WO2014087975A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2014087975A1
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gate
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semiconductor device
alon
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渡部　平司
卓治 細井
志村　考功
中村　亮太
佑紀 中野
周平 箕谷
中村　孝
浅原　浩和
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ローム株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device having a MIS structure.
  • SiC silicon carbide: silicon carbide
  • MISFETs Metal, Insulator, Semiconductor, Field, Effect, and Transistor
  • Patent Document 1 discloses an n-type SiC substrate, an n-type drift layer formed on the SiC substrate, a p-type well region formed in the drift layer, and a p-type well.
  • An SiC semiconductor device including an n-type source region formed in a region, a gate insulating film formed on a surface of a drift layer, and a gate electrode formed on the gate insulating film is disclosed.
  • JP 2009-16530 A JP-T-2002-524860
  • SiC-MISFET As in Patent Document 1 is low channel mobility.
  • the low channel mobility is caused by defects existing at high density at the SiC MIS interface (there are many interface states). That is, this defect captures (traps) holes or electrons and makes it difficult to form a channel at the MIS interface.
  • a relatively thin SiO 2 film is used as a gate insulating film, and the trapped holes or electrons are easily released from defects by driving the gate with a higher electric field than Si-MISFET.
  • this method accelerates the deterioration of the gate insulating film and may lead to a decrease in device reliability.
  • the gate insulating film if a high dielectric constant film (High-k film) such as an Al 2 O 3 film or HfO 2 is used as the gate insulating film, the film thickness can be increased compared to the SiO 2 film while maintaining the same gate capacitance. May be bigger. However, in this case, there is a problem that electrons are trapped in the gate insulating film, the flat band voltage V FB is shifted, and the threshold voltage V th is shifted.
  • High-k film such as an Al 2 O 3 film or HfO 2
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor device that can reduce electron traps in a gate insulating film and suppress a shift in threshold voltage Vth .
  • the present invention has a MIS structure including a semiconductor layer, a gate insulating film in contact with the semiconductor layer, and a gate electrode formed on the gate insulating film, and the gate insulating film has a nitrogen composition of 5% to Contains 40% AlON layer.
  • the gate insulating film includes the AlON layer having a nitrogen composition of 5% to 40%, electron traps in the gate insulating film can be reduced. Thereby, since the shift of the flat band voltage VFB can be suppressed, the shift of the threshold voltage Vth can be suppressed. In addition, gate leakage current can be reduced. In addition, since the thickness can be increased while maintaining the same gate capacitance as compared with the case of using a single layer film of SiO 2 , deterioration of the gate insulating film can be suppressed even when the gate is driven at a high voltage. As a result, a decrease in device reliability can be suppressed.
  • the AlON layer preferably has a thickness of 50 nm or more.
  • the AlON layer is preferably amorphous or microcrystalline. With this configuration, since the grain boundary in the gate insulating film can be reduced, the gate leakage current can be reduced.
  • the gate insulating film preferably has a stacked structure including a base SiO 2 layer in contact with the semiconductor layer and the AlON layer stacked on the base SiO 2 layer. If the portion of the gate insulating film in contact with the semiconductor layer is SiO 2 , the shift amount of the flat band voltage V FB can be reduced. In addition, since the characteristics of the MIS structure transistor can be controlled in the same manner as in the past, the design of the transistor characteristics can be simplified.
  • the underlying SiO 2 layer is preferably a thermal oxide film.
  • the underlying SiO 2 layer preferably has a thickness of 5 nm or more.
  • the stacked structure preferably further includes an upper SiO 2 layer stacked on the AlON layer.
  • the upper SiO 2 layer preferably contains Al and / or N at the interface with the AlON layer. With this configuration, electron injection into the gate insulating film can be suppressed.
  • the semiconductor layer may be made of SiC, GaN or diamond.
  • the gate electrode is preferably made of polysilicon or a metal containing at least one selected from the group consisting of Mo, W, Cu, Ni, Al, Ti, Ag, Au, and Pt.
  • metal electrode metal gate
  • film formation can be performed at a lower temperature than, for example, a polysilicon electrode (polysilicon gate), so that the temperature environment during the film formation can be kept low. This makes it difficult for the AlON layer to reach the crystallization temperature, so that crystallization of the AlON layer can be suppressed. As a result, an increase in gate leakage current due to an increase in crystal grain boundaries can be suppressed. Further, since the gate resistance can be reduced as compared with the polysilicon gate, a higher-speed switching operation can be realized and the switching loss can be reduced.
  • the MIS structure may include a trench gate type structure or a planar gate structure.
  • FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 shows simulation data for verifying the dependence of the gate leakage current on the thickness of the underlying SiO 2 film.
  • FIG. 4 is a perspective view of a semiconductor device used in an experimental example for proving the dependency of the gate leakage current.
  • FIG. 5 is a JE curve for demonstrating the dependency of the gate leakage current in the semiconductor device of FIG.
  • FIG. 6 is a CV curve of the semiconductor device of FIG. 4 for verifying the dependence of the shift of the flat band voltage V FB on the thickness of the underlying SiO 2 film.
  • FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 shows simulation data for verify
  • FIG. 7 is a graph for demonstrating the dependency of the shift amount of the flat band voltage V FB on the thickness of the underlying SiO 2 film.
  • FIG. 8 is a graph showing the composition in the depth direction of an AlON film (CVD1 film) produced following the CVD1 method.
  • FIG. 9 is a graph showing the composition in the depth direction of an AlON film (CVD2 film) produced following the CVD2 method.
  • FIG. 10 is a graph showing the composition in the depth direction of an AlON film (PVD film) produced according to the PVD method.
  • FIG. 11 is a graph for proving the dependence of the shift of the flat band voltage V FB on the N composition.
  • FIG. 12 is a graph for demonstrating the suppression effect of the flat band voltage V FB by the AlON film.
  • FIG. 13 is a graph showing the relationship between the flat band voltage V FB and the nitrogen composition.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to a first embodiment of the present invention.
  • Semiconductor device 1 includes an n + type (for example, a concentration of 1 ⁇ 10 19 to 5 ⁇ 10 19 cm ⁇ 3 ) SiC substrate 2 and an n ⁇ type (for example, a concentration of 1 ⁇ 10) formed on SiC substrate 2. 10 15 to 1 ⁇ 10 16 cm ⁇ 3 ) of SiC epitaxial layer 3.
  • the SiC substrate 2 and the SiC epitaxial layer 3 are examples of the “semiconductor layer” of the present invention.
  • SiC substrate 2 and SiC epitaxial layer 3 function as the drain of semiconductor device 1.
  • Examples of n-type impurities include phosphorus (P) and arsenic (As).
  • n-type SiC contains similar n-type impurities.
  • the SiC epitaxial layer 3 is formed with a gate trench 4 that is dug from the surface toward the SiC substrate 2.
  • the gate trench 4 is formed in, for example, a lattice shape or a stripe shape. As a result, a plurality of unit cells 5 partitioned by the gate trench 4 are formed in the SiC epitaxial layer 3.
  • an n + -type source region 6 and a p-type (for example, concentration of 1 ⁇ 10 17 to 5 ⁇ 10 17 cm ⁇ 3 ) body region 7 are formed in the SiC epitaxial layer. 3 are formed in this order from the side close to the surface of 3.
  • Body region 7 contains, for example, boron (B), aluminum (Al), etc. as p-type impurities.
  • p-type SiC contains similar p-type impurities.
  • the source region 6 is formed on the surface portion of each unit cell 5 so as to be exposed on the surface of the SiC epitaxial layer 3 and to form the upper part (part) of the side surface of the gate trench 4.
  • the body region 7 is in contact with the source region 6 on the SiC substrate 2 side (the back surface side of the SiC epitaxial layer 3) with respect to the source region 6 and forms a lower part (part) of the side surface of the gate trench 4. It is formed to do.
  • the region on the SiC substrate 2 side with respect to the body region 7 is an n ⁇ -type drain region 8 that is maintained as it is after epitaxial growth. Drain region 8 is in contact with body region 7 on the side of SiC substrate 2 with respect to body region 7 and forms the bottom surface of gate trench 4.
  • a gate insulating film 9 is formed on the inner surface of the gate trench 4 so as to cover the entire area.
  • the gate insulating film 9 includes a base SiO 2 film 10, an AlON film 11, and an upper SiO 2 film 12 that are sequentially stacked from the inner surface side of the gate trench 4.
  • a base SiO 2 film 10 is formed so as to be in contact with the entire inner surface of the gate trench 4, and an AlON film 11 and an upper SiO 2 film 12 having the same shape as the base SiO 2 film 10 are directly below the base SiO 2 film 10.
  • the layers are sequentially laminated so as to cover the entire area of the film.
  • the three-layer structure of these films may be formed over the entire inner surface of the gate trench 4 as in this embodiment, or the channel portion on the inner surface of the gate trench 4 (the body on the side surface of the gate trench 4). It may be selectively formed in a portion where the region 7 is exposed.
  • the other part of the gate insulating film 9 may be a single layer film made of SiO 2 .
  • the gate insulating film 9 may be a single layer film of the AlON film 11 or a film having a two-layer structure (the underlying SiO 2 film 10 / AlON film 11) in which the upper SiO 2 film 12 is omitted. Also good.
  • the gate insulating film 9 may be formed so as to cover the opening end side edge portion of the gate trench 4.
  • the edge portion on the opening end side of the gate trench 4 forms an included angle between the surface of the SiC epitaxial layer 3 and the side surface of the gate trench 4. Therefore, the vicinity of each of the surface of SiC epitaxial layer 3 and the side surface of gate trench 4 in source region 6 is covered with gate insulating film 9.
  • the thickness of the gate insulating film 9 is, for example, 55 nm to 150 nm.
  • the preferable range of the thickness of each film is that the base SiO 2 film 10 is 5 nm or more (more preferably 5 nm to 20 nm), the AlON film 11 is 50 nm or more (more preferably 50 nm to 100 nm), and the upper SiO 2 film is 2
  • the film 12 is 0 nm or more (more preferably, 0 nm to 30 nm).
  • base SiO 2 film 10 is formed, for example, by thermally oxidizing SiC epitaxial layer 3.
  • a thermal oxide film as a film in contact with the SiC epitaxial layer 3 (particularly the channel portion), excellent transistor characteristics can be exhibited compared to a deposited film such as a CVD film.
  • the AlON film 11 is a film in which nitrogen (N) atoms are dispersed in the film, for example, a film having a nitrogen composition of 5% to 40% (preferably 15% to 35%).
  • the nitrogen composition is within the above range at any position in the depth direction of the AlON film 11. That is, the nitrogen composition of the AlON film 11 is substantially constant in the depth direction, and is preferably within ⁇ 5% to ⁇ 20% with respect to the average value in the depth direction. Note that it is preferable that the composition of other atoms (Al, O) of the AlON film 11 is substantially constant in the depth direction.
  • the nitrogen composition is in the above range, the flat band voltage V FB of the semiconductor device 1 can be suppressed more favorably, and the gate leakage current can be reduced.
  • the AlON film 11 is preferably amorphous or microcrystalline. If the AlON film 11 has such a structure, the crystal grain boundary in the gate insulating film 9 can be reduced, so that the gate leakage current can be reduced.
  • the upper SiO 2 film 12 is mainly made of silicon oxide, but may contain Al and / or N at the interface portion (near the interface) with the AlON film 11. With this configuration, electron injection into the gate insulating film 9 can be suppressed.
  • Such a gate insulating film 9 can be formed, for example, by forming the gate trench 4 in the SiC epitaxial layer 3 and then laminating the base SiO 2 film 10, the AlON film 11 and the upper SiO 2 film 12 in this order.
  • the underlying SiO 2 film 10 can be formed by, for example, a thermal oxidation method (for example, 1100 ° C. to 1300 ° C.).
  • the AlON film 11 can be formed by depositing each atom by, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method, a CVD method, a PVD (Physical Vapor Deposition) method, or the like.
  • the upper SiO 2 film 12 can be formed by, for example, a CVD method.
  • PDA Post Deposition Annealing
  • VFB flat band voltage
  • a gate electrode 13 is embedded inside the gate insulating film 9.
  • a trench gate type MIS structure is formed in which the gate electrode 13 is opposed to the source region 6, the body region 7 and the drain region 8 forming the inner surface of the gate trench 4 with the gate insulating film 9 interposed therebetween.
  • the gate electrode 13 is preferably made of a metal containing at least one selected from the group consisting of Mo, W, Cu, Ni, Al, Ti, Ag, Au, and Pt. Polysilicon).
  • a source trench 14 is formed that is dug from the surface of the SiC epitaxial layer 3 toward the SiC substrate 2.
  • Source trench 14 penetrates source region 6 and body region 7 from the surface of SiC epitaxial layer 3 to reach drain region 8.
  • the source trench 14 is formed with the same depth as the gate trench 4.
  • a p-type region 15 is formed around the source trench 14 in the SiC epitaxial layer 3.
  • the p-type region 15 is exposed on the inner surface of the source trench 14 in a region below the body region 7 so as to be connected (connected) to the body region 7. That is, the p-type region 15 is interposed between the drain region 8 and the inner surface of the source trench 14 in the lower region. As a result, the p-type region 15 is exposed at the bottom and bottom edge portions of the source trench 14.
  • a p + -type body contact region 16 is formed on the bottom surface of the source trench 14.
  • the body contact region 16 is disposed in the central portion spaced inward from the side surface of the source trench 14.
  • An interlayer insulating film 17 is formed on the SiC epitaxial layer 3 so as to cover the gate electrode 13.
  • a contact hole 18 having a diameter larger than that of the source trench 14 is formed in the interlayer insulating film 17. As a result, in the contact hole 18, the entire source trench 14 of each unit cell 5 (that is, the entire inner surface of the source trench 14) and a part of the source region 6 are exposed.
  • a source electrode 19 is formed on the interlayer insulating film 17.
  • the source electrode 19 enters all the source trenches 14 of all the unit cells 5 through the contact holes 18 at a time.
  • the source electrode 19 is in contact with the body contact region 16, the p-type region 15, the body region 7 and the source region 6 in order from the bottom side of the source trench 14. That is, the source electrode 19 is a common wiring for all the unit cells 5.
  • the source electrode 19 has a structure in which a Ti / TiN layer and an Al layer are laminated in order from the contact side with the SiC epitaxial layer 3.
  • a drain electrode 20 is formed on the back surface of the SiC substrate 2 so as to cover the entire area.
  • the drain electrode 20 is a common electrode for all the unit cells 5.
  • the gate insulating film 9 includes the AlON film 11 having a nitrogen composition of 5% to 40%, electron traps in the gate insulating film 9 can be reduced. Thereby, since the shift of the flat band voltage VFB can be suppressed, the shift of the threshold voltage Vth can be suppressed.
  • the gate insulating film 9 can be made thicker as a whole while maintaining the same gate capacitance as compared with the case where a single layer film of SiO 2 is used for the gate insulating film. Therefore, deterioration of the gate insulating film 9 can be suppressed even when the gate is driven with a high voltage. As a result, a decrease in device reliability can be suppressed.
  • the rising electric field of the gate leakage current can be increased by interposing the underlying SiO 2 film 10 below the AlON film 11 and further setting the film thickness to 5 nm or more. As a result, it is possible to suppress the occurrence of leak current during normal driving of the gate.
  • the AlON film 11 can be protected from chemicals used for etching and cleaning, for example, when the gate electrode 13 is formed. . As a result, the AlON film 11 can be prevented from being damaged.
  • the film can be formed at a lower temperature than the polysilicon gate. Therefore, the temperature environment during the film formation can be suppressed to a low level. For example, while the metal film is formed at about 200 ° C., the temperature environment reaches 1000 ° C. when the polysilicon film is formed. This makes it difficult for the AlON film 11 formed earlier to reach the crystallization temperature, so that crystallization of the AlON film 11 can be suppressed. As a result, an increase in gate leakage current due to an increase in crystal grain boundaries can be suppressed. Further, since the gate resistance can be reduced as compared with the polysilicon gate, a higher-speed switching operation can be realized and the switching loss can be reduced.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of a semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
  • parts corresponding to those shown in FIG. 1 are given the same reference numerals.
  • the MIS structure is a trench in which the gate electrode 13 is opposed to the source region 6, the body region 7 and the drain region 8 that form the inner surface of the gate trench 4 with the gate insulating film 9 interposed therebetween. It consists of a gate type.
  • the MIS structure of the semiconductor device 41 according to the second embodiment is a planar gate type.
  • the planar gate type MIS structure includes a p-type body region 42 selectively formed on the surface portion of the SiC epitaxial layer 3, an n + -type source region 43 selectively formed in the body region 42, A gate insulating film 44 formed on the surface of the SiC epitaxial layer 3, a gate electrode 45 facing the body region 42 exposed on the surface of the SiC epitaxial layer 3 across the gate insulating film 44, and a surface of the SiC epitaxial layer 3 Through the source region 43 and the p + type body contact region 46 with the deepest part reaching the body region 42.
  • the gate insulating film 44 of the semiconductor device 41 is also composed of a base SiO 2 film 47, an AlON film 48, and an upper SiO 2 film, which are sequentially stacked from the surface side of the SiC epitaxial layer 3. 49, and the same effects as the semiconductor device 1 of the first embodiment can be exhibited.
  • the semiconductor devices 1 and 41 a configuration in which the conductivity type of each semiconductor portion is reversed may be employed.
  • the p-type portion may be n-type and the n-type portion may be p-type.
  • the semiconductor device 1 having a SiC layer is taken up as an example of the semiconductor device of the present invention.
  • the structure described in the above embodiment is applied to a semiconductor device having a layer made of GaN and diamond. You can also
  • the trench gate type and the planar gate type MISFET are taken as an example of the present invention.
  • the present invention is also applied to a MIS transistor structure such as a CMOSFET (Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). be able to.
  • CMOSFET Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
  • the gate leakage current can be reduced as the underlying SiO 2 film 10 is thicker. In particular, it can be seen that the gate leakage current can be effectively reduced if the thickness of the underlying SiO 2 film 10 is 5 nm or more.
  • (2) Dependence of gate leakage current on the thickness of the underlying SiO 2 film (experimental example)
  • a specific experiment was performed in order to demonstrate the dependence of the gate leakage current on the thickness of the underlying SiO 2 film.
  • a base SiO 2 film was formed by thermally oxidizing (dry oxidation) the (0001) plane of an n-type 4H—SiC substrate.
  • an AlON film of 90 nm was deposited by the CVD method.
  • EOT Equivalent Oxide Thickness: equivalent oxide thickness of oxide film
  • EOT Equivalent Oxide Thickness: equivalent oxide thickness of oxide film
  • the JE characteristics of the MIS structure of FIG. 4 were obtained.
  • the results are shown in FIG. In FIG. 5, the curve indicated by “Ref.” Is a JE curve of the MIS structure in which a NO x —SiO 2 film (48 nm) is used instead of the gate insulating film made of the base SiO 2 film and the AlON film. .
  • the underlying SiO 2 film is preferably 6 nm or more.
  • the MIS structure ( ⁇ 6 nm, 6 nm, and 13 nm) having the structure in which the base SiO 2 film is interposed between the AlON film and the substrate is obtained when the AlON film is directly formed on the 4H—SiC substrate (“ It was found that the shift amount of the flat band voltage V FB can be reduced as compared with “none”).
  • the CV characteristics were also obtained under the conditions where the starting voltage was changed. The change condition of the starting voltage was set to 5V from + 5V to + 60V.
  • FIG. 7 shows the relationship between the accumulated voltage and the flatband voltage at this time.
  • the shift amount of the flat band voltage V FB can be reduced as the underlying SiO 2 film 10 is thicker if the accumulated voltage is the same.
  • Dependence of the shift of the flat band voltage V FB on the N composition a specific experiment was performed to demonstrate the dependency of the shift of the flat band voltage V FB on the N composition.
  • the MIS structure shown in FIG. 4 was fabricated following the method described in (2) above. However, three patterns of experimental samples with different AlON film formation methods were prepared.
  • the shift amount of the flat band voltage V FB can be reduced in the CVD 1 film having a higher N composition (concentration) than in the CVD 2 film.
  • the shift amount of the CVD2 film sample is about 15V
  • the shift amount of the CVD1 film sample is about 10V.
  • the shift amount can be reduced compared to the case where PDA is not performed.

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Abstract

　本発明の半導体装置は、半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＭＩＳ構造を有し、前記ゲート絶縁膜は、窒素組成が５％～４０％のＡｌＯＮ層を含む。これにより、ゲート絶縁膜中への電子トラップを低減し、閾値電圧Ｖthのシフトを抑制することができる半導体装置を提供する。

Description

半導体装置
　本発明は、ＭＩＳ構造を有する半導体装置に関する。
　ＳｉＣ（炭化シリコン：シリコンカーバイト）は、Ｓｉ（シリコン）よりも絶縁破壊耐性および熱伝導率などに優れている。そのため、ＳｉＣは、たとえば、ハイブリッド自動車のインバータなどの用途に好適な半導体として注目されている。ＳｉＣを用いたＭＩＳＦＥＴ（Metal Insulator Semiconductor Field Effect Transistor）は、ハイブリッド自動車のインバータなどに好適な高耐圧デバイスとして期待されている。
　ＳｉＣを用いたＭＩＳＦＥＴの一例として、特許文献１は、ｎ型のＳｉＣ基板と、当該ＳｉＣ基板上に形成されたｎ型ドリフト層と、ドリフト層に形成されたｐ型ウェル領域と、ｐ型ウェル領域に形成されたｎ型ソース領域と、ドリフト層の表面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＳｉＣ半導体装置を開示している。
特開２００９－１６５３０号公報 特表２００２－５２４８６０号公報
　特許文献１のようなＳｉＣ－ＭＩＳＦＥＴの課題の一つとして、低チャネル移動度がある。低チャネル移動度は、ＳｉＣのＭＩＳ界面に高密度に存在する欠陥（界面準位が多いこと）が原因である。すなわち、この欠陥が、正孔または電子を捕獲（トラップ）し、ＭＩＳ界面にチャネルを形成し難くする。
　従来は、比較的薄いＳｉＯ2膜をゲート絶縁膜として使用し、Ｓｉ－ＭＩＳＦＥＴに比べて高い電界でゲートを駆動することによって、捕獲された正孔または電子が欠陥から解放され易くしていた。しかしながら、このやり方は、ゲート絶縁膜の劣化を加速させ、デバイスの信頼性の低下を招くおそれがある。
　これに対し、ゲート絶縁膜としてＡｌ2Ｏ3膜やＨｆＯ2等の高誘電率膜（Ｈｉｇｈ－ｋ膜）を使用すれば、同じゲート容量を維持しながら、ＳｉＯ2膜に比べて膜厚を大きくできるかもしれない。しかし、この場合には、ゲート絶縁膜中に電子が捕獲されてフラットバンド電圧ＶFBがシフトし、閾値電圧Ｖthがシフトするという問題が発生する。
　そこで、本発明の目的は、ゲート絶縁膜中への電子トラップを低減し、閾値電圧Ｖthのシフトを抑制することができる半導体装置を提供することである。
　本発明は、半導体層と、前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＭＩＳ構造を有し、前記ゲート絶縁膜は、窒素組成が５％～４０％のＡｌＯＮ層を含む。
　この構成によれば、ゲート絶縁膜が５％～４０％の窒素組成を有するＡｌＯＮ層を含むので、ゲート絶縁膜中への電子トラップを低減することができる。これによりフラットバンド電圧ＶFBのシフトを抑制することができるので、閾値電圧Ｖthのシフトを抑制することができる。また、ゲートリーク電流を低減することができる。また、ＳｉＯ2の単層膜を用いる場合に比べて、同じゲート容量を維持しながら厚くすることができるので、高い電圧でゲートを駆動させてもゲート絶縁膜の劣化を抑制することができる。その結果、デバイスの信頼性の低下を抑制することができる。
　また、前記ＡｌＯＮ層は５０ｎｍ以上の厚さを有することが好ましい。
　前記ＡｌＯＮ層はアモルファスまたは微結晶であることが好ましい。この構成により、ゲート絶縁膜中の結晶粒界を減らすことができるので、ゲートリーク電流を低減することができる。
　前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層に接する下地ＳｉＯ2層と、この下地ＳｉＯ2層に積層された前記ＡｌＯＮ層とを含む積層構造を有することが好ましい。ゲート絶縁膜の半導体層に接する部分がＳｉＯ2であれば、フラットバンド電圧ＶFBのシフト量を低減することができる。また、ＭＩＳ構造のトランジスタの特性を従来と同じように制御することができので、トランジスタ特性の設計を簡単にすることができる。なお、下地ＳｉＯ2層は熱酸化膜であることが好ましい。
　前記下地ＳｉＯ2層は５ｎｍ以上の厚さを有することが好ましい。この構成により、ゲートリーク電流の立ち上がり電界を高くすることができるので、ゲートの通常駆動時におけるリーク電流の発生を抑制することができる。
　前記積層構造は、前記ＡｌＯＮ層に積層された上側ＳｉＯ2層をさらに含むことが好ましい。この構成により、ＡｌＯＮ層が上側から覆われるので、たとえばゲート電極形成時に、エッチングや洗浄に用いる薬剤からＡｌＯＮ層を保護することができる。その結果、ＡｌＯＮ層がダメージを受けることを抑制することができる。
　また、前記上側ＳｉＯ2層は、前記ＡｌＯＮ層との界面部にＡｌおよび／またはＮを含有していることが好ましい。この構成により、ゲート絶縁膜への電子注入を抑制することができる。
　前記半導体層はＳｉＣ、ＧａＮまたはダイヤモンドからなっていてもよい。また、前記ゲート電極は、ポリシリコンもしくは、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＡｕおよびＰｔからなる群から選択される少なくとも１種を含有する金属からなることが好ましい。金属電極（金属ゲート）の場合、たとえばポリシリコン電極（ポリシリコンゲート）に比べて低温で成膜することができるので、当該成膜時の温度環境を低めに抑えることができる。これにより、ＡｌＯＮ層が結晶化温度に達し難くなるので、ＡｌＯＮ層の結晶化を抑えることができる。その結果、結晶粒界の増加によるゲートリーク電流の増加を抑制することができる。また、ポリシリコンゲートに比べてゲート抵抗を低減することができるので、より高速なスイッチング動作を実現でき、スイッチング損失を低減することができる。
　また、前記ＭＩＳ構造は、トレンチゲート型の構造を含んでいてもよいし、プレーナゲート構造を含んでいてもよい。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。 図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の断面図である。 図３は、ゲートリーク電流の下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性を証明するためのシミュレーションデータである。 図４は、前記ゲートリーク電流の依存性を証明するための実験例で用いた半導体装置の斜視図である。 図５は、図４の半導体装置における前記ゲートリーク電流の依存性を証明するためのＪ－Ｅ曲線である。 図６は、フラットバンド電圧ＶFBのシフトの下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性を証明するための、図４の半導体装置のＣ－Ｖ曲線である。 図７は、前記フラットバンド電圧ＶFBのシフト量の下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性を証明するためのグラフである。 図８は、ＣＶＤ１法に倣って作製したＡｌＯＮ膜（ＣＶＤ１膜）の深さ方向の組成を示すグラフである。 図９は、ＣＶＤ２法に倣って作製したＡｌＯＮ膜（ＣＶＤ２膜）の深さ方向の組成を示すグラフである。 図１０は、ＰＶＤ法に倣って作製したＡｌＯＮ膜（ＰＶＤ膜）の深さ方向の組成を示すグラフである。 図１１は、フラットバンド電圧ＶFBのシフトのＮ組成への依存性を証明するためのグラフである。 図１２は、ＡｌＯＮ膜によるフラットバンド電圧ＶFBの抑制効果を証明するためのグラフである。 図１３は、フラットバンド電圧ＶFBと窒素組成との関係を示すグラフである。
　以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
　半導体装置１は、ｎ+型（たとえば、濃度が１×１０19～５×１０19ｃｍ-3）のＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２上に形成されたｎ-型（たとえば、濃度が１×１０15～１×１０16ｃｍ-3）のＳｉＣエピタキシャル層３とを含む。ＳｉＣ基板２およびＳｉＣエピタキシャル層３が、本発明の「半導体層」の一例である。ＳｉＣ基板２およびＳｉＣエピタキシャル層３は、半導体装置１のドレインとして機能する。ｎ型不純物としては、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）などが含まれている。以下、ｎ型ＳｉＣには同様のｎ型不純物が含まれている。
　ＳｉＣエピタキシャル層３には、その表面からＳｉＣ基板２へ向かって掘り下がった、ゲートトレンチ４が形成されている。ゲートトレンチ４は、たとえば、格子状、ストライプ状に形成されている。これにより、ＳｉＣエピタキシャル層３には、ゲートトレンチ４により区画された単位セル５が複数形成されている。
　ＳｉＣエピタキシャル層３においてゲートトレンチ４の周囲には、ｎ+型のソース領域６およびｐ型（たとえば、濃度が１×１０17～５×１０17ｃｍ-3）のボディ領域７が、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に近い側からこの順に形成されている。ボディ領域７には、ｐ型不純物として、たとえば、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）などが含まれている。以下、ｐ型ＳｉＣには同様のｐ型不純物が含まれている。
　ソース領域６は、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に露出するとともに、ゲートトレンチ４の側面の上部（一部）を形成するように、各単位セル５の表面部に形成されている。一方、ボディ領域７は、ソース領域６に対してＳｉＣ基板２側（ＳｉＣエピタキシャル層３の裏面側）にソース領域６に接するように、かつ、ゲートトレンチ４の側面の下部（一部）を形成するように形成されている。
　ＳｉＣエピタキシャル層３における、ボディ領域７に対してＳｉＣ基板２側の領域は、エピタキシャル成長後のままの状態が維持された、ｎ-型のドレイン領域８となっている。ドレイン領域８は、ボディ領域７に対してＳｉＣ基板２側にボディ領域７に接しており、ゲートトレンチ４の底面を形成している。
　ゲートトレンチ４の内面には、その全域を覆うように、ゲート絶縁膜９が形成されている。ゲート絶縁膜９は、ゲートトレンチ４の内面側から順に積層された下地ＳｉＯ2膜１０、ＡｌＯＮ膜１１および上側ＳｉＯ2膜１２を含む。この実施形態では、ゲートトレンチ４の内面全域に接するように下地ＳｉＯ2膜１０が形成され、その上に、下地ＳｉＯ2膜１０と同じ形状のＡｌＯＮ膜１１および上側ＳｉＯ2膜１２が、それぞれ直下の膜の全域を覆うように順に積層されている。なお、これらの膜の３層構造は、この実施形態のようにゲートトレンチ４の内面全域に亘って形成されていてもよいし、ゲートトレンチ４の内面におけるチャネル部分（ゲートトレンチ４の側面においてボディ領域７が露出する部分）に選択的に形成されていてもよい。この場合、ゲート絶縁膜９の他の部分は、ＳｉＯ2からなる単層膜であってもよい。また、ゲート絶縁膜９は、ＡｌＯＮ膜１１の単層膜であってもよいし、上側ＳｉＯ2膜１２が省略された２層構造の膜（下地ＳｉＯ2膜１０／ＡｌＯＮ膜１１）であってもよい。また、ゲート絶縁膜９は、この実施形態では、ゲートトレンチ４の開口端側エッジ部を覆うように形成されていてもよい。ゲートトレンチ４の開口端側エッジ部は、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面とゲートトレンチ４の側面との挟角を形成している。したがって、ソース領域６におけるＳｉＣエピタキシャル層３の表面およびゲートトレンチ４の側面の各近傍部分はゲート絶縁膜９に覆われることとなる。
　ゲート絶縁膜９の厚さは、たとえば、５５ｎｍ～１５０ｎｍである。各膜の厚さの好ましい範囲は、下地ＳｉＯ2膜１０が５ｎｍ以上（より好ましくは、５ｎｍ～２０ｎｍ）であり、ＡｌＯＮ膜１１が５０ｎｍ以上（より好ましくは、５０ｎｍ～１００ｎｍ）であり、上側ＳｉＯ2膜１２が０ｎｍ以上（より好ましくは、０ｎｍ～３０ｎｍ）である。
　下地ＳｉＯ2膜１０は、この実施形態では、たとえばＳｉＣエピタキシャル層３を熱酸化によって形成されている。ＳｉＣエピタキシャル層３（特に、チャネル部分）に接する膜を熱酸化膜とすることによって、ＣＶＤ膜等の堆積膜に比べて優れたトランジスタ特性を発現することができる。
　ＡｌＯＮ膜１１は、膜中に窒素（Ｎ）原子が分散した膜であって、たとえば窒素組成が５％～４０％（好ましくは、１５％～３５％）の膜である。当該窒素組成は、ＡｌＯＮ膜１１の深さ方向いずれの位置においても上記範囲に収まっている。すなわち、ＡｌＯＮ膜１１の窒素組成は深さ方向にほぼ一定であり、好ましくは、深さ方向の平均値に対して±５％～±２０％以内に収まっている。なお、ＡｌＯＮ膜１１の他の原子（Ａｌ、Ｏ）についても、それらの組成が深さ方向にほぼ一定であることが好ましい。窒素組成が上記範囲であれば、半導体装置１のフラットバンド電圧ＶFBをより良好に抑制できると共に、ゲートリーク電流を低減することができる。また、ＡｌＯＮ膜１１は、アモルファスまたは微結晶であることが好ましい。ＡｌＯＮ膜１１がそのような構造であれば、ゲート絶縁膜９中の結晶粒界を減らすことができるので、ゲートリーク電流を低減することができる。
　上側ＳｉＯ2膜１２は、主に酸化シリコンからなるが、ＡｌＯＮ膜１１との界面部（界面近傍）にＡｌおよび／またはＮを含有していてもよい。この構成により、ゲート絶縁膜９への電子注入を抑制することができる。
　このようなゲート絶縁膜９は、たとえば、ＳｉＣエピタキシャル層３にゲートトレンチ４を形成した後、下地ＳｉＯ2膜１０、ＡｌＯＮ膜１１および上側ＳｉＯ2膜１２を順に積層することによって形成することができる。下地ＳｉＯ2膜１０は、たとえば熱酸化法（たとえば、１１００℃～１３００℃）によって形成することができる。また、ＡｌＯＮ膜１１は、たとえばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition：原子層堆積）法、ＣＶＤ法、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition：物理気相成長）法等によって各原子を堆積させることによって形成することができる。また、上側ＳｉＯ2膜１２は、たとえばＣＶＤ法によって形成することができる。
　なお、ＡｌＯＮ膜１１の形成後、たとえば７００℃～１０００℃でＰＤＡ（Post Deposition Annealing：ポストデポジションアニーリング）を行ってもよい。これにより、フラットバンド電圧ＶFBのシフトをより良好に抑制することができる。
　ゲートトレンチ４においてゲート絶縁膜９の内側には、ゲート電極１３が埋め込まれている。こうして、ゲートトレンチ４の内面を形成するソース領域６、ボディ領域７およびドレイン領域８に対して、ゲート絶縁膜９を挟んでゲート電極１３が対向するトレンチゲート型のＭＩＳ構造が構成されている。
　ゲート電極１３は、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＡｕおよびＰｔからなる群から選択される少なくとも１種を含有する金属からなることが好ましいが、ポリシリコン（たとえば不純物がドーピングされたポリシリコン）からなっていてもよい。
　各単位セル５の中央部には、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面からＳｉＣ基板２へ向かって掘り下がった、ソーストレンチ１４が形成されている。ソーストレンチ１４は、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面からソース領域６およびボディ領域７を貫通してドレイン領域８に達している。この実施形態では、ソーストレンチ１４は、ゲートトレンチ４と同じ深さで形成されている。
　ＳｉＣエピタキシャル層３においてソーストレンチ１４の周囲には、ｐ型領域１５が形成されている。ｐ型領域１５は、ボディ領域７の下方領域において、ボディ領域７に連なるように（繋がるように）ソーストレンチ１４の内面に露出している。つまり、ｐ型領域１５は、当該下方領域においてドレイン領域８とソーストレンチ１４の内面との間に介在している。これにより、ソーストレンチ１４の底面および底側エッジ部にはｐ型領域１５が露出している。
　また、ｐ型領域１５にはソーストレンチ１４の底面において、ｐ+型のボディコンタクト領域１６が形成されている。この実施形態では、ボディコンタクト領域１６は、ソーストレンチ１４の側面から内側に間隔を隔てた中央部に配置されている。
　ＳｉＣエピタキシャル層３上には、ゲート電極１３を覆うように層間絶縁膜１７が形成されている。層間絶縁膜１７には、ソーストレンチ１４よりも大径のコンタクトホール１８が形成されている。これにより、コンタクトホール１８内には、各単位セル５のソーストレンチ１４の全体（すなわち、ソーストレンチ１４の内面全域）およびソース領域６の一部が露出している。
　層間絶縁膜１７上には、ソース電極１９が形成されている。ソース電極１９は、各コンタクトホール１８を介して、すべての単位セル５のソーストレンチ１４に一括して入り込んでいる。ソース電極１９は、ソーストレンチ１４の底側から順にボディコンタクト領域１６、ｐ型領域１５、ボディ領域７およびソース領域６に接触している。すなわち、ソース電極１９は、すべての単位セル５に対して共通の配線となっている。ソース電極１９は、この実施形態では、ＳｉＣエピタキシャル層３との接触側から順にＴｉ／ＴｉＮ層と、Ａｌ層とが積層された構造を有している。
　ＳｉＣ基板２の裏面には、その全域を覆うようにドレイン電極２０が形成されている。ドレイン電極２０は、すべての単位セル５に対して共通の電極となっている。ドレイン電極２０としては、たとえば、ＳｉＣ基板２側から順にＴｉ、Ｎｉ、ＡｕおよびＡｇが積層された積層構造（Ｔｉ／Ｎｉ／Ａｕ／Ａｇ）を適用することができる。
　この半導体装置１によれば、ゲート絶縁膜９が５％～４０％の窒素組成を有するＡｌＯＮ膜１１を含むので、ゲート絶縁膜９中への電子トラップを低減することができる。これによりフラットバンド電圧ＶFBのシフトを抑制することができるので、閾値電圧Ｖthのシフトを抑制することができる。
　また、ＡｌＯＮ膜１１を適宜厚くすることによって、ゲート絶縁膜にＳｉＯ2の単層膜を用いる場合に比べて、同じゲート容量を維持しながらゲート絶縁膜９を全体として厚くすることができる。そのため、高い電圧でゲートを駆動させてもゲート絶縁膜９の劣化を抑制することができる。その結果、デバイスの信頼性の低下を抑制することができる。
　また、ＡｌＯＮ膜１１の下方に下地ＳｉＯ2膜１０を介在させ、さらにその膜厚を５ｎｍ以上とすることによって、ゲートリーク電流の立ち上がり電界を高くすることができる。その結果、ゲートの通常駆動時におけるリーク電流の発生を抑制することができる。
　さらに、ＡｌＯＮ膜１１上に上側ＳｉＯ2膜１２を積層し、ＡｌＯＮ膜１１を上側から覆うことによって、たとえばゲート電極１３の形成時に、エッチングや洗浄に用いる薬剤からＡｌＯＮ膜１１を保護することができる。その結果、ＡｌＯＮ膜１１がダメージを受けることを抑制することができる。
　また、ゲート電極１３が金属ゲートであれば、ポリシリコンゲートに比べて低温で成膜することができる。そのため、当該成膜時の温度環境を低めに抑えることができる。たとえば、金属の成膜が２００℃程度で行われるのに対し、ポリシリコンの成膜では温度環境が１０００℃に達する。これにより、先に形成されたＡｌＯＮ膜１１が結晶化温度に達し難くなるので、ＡｌＯＮ膜１１の結晶化を抑えることができる。その結果、結晶粒界の増加によるゲートリーク電流の増加を抑制することができる。また、ポリシリコンゲートに比べてゲート抵抗を低減することができるので、より高速なスイッチング動作を実現でき、スイッチング損失を低減することができる。
　図２は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の断面図である。図２において、前述の図１に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して示す。
　前述の第１の実施形態では、ＭＩＳ構造は、ゲートトレンチ４の内面を形成するソース領域６、ボディ領域７およびドレイン領域８に対して、ゲート絶縁膜９を挟んでゲート電極１３が対向するトレンチゲート型で構成されている。
　これに対し、この第２実施形態に係る半導体装置４１のＭＩＳ構造は、プレーナゲート型で構成されている。
　プレーナゲート型のＭＩＳ構造は、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面部に選択的に形成されたｐ型のボディ領域４２と、当該ボディ領域４２に選択的に形成されたｎ+型のソース領域４３と、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に形成されたゲート絶縁膜４４と、ゲート絶縁膜４４を挟んで、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面に露出するボディ領域４２に対向するゲート電極４５と、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面からソース領域４３を貫通し、最深部がボディ領域４２に達するｐ+型のボディコンタクト領域４６とを含む。
　この半導体装置４１のゲート絶縁膜４４も、第１実施形態のゲート絶縁膜９と同様に、ＳｉＣエピタキシャル層３の表面側から順に積層された下地ＳｉＯ2膜４７、ＡｌＯＮ膜４８および上側ＳｉＯ2膜４９を含んでおり、第１実施形態の半導体装置１と同様の作用効果を発現することができる。
　以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
　たとえば、半導体装置１，４１において、各半導体部分の導電型を反転した構成が採用されてもよい。たとえば、半導体装置１において、ｐ型の部分がｎ型であり、ｎ型の部分がｐ型であってもよい。
　また、前述の実施形態では、本発明の半導体装置の一例としてＳｉＣ層を有する半導体装置１を取り上げたが、前述の実施形態に記載の構造は、ＧａＮ、ダイヤモンドからなる層を有する半導体装置に適用することもできる。
　また、前述の実施形態では、トレンチゲート型およびプレーナゲート型のＭＩＳＦＥＴを本発明の一例として取り上げたが、本発明は、ＣＭＯＳＦＥＴ（Complementary Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）等のＭＩＳトランジスタ構造にも適用することができる。
　その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
＜検証例＞
　以下の検証例を行うことによって、下記（１）～（６）の効果を確かめた。
（１）ゲートリーク電流の下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性（シミュレーション）
　まず、前述の実施形態における下地ＳｉＯ2膜１０の厚さの変化に伴ってゲートリーク電流がどのように変化するかを、シミュレーション装置を用いて検証した。シミュレーション条件は、下地ＳｉＯ2膜１０の厚さ＝１ｎｍ、２ｎｍ、３ｎｍ、４ｎｍ、５ｎｍおよび６ｎｍとした。結果を図３に示す。
　図３によれば、下地ＳｉＯ2膜１０が厚いほどゲートリーク電流が低減できることが分かった。特に、下地ＳｉＯ2膜１０の厚さが５ｎｍ以上であれば、ゲートリーク電流を効果的に低減できることが分かる。
（２）ゲートリーク電流の下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性（実験例）
　次に、ゲートリーク電流の下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性を実証するため、具体的な実験を行った。まず、ｎ型の４Ｈ－ＳｉＣ基板の（０００１）面を熱酸化（ドライ酸化）することによって、下地ＳｉＯ2膜を形成した。次に、ＣＶＤ法によってＡｌＯＮ膜を９０ｎｍ堆積した。その後、熱処理を施さないで、スパッタ法によってアルミニウム膜を堆積し、当該アルミニウム膜をフォトリソグラフィによってパターニングしてアルミニウムパッドを形成した。これにより、図４に示すＭＩＳ構造を作製した。なお、実験条件は、下地ＳｉＯ2膜の厚さ＝なし（０ｎｍ）、６ｎｍ未満、６ｎｍおよび１３ｎｍとした。また、各実験例のＥＯＴ（Equivalent Oxide Thickness：酸化膜の等価換算膜厚）はそれぞれ、上記実験条件の記載順に、１４３．８ｎｍ、５７．６ｎｍ、５８．６ｎｍおよび６６．９ｎｍであった。
　次に、図４のＭＩＳ構造のＪ－Ｅ特性を求めた。結果を図５に示す。図５において、「Ｒｅｆ．」で示される曲線は、下地ＳｉＯ2膜およびＡｌＯＮ膜からなるゲート絶縁膜に代えてＮＯx－ＳｉＯ2膜（４８ｎｍ）を採用したＭＩＳ構造のＪ－Ｅ曲線である。
　図５によれば、各実験例におけるゲートリーク電流の立ち上がり電界は、「なし」＝約２ＭＶ／ｃｍ、「＜６ｎｍ」＝約４ＭＶ／ｃｍ、「６ｎｍ」＝約６ＭＶ／ｃｍおよび「１３ｎｍ」＝約６ＭＶ／ｃｍであった。これらの実験例から、４Ｈ－ＳｉＣ基板に直接ＡｌＯＮ膜を形成した場合（「なし」）に比べて、下地ＳｉＯ2膜を基板との間に介在させた方がゲートリーク電流の立ち上がり電界を高くできることがわかった。特に、下地ＳｉＯ2膜が６ｎｍ以上であることが好ましいことがわかった。この実験例と前記シミュレーションの結果より、下地ＳｉＯ2膜１０の厚さが５ｎｍ以上であれば、ゲートの通常駆動時におけるゲートリーク電流を効果的に低減できることが分かった。
（３）フラットバンド電圧ＶFBのシフトの下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性
　次に、図４のＭＩＳ構造について、開始電圧を１０Ｖとし、＋１０Ｖ→－１０Ｖ→＋１０Ｖとスイープ（sweep）させたときのＣ－Ｖ特性を求めた。結果を図６に示す。
　図６によれば、ＡｌＯＮ膜と基板との間に下地ＳｉＯ2膜が介在した構造を有するＭＩＳ構造（＜６ｎｍ、６ｎｍおよび１３ｎｍ）は、４Ｈ－ＳｉＣ基板に直接ＡｌＯＮ膜を形成した場合（「なし」）に比べて、フラットバンド電圧ＶFBのシフト量を低減できることが分かった。
（４）フラットバンド電圧ＶFBのシフト量の下地ＳｉＯ2膜の厚さへの依存性
　次に、上記（３）に倣って、開始電圧を変更した条件でもＣ－Ｖ特性を求めた。開始電圧の変更条件は、＋５Ｖから＋６０Ｖまで５Ｖ刻みとした。このときの蓄積電圧（Accumulation Voltage）とフラットバンド電圧（Flatband Voltage）との関係を図７に示す。
　図７によれば、蓄積電圧が同じであれば、下地ＳｉＯ2膜１０が厚いほどフラットバンド電圧ＶFBのシフト量を低減できることが分かった。たとえば、蓄積電圧が４５Ｖの場合、各ＭＩＳ構造のシフト量は、「＜６ｎｍ」＝約９Ｖ、「６ｎｍ」＝約５Ｖ、「１３ｎｍ」＝約１Ｖであることが分かった。
（５）フラットバンド電圧ＶFBのシフトのＮ組成への依存性
　次に、フラットバンド電圧ＶFBのシフトのＮ組成への依存性を実証するため、具体的な実験を行った。実験サンプルとして、上記（２）に記載の方法に倣って、図４に示すＭＩＳ構造を作製した。ただし、ＡｌＯＮ膜の成膜方法が異なる実験サンプルを３パターン作製した。採用した成膜方法は、ＣＶＤ１法、ＣＶＤ２法およびＰＶＤ法の３つである。得られたＣＶＤ１膜、ＣＶＤ２膜およびＰＶＤ膜の組成をそれぞれ図８～図１０に示す。また、ＣＶＤ１膜およびＣＶＤ２膜については、成膜後にＰＤＡを行ったサンプル（ＣＶＤ１＋ＰＤＡ、ＣＶＤ２＋ＰＤＡ）も作製した。
　次に、上記（３）および（４）に記載の測定方法に倣って各サンプルのＣ－Ｖ特性を求めた。そして、得られたＣ－Ｖ特性に基づいて、蓄積電圧（Accumulation Voltage）とフラットバンド電圧（Flatband Voltage）との関係を調べた。結果を図１１に示す。
　図１１によれば、ＣＶＤ２膜に比べてＮ組成（濃度）が高いＣＶＤ１膜の方が、フラットバンド電圧ＶFBのシフト量を低減できることが分かった。たとえば、蓄積電圧が５５Ｖの場合、ＣＶＤ２膜のサンプルのシフト量が約１５Ｖであるのに対し、ＣＶＤ１膜のサンプルのシフト量は約１０Ｖであった。また、成膜後のＰＤＡの有無に関して、ＰＤＡを行った方が行わない場合に比べて、シフト量を低減できることが分かった。
（６）ＡｌＯＮ膜によるフラットバンド電圧ＶFBの抑制効果
　次に、上記（５）で得られたＰＤＡ膜を用いた場合のフラットバンド電圧ＶFBのシフト量が、Ａｌ2Ｏ3膜を用いた場合に比べてどの程度抑制されるかどうかを調べた。結果を図１２に示す。
　図１２によれば、Ｎ組成が０％のＡｌ2Ｏ3膜を用いた場合にはフラットバンド電圧ＶFBのシフト量が非常に大きくなることが分かった。この結果、ゲート絶縁膜にＡｌＯＮ膜を含めることによって、フラットバンド電圧ＶFBのシフトを抑制できることが分かった。したがって、ＡｌＯＮ膜を含むゲート絶縁膜を有するＭＩＳ構造では、閾値電圧Ｖthのシフトを抑制することができる。
（７）フラットバンド電圧ＶFBと窒素組成との関係
　次に、フラットバンド電圧ＶFBのシフトのＮ組成への依存性（蓄積電圧固定）を実証するため、実験サンプルとして、上記（２）に記載の方法に倣って、図４に示すＭＩＳ構造をＳｉ基板上に作製した。実験サンプルは、Ｎ組成が異なるものを８種類作製した。そして、各サンプルのフラットバンド電圧ＶFBのシフトが、蓄積電圧Ｖaccが２５Ｖおよび３０Ｖのときにどのように変化するかを検証した。結果を図１３に示す。なお、得られた検証結果は、Ｓｉ基板上のデータであり、同様の検証をＳｉＣ基板上のＭＩＳ構造に行ったときの参考データである。図１３から、Ｎ組成１５％以上の場合にフラットバンド電圧ＶFBのシフトが少なくなるので、好ましい。また、Ｎ組成が大きいと誘電率が低下してしまうので、Ｎ組成が３５％以下であると好ましい。
　本発明の実施形態は、本発明の技術的内容を明らかにするために用いられた具体例に過ぎず、本発明はこれらの具体例に限定して解釈されるべきではなく、本発明の精神および範囲は添付の請求の範囲によってのみ限定される。
　本出願は、２０１２年１２月４日に日本国特許庁に提出された特願２０１２－２６５６１５号に対応しており、この出願の全開示はここに引用により組み込まれるものとする。
　１　半導体装置
　２　ＳｉＣ基板
　３　ＳｉＣエピタキシャル層
　４　ゲートトレンチ
　９　ゲート絶縁膜
　１０　下地ＳｉＯ2膜
　１１　ＡｌＯＮ膜
　１２　上側ＳｉＯ2膜
　１３　ゲート電極
　４１　半導体装置
　４４　ゲート絶縁膜
　４５　ゲート電極
　４７　下地ＳｉＯ2膜
　４８　ＡｌＯＮ膜
　４９　上側ＳｉＯ2膜

Claims (11)

  1. 　半導体層と、
    　前記半導体層に接するゲート絶縁膜と、
    　前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＭＩＳ構造を有し、
    　前記ゲート絶縁膜は、窒素組成が５％～４０％のＡｌＯＮ層を含む、半導体装置。
  2. 　前記ＡｌＯＮ層は５０ｎｍ以上の厚さを有する、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記ＡｌＯＮ層はアモルファスまたは微結晶である、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 　前記ゲート絶縁膜は、前記半導体層に接する下地ＳｉＯ2層と、この下地ＳｉＯ2層に積層された前記ＡｌＯＮ層とを含む積層構造を有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体装置。
  5. 　前記下地ＳｉＯ2層は５ｎｍ以上の厚さを有する、請求項４に記載の半導体装置。
  6. 　前記積層構造は、前記ＡｌＯＮ層に積層された上側ＳｉＯ2層をさらに含む、請求項４または５に記載の半導体装置。
  7. 　前記上側ＳｉＯ2層は、前記ＡｌＯＮ層との界面部にＡｌおよび／またはＮを含有している、請求項６に記載の半導体装置。
  8. 　前記半導体層はＳｉＣ、ＧａＮまたはダイヤモンドからなる、請求項１～７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 　前記ゲート電極は、ポリシリコンもしくは、Ｍｏ、Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｔｉ、Ａｇ、ＡｕおよびＰｔからなる群から選択される少なくとも１種を含有する金属からなる、請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体装置。
  10. 　前記ＭＩＳ構造は、トレンチゲート型の構造を含む、請求項１～９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 　前記ＭＩＳ構造は、プレーナゲート構造を含む、請求項１～１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
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