WO2012074195A9 - 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 - Google Patents
유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치 Download PDFInfo
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
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- Y02E10/549—Organic PV cells
Definitions
- the present invention relates to a compound for an organic optoelectronic device capable of providing an organic optoelectronic device having excellent life, efficiency, electrochemical stability, and thermal stability, an organic light emitting device including the same, and a display device including the organic light emitting device.
- An organic optoelectronic device refers to a device that requires charge exchange between an electrode and an organic material using holes or electrons.
- Organic optoelectronic devices can be divided into two types according to the operation principle.
- excitons are formed in the organic material layer by photons introduced into the device from an external light source, and the excitons are separated into electrons and holes, and these electrons and holes are transferred to different electrodes to be used as current sources (voltage sources). It is an electronic device of the form.
- the second is an electronic device in which holes or electrons are injected into an organic semiconductor forming an interface with the electrodes by applying voltage or current to two or more electrodes, and operated by the injected electrons and holes.
- organic optoelectronic devices include organic photoelectronic devices, organic light emitting devices, organic solar cells, organic photo conductor drums, and organic transistors.
- organic photoelectronic devices organic light emitting devices
- organic solar cells organic solar cells
- organic photo conductor drums organic transistors.
- organic transistors organic transistors.
- a hole injection or transport material, an electron injection or transport material, or a light emitting material is required.
- organic light emitting diodes are attracting attention as the demand for flat panel displays increases.
- organic light emitting phenomenon refers to a phenomenon of converting electrical energy into light energy using an organic material.
- Such an organic light emitting device converts electrical energy into light by applying a current to an organic light emitting material, and has a structure in which a functional organic material layer is inserted between an anode and a cathode.
- the organic layer is often made of a multi-layered structure composed of different materials to increase the efficiency and stability of the organic photoelectric device, for example, it may be made of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer.
- the material used as the organic material layer in the organic light emitting device may be classified into a light emitting material and a charge transport material, such as a hole injection material, a hole transport material, an electron transport material, an electron injection material, and the like according to a function.
- a charge transport material such as a hole injection material, a hole transport material, an electron transport material, an electron injection material, and the like according to a function.
- the light emitting materials may be classified into blue, green, and red light emitting materials and yellow and orange light emitting materials required to realize better natural colors according to light emission colors.
- the maximum emission wavelength is shifted to a long wavelength due to the intermolecular interaction, and the color purity decreases or the efficiency of the device decreases due to the emission attenuation effect.
- the host / dopant system can be used as a light emitting material.
- materials constituting the organic material layer in the device such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, a host and / or a dopant in the light emitting material, etc.
- a hole injection material such as a hole injection material, a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, a host and / or a dopant in the light emitting material, etc.
- a hole injection material such as a hole transport material, a light emitting material, an electron transport material, an electron injection material, a host and / or a dopant in the light emitting material, etc.
- This stable and efficient material should be preceded, and development of a stable and efficient organic material layer for an organic light emitting device has not been made yet, and therefore, development of new materials is continuously required.
- the necessity of such a material development is the same in the other organic optoelectronic devices described above.
- the low molecular weight organic light emitting diode is manufactured in the form of a thin film by vacuum evaporation method, so the efficiency and lifespan performance is good, and the high molecular weight organic light emitting diode using the inkjet or spin coating method has low initial investment cost. Large area has an advantage.
- Both low molecular weight organic light emitting diodes and high molecular weight organic light emitting diodes are attracting attention as next-generation displays because they have advantages such as self-luminous, high-speed response, wide viewing angle, ultra-thin, high definition, durability, and wide driving temperature range.
- advantages such as self-luminous, high-speed response, wide viewing angle, ultra-thin, high definition, durability, and wide driving temperature range.
- LCD liquid crystal display
- the response speed is 1000 times faster than the LCD in microseconds, it is possible to implement a perfect video without afterimages. Therefore, it is expected to be spotlighted as the most suitable display in line with the recent multimedia era.
- the luminous efficiency In order to increase the size, the luminous efficiency must be increased and the life of the device must be accompanied. In this case, the light emitting efficiency of the device should be smoothly coupled to the holes and electrons in the light emitting layer.
- the electron mobility of the organic material is generally slower than the hole mobility, in order to efficiently combine holes and electrons in the light emitting layer, an efficient electron transport layer is used to increase the electron injection and mobility from the cathode, It should be able to block the movement of holes.
- a compound for an organic optoelectronic device which can serve as light emitting, or electron injection and transport, and can serve as a light emitting host with an appropriate dopant.
- An organic light emitting diode having excellent lifespan, efficiency, driving voltage, electrochemical stability, and thermal stability and a display device including the same are provided.
- a compound for an organic optoelectronic device represented by the following Chemical Formula 1 is provided.
- X is S, O or Se
- ETU is a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties
- Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, R 1 to R 6 are the same as or different from each other, and independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- the compound for an organic optoelectronic device may be represented by the following Formula 2-1 or 2-2.
- X is S, O or Se
- ETU is a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties
- R 1 to R 6 are the same as or different from each other.
- the ETU is a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted triazolyl group, a substituted or unsubstituted tetrazolyl group, a substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, a substituted or unsubstituted oxatriazolyl group , Substituted or unsubstituted thiatriazolyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted benzotriazolyl group, substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group , Substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted pyridazinyl group, substituted or unsubstit
- a compound for an organic optoelectronic device represented by Formula 3 is provided.
- X is S, O or Se
- Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, R 1 to R 6 are the same as or different from each other, and independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- Ar 1 may be a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted naphtanylene group, or a combination thereof.
- Ar 1 may be a substituted or unsubstituted pyridinylene group, a substituted or unsubstituted pyrimidinylene group, a substituted or unsubstituted triazinylene group, or a combination thereof.
- the compound for an organic optoelectronic device may be represented by the following Formula 4-1 or 4-2.
- X is S, O or Se
- a 1 to A 3 are the same as or different from each other, and independently CR 'or a hetero atom
- R' and R 1 to R 6 Are the same as or different from each other, and independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- a 1 to A 3 may be the same as or different from each other, and may be independently carbon CR ′ or a nitrogen atom.
- At least one of A 1 to A 3 may be nitrogen.
- the organic optoelectronic device may be selected from the group consisting of an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photosensitive drum, and an organic memory device.
- the organic light emitting device comprising an anode, a cathode and at least one organic thin film layer interposed between the anode and the cathode
- at least one layer of the organic thin film layer is the above-described organic optoelectronic It provides an organic light emitting device comprising a compound for the device.
- the organic thin film layer may be selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer and a combination thereof.
- the compound for an organic optoelectronic device may be included in an electron transport layer or an electron injection layer.
- the compound for an organic optoelectronic device may be included in a light emitting layer.
- the compound for an organic optoelectronic device may be used as a phosphorescent or fluorescent host material in the light emitting layer.
- the compound for an organic optoelectronic device may be used as a fluorescent blue dopant material in a light emitting layer.
- Another embodiment of the present invention provides a display device including the organic light emitting diode described above.
- 1 to 5 are cross-sectional views illustrating various embodiments of an organic light emitting device that may be manufactured using a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
- hetero means one to three heteroatoms selected from the group consisting of N, O, S, and P in one compound or substituent, and the remainder is carbon unless otherwise defined.
- an "alkyl group” means a “saturated alkyl group” that does not include any alkene or alkyne group; Or “unsaturated alkyl group” including at least one alkene group or alkyne group.
- the "alkene group” means a substituent having at least two carbon atoms composed of at least one carbon-carbon double bond
- the "alkyne group” means a substituent having at least two carbon atoms composed of at least one carbon-carbon triple bond.
- the alkyl group may be branched, straight chain or cyclic.
- the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C20, more specifically, a lower alkyl group of C1 to C6, a middle alkyl group of C7 to C10, and a higher alkyl group of C11 to C20.
- a C1 to C4 alkyl group means that there are 1 to 4 carbon atoms in the alkyl chain, which is methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, n-butyl, iso-butyl, sec-butyl and t-butyl Selected from the group consisting of:
- Typical alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, t-butyl, pentyl, hexyl, ethenyl, propenyl, butenyl, cyclopropyl, cyclobutyl and cyclo Pentyl group, cyclohexyl group, and the like.
- Aromatic group means a substituent in which all elements of the cyclic substituent have p-orbitals, and these p-orbitals form a conjugate. Specific examples include an aryl group and a heteroaryl group.
- aryl group includes a monocyclic or fused ring (ie, a plurality of rings sharing adjacent pairs of carbon atoms) substituents.
- Heteroaryl group means one to three hetero atoms selected from the group consisting of N, O, S and P in the aryl group, and the rest is carbon. When the aryl group is a fused ring, each ring may include 1 to 3 heteroatoms.
- the number of atoms of the ring in the aryl group and heteroaryl group is the sum of the number of carbon atoms and non-carbon atoms.
- the compound for an organic optoelectronic device has a structure in which a substituent is selectively bonded to a core portion to which a carbazole and a carbazole derivative are bonded.
- the carbazole derivative refers to a structure in which a nitrogen atom of a substituted or unsubstituted carbazole or carbazolyl group is substituted with a hetero atom instead of nitrogen.
- the heteroatom may in particular be O, P, S or Se.
- At least one of the substituents bonded to the core may be a substituent having excellent electronic properties.
- the compound may satisfy the conditions required in the light emitting layer by reinforcing the electronic properties in the carbazole structure having excellent hole properties. More specifically, it can be used as a host material of the light emitting layer.
- the hole characteristic means a characteristic that has conductivity characteristics along the HOMO level to facilitate the injection and movement of the holes formed in the anode into the light emitting layer.
- the electronic characteristic means a characteristic that has conductivity characteristics along the LUMO level, thereby facilitating injection of electrons formed in the cathode into the light emitting layer and movement in the light emitting layer.
- the compound for an organic optoelectronic device may be a compound having various energy band gaps by introducing a variety of other substituents to the substituents substituted in the core portion and the core portion.
- the compound may be used as an electron injection layer and a transfer layer or a hole injection layer and a transfer layer.
- the electron transport ability is enhanced to have an excellent effect in terms of efficiency and driving voltage, and excellent life time when driving the organic photoelectric device with excellent electrochemical and thermal stability Properties can be improved.
- a compound for an organic optoelectronic device represented by Formula 1 is provided.
- X is S, O or Se
- ETU is a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties
- Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, R 1 to R 6 are the same as or different from each other, and independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- the compound represented by Chemical Formula 1 may have a carbazole or carbazole derivative having excellent bi-polar properties as a core.
- Substituents having a pi bond among the R 1 to R 6 substituents are useful for the light emitting layer of the organic photoelectric device as a phosphorescent host by increasing the triplet energy band gap by controlling the pi conjugate length ( ⁇ -conjugation length) of the whole compound. It can play a role in making it applicable.
- a suitable combination of the substituents can be prepared a structure of the asymmetric bipolar (bipolar) characteristics, the structure of the asymmetric bipolar characteristics can be expected to improve the luminous efficiency and performance of the device by improving the major and electron transfer ability.
- the structure of the compound can be prepared in bulk by the control of the substituents, thereby lowering the crystallinity. If the crystallinity of the compound is lowered, the lifetime of the device may be longer.
- the ETU of the substituent of the compound may be a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having the above electronic properties include substituted or unsubstituted imidazolyl group, substituted or unsubstituted triazolyl group, substituted or unsubstituted tetrazolyl group, and substituted Or an unsubstituted oxadiazolyl group, a substituted or unsubstituted oxatriazolyl group, a substituted or unsubstituted thiatriazolyl group, a substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, a substituted or unsubstituted benzotriazolyl group , Substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted
- a compound for an organic optoelectronic device represented by the following Chemical Formula 2-1 or 2-2 is provided.
- X is S, O or Se
- ETU is a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties
- R 1 to R 6 are the same as or different from each other.
- Formula 2 is a structure in which the phenylene group of the core is limited in the structure of Formula 1, the binding position of the carbazolyl group or carbazole derivatives on both sides is limited. With such a structure, an appropriate energy band can be used as it is, synthesis is easy, and there is an advantage of introducing a substituent having additional electron transfer / transport characteristics.
- a compound for an organic optoelectronic device represented by Formula 3 is provided.
- X is S, O or Se
- Ar 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group, R 1 to R 6 are the same as or different from each other, and independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- the structure of Chemical Formula 3 is different in terms of the presence of a triphenylenyl group as compared to the structure of Chemical Formula 1 described above.
- the triphenylenyl group in the compound has a bulk structure and causes a resonance effect, it has an effect of suppressing side reactions that may occur in the solid state, thereby increasing the performance of the organic light emitting device.
- the triphenylenyl group has a wider bandgap and a triplet excitation energy, so that the triphenylenyl group does not reduce the bandgap or triplet excitation energy of the compound by binding to carbazole, and thus has a greater advantage.
- Ar 1 may be a substituted or unsubstituted phenylene group, a substituted or unsubstituted biphenylene group, a substituted or unsubstituted naphtanylene group, or a combination thereof. In this case, there is an advantage of excellent thermal stability and oxidation stability of the prepared compound.
- Ar 1 may be a substituted or unsubstituted pyridinylene group, a substituted or unsubstituted pyrimidinylene group, a substituted or unsubstituted triazinylene group, or a combination thereof. In this case there is an advantage that can enhance the electron transport and transport properties of the prepared compound.
- the compound for an organic optoelectronic device may be represented by the following formula 4-1 or 4-2.
- X is S, O or Se
- a 1 to A 3 are the same as or different from each other, and independently CR 'or a hetero atom
- R' and R 1 to R 6 Are the same as or different from each other, and independently hydrogen; heavy hydrogen; A substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group; Substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group; Or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group having electronic properties.
- a 1 to A 3 may be the same as or different from each other, and may be independently CR ′ or a nitrogen atom, and more specifically at least one may be nitrogen. In this case, more effective bipolar characteristics can be obtained.
- the compound for an organic optoelectronic device may be represented by any one of the following Formulas 1a to 144a. However, it is not limited to the following compound.
- the compound for an organic optoelectronic device may be represented by any one of the following Formulas 1b to 40b. However, it is not limited to the following compound.
- the compound for an organic optoelectronic device including the compound as described above has a glass transition temperature of 110 ° C. or higher, and a thermal decomposition temperature of 400 ° C. or higher, thereby providing excellent thermal stability. This enables the implementation of high efficiency organic optoelectronic devices.
- the compound for an organic optoelectronic device including the compound as described above may serve as light emission, electron injection and / or transport, and may also serve as a light emitting host with an appropriate dopant. That is, the compound for an organic optoelectronic device may be used as a host material of phosphorescence or fluorescence, a blue dopant material, or an electron transport material.
- Compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention is used in the organic thin film layer to improve the life characteristics, efficiency characteristics, electrochemical stability and thermal stability of the organic optoelectronic device, it is possible to lower the driving voltage.
- one embodiment of the present invention provides an organic optoelectronic device comprising the compound for an organic optoelectronic device.
- the organic optoelectronic device refers to an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, an organic transistor, an organic photosensitive drum, an organic memory device, and the like.
- a compound for an organic optoelectronic device according to an exemplary embodiment of the present invention is included in an electrode or an electrode buffer layer to increase quantum efficiency. Can be used.
- Another embodiment of the present invention is an organic light emitting device comprising an anode, a cathode and at least one organic thin film layer interposed between the anode and the cathode, at least any one of the organic thin film layer is an embodiment of the present invention It provides an organic light emitting device comprising a compound for an organic optoelectronic device according to.
- the organic thin film layer which may include the compound for an organic optoelectronic device may include a layer selected from the group consisting of a light emitting layer, a hole transport layer, a hole injection layer, an electron transport layer, an electron injection layer, a hole blocking layer and a combination thereof. At least one of the layers includes the compound for an organic optoelectronic device according to the present invention.
- the electron transport layer or the electron injection layer may include a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
- the compound for an organic optoelectronic device when included in a light emitting layer, the compound for an organic optoelectronic device may be included as a phosphorescent or fluorescent host, and in particular, may be included as a fluorescent blue dopant material.
- FIG. 1 to 5 are cross-sectional views of an organic light emitting device including a compound for an organic optoelectronic device according to an embodiment of the present invention.
- the organic light emitting diodes 100, 200, 300, 400, and 500 according to the embodiment of the present invention are interposed between the anode 120, the cathode 110, and the anode and the cathode. It has a structure including at least one organic thin film layer 105.
- the anode 120 includes a cathode material, and a material having a large work function is preferable as the anode material so that hole injection can be smoothly injected into the organic thin film layer.
- the positive electrode material include metals such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, and gold or alloys thereof, and include zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO), and indium zinc oxide (IZO).
- metal oxides such as ZnO and Al, or combinations of metals and oxides such as SnO 2 and Sb, and poly (3-methylthiophene), poly [3,4- (ethylene-1, 2-dioxy) thiophene] (conductive polymers such as polyehtylenedioxythiophene (PEDT), polypyrrole and polyaniline, etc.), but is not limited thereto.
- a transparent electrode including indium tin oxide (ITO) may be used as the anode.
- the negative electrode 110 includes a negative electrode material, and the negative electrode material is preferably a material having a small work function to facilitate electron injection into the organic thin film layer.
- the negative electrode material include metals such as magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, cesium, barium, or alloys thereof, and LiF / Al.
- Multilayer structure materials such as LiO 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca, and the like.
- a metal electrode such as aluminum may be used as the cathode.
- FIG. 1 illustrates an organic light emitting device 100 in which only a light emitting layer 130 exists as an organic thin film layer 105.
- the organic thin film layer 105 may exist only as a light emitting layer 130.
- FIG. 2 illustrates a two-layered organic light emitting diode 200 including an emission layer 230 and an hole transport layer 140 including an electron transport layer as the organic thin film layer 105, as shown in FIG. 2.
- the organic thin film layer 105 may be a two-layer type including the light emitting layer 230 and the hole transport layer 140.
- the light emitting layer 130 functions as an electron transporting layer
- the hole transporting layer 140 functions to improve bonding and hole transporting properties with a transparent electrode such as ITO.
- FIG. 3 is a three-layered organic light emitting device 300 having an electron transport layer 150, an emission layer 130, and a hole transport layer 140 as an organic thin film layer 105, and the organic thin film layer 105.
- the light emitting layer 130 is in an independent form, and has a form in which a film (electron transport layer 150 and hole transport layer 140) having excellent electron transport properties or hole transport properties is stacked in separate layers.
- FIG. 4 illustrates a four-layered organic light emitting diode 400 in which an electron injection layer 160, an emission layer 130, a hole transport layer 140, and a hole injection layer 170 exist as an organic thin film layer 105.
- the hole injection layer 170 may improve adhesion to ITO used as an anode.
- FIG. 5 shows different functions such as the electron injection layer 160, the electron transport layer 150, the light emitting layer 130, the hole transport layer 140, and the hole injection layer 170 as the organic thin film layer 105.
- the five-layer organic light emitting device 500 having five layers is present, and the organic light emitting device 500 is effective in lowering the voltage by separately forming the electron injection layer 160.
- the electron transport layer 150, the electron injection layer 160, the light emitting layers 130 and 230, the hole transport layer 140, and the hole injection layer 170 forming the organic thin film layer 105 and their Any one selected from the group consisting of a combination includes the compound for an organic optoelectronic device.
- the compound for an organic optoelectronic device may be used in the electron transport layer 150 including the electron transport layer 150 or the electron injection layer 160, and among them, a hole blocking layer (not shown). Since it is not necessary to form separately, it is desirable to provide an organic light emitting device having a simplified structure.
- the compound for an organic optoelectronic device when included in the light emitting layers 130 and 230, the compound for an organic optoelectronic device may be included as a phosphorescent or fluorescent host, or may be included as a fluorescent blue dopant.
- the above-described organic light emitting device includes a dry film method such as an evaporation, sputtering, plasma plating and ion plating after forming an anode on a substrate;
- the organic thin film layer may be formed by a wet film method such as spin coating, dipping, flow coating, or the like, followed by forming a cathode thereon.
- a display device including the organic light emitting diode is provided.
- Dibenzothiophene-4-boronic acid 39.2 g (171.95 mmol), 1,3-dibromobenzene 81.1 g (343.90 mmol), tetrakistriphenylphosphine in a 500 mL round bottom flask equipped with a nitrogen atmosphere stirrer 9.94 g (8.6 mmol) of palladium (0) and 1 L of tetrahydrofuran were mixed with 500 mL of a 2M-potassium carbonate aqueous solution, followed by heating to reflux for 12 hours under a nitrogen stream. After completion of the reaction, the organic layer was separated and anhydrous magnesium sulfate was added thereto and stirred. Filter the solution and then remove all solvent. 41 g (yield 70%) of compound A was obtained by column chromatography.
- Example 5 Fabrication of Organic Light-Emitting Device Using Compound of Example 3
- An organic light emitting diode was manufactured by using the compound synthesized in Example 3 as a host and using Ir (PPy) 3 as a dopant.
- ITO was used as a cathode of 1000 kPa
- aluminum (Al) was used as a cathode of 1000 kPa.
- the manufacturing method of the organic light emitting device is 15 ⁇ / cm 2
- the ITO glass substrate having a sheet resistance of was cut into a size of 50 mm ⁇ 50 mm ⁇ 0.7 mm, ultrasonically cleaned for 15 minutes in acetone, isopropyl alcohol, and pure water, followed by UV ozone cleaning for 30 minutes.
- N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine (NPB) 70 nm
- NPB N, N'-di (1-naphthyl) -N, N'-diphenylbenzidine
- TCTA 4,4 ', 4 "-tri (N-carbazolyl) triphenylamine
- a light emitting layer having a film thickness of 300 Pa was formed using the compound synthesized in Example 2 under the same vacuum deposition conditions.
- Ir (PPy) 3 which is a phosphorescent dopant, was simultaneously deposited.
- the deposition rate of the phosphorescent dopant was deposited so as to be 7% by weight.
- Bis (8-hydroxy-2-methylquinolinato) -aluminum biphenoxide (BAlq) was deposited on the light emitting layer using the same vacuum deposition conditions to form a hole blocking layer having a thickness of 50 kHz.
- Alq 3 was deposited under the same vacuum deposition conditions to form an electron transport layer having a film thickness of 200 GPa.
- An organic photoelectric device was manufactured by sequentially depositing LiF and Al as a cathode on the electron transport layer.
- the structure of the organic photoelectric device is ITO / NPB (70 nm) / TCTA (10 nm) / EML (compound of Example 3 (93% by weight) + Ir (PPy) 3 (7% by weight), 30 nm) / Balq (5 nm) / Alq 3 (20 nm) / LiF (1 nm) / Al (100 nm).
- An organic light emitting diode was manufactured according to the same method as Example 5 except for using the compound synthesized in Example 3 as a host of the light emitting layer, instead of using the compound synthesized in Example 4 as a host of the light emitting layer.
- Example 5 In the same manner as in Example 5 except that 4,4-N, N-dicarbazolebiphenyl (CBP) was used as a host of the light emitting layer, instead of using the compound synthesized in Example 3 as a host of the light emitting layer.
- An organic light emitting device was manufactured by the method.
- the current value flowing through the unit device was measured using a current-voltmeter (Keithley 2400) while increasing the voltage from 0 V to 10 V, and the measured current value was divided by the area to obtain a result.
- the resulting organic light emitting device was measured by using a luminance meter (Minolta Cs-1000A) while increasing the voltage from 0 V to 10 V to obtain a result.
- a luminance meter Minolta Cs-1000A
- the current efficiency (cd / A) of the same brightness (9000 cd / m 2 ) was calculated using the brightness, current density, and voltage measured from (1) and (2) above.
- the luminous efficiency of the organic light emitting device manufactured using the compound synthesized in the present invention was measured to be more than 50 cd / A, which can be seen that far exceeds the luminous efficiency of the CBP presented in Comparative Example 1. Therefore, the compound presented in the present invention shows the possibility that it can be used as a material for a good organic light emitting device.
- hole injection layer 230 light emitting layer + electron transport layer
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Abstract
유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것으로, 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공하여, 우수한 전기화학적 및 열적 안정성으로 수명 특성이 우수하고, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가지는 유기광전자소자를 제조할 수 있다. 대표도: 도 1
Description
수명, 효율, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수한 유기광전자소자를 제공할 수 있는 유기광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기발광소자 및 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치에 관한 것이다.
유기광전자소자(organic optoelectronic device)라 함은 정공 또는 전자를 이용한 전극과 유기물 사이에서의 전하 교류를 필요로 하는 소자를 의미한다.
유기광전자소자는 동작 원리에 따라 하기와 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 첫째는 외부의 광원으로부터 소자로 유입된 광자에 의하여 유기물층에서 엑시톤(exciton)이 형성되고 이 엑시톤이 전자와 정공으로 분리되고, 이 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되어 전류원(전압원)으로 사용되는 형태의 전자소자이다.
둘째는 2 개 이상의 전극에 전압 또는 전류를 가하여 전극과 계면을 이루는 유기물 반도체에 정공 또는 전자를 주입하고, 주입된 전자와 정공에 의하여 동작하는 형태의 전자소자이다.
유기광전자소자(organic optoelectronic device)의 예로는 유기광전소자(organic photoelectronic device), 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체 드럼(organic photo conductor drum), 유기트랜지스터 등이 있으며, 이들은 모두 소자의 구동을 위하여 정공의 주입 또는 수송 물질, 전자의 주입 또는 수송 물질, 또는 발광 물질을 필요로 한다.
특히, 유기발광소자(organic light emitting diodes, OLED)는 최근 평판 디스플레이(flat panel display)의 수요가 증가함에 따라 주목받고 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다.
이러한 유기발광소자는 유기발광재료에 전류를 가하여 전기에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기물층은 유기광전소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어질 수 있다.
이러한 유기발광소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공(hole)이, 음극에서는 전자(electron)가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만나 재결합(recombination)에 의해 에너지가 높은 여기자를 형성하게 된다. 이때 형성된 여기자가 다시 바닥상태(ground state)로 이동하면서 특정한 파장을 갖는 빛이 발생하게 된다.
최근에는, 형광 발광물질뿐 아니라 인광 발광물질도 유기광전자소자의 발광물질로 사용될 수 있음이 알려졌으며, 이러한 인광 발광은 바닥상태(ground state)에서 여기상태(excited state)로 전자가 전이한 후, 계간 전이(intersystem crossing)를 통해 단일항 여기자가 삼중항 여기자로 비발광 전이된 다음, 삼중항 여기자가 바닥상태로 전이하면서 발광하는 메카니즘으로 이루어진다.
상기한 바와 같이 유기발광소자에서 유기물층으로 사용되는 재료는 기능에 따라, 발광 재료와 전하 수송 재료, 예컨대 정공주입 재료, 정공수송 재료, 전자수송 재료, 전자주입 재료 등으로 분류될 수 있다.
또한, 발광 재료는 발광색에 따라 청색, 녹색, 적색 발광재료와 보다 나은 천연색을 구현하기 위해 필요한 노란색 및 주황색 발광 재료로 구분될 수 있다.
한편, 발광 재료로서 하나의 물질만 사용하는 경우 분자간 상호 작용에 의하여 최대 발광 파장이 장파장으로 이동하고 색순도가 떨어지거나 발광 감쇄 효과로 소자의 효율이 감소되는 문제가 발생하므로, 색순도의 증가와 에너지 전이를 통한 발광 효율과 안정성을 증가시키기 위하여 발광 재료로서 호스트/도판트 계를 사용할 수 있다.
유기발광소자가 전술한 우수한 특징들을 충분히 발휘하기 위해서는 소자 내 유기물층을 이루는 물질, 예컨대 정공주입 물질, 정공수송 물질, 발광 물질, 전자수송 물질, 전자주입 물질, 발광 재료 중 호스트 및/또는 도판트 등이 안정하고 효율적인 재료에 의하여 뒷받침되는 것이 선행되어야 하며, 아직까지 안정하고 효율적인 유기발광소자용 유기물층 재료의 개발이 충분히 이루어지지 않은 상태이며, 따라서 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다. 이와 같은 재료 개발의 필요성은 전술한 다른 유기광전자소자에서도 마찬가지이다.
또한, 저분자 유기발광소자는 진공 증착법에 의해 박막의 형태로 소자를 제조하므로 효율 및 수명성능이 좋으며, 고분자 유기 발광 소자는 잉크젯(Inkjet) 또는 스핀코팅(spin coating)법을 사용하여 초기 투자비가 적고 대면적화가 유리한 장점이 있다.
저분자 유기발광소자 및 고분자 유기발광소자는 모두 자체발광, 고속응답, 광시야각, 초박형, 고화질, 내구성, 넓은 구동온도범위 등의 장점을 가지고 있어 차세대 디스플레이로 주목을 받고 있다. 특히 기존의 LCD(liquid crystal display)와 비교하여 자체발광형으로서 어두운 곳이나 외부의 빛이 들어와도 시안성이 좋으며, 백라이트가 필요 없어 LCD의 1/3수준으로 두께 및 무게를 줄일 수 있다.
또한, 응답속도가 LCD에 비해 1000배 이상 빠른 마이크로 초 단위여서 잔상이 없는 완벽한 동영상을 구현할 수 있다. 따라서, 최근 본격적인 멀티미디어 시대에 맞춰 최적의 디스플레이로 각광받을 것으로 기대되며, 이러한 장점을 바탕으로 1980년대 후반 최초 개발 이후 효율 80배, 수명 100배 이상에 이르는 급격한 기술발전을 이루어 왔고, 최근에는 40인치 유기발광소자 패널이 발표되는 등 대형화가 급속히 진행되고 있다.
대형화를 위해서는 발광 효율의 증대 및 소자의 수명 향상이 수반되어야 한다. 이때, 소자의 발광 효율은 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 원활히 이루어져야 한다. 그러나, 일반적으로 유기물의 전자 이동도는 정공 이동도에 비해 느리므로, 발광층 내의 정공과 전자의 결합이 효율적으로 이루어지기 위해서는, 효율적인 전자 수송층을 사용하여 음극으로부터의 전자 주입 및 이동도를 높이는 동시에, 정공의 이동을 차단할 수 있어야 한다.
또한, 수명 향상을 위해서는 소자의 구동시 발생하는 줄열(Joule heat)로 인해 재료가 결정화되는 것을 방지하여야 한다. 따라서, 전자의 주입 및 이동성이 우수하며, 전기화학적 안정성이 높은 유기 화합물에 대한 개발이 필요하다.
발광, 또는 전자 주입 및 수송역할을 할 수 있고, 적절한 도펀트와 함께 발광 호스트로서의 역할을 할 수 있는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
수명, 효율, 구동전압, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성이 우수한 유기발광소자 및 이를 포함하는 표시장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 구현예에서는, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X는 S, O 또는 Se이고, ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시될 수 있다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에서, X는 S, O 또는 Se이고, ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 ETU는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 3으로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, X는 S, O 또는 Se이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프타닐렌기 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 4-2로 표시될 수 있다.
[화학식 4-1]
[화학식 4-2]
상기 화학식 4-1 및 4-2에서, X는 S, O 또는 Se이고, A1 내지 A3는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 CR' 또는 헤테로 원자이고, 상기 R' 및 R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 A1 내지 A3는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 탄소 CR' 또는 질소 원자일 수 있다.
상기 A1 내지 A3 중 적어도 어느 하나는 질소일 수 있다.
상기 유기광전자소자는 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 전술한 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자를 제공한다.
상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합을 이루어진 군에서 선택될 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 전자수송층 또는 전자주입층 내에 포함될 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 포함될 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 인광 또는 형광 호스트 재료로서 사용될 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 형광 청색 도펀트 재료로서 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는 전술한 유기발광소자를 포함하는 것인 표시장치를 제공한다.
우수한 전기화학적 및 열적 안정성으로 수명 특성이 우수하고, 낮은 구동전압에서도 높은 발광효율을 가지는 유기광전자소자를 제공할 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 이용하여 제조될 수 있는 유기발광소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란 별도의 정의가 없는 한, C1 내지 C30 알킬기; C1 내지 C10 알킬실릴기; C3 내지 C30 시클로알킬기; C6 내지 C30 아릴기; C2 내지 C30 헤테로아릴기; C1 내지 C10 알콕시기; 플루오로기, 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기; 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 화합물 또는 치환기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3 포함하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "이들의 조합"이란 별도의 정의가 없는 한, 둘 이상의 치환기가 연결기로 결합되어 있거나, 둘 이상의 치환기가 축합하여 결합되어 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 어떠한 알켄기나 알킨기를 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"; 또는 적어도 하나의 알켄(alkene)기 또는 알킨(alkyne)기를 포함하고 있는 "불포화 알킬(unsaturated alkyl)기"를 모두 포함하는 것을 의미한다. 상기 "알켄기"는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 이중 결합으로 이루어진 치환기를 의미하며, "알킨기" 는 적어도 두 개의 탄소원자가 적어도 하나의 탄소-탄소 삼중 결합으로 이루어진 치환기를 의미한다. 상기 알킬기는 분지형, 직쇄형 또는 환형일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C20의 알킬기 일 수 있으며, 보다 구체적으로 C1 내지 C6인 저급 알킬기, C7 내지 C10인 중급 알킬기, C11 내지 C20의 고급 알킬기일 수 있다.
예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 존재하는 것을 의미하며 이는 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
전형적인 알킬기에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 에테닐기, 프로페닐기, 부테닐기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등이 있다.
"방향족기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미한다. 구체적인 예로 아릴기와 헤테로아릴기가 있다.
"아릴(aryl)기"는 단일고리 또는 융합고리(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 복수의 고리) 치환기를 포함한다.
"헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
상기 아릴기 및 헤테로아릴기에서 고리의 원자수는 탄소수 및 비탄소원자수의 합이다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물은 카바졸 및 카바졸계 유도체가 결합된 코어 부분에 치환기가 선택적으로 결합된 구조를 가진다.
본 명세서에서 카바졸계 유도체라함은 치환 또는 비치환된 카바졸 또는 카바졸릴기의 질소원자가 질소가 아닌 헤테로 원자로 치환된 구조를 의미한다. 상기 헤테로원자는 특히 O, P, S 또는 Se일 수 있다.
상기 코어에 결합된 치환기 중 적어도 하나는 전자 특성이 우수한 치환기일 수 있다.
따라서, 상기 화합물은 정공 특성이 우수한 카바졸 구조에 전자 특성을 보강하여 발광층에서 요구되는 조건을 만족시킬 수 있다. 보다 구체적으로 발광층의 호스트 재료로 이용이 가능하다.
상기 정공 특성이란, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 상기 전자 특성이란, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한, 상기 유기광전자소자용 화합물은 코어 부분과 코어 부분에 치환된 치환기에 다양한 또 다른 치환기를 도입함으로써 다양한 에너지 밴드 갭을 갖는 화합물이 될 수 있다. 이에, 상기 화합물은 전자 주입층 및 전달층 또는 정공 주입층 및 전달층으로서도 이용이 가능하다.
상기 화합물의 치환기에 따라 적절한 에너지 준위를 가지는 화합물을 유기광전소자에 사용함으로써, 전자전달 능력이 강화되어 효율 및 구동전압 면에서 우수한 효과를 가지고, 전기화학적 및 열적 안정성이 뛰어나 유기광전소자 구동시 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
이러한 본 발명의 일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X는 S, O 또는 Se이고, ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 바이폴라(bi-polar) 특성이 우수한 카바졸 또는 카바졸계 유도체를 코어로 가질 수 있다.
상기 R1 내지 R6 치환기 중 파이 결합이 존재하는 치환기는 화합물 전체의 파이공액길이(π-conjugation length)를 조절하여 삼중항 에너지 밴드갭을 크게 함으로서 인광호스트로 유기광전소자의 발광층에 매우 유용하게 적용될 수 있도록 하는 역할을 할 수 있다.
또한, 상기 치환기의 적절한 조합에 의해 열적 안정성 또는 산화에 대한 저항성이 우수한 구조의 화합물을 제조할 수 있게 된다.
상기 치환기의 적절한 조합에 의해 비대칭 바이폴라(bipolar)특성의 구조를 제조할 수 있으며, 상기 비대칭 바이폴라특성의 구조는 전공과 전자 전달 능력을 향상시켜 소자의 발광효율과 성능 향상을 기대할 수 있다.
또한, 치환기의 조절로 화합물의 구조를 벌크하게 제조할 수 있으며, 이로 인해 결정화도를 낮출 수 있다. 화합물의 결정화도가 낮아지게 되면 소자의 수명이 길어질 수 있다.
전술한 바와 같이 상기 화합물의 치환기 중 ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있다.
상기 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기의 구체적인 예로는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합 등이 있다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에서, X는 S, O 또는 Se이고, ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 화학식 2는 상기 화학식 1의 구조에서 코어의 페닐렌기가 한정되며, 양 측의 카바졸릴기 또는 카바졸계 유도체의 결합 위치가 한정된 구조이다. 이러한 구조를 가지게 되면 적절한 에너지밴드를 그대로 이용할 수 있으며, 합성이 용이하고, 추가적인 전자 전달/수송 특성을 갖는 치환기를 도입할 수 있는 장점이 있다.
전자 특성을 가지는 치환기에 대한 설명은 상기 화학식 1의 설명과 동일하기에 생략하도록 한다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 하기 화학식 3으로 표시되는 유기광전자소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 3]
상기 화학식 3에서, X는 S, O 또는 Se이고, Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고, R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 화학식 3의 구조는 전술한 화학식 1의 구조와 비교할 때 트리페닐레닐기가 존재한다는 측면에서 차이가 있다.
상기 화합물에서 트리페닐레닐기는 벌크한 구조를 가지고 공명 효과(resonance effect)를 일으키므로 고체 상태에서 발생할 수 있는 부반응을 억제하는 효과를 가져, 유기발광소자의 성능을 증가시킬 수 있다.
또한, 화합물을 벌크하게 만들어 결정화도를 낮추고 수명을 증가시키는 효과를 가질 수 있다.
상기 트리페닐레닐기는 다른 치환체와는 달리 밴드갭이 넓고, 3중항 여기에너지가 크기 때문에 카바졸에 결합하여 화합물의 밴드갭이나 3중항 여기에너지를 줄이지 않아, 더욱 큰 장점을 가진다.
상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프타닐렌기 또는 이들의 조합일 수 있다. 이러한 경우 제조된 화합물의 열적 안전성 및 산화안정성이 우수한 장점이 있다.
상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기 또는 이들의 조합일 수 있다. 이러한 경우 제조된 화합물의 전자 전달 및 수송 특성을 강화 시킬 수 있는 장점이 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 4-2로 표시되는 것일 수 있다.
[화학식 4-1]
[화학식 4-2]
상기 화학식 4-1 및 4-2에서, X는 S, O 또는 Se이고, A1 내지 A3는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 CR' 또는 헤테로 원자이고, 상기 R' 및 R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다.
상기 구조의 경우 상기 화학식 3의 구조에서 Ar1의 치환기를 6각의 아릴렌 또는 헤테로아릴렌으로 한정한 경우로 화합물의 에너지 준위 변화를 최소화 할 수 있으며 합성이 용이한 장점이 있다.
또한, 상기 화학식 4-1 또는 4-2와 같은 구조로 결합이 이루어질 경우 화합물의 에너지 준위 변화를 최소화 할 수 있으며, 합성이 용이한 장점이 있다.
상기 A1 내지 A3는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 CR' 또는 질소 원자일 수 있으며, 보다 구체적으로는 적어도 어느 하나가 질소일 수 있다. 이러한 경우, 보다 효과적인 바이폴라 특성을 얻을 수 있다.
상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 1a 내지 144a 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 다만, 하기 화합물에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1a] [화학식 2a] [화학식 3a] [화학식 4a]
[화학식 5a] [화학식 6a] [화학식 7a] [화학식 8a]
[화학식 9a] [화학식 10a] [화학식 11a] [화학식 12a]
[화학식 13a] [화학식 14a] [화학식 15a] [화학식 16a]
[규칙 제91조에 의한 정정 01.02.2013]
[화학식 17a] [화학식 18a] [화학식 19a] [화학식 20a]
[화학식 21a] [화학식 22a] [화학식 23a] [화학식 24a]
[화학식 25a] [화학식 26a] [화학식 27a] [화학식 28a]
[규칙 제91조에 의한 정정 01.02.2013]
[화학식 29a] [화학식 30a] [화학식 31a] [화학식 32a]
[화학식 33a] [화학식 34a] [화학식 35a] [화학식 36a]
[화학식 37a] [화학식 38a] [화학식 39a] [화학식 40a]
[화학식 41a] [화학식 42a] [화학식 43a] [화학식 44a]
[화학식 45a] [화학식 46a] [화학식 47a] [화학식 48a]
[화학식 49a] [화학식 50a] [화학식 51a] [화학식 52a]
[화학식 53a] [화학식 54a] [화학식 55a] [화학식 56a]
[화학식 57a] [화학식 58a] [화학식 59a] [화학식 60a]
[화학식 61a] [화학식 62a] [화학식 63a] [화학식 64a]
[화학식 65a] [화학식 66a] [화학식 67a] [화학식 68a]
[화학식 69a] [화학식 70a] [화학식 71a] [화학식 72a]
[화학식 73a] [화학식 74a] [화학식 75a] [화학식 76a]
[화학식 77a] [화학식 78a] [화학식 79a] [화학식 80a]
[화학식 81a] [화학식 82a] [화학식 83a] [화학식 84a]
[화학식 85a] [화학식 86a] [화학식 87a] [화학식 88a]
[화학식 89a] [화학식 90a] [화학식 91a] [화학식 92a]
[화학식 93a] [화학식 94a] [화학식 95a] [화학식 96a]
[화학식 97a] [화학식 98a] [화학식 99a] [화학식 100a]
[화학식 101a] [화학식 102a] [화학식 103a] [화학식 104a]
[화학식 105a] [화학식 106a] [화학식 107a] [화학식 108a]
[화학식 109a] [화학식 110a] [화학식 111a] [화학식 112a]
[화학식 113a] [화학식 114a] [화학식 115a] [화학식 166a]
[화학식 117a] [화학식 118a] [화학식 119a] [화학식 120a]
[화학식 121a] [화학식 122a] [화학식 123a] [화학식 124a]
[화학식 125a] [화학식 126a] [화학식 127a] [화학식 128a]
[화학식 129a] [화학식 130a] [화학식 131a] [화학식 132a]
[화학식 133a] [화학식 134a] [화학식 135a] [화학식 136a]
[화학식 137a] [화학식 138a] [화학식 139a] [화학식 140a]
[화학식 141a] [화학식 142a] [화학식 143a] [화학식 144a]
상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 1b 내지 40b 중 어느 하나로 표시되는 것일 수 있다. 다만, 하기 화합물에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 1b] [화학식 2b] [화학식 3b] [화학식 4b]
[화학식 5b] [화학식 6b] [화학식 7b] [화학식 8b]
[화학식 9b] [화학식 10b] [화학식 11b] [화학식 12b]
[화학식 13b] [화학식 14b] [화학식 15b] [화학식 16b]
[화학식 17b] [화학식 18b] [화학식 19b] [화학식 20b]
[화학식 21b] [화학식 22b] [화학식 23b] [화학식 24b]
[화학식 25b] [화학식 26b] [화학식 27b] [화학식 28b]
[화학식 29b] [화학식 30b] [화학식 31b] [화학식 32b]
[화학식 33b] [화학식 34b] [화학식 35b] [화학식 36b]
[화학식 37b] [화학식 38b] [화학식 39b] [화학식 40b]
상기와 같은 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 화합물은 유리전이온도가 110℃ 이상이며, 열분해온도가 400℃이상으로 열적 안정성이 우수하다. 이로 인해 고효율의 유기광전자소자의 구현이 가능하다.
상기와 같은 화합물을 포함하는 유기광전자소자용 화합물은 발광, 또는 전자 주입 및/또는 수송역할을 할 수 있으며, 적절한 도판트와 함께 발광 호스트로서의 역할도 할 수 있다. 즉, 상기 유기광전자소자용 화합물은 인광 또는 형광의 호스트 재료, 청색의 발광도펀트 재료, 또는 전자수송 재료로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물은 유기박막층에 사용되어 유기광전자소자의 수명 특성, 효율 특성, 전기화학적 안정성 및 열적 안정성을 향상시키며, 구동전압을 낮출 수 있다.
이에 따라 본 발명의 일 구현예는 상기 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기광전자소자를 제공한다. 이 때, 상기 유기광전자소자라 함은 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기 트랜지스터, 유기 감광체 드럼, 유기 메모리 소자 등을 의미한다. 특히, 유기 태양 전지의 경우에는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물이 전극이나 전극 버퍼층에 포함되어 양자 효율을 증가시키며, 유기 트랜지스터의 경우에는 게이트, 소스-드레인 전극 등에서 전극 물질로 사용될 수 있다.
본 발명의 다른 일 구현예는 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서, 상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자를 제공한다.
상기 유기광전자소자용 화합물을 포함할 수 있는 유기박막층으로는 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 층을 포함할 수 있는 바, 이 중에서 적어도 어느 하나의 층은 본 발명에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함한다. 특히, 전자수송층 또는 전자주입층에 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함할 수 있다. 또한, 상기 유기광전자소자용 화합물이 발광층 내에 포함되는 경우 상기 유기광전자소자용 화합물은 인광 또는 형광호스트로서 포함될 수 있고, 특히, 형광 청색 도펀트 재료로서 포함될 수 있다.
도 1 내지 도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 유기발광소자의 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기발광소자(100, 200, 300, 400 및 500)는 양극(120), 음극(110) 및 이 양극과 음극 사이에 개재된 적어도 1층의 유기박막층(105)을 포함하는 구조를 갖는다.
상기 양극(120)은 양극 물질을 포함하며, 이 양극 물질로는 통상 유기박막층으로 정공주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 상기 양극 물질의 구체적인 예로는 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물을 들 수 있고, ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합을 들 수 있고, 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 양극으로 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 투명전극을 사용할 수 있다.
상기 음극(110)은 음극 물질을 포함하여, 이 음극 물질로는 통상 유기박막층으로 전자주입이 용이하도록 일 함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금을 들 수 있고, LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 바람직하게는 상기 음극으로 알루미늄 등과 같은 금속전극을 사용할 수 있다.
먼저 도 1을 참조하면, 도 1은 유기박막층(105)으로서 발광층(130)만이 존재하는 유기발광소자(100)를 나타낸 것으로, 상기 유기박막층(105)은 발광층(130)만으로 존재할 수 있다.
도 2를 참조하면, 도 2는 유기박막층(105)으로서 전자수송층을 포함하는 발광층(230)과 정공수송층(140)이 존재하는 2층형 유기발광소자(200)를 나타낸 것으로, 도 2에 나타난 바와 같이, 유기박막층(105)은 발광층(230) 및 정공 수송층(140)을 포함하는 2층형일 수 있다. 이 경우 발광층(130)은 전자 수송층의 기능을 하며, 정공 수송층(140)은 ITO와 같은 투명전극과의 접합성 및 정공수송성을 향상시키는 기능을 한다.
도 3을 참조하면, 도 3은 유기박막층(105)으로서 전자수송층(150), 발광층(130) 및 정공수송층(140)이 존재하는 3층형 유기발광소자(300)로서, 상기 유기박막층(105)에서 발광층(130)은 독립된 형태로 되어 있고, 전자수송성이나 정공수송성이 우수한 막(전자수송층(150) 및 정공수송층(140))을 별도의 층으로 쌓은 형태를 나타내고 있다.
도 4를 참조하면, 도 4는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)이 존재하는 4층형 유기발광소자(400)로서, 상기 정공주입층(170)은 양극으로 사용되는 ITO와의 접합성을 향상시킬 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 5는 유기박막층(105)으로서 전자주입층(160), 전자수송층(150), 발광층(130), 정공수송층(140) 및 정공주입층(170)과 같은 각기 다른 기능을 하는 5개의 층이 존재하는 5층형 유기발광소자(500)를 나타내고 있으며, 상기 유기발광소자(500)는 전자주입층(160)을 별도로 형성하여 저전압화에 효과적이다.
상기 도 1 내지 도 5에서 상기 유기박막층(105)을 이루는 전자 수송층(150), 전자 주입층(160), 발광층(130, 230), 정공 수송층(140), 정공 주입층(170) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나는 상기 유기광전자소자용 화합물을 포함한다. 이 때 상기 유기광전자소자용 화합물은 상기 전자 수송층(150) 또는 전자주입층(160)을 포함하는 전자수송층(150)에 사용될 수 있으며, 그 중에서도 전자수송층에 포함될 경우 정공 차단층(도시하지 않음)을 별도로 형성할 필요가 없어 보다 단순화된 구조의 유기발광소자를 제공할 수 있어 바람직하다.
또한, 상기 유기광전자소자용 화합물이 발광층(130, 230) 내에 포함되는 경우 상기 유기광전자소자용 화합물은 인광 또는 형광호스트로서 포함될 수 있으며, 또는 형광 청색 도펀트로서 포함될 수 있다.
상기에서 설명한 유기발광소자는, 기판에 양극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅(spin coating), 침지법(dipping), 유동코팅법(flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기박막층을 형성한 후, 그 위에 음극을 형성하여 제조할 수 있다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 유기발광소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
(유기광전자소자용 화합물의 제조)
실시예 1: 화학식 7b로 표시되는 화합물의 합성
본 발명의 유기광전자소자용 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 상기 화학식 7b로 표시되는 화합물은 아래의 반응식 1과 같은 방법을 통하여 합성되었다.
[반응식 1]
1단계 : 화합물 A의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 디벤조티오펜-4-보론산 16.76 g(73.48 mmol), 2,6-디브로모피리딘 25 g(105.81 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 4.25 g(3.67 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 250 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 100ml를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 칼럼 크로마토그래피를 이용하여 화합물 A 19 g(수율 76%)을 얻었다.
2단계 : 화합물 B의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 상기 화합물 A 13.3 g(39.08 mmol), 카보졸-3-보론산 피나콜레이트 11.5 g(39.08 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 2.26 g(1.95 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 120 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 60 mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 클로로벤젠을 사용하여 재결정 하여 화합물 B 7 g(수율 42%)을 얻었다.
3단계 : 화학식 7b로 표시되는 화합물의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에서 화합물 B로 표시되는 화합물 7 g(16.41 mmol), 브로모트리페닐렌 6.6 g(21.34 mmol) 및 터셔리부톡시나트륨 4.7 g (49.24 mmol)을 톨루엔 180 mL에 녹인 후, 팔라듐 다이벤질리덴아민 0.751 g (0.82 mmol) 과 터셔리부틸인(50%) 0.996 g (2.46 mmol)을 적가한다. 반응용액을 질소기류하에서 12 시간 동안 110도로 가열하여 교반하였다. 반응 종결 후 반응물에 메탄올을 부어 생기는 고형물을 필터 한 다음, 고형물을 다시 클로로벤젠에 녹여 활성탄 과 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터한 다음 클로로벤젠을 이용해 재결정 하여 화합물 7b 6.3 g(수율 59%)을 얻었다.
calcd. C47H28N2S: C, 86.47; H, 4.32; N, 4.29; found: C, 86.52; H, 4.48; N, 4.47
실시예 2: 화학식 5b로 표시되는 화합물
본 발명의 유기광전자소자용 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 상기 화학식 5b로 표시되는 화합물은 아래의 반응식 2와 같은 방법을 통하여 합성되었다.
[반응식 2]
[규칙 제91조에 의한 정정 01.02.2013]
1단계 : 화합물 C의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 디벤조티오펜-4-보론산 39.2 g(171.95 mmol), 1,3-디브로모벤젠 81.1 g(343.90 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 9.94 g(8.6 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 1L 와 2M-탄산칼륨 수용액 500mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 칼럼 크로마토그래피를 이용하여 화합물 A 41 g(수율 70%)을 얻었다.
2단계 : 화합물 D의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 상기 화합물 C 11.96 g(35.25 mmol), 카바졸-3-보론산 피나콜레이트 13.43 g(45.82 mmol), 테트라키스프리페닐포스핀팔라듐(0) 2.04 g(1.76 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 200 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 100 mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 칼럼크로마토 그래피를 이용하여 화합물 D 8.5 g(수율 57%)을 분리하였다.
3단계 : 화학식 5b로 표시되는 화합물의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에서 화합물 D로 표시되는 화합물 8.9 g(20.97 mmol), 브로모 트리페닐렌 9.6 g(31.45 mmol) 및 터셔리부톡시나트륨 4.03 g (41.93 mmol)을 톨루엔 130 mL에 녹인 후, 팔라듐 다이벤질리덴아민 0.603 g (1.05 mmol) 과 터셔리부틸인(50%) 0.636 g (3.15 mmol)을 적가한다. 반응용액을 질소기류하에서 12 시간 동안 110도로 가열하여 교반하였다. 반응 종결 후 반응물에 메탄올을 부어 생기는 고형물을 필터 한 다음, 고형물을 다시 클로로벤젠에 녹여 활성탄과 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터한 다음 클로로벤젠을 이용해 재결정 하여 화합물 5b 7 g(수율 51%)을 얻었다.
calcd. C48H29NS: C, 88.45; H, 4.48; N, 2.15; found: C, 88.52; H, 4.56; N, 2.23
실시예 3: 화학식 8a로 표시되는 화합물
본 발명의 유기광전자소자용 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 상기 화학식 8a로 표시되는 화합물은 아래의 반응식 3과 같은 방법을 통하여 합성되었다.
[반응식 3]
1단계 : 화합물 E의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 1 L 둥근바닥 플라스크에 N-(4,6-디페닐 피리미딘-2-일)카바졸-3-브로마이드 40.95 g(85.97 mmol), 비스(피나콜레이토)디보론 32.75 g(128.96 mmol), 포타슘아세테이트 25.31 g(257.91 mmol), [1,1 -비스(디페닐포스피노)페로센]디클로로파라듐 3.51 g(4.3 mmol) 및 디메틸포름아미드 480 mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 반응물을 물에 부어 생기는 고체를 거른 다음 디클로로메탄에 녹여 무수황산마그네슘과 활성탄을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 디클로로메탄에 녹여 과량의 헥산으로 침전시켜 화합물 E 30 g(수율 67%)을 얻었다.
2단계 : 화학식 8a로 표시되는 화합물의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 상기 화합물 C 9.05 g(26.68 mmol), 화합물 D 13.97 g(26.68 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 1.54 g(1.33 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 200 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 100 mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘과 활성탄을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 톨루엔과 헥산을 이용하여 재결정하여 화합물 8a 13.8 g(수율 79%)를 얻었다.
calcd. C46H29N3S: C, 84.25; H, 4.46; N, 6.41; found: C, 84.34; H, 4.48; N, 6.52
실시예 4: 화학식 12a로 표시되는 화합물
본 발명의 유기광전자소자용 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 상기 화학식 12a로 표시되는 화합물은 아래의 반응식 4와 같은 방법을 통하여 합성되었다.
[반응식 4]
1단계 : 화합물 F의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 디벤조퓨란-4-보론산 17.5 g(82.51 mmol), 1,3-디브로모벤젠 38.93 g(165.03 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 4.77 g(4.13 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 520 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 200 mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘을 넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 칼럼 크로마토그래피를 이용하여 화합물 F 16 g(수율 60%)을 얻었다.
2단계 : 화학식 12a로 표시되는 화합물의 합성
질소 분위기의 교반기가 부착된 500 mL 둥근바닥 플라스크에 상기 화합물 E 15 g(28.66 mmol), 화합물 F 13.89 g(42.99 mmol), 테트라키스트리페닐포스핀팔라듐(0) 1.66 g(1.43 mmol) 및 테트라하이드로퓨란 260 mL 와 2M-탄산칼륨 수용액 100 mL를 혼합한 후, 질소기류하에서 12 시간 동안 가열 환류하였다. 반응 종결 후 유기층을 분리한 다음 무수황산마그네슘과 활성탄을넣어 교반한다. 용액을 필터 한 다음 용매를 모두 제거한다. 클로로벤젠과 헥산을 이용하여 재결정하여 화합물 12a 13 g(수율 71%)를 얻었다.
calcd. C46H29N3S: C, 84.25; H, 4.46; N, 6.41; found: C, 84.31; H, 4.49; N, 6.54
(유기발광소자의 제조)
실시예 5: 실시예 3의 화합물을 이용한 유기발광소자의 제조
상기 실시예 3에서 합성된 화합물을 호스트로 사용하고, Ir(PPy)3를 도펀트로 사용하여 유기발광소자를 제작하였다. 양극으로는 ITO를 1000 Å의 두께로 사용하였고, 음극으로는 알루미늄(Al)을 1000 Å의 두께로 사용하였다.
구체적으로, 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15 Ω/cm2의 면저항값을 가진 ITO 유리 기판을 50 mm × 50 mm × 0.7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코올과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파 세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 진공도 650×10-7 Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 N,N'-디(1-나프틸)-N,N'-디페닐벤지딘 (NPB) (70 nm) 및 4,4',4"-트리(N-카바졸일)트리페닐아민 (TCTA) (10 nm)를 증착하여 800 Å의 정공수송층을 형성하였다.
이어서, 동일한 진공 증착조건에서 상기 실시예 2에서 합성된 화합물을 이용하여 막 두께 300 Å의 발광층을 형성하였고, 이 때, 인광 도펀트인 Ir(PPy)3을 동시에 증착하였다. 이 때, 인광 도펀트의 증착속도를 조절하여, 발광층의 전체량을 100 중량%로 하였을 때, 인광 도펀트의 배합량이 7 중량%가 되도록 증착하였다.
상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여 비스(8-하이드록시-2-메틸퀴놀리나토)-알루미늄비페녹시드(BAlq)를 증착하여 막 두께 50 Å의 정공저지층을 형성하였다.
이어서, 동일한 진공 증착조건에서 Alq3를 증착하여, 막 두께 200 Å의 전자수송층을 형성하였다.
상기 전자수송층 상부에 음극으로서 LiF와 Al을 순차적으로 증착하여 유기광전소자를 제작하였다.
상기 유기광전소자의 구조는 ITO/ NPB (70 nm)/ TCTA (10 nm)/ EML (실시예 3의 화합물(93 중량%) + Ir(PPy)3(7 중량%), 30 nm)/ Balq (5 nm)/ Alq3 (20 nm)/ LiF (1 nm) / Al (100 nm) 의 구조로 제작하였다.
실시예 6: 실시예 4의 화합물을 이용한 유기발광소자의 제조
상기 실시예 3에서 합성된 화합물을 발광층의 호스트로 사용한 것을 대신하여, 실시예 4에서 합성된 화합물을 발광층의 호스트로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 5와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
비교예 1: 카바졸 바이페닐(carbazole biphenyl, CBP)
상기 실시예 3에서 합성된 화합물을 발광층의 호스트로 사용한 것을 대신하여, 4,4-N,N-다이카바졸바이페닐(CBP)를 발광층의 호스트로 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 5와 동일한 방법으로 유기발광소자를 제작하였다.
(유기발광소자의 성능 측정)
상기 실시예 5, 6 및 비교예 1에서 제조된 각각의 유기발광소자에 대하여 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도변화 및 발광효율을 측정하였다. 구체적인 측정방법은 다음과 같고, 그 결과는 하기 표 1에 나타내었다
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0 V 부터 10 V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 밝기(9000 cd/m2)의 전류 효율(cd/A)을 계산하였다.
(4) 색좌표는 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 측정하였고, 그 결과를 나타내었다.
표 1
| 발광층의 호스트 재료 | 구동전압(V) | 9000 cd/m2 | ||
| 발광효율(cd/A) | 색좌표(x, y) | |||
| 실시예 5 | 실시예 3 | 5.7 | 52.7 | 0.32, 0.66 |
| 실시예 6 | 실시예 4 | 5.5 | 52.2 | 0.33, 0.66 |
| 비교예 1 | CBP | 4.8 | 31.4 | 0.33, 0.63 |
상기 표1을 보면 본 발명에서 합성된 화합물을 사용하여 제조된 유기발광소자의 발광효율이 50cd/A 이상으로 측정되었으며, 이는 비교예 1에서 제시된 CBP의 발광효율을 훨씬 뛰어넘는 것을 알 수 있다. 따라서 본 발명에서 제시된 화합물이 양호한 유기발광소자용 재료로 사용될 수 있는 가능성을 보여준다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
<도면의 주요 부위에 대한 설명>
100 : 유기발광소자 110 : 음극
120 : 양극 105 : 유기박막층
130 : 발광층 140 : 정공 수송층
150 : 전자수송층 160 : 전자주입층
170 : 정공주입층 230 : 발광층 + 전자수송층
Claims (17)
- 하기 화학식 1로 표시되는 유기광전자소자용 화합물:[화학식 1]
상기 화학식 1에서,X는 S, O 또는 Se이고,ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다. - 제 1 항에 있어서,상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 2-1 또는 2-2로 표시되는 것인 유기광전자소자용 화합물:[화학식 2-1]
[화학식 2-2]
상기 화학식 2-1 및 2-2에서,X는 S, O 또는 Se이고,ETU는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다. - 제 1 항에 있어서,상기 ETU는 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트롤리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합인 것인 유기광전자소자용 화합물.
- 하기 화학식 3으로 표시되는 유기광전자소자용 화합물:[화학식 3]
상기 화학식 3에서,X는 S, O 또는 Se이고,Ar1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고,R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다. - 제 4 항에 있어서,상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프타닐렌기 또는 이들의 조합인 것인 유기광전자소자용 화합물.
- 제 4 항에 있어서,상기 Ar1은 치환 또는 비치환된 피리디닐렌기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐렌기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐렌기 또는 이들의 조합인 것인 유기광전자소자용 화합물.
- 제 4 항에 있어서,상기 유기광전자소자용 화합물은 하기 화학식 4-1 또는 4-2로 표시되는 것인 유기광전자소자용 화합물:[화학식 4-1]
[화학식 4-2]
상기 화학식 4-1 및 4-2에서,X는 S, O 또는 Se이고,A1 내지 A3는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 CR' 또는 헤테로 원자이고,상기 R' 및 R1 내지 R6은 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 수소; 중수소; 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기; 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기; 또는 전자 특성을 가지는, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이다. - 제 7 항에 있어서,상기 A1 내지 A3는 서로 동일하거나 상이하며, 독립적으로 CR' 또는 질소 원자인 것인 유기광전자소자용 화합물.
- 제 8 항에 있어서,상기 A1 내지 A3 중 적어도 어느 하나는 질소인 것인 유기광전자소자용 화합물.
- 제 1 항에 있어서,상기 유기광전자소자는 유기광전소자, 유기발광소자, 유기태양전지, 유기트랜지스터, 유기 감광체 드럼 및 유기메모리소자로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기광전자소자용 화합물.
- 양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 개재되는 적어도 한 층 이상의 유기박막층을 포함하는 유기발광소자에 있어서,상기 유기박막층 중 적어도 어느 한 층은 상기 제 1 항에 따른 유기광전자소자용 화합물을 포함하는 것인 유기발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 유기박막층은 발광층, 정공수송층, 정공주입층, 전자수송층, 전자주입층, 정공차단층 및 이들의 조합을 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 유기광전자소자용 화합물은 전자수송층 또는 전자주입층 내에 포함되는 것인 유기발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 포함되는 것인 유기발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 인광 또는 형광 호스트 재료로서 사용되는 것인 유기발광소자.
- 제 11 항에 있어서,상기 유기광전자소자용 화합물은 발광층 내에 형광 청색 도펀트 재료로서 사용되는 것인 유기발광소자.
- 제 11 항의 유기발광소자를 포함하는 것인 표시장치.
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Legal Events
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| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11844643 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
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| NENP | Non-entry into the national phase |
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| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11844643 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |