WO2013099849A1 - Ｓｎ－Ｃｕ系鉛フリーはんだ合金 - Google Patents

Ｓｎ－Ｃｕ系鉛フリーはんだ合金 Download PDF

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大西　司
俊策 吉川
世子 石橋
礼 藤巻
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Definitions

  • the present invention relates to a lead-free solder alloy, particularly a Sn-Cu based lead-free solder alloy.
  • Solder alloy is used, for example, for connecting an electrode of an electronic device to another part, or for joining an IC device to a shield case and further to a heat sink.
  • the electrode and the circuit board or the IC device and the shield case are joined metallically by utilizing the wettability with the metal constituting the electrode.
  • Cu plating is often used for solder joint surfaces such as electrodes.
  • Ni plating may be used. Therefore, soldering is often performed not only on the Cu plating surface but also on the Ni plating surface. Therefore, a solder alloy having excellent solderability is required for both Ni and Cu.
  • Ni plating surface is generally difficult to solder
  • Au or the like is thinly plated on the Ni plating surface, and soldering is performed thereon.
  • Patent Document 1 JP-A-60-166192
  • Bi-Ag solder alloys Patent Document 2: Special Publication 2005
  • Sn-Zn solder alloys Patent Document 3: JP-A-2005-52869
  • solder alloy (see Patent Document 3) containing a very unstable and easily oxidizable component such as Zn tends to be avoided because corrosion or aging occurs in the electrode.
  • solder alloy that does not contain Ag and Zn, that is, has low environmental impact and is excellent in economic efficiency, and exhibits excellent solderability for both Cu and Ni.
  • prior art solder alloys have not always been satisfactory materials.
  • an object of the present invention is to provide a novel solder alloy in which such a problem is solved.
  • the present inventors have found that Sn—Cu—Al solder alloy exhibits excellent wettability to the Ni plating surface.
  • the solder according to the present invention can be easily soldered to a Ni-plated surface that is not Au-plated, and since no precious metal is contained in the solder, industrially inexpensive soldering is possible. Of course, solderability is further improved by performing Au flash plating on the Ni plating surface.
  • the present invention is a lead-free solder alloy having an alloy composition consisting of Cu: 0.6 to 0.9 mass%, Al: 0.01 to 0.1 mass%, and the balance Sn.
  • the alloy composition may further contain at least one kind of Ti: 0.02 to 0.1% by mass and Co: 0.01 to 0.05% by mass.
  • the solder alloy according to the present invention includes Cu: 0.6 to 0.9% by mass, Al: 0.01 to 0.1% by mass, and optionally, at least one of Ti: 0.02 to 0.1% by mass and Co: 0.01 to 0.05% by mass, It is a lead-free solder alloy having an alloy composition composed of the remaining Sn.
  • the present invention is a lead-free solder alloy having an alloy composition composed of Cu: 0.6 to 0.9 mass%, Al: 0.01 to 0.1 mass%, and the balance Sn.
  • the present invention is a lead-free solder alloy having an alloy composition consisting of Cu: 0.6 to 0.9 mass%, Al: 0.01 to 0.1 mass%, Ti: 0.02 to 0.1 mass%, and the balance Sn.
  • the present invention is a lead-free solder alloy having an alloy composition consisting of Cu: 0.6 to 0.9 mass%, Al: 0.01 to 0.1 mass%, Co: 0.01 to 0.05 mass%, and the balance Sn.
  • the present invention is a lead-free solder alloy having an alloy composition consisting of Cu: 0.6 to 0.9 mass%, Al: 0.01 to 0.1 mass%, Ti: 0.02 to 0.1 mass%, Co: 0.01 to 0.05 mass%, and the balance Sn. .
  • solder alloys are collectively referred to as solder alloys according to the present invention.
  • the present invention is a lead-free solder alloy sheet having a thickness of 500 ⁇ m or less having any of the alloy compositions described above.
  • the present invention is an assembly of a shield case and an IC device joined by a solder alloy according to the present invention.
  • the present invention is an assembly of a heat sink, a shield case, and an IC device in which a heat sink is further joined to the shield case by the solder alloy.
  • FIG. 1 is an explanatory view schematically showing an aspect in which a solder alloy according to the present invention is used for soldering an IC device.
  • FIG. 2 schematically shows a state before heating when an assembly of an IC device and a shield case is soldered to the surface plated with Au by flash plating on the Ni plated surface using the solder alloy according to the present invention. It is explanatory drawing.
  • FIG. 3 is a schematic explanatory view of the structure of the solder joint when the assembly of FIG. 2 is heated and joined.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the Al content and the solder wettability in the Sn—Cu solder alloy based on the data in Table 1.
  • FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a state of soldering between an IC device and a heat radiating member (shield case or heat sink) using the solder alloy according to the present invention.
  • the electric and electronic industries are becoming lighter, thinner and smaller with daily technological innovation.
  • multi-functionality and high density have been pursued.
  • a large current is passed through the semiconductor device, and the amount of heat generated in the semiconductor portion tends to increase.
  • the heat dissipating performance for releasing the generated heat to the outside is a very important factor directly linked to the high performance and reliability of the semiconductor.
  • metal Cu having a high thermal conductivity metal Cu plated with Ni, metal Al, or the like is used as a metal material.
  • an IC device 3 such as BGA or Si provided on the substrate 5 is connected to the heat sink 1 via a shield case 4, the connection between the IC device 3 and the shield case 4, and the shield case 4.
  • the solder alloy 2 according to the present invention is used for connection between the heat sink 1 and the heat sink 1.
  • the sheet-like solder alloy according to the present invention is interposed between the IC device 3 and the shield case 4 and between the shield case 4 and the heat sink 1 to form an assembly, which is heated in a reflow furnace or the like. And solder.
  • FIG. 2 and FIG. 3 show the case where soldering is performed using the solder alloy according to the present invention on a joint surface that has been subjected to Au flash plating in order to prevent oxidation and improve solderability on the Ni plating surface. It is a typical explanatory view of the joined part before heating to the soldering temperature and after heating. The same members are denoted by the same reference numerals. Of course, as shown in the examples described later, if the solder alloy according to the present invention is used, effective soldering can be performed on the Ni plating surface without expensive Au plating.
  • FIG. 2 shows the assembly before soldering
  • FIG. 3 shows the assembly after soldering.
  • the shield case is further soldered to the heat sink, and in that case as well, it is preferable to solder using the solder according to the present invention.
  • the Ni plating layer 8 is provided on the IC device 7 and the shield case 6, respectively, and the Au plating layer 10 by Au flash plating is provided thereon to constitute the bonding surface. These joining surfaces are heated and joined via the solder 9 according to the present invention.
  • the Au plating layer 10 shown in FIG. 2 diffuses and disappears inside the solder by heating, and a Sn—Cu—Ni intermetallic compound layer 11 is formed as shown in FIG.
  • metal In a resin-based material containing metal In, grease or conductive tape is used.
  • metal In is a noble metal and is expensive as a joining material, it has difficulty in economic efficiency as well as a material containing Ag.
  • Grease and conductive tape still have problems in heat resistance and adhesion to semiconductor elements and members.
  • the Ni-plated IC device semiconductor element
  • the shield case or the shield case and the heat sink are joined to each other by using the solder alloy according to the present invention.
  • the shield case surface and the heat sink surface may also be subjected to Ni plating or Ni / Au flash plating.
  • the reason for defining the solder alloy component in the present invention is as follows.
  • Cu is blended for improving the strength of the solder alloy and adjusting the melting point.
  • the solder used in the semiconductor mounting part is a SnAgCu alloy mainly composed of Sn-3 mass% Ag-0.5 mass% Cu solder due to the recent lead-free process.
  • the solder alloy according to the present invention has a melting point of about 227 to 230 ° C. and a melting point close to the eutectic composition of the Sn—Cu alloy.
  • the Cu addition amount is 0.6 to 0.9 mass%.
  • the strength is not sufficiently improved.
  • the Cu content exceeds 0.9% by mass, the melting point is high and the mechanical ductility is poor.
  • it is 0.7 to 0.9% by mass.
  • One of the features of the present invention is that Al is blended, but if Al: less than 0.01% by mass, the effect of improving wettability is not sufficient. On the other hand, when Al exceeds 0.1% by mass, Al which is easily oxidized at the time of melting tends to be concentrated on the solder surface, and the object of the present invention cannot be achieved with respect to wettability.
  • a preferable Al content is 0.02 to 0.07 mass%.
  • the addition of 0.02 to 0.1% by mass of Ti further improves the wettability particularly with respect to Ni.
  • the total amount of Al and Ti is 0.03 to 0.1 mass%, the wettability improvement effect is remarkable.
  • Co 0.01 to 0.05% by mass
  • the wettability of the solder alloy according to the present invention to the Ni surface can be further improved, and the strength and hardness as a bonding material can be increased.
  • semiconductor elements are often composed mainly of silicon having a low coefficient of thermal expansion
  • the heat sink and shield case to be joined are made of a metal material.
  • the joint between the semiconductor and the heat radiating member (heat sink or shield case) is subjected to thermal strain or thermal stress due to the difference in thermal expansion coefficient between each other when energized, and the joined body may be cracked or peeled off.
  • the solder alloy according to the present invention can improve the mechanical ductility in addition to the above-described effects by adding a small amount of Al to the Sn-Cu solder. Conceivable.
  • the addition of a trace amount of Al and, if necessary, a small amount of 0.02 to 0.1% by mass of Ti to the Sn-Cu alloy can refine the microstructure containing Sn as the main component and suppress the crack growth due to internal stress. It is thought that the life of the solder alloy can be extended by stress relaxation.
  • the form of the solder alloy according to the present invention is not particularly limited, and can be used in a suitable form such as bar solder, powder solder, ball solder, and sheet solder.
  • the solder according to the present invention has a particularly good solderability to the Ni surface, so that it is formed into a sheet shape, and is sandwiched between the shield case and the bottom surface of the IC device, and is used for a transfer type reflow furnace or solder joint. It can be easily joined by heating in an oven furnace.
  • the thickness of the solder sheet at this time is 500 ⁇ m or less.
  • the lower limit is not particularly specified, but is usually 200 ⁇ m or more due to production limitations.
  • the solder sheet according to the present invention is cut into a suitable width and length according to the solder joint surface and used for the above-described soldering.
  • solder alloy according to the present invention is also used for soldering circuit board electrodes. Used in the same way. In that case, it can be used as preform solder in the form of pellets or disks.
  • a solder having the alloy composition shown in Table 1 was prepared, a wettability test was performed as follows, and the wettability and tensile strength of each solder were measured.
  • Wettability test The wettability of the solder alloy was examined by a wetting balance method.
  • the test piece used was a Ni plate and a Cu plate (thickness 0.3 ⁇ width 10 ⁇ length 30 mm).
  • a thin resin flux for soldering was applied to the surface of the test piece and immersed in a molten solder heated to 260 ° C. to obtain a wetting curve with respect to the time axis. From this wetting curve, the zero crossing time was determined and the wettability was evaluated.
  • the test results are summarized in Table 1.
  • the zero crossing time which is about 1 second or more faster than that of the Sn-0.7 mass% Cu alloy solder which is the basic composition is good. Since the zero crossing time of the basic composition was 5.4 seconds, when it was 2 seconds or more and less than 4 seconds, it was judged as “good” because improvement in wettability was observed. A zero crossing time of less than 2 seconds was set as “excellent” and 4 seconds or more was set as “poor”.
  • the wettability with respect to the Cu plate was evaluated and summarized in Table 1.
  • the wettability criteria are “excellent” for 1.1 seconds or less, which indicates faster wetting than Sn-0.7Cu solder, which is the basic composition, “good” for 1.1 to less than 1.6 seconds, 1.6 seconds The above was regarded as “poor”.
  • Sn Cu solder alloy contains Ti: 0.02 to 0.1 mass%, so that the wettability to Ni is greatly improved. In particular, when the total addition amount of Al and Ti is about 0.03 to 0.1% by mass, the wettability to Ni is strongly improved.
  • FIG. 4 is a graph created based on the data in Table 1, and shows how the solder wettability with respect to the Ni surface and Cu surface changes when the Al content is changed in the Sn-0.7Cu-based solder alloy. Show. Although the solder wettability of the Cu surface is not particularly affected depending on the Al content, it can be seen that the Ni surface exhibits particularly excellent solder wettability in the range of Al: 0.01 to 0.1%.

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Abstract

　Cu面、Ni面のいずれにも優れた濡れ性を示すはんだ合金を提供する。　Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、必要により、さらにTi:0.02～0.1質量％、および/または、Co：0.01～0.05質量％、残部Snから成る合金組成とする。

Description

Ｓｎ－Ｃｕ系鉛フリーはんだ合金
　本発明は、鉛フリーはんだ合金、特にSn-Cu系鉛フリーはんだ合金に関する。
　はんだ合金は、例えば、電子機器の電極と他の部位との接続に用いたり、あるいは、ICデバイスをシールドケースそしてさらにヒートシンクに接合するのに用いる。電極などを構成する金属との濡れ性を利用して、電極と回路基板あるいはICデバイスとシールドケースなどを金属的に接合する。
　電極などのはんだ接合面にはCuめっきが使用される場合が多い。しかし、Niめっきが使用される場合もある。そのため、はんだ付けは、Cuめっき面ばかりでなく、Niめっき面にはんだ付けする場合がしばしば見られる。したがって、Ni、Cuのいずれに対してもはんだ付け性の優れたはんだ合金が求められている。
　従来より、一般にNiめっき面は、はんだ付けが難しいため、Niめっき面にAuなどを薄くめっきしておき、その上にはんだ付けを行っている。
　Niめっき面へのはんだ付けに関しては、従来はダイボンディング用として、Pb-Sn系はんだ合金（特許文献１：特開昭60-166192）、Bi-Ag系はんだ合金(特許文献２：特公表2005-503926)、さらにSn-Zn系はんだ合金(特許文献３：特開2005-52869)などが提案されている。
特開昭60-166192号公報 特公表2005-503926号公報 特開2005-52869号公報
　前述のような従来技術のはんだ合金には、いくつか問題がある。特許文献１のPb入りはんだ合金は人体への影響を配慮し、環境適合性の問題から使用が制限されている。また、高価な貴金属であるAｇ成分が比較的多量に配合されている特許文献２のはんだ合金は、コスト高となる問題がある。
　さらに、Znのように非常に不安定で酸化しやすい成分が含まれているはんだ合金（特許文献3参照）は、電極において腐食や経時変化が起こるため、使用が避けられる傾向にある。
　この様に、鉛フリーであって、Ag、Znを含有しない、つまり、環境負荷が低く経済性に優れているとともに、Cu、Niのいずれに対しても優れたはんだ付け性を示すはんだ合金が求められているが、従来技術のはんだ合金は、必ずしも満足すべき材料ではなかった。
　ここに、本発明の目的は、そのような問題を解消した新規なはんだ合金を提供することである。
　本発明者らは、Sn-Cu-Al系はんだ合金がNiめっき面への優れた濡れ性を発揮することを見出した。
　すなわち、Sn-Cu系はんだ合金にAl:0.01～0.1質量％配合したところ、Niめっき面に対する濡れ性が非常に改善されるばかりでなく、Cuめっき面へのはんだ付け性も良好であることを見出して、本発明に至った。また、Ni系合金である洋白、白銅に対しても良好な濡れを示すことが確認された。
　さらに、上記Sn-Cu-Alはんだ合金に、Tiを0.02～0.1質量%および/またはCoを0.01～0.05質量％添加したところ、Ni表面に対する濡れ性が飛躍的に改善された。また、Cu表面へのはんだ付け性も良好であることも判明した。
　前述の通り、一般にNi金属部材表面ないしNiめっき面へのはんだ付けは難しく、Niめっき面にはその上にAuめっき（Ａｕフラッシュめっきという）を施して濡れ性を確保している。しかし、本発明にかかるはんだは、AuめっきをしていないNiめっき面に容易にはんだ付けが可能であり、はんだ中にも貴金属を含有しないため、工業的に安価なはんだ付けが可能である。もちろん、Niめっき面にAuフラッシュめっきを行うことで、はんだ付け性はさらに改善される。
　ここに、本発明は、Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金である。
　上記合金組成は、Ti：0.02～0.1質量％、Co：0.01～0.05質量％を少なくとも1種さらに含有してもよい。
　すなわち、本発明にかかるはんだ合金は、Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、任意成分として、Ti：0.02～0.1質量％およびCo：0.01～0.05質量％の少なくとも1種、そして残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金である。
　よって、本発明は、Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金である。
　本発明は、Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、Ti：0.02～0.1質量％、残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金である。
　本発明は、Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、Co：0.01～0.05質量％、残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金である。
　本発明は、Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、Ti：0.02～0.1質量％、Co：0.01～0.05質量％、残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金である。
　これらのはんだ合金は、本発明にかかるはんだ合金と総称する。
　別の面からは、本発明は、上述のいずれかに記載の合金組成を有する、厚さ500μm以下の鉛フリーはんだ合金シートである。
　本発明は、本発明にかかるはんだ合金によって接合されたシールドケースとICデバイスとの組立体である。
　本発明は、前記シールドケースにさらにヒートシンクを上記はんだ合金によって接合されたヒートシンクと、シールドケースと、ICデバイスとの組立体である。
図１は、本発明にかかるはんだ合金をＩＣデバイスのはんだ付けに用いた態様を模式的に示す説明図である。 図２は、Niめっき面にAu フラッシュめっきを行った面に本発明にかかるはんだ合金を使用してICデバイスとシールドケースとの組立体をはんだ付けするときの加熱前の様子を模式的に示す説明図である。 図３は、図２の組立体を加熱・接合したときのはんだ継手の構造の模式的説明図である。 図４は、表１のデータにもとついてSn-Cu系はんだ合金におけるAl含有量とはんだ濡れ性と関係を示すグラフである。
　本発明を、図面を参照してさらに説明すると次の通りである。
　図１は、本発明にかかるはんだ合金を用いた、ＩＣデバイスと放熱部材(シールドケースやヒートシンク)とのはんだ付けの様子を模式的に示す説明図である。
　電気・電子産業分野は日々の技術革新に伴い軽薄短小化が進んでいる。特に、半導体分野においては、多機能化、高密度化が追求されている。そして、多機能化に伴い、半導体装置には大電流を通電させることになり、半導体部分に発生する熱量は増大する傾向にある。発生した熱を外部へ放出する放熱性能は、半導体の高性能化およびその信頼性に直結する非常に重要な要素である。
　半導体の放熱部材としては、図1に示すようなヒートシンクを用いることが一般的である。放熱部材となるヒートシンクおよびシールドケースには、金属材料として熱伝導率の高い金属CuやNiめっきされた金属Cu、金属Alなどを用いる。
　図示例においては、基板５に設けられたBGA、SiなどのICデバイス３を、シールドケース４を介してヒートシンク１に接続しており、ICデバイス３とシールドケース４との接続、およびシールドケース４とヒートシンク１との接続に、本発明にかかるはんだ合金２を使用している。本発明にかかるシート状のはんだ合金をICデバイス３とシールドケース４との間、そしてシールトケース４とヒートシンク1との間に介在させて組立体を構成し、これをリフロー炉等で加熱して、はんだ付けを行う。
　図２および図３は、Niめっき面に、酸化を防止してはんだ付け性を高めるためにAuフラッシュめっきを行った接合面に本発明にかかるはんだ合金を用いてはんだ付けする場合を示し、それぞれはんだ付け温度への加熱前、加熱後の接合部の模式的説明図である。同一部材は同一符号で示す。もちろん、後述する実施例で示すように、本発明にかかるはんだ合金を使用すれば、高価なAuめっきを行わなくても、Niめっき面に効果的なはんだ付けを行うことができる。
　図２は、はんだ付け前の組立体、図３は、はんだ付け後の組立体をそれぞれ示す。シールドケースは、さらにヒートシンクにはんだ付けされており、その場合にも、本発明にかかるはんだを使用してはんだ付けすることが好ましい。
　図示例では、それぞれ、ICデバイス７およびシールドケース６に、Niめっき層８が設けられており、そのうえにAuフラッシュめっきによるAuめっき層１０が設けられ、接合面を構成している。これらの接合面は、本発明にかかるはんだ9を介して加熱・接合される。図２に示すAuめっき層１０は加熱によってはんだ内部に拡散し消失して、図３に示すようにSn-Cu-Ni系金属間化合物層１１が形成される。
　従来はこの接続に、金属In、金属Inを含んだ樹脂系材料、グリースや導電性のテープを用いている。しかし、金属Inは貴金属であり接合材料として高価であることから、Ag入り材料同様に経済性に難を有する。また、グリースや導電性のテープは耐熱性や半導体素子・部材との密着性に課題が残る。
　本発明によれば、図1に示すように、NiめっきされたICデバイス（半導体素子）とシールドケースないし、シールドケースとヒートシンクの接合に、本発明にかかるはんだ合金を用いることで金属的な接合が可能となる。シールドケース面およびヒートシンク面にもNiめっきまたはNi/Auフラッシュめっきが施されていてもよい。
　これにより、従来の接合方式では困難であった、高い熱伝導性・耐熱性・密着性を兼ね備えた放熱設計が可能となる。
　本発明においてはんだ合金成分を規定した理由は次の通りである。
　本発明においてCuは、はんだ合金の強度改善そして融点調整のために配合される。
　一般に半導体実装部に使用されているはんだは、近年の鉛フリー化により、Sn-3質量%Ag-0.5質量%Cuはんだを中心としたSnAgCu系合金である。
　ここに、本発明にかかるはんだ合金は、融点が227～230℃程度でありSn-Cu合金の共晶組成に近い融点であり、この融点調整のために、Cu添加量は0.6～0.9質量%とする。
　Cu含有量が0.6質量%未満では、強度の改善が十分でなく、一方、0.9質量％を超える場合には、融点が高く、機械的延性に乏しいため適当とはいえない。好ましくは、0.7～0.9質量％である。
　本発明の特徴のひとつは、Alを配合することであるが、Al:0.01質量％未満では濡れ性改善効果が十分でない。一方、Al:0.1質量％を超えると、溶融時に酸化しやすいAlがはんだ表面に濃化しやすく、濡れ性について本発明の目的を達成することができない。好ましいAl含有量は、0.02～0.07質量％である。
　本発明にかかるはんだ合金において、さらに、Tiを0.02～0.1質量％添加することにより、特に、Niに対する濡れ性が著しく改善される。 特に、AlとTiとの合計量が0.03～0.1質量%のときには、濡れ性の改善効果が著しい。
　本発明にかかるSn-Cu-Alはんだ合金において、必要により、さらにCo：0.01～0.05質量％を配合することができる。Coを配合することで本発明にかかるはんだ合金のNi面への濡れ性を、さらに改善することができるのみならず接合材としての強度や硬度を増すことができる。
　ところで、半導体素子は熱膨張係数の低いシリコンを主成分とする場合が多く、接合されるヒートシンクやシールドケースは金属材料である。半導体と放熱部材(ヒートシンクやシールドケース)の接合部には、通電に伴い互いの熱膨張係数差に起因した熱ひずみ・熱応力がかかり、接合体にクラックや剥離が生じる場合がある。
　本発明にかかるはんだ合金は、Sn-Cuはんだに対してAlを微量添加することで、前述の作用効果に加えて、機械的延性を向上させることができるため、熱応力による変形に追従できると考えられる。そればかりか、Sn-Cu合金にAl、必要によりさらにTiを0.02～0.1質量％と微量添加することで、Snを主成分とする組織を微細化でき、内部応力によるクラックの進展を抑制する効果や応力緩和性によるはんだ合金の長寿命化が可能と考えられる。
　本発明にかかるはんだ合金の形態は特に制限されず、棒状はんだ、粉末はんだ、ボールはんだ、シートはんだ等適宜形態で使用することができる。
　特に、Ni面へのはんだ付け性が優れていることを考慮すると、ICデバイスの放熱用に用いられる放熱部材(シールドケースやヒートシンク)とICデバイスなどのはんだ付けに、はんだ合金シートの形態で、有利に使用できることがわかる。
　本発明にかかるはんだは、Ni面に対するはんだ付け性が特に優れていることからシート状に成形して、これをシールドケースとICデバイスの底面とで挟持しながら搬送式リフロー炉またははんだ接合用のオーブン炉で加熱することで、容易に接合できる。このときのはんだシートの厚さは、500μm以下である。下限は特に規定しないが、製造上の制限から、通常、200μm以上である。本発明にかかるはんだシートは、はんだ接合面に合せて適宜幅、長さに切断して上述のはんだ付けに使用する。
　本発明について、ICデバイスをシールドケースやヒートシンクに接合するはんだ合金として説明してきたが、当業者にはすでに理解されるように、本発明にかかるはんだ合金は、回路基板の電極のはんだ付けにも同様に用いられる。その場合には、ペレット状あるいは円板状のプリフォームはんだとして用いることができる。
　表１に示す合金組成を有するはんだを調製して、下記要領により濡れ性試験を行い、各はんだの濡れ性、引張強度を計測した。
　濡れ性試験
　ウェッティングバランス法により、はんだ合金の濡れ性を調べた。
　使用する試験片は、Ni板およびCu板（厚み0.3×幅10×長さ30mm）とした。
　この試験片表面に、はんだ付け用の樹脂系フラックスを薄く塗布し、260℃に加熱保持された溶融はんだ中に浸漬して、時間軸に対する濡れ曲線を得た。この濡れ曲線から、ゼロクロス時間を求め、濡れ性を評価した。
　試験結果を表１にまとめて示す。Ni板に対する濡れ性は、基本組成であるSn-0.7質量%Cu合金はんだよりも約1秒以上速いゼロクロス時間を良とした。基本組成のゼロクロス時間は5.4秒であったので、2秒以上4秒未満の場合には、濡れ性の改善が見られたとして「良」とした。そして、ゼロクロス時間2秒未満を「優」とし、4秒以上を「劣」とした。
　同じく、Cu板に対する濡れ性を評価し、表１にまとめて示す。Ni板の場合と同様に、濡れ性の判断基準を、基本組成であるSn-0.7Cuはんだより速い濡れを示す1.1秒未満を「優」、1.1秒以上1.6秒未満を「良」、1.6秒以上を「劣」とした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　(NiおよびCuに対する濡れ性評価)
　表1に示す結果から分かるように、Sn-0.6～0.9質量%Cu合金では、Niに対する濡れ性が悪いが、これに0.01～0.1質量%のAlを添加することで、Niに対する濡れ性が改善される。
　同様に、また、Sn-Cuはんだ合金にAlを0.01～0.1質量%添加することにより、Cuに対しても良好な濡れ性を発揮する。
　Sn-Cuはんだ合金にAlの他に、Ti：0.02～0.1質量％を添加することでNiに対する濡れ性が極めて強く改善される。特に、Al、Tiの総添加量が約0.03～0.1質量%である場合Niへの濡れ性は強く改善される。
　図４は、表１のデータに基づいて作成したグラフであり、Sn-0.7Cu系 はんだ合金において、Al含有量を変えたときにNi面およびCu面に対するはんだ濡れ性がどのように変わるかを示す。Al含有量に応じてCu面のはんだ濡れ性は特に影響されないが、Ni面については、Al:0.01～0.1％の範囲で特に優れたはんだ濡れ性が発揮されることが分かる。 

Claims (7)

  1. 　Cu：0.6～0.9質量％、Al：0.01～0.1質量％、残部Snから成る合金組成を有する鉛フリーはんだ合金。
  2. 　前記合金組成が、さらに、Ti:0.02～0.1質量％含有する請求項１記載の鉛フリーはんだ合金。
  3. 　前記合金組成が、さらに、Co：0.01～0.05質量％を含有することを特徴とする、請求項１記載の鉛フリーはんだ合金。
  4. 　前記合金組成が、さらに、Co：0.01～0.05質量％を含有することを特徴とする、請求項２記載の鉛フリーはんだ合金。
  5. 　請求項１ないし４のいずれかに記載の合金組成を有する、厚さ500um以下の鉛フリーはん　だ合金シート。
  6. 　請求項１ないし４のいずれかに記載の鉛フリーはんだ合金で接合されたシールドケースとICデバイスとの組立体。
  7. 　前記シールドケースにさらにヒートシンクを請求項１ないし４のいずれかに記載の鉛フリーはんだ合金で接合されたヒートシンクと、シールドケースと、ICデバイスとの組立体。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049643A1 (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社日本スペリア社 鉛フリーはんだ合金

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102152865B1 (ko) * 2014-02-06 2020-09-07 엘지이노텍 주식회사 인쇄회로기판, 이를 포함하는 패키지 기판 및 이의 제조 방법
US10195698B2 (en) 2015-09-03 2019-02-05 AIM Metals & Alloys Inc. Lead-free high reliability solder alloys
US10440877B2 (en) * 2016-08-18 2019-10-15 Cnh Industrial America Llc Residue management based on topography by an agricultural tillage implement
EP3512668B1 (en) * 2016-09-14 2021-07-21 iRobot Corporation Systems and methods for configurable operation of a robot based on area classification
CN106498197B (zh) * 2016-10-18 2018-03-06 广西大学 一种Sn‑Cu‑Al系无铅焊料的制备方法
US10903186B2 (en) * 2018-10-19 2021-01-26 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Power electronic assemblies with solder layer and exterior coating, and methods of forming the same
US11482461B2 (en) * 2019-12-31 2022-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package and method for making the same

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60166192A (ja) 1984-02-07 1985-08-29 Furukawa Electric Co Ltd:The 高融点ハンダ
JP2001058287A (ja) * 1999-06-11 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無鉛ハンダ
JP2001129682A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Topy Ind Ltd 熱サイクル特性に優れたＳｎ基Ｐｂフリー半田
JP2001269772A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Showa Denko Kk 金属と金属との接合方法および接合物
JP2005019427A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Murata Mfg Co Ltd 超音波はんだ付け方法
JP2005503926A (ja) 2001-09-25 2005-02-10 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 高温無鉛はんだに適した改良された組成物、方法およびデバイス
JP2005052869A (ja) 2003-08-06 2005-03-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 高温はんだ付用ろう材とそれを用いた半導体装置
JP2007190603A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Nippon Alum Co Ltd はんだ接合方法及びはんだ接合体
JP2010005692A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Minghan Chen 改良Ｓｎ−０．７ｗｔ％Ｃｕ無鉛はんだ
WO2011027820A1 (ja) * 2009-09-04 2011-03-10 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金、接合用部材及びその製造法、並びに電子部品
JP2011171080A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Toshiba Corp 電池部品ならびに電池パックおよび電池パックの製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000326088A (ja) * 1999-03-16 2000-11-28 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無鉛ハンダ
US20030007885A1 (en) 1999-03-16 2003-01-09 Shinjiro Domi Lead-free solder
CN1144649C (zh) 1999-06-11 2004-04-07 日本板硝子株式会社 无铅软钎料
AU1348901A (en) 1999-10-28 2001-05-08 P1 Diamond, Inc. Improved diamond thermal management components
JP2005319470A (ja) * 2004-05-06 2005-11-17 Katsuaki Suganuma 鉛フリーはんだ材料、電子回路基板およびそれらの製造方法
JP2006253183A (ja) 2005-03-08 2006-09-21 Hitachi Ltd 半導体パワーモジュール
CN101051535B (zh) * 2006-04-06 2012-09-19 日立电线株式会社 配线用导体及其制造方法、终端连接部、无铅焊锡合金
JP5376553B2 (ja) * 2006-06-26 2013-12-25 日立金属株式会社 配線用導体及び端末接続部
EP2179815A4 (en) * 2007-08-24 2010-09-08 Toshiba Kk BINDING COMPOSITION
US20090065097A1 (en) * 2007-09-09 2009-03-12 Chen Minghan lead-free solder of sn-0.7wt%cu
CN101420835B (zh) * 2007-10-26 2011-03-30 财团法人工业技术研究院 低熔点合金热界面材料及其应用的散热模块
CN101264557A (zh) * 2008-01-07 2008-09-17 常州市晶尔力金属制品厂 锡-铜基无铅焊料及其制备方法
CN101988165B (zh) 2009-07-31 2014-06-18 中国科学院金属研究所 一种抗高温氧化的无铅搪锡合金
US20110303448A1 (en) * 2010-04-23 2011-12-15 Iowa State University Research Foundation, Inc. Pb-Free Sn-Ag-Cu-Al or Sn-Cu-Al Solder

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60166192A (ja) 1984-02-07 1985-08-29 Furukawa Electric Co Ltd:The 高融点ハンダ
JP2001058287A (ja) * 1999-06-11 2001-03-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd 無鉛ハンダ
JP2001129682A (ja) * 1999-10-29 2001-05-15 Topy Ind Ltd 熱サイクル特性に優れたＳｎ基Ｐｂフリー半田
JP2001269772A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Showa Denko Kk 金属と金属との接合方法および接合物
JP2005503926A (ja) 2001-09-25 2005-02-10 ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド 高温無鉛はんだに適した改良された組成物、方法およびデバイス
JP2005019427A (ja) * 2003-06-23 2005-01-20 Murata Mfg Co Ltd 超音波はんだ付け方法
JP2005052869A (ja) 2003-08-06 2005-03-03 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 高温はんだ付用ろう材とそれを用いた半導体装置
JP2007190603A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Nippon Alum Co Ltd はんだ接合方法及びはんだ接合体
JP2010005692A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Minghan Chen 改良Ｓｎ−０．７ｗｔ％Ｃｕ無鉛はんだ
WO2011027820A1 (ja) * 2009-09-04 2011-03-10 千住金属工業株式会社 鉛フリーはんだ合金、接合用部材及びその製造法、並びに電子部品
JP2011171080A (ja) * 2010-02-17 2011-09-01 Toshiba Corp 電池部品ならびに電池パックおよび電池パックの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021049643A1 (ja) * 2019-09-12 2021-03-18 株式会社日本スペリア社 鉛フリーはんだ合金

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