WO2012060222A1 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device and a manufacturing method thereof, and more specifically to a semiconductor device having a silicon carbide substrate and a manufacturing method thereof.
  • Patent Document 1 if a Ni—Si alloy layer or a Si / Ni laminate is formed on a SiC substrate (silicon carbide substrate), NiSi 2 (Ni 33 atom%, Si 67 atom%) can be formed without supplying Si, and an electrode that makes ohmic contact with the SiC substrate is obtained.
  • NiSi 2 Ni 33 atom%, Si 67 atom%
  • Si Si 33 atom%, Si 67 atom%
  • Electrode layer As described above, when forming an electrode (electrode layer) having Ni atoms and Si atoms, it is necessary to increase the ratio of Ni in order to increase the electric conductivity of the electrode layer. However, when the proportion of Ni is increased, many C atoms are deposited from the silicon carbide substrate to the surface of the electrode layer during annealing for forming the electrode layer. For this reason, it has been difficult to achieve both reduction of the electrical conductivity of the electrode layer and suppression of precipitation of C atoms on the surface of the electrode layer.
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same that can achieve both improvement in electrical conductivity of the electrode layer and suppression of precipitation of C atoms on the surface of the electrode layer.
  • the semiconductor device of the present invention has a silicon carbide substrate and an electrode layer.
  • the electrode layer is in contact with the silicon carbide substrate and has Ni atoms and Si atoms.
  • the number of Ni atoms is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms.
  • At least the side in contact with the silicon carbide substrate of the electrode layer contains a compound of Si and Ni.
  • the C atom concentration is smaller than the Ni atom concentration.
  • the number of Ni atoms in the electrode layer is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms. Thereby, compared with the case where this percentage is less than 67%, the electrical conductivity of an electrode layer can be raised.
  • the C atom concentration is lower than the Ni atom concentration on the surface side of the electrode layer. Thereby, when the metal pad layer in contact with the surface side of the electrode layer is formed, the metal pad layer is difficult to peel off.
  • the C atom concentration is less than 3%.
  • the semiconductor device has a metal pad layer in contact with the surface side of the electrode layer.
  • the metal pad layer is preferably an Al layer.
  • the metal pad layer includes an adhesion layer formed on the electrode layer and a main body layer formed on the adhesion layer.
  • the adhesion layer is made of any one of Ti, TiW, and TiN.
  • the Si atom concentration on the surface side of the electrode layer is less than 30%. Thereby, the electrical conductivity of an electrode layer can be raised more.
  • the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention includes the following steps.
  • a silicon carbide substrate is prepared.
  • a material layer having Ni atoms and Si atoms in contact with the silicon carbide substrate is formed.
  • the number of Ni atoms is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms.
  • an electrode layer containing a compound of Si and Ni at least on the side in contact with the silicon carbide substrate is formed.
  • the number of Ni atoms is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms in the material layer that is the material of the electrode layer.
  • this percentage is less than 67%
  • the electrical conductivity of an electrode layer can be raised.
  • annealing is performed in a short time by using laser light.
  • the diffusion of C atoms can be suppressed as compared with the case where annealing is performed for a longer time. Therefore, the C atom concentration on the surface side of the electrode layer can be lowered.
  • the metal pad layer is difficult to peel off.
  • a metal pad layer is formed on the electrode layer.
  • the metal pad layer preferably includes an Al layer.
  • the step of forming the metal pad layer includes a step of forming an adhesion layer on the electrode layer and a step of forming a main body layer on the adhesion layer.
  • the adhesion layer is formed from any one of Ti, TiW, and TiN.
  • the step of forming the material layer may include a step of forming a mixed layer of Si and Ni.
  • the step of forming the material layer may include a step of laminating the Si layer and the Ni layer.
  • FIG. 1 is a cross sectional view schematically showing a configuration of a semiconductor device in a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing a first step (A) and a second step (B) of the method for manufacturing the semiconductor device of FIG. 1.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view schematically showing a modification of the semiconductor device of FIG. 1. It is sectional drawing which shows roughly 1 process of the manufacturing method of the semiconductor device in Embodiment 2 of this invention. It is sectional drawing which shows schematically the structure of the semiconductor device in Embodiment 3 of this invention. It is an atomic concentration profile of the semiconductor device of the 1st comparative example. It is an atomic concentration profile of the semiconductor device of the 2nd comparative example. It is an atomic concentration profile of the semiconductor device of the 3rd comparative example.
  • the semiconductor device of the present embodiment has a silicon carbide substrate 90, an electrode layer 16, and a metal pad layer 19.
  • the electrode layer 16 is in contact with the silicon carbide substrate 90 and has Ni atoms and Si atoms.
  • the number of Ni atoms is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms. More specifically, the schematic composition of the material of the electrode layer 16 is a mixture of 67 atomic% or more of Ni and Si that is the substantial remainder thereof. However, additives other than Ni and Si may be added to the material of the electrode layer 16 as necessary.
  • the material of the electrode layer 16 may contain impurities that are unavoidable in an industrial manufacturing method.
  • the number of Si atoms in the electrode layer 16 is 10% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms.
  • the side of the electrode layer 16 in contact with at least the silicon carbide substrate 90 contains a compound of Si and Ni, that is, nickel silicide. Thereby, electrode layer 16 and silicon carbide substrate 90 are connected in ohmic fashion. That is, the electrode layer 16 has a function as an ohmic electrode.
  • the above compound is approximately Ni 2 Si. That is, on the side of electrode layer 16 in contact with silicon carbide substrate 90, the ratio of the number of Ni atoms to the total number of Ni and Si atoms is approximately two-thirds, that is, approximately 67%. This ratio is higher on the surface side (upper side in the drawing) of the electrode layer 16, and may be a value close to 100% in an extreme case. That is, the surface side of the electrode layer 16 may be substantially composed of Ni, except for inevitable impurities in the industrial manufacturing method or inevitable deposits from the external environment. In this case, the electrical conductivity on the surface side of the electrode layer 16 is higher than when it contains Si significantly.
  • the C atom concentration is lower than the Ni atom concentration.
  • the C atom concentration is less than 3%, more preferably less than 1%.
  • C atoms are not substantially present on the surface side of the electrode layer 16. That is, the surface side of the electrode layer 16 may be substantially made of Ni, except for the inevitable adhesion of C atoms from the external environment.
  • the atomic concentration on the surface side is the ratio of the number of specific atoms to the total number of atoms in the region from the surface of the electrode layer 16 (upper surface in the figure) to a depth of 5 nm.
  • This atomic concentration can be measured by elemental analysis with a high resolution in the depth direction, for example, by SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy).
  • SIMS Single Ion Mass Spectroscopy
  • the surface of the electrode layer 16 itself is a surface that has not been subjected to substance removal by etching or polishing.
  • the formation process of the electrode layer 16 is simplified more.
  • contaminants attached to the surface of the electrode layer 16 from the external environment after the electrode layer 16 is formed may be removed. This removal can be performed, for example, by washing as described above.
  • the metal pad layer 19 is in contact with the surface side of the electrode layer 16.
  • the metal pad layer 19 is preferably an Al layer or an Al—Si layer.
  • silicon carbide substrate 90 is prepared.
  • material layer 50a in contact with silicon carbide substrate 90 and having Ni atoms and Si atoms is formed.
  • the number of Ni atoms is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms.
  • the material layer 50a is a mixed layer of Si and Ni. This mixed layer can be formed, for example, by simultaneously sputtering a target made of Si and a target made of Ni.
  • the number of Si atoms in the material layer 50a is 10% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms.
  • annealing process laser light is irradiated onto silicon carbide substrate 90 on which material layer 50a (FIG. 2A) is formed.
  • the electrode layer 16 (FIG. 2B) is formed from the material layer 50a. This annealing is performed so that at least the side of electrode layer 16 in contact with silicon carbide substrate 90 contains a compound of Si and Ni, that is, nickel silicide.
  • the wavelength of the laser beam is 386 nm or less, which is a wavelength corresponding to the band gap of silicon carbide.
  • laser light is absorbed on the surface of silicon carbide substrate 90.
  • laser light for example, light having a wavelength of 355 nm, which is the third harmonic of a YAG laser or a YVO 4 laser, can be used.
  • Power density of the addition the laser beam is at 0.5 J / cm 2 or more 1.5 J / cm 2 or less, more preferably 0.7 J / cm 2 or more 1.3 J / cm 2 or less.
  • the pulse width of the laser light is 10 ns to 10 ⁇ s, and more preferably 50 ns to 1 ⁇ s. Thereby, annealing can be performed in a sufficiently short time while using a laser having a practical pulse width.
  • a metal pad layer 19 is formed on the electrode layer 16.
  • the metal pad layer 19 is preferably an Al layer.
  • the semiconductor device of the present embodiment is obtained.
  • the number of Ni atoms in the electrode layer 16 is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms. Thereby, compared with the case where this percentage is less than 67%, the electrical conductivity of the electrode layer 16 can be raised.
  • the surface side of the electrode layer 16 has a C atom concentration smaller than the sum of the Si atom concentration and the Ni atom concentration. Thereby, when the metal pad layer 19 in contact with the surface side of the electrode layer 16 is formed, the metal pad layer 19 becomes difficult to peel off.
  • the Si atom concentration on the surface side of the electrode layer 16 is less than 30%. Thereby, the electrical conductivity of the electrode layer 16 can be further increased.
  • the number of Ni atoms is 67% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms. Therefore, compared with the case where this percentage is less than 67%, the electrical conductivity of the electrode layer 16 can be raised.
  • annealing is performed in a short time by using laser light.
  • diffusion of C atoms can be suppressed as compared with the case where annealing is performed for a longer time, such as lamp annealing. Therefore, the C atom concentration on the surface side of the electrode layer 16 can be lowered. Thereby, when the metal pad layer 19 in contact with the surface side of the electrode layer 16 is formed, the metal pad layer 19 becomes difficult to peel off.
  • the number of Ni atoms in the electrode layer 16 or the material layer 50a is 70% or more of the total number of Ni atoms and Si atoms. Thereby, the above-described operational effects can be obtained more reliably.
  • the number of Ni atoms is 90% or less of the total number of Ni atoms and Si atoms. Thereby, the diffusion of C atoms from silicon carbide substrate 90 can be further suppressed.
  • metal pad layer 19 ⁇ / b> V of the semiconductor device of the present modification includes adhesion layer 19 a formed on electrode layer 16 and main body layer 19 b formed on adhesion layer 19 a.
  • the adhesion layer 19a is made of any one of Ti, TiW, and TiN.
  • the main body layer 19b is preferably an Al layer or an Al—Si layer.
  • the adhesion of the metal pad layer 19V to the electrode layer 16 can be further improved.
  • material layer 50b is formed instead of material layer 50a (FIG. 2A).
  • the step of forming the material layer 50b includes a step of laminating the Si layer 51 and the Ni layer 52.
  • the uppermost layer of the stack formed is a Ni layer 52.
  • the semiconductor device of the present embodiment is a vertical MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), and includes silicon carbide substrate 90, electrode layer 16, metal pad layer 19, and gate insulating film. 15 and a gate electrode 17.
  • Silicon carbide substrate 90 has n + layer 11, n ⁇ layer 12, p body layer 13, n + source region 14, and p + region 18.
  • Electrode layer 16 is provided on one surface (upper surface in the drawing) of silicon carbide substrate 90 so as to be in ohmic contact with each of n + source region 14 and p + region 18.
  • the thickness of the electrode layer 16 is, for example, about 100 to 200 nm.
  • the gate electrode 17 is provided on one surface (upper surface in the drawing) of the silicon carbide substrate 90 via the gate insulating film 15 and faces the channel region 13A on the surface side of the p body layer 13.
  • a drain electrode 20 is provided on the other surface (lower surface in the drawing) of silicon carbide substrate 90.
  • a vertical MOSFET having an electrode layer 16 with high electrical conductivity and a metal pad layer 19 that is difficult to peel is obtained.
  • a vertical IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • a vertical IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
  • a structure in which a gate electrode is embedded in a trench formed in a silicon carbide substrate via a gate insulating film may be used.
  • Comparative example A comparative example for the present invention will be described with reference to density profile data using SIMS. Since the metal pad layer was not formed on the surface of the metal layer, the vicinity of the sputtering time 0 in the concentration profile corresponds to the surface of the electrode layer. The sputtering rate was about 10 nm / min. Before the measurement, a surface cleaning process was performed. Below, a comparative example is demonstrated concretely.
  • a layer having a lower Ni ratio was used instead of the material layer 50a (FIG. 2A). Specifically, a layer having a lower Ni ratio was used. Specifically, a mixed layer having a composition of Ni 65 atomic% and Si 35 atomic% was used. Lamp annealing was used instead of laser annealing. The average electric conductivity of the obtained electrode layer was lower than that of the example of the present invention.
  • Si atoms were present in a significant ratio throughout the electrode layer. That is, there was no portion consisting essentially of Ni in the electrode layer.

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Abstract

　電極層（１６）は、炭化珪素基板（９０）上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する。Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。電極層（１６）の少なくとも炭化珪素基板（９０）に接する側はＳｉおよびＮｉの化合物を含む。電極層（１６）の表面側においてＣ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい。これにより、電極層（１６）の電気伝導度の向上と、電極層（１６）の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることができる。

Description

半導体装置およびその製造方法
　本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、より特定的には、炭化珪素基板を有する半導体装置およびその製造方法に関する。
　炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素基板上にオーミック電極を形成する技術の開発が行なわれている。
　たとえば特開平７－９９１６９号公報（特許文献１）によれば、ＳｉＣ基体（炭化珪素基板）の上にＮｉ－Ｓｉ合金層、あるいはＳｉ、Ｎｉ積層体を形成しておくと、ＳｉＣ基体からのＳｉの供給なしにＮｉＳｉ2(Ｎｉ３３原子％、Ｓｉ６７原子％)が形成でき、ＳｉＣ基体に対してオーミック接触をする電極が得られる、とされている。またこの公報によれば、Ｎｉが原子比で３３％以下ではＳｉが余剰となり伝導性を阻害し、６７％以上あるとＮｉＳｉ2とＳｉＣとの界面に余剰のＮｉが存在し、不連続な界面となってしまう、とされている。またこの公報によれば、ＳｉをＳｉＣから供給するのでないため、余剰になったＣがＮｉ中に拡散して電極の表面にグラファイトとして析出する現象も生じない、とされている。
特開平７－９９１６９号公報
　上述したように、Ｎｉ原子およびＳｉ原子を有する電極（電極層）の形成に際して、電極層の電気伝導度を高くするためには、Ｎｉの割合を高める必要がある。しかしＮｉの割合が高められると、電極層形成のためのアニールの際に、炭化珪素基板から電極層の表面へと多くのＣ原子が析出してしまう。このため、電極層の電気伝導度の低減と、電極層の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることが困難であった。
　それゆえ本発明の目的は、電極層の電気伝導度の向上と、電極層の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることができる半導体装置およびその製造方法を提供することである。
　本発明の半導体装置は炭化珪素基板および電極層とを有する。電極層は、炭化珪素基板上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する。Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。電極層の少なくとも炭化珪素基板に接する側はＳｉおよびＮｉの化合物を含む。電極層の表面側においてＣ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい。
　この半導体装置によれば、電極層においてＮｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。これによりこのパーセンテージが６７％未満である場合に比して電極層の電気伝導度を高めることができる。またこの半導体装置によれば、電極層の表面側においてＣ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい。これにより、電極層の表面側に接する金属パッド層が形成された場合に、この金属パッド層が剥離しにくくなる。
　好ましくは電極層の表面側において、Ｃ原子濃度は３％未満である。
　好ましくは半導体装置は、電極層の表面側に接する金属パッド層を有する。金属パッド層は好ましくはＡｌ層である。好ましくは金属パッド層は、電極層上に形成された密着層と、密着層上に形成された本体層とを含む。密着層は、Ｔｉ、ＴｉＷ、およびＴｉＮのいずれかから作られている。
　好ましくは電極層の表面側におけるＳｉ原子濃度は３０％より小さい。これにより電極層の電気伝導度をより高めることができる。
　本発明の半導体装置の製造方法は、以下の工程を有する。炭化珪素基板が準備される。炭化珪素基板上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する材料層が形成される。Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。材料層をレーザ光でアニールすることによって、少なくとも炭化珪素基板に接する側がＳｉおよびＮｉの化合物を含む電極層が形成される。
　この半導体装置の製造方法によれば、電極層の材料となる材料層において、Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。これによりこのパーセンテージが６７％未満である場合に比して電極層の電気伝導度を高めることができる。またこの半導体装置の製造方法によれば、レーザ光が用いられることによってアニールが短時間で行なわれる。これにより、より長時間に渡るアニールが行われた場合に比して、Ｃ原子の拡散を抑制することができる。よって電極層の表面側におけるＣ原子濃度を低くすることができる。これにより、電極層の表面側に接する金属パッド層が形成された場合にこの金属パッド層が剥離しにくくなる。
　好ましくは、電極層の上に金属パッド層が形成される。金属パッド層は好ましくはＡｌ層を含む。好ましくは金属パッド層を形成する工程は、電極層上に密着層を形成する工程と、密着層上に本体層を形成する工程とを含む。密着層は、Ｔｉ、ＴｉＷ、およびＴｉＮのいずれかから形成される。
　材料層を形成する工程は、ＳｉおよびＮｉの混合層を形成する工程を含んでもよい。また材料層を形成する工程は、Ｓｉ層およびＮｉ層を積層する工程を含んでもよい。
　上述したように本発明によれば、電極層の電気伝導度の低減と、電極層の表面へのＣ原子の析出の抑制とを両立させることができる。
本発明の実施の形態１における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。 図１の半導体装置の製造方法の第１の工程（Ａ）および第２の工程（Ｂ）を概略的に示す断面図である。 図１の半導体装置の変形例を概略的に示す断面図である。 本発明の実施の形態２における半導体装置の製造方法の一工程を概略的に示す断面図である。 本発明の実施の形態３における半導体装置の構成を概略的に示す断面図である。 第１の比較例の半導体装置の原子濃度プロファイルである。 第２の比較例の半導体装置の原子濃度プロファイルである。 第３の比較例の半導体装置の原子濃度プロファイルである。
　以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
　（実施の形態１）
　図１を参照して、本実施の形態の半導体装置は、炭化珪素基板９０と、電極層１６と、金属パッド層１９とを有する。
　電極層１６は、炭化珪素基板９０上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する。Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。より具体的には、電極層１６の材料の概略的な組成は、６７原子％以上のＮｉと、その実質的な残部であるＳｉとの混合物である。ただし必要に応じて電極層１６の材料にＮｉおよびＳｉ以外の添加物が加えられていてもよい。また電極層１６の材料は、工業的な製造方法において不可避的にともなわれる不純物を含み得る。
　好ましくは、電極層１６におけるＳｉ原子の数は、Ｎｉ原子およびＳｉ原子の総数の１０％以上である。
　電極層１６の少なくとも炭化珪素基板９０に接する側はＳｉおよびＮｉの化合物、すなわちニッケルシリサイドを含む。これにより電極層１６と炭化珪素基板９０とはオーミックに接続されている。すなわち電極層１６はオーミック電極としての機能を有する。
　電極層１６の炭化珪素基板９０に接する側（図中、下側）においては、上記の化合物はおおよそＮｉ2Ｓｉである。つまり、電極層１６の炭化珪素基板９０に接する側においては、ＮｉおよびＳｉの総原子数対するＮｉ原子数の比率は、おおよそ、３分の２すなわちほぼ６７％である。この比率は、電極層１６の表面側（図中、上側）においてより高くなっており、極端な場合１００％に近い値であってもよい。すなわち、工業的な製造方法における不可避的な不純物、または外部環境からの不可避的な付着物を別とすれば、電極層１６の表面側が実質的にＮｉから構成されていてもよい。この場合、電極層１６の表面側の電気伝導度は、Ｓｉを有意に含む場合に比して、より高くなる。
　電極層１６の表面側において、Ｃ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい。好ましくはこのＣ原子濃度は３％未満であり、より好ましくは１％未満である。より好ましくは、電極層１６の表面側に実質的にＣ原子が存在しない。すなわち外部環境からの不可避的なＣ原子の付着を別とすれば、電極層１６の表面側が実質的にＮｉから構成されていてもよい。
　ここで表面側における原子濃度とは、電極層１６の表面（図中の上面）から深さ５ｎｍまでの領域における全原子数に対する特定の原子の数の比率である。この原子濃度は、深さ方向の分解能が高い元素分析によって測定することができ、たとえばＳＩＭＳ（Secondary　Ion　Mass　Spectroscopy）によって測定することができる。なお測定の準備作業において電極層１６の表面が大気に暴露さていた場合は、電極層１６の表面を洗浄する必要がある。この洗浄は、たとえば、アセトンなどの有機溶剤を用いた超音波洗浄である。
　好ましくは、電極層１６自体の表面は、エッチングまたは研磨などによる物質除去が行われていない面である。これにより電極層１６の形成工程がより簡便化されている。ただしこの場合でも、電極層１６の形成後に外部環境から電極層１６の表面に付着した汚染物質は除去されていてよい。この除去は、たとえば上述したような洗浄によって行われ得る。
　金属パッド層１９は電極層１６の表面側に接している。金属パッド層１９は好ましくはＡｌ層またはＡｌ－Ｓｉ層である。
　次に本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
　図２（Ａ）を参照して、まず炭化珪素基板９０が準備される。次に、炭化珪素基板９０上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する材料層５０ａが形成される。Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。材料層５０ａは、ＳｉおよびＮｉの混合層である。この混合層の形成は、たとえば、Ｓｉからなるターゲットと、Ｎｉからなるターゲットとを同時にスパッタすることによって行うことができる。
　好ましくは、材料層５０ａにおけるＳｉ原子の数は、Ｎｉ原子およびＳｉ原子の総数の１０％以上である。
　さらに図２（Ｂ）を参照して、アニール処理として、材料層５０ａ（図２（Ａ））が形成された炭化珪素基板９０上へレーザ光が照射される。このアニールによって材料層５０ａから電極層１６（図２（Ｂ））が形成される。このアニールは、電極層１６の少なくとも炭化珪素基板９０に接する側がＳｉおよびＮｉの化合物すなわちニッケルシリサイドを含むものとなるように行われる。
　好ましくはレーザ光の波長は、炭化珪素のバンドギャップに対応する波長である３８６ｎｍ以下である。これにより炭化珪素基板９０の表面においてレーザ光の吸収が生じる。このようなレーザ光としては、たとえば、ＹＡＧレーザまたはＹＶＯ4レーザの第３高調波である波長３５５ｎｍの光を用いることができる。
　またレーザ光の出力密度は、０．５Ｊ／ｃｍ2以上１．５Ｊ／ｃｍ2以下であり、より好ましくは、０．７Ｊ／ｃｍ2以上１．３Ｊ／ｃｍ2以下である。これにより、十分なアニールの作用を得るとともに、レーザ光によるダメージの発生を抑えることができる。
　またレーザ光のパルス幅は、１０ｎｓ以上１０μｓ以下とされ、より好ましくは５０ｎｓ以上１μｓ以下とされる。これにより、実用的なパルス幅を有するレーザを用いつつ、十分に短い時間でアニールを行うことができる。
　再び図１を参照して、電極層１６の上に金属パッド層１９が形成される。金属パッド層１９は好ましくはＡｌ層である。以上により本実施の形態の半導体装置が得られる。
　本実施の形態の半導体装置によれば、電極層１６においてＮｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。これによりこのパーセンテージが６７％未満である場合に比して電極層１６の電気伝導度を高めることができる。またこの半導体装置によれば、電極層１６の表面側はＳｉ原子濃度およびＮｉ原子濃度の和よりも小さいＣ原子濃度を有する。これにより、電極層１６の表面側に接する金属パッド層１９が形成された場合にこの金属パッド層１９が剥離しにくくなる。
　好ましくは電極層１６の表面側におけるＳｉ原子濃度は３０％より小さい。これにより電極層１６の電気伝導度をより高めることができる。
　また本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、電極層１６の材料となる材料層５０ａにおいて、Ｎｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の６７％以上である。これによりこのパーセンテージが６７％未満である場合に比して電極層１６の電気伝導度を高めることができる。
　またレーザ光が用いられることによってアニールが短時間で行なわれる。これにより、たとえばランプアニールのように、より長時間に渡るアニールが行われた場合に比して、Ｃ原子の拡散を抑制することができる。よって電極層１６の表面側におけるＣ原子濃度を低くすることができる。これにより、電極層１６の表面側に接する金属パッド層１９が形成された場合に金属パッド層１９が剥離しにくくなる。
　好ましくは、電極層１６または材料層５０ａのＮｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の７０％以上である。これにより上述した作用効果をより確実に得ることができる。また好ましくはＮｉ原子の数はＮｉ原子およびＳｉ原子の総数の９０％以下である。これにより炭化珪素基板９０からのＣ原子の拡散をより抑制することができる。
　次に本実施の形態の変形例について説明する。
　図３を参照して、本変形例の半導体装置の金属パッド層１９Ｖは、電極層１６上に形成された密着層１９ａと、密着層１９ａ上に形成された本体層１９ｂとを含む。密着層１９ａは、Ｔｉ、ＴｉＷ、およびＴｉＮのいずれかから作られている。本体層１９ｂは、好ましくはＡｌ層またはＡｌ－Ｓｉ層である。
　本変形例によれば、金属パッド層１９Ｖの電極層１６への密着性をより高めることができる。
　（実施の形態２）
　主に図４を参照して、本実施の形態においては材料層５０ａ（図２（Ａ））の代わりに材料層５０ｂが形成される。材料層５０ｂを形成する工程はＳｉ層５１およびＮｉ層５２を積層する工程を含む。好ましくは、形成される積層体の最上層はＮｉ層５２とされる。これにより、アニール後に得られる電極層１６の表面側におけるＮｉ原子の比率を高めることができるので、電極層１６の表面側の電気伝導度を高めることができる。
　なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
　本実施の形態によれば、実施の形態１において行われたようなＮｉおよびＳｉの混合層の形成が不要となる。
　（実施の形態３）
　本実施の形態においては、上述した実施の形態１または２の半導体装置のより詳しい構造の一例について説明する。
　図５を参照して、本実施の形態の半導体装置は、縦型ＭＯＳＦＥＴ（Metal　Oxide　Semiconductor　Field　Effect　Transistor）であり、炭化珪素基板９０と、電極層１６と、金属パッド層１９と、ゲート絶縁膜１５と、ゲート電極１７とを有する。炭化珪素基板９０は、ｎ+層１１、ｎ-層１２、ｐボディ層１３、ｎ+ソース領域１４、ｐ+領域１８を有する。
　電極層１６は、炭化珪素基板９０の一方面（図中の上面）上において、ｎ+ソース領域１４およびｐ+領域１８の各々にオーミックに接するように設けられている。電極層１６の厚さは、たとえば１００～２００ｎｍ程度である。
　ゲート電極１７は、炭化珪素基板９０の一方面（図中の上面）上にゲート絶縁膜１５を介して設けられており、ｐボディ層１３の表面側であるチャネル領域１３Ａに対向している。また炭化珪素基板９０の他方面（図中の下面）上にはドレイン電極２０が設けられている。
　本実施の形態によれば、電気伝導度の高い電極層１６と、剥離しにくい金属パッド層１９とを有する縦型ＭＯＳＦＥＴが得られる。
　なお炭化珪素基板９０のドレイン電極２０に面する側にｐコレクタ層が形成されることによって、縦型ＭＯＳＦＥＴの代わりに縦型ＩＧＢＴ（Insulated　Gate　Bipolar　Transistor）が構成されてもよい。また炭化珪素基板に形成されたトレンチ内にゲート絶縁膜を介してゲート電極が埋め込まれる構造（トレンチゲート構造）が用いられてもよい。
　（比較例）
　ＳＩＭＳを用いた濃度プロファイルデータを参照しつつ、本発明に対する比較例について説明する。なお金属層の表面上への金属パッド層の形成は行わなかったので、濃度プロファイルにおけるスパッタ時間０の近傍が電極層の表面に対応する。またスパッタレートは約１０ｎｍ／分とされた。また測定の前には、表面の洗浄処理が行われた。以下に、比較例について具体的に説明する。
　（第１の比較例）
　材料層５０ａの代わりにＮｉ層が用いられた。またレーザアニールの代わりにランプアニールが用いられた。
　図６を参照して、電極層の表面（グラフの横軸の０近傍）において、半分以上の原子がＣ原子であった。また電極層全体に渡ってＣ原子およびＳｉ原子の各々が有意な比率で存在していた。またＮｉ原子が、深い方へ、すなわち炭化珪素基板内へ拡散していた。
　（第２の比較例）
　材料層５０ｂ（図４）として、Ｎｉが８０原子％、Ｓｉが２０原子％となるような積層体が用いられた。またレーザアニールの代わりにランプアニールが用いられた。
　図７を参照して、第１の比較例と同様に、電極層の表面（グラフの横軸の０近傍）において、半分以上の原子がＣ原子であった。
　（第３の比較例）
　材料層５０ａ（図２（Ａ））の代わりに、よりＮｉ比率の低い層が用いられた。具体的には、Ｎｉ６５原子％、Ｓｉ３５原子％の組成を有する混合層が用いられた。またレーザアニールの代わりにランプアニールが用いられた。得られた電極層の平均的な電気伝導度は、本発明の実施例のものに比して低かった。
　図８を参照して、電極層全体に渡ってＳｉ原子が有意な比率で存在していた。すなわち電極層中に実質的にＮｉからなる部分は存在しなかった。
　今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１６　電極層、１９　金属パッド層、５０ａ，５０ｂ　材料層、５１　Ｓｉ層、５２　Ｎｉ層、９０　炭化珪素基板。

Claims (12)

  1. 　炭化珪素基板（９０）と、
    　前記炭化珪素基板上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する電極層（１６）とを備え、
    　前記Ｎｉ原子の数は前記Ｎｉ原子および前記Ｓｉ原子の総数の６７％以上であり、
    　前記電極層の少なくとも前記炭化珪素基板に接する側はＳｉおよびＮｉの化合物を含み、
    　前記電極層の表面側においてＣ原子濃度はＮｉ原子濃度よりも小さい、半導体装置。
  2. 　前記電極層の表面側において、Ｃ原子濃度は３％未満である、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記電極層の表面側に接する金属パッド層（１９）をさらに備える、請求項１に記載の半導体装置。
  4. 　前記金属パッド層はＡｌ層を含む、請求項３に記載の半導体装置。
  5. 　前記金属パッド層は、前記電極層上に形成された密着層（１９ａ）と、前記密着層上に形成された本体層（１９ｂ）とを含み、前記密着層は、Ｔｉ、ＴｉＷ、およびＴｉＮのいずれかから作られている、請求項３に記載の半導体装置。
  6. 　前記電極層の表面側におけるＳｉ原子濃度は３０％より小さい、請求項１に記載の半導体装置。
  7. 　炭化珪素基板（９０）を準備する工程と、
    　前記炭化珪素基板上に接し、かつＮｉ原子およびＳｉ原子を有する材料層（５０ａ，５０ｂ）を形成する工程とを備え、
    　前記Ｎｉ原子の数は前記Ｎｉ原子および前記Ｓｉ原子の総数の６７％以上であり、さらに
    　前記材料層をレーザ光でアニールすることによって、少なくとも前記炭化珪素基板に接する側がＳｉおよびＮｉの化合物を含む電極層（１６）を形成する工程を備える、半導体装置の製造方法。
  8. 　前記電極層の上に金属パッド層（１９）を形成する工程をさらに備える、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 　前記金属パッド層はＡｌ層を含む、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  10. 　前記金属パッド層を形成する工程は、前記電極層上に密着層（１９ａ）を形成する工程と、前記密着層上に本体層（１９ｂ）を形成する工程とを含み、前記密着層は、Ｔｉ、ＴｉＷ、およびＴｉＮのいずれかから形成される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
  11. 　前記材料層（５０ａ）を形成する工程はＳｉおよびＮｉの混合層を形成する工程を含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
  12. 　前記材料層（５０ｂ）を形成する工程はＳｉ層およびＮｉ層を積層する工程を含む、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
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