WO2012055153A1 - 一种钨化学机械抛光方法 - Google Patents

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WO2012055153A1
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mechanical polishing
tungsten
polishing method
tungsten chemical
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王晨
何华锋
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安集微电子（上海）有限公司
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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F3/00—Brightening metals by chemical means
    • C23F3/04—Heavy metals
    • C23F3/06—Heavy metals with acidic solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Definitions

  • the invention relates to the field of chemical mechanical polishing, and in particular to a tungsten chemical mechanical polishing method.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • CMP Chemical mechanical polishing
  • It usually consists of a polishing table with a polishing pad and a polishing head for carrying the chip.
  • the polishing head holds the chip and then presses the front side of the chip against the polishing pad.
  • the polishing head moves linearly on the polishing pad or in the same direction of motion as the polishing table.
  • the slurry containing the abrasive is dropped onto the polishing pad and laid flat on the polishing pad by centrifugation.
  • the surface of the chip achieves global planarization under both mechanical and chemical effects.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • Metal tungsten one of the subjects of chemical mechanical polishing (CMP), has high electron current resistance at high current density and can form a good ohmic contact with silicon, so it can be used as a filler metal for contact windows and via holes. Diffusion barrier.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • U.S. Patent 5,340,370 discloses a formulation for tungsten chemical mechanical polishing (CMP) comprising 0.1 M potassium ferricyanide, 5% silica, and acetate as a pH buffer. Since potassium ferricyanide decomposes highly toxic hydrocyanic acid under ultraviolet light or sunlight, and in an acidic medium, its widespread use is limited.
  • CMP chemical mechanical polishing
  • U.S. Patent No. 5,527,423, U.S. Patent No. 6,008,119, U.S. Patent No. 6,284,151, et al. discloses the use of the <RTIgt;Fe(N0< 3&gt ;>>3>, alumina system for tungsten mechanical polishing (CMP).
  • CMP tungsten mechanical polishing
  • the high concentration of ferric nitrate makes the pH of the polishing liquid strongly acidic, which seriously corrodes the equipment, and at the same time, generates rust and contaminates the polishing pad.
  • high concentrations of iron ions act as mobile metal ions, which seriously reduce the reliability of semiconductor components.
  • U.S. Patent 5,958,288 discloses the use of ferric nitrate as a catalyst and hydrogen peroxide as an oxidant for tungsten chemical mechanical polishing. It should be noted that in this patent, a variety of transition metal elements are mentioned, and only iron elements have been experimentally proven to be significantly effective. Therefore, the actual implementation effect of the invention And the scope is very limited. Although the method greatly reduces the amount of ferric nitrate, since the iron ion still exists and the Fenton reaction occurs between the hydrogen peroxide and the hydrogen peroxide, the hydrogen peroxide rapidly and violently decomposes and fails, so the polishing solution has a problem of poor stability.
  • U.S. Patent No. 5,980,775 and U.S. Patent No. 6,068,787 U.S. Patent No. 5,958,288, the addition of an organic acid as a stabilizer improves the decomposition rate of hydrogen peroxide to some extent.
  • the decomposition rate is still high, and the hydrogen peroxide concentration is usually reduced by more than 10% in two weeks, causing the polishing rate to decrease and the polishing liquid to gradually decompose and fail.
  • Rodel's product MSW1000 contains 30ppm metal, the main component is iron, which is mixed with hydrogen peroxide for chemical mechanical polishing of tungsten. Iron can play a significant role in the polishing speed of tungsten.
  • U.S. Patent 5,693,239 uses potassium iodate as the oxidant for chemical mechanical polishing of tungsten.
  • the technical problem to be solved by the present invention is to provide a tungsten chemical mechanical polishing method in which two or more oxidizing agents are simultaneously present in a chemical mechanical polishing liquid precursor, and after the active reducing agent is added, the inactive oxidizing agent can be restored to oxidation.
  • the activity increases and the oxidation efficiency is increased, resulting in a high polishing speed.
  • the tungsten chemical mechanical polishing method of the present invention comprises the following steps: (a) blending a chemical mechanical polishing liquid precursor with an active reducing agent to prepare a chemical mechanical polishing liquid;
  • the active reducing agent can significantly increase the activity and oxidation efficiency of the oxidizing agent.
  • the chemical mechanical polishing liquid precursor comprises: water, an abrasive, a first oxidizing agent, a second oxidizing agent and an active reducing agent.
  • the abrasive is selected from one or more of a silica sol, fumed silica, alumina and cerium oxide.
  • the abrasive is present in an amount of from 0.1 to 10% by weight.
  • the first oxidizing agent is selected from the group consisting of organic peroxides and/or inorganic peroxides.
  • the first oxidizing agent is selected from one or more of a persulfate, a monopersulfate, a hydrogen peroxide, and a peroxyacetic acid.
  • the first oxidant is hydrogen peroxide.
  • the first oxidizing agent has a weight percentage of 0.1 to 5%.
  • the first oxidant is present in an amount of from 1 to 2% by weight.
  • the second oxidizing agent is selected from the group consisting of nitrates, sulfates, bromates, chlorates, iodates, periodates, permanganates, and transition metal salts having oxidizing properties.
  • the second oxidizing agent is selected from one or more of Ag, Co, Cr, Cu, Mo, Mn, Nb, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti and V salts.
  • the second oxidizing agent is a soluble silver salt.
  • the second oxidizing agent is selected from one or more of silver fluoride, silver perchlorate, silver sulfate and silver nitrate.
  • the second oxidizing agent is present in an amount of from 0.05% to 0.3% by weight.
  • the active reducing agent is an inorganic salt.
  • the active reducing agent is selected from the group consisting of nitrates, sulfates, bromates, chlorates, iodates, periodates, permanganates, and One or more of the oxidizing transition metal salts.
  • the active reducing agent is selected from one or more of Ag, Co, Cr, Cu, Mo, Mn, Nb, Ni, Os, Pd, Ru, Sn, Ti and V salts.
  • the active reducing agent is selected from one or more of the group consisting of nitrates, perchlorates and sulfates. More preferably, the active reducing agent is a sulfate.
  • the active reducing agent is a non-metal sulfate.
  • the active reducing agent is ammonium sulfate and/or tetramethylammonium sulfate. More preferably, the active reducing agent is ammonium sulfate.
  • the active reducing agent is present in an amount of 0.01 to 1% by weight.
  • the chemical mechanical polishing liquid precursor further comprises: a tungsten corrosion inhibitor.
  • the tungsten corrosion inhibitor is an amide containing a double bond.
  • the tungsten corrosion inhibitor is acrylamide.
  • the tungsten corrosion inhibitor has a weight percentage of 0.01 to 0.5%.
  • the chemical mechanical polishing liquid precursor further comprises: a pH adjuster.
  • the chemical mechanical polishing liquid has a pH of 0.5 to 5.
  • the positive progress of the present invention is that two or more oxidizing agents are simultaneously provided in the chemical mechanical polishing liquid precursor, and after the addition of the active reducing agent, the inactive oxidizing agent can be restored to oxidation activity and the oxidation efficiency is improved. , in the end, a very high polishing speed is obtained.
  • Table 1 shows the formulations of the chemical mechanical polishing liquids of Examples 1 to 29 and Comparative Examples 1 to 2 of the present invention. According to the components listed in Table 1 and their contents, the abrasives were firstly applied in deionized water. The first oxidizing agent, the second oxidizing agent and the acrylamide are uniformly mixed, and then the active reducing agent is added and uniformly mixed, and the pH is adjusted to a desired pH value to prepare a chemical mechanical polishing liquid. Table 1 Formulations of the chemical mechanical polishing liquids of Examples 1 to 29 and Comparative Examples 1 and 2 of the present invention
  • Polishing machine is Logitech (UK) 1 PM52 type, polytex polishing pad, 4cmx4cm square wafer (Wafer), grinding pressure 4psi, grinding table rotation speed 70rev/min, grinding head rotation speed 150rev/min, polishing liquid Drop rate of 100 ml / min.
  • Polishing machine is Logitech (UK) 1 PM52 type, polytex polishing pad, 4cmx4cm square wafer (Wafer), grinding pressure 4psi, grinding table rotation speed 70rev/min, grinding head rotation speed 150rev/min, polishing liquid Drop rate of 100 ml / min.
  • Comparative Example 1 shows that the polishing rate of tungsten is very low only in the presence of hydrogen peroxide.
  • Comparative Example 2 shows that: in combination with hydrogen peroxide and silver nitrate, the polishing rate of tungsten is very low. The reason is that since silver nitrate is used as an oxidizing agent, its own concentration is very low, only 0.2%. After contacting the surface of polished metal tungsten, it rapidly reacts with tungsten to form a redox product, so that the concentration is lowered and the polishing speed is lowered.
  • Examples 1 to 7 show that after the addition of the active reducing agent sulfate, the sulfate (mainly sulfate ion) restores the oxidation system of hydrogen peroxide plus silver ions, increases the oxidation efficiency, and significantly increases the polishing rate of tungsten.
  • the active reducing agent sulfate mainly sulfate ion
  • Examples 8 to 14 show that the addition of acrylamide can significantly suppress the static etching rate of tungsten while still maintaining a high polishing rate of tungsten.
  • Example 7 silver sulfate itself was both an oxidizing agent and an active reducing agent.

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Description

一种钨化学机械抛光方法
技术领域
本发明涉及化学机械抛光领域， 具体涉及一种钨化学机械抛光方法。 技术背景
随着半导体技术的不断发展， 以及大规模集成电路互连层的不断增加， 导电层和绝缘介质层的平坦化技术变得尤为关键。二十世纪 80年代，由 IBM 公司首创的化学机械抛光（CMP)技术被认为是目前全局平坦化的最有效的 方法。
化学机械抛光（CMP)由化学作用、机械作用以及这两种作用结合而成。 它通常由一个带有抛光垫的研磨台， 及一个用于承载芯片的研磨头组成。 其 中研磨头固定住芯片， 然后将芯片的正面压在抛光垫上。 当进行化学机械抛 光时， 研磨头在抛光垫上线性移动或是沿着与研磨台一样的运动方向旋转。 与此同时， 含有研磨剂的浆液被滴到抛光垫上， 并因离心作用平铺在抛光垫 上。 芯片表面在机械和化学的双重作用下实现全局平坦化。
对金属层化学机械抛光（CMP)的主要机制被认为是： 氧化剂先将金属 表面氧化成膜， 以二氧化硅和氧化铝为代表的研磨剂将该层氧化膜机械去 除， 产生新的金属表面继续被氧化， 这两种作用协同进行。
作为化学机械抛光（CMP)对象之一的金属钨， 在高电流密度下， 抗电 子迁移能力强， 并且能够与硅形成很好的欧姆接触， 所以可作为接触窗及介 层洞的填充金属及扩散阻挡层。
钨的化学机械抛光 （CMP)， 有多种方法： 1991年， F. B. Kaufman等报道了铁氰化钾用于钨化学机械抛光的方法 ( "Chemical Mechanical Polishing for Fabricating Patterned W Metal Features as Chip Interconnects", Journal of the Electro chemical Society, Vol.138, No.11 , 1991年 11月）。
美国专利 5340370公开了一种用于钨化学机械抛光 （CMP) 的配方， 其中含有 0.1 M铁氰化钾， 5%氧化硅， 同时含有作为 pH缓冲剂的醋酸盐。 由于铁氰化钾在紫外光或日光照射下， 以及在酸性介质中， 会分解出剧毒的 氢氰酸， 因而限制了其广泛使用。
美国专利 5527423， 美国专利 6008119， 美国专利 6284151等公开了 将 Fe ( N03) 3， 氧化铝体系用于钨机械抛光 （CMP) 的方法。 该抛光体系 在静态腐蚀速率 （static etch rate) 方面具有优势， 但是由于采用氧化铝作 为研磨剂， 产品缺陷 （defect) 方面存在显著不足。 同时高浓度的硝酸铁使 得抛光液的 pH值呈强酸性， 严重腐蚀设备， 同时， 生成铁锈， 污染抛光垫。 除此之外， 高浓度的铁离子作为可移动的金属离子， 严重降低了半导体元器 件的可靠性。
美国专利 5225034， 美国专利 5354490公开了将过氧化氢和硝酸银共 同使用， 用做氧化剂进行金属铜的抛光方法。 但是在该类型方法中， 硝酸银 用量很大（大于 2%)， 造成抛光液成本过高， 研磨剂不稳定、 容易沉淀， 双 氧水快速分解等问题。
美国专利 5958288公开了将硝酸铁用做催化剂， 过氧化氢用做氧化剂， 进行钨化学机械抛光的方法。 需要注意的是： 在该专利中， 提到了多种过渡 金属元素， 被实验证实显著有效的只有铁元素。 因此该发明的实际实施效果 和范围很有限。 该方法虽然大幅度降低了硝酸铁的用量， 但是由于铁离子仍 然存在， 和双氧水之间发生 Fenton反应， 双氧水会迅速、 并且剧烈地分解 失效， 因此该抛光液存在稳定性差的问题。
美国专利 5980775和美国专利 6068787在美国专利 5958288基础上， 加入有机酸做稳定剂， 一定程度上改善了过氧化氢的分解速率。但是其分解 速率仍然较高，通常两周内双氧水浓度会降低 10%以上，造成抛光速度下降， 抛光液逐渐分解失效。
欧洲专利 EP1485440 中提及 1995 年， Rodel 公司生产的产品 MSW1000中含有 30ppm金属， 主要成分是铁， 该产品和双氧水混合后， 用于钨的化学机械抛光。 铁元素可以起到显著钨的抛光速度的作用。
US5693239中用碘酸钾作为氧化剂， 进行钨的化学机械抛光。
在以上技术中， 无论是铁氰化钾， 双氧水， 硝酸银、 还是碘酸钾， 它们 作为氧化剂， 接触到金属表面后， 都会发生氧化还原反应， 被抛光的金属生 成氧化物， 氧化剂自身被还原。 由于氧化剂自身被还原， 继续氧化的能力降 低， 从而失去氧化活性， 导致抛光速度降低。 发明概要
本发明解决的技术问题是提供一种钨化学机械抛光方法，在化学机械抛 光液前体中同时存在两种或两种以上的氧化剂， 在加入活性还原剂之后， 可 以使得失去活性的氧化剂恢复氧化活性并提高氧化效率， 从而最终获得很高 的抛光速度。
本发明的钨化学机械抛光方法， 包括下列步骤： (a) 将一化学机械抛光液前体与一活性还原剂掺混， 以制备化学机械 抛光液； 和
(b) 将所述化学机械抛光液用于钨的化学机械抛光；
其中： 所述活性还原剂可以显著提高氧化剂的活性和氧化效率。
本发明中， 所述化学机械抛光液前体包括： 水，研磨剂， 第一种氧化剂， 第二种氧化剂和活性还原剂。
本发明中， 所述研磨剂选自于硅溶胶， 气相二氧化硅， 氧化铝和氧化铈 中的一种或多种。 所述研磨剂的重量百分含量为 0.1~10%。
本发明中， 所述第一种氧化剂选自于有机过氧化物和 /或无机过氧化物。 所述第一种氧化剂选自于过硫酸盐， 单过硫酸盐， 双氧水和过氧乙酸中的一 种或多种。 较佳地， 所述第一种氧化剂为双氧水。
本发明中， 所述第一种氧化剂的重量百分含量为 0.1~5%。 较佳地， 所 述第一种氧化剂的重量百分含量为 1~2%。
本发明中，所述第二种氧化剂选自于硝酸盐，硫酸盐， 溴酸盐， 氯酸盐， 碘酸盐， 高碘酸盐， 高锰酸盐， 以及具有氧化性的过渡金属盐中的一种或多 种。 较佳地， 所述第二种氧化剂选自于 Ag， Co, Cr， Cu， Mo, Mn， Nb， Ni， Os， Pd， Ru， Sn， Ti和 V盐中的一种或多种。
本发明中， 所述第二种氧化剂为可溶性银盐。 较佳地， 所述第二种氧化 剂选自于氟化银， 高氯酸银， 硫酸银和硝酸银中的一种或多种。 所述第二种 氧化剂的重量百分含量为 0.05%〜0.3%。
本发明中， 所述活性还原剂为无机盐。 较佳地， 所述活性还原剂选自于 硝酸盐， 硫酸盐， 溴酸盐， 氯酸盐， 碘酸盐， 高碘酸盐， 高锰酸盐， 以及具 有氧化性的过渡金属盐中的一种或多种。
本发明中， 所述活性还原剂选自于 Ag， Co, Cr， Cu， Mo, Mn， Nb， Ni, Os， Pd, Ru, Sn, Ti和 V盐中的一种或多种。 较佳地， 所述活性还 原剂选自于硝酸盐， 高氯酸盐和硫酸盐中的一种或多种。 更佳地， 所述活性 还原剂为硫酸盐。
本发明中， 所述活性还原剂为非金属硫酸盐。 较佳地， 所述活性还原剂 为硫酸铵和 /或四甲基铵硫酸盐。更佳地所述活性还原剂为硫酸铵。所述活性 还原剂的重量百分含量为 0.01〜 1%。
本发明中， 所述的化学机械抛光液前体还包括： 钨侵蚀抑制剂。 所述钨 侵蚀抑制剂为含有双键的酰胺。 较佳地， 所述钨侵蚀抑制剂为丙烯酰胺。 所 述钨侵蚀抑制剂的重量百分含量为 0.01~0.5%。
本发明中， 所述的化学机械抛光液前体还包括： pH 调节剂。 较佳地， 所述的化学机械抛光液的 pH值为 0.5~5。
本发明的积极进步效果在于：在化学机械抛光液前体中同时提供了两种 或两种以上的氧化剂， 并且， 在加入活性还原剂之后， 可以使得失去活性的 氧化剂恢复氧化活性并提高氧化效率， 从而最终获得很高的抛光速度。
发明内容
制备实施例 表 1给出了本发明的化学机械抛光液实施例 1 -29及对比例 1 ~2的配方， 按表 1中所列组分及其含量， 先在去离子水中将研磨剂， 第- 种氧化剂， 第 二种氧化剂和丙烯酰胺混合均匀， 再加入活性还原剂并混合均匀， 用 pH调 节剂调到所需 pH值， 即可制得化学机械抛光液。 表 1 本发明的化学机械抛光液实施例 1~29及对比例 1~2的配方
Figure imgf000007_0001
实施例 氧化
10 双氧水 1 硫酸银 0.2 0.1 3
18 铝
实施例 氧化
6 双氧水 2 硝酸银 0.3 硫酸锌 0.5 0.1 0.5 19 铝
实施例 硅溶
0.5 双氧水 2 硝酸银 0.2 硫酸铰 0.1 0.1 3 20 胶
实施例 氧化
2 双氧水 2 硫酸银 0.2 0.1 4 21 铈
实施例 氧化
2 双氧水 5 硝酸银 0.2 硫酸钾 0.3 0.3 4 22 铈
实施例 氧化
2 双氧水 5 硝酸银 0.3 硫酸铵 0.5 0.5 4 23 铈
实施例 硅溶
1 双氧水 2 氟化银 0.2 硫酸铵 0.2 0.1 1.9 24 胶
实施例 硅溶 高氯酸
双氧水 2 0.2 硫酸铵 0.2 0.1 1.9 25 胶 银
实施例 硅溶 过氧乙
2 硝酸银 0.2 高氯酸 0.2 2 26 胶 酸
实施例 硅溶 过硫酸
2 溴酸钾 0.2 硝酸锰 0.2 2 27 胶 铰
实施例 硅溶 单过硫
2 碘酸钾 0.2 硝酸铜 0.2 2 28 胶 酸钾
实施例 硅溶 单过硫 高碘酸
2 0.2 硝酸铵 1 2 29 胶 1 酸钾 铵 效果实施例
抛光条件： 抛光机台为 Logitech (英国） 1 PM52型， polytex抛光垫， 4cmx4cm正方形晶圆 （Wafer), 研磨压力 4psi， 研磨台转速 70转 /分钟， 研磨头自转转速 150转 /分钟， 抛光液滴加速度 100 ml/分钟。 表 2抛光实施例 1〜14和对比例 1〜2
Figure imgf000008_0001
实施例 4 2500 72
实施例 5 2285 70
实施例 6 2485 81
实施例 7 2310 80
实施例 8 810 2
实施例 9 1450 10
实施例 10 2100 0
实施例 11 2430 1
实施例 12 2170 1
实施例 13 2301 2
实施例 14 2010 0
对比例 1表明： 只有双氧水存在时， 钨的抛光速度很低。
对比例 2表明： 双氧水和硝酸银组合， 钨的抛光速度很低。 原因是由于 硝酸银作为氧化剂， 自身浓度非常低， 只有 0.2%， 在接触到抛光金属钨的 表面之后， 会迅速和钨反应， 生成氧化还原产物， 从而浓度降低， 抛光速度 降低。
实施例 1〜7表明： 在加入活性还原剂硫酸盐之后， 硫酸盐 （主要是硫 酸根离子）会使双氧水加银离子的氧化体系恢复活性， 提高氧化效率， 显著 提高钨的抛光速度。
实施例 8〜14表明： 加入丙烯酰胺， 可以显著抑制钨的静态腐蚀速度， 同时仍能保持很高的钨的抛光速度。
实施例 7和实施例 14中， 硫酸银自身既是氧化剂， 又是活性还原剂。

Claims

权利要求
1、 一种钨化学机械抛光方法， 包括下列步骤：
(a) 将一化学机械抛光液前体与一活性还原剂掺混， 以制备化学机械 抛光液； 和
(b) 将所述化学机械抛光液用于钨的化学机械抛光；
其中： 所述活性还原剂可以显著提高氧化剂的活性和氧化效率。
2、 根据权利要求 1所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述化 学机械抛光液前体包括： 水， 研磨剂， 第一种氧化剂和第二种氧化剂。
3、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述研 磨剂选自于硅溶胶， 气相二氧化硅， 氧化铝和氧化铈中的一种或多种。
4、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述研 磨剂的重量百分含量为 0.1~10%。
5、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 一种氧化剂选自于有机过氧化物和 /或无机过氧化物。
6、 根据权利要求 5所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 一种氧化剂选自于过硫酸盐， 单过硫酸盐， 双氧水和过氧乙酸中的一种或多 种。
7、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 一种氧化剂的重量百分含量为 0.1〜5%。
8、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 二种氧化剂选自于硝酸盐， 硫酸盐， 溴酸盐， 氯酸盐， 碘酸盐， 高碘酸盐， 高锰酸盐， 以及具有氧化性的过渡金属盐中的一种或多种。
9、 根据权利要求 8所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 二种氧化剂选自于 Ag， Co, Cr, Cu， Mo, Mn， Nb， Ni， Os, Pd， Ru， Sn, Ti和 V盐中的一种或多种。
10、根据权利要求 9所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 二种氧化剂为可溶性银盐。
11、 根据权利要求 10所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 第二种氧化剂选自于氟化银， 高氯酸银， 硫酸银和硝酸银中的一种或多种。
12、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述第 二种氧化剂的重量百分含量为 0.05~0.3%。
13、根据权利要求 1所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述活 性还原剂为无机盐。
14、 根据权利要求 13所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 活性还原剂选自于硝酸盐， 硫酸盐， 溴酸盐， 氯酸盐， 碘酸盐， 高碘酸盐， 高锰酸盐， 以及具有氧化性的过渡金属盐中的一种或多种。
15、 根据权利要求 14所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 活性还原剂选自于 Ag， Co, Cr, Cu， Mo, Mn， Nb， Ni， Os, Pd， Ru， Sn, Ti和 V盐中的一种或多种。
16、 根据权利要求 15所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 活性还原剂选自于硝酸盐， 高氯酸盐和硫酸盐中的一种或多种。
17、 根据权利要求 16所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 活性还原剂为非金属硫酸盐。
18、 根据权利要求 17所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 活性还原剂为硫酸铵和 /或四甲基铵硫酸盐。
19、 根据权利要求 1所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述活 性还原剂的重量百分含量为 0.01 〜 1 %。
20、 根据权利要求 2所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述化 学机械抛光液前体还包括： 钨侵蚀抑制剂。
21、 根据权利要求 20所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 钨侵蚀抑制剂为含有双键的酰胺。
22、 根据权利要求 21所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 钨侵蚀抑制剂为丙烯酰胺。
23、 根据权利要求 20所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述 钨侵蚀抑制剂的重量百分含量为 0.01~0.5%。
24、 根据权利要求 2任一项所述的钨化学机械抛光方法， 其特征在于： 所述化学机械抛光液前体还包括： pH调节剂。
25、 根据权利要求 24所述的钨化学机械抛光方法， pH值为 0.5〜5。
I I
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