JP6406411B2 - パターン形成方法、パターン形成装置、及び搬送装置 - Google Patents

Description

本発明は、長尺の可撓性のシート基板を搬送しながら、シート基板上に電子デバイス用のパターンを形成するパターン形成方法、パターン形成装置、及び搬送装置に関する。

従来より、可撓性の長尺のシート基板上に電子デバイス（有機ＥＬや液晶による表示パネル、或いは、電子部品を実装するプリント基板）のパターンを形成するために、シート基板を長尺方向に沿って搬送するとともに、長尺方向に沿って並べられた複数の処理装置によってシート基板に所定の処理を施すロール・ツー・ロール方式の製造システムが知られている。

例えば、下記特許文献１には、そのような製造システム中の１つの処理装置として使われるロール・ツー・ロール方式のプリント基板用のパターン描画装置（露光装置）が開示されている。特許文献１の装置では、供給リールから送り出されるフレキシブルプリント配線基板に一定の張力を与えて平面状に張架しつつ、プリント配線基板を所定速度で長尺方向に送りながら、平面状に張架された部分にＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）で構成される露光ヘッドユニットによって２次元のパターンを露光し、露光後のプリント配線基板を巻取りリールに巻いている。さらに、特許文献１の装置では、プリント配線基板に形成されたマークを、露光ヘッドユニットの上流側に配置されたアライメントユニットで撮像して、プリント配線基板上に露光すべき画像の位置を適正位置に補正するように、ＤＭＤによる２次元の描画パターンや描画開始時期等を補正している。

特開２００６−０９８７１８号公報

本発明の第１の態様は、長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿った順方向に搬送しつつ、該シート基板上に電子デバイス用のパターンを形成するパターン形成方法であって、前記シート基板を第１処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第１処理を施すことと、前記順方向に関して前記第１処理装置の下流側に設けられた第１蓄積装置を介して、前記シート基板を第２処理装置に搬送し、該第２処理装置内で前記パターンを第１の精度で前記シート基板上に形成する第１モードと、該第１モードよりも高い第２の精度で前記パターンを前記シート基板上に形成する第２モードのいずれか一方を実行することと、前記順方向に関して前記第２処理装置の下流側に設けられた第２蓄積装置を介して、前記シート基板を第３処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第３処理を施すことと、前記第１蓄積装置に新たに蓄積可能な前記シート基板の長さが所定の余裕長以上で、且つ、前記第２蓄積装置に蓄積済みの前記シート基板の長さが所定の蓄積長以上である第１状態に達するように、前記第１〜第３処理装置の各々における前記シート基板の相対的な搬送速度を調整することと、前記第１状態の際に、前記第２処理装置における前記シート基板の搬送速度の低減、または、前記シート基板の前記順方向と逆の方向への戻し搬送を行って、前記第２蓄積装置の前記蓄積長に対応した前記シート基板の長さに亘って前記第２モードを実行することと、を含む。

本発明の第２の態様は、長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿った順方向に搬送し、該シート基板上に電子デバイス用のパターンを所定の間隔で順次形成するパターン形成方法であって、前記シート基板を第１処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第１処理を施すことと、前記順方向に関して前記第１処理装置の下流側に設けられた第１蓄積装置を介して、前記シート基板を第２処理装置に搬送し、該第２処理装置内で、前記順方向に搬送される前記シート基板上に前記パターンを所定の間隔で順次形成することと、前記順方向に関して前記第２処理装置の下流側に設けられた第２蓄積装置を介して、前記シート基板を第３処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第３処理を施すことと、前記第１蓄積装置に新たに蓄積可能な前記シート基板の長さが所定の余裕長以上で、且つ、前記第２蓄積装置に蓄積済みの前記シート基板の長さが所定の蓄積長以上である第１状態に達するように、前記第１〜第３処理装置の各々における前記シート基板の相対的な搬送速度を調整することと、前記第１状態のもとで、前記第２処理装置における前記パターンの形成精度が許容範囲から外れ得る場合は、前記パターンの形成動作は中止しつつ、前記シート基板を順方向に搬送させて前記形成精度を許容範囲に戻すための補正準備動作を実行することと、該補正準備動作の後に、前記第２処理装置内で前記シート基板を前記パターンの形成動作が中止された位置近傍まで前記順方向と逆の方向に戻し、前記中止されたパターンの形成動作を再開すること、を含む。

本発明の第３の態様は、長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿って搬送し、該シート基板上に電子デバイス用のパターンを順次形成するパターン形成装置であって、前記シート基板を前記長尺方向に沿った順方向に搬送する第１の搬送状態と、前記長尺方向に沿った逆方向に搬送する第２の搬送状態とに切替え可能な基板搬送部と、前記第１の搬送状態のもとで、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って所定間隔で配列される複数のデバイス形成領域の各々に前記パターンを形成するパターン形成部と、前記パターン形成部に対して、前記シート基板の搬送方向の上流側または下流側に配置され、前記デバイス形成領域のアライメントのために前記シート基板上に形成された複数のマークの位置情報を検出するマーク検出部と、前記検出された位置情報に基づいて、前記パターン形成部による前記デバイス形成領域への前記パターンの重ね合せ精度が所定の許容範囲から外れる傾向を示す場合は、前記マーク検出部によって前記位置情報を再度取得するために、前記基板搬送部を所定時間に渡って前記第１の搬送状態から前記第２の搬送状態に切り替える制御部と、を備える。

本発明の第４の態様は、長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿った順方向に搬送しつつ、該シート基板の搬送状態を検出する搬送装置であって、前記シート基板を前記長尺方向に沿った順方向または逆方向に搬送可能な搬送部と、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って複数形成された被検出体を検出する検出部と、前記検出部によって前記被検出体を検出する期間では、前記シート基板を前記順方向に搬送し、前記被検出体の検出を中断する期間では、前記シート基板を逆方向に搬送するように前記搬送部を制御する制御部と、を備える。

第１の実施の形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。 第１の実施の形態のデバイス製造システムの構成を示す図である。 図２の露光ヘッドによって基板上で走査されるスポット光の走査ラインおよび基板上に形成されたアライメントマークを示す図である。 図２の描画ユニットの構成を示す図である。 図３の露光装置である処理装置の動作を示すフローチャートである。 図５のフローチャートに示す動作によって搬送される基板の搬送動作を示すタイムチャート、および、図２の第１蓄積部、第２蓄積部によって蓄積される基板の長さを示すタイムチャートである。 図６のタイムチャートに示す動作によって搬送される基板に対する図３のアライメント顕微鏡の相対的な移動方向および移動範囲を示す図である。 戻り搬送時における第１蓄積部の蓄積長の増加量を示すグラフである。 第２の実施の形態におけるパターン形成装置の構成を示す図である。 第２の実施の形態におけるアライメント検出装置の動作を示すフローチャートである。 第１または第２の実施の形態におけるパターン形成装置を用いた薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の電子デバイスの製造工程の一例を示すフローチャートである。 第４の実施の形態におけるパターン形成装置の概略的な構成を示す図である。 図１２のパターン形成装置に適用される補助照明機構の概略的な構成を示す図である。

本発明の態様に係るパターン形成方法、パターン形成装置、及び搬送装置について、好適な実施の形態を掲げ、添付の図面を参照しながら以下、詳細に説明する。なお、本発明の態様は、これらの実施の形態に限定されるものではなく、多様な変更または改良を加えたものも含まれる。つまり、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれ、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

［第１の実施の形態］
第１の実施の形態のパターン形成装置は、基板を搬送しつつ、基板上に電子デバイス用のパターンを形成するものであり、パターン形成装置は、基板に各種処理を施して電子デバイスを製造するデバイス製造システムに組み込まれている。まず、デバイス製造システムについて説明する。

図１および図２は、第１の実施の形態のデバイス製造システム１０の構成を示す図である。図１および図２に示すデバイス製造システム１０は、例えば、電子デバイスとしてのフレキシブル・ディスプレイを製造するライン（フレキシブル・ディスプレイ製造ライン）である。フレキシブル・ディスプレイとしては、例えば有機ＥＬディスプレイ、液晶ディスプレイ等がある。このデバイス製造システム１０は、可撓性のシート基板（以下、基板）Ｐをロール状に巻回した供給用ロールＦＲ１から、該基板Ｐが送り出され、送り出された基板Ｐに対して各種処理を連続的に施した後、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２で巻き取る、いわゆるロール・ツー・ロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）方式となっている。この基板Ｐは、基板Ｐの移動方向（搬送方向）が長尺となり、幅方向が短尺となる帯状の形状を有する。第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、フィルム状のシートである基板Ｐが供給用ロールＦＲ１から送り出され、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ３、ＰＲ４、ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示している。まず、デバイス製造システム１０の処理対象となる基板Ｐについて説明する。

基板Ｐは、例えば、樹脂フィルム、ステンレス鋼等の金属または合金からなる箔（フォイル）等が用いられる。樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリエステル樹脂、エチレンビニル共重合体樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、セルロース樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリスチレン樹脂、酢酸ビニル樹脂のうち１または２以上を含んだものを用いてもよい。また、基板Ｐの厚みや剛性（ヤング率）は、搬送される際に、基板Ｐに座屈による折れ目や非可逆的なシワが生じないような範囲であればよい。電子デバイスとして、フレキシブルなディスプレイパネル、タッチパネル、カラーフィルタ、電磁波防止フィルタ等を作る場合、厚みが２５μｍ〜２００μｍ程度のＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）等の樹脂シートが使われる。

基板Ｐは、例えば、基板Ｐに施される各種処理において受ける熱による変形量が実質的に無視できるように、熱膨張係数が顕著に大きくないものを選定することが望ましい。また、ベースとなる樹脂フィルムに、例えば酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化ケイ素等の無機フィラーを混合すると、熱膨張係数を小さくすることもできる。また、基板Ｐは、フロート法等で製造された厚さ１００μｍ程度の極薄ガラスの単層体であってもよいし、この極薄ガラスに上記の樹脂フィルム、または、アルミや銅等の金属層（箔）等を貼り合わせた積層体であってもよい。

ところで、基板Ｐの可撓性とは、基板Ｐに自重程度の力を加えてもせん断したり破断したりすることはなく、その基板Ｐを撓めることが可能な性質をいう。また、自重程度の力によって屈曲する性質も可撓性に含まれる。また、基板Ｐの材質、大きさ、厚さ、基板Ｐ上に成膜される層構造、温度、湿度等の環境等に応じて、可撓性の程度は変わる。いずれにしろ、本実施の形態によるデバイス製造システム１０内の搬送路に設けられる各種の搬送用ローラ、回転ドラム等の搬送方向転換用の部材に基板Ｐを正しく巻き付けた場合に、座屈して折り目がついたり、破損（破れや割れが発生）したりせずに、基板Ｐを滑らかに搬送できれば、可撓性の範囲といえる。

このように構成された基板Ｐは、ロール状に巻回されることで供給用ロールＦＲ１となり、この供給用ロールＦＲ１が、デバイス製造システム１０に装着される。供給用ロールＦＲ１が装着されたデバイス製造システム１０は、電子デバイスを製造するための各種の処理を、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐに対して繰り返し実行する。このため、処理後の基板Ｐは、複数の電子デバイスが連なった状態となる。つまり、供給用ロールＦＲ１から送り出される基板Ｐは、多面取り用の基板となっている。なお、基板Ｐは、予め所定の前処理によって、その表面を改質して活性化したもの、或いは、表面に精密パターニングのための微細な隔壁構造（凹凸構造）を形成したものでもよい。

電子デバイスは、複数のパターン層（パターンが形成された層）が重ね合わされることで構成されており、デバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を経て、１つのパターン層が生成されるので、電子デバイスを生成するために、図１および図２に示すようなデバイス製造システム１０の各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５の処理を少なくとも２回は経なければならない。

処理後の基板Ｐは、ロール状に巻回されることで回収用ロールＦＲ２として回収される。回収用ロールＦＲ２は、図示しないダイシング装置に装着されてもよい。回収用ロールＦＲ２が装着されたダイシング装置は、処理後の基板Ｐを、電子デバイスごとに分割（ダイシング）することで、複数個の電子デバイスにする。基板Ｐの寸法は、例えば、幅方向（短尺となる方向）の寸法が１０ｃｍ〜２ｍ程度であり、長さ方向（長尺となる方向）の寸法が１０ｍ以上である。なお、基板Ｐの寸法は、上記した寸法に限定されない。

図１および図２を参照し、引き続きデバイス製造システム１０について説明する。図１および図２では、Ｘ方向、Ｙ方向およびＺ方向が直交する直交座標系となっている。Ｘ方向は、水平面内において、基板Ｐの搬送方向であり、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２を結ぶ方向である。Ｙ方向は、水平面内においてＸ方向に直交する方向であり、基板Ｐの幅方向である。Ｙ方向は、供給用ロールＦＲ１および回収用ロールＦＲ２の軸方向となっている。Ｚ方向は、Ｘ方向とＹ方向とに直交する方向（鉛直方向）である。

デバイス製造システム１０は、基板Ｐを供給する基板供給装置１２と、基板供給装置１２によって供給された基板Ｐに対して各種処理を施す処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５と、処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５によって処理が施された基板Ｐを回収する基板回収装置１４と、デバイス製造システム１０の各装置を制御する上位制御装置１６とを備える。この上位制御装置１６は、コンピュータと、プログラムが記憶された記憶媒体とを含み、該コンピュータが記憶媒体に記憶されたプログラムを実行することで、本第１の実施の形態の上位制御装置１６として機能する。

基板供給装置１２には、供給用ロールＦＲ１が回転可能に装着される。基板供給装置１２は、装着された供給用ロールＦＲ１から基板Ｐを送り出す駆動ローラＲ１と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣ１とを有する。駆動ローラＲ１は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを供給用ロールＦＲ１から回収用ロールＦＲ２へ向かう搬送方向（＋Ｘ方向）に送り出すことで、基板Ｐを処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５に供給する。このとき、エッジポジションコントローラＥＰＣ１は、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）における位置が、目標位置に対して±十数μｍ〜数十μｍ程度の範囲（許容範囲）に収まるように、基板Ｐを幅方向に移動させて、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。

基板回収装置１４には、回収用ロールＦＲ２が回転可能に装着される。基板回収装置１４は、処理後の基板Ｐを回収用ロールＦＲ２側に引き寄せる駆動ローラＲ２と、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）における位置を調整するエッジポジションコントローラＥＰＣ２とを有する。基板回収装置１４は、駆動ローラＲ２により基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転させることで基板Ｐを引き寄せるとともに、回収用ロールＦＲ２を回転させることで基板Ｐを巻き上げる。このとき、エッジポジションコントローラＥＰＣ２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に構成され、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。供給用ロールＦＲ１、回収用ロールＦＲ２、および、駆動ローラＲ１、Ｒ２は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

処理装置ＰＲ１は、基板供給装置１２から供給された基板Ｐの表面に感光性機能液を塗布する塗布装置である。感光性機能液としては、例えば、フォトレジスト、感光性シランカップリング剤、ＵＶ硬化樹脂液、感光性メッキ還元溶液等が用いられる。処理装置ＰＲ１は、基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）から順に、塗布機構Ｇｐ１と乾燥機構Ｇｐ２とが設けられている。塗布機構Ｇｐ１は、基板Ｐが巻き付けられる圧胴ローラＤＲ１と、圧胴ローラＤＲ１に対向する塗布ローラＤＲ２とを有する。塗布機構Ｇｐ１は、供給された基板Ｐを圧胴ローラＤＲ１に巻き付けた状態で、圧胴ローラＤＲ１および塗布ローラＤＲ２により基板Ｐを挟持する。そして、塗布機構Ｇｐ１は、圧胴ローラＤＲ１および塗布ローラＤＲ２を回転させることで、基板Ｐを搬送方向（＋Ｘ方向）に移動させながら、塗布ローラＤＲ２により感光性機能液を塗布する。乾燥機構Ｇｐ２は、熱風またはドライエアー等の乾燥用エアーを吹き付け、感光性機能液に含まれる溶質（溶剤または水）を除去し、感光性機能液が塗布された基板Ｐを乾燥させることで、基板Ｐ上に感光性機能層を形成する。圧胴ローラＤＲ１および塗布ローラＤＲ２は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

処理装置（第１処理装置）ＰＲ２は、基板Ｐの表面に形成された感光性機能層を安定にすべく、処理装置ＰＲ１から搬送された基板Ｐを所定温度（例えば、数１０℃〜１２０℃程度）まで加熱する加熱装置である。処理装置ＰＲ２は、基板Ｐの搬送方向の上流側から順に、加熱チャンバＨＡ１と冷却チャンバＨＡ２とが設けられている。加熱チャンバＨＡ１は、その内部に複数のローラおよび複数のエア・ターンバーが設けられており、複数のローラおよび複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの搬送経路を構成している。複数のローラは、基板Ｐの裏面に転接して設けられ、複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの表面側に非接触状態で設けられる。複数のローラおよび複数のエア・ターンバーは、基板Ｐの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。加熱チャンバＨＡ１内を通る基板Ｐは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら所定温度まで加熱される。冷却チャンバＨＡ２は、加熱チャンバＨＡ１で加熱された基板Ｐの温度が、後工程（処理装置ＰＲ３）の環境温度と揃うようにすべく、基板Ｐを環境温度まで冷却する。冷却チャンバＨＡ２は、その内部に複数のローラが設けられ、複数のローラは、加熱チャンバＨＡ１と同様に、基板Ｐの搬送経路を長くすべく、蛇行状の搬送経路となる配置になっている。冷却チャンバＨＡ２内を通る基板Ｐは、蛇行状の搬送経路に沿って搬送されながら冷却される。冷却チャンバＨＡ２の搬送方向における下流側には、駆動ローラＲ３が設けられ、駆動ローラＲ３は、冷却チャンバＨＡ２を通過した基板Ｐを挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ３側へ向けて供給する。駆動ローラＲ３は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

処理装置（第２処理装置）ＰＲ３は、第１蓄積部（第１蓄積装置）ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された、表面に感光性機能層が形成された基板Ｐを基板Ｐの長手方向に沿った搬送方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、基板Ｐ上にディスプレイパネル用の回路または配線等のパターンを露光する露光装置である。処理装置ＰＲ３は、露光後の基板Ｐを、第２蓄積部（第２蓄積装置）ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ４へ向けて搬送する。第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２は、基板Ｐにテンションを付与した状態で、基板Ｐを所定長の長さに亘って蓄積可能である。この処理装置ＰＲ３、第１蓄積部ＢＦ１、および、第２蓄積部ＢＦ２は、パターン形成装置１８を構成し、このパターン形成装置１８については、後で説明する。

処理装置（第３処理装置）ＰＲ４は、第２蓄積部ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ３から搬送された露光後の基板Ｐに対して、湿式による現像処理、無電解メッキ処理等を行う湿式処理装置である。処理装置ＰＲ４は、処理槽ＢＴと、基板Ｐを搬送する複数のローラとを有する。複数のローラは、基板Ｐが処理槽ＢＴの内部を通過する搬送経路となるように配置される。処理槽ＢＴの搬送方向における下流側（＋Ｘ方向側）には、駆動ローラＲ４が設けられ、駆動ローラＲ４は、処理槽ＢＴを通過した基板Ｐを挟持しながら回転することで、基板Ｐを処理装置ＰＲ５へ向けて供給する。駆動ローラＲ４は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

図示は省略するが、処理装置ＰＲ５は、処理装置ＰＲ４から搬送された基板Ｐを乾燥させる乾燥装置である。処理装置ＰＲ５は、処理装置ＰＲ４において湿式処理された基板Ｐに付着する水分含有量を、所定の水分含有量に調整する。処理装置ＰＲ５により乾燥された基板Ｐは、基板回収装置１４の回収用ロールＦＲ２に巻き上げられる。

上位制御装置１６は、基板供給装置１２、基板回収装置１４、複数の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５、第１蓄積部ＢＦ１、および、第２蓄積部ＢＦ２を統括制御する。上位制御装置１６は、基板Ｐが基板供給装置１２から基板回収装置１４へ向けて搬送するようにデバイス製造システム１０の各装置を制御する。また、上位制御装置１６は、基板Ｐの搬送に同期させながら、複数の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を制御して、基板Ｐに対する各種処理を実行させる。

なお、第１の実施の形態のデバイス製造システム１０では、供給用ロールＦＲ１から送り出された基板Ｐが、順次、５台の処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５を経て、回収用ロールＦＲ２に巻き取られるまでの例を示したが、この構成に限らない。つまり、供給用ロールＦＲ１と回収用ロールＦＲ２との間に設けられる処理装置ＰＲの台数は、１つでもあってもよいし、６つ以上であってもよいし、その台数は任意に変更することができる。

次に、パターン形成装置１８について説明する。パターン形成装置１８の第１蓄積部ＢＦ１は、駆動ローラＲ５、Ｒ６と複数のダンサーローラ２０とを有している。駆動ローラＲ５は、処理装置ＰＲ２から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第１蓄積部ＢＦ１内に搬入する。駆動ローラＲ６は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第１蓄積部ＢＦ１内の基板Ｐを処理装置ＰＲ３に供給する。複数のダンサーローラ２０は、駆動ローラＲ５と駆動ローラＲ６との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２０は、Ｚ方向に移動可能であり、上側のダンサーローラ２０（２０ａ）は、＋Ｚ方向に付勢され、下側のダンサーローラ２０（２０ｂ）は、−Ｚ方向に付勢されている。このダンサーローラ２０ａとダンサーローラ２０ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。第１蓄積部ＢＦ１に搬入する基板Ｐの搬送速度が、第１蓄積部ＢＦ１から搬出する基板Ｐの搬送速度に対して相対的に速くなると、第１蓄積部ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの長さは増加する。この第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さが長くなると、付勢力によってダンサーローラ２０ａが＋Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが−Ｚ方向に移動する。これにより、第１蓄積部ＢＦ１は、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。逆に、第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さが短くなると、付勢力に反してダンサーローラ２０ａが−Ｚ方向に、ダンサーローラ２０ｂが＋Ｚ方向に移動する。いずれにせよ、第１蓄積部ＢＦ１は、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。なお、駆動ローラＲ５、Ｒ６は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

また、パターン形成装置１８の第２蓄積部ＢＦ２は、駆動ローラＲ７、Ｒ８と複数のダンサーローラ２２とを有している。駆動ローラＲ７は、処理装置ＰＲ３から送られてきた基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、基板Ｐを第２蓄積部ＢＦ２内に搬入する。駆動ローラＲ８は、基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転して、第２蓄積部ＢＦ２内の基板Ｐを処理装置ＰＲ４に供給する。複数のダンサーローラ２２は、駆動ローラＲ７と駆動ローラＲ８との間に設けられ、基板Ｐに対して所定のテンションを付与するものである。複数のダンサーローラ２２は、Ｚ方向に移動可能であり、上側のダンサーローラ２２（２２ａ）は、＋Ｚ方向に付勢されており、下側のダンサーローラ２２（２２ｂ）は、−Ｚ方向に付勢されている。このダンサーローラ２２ａとダンサーローラ２２ｂとはＸ方向に関して交互に配置されている。このような構成を有することにより、第２蓄積部ＢＦ２は、第１蓄積部ＢＦ１と同様に、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で、基板Ｐを蓄積することができる。なお、駆動ローラＲ７、Ｒ８は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。第１蓄積部ＢＦ１と第２蓄積部ＢＦ２の構成は同一とする。

通常時においては、第１蓄積部ＢＦ１は、新たに蓄積可能な基板Ｐの長さが所定の余裕長以上となるように基板Ｐを蓄積している。つまり、第１蓄積部ＢＦ１は、所定の余裕長以上の長さの基板Ｐを新たに蓄積できるように、蓄積している基板Ｐの長さを短くしている。例えば、第１蓄積部ＢＦ１が、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で蓄積可能な基板Ｐの長さを５ｍとし、所定の余裕長を４ｍとした場合は、通常時に第１蓄積部ＢＦ１が蓄積している基板Ｐの長さは１ｍ未満となる。また、通常時においては、第２蓄積部ＢＦ２は、蓄積済みの基板Ｐの長さが所定の蓄積長以上となるように基板Ｐを蓄積している。例えば、第２蓄積部ＢＦ２が、基板Ｐに所定のテンションを付与した状態で蓄積可能な基板Ｐの長さを５ｍとし、所定の蓄積長を４ｍとした場合は、第２蓄積部ＢＦ２が蓄積している基板Ｐの長さは４ｍ以上となる。

パターン形成装置１８の処理装置ＰＲ３は、マスクを用いない直描方式の露光装置、いわゆるラスタースキャン方式の露光装置であり、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された基板Ｐに対して、ディスプレイ用の回路や配線等のパターンを露光することで、パターンを形成する。このディスプレイ用の回路や配線等のパターンとしては、ディスプレイを構成するＴＦＴ（薄膜トランジスタ）のゲート電極とそれに付随する配線等のパターンまたはＴＦＴのソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線等のパターン等が挙げられる。処理装置ＰＲ３は、基板ＰをＸ方向に搬送しながら、露光用のレーザ光ＬＢのスポット光ＳＰを基板Ｐ上で所定の走査方向（Ｙ方向）に１次元走査しつつ、スポット光ＳＰの強度をパターンデータ（描画データ）に応じて高速に変調（オン／オフ）することによって、基板Ｐの表面（感光面）にパターンを描画露光する。つまり、基板Ｐの＋Ｘ方向への搬送（副走査）と、スポット光ＳＰの主走査方向への走査とで、スポット光ＳＰが基板Ｐ上で相対的に２次元走査されて、基板Ｐに所定のパターンが描画露光される。このパターンデータは、上位制御装置１６の記録媒体に記録されていてもよいし、処理装置ＰＲ３内の記録媒体に記録されていてもよい。

処理装置ＰＲ３は、搬送部３０、光源装置３２、および、露光ヘッド（パターン形成部）３４を備えている。処理装置ＰＲ３は、温調チャンバＥＣＶ内に格納されている。この温調チャンバＥＣＶは、内部の温度を所定の温度に保つことで、内部において搬送される基板Ｐの温度変化による形状変化を抑制する。温調チャンバＥＣＶは、パッシブまたはアクティブな防振ユニットＳＵ１、ＳＵ２を介して製造工場の設置面Ｅに配置される。この設置面Ｅは、設置土台上の面であってもよく、床であってもよい。なお、処理装置ＰＲ３以外の他の処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５、基板供給装置１２、および、基板回収装置１４も設置面Ｅに配置されている。

搬送部３０は、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送される基板Ｐを、処理装置ＰＲ４側へ搬送する。搬送部３０は、基板Ｐの搬送方向に沿って上流側（−Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ３、テンション調整ローラＲＴ１、回転ドラム３６、テンション調整ローラＲＴ２、および、エッジポジションコントローラＥＰＣ４を有する。

エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。例えば、エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、回転ドラム３６に搬入する基板Ｐの長尺方向が、回転ドラム３６の回転軸ＡＸの軸方向と直交するように、基板Ｐの幅方向における位置を調整する。エッジポジションコントローラＥＰＣ３は、駆動ローラＲ９、Ｒ１０を有し、駆動ローラＲ９、Ｒ１０は、エッジポジションコントローラＥＰＣ３内の基板Ｐに弛み（あそび）を与えている。駆動ローラＲ９、Ｒ１０は、処理装置ＰＲ２側から搬送された基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを回転ドラム３６側に向けて搬送する。駆動ローラＲ９は、駆動ローラＲ１０に対して搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に設けられている。駆動ローラＲ９、Ｒ１０は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

回転ドラム３６は、基板Ｐ上でパターンが露光される部分をその円周面で支持する。回転ドラム３６は、Ｙ方向に延びる回転軸ＡＸを中心に回転することで、基板Ｐを回転ドラム３６の外周面（円周面）に倣って基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送して、エッジポジションコントローラＥＰＣ４側に送る。回転ドラム３６（回転軸ＡＸ）は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。

エッジポジションコントローラＥＰＣ４は、エッジポジションコントローラＥＰＣ１と同様に、基板Ｐの幅方向の端部（エッジ）が幅方向においてばらつかないように、基板Ｐの幅方向における位置を修正する。エッジポジションコントローラＥＰＣ４は、駆動ローラＲ１１、Ｒ１２を有し、駆動ローラＲ１１、Ｒ１２は、エッジポジションコントローラＥＰＣ４内の基板Ｐに弛み（あそび）を与えている。駆動ローラＲ１１、Ｒ１２は、回転ドラム３６によって搬送された基板Ｐの表裏両面を挟持しながら回転し、基板Ｐを処理装置ＰＲ４側へ向けて搬送する。駆動ローラＲ１１は、駆動ローラＲ１２に対して搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に設けられている。駆動ローラＲ１１、Ｒ１２は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。テンション調整ローラＲＴ１、ＲＴ２は、−Ｘ方向に付勢されており、回転ドラム３６に巻き付けられて支持されている基板Ｐに、所定のテンションを与えている。

光源装置３２は、レーザ光源を有し、露光に用いられる紫外線のレーザ光（照射光、露光ビーム）ＬＢを照射するものである。このレーザ光ＬＢは、３７０ｎｍ以下の波長帯域にピーク波長を有する紫外線光であってもよい。レーザ光ＬＢは、発振周波数Ｆｓで発光したパルス光であってもよい。光源装置３２が射出したレーザ光ＬＢは、光導入光学系３８に導かれて露光ヘッド３４に入射する。

露光ヘッド３４は、光源装置３２からのレーザ光ＬＢがそれぞれ入射する複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を備えている。つまり、光源装置３２からのレーザ光ＬＢは、反射ミラーやビームスプリッタ等を有する光導入光学系３８に導かれて複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）に入射する。露光ヘッド３４は、回転ドラム３６の円周面で支持されている基板Ｐの一部分に、複数の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）によって、パターンを描画露光する。露光ヘッド３４は、構成が同一の描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）を複数有することで、いわゆるマルチビーム型の露光ヘッド３４となっている。描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５は、回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対して基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に配置され、描画ユニットＵ２、Ｕ４は、回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対して基板Ｐの搬送方向の下流側（＋Ｘ方向側）に配置されている。

各描画ユニットＵは、入射したレーザ光ＬＢを基板Ｐ上で収斂させてスポット光ＳＰにし、且つ、そのスポット光ＳＰを走査ラインＬに沿って走査させる。各描画ユニットＵの走査ラインＬは、図３に示すように、Ｙ方向（基板Ｐの幅方向）に関して互いに分離することなく、繋ぎ合わされるように設定されている。図３では、描画ユニットＵ１の走査ラインＬをＬ１、描画ユニットＵ２の走査ラインＬをＬ２で表している。同様に、描画ユニットＵ３、Ｕ４、Ｕ５の走査ラインＬをＬ３、Ｌ４、Ｌ５で表している。このように、描画ユニットＵ１〜Ｕ５全部で露光領域となるデバイス形成領域Ｗの幅方向の全てをカバーするように、各描画ユニットＵは走査領域を分担している。なお、例えば、１つの描画ユニットＵによるＹ方向の描画幅（走査ラインＬの長さ）を２０〜５０ｍｍ程度とすると、奇数番の描画ユニットＵ１、Ｕ３、Ｕ５の３個と、偶数番の描画ユニットＵ２、Ｕ４の２個との計５個の描画ユニットＵをＹ方向に配置することによって、描画可能なＹ方向の幅を１００〜２５０ｍｍ程度に広げている。

この描画ユニットＵは、国際公開第２０１３／１４６１８４号パンフレット（図３６参照）に開示されているように公知技術であるが、図４を用いて描画ユニットＵについて簡単に説明する。なお、各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）は、同一の構成を有することから、描画ユニットＵ２についてのみ説明し、他の描画ユニットＵについては説明を省略する。

図４に示すように、描画ユニットＵ２は、例えば、集光レンズ５０、描画用光学素子（光変調素子）５２、吸収体５４、コリメートレンズ５６、反射ミラー５８、シリンドリカルレンズ６０、フォーカスレンズ６２、反射ミラー６４、ポリゴンミラー（光走査部材）６６、反射ミラー６８、ｆ−θレンズ７０、および、シリンドリカルレンズ７２を有する。

描画ユニットＵ２に入射するレーザ光ＬＢは、鉛直方向の上方から下方（−Ｚ方向）に向けて進み、集光レンズ５０を介して描画用光学素子５２に入射する。集光レンズ５０は、描画用光学素子５２に入射するレーザ光ＬＢを描画用光学素子５２内でビームウエストとなるように集光（収斂）させる。描画用光学素子５２は、レーザ光ＬＢに対して透過性を有するものであり、例えば、音響光学素子（ＡＯＭ：Acousto-Optic Modulator）が用いられる。

描画用光学素子５２は、上位制御装置１６からの駆動信号（高周波信号）がオフの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを吸収体５４側に透過し、上位制御装置１６からの駆動信号（高周波信号）がオンの状態のときは、入射したレーザ光ＬＢを回折させて反射ミラー５８に向かわせる。吸収体５４は、レーザ光ＬＢの外部への漏れを抑制するためにレーザ光ＬＢを吸収する光トラップである。このように、描画用光学素子５２に印加すべき描画用の駆動信号（超音波の周波数）をパターンデータ（白黒）に応じて高速にオン／オフすることによって、レーザ光ＬＢが反射ミラー５８に向かうか、吸収体５４に向かうかがスイッチングされる。このことは、基板Ｐ上で見ると、感光面に達するレーザ光ＬＢ（スポット光ＳＰ）の強度が、パターンデータに応じて高レベルと低レベル（例えば、ゼロレベル）のいずれかに高速に変調されることを意味する。

コリメートレンズ５６は、描画用光学素子５２から反射ミラー５８に向かうレーザ光ＬＢを平行光にする。反射ミラー５８は、入射したレーザ光ＬＢを−Ｘ方向に反射させて、シリンドリカルレンズ６０、フォーカスレンズ６２を介して反射ミラー６４に照射する。反射ミラー６４は、入射したレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６に照射する。ポリゴンミラー（回転多面鏡）６６は、回転することでレーザ光ＬＢの反射角を連続的に変化させて、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの位置を走査方向（基板Ｐの幅方向）に走査する。ポリゴンミラー６６は、図示しない回転駆動源（例えば、モータや減速機構等）によって一定の速度で回転する。

反射ミラー５８と反射ミラー６４との間に設けられたシリンドリカルレンズ６０は、フォーカスレンズ６２と協働して、前記走査方向と直交する非走査方向（Ｚ方向）に関してレーザ光ＬＢをポリゴンミラー６６の反射面上に集光（収斂）する。このシリンドリカルレンズ６０によって、前記反射面がＺ方向に対して傾いている場合（ＸＹ面の法線と前記反射面との平衡状態からの傾き）があっても、その影響を抑制することができ、基板Ｐ上に照射されるレーザ光ＬＢの照射位置がＸ方向にずれることを抑制する。

ポリゴンミラー６６で反射したレーザ光ＬＢは、反射ミラー６８によって−Ｚ方向に反射され、Ｚ軸と平行な光軸ＡＸｕを有するｆ−θレンズ７０に入射する。このｆ−θレンズ７０は、基板Ｐに投射されるレーザ光ＬＢの主光線が走査中は常に基板Ｐの表面の法線となるようなテレセントリック系の光学系であり、それによって、レーザ光ＬＢをＹ方向に正確に等速度で走査することが可能になる。ｆ−θレンズ７０から照射されたレーザ光ＬＢは、母線がＹ方向と平行となっているシリンドリカルレンズ７２を介して、基板Ｐ上に直径数μｍ程度（例えば、３μｍ）の略円形の微小なスポット光ＳＰとなって照射される。スポット光（走査スポット光）ＳＰは、ポリゴンミラー６６によって、Ｙ方向に延びる走査ラインＬ２に沿って一方向に１次元走査される。

また、処理装置ＰＲ３は、図２および図３に示すように、基板Ｐ上に形成された被検出体としてのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出するための３つのアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が設けられている。このアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）で検出される基板Ｐ上の領域は、回転ドラム３６の円周面で支持されている。このアライメントマーク（マーク）Ｋｓは、基板Ｐ上のデバイス形成領域Ｗに描画されるパターンと基板Ｐとを相対的に位置合わせする（アライメントする）ための基準マークである。つまり、アライメントマークＫｓを検出することで基板Ｐの位置を検出することができる。このアライメントマークＫｓは、基板Ｐの幅方向の両端側に、基板Ｐの長尺方向に沿って一定間隔で形成されているとともに、基板Ｐの長尺方向に沿って並んだデバイス形成領域Ｗとデバイス形成領域Ｗとの間で、且つ、基板Ｐの幅方向中央にも形成されている。なお、露光ヘッド３４は、基板Ｐに対して電子デバイス用のパターン露光を繰り返し行うことから、基板Ｐの長尺方向に沿って所定の間隔Ｌｓ（図７参照）をあけてデバイス形成領域Ｗが複数設けられている。

検出部としてのアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、露光ヘッド３４から照射されるスポット光ＳＰよりも基板Ｐの搬送方向の上流側（−Ｘ方向側）に設けられている。アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、検出領域（検出視野）内に存在するアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３は、Ｙ方向に沿って設けられており、アライメント顕微鏡ＡＭ１は、検出領域内に存在する基板Ｐの＋Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ１を検出し、アライメント顕微鏡ＡＭ２は、検出領域内に存在する基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を検出する。アライメント顕微鏡ＡＭ３は、検出領域内に存在する基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を検出する。この検出領域の基板Ｐ上の大きさは、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の大きさやアライメント精度（位置計測精度）に応じて設定されるが、１００〜５００μｍ角程度の大きさである。アライメント顕微鏡ＡＭは、アライメント用の照明光を基板Ｐに投影して、ＣＣＤ、ＣＭＯＳ等の撮像素子でその反射光を撮像し、アライメントマークＫｓを検出する。検出するアライメントマークＫｓの位置情報は、上位制御装置１６に送られる。なお、アライメント用の照明光は、基板Ｐ上の感光性機能層に対してほとんど感度を持たない波長域の光、例えば、波長５００〜８００ｎｍ程度の光である。

ここで、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、一定の周期で検出領域内の基板Ｐを撮像することで、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の検出を行う。つまり、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の検出は一定の周期で行われる。そのため、基板Ｐの搬送速度が速くなる程、アライメントマークＫｓは多く間引かれて検出される。つまり、基板Ｐの搬送速度が速くなる程、検出されるアライメントマークＫｓの数は少なくなり、アライメントマークＫｓの検出精度が低下する。したがって、アライメントマークＫｓの検出精度を高めるためには、基板Ｐを遅く搬送させる必要がある。

第１の実施の形態のデバイス製造システム１０は、以上のような構成を有するが、パターン形成装置１８内では、基板Ｐを−Ｘ方向にも搬送可能である。基板Ｐを−Ｘ方向に搬送する場合（戻し搬送を行う場合）は、上位制御装置１６は、処理装置ＰＲ３の搬送部３０の駆動ローラＲ９〜Ｒ１２および回転ドラム３６を逆方向に回転させるとともに、第１蓄積部ＢＦ１の駆動ローラＲ６および第２蓄積部ＢＦ２の駆動ローラＲ７も逆方向に回転させる。なお、基板Ｐが＋Ｘ方向に搬送される方向を順方向とし、基板Ｐが順方向とは逆の方向に搬送される方向を逆方向とよぶ。

パターン形成装置１８の動作を説明する前に、その前提となる基板Ｐの搬送状態とパターンデータの補正との関係について説明する。搬送部３０のエッジポジションコントローラＥＰＣ１〜ＥＰＣ４によって基板Ｐの幅方向における位置が修正されているが、基板Ｐはフィルム状のシート基板なのでその形状が変形しやすく、回転ドラム３６に搬送される基板Ｐの幅方向の端部の位置が目標位置から許容範囲を超えてずれる場合がある。そのため、回転ドラム３６に搬送される基板Ｐの長尺方向が回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対して許容範囲を超えて傾いていたり、基板Ｐが許容範囲を超えて変形（歪み等）する場合があり、実際の基板Ｐの回転ドラム３６への搬送状態が、理想とする基板Ｐの回転ドラム３６への搬送状態とは異なってしまう。その結果、露光ヘッド３４によるパターンの露光を適切に行うことができなくなる。

そのため、上位制御装置１６は、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）が検出したアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置に基づいて基板Ｐの搬送状態（傾き、変形等）を認識し、露光ヘッド３４がパターンを露光（形成）する位置、領域をその搬送状態に応じて補正することで、パターンの露光精度（形成精度）の低下を防止している。このパターンが露光（形成）される位置、領域の補正は、パターンデータ（描画データ）を補正（描画タイミングの補正も含む）することで対応することができる。つまり、各描画ユニットＵのパターンデータを補正することで、各走査ラインＬ１〜Ｌ５の位置をＹ方向（走査方向）にシフトしたり、各走査ラインＬ１〜Ｌ５の長さ（走査長）を変えたりすることができるので、基板Ｐの変形等に対応させてパターンが形成される位置、領域を補正することができる。

このパターンを形成する位置、領域の補正は、例えば、基板Ｐの下地層（下層）に形成されたパターンと、これから形成するパターンとの重ね合わせ誤差が許容範囲内となるように行われる。また、下地層がない場合、つまり、これから下地層にパターンを形成する場合は、基板Ｐの予め決められたデバイス形成領域Ｗに許容範囲内でパターンを露光することができるように、各描画ユニットＵが露光するパターンの位置、領域を、エッジポジションコントローラＥＰＣ３、ＥＰＣ４のエッジ位置の検出情報に基づいて予測補正する。

なお、下地層に形成されたパターンの上に、新たなパターンを重ね合わせ露光する際は、アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の基板Ｐ上での各検出中心位置から、各描画ライン（Ｌ１〜Ｌ５）によるパターン描画位置までの相対的な位置関係、いわゆる２次元的なベースライン長（キャリブレーション時に予め精密に求められる）の情報も使われる。具体的には、下地層と同時に基板Ｐ上に形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の中心位置を各アライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３で検出し、そのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の中心位置とアライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３の検出中心位置との２次元的なズレ量（ΔＸ、ΔＹ）と、予め求めておいた２次元的なベースライン長とに基づいて、重ね合わせ露光時に生じ得る重ね合せ誤差を正確に計算し、その誤差が許容範囲内に収まるように、基板Ｐの送り量の計測値（回転ドラム３６の回転量を検出するエンコーダの計測値）を基準にして各描画ライン（Ｌ１〜Ｌ５）によるパターン描画のタイミングが補正される。また、下地層に形成されたパターンは、基板Ｐ上の予め決められたデバイス形成領域Ｗに、アライメントマークＫｓとともに形成されていると考えられる。そのため、基板Ｐに形成されている複数のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の各位置を精密に計測することによって、基板Ｐ上のデバイス形成領域Ｗの位置や形状の変形、すなわち、下地層として形成されたパターンの位置や変形（回転誤差、スキュー誤差、伸縮誤差等の１次誤差成分や、弓形や樽形等の高次誤差成分を含む）を求めることができる。

次に、パターン形成装置１８の動作について説明する。図５は、パターン形成装置１８の動作を示すフローチャート、図６は、図５のフローチャートに示す動作によって搬送される基板Ｐの搬送動作を示すタイムチャート、および、第１蓄積部ＢＦ１、第２蓄積部ＢＦ２によって蓄積される基板Ｐの長さ（蓄積長）を示すタイムチャートである。なお、図５に示す動作においては、パターン形成装置１８以外の各処理装置ＰＲ１、ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ５においては、常に基板Ｐは基準速度Ｖｓで順方向に搬送されているものとする。また、エッジポジションコントローラＥＰＣ１〜ＥＰＣ４によって基板Ｐの幅方向における位置が修正されており、特に説明しない限り、アライメント顕微鏡ＡＭの検出は一定の周期で継続的に行われているものとする。また、図６においては、順方向に進む搬送速度を基準にして正とし、順方向とは逆方向に進む搬送速度を負（−）としている。

まず、ステップＳ１で、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを順方向に基準速度Ｖｓで搬送する。基準速度Ｖｓは、アライメント顕微鏡ＡＭがアライメントマークＫｓを間引いて検出する速度であるので、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送されている間は、アライメントマークＫｓは間引かれて検出される。なお、基板Ｐの搬送速度が同じ速度であっても、アライメントマークＫｓの基板Ｐの長尺方向に沿った形成位置間隔によって、アライメントマークＫｓが間引かれる数は異なる。例えば、アライメントマークＫｓの長尺方向に沿った形成位置間隔が長い場合は間引かれる数が少なくなり（ゼロも含む）、アライメントマークＫｓの長尺方向に沿った形成位置間隔が短い場合は間引かれる数が多くなる。したがって、この基準速度Ｖｓは、基板Ｐの長尺方向に沿って形成されたアライメントマークＫｓの形成位置間隔に応じて決定される。

そして、ステップＳ２で、上位制御装置１６は、間引かれて検出されているアライメントマークＫｓの位置に基づいて基板Ｐ上にパターンを形成する位置を認識し、パターンデータを用いて露光ヘッド３４を制御して基板Ｐ上にパターンを描画露光する。これにより、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）から基板Ｐ上に照射されるスポット光ＳＰが２次元走査され、基板Ｐ上に電子デバイス用のパターンが所定の間隔Ｌｓ（図７参照）をあけて順次形成される。なお、基板Ｐの搬送状態に応じてパターンデータが修正されている場合は、該修正されたパターンデータを用いてパターンを描画露光する。この基板Ｐを基準速度Ｖｓで順方向に搬送するとともに、基板Ｐ上に長尺方向に沿って複数形成されたアライメントマークＫｓを間引いて検出して、パターンを形成する動作（ステップＳ１〜ステップＳ２の動作）は、本発明の態様の第１モードに相当する。

搬送部３０が基板Ｐを基準速度Ｖｓで搬送している場合は、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２が蓄積している基板Ｐの長さ（蓄積長）は、それぞれＬｅ０、Ｌｅ１のままである。つまり、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２には、基準速度Ｖｓで基板Ｐが搬入し、基準速度Ｖｓで基板Ｐが搬出しているので、蓄積長は変動しない。なお、蓄積長Ｌｅ１は、蓄積長Ｌｅ０より長く、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２は、少なくとも蓄積長Ｌｅ１以上の長さの基板Ｐを蓄積することができる。したがって、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送されている場合は、第１蓄積部ＢＦ１は、所定の余裕長（Ｌｅ１−Ｌｅ０）以上の長さの基板Ｐを新たに蓄積することができる。

次いで、ステップＳ３で、上位制御装置１６は、所定の条件が成立したか否かを判断する。基板Ｐへの露光を初めて行う場合、または、露光によって形成されるパターンの形成精度が許容範囲から外れる場合は、所定の条件が成立したと判断する。基板Ｐへの露光を初めて行う場合は、どのような状態で基板Ｐが回転ドラム３６に搬送されてくるのかわからないからであり、パターンの形成精度が許容範囲から外れる可能性があるからである。パターンの形成精度が許容範囲から外れる場合としては、今まで搬送されてきた基板Ｐの搬送状態（変形、傾き等）の傾向が許容範囲を超えて変わる場合が挙げられる。つまり、今まで搬送されてきた基板Ｐの搬送状態で適正にパターンを形成できるように、パターンデータが補正されていたが、急に、基板Ｐの搬送状態（変形、傾き等）の傾向が許容範囲を超えて変わると、今まで使用してきたパターンデータでは適正に露光を行うことができなくなるからである。上位制御装置１６は、ステップＳ２で検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて、この基板Ｐの搬送状態の傾向が許容範囲を超えたか否かを判断する。つまり、検出したアライメントマークＫｓの位置が、今まで検出した位置とは許容範囲を超えて大きく変わるような傾向を示す場合は、基板Ｐの搬送状態の傾向が許容範囲を超えて変わったと判断する。

ステップＳ３で、所定の条件が成立していないと判断するとそのままステップＳ３に留まり、所定の条件が成立したと判断すると、ステップＳ４に進む。ステップＳ４に進むと、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、パターンデータの形成精度を許容範囲内に戻すための補正準備動作の一部として、基板Ｐを基準速度Ｖｓより遅い第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送させる。つまり、搬送部３０は、基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１にまで落として順方向に低速搬送させる。第１速度Ｖ１での搬送は、所定時間行われる。第１速度Ｖ１は、アライメント顕微鏡ＡＭがアライメントマークＫｓを間引くことなく精密に検出することができる速度であるので、基板Ｐが第１速度Ｖ１以下で搬送されている間は、アライメントマークＫｓの検出精度が向上する。この第１速度Ｖ１は、アライメントマークＫｓの長尺方向に沿った形成位置間隔に応じて決定される。なお、第１速度Ｖ１は、アライメントマークＫｓが間引かれて検出される速度であってもよく、要は、第１速度Ｖ１は、基準速度Ｖｓに比べ、多くのアライメントマークＫｓを検出することができる速度であればよい。

図６に示すように、所定の条件が成立したと判断したタイミングをＴ１とすると、搬送速度は、タイミングＴ１から徐々に減速し始め、タイミングＴ２で搬送速度が第１速度Ｖ１となる。この第１速度Ｖ１での順方向への搬送は、タイミングＴ２から所定時間経過後のタイミングＴ３で終了する。したがって、基板Ｐが第１速度Ｖ１で搬送されているタイミングＴ２〜Ｔ３の期間で、アライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓが精密に検出される。このように、アライメントマークＫｓが精密に検出されるので、検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて、上位制御装置１６は、基板Ｐの搬送状態の変化の傾向（例えば、基板Ｐの回転ドラム３６の回転軸ＡＸに対する傾き、基板Ｐの幅方向における位置、基板Ｐの変形等）を正確、精密に認識することができる。なお、タイミングＴ１〜タイミングＴ２の期間もアライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓが検出されているが、基板Ｐの搬送速度が第１速度Ｖ１以下となっていないので、精密にアライメントマークＫｓを検出できない場合、つまり、間引いて検出してしまう場合もある。

次いで、ステップＳ５で、上位制御装置１６は、露光ヘッド３４を制御してパターンの描画露光を一時停止させる。つまり、上位制御装置１６は、所定の条件が成立すると、パターンの描画露光を一時停止させる。これにより、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵ（Ｕ１〜Ｕ５）によるパターンの形成は、タイミングＴ１から一時停止する。

次いで、ステップＳ６で、上位制御装置１６は、補正準備動作の一部として、アライメント顕微鏡ＡＭによって精密に検出されたアライメントマークＫｓの位置（および２次元的なベースライン長の情報）に基づいて、パターンデータ（描画データ）を補正する。このパターンデータを補正することで、パターンの形成精度を許容範囲内に維持することができる。つまり、パターンデータを高精度に補正するために、ステップＳ４で基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１まで低下させて、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの位置検出（撮像した画像の画質処理、マークエッジの抽出、マーク中心点の決定等の演算処理を含む）の精度、すなわち、アライメントマークＫｓの計測精度が低下しないようにしている。ステップＳ６では、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了した時点（タイミングＴ３の時点）で、パターンデータの補正を行ってもよく、基板Ｐが第１速度Ｖ１で搬送されている最中（タイミングＴ２〜タイミングＴ３の期間）に、随時パターンデータを補正していってもよい。

なお、ステップＳ１においても、基板Ｐの搬送速度を第１速度Ｖ１にすれば、基板Ｐの搬送中に搬送速度を変化させる必要もなくなり、制御も簡単になるが、基板Ｐの搬送速度を第１速度Ｖ１にすると基板Ｐの搬送時間も長くなるので、結果的に電子デバイスの製造時間が長くなってしまい、非効率である。そこで、本第１の実施の形態においては、所定の条件が成立した場合にのみ、搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１まで落とすことで、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制している。なお、所定条件が成立する前は、主に基板Ｐ上にパターンを形成する位置を認識するためにアライメントマークＫｓを検出しているので、そこまでの精密な検出は必要ない。したがって、ステップＳ１では、第１速度Ｖ１より速い基準速度Ｖｓで基板Ｐを搬送している。

次いで、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了すると、ステップＳ７で、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの戻し搬送を行う。つまり、基板Ｐを逆方向に搬送させる。基板Ｐの戻し搬送を行う理由としては、基板Ｐを順方向に低速搬送（第１速度Ｖ１以下で搬送）している最中はパターンの形成が行われず、そのまま基板Ｐが順方向に搬送されてしまうからである。したがって、ステップＳ７では、パターンの形成が行われずにそのまま搬送された基板Ｐに対してパターンを形成するために基板Ｐの戻し搬送を行う。なお、この戻し搬送時においては、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの検出を中断してもよい。

図６に示すように、第１速度Ｖ１での基板Ｐの順方向への搬送が終了した時点（タイミングＴ３の時点）で、基板Ｐの搬送速度が第１速度Ｖ１から徐々に低下し始め、タイミングＴ５で、基板Ｐの搬送速度が−第３速度Ｖ３となる。タイミングＴ４は、搬送速度が０［ｍ／ｓｅｃ］となるタイミングである。つまり、基板Ｐの順方向への搬送速度がタイミングＴ３から徐々に減速し始めタイミングＴ４で０となり、その後、逆方向に基板Ｐが搬送し始め、その搬送速度が徐々に増加し、タイミングＴ５で基板Ｐの逆方向への搬送速度が第３速度Ｖ３となる。この第３速度Ｖ３での逆方向への搬送（戻し搬送）は、タイミングＴ５から所定時間経過後のタイミングＴ６で終了する。なお、タイミングＴ３〜タイミングＴ５間における基板Ｐの減速度（−方向への加速度）は一定とする。

次いで、第３速度Ｖ３での基板Ｐの戻し搬送が終了すると、ステップＳ８で、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で高速搬送させる。つまり、基板Ｐの順方向への搬送速度を−第３速度Ｖ３から第２速度Ｖ２まで上げる。第２速度Ｖ２は、基準速度Ｖｓより速い速度なので、アライメントマークＫｓは、アライメント顕微鏡ＡＭによって間引かれて検出される。

図６に示すように、第３速度Ｖ３での基板Ｐの戻し搬送が終了した時点（タイミングＴ６の時点）で、基板Ｐの搬送速度が−第３速度Ｖ３から徐々に上昇し始め、タイミングＴ９で、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２となる。タイミングＴ７は、搬送速度が０［ｍ／ｓｅｃ］となるタイミングである。つまり、基板Ｐの逆方向への搬送速度がタイミングＴ６から徐々に減速し始めタイミングＴ７で０となり、その後、順方向に基板Ｐが搬送し始め、その搬送速度が徐々に増加し、タイミングＴ９で基板Ｐの順方向への搬送速度が第２速度Ｖ２となる。タイミングＴ８は、基板Ｐの順方向への搬送速度が基準速度Ｖｓとなるタイミングを示している。なお、本第１の実施の形態では、タイミングＴ３〜タイミングＴ９の期間においては、アライメントマークＫｓの位置情報は必要ないので、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの検出を中断し、基板Ｐの順方向への搬送速度が第２速度Ｖ２となった時点で、アライメントマークＫｓの検出を再開している。また、タイミングＴ６〜タイミングＴ９間における基板Ｐの加速度は一定とする。

ここで、ステップＳ８で、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に搬送させる理由について説明する。図６に示すように、基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓ以下となる期間（タイミングＴ１〜Ｔ８）においては、時間の経過とともに、第１蓄積部ＢＦ１が蓄積する基板Ｐの蓄積長は蓄積長Ｌｅ０から増加し、第２蓄積部ＢＦ２が蓄積する基板Ｐの蓄積長は蓄積長Ｌｅ１から減少する。具体的には、基板Ｐの順方向への低速搬送時（タイミングＴ１〜Ｔ４、タイミングＴ７〜Ｔ８）においては、処理装置ＰＲ２から第１蓄積部ＢＦ１に向かって基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬入するのに対して、第１蓄積部ＢＦ１から処理装置ＰＲ３に向かって基板Ｐを搬出する速度は、基準速度Ｖｓより低くなるので、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が徐々に増加する。そして、基板Ｐの逆方向への搬送時（タイミングＴ４〜Ｔ７）においては、処理装置ＰＲ２から第１蓄積部ＢＦ１に向かって基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬入するとともに、処理装置ＰＲ３からも基板Ｐが第３速度Ｖ３で第１蓄積部ＢＦ１に搬入するので、低速搬送時に比べ、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が急激に増加する。第２蓄積部ＢＦ２においては、第１蓄積部ＢＦ１の逆となるので、基板Ｐの低速搬送時においては、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が徐々に減少し、基板Ｐの逆方向への搬送時おいては、低速搬送時に比べ、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が急激に減少する。そのため、本第１の実施の形態においては、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長を元の状態（Ｌｅ０、Ｌｅ１）に戻すため、基板Ｐを逆方向に搬送した後は、基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で基板Ｐを順方向に高速搬送している。

したがって、第１蓄積部ＢＦ１は、タイミングＴ８の時点で蓄積している基板Ｐの蓄積長が最も長くなり、タイミングＴ８以後は、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が徐々に減少する。逆に、第２蓄積部ＢＦ２は、タイミングＴ８の時点で蓄積している基板Ｐの蓄積長が最も短くなり、タイミングＴ８以後は、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が徐々に増加する。本第１の実施の形態では、タイミングＴ８で、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ１となり、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ０となるように、第１速度Ｖ１、第３速度Ｖ３、タイミングＴ２〜Ｔ８等が予め決められている。

基板Ｐが第２速度Ｖ２で搬送し始めると、ステップＳ９で、上位制御装置１６は、露光ヘッド３４を制御して、パターン形成を再開する。つまり、上位制御装置１６は、間引かれて検出されているアライメントマークＫｓの位置に基づいて基板Ｐ上にパターンを形成する位置を認識し、ステップＳ６で補正されたパターンデータを用いて露光ヘッド３４を制御して基板Ｐ上にパターンを描画露光する。このステップＳ９のパターン形成は補正されたパターンデータを用いていることから、ステップＳ９のパターンの形成精度（第２の精度）は、許容範囲内となり、且つ、ステップＳ２のパターン形成の精度（第１の精度）に比べ向上している。

ステップＳ９における基板Ｐ上のパターンの形成が再開する位置は、ステップＳ５における基板Ｐ上のパターンの形成が一時停止した位置となる。つまり、ステップＳ９における各描画ユニットＵから基板Ｐ上に照射されるスポット光ＳＰの描画開始位置は、ステップＳ５におけるパターンの形成の一時停止によって一時終了した各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの照射終了位置（描画終了位置）となる。したがって、各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの描画終了位置から、スポット光ＳＰの描画を開始することができ、露光精度が低下することを防止することができる。なお、露光精度を一定に保つためには、基板Ｐの搬送速度が一定の速度で搬送されている必要があるため、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２になるまではパターンの形成は行わない。基板Ｐを基準速度Ｖｓより遅い第１速度Ｖ１で順方向に搬送して、複数のアライメントマークＫｓを精密に検出した後、基板Ｐを逆の方向への戻し搬送を行ってから、その後、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に搬送させて、複数のアライメントマークＫｓを間引いて検出し、パターンを形成する動作（ステップＳ４〜ステップＳ９の動作）は、本発明の態様の第２モードに相当する。この第２モードは、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長Ｌｅ１に対応した基板Ｐの長さに亘って実行される。

ここで、各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの描画終了位置から、スポット光ＳＰの描画を開始するためには、ステップＳ５で基板Ｐ上におけるパターンの形成が一時停止した描画終了位置（スポット光ＳＰの基板Ｐへの照射終了位置）が、タイミングＴ９の時点において、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵによってスポット光ＳＰが照射される基板Ｐ上の位置より−Ｘ方向側となる必要がある。つまり、ステップＳ５におけるパターンの形成の一時停止によって一時終了した各描画ユニットＵからのスポット光ＳＰの基板Ｐへの照射終了位置（描画終了位置）が、露光ヘッド３４の各描画ユニットＵによってスポット光ＳＰが照射される基板Ｐ上の位置に到達する前に、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２となっている必要がある。そのために、タイミングＴ４〜Ｔ７の期間に逆方向に搬送される基板Ｐの長さ（戻し長さ）を、タイミングＴ１〜Ｔ４の期間に順方向に搬送された基板Ｐの長さよりも助走長分だけ長くすることで、これを担保している。

その後、ステップＳ１０で、上位制御装置１６は、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が、予め決められた所定の長さになったか否かを判断する。ステップＳ１０で、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が所定の長さになっていないと判断すると、所定の長さになるまでステップＳ１０に留まり、所定の長さになったと判断すると、ステップＳ１１に進む。ステップＳ１１に進むと、搬送部３０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに戻して基板Ｐを順方向に搬送する。詳しく説明すると、図６に示すように、第１蓄積部ＢＦ１が蓄積している基板Ｐの長さが所定長になったと判断したタイミングＴ１０で、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２から徐々に低下し、タイミングＴ１１で基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓとなる。このタイミングＴ１１で、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ１となるように、基板Ｐの第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓへの減速度等が予め決められている。基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓになった以降は、再びステップＳ１に戻り、上記した動作を繰り返す。なお、タイミングＴ１０以降においても、アライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）は、アライメントマークＫｓを間引いて検出している。

ここで、第１蓄積部ＢＦ１が蓄積している基板Ｐの長さが所定の長さになったか否かの判断は、タイミングＴ９から所定の時間が経過したか否かによって判断してもよい。タイミングＴ１以前に第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さがＬｅ０であることから、第１〜第３速度Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３や、タイミングＴ２〜Ｔ９との関係から、計算によって予めこの所定の時間を求めることができるからである。また、第１蓄積部ＢＦ１の各ダンサーローラ２０の位置を検出するセンサを設け、該センサが検出した各ダンサーローラ２０の位置に基づいて、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長を求めることで、第１蓄積部ＢＦ１が所定の長さになったか否かを判断してもよい。また、第１蓄積部ＢＦ１に搬入する基板Ｐの速度と、第１蓄積部ＢＦ１から搬出される基板Ｐの速度とを検出するセンサを設け、該センサが検出した速度差に基づいて、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長を算出することで、第１蓄積部ＢＦ１が所定の長さになったか否かを判断してもよい。なお、本第１の実施の形態では、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長が所定の長さとなったかどうかを判断するようにしたが、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が所定の長さとなったかどうかを判断してもよい。

基板Ｐのパターン形成は、基板Ｐを第２速度Ｖ２で搬送している最中は勿論のこと、第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに戻った以後も継続して行われることになるが、パターンの形成中に基板Ｐの搬送速度が変動することは、パターン形成の精度の観点からあまり好ましくはない。したがって、露光ヘッド３４によるデバイス形成領域Ｗのパターンの形成が終了して次のデバイス形成領域Ｗへのパターンの形成が開始するまでの期間において、搬送速度を下げることで、基板Ｐの搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓまで段階的に徐々に下げてもよい。また、デバイス形成領域Ｗとデバイス形成領域Ｗとの間隔Ｌｓ（図７参照）が充分に長い場合は、露光ヘッド３４によるデバイス形成領域Ｗのパターンの形成が終了して次のデバイス形成領域Ｗへのパターンの形成が開始するまでの期間において、搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓまで一気に下げてもよい。

図７は、図６のタイムチャートに示す動作によって搬送される基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭの相対的な移動方向および移動範囲を示す図である。図７の矢印Ａは、基板Ｐの順方向への低速搬送時（タイミングＴ１〜Ｔ４）における基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の相対的な移動方向および移動範囲の一例を示している。図７の破線で示されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐを第１速度Ｖ１で搬送することによって精密に検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の一例を示している。このときは、図７に示すように、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）が間引きされずに検出されていることがわかる。図７の矢印Ｂは、基板Ｐの逆方向への搬送時（タイミングＴ４〜Ｔ７）における基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の相対的な移動方向および移動範囲を示している。この基板Ｐが順方向とは逆方向に搬送されている場合は、アライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓの検出は行われない。図７の矢印Ｃは、戻し搬送後に基板Ｐを順方向に高速搬送したとき（タイミングＴ７以降）における基板Ｐに対するアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）の相対的な移動方向および移動範囲の一例を示している。図７の破線の円で囲まれたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐを第２速度Ｖ２で搬送することによって間引かれて（１つ置き間隔で）検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の一例を示している。

以上のように、上記第１の実施の形態においては、基板Ｐを順方向に第１速度Ｖ１で搬送することで、アライメント顕微鏡ＡＭに複数のアライメントマークＫｓを精密に検出させる。そして、基板Ｐを逆方向に搬送させ、その後、基板Ｐを順方向に第１速度Ｖ１より速い第２速度Ｖ２で搬送させることで、アライメント顕微鏡ＡＭに複数のアライメントマークＫｓを間引いて検出させて、露光ヘッド３４にパターンの形成を行わせる。これにより、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定のパターニング精度範囲内に保った状態で連続して実施することが可能となり、精度劣化に起因した製造ラインの一時的な停止を回避して、電子デバイスの製造時間の短縮化が図られる。

［第１の実施の形態の変形例］
上記第１の実施の形態は、以下の変形例も可能である。

（変形例１）変形例１では、基板Ｐを第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送させることによって、アライメント顕微鏡ＡＭがアライメントマークＫｓを精密に検出しているときも（タイミングＴ２〜Ｔ３においても）、露光ヘッド３４によるパターンの形成を行う。タイミングＴ２〜Ｔ３においては、精密に検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて、パターンデータを逐次修正し、修正されたパターンデータに基づいてパターンを形成する。この場合は、基板Ｐを基準速度Ｖｓで搬送している最中は勿論のこと、基板Ｐの基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１に変動した以後も継続してパターンの形成が行われることになるが、パターンの形成中に基板Ｐの搬送速度が変動することは、パターン形成の精度の観点からあまり好ましくはない。したがって、タイミングＴ１〜Ｔ２の期間においてはパターンの形成を一時停止する。このパターンの形成の一時停止によりパターンを形成することができなかった領域に対しては、基板Ｐを戻し搬送した後、第２速度Ｖ２で順方向に搬送するときに、パターンの形成を行う。この場合であっても、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制することができる。

（変形例２）変形例２では、基板Ｐが第３速度Ｖ３で順方向とは逆方向に搬送しているときも（タイミングＴ５〜Ｔ６においても）、アライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの検出、および、露光ヘッド３４によるパターンの形成を行うようにしてもよい。この場合であっても、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制することができる。なお、逆搬送のときも、精密に検出されたアライメントマークＫｓの位置に基づいて修正されたパターンデータを用いてパターンを形成する。

（変形例３）上記第１の実施の形態では、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送しているときは、第１蓄積部ＢＦ１に蓄積されている基板Ｐの長さをＬｅ０とし、第２蓄積部ＢＦ２に蓄積されている基板Ｐの長さをＬｅ１としたが、実際には誤差を生じてしまう可能性もあり得る。したがって、変形例３では、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送しているときは、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ１となるように、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５における基板Ｐの相対的な速度を調整してもよい。例えば、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０よりも長い場合には、処理装置ＰＲ３〜ＰＲ５の搬送速度を基準速度Ｖｓとし、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２の基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓより遅くすることで、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０となるように調整してもよい。この第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長は、上述したように、ダンサーローラ２０、２２の位置に基づいて算出してもよいし、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２に搬入する基板Ｐの速度と、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２から搬出される基板Ｐの速度とに基づいて算出してもよい。

（変形例４）変形例４では、図６のタイミングＴ１〜Ｔ３における基板Ｐの搬送速度を、基準速度Ｖｓとする。タイミングＴ１〜Ｔ３における基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓにした場合は、タイミングＴ１〜タイミングＴ３でアライメント顕微鏡ＡＭによるアライメントマークＫｓの間引き検出が行われるが、この間引き検出によって、基板Ｐの搬送状態の傾向をある程度認識することができ、パターンデータを補正することができるからである。したがって、本変形例４においても、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、電子デバイスの製造時間が長くなることを抑制することができる。また、タイミングＴ１〜Ｔ４においても基板Ｐを基準速度Ｖｓにするので、上記第１の実施の形態に比べ、電子デバイスの製造時間を短くすることができる。

（変形例５）変形例５では、基板Ｐの搬送速度と、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積可能長との関係について説明する。本変形例５では、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の最大蓄積可能長をＬｅ１とし、基板Ｐの順方向への搬送速度を全て基準速度Ｖｓとする。つまり、図６のタイミングＴ１〜Ｔ３とタイミングＴ９〜Ｔ１１とにおける基板Ｐの搬送速度は基準速度Ｖｓである。なお、上記第１の実施の形態で述べた通り、所定の条件が成立する前の、第１蓄積部ＢＦ１の基板Ｐの蓄積長はＬｅ０であり、第２蓄積部ＢＦ２の基板Ｐの蓄積長はＬｅ１である。

したがって、基板Ｐが順方向とは逆方向に搬送される期間ΔＴ（タイミングＴ４〜Ｔ７）中の第１蓄積部ＢＦ１の蓄積条件は、数式（１）で表すことができ、期間ΔＴ中の第２蓄積部ＢＦ２の蓄積条件は、数式（２）で表すことができる。なお、数式（１）、数式（２）においては、基板Ｐの搬送速度が基準速度Ｖｓから第３速度Ｖ３へ、第３速度Ｖ３から基準速度Ｖｓへ徐々に変化することを考慮していない。つまり、タイミングＴ３〜Ｔ４、および、タイミングＴ７〜Ｔ９の基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓとし、タイミングＴ４〜Ｔ５、および、タイミングＴ６〜Ｔ７の搬送速度を第３速度Ｖ３としている。
（Ｌｅ１−Ｌｅ０）−（Ｖｓ＋Ｖ３）ΔＴ＞０ …（１）
Ｌｅ１−（Ｖｓ＋Ｖ３）ΔＴ＞０ …（２）

また、デバイス形成領域ＷのＸ方向の長さをＬＤ（図７参照）、デバイス形成領域Ｗの間隔Ｌｓ（図７参照）、基板Ｐを順方向とは逆方向の搬送によって戻したいデバイス形成領域Ｗの数をｎ、助走長をＬｕとすると、基板Ｐが順方向とは逆方向に搬送される基板Ｐの長さＬｒは、数式（３）で表すことができ、ΔＴは、Ｌｒを用いて数式（４）で表すことができる。
Ｌｒ＝Ｌｕ＋ｎ（ＬＤ＋Ｌｓ） …（３）
ΔＴ＝Ｌｒ／Ｖ３ …（４）

よって、数式（１）は、数式（３）および数式（４）を用いて、数式（５）で表すことができる。
（Ｌｅ１−Ｌｅ０）−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）Ｌｒ＞０
⇒（Ｌｅ１−Ｌｅ０）−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）｛Ｌｕ＋ｎ×（ＬＤ＋Ｌｓ）｝＞０ …（５）

また、数式（２）は、数式（３）および数式（４）を用いて、数式（６）で表すことができる。
Ｌｅ１−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）Ｌｒ＞０
⇒Ｌｅ１−（Ｖｓ／Ｖ３＋１）｛Ｌｕ＋ｎ×（ＬＤ＋Ｌｓ）｝＞０ …（６）

したがって、数式（５）および数式（６）の関係を満たすように、Ｌｅ１、Ｌｅ０、Ｖｓ、Ｖ３、Ｌｒ（Ｌｕ＋ｎ（ＬＤ＋Ｌｓ））を決定すればよい。

図８は、戻り搬送時における第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長の増加量を示すグラフである。詳しくは、デバイス形成領域ＷのＸ方向の長さＬＤと、基準速度Ｖｓと第３速度Ｖ３との速度比（Ｖｓ／Ｖ３）とを変えたときの、戻り搬送時における第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長の増加量を示している。なお、図８においては、デバイス形成領域Ｗの間隔Ｌｓを５［ｃｍ］、基板Ｐを順方向とは逆方向の搬送によって戻したいデバイス形成領域Ｗの数ｎを２、助走長Ｌｕを４０［ｃｍ］としている。

戻り搬送時には、第１蓄積部ＢＦ１には、処理装置ＰＲ２から基準速度Ｖｓで基板Ｐが搬入され、処理装置ＰＲ３から基板Ｐが第３速度Ｖ３で搬入されるので、図８に示すように、速度比（Ｖｓ／Ｖ３）が高くなるにつれ、戻り搬送時に第１蓄積部ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの増加量は大きくなる。また、デバイス形成領域ＷのＸ方向の長さＬＤが長くなるにつれ、戻し搬送によって順方向とは逆方向に搬送される基板Ｐの長さＬｒも長くなるので、長さＬＤが長くなるほど、戻り搬送時に第１蓄積部ＢＦ１に蓄積される基板Ｐの増加量も大きくなる。図８においては、長さＬＤが、２０、４０、６０、８０、１００［ｃｍ］の場合を例にとって比較した。なお、長さＬＤが２０［ｃｍ］の場合は、数式（３）から、長さＬｒは０．９［ｍ］となる。同様に、長さＬＤが、４０、６０、８０、１００［ｃｍ］の場合は、数式（３）から、長さＬｒは、１．３、１．７、２．１、２．５［ｍ］となる。なお、第２蓄積部ＢＦ２においては、第１蓄積部ＢＦ１と逆のことがいえるので、速度比（Ｖｓ／Ｖ３）が高くなるにつれ、戻り搬送時に第２蓄積部ＢＦ２に蓄積される基板Ｐの減少量も大きくなる。また、長さＬＤが長くなるほど、戻り搬送時に第２蓄積部ＢＦ２に蓄積される基板Ｐの減少量も大きくなる。

［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。図９は、本第２の実施の形態におけるパターン形成装置１８の構成を示す図である。第２の実施の形態においては、パターン形成装置１８は、処理装置ＰＲ３、第１蓄積部ＢＦ１、および、第２蓄積部ＢＦ２を備えるとともに、さらに、アライメント検出装置ＡＭＤを備える。なお、本第２の実施の形態においては、上記第１の実施の形態と同様の構成については、同一の符号を付すとともに、原則として、上記第１の実施の形態と異なる部分についてのみ説明する。

処理装置ＰＲ３は、第２蓄積部ＢＦ２と処理装置ＰＲ４との間に設けられ、アライメント検出装置ＡＭＤは、第１蓄積部ＢＦ１と第２蓄積部ＢＦ２との間に設けられている。つまり、アライメント検出装置ＡＭＤは、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から供給された基板ＰのアライメントマークＫｓ等を検出した後、第２蓄積部ＢＦ２を介して処理装置ＰＲ３に向けて基板Ｐを搬送する。処理装置ＰＲ３は、第２蓄積部ＢＦ２を介してアライメント検出装置ＡＭＤから供給された基板Ｐを順方向（＋Ｘ方向）に搬送しつつ、基板Ｐ上にパターンを形成した後、基板Ｐを処理装置ＰＲ４へ向けて搬送する。

アライメント検出装置ＡＭＤは、搬送部８０と、検出部としてのアライメント顕微鏡ＡＭａ、ＡＭｂ、ＡＭｃ、ＡＭｄ、ＡＭｅ（以下、ＡＭａ〜ＡＭｅと略す）とを有する。搬送部８０は、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送される基板Ｐを、処理装置ＰＲ３側へ搬送する。搬送部８０は、基板Ｐの順搬送方向に沿って上流側（−Ｘ方向側）から順に、エッジポジションコントローラＥＰＣ５、テンション調整ローラＲＴ３、回転ドラム８２、テンション調整ローラＲＴ４、および、エッジポジションコントローラＥＰＣ６を有する。

エッジポジションコントローラＥＰＣ５は、第１蓄積部ＢＦ１を介して処理装置ＰＲ２から搬送された基板Ｐを回転ドラム８２へ向けて搬送する。なお、エッジポジションコントローラＥＰＣ５の構成および機能は、処理装置ＰＲ３のエッジポジションコントローラＥＰＣ３と同一なので、その説明を省略する。回転ドラム８２は、処理装置ＰＲ３の回転ドラム３６と同一の構成を有し、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって検出される基板Ｐ上の領域を円周面で支持する。回転ドラム８２は、Ｙ方向に延びる回転軸ＡＸ１を中心に回転することで、基板Ｐを回転ドラム３６の外周面（円周面）に倣って基板Ｐを＋Ｘ方向に搬送して、エッジポジションコントローラＥＰＣ６側に送る。回転ドラム８２（回転軸ＡＸ１）は、図示しない回転駆動源からの回転トルクが与えられることで回転する。エッジポジションコントローラＥＰＣ６は、回転ドラム８２から搬送された基板Ｐを第２蓄積部ＢＦ２に向けて搬送する。なお、エッジポジションコントローラＥＰＣ６の構成および機能は、処理装置ＰＲ３のエッジポジションコントローラＥＰＣ４と同一なので、その説明を省略する。本第２の実施の形態の搬送部８０は、上記第１の実施の形態の搬送部３０と同様に、基板Ｐを順方向（＋Ｘ方向）および逆方向（−Ｘ方向）にも搬送可能である。

基板Ｐの順搬送方向における上流側（−Ｘ方向側）から順に、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅが設けられている。アライメント顕微鏡ＡＭａ（ＡＭａ１〜ＡＭａ３）は、処理装置ＰＲ３のアライメント顕微鏡ＡＭ（ＡＭ１〜ＡＭ３）と同一の構成および機能を有し、基板Ｐ上に形成された被検出体としてのアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）を検出する。つまり、アライメント顕微鏡ＡＭａ１は、基板Ｐの＋Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ１を検出し、アライメント顕微鏡ＡＭａ２は、基板Ｐの−Ｙ方向側の端部に形成されたアライメントマークＫｓ２を検出する。アライメント顕微鏡ＡＭａ３は、基板Ｐの幅方向中央に形成されたアライメントマークＫｓ３を検出する。なお、アライメント顕微鏡ＡＭａの回転ドラム８２に対する設置位置は、処理装置ＰＲ３のアライメント顕微鏡ＡＭの回転ドラム３６に対する設置位置と同じ位置である。

アライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅは、基板Ｐ上に形成されているパターンのうち、特定の形状を有する被検出体を検出する。この被検出体としては、例えば、ディスプレイを構成するＴＦＴ、または、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極等の金属性配線部が挙げられる。ＴＦＴやＴＦＴのソース電極およびドレイン電極は、デバイス形成領域Ｗ内に無数にマトリクス状に形成されている。そのため、各アライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅは、基板Ｐの幅方向（Ｙ方向）に沿って複数設けられており、この複数のアライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅは、互いに異なる領域を検出するように配置されている。このアライメント顕微鏡ＡＭｂ〜ＡＭｅによって、基板Ｐのデバイス形成領域Ｗの搬送状態や形状変形、形成されたＴＦＴ等の配置状態をより精度よく認識することができ、下地層に形成されたパターンと新たにパターンを形成して重ね合わせる際の重ね合わせ誤差をより小さくすることができる。なお、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅは、アライメント顕微鏡ＡＭと同様に、一定の周期で検出領域内の基板Ｐを撮像することで、被検出体の検出を行う。

次に、アライメント検出装置ＡＭＤの動作を図１０のフローチャートにしたがって説明するが、搬送部８０による基板Ｐの搬送動作は、上記第１の実施の形態で説明した図６に示す搬送部３０の搬送動作と同一であるので、基板Ｐの搬送動作については詳しく説明しない。また、搬送動作が図６に示すタイムチャートと同一であることから、第１蓄積部ＢＦ１および第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長も図６に示すタイムチャートと同一である。なお、図１０のフローチャートに示す動作では、特に説明しないが、エッジポジションコントローラＥＰＣ５、ＥＰＣ６は、基板Ｐの幅方向における位置を調整しているものとし、特に説明しない限り、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅの検出は一定の周期で継続的に行われているものとする。また、本第２の実施の形態においては、アライメント検出装置ＡＭＤ内で基板Ｐの搬送速度や搬送方向は変わるが、第２蓄積部ＢＦ２から処理装置ＰＲ３に搬送される基板Ｐの搬送速度は、基準速度Ｖｓで一定となり、搬送方向が逆方向になることはない。したがって、露光ヘッド３４は、該検出されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置に基づいてパターンを継続的に順次形成している。

ステップＳ２１で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを順方向に基準速度Ｖｓで搬送する。基準速度Ｖｓは、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅが被検出体（アライメントマークＫｓやソース電極およびドレイン電極等）を間引いて検出する速度であるので、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送されている間は、被検出体は間引かれて検出される。

その後、ステップＳ２２で、上位制御装置１６は、所定の条件が成立したか否かを判断する。上位制御装置１６は、基板Ｐへの露光を初めて行う場合や露光によって形成されるパターンの形成精度が許容範囲から外れる場合は、所定の条件が成立したと判断する。ステップＳ２２で、所定の条件が成立したと判断すると、ステップＳ２３で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、補正準備動作の一部として基板Ｐを基準速度Ｖｓより遅い第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送させる。つまり、搬送部８０は、基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓから第１速度Ｖ１まで落として、基板Ｐを順方向に低速搬送する。第１速度Ｖ１での搬送は、所定時間行われる。

基板Ｐを第１速度Ｖ１で順方向に低速搬送することで、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって被検出体が精密に検出され、検出精度が向上する。基板Ｐが第１速度Ｖ１で順方向に搬送されているときのアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅの検出精度は、基板Ｐが基準速度Ｖｓで順方向に搬送されているときのアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅの検出精度より高ければよく、全く間引きしないで検出することに限定されない。例えば、ＴＦＴは、配置密度が高いため、全ての被検出体を間引かないで検出するためには、基板Ｐの搬送速度を極めて遅くさせなければならず、非効率であるからである。

次いで、ステップＳ２４で、上位制御装置１６は、補正準備動作の一部として、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって精密に検出された被検出体の位置に基づいて、パターンデータ（描画データ）を補正する。このパターンデータを補正することで、パターンの形成精度を許容範囲内に維持することができる。ステップＳ２４では、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了した時点で、パターンデータの補正を行ってもよく、基板Ｐが第１速度Ｖ１で搬送されている最中に、随時パターンデータを補正（描画タイミングの補正も含む）していってもよい。なお、搬送状態にある基板Ｐの変形の傾向が許容範囲を超えて変わったと判断される基板Ｐ上の位置が、処理装置ＰＲ３の露光ヘッド３４によってパターンが形成される位置（スポット光ＳＰが照射される位置）まで搬送されると、上位制御装置１６は、この補正したパターンデータを用いて露光ヘッド３４を制御して基板Ｐ上にパターンを形成する。

そして、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が終了すると、ステップＳ２５で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの戻し搬送を行う。具体的には、搬送部８０は、基板Ｐを順方向とは逆方向に第３速度Ｖ３で所定時間搬送させる。なお、この戻し搬送時においては、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによるアライメントマークＫｓの検出を中断してもよい。その後、基板Ｐの戻し搬送が終了すると、ステップＳ２６で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に高速搬送させる。第２速度Ｖ２は、基準速度Ｖｓより速い速度なので、被検出体はアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅによって間引かれて検出される。

その後、ステップＳ２７で、上位制御装置１６は、第１蓄積部ＢＦ１または第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が、所定の長さになったか否かを判断する。ステップＳ２７で、第１蓄積部ＢＦ１または第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長が、所定の長さになったと判断すると、ステップＳ２８で、搬送部８０は、上位制御装置１６の制御にしたがって、基板Ｐの搬送速度を第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに戻して基板Ｐを順方向に搬送し、ステップＳ２１に戻る。なお、基板Ｐの搬送速度が第２速度Ｖ２から基準速度Ｖｓに変化する間も、アライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅは、被検出体を間引いて検出している。

以上のように、第２の実施の形態においては、第１蓄積部ＢＦ１と第２蓄積部ＢＦ２との間に、アライメント検出装置ＡＭＤを設け、処理装置ＰＲ３を第２蓄積部ＢＦ２より＋Ｘ方向側に設けたので、処理装置ＰＲ３の露光ヘッド３４のパターン形成を中断することなく、基板Ｐの搬送状態の変形の傾向を認識することができる。したがって、基板Ｐに繰り返し形成される電子デバイス用のパターンの形成を、所定の精度範囲内に保った状態で実施することが可能となり、精度劣化に起因した製造ラインの一時的な停止による電子デバイスの製造時間の長時間化を抑制することができる。また、パターン形成を中断する必要がないので、パターンの形成精度を向上させることができる。

［第２の実施の形態の変形例］
上記第２の実施の形態は、以下の変形例も可能である。

（変形例１）上記第２の実施の形態では、ステップＳ２５で、基板Ｐの戻し搬送を行うようにしたが、戻し搬送を行わなくてもよい。つまり、ステップＳ２３での基板Ｐの低速搬送が終了すると、ステップＳ２５の動作を飛ばして、ステップＳ２６に進み、搬送部８０は、基板Ｐを基準速度Ｖｓより速い第２速度Ｖ２で順方向に高速搬送させる。つまり、基板Ｐの第１速度Ｖ１での搬送が所定時間経過すると、基板Ｐの搬送速度を第１速度Ｖ１から第２速度Ｖ２にまで上昇させて、基板Ｐを順方向に高速搬送させる。

（変形例２）上記第１の実施の形態の変形例３と同様に、基板Ｐが基準速度Ｖｓで搬送しているときは、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０、第２蓄積部ＢＦ２の蓄積長がＬｅ１となるように、各処理装置ＰＲ１〜ＰＲ５における基板Ｐの相対的な速度を調整してもよい。例えば、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長がＬｅ０よりも長い場合には、アライメント検出装置ＡＭＤおよび処理装置ＰＲ３〜ＰＲ５の搬送速度を基準速度Ｖｓとし、処理装置ＰＲ１、ＰＲ２の基板Ｐの搬送速度を基準速度Ｖｓより遅くすることで、第１蓄積部ＢＦ１の蓄積長をＬｅ０なるように調整してもよい。

なお、上記第１および第２の実施の形態およびその変形例においては、露光装置である処理装置ＰＲ３を用いてパターンを形成するようにしたが、例えば、処理装置ＰＲ３は、平面マスクや円筒マスクを用いたプロキシミティ方式または投影方式の露光装置であってもよく、さらにはインクを塗布するインクジェット印刷機等であってもよい。要は、処理装置ＰＲ３は、基板Ｐにパターンを位置決めして形成することができるパターニング装置であればよく、パターンが形成された印刷用の版胴を用いるグラビア印刷機、微細な凹凸パターンを型押し方式で形成するインプリント転写機等であってもよい。

［第３の実施の形態］
上記第１、第２の形態による処理装置（露光装置）を用いることで、フレキシブルな表示パネル（例えば、有機ＥＬディスプレイ）、タッチパネル、カラーフィルタ等の種々の電子デバイスを長尺の基板Ｐ上に連続的に製造することができる。本第３の実施の形態では、図１１のフローチャートを用いて、一例として表示パネルに用いられる電子デバイスの一種である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を製造する製造工程を説明する。なお、図１１では、ボトムゲート（ＢＧ）型のＴＦＴの製造工程と、トップゲート（ＴＧ）型のＴＦＴの製造工程の両方をまとめて表したフローチャートとなっている。

まず、前工程のプロセス装置は、表示パネルのベースとなる基板Ｐの表面を、紫外線、大気圧プラズマ、電子線、および、Ｘ線等のいずれかを照射して活性化処理（表面改質）を行う（ステップＳ４０）。そして、プロセス装置（図１中の処理装置ＰＲ１、ＰＲ２等）は、基板Ｐの表面に感光性の機能液を一様に、または、選択的に塗布し、その基板Ｐをガラス転移温度以下の乾燥炉に通して、感光性機能層を成膜する（ステップＳ４１）。感光性機能層としては、上述したように、感光性シランカップリング材、感光性メッキ還元材等があり、工程によって使い分けられる。なお、感光性機能層として一般的なフォトレジスト層を塗布し、露光後の現像によってレジスト層（撥液性）をパターン形状に応じて食刻（エッチング）するフォトリソグラフィ法を利用する場合は、ステップＳ４１でフォトレジストの塗布が行われる。その場合は、フォトレジストの塗布の前に、例えば、ステップＳ４０において、基板Ｐの表面を親液性にしたり、メッキ還元材を塗布したりする工程が必要になる。

感光性機能層が形成された基板Ｐは、露光装置（図２中の処理装置ＰＲ３等）に送られ、ＴＦＴのゲート電極、または、ソース／ドレイン電極と、それに接続される配線（バスライン等）とを含む第１層用のパターン形状に対応した紫外線の光パターンが感光性機能層に露光（描画）される（ステップＳ４２）。ボトムゲート（ＢＧ）型のＴＦＴの場合、第１層用のパターンはゲート電極とそれに接続される配線であり、トップゲート型のＴＦＴの場合、第１層用のパターンはソース／ドレイン電極とそれに接続される配線である。このとき、基板Ｐ上に予め複数のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）が形成されている場合は、露光装置のアライメント顕微鏡ＡＭによってアライメントマークＫｓの各位置を検出し、その検出結果（位置ずれ情報）に基づいて、露光位置を補正しながらパターン露光が行われる。また、第１層用のパターンの露光時に、基板Ｐ上にアライメントマークＫｓが形成されていない場合は、露光装置が第１層用のパターンを露光（描画）する際に、アライメントマークＫｓとなるマークパターンを第１層用のパターンとともに基板Ｐ上に露光し、アライメントマークＫｓを基板Ｐ上に形成し、第２層用のパターンの形成（露光）時から使うようにしてもよい。

このようにして露光装置で露光された基板Ｐは、後工程のプロセス装置に送り出されて次の工程が行われるが、ステップＳ４１で成膜された感光性機能層の種類によって、ステップＳ４４Ａ、Ｓ４５Ａの工程と、ステップＳ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂの工程とのいずれかの工程が行われる。感光性機能層としてフォトレジストが使われた場合は、ステップＳ４４ＡまたはステップＳ４４Ｂの前にレジスト層の現像と洗浄の工程が実施される。

感光性機能層として親撥液性が改質される感光性シランカップリング材が用いられた場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたゲート電極とそれに接続される配線とに対応した部分、或いは、ソース／ドレイン電極とそれに接続される配線とに対応した部分が、撥液性から親液性に改質されるため、ステップＳ４４Ａに進む。ステップＳ４４Ａで、プロセス装置は、親液性となった部分（露光された部分）の上に導電性インクを選択塗布（パターニング）することで、パターン（ゲート電極と配線、或いは、ソース／ドレイン電極と配線）を形成する。この導電性インクの選択塗布は、インクジェット方式、グラビア印刷、オフセット印刷等であってよい。また、導電性インクとしては、例えば、銀や銅等の導電性ナノ粒子を含有するインクが用いられている。この導電性インクにより形成された電極および配線のパターン層を第１層と呼ぶ。

そして、後工程のプロセス装置は、基板Ｐに選択塗布された導電性インクに含有されるナノ粒子同士の電気的な結合を強固にし、導電性インクの溶剤を除去するために、基板Ｐに対してアニール処理と乾燥処理を行う（ステップＳ４５Ａ）。ナノ粒子同士の電気的な結合を強固にするアニール処理として、ストロボランプからの高輝度なパルス光を基板Ｐに照射する方式を採用してもよい。

一方、感光性機能層として紫外線を受けた部分にメッキ還元基が露呈する感光性メッキ還元材を用いた場合は、基板Ｐ上の紫外線で露光されたゲート電極とそれに接続された配線とに対応した部分、或いは、ソース／ドレイン電極とそれに接続された配線とに対応した部分、にメッキ還元基が露呈するため、ステップＳ４４Ｂに進む。ステップＳ４４Ｂで、後工程のプロセス装置（図２中の処理装置ＰＲ４等）は、基板Ｐに対して無電解のメッキ処理を行う。具体的には、後工程のプロセス装置は、パラジウムイオン等を含むメッキ液に基板Ｐを一定時間漬けて、電極や配線となるパラジウムによるパターンを、メッキ還元基が露呈した部分（露光された部分）の上に析出させる。

このメッキ処理の工程では、パラジウムによるパターンの層を下地として、その上にさらに他の金属（ＮｉＰ、金、銅等）によるメッキ処理が施される。このパラジウムにより析出された電極および配線のパターン層を第１層と呼ぶ。この第１層には、パラジウムによるパターン層を下地としてさらにメッキ処理が施された場合は、その層も含まれる。そして、後工程のプロセス装置は、メッキ処理が施された基板Ｐに対して純水による洗浄を行い、その後ガラス転移温度以下の乾燥炉に送り、基板Ｐの水分含有率が所定値以下になるまで乾燥させる（ステップＳ４５Ｂ）。

また、感光性機能層としてフォトレジストを用いた場合は、現像、洗浄後に、レジスト層中のパターン形状に応じてエッチングされた部分（下地が露呈した部分）に、導電性インクが選択的に塗布されたり（ステップＳ４４Ａ）、または、メッキ層（パラジウム、或いは、その上の金属層）が析出されたり（ステップＳ４４Ｂ）する。

ステップＳ４５ＡまたはステップＳ４５Ｂの工程を経ると、ステップＳ４６において、ボトムゲート（ＢＧ）型ＴＦＴか否かを判断し、ボトムゲート型の場合は、ステップＳ４７Ａに進み、トップゲート型の場合はステップＳ４７Ｂに進む。なお、基板Ｐ上に形成すべき電子デバイスの品種が決まっていると、通常はＴＦＴもボトムゲート型かトップゲート型のいずれか一方に決まっているため、実際の製造ライン中でステップＳ４６を明示的に実行することはないが、ここでは説明上、ステップＳ４６の判断を設けてある。

ステップＳ４６でボトムゲート型ＴＦＴと判断されると、第２層を形成するか否かを判断する（ステップＳ４７Ａ）。第１層であるパターン層（ここでは、ゲート電極とそれに接続される配線）が形成された直後では、ステップＳ４７Ａで第２層を形成すると判断される。なお、実際の工程では、第１層が形成された後には、自ずと第２層の形成工程が実施されるため、このステップＳ４７Ａの判断工程は不要である。

ステップＳ４７Ａで、第２層を形成すると判断されると、後工程のプロセス装置である絶縁層成膜装置が、第１層のパターン（ゲート電極とそれに接続される配線）を基準にして、その上に積層すべきゲート絶縁層の溶液（絶縁性溶液）を選択塗布（パターニング）することで、ゲート絶縁層となるパターンを形成する（ステップＳ４８Ａ）。このゲート絶縁層の成膜工程は、版を使用した印刷方式、インクジェット方式等を用いて絶縁性溶液を選択塗布するため、ステップＳ４８Ａでは、溶液塗布後に基板Ｐをガラス転移温度以下の温度で乾燥させて、溶剤成分を蒸発させて硬化させる処理も行う。ボトムゲート型ＴＦＴの場合、その形成されたゲート絶縁層が第２層となる。なお、ゲート絶縁層を基板Ｐの全面に塗布する場合は、ダイコーターによるスリット塗工、マイクログラビア印刷用のロール版による塗工の他に、絶縁材料となる溶液をミスト化して基板Ｐの表面に噴霧するミストデポジション法、絶縁材料となる溶液をスプレーする方法等も利用できる。

さらに、ゲート絶縁層を基板Ｐ上に選択的に形成するために、先のステップＳ４１、Ｓ４２、Ｓ４４Ａ、Ｓ４５Ａと同様の露光装置を用いた光アシストによるパターニング法を用いてもよい。露光装置を用いたパターニングでは、ＴＦＴのゲート絶縁層の形成位置を正確に設定したり、形成領域を微細化したりすることができるため、高性能なＴＦＴが作れるといった利点がある。

ステップＳ４８Ａで第２層である絶縁層のパターンが形成された基板Ｐは、ステップＳ４１と同様のプロセス装置によって第２層を覆うように感光性機能層が基板Ｐの全面に、または選択的に成膜される。そして、ステップＳ４２と同様の露光装置によって、ＴＦＴのソース電極およびドレイン電極とそれに接続される配線とに対応した形状の第３層用のパターンが感光性機能層に露光（描画）される。このとき、第３層用のパターンは、第１層のパターン（ゲート電極と配線）に対して精密にアライメントされる必要がある。そのため、露光装置のアライメント顕微鏡ＡＭ等が検出したアライメントマークＫｓの位置情報に基づいて、露光ヘッドによるパターンの露光位置（描画位置）を基板Ｐ上の第１層のパターンに合わせるように補正して、第３層用のパターンを露光する。これにより、第３層用のパターン（ソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線）を、その下地に形成された第１層のパターン（ゲート電極とそれに付随する配線）に精密に位置合せして形成することができる。

次いで、感光性機能層として感光性シランカップリング材が用いられた場合は、ステップＳ４４Ａ、Ｓ４５Ａと同様のプロセス装置によって、親液性となった部分（露光された部分）の上に導電性インクが選択塗布されて、パターン（ソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線）が形成され、その後、アニール処理と乾燥処理が施される。一方、感光性機能層として感光性還元材が用いられた場合は、ステップＳ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂと同様のプロセス装置によって、メッキ還元基が露呈した部分（露光された部分）の上にパラジウムやＮｉＰ、金（Ａｕ）によるパターン（ソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線）が析出され、その後、乾燥処理が施される。ボトムゲート型ＴＦＴの場合、そのソース電極およびドレイン電極とそれに付随する配線のパターン層が第３層となる。

第３層のパターン形成の際に、感光性機能層としてフォトレジストを用いる場合も、先の説明と同様に、レジスト層中の第３層のパターン形状に応じてエッチングされた部分（下地が露呈した部分）に、導電性インクを選択的に塗布したり（ステップＳ４４Ａ）、または、メッキ層（パラジウム、或いは、その上の金属層）を析出させたり（ステップＳ４４Ｂ）することができる。

次のステップＳ４６においてボトムゲート（ＢＧ）型ＴＦＴと判断されると、ステップＳ４７Ａにおいて、第２層を形成するか否かが判断される。ここでは、第２層も形成済みであるため、ステップＳ４９Ａに進む。ステップＳ４９Ａでは、半導体層形成装置によって、ソース電極とドレイン電極とのチャネル長の間に、ＴＦＴの半導体層となるパターンが形成される。この半導体層の形成は、半導体材料（例えば、有機半導体、酸化物半導体、カーボンナノチューブ等）に適した手法で行われる。この半導体層の形成工程は、一例として、版を用いた印刷方式、インクジェット方式等を用いて半導体材料のインクを選択的に塗布する方法で実施される。

その他、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル長部分を含む局所領域を親液化し、その局所領域以外を撥液性の高い絶縁性の膜（レジスト層等でもよい）で覆い、チャネル長部分を含む局所領域に、半導体材料を含有した液体のミストを噴霧するミストデポジション法を用いて、半導体層を選択形成してもよい。このように、ステップＳ４９Ａの半導体層形成は湿式処理で行われることから、半導体層形成装置は、塗布または形成された半導体材料の溶液の溶剤除去や半導体結晶の配向のためにアニール処理（例えば、熱アニール、光アニール、電磁波アニール等）を行う機能も備える。このようにして形成された半導体層は、ボトムゲート型ＴＦＴの場合、第４層となる。

以上のようにして、第１層〜第４層のパターンが基板Ｐ上に積層されると、ボトムゲート型ＴＦＴとして機能する画素駆動素子（バックプレーン層）が完成するが、有機ＥＬディスプレイ等では、第４層の上に有機ＥＬの発光層を積層するため、基板Ｐは、次の製造工程（基板Ｐの全面への絶縁膜形成、発光層形成等の工程）に送られる。

一方、図１１の製造方法によってトップゲート型ＴＦＴを作る場合、基板Ｐ上に最初に形成される第１層のパターンは、ソース／ドレイン電極とそれに接続される配線類であるが、その第１層形成の工程は、図１１中のステップＳ４０〜Ｓ４２、Ｓ４４Ａ、Ｓ４５Ａの工程、または、ステップＳ４０〜Ｓ４２、Ｓ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂの工程と同じである。トップゲート型ＴＦＴの場合、ステップＳ４６の判断により、第２層を形成するか否かを判断するステップＳ４７Ｂに進む。実際の工程では、第１層であるパターン層（ここでは、ソース／ドレイン電極とそれに接続される配線）が形成された直後では、自ずと第２層の形成工程が実施されるため、このステップＳ４７Ｂの判断は不要である。

ステップＳ４７Ｂで、第２層を形成すると判断されると、先のステップＳ４９Ａと同様の半導体層形成装置が、第１層のパターンであるソース電極とドレイン電極とのチャネル長の間に、ＴＦＴの半導体層となるパターンを形成する（ステップＳ４９Ｂ）。先のステップＳ４９Ａで説明したように、この半導体層の形成工程は、一例として、版を用いた印刷方式、インクジェット方式等を用いて半導体材料のインクをチャネル長部分に選択的に塗布する方法で実施される。或いは、ソース電極とドレイン電極との間のチャネル長部分を含む局所領域を親液化し、その局所領域以外を撥液性の高い絶縁性の膜（レジスト層等でもよい）で覆い、チャネル長部分を含む局所領域に、半導体材料を含有した液体のミストを噴霧するミストデポジション法で実施される。ステップＳ４９Ｂの半導体層形成においても、半導体層形成装置は、塗布または形成された半導体材料の溶液の溶剤除去や半導体結晶の配向のためにアニール処理（例えば、熱アニール、光アニール、電磁波アニール等）を行う機能を備える。このようにして形成された半導体層は、トップゲート型ＴＦＴの場合、第２層となる。

半導体層が形成されると、先のステップＳ４８Ａと同様の絶縁層成膜装置によって、第１層のパターン（ソース／ドレイン電極やその配線等）を基準にして、その上に積層すべきゲート絶縁層の溶液（絶縁性溶液）を選択塗布（パターニング）または全面塗布することで、ゲート絶縁層となるパターンを形成する（ステップＳ４８Ｂ）。このゲート絶縁層の成膜工程は、版を使用した印刷方式、インクジェット方式等を用いて絶縁性溶液を塗布する湿式であるため、ステップＳ４８Ｂでも、溶液塗布後に基板Ｐをガラス転移温度以下の温度で乾燥させて、溶剤成分を蒸発させて硬化させる処理が施される。

トップゲート型ＴＦＴの場合、その形成されたゲート絶縁層が第３層となる。なお、ゲート絶縁層を基板Ｐの全面に塗布する場合は、ダイコーターによるスリット塗工、マイクログラビア印刷用のロール版による塗工の他に、ミストデポジション法、スプレー法等も利用できる。さらに、ゲート絶縁層をＴＦＴの形成領域に合わせて基板Ｐ上の局所領域に選択的に形成する場合、先のステップＳ４１、Ｓ４２、Ｓ４４Ａ、Ｓ４５Ａと同様の露光装置を用いた光アシストによるパターニング法を用いてもよい。

ステップＳ４８Ｂでゲート絶縁層が形成されると、再び、ステップＳ４１の感光機能層の成膜、ステップＳ４２のパターン露光が行われる。ここでは、露光装置によって、トップゲート型ＴＦＴのゲート電極とそれに接続される配線類に対応したパターン形状の紫外線光が基板Ｐの感光機能層に照射される。その後、先のステップＳ４４Ａ、Ｓ４５Ａで説明した導電性インクによるパターン形成、または、先のステップＳ４４Ｂ、Ｓ４５Ｂで説明したメッキ析出によるパターン形成が行われ、ゲート電極とそれに接続される配線類が形成される。トップゲート型ＴＦＴの場合、ゲート電極とそれに接続される配線類が第４層となる。

以上、ステップＳ４５ＡまたはステップＳ４５Ｂの工程によって第４層が形成され、ステップＳ４６の後のステップＳ４７Ｂで、第２層が形成済みと判断されると、第１層〜第４層の積層構造によりトップゲート型ＴＦＴとして機能する画素駆動素子（バックプレーン層）が完成し、基板Ｐは有機ＥＬディスプレイ等の発光層を積層するための次の製造工程に送られる。

以上、図１１に示したＴＦＴの製造工程において、パターニングの際に使われる露光装置を、先に説明した図２または図９に示した基板Ｐの逆転搬送可能な構成とすることで、ＴＦＴの性能や品質を左右する層間のパターンの重ね合せ精度を許容範囲内に収めつつ、長時間に渡って安定に製造ラインを稼働させることができる。

［第４の実施の形態］
先の第１、第２の形態で説明した露光装置（描画装置）は、図４のようなスポット走査型の描画ユニットＵを搭載したマスクレス露光機であったが、その他に、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を使ってパターン描画を行うマスクレス露光機であってもよい。図１２は、ＤＭＤを用いたマスクレス露光機の概略構成を示し、光源ユニット５００から射出される紫外波長域の照明光は、ミラー５０１で反射されて、ＤＭＤ５０２のマイクロミラー領域の全体を一様な強度で照明する。ＤＭＤ５０２の２次元に配列されたマイクロミラーの各々は制御回路５０３によって偏向角を切り替えられる。その偏向角の切替えは、基板ＰのＸ方向の移動位置やＹ方向の位置ずれ、或いは、基板Ｐの伸縮や変形等に基づいて生成されるパターンデータ（ＣＡＤデータ）に応じて行われる。そして、ＤＭＤ５０２の多数のマイクロミラーのうち、基板ＰのＸ方向の送り位置に同期してパターン描画状態に切り替えられるマイクロミラーからの反射光は、投影レンズ５０４を通って基板Ｐ上に投射され、ＣＡＤデータに対応した形状のパターンが基板Ｐ上に露光される。

基板Ｐは、投影レンズ５０４の下方に配置された支持テーブル５０６の平坦な支持表面に沿って支持される。支持テーブル５０６の支持表面と基板Ｐの裏面側との間には、数μｍ〜十数μｍ程度の厚みでエアベアリング層が形成されるように、支持テーブル５０６の支持面には気体噴出用の微細な孔が多数形成されたエアパット部が設けられている。そのエアパッド部は、通気性のある多孔質セラミック材でもよい。これによって、基板Ｐは支持テーブル５０６の支持面（平坦面）に非接触状態または低摩擦状態で平坦に支持された状態で、長手方向であるＸ方向に搬送される。なお、図１２において、＋Ｘ方向に向いた矢印ＡＲｆは、パターン露光時の基板Ｐの順方向への搬送方向を表し、−Ｘ方向に向いた矢印ＡＲｂは、基板Ｐの逆方向への搬送方向を表す。

例えば、基板Ｐ上に図７のように形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）は、基板Ｐの順方向（矢印ＡＲｆ）への移動において、投影レンズ５０４の上流側に配置されたアライメント顕微鏡ＡＭｆ（ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３）と、投影レンズ５０４の下流側に配置されたアライメント顕微鏡ＡＭｇ（ＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）とのいずれか一方または両方によって検出される。ここで、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３）の各検出中心位置と、アライメント顕微鏡ＡＭｇ（ＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）の各検出中心位置と、ＤＭＤ５０２からのパターン光の投影レンズ５０４による投射中心位置とのＸＹ座標系内での相対的な位置関係（２次元的なベースライン長）は、予め精密に計測されて、キャリブレーションされているものとする。

その場合、基板Ｐを矢印ＡＲｂのように低速で逆転移動させる間に、下流側のアライメント顕微鏡ＡＭｇ（ＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）によって、基板Ｐ上の露光済み（または未露光）のデバイス形成領域Ｗに付随した複数のアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の各位置情報を、図５中のステップＳ４のように低速で、逆方向に搬送することで精密に再計測して、パターニング精度の劣化度合い（基板Ｐのローカルな変形や歪み、下地層のパターンの変形や歪み等）を再確認する。そして、そのパターニング精度が許容範囲から外れるような傾向を示す場合は、ＤＭＤ５０２によるパターン描画のタイミングや描画用のＣＡＤデータを、それまでの補正状態から最適な補正状態に修正する。

図１２において、上流側のアライメント顕微鏡ＡＭｆ（ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３）は、先の図２に示したアライメント顕微鏡ＡＭ１〜ＡＭ３、または、図９に示したアライメント顕微鏡ＡＭａ〜ＡＭｅと同様に使われる。さらに、図１２のように、投影レンズ５０４によるＤＭＤ５０２からのパターン光の投影領域を挟んで、基板Ｐの送り方向（Ｘ方向）の上流側と下流側の各々にアライメント顕微鏡ＡＭｆ、ＡＭｇを配置して、アライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の位置を逐次計測すると、投影レンズ５０４によるパターンの露光動作中に、露光領域を含む基板Ｐの部分的な伸縮や変形をリアルタイムに計測することができる。以上のように、露光位置（露光領域）を挟んで基板Ｐの搬送方向の上流側と下流側に２組のアライメント顕微鏡ＡＭｆ、ＡＭｇを設ける構成は、先の図２および図９の露光装置にも同様に適用可能である。

［第４の実施の形態の変形例］
上記第４の実施の形態は、以下のように変形してもよい。図１３は、図１２の露光装置に適用される変形例を示し、支持テーブル５０６の支持面の一部に形成された小さな開口部５０６ａ（直径５ｍｍ程度）を介して、基板Ｐの裏面側からアライメント用の波長域を持った照明光をアライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）に向けて投射する補助照明機構が、支持テーブル５０６内に設けられる。補助照明機構は、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）の光軸と平行な光軸となるように配置されたレンズ系ＧＣ１、振幅分割または波面分割（偏光分離）のビームスプリッタＢＳ、レンズ系ＧＣ２、基準レチクルＲＴ、光ファイバーＦＢ、ＬＥＤ等の光源ＬＤ１、ＬＤ２、および、光源点灯制御回路ＬＥＣから構成される。

図１３において、レンズ系ＧＣ１とレンズ系ＧＣ２によって、基板Ｐの表面（アライメントマークＫｓが形成される上面）と、基準レチクルＲＴとを光学的に共役にする結像光学系が構成され、光源ＬＤ２の光で照明される基準レチクルＲＴ上の基準マーク（十字マーク等）からの光が、レンズ系ＧＣ２を通ってビームスプリッタＢＳで反射されてレンズ系ＧＣ１を通った後に、基板Ｐの透明部を介してアライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）に入射する。その際、基板Ｐの表面には、基準レチクルＲＴの基準マークの像（空間像）が形成され、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）は、アライメントマークＫｓと同様に基準マークの像を検出することができる。

ビームスプリッタＢＳは、レンズ系ＧＣ１、ＧＣ２による結像光学系の瞳面ｅｐの近くに配置され、光ファイバーＦＢの光射出端ＦＢｏは、ビームスプリッタＢＳを挟んでレンズ系ＧＣ１の反対側であって、瞳面ｅｐと対応した位置に配置される。したがって、光ファイバーＦＢの光入射端から入射して光射出端ＦＢｏから射出する光源ＬＤ１からの光は、レンズ系ＧＣ１によって基板Ｐを裏面側から一様な照度分布でケーラー照明することになり、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）は、基板Ｐ上のアライメントマークＫｓを透過照明で検出することができる。

ここで、基準レチクルＲＴの母材を、例えば支持テーブル５０６内でＹ方向（基板Ｐの幅方向）に細長くした石英板とし、その表面に、Ｙ方向に並ぶ３つのアライメント顕微鏡ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３（またはＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）の各配置に合せて、基準マークを設けておくと、基準レチクルＲＴを基準として３つのアライメント顕微鏡ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３（またはＡＭｇ１〜ＡＭｇ３）の相互の位置関係や相対的な位置誤差を精密に計測することができる。すなわち、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）の取付け位置の経時的な変化（ドリフト等）をときどき計測して、重ね合せ精度（パターニング精度）が劣化しないようにキャリブレーションすることができる。

そのために、光源点灯制御回路ＬＥＣは、基板Ｐが搬送されている間、基板Ｐ上のアライメントマークＫｓや下地層が存在しない透明部分が、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）の直下にくるタイミングで、光源ＬＤ２を点灯し、光源ＬＤ１を消灯する。また、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）は、通常は落射照明のもとで被検出体としてのアライメントマークＫｓ、或いは、下地層の特定のパターン部分を検出するが、被検出体の材料によっては、透過照明でアライメントマークＫｓや特定のパターン部分を検出することで、撮像した画像のコントラストを高めて位置計測の精度を高められることもある。その場合、光源点灯制御回路ＬＥＣは、光源ＬＤ１を点灯し、光源ＬＤ２を消灯する。もちろん、落射照明のみでアライメントマークＫｓ、或いは、下地層の特定のパターン部分を検出する場合、光源点灯制御回路ＬＥＣは、光源ＬＤ１と光源ＬＤ２の両方を消灯する。

また、図１３のような補助照明機構において、光源ＬＤ２を、例えば波長３７０ｎｍ以下の紫外波長域の光を発する紫外光源に切替えて、発光時間が極めて短く発光ピーク強度が大きい俊鋭なパルス光を発生させるようにすると、基準レチクルＲＴ上の基準マークの像を、基板Ｐの表面に塗布された感光層（アライメントマークＫｓや下地層の無い部分）に、任意のタイミングでバック露光することができる。そこで、基板ＰをＸ方向に送りつつ、一定の時間毎に基準レチクルＲＴ上の基準マーク（Ｙ方向に離れた３ヶ所）の像を基板Ｐ上に順次露光しておくと、その基準マークの像の配列状態を調べることによって、支持テーブル５０６に対する基板Ｐの位置シフト、ＸＹ面内での傾き（蛇行）、２次元的な伸縮、或いは、速度変動等を把握することができる。

したがって、重ね合せ露光の際に、層ごとに形成されたアライメントマークＫｓ（Ｋｓ１〜Ｋｓ３）の他に、前工程での露光時に補助照明機構によって基板Ｐ上に転写された基準レチクルＲＴの基準マークを、アライメント顕微鏡ＡＭｆ（またはＡＭｇ）によって併せて計測することにより、基板Ｐ上の下地層のパターンのローカルな変形や歪みの基板長手方向における変化傾向をより高精度に予測することができる。

１０…デバイス製造システム １２…基板供給装置
１４…基板回収装置 １６…上位制御装置
１８…パターン形成装置 ２０、２２…ダンサーローラ
３０、８０…搬送部 ３２…光源装置
３４…露光ヘッド ３６、８２…回転ドラム
３８…光導入光学系 ５００…光源ユニット
５０１…ミラー ５０２…ＤＭＤ
５０３…制御回路 ５０４…投影レンズ
５０６…支持テーブル ５０６ａ…開口部
ＡＭ、ＡＭ１〜ＡＭ３、ＡＭａ〜ＡＭｅ、ＡＭａ１〜ＡＭａ３、ＡＭｆ、ＡＭｆ１〜ＡＭｆ３、ＡＭｇ…アライメント顕微鏡
ＢＦ１…第１蓄積部 ＢＦ２…第２蓄積部
ＢＳ…ビームスプリッタ ｅｐ…瞳面
ＥＰＣ１〜ＥＰＣ６…エッジポジションコントローラ
ＦＢ…光ファイバー ＦＢｏ…光射出端
ＦＲ１…供給用ロール ＦＲ２…回収用ロール
ＧＣ１、ＧＣ２…レンズ系
Ｋｓ、Ｋｓ１〜Ｋｓ３…アライメントマーク Ｌ、Ｌ１〜Ｌ５…走査ライン
ＬＤ１、ＬＤ２…光源 ＬＥＣ…光源点灯制御回路
Ｐ…基板 ＰＲ１〜ＰＲ５…処理装置
ＲＴ…基準レチクル ＳＰ…スポット光
Ｕ、Ｕ１〜Ｕ５…描画ユニット Ｖｓ…基準速度
Ｖ１…第１速度 Ｖ２…第２速度
Ｖ３…第３速度

Claims (13)

1. 長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿った順方向に搬送しつつ、該シート基板上に電子デバイス用のパターンを形成するパターン形成方法であって、
   前記シート基板を第１処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第１処理を施すことと、
   前記順方向に関して前記第１処理装置の下流側に設けられた第１蓄積装置を介して、前記シート基板を第２処理装置に搬送し、該第２処理装置内で前記パターンを第１の精度で前記シート基板上に形成する第１モードと、該第１モードよりも高い第２の精度で前記パターンを前記シート基板上に形成する第２モードのいずれか一方を実行することと、
   前記順方向に関して前記第２処理装置の下流側に設けられた第２蓄積装置を介して、前記シート基板を第３処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第３処理を施すことと、
   前記第１蓄積装置に新たに蓄積可能な前記シート基板の長さが所定の余裕長以上で、且つ、前記第２蓄積装置に蓄積済みの前記シート基板の長さが所定の蓄積長以上である第１状態に達するように、前記第１〜第３処理装置の各々における前記シート基板の相対的な搬送速度を調整することと、
   前記第１状態の際に、前記第２処理装置における前記シート基板の搬送速度の低減、または、前記シート基板の前記順方向と逆の方向への戻し搬送を行って、前記第２蓄積装置の前記蓄積長に対応した前記シート基板の長さに亘って前記第２モードを実行することと、
   を含む、パターン形成方法。
2. 請求項１に記載のパターン形成方法であって、
   前記第１モードは、前記シート基板を基準速度で前記順方向に搬送するとともに、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って複数形成された被検出体を間引いて検出して、前記パターンを形成するモードであり、
   前記第２モードは、前記シート基板を前記基準速度より遅い第１速度で前記順方向に搬送して、複数の前記被検出体を精密に検出した後、前記シート基板を逆の方向への戻し搬送を行ってから、その後、前記シート基板を前記基準速度より速い第２速度で前記順方向に搬送させて、複数の前記被検出体を間引いて検出し、前記パターンを形成するモードである、パターン形成方法。
3. 請求項１または２に記載のパターン形成方法であって、
   前記第１状態であって、所定の条件が成立した場合は前記第２モードを実行する、パターン形成方法。
4. 長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿った順方向に搬送し、該シート基板上に電子デバイス用のパターンを所定の間隔で順次形成するパターン形成方法であって、
   前記シート基板を第１処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第１処理を施すことと、
   前記順方向に関して前記第１処理装置の下流側に設けられた第１蓄積装置を介して、前記シート基板を第２処理装置に搬送し、該第２処理装置内で、前記順方向に搬送される前記シート基板上に前記パターンを所定の間隔で順次形成することと、
   前記順方向に関して前記第２処理装置の下流側に設けられた第２蓄積装置を介して、前記シート基板を第３処理装置内で前記順方向に搬送しつつ、前記シート基板に第３処理を施すことと、
   前記第１蓄積装置に新たに蓄積可能な前記シート基板の長さが所定の余裕長以上で、且つ、前記第２蓄積装置に蓄積済みの前記シート基板の長さが所定の蓄積長以上である第１状態に達するように、前記第１〜第３処理装置の各々における前記シート基板の相対的な搬送速度を調整することと、
   前記第１状態のもとで、前記第２処理装置における前記パターンの形成精度が許容範囲から外れ得る場合は、前記パターンの形成動作は中止しつつ、前記シート基板を順方向に搬送させて前記形成精度を許容範囲に戻すための補正準備動作を実行することと、
   該補正準備動作の後に、前記第２処理装置内で前記シート基板を前記パターンの形成動作が中止された位置近傍まで前記順方向と逆の方向に戻し、前記中止されたパターンの形成動作を再開すること、
   を含む、パターン形成方法。
5. 請求項４に記載のパターン形成方法であって、
   前記補正準備動作は、前記シート基板の搬送速度を低下させて、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って複数形成された被検出体を精密に検出させる、パターン形成方法。
6. 請求項５に記載のパターン形成方法であって、
   前記補正準備動作は、前記被検出体の精密な検出結果に基づいて、前記パターンを形成する領域を補正する、パターン形成方法。
7. 長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿って搬送し、該シート基板上に電子デバイス用のパターンを順次形成するパターン形成装置であって、
   前記シート基板を前記長尺方向に沿った順方向に搬送する第１の搬送状態と、前記長尺方向に沿った逆方向に搬送する第２の搬送状態とに切替え可能な基板搬送部と、
   前記第１の搬送状態のもとで、前記シート基板上に前記長尺方向に沿って所定間隔で配列される複数のデバイス形成領域の各々に前記パターンを形成するパターン形成部と、
   前記パターン形成部に対して、前記シート基板の搬送方向の上流側または下流側に配置され、前記デバイス形成領域のアライメントのために前記シート基板上に形成された複数のマークの位置情報を検出するマーク検出部と、
   前記検出された位置情報に基づいて、前記パターン形成部による前記デバイス形成領域への前記パターンの重ね合せ精度が所定の許容範囲から外れる傾向を示す場合は、前記マーク検出部によって前記位置情報を再度取得するために、前記基板搬送部を所定時間に渡って前記第１の搬送状態から前記第２の搬送状態に切り替える制御部と、
   を備える、パターン形成装置。
8. 請求項７に記載のパターン形成装置であって、
   前記シート基板の搬送の順方向に関して、前記マーク検出部の上流側に配置されて、前記シート基板を所定の長さに渡って蓄積可能な第１蓄積部と、
   前記パターン形成部の下流側に配置されて、前記シート基板を所定の長さに渡って蓄積可能な第２蓄積部と、
   を備える、パターン形成装置。
9. 請求項８に記載のパターン形成装置であって、
   前記制御部は、前記第１蓄積部が前記所定時間の間に搬送される前記シート基板の長さ以上に渡って前記シート基板を蓄積する余裕を有し、且つ、前記第２蓄積部が前記所定時間の間に搬送される前記シート基板の長さ以上に渡って前記シート基板を蓄積している状態のときに、前記基板搬送部を前記第１の搬送状態から前記第２の搬送状態に切り替える、パターン形成装置。
10. 請求項７〜９のいずれか１項に記載のパターン形成装置であって、
    前記第１の搬送状態は、前記パターン形成部によって前記パターンを形成する際に前記シート基板を搬送する第１速度と、前記マークの前記位置情報を再取得する際に前記シート基板を搬送する第２速度とを含み、前記第２速度を前記第１速度よりも低く設定した、パターン形成装置。
11. 請求項７〜１０のいずれか一項に記載のパターン形成装置であって、
    前記マーク検出部は、前記所定時間の間の前記第２の搬送状態において、前記マークの前記位置情報を再取得する、パターン形成装置。
12. 長尺の可撓性のシート基板を長尺方向に沿った順方向に搬送しつつ、該シート基板の搬送状態を検出する搬送装置であって、
    前記シート基板を前記長尺方向に沿った順方向または逆方向に搬送可能な搬送部と、
    前記シート基板上に前記長尺方向に沿って複数形成された被検出体を検出する検出部と、
    前記検出部によって前記被検出体を検出する期間では、前記シート基板を前記順方向に搬送し、前記被検出体の検出を中断する期間では、前記シート基板を逆方向に搬送するように前記搬送部を制御する制御部と、
    を備える、搬送装置。
13. 請求項１２に記載の搬送装置であって、
    前記検出部は、複数の前記被検出体を順次検出する第１の検出モードと、複数の前記被検出体を間引いて検出する第２の検出モードとを備え、
    前記制御部は、前記第１の検出モードの場合は、前記シート基板を第１速度で前記順方向に搬送させ、前記第２の検出モードの場合は、前記シート基板を前記第１速度より速い第２速度で前記順方向に搬送させるとともに、前記第１の検出モードと前記第２の検出モードの間では、前記シート基板を逆方向に搬送させるように前記搬送部を制御する、搬送装置。

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