WO2012134191A2 - 나프탈렌 유도체, 이를 이용한 유기 재료, 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자 - Google Patents

나프탈렌 유도체, 이를 이용한 유기 재료, 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자 Download PDF

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Definitions

  • the present invention provides a compound represented by the following formula (1).
  • Ar 1 is phenyl or naphthyl
  • Ar 2 is phenyl or naphthyl
  • Ar 3 is hydrogen
  • Ar 4 is unsubstituted or anthracenylene substituted with phenyl
  • Ar 5 is naphthyl; Biphenyl; Or phenyl unsubstituted or substituted with naphthyl.
  • Step 1-2 is a step of preparing a compound represented by Formula 1-6 by replacing the Br group of the compound represented by Formula 1-5 with B (OH) 2 groups.
  • Tetrahydrofuran may be used as a solvent, and n-butyllithium and triethyl borate may be added and reacted, respectively.
  • Step 2-3 is a step of preparing a compound represented by Chemical Formula 2-6 by reacting a compound represented by Chemical Formula 2-5 with bromine.
  • the solvent may be chloroform.
  • Step 2-5 is a step of preparing a compound represented by Chemical Formula 2-10 by reacting the compound represented by Chemical Formula 2-8 with the compound represented by Chemical Formula 2-9.
  • Tetrahydrofuran may be used as the solvent, and tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) may be used together with a 2-normal potassium carbonate aqueous solution as a catalyst.
  • the substrate functions as a support layer during the fabrication of the organic electroluminescent device and as a protective layer for construction of the device.
  • a support layer during the fabrication of the organic electroluminescent device and as a protective layer for construction of the device.
  • flatness and mechanical strength, thermal stability to withstand various processes, no volatile emissions, air and moisture ingress and transparency are required.
  • a device having a high reflectance may be used for a device requiring a cathode direction or side light emission.
  • Transparent materials include glass, quartz, and transparent resin films.
  • the organic electroluminescent device is sufficiently transparent in the emission wavelength region of the device.
  • the transparent electrode is set to use the above-mentioned conductive material and to ensure a predetermined light transmittance by a method such as vapor deposition or sputtering. It is preferable that the electrode of a light emitting surface has a light transmittance of 10% or more.
  • a light emitting material or a dopant material which can be used for the light emitting layer together with the compound represented by the formula (1) of the present invention for example, anthracene, naphthalene, phenanthrene, pyrene, tetracene, coronene, chrysene, fluorescein, perylene , Phthaloperylene, phthaloperylene, perinone, phthaloperinone, naphthaloperin, diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, coumarin, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazolin, Bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, quinoline metal complex, aminoquinoline metal complex, benzoquinoline metal complex, imine, diphenylethylene, vinylanthracene, diaminocarbazole, pyran, thiopyran, polymethine, melococyanine
  • the hole transporting layer organic monomolecular material since the hole transporting layer organic monomolecular material has to have a fast hole transporting speed and forms an interface in contact with the light emitting layer, the ionization potential has an appropriate value between the hole injection layer and the light emitting layer in order to suppress the generation of the hole transporting layer and the light emitting layer interface excitation. The ability to properly control the electrons being moved is needed.
  • an inorganic compound layer may be disposed between the light emitting layer and the electrode in order to improve charge injection property.
  • alkali metal compound a fluoride, oxide, etc.
  • an alkaline earth metal compound specifically, there may be mentioned LiF, Li 2 O, BaO, SrO, BaF 2, SrF 2 and the like.
  • the resin that can be used examples include insulating resins such as polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethyl methacrylate, polymethyl acrylate, cellulose, and copolymers thereof; Photoconductive resins such as poly- N -vinylcarbazole and polysilane; And conductive resins such as polythiophene and polypyrrole. Moreover, antioxidant, an ultraviolet absorber, a plasticizer etc. are mentioned as an additive.
  • FIG. 6 shows a 1 H-NMR graph of Example 3.
  • the compound of Example 3 was prepared by the following preparation method.
  • Example 40-48 was prepared using the same method as Example 3, using Intermediates 3-1 and 3-6, which correspond to the structures of Tables 10 and 11, respectively.
  • the compound of Example 49 was prepared by the following preparation method.
  • 1,8-dibromonaphthalene 50 g, 170 mmol
  • phenylboronic acid 49 g, 400 mmol
  • tetrakis (triphenylphosphine) palladium (0) 10 mmol
  • 2-normal potassium carbonate aqueous solution was added thereto, followed by reflux for 24 hours.
  • the mixture was extracted with ethyl acetate and the organic layer was dried over anhydrous magnesium sulfate, and then purified through a hexane column to obtain intermediate 51-1 in a yield of 71% (35 g).
  • a substrate cut to ITO (indium tin oxide) transparent electrode having a thickness of 100 nm to a size of 40 mm ⁇ 40 mm ⁇ 0.7 mm was ultrasonically cleaned in distilled water in a detergent for 10 minutes, and then washed in distilled water for 10 minutes. Washing was repeated several times.
  • ITO indium tin oxide
  • Example 3 having a thickness of 30 nm and a compound having the following structural formula were simultaneously formed on the NPB film at a weight ratio of 100 to 5 to form a light emitting layer film having a thickness of 30 nm.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Experimental Example 1, except that Examples 6, 7, 8, 23, and 39 were used as light emitting materials instead of the compounds of Example 3, and the results were measured.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Experiment 1 except for using Examples 51, 52, 53, 54, 57, 59, 64, and 88 as light emitting materials, respectively, in place of the compound of Example 3. The result was measured.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Experiment 1, except that Compound AN having the following structural formula as a light emitting material was used instead of the compound of Example 3.
  • the current density was 75.3 mA / cm 2
  • the luminous efficiency of this device was measured to be 4.87 cd / A at 7V, which was calculated as conversion efficiency (luminescence efficiency / y) and found to be 34.3.
  • An organic electroluminescent device was manufactured in the same manner as in Experiment 1, except that Compound ADN having the following structural formula was used as a light emitting material instead of Compound AN used in Experimental Example 5.
  • the embodiment of the present invention can be confirmed that the luminous efficiency and life is superior to the comparative example.

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Abstract

본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. 본 발명에 따른 화합물은 발광 휘도 및 발광 효율이 높고, 색순도가 우수하며, 고온 안정성이 우수하므로, 장수명의 유기 전기 발광 소자용 재료 및 유기 전자 발광 소자를 제공할 수 있다.

Description

나프탈렌 유도체, 이를 이용한 유기 재료, 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자
본 발명은 디스플레이 분야에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 디스플레이의 일종인 유기 전기발광소자 제조시 이용할 수 있는 나프탈렌 유도체 및 이를 이용한 유기 전기발광 소자용 재료 및 유기 전기 발광 소자에 관한 것이다.
유기 반도체는 다양한 유형의 수많은 전자 장비 응용을 위해 개발되고 있다. 유기 전기발광 소자는 기존 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 및 전계 방출 디스플레이(FED) 등의 타 평판 표시 소자에 비해 구조가 간단하고, 제조 공정상 다양한 장점이 있으며 높은 휘도 및 시야각 특성이 우수하며, 응답속도가 빠르고 구동전압이 낮아 벽걸이 TV등의 평판 디스플레이 또는 디스플레이의 배면광, 조명, 광고판 등의 광원으로서 사용되도록 활발하게 개발이 진행되고 있다.
유기 전기발광 소자는 일반적으로 직류전압을 인가하였을 때 양극으로부터 주입된 정공과 음극으로부터 주입된 전자가 재결합하여 전자-정공 쌍인 엑시톤을 형성하며 이 엑시톤의 에너지를 발광 재료에 전달함에 의해 빛으로 변환된다.
유기 전기발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위해 이스트만 코닥사의 탕(C. W. Tang)등에 의해 두 개의 반대 전극 사이에 적층형 유기물 박막을 구성하여 저전압 구동 유기 전기발광 소자가 보고(C. W. Tang, S. A. Vanslyke, Applied Physics Letters, 51권 913페이지, 1987년)된 이래, 다층 박막 구조형 유기 전기발광 소자용 유기 재료에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 또한, 발광 재료로서 페닐 안트라센 유도체를 이용한 소자는 일본특허 공개공보 제1996-012600호에 개시되어 있다. 이러한 안트라센 유도체는 청색 발광 재료로 사용되지만, 더욱 고효율 발광이 요구되었다.
한편, 소자 수명 개선을 위하여 박막의 안정성이 요구되고 있어, 종래의 안트라센 유도체는 결정화하여 박막이 파괴되는 경우가 많아 개선이 요구되었다. 예컨대, 미국특허 등록번호 제0593571호에는 다이나프틸 안트라센 화합물이 개시되어 있다. 그러나 상기 화합물은 좌우 및 상하의 대칭성의 분자 구조이기 때문에, 고온 보존 및 고온 구동에서 용이하게 배열하여 결정화가 생긴다. 또한, 일본특허 공개공보 제2000-273056호에 좌우 비대칭의 알릴 안트라센 화합물이 개시되어 있지만, 안트라센다이일로 치환하는 기의 한쪽이 단순한 페닐기나 바이페닐기여서 결정화를 막을 수는 없었다.
이에 본 발명자는, 구동전압이 낮고, 색순도, 발광 효율 및 내열성이 우수하고 장수명을 달성할 수 있는 방향족 화합물을 연구하던 중, 1,8-치환된 나프탈렌 유도체가 상기의 과제를 해결할 수 있음을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명은, 구동전압이 낮고, 색순도, 발광 효율 및 내열성이 우수하고 장수명을 달성할 수 있는 방향족 화합물, 이를 이용한 유기 전기발광 소자용 재료 및 유기 전기 발광 소자를 제공하기 위한 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여, 본 발명은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2012002322-appb-I000001
상기 식에서,
Ar1은 수소 또는 C6-10 1가 방향족기이고, 상기 C6-10 1가 방향족기는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환되고,
Ar2는 수소 또는 C6-10 1가 방향족기이고. 상기 C6-10 1가 방향족기는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환되고,
Ar3은 수소 또는 C6-10 1가 방향족기이고. 상기 C6-10 1가 방향족기는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환되고,
Ar4는 C6-16 2가 방향족기이고, 상기 C6-16 2가 방향족기는 비치환되거나 페닐로 치환되고, 및
Ar5는 C6-14 1가 방향족기이고, 상기 C6-14 1가 방향족기는 비치환되거나, 나프틸, 페닐, 나프틸로 치환된 페닐, 또는 비페닐로 치환되고,
단, Ar3이 C6-10 1가 방향족기인 경우, Ar1 및 Ar2는 각각 수소이고, Ar3이 수소인 경우, Ar1 및 Ar2는 각각 C6-10 1가 방향족기이다.
상기 화학식 1의 화합물은, 나프탈렌 1,8 위치에 치환된 구조를 가지고 있으며, 각 치환기의 거리가 가까워 입체 효과에 의하여 화학구조가 상당히 뒤틀려 있다는 특징이 있다. 도 1 및 2에 나타난 바와 같이, 두 종류의 화합물은 같은 분자식을 가지지만 1,8-치환된 나프탈렌이 1,4-치환된 나프탈렌 보다 3차원 입체 구조가 상당히 뒤틀려 있는 것을 확인할 수 있다. 뒤틀린 입체구조에 기인하여 공간적으로 분자와 분자 사이의 거리를 넓힐 수 있으며, 이를 유기 발광 소자에 적용할 경우 색순도가 우수하고 장수명을 가질 수 있다.
상기 화학식 1에 있어서, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 상기 Ar3은 페닐; 또는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고, 상기 Ar4는 나프틸렌; 페닐렌; 피레닐렌; 페난트릴렌; 또는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비치환되거나 나프틸, 페닐, 나프틸로 치환된 페닐, 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 상기 Ar3은 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고, 상기 Ar4는 나프틸렌, 또는 안트라세닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 또는 나프틸, 또는 페닐로 치환된 안트라세닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 상기 Ar3은 페닐이고, 상기 Ar4는 페닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 상기 Ar3은 페닐이고, 상기 Ar4는 피렌닐; 또는 페난트릴렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나 나프틸로 치환된 페닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 상기 Ar3은 페닐 또는 나프틸이고, 상기 Ar4는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 및 상기 Ar3은 페닐; 1-나프틸; 2-나프틸; 6-페닐-2-나프틸; 또는 6-(1-나프틸)-2-나프틸이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1은 페닐; 또는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고, 상기 Ar2는 페닐; 또는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고, 상기 Ar3은 수소이고, 상기 Ar4는 나프틸렌; 페닐렌; 피레닐렌; 페난트릴렌; 또는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비치환되거나 나프틸, 페닐, 나프틸로 치환된 페닐, 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1은 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고, 상기 Ar2는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고, 상기 Ar3은 수소이고, 상기 Ar4는 나프틸렌, 또는 안트라세닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 또는 나프틸, 또는 페닐로 치환된 안트라세닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1은 페닐이고, 상기 Ar2는 페닐이고, 상기 Ar3은 수소이고, 상기 Ar4는 페닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1은 페닐이고, 상기 Ar2는 페닐이고, 상기 Ar3은 수소이고, 상기 Ar4는 피렌닐 또는 페난트릴렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1은 페닐 또는 나프틸이고, 상기 Ar2는 페닐 또는 나프틸이고, 상기 Ar3은 수소이고, 상기 Ar4는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및 상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 페닐; 1-나프틸; 2-나프틸; 6-페닐-2-나프틸; 또는 6-(1-나프틸)-2-나프틸이고, 및 상기 Ar3은 수소이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar1 및 Ar2는 페닐이고, 및 상기 Ar3은 수소이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar4는 1,4-나프틸렌; 2,6-나프틸렌; 1,4-페닐렌; 1,6-피레닐렌; 2,7-페난트릴렌; 9,10-안트라세닐렌; 또는 9-페닐-2,10-안트라세닐렌이다.
또한, 바람직하게는 상기 Ar5는 1-나프틸; 2-나프틸; 비페닐-4-일; 페닐; 4-(1-나프틸)-페닐; 4-(2-나프틸)-페닐; 10-(1-나프틸)-9-안트라세닐; 10-(2-나프틸)-9-안트라세닐; 10-페닐-9-안트라세닐; 10-(4-(1-나프틸)페닐)-9-안트라세닐; 10-(4-(2-나프틸)페닐)-9-안트라세닐; 또는 10-(비페닐-4-일)-9-안트라세닐이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물의 일례는 하기와 같다:
Figure PCTKR2012002322-appb-I000002
,
Figure PCTKR2012002322-appb-I000003
,
Figure PCTKR2012002322-appb-I000004
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또한, 상기 화학식 1에서 Ar1 및 Ar2는 각각 수소이고, Ar3이 C6-10 1가 방향족기인 경우, 본 발명은 일례로 하기 반응식 1과 같은 화학식 1의 화합물의 제조방법을 제공한다. 하기 반응식에서 Ar3, Ar4 및 Ar5의 정의는 상기에 설명한 바와 같다.
[반응식 1]
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상기 단계 1-1은 화학식 1-2로 표시되는 화합물과 화학식 1-3으로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 4로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, 촉매로 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)을 2-노르말의 탄산칼륨 수용액과 함께 사용할 수 있다.
상기 단계 1-2는 화학식 1-5로 표시되는 화합물의 Br기를 B(OH)2기로 치환시켜 화학식 1-6으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, n-부틸리튬과 트라이에틸보레이트를 각각 첨가하여 반응시킬 수 있다.
상기 단계 1-3은 화학식 1-6으로 표시되는 화합물과 화학식 1-7로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1-8로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, 촉매로 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)을 2-노르말의 탄산칼륨 수용액과 함께 사용할 수 있다.
상기 단계 1-4는 화학식 1-8로 표시되는 화합물의 Br기를 B(OH)2기로 치환시켜 화학식 1-9로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, n-부틸리튬과 트라이에틸보레이트를 각각 첨가하여 반응시킬 수 있다.
상기 단계 1-5는 화학식 1-9로 표시되는 화합물과 상기 단계 1에서 제조된 화학식 1-4로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, 촉매로 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)을 2-노르말의 탄산칼륨 수용액과 함께 사용할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1-1로 표시되는 화합물의 Ar3과 Ar4-Ar5가 동일한 치환기일 경우에는, 상기 단계 1의 반응물의 몰 비를 조절하여 단계 1만으로도 화학식 1로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.
또한, 상기 화학식 1에서 Ar1 및 Ar2는 각각 C6-10 1가 방향족기이고, Ar3이 수소인 경우, 본 발명은 일례로 하기 반응식 2와 같은 화학식 1의 화합물의 제조방법을 제공한다. 하기 반응식에서 Ar1, Ar2, Ar4 및 Ar5의 정의는 상기에 설명한 바와 같다.
[반응식 2]
Figure PCTKR2012002322-appb-I000080
상기 단계 2-1 및 2-2는 화학식 2-2로 표시되는 화합물과 화학식 2-3 및 2-4로 표시되는 화합물을 순차적으로 반응시켜 화학식 2-5로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, 촉매로 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)을 2-노르말의 탄산칼륨 수용액과 함께 사용할 수 있다. 이때, 치환기 Ar1 및 Ar2가 동일한 경우에는 반응물의 몰 비를 조절하여 한 번의 단계로 화학식 2-5로 표시되는 화합물을 제조할 수 있다.
상기 단계 2-3은 화학식 2-5로 표시되는 화합물과 브로민을 반응시켜 화학식 2-6으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 클로로포름을 사용할 수 있다.
상기 단계 2-4은 화학식 2-7로 표시되는 화합물의 Br기를 B(OH)2기로 치환시켜 화학식 2-8로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, n-부틸리튬과 트라이에틸보레이트를 각각 첨가하여 반응시킬 수 있다.
상기 단계 2-5는 화학식 2-8로 표시되는 화합물과 화학식 2-9로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 2-10으로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, 촉매로 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)을 2-노르말의 탄산칼륨 수용액과 함께 사용할 수 있다.
상기 단계 2-6은 화학식 2-10로 표시되는 화합물의 Br기를 B(OH)2기로 치환시켜 화학식 2-11로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, n-부틸리튬과 트라이에틸보레이트를 각각 첨가하여 반응시킬 수 있다.
상기 단계 2-7은 화학식 2-11로 표시되는 화합물과 상기 단계 3)에서 제조된 화학식 2-6으로 표시되는 화합물을 반응시켜 화학식 2-1로 표시되는 화합물을 제조하는 단계이다. 용매는 테트라하이드로퓨란을 사용할 수 있으며, 촉매로 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)을 2-노르말의 탄산칼륨 수용액과 함께 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 유기 전기 발광 소자용 재료를 제공한다. 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 치환기의 종류 및 특성에 따라 유기 전기발광 소자를 구성하는 정공 주입 재료, 정공 수송 재료, 발광 재료, 전자 수송 재료 및 전자 주입 재료로 사용될 수 있다. 특히 발광층의 구성 재료로 발광층의 호스트(host) 내지 도판트(dopant) 성질을 부여할 수 있으며, 소자로 제조시 소자의 구동 전압, 열적 안정성에 따른 수명, 색순도 및 발광 효율 등을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 음극과 양극 사이에 적어도 하나의 발광층을 포함하는 단층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서, 상기 유기 박막층의 적어도 1층이 상기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 유기 전기 발광 소자용 재료를 함유하는 유기 전기 발광 소자를 제공한다.
단층형인 경우 기판, 양극, 음극 및 양극과 음극사이에 발광층이 포함되며, 다층형 유기 전기발광 소자는 양극과 음극사이에 유기물 또는 유기금속착체, 금속염 등의 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 저지층, 유기 발광층, 정공 저지층, 전자 수송층, 전자 주입층을 구성물질의 종류 및 특성에 따라 적절하게 조합하여 2층 이상을 적층시킨 것이 있다.
다층 구조의 유기 전기발광 소자의 장점은 퀀칭(quenching)에 의한 휘도 또는 수명의 저하를 방지하거나 인가전압을 낮출 수 있다. 양극으로부터 정공을 주입하는 층을 정공 주입층, 정공 주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층을 정공 수송층이라 부르며, 전자의 정공 수송층으로의 이동을 막는 전자 저지층을 유기발광층과 정공 수송층 사이에 형성시킬 수도 있다. 또한 필요에 따라서 정공 주입층과 정공 수송층을 따로 구분하지 않고 정공의 주입과 수송을 동시에 할 수 있는 재료를 선택할 수도 있다. 마찬가지로, 음극으로부터 전자를 주입하는 층을 전자 주입층, 전자 주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층을 전자 수송층이라 부른다. 정공의 전자 수송층으로의 이동을 막는 정공 저지층을 유기발광층과 전자 수송층 사이에 형성시킬 수도 있다. 발광층은 정공과 전자가 재결합을 통해 빛을 발생시키는 층으로 단독 또는 2~5 가지의 물질로 구성될 수 있다. 2 물질 이상으로 발광층을 구성할 경우, 발광재료의 역할에 따라 막의 주된 구성 재료를 호스트라 하며, 다른 화합물(들)을 도판트라 불린다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물은 호스트 내지 도판트 재료로 사용이 가능하다. 또한 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 호스트로 사용하고 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물이 아닌 화합물을 도판트로 사용할 수도 있으며, 반대로 호스트가 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물이 아닌 화합물을 사용하고 도판트로 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용할 수도 있다.
또한 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물의 발광파장에 따라 청색, 녹색, 적색 또는 이를 혼합 내지 발광층을 2층 이상 형성시켜 백색의 발광을 얻을 수도 있다. 상기 각 층은 재료의 에너지 준위, 내열성, 유기 화합물막 또는 금속 전극과의 밀착성 등의 각 요인에 의해 선택되어 사용된다. 본 발명에서 바람직한 소자의 층 구성으로 기판으로부터 양극, 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 전자 주입층 및 음극의 순으로 형성하였다.
기판은 유기 전기발광 소자의 제조과정 동안의 지지체 및 소자의 구성을 위한 보호층으로의 기능을 한다. 일반적으로 평탄성과 기계적 강도, 여러 가지 공정을 견딜 수 있는 열적 안정성, 휘발성 물질 미배출, 공기 및 수분의 침투 방지 및 투명성이 요구된다. 그러나 음극방향이나 측면발광을 필요로 하는 소자의 경우 반사율이 높은 기판을 사용할 수도 있다. 투명성을 지닌 재료로는 유리, 석영, 투명성 수지 필름 등이 있으며, 투명성 수지 필름에는 폴리에틸렌, 에틸렌-바이닐 아세테이트 공중합체, 에틸렌-바이닐알코올 공중합체, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리염화바이닐, 폴리바이닐 알코올, 폴리바이닐 뷰티랄, 나일론, 폴리에테르 에테르 케톤, 폴리설폰, 폴리에테르 설폰, 테트라플루오로에틸렌-퍼플루오로알킬 바이닐 에테르 공중합체, 폴리바이닐 플루오라이드, 테트라플루오로 에틸렌-에틸렌 공중합체, 테트라플루오로에틸렌-헥사플루오로프로필렌 공중합체, 폴리클로로트라이플루오로에틸렌, 폴리바이닐리덴 플루오라이드, 폴리에스테르, 폴리카보네이트, 폴리우레탄, 폴리에테르 이미드, 폴리이미드, 폴리프로필렌 등을 예로 들 수 있다. 투명하지 않은 기판재료로는 실리콘 웨이퍼, 세라믹 또는 크롬, 금 등의 금속 등이 사용될 수 있으며 상기 기판재료들이 다층으로 이루어 사용될 수 있다.
유기 전기발광 소자의 양극은 박막형태로 존재하여 전원이 연결될 수 있는 도전성 재료로 정공 주입이 원활할 수 있도록 비교적 높은 일함수(바람직하게는 4 eV 이상)를 가지는 것이 적합하다. 탄소, 알루미늄, 바나듐, 철, 크롬, 구리, 아연, 코발트, 니켈, 텅스텐, 은, 금, 백금, 팔라듐 및 이들의 합금, ITO, 산화주석, 산화인듐 등의 산화금속, 및 폴리티오펜 또는 폴리피롤 등의 유기 도전성 수지가 사용될 수 있다. 양극의 두께는 약 10 nm 내지 약 1000 nm, 바람직하게는 10 nm 내지 500 nm이다.
음극에 사용되는 도전성 물질로서는, 전자의 주입을 위하여 비교적 낮은 일함수(4 eV 이하)를 갖는 것이 적합하고, 마그네슘, 칼슘, 주석, 납, 티탄, 이트륨, 리튬, 루테늄, 망간, 알루미늄 및 이들의 합금이 사용될 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 합금으로서는 마그네슘/은, 마그네슘/인듐, 리튬/알루미늄 등을 대표예로서 들 수 있으나, 이에 한정되지는 않는다. 합금의 비율은 증착원의 온도, 분위기, 진공도 등에 의해 제어되며, 적절한 비율로 선택된다. 양극 및 음극은 필요에 따라 2 층 이상의 적층 구조를 가질 수 있다. 효율적인 발광을 위해 유기 전기발광 소자의 한쪽 면 이상이 소자의 발광 파장 영역에 있어서 충분히 투명한 것이 바람직하다. 투명 전극은 상기 도전성 재료를 사용하고, 증착 또는 스퍼터링 등의 방법으로 예비 결정된 투광성이 확보되도록 설정한다. 발광면의 전극은 10% 이상의 광투과율을 갖는 것이 바람직하다.
발광층의 발광 재료는 극히 높은 형광 양자 수율(~1.0), 높은 전하 수송 능력과 더불어 가지는 균일한 박막을 형성하는 것이 바람직하다. 유기 전기발광 소자는, 다층 구조로 하는 것에 의해 칭에 의한 휘도나 수명의 저하를 막을 수 있다. 필요에 따라 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물 단독 또는 2 가지 이상을 조합하여 사용하거나 추가적으로 공지된 발광 호스트 재료, 발광 도판트 재료를 공동으로 사용할 수 있다. 이러한 화합물의 바람직한 사용법에 있어서, 단독 발광층 재료 또는 호스트 재료로서 사용시에는 농도 100 내지 80 중량%로 첨가한다. 또한, 발광 도판트 재료로 이용시에는 농도 0.01 내지 20 중량%로 첨가하는 것이 바람직하다. 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물과 함께 발광층에 사용할 수 있는 발광 재료 또는 도판트 재료로서는, 예컨대, 안트라센, 나프탈렌, 페난트렌, 피렌, 테트라센, 코로넨, 크라이센, 플루오레세인, 페릴렌, 프탈로페릴렌, 프탈로페릴렌, 페리논, 프탈로페리논, 나프탈로페리논, 다이페닐부타다이엔, 테트라페닐부타다이엔, 쿠마린, 옥사다이아졸, 알다진, 비스벤족사졸린, 비스스타이릴, 피라진, 사이클로펜타다이엔, 퀴놀린 금속 착체, 아미노퀴놀린 금속 착체, 벤조퀴놀린 금속 착체, 이민, 다이페닐에틸렌, 바이닐안트라센, 다이아미노카바졸, 피란, 티오피란, 폴리메틴, 멜로사이아닌, 이미다졸 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 퀴나크리돈, 루브렌 및 이들의 유도체 등을 들 수 있지만, 이들에 한정되는 것이 아니다. 상기 발광 재료를 도판트 재료로 사용할 경우 재료의 선택 기준은, 1) 도판트 분자가 고효율의 형광 또는 인광을 갖는 것; 2) 호스트 물질의 밴드갭보다 약 60% 내지 100%, 바람직하게는 80% 내지 100%의 값을 가지는 재료이다.
정공 주입층 재료는 인가되는 전계에서 양극으로부터 다수의 정공을 주입시키는 기능을 하는 재료로, 양극과 정공 수송층간의 계면장력이 충분히 크지 않거나, 양극의 일함수가 인접층의 최고 준위 분자 궤도(Highest occupied molecular orbital:HOMO)와 상당한 차이가 있을 경우에 형성된다. 정공 주입층은 정공 주입의 전위 장벽을 효율적으로 감소시켜 결과적으로 유기 전기발광 소자의 구동 전압을 감소시킨다. 따라서 정공을 수송하는 능력을 갖고, 양극으로부터의 정공 주입 효율이 우수하며, 양극과 안정된 계면을 유지하면서 기본적으로 열안정성이 우수한 화합물을 사용해야한다. 따라서 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하거나 이미 공지된 물질을 사용할 수 있다. 공지된 물질은 예컨대, 프탈로시아닌 유도체, 나프탈로시아닌 유도체, 포르피린 유도체, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 이미다졸론, 이미다졸티온, 피라졸린, 피라졸론, 테트라하이드로이미다졸, 하이드라존, 아실하이드라존, 폴리아릴알칸, 스틸벤, 부타다이엔, 벤지딘형 트라이페닐아민, 스티릴아민형 트라이페닐아민, 다이아민형 트라이페닐아민 등과 이들의 유도체 및 폴리바이닐카바졸, 폴리실란, 도전성 고분자(PEDOT/PSS)등의 고분자 재료를 예로 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 유기 전기발광 소자에 사용할 수 있는 정공 주입층 재료 중에서, 더욱 효과적인 정공 주입층 재료는 방향족 3급 아민 유도체 또는 프탈로시아닌 유도체이다. 방향족 3급 아민 유도체의 구체예는 트라이페닐아민, 트라이톨릴아민, 톨릴다이페닐아민, N,N'-다이페닐-N,N'-(3-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-다이아민, N,N,N',N'-(4-메틸페닐)-1,1'-페닐-4,4'-다이아민, N,N,N',N'-(4-메틸페닐)-1,1'-바이페닐-4,4'-다이아민, N,N'-다이페닐-N,N'-다이나프틸-1,1'-바이페닐-4,4'-다이아민, 4,4'-비스{N-[4-(N,N-다이-m-톨릴아미노)페닐]-N-페닐아미노}바이페닐, N,N'-다이페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨릴-아미노)-페닐]-바이페닐-4,4'-다이아민, N,N'-(메틸페닐)-N,N'-(4-n-뷰틸페닐)페난트렌-9,10-다이아민, N,N-비스(4-다이-4-톨릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥산 및 상기 방향족 3급 아민의 골격 구조를 갖는 올리고머 및 중합체이지만, 이들에 한정되는 것은 아니다. 프탈로시아닌(Phthalocyanine; Pc) 유도체의 구체예는 H2Pc, CuPc, CoPc, NiPc, ZnPc, PdPc, FePc, MnPc, ClAlPc, ClGaPc, ClInPc, ClSnPc, Cl2SiPc, (HO)AlPc, (HO)GaPc, VOPc, TiOPc, MoOPc, GaPc-O-GaPc 등의 프탈로시아닌유도체 및 나프탈로시아닌 유도체이지만, 이들에 한정되는 것이 아니다.
정공 수송층은 정공 주입층 또는 양극으로부터 발광층을 향하여 정공을 원활히 전달하는 기능을 한다. 정공 수송층은 높은 정공 이동도와 정공에 대한 안정성을 가지며, 전자를 막아주는 역할을 한다. 이러한 일반적 요구 이외에 차체 표시용으로 응용할 경우 소자에 대한 내열성이 요구되며, 유리 전이 온도(Tg)가 80℃이상의 값을 갖는 재료가 바람직하다. 이와 같은 조건을 만족하는 물질들로는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(NPB), 스파이로-아릴아민계화합물, 페릴렌-아릴아민계화합물, 아자사이클로헵타트라이엔 화합물, 비스(다이페닐바이닐페닐)안트라센, 실리콘게르마늄옥사이드 화합물, 실리콘계 아릴아민 화합물 등이 있다. 한편, 정공 수송층용 유기 단분자 물질은 높은 정공 이동 속도와 전기적 안정성이 뛰어난 아릴아민계가 대표적 물질이다. 초기의 정공 수송층 유기 물질로는 N,N'-다이페닐-N,N'-비스(3-메틸페닐)-1,1'-다이페닐-4,4'-다이아민(TPD)이 흔히 사용되었으나 60 이상에서 불안정하기 때문에 유리 전이 온도가 좀 더 높은 N-나프틸-N-페닐-1,1'-다이페닐-4,4'-다이아민(NPB) 계열 또는 좀 더 많은 방향족기가 치환된 아민류를 사용하고 있다. 특히 정공 수송층 유기 단분자 물질은 정공 이동속도가 빨라야 하며 발광층과 접하여 계면을 형성하기 때문에 정공 수송층-발광층 계면 여기자의 발생을 억제하기 위해서 이온화 퍼텐셜이 정공 주입층과 발광층 사이의 적절한 값을 갖고 발광층에서 이동되어 오는 전자를 적절히 제어하는 능력이 필요하다.
전자 수송층 재료로서는 전자를 수송하는 능력이 있고, 음극으로부터의 전자 주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대해 우수한 전자 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 여기자가 정공 수송층으로 이동하는 것을 방지하고, 박막 형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는, 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트라이아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 플루오레닐리덴메탄, 안트론 등과 이들의 유도체 및 이들을 포함하는 본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 들 수 있으나, 이들로 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 유기 전기발광 소자에서, 더욱 효과적인 전자 수송 재료는 금속 착체 화합물 또는 질소 함유 5원환 유도체이다. 금속 착체 화합물의 구체예는 (8-퀴놀리놀)리튬, 비스(8-퀴놀리놀)아연, 비스(8-퀴놀리놀)구리, 비스(8-퀴놀리놀)망간, 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-퀴놀리놀)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리놀)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것이 아니다. 또한, 질소함유 5원 유도체는 옥사졸, 티아졸, 옥사다이아졸, 티아다이아졸 또는 트라이아졸 유도체가 바람직하다. 구체적으로는, 2,5-비스(1-페닐)-1,3,4-옥사졸, 2,5-비스(1-페닐)-1,3,4-티아졸, 2,5-비스(1-페닐)-1,3,4-옥사다이아졸, 2-(4'-tert-뷰틸페닐)-5-(4"-바이페닐)-1,3,4-옥사다이아졸, 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-옥사다이아졸, 1,4-비스[2-(5-페닐옥사다이아졸릴)]벤젠, 1,4-비스[2-(5-페닐옥사다이아졸릴)-4-tert-뷰틸벤젠], 2-(4'-tert-뷰틸페닐)-5-(4"-바이페닐)-1,3,4-티아다이아졸, 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-티아다이아졸, 1,4-비스[2-(5-페닐티아다이아졸릴)]벤젠, 2-(4'-tert-뷰틸페닐)-5-(4"-바이페닐)-1,3,4-트라이아졸, 2,5-비스(1-나프틸)-1,3,4-트라이아졸, 1,4-비스[2-(5-페닐트라이아졸릴)]벤젠 등을 들 수 있으나, 이들에 한정되는 것이 아니다.
본 발명에 있어서, 전하 주입성 향상을 위해 발광층과 전극 사이에 무기 화합물 층을 배치할 수 있다. 이러한 무기 화합물 층으로서는, 알칼리 금속 화합물(불화물, 산화물 등), 알칼리 토금속 화합물 등이 있으며, 구체적으로는 LiF, Li2O, BaO, SrO, BaF2, SrF2 등을 들 수 있다.
본 발명의 유기 전기발광 소자는 온도 및 습도 분위기 등에 대한 안정성 및 수명의 향상을 위해, 소자 표면에 보호층을 형성시키거나, 실리콘 오일 또는 수지 등으로 소자 전체를 피복하여 보호할 수 있다.
유기 전기발광 소자의 각층은 진공 증착, 스퍼터링, 플라즈마, 이온 도금 등의 건식 성막법 또는 방사 피복, 침지 피복, 유동 피복 등의 습식 성막법 중 임의의 방법을 적용하여 형성시킬 수 있다. 막 두께는 특별히 한정되지 않으나, 적절한 막 두께를 설정할 필요가 있다. 막 두께가 너무 두꺼우면, 일정한 광 출력을 얻기 위해 높은 인가전압이 필요하여 효율이 나빠진다. 막 두께가 너무 얇으면, 핀 홀(pin hole) 등이 발생하여, 전기장을 인가하여도 충분한 발광 휘도가 얻어지지 않는다. 통상적인 막 두께는 5 nm 내지 10 ㎛의 범위가 바람직하나, 10 nm 내지 0.2 ㎛의 범위가 더욱 바람직하다. 습식 성막법의 경우, 각 층을 형성하는 재료를 에탄올, 클로로포름, 테트라하이드로퓨란, 다이옥산 등의 적절한 용매에 용해 또는 분산시켜 박막을 형성하지만, 그 용매는 어떤 것이라도 좋다. 또한, 임의의 유기 박막층에 대해, 성막성 향상, 막의 핀 홀 방지 등을 위해 적절한 수지 또는 첨가제를 사용할 수 있다. 사용이 가능한 수지로서는, 폴리스티렌, 폴리카보네이트, 폴리아릴레이트, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리우레탄, 폴리설폰, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리메틸 아크릴레이트, 셀룰로즈 등의 절연성 수지 및 이들의 공중합체; 폴리-N-바이닐카바졸, 폴리실란 등의 광도전성 수지; 폴리티오펜, 폴리피롤 등의 도전성 수지를 들 수 있다. 또한, 첨가제로서는 산화방지제, 자외선 흡수제, 가소제 등을 들 수 있다.
본 발명의 화학식 1로 표시되는 화합물을 사용하는 유기 전기발광 소자는 비대칭성이라 결정화 정도가 낮아 소자를 구성하는 박막의 안정성이 높고 수명이 길며, 또한 치환체에 따라 색순도 및 발광 효율이 높고, 저전압구동이 가능하다. 따라서, 벽걸이 TV 등의 평판 디스플레이, 조명 또는 디스플레이의 배면광 등의 다양한 유기 전기발광 소자에 사용될 수 있다.
도 1은, 일반적 안트라센 화합물과 실시예 23의 3차원적 구조를 나타낸 것이다.
도 2는, 1,8-치환된 나프탈렌(실시예 95)이 1,4-치환된 나프탈렌 보다 3차원 입체 구조가 뒤틀려 있음을 나타내는 도면이다.
도 3은, 실시예 3의 흡광 및 발광 그래프를 나타낸 것이다.
도 4는, 실시예 3의 열특성 그래프를 나타낸 것이다.
도 5는, 실시예 3의 GC-mass 그래프를 나타낸 것이다.
도 6는, 실시예 3의 1H-NMR 그래프를 나타낸 것이다.
도 7는, 실시예 51의 흡광 및 발광 그래프를 나타낸 것이다.
도 8은, 실시예 51의 열특성 그래프를 나타낸 것이다.
도 9는, 실시예 51의 GC-mass 그래프를 나타낸 것이다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 보다 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
실시예 1
하기 제조방법으로 실시예 1의 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000081
단계 1) 중간체 1-1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 2,6-다이브로모나프탈렌(50 g, 170 mmol), 페닐보론산(23 g, 190 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(6.1 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 260 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 1-1을 75%(37 g)의 수율로 얻었다.
단계 2) 중간체 1-2의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 1-1(50 g, 180 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(121 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(36 mL, 210 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 1-2를 78%(34 g) 수율로 얻었다.
단계 3) 실시예 1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 1,8-다이브로모나프탈렌(10 g, 30 mmol), 중간체 1-2(20 g, 80 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(2 g, 1.7 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 70 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 실시예 1의 화합물을 70%(13 g)의 수율로 얻었다.
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : d 7.44~7.51(m, 6H), 7.56~7.67(m, 8H), 7.71~7.78(m, 8H), 7.88~7.95(m, 4H), 8.32~8.41(m, 2H)
실시예 2
상기 실시예 1과 동일한 방법으로 제조하되, 중간체 1-2 대신 1,6'-비나프틸-2'-일보론산(1,6'-binaphthyl-2'-ylboronic acid)을 사용하여 하기 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000082
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : d 7.28~7.32(t, 2H), 7.43~7.46(t, 2H), 7.57~7.71(m, 18H), 7.88~7.93(m, 4H), 8.40~8.46(m, 4H), 8.50~8.56(m, 2H)
실시예 3
하기 제조방법으로 실시예 3의 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000083
단계 1) 중간체 3-1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 1,8-다이브로모나프탈렌(50 g, 170 mmol), 페닐보론산(23 g, 190 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(6.1 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 260 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 3-1을 63%(31 g)의 수율로 얻었다.
단계 2) 중간체 3-2의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 9-브로모안트라센(50 g, 190 mmol), 페닐보론산(31 g, 250 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(6.7 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 291 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 3-2를 91%(45 g)의 수율로 얻었다.
단계 3) 중간체 3-3의 제조
디메틸포름아미드 500 mL에 중간체 3-2(50 g, 200 mmol)를 넣고 NBS(45 g, 260 mmol)를 넣은 후 상온에서 4시간 동안 교반 시켰다. 물 200 mL를 첨가하고 2시간 교반한 후 생성되어진 고체상의 물질을 필터하였다. 그 후 메탄올 100 mL로 세척하여 중간체 3-3을 95%(62 g)의 수율로 얻었다.
단계 4) 중간체 3-4의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 3-3(50 g, 150 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6M의 n-부틸리튬(103 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(31 mL, 180 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 3-4을 72%(32 g) 수율로 얻었다.
단계 5) 중간체 3-5의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 중간체 3-4(50 g, 170 mmol), 디브로모벤젠(44 g, 180 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(5.8 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 253 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 3-5를 67%(46g)의 수율로 얻었다.
단계 6) 중간체 3-6의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 3-5(50 g, 120 mmol)를 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(84 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(25 mL, 150 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 3-6을 74%(34 g) 수율로 얻었다.
단계 7) 실시예 3의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 중간체 3-1(10 g, 40 mmol), 중간체 3-6(16 g, 43 mmol), 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(1.2 g, 1.1 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 54 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 실시예 3을 64%(12 g)의 수율로 얻었다.
또한, 실시예 3의 흡광 및 발광 특성(도 3), 열특성(도 4), GC-mass(도 5) 및 1H-NMR(도 6)을 측정하였다.
실시예 4-38
상기 실시예 3과 동일한 방법을 사용하되, 중간체 3-6을 각각 하기 표 1 내지 9의 구조에 대응되는 중간체를 사용하여 실시예 4-38의 화합물을 제조하였다.
표 1
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
4
Figure PCTKR2012002322-appb-I000084
 δ 7.12~7.22(m, 6H), 7.25~7.31(m, 7H), 7.39~7.43(m, 2H), 7.46~7.54(m, 3H), 7.56~7.68(m, 7H), 7.69~7.71(t, 1H), 7.99~8.01(m, 3H), 8.02~8.05(d, 1H)
5
Figure PCTKR2012002322-appb-I000085
 δ 7.17~7.22(m, 4H), 7.27~7.51(m, 7H), 7.54~7.62(m, 7H), 7.64~7.80(m, 3H), 7.85~7.96(m, 5H), 7.98~8.01(m, 2H), 7.96~8.02(d, 2H)
6
Figure PCTKR2012002322-appb-I000086
 δ 7.18~7.22(m, 8H), 7.22~7.41(m, 7H), 7.54~7.67(m, 5H), 7.69~7.78(m, 4H), 7.81~7.92(m, 6H), 8.01~8.04(d, 2H)
7
Figure PCTKR2012002322-appb-I000087
 δ 7.11~7.22(m, 7H), 7.23~7.27(m, 10H), 7.34~7.36(m, 2H), 7.46~7.54(m, 3H), 7.54~7.66(m, 5H), 7.68~7.72(m, 2H), 7.98~8.02(m, 3H), 8.04~8.07(d, 2H)
표 2
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
8
Figure PCTKR2012002322-appb-I000088
 δ 7.21~7.25(m, 8H), 7.25~7.47(m, 7H), 7.58~7.63(m, 7H), 7.69~7.82(m, 3H), 7.88~7.94(m, 5H), 7.99~8.01(m, 2H), 8.03~8.06(d, 2H)
9
Figure PCTKR2012002322-appb-I000089
 δ 7.14~7.22(m, 2H), 7.25~7.31(m, 7H), 7.39~7.43(m, 6H), 7.46~7.54(m, 3H), 7.56~7.68(m, 6H), 7.69~7.71(m, 2H), 7.99~8.01(m, 2H), 8.02~8.05(d, 2H)
10
Figure PCTKR2012002322-appb-I000090
 δ 7.19~7.24(m, 2H), 7.32~7.44(m, 7H), 7.48~7.71(m, 11H), 7.75~7.83(m, 3H), 7.86~7.92(m, 7H), 8.04~8.08(d, 2H)
11
Figure PCTKR2012002322-appb-I000091
 δ 7.17~7.45(m, 9H), 7.49~7.66(m, 9H), 7.69~7.76(m, 3H), 7.83~7.99(m, 7H), 8.01~8.03(d, 2H), 8.07~8.10(d, 2H)
표 3
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
12
Figure PCTKR2012002322-appb-I000092
 δ 7.13~7.49(m, 13H), 7.51~7.68(m, 9H), 7.72~7.79(m, 5H), 7.86~7.94(m, 5H), 7.96~8.02(m, 2H), 8.08~8.11(d, 2H)
13
Figure PCTKR2012002322-appb-I000093
 δ 7.12~7.47(m, 13H), 7.51~7.68(m, 9H), 7.72~7.79(m, 3H), 7.86~7.94(m, 5H), 7.96~8.02(m, 2H), 8.03~8.06(d, 2H), 8.08~8.11(d, 2H)
14
Figure PCTKR2012002322-appb-I000094
 δ 7.12~7.24(m, 4H), 7.32~7.47(m, 8H), 7.51~7.68(m, 9H), 7.72~7.79(m, 3H), 7.86~7.94(m, 6H), 7.96~8.02(m, 2H), 8.08~8.11(d, 2H)
15
Figure PCTKR2012002322-appb-I000095
 δ 7.22~7.29(m, 3H), 7.31~7.37(m, 4H), 7.39~7.48(m, 5H), 7.51~7.67(m, 6H), 7.72~7.84(m, 5H), 7.86~7.92(m, 5H), 8.02~8.05(d, 2H)
16
Figure PCTKR2012002322-appb-I000096
 δ 7.22~7.29(m, 3H), 7.31~7.37(m, 4H), 7.39~7.48(m, 5H), 7.51~7.67(m, 7H), 7.72~7.84(m, 6H), 7.86~7.92(m, 5H), 8.02~8.05(d, 2H)
표 4
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
17
Figure PCTKR2012002322-appb-I000097
 δ 7.31~7.48(m, 7H), 7.53~7.65(m, 9H), 7.72~7.82(m, 5H), 7.85~7.92(m, 7H), 7.95~8.01(m, 2H), 8.02~8.05(d, 2H)
18
Figure PCTKR2012002322-appb-I000098
 δ 7.16~7.25(m, 4H), 7.30~7.43(m, 8H), 7.51~7.66(m, 10H), 7.75~7.84(m, 6H), 7.86~7.92(m, 6H), 8.02~8.05(d, 2H)
19
Figure PCTKR2012002322-appb-I000099
 δ 7.18~7.28(m, 4H), 7.34~7.48(m, 7H), 7.57~7.68(m, 9H), 7.72~7.84(m, 5H), 7.86~7.92(m, 7H), 7.99~8.01(m, 2H), 8.02~8.05(d, 2H)
표 5
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
20
Figure PCTKR2012002322-appb-I000100
 δ 7.18~7.24(m, 4H), 7.30~7.44(m, 6H), 7.48~7.52(m, 5H), 7.55~7.67(m, 7H), 7.75~7.84(m, 6H), 7.86~7.92(m, 4H), 8.01~8.04(m, 2H)
21
Figure PCTKR2012002322-appb-I000101
 δ 7.13~7.26(m, 2H), 7.33~7.42(m, 2H), 7.48~7.57(m, 5H), 7.64~7.79(m, 7H), 7.82~7.94(m, 6H), 8.03~8.09(m, 2H)
22
Figure PCTKR2012002322-appb-I000102
 δ 7.13~7.26(m, 2H), 7.33~7.46(m, 3H), 7.51~7.62(m, 6H), 7.69~7.82(m, 7H), 7.84~7.96(m, 6H), 8.03~8.09(m, 2H)
23
Figure PCTKR2012002322-appb-I000103
 δ 7.18~7.27(m, 2H), 7.35~7.45(m, 4H), 7.53~7.65(m, 7H), 7.75~7.83(m, 4H), 7.84~7.90(m, 5H), 7.94~8.02(m, 2H), 8.04~8.10(m, 2H)
24
Figure PCTKR2012002322-appb-I000104
 δ 7.13~7.26(m, 4H), 7.33~7.46(m, 5H), 7.51~7.62(m, 6H), 7.69~7.82(m, 7H), 7.84~7.96(m, 6H), 8.03~8.09(m, 2H)
표 6
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
25
Figure PCTKR2012002322-appb-I000105
 δ 7.15~7.27(m, 4H), 7.34~7.48(m, 6H), 7.56~7.65(m, 7H), 7.72~7.81(m, 4H), 7.87~7.92(m, 5H), 7.96~8.04(m, 2H), 8.07~8.12(m, 2H)
26
Figure PCTKR2012002322-appb-I000106
 δ 7.18~7.27(m, 4H), 7.39~7.56(m, 10H), 7.61~7.66(m, 4H), 7.75~7.81(m, 4H), 7.84~7.91(m, 4H), 8.04~8.10(m, 2H)
27
Figure PCTKR2012002322-appb-I000107
 δ 7.31~7.43(m, 4H), 7.45~7.57(m, 7H), 7.59~7.73(m, 6H), 7.75~7.83(m, 5H), 7.91~7.97(m, 2H), 8.02~8.10(m, 2H), 8.14~8.20(m, 2H)
표 7
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
28
Figure PCTKR2012002322-appb-I000108
 δ 7.27~7.42(m, 4H),7.50~7.64(m, 6H), 7.67~7.76(m, 9H), 7.77~7.82(m, 4H), 7.87~7.98(m, 5H), 8.13~8.20(m, 2H)
29
Figure PCTKR2012002322-appb-I000109
 δ 7.30~7.44(m, 4H),7.50~7.63(m, 7H), 7.69~7.80(m, 10H), 7.85~7.97(m, 5H), 8.03~8.09(m, 2H), 8.17~8.23(m, 2H)
30
Figure PCTKR2012002322-appb-I000110
 δ 7.19~7.26(m, 4H), 7.33~7.48(m, 8H), 7.54~7.83(m, 15H), 7.84~7.95(m, 5H), 8.19~8.24(m, 2H)
31
Figure PCTKR2012002322-appb-I000111
 δ 7.18~7.25(m, 4H), 7.37~7.51(m, 8H), 7.57~7.82(m, 13H), 7.86~7.97(m, 5H), 8.04~8.11(m, 2H), 8.19~8.24(m, 2H)
32
Figure PCTKR2012002322-appb-I000112
 δ 7.20~7.26(m, 4H), 7.37~7.53(m, 11H), 7.59~7.77(m, 7H), 7.78~7.85(m, 4H), 7.89~7.93(m, 2H), 8.03~8.11(m, 2H), 8.18~8.22(m, 2H)
표 8
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
33
Figure PCTKR2012002322-appb-I000113
 δ 7.32~7.46(m, 6H), 7.58~7.65(m, 4H), 7.71~7.86(m, 6H), 7.93~8.02(m, 2H), 8.23~8.34(m, 4H), 8.57~8.66(m, 2H)
34
Figure PCTKR2012002322-appb-I000114
 δ 7.27~7.38(m, 3H), 7.48~7.70(m, 8H), 7.70~7.82(m, 6H), 7.87~7.96(m, 3H), 8.20~8.32(m, 4H), 8.53~8.64(m, 2H)
35
Figure PCTKR2012002322-appb-I000115
 δ 7.32~7.42(m, 3H), 7.61~7.83(m, 12H), 7.87~7.93(m, 2H), 7.94~8.06(m, 3H), 8.22~8.33(m, 4H), 8.57~8.67(m, 2H)
표 9
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
36
Figure PCTKR2012002322-appb-I000116
 δ 7.18~7.23(m, 4H), 7.33~7.41(m, 3H), 7.53~7.74(m, 8H), 7.76~7.82(m, 6H), 7.89~8.00(m, 3H), 8.22~8.33(m, 4H), 8.58~8.67(m, 2H)
37
Figure PCTKR2012002322-appb-I000117
 δ 7.20~7.26(m, 4H), 7.37~7.45(m, 3H), 7.56~7.79(m, 12H), 7.85~7.91(m, 2H), 7.94~8.04(m, 3H), 8.24~8.36(m, 4H), 8.62~8.71(m, 2H)
38
Figure PCTKR2012002322-appb-I000118
 δ 7.22~7.28(m, 4H), 7.39~7.49(m, 6H), 7.58~7.65(m, 4H), 7.74~7.88(m, 6H), 7.94~8.04(m, 2H), 8.27~8.37(m, 4H), 8.60~8.70(m, 2H)
실시예 39
하기 제조방법으로 실시예 39의 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000119
단계 1) 중간체 39-1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 1,6-디브로모파이렌(50 g, 140 mmol), 페닐보론산(19 g, 150 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(4.8 g, 4.2 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 208 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 39-1을 69%(34 g)의 수율로 얻었다.
단계 2) 중간체 39-2의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 39-1(50 g, 140 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(96 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(29 mL, 170 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 39-2를 75%(34 g) 수율로 얻었다.
단계 3) 실시예 39의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 실시예 3의 중간체 3-1(10 g, 35 mmol), 중간체 39-2(14 g, 42 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(1.2 g, 1.1 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 54 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 실시예 39를 58%(11 g)의 수율로 얻었다.
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : δ 7.31~7.44(m, 6H), 7.49~7.60(m, 5H), 7.63~7.80(m, 7H), 7.84~7.95(m, 4H), 8.20~8.30(m, 2H)
실시예 40-48
상기 실시예 3과 동일한 방법을 사용하되, 중간체 3-1 및 3-6을 각각 하기 표 10 및 11의 구조에 대응되는 중간체를 사용하여 실시예 40-48의 화합물을 제조하였다.
표 10
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
40
Figure PCTKR2012002322-appb-I000120
 δ 7.31~7.39(m, 3H), 7.45~7.68(m, 8H), 7.72~7.85(m, 6H), 7.88~8.05(m, 5H), 8.20~8.29(m, 2H)
41
Figure PCTKR2012002322-appb-I000121
 δ 7.32~7.44(m, 4H), 7.47~7.58(m, 5H), 7.62~7.80(m, 8H), 7.85~7.97(m, 5H), 8.04~8.16(m, 2H), 8.18~8.26(m, 2H)
42
Figure PCTKR2012002322-appb-I000122
 δ 7.21~7.30(m, 4H), 7.34~7.44(m, 2H), 7.45~7.56(m, 7H), 7.61~7.84(m, 10H), 7.88~8.03(m, 5H), 8.18~8.27(m, 2H)
43
Figure PCTKR2012002322-appb-I000123
 δ 7.18~7.28(m, 4H), 7.32~7.44(m, 3H), 7.47~7.58(m, 6H), 7.64~7.82(m, 8H), 7.86~7.99(m, 5H), 8.02~8.18(m, 2H), 8.20~8.30(m, 2H)
44
Figure PCTKR2012002322-appb-I000124
 δ 7.22~7.31(m, 4H), 7.35~7.47(m, 6H), 7.53~7.78(m, 12H), 7.82~7.96(m, 4H), 8.22~8.33(m, 2H)
표 11
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
45
Figure PCTKR2012002322-appb-I000125
 δ 7.24~7.49(m, 11H), 7.54~7.73(m, 11H), 7.85~7.94(m, 4H), 8.19~8.29(m, 3H), 8.41~8.51(m, 3H)
46
Figure PCTKR2012002322-appb-I000126
 δ 7.26~7.46(m, 8H), 7.58~7.78(m, 13H), 7.83~7.93(m, 5H), 8.04~8.15(m, 2H), 8.22~8.33(m, 3H), 8.42~8.51(m, 3H)
47
Figure PCTKR2012002322-appb-I000127
 δ 7.23~7.45(m, 9H), 7.56~7.77(m, 9H), 7.88~7.95(m, 4H), 8.27~8.39(m, 4H)
48
Figure PCTKR2012002322-appb-I000128
 δ 7.27~7.48(m, 6H), 7.54~7.72(m, 11H), 7.86~7.95(m, 5H), 8.01~8.13(m, 2H), 8.25~8.38(m, 4H)
실시예 49
하기 제조방법으로 실시예 49의 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000129
단계 1) 중간체 49-1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 2,6-다이브로모나프탈렌(50 g, 170 mmol), 페닐보론산(23 g, 190 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(6.1 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 260 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 49-1을 75%(37 g)의 수율로 얻었다.
단계 2) 중간체 49-2의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 49-1(50 g, 180 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(121 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(36 mL, 210 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 49-2를 78%(34 g) 수율로 얻었다.
단계 3) 중간체 49-3의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 1,8-다이브로모나프탈렌(10 g, 30 mmol), 중간체 49-2(20 g, 80 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(2 g, 1.7 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 70mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 49-3을 70%(13 g)의 수율로 얻었다.
단계 4) 중간체 49-4의 제조
클로로포름 1000 mL에 중간체 49-3(50g, 94 mmol)를 녹인 후 브로민(16 g, 103 mmol)을 천천히 적하시킨다. 상온에서 6시간 반응 후 가성소다 수용액을 넣어 중화시킨다. 유기층을 층분리한 후 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 톨루엔으로 재결정하여 중간체 49-4를 91%(52 g)의 수율로 얻었다.
단계 5) 실시예 49의 제조
테트라하이드로퓨란 150 mL에 중간체 49-4(10 g, 16 mmol), 중간체 49-2(5.3 g, 21 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(0.6 g, 0.5 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 25 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 실시예 1의 화합물을 70%(7 g)의 수율로 얻었다.
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : δ 7.35~7.53(m, 10H), 7.56~7.62(m, 8H), 7.71~7.83(m, 12H), 7.90~7.96(m, 6H), 8.35~8.47(m, 2H)
실시예 50
상기 실시예 49와 동일한 방법으로 제조하되, 중간체 49-2 대신 1,6'-비나프틸-2'-일보론산(1,6'-binaphthyl-2'-ylboronic acid)을 사용하여 하기 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000130
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : δ 7.31~7.50(m, 8H), 7.54~7.77(m, 13H), 7.68~7.80(m, 9H), 7.88~7.95(m, 6H), 8.36~8.45(m, 3H), 8.51~8.57(m, 3H)
실시예 51
하기 제조방법으로 실시예 51의 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000131
단계 1) 중간체 51-1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 1,8-다이브로모나프탈렌(50 g, 170 mmol), 페닐보론산(49 g, 400 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(10.1 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 350 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 51-1을 71%(35 g)의 수율로 얻었다.
단계 2) 중간체 51-2의 제조
클로로포름 1000 mL에 중간체 51-1을 녹인 후 브로민 (31.35 g, 196 mmol)을 천천히 적하 시킨다. 상온에서 4시간 반응 후 가성소다 수용액을 넣어 중화 시킨다. 유기층을 층분리한 후 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 톨루엔으로 재결정하여 중간체 51-2를 81%(52 g)의 수율로 얻었다.
단계 3) 중간체 51-3의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 9-브로모안트라센(50 g, 190 mmol), 페닐보론산(31 g, 250 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(6.7 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 291 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 51-3을 91%(45 g)의 수율로 얻었다.
단계 4) 중간체 51-4의 제조
디메틸포름아미드 500 mL에 중간체 51-3(50 g, 200 mmol)를 넣고 NBS (45 g, 260mmol)를 넣은 후 상온에서 4시간 동안 교반 시켰다. 물 200 mL를 첨가하고 2시간 교반한 후 생성되어진 고체상의 물질을 필터하였다. 그 후 메탄올 100mL로 세척하여 중간체 51-4를 95%(62 g)의 수율로 얻었다.
단계 5) 중간체 51-5의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 51-4(50 g, 150 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(103 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(31 mL, 180 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 51-5를 72%(32 g) 수율로 얻었다.
단계 6) 중간체 51-6의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 중간체 51-5(50 g, 170 mmol), 디브로모벤젠(44 g, 180 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(5.8 g, 10 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 253 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 51-6을 67%(46g)의 수율로 얻었다.
단계 7) 중간체 51-7의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 51-6(50 g, 120 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(84 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(25 mL, 150 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 51-7을 74%(34 g) 수율로 얻었다.
단계 8) 실시예 51의 제조
테트라하이드로퓨란 200 mL에 중간체 51-2(10 g, 16 mmol), 중간체 51-7(8 g, 21 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(1.2 g, 1.1 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 25 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 실시예 51의 화합물을 60%(6 g)의 수율로 얻었다.
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : δ 7.31~7.52(m, 14H), 7.56~7.60(m, 2H), 7.68~7.80(m, 6H), 7.82~7.92(m, 4H), 8.35~8.40(m, 2H)
실시예 52-86
상기 실시예 51과 동일한 방법을 사용하되, 중간체 51-7을 각각 하기 표 12 내지 19의 구조에 대응되는 중간체를 사용하여 실시예 52-85의 화합물을 제조하였다.
표 12
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
52
Figure PCTKR2012002322-appb-I000132
 δ 7.24~7.56(m, 11H), 7.59~7.71(m, 7H), 7.74~7.80(m, 4H), 7.85~7.91(m, 4H), 8.28~8.32(m, 2H), 8.35~8.41(m, 2H)
53
Figure PCTKR2012002322-appb-I000133
 δ 7.31~7.51(m, 9H), 7.53~7.64(m, 7H), 7.72~7.84(m, 6H), 7.86~7.92(m, 4H), 7.98~8.04(m, 2H), 8.35~8.41(m, 2H)
54
Figure PCTKR2012002322-appb-I000134
 δ 7.19~7.50(m, 17H), 7.60~7.69(m, 5H), 7.76~7.82(m, 4H), 7.88~7.93(m, 4H), 8.30~8.34(m, 2H), 8.36~8.41(m, 2H)
55
Figure PCTKR2012002322-appb-I000135
 δ 7.20~7.26(m, 4H), 7.34~7.48(m, 11H), 7.54~7.62(m, 5H), 7.70~7.81(m, 5H), 7.85~7.93(m, 5H), 7.99~8.03(m, 2H), 8.35~8.40(m, 2H)
표 13
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
56
Figure PCTKR2012002322-appb-I000136
 δ 7.22~7.27(m, 4H), 7.38~7.51(m, 14H), 7.58~7.61(m, 2H), 7.72~7.83(m, 6H), 7.86~7.93(m, 4H), 8.37~8.41(m, 2H)
57
Figure PCTKR2012002322-appb-I000137
 δ 7.24~7.53(m, 17H), 7.59~7.70(m, 5H), 7.72~7.81(m, 3H), 7.83~7.94(m, 5H), 8.35~8.44(m, 4H)
58
Figure PCTKR2012002322-appb-I000138
 δ 7.22~7.25(m, 4H), 7.33~7.45(m, 9H), 7.47~7.60(m, 7H), 7.65~7.78(m, 5H), 7.84~7.92(m, 5H), 8.01~8.04(m, 2H), 8.34~8.40(m, 2H)
표 14
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
59
Figure PCTKR2012002322-appb-I000139
 δ 7.23~7.50(m, 21H), 7.60~7.71(m, 5H), 7.69~7.81(m, 4H), 7.85~7.93(m, 4H), 8.35~8.44(m, 4H)
60
Figure PCTKR2012002322-appb-I000140
 δ 7.23~7.27(m, 8H), 7.36~7.49(m, 11H), 7.54~7.62(m, 5H), 7.69~7.81(m, 5H), 7.85~7.93(m, 5H), 7.99~8.03(m, 2H), 8.35~8.40(m, 2H)
61
Figure PCTKR2012002322-appb-I000141
 δ 7.22~7.27(m, 8H), 7.36~7.52(m, 14H), 7.56~7.62(m, 2H), 7.71~7.83(m, 6H), 7.86~7.94(m, 4H), 8.35~8.40(m, 2H)
62
Figure PCTKR2012002322-appb-I000142
 δ 7.21~7.56(m, 16H), 7.59~7.65(m, 4H), 7.69~7.81(m, 6H), 7.85~7.92(m, 4H), 8.37~8.52(m, 4H)
63
Figure PCTKR2012002322-appb-I000143
 δ 7.21~7.34(m, 6H), 7.36~7.51(m, 9H), δ 7.56~7.64(m, 7H), 7.72~7.83(m, 4H), 7.87~7.91(m, 4H), 8.31~8.46(m, 6H)
64
Figure PCTKR2012002322-appb-I000144
 δ 7.19~7.32(m, 6H), 7.34~7.50(m, 7H), 7.54~7.63(m, 7H), 7.71~7.83(m, 5H), 7.85~7.93(m, 5H), 7.98~8.03(m, 2H), 8.35~8.51(m, 4H)
표 15
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
65
Figure PCTKR2012002322-appb-I000145
 δ 7.20~7.54(m, 19H), 7.58~7.68(m, 7H), 7.75~7.85(m, 4H), 7.88~7.92(m, 4H), 8.32~8.46(m, 6H)
66
Figure PCTKR2012002322-appb-I000146
 δ 7.21~7.52(m, 17H), 7.56~7.65(m, 7H), 7.70~7.83(m, 5H), 7.86~7.94(m, 5H), 7.99~8.03(m, 2H), 8.35~8.51(m, 4H)
67
Figure PCTKR2012002322-appb-I000147
 δ 7.20~7.55(m, 20H), 7.58~7.64(m, 4H), 7.68~7.81(m, 6H), 7.85~7.92(m, 4H), 8.37~8.52(m, 4H)
68
Figure PCTKR2012002322-appb-I000148
 δ 7.23~7.26(m, 2H), 7.34~7.57(m, 12H), 7.60~7.68(m, 4H), 7.72~7.85(m, 8H), 7.88~7.96(m, 6H), 8.37~8.49(m, 2H)
표 16
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
69
Figure PCTKR2012002322-appb-I000149
 δ 7.32~7.52(m, 13H), 7.58~7.82(m, 13H), 7.86~7.94(m, 6H), 8.37~8.52(m, 4H)
70
Figure PCTKR2012002322-appb-I000150
 δ 7.36~7.52(m, 11H), 7.56~7.66(m, 7H), 7.71~7.82(m, 7H), 7.84~7.92(m, 7H), 8.00~8.04(m, 2H), 8.40~8.51(m, 2H)
71
Figure PCTKR2012002322-appb-I000151
 δ 7.21~7.54(m, 17H), 7.58~7.82(m, 13H), 7.86~7.94(m, 6H), 8.37~8.52(m, 4H)
72
Figure PCTKR2012002322-appb-I000152
 δ 7.24~7.27(m, 4H), 7.35~7.52(m, 11H), 7.56~7.65(m, 7H), 7.70~7.83(m, 7H), 7.86~7.94(m, 7H), 7.99~8.03(m, 2H), 8.40~8.51(m, 2H)
73
Figure PCTKR2012002322-appb-I000153
 δ 7.23~7.26(m, 4H), 7.34~7.55(m, 14H), 7.58~7.65(m, 4H), 7.71~7.85(m, 8H), 7.87~7.96(m, 6H), 8.38~8.49(m, 2H)
표 17
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
74
Figure PCTKR2012002322-appb-I000154
 δ 7.21~7.31(m, 5H), 7.37~7.57(m, 8H), 7.61~7.73(m, 7H), 7.76~7.81(m, 4H), 7.85~7.94(m, 3H), 8.12~8.14(s, 1H), 8.41~8.52(m, 4H)
75
Figure PCTKR2012002322-appb-I000155
 δ 7.23~7.32(m, 5H), 7.34~7.55(m, 9H), 7.58~7.69(m, 8H), 7.76~7.81(m, 4H), 7.86~7.97(m, 3H), 8.11~8.13(s, 1H), 8.40~8.52(m, 4H)
76
Figure PCTKR2012002322-appb-I000156
 δ 7.32~7.56(m, 12H), 7.58~7.66(m, 8H), 7.70~7.82(m, 5H), 7.88~8.04(m, 5H), 8.08~8.15(m, 2H), 8.42~8.51(m, 2H)
77
Figure PCTKR2012002322-appb-I000157
 δ 7.23~7.54(m, 18H), 7.58~7.69(m, 8H), 7.76~7.81(m, 4H), 7.86~7.97(m, 3H), 8.11~8.13(s, 1H), 8.40~8.52(m, 4H)
표 18
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
78
Figure PCTKR2012002322-appb-I000158
 δ 7.22~7.26(m, 4H), 7.35~7.56(m, 12H), 7.58~7.66(m, 8H), 7.70~7.82(m, 5H), 7.88~8.04(m, 5H), 8.08~8.15(m, 2H), 8.42~8.51(m, 2H)
79
Figure PCTKR2012002322-appb-I000159
 δ 7.23~7.26(m, 4H), 7.34~7.56(m, 15H), 7.58~7.67(m, 5H), 7.71~7.84(m, 6H), 7.88~7.96(m, 4H), 8.41~8.50(m, 2H)
80
Figure PCTKR2012002322-appb-I000160
 δ 7.32~7.49(m, 10H), 7.54~7.60(m, 2H), 7.70~7.81(m, 8H), 7.97~8.10(m, 2H), 8.32~8.48(m, 4H), 8.76~8.91(m, 2H)
81
Figure PCTKR2012002322-appb-I000161
 δ 7.26~7.50(m, 9H), 7.59~7.83(m, 11H), 7.95~8.01(m, 2H), 8.29~8.47(s, 6H), 8.76~8.90(m, 2H)
표 19
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
82
Figure PCTKR2012002322-appb-I000162
 δ 7.30~7.48(m, 7H), 7.54~7.62(m, 5H), 7.67~7.82(m, 7H), 7.95~8.15(m, 5H), 8.34~8.49(m, 4H), 8.76~8.91(m, 2H)
83
Figure PCTKR2012002322-appb-I000163
 δ 7.22~7.51(m, 13H), 7.58~7.82(m, 11H), 7.96~8.01(m, 2H), 8.31~8.50(s, 6H), 8.78~8.91(m, 2H)
84
Figure PCTKR2012002322-appb-I000164
 δ 7.23~7.26(m, 4H), 7.32~7.50(m, 7H), 7.56~7.64(m, 5H), 7.69~7.83(m, 7H), 7.94~8.14(m, 5H), 8.34~8.49(m, 4H), 8.76~8.91(m, 2H)
85
Figure PCTKR2012002322-appb-I000165
 δ 7.23~7.26(m, 4H), 7.34~7.51(m, 10H), 7.57~7.62(m, 2H), 7.73~7.82(m, 8H), 7.99~8.11(m, 2H), 8.33~8.49(m, 4H), 8.76~8.91(m, 2H)
실시예 86
하기 제조방법으로 실시예 86의 화합물을 제조하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000166
단계 1) 중간체 86-1의 제조
테트라하이드로퓨란 500 mL에 1,6-디브로모파이렌(50 g, 140 mmol), 페닐보론산(19 g, 150 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(4.8 g, 4.2 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 208 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 중간체 86-1을 69%(34 g)의 수율로 얻었다.
단계 2) 중간체 86-2의 제조
테트라하이드로퓨란 1000 mL에 아르곤 분위기 하에서 중간체 86-1(50 g, 140 mmol)을 용해시키고 -78℃에서 1.6 M의 n-부틸리튬(96 mL)을 첨가한 다음, 약 1시간 동안 교반하였다. 트라이에틸보레이트(29 mL, 170 mmol)를 같은 온도에서 천천히 적하한 후 2시간 동안 교반한 다음 상온에서 12시간 동안 교반하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출한 후 유기층을 무수 황산마그네슘을 이용하여 건조한 다음 다이클로로메탄 컬럼을 통해 중간체 86-2를 75%(34 g) 수율로 얻었다.
단계 3) 실시예 86의 제조
테트라하이드로퓨란 200 mL에 실시예 3의 중간체 86-2(10 g, 16 mmol), 중간체 38-2(6.9 g, 21 mmol) 및 테트라키스(트라이페닐포스핀)팔라듐(0)(0.6 g, 0.5 mmol)을 용해시킨 후 2-노르말의 탄산칼륨 수용액 25 mL를 첨가하고 24시간 동안 환류반응 하였다. 반응 종료 후 아세트산에틸로 추출 후 유기층을 무수황산 마그네슘을 이용하여 건조한 다음 헥산 컬럼을 통해 정제하여 실시예 86의 화합물을 66%(6 g)의 수율로 얻었다.
1H-NMR(200 MHz, CDCl3) : δ 7.34~7.47(m, 6H), 7.48~7.54(m, 4H), 7.56~7.61(m, 2H), 7.67~7.85(m, 10H), 7.95~8.14(m, 4H), 8.33~8.45(m, 2H)
실시예 87-95
상기 실시예 86과 동일한 방법을 사용하되, 중간체 51-2 및 86-2를 각각 하기 표 20 및 21의 구조에 대응되는 중간체를 사용하여 실시예 87-95의 화합물을 제조하였다.
표 20
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
87
Figure PCTKR2012002322-appb-I000167
 δ 7.31~7.51(m, 9H), 7.58~7.82(m, 13H), 7.89~7.94(m, 2H), 7.98~8.08(m, 2H), 8.31~8.46(m, 4H)
88
Figure PCTKR2012002322-appb-I000168
 δ 7.33~7.52(m, 8H), 7.56~7.63(m, 4H), 7.67~7.83(m, 9H), 7.92~8.13(m, 7H), 8.31~8.45(m, 2H)
89
Figure PCTKR2012002322-appb-I000169
 δ 7.23~7.52(m, 13H), 7.58~7.82(m, 13H), 7.89~7.93(m, 2H), 7.97~8.06(m, 2H), 8.32~8.46(m, 4H)
90
Figure PCTKR2012002322-appb-I000170
 δ 7.23~7.26(m, 4H), 7.34~7.50(m, 7H), 7.54~7.62(m, 5H), 7.68~7.82(m, 9H), 7.94~8.14(m, 7H), 8.31~8.45(m, 2H)
91
Figure PCTKR2012002322-appb-I000171
 δ 7.22~7.27(m, 4H), 7.36~7.52(m, 10H), 7.57~7.62(m, 2H), 7.69~7.84(m, 10H), 7.94~8.14(m, 4H), 8.32~8.45(m, 2H)
표 21
실시예번호 화학구조 1H NMR (CDCl3, 200 MHz)
92
Figure PCTKR2012002322-appb-I000172
 δ 7.30~7.52(m, 12H), 7.57~7.71(m, 13H), 7.87~7.94(m, 5H), 7.99~8.07(m, 2H), 8.37~8.43(m, 2H), 8.46~8.57(m, 4H)
93
Figure PCTKR2012002322-appb-I000173
 δ 7.32~7.50(m, 12H), 7.57~7.81(m, 13H), 7.89~7.93(m, 5H), 7.99~8.06(m, 2H), 8.40~8.52(m, 6H)
94
Figure PCTKR2012002322-appb-I000174
 δ 7.30~7.51(m, 10H), 7.55~7.79(m, 11H), 7.89~7.93(m, 5H), 7.99~8.06(m, 2H), 8.40~8.52(m, 4H)
95
Figure PCTKR2012002322-appb-I000175
 δ 7.32~7.50(m, 10H), 7.57~7.81(m, 11H), 7.87~7.92(m, 5H), 7.99~8.06(m, 2H), 8.41~8.53(m, 4H)
실험예: 유기 전기발광 소자 제조
실험예 1) 실시예 3을 사용한 유기 전기발광 소자 제조
박막두께가 100 nm인 ITO(인듐 주석 산화물) 투명 전극을 40 mm × 40 mm × 0.7 mm 크기로 재단한 기판을 세제가 용해된 증류수 속에서 10 분 동안 초음파로 세정하고, 증류수에서 10 분 동안 2 회 반복 세정하였다.
증류수 세정이 끝나면 아이소프로필알코올, 아세톤, 메탄올 등의 용제를 순차적으로 초음파 세척하고 건조시켰다. 습식세정 후 산소/아르곤 플라즈마를 이용하여 건식세정을 거친 다음 투명 전극 라인을 갖는 유리 기판을 진공 증착 장치의 기판 홀더에 장착하여, 우선 투명 전극 라인이 형성되어 있는 측의 면상에, 상기 투명 전극을 덮도록 막 두께 60 nm의 N,N'-다이페닐-N,N'-비스-[4-(페닐-m-톨릴아미노)페닐]-바이페닐-4,4'-다이아민 막(이하, DNTPD 막)을 성막하였다. 상기 DNTPD 막은, 정공 주입층으로서 기능을 한다. 다음에, DNTPD 막상에 막 두께 30 nm의 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐 막(이하, NPB 막)을 성막하였다. 이 NPB 막은 정공 수송층으로서 기능을 한다.
다음으로, NPB 막상에 막 두께 30 nm의 실시예 3의 화합물과 하기의 구조식을 가지는 화합물을 100대 5의 중량비율로 동시에 성막하여 30 nm의 발광층 막을 형성하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000176
실시예 3의 화합물은 발광층의 호스트 역할을 하며, 상기 구조식을 가지는 화합물은 발광층의 도판트 역할을 한다. 상기 막상에 막 두께 20 nm의 트리스(8-퀴놀리놀)알루미늄 막(이하, Alq 막)을 성막하였다. 이 Alq 막은, 전자 수송층으로서 기능한다.
다음으로, LiF을 증착시켜 전자 주입층 막을 형성했다. 이 LiF 막상에 금속 알루미늄을 증착시켜 금속 음극을 형성하여 유기 전기발광 소자를 제조하였다. 상기와 같이 제작된 유기 전기발광 소자에 7V의 전압으로 측정한 결과 전류밀도가 77.7 mA/cm2이었으며, 이때 1931 CIE 색좌표 기준으로 x=0.148, y=0.141에 해당하는 3,599 cd/m2 밝기의 스펙트럼이 관찰되었다. 이 소자의 발광효율은 7V에서 4.93 cd/A로 측정되었으며, 이를 환산효율(발광효율/y)로 계산한 결과 35.0으로 나타났다.
실험예 2) 실시예 5를 사용한 유기 전기발광 소자 제조
실시예 3의 화합물을 대신하여 실시예 5의 화합물을 발광 물질로서 사용하는 것을 제외하고 유기 전기발광 소자를 실험예 1과 동일한 방식으로 제작하였다. 상기와 같이 제작된 유기 전기발광 소자에 7V의 전압으로 측정한 결과 전류밀도가 82.5 mA/cm2이었으며, 이때 1931 CIE 색좌표 기준으로 x=0.146, y=0.142에 해당하는 4,197 cd/m2 밝기의 스펙트럼이 관찰되었다. 이 소자의 발광효율은 7V에서 5.39 cd/A로 측정되었으며, 이를 환산효율(발광효율/y)로 계산한 결과 38.0으로 나타났다.
실험예 3) 실시예 6, 7, 8, 23 및 39를 사용한 유기 전기발광 소자 제조
실시예 3의 화합물을 대신하여 각각 실시예 6, 7, 8, 23 및 39를 발광 물질로서 사용하는 것을 제외하고 유기 전기발광 소자를 실험예 1과 동일한 방식으로 제작하여, 그 결과를 측정하였다.
실험예 4) 실시예 51, 52, 53, 54, 57, 59, 64 및 88을 사용한 유기 전기발광 소자 제조
실시예 3의 화합물을 대신하여 각각 실시예 51, 52, 53, 54, 57, 59, 64 및 88을 발광 물질로서 사용하는 것을 제외하고 유기 전기발광 소자를 실험예 1과 동일한 방식으로 제작하여, 그 결과를 측정하였다.
실험예 5) 화합물 AN을 사용한 유기 전기발광 소자 제조
실시예 3의 화합물을 대신하여 하기 하기의 구조식을 가지는 화합물 AN을 발광 물질로서 사용하는 것을 제외하고 유기 전기발광 소자를 실험예 1과 동일한 방식으로 제작하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000177
상기와 같이 제작된 유기 전기발광 소자에 7V의 전압으로 측정한 결과 전류밀도가 75.3 mA/cm2이었으며, 이때 1931 CIE 색좌표 기준으로 x=0.151, y=0.142에 해당하는 3,121 cd/m2 밝기의 스펙트럼이 관찰되었다. 이 소자의 발광효율은 7V에서 4.87 cd/A로 측정되었으며, 이를 환산효율(발광효율/y)로 계산한 결과 34.3으로 나타났다.
실험예 6) 화합물 ADN을 사용한 유기 전기발광 소자 제조
실험예 5에서 사용된 화합물 AN을 대신하여 하기의 구조식을 가지는 화합물 ADN을 발광 물질로서 사용하는 것을 제외하고 유기 전기발광 소자를 실험예 1과 동일한 방식으로 제작하였다.
Figure PCTKR2012002322-appb-I000178
상기와 같이 제작된 유기 전기발광 소자에 7V의 전압으로 측정한 결과 전류밀도가 80.5 mA/cm2이었으며, 이때 1931 CIE 색좌표 기준으로 x=0.143, y=0.145에 해당하는 2,964 cd/m2 밝기의 스펙트럼이 관찰되었다. 이 소자의 발광효율은 7V에서 4.80 cd/A로 측정되었으며, 이를 환산효율(발광효율/y)로 계산한 결과 33.1로 나타났다.
이상의 결과를 정리하면, 하기 표 12 및 13과 같다. 하기 표 22에서 수명은 가속수명(1000nit)에서 AN을 100기준으로 % 비율로 나타낸 것이고, 하기 표 23에서 수명은 가속수명(1000nit)에서 ADN을 100기준으로 % 비율로 나타낸 것이다.
표 22
호스트물질 도판트물질 전기발광(nm)(EL) 발광효율(cd/A)@ 7V 환산효율(발광효율/CIEy) 색좌표 @ 7V 수명1000cd/m2
CIEx CIEy
실시예 3 BD 461 4.93 35.0 0.148 0.141 93%
실시예 4 462 5.39 38.0 0.146 0.142 113%
실시예 6 461 5.22 36.0 0.147 0.145 108%
실시예 7 463 5.53 39.2 0.145 0.141 112%
실시예 9 460 4.88 33.4 0.145 0.146 92%
실시예 23 461 5.12 36.8 0.145 0.139 98%
실시예 39 462 5.42 36.4 0.146 0.149 107%
AN 460 4.87 34.3 0.151 0.142 100%
ADN 462 4.80 33.1 0.143 0.145 91%
표 23
호스트물질 도판트물질 전기발광(nm)(EL) 발광효율(cd/A)@ 7V 환산효율(발광효율/CIEy) 색좌표 @ 7V 수명1000cd/m2
CIEx CIEy
실시예 51 BD 462 5.12 36.3 0.146 0.141 91%
실시예 461 5.34 37.3 0.144 0.143 110%
실시예 461 5.36 37.2 0.145 0.144 103%
실시예 462 5.42 38.7 0.144 0.140 112%
실시예 462 5.24 37.7 0.145 0.139 117%
실시예 461 5.35 40.2 0.143 0.133 98%
실시예 462 5.17 36.7 0.145 0.141 93%
실시예 462 5.23 38.2 0.147 0.137 111%
ADN 462 4.80 33.1 0.143 0.145 100%
상기 표 22 및 23에 나타난 바와 같이, 본 발명의 실시예는 비교예에 비하여 발광효율 및 수명이 우수함을 확인할 수 있다.

Claims (19)

  1. 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000179
    상기 식에서,
    Ar1은 수소 또는 C6-10 1가 방향족기이고, 상기 C6-10 1가 방향족기는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환되고,
    Ar2는 수소 또는 C6-10 1가 방향족기이고. 상기 C6-10 1가 방향족기는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환되고,
    Ar3은 수소 또는 C6-10 1가 방향족기이고. 상기 C6-10 1가 방향족기는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환되고,
    Ar4는 C6-16 2가 방향족기이고, 상기 C6-16 2가 방향족기는 비치환되거나 페닐로 치환되고, 및
    Ar5는 C6-14 1가 방향족기이고, 상기 C6-14 1가 방향족기는 비치환되거나, 나프틸, 페닐, 나프틸로 치환된 페닐, 또는 비페닐로 치환되고,
    단, Ar3이 C6-10 1가 방향족기인 경우, Ar1 및 Ar2는 각각 수소이고, Ar3이 수소인 경우, Ar1 및 Ar2는 각각 C6-10 1가 방향족기이다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고,
    상기 Ar3은 페닐; 또는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고,
    상기 Ar4는 나프틸렌; 페닐렌; 피레닐렌; 페난트릴렌; 또는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비치환되거나 나프틸, 페닐, 나프틸로 치환된 페닐, 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐인 화합물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고,
    상기 Ar3은 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고,
    상기 Ar4는 나프틸렌, 또는 안트라세닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 또는 나프틸, 또는 페닐로 치환된 안트라세닐인 화합물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고,
    상기 Ar3은 페닐이고,
    상기 Ar4는 페닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐인 화합물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고,
    상기 Ar3은 페닐이고,
    상기 Ar4는 피렌닐; 또는 페난트릴렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나 나프틸로 치환된 페닐인 화합물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고,
    상기 Ar3은 페닐 또는 나프틸이고,
    상기 Ar4는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐인 화합물.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 수소이고, 및
    상기 Ar3은 페닐; 1-나프틸; 2-나프틸; 6-페닐-2-나프틸; 또는 6-(1-나프틸)-2-나프틸인 화합물.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 페닐; 또는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고,
    상기 Ar2는 페닐; 또는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고,
    상기 Ar3은 수소이고,
    상기 Ar4는 나프틸렌; 페닐렌; 피레닐렌; 페난트릴렌; 또는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비치환되거나 나프틸, 페닐, 나프틸로 치환된 페닐, 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐인 화합물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고,
    상기 Ar2는 비치환되거나, 페닐 또는 나프틸로 치환된 나프틸이고,
    상기 Ar3은 수소이고,
    상기 Ar4는 나프틸렌 또는 안트라세닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 또는 나프틸, 또는 페닐로 치환된 안트라세닐인 화합물.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 페닐이고,
    상기 Ar2는 페닐이고,
    상기 Ar3은 수소이고,
    상기 Ar4는 페닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 페닐; 나프틸로 치환된 페닐; 또는 비페닐로 치환된 안트라세닐인 화합물.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 페닐이고,
    상기 Ar2는 페닐이고,
    상기 Ar3은 수소이고,
    상기 Ar4는 피렌닐 또는 페난트릴렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐인 화합물.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1은 페닐 또는 나프틸이고,
    상기 Ar2는 페닐 또는 나프틸이고,
    상기 Ar3은 수소이고,
    상기 Ar4는 비치환되거나, 페닐로 치환된 안트라세닐렌이고, 및
    상기 Ar5는 나프틸; 비페닐; 또는 비치환되거나, 나프틸로 치환된 페닐인 화합물.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 상기 Ar2는 각각 페닐; 1-나프틸; 2-나프틸; 6-페닐-2-나프틸; 또는 6-(1-나프틸)-2-나프틸이고, 및
    상기 Ar3은 수소인 화합물.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 Ar1 및 Ar2는 페닐이고, 및
    상기 Ar3은 수소인 화합물.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 Ar4는 1,4-나프틸렌; 2,6-나프틸렌; 1,4-페닐렌; 1,6-피레닐렌; 2,7-페난트릴렌; 9,10-안트라세닐렌; 또는 9-페닐-2,10-안트라세닐렌인 화합물.
  16. 제1항에 있어서,
    상기 Ar5는 1-나프틸; 2-나프틸; 비페닐-4-일; 페닐; 4-(1-나프틸)-페닐; 4-(2-나프틸)-페닐; 10-(1-나프틸)-9-안트라세닐; 10-(2-나프틸)-9-안트라세닐; 10-페닐-9-안트라세닐; 10-(4-(1-나프틸)페닐)-9-안트라세닐; 10-(4-(2-나프틸)페닐)-9-안트라세닐; 또는 10-(비페닐-4-일)-9-안트라세닐인 화합물.
  17. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 하기의 화합물로 구성되는 군으로부터 선택되는 화합물:
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000180
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000181
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000182
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000183
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000184
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000185
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000186
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000187
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000188
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000189
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000190
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000191
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000192
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000193
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000194
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000195
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000196
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000197
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000198
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000199
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000200
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000201
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000202
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000203
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000204
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000205
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000206
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000207
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000208
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000209
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000210
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000211
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000212
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000213
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000214
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000215
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000216
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000217
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000218
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000219
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000220
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000221
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000222
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000223
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000224
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000225
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000226
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000227
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000228
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000229
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000230
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000231
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000232
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000233
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000234
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000235
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000236
    ,
    Figure PCTKR2012002322-appb-I000237
    ,
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    .
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 화합물로 이루어진 유기 전기 발광 소자용 재료.
  19. 음극과 양극 사이에 적어도 하나의 발광층을 포함하는 단층 또는 복수층으로 이루어지는 유기 박막층이 협지되어 있는 유기 전기발광 소자에 있어서,
    상기 유기 박막층의 적어도 1층이 제18항의 유기 전기 발광 소자용 재료를 함유하는 유기 전기 발광 소자.
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