JP2011005542A - In含有鉛フリーはんだ合金及び当該はんだを用いたはんだ接合部 - Google Patents
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Abstract
【課題】 本発明の課題は、低耐熱性電子部品等の実装、特にTSV技術やビルドアップ工法を利用した電子部品等の実装に適した流動性を有し、はんだ接合部の高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有した鉛フリーはんだ合金及び当該はんだ合金を用いたはんだ接合部の提供を目的とする。
【解決手段】 はんだ接合部及びはんだ接合界面において、NiAs型結晶構造を有する金属間化合物を形成する鉛フリーはんだ合金組成を用い、当該鉛フリーはんだ合金の組成がInを必須組成とし、更にCu及びNiに関して、Cuを0.1〜2.0重量%、Niを0.01〜0.1重量%添加させ、残部をInからなる組成の鉛フリーはんだ合金を用いることにより、はんだ接合時の流動性に優れ、はんだ接合部のエージング劣化が抑制される効果、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有するはんだ接合部の提供が可能となる。
【選択図】図1
【解決手段】 はんだ接合部及びはんだ接合界面において、NiAs型結晶構造を有する金属間化合物を形成する鉛フリーはんだ合金組成を用い、当該鉛フリーはんだ合金の組成がInを必須組成とし、更にCu及びNiに関して、Cuを0.1〜2.0重量%、Niを0.01〜0.1重量%添加させ、残部をInからなる組成の鉛フリーはんだ合金を用いることにより、はんだ接合時の流動性に優れ、はんだ接合部のエージング劣化が抑制される効果、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有するはんだ接合部の提供が可能となる。
【選択図】図1
Description
本発明は、鉛フリーはんだ合金に関し、詳しくは、はんだ接合部及び/又ははんだ接合界面においてNiAs型結晶構造を有する金属間化合物を形成する組成からなるIn含有鉛フリーはんだ合金組成からなるはんだ合金及び当該鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合部に関する。
従来、錫鉛共晶はんだが電子部品の接合材料として広く用いられてきた。しかし、近年、鉛の人体及び環境への影響が問題視されるようになり、鉛を配合しない鉛フリーはんだ接合材料の開発が進み、広く実用化されている。
例えば、Sn−Ag−Cu系はんだやSn−Cu−Ni系はんだが広く用いられている。
しかし、Sn−Ag−Cu系はんだ及びSn−Cu−Ni系はんだの融点は、それぞれ217℃〜221℃と227℃となっており、Sn−Pb共晶はんだの融点183℃に比べ高温である。そのため、一部の低耐熱性電子部品等の実装には使用することが困難である。
そこで、比較的融点の低いSn−Zn系はんだやSn−Ag−Cu系はんだにInやBiを添加して融点を下げた鉛フリーはんだの提案がなされ、実用化も進んでいる。
例えば、Sn−Ag−Cu系はんだやSn−Cu−Ni系はんだが広く用いられている。
しかし、Sn−Ag−Cu系はんだ及びSn−Cu−Ni系はんだの融点は、それぞれ217℃〜221℃と227℃となっており、Sn−Pb共晶はんだの融点183℃に比べ高温である。そのため、一部の低耐熱性電子部品等の実装には使用することが困難である。
そこで、比較的融点の低いSn−Zn系はんだやSn−Ag−Cu系はんだにInやBiを添加して融点を下げた鉛フリーはんだの提案がなされ、実用化も進んでいる。
また、最近では電子部品の高密度化と、それに用いられるプリント基板等もその要求に応えた種々のタイプのプリント基板が提案されている。
なかでも、高密度化の技術として、シリコン貫通ビア(TSV)を利用して複数のシリコンウエハを垂直に積層して半導体の高性能化と小面積化を図る手法やビルドアップ工法を利用して作製されたビルドアップ基板等が注目されている。
そして、電子部品とプリント基板を接合するはんだ接合材料についても微細粉末を配合したペーストタイプのはんだ接合材料(特許文献1)や微小なボールタイプのはんだ接合材料の提案(特許文献2)がなされている。
なかでも、高密度化の技術として、シリコン貫通ビア(TSV)を利用して複数のシリコンウエハを垂直に積層して半導体の高性能化と小面積化を図る手法やビルドアップ工法を利用して作製されたビルドアップ基板等が注目されている。
そして、電子部品とプリント基板を接合するはんだ接合材料についても微細粉末を配合したペーストタイプのはんだ接合材料(特許文献1)や微小なボールタイプのはんだ接合材料の提案(特許文献2)がなされている。
しかし、TSV技術やビルドアップ工法を利用した電子部品、特に低耐熱性電子部品等の実装は、現在提案されている微細粉末を配合したペーストタイプのはんだ接合材料や微小なボールタイプを用いるはんだ接合材料では、作業条件等に規制され、はんだ接合ができなかったり高信頼性のはんだ接合が得られないため、より低耐熱性電子部品等の接合に適した流動性の高いはんだ接合材料が求められている。
従来、はんだ接合に用いるはんだ合金の流動性を阻害する原因の一つがはんだ接合時に発生する金属間化合物であることは知られており、発明者も、はんだ合金組成にNi等の微量金属を添加することにより、Sn−Cu系はんだ合金において、生成する金属間化合物を抑制して流動性向上させた鉛フリーはんだ合金を既に提案(特許文献3)している。
また、鉛フリーはんだ合金にNi等の成分を添加させて、はんだ接合界面やはんだ接合部内に生成する金属間化合物を制御して、はんだ接合界面に発生するクラックの抑制効果を有する鉛フリーはんだ合金も提案(特許文献4)している。
また、鉛フリーはんだ合金にNi等の成分を添加させて、はんだ接合界面やはんだ接合部内に生成する金属間化合物を制御して、はんだ接合界面に発生するクラックの抑制効果を有する鉛フリーはんだ合金も提案(特許文献4)している。
はんだ接合時に発生する金属間化合物は、用いるはんだ合金やプリント基板等の組成によって異なり、種々の組成からなる金属間化合物の種類が知られている。そして、組成の違いにより金属間化合物の性質、はんだ接合に与える内容や影響度も様々であるが、金属間化合物の多くは、その組成の特性に起因して流動性等を阻害し、はんだ接合の強度を低下させる等はんだ付けに悪影響を及ぼしている。
このような金属間化合物の対処として、金属間化合物の発生自体を抑制する方法(特許文献5)や、Ni添加等により生成する金属間化合物の制御が提案(特許文献4)されているが、何れも融点が200℃を超えるはんだ合金に関するもので、低耐熱性電子部品等の接合に適した低融点の鉛フリーはんだ合金に関する提案は見当たらない。
このような金属間化合物の対処として、金属間化合物の発生自体を抑制する方法(特許文献5)や、Ni添加等により生成する金属間化合物の制御が提案(特許文献4)されているが、何れも融点が200℃を超えるはんだ合金に関するもので、低耐熱性電子部品等の接合に適した低融点の鉛フリーはんだ合金に関する提案は見当たらない。
本発明は、低耐熱性電子部品等の実装、特にTSV技術やビルドアップ工法を利用した電子部品等の実装に適した流動性を有し、はんだ接合部の高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有した鉛フリーはんだ合金及び当該はんだ合金を用いたはんだ接合部の提供を目的とする。
本発明者は、上記目的を達成すべく、鉛フリーはんだ合金組成及び金属間化合物に着目して鋭意検討を重ねた結果、はんだ接合部及びはんだ接合界面において、NiAs型結晶構造を有する金属間化合物を形成する鉛フリーはんだ合金組成を用い、当該鉛フリーはんだ合金の組成がInを必須組成とし、更にCu及びNiを特定量添加することにより、はんだ接合時の流動性に優れ、はんだ接合部のエージング劣化が少なくなること、また、はんだ接合部に高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、Inを必須組成とし、Cuを0.1〜2.0重量%、Niを0.01〜0.1重量%添加させた組成からなる鉛フリーはんだ合金を用いることにより、はんだ接合時の流動性に優れ、はんだ接合部のエージング劣化が抑制される効果、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有する。
そして、上記組成の鉛フリーはんだ合金組成にSnを添加させた組成からなる鉛フリーはんだ合金を用いても本発明の効果は変わらない。
また、上記組成の鉛フリーはんだ合金と接合するプリント基板等の母材材質がCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上、及び/又はCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合において、より相乗的の本発明の効果を有する。
上記母材材質の他、Si、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上、及び/又はSi、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合の母材においても本発明の効果を有する。
そして、上記組成の鉛フリーはんだ合金組成にSnを添加させた組成からなる鉛フリーはんだ合金を用いても本発明の効果は変わらない。
また、上記組成の鉛フリーはんだ合金と接合するプリント基板等の母材材質がCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上、及び/又はCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合において、より相乗的の本発明の効果を有する。
上記母材材質の他、Si、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上、及び/又はSi、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合の母材においても本発明の効果を有する。
本発明によれば、本発明に使用できる鉛フリーはんだ合金の液相線付近においても流動性に優れるため、低耐熱性電子部品の高密度はんだ実装が可能となり、しかも、はんだ接合部のエージング劣化が少なく、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性効果が得られるため、電子部品の微細化、高密度化が可能となる。
以下に、本発明について詳細に説明する。
従来、はんだ接合部やはんだ接合界面に金属間化合物が形成されることは知られており、その際、生成される金属間化合物の組成は用いるはんだ合金の組成や母材等により異なる。例えば、銅配線を施したプリント基板等の母材に、Snを主成分とする鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ接合を行った場合、接合母材とはんだの接合界面にCu6Sn5等の金属間化合物が生成され、金属間化合物層が形成される。
これは、プリント基板等の母材組成であるCu等の金属に鉛フリーはんだ合金の組成であるSn等が接触し、濡れが生じ、はんだにCuが拡散する際、はんだ接合界面に金属間化合物の組成である例えばCuの濃化現象が発生し、Cu6Sn5金属間化合物が生成し、接合界面に当該金属間化合物の層を形成すると考えられる。
また、プリント基板等の母材組成にCu等が存在しない場合であっても、本発明の鉛フリーはんだ合金を用いることによって、はんだ接合界面に同様のCu6Sn5組成の金属間化合物層が形成すると考えられる。
従来、はんだ接合部やはんだ接合界面に金属間化合物が形成されることは知られており、その際、生成される金属間化合物の組成は用いるはんだ合金の組成や母材等により異なる。例えば、銅配線を施したプリント基板等の母材に、Snを主成分とする鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ接合を行った場合、接合母材とはんだの接合界面にCu6Sn5等の金属間化合物が生成され、金属間化合物層が形成される。
これは、プリント基板等の母材組成であるCu等の金属に鉛フリーはんだ合金の組成であるSn等が接触し、濡れが生じ、はんだにCuが拡散する際、はんだ接合界面に金属間化合物の組成である例えばCuの濃化現象が発生し、Cu6Sn5金属間化合物が生成し、接合界面に当該金属間化合物の層を形成すると考えられる。
また、プリント基板等の母材組成にCu等が存在しない場合であっても、本発明の鉛フリーはんだ合金を用いることによって、はんだ接合界面に同様のCu6Sn5組成の金属間化合物層が形成すると考えられる。
その際、はんだ接合部及びはんだ接合界面に生成する金属間化合物の結晶構造がNiAs型である場合、本発明の効果を有することになる。
本発明者が特許文献4にて提案した鉛フリーはんだ合金もNiAs型に近い結晶構造を有する金属間化合物組成である(Cu,Ni)6Sn5を接合界面に形成させることによって、はんだ接合界面に発生するクラックを抑制する効果を齎している。
本発明者が特許文献4にて提案した鉛フリーはんだ合金もNiAs型に近い結晶構造を有する金属間化合物組成である(Cu,Ni)6Sn5を接合界面に形成させることによって、はんだ接合界面に発生するクラックを抑制する効果を齎している。
本発明は、係る条件を満たすNiAs型結晶構造を有する金属間化合物を生成し、且つ低耐温性電子部品等の接合が可能な温度域においても、高信頼性と優れた電気特性効果を有するはんだ接合を可能とするため、Inを必須組成として含有させることによりはんだ合金の液相線温度を低下させると共に、Cu及びNiを特定量添加することにより、はんだ合金の液相線付近での流動性を著しく向上させて、スルーホール上がり等のはんだ接合時のはんだ接合特性を向上させた。
更に、Cu及びNiの含有量に関してCuを0.1〜2.0重量%、Niを0.01〜0.1重量%をはんだ合金に添加することによって、はんだ接合部及びはんだ接合界面等に生成、形成する金属間化合物の結晶構造をNiAs型に近い結晶構造となるよう制御して、はんだ接合部の接合強度を向上させたのである。
更に、Cu及びNiの含有量に関してCuを0.1〜2.0重量%、Niを0.01〜0.1重量%をはんだ合金に添加することによって、はんだ接合部及びはんだ接合界面等に生成、形成する金属間化合物の結晶構造をNiAs型に近い結晶構造となるよう制御して、はんだ接合部の接合強度を向上させたのである。
本発明の、In、Cu、Ni,及びSnを組成とする鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合部及びはんだ接合界面にNiAs型結晶構造を有する金属間化合物を生成することについて状態図を用いて説明する。
図1は、Cu−Inの状態図であるが、当該状態図より、Inの配合量が35atm%付近において、ηとなる域においてCuIn2からなるNiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図1は、Cu−Inの状態図であるが、当該状態図より、Inの配合量が35atm%付近において、ηとなる域においてCuIn2からなるNiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図2は、Ni−Inの状態図であるが、当該状態図より、Inの配合量が40重量%付近において、Ni13In9からなるNiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図3は、In−Snの状態図であるが、当該状態図より、Inの配合量が44.8〜49.2atm%において共晶となることがわかる。
図4は、Cu−Snの状態図であるが、当該状態図より、Cu配合量が59〜60.9重量%付近において、ηとなる域においてCu6Sn5からなるNiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図5は、Ni−Snの状態図であるが、当該状態図より、Cu配合量が40atm%付近において、Ni3Sn2からなるNiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図6は、Cu−Niの状態図であるが、当該状態図より、CuとNiが全固溶の関係にあることがわかる。
図7は、Ag−Inの状態図であるが、当該状態図より、Ag配合量が33〜67atm%付近において、AgIn2からなるNiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図8は、In−Pdの状態図であるが、当該状態図より、Pd配合量が55〜60atm%付近において、In3Pd5からなるNiAs型結晶構造と推測する化合物組成がみられる。
図9は、In−Ptの状態図であるが、当該状態図より、Pt配合量が70atm%付近において、NiAs型結晶構造を示す化合物組成がみられる。
図10はIn−Znの状態図、図11はAl−Inの状態図、図12はGa−Inの状態図、図13はSi−Inの状態図、図14はGe−Inの状態図であるが、何れの状態図も金属間化合物の生成が見られない。
図1〜図5の状態図により、Inを必須組成とするはんだ合金にCu及びNiを配合した場合、InとCu、InとNiはそれぞれNiAs型結晶構造を形成する配合域を有し、SnとNi、SnとCuもそれぞれNiAs型結晶構造を形成する配合域を有することがわかる。
また、図6より、CuとNiは全固溶の関係にあることから、はんだ接合部に生成する金属間化合物は、その生成過程においてスムーズにCuとNiが一部置換して、(Cu,Ni)6Sn5組成からなる金属間化合物を生成し、はんだ接合界面に(Cu,Ni)6Sn5組成からなる層を形成する。
また、図6より、CuとNiは全固溶の関係にあることから、はんだ接合部に生成する金属間化合物は、その生成過程においてスムーズにCuとNiが一部置換して、(Cu,Ni)6Sn5組成からなる金属間化合物を生成し、はんだ接合界面に(Cu,Ni)6Sn5組成からなる層を形成する。
そして、図7〜図9においては、図1〜図5同様にNiAs型結晶構造を形成する配合域を有することがわかる。
また、図10〜図14において、Zn、Al、Ga、Si、及びGeは、Inと金属間化合物を生成することはないが、きれいな固溶関係にあるため、本発明の鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ接合した場合、はんだ接合界面にはInと金属間化合物を形成する金属組成であるCuやNiとにより生成するCuIn2やNi13In9金属間化合物のInがZn、Al、Ga、Si、及びGeが一部置換したNiAs型結晶構造に近い金属間化合物を形成することが予測され、本発明の効果を有すると考えられる。
また、図10〜図14において、Zn、Al、Ga、Si、及びGeは、Inと金属間化合物を生成することはないが、きれいな固溶関係にあるため、本発明の鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ接合した場合、はんだ接合界面にはInと金属間化合物を形成する金属組成であるCuやNiとにより生成するCuIn2やNi13In9金属間化合物のInがZn、Al、Ga、Si、及びGeが一部置換したNiAs型結晶構造に近い金属間化合物を形成することが予測され、本発明の効果を有すると考えられる。
その結果、本発明の鉛フリーはんだ合金を用いてはんだ接合を行った場合、図15に示すように、本発明の構成成分であるNiを添加し生成した(Cu,Ni)6Sn5組成からなる金属間化合物は、無添加のCu6Sn5組成からなる金属間化合物の構造に比較して、微細化且つ平坦化された構造を有し、それにより、当該組成を有する本発明の鉛フリーはんだ合金組成を用いたはんだ接合部は、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性を有すると考えられる。
本発明の鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合において、鉛フリーはんだ合金と接合するプリント基板等の母材材質がCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上、及び/又はCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合において、より相乗的の本発明の効果を有する。
また、上記母材材質の他、Si、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上、及び/又はSi、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合においても本発明の効果を有する。
これは、上記プリント基板等の母材材質であるCu、Ag、Au、Pd、Pt、Co、Sn、In、FeやSi、Ge、Al、Ga、Znに対して、本発明の構成成分であるNiが拡散しにくい特性があり、はんだ接合界面に対して、CuにNiが一部置換した(Cu,Ni)6Sn5等を組成とする金属間化合物層が形成することにより、バリア効果を有するからである。
また、上記母材材質の他、Si、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上、及び/又はSi、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上で表面処理された場合においても本発明の効果を有する。
これは、上記プリント基板等の母材材質であるCu、Ag、Au、Pd、Pt、Co、Sn、In、FeやSi、Ge、Al、Ga、Znに対して、本発明の構成成分であるNiが拡散しにくい特性があり、はんだ接合界面に対して、CuにNiが一部置換した(Cu,Ni)6Sn5等を組成とする金属間化合物層が形成することにより、バリア効果を有するからである。
本発明の鉛フリーはんだ合金の組成の配合量において、Cuが0.1〜2.0重量%、Niが0.01〜0.1重量%、残部をIn及びSnよりなる配合範囲であれば、図1〜図14の状態図に示す関係がはんだ接合部及び/又ははんだ接合界面において成立すると考えられる。
本発明のはんだ合金の液相線付近での流動性を著しく向上させるため、積層数が多く、しかも低耐熱性電子部品の高密度実装が可能となる。また、はんだ接合部のエージング劣化が少なく、高信頼性及び放熱性等の優れた電気特性効果を有するため、高密度化、微細化を必要とする電子部品等の製造、実装に広く応用が可能である。
Claims (5)
- 鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合において、はんだ接合部中及び/又ははんだ接合界面にNiAs型結晶構造を有する金属間化合物を形成することを特徴とする鉛フリーはんだ合金組成及び当該鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合部。
- 鉛フリーはんだ合金組成が、In−Cu−Ni及び/又はSn−In−Cu−Niからなる請求項1記載の鉛フリーはんだ合金組成及び当該鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合部。
- Cuの含有量が0.1〜2重量%、Niの含有量が0.01〜0.1重量%、残部がIn又はInとSnよりなることを特徴とする請求項2記載の鉛フリーはんだ合金組成及び当該鉛フリーはんだ合金を用いたはんだ接合部。
- 請求項1〜請求項3記載の鉛フリーはんだ合金組成を用いてはんだ接合を行う場合の対象母材の組成がCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上、及び/又はCu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Sn、In及びFeから選択される1種又は2種以上で表面処理されたものであることを特徴とするはんだ接合部。
- 請求項1〜請求項3記載の鉛フリーはんだ合金組成を用いてはんだ接合を行う場合の対象母材の組成がSi、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上、及び/又はSi、Ge、Al、Ga、及びZnから選択される1種又は2種以上で表面処理されたものであることを特徴とするはんだ接合部。
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