WO2012132803A1 - 極端紫外光光源装置 - Google Patents

極端紫外光光源装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2012132803A1
WO2012132803A1 PCT/JP2012/055798 JP2012055798W WO2012132803A1 WO 2012132803 A1 WO2012132803 A1 WO 2012132803A1 JP 2012055798 W JP2012055798 W JP 2012055798W WO 2012132803 A1 WO2012132803 A1 WO 2012132803A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
euv
extreme ultraviolet
light source
source device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
PCT/JP2012/055798
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
佐藤　弘人
泰伸 薮田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Original Assignee
Ushio Denki KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK filed Critical Ushio Denki KK
Publication of WO2012132803A1 publication Critical patent/WO2012132803A1/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Ceased legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
    • H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
    • H05G2/009—Auxiliary arrangements not involved in the plasma generation
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908—Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70916—Pollution mitigation, i.e. mitigating effect of contamination or debris, e.g. foil traps
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—HANDLING OF PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/02—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators
    • G21K1/04—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diaphragms, collimators using variable diaphragms, shutters, choppers

Definitions

  • the present invention relates to an extreme ultraviolet light source device that emits extreme ultraviolet light, and more specifically, it is possible to prevent the outflow of contaminants from the extreme ultraviolet light source device to an exposure machine connected through a light exit port.
  • the present invention relates to an extreme ultraviolet light source device.
  • FIG. 9 is a diagram for simply explaining the EUV light source device described in Patent Document 1.
  • the EUV light source apparatus has a chamber 1 that is a container.
  • a discharge part 1a in which a pair of disc-like discharge electrodes 2a, 2b constituting a plasma generation part are accommodated, a foil trap 5, an EUV collector mirror 6 which is a condensing optical means, and the like. And an EUV collector 1b to be accommodated.
  • Reference numeral 3 denotes a gas exhaust unit for exhausting the discharge unit 1a and the EUV condensing unit 1b to make the chamber 1 in a vacuum state.
  • 2a and 2b are disk-shaped electrodes. The electrodes 2a and 2b are separated from each other by a predetermined interval, and rotate about the rotation shafts 16c and 16d by the rotation of the rotary motors 16a and 16b, respectively.
  • 14 is a high-temperature plasma raw material that emits EUV light having a wavelength of 13.5 nm.
  • the high temperature plasma raw material 14 is heated molten metal, for example, liquid tin, and is accommodated in the container 15.
  • the electrodes 2a and 2b are arranged so that a part of the electrodes 2a and 2b is immersed in a container 15 that accommodates the high-temperature plasma raw material 14.
  • the liquid high-temperature plasma raw material 14 placed on the surfaces of the electrodes 2a and 2b is transported to the discharge space as the electrodes 2a and 2b rotate.
  • the laser beam 17 is irradiated from the laser source 17a to the high temperature plasma raw material 14 transported to the upper discharge space.
  • the high temperature plasma raw material 14 irradiated with the laser beam 17 is vaporized.
  • pulse power is applied to the electrodes 2a and 2b from the power supply means 4 to start pulse discharge between the electrodes 2a and 2b.
  • a plasma P is formed by the high temperature plasma raw material 14.
  • the EUV is emitted from the high temperature plasma P.
  • the EUV light radiated from the high temperature plasma P is collected by the EUV collector mirror 6 at a condensing point (also referred to as an intermediate condensing point) f of the condensing mirror 6, and is emitted from the EUV light exit port 7. Then, the light enters the exposure device 30 indicated by a dotted line connected via the EUV light exit 7.
  • the present invention has been made based on the above, and it is an object of the present invention to realize an apparatus capable of preventing a contaminant from flowing out from the light exit of an extreme ultraviolet light source apparatus to the exposure machine side.
  • a rotating blade (propeller) is disposed between the collector mirror and the light exit of the extreme ultraviolet light source device, and the rotation axis thereof is disposed outside the optical path of the extreme ultraviolet light. . Then, the rotating blade is rotated, and when the extreme ultraviolet light is not emitted, the rotating blade is passed between the condenser mirror and the light exit port. While the rotary blade passes in front of the light emission port, the light emission port is substantially shielded by the rotary blade.
  • the rotary blades are rotated so as to intersect the optical axis of the EUV light, the contaminants that have traveled toward the light exit port collide with the rotor blades, and the traveling direction is bent, so Outflow is suppressed.
  • the rotary blade also crosses the optical path of the extreme ultraviolet light collected by the condenser mirror. Therefore, the generation timing of the plasma that emits extreme ultraviolet light is synchronized with the rotation period of the rotating blade so that the extreme ultraviolet light does not interfere with the light exit, and no plasma is generated on the rotating blade. Sometimes it passes through the light exit before the light is incident. That is, the present invention solves the above problems as follows.
  • a container is provided with a plasma generation unit and a condensing mirror that collects extreme ultraviolet light emitted from the plasma generated in the plasma generation unit, and the container is focused by the condensing mirror.
  • the extreme ultraviolet light source device in which the extreme ultraviolet light is emitted and the light emission port connected to the second container (exposure machine) is formed, the light is emitted between the condenser mirror and the light emission port.
  • a rotating blade that rotates in a plane that intersects the optical axis of the extreme ultraviolet light is disposed on the light incident side of the light exit port, and the condensing mirror collects the rotating shaft of the rotating means that rotates the rotating blade. It is placed outside the optical path of the shining extreme ultraviolet light.
  • the extreme ultraviolet light source device is provided with a rotation control unit for controlling the rotation means, and the rotation control unit includes a period of plasma generation in the plasma generation unit, and the rotating blade. And the rotation of the rotor blades is controlled so that the rotor blades pass between the condenser mirror and the light exit port when the plasma is not generated.
  • a rotating blade that rotates in a plane intersecting the optical axis of the condenser mirror is disposed between the condenser mirror and the light exit opening and on the light incident side of the light exit opening. While the rotor blades pass in front of the light exit port, the light exit port can be substantially shielded and the outflow of contaminants can be suppressed. Further, the contaminant that has traveled toward the light exit port collides with the rotor blade, and the traveling direction thereof is bent. This can also suppress the outflow of pollutants. Further, when the plasma is not generated, the rotation of the rotor blade is controlled so that the rotor blade passes between the condensing mirror and the light exit port, so that the rotor blade does not block extreme ultraviolet light. Will not drop.
  • FIG. It is a figure which shows schematic structure of the EUV light source device of this invention. It is a conceptual diagram of the rotary blade of the Example of this invention. It is an enlarged view of a rotor blade and the vicinity of a light exit. It is a figure explaining the relationship between the timing of EUV light generation, and operation
  • FIG. It is a figure which shows schematic structure at the time of applying this invention to the EUV light source device which is not provided with a discharge electrode. It is a figure explaining an EUV light source device.
  • FIG. 1 shows an outline of the configuration of the EUV light source apparatus of the present invention.
  • the configuration of the EUV light source apparatus is the same as that shown in FIG.
  • the discharge part 1a in which a pair of disc-shaped discharge electrodes 2a, 2b and the like are accommodated, the foil trap 5 and the EUV collector mirror which is a condenser optical means. 6 and the like are provided.
  • the chamber 1 is provided with a gas exhaust unit 3 for evacuating the chamber 1.
  • the disk-shaped electrodes 2a and 2b are separated from each other by a predetermined interval, and rotate around the rotation axes 16c and 16d by the rotation of the rotation motors 16a and 16b, respectively.
  • the high-temperature plasma raw material 14 is heated molten metal, for example, liquid tin, and is accommodated in a container 15, and the electrodes 2 a and 2 b each include a container 15 in which a part of the high-temperature plasma raw material 14 accommodates the high-temperature plasma raw material 14. It is arranged to be immersed in the inside.
  • the liquid high-temperature plasma raw material 14 is transported to the discharge space as the electrodes 2a and 2b rotate, and the high-temperature plasma raw material 14 is irradiated with the laser beam 17 from the laser source 17a. To do.
  • pulse power is applied to the electrodes 2a and 2b from the power supply means 4 to start pulse discharge between the electrodes 2a and 2b.
  • a plasma P is formed by the high temperature plasma raw material 14.
  • the EUV is emitted from the high temperature plasma P.
  • the EUV light emitted from the high temperature plasma P enters the EUV collector mirror 6 through the foil trap 5 and is collected by the EUV collector mirror 6 at a condensing point (intermediate condensing point) f of the collector mirror 6.
  • the EUV collector mirror 6 is formed with a light reflecting surface 6a for reflecting EUV light having a wavelength of 13.5 nm emitted from the high temperature plasma P.
  • the EUV collector mirror 6 is composed of a plurality of light reflecting surfaces 6a arranged in a nested manner without contacting each other.
  • Each light reflecting surface 6a is formed by densely coating a metal such as Ru (ruthenium), Mo (molybdenum), Rh (rhodium) on the reflecting surface side of the base material having a smooth surface made of Ni (nickel) or the like. , It is formed so as to favorably reflect extreme ultraviolet light having an incident angle of 0 to 25 °.
  • Each light reflecting surface 6a is configured such that the condensing points f coincide.
  • a rotating blade (propeller) 8 that rotates in a plane intersecting the optical axis of the EUV light is disposed between the EUV collector mirror 6 and the EUV light exit 7 and on the light incident side of the light exit 7.
  • the rotary blade 8 is attached to a rotary shaft 9 a of a motor (rotating means) 9.
  • the motor 9 operates and the rotary shaft 9a rotates, the rotary blade 8 crosses the light incident side of the light exit 7.
  • the motor (rotating means) 9 and its rotating shaft 9a are arranged outside the optical path of the EUV light so as not to block the EUV light collected by the condensing mirror 6 and passing through the EUV light exit port 7.
  • FIG. 2 is a conceptual diagram of a rotor blade according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 (a) is a perspective view of the rotor blades
  • FIGS. 9 (b) and (c) explain the relationship between the generation of plasma and the rotational position of the rotor blades. It is a figure to do.
  • Substances that contaminate the optical elements in the exposure machine such as water and hydrocarbon (hydrocarbon), exist as gas (gas) in the chamber 1 and fly around the chamber 1 in all directions.
  • a part of the light enters the exposure device 30 from the EUV light exit 7.
  • the rotary blade 8 is arranged on the light incident side of the EUV light exit 7 and rotates to prevent contaminants from entering the exposure device 30.
  • the rotating blade 8 must not block the optical path during the emission of EUV light.
  • the plasma P that emits EUV light is formed by applying pulsed power from the power supply means 4. Therefore, EUV light is also emitted in a pulsed manner in accordance with the generation of the plasma P. For this reason, as shown in FIGS. 2B and 2C, when the plasma P is formed and EUV light is emitted, the rotating blade 8 does not block the EUV light emission port 7 (FIG. 2C).
  • the rotating blade 8 is rotated so that the rotating blade 8 closes the EUV light emission port 7 (FIG. 2B).
  • the control unit 10 of the EUV light source apparatus controls the operation of the power supply means 4 and the laser source 17a to control the formation of plasma P, that is, the generation timing (cycle) of EUV light.
  • the operation of the motor 9 by the rotation control unit 11, that is, the rotation cycle of the rotary blade 8 is changed when plasma P is formed and EUV light is emitted.
  • the rotor 8 is controlled so as not to block the EUV light exit 7.
  • the rotation control unit 11 is controlled by a synchronization control unit 10 a provided in the control unit 10.
  • the synchronization control unit 10a outputs a synchronization signal to the rotation control unit 11 in order to synchronize the cycle of plasma generation in the plasma generation unit and the rotation cycle of the rotor blades.
  • the rotation control unit 11 causes the rotary blade 8 to pass between the condenser mirror 6 and the light exit port 7 when the plasma is not generated (when EUV light is not generated).
  • EUV light when EUV light is not generated.
  • the motor 9 is controlled to rotate in synchronization with the synchronization signal, or A sensor or the like is provided to detect the emission of EUV light, and the motor is rotated in synchronization with the emission of EUV light.
  • FIG. 3 shows an enlarged view of the vicinity of the rotor blade and the light exit port.
  • FIG. 5A is a cross-sectional view of the vicinity of the light exit opening taken along a plane along the optical axis of the EUV light and the rotation axis of the motor 9, and
  • FIG. 5B is a view of the rotary blade viewed from the EUV collector mirror 6 side. It is.
  • the EUV light from the condenser mirror 6 is collected at the light exit 7 with an angle ⁇ with the optical axis.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the relationship between the generation timing of EUV light and the operation of the rotor blades.
  • FIGS. 4A to 4C show the rotation state of the rotor blade 8
  • FIG. 4D shows the generation timing of EUV light. Indicates.
  • the EUV light is generated only for a time t1 in the operation of one pulse, and the time t2 until the light emission of the next pulse is in a non-light emitting state.
  • the rotor blade 8 is prevented from reaching the optical path spot Ls, and during the EUV no light emission, the rotor blade 8 crosses the optical path spot Ls.
  • the rotation frequency of the rotor blade 8 is f2, the diameter of the optical path spot is r, the radius of the navigation rotor blade 8 is R, and the width of the rotor blade 8 is w (see FIG. 4A).
  • FIGS. 5 shows the positional relationship between the rotational axis center of the rotary blade 8 and the optical path spot Ls
  • FIG. 6 shows the rotational position of the rotary blade.
  • ⁇ 2 ⁇ 4 ⁇ 2 ⁇ ⁇ must be satisfied in order for the rotor blade 8 to completely cross the optical path spot Ls during no light emission.
  • ⁇ 4 is an angle at which the width w of the rotary blade 8 extends from the center of the rotary blade (axis) in the optical path spot Ls.
  • ⁇ 5 ⁇ 2 ⁇ ⁇ must be satisfied so that the rotor blade does not cross the optical path spot during light emission.
  • the minimum shaft offset value ⁇ allowed for a certain rotation frequency f2 is determined. Assuming that this minimum axis offset is ⁇ 2, the limit minimum radius R2 of the rotor blade is ⁇ 2 + r (condition 2).
  • the axis offset ⁇ must be greater than ⁇ 1 and ⁇ 2. If the axis offset ⁇ is determined, the minimum value of the rotor blade radius R is ⁇ + r as described above.
  • the relationship between the rotor blade rotation frequency f2 and the minimum rotor blade radius R is shown in FIG.
  • the EUV emission time t1 in one pulse operation was 1 ⁇ s
  • the EUV emission repetition frequency f1 was 20 kHz
  • the number N of rotating blades was 20,
  • the width w of the rotating blades was 10 mm.
  • the limit minimum radius line R1 and the limit minimum radius line R2 correspond to the minimum axis offset ⁇ 1 (condition 1) and the minimum axis offset ⁇ 2 (condition 2), respectively. What the rotor blade radius R can take is the shaded area in FIG.
  • the repetition frequency of EUV light emission is f1
  • f1 and f2 ⁇ N must have a common divisor.
  • values that f2 can take are discrete values such as 2000 Hz, 1000 Hz, 500 Hz, and 200 Hz.
  • the rotary blade 8 crosses the light exit port 7 while no light is emitted, the light exit port 7 is substantially shielded by the rotary blade 8.
  • the shielding rate is represented by ⁇ 4 / ⁇ 3, and in the present embodiment, the value is 34%.
  • the incoming contaminant collides with the rotor blade 8 and does not flow out from the light exit 7. In the vicinity of the light exit, most of the contaminants are considered to be within this speed range, and the outflow to the exposure apparatus side is considerably suppressed.
  • FIG. 8 shows an outline of a configuration in which the present invention is applied to an EUV light source apparatus that does not include a discharge electrode.
  • the EUV light source apparatus includes a chamber 1 that houses a condensing reflecting mirror 21 that is a condensing optical means.
  • the condensing reflecting mirror 21 is formed with a light reflecting surface 21a for reflecting EUV light having a wavelength of 13.5 nm emitted from high-temperature plasma and condensing the light at a condensing point f.
  • the chamber 1 is provided with a gas exhaust unit 3 for making the chamber 1 in a vacuum state.
  • the EUV light source device includes a raw material supply unit 22 that drops (drops) and supplies a liquid or solid raw material M for generating high-temperature plasma on the light reflecting surface 21 a side of the condenser reflector 21.
  • the raw material M is, for example, tin (Sn) or lithium (Li).
  • the EUV light source device includes a high-power laser device 23 that irradiates the raw material M supplied by the raw material supply means 22 with a laser beam with very high energy.
  • the raw material supply means 22 has a very high energy from the high-power laser device 23 through the laser incident window 23a to the high-temperature plasma raw material M supplied to the light reflecting surface 21a side of the condensing reflector 21. A laser beam is irradiated.
  • the raw material M becomes high-temperature plasma and emits EUV light having a wavelength of 13.5 nm.
  • the EUV light radiated from the high temperature plasma is reflected by the light reflecting surface 21a of the condensing reflecting mirror 21 and is condensed at the condensing point f.
  • the condensed EUV light exits from the EUV light exit 7 and enters the exposure device 30 connected via the EUV exit 7.
  • the rotary blade (propeller) 8 described in the above embodiment is provided between the condenser reflector 21 and the EUV light exit 7 and on the light exit 7 side.
  • the synchronization control unit 10 a of the control unit 10 generates a synchronization signal for synchronizing the dropping timing of the raw material M from the raw material supply means 22, the laser irradiation timing of the laser device 23, and the rotational speed of the rotary blade 8.
  • the rotation control unit 11 when the EUV light is emitted, the rotation control unit 11 does not emit the EUV light so that the rotating blade 8 does not block the EUV light emission port 7. At times, the rotor 8 is rotated so that the rotor 8 closes the EUV light exit 7.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • X-Ray Techniques (AREA)

Abstract

　極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出するのを防ぐ。高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光点ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、露光機３０に入射する。集光鏡６と光出射口７の間に、モータ９によりＥＵＶ光の光軸と交差するように回転する回転翼（プロペラ）８が配置され、その回転軸９ａは極端紫外光の光路外に配置される。極端紫外光が発光していないとき、回転翼８を集光鏡６と光出射口７の間を通過させる。極端紫外光が発光していないとき光出射口７が回転翼によって実質的に遮蔽され、また、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。

Description

極端紫外光光源装置
　本発明は、極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置に関し、さらに詳細には、極端紫外光光源装置から光出射口を介して接続される露光機への汚染物質の流出を防ぐことができる極端紫外光光源装置に関するものである。
　半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、露光用光源の短波長化が進められ、次世代の半導体露光用光源として、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光（以下、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ　Ｖｉｏｌｅｔ）光ともいう）を放射する極端紫外光光源装置（以下、ＥＵＶ光源装置ともいう）の開発が進められている。
　図９は、特許文献１に記載されたＥＵＶ光源装置を簡易的に説明するための図である。
　ＥＵＶ光源装置は、容器であるチャンバ１を有する。チャンバ１内には、プラズマ発生部を構成する一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂなどが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５や集光光学手段であるＥＵＶ集光鏡６などが収容されるＥＵＶ集光部１ｂとを備えている。
　３は、放電部１ａ、ＥＵＶ集光部１ｂを排気して、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニットである。
　２ａ，２ｂは円盤状の電極である。電極２ａ，２ｂは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ１６ａ，１６ｂが回転することにより、１６ｃ，１６ｄを回転軸として回転する。
　１４は、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する高温プラズマ原料である。高温プラズマ原料１４は、加熱された溶融金属（ｍｅｌｔｅｄ　ｍｅｔａｌ）例えば液体状のスズであり、コンテナ１５に収容される。
　上記電極２ａ，２ｂは、その一部が高温プラズマ原料１４を収容するコンテナ１５の中に浸されるように配置される。電極２ａ，２ｂの表面上に乗った液体状の高温プラズマ原料１４は、電極２ａ，２ｂが回転することにより、放電空間に輸送される。上放電空間に輸送された高温プラズマ原料１４に対してレーザ源１７ａよりレーザ光１７が照射される。レーザ光１７が照射された高温プラズマ原料１４は気化する。
　高温プラズマ原料１４がレーザ光１７の照射により気化された状態で、電極２ａ，２ｂに、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより、両電極２ａ，２ｂ間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料１４によるプラズマＰが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶが放射される。
　高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ＥＵＶ集光鏡６により集光鏡６の集光点（中間集光点とも言う）ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置にＥＵＶ光出射口７を介して接続された点線で示した露光機３０に入射する。
特表２００７－５０５４６０号公報
　ＥＵＶ光源装置のチャンバ内には、水やハイドロカーボン（炭化水素）など露光機内を汚染する物質が漂っている。そのため、ＥＵＶ光源装置と露光機を接続する光出射口から、上記汚染物質が露光機側に流出する可能性がある。
　ＥＵＶ光を透過する硝材（ガラス）はないので、汚染物質の流出をふさぐために光出射口に蓋を設けることができない。すなわち、ＥＵＶ光源装置においては、汚染物質の露光機側への流出を防ぐことは重要な課題である。
　本発明は上記に基づきなされたものであって、極端紫外光光源装置の光出射口から露光機側に汚染物質が流出することを防ぐことができる装置を実現することを目的とする。
　上記課題を解決するため、本発明においては、極端紫外光光源装置の集光鏡と光出射口の間に回転翼（プロペラ）を配置し、その回転軸を極端紫外光の光路外に配置する。そして、回転翼を回転させ、極端紫外光が発光していないとき、回転翼を集光鏡と光出射口の間を通過させる。回転翼が光出射口の前を通過する間は、光出射口が回転翼によって実質的に遮蔽される。また、回転翼はＥＵＶ光の光軸と交差するように回転しているので、光出射口に向かって進んできた汚染物質が回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制される。
　ここで、回転翼は、集光鏡により集光される極端紫外光の光路を横切ることにもなる。そのため、極端紫外光が光出射口を通過することを妨げないように、極端紫外光を放射するプラズマの発生のタイミングと、回転翼の回転周期を同期させ、回転翼はプラズマが発生していない時に、光出射口の光入射の前を通過するようにする。
　すなわち、本発明は次のようにして前記課題を解決する。
（１）容器内に、プラズマ発生部と、該プラズマ発生部において発生したプラズマから放射する極端紫外光を集光する集光鏡とを備え、上記容器には、上記集光鏡により集光された極端紫外光が出射するとともに、第２の容器（露光機）に接続された光出射口が形成されている極端紫外光光源装置において、上記集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側に、極端紫外光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼を配置し、該回転翼を回転させる回転手段の回転軸を、上記集光鏡が集光する極端紫外光の光路外に配置する。
（２）上記（１）において、上記の極端紫外光光源装置に上記回転手段を制御する回転制御部を設け、該回転制御部は、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させ、上記プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御する。
　本発明においては、集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側に、上記集光鏡の光軸と交差する平面内を回転する回転翼を配置したので、回転翼が光出射口の前を通過する間、光出射口を実質的に遮蔽することができ、汚染物質の流出を抑制することができる。また、光出射口に向かって進んできた汚染物質は、回転翼と衝突し、その進行方向が曲げられる。これによっても汚染物質の流出を抑制することができる。
　また、プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御することにより、回転翼が極端紫外光を遮らないので照度が低下することはない。
本発明のＥＵＶ光源装置の概略構成を示す図である。 本発明の実施例の回転翼の概念図である。 回転翼と光出射口付近の拡大図である。 ＥＵＶ光発生のタイミングと回転翼の動作の関係を説明する図である。 回転軸中心と光路スポットの位置関係を示す図である。 回転翼の回転位置を示す図である。 回転翼回転周波数ｆ２と最小回転翼半径Ｒの関係を示す図である。 放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した場合の概略構成を示す図である。 ＥＵＶ光源装置を説明する図である。
　図１に、本発明のＥＵＶ光源装置の構成の概略を示す。
　ＥＵＶ光源装置の構成は、図９に示したものと同様である。
　前記したように、ＥＵＶ光源装置のチャンバ１内には、一対の円板状の放電電極２ａ，２ｂなどが収容される放電部１ａと、ホイルトラップ５や集光光学手段であるＥＵＶ集光鏡６などが収容されるＥＵＶ集光部１ｂとを備えている。チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット３が設けられる。
　円盤状の電極２ａ，２ｂは所定間隔だけ互いに離間しており、それぞれ回転モータ１６ａ，１６ｂが回転することにより、１６ｃ，１６ｄを回転軸として回転する。
　高温プラズマ原料１４は、加熱された溶融金属（ｍｅｌｔｅｄ　ｍｅｔａｌ）、例えば液体状のスズであり、コンテナ１５に収容され、上記電極２ａ，２ｂは、その一部が高温プラズマ原料１４を収容するコンテナ１５の中に浸されるように配置される。
　液体状の高温プラズマ原料１４は、電極２ａ，２ｂが回転することにより、放電空間に輸送され、この高温プラズマ原料１４に対してレーザ源１７ａよりレーザ光１７が照射され、高温プラズマ原料１４は気化する。
　高温プラズマ原料１４がレーザ光１７の照射により気化された状態で、電極２ａ，２ｂに、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより、両電極２ａ，２ｂ間にパルス放電が開始し、高温プラズマ原料１４によるプラズマＰが形成される。放電時に流れる大電流によりプラズマが加熱励起され高温化すると、この高温プラズマＰからＥＵＶが放射される。
　高温プラズマＰから放射されたＥＵＶ光は、ホイルトラップ５を介してＥＵＶ集光鏡６に入射し、ＥＵＶ集光鏡６により集光鏡６の集光点（中間集光点）ｆに集められ、ＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光源装置にＥＵＶ光出射口７を介して接続された点線で示した露光機３０に入射する。
　ＥＵＶ集光鏡６は、高温プラズマＰから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面６ａが形成されている。
　ＥＵＶ集光鏡６は、互いに接触することなく入れ子状に配置された複数の光反射面６ａにより構成されている。
　各光反射面６ａは、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０～２５°の入射角度の極端紫外光を良好に反射するように形成されている。各光反射面６ａは、集光点ｆが一致するように構成される。
　ＥＵＶ集光鏡６とＥＵＶ光出射口７との間であって上記光出射口７の光入射側に、ＥＵＶ光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼（プロペラ）８が配置される。
　回転翼８はモータ（回転手段）９の回転軸９ａに取り付けられている。モータ９が動作し、回転軸９ａが回転することにより、回転翼８は光出射口７の光入射側を横切る。
　モータ（回転手段）９とその回転軸９ａは、集光鏡６により集光されＥＵＶ光出射口７を通過するＥＵＶ光を遮らないように、ＥＵＶ光の光路外に配置される。
　図２に本発明の実施例の回転翼の概念図を示す。同図は回転翼をＥＵＶ集光鏡側から見た図であり、同図（ａ）は回転翼の斜視図、（ｂ）（ｃ）はプラズマの発生と回転翼の回転位置の関係を説明する図である。
　水やハイドロカーボン（炭化水素）などの露光機内の光学素子を汚染する物質は、チャンバ１内にガス（気体）として存在し、チャンバ１内を四方八方に飛び回っている。そしてその一部が、ＥＵＶ光出射口７から露光機３０に進入する。
　回転翼８はＥＵＶ光出射口７の光入射側に配置され、回転することにより、汚染物質が露光機３０に進入するのを防ぐ。
　ここで、回転翼８は、ＥＵＶ光の発光中は、その光路を遮らないようにしなければならない。上記したように、ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を放射するプラズマＰは、電力供給手段４からパルス電力が印加されることにより形成される。したがってＥＵＶ光の放射も、プラズマＰの発生に応じてパルス状に行われる。
　このため、図２（ｂ）（ｃ）に示すように、プラズマＰが形成されＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように（図２（ｃ））、プラズマＰが生じておらずＥＵＶ光が放射されていない時に、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさぐように（図２（ｂ））回転翼８を回転させる。
　即ち、ＥＵＶ光源装置の制御部１０は、電力供給手段４やレーザ源１７ａの動作を制御することにより、プラズマＰの形成、即ちＥＵＶ光の発生のタイミング（周期）を制御するが、この、プラズマＰの形成（ＥＵＶ光の発生のタイミング（周期））にあわせて、回転制御部１１によりモータ９の動作、即ち回転翼８の回転周期を、プラズマＰが形成されＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように制御する。
　上記回転制御部１１は、制御部１０に設けられた同期制御部１０ａにより制御される。上記同期制御部１０ａは、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させるため、上記回転制御部１１に同期信号を出力する。回転制御部１１は、この同期信号により、上記プラズマが発生していない時（ＥＵＶ光が発生していないとき）に、回転翼８が上記集光鏡６と光出射口７の間を通過するように回転翼８の回転を制御する。
　具体的には、例えば、モータ９にエンコーダを取り付け、モータ９の回転信号を回転制御部１１にフィードバックする等して、モータ９が上記同期信号に同期して回転するように制御したり、また、センサ等を設けてＥＵＶ光の発光を検出し、ＥＵＶ光の発光に同期させてモータを回転させる。
　以下、上記回転翼の具体的な構成例について説明する。
　図３に回転翼と光出射口付近の拡大図を示す。同図（ａ）は光出射口付近をＥＵＶ光の光軸とモータ９の回転軸に沿う平面で切った断面図、同図（ｂ）は回転翼をＥＵＶ集光鏡６側から見た図である。
　同図に示すように、回転翼８は複数枚あり、モータ９の回転軸９ａに取り付けられている。
　図３（ａ）に示すように集光鏡６からのＥＵＶ光は光軸と角度αをなして光出射口７へ集められる。光出射口７には開口径ａのアパーチャが設置されている。回転翼８とアパーチャとの隙間をｔ、回転翼８の軸方向長さをｄとすると、回転翼８が横切る光路スポットＬｓの半径ｒは、ｒ＝ａ／２＋（ｄ＋ｔ）×ｔａｎαとなる。
　本実施例ではα＝１５°、ａ＝４．４ｍｍ、ｔ＝１ｍｍ、ｄ＝１５ｍｍとした。したがってｒは約６．５ｍｍである。
　図４はＥＵＶ光発生のタイミングと回転翼の動作の関係を説明する図であり、同図（ａ）～（ｃ）は回転翼８の回転状態を示し、（ｄ）はＥＵＶ光の発生タイミングを示す。
　図４（ｄ）に示すように、ＥＵＶ光は、１パルスの動作で時間ｔ１だけ発生し、次のパルスの発光までの時間ｔ２は無発光状態となる。
　ＥＵＶ発光中は回転翼８が光路スポットＬｓにかからないようにし、ＥＵＶ無発光中に回転翼８が光路スポットＬｓを横切るようにする。回転翼８の回転周波数をｆ２とし、光路スポットの直径をｒとし、航路回転翼８の半径をＲ、回転翼８の幅をｗとする（図４（ａ）参照）。
　図４（ａ）は発光開始時刻Ｔ１における回転翼８の状態を示し、ＥＵＶ発光中に回転翼８が進む角度θ１（図４（ｂ）参照）はθ１＝２×π×ｆ２×ｔ１、ＥＵＶ無発光中に回転翼が進む角度θ２（図４（ｃ）参照）はθ２＝２×π×ｆ２×ｔ２である。
　回転翼８の形状を決めるための条件について図５、図６を参照しながら述べる。なお、図５は、回転翼８の回転軸中心と光路スポットＬｓの位置関係を示し、図６は回転翼の回転位置を示す。
　まず、無発光中に回転翼８が光路スポットＬｓを完全に横切ってしまうためにはθ２－θ４≧２×βでなければならない。ここで、θ４は光路スポットＬｓにおいて回転翼８の幅ｗが回転翼（軸）中心に対して張る角度である。また、βは図５に示す角度であり、β＝ｓｉｎ-1（ｒ／Δ）である。
　光軸と回転軸９ａの距離（軸オフセット）をΔとするとθ４＝ｗ／Δ（ラジアン）である。この条件から、ある回転周波数ｆ２に対して許容される最小の軸オフセット値Δが決まる。この最小軸オフセットをΔ１とすると、回転翼の限界最小半径Ｒ１＝Δ１＋ｒである（条件１）。
　さらに、発光中に回転翼が光路スポットを横切らないためにはθ５≧２×βでなければならない。ここでθ５は図６に示す角度であり、回転翼の間隔角度θ３からＥＵＶ発光中に回転翼が進む角度θ１と回転翼の幅角度θ４を差し引いた角度である。すなわち、θ５＝θ３－θ１－θ４である。
　回転翼の枚数をＮとすればθ３＝２π／Ｎ（ラジアン）である。これらの条件からある回転周波数ｆ２に対して許容される最小の軸オフセット値Δが決まる。この最小軸オフセットをΔ２とすると、回転翼の限界最小半径Ｒ２＝Δ２＋ｒである（条件２）。
　軸オフセットΔはΔ１およびΔ２より大きくなければならない。軸オフセットΔが決まれば、回転翼半径Ｒの最小値は上記のようにΔ＋ｒとなる。
　回転翼回転周波数ｆ２と最小回転翼半径Ｒの関係を図７に示す。ただし、１パルス動作でのＥＵＶ発光時間ｔ１を１μｓ、ＥＵＶ発光の繰り返し周波数ｆ１を２０ｋＨｚ、回転翼枚数Ｎを２０枚、回転翼の幅ｗ＝１０ｍｍとした。図７において、限界最小半径線Ｒ１および限界最小半径線Ｒ２は、それぞれ、最小軸オフセットΔ１（条件１）および最小軸オフセットΔ２（条件２）に対応する。回転翼半径Ｒがとり得るのは図７の斜線部の領域となる。
　ＥＵＶ発光の繰り返し周波数をｆ１とすると、回転翼が常に無発光時に光路スポットを横切るように同期をとるためにはｆ１とｆ２×Ｎが公約数をもっていなければならない。本実施例ではｆ１＝２０ｋＨｚ、Ｎ＝２０であるので、ｆ２がとり得る値は２０００Ｈｚ、１０００Ｈｚ、５００Ｈｚ、２００Ｈｚなどの離散値となる。図７からわかるように、回転周波数ｆ２が１０００Ｈｚより小さいと回転翼半径Ｒを大きくしなければならず、装置が大型化してしまう。本実施例では回転周波数ｆ２＝１０００Ｈｚ、回転翼半径Ｒ＝１００ｍｍとした。
　回転翼８が無発光中に光出射口７を横切る間は、光出射口７が回転翼８によって実質的に遮蔽されることとなるので、その間、光源側から露光装置側への汚染物質の流出が抑制される。回転翼８が光出射口７を遮蔽する時間比率（遮蔽率）が大きいほど汚染物質の流出抑制効果は高いといえる。遮蔽率はθ４／θ３で表され、本実施例ではその値は３４%である。
　また、回転翼８は光軸と交差するように回転しているので、光出射口７に向かって進んできた汚染物質が回転翼８と衝突し、その進行方向が曲げられることによって汚染物質の流出が抑制されるという効果もある。本実施例では、回転翼８が光出射口７を横切る時間は約７．５μｓであり、回転翼の光軸方向長さｄ＝１５ｍｍであるので、約２０００ｍ／ｓ以下の速さで飛来してくる汚染物質は回転翼８と衝突し、光出射口７から外へは流出しない。光出射口付近では、汚染物質の大部分はこの速度範囲内であると考えられ、露光装置側への流出はかなり抑制される。
　上記実施例においては、放電電極間に生じる放電によりＥＵＶ光を放射するＥＵＶ光源装置を例にして説明を行ったが、ＥＵＶ光源装置には放電電極を備えないものもあり、そのような装置にも、本発明を適用することができる。
　図８に、放電電極を備えないＥＵＶ光源装置に本発明を適用した構成の概略を示す。
　ＥＵＶ光源装置は、集光光学手段である集光反射鏡２１を収容するチャンバ１を備える。集光反射鏡２１は、高温プラズマから放射された波長１３.５ｎｍのＥＵＶ光を反射し、その光を集光点ｆに集光するための光反射面２１ａが形成されている。
　チャンバ１には、チャンバ１内を真空状態にするためのガス排気ユニット３が設けられている。
　ＥＵＶ光源装置は、集光反射鏡２１の光反射面２１ａ側に、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料Ｍを落下（滴下）して供給する原料供給手段２２を備える。原料Ｍは、例えば、スズ（Ｓｎ）、リチウム（Ｌｉ）である。
　ＥＵＶ光源装置は、原料供給手段２２により供給された原料Ｍに対して、非常に高いエネルギーのレーザビームを照射する高出力のレーザ装置２３を備える。
　原料供給手段２２により、集光反射鏡２１の光反射面２１ａ側に供給された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、高出力のレーザ装置２３からレーザ入射窓２３ａを介して非常に高いエネルギーを有するレーザビームが照射される。これによって、原料Ｍが高温プラズマとなり、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射する。高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光反射鏡２１の光反射面２１ａにより反射され、集光点ｆに集光する。この集光するＥＵＶ光はＥＵＶ光出射口７から出射し、ＥＵＶ光出射口７を介して接続された露光機３０に入射する。
　そして、集光反射鏡２１とＥＵＶ光出射口７との間であって、光出射口７側に、上記実施例において説明した回転翼（プロペラ）８を設ける。制御部１０の同期制御部１０ａは、原料供給手段２２からの原料Ｍの滴下とレーザ装置２３のレーザ照射のタイミングと、回転翼８の回転数とを同期させるための同期信号を回転制御部１１に送出し、回転制御部１１は、前記図２に示したように、ＥＵＶ光が放射されている時には、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさがないように、ＥＵＶ光が放射されていない時に、回転翼８がＥＵＶ光出射口７をふさぐように回転翼８を回転させる。
１　　　　チャンバ
１ａ　　　放電部
１ｂ　　　ＥＵＶ集光部
２ａ，２ｂ　放電電極
３　　　　ガス排気ユニット
４　　　　電力供給手段
５　　　　ホイルトラップ
６　　　　ＥＵＶ集光鏡
６ａ　　　光反射面
７　　　　ＥＵＶ光出射口
８　　　　回転翼（プロペラ）
９　　　　モータ（回転手段）
９ａ　　　回転軸
１０　　　制御部
１０ａ　　同期制御部
１１　　　回転制御部
１４　　　高温プラズマ原料
１５　　　コンテナ
１６ａ，１６ｂ　　回転モータ
１６ｃ，１６ｄ　　回転軸
１７　　　レーザ光
１７ａ　　レーザ源
２１　　　集光反射鏡
２１ａ　　光反射面
２２　　　原料供給手段
２３　　　レーザ装置
３０　　　露光機
Ｍ　　　　原料
Ｐ　　　　プラズマ

Claims (2)

  1. 　容器内に、プラズマ発生部と、該プラズマ発生部において発生したプラズマから放射する極端紫外光を集光する集光鏡とを備え、上記容器には、上記集光鏡により集光された極端紫外光が出射するとともに、第２の容器に接続される光出射口が形成されている極端紫外光光源装置において、
    　上記集光鏡と上記光出射口との間であって上記光出射口の光入射側には、極端紫外光の光軸と交差する平面内を回転する回転翼が配置され、
    　上記回転翼を回転させる回転手段の回転軸は、上記集光鏡が集光する極端紫外光の光路外に配置される
    　ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
  2. 　上記の極端紫外光光源装置は、上記回転手段を制御する回転制御部をさらに備え、
    　該回転制御部は、上記プラズマ発生部におけるプラズマの発生の周期と、上記回転翼の回転周期とを同期させ、上記プラズマが発生していない時に、上記回転翼が上記集光鏡と光出射口の間を通過するように回転翼の回転を制御する
    　ことを特徴とする請求項１に記載の極端紫外光光源装置。
PCT/JP2012/055798 2011-03-30 2012-03-07 極端紫外光光源装置 Ceased WO2012132803A1 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011-075101 2011-03-30
JP2011075101A JP2012209182A (ja) 2011-03-30 2011-03-30 極端紫外光光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012132803A1 true WO2012132803A1 (ja) 2012-10-04

Family

ID=46930549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2012/055798 Ceased WO2012132803A1 (ja) 2011-03-30 2012-03-07 極端紫外光光源装置

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2012209182A (ja)
WO (1) WO2012132803A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9609731B2 (en) * 2014-07-07 2017-03-28 Media Lario Srl Systems and methods for synchronous operation of debris-mitigation devices

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08241847A (ja) * 1995-03-07 1996-09-17 Hitachi Ltd 露光装置及び露光方法
JP2000349009A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP2003022950A (ja) * 2001-07-05 2003-01-24 Canon Inc Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置
JP2006222198A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Canon Inc 露光装置
JP2007173792A (ja) * 2005-12-02 2007-07-05 Asml Netherlands Bv 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP2008108945A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2009049151A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Osaka Univ レーザプラズマ光源

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08241847A (ja) * 1995-03-07 1996-09-17 Hitachi Ltd 露光装置及び露光方法
JP2000349009A (ja) * 1999-06-04 2000-12-15 Nikon Corp 露光方法及び装置
JP2003022950A (ja) * 2001-07-05 2003-01-24 Canon Inc Ｘ線光源用デブリ除去装置及び、デブリ除去装置を用いた露光装置
JP2006222198A (ja) * 2005-02-09 2006-08-24 Canon Inc 露光装置
JP2007173792A (ja) * 2005-12-02 2007-07-05 Asml Netherlands Bv 放射システムおよびリソグラフィ装置
JP2008108945A (ja) * 2006-10-26 2008-05-08 Ushio Inc 極端紫外光光源装置
JP2009049151A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Osaka Univ レーザプラズマ光源

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012209182A (ja) 2012-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10887973B2 (en) High brightness laser-produced plasma light source
CN111406303B (zh) 高亮度lpp源和用于产生辐射并减少碎屑的方法
JP5983594B2 (ja) 光源装置
JP6759732B2 (ja) デブリトラップおよび光源装置
US10613307B2 (en) Integrated rotary structure and fabrication method thereof
JP2016195035A (ja) 極端紫外光光源装置
JP6176138B2 (ja) デブリ低減装置
WO2016163108A1 (ja) 放電電極及び光源装置
WO2012132803A1 (ja) 極端紫外光光源装置
JP2009224182A (ja) 極端紫外光光源装置
JP4952513B2 (ja) 極端紫外光光源装置
JP2009104924A (ja) 極端紫外光光源装置
JP2014154271A (ja) ホイルトラップおよびこのホイルトラップを用いた光源装置
JP6036785B2 (ja) ホイルトラップ及びマスク検査用極端紫外光光源装置
TWI877377B (zh) 極紫外光光源裝置
KR102539528B1 (ko) 극단 자외광 광원 장치
KR20230141433A (ko) 광원 장치
JP7264119B2 (ja) 極端紫外光光源装置
JP2010062422A (ja) 極端紫外光光源装置
JP7107334B2 (ja) 極端紫外光光源装置
WO2011114958A1 (ja) 極端紫外光光源装置
JP2017103120A (ja) 電極状態の計測方法および電極状態計測装置
JP2009231041A (ja) 極端紫外光光源装置
JP2017091891A (ja) 極端紫外光光源装置および極端紫外光光源装置の調整方法
JP6065710B2 (ja) 回転式ホイルトラップ及びこのホイルトラップを用いた光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12765321

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12765321

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1