JP2016149428A - 半導体装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】SiC基板の表面に酸化物絶縁膜を形成する場合、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板内に侵入してSiC基板の品質が劣化する。それを防止するために、SiC基板の表面を窒素で置換しておいて酸化物絶縁膜を堆積する技術等が開発されているが、SiC基板内に侵入してしまった酸素には対応できない。
【解決手段】SiC基板の表面にSiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を形成する金属膜を形成し、その表面に酸化物絶縁膜を堆積する。すると、金属膜が、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板内に侵入することを防止するとともに、SiC基板内の酸素を吸引して金属酸化物を形成する。酸素による品質低下が少ないSiC基板を活用した半導体装置を実現できる。
【選択図】図1
【解決手段】SiC基板の表面にSiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を形成する金属膜を形成し、その表面に酸化物絶縁膜を堆積する。すると、金属膜が、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板内に侵入することを防止するとともに、SiC基板内の酸素を吸引して金属酸化物を形成する。酸素による品質低下が少ないSiC基板を活用した半導体装置を実現できる。
【選択図】図1
Description
本明細書は、SiC基板の表面に酸化物絶縁膜が形成されている半導体装置と、その製造方法を開示する。
SiC基板の表面にゲート電極を形成する技術が知られており、SiC基板とゲート電極の間に絶縁膜を介在させる技術が知られている。酸化物で絶縁膜を実現する技術も知られている。上記に例示するように、SiC基板の表面に酸化物絶縁膜を形成することがある。
SiC基板の表面に酸化物絶縁膜を形成する場合、酸素が半導体装置の特性を損ねるという問題が生じる。例えば(1)Si−Cボンド間に不規則に酸素が入り込み、ひずみが生じることで電気的欠陥が生成される。(2)SiC基板から酸化物絶縁膜に炭素が拡散する。あるいは(3)SiC基板と酸化物絶縁膜の界面に炭素が析出するといった現象が生じる。SiC基板の表面を酸化して酸化物絶縁膜を形成する場合には、酸化工程で上記現象が生じる。SiC基板の表面に酸化物絶縁膜を堆積させる場合は、表面に酸化物絶縁膜を堆積させたSiC基板を熱処理する際に、上記現象が生じる。これらが発生すると、半導体装置の特性が低下する。例えば、SiC基板から形成したMOSのオン抵抗が増大する。あるいは閾値電圧が不安定となる。
上記の問題に対処する技術が特許文献1に開示されている。特許文献1の技術では、酸化物絶縁膜の堆積に先立ってSiC基板のSi面を露出させ、表面に露出したSiをNに置換し、その後に酸化物絶縁膜を堆積する。SiをNに置換してから酸化物絶縁膜を堆積すると、前記(1)〜(3)の事象が生じない。特許文献1の技術は、Nに置換した表面をバリア層に利用し、酸化物絶縁膜の形成時あるいはその後の熱処理時に、酸素がSiC基板に侵入することを防止する。
特許文献1の技術によると、酸化物絶縁膜の形成時あるいはその後の熱処理時に、酸素がSiC基板に侵入するのを防止することができる。しかしながら、酸化物絶縁膜の形成前に、酸素がSiC基板に侵入している場合には、その酸素による悪影響を防止することができない。実際には酸化物絶縁膜を形成する前にSiC基板に侵入している酸素量が無視できず、これによってSiC基板の電気特性が劣化するという問題がある。SiC基板に酸化物絶縁膜を堆積する技術では、その後に加熱して酸化物絶縁膜の密度を高めることがある。それ以外の目的で、表面に酸化物絶縁膜が形成されているSiC基板に熱処理を加えることもある。SiC基板に酸素が含まれていると、特許文献1の技術を利用しても、その熱処理によってSiCがSiO2に変質し、SiC基板の表面にCが析出する現象が生じる。析出したCが、電気抵抗を上げ、あるいは閾値電圧を不安定にする。
本明細書では、酸化物絶縁膜の形成時あるいはその後の熱処理時に酸素がSiC基板に侵入することを防止するだけでなく、酸化物絶縁膜の形成前にSiC基板に侵入した酸素量を減少させる技術を開示する。
本明細書では、SiC基板と、そのSiC基板の表面に形成されている界面膜と、その界面膜の表面に形成されている酸化物絶縁膜を備えている半導体装置を製造する方法を開示する。その製造方法は、SiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を形成する金属の膜をSiC基板の表面に形成する金属膜形成工程と、その金属膜の表面に酸化物絶縁膜を堆積させる堆積工程を備えている。SiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を形成する金属を用いると、その金属膜およびその金属膜が酸化した金属酸化物膜がバリアとなって、堆積工程またはその後の熱処理工程を実施する雰囲気ガス中の酸素がSiC基板に侵入することを防止するともに、堆積工程またはその後の熱処理工程の実施中にSiC基板内の酸素を吸引して金属酸化物を形成する現象が得られる。
上記方法によると、SiC基板内の酸素量が低い半導体装置を製造することができる。基板表面にバリアを形成して酸素の侵入を防止する技術は、例えば特開2004−111447号公報に開示されているように既知である。しかしながら、従来技術で用いる酸素バリアは、基板に既に侵入している酸素を吸引して基板内の酸素量を減少させるものでない。
本明細書でいう結合エネルギーは、ギブスの自由エネルギーの絶対値に相当する。また金属酸化物に含まれる酸素原子の数が等しくなる量の金属酸化物が持つ結合エネルギーをいう。
ギブスの自由エネルギーは負の値を持ち、値(=絶対値=結合エネルギー)が大きいほど安定していることに相当する。例えば、SiO2のギブスの自由エネルギーは−856.4kJ/molであり、Al2O3のギブスの自由エネルギーは−1582.3kJ/molである。両者を比較する場合には、酸素原子の数が等しくなる量の金属酸化物、例えば、ともに6個の酸素原子を含む3×SiO2の結合エネルギー(856.4×3)と2×Al2O3の結合エネルギー(1582.3×2)を比較する。前者の結合エネルギー<後者の結合エネルギーであり、後者の方が安定している。SiC基板内に侵入している酸素は、より安定なAl2O3の形成に使用され、SiC基板内の酸素量が減少する。
ギブスの自由エネルギーは負の値を持ち、値(=絶対値=結合エネルギー)が大きいほど安定していることに相当する。例えば、SiO2のギブスの自由エネルギーは−856.4kJ/molであり、Al2O3のギブスの自由エネルギーは−1582.3kJ/molである。両者を比較する場合には、酸素原子の数が等しくなる量の金属酸化物、例えば、ともに6個の酸素原子を含む3×SiO2の結合エネルギー(856.4×3)と2×Al2O3の結合エネルギー(1582.3×2)を比較する。前者の結合エネルギー<後者の結合エネルギーであり、後者の方が安定している。SiC基板内に侵入している酸素は、より安定なAl2O3の形成に使用され、SiC基板内の酸素量が減少する。
本明細書に記載の技術によると、界面膜がSiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を含んでいる半導体装置が得られる。この半導体装置のSiC基板内の酸素量は低く、SiC結晶の本来の性質を利用することができる。酸素の影響によって半導体装置の特性が低下する問題が解消される。
金属膜形成工程は、酸素を含まない雰囲気中で実施することが好ましい。また、酸化物絶縁膜堆積工程中に酸化が進行する金属膜の膜厚には限度がある。金属膜形成工程では、全厚みに亘って金属膜が酸化する厚みよりも薄い金属膜を形成することが好ましい。
本明細書に記載の技術によると、SiC基板から半導体装置を製造した場合に、SiC基板内の酸素量が低く抑えることが可能となり、SiC結晶が本来持っている優れた性質を利用することが可能となる。例えばオン抵抗が低いMOSを実現することができる。
以下、本明細書で開示する技術の特徴を整理する。なお、以下に記す事項は、各々単独で技術的な有用性を有している。
(特徴1)SiC基板の表面に酸素を含まない雰囲気中でAl膜を形成し、Al膜の表面にSiO2を堆積する。
(特徴2)Al膜の膜厚は数原子層である。
(特徴3)Alに代えて、Ti,Hf,Zr,La,Mgを用いる。
(特徴1)SiC基板の表面に酸素を含まない雰囲気中でAl膜を形成し、Al膜の表面にSiO2を堆積する。
(特徴2)Al膜の膜厚は数原子層である。
(特徴3)Alに代えて、Ti,Hf,Zr,La,Mgを用いる。
図1は、本明細書に開示する技術を活用して製造した半導体装置(縦型のMOS)である。
参照番号2は、SiC基板14の裏面に形成したドレイン電極であり、SiC基板14の裏面にオーミック接触している。
参照番号4は、n+型のSiC元基板である。n型の導電性不純物の濃度が6×1017/cm3である。参照番号4は、ドレイン領域となる。
参照番号6は、n―型のSiCエピタキシャル層である。厚みは10μmであり、n型の導電性不純物である窒素の濃度が5×1015/cm3である。参照番号6は、ドリフト領域となる。
参照番号8は、p―型のイオン注入領域である。p型の導電性不純物の濃度は1×1015/cm3〜5×1016/cm3である。参照番号8は、チャネル領域を提供するボディ領域となる。
参照番号10は、n+型のイオン注入領域である。n型の導電性不純物の濃度は5×1015/cm3〜5×1017/cm3である。n+型のイオン注入領域10は、後記するソース電極16にオーミック接触する。参照番号10は、ソース領域となる。
参照番号12は、p+型のイオン注入領域である。p型の導電性不純物の濃度は5×1015/cm3〜5×1017/cm3である。p+型のイオン注入領域12は、ソース電極16にオーミック接触する。参照番号12は、ボディコンタクト領域となる。
参照番号4,6,8,10,12等の各々は、SiC基板14の一部の領域ということができる。
参照番号16は、ソース電極であり、ソース領域10とボディコンタクト領域12にオーミック接触する金属で形成されている。ソース電極16は、SiC基板14の表面に形成されている。
参照番号2は、SiC基板14の裏面に形成したドレイン電極であり、SiC基板14の裏面にオーミック接触している。
参照番号4は、n+型のSiC元基板である。n型の導電性不純物の濃度が6×1017/cm3である。参照番号4は、ドレイン領域となる。
参照番号6は、n―型のSiCエピタキシャル層である。厚みは10μmであり、n型の導電性不純物である窒素の濃度が5×1015/cm3である。参照番号6は、ドリフト領域となる。
参照番号8は、p―型のイオン注入領域である。p型の導電性不純物の濃度は1×1015/cm3〜5×1016/cm3である。参照番号8は、チャネル領域を提供するボディ領域となる。
参照番号10は、n+型のイオン注入領域である。n型の導電性不純物の濃度は5×1015/cm3〜5×1017/cm3である。n+型のイオン注入領域10は、後記するソース電極16にオーミック接触する。参照番号10は、ソース領域となる。
参照番号12は、p+型のイオン注入領域である。p型の導電性不純物の濃度は5×1015/cm3〜5×1017/cm3である。p+型のイオン注入領域12は、ソース電極16にオーミック接触する。参照番号12は、ボディコンタクト領域となる。
参照番号4,6,8,10,12等の各々は、SiC基板14の一部の領域ということができる。
参照番号16は、ソース電極であり、ソース領域10とボディコンタクト領域12にオーミック接触する金属で形成されている。ソース電極16は、SiC基板14の表面に形成されている。
参照番号18は、界面膜であり、Al2O3で形成されている。その製造方法については後記する。
参照番号20は、酸化物絶縁膜であり、SiO2で形成されている。ゲート絶縁膜となる。
参照番号22は、ゲート電極である。ゲート電極22は、ソース領域10とドリフト領域6の間を分離している位置にあるボディ領域8に、ゲート絶縁膜20を介して対向し、チャネル領域を形成する。
参照番号20は、酸化物絶縁膜であり、SiO2で形成されている。ゲート絶縁膜となる。
参照番号22は、ゲート電極である。ゲート電極22は、ソース領域10とドリフト領域6の間を分離している位置にあるボディ領域8に、ゲート絶縁膜20を介して対向し、チャネル領域を形成する。
図2は、半導体装置の製造方法を示している。ステップ2では、各種の領域4,6,8,10,12が形成されているSiC基板14を形成する。SiC元基板4の表面にエピタキシャル層6を形成し、イオン注入を繰り返して、ボディ領域8とソース領域10とボディコンタクト領域12を備えているSiC基板14を形成する。
ステップS4では、SiC基板14の表面にAl膜を形成する。ここでは、数原子層の厚みを持つAl膜を、酸素を含まない雰囲気中で形成する。SiC基板14内に酸素が侵入することがない。
ステップS6では、Al膜の表面にSiO2膜を堆積する。実際には、CVD方法、スパッタ―法、あるいは電子ビームを利用する蒸着法に依って、Al膜の表面にSiO2膜を堆積する。
SiO2膜の堆積工程は、酸素を含む雰囲気中で実施する。堆積工程の間に、Al膜のAlはAl203に変化する。図1の界面膜18は、Al203で形成されている。
SiC基板14の表面にAl膜を形成しておかないと、SiO2膜の堆積工程で用いる雰囲気ガス中の酸素がSiC基板14の表面近傍に入り込み、SiC結晶の構造を乱してしまう。本実施例では、Al膜およびそのAlが酸化したAl203膜がバリアとなり、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板14の表面近傍に侵入するのを防止する。
またSiO2膜の堆積工程に先立って、SiC基板14の表面近傍に酸素が侵入している。この酸素は、SiCの結晶構造を乱し、半導体装置の特性を低下させる。本実施例では、SiO2よりも大きな結合エネルギーを持つAl203を形成するAlを用いることから、SiC基板14の表面近傍に侵入している酸素はAl203を形成するためにSiC基板14からAl203層18に吸引される。SiC基板14の表面近傍に侵入している酸素量が減少し、SiCの結晶構造が本来持っている特性が利用可能となる。
SiO2膜の堆積工程は、酸素を含む雰囲気中で実施する。堆積工程の間に、Al膜のAlはAl203に変化する。図1の界面膜18は、Al203で形成されている。
SiC基板14の表面にAl膜を形成しておかないと、SiO2膜の堆積工程で用いる雰囲気ガス中の酸素がSiC基板14の表面近傍に入り込み、SiC結晶の構造を乱してしまう。本実施例では、Al膜およびそのAlが酸化したAl203膜がバリアとなり、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板14の表面近傍に侵入するのを防止する。
またSiO2膜の堆積工程に先立って、SiC基板14の表面近傍に酸素が侵入している。この酸素は、SiCの結晶構造を乱し、半導体装置の特性を低下させる。本実施例では、SiO2よりも大きな結合エネルギーを持つAl203を形成するAlを用いることから、SiC基板14の表面近傍に侵入している酸素はAl203を形成するためにSiC基板14からAl203層18に吸引される。SiC基板14の表面近傍に侵入している酸素量が減少し、SiCの結晶構造が本来持っている特性が利用可能となる。
界面膜18は、数原子層分の厚みを持っていれば、雰囲気ガス中の酸素がSiC基板14の表面近傍に侵入するのを防止するバリア層となり、SiC基板14の表面近傍に侵入している酸素を吸引するゲッター層となる。また、数原子層分の厚みであれば、SiO2膜の堆積工程の間に、Al膜の全厚みにおいてAlが酸化してAl203となる。界面膜18は、数原子層分の厚みに相当する1nm程度の厚みとすることが好ましい。
絶縁膜20は、SiO2に限られない。Al2O3、HfO2、HfAlO、HfON、HfSiO2Nなどであってもよい。
界面膜18を形成する金属は、Alに限られない。SiO2よりも大きな結合エネルギーを持つ金属酸化物を形成する金属であればよい。図3は、酸化物の結合エネルギーの大きさを示す(ギブスの自由エネルギーの絶対値)を示す。図3では、6個の酸素原子を含む量の金属酸化物が持つ結合エネルギーの大きさを示す。Al,Ti,Hf,Zr,La,MgがSiO2よりも大きな結合エネルギーを持つ金属酸化物を形成する。界面膜18を形成する金属はAlに限られず、Ti,Hf,Zr,La,Mgであってもよい。
界面膜18を形成する金属は、Alに限られない。SiO2よりも大きな結合エネルギーを持つ金属酸化物を形成する金属であればよい。図3は、酸化物の結合エネルギーの大きさを示す(ギブスの自由エネルギーの絶対値)を示す。図3では、6個の酸素原子を含む量の金属酸化物が持つ結合エネルギーの大きさを示す。Al,Ti,Hf,Zr,La,MgがSiO2よりも大きな結合エネルギーを持つ金属酸化物を形成する。界面膜18を形成する金属はAlに限られず、Ti,Hf,Zr,La,Mgであってもよい。
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
例えば、図1の実施例では、界面膜18が左側のソース電極から右側のソース電極まで連続している。これに代えて、チャネルの形成範囲に限定して界面膜18を形成してもよい。同様な効果を得ることができる。また、図1の実施例では、プレーナ型のゲート電極22を利用しているが、トレンチに埋め込んだゲート電極を利用する半導体装置に本技術を適用することもできる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
例えば、図1の実施例では、界面膜18が左側のソース電極から右側のソース電極まで連続している。これに代えて、チャネルの形成範囲に限定して界面膜18を形成してもよい。同様な効果を得ることができる。また、図1の実施例では、プレーナ型のゲート電極22を利用しているが、トレンチに埋め込んだゲート電極を利用する半導体装置に本技術を適用することもできる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
2:ドレイン電極
4:ドレイン領域(SiC元基板)
6:ドリフト領域
8:ボディ領域
10:ソース領域
12:ボディコンタクト領域
14:SiC基板
16:ソース電極
18:界面膜
20:酸化物絶縁膜
22:ゲート電極
4:ドレイン領域(SiC元基板)
6:ドリフト領域
8:ボディ領域
10:ソース領域
12:ボディコンタクト領域
14:SiC基板
16:ソース電極
18:界面膜
20:酸化物絶縁膜
22:ゲート電極
Claims (3)
- SiC基板と、そのSiC基板の表面に形成されている界面膜と、その界面膜の表面に形成されている酸化物絶縁膜を備えており、
前記界面膜がSiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を含んでいる半導体装置。 - SiC基板と、そのSiC基板の表面に形成されている界面膜と、その界面膜の表面に形成されている酸化物絶縁膜を備えている半導体装置を製造する方法であり、
SiO2より結合エネルギーが高い金属酸化物を形成する金属の膜をSiC基板の表面に形成する金属膜形成工程と、
前記金属膜の表面に前記酸化物絶縁膜を堆積させる堆積工程を備えており、
前記金属膜とその金属膜が酸化した前記金属酸化物膜が、前記堆積工程において、雰囲気ガス中の酸素が前記SiC基板内に侵入することを防止するともに前記SiC基板中の酸素を吸引することを特徴とする半導体装置製造方法。 - 前記金属膜形成工程で、前記堆積工程中に前記金属膜の全厚みにおいて前記金属が酸化する厚みの金属膜を、酸素を含まない雰囲気中で形成することを特徴する請求項2に記載の半導体装置製造方法。
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