JP2016046308A - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】炭化珪素半導体装置は、炭化珪素半導体層100と、炭化珪素半導体層100とオーミック接触した電極層101と、を備える。電極層101において、炭化珪素半導体層100と電極層101との界面から300nm以内の界面領域IRに、炭素クラスタ1を含む。界面領域IRのうち炭素クラスタ1が占める面積の比率が、10%以上40%以下である。
【選択図】図2
Description
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
〔1〕炭化珪素半導体層100と、炭化珪素半導体層100とオーミック接触した電極層101と、を備える。炭化珪素半導体装置は、電極層101において、炭化珪素半導体層100と電極層101との界面から300nm以内の界面領域IRに、炭素クラスタ1を含有する。界面領域IRのうち炭素クラスタ1が占める面積の比率が、10%以上40%以下である。
(面積の比率)=(界面領域IRに含まれる炭素由来のpixel数)÷(界面領域IRに含まれる全pixel数)・・・(I)
によって、「炭素クラスタが占める面積の比率」を算出することができる。このとき、前述のように複数のサンプルを採取している場合は、それらの算術平均値を採用することが望ましい。なお電極層101の厚さが300nmに満たない場合は、電極層101全体を界面領域IRとみなすものとする。
〔2〕炭化珪素半導体層100と、炭化珪素半導体層100とオーミック接触した電極層101と、を備える。電極層101は、第1の厚さT1を有する第1の領域R1と、第1の厚さT1よりも薄い第2の厚さT2を有する第2の領域R2と、を含む。炭化珪素半導体装置は、第2の領域R2に炭素クラスタ1を含有する。
以下、本発明の一実施形態(以下「本実施形態」と記す)について詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
図1は、本実施形態に係る炭化珪素(SiC)半導体装置1000の構成の一例を示す模式的な断面図である。SiC半導体装置1000は、プレーナ構造を有する縦型MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)である。SiC半導体装置1000は、第1の主面P1と第1の主面P1の反対側に位置する第2の主面P2とを有するSiC半導体層100を備えている。SiC半導体層100は、単結晶層11とエピタキシャル層12とを含む。単結晶層11は、たとえば4H型の結晶多形を有するSiCからなる。単結晶層11およびエピタキシャル層12は、たとえばn型の導電型を有する。
電極層101は、たとえばスパッタリング法あるいは真空蒸着法等によって形成され得る。電極層101の厚さは、たとえば50〜1000nm程度である。
以下のようにしてSiC半導体装置(MOSFET)を作製し、界面領域IRのうちCクラスタが占める面積の比率と、電極層におけるCクラスタの拡散状態とを確認した。ここでは試料1および試料2が実施例に相当し、試料3および試料4が比較例に相当する。
n型の導電型を有し、さらに第1の主面P1と、第1の主面P1の反対側に位置する第2の主面P2とを有するSiC半導体層100を準備した。第1の主面P1側に素子構造を形成した後、スパッタリング法によって、NiとSiとを含む電極層101を第2の主面P2上に形成した。このとき電極層101の厚さは230nmとし、NiとSiとの原子比はNi:Si=72:28となるように調整した。
電極層101の厚さを800nmとし、レーザ照射強度を1.9J/cm2とすることを除いては、試料1と同様にして試料2を得た。
電極層101の厚さを500nmとし、レーザ照射強度を2.0J/cm2とし、さらにダイボンディング用電極層102としてTi層とNi層とAl層とを積層することを除いては、試料1と同様にして試料3を得た。
電極層101の厚さを600nmとし、レーザ照射強度を2.1J/cm2とすることを除いては、試料1と同様にして試料4を得た。
図4(試料1)、図9(試料2)、図14(試料3)および図19(試料4)より、レーザ照射強度が高くなるほど、電極層101においてCクラスタ1の拡散度合が大きくなっていることが分かる。
10 炭素層
11 単結晶層
12 エピタキシャル層
13 ボディ領域
14 領域
15 ゲート絶縁膜
16 ソース電極
17 ゲート電極
18 コンタクト領域
19 表面側パッド電極
100 炭化珪素半導体層(SiC半導体層)
101 電極層
102 ダイボンディング用電極層
1000 炭化珪素半導体装置(SiC半導体装置)
IR 界面領域
P1 第1の主面
P2 第2の主面
R1 第1の領域
R2 第2の領域
T1 第1の厚さ
T2 第2の厚さ
Claims (5)
- 炭化珪素半導体層と、
前記炭化珪素半導体層とオーミック接触した電極層と、を備え、
前記電極層において、前記炭化珪素半導体層と前記電極層との界面から300nm以内の界面領域に、炭素クラスタを含有し、
前記界面領域のうち前記炭素クラスタが占める面積の比率が、10%以上40%以下である、炭化珪素半導体装置。 - 炭化珪素半導体層と、
前記炭化珪素半導体層とオーミック接触した電極層と、を備え、
前記電極層は、第1の厚さを有する第1の領域と、前記第1の厚さよりも薄い第2の厚さを有する第2の領域と、を含み、
前記第2の領域に、炭素クラスタを含有する、炭化珪素半導体装置。 - 前記炭素クラスタのサイズは、10nm以上100nm以下である、請求項1または請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記電極層は、ニッケルを含む、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記電極層は、シリコンをさらに含み、
ニッケルおよびシリコンの原子数の総和のうち、ニッケルの原子数が占める割合は、68原子数%以上75原子数%以下である、請求項4に記載の炭化珪素半導体装置。
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