WO2012056801A1 - めっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体 - Google Patents

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祐介 齋藤
岩下　光秋
戸島　孝之
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    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells

Definitions

  • the present invention relates to a plating processing apparatus, a plating processing method, and a recording medium on which a plating processing program is recorded.
  • wirings are formed on a substrate such as a semiconductor wafer or a liquid crystal substrate in order to form a circuit on the surface.
  • This wiring is made of a copper material having a low electrical resistance and high reliability instead of an aluminum material.
  • the surface of copper wiring is easily plated with palladium, nickel, and gold in order to easily oxidize the surface and have low solder joint strength (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-29810). .)
  • a palladium plating unit for performing palladium plating on the substrate and a nickel plating unit for performing nickel plating on the substrate are provided inside the plating apparatus.
  • a plurality of plating processes are performed by sequentially transporting the substrate to each unit using a transport unit.
  • the conventional plating apparatus has a configuration in which processing units for performing different plating processes are provided separately and separately, so that the plating apparatus has been enlarged.
  • One embodiment of the present invention is a plating apparatus that performs plating by supplying a plating solution to the surface of a substrate, and is held by a substrate rotation holding unit that rotates and holds the substrate, and the substrate rotation holding unit
  • a plurality of plating processing solution supply means for supplying different types of plating processing solutions to the surface of the substrate, and the plating processing solution scattered around the substrate provided around the substrate rotation holding means.
  • Plating treatment liquid discharge means for separating and discharging for each type, the substrate rotation holding means, the plurality of plating treatment liquid supply means, and the plating treatment liquid discharge means, the substrate rotation holding means, and the plurality of platings
  • a plating apparatus comprising a processing liquid supply means and a control means for controlling the plating processing liquid discharge means.
  • the control means sequentially drives the plurality of plating solution supply means in a state where the substrate is rotated and held by the substrate rotation holding means, and sequentially performs a plurality of plating processes on the surface of the substrate. May be.
  • the plating solution discharge means is connected to the plurality of discharge openings provided in a plurality of layers in a stacked manner, and the discharge openings are moved up and down relative to the substrate rotation holding means. And elevating means to be provided.
  • control means may drive the elevating means to discharge the plating treatment liquid supplied from the plurality of plating treatment liquid supply means from the different outlets depending on the type.
  • a cleaning processing liquid supply means for supplying a cleaning processing liquid to the surface of the substrate
  • a rinsing processing liquid supply means for supplying a rinsing processing liquid to the surface of the substrate, and the cleaning processing liquid scattered from the substrate
  • a plating treatment liquid recovery flow path for flowing the reused plating treatment liquid and a plating treatment liquid disposal flow path for flowing the discarded plating treatment liquid to each of the discharge ports of the plating treatment liquid discharge means may be connected.
  • the control means discards the plating treatment liquid from the plating treatment liquid disposal channel.
  • the plating solution discharging means may be controlled.
  • the plurality of plating treatment liquid supply means includes a replacement plating treatment liquid supply means for supplying a plating treatment liquid for performing substitution plating, and a chemical reduction plating treatment liquid for supplying a plating treatment liquid for performing chemical reduction plating.
  • Supply means, and the control means may drive the chemical reduction plating solution supply means after driving the displacement plating treatment solution supply means.
  • a composite plating unit that sequentially performs a plurality of types of plating on the surface of the substrate;
  • a single plating process unit that applies one type of plating process to the surface of the substrate, a substrate transfer unit that transfers the substrate between the composite plating process unit and the single plating process unit, and the composite plating process
  • a control unit that is connected to the unit, the single plating processing unit, and the substrate transport unit, and controls the composite plating processing unit, the single plating processing unit, and the substrate transport unit, and the composite plating processing unit includes the substrate Substrate rotation holding means for rotating and holding the substrate held by the substrate rotation holding means
  • a plurality of plating processing solution supply means for supplying different types of plating processing solutions to the surface of the substrate, and the plating processing solution scattered around the substrate provided around the substrate rotation holding device for each type.
  • a plating processing apparatus having a plating processing liquid discharge means for separating
  • control means performs a plurality of types of plating processes sequentially on the surface of the substrate by the composite plating unit, and then transfers the substrate from the composite plating unit to the single plating unit by the substrate transport unit.
  • the composite plating unit, the single plating unit, and the substrate transfer unit may be controlled so as to be transferred and to perform one type of plating on the surface of the substrate by the single plating unit.
  • the number of the composite plating units may be larger than the number of the single plating units.
  • control means may change the rotation speed of the substrate rotation holding means according to the type of the plating treatment liquid supplied from the plating treatment liquid supply means.
  • control means controls the plating treatment liquid supply means so that the amount of the plating treatment liquid supplied to the surface of the substrate is larger in the peripheral portion than in the central portion of the substrate. Also good.
  • control means may control the plating treatment liquid supply means so that the temperature of the plating treatment liquid supplied to the surface of the substrate is higher in the peripheral portion than in the central portion of the substrate. good.
  • the substrate temperature increasing means further increases the temperature of the substrate, and the substrate temperature increasing means contacts the back surface of the substrate with a bag-like member expanded by a high-temperature fluid, thereby causing the temperature of the substrate to increase. May be configured to raise.
  • control means may change the heating temperature of the substrate temperature raising means according to the type of the plating treatment liquid supplied from the plating treatment liquid supply means.
  • the plating apparatus rotates and holds the substrate.
  • a plating treatment liquid discharge means for separating and discharging the plating treatment liquid scattered from the substrate for each type, and the plating treatment method is one of the plurality of plating treatment liquid supply means.
  • the plating treatment liquid discharge means has a plurality of discharge ports, and the plating treatment liquid supplied from the one plating treatment liquid supply means and the plating treatment supplied from the other plating treatment liquid supply means.
  • the liquid may be discharged from a different outlet of the plating treatment liquid discharge means.
  • the plating apparatus in the plating method for performing plating by supplying a plating solution to the surface of the substrate using the plating apparatus, the plating apparatus is disposed on the surface of the substrate.
  • a composite plating processing unit that sequentially performs a plurality of types of plating treatments, a single plating processing unit that applies one type of plating treatment to the surface of the substrate, and the substrate between the composite plating processing unit and the single plating processing unit.
  • a substrate transport unit that transports the substrate, and the plating process method uses the composite plating process unit to sequentially supply different types of plating treatment liquids to the surface of the substrate.
  • a step of sequentially performing a plurality of plating processes on the surface, and using the substrate transfer unit the substrate is removed from the composite plating unit.
  • the plating processing program is for performing a plating processing method.
  • the plating apparatus includes a plurality of substrate rotation holding means for rotating and holding the substrate, and a plurality of different types of plating treatment liquids respectively supplied to the surface of the substrate held by the substrate rotation holding means.
  • a plating process liquid supply unit; and a plating process liquid discharge unit that is provided around the substrate rotation holding unit and separates and discharges the plating process liquid scattered from the substrate for each type, and the plating process The method supplies a plating solution to the surface of the substrate from one of the plurality of plating solution supply units.
  • the plating apparatus can be downsized.
  • a plurality of plating treatments are sequentially performed on the surface of the substrate by sequentially supplying different plating treatment liquids to the surface of the substrate while the substrate is rotated and held.
  • the processing time required for the plating process can be shortened and the throughput can be improved.
  • the present invention by performing a plurality of plating processes sequentially on the surface of the substrate, it is possible to prevent the surface of the substrate from being oxidized and to satisfactorily perform the plating process on the surface of the substrate. it can.
  • the top view which shows the metal-plating processing apparatus by one embodiment of this invention The side view which shows the composite plating processing unit of the plating processing apparatus by one embodiment of this invention.
  • a plating apparatus 1 is provided at the front end, and carries a plurality of substrates (here, 25 semiconductor wafers) (for example, 25 wafers) together and carried in and out by a carrier 3.
  • the substrate 4 is provided at the rear of the substrate loading / unloading table 4, and is provided at the substrate loading / unloading chamber 5 for loading and unloading the substrates 2 accommodated in the carrier 3 by a predetermined number, and the substrate loading / unloading chamber 5 at the rear And a substrate processing chamber 6 for performing various processes such as a plating process and a cleaning process.
  • the substrate loading / unloading table 4 is configured so that the four carriers 3 can be placed in close contact with the front wall 7 of the substrate loading / unloading chamber 5 and with a gap between the carriers 3.
  • a transfer chamber 9 that houses the transfer device 8 is provided on the front side of the substrate carry-in / out chamber 5.
  • a substrate transfer chamber 11 that houses the substrate transfer table 10 is provided on the rear side of the substrate carry-in / out chamber 5.
  • the transfer chamber 9 and the substrate delivery chamber 11 are connected in communication via a delivery port 12.
  • the substrate loading / unloading chamber 5 loads and unloads a predetermined number of substrates 2 between any one of the carriers 3 placed on the substrate loading / unloading table 4 and the substrate transfer table 10 using the transfer device 8. Is configured to do.
  • a substrate transfer unit 13 extending in the front-rear direction is provided at the center of the substrate processing chamber 6.
  • four composite plating units 14 to 17 capable of sequentially performing different types of plating processes are provided side by side.
  • two composite plating processing units 18, 19 and two single plating processing units 20, 21 capable of performing one type of plating processing are provided side by side. ing.
  • a substrate transfer device 22 that can move in the front-rear direction is accommodated in the substrate transfer unit 13.
  • the substrate transfer unit 13 communicates with the substrate transfer table 10 in the substrate transfer chamber 11 via the substrate transfer port 23.
  • the substrate transfer chamber 11 and the single plating processing units 20, 21 are provided between the substrate transfer chamber 11 and the composite plating processing units 14-19. Or between the composite plating processing units 14 to 19 and the single plating processing units 20 and 21, the substrates 2 are transported while being held horizontally one by one. In each of the plating units 14 to 21, the substrate 2 is washed and plated one by one.
  • the six composite plating processing units 14 to 19 have the same configuration, and the two single plating processing units 20 and 21 also have the same configuration. Therefore, in the following description, the configuration of the composite plating processing unit 14 and the configuration of the single plating processing unit 20 will be described.
  • the composite plating unit 14 includes a casing 24, substrate rotation holding means 25 for rotating the substrate 2 in a state where the substrate 2 is held horizontally inside the casing 24, and a cleaning treatment liquid on the substrate 2.
  • Cleaning treatment liquid supply means 26 for supplying the substrate 2
  • rinse treatment liquid supply means 27 for supplying the rinse treatment liquid to the substrate 2
  • drying treatment means 28 for supplying the drying treatment agent to the substrate 2 and drying the substrate 2
  • a plurality of Plating treatment means here, replacement plating treatment liquid supply means 29 for supplying a plating treatment liquid for subjecting the substrate 2 to substitution plating, and chemical reduction for supplying a plating treatment liquid for subjecting the substrate 2 to chemical reduction plating
  • Plating solution supply means 30 treatment solution discharge means 31 (plating treatment solution discharge means) for discharging various treatment liquids (cleaning treatment liquid, rinse treatment liquid, drying treatment liquid, plating treatment liquid) supplied to the substrate 2; Have .
  • a control means 32 is connected to the processing liquid discharge means 31.
  • the control means 32 is also connected to the composite plating processing units 14 to 19, the single plating processing units 20, 21 and the substrate transfer unit 13, so as to drive and control the entire plating processing apparatus 1.
  • the substrate rotation holding means 25 is rotatably attached to the casing 24 and extends in the casing 24 up and down in a hollow cylindrical rotation shaft 33, and a turntable 34 horizontally attached to the upper end portion of the rotation shaft 33.
  • the wafer chuck 35 is attached to the outer peripheral portion of the upper surface of the turntable 34 at intervals in the circumferential direction.
  • a rotation mechanism 36 is connected to the rotation shaft 33 of the substrate rotation holding means 25.
  • the rotation mechanism 36 is connected to the control means 32 and is driven and controlled by the control means 32.
  • the rotation shaft 33 of the substrate rotation holding means 25 is rotated by the rotation mechanism 36, and accordingly, the substrate 2 held horizontally by the wafer chuck 35 is rotated.
  • the cleaning processing liquid supply means 26 includes first and second cleaning processing liquid supply means 26 a and 26 b that supply the cleaning processing liquid to the surface of the substrate 2, and a third cleaning that supplies the cleaning processing liquid to the back surface of the substrate 2. And a processing liquid supply means 26c.
  • the first cleaning treatment liquid supply means 26a is rotatably attached to one side of the casing 24 and extends vertically, and a rotation mechanism 38 such as a motor or an actuator connected to the support shaft 37, An arm 39 whose base end is attached horizontally to the upper end of the support shaft 37, a nozzle head 40 attached to the tip of the arm 39, and attached to the nozzle head 40 downward (upper surface of the substrate 2) Nozzle 41 is provided.
  • the nozzle 41 has a cleaning treatment liquid supply source 42 for supplying a chemical solution made of an inorganic acid containing hydrofluoric acid or an organic acid containing malic acid or the like as a cleaning treatment liquid via a flow rate adjusting valve 43.
  • the rotation mechanism 38 and the flow rate adjusting valve 43 are connected to the control means 32 and controlled by the control means 32.
  • the second cleaning treatment liquid supply means 26b is rotatably attached to the other side of the casing 24 and extends vertically, and a rotation mechanism 45 such as a motor or an actuator connected to the support shaft 44, An arm 46 whose base end is attached horizontally to the upper end of the support shaft 44, a nozzle head 47 attached to the tip of the arm 46, and attached to the nozzle head 47 downward (upper surface of the substrate 2) Nozzle 48.
  • the nozzle 48 is supplied with a cleaning processing liquid supply source 49 (a cleaning processing liquid supply source 42 and a cleaning processing liquid supply source 42) for supplying a chemical liquid made of an inorganic acid including hydrofluoric acid or an organic acid including malic acid as a cleaning processing liquid. May be the same), but is connected via a flow rate adjusting valve 50.
  • the rotating mechanism 45 and the flow rate adjusting valve 50 are connected to the control means 32 and controlled by the control means 32.
  • the third cleaning treatment liquid supply means 26c is fixed to the casing 24 and has a cylindrical shaft body 51 accommodated in the hollow portion of the rotation shaft 33 of the substrate rotation holding means 25 with a space from the rotation shaft 33. And a nozzle 52 formed on the shaft body 51.
  • the nozzle 52 is supplied with a cleaning processing liquid supply source 53 (cleaning processing liquid supply source 42, cleaning liquid supplying a chemical liquid made of an inorganic acid containing hydrofluoric acid or an organic acid containing malic acid or the like as a cleaning processing liquid. 49 may be the same as 49.), but is connected via a flow rate adjusting valve 54.
  • the flow rate adjusting valve 54 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the cleaning liquid supply means 26 rotates the support shaft 37 (44) by the rotation mechanism 38 (45) so that the nozzle 41 (48) is retracted to the outside of the outer peripheral portion of the substrate 2.
  • the cleaning processing liquid whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 43 (50) from the nozzle 41 (48) to the upper side of the substrate 2 is moved from the nozzle 41 (48) to the supply position above the central portion of the substrate 2 Supply.
  • the cleaning processing liquid supply means 26 (26c) supplies the cleaning processing liquid whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 54 from the nozzle 52 toward the lower side of the substrate 2.
  • the nozzle 41 (48) may be disposed above the center of the substrate 2 and the cleaning solution may be supplied toward the center above the substrate 2, and the nozzle 41 (48) may be provided on the substrate 2. You may make it supply a cleaning process liquid toward the upper surface of the board
  • the rinse treatment liquid supply means 27 also includes first and second rinse treatment liquid supply means 27a and 27b for supplying the rinse treatment liquid to the surface of the substrate 2, and a third rinse for supplying the rinse treatment liquid to the back surface of the substrate 2. And a processing liquid supply means 27c.
  • the first rinse treatment liquid supply means 27a shares the support shaft 37, the rotation mechanism 38, the arm 39, and the nozzle head 40 with the first cleaning treatment liquid supply means 26a, and the nozzle 55 attached to the nozzle head 40.
  • a rinse treatment liquid supply source 56 that is connected to the nozzle 55 via a flow rate adjusting valve 57 and supplies pure water as a rinse treatment liquid.
  • the flow rate adjusting valve 57 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the second rinse treatment liquid supply means 27b shares the support shaft 44, the rotation mechanism 45, the arm 46 and the nozzle head 47 with the second cleaning treatment liquid supply means 26b, and a nozzle 58 attached to the nozzle head 47.
  • a rinsing process liquid supply source 59 (which may be the same as the rinsing process liquid supply source 56) connected to the nozzle 58 via a flow rate adjusting valve 60 and supplying pure water as a rinsing process liquid.
  • the flow rate adjusting valve 60 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the third rinse treatment liquid supply means 27c shares the shaft body 51 with the third cleaning treatment liquid supply means 26c.
  • the nozzle 61 formed on the shaft body 51 and the nozzle 61 via the flow rate adjustment valve 63 are shared.
  • a rinse treatment liquid supply source 62 for supplying pure water as a rinse treatment liquid may be the same as the rinse treatment liquid supply sources 56 and 59).
  • the flow rate adjusting valve 63 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the rinsing treatment liquid supply means 27 rotates the support shaft 37 (44) by the rotation mechanism 38 (45), so that the nozzle 55 (58) is retracted to the outside of the outer peripheral portion of the substrate 2.
  • the rinsing liquid whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 57 (60) is moved from the nozzle 55 (58) to the upper side of the substrate 2 from the nozzle 55 (58) to the supply position above the center of the substrate 2 Supply.
  • the rinsing process liquid supply means 27 (27c) supplies the rinsing process liquid whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 63 from the nozzle 61 toward the lower side of the substrate 2.
  • the nozzle 55 (58) may be disposed above the center of the substrate 2 and the rinsing liquid may be supplied toward the center above the substrate 2, and the nozzle 55 (58) may be provided on the substrate 2.
  • the rinse treatment liquid may be supplied toward the upper surface of the substrate 2 while being moved between the center portion and the outer peripheral edge portion.
  • the drying processing means 28 includes a first drying processing means 28a that performs a drying process on the surface of the substrate 2 and a second drying processing means 28b that performs a drying process on the back surface of the substrate 2.
  • the first drying processing means 28a shares the support shaft 37, the rotation mechanism 38, the arm 39 and the nozzle head 40 with the first cleaning processing liquid supply means 26a and the first rinsing processing means 27a.
  • a drying processing liquid supply source 65 that is connected to the nozzle 64 via a flow rate adjusting valve 66 and supplies IPA (isopropyl alcohol) as a drying processing liquid.
  • the flow rate adjusting valve 66 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the second drying processing means 28b shares the shaft body 51 with the third cleaning processing liquid supply means 26c and the third rinsing processing liquid supply means 27c, and includes a nozzle 67 formed on the shaft body 51, a nozzle A dry processing agent supply source 68 for supplying nitrogen as a dry processing agent is connected to 67 through a flow rate adjusting valve 69.
  • the flow rate adjusting valve 69 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the drying processing means 28 (28a) rotates the support shaft 37 by the rotation mechanism 38, whereby the nozzle 64 is moved from the retracted position outside the outer peripheral portion of the substrate 2 to the supply position above the center portion of the substrate 2. , And the dry processing liquid whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 66 is supplied from the nozzle 64 toward the upper side of the substrate 2. Further, the drying processing means 28 (28b) supplies the drying processing agent whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 69 from the nozzle 67 to the lower side of the substrate 2. In this case, the nozzle 64 may be disposed above the center portion of the substrate 2 to supply the drying processing liquid toward the upper center portion of the substrate 2. You may make it supply a drying process liquid toward the upper surface of the board
  • the displacement plating treatment liquid supply means 29 includes a support shaft 37, a rotation mechanism 38, an arm 39, and a nozzle head 40, a first cleaning treatment liquid supply means 26a, a first rinse treatment means 27a, and a first drying treatment means 28a.
  • a nozzle 70 attached to the nozzle head 40 is connected to the nozzle 70 via a flow rate adjusting valve 72, and a plating solution containing, for example, palladium is supplied as a plating solution for performing substitution plating.
  • a displacement plating solution supply source 71 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the replacement plating solution supply source 71 supplies the replacement plating solution at a predetermined temperature.
  • the replacement plating solution supply means 29 rotates the support shaft 37 by the rotation mechanism 38, so that the nozzle 70 moves from the retracted position outside the outer peripheral portion of the substrate 2 to the supply position above the center portion of the substrate 2.
  • the displacement plating process liquid whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 72 is supplied from the nozzle 70 toward the upper side of the substrate 2.
  • the nozzle 70 may be disposed above the center portion of the substrate 2 and the replacement plating solution may be supplied toward the upper center portion of the substrate 2.
  • the displacement plating solution may be supplied toward the upper surface of the substrate 2 while moving between the upper edge portions.
  • the chemical reduction plating treatment liquid supply means 30 shares the support shaft 44, the rotation mechanism 45, the arm 46 and the nozzle head 47 with the second cleaning treatment liquid supply means 26b and the second rinse treatment means 27b, and the nozzle head Nozzle 73 attached to 47 and a chemical reduction plating process connected to nozzle 73 via flow rate adjusting valve 75 and supplying a plating treatment liquid containing, for example, nickel or cobalt as a plating treatment liquid for performing chemical reduction plating A liquid supply source 74.
  • the flow rate adjusting valve 75 is connected to the control means 32 and is controlled by the control means 32.
  • the chemical reduction plating treatment liquid supply source 74 supplies the chemical reduction plating treatment liquid at a predetermined temperature.
  • the chemical reduction plating solution supply means 30 rotates the support shaft 44 by the rotation mechanism 45 so that the nozzle 73 moves from the retracted position outside the outer peripheral portion of the substrate 2 to the supply position above the center portion of the substrate 2. 2, the chemical reduction plating solution whose flow rate is adjusted by the flow rate adjusting valve 75 is supplied from the nozzle 73 toward the upper side of the substrate 2.
  • the nozzle 73 may be disposed above the center of the substrate 2 and the chemical reduction plating solution may be supplied toward the center above the substrate 2, and the nozzle 73 may be disposed above the center of the substrate 2. You may make it supply a chemical reduction plating process liquid toward the upper surface of the board
  • the treatment liquid discharge means 31 is disposed outside the turntable 34, has a cup 79 having discharge ports 76, 77, 78 stacked in three upper and lower stages for discharging each processed liquid after treatment, and the uppermost and middle stages.
  • Recovery passages 80, 81 and waste passages 82, 83 connected to the outlets 76, 77 via the passage changers 84, 85, and a waste passage 86 connected to the lowermost outlet 79, have.
  • the flow path switches 84 and 85 are connected to the control means 32 and are controlled by the control means 32.
  • the recovery channels 80 and 81 are channels for allowing the processing liquid to be reused after being recovered
  • the discard channels 82, 83, and 86 are channels for discarding the processing liquid. is there.
  • the processing liquid discharge means 31 has an elevating mechanism 87 connected to the cup 79.
  • the elevating mechanism 87 is connected to the control means 32 and is driven and controlled by the control means 32.
  • the elevating mechanism 87 elevates and lowers the cup 79 relative to the substrate 2.
  • the elevating mechanism 87 may be provided in the substrate rotation holding means 25 to elevate the substrate 2.
  • the processing liquid discharge means 31 moves the cup 79 up and down by the lifting mechanism 87 so that one of the discharge ports 76, 77, 78 is positioned directly outside the substrate 2, thereby causing the processing scattered from the substrate 2. Separate and drain the liquid.
  • the processing liquid discharge means 31 reuses the processing liquid recovered at the discharge ports 76 and 77 by switching the flow path to the recovery flow paths 80 and 81 by the flow path switches 84 and 85. Then, the processing liquid collected at the discharge ports 76 and 77 and the discharge port 78 is discarded by switching the flow channel to the discard flow channels 82 and 83 side by the flow channel switches 84 and 85.
  • the single plating processing unit 20 includes a substrate rotation holding means 25 and cleaning processing liquid supply means 26 (first and third cleaning processing liquid supply means 26a, 26c, as in the case of the composite plating processing unit 14. ), Rinse treatment liquid supply means 27 (first and third rinse treatment liquid supply means 27a, 27c), dry treatment means 28 (first and second dry treatment means 28a, 28b), and one plating treatment liquid. Supply means (substitution plating treatment liquid supply means 29) and treatment liquid discharge means 31 are provided.
  • the substrate rotation holding means 25, the cleaning treatment liquid supply means 26, the rinse treatment liquid supply means 27, the drying treatment means 28, the plating treatment liquid supply means, and the treatment liquid discharge means 31 are accommodated in the casing 88.
  • the substrate rotation holding means 25, the cleaning treatment liquid supply means 26, the rinse treatment liquid supply means 27, the drying treatment means 28, the displacement plating treatment liquid supply means 29, and the treatment liquid discharge means 31 are connected to the control means 32.
  • the replacement plating treatment liquid supply means 29 is provided as the plating treatment liquid supply means, and the chemical reduction plating treatment liquid supply means 30 is not provided.
  • a plating processing solution containing gold is used as a plating processing solution for performing replacement plating supplied by the replacement plating processing solution supply means 29.
  • the plating apparatus 1 includes the composite plating processing units 14 to 19, the single plating processing units 20 and 21, and the composite plating processing units 14 to 19 and the single plating processing units 20 and 21. And a substrate transfer unit 13 for carrying.
  • Each of the composite plating processing units 14 to 19 includes a substrate rotation holding means 25, a plurality of plating treatment liquid supply means (here, a replacement plating treatment liquid supply means 29 and a chemical reduction plating treatment liquid supply means 30), and a plating treatment liquid. It has a discharge means (treatment liquid discharge means 31), and these means are accommodated in the casing 24 so that the surface of the substrate 2 is sequentially subjected to a plurality of plating processes.
  • the single plating processing units 20 and 21 each have a substrate rotation holding means 25, a single plating processing liquid supply means (here, a replacement plating processing liquid supply means 29), and a plating processing liquid discharge means (processing liquid discharge means 31). These means are accommodated in the casing 88, and the surface of the substrate 2 is plated once.
  • the plating apparatus 1 can appropriately use the composite plating processing units 14 to 19 and / or the single plating processing units 20 and 21 according to the type of plating processing to be performed on the substrate 2.
  • the number of composite plating units 14 to 19 (here, four) is larger than the number of single plating units 20, 21 (here, two). . Therefore, the composite plating processing units 14 to 19 having a long processing time and the single plating processing units 20 and 21 having a short processing time can be efficiently operated, and the throughput of the plating processing apparatus 1 can be improved.
  • the above-described plating processing apparatus 1 gold plating is separated from the composite plating processing units 14 to 19 and performed by the single plating processing units 20 and 21. Therefore, the maintainability of the composite plating units 14 to 19 is improved and, for example, after the palladium plating and nickel (or cobalt) plating or palladium plating is performed in the composite plating units 14 to 19, the single plating units 20 and 21 are performed.
  • the surface of palladium or nickel (or cobalt) can be gold-plated, and can be used properly according to the plating treatment.
  • the plating apparatus 1 performs plating with an acidic plating solution containing nickel, palladium, etc., in the composite plating units 14 to 19, and performs single plating with an alkaline plating solution containing gold.
  • the plating units 20 and 21 it is possible to prevent processes having different atmospheres from being mixed.
  • the plating apparatus 1 is configured as described above, and is driven and controlled by the control means 32 according to various programs recorded on the recording medium 89 provided in the control means 32 so as to process the substrate 2.
  • the recording medium 89 stores various setting data and various programs such as a plating process program to be described later, a computer-readable memory such as ROM and RAM, a hard disk, a CD-ROM, a DVD-
  • a computer-readable memory such as ROM and RAM
  • a hard disk such as a CD-ROM, a DVD-
  • a known device such as a disk-shaped storage medium such as a ROM or a flexible disk can be used.
  • the plating process is performed on the substrate 2 as described below according to the plating process program recorded in the recording medium 89 provided in the control means 32 (see FIG. 5).
  • palladium plating is applied to the substrate 2 by displacement plating in the composite plating processing unit 14
  • nickel plating is then applied by chemical reduction plating
  • gold plating is then applied to the substrate 2 in the single plating processing unit 20. The case where it applies by will be described.
  • the plating processing program executes the substrate carry-in step S1.
  • one substrate 2 is carried into the composite plating processing unit 14 from the substrate delivery chamber 11 using the substrate carrying device 22 of the substrate carrying unit 13.
  • the plating processing program executes the substrate receiving step S2 in the composite plating processing unit 14.
  • the cup 79 is lowered to a predetermined position by the lifting mechanism 87, and one substrate 2 carried into the casing 24 from the substrate transfer device 22 is moved by the wafer chuck 35. Then, the cup 79 is moved up to a position where the lowermost discharge port 78 and the outer peripheral edge of the substrate 2 face each other. At this time, the plating processing program rotates the support shafts 37 and 44 by the rotation mechanisms 38 and 45 to retract the nozzle heads 40 and 47 to the retreat position outside the outer periphery of the turntable 34.
  • the plating processing program executes the pre-substrate cleaning step S3 in the composite plating processing unit 14.
  • the rotating shaft 33 is rotated by the rotating mechanism 36 of the substrate rotation holding means 25 to rotate the substrate 2 together with the turntable 34, and the first rinsing treatment liquid
  • the support shaft 37 is rotated by the rotation mechanism 38 of the supply means 27a to move the nozzle 55 to the supply position above the center portion of the substrate 2.
  • the rinsing process liquid adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjusting valve 57 of the first rinsing process liquid supply means 27 a is supplied from the nozzle 55 toward the upper surface of the substrate 2.
  • substrate 2 is performed.
  • the rinse treatment liquid after the treatment is collected at the lowermost discharge port 78 of the cup 79 of the treatment liquid discharge means 31, and is discarded from the disposal flow path 86. Thereafter, the supply of the rinse treatment liquid by the first rinse treatment liquid supply means 27a is stopped.
  • the support shaft 37 is rotated by the rotating mechanism 38 of the first cleaning processing liquid supply means 26a to bring the nozzle 41 to the supply position above the center of the substrate 2.
  • the cleaning processing liquid adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjusting valve 43 of the first cleaning processing liquid supply means 26 a is supplied from the nozzle 41 toward the upper surface of the substrate 2.
  • the treated cleaning treatment liquid is collected at the lowermost discharge port 78 of the cup 79 of the treatment liquid discharge means 31 and discarded from the disposal flow path 86.
  • the supply of the cleaning processing liquid by the first cleaning processing liquid supply means 26a is stopped.
  • the top surface of the substrate 2 is rinsed in the same manner as the rinse before the cleaning (see FIG. 7).
  • the plating processing program executes the replacement plating processing step S4 in a state where the substrate 2 immediately after the rinsing processing in the substrate pre-cleaning step S3 is not dried.
  • the displacement plating process step S4 in a state where the substrate 2 is not dried, it is possible to prevent copper or the like on the surface to be plated of the substrate 2 from being oxidized and failing to perform the displacement plating process satisfactorily. Can do.
  • the cup 79 is moved to the middle outlet by the lifting mechanism 87 of the processing liquid discharge means 31 while the substrate 2 is rotated by the rotation mechanism 36 of the substrate rotation holding means 25. 77 and the outer peripheral edge of the substrate 2 are lowered to a position where they face each other, and the support shaft 37 is rotated by the rotation mechanism 38 of the replacement plating solution supply means 29 to move the nozzle 70 to the supply position above the center of the substrate 2.
  • a normal temperature substitution plating treatment liquid containing palladium adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjustment valve 72 of the substitution plating treatment liquid supply means 29 is supplied from the nozzle 70 toward the upper surface of the substrate 2.
  • the replacement plating solution is collected at the middle outlet 77 of the cup 79 of the treatment solution discharge means 31.
  • the rinse treatment solution, the cleaning treatment solution, and the replacement plating treatment solution are changed. If they are mixed, discard them from the waste flow path 83, and if the rinse treatment liquid and cleaning liquid are not mixed, collect them from the recovery flow path 81 and reuse the recovered displacement plating treatment liquid. ing. Thereafter, the supply of the replacement plating solution by the replacement plating solution supply means 29 is stopped.
  • the flow path switching of the flow path switching device 85 may be switched over time, or the flow path may be switched by detecting the presence or absence of the rinse treatment liquid by a sensor.
  • the movement speed of the nozzle 70 of the displacement plating solution supply means 29 is made slower on the outer peripheral portion of the substrate 2 than the inner peripheral portion of the substrate 2, or the discharge amount of the plating treatment liquid is increased.
  • the temperature of the substrate 2 can be controlled to be uniform by increasing the temperature of the discharged plating treatment liquid.
  • the top surface of the substrate 2 is rinsed in the same manner as the rinse treatment in the substrate pre-cleaning step S3 (see FIG. 7).
  • the plating processing program executes the substrate intermediate cleaning step S5 in the composite plating processing unit 14.
  • the substrate intermediate cleaning step S5 may be omitted.
  • the first rinse treatment liquid supply means 27a rinses the upper surface of the substrate, and the third rinse treatment liquid supply means 26a cleans the lower surface of the substrate, and then the third rinse.
  • the lower surface of the substrate is rinsed by the processing liquid supply means 27c.
  • the support shaft 37 is rotated by the rotation mechanism 38 so that the nozzle head 40 is retracted to the retracted position outside the outer periphery of the turntable 34.
  • the plating processing program 14 performs the chemical reduction plating processing step S6 following the rinsing processing in the substrate intermediate cleaning step S5 (or the replacement plating processing step S4 when the substrate intermediate cleaning step S5 is omitted). Execute.
  • the displacement plating treatment step S4 and the chemical reduction plating treatment step S6 can be performed inside one unit. Therefore, the displacement plating treatment step S4 and the chemical reduction plating treatment step S6 are performed. There is no need to transport the substrate 2 between the two, and the drying process of the substrate 2 can be omitted, so that the throughput can be improved. Further, the surface of the substrate 2 can be prevented from being oxidized, and the surface of the substrate 2 can be satisfactorily plated.
  • the substrate 2 is driven at a low speed by rotating the turntable 34 at a lower speed than the rotation speed in the replacement plating process S4 by the rotation mechanism 36 of the substrate rotation holding means 25. Rotate. Further, the elevating mechanism 87 of the processing liquid discharge means 31 lowers the cup 79 to a position where the uppermost discharge port 76 and the outer peripheral edge of the substrate 2 face each other. Further, the support shaft 44 is rotated by the rotation mechanism 45 of the chemical reduction plating solution supply means 30 to move the nozzle 73 to the supply position above the center of the substrate 2. Thereafter, a high-temperature (80 ° C.
  • chemical reduction plating solution containing nickel adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjustment valve 75 of the chemical reduction plating solution supply means 30 is supplied from the nozzle 73 to the upper surface of the substrate 2. Supply towards Thereby, nickel plating is performed on the upper surface of the substrate 2 by chemical reduction plating.
  • the treated chemical reduction plating solution is recovered at the uppermost discharge port 76 of the cup 79 of the treatment solution discharge means 31, and by switching the flow path switch 84, the rinse treatment solution and the cleaning treatment solution are combined with the chemical reduction plating. If the treatment liquid is mixed, discard it from the waste flow path 82, and if the rinse treatment liquid or cleaning treatment liquid is not mixed, collect it from the collection flow path 80 and remove the collected chemical reduction plating treatment liquid.
  • the channel switching of the channel switching unit 84 may be performed over time, or the channel may be switched by detecting the presence or absence of the rinsing liquid using a sensor.
  • the substrate 2 is rotated at a lower speed than the rotation speed of the substrate 2 in the displacement plating process S4.
  • the substrate is rotated by the substrate rotation holding means 25 according to the type (temperature) of the plating treatment liquid supplied from the plurality of plating treatment liquid supply means (the replacement plating treatment liquid supply means 29 and the chemical reduction plating treatment liquid supply means 30).
  • the rotation speed of 2 it is possible to suppress the substrate 2 and the plating solution from being cooled by heat dissipation by rotating the substrate 2, and particularly when using a high-temperature plating solution.
  • By lowering the rotation speed of the substrate 2 it is possible to satisfactorily perform plating with a predetermined thickness on the substrate 2 while suppressing the temperature drop of the plating solution.
  • the chemical reduction plating treatment liquid is discharged from the discharge port 76 different from the discharge port 77 of the cup 79 in the replacement plating treatment step S4, depending on the type of the plating treatment solution.
  • the plating solution is discharged from the different discharge ports 76 and 77 to prevent mixing of the plating solution.
  • the moving speed of the nozzle 73 of the chemical reduction plating treatment liquid supply means 30 is made slower at the outer peripheral portion of the substrate 2 than the inner peripheral portion of the substrate 2, and the discharge amount of the plating treatment liquid is reduced.
  • the temperature of the substrate 2 can be controlled to be uniform by increasing the temperature or increasing the temperature of the discharged plating treatment liquid.
  • the cup 79 is raised to a position where the lowermost discharge port 78 and the outer peripheral edge of the substrate 2 face each other by the lifting mechanism 87 of the treatment liquid discharge means 31.
  • the support shaft 44 is rotated by the rotation mechanism 45 of the second rinse treatment liquid supply means 27b to move the nozzle 58 to the supply position above the center of the substrate 2.
  • the rinse treatment liquid adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjustment valve 60 of the second rinse treatment liquid supply means 27 b is supplied from the nozzle 58 toward the upper surface of the substrate 2. Thereby, the rinse process of the upper surface of the board
  • substrate 2 is performed.
  • the rinse treatment liquid after the treatment is collected at the lowermost discharge port 78 of the cup 79 of the treatment liquid discharge means 31, and is discarded from the disposal flow path 86. Thereafter, the supply of the rinse treatment liquid by the second rinse treatment liquid supply means 27b is stopped.
  • the plating processing program executes the post-substrate cleaning step S7 in the composite plating processing unit 14.
  • the support shaft 44 is rotated by the rotation mechanism 45 of the second cleaning processing liquid supply means 26b to move the nozzle 48 to the supply position above the center of the substrate 2.
  • the cleaning processing liquid adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjusting valve 50 of the second cleaning processing liquid supply means 26 b is supplied from the nozzle 48 toward the upper surface of the substrate 2.
  • the treated cleaning treatment liquid is collected at the lowermost discharge port 78 of the cup 79 of the treatment liquid discharge means 31 and discarded from the disposal flow path 86.
  • the supply of the cleaning treatment liquid by the second cleaning treatment liquid supply means 26b is stopped.
  • the first rinsing process liquid supply means 27a rinses the upper surface of the substrate, and the third cleaning process liquid supply means 26c cleans the lower surface of the substrate.
  • the bottom surface of the substrate is rinsed by the rinse treatment liquid supply means 27c.
  • the support shaft 44 is rotated by the rotation mechanism 45 to move the nozzle head 47 to the retracted position outside the outer periphery of the substrate 2.
  • the plating processing program executes the substrate drying step S8 in the composite plating processing unit 14.
  • the support shaft 37 is rotated by the rotation mechanism 38 of the first drying processing means 28a to move the nozzle 64 to the supply position above the center of the substrate 2.
  • the drying processing liquid adjusted to a predetermined flow rate by the flow rate adjusting valve 66 of the drying processing means 28 is supplied from the nozzle 64 toward the upper surface of the substrate 2, and the flow rate adjusting valve 69 of the second drying processing means 28b.
  • the drying treatment agent adjusted to a predetermined flow rate is supplied from the nozzle 67 toward the lower surface of the substrate 2. Thereby, the drying process of the upper and lower surfaces of the substrate 2 is performed.
  • the processed dry processing liquid is collected at the lowermost discharge port 78 of the cup 79 of the processing liquid discharging means 31, and is discarded from the disposal flow path 86. Thereafter, the drying processing by the first and second drying processing means 28a, 28b is stopped, and the support shaft 37 is rotated by the rotation mechanism 38 to move the nozzle head 40 to the retracted position outside the outer periphery of the substrate 2.
  • the plating processing program executes the substrate delivery process S9.
  • the cup 79 is lowered to a predetermined position by the elevating mechanism 87, and the substrate 2 held horizontally by the substrate rotation holding means 25 is delivered to the substrate transport device 22.
  • the plating processing program executes the substrate transfer step S10.
  • a single substrate 2 is transferred from the composite plating processing unit 14 to the single plating processing unit 20 using the substrate transfer device 22 of the substrate transfer unit 13.
  • the plating process program is similar to the processes S2 to S4 and S7 to S9 in the composite plating process unit 14, with the substrate receiving process S11, the substrate pre-cleaning process S12, and the displacement plating process S13. Then, the post-substrate cleaning step S14, the substrate drying step S15, and the substrate delivery step S16 are sequentially executed.
  • gold is plated on the substrate 2 by displacement plating using a plating treatment liquid containing gold as the displacement plating treatment step S 13.
  • the substrate 2 is rotated at a lower speed than the rotation speed in the replacement plating process S4 in the composite plating unit 14, and the replacement plating process is performed.
  • a high temperature (80 ° C. to 85 ° C.) substitution plating treatment liquid containing gold is supplied from the liquid supply source 71.
  • the replacement plating treatment liquid mixed with the rinse treatment liquid is also collected.
  • the plating processing program executes the substrate unloading step S17.
  • one substrate 2 is unloaded from the single plating processing unit 20 to the substrate delivery chamber 11 using the substrate transfer device 22 of the substrate transfer unit 13.
  • the plating apparatus 1 a plurality of platings for supplying different types of plating treatment liquids (here, a palladium-containing substitution plating treatment liquid and a nickel-containing chemical reduction plating treatment liquid) to the surface of the substrate 2. Since the treatment liquid supply means (here, the displacement plating treatment liquid supply means 29 and the chemical reduction plating treatment liquid supply means 30) are provided, the size of the plating apparatus 1 can be reduced. Also, different plating treatment liquids are sequentially supplied to the surface of the substrate 2 while the substrate 2 is held in rotation, and a plurality of plating treatments are sequentially performed on the surface of the substrate 2.
  • plating treatment liquids here, a palladium-containing substitution plating treatment liquid and a nickel-containing chemical reduction plating treatment liquid
  • the time required for transporting and drying the substrate 2 can be omitted, the processing time required for the plating process can be shortened, and the throughput of the plating apparatus 1 can be improved. Furthermore, by sequentially performing a plurality of plating processes on the surface of the substrate 2, it is possible to prevent the surface of the substrate 2 from being oxidized and to satisfactorily perform the plating process on the surface of the substrate 2.
  • the substrate 2 when the plating process is performed with the high-temperature plating process liquid, the substrate 2 is rotated at a low speed to prevent the temperature of the plating process liquid from decreasing.
  • the temperature drop of the plating solution can be prevented by the substrate temperature raising means that raises the temperature.
  • the substrate temperature raising means 90 includes a donut bag-like flexible expandable / shrinkable heating body 91 disposed on the turntable 34, and a heated fluid (heating fluid: It may be liquid or gas.) And a circulation channel 93 connected to the tank 92.
  • a heating body 91 is connected to the forward path side of the circulation flow path 93 via an opening / closing valve 94, and a heating body 91 is connected to the return path side of the circulation flow path 93 via a suction pump 95, so that the tank 92 A heater 96 is built in.
  • the on-off valve 94, the suction pump 95, and the heater 96 are connected to the control means 32 and controlled by the control means 32.
  • the nozzles 52, 61, and 67 are positioned in the central portion of the heating body 91 so that the discharge of the processing liquid from the nozzles 52, 61, and 67 is not hindered.
  • the substrate temperature raising means 90 heats the heating fluid stored in the tank 92 by the heater 96 to a predetermined heating temperature, opens the opening / closing valve 94 and drives the suction pump 95 to heat the heating fluid.
  • Supply to body 91 The heating body 91 is expanded by the supply pressure and brought into contact (contact) with the lower surface (back surface) of the substrate 2, and the substrate 2 is heated from the lower surface of the substrate 2 to raise the temperature.
  • the substrate temperature raising means 90 closes the opening / closing valve 94 and drives the suction pump 95 for a predetermined time to suck the heating fluid from the heating body 91 and contract the heating body 91 by the suction pressure, Between the lower surface of the substrate 2 and the turntable 34, a gap through which the processing liquid discharged from the nozzles 52, 61, 67 flows is secured.
  • the heating fluid is supplied into the bag-shaped heating body 91 so that the heating fluid and various processing liquids are not mixed.
  • the substrate temperature raising means 90 can also change the heating temperature of the heating fluid according to the type (temperature) of the plating treatment solution.
  • the substrate temperature raising means 90 divides the lower surface of the substrate 2 into a plurality of regions, and disposes a different heating element for each region, thereby changing the lower surface of the substrate 2 for each region (for example, the inner circumference of the substrate 2
  • the temperature of the substrate 2 is increased to the region on the part side and the region on the outer peripheral part side, the temperature drop of the plating treatment liquid supplied to the substrate 2 is more reliably suppressed, the plating temperature is made uniform, and the plating thickness is increased. It can also be made uniform.

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Abstract

　本発明は、基板（２）の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置（１）である。めっき処理装置（１）は、基板（２）を回転保持する基板回転保持手段（２５）と、基板（２）の表面に組成の異なる複数種類のめっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段（２９、３０）と、基板（２）から飛散しためっき処理液を種類ごとに排出するめっき処理液排出手段（３１）と、基板回転保持手段（２５）、複数のめっき処理液供給手段（２９、３０）及びめっき処理液排出手段（３１）を制御する制御手段（３２）とを有する。基板（２）を回転保持した状態のまま異なるめっき処理液を基板（２）の表面に順に供給して基板（２）の表面に順次複数のめっき処理を施す。

Description

めっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体
　本発明は、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体に関するものである。
　近年、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するために配線が施されている。この配線は、アルミニウム素材に替わって電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになっている。そして、銅素材の配線は、表面が酸化しやすく、半田の接合強度が低いなどの理由から、表面をパラジウム、ニッケル、金で順次めっき処理している（たとえば、特開２００５－２９８１０号公報参照。）。
特開２００５－２９８１０号公報
　従来、基板の配線に複数のめっき処理を順次行う場合には、めっき処理装置の内部に、基板にパラジウムめっきを施すためのパラジウムめっき処理ユニットと、基板にニッケルめっきを施すためのニッケルめっき処理ユニットと、基板に金めっきを施すための金めっき処理ユニットと、基板の洗浄を行うための洗浄ユニットと、基板の乾燥を行うための乾燥ユニットと、各ユニット間で基板を搬送するための搬送ユニットとを設け、搬送ユニットを用いて基板を各ユニットに順次搬送して複数のめっき処理を行うようにしている。
　ところが、上記従来のめっき処理装置では、異なるめっき処理を行う処理ユニットをそれぞれ独立して別個に設けた構成となっているために、めっき処理装置が大型化していた。
　また、上記従来のめっき処理装置では、搬送ユニットで基板を各ユニットに順次搬送しながら複数回に分けてめっき処理を行う必要があるために、処理時間が長くなってスループットが低減していた。
　本発明の一実施の形態は、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段と、前記基板回転保持手段、前記複数のめっき処理液供給手段及び前記めっき処理液排出手段に接続され、前記基板回転保持手段、前記複数のめっき処理液供給手段及び前記めっき処理液排出手段を制御する制御手段とを備えた、めっき処理装置である。
　前記制御手段は、前記基板回転保持手段によって前記基板を回転保持した状態のまま、前記複数のめっき処理液供給手段を順に駆動して、前記基板の前記表面に対して順次複数のめっき処理を施しても良い。
　また、前記めっき処理液排出手段は、互いに上下に積層させて多段に設けられた複数の排出口と、前記排出口に接続され、前記排出口を前記基板回転保持手段に対して相対的に昇降させる昇降手段とを有しても良い。
　また、前記制御手段は、前記昇降手段を駆動することにより、前記複数のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液を、その種類に応じて異なる前記排出口から排出しても良い。
　また、前記基板の前記表面に洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給手段と、前記基板の前記表面にリンス処理液を供給するリンス処理液供給手段と、前記基板から飛散した前記洗浄処理液と前記リンス処理液とを排出する処理液排出手段とをさらに備えても良い。
　また、前記めっき処理液排出手段の各前記排出口に、再利用される前記めっき処理液を流すめっき処理液回収流路と、廃棄される前記めっき処理液を流すめっき処理液廃棄流路とがそれぞれ接続されていても良い。
　また、前記制御手段は、前記排出口から排出される前記めっき処理液に前記洗浄処理液又は前記リンス処理液が混入している場合、前記めっき処理液を前記めっき処理液廃棄流路から廃棄するように前記めっき処理液排出手段を制御しても良い。
　また、前記複数のめっき処理液供給手段は、置換めっきを行うためのめっき処理液を供給する置換めっき処理液供給手段と、化学還元めっきを行うためのめっき処理液を供給する化学還元めっき処理液供給手段とを有し、前記制御手段は、前記置換めっき処理液供給手段を駆動した後に前記化学還元めっき処理液供給手段を駆動しても良い。
　また、本発明の一実施の形態は、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、前記基板の前記表面に順次複数種類のめっき処理を施す複合めっき処理ユニットと、前記基板の前記表面に１種類のめっき処理を施す単発めっき処理ユニットと、前記複合めっき処理ユニットと前記単発めっき処理ユニットとの間で前記基板の搬送を行う基板搬送ユニットと、前記複合めっき処理ユニット、前記単発めっき処理ユニット及び前記基板搬送ユニットに接続され、前記複合めっき処理ユニット、前記単発めっき処理ユニット及び前記基板搬送ユニットを制御する制御手段とを備え、前記複合めっき処理ユニットは、前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段とを有する、めっき処理装置である。
　また、前記制御手段は、前記複合めっき処理ユニットにより前記基板の前記表面に順次複数種類のめっき処理を施した後に、前記基板搬送ユニットにより前記基板を前記複合めっき処理ユニットから前記単発めっき処理ユニットへ搬送し、前記単発めっき処理ユニットにより前記基板の前記表面に１種類のめっき処理を施すように、前記複合めっき処理ユニット、前記単発めっき処理ユニット及び前記基板搬送ユニットを制御しても良い。
　また、前記複合めっき処理ユニットの個数を前記単発めっき処理ユニットの個数よりも多くしても良い。
　また、前記制御手段は、前記めっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液の種類に応じて、前記基板回転保持手段の回転速度を変更しても良い。
　また、前記制御手段は、前記基板の前記表面に供給される前記めっき処理液の量が前記基板の中心部よりも周縁部の方が多くなるように、前記めっき処理液供給手段を制御しても良い。
　また、前記制御手段は、前記基板の前記表面に供給する前記めっき処理液の温度が前記基板の中心部よりも周縁部の方が高くなるように、前記めっき処理液供給手段を制御しても良い。
　また、前記基板の温度を上昇させる基板温度上昇手段を更に備え、前記基板温度上昇手段は、高温流体によって膨張させた袋状部材を前記基板の前記裏面に接触させることにより、前記基板の前記温度を上昇させるように構成されても良い。
　また、前記制御手段は、前記めっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液の種類に応じて、前記基板温度上昇手段の加熱温度を変更しても良い。
　また、本発明の一実施の形態は、めっき処理装置を用いて、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、前記めっき処理装置は、前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段とを有し、前記めっき処理方法は、前記複数のめっき処理液供給手段のうち一のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面にめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程と、前記複数のめっき処理液供給手段のうち他のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面に前記一のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液と異なる種類のめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程とを有する、めっき処理方法である。
　また、前記めっき処理液排出手段は複数の排出口を有し、前記一のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液と、前記他のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液とは、前記めっき処理液排出手段の異なる前記排出口から排出されても良い。
　また、本発明の一実施の形態は、めっき処理装置を用いて、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、前記めっき処理装置は、前記基板の前記表面に順次複数種類のめっき処理を施す複合めっき処理ユニットと、前記基板の前記表面に１種類のめっき処理を施す単発めっき処理ユニットと、前記複合めっき処理ユニットと前記単発めっき処理ユニットとの間で前記基板の搬送を行う基板搬送ユニットとを有し、前記めっき処理方法は、前記複合めっき処理ユニットを用いて、前記基板の前記表面に互いに異なる種類のめっき処理液を順次供給して、前記基板の前記表面に順次複数のめっき処理を施す工程と、前記基板搬送ユニットを用いて、前記基板を前記複合めっき処理ユニットから前記単発めっき処理ユニットに搬送する工程と、前記単発めっき処理ユニットを用いて、前記基板の前記表面に１種類のめっき処理液を供給して前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程とを備えた、めっき処理方法である。
　また、本発明の一実施の形態は、めっき処理装置を用いて基板の表面をめっき処理するめっき処理プログラムを記録した記録媒体において、前記めっき処理プログラムは、めっき処理方法を実施するためのものであり、前記めっき処理装置は、前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段とを有し、前記めっき処理方法は、前記複数のめっき処理液供給手段のうち一のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面にめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程と、前記複数のめっき処理液供給手段のうち他のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面に前記一のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液と異なる種類のめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程とを有する、記録媒体である。
　本発明の一実施の形態によれば、基板の表面に異なるめっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段を設けているために、１つのめっき処理装置で複数種類のめっき処理を行うことができるので、めっき処理装置の小型化を図ることができる。
　また、本発明の一実施の形態によれば、基板を回転保持した状態のまま異なるめっき処理液を基板の表面に順に供給して基板の表面に順次複数のめっき処理を施すことにしているために、めっき処理に要する処理時間を短くすることができてスループットを向上させることができる。
　さらに、本発明の一実施の形態によれば、基板の表面に順次複数のめっき処理を施すことで、基板の表面が酸化するのを防止して基板の表面にめっき処理を良好に施すことができる。
本発明の一実施の形態によるめっき処理装置を示す平面図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理装置の複合めっき処理ユニットを示す側面図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理装置の複合めっき処理ユニットを示す平面図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理装置の単発めっき処理ユニットを示す側面図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す工程図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理方法を示す動作説明図。 本発明の一実施の形態によるめっき処理装置の変形例を示す側面図。
　以下に、本発明の一実施の形態によるめっき処理装置及びめっき処理方法並びにめっき処理プログラムを記録した記録媒体の具体的な構成について、図面を参照しながら説明する。
　図１に示すように、めっき処理装置１は、前端部に設けられ、基板２（ここでは、半導体ウエハ。）を複数枚（たとえば、25枚。）まとめてキャリア３により搬入及び搬出する基板搬入出台４と、基板搬入出台４の後部に設けられ、キャリア３に収容された基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出する基板搬入出室５と、基板搬入出室５の後部に設けられ、基板２のめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行う基板処理室６とを備えている。
　基板搬入出台４は、４個のキャリア３を基板搬入出室５の前壁７に密着させた状態で、かつキャリア３同士の間に間隔をあけて載置できるように構成されている。
　基板搬入出室５の前側には、搬送装置８を収容した搬送室９が設けられ、基板搬入出室５の後側には、基板受渡台10を収容した基板受渡室11が設けられている。これら搬送室９と基板受渡室11とは受渡口12を介して連通連結されている。
　そして、基板搬入出室５は、基板搬入出台４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台10との間で、搬送装置８を用いて基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出するように構成されている。
　基板処理室６の中央部には、前後に伸延する基板搬送ユニット13が設けられている。基板搬送ユニット13の一方側には、互いに異なる種類のめっき処理を順次行うことが可能な４個の複合めっき処理ユニット14～17が前後に並べて設けられている。基板搬送ユニット13の他方側には、２個の複合めっき処理ユニット18,19と、１種類のめっき処理を行うことが可能な２個の単発めっき処理ユニット20,21とが前後に並べて設けられている。
　基板搬送ユニット13の内部には、前後方向に移動可能な基板搬送装置22が収容されている。基板搬送ユニット13は、基板受渡室11の基板受渡台10に基板搬入出口23を介して連通している。
　そして、基板処理室６においては、基板搬送ユニット13の基板搬送装置22を用いて、基板受渡室11と複合めっき処理ユニット14～19との間、基板受渡室11と単発めっき処理ユニット20,21との間、或いは複合めっき処理ユニット14～19と単発めっき処理ユニット20,21との間で、基板２を１枚ずつ水平に保持した状態で搬送するようになっている。また、各めっき処理ユニット14～21においては、基板２を１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理するようになっている。
　６個の複合めっき処理ユニット14～19は、互いに同様の構成からなっており、また、２個の単発めっき処理ユニット20,21も、互いに同様の構成からなっている。そのため、以下の説明では、複合めっき処理ユニット14の構成と単発めっき処理ユニット20の構成とについて説明する。
　複合めっき処理ユニット14は、図２及び図３に示すように、ケーシング24と、ケーシング24の内部で基板２を水平に保持した状態で回転させる基板回転保持手段25と、基板２に洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給手段26と、基板２にリンス処理液を供給するリンス処理液供給手段27と、基板２に乾燥処理剤を供給して基板２を乾燥させる乾燥処理手段28と、複数のめっき処理手段（ここでは、基板２に置換めっきを施すためのめっき処理液を供給する置換めっき処理液供給手段29と、基板２に化学還元めっきを施すためのめっき処理液を供給する化学還元めっき処理液供給手段30）と、基板２に供給した各種処理液（洗浄処理液、リンス処理液、乾燥処理液、めっき処理液）を排出する処理液排出手段31（めっき処理液排出手段）とを有している。これら基板回転保持手段25と洗浄処理液供給手段26とリンス処理液供給手段27と乾燥処理手段28とめっき処理液供給手段（置換めっき処理液供給手段29及び化学還元めっき処理液供給手段30）と処理液排出手段31とには、制御手段32が接続されている。なお、制御手段32は、複合めっき処理ユニット14～19、単発めっき処理ユニット20,21及び基板搬送ユニット13にも接続されており、めっき処理装置１の全体を駆動制御するようになっている。
　基板回転保持手段25は、ケーシング24に回動自在に取付けられ、ケーシング24内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸33と、回転軸33の上端部に水平に取付けられたターンテーブル34と、ターンテーブル34の上面外周部に円周方向に互いに間隔をあけて取付けられたウエハチャック35とを有している。
　また、基板回転保持手段25の回転軸33に、回転機構36が接続されている。回転機構36は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって駆動制御される。
　そして、基板回転保持手段25の回転軸33は回転機構36によって回転され、それに伴って、ウエハチャック35により水平に保持された基板２が回転するようになっている。
　洗浄処理液供給手段26は、基板２の表面に洗浄処理液を供給する第１及び第２の洗浄処理液供給手段26a,26bと、基板２の裏面に洗浄処理液を供給する第３の洗浄処理液供給手段26cとによって構成されている。
　第１の洗浄処理液供給手段26aは、ケーシング24の一方側に回動自在に取付けられ、上下に伸延する支持軸37と、支持軸37に接続されたモーターやアクチュエーターなどの回転機構38と、支持軸37の上端部にその基端部が水平に取付けられたアーム39と、アーム39の先端部に取付けられたノズルヘッド40と、ノズルヘッド40に下方（基板２の上面）に向けて取付けられたノズル41とを有している。このうちノズル41には、洗浄処理液として、フッ酸などを含む無機酸、或いは、りんご酸などを含む有機酸などからなる薬液を供給する洗浄処理液供給源42が、流量調整バルブ43を介して接続されている。回転機構38及び流量調整バルブ43は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　第２の洗浄処理液供給手段26bは、ケーシング24の他方側に回動自在に取付けられ、上下に伸延する支持軸44と、支持軸44に接続されたモーターやアクチュエーターなどの回転機構45と、支持軸44の上端部にその基端部が水平に取付けられたアーム46と、アーム46の先端部に取付けられたノズルヘッド47と、ノズルヘッド47に下方（基板２の上面）に向けて取付けられたノズル48とを有している。このうちノズル48には、洗浄処理液として、フッ酸などを含む無機酸、或いは、りんご酸などを含む有機酸などからなる薬液を供給する洗浄処理液供給源49（洗浄処理液供給源42と同一でもよい。）が、流量調整バルブ50を介して接続されている。回転機構45及び流量調整バルブ50は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　第３の洗浄処理液供給手段26cは、ケーシング24に固定されるとともに、基板回転保持手段25の回転軸33の中空部に回転軸33から間隔をあけて収容された円筒状の軸体51と、軸体51に形成されたノズル52とを有している。このうちノズル52には、洗浄処理液として、フッ酸などを含む無機酸、或いは、りんご酸などを含む有機酸などからなる薬液を供給する洗浄処理液供給源53（洗浄処理液供給源42,49と同一でもよい。）が、流量調整バルブ54を介して接続されている。流量調整バルブ54は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　そして、洗浄処理液供給手段26(26a,26b)は、回転機構38(45)によって支持軸37(44)を回転させることで、ノズル41(48)を基板２の外周部外方の退避位置から基板２の中心部上方の供給位置まで基板２の上方を移動させて、ノズル41(48)から基板２の上方に向けて、流量調整バルブ43(50)によって流量が調整された洗浄処理液を供給する。或いは、洗浄処理液供給手段26(26c)は、ノズル52から基板２の下方に向けて、流量調整バルブ54によって流量が調整された洗浄処理液を供給する。この場合、ノズル41(48)を基板２の中心部上方に配置して、洗浄処理液を基板２の中心部上方に向けて供給してもよく、また、ノズル41(48)を基板２の中心部上方と外周端縁部上方との間で移動させながら、洗浄処理液を基板２の上面に向けて供給するようにしてもよい。
　リンス処理液供給手段27も、基板２の表面にリンス処理液を供給する第１及び第２のリンス処理液供給手段27a,27bと、基板２の裏面にリンス処理液を供給する第３のリンス処理液供給手段27cとによって構成されている。
　第１のリンス処理液供給手段27aは、支持軸37、回転機構38、アーム39及びノズルヘッド40を第１の洗浄処理液供給手段26ａと共有しており、ノズルヘッド40に取付けられたノズル55と、ノズル55に流量調整バルブ57を介して接続され、リンス処理液としての純水を供給するリンス処理液供給源56とを有している。流量調整バルブ57は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　第２のリンス処理液供給手段27bは、支持軸44、回転機構45、アーム46及びノズルヘッド47を第２の洗浄処理液供給手段26bと共有しており、ノズルヘッド47に取付けられたノズル58と、ノズル58に流量調整バルブ60を介して接続され、リンス処理液としての純水を供給するリンス処理液供給源59（リンス処理液供給源56と同一でもよい。）とを有している。流量調整バルブ60は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　第３のリンス処理液供給手段27cは、軸体51を第３の洗浄処理液供給手段26cと共有しており、軸体51に形成されたノズル61と、ノズル61に流量調整バルブ63を介して接続され、リンス処理液としての純水を供給するリンス処理液供給源62（リンス処理液供給源56,59と同一でもよい。）とを有している。流量調整バルブ63は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　そして、リンス処理液供給手段27(27a,27b)は、回転機構38(45)によって支持軸37(44)を回転させることで、ノズル55(58)を基板２の外周部外方の退避位置から基板２の中心部上方の供給位置まで基板２の上方を移動させて、ノズル55(58)から基板２の上方に向けて、流量調整バルブ57(60) によって流量が調整されたリンス処理液を供給する。或いは、リンス処理液供給手段27(27c)は、ノズル61から基板２の下方に向けて、流量調整バルブ63によって流量が調整されたリンス処理液を供給する。この場合、ノズル55(58)を基板２の中心部上方に配置して、リンス処理液を基板２の中心部上方に向けて供給してもよく、また、ノズル55(58)を基板２の中心部上方と外周端縁部上方との間で移動させながら、リンス処理液を基板２の上面に向けて供給するようにしてもよい。
　乾燥処理手段28は、基板２の表面の乾燥処理を行う第１の乾燥処理手段28aと、基板２の裏面の乾燥処理を行う第２の乾燥処理手段28bとによって構成されている。
　第１の乾燥処理手段28aは、支持軸37、回転機構38、アーム39及びノズルヘッド40を第１の洗浄処理液供給手段26a及び第１のリンス処理手段27aと共有しており、ノズルヘッド40に取付けられたノズル64と、ノズル64に流量調整バルブ66を介して接続され、乾燥処理液としてのＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給する乾燥処理液供給源65とを有している。流量調整バルブ66は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　第２の乾燥処理手段28bは、軸体51を第３の洗浄処理液供給手段26c及び第３のリンス処理液供給手段27cと共有しており、軸体51に形成されたノズル67と、ノズル67に流量調整バルブ69を介して接続され、乾燥処理剤としての窒素を供給する乾燥処理剤供給源68とを有している。流量調整バルブ69は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。
　そして、乾燥処理手段28(28a)は、回転機構38によって支持軸37を回転させることで、ノズル64を基板２の外周部外方の退避位置から基板２の中心部上方の供給位置まで基板２の上方を移動させて、ノズル64から基板２の上方に向けて、流量調整バルブ66によって流量が調整された乾燥処理液を供給する。また、乾燥処理手段28(28b)は、ノズル67から基板２の下方に向けて、流量調整バルブ69によって流量が調整された乾燥処理剤を供給する。この場合、ノズル64を基板２の中心部上方に配置して、乾燥処理液を基板２の中心部上方に向けて供給してもよく、また、ノズル64を基板２の中心部上方と外周端縁部上方との間で移動させながら乾燥処理液を基板２の上面に向けて供給するようにしてもよい。
　置換めっき処理液供給手段29は、支持軸37、回転機構38、アーム39及びノズルヘッド40を第１の洗浄処理液供給手段26a、第１のリンス処理手段27a及び第１の乾燥処理手段28aと共有しており、ノズルヘッド40に取付けられたノズル70と、ノズル70に流量調整バルブ72を介して接続され、置換めっきを行うためのめっき処理液として例えばパラジウムを含有するめっき処理液を供給する置換めっき処理液供給源71とを有している。流量調整バルブ72は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。なお、置換めっき処理液供給源71は、置換めっき処理液を所定の温度で供給するようになっている。
　そして、置換めっき処理液供給手段29は、回転機構38によって支持軸37を回転させることで、ノズル70を基板２の外周部外方の退避位置から基板２の中心部上方の供給位置まで基板２の上方を移動させて、ノズル70から基板２の上方に向けて、流量調整バルブ72によって流量が調整された置換めっき処理液を供給する。この場合、ノズル70を基板２の中心部上方に配置して、置換めっき処理液を基板２の中心部上方に向けて供給してもよく、また、ノズル70を基板２の中心部上方と外周端縁部上方との間で移動させながら、置換めっき処理液を基板２の上面に向けて供給するようにしてもよい。
　化学還元めっき処理液供給手段30は、支持軸44、回転機構45、アーム46及びノズルヘッド47を第２の洗浄処理液供給手段26b及び第２のリンス処理手段27bと共有しており、ノズルヘッド47に取付けられたノズル73と、ノズル73に流量調整バルブ75を介して接続され、化学還元めっきを行うためのめっき処理液として例えばニッケル又はコバルトを含有するめっき処理液を供給する化学還元めっき処理液供給源74とを有している。流量調整バルブ75は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。なお、化学還元めっき処理液供給源74は、化学還元めっき処理液を所定の温度で供給するようになっている。
　そして、化学還元めっき処理液供給手段30は、回転機構45によって支持軸44を回転させることで、ノズル73を基板２の外周部外方の退避位置から基板２の中心部上方の供給位置まで基板２の上方を移動させて、ノズル73から基板２の上方に向けて、流量調整バルブ75によって流量が調整された化学還元めっき処理液を供給する。この場合、ノズル73を基板２の中心部上方に配置して、化学還元めっき処理液を基板２の中心部上方に向けて供給してもよく、また、ノズル73を基板２の中心部上方と外周端縁部上方との間で移動させながら、化学還元めっき処理液を基板２の上面に向けて供給するようにしてもよい。
　処理液排出手段31は、ターンテーブル34の外方に配置され、処理後の各処理液を排出する上下３段に積層された排出口76,77,78を有するカップ79と、最上段と中段の排出口76,77に流路切換器84,85を介して接続された回収流路80,81及び廃棄流路82,83と、最下段の排出口79に接続された廃棄流路86とを有している。流路切換器84,85は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。ここで、回収流路80,81は、処理液を回収した後に再利用できるようにするための流路であり、廃棄流路82,83,86は、処理液を廃棄するための流路である。
　また、処理液排出手段31は、カップ79に接続された昇降機構87を有している。昇降機構87は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって駆動制御されている。なお、昇降機構87は、カップ79を基板２に対して相対的に昇降させるものであり、昇降機構87を基板回転保持手段25に設けて基板２を昇降させるようにしてもよい。
　そして、処理液排出手段31は、昇降機構87によりカップ79を昇降させることで、基板２の直外方にいずれかの排出口76,77,78を位置させ、これにより基板２から飛散した処理液をその種類ごと分離して排出する。また、処理液排出手段31は、流路切換器84,85によって流路を回収流路80,81側に切換えることにより、排出口76,77で回収した処理液を再利用するようにし、また、流路切換器84,85によって流路を廃棄流路82,83側に切換えることにより、排出口76,77及び排出口78で回収した処理液を廃棄するようにしている。
　単発めっき処理ユニット20は、図４に示すように、複合めっき処理ユニット14と同様に、基板回転保持手段25と洗浄処理液供給手段26（第１及び第３の洗浄処理液供給手段26a,26c）とリンス処理液供給手段27（第１及び第３のリンス処理液供給手段27a,27c）と乾燥処理手段28（第１及び第２の乾燥処理手段28a,28b）と１個のめっき処理液供給手段（置換めっき処理液供給手段29）と処理液排出手段31とを備えている。これら基板回転保持手段25、洗浄処理液供給手段26、リンス処理液供給手段27、乾燥処理手段28、めっき処理液供給手段、及び処理液排出手段31は、ケーシング88の内部に収容されている。基板回転保持手段25と洗浄処理液供給手段26とリンス処理液供給手段27と乾燥処理手段28と置換めっき処理液供給手段29と処理液排出手段31とは、制御手段32に接続されている。
　この単発めっき処理ユニット20では、めっき処理液供給手段として置換めっき処理液供給手段29だけを設けており、化学還元めっき処理液供給手段30は設けていない。
　また、単発めっき処理ユニット20では、置換めっき処理液供給手段29で供給する置換めっきを行うためのめっき処理液として、例えば金を含有するめっき処理液を用いている。
　このように、めっき処理装置１は、複合めっき処理ユニット14～19と、単発めっき処理ユニット20,21と、複合めっき処理ユニット14～19と単発めっき処理ユニット20,21との間で基板２の搬送を行う基板搬送ユニット13とを有している。複合めっき処理ユニット14～19はそれぞれ、基板回転保持手段25と、複数のめっき処理液供給手段（ここでは、置換めっき処理液供給手段29及び化学還元めっき処理液供給手段30）と、めっき処理液排出手段（処理液排出手段31）とを有し、これらの手段はケーシング24の内部に収容されており、基板２の表面に順次複数のめっき処理を施すようになっている。単発めっき処理ユニット20,21はそれぞれ、基板回転保持手段25と、一つのめっき処理液供給手段（ここでは、置換めっき処理液供給手段29）と、めっき処理液排出手段（処理液排出手段31）とを有し、これらの手段はケーシング88の内部に収容されており、基板２の表面に１回のめっき処理を施すようになっている。
　そのため、めっき処理装置１は、基板２に施すめっき処理の種類に応じて複合めっき処理ユニット14～19及び／又は単発めっき処理ユニット20,21とを適宜使い分けることができる。
　また、上記めっき処理装置１では、複合めっき処理ユニット14～19の個数（ここでは、４個。）を単発めっき処理ユニット20,21の個数（ここでは、２個。）よりも多くしている。このため、処理時間が長い複合めっき処理ユニット14～19と処理時間の短い単発めっき処理ユニット20,21とを効率良く稼働することができ、めっき処理装置１のスループットを向上させることができる。
　さらに、上記めっき処理装置１では、金めっきを複合めっき処理ユニット14～19から分離して単発めっき処理ユニット20,21で行うようにしている。このため、複合めっき処理ユニット14～19の保守性を向上させるとともに、例えば複合めっき処理ユニット14～19でパラジウムめっき及びニッケル（又はコバルト）めっき或いはパラジウムめっきを行った後に、単発めっきユニット20,21でパラジウム又はニッケル（又はコバルト）の表面に金めっきを施すことができ、めっき処理に応じた使い分けをすることができる。特に、上記めっき処理装置１では、ニッケルやパラジウムなどを含有する酸性のめっき処理液によるめっき処理を複合めっき処理ユニット14～19で行い、金などを含有するアルカリ性のめっき処理液によるめっき処理を単発めっき処理ユニット20,21で行うことで、雰囲気の異なる処理が混合しないようにすることができる。
　めっき処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御手段32に設けた記録媒体89に記録された各種のプログラムに従って制御手段32で駆動制御され、基板２の処理を行うようにしている。ここで、記録媒体89は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納しており、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ－ＲＯＭ、ＤＶＤ－ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものを使用できる。
　そして、めっき処理装置１では、制御手段32に設けられた記録媒体89に記録されためっき処理プログラムに従って、以下に説明するように基板２にめっき処理を施すようにしている（図５参照）。なお、以下の説明では、複合めっき処理ユニット14で基板２にパラジウムめっきを置換めっきにより施した後にニッケルめっきを化学還元めっきにより施し、その後、単発めっき処理ユニット20で基板２に金めっきを置換めっきにより施す場合について説明する。
　まず、めっき処理プログラムは、基板搬入工程Ｓ１を実行する。
　この基板搬入工程Ｓ１では、基板搬送ユニット13の基板搬送装置22を用いて、１枚の基板２を基板受渡室11から複合めっき処理ユニット14に搬入する。
　その際に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板受取工程Ｓ２を実行する。
　この基板受取工程Ｓ２では、図６に示すように、昇降機構87によってカップ79を所定位置まで降下させ、基板搬送装置22からケーシング24の内部に搬入された１枚の基板２をウエハチャック35で水平に保持した状態で受取り、その後、昇降機構87によってカップ79を最下段の排出口78と基板２の外周端縁とが対向する位置まで上昇させる。このときに、めっき処理プログラムは、回転機構38,45によって支持軸37,44を回転させてノズルヘッド40,47をターンテーブル34の外周外方の退避位置に退避させている。
　次に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板前洗浄工程Ｓ３を実行する。
　この基板前洗浄工程Ｓ３では、図７に示すように、基板回転保持手段25の回転機構36によって回転軸33を回転させることでターンテーブル34とともに基板２を回転させるとともに、第１のリンス処理液供給手段27aの回転機構38によって支持軸37を回転させてノズル55を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、第1のリンス処理液供給手段27aの流量調整バルブ57により所定の流量に調整されたリンス処理液を、ノズル55から基板２の上面に向けて供給する。これにより、基板２の上面のリンス処理を行う。処理後のリンス処理液は、処理液排出手段31のカップ79の最下段の排出口78で回収され、廃棄流路86から廃棄される。その後、第1のリンス処理液供給手段27aによるリンス処理液の供給を停止する。
　その後、基板前洗浄工程Ｓ３では、図８に示すように、第1の洗浄処理液供給手段26aの回転機構38によって支持軸37を回転させてノズル41を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、第1の洗浄処理液供給手段26aの流量調整バルブ43により所定の流量に調整された洗浄処理液を、ノズル41から基板２の上面に向けて供給する。これにより、基板２の上面の洗浄処理を行う。処理後の洗浄処理液は、処理液排出手段31のカップ79の最下段の排出口78で回収され、廃棄流路86から廃棄される。その後、第1の洗浄処理液供給手段26aによる洗浄処理液の供給を停止する。なお、洗浄処理液によって基板２の上面だけでなく外周端縁部を洗浄するようにしてもよい。
　その後、基板前洗浄工程Ｓ３では、洗浄処理前のリンス処理と同様にして基板２の上面のリンス処理を行う（図７参照。）。
　次に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板前洗浄工程Ｓ３におけるリンス処理直後の基板２が乾燥していない状態で置換めっき処理工程Ｓ４を実行する。このように、基板２が乾燥していない状態で置換めっき処理工程Ｓ４を実行することで、基板２の被めっき面の銅などが酸化してしまい良好に置換めっき処理できなくなるのを防止することができる。
　この置換めっき処理工程Ｓ４では、図９に示すように、基板回転保持手段25の回転機構36によって基板２を回転させたまま、処理液排出手段31の昇降機構87によってカップ79を中段の排出口77と基板２の外周端縁とが対向する位置まで降下させ、置換めっき処理液供給手段29の回転機構38によって支持軸37を回転させてノズル70を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、置換めっき処理液供給手段29の流量調整バルブ72により所定の流量に調整されたパラジウムを含有する常温の置換めっき処理液を、ノズル70から基板２の上面に向けて供給する。これにより、基板２の上面に置換めっきによってパラジウムめっきを施す。処理後の置換めっき処理液は、処理液排出手段31のカップ79の中段の排出口77で回収され、流路切換器85を切換えることでリンス処理液や洗浄処理液と置換めっき処理液とが混合している場合には廃棄流路83から廃棄し、リンス処理液や洗浄処理液が混合していない場合には回収流路81から回収し、回収した置換めっき処理液を再利用するようにしている。その後、置換めっき処理液供給手段29による置換めっき処理液の供給を停止する。なお、流路切換器85の流路切換えは、経時的に流路を切換えるようにしてもよく、センサーによりリンス処理液の有無を検出して流路を切換えるようにしてもよい。
　この置換めっき処理工程Ｓ４においては、置換めっき処理液供給手段29のノズル70を基板２の内周部よりも基板２の外周部で移動速度を遅くしたり、めっき処理液の吐出量を多くしたり、吐出するめっき処理液の温度を高くすることによって、基板２の温度が均一になるように制御することもできる。
　その後、置換めっき処理工程Ｓ４では、基板前洗浄工程Ｓ３におけるリンス処理と同様にして基板２の上面のリンス処理を行う（図７参照。）。
　次に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板中間洗浄工程Ｓ５を実行する。なお、基板中間洗浄工程Ｓ５は、省略してもよい。
　この基板中間洗浄工程Ｓ５では、第１のリンス処理液供給手段27aにより基板の上面をリンス処理するとともに、第３の洗浄処理液供給手段26aにより基板の下面を洗浄処理した後に、第３のリンス処理液供給手段27cで基板の下面をリンス処理する。その後、回転機構38によって支持軸37を回転させて、ノズルヘッド40をターンテーブル34の外周外方の退避位置に退避させる。
　次に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板中間洗浄工程Ｓ５（基板中間洗浄工程Ｓ５を省略した場合には置換めっき処理工程Ｓ４）におけるリンス処理に続けて化学還元めっき処理工程Ｓ６を実行する。このように、複合めっき処理ユニット14において置換めっき処理工程Ｓ４と化学還元めっき処理工程Ｓ６とを１つのユニット内部で行うことができるために、置換めっき処理工程Ｓ４と化学還元めっき処理工程Ｓ６との間で基板２を搬送する必要がなく、基板２の乾燥処理を省略することができるので、スループットを向上させることができる。また、基板２の表面が酸化するのを防止して基板２の表面にめっき処理を良好に施すことができる。
　この化学還元めっき処理工程Ｓ６では、図１０に示すように、基板回転保持手段25の回転機構36によってターンテーブル34を置換めっき処理工程Ｓ４における回転速度よりも低速で回転させることで基板２を低速回転させる。また、処理液排出手段31の昇降機構87によってカップ79を最上段の排出口76と基板２の外周端縁とが対向する位置まで降下させる。さらに、化学還元めっき処理液供給手段30の回転機構45によって支持軸44を回転させてノズル73を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、化学還元めっき処理液供給手段30の流量調整バルブ75により所定の流量に調整されたニッケルを含有する高温（80℃～85℃）の化学還元めっき処理液を、ノズル73から基板２の上面に向けて供給する。これにより、基板２の上面に化学還元めっきによってニッケルめっきを施す。処理後の化学還元めっき処理液は、処理液排出手段31のカップ79の最上段の排出口76で回収され、流路切換器84を切換えることで、リンス処理液や洗浄処理液と化学還元めっき処理液とが混合している場合には廃棄流路82から廃棄し、リンス処理液や洗浄処理液が混合していない場合には回収流路80から回収し、回収した化学還元めっき処理液を再利用するようにしている。その後、化学還元めっき処理液供給手段30による化学還元めっき処理液の供給を停止する。なお、流路切換器84の流路切換えは、経時的に流路を切換えるようにしてもよく、センサーによりリンス処理液の有無を検出して流路を切換えるようにしてもよい。
　この化学還元めっき処理工程Ｓ６においては、置換めっき処理工程Ｓ４における基板２の回転速度よりも低速で基板２を回転させている。このように、複数のめっき処理液供給手段（置換めっき処理液供給手段29及び化学還元めっき処理液供給手段30）から供給するめっき処理液の種類（温度）に応じて基板回転保持手段25による基板２の回転速度を変更することで、基板２を回転させることによって基板２やめっき処理液が放熱により冷却されてしまうのを抑制することができ、特に高温のめっき処理液を用いる場合には、基板２の回転速度を低くすることで、めっき処理液の温度低下を抑制して基板２に所定の厚みの均一なめっきを良好に施すことができる。
　また、化学還元めっき処理工程Ｓ６においては、置換めっき処理工程Ｓ４におけるカップ79の排出口77とは異なる排出口76から化学還元めっき処理液を排出するようにしており、めっき処理液の種類に応じて異なる排出口76,77からめっき処理液を排出してめっき処理液の混合を防止している。
　この化学還元めっき処理工程Ｓ６においても、化学還元めっき処理液供給手段30のノズル73を基板２の内周部よりも基板２の外周部で移動速度を遅くしたり、めっき処理液の吐出量を多くしたり、吐出するめっき処理液の温度を高くすることによって、基板２の温度が均一になるように制御することもできる。
　その後、化学還元めっき処理工程Ｓ６では、図１１に示すように、処理液排出手段31の昇降機構87によってカップ79を最下段の排出口78と基板２の外周端縁とが対向する位置まで上昇させ、第２のリンス処理液供給手段27bの回転機構45によって支持軸44を回転させてノズル58を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、第２のリンス処理液供給手段27bの流量調整バルブ60により所定の流量に調整されたリンス処理液を、ノズル58から基板２の上面に向けて供給する。これにより、基板２の上面のリンス処理を行う。処理後のリンス処理液は、処理液排出手段31のカップ79の最下段の排出口78で回収され、廃棄流路86から廃棄される。その後、第２のリンス処理液供給手段27bによるリンス処理液の供給を停止する。
　次に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板後洗浄工程Ｓ７を実行する。
　この基板後洗浄工程Ｓ７では、図１２に示すように、第２の洗浄処理液供給手段26bの回転機構45によって支持軸44を回転させてノズル48を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、第２の洗浄処理液供給手段26bの流量調整バルブ50により所定の流量に調整された洗浄処理液を、ノズル48から基板２の上面に向けて供給する。これにより、基板２の上面の洗浄処理を行う。処理後の洗浄処理液は、処理液排出手段31のカップ79の最下段の排出口78で回収され、廃棄流路86から廃棄される。その後、第２の洗浄処理液供給手段26bによる洗浄処理液の供給を停止する。なお、洗浄処理液によって基板２の上下面だけでなく外周端縁部を洗浄するようにしてもよい。また、基板前洗浄工程Ｓ３とは異なる種類の洗浄処理液を用いるようにしてもよい。
　その後、基板後洗浄工程Ｓ７では、第１のリンス処理液供給手段27aで基板の上面をリンス処理するとともに、第３の洗浄処理液供給手段26cで基板の下面を洗浄処理した後に、第３のリンス処理液供給手段27cで基板の下面をリンス処理する。その後、回転機構45によって支持軸44を回動させてノズルヘッド47を基板２の外周外方の退避位置に移動させる。
　次に、めっき処理プログラムは、複合めっき処理ユニット14において、基板乾燥工程Ｓ８を実行する。
　この基板乾燥工程Ｓ８では、図１３に示すように、第１の乾燥処理手段28aの回転機構38によって支持軸37を回転させてノズル64を基板２の中心部上方の供給位置に移動させる。その後、乾燥処理手段28の流量調整バルブ66により所定の流量に調整された乾燥処理液を、ノズル64から基板２の上面に向けて供給するとともに、第２の乾燥処理手段28bの流量調整バルブ69により所定の流量に調整された乾燥処理剤を、ノズル67から基板２の下面に向けて供給する。これにより、基板２の上下面の乾燥処理を行う。処理後の乾燥処理液は、処理液排出手段31のカップ79の最下段の排出口78で回収され、廃棄流路86から廃棄される。その後、第１及び第２の乾燥処理手段28a,28bによる乾燥処理を停止し、回転機構38によって支持軸37を回動させてノズルヘッド40を基板２の外周外方の退避位置に移動させる。
　次に、めっき処理プログラムは、基板受渡工程Ｓ９を実行する。
　この基板受渡工程Ｓ９では、図１４に示すように、昇降機構87によってカップ79を所定位置まで降下させ、基板回転保持手段25で水平に保持した状態の基板２を基板搬送装置22に受渡す。
　次に、めっき処理プログラムは、基板搬送工程Ｓ１０を実行する。
　この基板搬送工程Ｓ１０では、基板搬送ユニット13の基板搬送装置22を用いて１枚の基板２を複合めっき処理ユニット14から単発めっき処理ユニット20に搬送する。
　その後、めっき処理プログラムは、単発めっき処理ユニット20において、上記複合めっき処理ユニット14における各工程Ｓ２～Ｓ４、Ｓ７～Ｓ９と同様に、基板受取工程Ｓ１１、基板前洗浄工程Ｓ１２、置換めっき処理工程Ｓ１３、基板後洗浄工程Ｓ１４、基板乾燥工程Ｓ１５、基板受渡工程Ｓ１６を順に実行する。
　この単発めっき処理ユニット20では、置換めっき処理工程Ｓ１３として金を含有しためっき処理液を用いて基板２に置換めっきによって金めっきを施すようにしている。
　その際に、複合めっき処理ユニット14での化学還元めっき処理工程Ｓ６と同様に、複合めっき処理ユニット14での置換めっき処理工程Ｓ４における回転速度よりも低速で基板２を回転させるとともに、置換めっき処理液供給源71から金を含有する高温（80℃～85℃）の置換めっき処理液を供給するようにしている。なお、単発めっき処理ユニット20では、リンス処理液と混合した置換めっき処理液をも回収するようにしている。
　最後に、めっき処理プログラムは、基板搬出工程Ｓ１７を実行する。
　この基板搬出工程Ｓ１７では、基板搬送ユニット13の基板搬送装置22を用いて１枚の基板２を単発めっき処理ユニット20から基板受渡室11に搬出する。
　以上に説明したように、上記めっき処理装置１では、基板２の表面に異なる種類のめっき処理液（ここでは、パラジウム含有置換めっき処理液とニッケル含有化学還元めっき処理液）を供給する複数のめっき処理液供給手段（ここでは、置換めっき処理液供給手段29と化学還元めっき処理液供給手段30）を設けているために、めっき処理装置１の小型化を図ることができる。また、基板２を回転保持した状態のまま異なるめっき処理液を基板２の表面に順に供給して、基板２の表面に順次複数のめっき処理を施すことにしている。このことにより、基板２の搬送や乾燥に要する時間を省くことができ、めっき処理に要する処理時間を短くすることができてめっき処理装置１のスループットを向上させることができる。さらに、基板２の表面に順次複数のめっき処理を施すことで、基板２の表面が酸化するのを防止して基板２の表面にめっき処理を良好に施すことができる。
　上記めっき処理装置１では、高温のめっき処理液でめっき処理を施す際に基板２を低速で回転させることにより、めっき処理液の温度低下を防止しているが、めっき処理する基板２の温度を上昇させる基板温度上昇手段によってめっき処理液の温度低下を防止することもできる。
　たとえば、図１５に示すように、基板温度上昇手段90は、ターンテーブル34の上部に配置されたドーナツ袋状の可撓性を有する膨張収縮自在の加熱体91と、加熱した流体（加熱流体：液体でも気体でもよい。）を貯留したタンク92と、タンク92に接続された循環流路93とを有している。また、循環流路93の往路側に、開閉バルブ94を介して加熱体91を接続するとともに、循環流路93の復路側に、吸引ポンプ95を介して加熱体91を接続し、タンク92の内部にヒーター96を内蔵させている。開閉バルブ94と吸引ポンプ95とヒーター96は、制御手段32に接続されており、制御手段32によって制御されている。なお、加熱体91の中央部分にノズル52,61,67を位置させて、ノズル52,61,67からの処理液の吐出を阻害しないようにしている。
　そして、基板温度上昇手段90は、ヒーター96によってタンク92に貯留する加熱流体を所定の加熱温度に加熱しておき、開閉バルブ94を開放するとともに吸引ポンプ95を駆動することで、加熱流体を加熱体91に供給する。その供給圧力によって加熱体91を膨張させて基板２の下面（裏面）に接触（密着）させ、基板２の下面から基板２を加熱して温度を上昇させるようにしている。なお、基板温度上昇手段90は、開閉バルブ94を閉塞するとともに吸引ポンプ95を所定時間だけ駆動することで、加熱流体を加熱体91から吸引し、その吸引圧力によって加熱体91を収縮させて、基板２の下面とターンテーブル34との間にノズル52,61,67から吐出した処理液が流動する間隙を確保するようにしている。
　この基板温度上昇手段90では、袋状の加熱体91の内部に加熱流体を供給することで、加熱流体と各種処理液とが混合しないようにしている。
　なお、基板温度上昇手段90は、めっき処理液の種類（温度）に応じて加熱流体の加熱温度を変更することもできる。
　また、基板温度上昇手段90は、基板２の下面を複数の領域に区画し、各領域毎に異なる加熱体を配置することで、基板２の下面を各領域毎（たとえば、基板２の内周部側の領域と外周部側の領域）に基板２の温度を上昇させて、より確実に基板２に供給されるめっき処理液の温度低下を抑制し、めっき温度を均一化させてめっき厚を均一化させることもできる。

Claims (20)

  1. 　基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
    　前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、
    　前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、
    　前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段と、
    　前記基板回転保持手段、前記複数のめっき処理液供給手段及び前記めっき処理液排出手段に接続され、前記基板回転保持手段、前記複数のめっき処理液供給手段及び前記めっき処理液排出手段を制御する制御手段とを備えた、めっき処理装置。
  2. 　前記制御手段は、前記基板回転保持手段によって前記基板を回転保持した状態のまま、前記複数のめっき処理液供給手段を順に駆動して、前記基板の前記表面に対して順次複数のめっき処理を施す、請求項１に記載のめっき処理装置。
  3. 　前記めっき処理液排出手段は、互いに上下に積層させて多段に設けられた複数の排出口と、前記排出口に接続され、前記排出口を前記基板回転保持手段に対して相対的に昇降させる昇降手段とを有する、請求項１に記載のめっき処理装置。
  4. 　前記制御手段は、前記昇降手段を駆動することにより、前記複数のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液を、その種類に応じて異なる前記排出口から排出する、請求項３に記載のめっき処理装置。
  5. 　前記基板の前記表面に洗浄処理液を供給する洗浄処理液供給手段と、前記基板の前記表面にリンス処理液を供給するリンス処理液供給手段と、前記基板から飛散した前記洗浄処理液と前記リンス処理液とを排出する処理液排出手段とをさらに備えた、請求項１に記載のめっき処理装置。
  6. 　前記めっき処理液排出手段の各前記排出口に、再利用される前記めっき処理液を流すめっき処理液回収流路と、廃棄される前記めっき処理液を流すめっき処理液廃棄流路とがそれぞれ接続されている、請求項３に記載のめっき処理装置。
  7. 　前記制御手段は、前記排出口から排出される前記めっき処理液に前記洗浄処理液又は前記リンス処理液が混入している場合、前記めっき処理液を前記めっき処理液廃棄流路から廃棄するように前記めっき処理液排出手段を制御する、請求項６に記載のめっき処理装置。
  8. 　前記複数のめっき処理液供給手段は、置換めっきを行うためのめっき処理液を供給する置換めっき処理液供給手段と、化学還元めっきを行うためのめっき処理液を供給する化学還元めっき処理液供給手段とを有し、
    　前記制御手段は、前記置換めっき処理液供給手段を駆動した後に前記化学還元めっき処理液供給手段を駆動する、請求項１に記載のめっき処理装置。
  9. 　基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
    　前記基板の前記表面に順次複数種類のめっき処理を施す複合めっき処理ユニットと、
    　前記基板の前記表面に１種類のめっき処理を施す単発めっき処理ユニットと、
    　前記複合めっき処理ユニットと前記単発めっき処理ユニットとの間で前記基板の搬送を行う基板搬送ユニットと、
    　前記複合めっき処理ユニット、前記単発めっき処理ユニット及び前記基板搬送ユニットに接続され、前記複合めっき処理ユニット、前記単発めっき処理ユニット及び前記基板搬送ユニットを制御する制御手段とを備え、
    　前記複合めっき処理ユニットは、
    　前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、
    　前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、
    　前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段とを有する、めっき処理装置。
  10. 　前記制御手段は、前記複合めっき処理ユニットにより前記基板の前記表面に順次複数種類のめっき処理を施した後に、前記基板搬送ユニットにより前記基板を前記複合めっき処理ユニットから前記単発めっき処理ユニットへ搬送し、前記単発めっき処理ユニットにより前記基板の前記表面に１種類のめっき処理を施すように、前記複合めっき処理ユニット、前記単発めっき処理ユニット及び前記基板搬送ユニットを制御する、請求項９に記載のめっき処理装置。
  11. 　前記複合めっき処理ユニットの個数を前記単発めっき処理ユニットの個数よりも多くした、請求項９に記載のめっき処理装置。
  12. 　前記制御手段は、前記めっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液の種類に応じて、前記基板回転保持手段の回転速度を変更する、請求項１に記載のめっき処理装置。
  13. 　前記制御手段は、前記基板の前記表面に供給される前記めっき処理液の量が前記基板の中心部よりも周縁部の方が多くなるように、前記めっき処理液供給手段を制御する、請求項１に記載のめっき処理装置。
  14. 　前記制御手段は、前記基板の前記表面に供給する前記めっき処理液の温度が前記基板の中心部よりも周縁部の方が高くなるように、前記めっき処理液供給手段を制御する、請求項１に記載のめっき処理装置。
  15. 　前記基板の温度を上昇させる基板温度上昇手段を更に備え、前記基板温度上昇手段は、高温流体によって膨張させた袋状部材を前記基板の前記裏面に接触させることにより、前記基板の前記温度を上昇させるように構成されている、請求項１に記載のめっき処理装置。
  16. 　前記制御手段は、前記めっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液の種類に応じて、前記基板温度上昇手段の加熱温度を変更する、請求項１５に記載のめっき処理装置。
  17. 　めっき処理装置を用いて、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
    　前記めっき処理装置は、前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段とを有し、
    　前記めっき処理方法は、
    　前記複数のめっき処理液供給手段のうち一のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面にめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程と、
    　前記複数のめっき処理液供給手段のうち他のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面に前記一のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液と異なる種類のめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程とを有する、めっき処理方法。
  18. 　前記めっき処理液排出手段は複数の排出口を有し、前記一のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液と、前記他のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液とは、前記めっき処理液排出手段の異なる前記排出口から排出される、請求項１７に記載のめっき処理方法。
  19. 　めっき処理装置を用いて、基板の表面にめっき処理液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
    　前記めっき処理装置は、前記基板の前記表面に順次複数種類のめっき処理を施す複合めっき処理ユニットと、前記基板の前記表面に１種類のめっき処理を施す単発めっき処理ユニットと、前記複合めっき処理ユニットと前記単発めっき処理ユニットとの間で前記基板の搬送を行う基板搬送ユニットとを有し、
    　前記めっき処理方法は、
    　前記複合めっき処理ユニットを用いて、前記基板の前記表面に互いに異なる種類のめっき処理液を順次供給して、前記基板の前記表面に順次複数のめっき処理を施す工程と、
    　前記基板搬送ユニットを用いて、前記基板を前記複合めっき処理ユニットから前記単発めっき処理ユニットに搬送する工程と、
    　前記単発めっき処理ユニットを用いて、前記基板の前記表面に１種類のめっき処理液を供給して前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程とを備えた、めっき処理方法。
  20. 　めっき処理装置を用いて基板の表面をめっき処理するめっき処理プログラムを記録した記録媒体において、
    　前記めっき処理プログラムは、めっき処理方法を実施するためのものであり、
    　前記めっき処理装置は、前記基板を回転保持する基板回転保持手段と、前記基板回転保持手段によって保持された前記基板の前記表面に、それぞれ互いに異なる種類の前記めっき処理液を供給する複数のめっき処理液供給手段と、前記基板回転保持手段の周囲に設けられ、前記基板から飛散した前記めっき処理液をその種類ごとに分離して排出するめっき処理液排出手段とを有し、
    　前記めっき処理方法は、
    　前記複数のめっき処理液供給手段のうち一のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面にめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程と、
    　前記複数のめっき処理液供給手段のうち他のめっき処理液供給手段から、前記基板の前記表面に前記一のめっき処理液供給手段から供給される前記めっき処理液と異なる種類のめっき処理液を供給して、前記基板の前記表面にめっき処理を施す工程とを有する、記録媒体。
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