。

　１次コイル１２に設けられた各間隙１２ａに正側コイル１４と負側コイル１６を１個ずつ挟み込んだ後で、磁心２５を装着する。磁心２５は２分割されているが、結束バンド６０で結束一体化する。磁心２５の平行部２５ａ全体を覆うように１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６とを配置するので、漏れ磁束が少なくて良好な特性を得る。

　図１３は、正側コイル１４と負側コイル１６と接続基体６２の斜視図である。図１４は、第１連結極板４４と第２連結極板４６と第３連結極板４８等の分解斜視図である。図１５は接続基体６２に各連結極板を固定した後の状態を示す斜視図である。図１６は、整流素子１８や整流素子２０を取り付ける直前の状態を示す分解斜視図である。

　以上の各図を参照しながら、実際の溶接トランスを組み立てる工程を説明する。図１３に示すように、正側コイル１４と負側コイル１６とは、接続基体６２と一部を一体化させて、接続基体６２の一方の面側に支持固定されている。図１３（ａ）において、手前の列には、左から順番に、正側コイル１４、負側コイル１６、正側コイル１４、負側コイル１６、正側コイル１４、負側コイル１６、正側コイル１４が配列されている。後側の列には、左から順番に、負側コイル１６、正側コイル１４、負側コイル１６、正側コイル１４、負側コイル１６、正側コイル１４、負側コイル１６が配列されている。

　接続基体６２の他方の面側には、端子６７と端子６８と端子６９とがそれぞれ一列に並んでいる。端子６７は４個ある。全ての正側コイル１４の一端が、接続基体６２の内部で４個の端子６７のいずれかに接続されている。端子６８は４個ある。全ての負側コイル１６の一端が、接続基体６２の内部で４個の端子６８のいずれかに接続されている。端子６９は４個ある。全ての正側コイル１４と負側コイル１６の接続点が、接続基体６２の内部で４個の端子６９のいずれかに接続されている。４個の端子６７は第１連結極板４４に接続される。４個の端子６８は第２連結極板４６に接続される。４個の端子６９は第３連結極板４８に電気接続される。

　図１４に示す例では、第１連結極板４４は正側導体３０と一体化されている。また、第２連結極板４６は負側導体３２と一体化されている。第１連結極板４４と、第２連結極板４６と、第３連結極板４８は、いずれも、環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた形状をしている。なお、図１３以下の各図の構成部品に描かれた多数の孔は、冷却水等の冷媒を通すためのもので、図示しないパイプを接続して、外部から冷却水等が供給される。また、別の孔から、冷却水等が排出される。

　図１５に示すように、接続基体６２の他方の面側に、第１連結極板４４と第２連結極板４６と第３連結極板４８とを支持固定する。このように固定すると、正側導体３０と負側導体３２とは、接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びた構造になる。なお、接続基体６２の他方の面が一部露出している。ここには、多数の孔が空いている。これらの孔は、接続基体６２の中空部を介して正側コイル１４や負側コイル１６の中空部に冷却水等の冷媒を供給するためのものである。これらの穴から冷媒を供給する冷媒通路となる冷媒供給路７２を図１６に示すように取り付ける。さらに、図１６に示すように、正側導体３０と負側導体３２にそれぞれ整流素子１８と整流素子２０を密着させ、第１極板３４と第２極板３６とで挟む。

　接続基体６２の中空部に冷媒が供給されると、この冷媒によって接続基体６２の冷却が促進され、これにともない、正側コイル１４や負側コイル１６が効果的に冷却される。
　複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６との間に分割巻きされた１次コイル１２の各部を挟むように配置したので、正側コイル１４と負側コイル１６によって１次コイル１２を含むトランス全体を効率よく冷却できる。

　図１７はほぼ組み立てを完了した溶接トランスの斜視図である。図１８は、プラス電極とマイナス電極を取り付けた状態の溶接トランスの斜視図である。
　図のように、溶接トランス１０の接続基体６２のいずれか一方の短辺側に、プラス電極２２とマイナス電極２４を固定している。このように構成することで、接続基体６２の短辺方向の幅を十分に狭くし、後で説明するように、同じ構成の溶接トランスを重ね合わせて連結できる。

　また、第３極板３８とマイナス電極２４には冷媒供給栓７４が取り付けられている。即ち、第３極板３８もマイナス電極２４も中空部を有し、その内部に冷却水等の冷媒が供給される。また、それらの中空部は、配管により、接続基体６２や正側コイル１４や負側コイル１６の中空部に接続されており、溶接トランス全体を冷却できる。プラス電極２２に冷媒供給栓７４を取り付けてもよい。

　図１８において、溶接トランス１０の第３極板３８を固定した面をＰ側の面とし、マイナス電極２４を固定した面をＱ側の面とし、溶接トランス１０に対して第３極板３８と反対側の面をＲ側の面とし、マイナス電極２４と反対側の面をＳ側の面と呼ぶことにする。
　この場合に、第３極板３８は、Ｐ側の面とＱ側の面とＳ側の面のいずれに設けてもよい。また、マイナス電極２４は、Ｐ側の面とＱ側の面とＲ側の面のいずれに設けてもよい。冷媒供給栓７４は、Ｐ側、Ｑ側、Ｓ側、Ｒ側の面のいずれに設けてもよい。

　図１９は、図１８に示した溶接トランスを２個組み合わせた溶接トランス組体１１の斜視図である。
　図の１次コイル１２は、プラス電極２２の部分を共通プラス電極６４で連結し、マイナス電極２４の部分を共通マイナス電極６６で連結している。これにより、２個の溶接トランスを並列接続して、大電流を供給することができる。なお、図１２や図１７や図１８において説明した各導体や極板は、それぞれ独立していても一体化されていても構わない。例えば、第３連結極板４８とマイナス電極２４とは一体化されていてよい。また、第１極板３４と第２極板３６と第３極板３８とプラス電極２２とは、任意の組み合わせで一体化されていてよい。図１４で説明したとおり、第２連結極板４６と負側導体３２、第１連結極板４４と正側導体３０はそれぞれ一体化されていてよい。

　図のように、各溶接トランスの、環状磁心２５の平行部２５ａが互いに平行になり、第３極板３８が最短距離で隣接するように配置した。このとき、各溶接トランスの各第３極板３８が同面側に配置される。この状態で、共通プラス電極６４や共通マイナス電極６６により、溶接トランスを２台以上組み合わせて電気的に、かつ、機械的に連結して使用できる。

　接続基体６２の一方の側に、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６を配置し、接続基体６２の他方の側に、電気接続のための極板や整流素子を配置したので、全体をコイル部分の厚みに納めることができる。なお、共通プラス電極６４や共通マイナス電極６６は、図１８で説明したＰ側、Ｑ側、Ｓ側、Ｒ側の面いずれに設けてもよい。ここで、Ｐ側、Ｑ側、Ｓ側、Ｒ側の面以外の２面を溶接トランスの側面と定義したとき、複数の溶接トランスは、いずれもその側面を対向させて連結されることになる。

　図２０は、正側コイル１４と負側コイル１６と接続基体の関係を示す側面図である。
　上記実施例では、接続基体６２の一方の面に、横並びに正側コイル１４と負側コイル１６とを配置した。これが、図２０の（ａ）の状態である。接続基体６２の他方の面側には、既述のように、正側導体３０と負側導体３２及び、整流素子１８と整流素子２０、第１極板３４と第２極板３６とが順番に重ね合わされている。第１極板３４と第２極板３６とは第３極板３８で連結されている。

　一方、図２０の（ｂ）の実施例（実施例３）では、接続基体６２の一方の面に積み重ねるように、正側コイル１４と負側コイル１６とを配置した。そして、正側コイル１４と負側コイル１６の結線のために、接続基体６２にそれと交差する方向に沿った補助接続基体６３を設けた。このような補助接続基体６３を有する接続基体６２により正側コイル１４と負側コイル１６を結線し、接続基体６２の他方の面側の正側導体３０と負側導体３２に接続する。

　即ち、１次コイル１２が正側コイル１４と負側コイル１６を１個ずつ挟み込んだ状態のコイル群の２側面を支持するように、接続基体６２を補助接続基体６３が連接された断面Ｌ字状に形成する。このような構成でも、溶接トランスを全体として扁平に小型にまとめることができる。また、図１９を参照して説明したとおりに、複数の溶接トランスを重ね合わせて並列接続して使用することができる。また、断面Ｌ字状に形成された接続基体６２により強度が向上し、冷却効率も良くなる。

　図２１は、実施例４における、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６の斜視図である。
　既述の実施例では、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６とを磁心２５上に可能な限り隙間なく配列して、漏れ磁束を無くし、各コイル間の磁気的結合を最適化した。一方、図２１の実施例では、１次コイル１２と正側コイル１４と負側コイル１６とを重ね巻きすることによって、各コイル間の磁気的結合度を高める。

　図２１（ａ）は、中心に負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットである。図２１（ｂ）は、中心に正側コイル１４を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットである。正側コイル１４と負側コイル１６とは、いずれも、１次コイル１２と同じ幅のワンターンコイルである。漏れ磁束を無くして、１次コイルと２次コイルの磁気的結合を高めるためである。図２１（ｃ）と（ｄ）に正側コイル１４と負側コイル１６の斜視図を示す。

　図２１（ａ）に示した第１のコイルユニットと図２１（ｂ）に示した第２のコイルユニットとを図２１（ｅ）に示すように、磁心上に隙間無く配列してコイルユニット配列体を構成している。これにより、磁心の軸方向に配列された隣接するコイル間からの漏れ磁束を最小にできる。また、正側コイル１４と負側コイル１６との間に１次コイル１２を配置したので、正側コイル１４と負側コイル１６との間の磁気的結合を小さくできる。従って、転流時間中に流れる電流に対するインダクタンスを小さくでき、既述の実施例と同様の効果を得る。なお、正側コイル１４と負側コイル１６の特性のアンバランスを問題としない場合には、第１のコイルユニットまたは第２のコイルユニット単体でも実用になる。

　図２１（ａ）と図２１（ｂ）に示したものを交互に配列すると、巻き径の異なる正側コイル１４や負側コイル１６を直列接続し、あるいは並列接続して使用したとき、全体として、各コイルのインダクタンスを平準化できる。また、正側コイル１４と負側コイル１６とが直接隣接しないので、正側コイル１４と負側コイル１６との間の磁気的結合を小さくすることができる。さらに、先の実施例に示した溶接トランスと比較すると、正側コイル１４や負側コイル１６の製造コストを下げることもできる。

　図２２は、整流素子の配置の変形例を示す主要部斜視図である。
　図２２の（ａ）は、図５の（ａ）や図８を参照して既に説明したとおり、正側導体３０と負側導体３２を挟んで整流素子１８と整流素子２０を配置し、さらにその両側に第１極板３４と第２極板３６とを配置している。第１極板３４と第２極板３６とを第３極板３８で連結する。
　一方、図２２の（ｂ）の実施例（実施例５）では、絶縁層３１を挟んで正側導体３０と負側導体３２とを配置して、負側導体３２だけを一方に延長している。その負側導体３２の延長部分に、整流素子２０を配置した。整流素子１８を正側導体３０と第１極板３４とで挟む。整流素子２０を負側導体３２と第２極板３６とで挟む。この例では、第１極板３４と第２極板３６とを、連続した一体構造の導体板により構成した。従って、第１極板３４と第２極板３６とを第３極板３８により接続した構造と見なすことができる。従って、図２２の（ｂ）の実施例も、その電気的特性は図２２の（ａ）の実施例と実質的に等価である。このため、転流時間における正側導体３０と負側導体３２のインダクタンスを極小にでき、既述の実施例と同様の効果が得られる。

　以上の構成の本発明の溶接トランスおよび溶接装置は、電気的に見たときと熱的にみたときとで、それぞれ次のような効果を有する。
（電気的効果）
（１）正側コイル１４と整流素子１８とを電気接続するための第１連結極板４４と第２連結極板４６とを近接配置し、かつ、正側導体３０と負側導体３２とを近接配置することにより、転流時間における２次回路のインダクタンスを極小にして、転流時間を短くすることができる。
（２）磁心上で、２次コイルの正側コイルと負側コイルの間に１次コイルを挟むように配置することにより、２次コイルの正側コイルと負側コイルのインダクタンスによる２次電流の転流時間の遅れを抑制することができる。
（３）大電流の流れる２次コイルを磁心上に分散配置したので、磁心全体に磁束を分散させて、磁気飽和を防止することができる。
（４）従来よりも高い周波数の１次電流制御ができれば、大電流を供給できるトランスを小型化し、冷却効率も高めることが可能になる。

（熱的効果）
　大電流の流れる２次コイルを磁心上に分散配置し、間に１次コイルを挟むことにより、２次コイルの放熱を良くすることができる。大電流を供給するトランスは、１次コイルも２次コイルも発熱する。異常に発熱すると、絶縁体を劣化させる等の障害を発生する。大電流を流す２次コイルは最も激しく発熱するが、中空構造にして内部に冷却水を供給して冷却すれば、１次コイルよりも温度を下げることができる。従って、２次コイルに挟まれた１次コイルも２次コイルを流れる冷却水により冷却される。上記の構造では、効率よく１次コイルを冷却できる。

（構造上の効果）
　接続基体の一方の面側にコイル群を配置し、他方の面側に極板等を配置して、全体として扁平なコンパクトな形状にすることができる。従って、小型で大容量の溶接トランスを容易に実現できる。

　本発明の溶接装置は、上記の実施例に限定されない。例えば、２次回路の結線には銅板を例示し、各部をビス止め等で連結する例を示したが、例えば、正側コイル１４と第１連結極板４４とが一体化されていてもよい。また、第１連結極板４４と正側導体３０とは一体化されていてもよい。第１極板３４と第２極板３６と第３極板３８とが、例えば、図２２の（ｂ）の実施例におけるように、一体化されていてもよい。負側コイル１６と連結極板との関係についても正側コイルにおける場合と同様である。また、各極板は板状でも棒状でもよい。各２次コイルや極板の内部に冷却水を供給する透孔を設けることが好ましい。

　以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
　図２４は本発明に係る溶接装置のブロック図、図２５は溶接装置の溶接制御電源装置部分を例示する回路図である。この図２５では、溶接制御電源装置１１２と溶接トランス１１４と抵抗溶接機本体１１８の結線例が示されている。

　本発明に係る抵抗溶接方法を実施する溶接装置は、図２３に示したものと同様に、重ね合せた溶接材１２０Ａ、１２０Ｂを加圧して溶接電流を流す一対の電極１２２Ａ、１２２Ｂと、これらの電極１２２Ａ、１２２Ｂに所望の加圧力を与える抵抗溶接機本体１１８を備える。

　溶接制御電源装置１１２と溶接トランス１１４は、この抵抗溶接機本体１１８により加圧された溶接材１２０Ａ、１２０Ｂに電極１２２Ａ、１２２Ｂを介して所望の溶接電流を供給するためのものである。溶接条件データベースを記憶した記憶装置１１６には、溶接制御電源装置１１２による溶接電流のレベルや供給タイミング等を指定するデータが記憶されている。

　図２３で説明したように、溶接の過程で一対の電極１２２Ａ、１２２Ｂ間の２枚の溶接材１２０Ａ、１２０Ｂの接合面が溶融してナゲット１２４が生成される。溶接材に接する電極の端面は、例えば、球面または緩やかな円錐台形をしている。

　抵抗溶接が良好ならば、溶接部に形成されるナゲット形状も電極端面の形状にならうので、ほぼ円形になり、全体として円盤状のものになる。この場合、ナゲットの大きさはその直径（ナゲット径）で示される。

　溶接制御電源装置１１２は、例えば、１０ｋｈｚの分解能で溶接トランス１１４の２次電流を制御する。溶接トランス１１４は、５０００Ａ～２００００Ａ程度の溶接電流を供給できるものである。この溶接トランス１１４としては、図１乃至図２２を用いて説明した溶接トランス１０乃至溶接トランス組体１１を適用することができる。図２４の溶接装置およびこの装置に係る抵抗溶接方法については、後に具体的に例示する。従来の溶接トランスは１ｋＨｚ程度の分解能で制御されていたから、この装置は、溶接初期の溶接電流を従来の１０分の１程度の時間単位（分解能）で、溶接電流を増減制御できる。

　図２６は本発明に係る抵抗溶接方法による溶接電流の時間変化と電流の流れに伴う電極変位量を示す説明図である。電極変位量とは、電極による加圧下での被溶接材の膨張収縮に追随した、当該電極の変位量である。ナゲットが生成されているときには被溶接材の熱膨張によって電極変位量は増加する。その後、溶融部の固化に準じて膨張部分が次第に収縮するに伴って、電極変位量は減少する。
　図２３に示したような溶接材に溶接電流を供給すると、両溶接材相互間の接触部位に流れる電流により、溶接材が溶融を開始する。本発明の溶接方法では、溶接電流が通電開始から５ｍｓｅｃ（ミリ秒）以内で最大値になるように溶接初期の溶接電流を制御し、前記溶接電流の通電開始から５０ｍｓｅｃ以下の通電時間で溶接を終了する。

　図２６の例では、１５ｍｓｅｃで溶接を完了している。２枚の溶接材１２０Ａ、１２０Ｂの接合面に生成されるナゲット１２４は、溶接の過程で漸次、径方向および厚さ方向に膨張し電極を押圧して変位させる力が生じる。この電極の変位を測定すると、ナゲットの成長の過程を間接的に測定できる。

　図２６の（ａ）は、５ｍｓｅｃ以内に溶接電流を最大値まで急速に立ち上げた場合の溶接部分の成長過程を示している。図２６の（ｂ）は、従来方法により、溶接時間が３００ｍｓｅｃ程度でゆっくりと溶接電流を立ち上げた場合の溶接部分の成長過程を示している。なお、図２６の（ｂ）は、溶接開始後１５ｍｓｅｃ分しか、データを表示していない。

　図２６の（ａ）、（ｂ）は、溶接初期の溶接電流がどのように溶接性に影響するかを比較して示している。この事例では、溶接材として板厚１．２ｍｍの冷間圧延鋼板（ＳＰＣ）を使用し、この鋼板２枚を重ねて溶接している。

　図２６の（ａ）に示すように、溶接初期の５ｍｓｅｃの通電時間における電極変位量を観測すると、溶接電流の立ち上がりを速くした場合は、５ｍｓｅｃで電極変位量が２０μｍに達した。

　一方、図２６の（ｂ）のような制御をした場合には、５ｍｓｅｃで電極変位量が５μｍである。１５ｍｓｅｃでは、目的とするナゲットを形成できない。このデータにより、溶接初期の溶接電流の立ち上がりを急速にするだけで電極変位量が約４倍も違ってくることがわかる。

　図２７は、溶接電流供給開始から１５ｍｓｅｃ後のナゲットの状態を示す溶接部主要部断面図である。
　図２７の（ａ）は、図２６の（ａ）のような溶接をした場合の、溶接電流供給開始から１５ｍｓｅｃ後のナゲット１２５の状態を示す溶接部主要部断面図である。図２７の（ｂ）は、図２６の（ｂ）のような溶接をした場合の、溶接電流供給開始から１５ｍｓｅｃ後のナゲット１２５の状態を示す溶接部主要部断面図である
　図２７の（ａ）、（ｂ）に示される、溶接電流供給開始から通電時間１５ｍｓｅｃ後におけるナゲット径と引張強度を測定したところ、図２７の（ａ）の場合は、ナゲット径Ｄ１は４ｍｍ、引張強度４．８ＫＮ（キロニュートン）である。これに対して、図２７の（ｂ）の場合は、ナゲット径Ｄ２が３ｍｍ、引張強度３．０ＫＮであった。

　一般的な溶接品質指標を参考としてナゲット径＝４√ｔを基準値とし、この基準値を超えた場合を良品とし、未満の場合を不良品とする。ナゲット径＝４√ｔに板厚ｔ＝１．２ｍｍを代入しナゲット径＝４．３ｍｍを基準値とすると、図２７の（ａ）の場合は、ナゲット径が基準値にほぼ近い値である。一方、図２７の（ｂ）の場合はナゲット径が基準値よりもかなり小さく、より時間をかけてナゲットを成長させなければならない。即ち、従来の場合には、３００ｍｓｅｃといった長時間の溶接電流が必要になる。

　図２８は、被溶接材として板厚１．２ｍｍの冷間圧延鋼板（ＳＰＣ）を使用し、この鋼板２枚を重ねて通電時間４０ｍｓｅｃで溶接を行った事例を示している。
　本発明に係る抵抗溶接方法を実施した場合は、ナゲット径は最大４．１７ｍｍ、ナゲット深さは最大１．７３ｍｍ、電極変位量は最大８９．８μｍの数値となった。

　図２９は、被溶接材として板厚０．６ｍｍの電気亜鉛めっき鋼板を使用したときの、ナゲット径と引張強度の測定例である。
　図中のＡ部分は、本発明の溶接方法を使用した例である。この例の場合では、通電時間を４０ｍｓｅｃ（２サイクル）の微少時間で溶接をしたときのナゲット径と引張強度を測定している。
　図中のＢ部分は、従来の溶接方法を使用した例である。この例の場合では、通電時間を２２０ｍｓｅｃ（１１サイクル）で溶接したときのナゲット径と引張強度を測定している。

　本発明の溶接方法の実施例は、従来の溶接方法の実施例と比べて約１／５の通電時間で同程度のサイズで同程度の強度のナゲットが形成できる。これは、従来の溶接方法と比較して本発明の溶接方法が、飛躍的な生産性の向上と省エネルギーを実現できることを示している。

　図３０は、被溶接材として板厚０．６ｍｍの電気亜鉛めっき鋼板を使用したときの、溶接エネルギーの測定例である。
　図中のＡ部分は、本発明の溶接方法を使用した例である。この例の場合では、通電時間を４０ｍｓｅｃ（２サイクル）の微少時間で溶接をしたときの溶接エネルギーを測定している。
　図中のＢ部分は、従来の溶接方法を使用した例である。この例の場合では、通電時間を２２０ｍｓｅｃ（１１サイクル）で溶接したときの溶接エネルギーを測定している。

　図３１は、本発明と従来の溶接方法による溶接部の中心部の温度変化を、溶接エネルギーに着目して比較した説明図である。
　従来は、曲線Ｂのように、溶接部がゆっくりと温度上昇をし、溶接部の温度が溶接材の融点を越えるとナゲットの生成が開始される。ＮＴ２時間でナゲットは適切なサイズまで成長して、ここで溶接電流を止める。なお、ナゲットとは、溶接により溶融してその後固化した部分のことを指す、碁石のような形状（断面が略楕円形の円盤状）の部分であるが、ここでは固化する前の状態の溶融した部分もナゲットと呼ぶことにする。

　本発明の方法では、曲線Ａのように、短時間で急激に溶接部の温度を上昇させる。融点を越えた後も許容値（摂氏ｔ度）まで一気に温度を上昇させて、急速にナゲットを成長させる。これにより、ＮＴ２時間よりも十分に短いＮＴ１時間でナゲットが適切な大きさまで成長する。

　なお、曲線Ｂのような溶接電流の立ち上がり速度では、上記の摂氏ｔ度まで温度上昇させる前にナゲットが適切なサイズまで成長してしまう。即ち、融点を越えた高い温度でナゲットを成長させることができない。また、曲線Ａの方法（本発明の方法）と曲線Ｂの方法（従来方法）とを比較したとき、従来は溶接部の温度が溶接材の融点に達するまでにＤＴ２時間かかっていたが、本発明ではＤＴ１時間で融点に達する。

　図３２はナゲット周辺の温度分布例を比較した説明図である。
　本発明の方法では、図３１に示したＤＴ１＋ＮＴ１時間が１５ｍｓｅｃ、従来法では図３１に示したＤＴ２＋ＮＴ２時間が１００ｍｓｅｃ以上である。両者の間に大きな開きがある。溶接部から単位時間あたりに外部に逃げる熱量は、溶接部や冷却装置の構造により決まるほぼ一定値である。本発明のように短時間で加熱をして溶接を完了すると、図３２の（ａ）に示すように、ナゲット１２４の周辺の小領域を一気に加熱するだけでよい。これに対して溶接時間が長くなると、図３２の（ｂ）に示すように、ナゲット１２４の周辺全体に熱が広がって、熱損失が増える。

　なお、金、銀、銅、アルミニュームのような熱伝導率の良い金属に対して、鉄、コバルト、ニッケル、クロム、スズといった金属やこれらを含む合金は、熱伝導率が５分の１程度である。こうした熱伝導率が低いほうの金属を５０００Ａ以上の大電流で溶接するような場合に、図３２に示すような傾向が顕著に見られる。実験によれば、ＤＴ１＋ＮＴ１時間を５０ｍｓｅｃ以下、好ましくは２０ｍｓｅｃ以下にすると、図３２の（ａ）に示すような温度分布を達成できることが分かった。

　溶接時間と溶接部周囲の温度上昇を考慮に入れると、全体として、本発明の方法はエネルギー損失を大幅に減少させることができる。具体的に、厚みが１．０ｍｍの冷間圧延鋼板を２枚重ねて溶接をし、直径４ｍｍのナゲットを形成する場合に、従来は、１３Ｖ５５００Ａの溶接電流を３００ｍｓｅｃ供給するようにしていた。概略計算をしてみると、ナゲット形成に必要な正味のエネルギーに対してその１５０倍のエネルギーを供給していたから、９９．５％は熱損失で無駄になっていたということができる。本発明の実施例では、１３Ｖ１４０００Ａの溶接電流を１５ｍｓｅｃ供給するだけだから、全供給エネルギーの５％がナゲット形成に使用される。従って、この例では、従来の約８倍の効率を実現できる。

　図３３は、本発明の実施例７の溶接電流制御方法の説明図である。
　図３３を参照して、溶接電流のさらに具体的な制御方法を説明する。図３３の上部のグラフは、溶接電流の時間変化を示すもので、縦軸は溶接電流（単位Ａ）、横軸は時間の経過（単位ｍｓｅｃ）を示す。図３３の下部のグラフは、ナゲット径Ｐ（溶融部分の直径）が時間とともに増加していく状態を示し、縦軸はナゲット径あるいはナゲット深さ（単位ｍｍ）を示す。上下のグラフの横軸のスケールは一致させてある。

　既述の図３３、および、図３４、図３５は、後で説明する溶接トランスを使用して、実際に、冷間圧延鋼板の溶接を行った場合の溶接電流の時間変化を示している。ここで、以下の説明のために、図のグラフの時間軸を４つに区分する。まず、溶接電流供給開始時刻ｔ０から時刻ｔ２までの電流増加率が最大の部分を、立ち上げ制御期間Ｔ１と呼ぶことにする。これに続く、時刻ｔ２から時刻ｔ３までのピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼ぶことにする。そして、その後の、時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶことにする。電流遮断時刻ｔ３以降の期間は、溶接部が自然放冷される期間である。

　具体的に、本発明の方法では、立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ｍｓｅｃ以下、好ましくは５ｍｓｅｃ以下である。これにより、周囲に熱が伝搬する前に狭い領域を一気に加熱できる。また、立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ｍｓｅｃ以下が好ましい。この間に溶接材の融点を越えた許容値まで溶接部の温度を上昇させる。ナゲットを急速にかつ正常な状態で成長させるために最適な温度まで上昇させる。その後、温度維持制御期間Ｔ３で、ナゲットが形成されるまで、一定以上の温度を維持する。（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）は、５０ｍｓｅｃ以下、好ましくは２０ｍｓｅｃ以下である。図３２の（ａ）の状態が崩れる前に溶接を終了させるためである。

　なお、溶接材の温度を許容値まで上昇させるためのピーク電流値Ｃ１と加熱終了時電流値Ｃ２は材料の種類に応じて選定する。また、ピークレベル制御期間Ｔ２や温度維持制御期間Ｔ３も材料の性質に応じて選定する。このデータは、図２４に示した溶接条件データベースに含められる。溶接開始時にこのデータが記憶装置１１６（図２４）から読み出されて、溶接電流制御に使用される。

　抵抗溶接部に供給される熱量は電流の二乗に比例する。融点以上で許容値以下に目標温度を設定する。供給する電流が大きいほど、溶接部は短時間で目標温度に達する。溶接部が目標温度に達した後は、材料の性質に応じた時間だけ、その付近の温度を維持できれば、適切な大きさと深さのナゲットが形成される。これにより、目的とする強度の溶接部が得られる。

　従来は、溶接トランスの２次回路のインダクタンスにより、５０００Ａ以上の溶接電流を急速に立ち上げることが困難であった。しかしながら、図１乃至図２２を用いて説明した溶接トランス１０乃至溶接トランス組体１１を適用することにより、５ｍｓｅｃ以下で、溶接電流を溶接部の加熱に適する電流値に立ち上げることが可能になり、かつ、その後の精密な電流制御が可能になった。

　図３２で説明したように、一定時間内に溶接部から外部に逃げる熱量はほぼ一定であるが、今、この熱量をＱとする。このＱと比べて十分に大きな熱量を、短時間に一気に供給することにより、周囲の温度上昇を抑制して溶接部の温度を急速に高めることができる。しかし、溶接部の温度が目標温度に達した後もさらに過剰な熱量を供給し続けると、適切な形状のナゲットを形成できない。溶融した金属が飛散するおそれもある。

　例えば、冷間圧延鋼板では、融点が約摂氏１５００度であるが、摂氏１８００度付近を目標温度に設定すれば、安全にナゲットを急成長させることができる。摂氏２０００度を越えると弊害がある。従って、立ち上げ制御期間Ｔ１を十分に短く設定するとともに、溶接部の温度が目標温度に達したときに、ピークレベル制御を行う。

　図３３のグラフで説明すれば、立ち上げ制御期間Ｔ１では、可能な限り速く最大電流に到達するように溶接トランスを制御して電流の立ち上げ速度を速める。溶接電流がピーク電流値Ｃ１に近づいたとき、そのままの制御状態を維持すると溶接電流が過大になるおそれもあるため、ピーク電流値Ｃ１を越えないでこの電流値を維持できるように時刻ｔ１で制御電流値を調整する。きわめて短時間であり、安定な制御が容易でないから、実際の電流値は若干変動している。

　時刻ｔ１から時刻ｔ２までの期間で、溶接部を融点以上の目標値にさせる。時刻ｔ２以後は、溶接部の温度を適正範囲に維持できるだけの溶接電流を供給するように制御を切り替える。ピーク電流値Ｃ１から加熱終了時電流値Ｃ２まで段階的に制御電流を切り下げるように制御する。温度維持制御期間Ｔ３は、ナゲットが適切な形状に成長するまで待機する時間である。

　実験によれば、板厚が１．０ｍｍの冷間圧延鋼板を、ピーク電流値Ｃ１が１００００Ａ、加熱終了時電流値Ｃ２が７０００Ａで制御したとき、立ち上げ制御期間Ｔ１が５ｍｓｅｃ、立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和（Ｔ１＋Ｔ２）が９ｍｓｅｃ、温度維持制御期間Ｔ３が３１ｍｓｅｃで、良好なナゲットが形成された。即ち、（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）は４０ｍｓｅｃであった。

　図３４は、上記と同じ板厚が１．０ｍｍの冷間圧延鋼板を、ピーク電流値Ｃ１が１４０００Ａ、加熱終了時電流値Ｃ２が１００００Ａで制御したときの結果を示す。この例の場合には、立ち上げ制御期間Ｔ１が３ｍｓｅｃ、立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和（Ｔ１＋Ｔ２）が９ｍｓｅｃ、温度維持制御期間Ｔ３が６ｍｓｅｃで、良好なナゲットが形成された。即ち、（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）は１５ｍｓｅｃであった。

　図３５は、板厚が１．０ｍｍのステンレス板を、ピーク電流値Ｃ１が１４０００Ａ、加熱終了時電流値Ｃ２が１００００Ａで制御したときの結果を示す。この例の場合には、立ち上げ制御期間Ｔ１が３ｍｓｅｃ、立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和（Ｔ１＋Ｔ２）が６．５ｍｓｅｃ、温度維持制御期間Ｔ３が８．５ｍｓｅｃで、良好なナゲットが形成された。即ち、（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）は１５ｍｓｅｃであった。

　図３３の例と比較すると、ピークレベル制御期間Ｔ２を経過した時刻ｔ２以後は、ナゲットが形成されるべき微少な部分を溶接材の融点の温度以上に維持できればよい。また、ナゲットが成長するにつれて溶融部分の電気抵抗が高まり、一定の電流値を維持しようとすると電気抵抗の上昇分だけ発熱量が増える。従って、発熱量を一定に維持するには、図のように電流値を段階的に低下させる。

　３ｍｓｅｃ程度の間に一気に供給電流を最大値近くまで上昇させる能力のある電源を使用すれば、ナゲットの成長速度に応じて溶接電流値を段階的に減少させる制御も可能になる。数ミリ秒といった短時間に数万アンペアまで電流値を立ち上げること自体も容易でないが、その数ミリ秒経過後に、電流値を目標値まで一気に低下させるような精度の高い電流制御も容易でない。従って、溶接トランスの能力の範囲内で溶接電流を急速に立ち上げた後に、この能力の範囲内で、溶接終了まで溶接電流を段階的に切り替えて漸減していく。以下に、こうした制御が可能な溶接トランスを例示する。

　図３６は、溶接トランスの具体的な動作を説明する説明図である。
　図２５を用いて説明した溶接トランスは、この図に示すようなタイミングで制御される。まず、インバータは、図３６の（ａ）に示すタイミングで、制御パルスを発生する。この制御パルスにより溶接トランスの一次電流がスイッチング制御される。

　スイッチングのパルス周期は図３６の（ａ）ではＲｍｓｅｃで、周波数が１０ｋＨｚなら、０．１ｍｓｅｃの分解能で溶接電流を制御する。図３６の（ｂ）に示す１次電流は、スイッチングのパルス幅Ｗに応じて増減する。５ｍｓｅｃまで、最大に近い出力となるように溶接電流を制御し、その後は、上記の実施例のように、溶接電流を５～１０ｍｓｅｃだけピークに維持する。

　溶接トランスの２次コイルのインダクタンスや溶接部の条件等の影響により、スイッチングパルス幅の変化に対して溶接電流の応答が若干遅れるから、図３３～図３５のような溶接電流の不規則な変化が現れる。従って、スイッチングパルスの制御タイミングは、溶接材に応じて予め最適条件をみつけておき、上記の溶接条件データベースに記憶させておくことが必要になる。このような溶接トランスを使用して溶接制御をすれば、上記の溶接方法を実現できる。

　抵抗溶接は長年に渡り多くの産業分野で使われてきたが、大きな技術的革新がなかった。交流式抵抗溶接からインバータ式抵抗溶接に主流が移ったものの、その溶接方法は同じであった。本発明の抵抗溶接方法は、１／１０に近い省エネルギー効果があり、地球環境の保全には大変望ましい。また、通電時間を１／５ないし１／１０以下に短縮でき飛躍的な生産性向上が可能であることから、大きく技術的な革新ができる。

　また、本発明によれば、製品全体を高温まで加熱することなく、溶接部近傍のみを一気に高温に加熱するので、製品の熱変形（熱による歪）が減少し製品品質が向上する。さらに、製品の表面まで高熱に加熱しないですむため、溶接部の表面や裏面の過熱による焼けや変形などが減少し、材料の美麗さが保持できるというきわめて重要な効果が得られる。

　省エネルギー効果に優れた本発明は全ての産業に利用できることは勿論である。特に、自動車産業などの量産ラインでの通電時間の短縮は生産性の向上による飛躍的なコストダウンが可能である。また、本発明の溶接方法による微少時間での溶接の高精度な制御が溶接品質にも大きく貢献できる。従来にない全く新しい抵抗溶接方法の概念が本発明の特長である。

　　１０　溶接トランス
　　１１　溶接トランス組体
　　１２　１次コイル
　　１４　正側コイル
　　１６　負側コイル
　　１８　整流素子
　　２０　整流素子
　　２２　プラス電極
　　２４　マイナス電極
　　２５　磁心
　　２５ａ　平行部
　　２５ｂ　湾曲部
　　２６　溶接トランス
　　２８　溶接機
　　３０　正側導体
　　３１　絶縁層
　　３２　負側導体
　　３４　第１極板
　　３６　第２極板
　　３８　第３極板
　　４４　第１連結極板
　　４６　第２連結極板
　　４８　第３連結極板
　　５８　入力端
　　６０　結束バンド
　　６２　接続基体
　　６３　補助接続基体
　　６４　共通プラス電極
　　６６　共通マイナス電極
　　６７　端子
　　６８　端子
　　６９　端子
　　７２　冷媒供給路
　　７４　冷媒供給栓
　　７６　突起
　　７８　導体
　　８０　突起
　　８２　導体
　　８４　突起
　　８６　突起
　　８８　枝
　　９０　導体
　　１１２　溶接制御電源装置
　　１１４　溶接トランス
　　１１６　記憶装置
　　１１８　抵抗溶接機本体
　　１２０Ａ　被溶接材
　　１２０Ｂ　被溶接材
　　１２２Ａ　電極
　　１２２Ｂ　電極
　　１２４　ナゲット

Claims

　１次コイル１２と、正側コイル１４と負側コイル１６とを直列接続した２次コイルとを、磁心に巻回したトランス部と、
　前記正側コイル１４の一端に一方の整流素子１８の一端を接続し、前記負側コイル１６の一端に他方の整流素子２０の一端を接続し、前記一方の整流素子１８の他端と前記他方の整流素子２０の他端をプラス電極２２に接続し、前記正側コイルの他端と前記負側コイルの他端をマイナス電極２４に接続し、前記プラス電極２２と前記マイナス電極２４を溶接機２８に接続する２次回路とを備え、
　前記１次コイルには、インバータにより一定の繰り返し周波数で極性を反転させるパルス状の１次電流が供給されており、
　前記正側コイル１４と前記負側コイル１６とは、両者の間に前記１次コイル１２を挟むように配置され、
　前記正側コイル１４の一端は第１連結極板４４を介して正側導体３０に電気接続され、前記負側コイル１６の一端は第２連結極板４６を介して負側導体３２に電気接続され、
　前記正側導体３０と前記負側導体３２とは、絶縁層３１を介して密着するように配置され、
　前記正側導体３０と前記負側導体３２の両側に前記整流素子１８、２０を配置して、第１極板３４と第２極板３６で挟み、前記第１極板３４と第２極板３６は第３極板３８により電気接続され、第３極板３８にプラス電極２２が接続され、
　前記正側コイルの他端と前記負側コイルの他端にはマイナス電極２４が接続されていることを特徴とする溶接トランス。
　請求項１に記載の溶接トランスにおいて、
　前記正側コイル１４と前記負側コイル１６とを交互に配置し、それぞれの間に分割巻きした前記１次コイル１２を配置し、分割した前記１次コイル１２は、全て直列接続されるかもしくは全部または一部が並列接続され、
　前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、
　前記複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とは相互に直列接続され、前記複数の正側コイル１４の一端を第１連結極板４４に接続し、前記複数の負側コイル１６の一端を第２連結極板４６に接続し、複数の正側コイル１４の他端と複数の負側コイル１６の他端を第３連結極板４８に接続したことを特徴とする溶接トランス。
　請求項２に記載の溶接トランスにおいて、
　磁心上の全ての場所で、正側コイル１４と負側コイル１６が分割された１次コイルを挟むように配置されていることを特徴とする溶接トランス。
　請求項３に記載の溶接トランスにおいて、
　２次コイルには、銅板をＣ字状に切削加工したワンターンコイルを２個直列接続して使用することを特徴とする溶接トランス。
　請求項１に記載の溶接トランスにおいて、
　中心に負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に正側コイル１４を配置するように同軸巻きされたコイルユニット、または、中心に正側コイル１４を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に負側コイル１６を配置するように同軸巻きされたコイルユニットを、磁心上に配置したことを特徴とする溶接トランス。
　請求項５に記載の溶接トランスにおいて、
　中心に負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットと、中心に正側コイル１４を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットとを、磁心上に磁心の軸方向に交互に隙間なく配列したことを特徴とする溶接トランス。
　　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される溶接トランスであって、
　平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、
　前記環状磁心２５の平行部２５ａに、複数の部分に分けて間隙１２ａを空けて分割巻きされる１次コイル１２と、
　前記１次コイル１２と共に環状磁心２５の平行部２５ａに巻回され、前記１次コイル１２に設けられた前記各間隙１２ａに１個ずつ挟み込むように、複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６とを交互に配列した２次コイル１４，１６と、
　前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６との端子間を電気接続する導体群が設けられ、かつ、前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２が設けられ、
　前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、
　前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、
　前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、
　前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、
　前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、
　前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、
　前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、
　前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、
　前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８とを備えていることを特徴とする溶接トランス。
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される溶接トランスであって、
　この２次コイルは正側コイル１４と負側コイル１６とを含んで構成され、
　平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、
　中心に前記負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に前記正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットと、中心に前記正側コイル１４を配置し、その上に前記１次コイル１２を配置し、最外周に前記負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットとを、前記環状磁心２５の平行部２５ａに交互に隙間なく配列したコイルユニット配列体と、
　前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６の端子間を電気接続をする導体群を有し、かつ、前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２を備え、
　前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、
　前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、
　前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、
　前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、
　前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、
　前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、
　前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、
　前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、
　前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８とを備えていることを特徴とする溶接トランス。
　請求項７または８に記載の溶接トランスにおいて、
　前記接続基体６２は中空部を有し、この中空部は冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接トランス。
　請求項９に記載の溶接トランスにおいて、
　前記正側コイル１４と負側コイル１６と前記接続基体６２とは、いずれも、中空部を有し、各中空部は配管に連結されて、冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接トランス。
　請求項７に記載の溶接トランスにおいて、
　前記接続基体６２は、前記１次コイル１２の間隙１２ａに前記正側コイル１４と負側コイル１６を１個ずつ挟み込んだ状態のコイル群の２側面を支持するように、断面Ｌ字状に形成されていることを特徴とする溶接トランス。
　請求項１乃至１１のいずれかに記載の溶接トランスを２台以上組み合わせた溶接トランス組体。
　請求項１２に記載の溶接トランス組体であって、
　各溶接トランスの前記環状磁心２５の平行部２５ａが互いに平行になり、前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な面を突き合わせ、前記各溶接トランスの各第３極板３８に連結した各プラス電極２２を共通プラス電極６４により連結固定し、前記各溶接トランスの各マイナス電極を共通マイナス電極６６により連結固定したことを特徴とする溶接トランス組体。
　請求項１２に記載の溶接トランス組体であって、
　前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な２個の側面以外の面に、プラス電極２２、マイナス電極２４、第３極板３８及び冷媒供給口７４を配置したことを特徴とする溶接トランス組体。
　請求項１乃至１１のいずれかに記載の溶接トランスを備えた溶接装置。
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置であって、
　溶接制御電源装置と溶接トランスと抵抗溶接機本体と溶接条件データベースを記憶した記憶装置とを備え、
　前記抵抗溶接機本体は、重ね合せた溶接材を加圧して溶接電流を流す一対の電極と、これらの電極に所望の加圧力を与える機構を備え、
　前記溶接制御電源装置は、前記記憶装置に記憶された溶接条件データベースから、溶接電流のレベルと供給タイミングを指定するデータを読み出して、前記一対の電極を介して前記溶接材に溶接電流を供給するためのものであって、
　溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、
　前記溶接制御電源装置は、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、
前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とするように、前記溶接電流を制御することを特徴とする溶接装置。
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置であって、
　抵抗溶接機本体と溶接トランスと溶接制御電源装置と記憶装置とを備え、
　前記抵抗溶接機本体は、重ね合せた溶接材を加圧して溶接電流を流す一対の電極と、これらの電極に所望の加圧力を与える機構を備え、
　前記溶接トランスは、
　平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、
　前記環状磁心２５の平行部２５ａに、複数の部分に分けて間隙１２ａを空けて分割巻きされる１次コイル１２と、
　前記１次コイル１２と共に環状磁心２５の平行部２５ａに巻回され、前記１次コイル１２に設けられた前記各間隙１２ａに１個ずつ挟み込むように、複数の正側コイル１４と複数の負側コイル１６とを交互に配列した２次コイル１４，１６と、
　前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、
　前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、
　前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６との端子間を電気接続する導体群が設けられ、かつ、
　前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２が設けられ、
　前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、
　前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、
　前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、
　前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、
　前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、
　前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、
　前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、
　前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、
　前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８とを備え、
　前記溶接制御電源装置は、前記記憶装置に記憶された溶接条件データベースから、溶接電流のレベルと供給タイミングを指定するデータを読み出して、前記一対の電極を介して前記溶接材に溶接電流を供給するためのものであって、
　溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、
　前記溶接制御電源装置は、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とするように、前記記憶装置が保有するデータに依拠して、前記溶接電流を制御するように構成され、
　前記記憶装置は、前記溶接制御電源装置における溶接の制御態様を規定する溶接条件データベースを記憶したものであることを特徴とする溶接装置。
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置であって、
　抵抗溶接機本体と溶接トランスと溶接制御電源装置と記憶装置とを備え、
　前記抵抗溶接機本体は、重ね合せた溶接材を加圧して溶接電流を流す一対の電極と、これらの電極に所望の加圧力を与える機構を備え、
　前記溶接トランスは、その２次コイルが正側コイル１４と負側コイル１６とを含んで構成され、
　平行部２５ａと両端のＵ字状の湾曲部２５ｂにより構成される環状磁心２５と、
　中心に前記負側コイル１６を配置し、その上に１次コイル１２を配置し、最外周に前記正側コイル１４を配置するように同軸巻きされた第１のコイルユニットと、
　中心に前記正側コイル１４を配置し、その上に前記１次コイル１２を配置し、最外周に前記負側コイル１６を配置するように同軸巻きされた第２のコイルユニットとを、
　前記環状磁心２５の平行部２５ａに交互に隙間なく配列したコイルユニット配列体と、
　前記複数の正側コイル１４は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、
　前記複数の負側コイル１６は全て並列接続されるかもしくは全部または一部が直列接続され、
　前記接続された複数の正側コイル１４と前記複数の負側コイル１６とが互いに直列接続されるように、前記正側コイル１４と負側コイル１６の端子間を電気接続する導体群を有し、かつ、
　前記導体群により、前記全ての正側コイル１４と負側コイル１６とを一方の面側に支持固定する接続基体６２を備え、
　前記複数の正側コイル１４の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第１連結極板４４に電気接続され、
　前記複数の負側コイル１６の一端は、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第２連結極板４６に電気接続され、
　前記正側コイル１４と負側コイル１６の他端は、共に、前記接続基体６２の他方の面側で、前記環状磁心２５の平行部２５ａに平行な方向に伸びた第３連結極板４８に電気接続され、
　前記第１連結極板４４には、正側導体３０が連結され、
　前記第２連結極板４６には、負側導体３２が連結され、
　前記正側導体３０と負側導体３２とによって、前記接続基体６２の他方の面側において、当該他方の面から垂直に離れる方向に伸びる境界面に配置された絶縁層３１を介して重ね合わされた一対の導体板が形成され、
　前記正側導体３０と第１極板３４に挟まれて、前記正側導体３０に負極を接触させ前記第１極板３４に正極を接触させた整流素子１８と、
　前記負側導体３２と第２極板３６に挟まれて、前記負側導体３２に負極を接触させ前記第２極板３６に正極を接触させた整流素子２０と、
　前記第１極板３４と前記第２極板３６を支持し、両者を電気接続する第３極板３８と、を備え、
　前記溶接制御電源装置は、前記記憶装置に記憶された溶接条件データベースから、溶接電流のレベルと供給タイミングを指定するデータを読み出して、前記一対の電極を介して前記溶接材に溶接電流を供給するためのものであって、
　溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、
　前記溶接制御電源装置は、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とするように、
　前記記憶装置が保有するデータに依拠して、前記溶接電流を制御するように構成され、
　前記記憶装置は、前記溶接制御電源装置における溶接の制御態様を規定する溶接条件データベースを記憶したものであることを特徴とする溶接装置。
　請求項１７または１８に記載の溶接装置において、
　前記溶接トランスは、
　前記接続基体６２は中空部を有し、この中空部は冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接装置。
　請求項１９に記載の溶接装置において、
　前記溶接トランスは、
　前記正側コイル１４と負側コイル１６と前記接続基体６２とは、いずれも、中空部を有し、各中空部は配管に連結されて、冷媒通路を構成していることを特徴とする溶接装置。
　請求項１７または１８に記載の溶接装置において、
　前記溶接トランスは、
　前記接続基体６２は、前記１次コイル１２の間隙１２ａに前記正側コイル１４と負側コイル１６を１個ずつ挟み込んだ状態のコイル群の２側面を支持するように、断面Ｌ字状に形成されていることを特徴とする溶接装置。
　請求項２１に記載の溶接装置において、
　各溶接トランスの前記環状磁心２５の平行部２５ａが互いに平行になり、前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な面を突き合わせ、前記各溶接トランスの各第３極板３８に連結した各プラス電極２２を共通プラス電極６４により連結固定し、前記各溶接トランスの各マイナス電極を共通マイナス電極６６により連結固定した溶接トランス組体を成していることを特徴とする溶接装置。
　請求項２２に記載の溶接装置において、
　前記接続基体６２の他方の面から垂直に離れる方向に伸びる面に平行な２個の側面以外の面に、プラス電極２２、マイナス電極２４、第３極板３８及び冷媒供給口７４を配置した溶接トランス組体を成していることを特徴とする溶接装置。
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される抵抗溶接方法であって、
　溶接電流供給開始時刻ｔ０からその後の時刻ｔ１までの、電流増加率が最大の部分を立ち上げ制御期間Ｔ１と呼び、これに続く時刻ｔ１から時刻ｔ２までの、ピーク電流値Ｃ１に近い所定レベルの電流を維持する期間をピークレベル制御期間Ｔ２と呼び、その後の時刻ｔ２から電流遮断時刻ｔ３に至るまでの期間を、温度維持制御期間Ｔ３と呼ぶとき、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１は１０ミリ秒以下とし、
前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下としたことを特徴とする抵抗溶接方法。
　請求項２４に記載の抵抗溶接方法において、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２と温度維持制御期間Ｔ３の和の（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）時間は、５０ミリ秒以下としたことを特徴とする抵抗溶接方法。
　請求項２４に記載の抵抗溶接方法において、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１は５ミリ秒以下とし、
前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の和の（Ｔ１＋Ｔ２）時間は１５ミリ秒以下とし、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２と温度維持制御期間Ｔ３の和の（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）時間は２０ミリ秒以下としたことを特徴とする抵抗溶接方法。
　請求項２５または２６に記載の抵抗溶接方法において、
　前記立ち上げ制御期間Ｔ１とピークレベル制御期間Ｔ２の間に、溶接部温度が融点以上であって、許容値以下の温度に達する最大の溶接電流を供給し、その後、適切なサイズのナゲットが形成されるまで、溶接電流を漸減させることを特徴とする抵抗溶接方法。
　請求項２７に記載の抵抗溶接方法において、
　前記ピークレベル制御期間Ｔ２経過後の溶接電流値から、前記電流遮断時刻ｔ３における溶接電流の終了値まで、溶接電流を段階的に漸減することを特徴とする抵抗溶接方法。
　高周波交流を溶接トランスの１次コイルに供給し２次コイルに生起する電流を直流化して電極に供給する方式の溶接装置に適用される抵抗溶接方法であって、
　溶接電流が通電開始から５ミリ秒以内で最大値になるように溶接初期の溶接電流を制御し、前記溶接電流の通電開始から５０ミリ秒以下の通電時間で溶接を終了することを特徴とする抵抗溶接方法。