WO2013105317A1 - 基板処理装置、基板処理方法、及び円筒状マスク - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、及び円筒状マスク Download PDF

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WO2013105317A1
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mask
pattern
unit
cylindrical
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鈴木　智也
徹 木内
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株式会社ニコン
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    • G03F7/24—Curved surfaces
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Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a cylindrical mask for transferring a fine pattern such as an electronic circuit to a long flexible substrate (film, web, foil, etc.).
  • a substrate processing apparatus a substrate processing method
  • a cylindrical mask for transferring a fine pattern such as an electronic circuit to a long flexible substrate (film, web, foil, etc.).
  • a transparent electrode such as ITO or a semiconductor substance such as Si is deposited on a flat glass substrate, a metal material is evaporated, a photoresist is applied, and a circuit pattern is formed.
  • the circuit pattern is formed by transferring, developing the photoresist after the transfer, and then etching.
  • a technique called a roll-to-roll method for forming a display element on a flexible substrate (for example, a film member such as polyimide) has been proposed.
  • a roll-to-roll method for forming a display element on a flexible substrate (for example, a film member such as polyimide) has been proposed.
  • Patent Document 3 discloses a problem associated with vibration of a mask or a substrate by contact type exposure processing in which a flexible substrate having a photosensitive layer is wound around the outer periphery of a cylindrical body (rotating mask) on which an image pattern is drawn. A technique capable of avoiding the above is disclosed.
  • the relative positional relationship between the mask and the substrate may be shifted when the exposure process is continuously performed or when an unexpected situation occurs.
  • a thin and highly flexible long substrate film such as PET, PEN
  • the long substrate while applying a predetermined tension (tension) in order to prevent wrinkling during exposure processing. Will be sent.
  • the tension varies depending on the material of the long substrate, the width in the short direction, the thickness, and the like, but is several N (Newton) to several hundred N. Therefore, while tension is applied, the film is stretched in the longitudinal direction and is contracted in the width direction.
  • exposure processing so-called scanning exposure
  • the mask pattern may not be formed on the substrate with high accuracy.
  • an overlay error occurs.
  • the cylindrical body as a mask and the photosensitive layer of the substrate are brought into a pressure contact state due to the tension applied to the substrate, which may adversely affect the photosensitive layer of the substrate.
  • a substrate processing apparatus for forming a mask pattern on a photosensitive layer of a long bendable substrate, wherein the mask pattern is formed along a cylindrical surface. And a mask holding portion that is rotatable about a predetermined axis along the cylindrical surface, a feeding device that feeds the substrate in a state of being wound around the cylindrical surface of the mask holding portion, and the mask holding portion.
  • a substrate processing apparatus comprising an adjustment device for adjusting the above.
  • a substrate processing method for forming a mask pattern on a photosensitive layer of a long bendable substrate along a peripheral surface of a cylindrical body having a constant radius from a predetermined axis.
  • the cylindrical mask is rotated around the axis while a part of the substrate in the longitudinal direction is wound at a predetermined length, and at a speed corresponding to the peripheral speed of the peripheral surface of the cylindrical mask, A step of feeding the substrate in the longitudinal direction, and a step of adjusting a relative position of the cylindrical mask and the substrate in the longitudinal direction when the specific region of the peripheral surface of the cylindrical mask is wound around the substrate.
  • a substrate processing method is provided.
  • a substrate processing apparatus for forming a mask pattern on a photosensitive layer formed on a surface of a light-transmitting substrate having a predetermined thickness.
  • a mask holder that holds the mask pattern along and can rotate around a predetermined axis, an illumination unit that irradiates a predetermined illumination area of the mask pattern from the inside of the mask holder, and
  • a substrate processing apparatus comprising: a feeding device that feeds a back surface of a substrate wound around a cylindrical surface of the mask holding unit.
  • a substrate processing method for forming a mask pattern on a photosensitive layer formed on a surface of a light-transmitting substrate having a predetermined thickness, wherein the cylinder has a constant radius from a predetermined axis. Providing a cylindrical mask having a pattern forming region in which a pattern by a transmission part and a light shielding part is formed along the peripheral surface of the body, and capable of installing an illumination device for illuminating the pattern inside; The cylindrical mask is rotated around the axis while a part of the back surface of the substrate is wound around the peripheral surface of the cylindrical mask with a predetermined length, and the peripheral speed of the peripheral surface of the cylindrical mask is supported.
  • the substrate processing method comprising the steps, a directing the light sensitive layer al the surface.
  • the pattern region is provided in a cylindrical shape having a predetermined radius from a predetermined axis, and a mask pattern is formed on the peripheral surface of the cylinder, and the pattern region is a circumferential direction of the cylinder
  • a cylindrical mask provided with an alignment region that is divided into two and is aligned in the direction around the axis.
  • the mask pattern can be formed with high accuracy on the photosensitive layer of the substrate.
  • the outer peripheral surface of the cylindrical mask contacts and supports the back surface of the substrate on which the photosensitive layer is not formed, the photosensitive layer is not adversely affected on the photosensitive layer of the substrate. It becomes possible to form a mask pattern.
  • (A) is a development view of the substrate, and (b) is a development view of the mask. It is a control block diagram concerning a substrate processing apparatus. It is a schematic block diagram of the exposure part which concerns on 2nd Embodiment.
  • (A) is a development view of the substrate, and (b) is a development view of the mask. It is the graph which showed how the peripheral speed Vm of the ⁇ Y direction of the pattern surface of a mask is changed.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a substrate supply unit 2 that supplies a strip-shaped long substrate (for example, a strip-shaped film member) S and a surface (surface to be processed) Sa of the substrate S.
  • a photosensitive layer forming unit 3 that forms a photosensitive layer
  • an exposure unit 4 that performs an exposure process on the substrate S
  • a substrate collection unit 5 that collects the substrate S
  • a control unit CONT that controls these units
  • the vertical direction is the Z direction
  • the main transport direction of the substrate S is the X direction
  • the Z direction and the direction perpendicular to the X direction are appropriately described as the Y direction.
  • the substrate supply unit 2 includes a supply roller 12 on which a supply roll 11 in which a protective sheet 10 is integrally attached to the surface Sa of the substrate S is mounted, and a recovery roll 13 that collects the protective sheet 10 peeled from the substrate S. I have.
  • the substrate S from which the protective sheet 10 has been peeled is sent to the photosensitive layer forming portion 3 via the connection portion JT1 with the surface Sa facing upward.
  • the substrate recovery unit 5 includes a supply roll 15 on which a protective sheet 14 for protecting the surface Sa is wound, and a protective sheet 14 on the surface Sa.
  • the substrate S is subjected to exposure processing in the exposure unit 4 and is sent from the connection unit JT3.
  • a recovery roll 16 is provided for winding and recovering the substrate S in a state where it is attached to the substrate.
  • the substrate supply unit 2 and the substrate recovery unit 5 may have basically the same structure, and the supply roll 11 and recovery roll 16 for the substrate S, and the recovery roll 13 and supply roll 15 for the protective sheet 14 are the same. It can be controlled by a structure drive system (roller, motor, etc.).
  • the positions of the guide rollers and the openings connected to the connecting portions JT1 and JT3 in the unit are arranged in the XZ plane so that the units of the substrate supply unit 2 and the substrate recovery unit 5 can be used in other manufacturing apparatuses. It is possible to adjust the height position and the like of carrying out and carrying in the substrate S.
  • FIG. 2 is a schematic configuration diagram of the photosensitive layer forming unit 3.
  • the photosensitive layer forming unit 3 is mainly configured by a preprocessing unit 21, an alignment sensor 22, a printing unit 23, a rotating drum (conveyance support unit) 24, a temperature adjustment unit 25, and a heat processing unit 26.
  • the pre-processing unit 21 includes, for example, a static elimination blower unit 21a, and performs a charge removal process and a foreign substance removal process on the surface Sa of the substrate S sent from the substrate supply unit 2 via the transport roller 27. .
  • the alignment sensor 22 detects an index mark MS (alignment mark; see FIG. 5A) formed on the substrate S, and outputs a detection signal to the control unit CONT, and faces the outer peripheral surface of the rotary drum 24.
  • An air turn bar AB1, a tension roller TR1, and an air turn bar AB2 are sequentially arranged between the pretreatment unit 21 and the alignment sensor 22 in the transport path of the substrate S.
  • the air turn bars AB1 and AB2 are for applying tension to the surface Sa of the substrate S by bending the conveyance direction in a non-contact manner by the gas pressure.
  • the printing unit 23 includes an ink pot 30 that receives and stores a photosensitive ink that is a photosensitive layer forming material applied to the substrate S, an ink roller 31 that receives the photosensitive ink from the ink pot 30, and an ink roller 31.
  • the transfer roller 32 that transfers the photosensitive ink supplied to the surface to the substrate S wound around the rotary drum 24, and the photosensitive ink on the transfer roller 32 when the transfer roller 32 is separated from the rotary drum 24.
  • a movable unit (driving device) 35 that is movable with the swing shaft 34 as a swing center.
  • the transfer roller 32 comes into pressure contact with the substrate S on the rotating drum 24 by the rotation of the movable unit 35.
  • the state (first position) and the state in which the dummy roller 33 is pressed (second position) are switched.
  • a blade 36 for removing the photosensitive ink transferred from the transfer roller 32 and a collecting unit 37 for collecting the removed photosensitive ink are provided.
  • the swinging operation of the movable unit 35 is controlled by a control unit CONT as a transfer control unit.
  • the control unit CONT also controls the rotational drive of the transfer roller 32 and the rotational drive of the dummy roller 33.
  • the temperature control unit 25 includes a discharge space 38 for blowing off the solvent contained in the photosensitive ink applied to the substrate S, a drying space 39 for drying the photosensitive ink applied to the substrate S, and the heat-treated substrate S.
  • a temperature control space 40 for adjusting the temperature is provided.
  • the substrate S on which the solvent has been blown off in the discharge space 38 is changed by the air turn bar AB3 in a non-contact manner in the Z direction, and the photosensitive ink is dried in the drying space 39 and then heated by the heat treatment unit 26.
  • the photosensitive ink on the heated substrate S is cured to form the photosensitive layer RS.
  • the substrate S on which the photosensitive layer is formed is sent from the connection portion JT2 to the exposure portion 4 via the discharge roller 41.
  • the heat treatment unit 26 is not always necessary depending on the type of the photosensitive ink.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the exposure unit 4.
  • the exposure unit 4 includes an illumination unit 50, a mask holding unit 52, an alignment sensor (measurement unit) 54, and a feeding device TF.
  • the feeding device TF includes a nip roller (made of rubber) NR1, a driving roller DR1, an air turn bar AB11, a tension roller TR11, an air turn bar AB13, AB14, a tension roller TR12, an air turn bar AB12, which are sequentially arranged along the transport path of the substrate S.
  • a nip roller (made of rubber) NR2 and a drive roller DR2 are provided.
  • the illumination unit 50 irradiates illumination light toward the exposure area EA around which the substrate S is wound around the mask M.
  • the illumination unit 50 emits illumination light (ultraviolet light) for exposure in a straight tube type and radially like a fluorescent lamp.
  • illumination light ultraviolet light
  • One that emits light one in which illumination light is introduced from both ends of a cylindrical quartz rod and a diffusion member is provided on the inner peripheral surface side of the cylinder, the light from an ultraviolet lamp is incident on the incident end of a bundle of fibers bundled with a plurality of optical fibers
  • the optical fibers are arranged so that the exit ends of the optical fibers are arranged in a row (or several rows) in the Y direction in FIG. 3.
  • the mask M extends from the inside of the mask holding portion 52 in the Y direction from the inside. Illumination is performed in the illumination area IL (see FIGS. 3 and 5).
  • a light source for illumination light an LD, an LED, or the like having an emission spectrum in the ultraviolet region (440 nm or less) is used in addition to the ultraviolet lamp.
  • the irradiation controller 56 controls the irradiation / irradiation stop of the illumination light to the illumination region IL.
  • a shutter that blocks / cancels the optical path of the illumination light, or a trigger signal control unit when the illumination light is laser light is used.
  • the mask holding part 52 is formed in a cylindrical shape made of, for example, quartz or the like that can transmit illumination light. As shown in a YZ sectional view of FIG. 4, the mask holding part 52 has a pattern of the mask M formed along the cylindrical surface 52a. It can be held and rotated around the rotation axis (predetermined axis) AX (and in a minute amount, in the direction of the rotation axis AX) by the operation of the rotation drive unit 57 under the control of the control unit CONT as the rotation control unit.
  • the control unit CONT and the alignment sensor 54 constitute an adjustment device that adjusts the relative position between the mask holding unit 52 and the substrate S. In FIG.
  • the pattern of the mask M is illustrated as being embedded in the cylindrical surface 52a of the quartz mask holding part 52, but the actual pattern (by the transmission part and the light shielding part) is made of chromium or the like.
  • a light-shielding metal film is deposited on the cylindrical surface 52a (outer peripheral surface) with a thickness of 1 ⁇ m or less.
  • a light-transmitting high-hardness thin film is formed on the entire surface of the cylindrical surface 52a on which the pattern of the light-shielding metal film is formed. It is preferable to deposit a protective layer of several ⁇ m or less.
  • the alignment sensor 54 observes the index mark MS provided on the substrate S and the index mark MM provided on the mask M through a light transmission portion (window portion or the like) of the substrate S, thereby allowing the substrate S and the mask to be observed.
  • the relative positional relationship with M is detected. More specifically, as shown in the development view of the substrate S in FIG. 5A and the development view of the mask M (mask holding portion 52) in FIG. 5B, the mask M is within the pattern area PAM within a predetermined range. And a non-pattern area (specific area) NAM outside the pattern area PAM, and an index mark on one side of the rotation direction of the pattern area PAM in the non-pattern area NAM (also referred to as the ⁇ Y direction or the circumferential length direction). MM is provided. Further, light shielding bands SB extending in the Y direction are provided on both sides of the pattern area PAM in the ⁇ Y direction.
  • the substrate S includes a printing area PAS having a (substantially the same) size corresponding to the pattern area PAM of the mask M, and a non-printing area NAS outside the pattern area PAS.
  • the light transmission part (window part or the like) is provided with an index mark MS.
  • the alignment sensor 54 observes the index mark MS and the index mark MM, and detects the relative positional relationship between them, thereby detecting the relative positional relationship between the substrate S and the mask M.
  • the photosensitive layer RS formed on the substrate S is formed in a range that covers the pattern area PAS and does not cover the index mark MS. In FIG.
  • the illumination area IL shown on the mask M has a slit shape whose width in the ⁇ Y direction (circumferential length direction) is D, and the length in the Y direction is determined so as to cover the pattern area PAM.
  • the width D of the illumination area IL is set smaller than the length G of the non-pattern area NAM in the ⁇ Y direction.
  • the driving motor DM1 is connected to the driving roller DR1 in the feeding device TF, and the driving motor DM2 is connected to the driving roller DR2.
  • Driving of the driving motors DM1 and DM2 is controlled by the control unit CONT (see FIG. 6), and the tension in the feeding direction of the substrate S is adjusted.
  • the air turn bar AB11 applies tension to the surface Sa of the substrate S in a non-contact manner, and is driven in the Z direction by driving of a driving source (pressure adjusting unit) DA1 under the control of the control unit CONT as a pressure control unit. It is movable. The force acting on the + Z side of the air turn bar AB11 is detected by the sensor TS1 and output to the control unit CONT. Similarly, the air turn bar AB12 is movable in the Z direction by the drive of the drive source (pressure adjustment unit) DA2 under the control of the control unit CONT as the pressure control unit. The force acting on the + Z side of the air turn bar AB12 is detected by the sensor TS2 and output to the control unit CONT. Based on the outputs from the sensors TS1 and TS2, the control unit CONT detects the + Z side force applied from the substrate S to the air turn bars AB11 and AB12, that is, the tension of the substrate S.
  • a driving source pressure adjusting unit
  • DA1
  • the tension rollers TR11 and TR12 hold tension on the substrate S wound around the mask M on the back surface Sb, and are arranged on both sides in the X direction with the mask holding portion 52 interposed therebetween.
  • the air turn bars AB13 and AB14 adjust the tension without contact with the surface Sa of the substrate S, and are arranged between the tension rollers TR11 and 12 on both sides in the X direction across the exposure area EA. .
  • Each air turn bar AB13, AB14 has a first position (position shown in FIG. 3) for applying a predetermined tension in the feed direction to the substrate S during exposure processing, for example, under the control of the control unit CONT.
  • a second position for example, with respect to the first position
  • the first positions (tensioning positions) of the air turn bars AB13 and AB14 are the length of the substrate S wound around the mask holding portion 52, the width D of the illumination area IL in the ⁇ Y direction, and the length of the non-pattern area NAM in the ⁇ Y direction.
  • G is set to have a predetermined relationship. More specifically, as shown in FIG. 5B, the substrate S wound around the mask holding unit 52 with respect to the width D of the illumination area IL in the ⁇ Y direction and the length G of the non-pattern area NAM in the ⁇ Y direction.
  • the first positions of the air turn bars AB13 and AB14 are set so that the length N (see FIG. 3) in the ⁇ Y direction (circumferential length direction) satisfies the following expression (1).
  • the air turn bar AB13 is set so that the length N in the ⁇ Y direction of the substrate S wound around the mask holding portion 52 satisfies the following expression (2).
  • the first position of AB14 is set. D ⁇ N ⁇ (CL / 2) (2)
  • the winding length (contact length) N of the substrate S around the mask holding portion 52 is suppressed to half or less of the entire circumferential length CL of the mask holding portion 52 in the Y direction of the substrate S and the mask holding portion 52.
  • the substrate S is transmissive to illumination light, and has a coefficient of thermal expansion so that its dimensions do not change substantially even when it receives heat at a relatively high temperature (for example, about 200 ° C.) (thermal deformation is small). Can be reduced.
  • a relatively high temperature for example, about 200 ° C.
  • thermal deformation is small.
  • an inorganic filler can be mixed with a resin film to reduce the thermal expansion coefficient.
  • the inorganic filler include titanium oxide, zinc oxide, alumina, silicon oxide and the like.
  • the substrate S is formed so as to be flexible.
  • the term “flexibility” refers to the property that the substrate can be bent without being broken or broken even if a force of its own weight is applied to the substrate.
  • flexibility includes a property of bending by a force of about its own weight. The flexibility varies depending on the material, size, thickness, or environment such as temperature and humidity of the substrate.
  • a single strip-shaped substrate may be used, but a configuration in which a plurality of unit substrates are connected and formed in a strip shape may be used.
  • FIG. 6 is a control block diagram according to the substrate processing apparatus 100.
  • the control unit CONT receives the mark detection signal of the substrate S from the alignment sensor 22 in the photosensitive layer forming unit 3 shown in FIG. 2, and operates the movable unit 35 in accordance with the input signal. Control.
  • the control unit CONT controls driving of the transfer roller 32 and the dummy roller 33 in the photosensitive layer forming unit 3.
  • control unit CONT receives detection signals from the alignment sensor 54 and the sensors TS1 and TS2 in the exposure unit 4 shown in FIG. 3, and also includes drive motors DM1 to DM2, drive sources DA1 to DA4, a rotation drive unit 57, The operation of the irradiation controller 56 is controlled.
  • the supply roll 11 set on the supply roller 12 of the substrate supply unit 2 in FIG. 1 is sent to the photosensitive layer forming unit 3 through the connection unit JT1 after the protective sheet 10 is peeled off.
  • the substrate S sent to the photosensitive layer forming unit 3 in FIG. 3 is subjected to a charge removing process and a foreign substance removing process in the preprocessing unit 21, and then the outer periphery of the rotary drum 24 with a predetermined tension between the air turn bars AB1 and AB2.
  • the sheet is fed at a predetermined speed with the back surface Sb closely attached to the surface.
  • the index mark MS is detected by the alignment sensor 22 within a range where the substrate S is wound around the rotary drum 24 (see FIG. 5A).
  • the control unit CONT recognizes the position of the printing area PAS on the substrate S based on the detection signal of the alignment sensor 22, and forms the photosensitive layer RS so that the printing area PAS is covered.
  • control unit CONT is a movable unit so that the photosensitive layer RS is formed in a range (a range indicated by a solid line in FIG. 5A) in which a predetermined amount of margin is added to the print area PAS. 35 is controlled to move the transfer roller 32 to a position where it is in pressure contact with the surface Sa (rotary drum 24) of the substrate S.
  • the photosensitive agent ink photoresist, photocurable ink, photosensitive SAM, etc.
  • the control unit CONT controls the movable unit 35 to move the transfer roller 32 to a position where it is pressed against the dummy roller 33.
  • the photosensitive ink in the ink pot 30 is applied to the dummy roller 33 via the ink roller 31 and the transfer roller 32.
  • the photosensitive ink applied to the dummy roller 33 is removed by the blade 36 and collected by the collection unit 37.
  • the control unit CONT synchronizes the peripheral speeds of the transfer roller 32 and the dummy roller 33 with the feeding speed of the substrate S, and controls so that the photosensitive ink is stably transferred.
  • the ink pot 30 by continuously supplying the photosensitive ink from the ink pot 30 even when the photosensitive ink is not applied to the substrate S, the ink pot 30 or the like as in the case where the supply of the photosensitive ink is temporarily stopped.
  • the ink roller 31 and the transfer roller 32 it is possible to prevent the solvent of the remaining photosensitive agent ink from evaporating and the characteristics of the photosensitive agent ink from fluctuating (deteriorating).
  • the solvent contained in the photosensitive ink is blown off in the discharge space 38 in the temperature control unit 25, and the photosensitive ink is dried in the drying space 39.
  • the photosensitive layer RS is formed by being heated and cured by the heat treatment unit 26.
  • the substrate S heated by the heat treatment unit 26 is sent from the connection portion JT2 to the exposure portion 4 after the temperature is adjusted in the temperature control space 40.
  • the substrate S sent to the inside of the exposure unit 4 by the nip roller NR1 and the drive roller DR1 is detected based on the outputs from the sensors TS1 and TS2, and is controlled by driving of the drive motors DM1 and DM2.
  • the rear surface Sb is wound around the mask holding portion 52 with the directional tension.
  • the control unit CONT irradiates the slit-shaped illumination light from the illumination unit 50 via the irradiation control unit 56.
  • the transmitted light (pattern image) from the mask M irradiated with the illumination light in the illumination region IL is transmitted from the back surface Sb side of the substrate S to the front surface Sa side and formed on the front surface Sa as shown in FIG. Reaching the light sensitive layer RS.
  • the mask M (mask holding unit 52) and the substrate S are moved at the same peripheral speed, and an image of the pattern of the mask M is transferred from the back surface Sb side of the substrate S to the photosensitive layer RS in the illumination region IL.
  • an exposure amount (Dose amount) defined by the peripheral speed Vs, the width D of the illumination area IL, and the illuminance Ip of the illumination light reaching the photosensitive layer RS.
  • Dose amount defined by the peripheral speed Vs, the width D of the illumination area IL, and the illuminance Ip of the illumination light reaching the photosensitive layer RS.
  • the thickness of this type of light-transmitting substrate S varies from several tens of ⁇ m to several hundreds of ⁇ m depending on its application and specifications.
  • the pattern of the mask M is exposed to the photosensitive layer RS by a proximity method using a film thickness having a uniform thickness as a gap. That is, back exposure is performed.
  • the gap at the time of proximity exposure of the pattern image varies between 90 and 110 ⁇ m.
  • the shape, dimension, line width, etc. of the pattern to be formed on the mask M so that the line width of the line pattern of the mask M is transferred to the photosensitive layer RS within a predetermined error range. Can be designed.
  • the radius of the cylindrical outer peripheral surface (pattern surface) of the mask M (mask holding portion 52) is Rm and the thickness of the substrate S is Ft, depending on the angular characteristics of the illumination light directed to the illumination region IL of the mask M
  • the pattern image of the mask M transferred to the photosensitive layer RS may have a magnification error that is enlarged by (1 + Ft / Rm) times in the circumferential direction. Therefore, when the magnification error determined by the radius Rm of the outer peripheral surface of the mask M and the thickness Ft of the substrate S cannot be ignored, the dimension in the ⁇ Y direction (circumferential length direction) of the entire pattern region PAM formed on the mask M is designed. It can be uniformly reduced with respect to the size of.
  • the pattern area PAM of the mask M and the printing area PAS of the substrate S have passed through the exposure area EA (illumination area IL)
  • the pattern area PAM of the next mask M and the printing area PAS of the substrate S are exposed to the exposure area EA (illumination area).
  • the relative position between the mask holding part 52 and the substrate S can be adjusted.
  • the alignment sensor 54 previously observes the index mark MS on the substrate S and the index mark MM on the mask holding unit 52 at the same time, so that the relative positional relationship between the substrate S and the mask holding unit 52, that is, the next
  • a relative positional relationship between the print area PAS to be subjected to the exposure process and the pattern area PAM (such as an error amount such as overlay or misalignment) is detected.
  • the control unit CONT operates the driving sources DA3 and DA4 to move the air turn bars AB13 and AB14 to the second position. Then, the tension applied to the substrate S is temporarily reduced (instantaneously), and the contact pressure between the mask holding unit 52 (mask M) and the substrate S is reduced.
  • the control unit CONT controls the rotation driving unit 57 to correct the position error according to the detected relative positional relationship, so that the mask holding unit 52 is in the ⁇ Y direction (circumferential length direction) with respect to the substrate S. ) Instantaneously increases or decreases the rotational speed of the mask holding portion 52 so as to relatively rotate by a predetermined amount in a predetermined direction (positive direction or negative direction). Thereby, the relative position in the ⁇ Y direction between the substrate S and the mask holding unit 52 is adjusted. Further, when adjusting the position of the substrate S and the mask holding unit 52 in the Y direction, the substrate S and the mask holding unit 52 are controlled by controlling the rotation driving unit 57 to move the mask holding unit 52 in the Y direction. The position in the Y direction can be corrected.
  • the above relative position adjustment may be performed for each print area PAS of the substrate S, or may be performed only when the relative positional relationship (deviation error amount) exceeds a predetermined threshold value.
  • the rotational drive unit 57 may perform, for example, rotational drive during exposure and rotational drive during position adjustment with one drive source, or the first drive source may be used during exposure.
  • the rotation drive may be assigned, and the second drive source may be assigned the rotation drive at the time of position adjustment.
  • the first and second drive sources it is preferable to arrange them coaxially in terms of efficient rotational driving.
  • the substrate S on which the pattern of the mask M has been exposed is sent from the exposure unit 4 to the substrate recovery unit 5 shown in FIG. 1 via the connection unit JT3 by the driving roller DR2 and the nip roller NR2.
  • the substrate collection unit 5 the substrate S that has been subjected to the exposure process is collected by being wound around the collection roller 16 with the surface Sa protected by the protective sheet 14.
  • this relative position is based on the measured relative positional error between the mask holding unit 52 and the substrate S.
  • the pattern of the mask M can be formed on the photosensitive layer RS of the substrate S with high accuracy.
  • the relative position error is adjusted by adjusting the rotation speed of the mask holding unit 52, so that it is not necessary to provide a separate position adjusting actuator, and the apparatus can be reduced in size and cost. Will contribute.
  • the tension of the substrate S is adjusted to adjust the contact pressure with the mask holding unit 52 before the relative positional relationship is adjusted. Damage can be avoided or reduced.
  • the exposure processing is performed.
  • the exposure process can be performed without bringing the layer RS into contact with the mask holder 52. For this reason, in the present embodiment, it is possible to avoid problems such as the apparatus becoming complicated in order to increase the flatness of the mask M and the substrate S without adversely affecting the photosensitive layer RS.
  • the length N of the substrate S wound around the mask holding unit 52 in the ⁇ Y direction satisfies the relationship D (width of the illumination region IL) ⁇ N ⁇ G (length of the non-pattern region NAM). Therefore, the relative position between the mask holding part 52 and the substrate S can be adjusted in the non-pattern area NAM in the mask holding part 52, and the relative movement between the mask holding part 52 and the substrate S causes wear on the pattern of the mask M. It is also possible to prevent the occurrence of troubles such as In addition, in this embodiment, by adjusting the rotational speed of the mask holding unit 52 temporarily to adjust the relative positional relationship between the mask holding unit 52 and the substrate S, it is necessary to provide a separate position adjusting actuator. This eliminates the increase in size and cost of the device.
  • the length N of the substrate S wound around the mask holding portion 52 in the ⁇ Y direction satisfies the relationship of D ⁇ N ⁇ (CL (the total circumferential length of the outer peripheral surface of the mask holding portion 52) / 2).
  • the winding length of the mask holding portion 52 and the substrate S is adjusted to be longer within the range, and the mask holding portion 52 and the substrate S are exposed during exposure. It is also possible to make it difficult to shift the relative positional relationship.
  • FIG. 7 the configuration of the exposure unit 4 is illustrated in a simplified manner, for example, the mask M is not illustrated and is illustrated integrally with the mask holding unit 52.
  • the same components as those of the first embodiment shown in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is omitted.
  • the substrate S is disposed on the upstream side in the transport direction from the mask holding unit 52, and the thickness of the substrate S (the thickness from the back surface Sb to the front surface Sa of the substrate S) is measured.
  • a measuring unit 60 is provided.
  • the illumination unit 50 includes a light source unit 61, an optical property setting unit 62, and an illumination region setting unit 63 as illumination condition variable units.
  • the light source unit 61, the optical property setting unit 62, and the illumination region setting unit 63 The operation is controlled by the control unit CONT.
  • control unit CONT controls the intensity of the light source unit 61 composed of LEDs or the like in accordance with the thickness of the substrate S measured by the measurement unit 60, or controls the optical property setting unit 62. Then, the angle characteristic based on the ⁇ value (NA value) of the illumination, the shape of the secondary light source image, and the like are finely adjusted, or the width D of the illumination area IL is adjusted by controlling the illumination area setting unit 63.
  • the thickness Ft of the substrate S is the gap amount between the mask M (mask holding part 52) and the photosensitive layer RS. For this reason, when the thickness Ft of the substrate S varies, the gap amount between the mask M (mask holding portion 52) and the photosensitive layer RS varies, which causes a line width error of the pattern. there is a possibility.
  • the control unit CONT adjusts the illumination light intensity Ip as an illumination condition, for example, via the light source unit 61.
  • the width D (size) of the illumination region IL via the illumination region setting unit 63, the exposure amount (DOSE amount) irradiated to the photosensitive layer RS is changed (corrected) to form a pattern line Control the width.
  • the control unit CONT determines that the thickness Ft of the substrate S measured by the measurement unit 60 is equal to or greater than the allowable range, the illumination ⁇ value (NA Value) and the angle characteristics (orientation characteristics) based on the shape of the secondary light source image, etc. to change (correct) the optical characteristics of the illumination light, thereby correcting pattern quality by correcting image quality such as penumbra and interference. Control the width.
  • the gap amount between the mask M and the sensitive layer RS varies due to the change in the thickness of the substrate S. Even in the case where an error occurs, the thickness of the substrate S is measured, and the illumination condition of the illumination light is made variable according to the measurement result, thereby making it possible to correct a line width error and form a highly accurate pattern.
  • the supply roll 11 FIG. 1
  • the difference in the average thickness of the substrate (film) between the rolls Even if there is a difference in the variation width of the thickness unevenness, it is possible to immediately cope with the change, and there is an advantage that stable patterning accuracy can be maintained even after roll replacement.
  • the present invention is not limited to this, and the configuration in which the surface Sa (that is, the photosensitive layer RS) is wound around the mask M
  • the present invention is also applicable.
  • the rotational speed of the mask holding unit 52 is adjusted when adjusting the relative positional relationship between the mask M and the substrate S.
  • the present invention is not limited to this.
  • a configuration in which the speed is temporarily increased or decreased, or a structure in which both the rotation speed of the mask holding unit 52 and the feed speed of the substrate S are temporarily increased or decreased may be employed.
  • the tension of the substrate S is adjusted before adjusting the relative positional relationship to adjust the contact pressure with the mask holding unit 52. Can do.
  • the magnification can be finely adjusted. It is.
  • the illumination light emitting unit (illumination device 50) of the illumination device 50 is disposed (positioned) between the rotation axis AX and the inner peripheral surface of the mask holding unit 52, and the illumination light thereof.
  • the optical path length of the illumination light to the photosensitive layer RS becomes the inclination angle of the illumination light emission part (illumination device 50). Lengthens accordingly. Therefore, it is possible to finely adjust the magnification in the ⁇ Y direction between the substrate S and the mask holding unit 52 by tilting the illumination light emitting portion (illumination device 50) of the illumination device 50 at an angle corresponding to the magnification to be adjusted. become.
  • the relative position adjustment described above is performed in advance with the substrate S. It is necessary to adjust the relative position in the X direction with the mask holding unit 52.
  • magnification adjustment in the ⁇ Y direction (X direction) can be performed.
  • an expander roller around which the back surface Sb of the substrate S is wound is disposed so as to be movable in the X direction between the exposure area EA and the air turn bar AB14 in FIG.
  • the expander roller is arranged so that the cylindrical portion and the rotation shaft bulge to the rear side (+ X side) in the transport direction, so that the substrate S transported via the expander roller corresponds to the curvature of the curved expander roller. And stretch.
  • the substrate S has the maximum width expanded by the maximum extension amount in the expander roller, and the maximum width starting from the position held by the air turn bar AB13.
  • the width gradually changes (increases) until.
  • the substrate S wound around the mask holding unit 52 in the exposure area EA is in a state of being expanded at a predetermined magnification
  • the relative magnification with respect to the pattern area PAM of the mask M can also be adjusted in the width direction.
  • the entire circumferential length CL of the outer circumferential surface (pattern surface) of the cylindrical mask M (mask holding portion 52) and the substrate S are provided. It is assumed that the total length (hereinafter referred to as shot length Pss) in the rotation direction ( ⁇ Y direction) of the formed print area PAS and non-print area NAS is the same. However, the entire circumferential length CL of the mask M and the shot length Pss on the substrate S are set to be equal to or less than the relative alignment accuracy (for example, ⁇ 1 ⁇ m) between the mask M and the substrate S required at the time of overlay exposure, for example. It may not be easy.
  • the relative alignment accuracy for example, ⁇ 1 ⁇ m
  • the mask M standard for the exposure of the first layer (mask pattern surface) This is because the shot length Pss is uniquely determined by the radius Rm and the like.
  • the rotation speed of the mask holder 52 and the substrate S are changed every time the non-pattern area NAM on the outer peripheral surface of the mask M is in contact with the substrate S (non-exposure period). If the slip is given between the mask M and the substrate S by temporarily changing the transfer speed of the mask M, the relationship between the total circumference CL of the mask M and the shot length Pss on the substrate S is intentionally changed. Is possible.
  • the mask holder 52 is rotated at a constant speed without causing a slip between the mask M for the first layer and the substrate S, and the shot length Pss is formed on the substrate S.
  • the shot length Pss is formed on the substrate S.
  • the total circumferential length CL of the mask M for the second and subsequent layers is set according to the amount of expansion and contraction.
  • the total length CL of the layer mask M may be set slightly longer or shorter.
  • the pattern formed on the outer peripheral surface of the mask M for the second and subsequent layers is also drawn by extending and contracting in the circumferential direction as a whole.
  • the second layer mask M has the second radius with respect to the radius Rm of the pattern surface of the first layer mask M. It is assumed that the radius of the pattern surface of the mask M for subsequent layers has an error by ⁇ H.
  • the total perimeter CL1 and CL2 of the mask M is desirably 140 cm or more including the perimeter of the non-pattern region NAM.
  • the pattern M of the mask M for the first layer and the mask M for the second and subsequent layers is desirable.
  • a cylindrical mask having a radius Rm of 23.000 cm may be prepared.
  • the manufacturing error ⁇ H has a variation of about ⁇ 3 ⁇ m
  • the method of adjusting the relative position of the mask M and the substrate S in the longitudinal direction ( ⁇ Y direction) by providing a slip between the cylindrical mask M and the substrate S is It is not limited to the purpose of improving the error factor due to expansion / contraction, but for the purpose of preventing deterioration in accuracy of overlay exposure due to a manufacturing error of the mask M (mask holding portion 52) or a conveyance speed error (speed unevenness) of the substrate S. Also effective.
  • FIG. 8B shows a state in which the pattern surface of the mask M having the entire circumference CL is developed in a plane and repeatedly arranged in the ⁇ Y direction.
  • the pattern surface of the mask M has a length in the ⁇ Y direction.
  • the substrate S is normally synchronized while rotating the mask M.
  • the entire circumference CL is set to the next print area PAS2.
  • the pattern area PAM of the mask M is entirely shifted in the - ⁇ Y direction by the difference length ⁇ U1 from the shot length Pss.
  • the pattern area PAM of the mask M is entirely shifted in the - ⁇ Y direction by a length ⁇ U2 that is twice the difference length ⁇ U1 between the entire circumference CL and the shot length Pss. .
  • This is mainly due to the difference between the length Sg of the non-printing area NAS on the substrate S and the length G of the non-pattern area NAM on the mask M.
  • the rotation of the mask M (mask holding unit 52) is performed.
  • the speed is increased for a short time, and the pattern surface of the mask M is slid in the + ⁇ Y direction with respect to the substrate S by the difference length ⁇ U1.
  • the difference length ⁇ U1 in the ⁇ Y direction between the next print area PAS2 and the pattern area PAM of the mask M is eliminated, and the pattern area PAM can be precisely overlaid and exposed on the next print area PAS2.
  • FIG. 9 shows how the peripheral speed Vm in the ⁇ Y direction of the pattern surface of the mask M is changed when the entire circumferential length CL of the mask M is longer than the shot length Pss on the substrate S as shown in FIG. It is the shown graph.
  • the horizontal axis of FIG. 9 represents time (seconds), and the origin (zero point) is the time when the exposure of the first print area PAS1 in FIG. 8 is completed, that is, the illumination light IL is between the print area PAS1 and the mask M. This is the moment when the left end of the pattern area PAM is irradiated.
  • the vertical axis in FIG. 9 represents the distance (mm) in the ⁇ Y direction, and the origin is the left end position of the first print area PAS1 on the substrate S.
  • the pattern surface of the mask M is sent in the circumferential direction by a length G that is larger than the length Sg of the non-printing area NAS of the substrate S by the difference length ⁇ U1.
  • the peripheral speed Vm of the mask M which coincided with the speed Vs of the substrate S during the exposure period, is at the start of the non-exposure period (zero point).
  • the speed is again reduced to coincide with the speed Vs of the substrate S by the end of the non-exposure period.
  • the characteristic of the velocity Vs of the substrate S has a constant inclination, but the characteristic of the peripheral speed Vm of the mask M is accelerated / decelerated during the non-exposure period. Bigger than. Thereby, it can be determined how much the rotational speed (peripheral speed) of the mask M during the non-exposure period should be increased.
  • Optimal driving is performed in consideration of the NAS length Sg, the difference length ⁇ U1, and the like, as well as the amount of expansion / contraction (stretching rate) of the substrate S in the ⁇ Y direction, the relative circumferential error ⁇ CL between the masks, and the like.
  • the peripheral speed Vm of the mask M during the exposure period is the speed Vs (5.0 cm / s) of the substrate S
  • the maximum value of the peripheral speed of the mask M during the non-exposure period (time T1) is increased by 17 It will be larger than 8%.
  • the maximum value is within a range that can be easily realized by torque control (increase in drive current) of the motor that rotationally drives the mask M (mask holding portion 52).
  • the above method may not be applied.
  • the length G of the non-pattern area NAM on the pattern surface of the mask M is extremely long relative to the length Sg of the non-print area NAS on the substrate S (for example, G> 2Sg).
  • the actual length of the length Sg of the non-printing area NAS is extremely short.
  • the radius Rm of the mask M (mask holding portion 52) is made extremely large so that two pattern areas PAM are inserted in the ⁇ Y direction, or the print area PAS on the substrate S and the pattern area on the mask M are placed.
  • the above method (the relative displacement of the mask M and the substrate S) can be applied by rotating the PAM 90 degrees and aligning the longitudinal direction of the display panel with the width direction orthogonal to the feeding direction of the substrate S. There is also.
  • the entire circumferential length CL of the mask M is larger than the shot length Pss on the substrate S, but the reverse relationship (CL ⁇ Pss) may be used.
  • the length G of the non-pattern area NAM on the mask M is relatively short (G ⁇ Sg) with respect to the length Sg of the non-print area NAS on the substrate S.
  • the speed Vm may be controlled so as to be temporarily reduced during the non-exposure period.
  • Rotation axis predetermined axis
  • CONT Control section
  • Pressure control unit pressure control unit
  • transfer control unit adjustment device
  • DA1, DA2 drive source
  • IL illumination area
  • M mask
  • NAM non-pattern area
  • RS photosensitive layer
  • S substrate
  • Sa surface
  • TF TF

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Abstract

　基板処理装置は、湾曲可能な長尺の基板（Ｓ）の光感応層にマスク（Ｍ）のパターンを形成する。円筒状に形成され円筒面に沿ってマスクのパターンを保持すると共に、円筒面に沿って所定の軸線（ＡＸ）周りに回転可能なマスク保持部（５２）と、基板をマスク保持部の円筒面に所定の長さで巻き付けた状態で送る送り装置（ＴＦ）と、マスク保持部と送り装置との少なくとも一方の駆動を制御して、マスク保持部の円筒面の周方向の特定領域に基板が巻き付けられたときに、マスク保持部と基板との相対位置を調整する調整装置と、を備える。

Description

基板処理装置、基板処理方法、及び円筒状マスク
　本発明は、長尺のフレキシブル基板（フィルム、ウェブ、フォイル等）に電子回路等の微細パターンを転写する為の基板処理装置、基板処理方法、及び円筒状マスクに関する。
　本願は、２０１２年１月１２日に出願された特願２０１２－００４３０７号及び２０１２年１月１２日に出願された特願２０１２－００４３０８号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　液晶表示素子等の大画面表示素子においては、平面状のガラス基板上にＩＴＯ等の透明電極やＳｉ等の半導体物質を堆積した上に金属材料を蒸着し、フォトレジストを塗布して回路パターンを転写し、転写後にフォトレジストを現像後、エッチングすることで回路パターン等を形成している。ところが、表示素子の大画面化に伴ってガラス基板が大型化するため、基板搬送も困難になってきている。そこで、可撓性を有する基板（例えば、ポリイミド等のフィルム部材など）上に表示素子を形成するロール・トゥ・ロール方式（以下、単に「ロール方式」と表記する）と呼ばれる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、特許文献２には、ロール状のフィルムマスクに紫外線を照射し、フィルムマスクに形成された転写パターンをガラス基板に転写させる露光機が記載されている。
　ところが、特許文献２に記載された技術では、フィルムマスクを２つの巻取り用ロール間で張力を伴って平面化した状態で送りつつ、プロキシミティ方式でマスクパターンをガラス基板に露光する構成なので、フィルムマスクやガラス基板の送りに伴う振動の影響を受けやすく、プロキシミティ方式で問題となるマスク面とガラス基板の表面との間隔（ギャップ）を、高精度に一定に保つことが困難である。
　そこで、特許文献３には、画像パターンが描画された円筒体(回転マスク)の外周に、光感応層を有するフレキシブルな基板を巻き付けるコンタクト方式の露光処理によって、マスクや基板の振動等に伴う問題を回避可能な技術が開示されている。
国際公開第２００８／１２９８１９号 特開２００５－２１５６８６号公報 特開２００８－１１６５１４号公報
　しかしながら、上述した特許文献３の技術では、露光処理が連続して行われた場合や不測の事態が生じた場合、マスクと基板との相対位置関係がずれる可能性がある。
　特に、基板が薄くて可撓性の高い長尺基板（ＰＥＴ，ＰＥＮ等のフィルム）の場合、露光処理の際のシワ発生を防止する為に、所定の張力（テンション）を与えつつ長尺基板を送ることになる。その張力は、長尺基板の材質、短尺方向の幅、厚み等によっても異なるが、数Ｎ（ニュートン）～数百Ｎになる。その為、張力が掛かっている間、フィルムは長尺方向に伸張し、幅方向には収縮して送られることになる。このような状態で露光処理（所謂、走査露光）が行なわれると、マスクのパターンを基板に高精度に形成できなくなる可能性がある。特に、既にパターン層が形成された基板にパターンを重ね合わせ露光する場合には、重ね合わせ誤差が生じる。
　また、上述した特許文献３の技術では、基板に加わる張力でマスクである円筒体と基板の光感応層とが圧接状態となるため、基板の光感応層に悪影響を及ぼす可能性がある。
　本発明の態様は、基板の光感応層にマスクのパターンを高精度に形成できる基板処理装置、基板処理方法、及びマスクを提供することを目的とする。
　本発明の態様の別の目的は、基板の光感応層に悪影響を及ぼすことなく、前記光感応層にマスクのパターンを形成できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
　本発明の一態様に従えば、湾曲可能な長尺の基板の光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理装置であって、円筒状に形成され円筒面に沿って前記マスクのパターンを保持すると共に、前記円筒面に沿って所定の軸線周りに回転可能なマスク保持部と、前記基板を前記マスク保持部の円筒面に所定の長さで巻き付けた状態で送る送り装置と、前記マスク保持部と前記送り装置との少なくとも一方の駆動を制御して、前記マスク保持部の円筒面の周方向の特定領域に前記基板が巻き付けられたときに、前記マスク保持部と前記基板との相対位置を調整する調整装置と、を備える基板処理装置が提供される。
　本発明の他の態様に従えば、湾曲可能な長尺の基板の光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理方法であって、所定の軸線から一定半径の円筒体の周面に沿って、前記パターンが形成されるパターン形成領域と、前記周面の方向に前記パターン形成領域と続けて設けられる特定領域とを備えた円筒状マスクを用意する段階と、前記円筒状マスクの周面に、前記基板の長尺方向の一部分を所定の長さで巻き付けた状態で、前記円筒状マスクを前記軸線周りに回転させると共に、前記円筒状マスクの周面の周速度に対応した速度で、前記基板を長尺方向に送る段階と、前記円筒状マスクの周面の前記特定領域が前記基板に巻き付いたときに、前記円筒状マスクと前記基板との前記長尺方向の相対位置を調整する段階と、
を備える基板処理方法が提供される。
　本発明の他の態様に従えば、所定の厚みの光透過性の基板の表面に形成された光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理装置であって、円筒状に形成され円筒面に沿って前記マスクのパターンを保持して所定の軸線周りに回転可能なマスク保持部と、前記マスク保持部の内部から前記マスクのパターンの所定の照明領域に照明光を照射する照明部と、前記基板の裏面を前記マスク保持部の円筒面に巻き付けた状態で送る送り装置と、を備える基板処理装置が提供される。
　本発明の他の態様に従えば、所定の厚みの光透過性の基板の表面に形成された光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理方法であって、所定の軸線から一定半径の円筒体の周面に沿って、透過部と遮光部によるパターンが形成されるパターン形成領域を備え、前記パターンを照明する為の照明装置を内部に設置可能な円筒状マスクを用意する段階と、前記円筒状マスクの周面に、前記基板の裏面の一部分を所定の長さで巻き付けた状態で、前記円筒状マスクを前記軸線周りに回転させると共に、前記円筒状マスクの周面の周速度に対応した速度で前記基板を長尺方向に送る段階と、前記照明装置からの照明光を前記円筒状マスクの前記パターン形成領域に向けて照射することにより、前記パターンを透過した照明光を前記基板の裏面から前記表面の光感応層に導く段階と、を含む基板処理方法が提供される。
　本発明の他の態様に従えば、所定の軸線から所定半径を持つ円筒形状に設けられ、前記円筒の周面に、マスクパターンが形成されるパターン領域と、前記パターン領域とは円筒の周方向に区画して設けられ前記軸線周り方向のアライメントが行われるアライメント領域とを備える円筒状マスクが提供される。
　本発明の態様によれば、マスク保持部と基板との相対位置が調整されるため、基板の光感応層にマスクのパターンを高精度に形成することが可能になる。
　また、本発明の態様によれば、円筒状マスクの外周面が、光感応層の形成されていない基板の裏面を接触支持するので、基板の光感応層に悪影響を及ぼすことなく、光感応層にマスクのパターンを形成することが可能になる。
基板処理装置の概略的な構成図である。 感光層形成部の概略的な構成図である。 露光部の概略的な構成図である。 マスク保持部におけるＹＺ断面図である。 （ａ）は基板の展開図、（ｂ）はマスクの展開図である。 基板処理装置に係る制御ブロック図である。 第２実施形態に係る露光部の概略的な構成図である。 （ａ）は基板の展開図、（ｂ）はマスクの展開図である。 マスクのパターン面のθＹ方向の周速度Ｖｍをどのように変化させるかを示したグラフである。
（第１実施形態）
　以下、本発明の基板処理装置及び円筒状マスクの第１実施形態を、図１ないし図６を参照して説明する。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、帯状の長尺基板（例えば、帯状のフィルム部材）Ｓを供給する基板供給部２と、基板Ｓの表面（被処理面）Ｓａに対して光感光層を形成する感光層形成部３と、基板Ｓに対して露光処理を行う露光部４と、基板Ｓを回収する基板回収部５と、これらの各部を制御する制御部ＣＯＮＴ（図６参照）とが接続部ＪＴ１～ＪＴ３を介してインライン接続された構成を有している。
　なお、以下の説明では、鉛直方向をＺ方向とし、基板Ｓの主たる搬送方向をＸ方向とし、これらＺ方向及びＸ方向と直交する方向（基板Ｓの幅方向）をＹ方向として適宜説明する。
　基板供給部２は、基板Ｓの表面Ｓａに保護シート１０が一体的に貼設された供給ロール１１が装着される供給ローラ１２、基板Ｓから剥離された保護シート１０を回収する回収ロール１３を備えている。保護シート１０が剥離された基板Ｓは、表面Ｓａを上方に向けて接続部ＪＴ１を介して感光層形成部３に送られる。
　基板回収部５は、露光部４で露光処理が行われ接続部ＪＴ３から送られる基板Ｓに対して、表面Ｓａを保護する保護シート１４が巻回された供給ロール１５、保護シート１４が表面Ｓａに貼設された状態で基板Ｓを巻き取って回収する回収ロール１６を備えている。
　基板供給部２と基板回収部５のユニット構成は、基本的に同じ構造で良く、基板Ｓ用の供給ロール１１と回収ロール１６、保護シート１４用の回収ロール１３と供給ロール１５は、それぞれ同じ構造の駆動系（ローラやモータ等）で制御できる。
　なお、これらの基板供給部２、基板回収部５の各ユニットは他の製造装置にも利用できるように、ユニット内の案内ローラや接続部ＪＴ１，ＪＴ３につながる開口部等の位置をＸＺ面内で移動できる構成とし、基板Ｓの搬出・搬入の高さ位置等が調整可能となっている。
　図２は、感光層形成部３の概略的な構成図である。
　感光層形成部３は、前処理部２１、アライメントセンサー２２、印刷ユニット２３、回転ドラム（搬送支持部）２４、温調部２５、加熱処理ユニット２６を主体に構成されている。
　前処理部２１は、例えば、除電ブロワー部２１ａを備えており、基板供給部２から搬送ローラ２７を介して送られる基板Ｓの表面Ｓａに対して帯電除去処理及び異物除去処理を行うものである。アライメントセンサー２２は、基板Ｓに形成された指標マークＭＳ（アライメントマーク；図５（ａ）参照）を検出し、検出信号を制御部ＣＯＮＴに出力するものであり、回転ドラム２４の外周面と対向して配置されている。基板Ｓの搬送経路における前処理部２１とアライメントセンサー２２との間には、エアターンバーＡＢ１、テンションローラーＴＲ１、エアターンバーＡＢ２が順次配置されている。エアターンバーＡＢ１、ＡＢ２は、基板Ｓの表面Ｓａに対して気体の圧力により非接触で搬送方向を折り曲げて、張力を付与するものである。
　印刷ユニット２３は、基板Ｓに塗布される光感応層形成材料である感光剤インクが供給され貯溜するインクポット３０と、インクポット３０から感光剤インクが供給されるインクローラ３１と、インクローラ３１を介して表面に供給された感光剤インクを回転ドラム２４に巻き付けられた基板Ｓに転写する転写ローラ３２と、転写ローラ３２が回転ドラム２４から離間したときに、転写ローラ３２上の感光剤インクを移し取るダミーローラ（回収用ローラ）３３と、揺動軸３４を揺動中心として、可動とする可動ユニット（駆動装置）３５とを備えている。
　その可動ユニット３５には、インクポット３０、インクローラ３１及び転写ローラ３２が一体的に取り付けられているので、可動ユニット３５の回動により、転写ローラ３２が回転ドラム２４上の基板Ｓと圧接する状態（第１位置）と、ダミーローラ３３と圧接する状態（第２位置）とに切り替えられる。
　ダミーローラ３３の周面近傍には、転写ローラ３２から移された感光剤インクを除去するブレード３６と、除去された感光剤インクを回収する回収部３７とが設けられている。
　可動ユニット３５の揺動動作は、転写制御部としての制御部ＣＯＮＴによって制御される。また、制御部ＣＯＮＴは、転写ローラ３２の回転駆動及びダミーローラ３３の回転駆動も制御する。
　温調部２５は、基板Ｓに塗布された感光剤インクに含まれる溶剤を飛ばすための放出空間３８、基板Ｓに塗布された感光剤インクを乾燥させる乾燥空間３９、加熱処理された基板Ｓの温度を調整するための温調空間４０を備えている。放出空間３８で溶剤が飛ばされた基板Ｓは、エアターンバーＡＢ３で搬送方向をＺ方向に非接触で変更され、乾燥空間３９で感光剤インクを乾燥させた後に加熱処理ユニット２６で加熱される。加熱された基板Ｓ上の感光剤インクは、硬化して光感応層ＲＳを形成する。光感応層が形成された基板Ｓは、排出ローラ４１を介して接続部ＪＴ２から露光部４に送られる。
　尚、加熱処理ユニット２６は、感光剤インクの種類によっては必ずしも必要ではない。
　図３は、露光部４の概略的な構成図である。
　露光部４は、照明部５０、マスク保持部５２、アライメントセンサー（計測部）５４、送り装置ＴＦを備えている。送り装置ＴＦは、基板Ｓの搬送経路に沿って順次配置されたニップローラ（ゴム製）ＮＲ１、駆動ローラＤＲ１、エアターンバーＡＢ１１、テンションローラＴＲ１１、エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４、テンションローラＴＲ１２、エアターンバーＡＢ１２、ニップローラ（ゴム製）ＮＲ２、駆動ローラＤＲ２を備えている。
　照明部５０は、基板ＳがマスクＭに巻き付けられた露光領域ＥＡに向けて照明光を照射するものであって、蛍光灯と同様に直管型で放射状に露光用の照明光（紫外線）を発光するもの、円筒状の石英の棒の両端から照明光を導入し円筒内周面側に拡散部材を設けたもの、紫外線ランプからの光を複数本の光ファイバーを束ねたファイバー束の入射端に入射させ、各光ファイバーの射出端を図３中のＹ方向に一列（又は数列）にして並べたもの等が用いられ、マスク保持部５２の内部から上記マスクＭを内側からＹ方向に延びる矩形の照明領域ＩＬ（図３、図５参照）で照明する。照明光の光源としては、紫外線ランプの他に、紫外線域（４４０ｎｍ以下）に発光スペクトルを有するＬＤやＬＥＤ等が用いられる。照明領域ＩＬへの照明光の照射／照射停止は、照射制御部５６により制御される。照射制御部５６としては、照明光の光路を遮光／遮光解除するシャッターや、照明光がレーザ光の場合にはトリガー信号制御部が用いられる。
　マスク保持部５２は、照明光を透過可能な、例えば石英等で円筒状に形成されており、図４のＹＺ断面図に示すように、円筒面５２ａに沿って形成されたマスクＭのパターンを保持して、回転制御部としての制御部ＣＯＮＴの制御下で回転駆動部５７の作動により回転軸線（所定の軸線）ＡＸ周り（及び微少量、回転軸線ＡＸ方向）に回転可能である。これら制御部ＣＯＮＴ及びアライメントセンサー５４により、マスク保持部５２と基板Ｓとの相対位置を調整する調整装置が構成される。
　尚、図４において、マスクＭのパターンは石英製のマスク保持部５２の円筒面５２ａに対して埋め込まれるように図示されているが、実際の（透過部と遮光部による）パターンはクロム等の遮光性の金属膜を円筒面５２ａ（外周面）に厚さ１μｍ以下で蒸着して形成される。
　基板Ｓとの接触によるマスクＭのパターン損傷や基板Ｓ自身の損傷を考慮して、遮光性金属膜によるパターンが形成された円筒面５２ａの全面に、光透過性の高硬度の薄膜（厚さ数μｍ以下）を保護層として堆積すると良い。
　アライメントセンサー５４は、基板Ｓに設けられた指標マークＭＳと、基板Ｓの光透過部（窓部等）を介してマスクＭに設けられた指標マークＭＭとを観測することにより、基板ＳとマスクＭとの相対位置関係を検出するものである。より詳細には、図５（ａ）の基板Ｓの展開図、及び図５（ｂ）のマスクＭ（マスク保持部５２）の展開図に示すように、マスクＭは、所定範囲にパターン領域ＰＡＭと、パターン領域ＰＡＭの範囲外に非パターン領域（特定領域）ＮＡＭとを備えており、非パターン領域ＮＡＭにおけるパターン領域ＰＡＭの回転方向（θＹ方向または周長方向とも呼ぶ）の一方側に指標マークＭＭを備えている。また、パターン領域ＰＡＭのθＹ方向の両側にはＹ方向に延在する遮光帯ＳＢがそれぞれ設けられている。
　同様に、基板Ｓは、マスクＭのパターン領域ＰＡＭと対応する（略同一）大きさの印刷領域ＰＡＳと、パターン領域ＰＡＳの範囲外に非印刷領域ＮＡＳとを備えており、非印刷領域ＮＡＳにおける印刷領域ＰＡＳの回転方向（θＹ方向）の一方側で、光透過部（窓部等）には指標マークＭＳを備えている。従って、アライメントセンサー５４により、指標マークＭＳと指標マークＭＭとを観測し、これらの相対位置関係を検出することにより、基板ＳとマスクＭとの相対位置関係が検出される。基板Ｓに形成される光感応層ＲＳは、パターン領域ＰＡＳを覆い、且つ指標マークＭＳを覆わない範囲に形成される。
　なお、図５において、マスクＭ上に示した照明領域ＩＬは、θＹ方向（周長方向）の幅がＤのスリット状であり、Ｙ方向の長さはパターン領域ＰＡＭを覆うように定められる。
　そして照明領域ＩＬの幅Ｄは非パターン領域ＮＡＭのθＹ方向の長さＧよりも小さく設定される。
　さて、図３に示すように、送り装置ＴＦにおける駆動ローラＤＲ１には駆動モータＤＭ１が接続され、駆動ローラＤＲ２には駆動モータＤＭ２が接続されている。駆動モータＤＭ１、ＤＭ２の駆動は制御部ＣＯＮＴにより制御され（図６参照）、基板Ｓの送り方向のテンションが調整される。
　エアターンバーＡＢ１１は、基板Ｓの表面Ｓａに対して非接触でテンションを付与するものであり、圧力制御部としての制御部ＣＯＮＴの制御下で駆動源（圧力調整部）ＤＡ１の駆動によりＺ方向に移動可能となっている。エアターンバーＡＢ１１の＋Ｚ側に作用する力は、センサーＴＳ１で検出され制御部ＣＯＮＴに出力される。同様に、エアターンバーＡＢ１２は、圧力制御部としての制御部ＣＯＮＴの制御下で駆動源（圧力調整部）ＤＡ２の駆動によりＺ方向に移動可能となっている。エアターンバーＡＢ１２の＋Ｚ側に作用する力は、センサーＴＳ２で検出され制御部ＣＯＮＴに出力される。制御部ＣＯＮＴは、センサーＴＳ１、ＴＳ２からの出力に基づいて、基板ＳからエアターンバーＡＢ１１，ＡＢ１２に加わる＋Ｚ側への力、すなわち基板Ｓのテンション（張力）を検出する。
　テンションローラＴＲ１１、ＴＲ１２は、裏面ＳｂでマスクＭに巻き付けられる基板Ｓに対するテンションを保持するものであって、マスク保持部５２を挟んだＸ方向の両側に配置されている。
　エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４は、基板Ｓの表面Ｓａに対して非接触でテンションを調整するものであり、テンションローラＴＲ１１、１２の間で、露光領域ＥＡを挟んだＸ方向の両側に配置されている。各エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４は、制御部ＣＯＮＴの制御下でこのエアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４を、例えば露光処理時に基板Ｓに送り方向に所定のテンションを付与する第１位置（図３に示す位置）と、露光処理時以外で例えば基板ＳとマスクＭとのθＹ方向の相対位置を調整する際に、基板Ｓに付与するテンションを低下（またはゼロに）させる第２位置（例えば、第１位置に対して＋Ｚ側の位置）との間でＺ方向に移動させる駆動源ＤＡ３、ＤＡ４にそれぞれ接続されている。
　また、エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４の第１位置（張力付与位置）は、マスク保持部５２に巻き付けられる基板Ｓの長さ、θＹ方向の照明領域ＩＬの幅Ｄ、θＹ方向の非パターン領域ＮＡＭの長さＧが所定の関係を有するように設定される。
　より詳細には、図５（ｂ）に示したように、θＹ方向の照明領域ＩＬの幅Ｄ、θＹ方向の非パターン領域ＮＡＭの長さＧに対して、マスク保持部５２に巻き付けられる基板ＳのθＹ方向（周長方向）の長さＮ（図３参照）が以下の式（１）を満足するように、エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４の第１位置は設定されている。
　　　　Ｄ＜Ｎ＜Ｇ　…（１）
　さらに、マスク保持部５２の外周面の全周長をＣＬとすると、マスク保持部５２に巻き付けられる基板ＳのθＹ方向の長さＮが以下の式（２）を満足するように、エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４の第１位置は設定されている。
　　　　Ｄ＜Ｎ＜（ＣＬ／２）　…（２）
　ここで、基板Ｓのマスク保持部５２への巻付け長（接触長）Ｎを、マスク保持部５２の全周長ＣＬの半分以下に抑えたのは、基板Ｓとマスク保持部５２のＹ方向の相対的な位置誤差を補正する為に、テンションローラＴＲ１１、１２、或いはマスク保持部５２を図３中のＹ方向に微動させる場合の応答性や補正精度を確保する為である。
　基板Ｓは、照明光に対して透過性を有しており、比較的高温（例えば２００℃程度）の熱を受けても寸法が実質的に変わらない（熱変形が小さい）ように熱膨張係数を小さくすることができる。例えば、無機フィラーを樹脂フィルムに混合して熱膨張係数を小さくすることができる。無機フィラーの例としては、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素などが挙げられる。
　基板Ｓは、湾曲可能な可撓性を有するように形成されている。ここで可撓性とは、基板に自重程度の力を加えても線断したり破断したりすることはなく、その基板を撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、上記可撓性は、その基板の材質、大きさ、厚さ、又は温度や湿度などの環境、等に応じて変わる。なお、基板Ｓとしては、１枚の帯状の基板を用いても構わないが、複数の単位基板を接続して帯状に形成される構成としても構わない。
　図６は、基板処理装置１００に係る制御ブロック図である。
　図６に示すように、制御部ＣＯＮＴは、図２に示した感光層形成部３において、アライメントセンサー２２から基板Ｓのマーク検出信号が入力し、入力した信号に応じて可動ユニット３５の動作を制御する。また、制御部ＣＯＮＴは、感光層形成部３において、転写ローラ３２、ダミーローラ３３の駆動を制御する。
　また、制御部ＣＯＮＴは、図３に示した露光部４において、アライメントセンサー５４及びセンサーＴＳ１、ＴＳ２の検出信号が入力するとともに、駆動モータＤＭ１～ＤＭ２、駆動源ＤＡ１～ＤＡ４、回転駆動部５７、照射制御部５６の動作を制御する。
　続いて、上記構成の基板処理装置１００の動作について説明する。
　図１の基板供給部２の供給ローラ１２にセットされた供給ロール１１は、保護シート１０が剥離された後に接続部ＪＴ１を介して感光層形成部３に送られる。
　図３の感光層形成部３に送られた基板Ｓは、前処理部２１で帯電除去処理及び異物除去処理が施された後に、エアターンバーＡＢ１、ＡＢ２間で所定のテンションで回転ドラム２４の外周面に裏面Ｓｂが密着して巻き付いたまま所定速度で送られる。基板Ｓが回転ドラム２４に巻き付く範囲内でアライメントセンサー２２によって指標マークＭＳが検出される（図５（ａ）参照）。制御部ＣＯＮＴは、アライメントセンサー２２の検出信号に基づいて、基板Ｓにおける印刷領域ＰＡＳの位置を認識し、この印刷領域ＰＡＳが覆われるように光感応層ＲＳを形成させる。
　具体的には、制御部ＣＯＮＴは、印刷領域ＰＡＳに対して所定量の余白部を加えた範囲（図５（ａ）に実線で示す範囲）に光感応層ＲＳが形成されるように可動ユニット３５を制御して転写ローラ３２を基板Ｓの表面Ｓａ（回転ドラム２４）と圧接する位置に移動させる。これにより、インクポット３０の感光剤インク（フォトレジスト、光硬化性インク、感光性ＳＡＭ、等）は、インクローラ３１及び転写ローラ３２を介して基板Ｓの表面Ｓａに塗布される。
　制御部ＣＯＮＴは、アライメントセンサー２２の検出信号に基づいて、感光剤インクの塗布位置が非印刷領域ＮＡＳに達すると、可動ユニット３５を制御して転写ローラ３２をダミーローラ３３と圧接する位置に移動させる。これにより、インクポット３０の感光剤インクは、インクローラ３１及び転写ローラ３２を介してダミーローラ３３に塗布される。ダミーローラ３３に塗布された感光剤インクは、ブレード３６によって除去されて回収部３７に回収される。このとき、制御部ＣＯＮＴは、転写ローラ３２及びダミーローラ３３の周速度を基板Ｓの送り速度に同期させ、感光剤インクが安定して転写されるように制御する。
　このように、基板Ｓに感光剤インクを塗布しない間も感光剤インクをインクポット３０から連続的に供給することにより、感光剤インクの供給を一時的に停止した場合のようにインクポット３０やインクローラ３１、転写ローラ３２において、滞留する感光剤インクの溶媒が蒸発して感光剤インクの特性が変動（変質）してしまうことを防止できる。
　印刷領域ＰＡＳ（及び余白部）に感光剤インクが塗布された基板Ｓは、温調部２５における放出空間３８で感光剤インクに含まれる溶剤が飛ばされ、乾燥空間３９で感光剤インクが乾燥された後に、加熱処理ユニット２６で加熱されて硬化することにより光感応層ＲＳが形成される。加熱処理ユニット２６で加熱された基板Ｓは、温調空間４０で温度が調整された後に接続部ＪＴ２から露光部４に送られる。
　図３に示すように、ニップローラＮＲ１、駆動ローラＤＲ１により露光部４内部に送られた基板Ｓは、センサーＴＳ１、ＴＳ２からの出力に基づいて検出され駆動モータＤＭ１、ＤＭ２の駆動により制御される送り方向のテンションで裏面Ｓｂがマスク保持部５２に巻き付けられた状態で送られる。
　テンションローラＴＲ１２が第１位置にある状態で基板Ｓの印刷領域ＰＡＳが露光領域ＥＡに達する前に、制御部ＣＯＮＴは照射制御部５６を介して照明部５０からスリット状の照明光を照射させる。照明領域ＩＬで照明光に照射されたマスクＭからの透過光（パターンの影像）は、図４に示すように、基板Ｓの裏面Ｓｂ側から表面Ｓａ側に透過して、その表面Ｓａに形成された光感応層ＲＳに達する。
　このとき、マスクＭ（マスク保持部５２）及び基板Ｓは、同一の周速度で移動しており、照明領域ＩＬ内においてマスクＭのパターンの影像が、基板Ｓの裏面Ｓｂ側から光感応層ＲＳに、周速度Ｖｓ、照明領域ＩＬの幅Ｄ、光感光層ＲＳに達する照明光の照度Ｉｐで規定される露光量（Ｄｏｓｅ量）で投射される。このとき、マスクＭと光感光層ＲＳとの間には基板Ｓが介在するため、基板Ｓの厚さによるギャップが形成される。
　この種の光透過性の基板Ｓの厚みは、その用途や仕様により、数十μｍ～数百μｍと多岐に及ぶが、ＰＥＴやＰＥＮのような樹脂性フィルムの場合は、その製造方法にもよるが、比較的に厚みムラが少なく、均一なフィルム厚となっている。
　その為、マスクＭのパターンは、厚みが均一なフィルム厚をギャップとするプロキシミティ方式によって光感応層ＲＳに露光される。即ち、バック露光が行なわれる。
　例えば、基板Ｓとして公称１００μｍ厚のＰＥＴフィルムで、その厚みムラが±１０％のものを使う場合、パターン影像のプロキシミティ露光時のギャップが９０～１１０μｍの間で変動することになるので、最大ギャップ（１１０μｍ）の場合でも、マスクＭの線条パターンの線幅が所定の誤差範囲内で光感応層ＲＳに転写されるように、マスクＭに形成すべきパターンの形状、寸法、線幅等を設計しておくことができる。
　また、マスクＭ（マスク保持部５２）の円筒状の外周面（パターン面）の半径をＲｍとし、基板Ｓの厚みをＦｔとすると、マスクＭの照明領域ＩＬに向かう照明光の角度特性によっては、光感応層ＲＳに転写されるマスクＭのパターン像は、周長方向に関して（１＋Ｆｔ／Ｒｍ）倍に拡大される倍率誤差を持つこともある。
　従って、マスクＭの外周面の半径Ｒｍ、基板Ｓの厚みＦｔによって決まる倍率誤差が無視できない場合は、マスクＭ上に形成するパターン領域ＰＡＭ全体のθＹ方向（周長方向）の寸法を、設計上の寸法に対して一様に縮小させることができる。
　マスクＭのパターン領域ＰＡＭ及び基板Ｓの印刷領域ＰＡＳが露光領域ＥＡ（照明領域ＩＬ）を通過した後で、次のマスクＭのパターン領域ＰＡＭ及び基板Ｓの印刷領域ＰＡＳが露光領域ＥＡ（照明領域ＩＬ）に到達する前には、マスク保持部５２と基板Ｓとの相対位置を調整することができる。
　具体的には、まず、予めアライメントセンサー５４により、基板Ｓ上の指標マークＭＳとマスク保持部５２上の指標マークＭＭを同時に観察して基板Ｓとマスク保持部５２の相対位置関係、すなわち、次に露光処理を行うべき印刷領域ＰＡＳとパターン領域ＰＡＭとの相対位置関係（重ね合わせや位置ずれ等の誤差量等）を検出しておく。
　次に、基板Ｓの非印刷領域ＮＡＳが露光領域ＥＡ（照明領域ＩＬ）に達すると、制御部ＣＯＮＴは、駆動源ＤＡ３、ＤＡ４を作動させて、エアターンバーＡＢ１３、ＡＢ１４を第２位置に移動させ、基板Ｓに付与するテンションを一時的（瞬間的）に低下させ、マスク保持部５２（マスクＭ）と基板Ｓとの接触圧を低下させる。
　そして、制御部ＣＯＮＴは、検出しておいた相対位置関係に応じて位置誤差を補正すべく、回転駆動部５７を制御して、マスク保持部５２が基板Ｓに対してθＹ方向（周長方向）における所定方向（正方向または負方向）に所定量相対的に回転するように、マスク保持部５２の回転速度を瞬時的に増加または減少させる。これにより、基板Ｓとマスク保持部５２とのθＹ方向の相対位置が調整される。また、基板Ｓとマスク保持部５２とのＹ方向の位置を調整する際には、回転駆動部５７を制御してマスク保持部５２をＹ方向に移動させることにより、基板Ｓとマスク保持部５２とのＹ方向の位置を補正することができる。
　上記の相対位置調整は、基板Ｓの印刷領域ＰＡＳ毎に行ってもよいし、相対位置関係（ずれの誤差量）が所定のしきい値を超えた場合のみに行ってもよい。
　回転方向の位置を調整する場合、回転駆動部５７としては、例えば一つの駆動源により露光時の回転駆動及び位置調整時の回転駆動を行ってもよいし、第１の駆動源に露光時の回転駆動を担当させ、第２の駆動源に位置調整時の回転駆動を担当させてもよい。第１、第２の駆動源を用いる場合には、同軸で配置することが効率的に回転駆動を行う点で好適である。
　マスクＭのパターンが露光された基板Ｓは、駆動ローラＤＲ２とニップローラＮＲ２により、露光部４から接続部ＪＴ３を介して、図１に示した基板回収部５に送られる。基板回収部５においては、露光処理が施されて送られた基板Ｓが表面Ｓａを保護シート１４で保護された状態で回収ローラ１６に巻かれて回収される。
　以上、説明したように、本実施形態では、マスクＭと基板Ｓとの相対位置関係がずれている場合でも、計測したマスク保持部５２と基板Ｓとの相対位置誤差に基づいて、この相対位置誤差を調整するため、マスクＭのパターンを基板Ｓの光感応層ＲＳに高精度に形成することが可能になる。特に、本実施形態では、マスク保持部５２の回転速度を調整することにより、上述した相対位置誤差を調整するため、別途位置調整用のアクチュエータを設ける必要がなくなり、装置の小型化・低価格化に寄与することになる。
　しかも、本実施形態では、相対位置関係の調整前に基板Ｓの張力を調整してマスク保持部５２との接触圧を調整しているため、マスク保持部５２と基板Ｓとの接触により、これらに損傷が生じることを回避、或いは低減できる。
　また、本実施形態では、円筒状に形成されたマスク保持部５２に、光感応層ＲＳが形成された基板Ｓの表面Ｓａとは逆側の裏面Ｓｂを巻き付けて露光処理を行うため、光感応層ＲＳをマスク保持部５２に接触させることをなく露光処理を実施できる。
　そのため、本実施形態では、光感応層ＲＳに悪影響を及ぼさず、また、マスクＭや基板Ｓの平面度を高めるために装置が複雑化する等の問題を回避することが可能になる。
　また、本実施形態では、マスク保持部５２に巻き付けられる基板ＳのθＹ方向の長さＮがＤ（照明領域ＩＬの幅）＜Ｎ＜Ｇ（非パターン領域ＮＡＭの長さ）の関係を満たしているため、マスク保持部５２における非パターン領域ＮＡＭでマスク保持部５２と基板Ｓとの相対位置を調整できることになり、マスク保持部５２と基板Ｓとの相対移動によりマスクＭのパターンに摩耗を生じさせる等の不具合が生じることも防止できる。
　しかも、本実施形態では、マスク保持部５２の回転速度を一時的に調整することにより、マスク保持部５２と基板Ｓとの相対位置関係を調整するため、別途位置調整用のアクチュエータを設ける必要がなくなり、装置の大型化、高価格化を防止できる。
　さらに、本実施形態では、マスク保持部５２に巻き付けられる基板ＳのθＹ方向の長さＮがＤ＜Ｎ＜（ＣＬ（マスク保持部５２の外周面の全周長）／２）の関係を満たすように設定されるが、基板Ｓの裏面Ｓｂのすべり特性によっては、マスク保持部５２と基板Ｓとの巻き付け長をその範囲内で長めに調整して露光中はマスク保持部５２と基板Ｓとの相対位置関係をずれ難くすることも可能になる。
（第２実施形態）
　続いて、基板処理装置の第２実施形態について、図７を参照して説明する。
　第２実施形態では、第１実施形態に対して、基板Ｓの厚さを計測する計測装置と、照明部５０において照明条件可変部が設けられる点が異なっているため、以下、これらの点について説明する。なお、図７においては、マスクＭの図示を省略しマスク保持部５２と一体的に図示する等、露光部４の構成を簡略的に図示している。また、図７では、図１乃至図６に示す第１実施形態の構成要素と同一の要素については同一符号を付し、その説明を省略する。
　図７に示すように、マスク保持部５２よりも搬送方向の上流側には、基板Ｓを挟んで配置され、基板Ｓの厚さ（基板Ｓの裏面Ｓｂから表面Ｓａまでの厚さ）を計測する計測部６０が設けられている。また、照明部５０は、照明条件可変部としての光源部６１、光学特性設定部６２、照明領域設定部６３を備えており、これら光源部６１、光学特性設定部６２、照明領域設定部６３の動作は、制御部ＣＯＮＴにより制御される。
　より詳細には、制御部ＣＯＮＴは計測部６０で計測された基板Ｓの厚さに応じて、ＬＥＤ等で構成される光源部６１の強度を可変に制御したり、光学特性設定部６２を制御して照明のσ値（ＮＡ値）や２次光源像の形状等に基づく角度特性を微調整したり、あるいは照明領域設定部６３を制御して照明領域ＩＬの幅Ｄを調整する。
　上述した基板Ｓの裏面Ｓｂ側から照明光を入射させ、表面Ｓａに形成された光感応層ＲＳにマスクＭのパターンを露光する場合、基板ＳがマスクＭ（マスク保持部５２）と光感応層ＲＳとの間にギャップを形成する。換言すると、基板Ｓの厚さＦｔがマスクＭ（マスク保持部５２）と光感応層ＲＳとの間のギャップ量となる。そのため、基板Ｓの厚さＦｔが変動した場合には、マスクＭ（マスク保持部５２）と光感応層ＲＳとの間のギャップ量が変動することになるので、パターンの線幅誤差を生じさせる可能性がある。
　そこで、制御部ＣＯＮＴは、計測部６０で計測された基板Ｓの厚さＦｔが許容範囲以上である場合には、例えば光源部６１を介して、照明条件として照明光の強度Ｉｐを調整するか、照明領域設定部６３を介して照明領域ＩＬの幅Ｄ（大きさ）を調整することで、光感応層ＲＳに照射される露光量（ＤＯＳＥ量）を変えて（補正して）パターンの線幅を制御する。或いは、制御部ＣＯＮＴにより、計測部６０で計測された基板Ｓの厚さＦｔが許容範囲以上であると判断された場合には、例えば光学特性設定部６２を介して、照明のσ値（ＮＡ値）や２次光源像の形状等に基づく角度特性（配向特性）を調整して照明光の光学特性を変える（補正する）ことにより、半影ぼけや干渉等の像質補正によりパターンの線幅を制御する。
　このように、本実施形態では、上記第１実施形態と同様の作用・効果が得られることに加えて、基板Ｓの厚さ変化に起因してマスクＭと感応層ＲＳとのギャップ量にばらつきが生じる場合でも、基板Ｓの厚さを計測し、計測結果に応じて照明光の照明条件を可変とすることで、線幅誤差等を補正して高精度のパターンを形成することが可能になる。
　また、ある厚みの基板Ｓが巻かれた供給ロール１１（図１）が空になり、新たな供給ロール１１をセットして露光処理を続ける場合、ロール間における基板（フィルム）の平均厚みの差、厚みムラ変動幅の差などがあったとしても、その変化に直ちに対応可能になり、ロール交換後も安定したパターニング精度を維持できると言う利点もある。
　以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
　例えば、上記実施形態では、基板Ｓの裏面ＳｂがマスクＭに巻き付けられる構成を例示したが、これに限定されるものではなく、表面Ｓａ（すなわち、光感応層ＲＳ）がマスクＭに巻き付けられる構成に対しても本発明は適用可能である。
　また、上記実施形態では、マスクＭと基板Ｓとの相対位置関係を調整する際に、マスク保持部５２の回転速度を調整する構成としたが、これに限られるものではなく、基板Ｓの送り速度を一時的に増減制御する構成や、マスク保持部５２の回転速度及び基板Ｓの送り速度の双方を一時的に増減制御する構成であってもよい。これらの構成においても、マスクＭと基板Ｓとの相対位置関係を調整する際には、相対位置関係の調整前に基板Ｓの張力を調整してマスク保持部５２との接触圧を調整することができる。
　また、例えば、上記実施形態では、基板Ｓとマスク保持部５２との相対位置を調整する例を用いて説明したが、これに加えて、又は代替的に、例えば倍率を微調整することも可能である。倍率微調整を行う際には、例えば、照明装置５０の照明光射出部（照明装置５０）を回転軸線ＡＸとマスク保持部５２の内周面との間に配置（位置）し、その照明光射出部（照明装置５０）をＹ方向に延びる回転軸線周りに所定角度回転させて傾けることにより、光感応層ＲＳまでの照明光の光路長が照明光射出部（照明装置５０）の傾き角度に応じて長くなる。そのため、調整したい倍率に応じた角度に照明装置５０の照明光射出部（照明装置５０）を傾けることで、基板Ｓとマスク保持部５２との間でθＹ方向の倍率を微調整することが可能になる。この場合、照明装置５０の照明光射出部（照明装置５０）を傾けない場合に対して、パターン影像の投射位置がＸ方向に少しずれるため、上述した相対位置調整を行って、予め基板Ｓとマスク保持部５２とのＸ方向の相対位置を調整する必要がある。
　また、θＹ方向（Ｘ方向）の倍率調整のみならず、Ｙ方向（基板Ｓの幅方向）の倍率調整も行うことができる。例えば、図３における露光領域ＥＡとエアターンバーＡＢ１４との間に、基板Ｓの裏面Ｓｂが巻き付けられるエキスパンダーローラをＸ方向に移動自在に配置する。エキスパンダーローラは、円筒部及び回転軸が搬送方向の後方側（＋Ｘ側）に膨出するように配置することで、エキスパンダーローラを介して搬送される基板Ｓは、湾曲するエキスパンダーローラの曲率に応じて伸張する。ここで基板Ｓとマスク保持部５２とが接触していない場合を考えると、基板Ｓは、エキスパンダーローラにおいて最大伸張量で伸張した最大幅となり、エアターンバーＡＢ１３で保持された位置を起点として最大幅まで漸次幅が変化（増加）する。換言すると、基板Ｓは、エアターンバーＡＢ１３で保持された位置（相対倍率＝１の初期幅）を起点として、エキスパンダーローラで伸張した位置の最大幅まで送り方向の位置に応じて漸次幅が大きくなる。そのため、露光領域ＥＡでの拡幅量が所定値となるようにエキスパンダーローラの位置を調整することで、露光領域ＥＡでマスク保持部５２に巻き付けられた基板Ｓは、所定倍率で伸張した状態となり、幅方向についてもマスクＭのパターン領域ＰＡＭとの間の相対倍率を調整することができる。
　以上の実施態様では、図５（ａ）、（ｂ）で説明したように、円筒状のマスクＭ（マスク保持部５２）の外周面（パターン面）の全周長ＣＬと、基板Ｓ上に形成される印刷領域ＰＡＳと非印刷領域ＮＡＳの回転方向（θＹ方向）の合計の長さ（以下、ショット長Ｐｓｓとする）とが同じになることを前提にしている。しかしながら、マスクＭの全周長ＣＬと基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓとを、例えば、重ね合せ露光時に要求されるマスクＭと基板Ｓとの相対位置合せ精度（例えば±１μｍ）以下に揃えておくことが容易でない場合がある。
　これは、マスクＭのパターン領域ＰＡＭを基板Ｓ上の印刷領域ＰＡＳに初めて転写する第１層の露光（Ｆｉｒｓｔ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）の際に、その第１層の露光用のマスクＭの規格（マスクパターン面の半径Ｒｍ等）によって、ショット長Ｐｓｓが一義的に決まるからである。もちろん、第１層用の露光の際に、マスクＭの外周面上の非パターン領域ＮＡＭが基板Ｓと接触している期間（非露光期間）毎に、マスク保持部５２の回転速度や基板Ｓの搬送速度を一時的に変えたりして、マスクＭと基板Ｓとの間にすべりを与えれば、マスクＭの全周長ＣＬと基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓとの関係を意図的に変えることは可能である。
　第１層の露光の際に、第１層用のマスクＭと基板Ｓとの間にすべりを発生させることなく、マスク保持部５２を等速で回転させて、基板Ｓ上に、ショット長Ｐｓｓ＝全周長ＣＬの関係で、次々に印刷領域ＰＡＳを形成したとしても、第２層以降の重ね合せ露光（Ｓｅｃｏｎｄ　Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）のときには、基板Ｓの長尺方向（θＹ方向）の伸縮により、第１層用のマスクＭの全周長ＣＬ＝ショット長Ｐｓｓの関係は崩れる可能性がある。
　そこで、重ね合せ露光時に生じ得る基板Ｓの長尺方向の伸縮量が予め判っている場合には、第２層以降用のマスクＭの全周長ＣＬを、その伸縮量に応じて、第１層用のマスクＭの全周長ＣＬに対して僅かに長め、又は短めに設定しても良い。この場合、第２層以降用のマスクＭの外周面に形成するパターンも全体的に周長方向に伸縮して描画される。
　また、重ね合せ露光時には、第１層用のマスクＭと第２層以降用のマスクＭとの製造誤差も考慮する必要がある。例えば、第１層用マスクＭと第２層以降用マスクＭとして、同一半径のものを使うことを前提とした場合に、第１層用マスクＭのパターン面の半径Ｒｍに対して、第２層以降用マスクＭのパターン面の半径がΔＨだけ誤差を持っていたとする。
　第１層用マスクＭのパターン面の全周長をＣＬ１、第２層以降用マスクＭのパターン面の全周長をＣＬ２とすると、
　　　　ＣＬ１＝２π・Ｒｍ
　　　　ＣＬ２＝２π・（Ｒｍ＋ΔＨ）
となる。一例として、基板Ｓ上に長尺方向（θＹ方向）の長さが１００ｃｍ程度の４ｋ×２ｋの高精細ディスプレーパネルを製造する場合、基板Ｓ上の各印刷領域ＰＡＳのθＹ方向の長さは、周辺の駆動回路部等の領域も考慮すると、１１０ｃｍ程度必要となる。
　その為、マスクＭの全周長ＣＬ１、ＣＬ２は、非パターン領域ＮＡＭの周長も含めて１４０ｃｍ以上が望ましく、第１層用のマスクＭと第２層以降用のマスクＭの各パターン面の半径Ｒｍとして、２３．０００ｃｍの円筒マスクを用意すれば良いことになる。しかしながら、製造誤差ΔＨとして、±３μｍ程度のばらつきが生じるものとすると、全周長ＣＬ１と全周長ＣＬ２の周長誤差ΔＣＬは、ΔＣＬ＝ＣＬ１－ＣＬ２≒±１８．８μｍとなり、高精細ディスプレーパネル製造の為の重ね合せ露光では問題となる場合がある。
　先の実施形態によれば、このようなマスクＭ間の製造誤差に対しても、マスク保持部５２の１回転毎の非露光期間中にマスクＭと基板Ｓとの間にすべりを与えることで、マスク間の周長誤差ΔＣＬを解消することができる。特に、基板Ｓとして、厚さが１００μｍ以下の極薄ガラスシートやステンレス等の金属箔シートが使われる場合、基板自体の伸縮は極めて少なくなる為、マスク間の周長誤差ΔＣＬの問題が顕在化する場合がある。
　このことから、円筒状のマスクＭと基板Ｓとの間にすべりを与えて、マスクＭと基板Ｓの長尺方向（θＹ方向）に関する相対位置を調整する手法は、基板Ｓの長尺方向の伸縮による誤差要因を改善すると言う目的に限られず、マスクＭ（マスク保持部５２）の製造誤差、或いは基板Ｓの搬送速度誤差（速度ムラ）等による重ね合せ露光の精度劣化を防止すると言う目的に対しても有効である。
　また、マスクＭの回転中に、マスクＭと基板Ｓとの間にすべりを与えることができると、マスクＭ（マスク保持部５２）の製造規格を比較的に緩くすることが可能である。そのことを図８（ａ）、（ｂ）により簡単に説明する。図８は図５に対応したものであるが、図８（ａ）では、基板Ｓ上のθＹ方向に配列して形成される長さＳｚの印刷領域（例えばディスプレーパネル形成領域）をＰＡＳ１、ＰＡＳ２、ＰＡＳ３とし、各印刷領域ＰＡＳ１～ＰＡＳ３の間には長さＳｇの非印刷領域ＮＡＳが設定される。従って、基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓは、Ｐｓｓ＝Ｓｚ＋Ｓｇとなる。
　図８（ｂ）は、全周長ＣＬのマスクＭのパターン面を平面展開して、θＹ方向に繰り返し並べた状態を表したものであり、マスクＭのパターン面には、θＹ方向に長さＳｚのパターン領域ＰＡＭと、θＹ方向に長さＧの非パターン領域ＮＡＭとが形成されている。従って、マスクＭのパターン面の全周長ＣＬは、ＣＬ＝Ｓｚ＋Ｇとなる。
　図８の実施形態では、マスクＭの全周長ＣＬと基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓとが、ＣＬ＞Ｐｓｓの関係になっている為、通常にマスクＭを回転させつつ基板Ｓを同期して送った場合、基板Ｓ上の最初の印刷領域ＰＡＳ１に対しては、マスクＭのパターン領域ＰＡＭを精密に重ね合せ露光できたとしても、次の印刷領域ＰＡＳ２に対しては、全周長ＣＬとショット長Ｐｓｓとの差分長ΔＵ１だけ、マスクＭのパターン領域ＰＡＭが全体的に－θＹ方向にずれる。さらに、その次の印刷領域ＰＡＳ３に対しては、全周長ＣＬとショット長Ｐｓｓとの差分長ΔＵ１の２倍の長さΔＵ２だけ、マスクＭのパターン領域ＰＡＭが全体的に－θＹ方向にずれる。
　これは、主に、基板Ｓ上の非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇと、マスクＭ上の非パターン領域ＮＡＭの長さＧの違いによるものである。
　そこで、巻付け領域Ｎ内にあるスリット状の照明光ＩＬによって、印刷領域ＰＡＳ１に対するマスクＭのパターン領域ＰＡＭの露光が完了した直後の非露光期間中に、マスクＭ（マスク保持部５２）の回転速度を短い時間だけ高めて、差分長ΔＵ１だけ、マスクＭのパターン面を基板Ｓに対して＋θＹ方向にすべらせる。これにより、次の印刷領域ＰＡＳ２とマスクＭのパターン領域ＰＡＭとのθＹ方向の差分長ΔＵ１が解消され、次の印刷領域ＰＡＳ２に対してもパターン領域ＰＡＭを精密に重ね合せ露光することができる。
　このように、１つの印刷領域ＰＡＳが露光された後の非露光期間毎に、マスクＭ（マスク保持部５２）の回転速度を一時的に高めて、マスクＭと基板Ｓをすべらせることによって、差分長ΔＵ１の相対位置ずれを解消することができる。
　図９は、図８のようにマスクＭの全周長ＣＬが基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓよりも長い場合に、マスクＭのパターン面のθＹ方向の周速度Ｖｍをどのように変化させるかを示したグラフである。図９の横軸は時間（秒）を表し、その原点（ゼロ点）は、図８中の最初の印刷領域ＰＡＳ１の露光が完了した時点、即ち、照明光ＩＬが印刷領域ＰＡＳ１とマスクＭのパターン領域ＰＡＭの左端を照射し終わった瞬間、である。また、図９の縦軸はθＹ方向の距離（ｍｍ）を表し、その原点は基板Ｓ上の最初の印刷領域ＰＡＳ１の左端位置とする。
　基板Ｓの速度（実際は周速度）Ｖｓは、露光期間中も非露光期間中も一定（等速）に設定されるものとすると、ゼロ点からの時間Ｔ１は、基板Ｓが非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇ分だけ移動するのにかかる時間（非露光期間の時間）であり、Ｔ１＝Ｓｇ／Ｖｓで表される。
　一方、マスクＭのパターン面は、その非露光期間（時間Ｔ１）中に、基板Ｓの非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇよりも、差分長ΔＵ１だけ大きい長さＧ分だけ周方向に送られている（図９中の点ｋ１に達している）必要がある為、露光期間中に基板Ｓの速度Ｖｓと一致していたマスクＭの周速度Ｖｍは、非露光期間の開始時（ゼロ点）から加速され、非露光期間の中間付近で最高速になった後、非露光期間の終了時までに、再び、基板Ｓの速度Ｖｓと一致するように減速される。
　図９のグラフにおいて、基板Ｓの速度Ｖｓの特性は一定の傾きであるが、マスクＭの周速度Ｖｍの特性は、非露光期間中は加減速が行なわれるので、基板Ｓの速度Ｖｓの傾きよりも大きくなる。これにより、非露光期間中のマスクＭの回転速度（周速度）をどの程度増加させれば良いかが判断できる。実際の制御では、基板Ｓの速度Ｖｓ、マスクＭ（マスク保持部５２）を回転駆動するモータ等の加減速特性（トルク特性）、スリット状の照明光ＩＬのθＹ方向の幅Ｄ、非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇ、差分長ΔＵ１等を勘案すると共に、基板ＳのθＹ方向の伸縮量（伸縮率）、マスク間の相対周長誤差ΔＣＬ等も考慮して、最適な駆動が行なわれる。
　ここで、画面縦横比が１６：９の５０インチクラスの有機ＥＬディスプレーパネル（表示部の横寸法１１０．７ｃｍ、縦寸法６２．３ｃｍ）を製造する場合の具体的な一例を挙げる。
印刷領域ＰＡＳの長さＳｚ　　　・・・　１２０．７ｃｍ
非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇ　　・・・　　１２．０ｃｍ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　（∴Ｐｓｓ＝１３２．７ｃｍ）　
マスクＭの半径Ｒｍ　　　　　　・・・　２４．５ｃｍ（∴ＣＬ≒１５３．９４ｃｍ）
基板ＳのθＹ方向の速度Ｖｓ　　・・・　５．０ｃｍ／ｓ
　このような条件の場合、差分長ΔＵ１は２１．２４ｍｍであり、時間Ｔ１はＳｇ／Ｖｓより２．４秒となる。この時間Ｔ１の間に、マスクＭのパターン面を、θＹ方向に距離（Ｓｇ＋ΔＵ１）だけ進める必要があるから、時間Ｔ１中のマスクＭのパターン面の平均的な周速度Ｖｍ’（図９中のゼロ点と点ｋ１を直線的に結んだ線の傾きに相当）は、
　　　　Ｖｍ’＝（Ｓｇ＋ΔＵ１）／Ｔ１≒５．８９ｃｍ／ｓ
となる。
　露光期間中のマスクＭの周速度Ｖｍは、基板Ｓの速度Ｖｓ（５．０ｃｍ／ｓ）であるから、非露光期間（時間Ｔ１）中におけるマスクＭの平均的な周速度Ｖｍ’への増加率は、（Ｖｍ’－Ｖｍ）／Ｖｍ＝１７．８％　となる。実際は、周速度ＶｍからＶｍ’への加速時間、周速度Ｖｍ’からＶｍへの減速時間が必要なので、非露光期間（時間Ｔ１）中のマスクＭの周速度の最大値は、その増加率１７．８％よりも大きな値になる。しかしながら、その最大値は、マスクＭ（マスク保持部５２）を回転駆動するモータのトルク制御（駆動電流の増加）で容易に実現できる範囲である。
　ところで、極端な条件の場合には、以上のような手法が適用できないこともある。一例としては、基板Ｓ上の非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇに対して、マスクＭのパターン面上の非パターン領域ＮＡＭの長さＧが相対的に極端に長い場合（例えば、Ｇ＞２Ｓｇ）や、非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇの実長が極端に短い場合である。
　そのような場合、マスクＭ（マスク保持部５２）の半径Ｒｍを極端に大きくして、パターン領域ＰＡＭをθＹ方向に２面分入れたり、基板Ｓ上の印刷領域ＰＡＳとマスクＭ上のパターン領域ＰＡＭとを９０度回転させて、基板Ｓの送り方向と直交した幅方向に、ディスプレーパネルの長手方向を合わせることで、上記の手法（マスクＭと基板Ｓの相対的な位置ずらし）を適用できることもある。
　いずれにしても、基板Ｓ上の各印刷領域ＰＡＳ（ＰＡＳ１～３）を露光するたびに、非印刷領域ＮＡＳにおいて、マスクＭと基板ＳのθＹ方向に関する相対位置をずらす手法を適用することにより、マスクＭ（マスク保持部５２）の規格（特に半径Ｒｍの製造誤差）が極めて緩和される為、マスクＭの全周長ＣＬと基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓとを正確に一致させる労力が不要となり、マスク作成費用を抑えることができる。
　以上、図８、図９では、マスクＭの全周長ＣＬが基板Ｓ上のショット長Ｐｓｓよりも大きい場合としたが、逆の関係（ＣＬ＜Ｐｓｓ）であっても良い。そのような場合は、基板Ｓ上の非印刷領域ＮＡＳの長さＳｇに対して、マスクＭ上の非パターン領域ＮＡＭの長さＧが相対的に短い（Ｇ＜Ｓｇ）ので、マスクＭの周速度Ｖｍを、非露光期間中に一時的に低下させるように制御すれば良い。
　３…感光層形成部（光感光層形成部）、　２４…回転ドラム（搬送支持部）、　３２…転写ローラ、　３３…ダミーローラ（回収用ローラ）、　３５…可動ユニット（駆動装置）、　３７…回収部、　５０…照明部、　５２…マスク保持部、　５２ａ…円筒面、　５４…アライメントセンサー（計測部、調整装置）、　６０…計測部（厚み計測部）、　６１…光源部（照明条件可変部）、　６２…光学特性設定部（照明条件可変部）、　６３…照明領域設定部（照明条件可変部）、　１００…基板処理装置、　ＡＸ…回転軸線（所定の軸線）、　ＣＯＮＴ…制御部（回転制御部、圧力制御部、転写制御部、調整装置）、　ＤＡ１、ＤＡ２…駆動源（圧力調整部）、　ＩＬ…照明領域、　Ｍ…マスク、　ＮＡＭ…非パターン領域（特定領域）、　ＲＳ…光感応層、　Ｓ…基板、　Ｓａ…表面、　ＴＦ…送り装置。

Claims (26)

  1. 　湾曲可能な長尺の基板の光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理装置であって、
    　円筒状に形成され円筒面に沿って前記マスクのパターンを保持すると共に、前記円筒面に沿って所定の軸線周りに回転可能なマスク保持部と、
    　前記基板を前記マスク保持部の円筒面に所定の長さで巻き付けた状態で送る送り装置と、
    　前記マスク保持部と前記送り装置との少なくとも一方の駆動を制御して、前記マスク保持部の円筒面の周方向の特定領域に前記基板が巻き付けられたときに、前記マスク保持部と前記基板との相対位置を調整する調整装置と、
    　を備える基板処理装置。
  2. 　前記調整装置は、前記マスク保持部と前記基板との相対位置関係を計測する計測部と、前記計測部の計測結果に基づいて前記マスク保持部の回転速度と前記基板の送り速度との少なくとも一方を一時的に増減制御する速度制御部と、を備える請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記速度制御部は、前記基板が前記マスク保持部の特定領域で巻き付けられている間に、前記回転速度と前記送り速度との少なくとも一方を一時的に増減制御する請求項２記載の基板処理装置。
  4. 　前記調整装置は、前記マスク保持部と前記基板との相対位置関係を計測する計測部と、
    　前記基板の送り方向と交差する方向に、所定の割合で前記基板を伸張させる伸張部と、前記計測部の計測結果に基づいて、前記伸張部を制御して、前記基板が前記マスク保持部の円筒面に巻き付いている部分を所定量だけ伸張させる伸張制御部と、
    　を備える請求項２記載の基板処理装置。
  5. 　前記調整装置は、前記マスク保持部の円筒面と前記基板との接触圧を調整する圧力調整部と、前記調整装置による前記マスク保持部と前記基板との相対位置の調整時に前記接触圧を制御する圧力制御部とを備える請求項１から４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記圧力調整部は、前記マスク保持部との接触部において前記送り装置による送り方向に関して前記基板に作用する張力を調整する請求項５記載の基板処理装置。
  7. 　前記特定領域は、前記マスクのパターンが前記円筒面の周方向に形成されるパターン領域と隣り合って設定された非パターン領域である請求項１から６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  8. 　前記マスクのパターンを前記基板の光感応層に露光する為に、前記マスク保持部の軸線方向にスリット状に延びた照明光を、前記マスク保持部の内部から前記マスクのパターンに照射する照明部を有し、　
    　前記基板が前記マスク保持部に巻き付けられる周方向長さをＮ、前記スリット状照明光の周方向の幅をＤ、前記マスク保持部の特定領域の周方向長さをＧとしたとき、
    　前記送り装置は、Ｄ＜Ｎ＜Ｇ　の関係を満すように前記基板を前記マスク保持部に巻き付ける請求項１から７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 　前記マスク保持部の円筒面の全周長をＣＬとしたとき、前記送り装置は、
    　　Ｄ＜Ｎ＜（ＣＬ／２）
    　の関係を満すように前記基板を前記マスク保持部に巻き付ける請求項８記載の基板処理装置。
  10. 　前記マスク保持部の前記特定領域に対応する前記基板上の所定領域を非形成領域としたとき、少なくとも前記非形成領域を除いて前記基板上に前記光感応層を形成する光感応層形成部を備える請求項１から９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  11. 　前記光感応層形成部は、
    　前記基板の長尺方向の搬送を支持する搬送支持部と、
    　前記光感応層の形成材料が表面に供給される転写ローラと、
    　前記転写ローラが前記基板の表面に当接する第１位置と、前記基板と離間して設けられた回収用ローラの表面に当接する第２位置との間で、前記転写ローラを移動させる駆動装置と、
    　前記基板の長尺方向の搬送に伴って、前記基板の非形成領域では前記転写ローラが第１位置から第２位置に切り替えられるように、前記駆動装置を制御する転写制御部と、
    　を備える請求項１０記載の基板処理装置。
  12. 　前記回収用ローラには、前記転写ローラから前記基板に転写されることなく前記回収用ローラの表面に転写された前記光感応層の形成材料を回収する回収部が設けられる請求項１１記載の基板処理装置。
  13. 湾曲可能な長尺の基板の光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理方法であって、
    　所定の軸線から一定半径の円筒体の周面に沿って、前記パターンが形成されるパターン形成領域と、前記周面の方向に前記パターン形成領域と続けて設けられる特定領域とを備えた円筒状マスクを用意する段階と、
    　前記円筒状マスクの周面に、前記基板の長尺方向の一部分を所定の長さで巻き付けた状態で、前記円筒状マスクを前記軸線周りに回転させると共に、前記円筒状マスクの周面の周速度に対応した速度で、前記基板を長尺方向に送る段階と、
    　前記円筒状マスクの周面の前記特定領域が前記基板に巻き付いたときに、前記円筒状マスクと前記基板との前記長尺方向の相対位置を調整する段階と、
    　を備える基板処理方法。
  14. 　前記円筒状マスクの周面の全周長をＣＬとし、前記特定領域の周方向長をＧとしたとき、Ｇ＜（ＣＬ／２）に設定される
    　請求項１３記載の基板処理方法。
  15. 　所定の厚みの光透過性の基板の表面に形成された光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理装置であって、
    　円筒状に形成され円筒面に沿って前記マスクのパターンを保持して所定の軸線周りに回転可能なマスク保持部と、
    　前記マスク保持部の内部から前記マスクのパターンの所定の照明領域に照明光を照射する照明部と、
    　前記基板の裏面を前記マスク保持部の円筒面に巻き付けた状態で送る送り装置と、
    　を備える基板処理装置。
  16. 　前記マスク保持部における前記軸線周り方向の特定領域で、前記マスク保持部と前記基板との相対位置を調整する調整装置を備える請求項１５記載の基板処理装置。
  17. 　前記調整装置は、前記マスクと前記基板との相対位置関係を計測する計測部と、前記計測部の計測結果に基づいて前記マスク保持部の回転速度を制御する回転制御部と、を備える請求項１６記載の基板処理装置。
  18. 　前記回転制御部は、前記基板が前記マスクの前記特定領域に巻き付けられたときに、前記マスク保持部の回転速度を制御する請求項１７記載の基板処理装置。
  19. 　前記特定領域は、前記マスク保持部で、前記マスクにおける前記パターンが形成されるパターン領域とは異なる非パターン領域を保持する領域である請求項１６から１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  20. 　前記軸線周り方向に前記基板が前記マスク保持部に巻き付けられる長さをＮ、前記軸線周り方向の前記照明領域の長さをＤ、前記軸線周り方向の前記非パターン領域の長さをＧとしたときに、
    　前記送り装置は、Ｄ＜Ｎ＜Ｇの式を満足する長さで前記基板を前記マスクの外周面に巻き付ける請求項１９記載の基板処理装置。
  21. 　前記マスク保持部の外周面の全周長をＣＬとしたときに、
    　前記送り装置は、Ｄ＜Ｎ＜（ＣＬ／２）の式を満足する長さで前記基板を前記マスクの外周面に巻き付ける請求項２０記載の基板処理装置。
  22. 　前記照明部からの照明光によって前記マスクのパターンが前記光感応層に転写される前に、前記送り装置による前記基板の送り方向に関して、前記基板の裏面から表面の光感応層までの厚みの変化に関する情報を計測する厚み計測部を備える請求項１５記載の基板処理装置。
  23. 　前記照明部は、前記マスクのパターンを照射する照明光の照明領域の大きさ、前記照明光の光学特性、又は前記照明光の強度の少なくとも1つの条件を可変にする照明条件可変部を備え、前記厚み計測部で計測される厚みの変化に関する情報に応じて、前記照明条件可変部を調整する請求項２２記載の基板処理装置。
  24. 　所定の厚みの光透過性の基板の表面に形成された光感応層にマスクのパターンを形成する基板処理方法であって、
    　所定の軸線から一定半径の円筒体の周面に沿って、透過部と遮光部によるパターンが形成されるパターン形成領域を備え、前記パターンを照明する為の照明装置を内部に設置可能な円筒状マスクを用意する段階と、
    　前記円筒状マスクの周面に、前記基板の裏面の一部分を所定の長さで巻き付けた状態で、前記円筒状マスクを前記軸線周りに回転させると共に、前記円筒状マスクの周面の周速度に対応した速度で前記基板を長尺方向に送る段階と、
    　前記照明装置からの照明光を前記円筒状マスクの前記パターン形成領域に向けて照射することにより、前記パターンを透過した照明光を前記基板の裏面から前記表面の光感応層に導く段階と、
    　を含む基板処理方法。
  25. 　所定の軸線から所定半径を持つ円筒形状に設けられ、
    　前記円筒の周面に、マスクパターンが形成されるパターン領域と、前記パターン領域とは円筒の周方向に区画して設けられ前記軸線周り方向のアライメントが行われるアライメント領域とを備える円筒状マスク。
  26. 　前記円筒の周面の全周長をＣＬとし、前記アライメント領域の周方向長をＧとしたとき、Ｇ＜（ＣＬ／２）に設定される請求項２５記載の円筒状マスク。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016535299A (ja) * 2013-10-22 2016-11-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェブベース処理用のマスクレスリソグラフィ
JP2016535318A (ja) * 2013-09-30 2016-11-10 フリント、グループ、ジャーマニー、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング フレキソ印刷版を一列に並んで生産する装置及び方法
US9594274B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing optically anisotropic film component
JP2017170724A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 東芝機械株式会社 転写装置および転写方法
JP2019061281A (ja) * 2018-12-21 2019-04-18 株式会社ニコン デバイス製造システムおよびデバイス製造方法
CN110196535A (zh) * 2019-06-20 2019-09-03 合肥芯碁微电子装备有限公司 一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法
KR20190104256A (ko) * 2013-04-30 2019-09-06 가부시키가이샤 니콘 주사 노광 방법
CN110451316A (zh) * 2014-09-04 2019-11-15 株式会社尼康 基板处理装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114229474B (zh) * 2016-08-08 2023-05-05 株式会社尼康 基板处理装置
WO2021010370A1 (ja) * 2019-07-12 2021-01-21 株式会社ニコン 基板処理方法、パターン形成方法、及び基板処理システム
JP7018419B2 (ja) 2019-10-18 2022-02-10 本田技研工業株式会社 鞍乗型車両
JP7451191B2 (ja) * 2020-01-28 2024-03-18 住友重機械工業株式会社 制御装置およびロール・ツー・ロール搬送システム

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008029917A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Masque, appareil d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
JP2008076650A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Nikon Corp マスク、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2008116514A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd 連続露光装置
JP2008241987A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 連続露光装置
JP2009175287A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd 露光装置
JP2009237305A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Mitsubishi Paper Mills Ltd マスクパターンフィルムの巻き付け機構及び露光装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54128733A (en) * 1978-03-29 1979-10-05 Toppan Printing Co Ltd Method of reproducing upon projection
JPH01118136A (ja) * 1988-08-24 1989-05-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 原画貼付指定紙の作成装置
JPH04339690A (ja) * 1991-01-24 1992-11-26 Konica Corp 画像形成用マスク材作成方法
JP2000075497A (ja) * 1998-08-26 2000-03-14 Adtec Engineeng Co Ltd 露光装置
JP5036351B2 (ja) * 2007-03-06 2012-09-26 富士フイルム株式会社 パターン露光方法及び装置
JP2009026933A (ja) * 2007-07-19 2009-02-05 Konica Minolta Holdings Inc 電磁波遮蔽フィルムの製造方法及び電磁波遮蔽フィルム
DE102007035387A1 (de) * 2007-07-26 2009-01-29 Leibnitz-Institut für neue Materialien Gemeinnützige GmbH Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von strukturierten optischen Materialien
US8221964B2 (en) * 2007-11-20 2012-07-17 Eastman Kodak Company Integrated color mask
JP2011033907A (ja) * 2009-08-04 2011-02-17 Nikon Corp 照明装置、露光装置、照明方法、露光方法及びデバイス製造方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008029917A1 (fr) * 2006-09-08 2008-03-13 Nikon Corporation Masque, appareil d'exposition et procédé de fabrication du dispositif
JP2008076650A (ja) * 2006-09-20 2008-04-03 Nikon Corp マスク、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2008116514A (ja) * 2006-10-31 2008-05-22 Mitsubishi Paper Mills Ltd 連続露光装置
JP2008241987A (ja) * 2007-03-27 2008-10-09 Mitsubishi Paper Mills Ltd 連続露光装置
JP2009175287A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Mitsubishi Paper Mills Ltd 露光装置
JP2009237305A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Mitsubishi Paper Mills Ltd マスクパターンフィルムの巻き付け機構及び露光装置

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190104256A (ko) * 2013-04-30 2019-09-06 가부시키가이샤 니콘 주사 노광 방법
KR102079793B1 (ko) 2013-04-30 2020-02-21 가부시키가이샤 니콘 주사 노광 방법
KR20200019782A (ko) * 2013-04-30 2020-02-24 가부시키가이샤 니콘 표시 패널 제조 방법
KR102096961B1 (ko) 2013-04-30 2020-04-03 가부시키가이샤 니콘 표시 패널 제조 방법
JP2016535318A (ja) * 2013-09-30 2016-11-10 フリント、グループ、ジャーマニー、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツング フレキソ印刷版を一列に並んで生産する装置及び方法
JP2016535299A (ja) * 2013-10-22 2016-11-10 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ウェブベース処理用のマスクレスリソグラフィ
US9594274B2 (en) 2013-12-05 2017-03-14 Sumitomo Chemical Company, Limited Process for producing optically anisotropic film component
CN110451316A (zh) * 2014-09-04 2019-11-15 株式会社尼康 基板处理装置
JP2017170724A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 東芝機械株式会社 転写装置および転写方法
JP2019061281A (ja) * 2018-12-21 2019-04-18 株式会社ニコン デバイス製造システムおよびデバイス製造方法
CN110196535A (zh) * 2019-06-20 2019-09-03 合肥芯碁微电子装备有限公司 一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法
CN110196535B (zh) * 2019-06-20 2021-10-26 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 一种卷对卷无掩膜激光直写光刻设备的分段曝光方法

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