WO2012050134A1 - ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

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wafer
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wafer processing
film
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紘平 谷口
松崎 隆行
加藤 慎也
康二 小森田
増野 道夫
竜弥 作田
理絵 加藤
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日立化成工業株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing tape used for dicing a semiconductor wafer and die bonding of a semiconductor chip obtained by dicing, a method for manufacturing a wafer processing tape, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.
  • a wafer ring is generally arranged around the semiconductor wafer, and the wafer processing tape is attached to the wafer ring. At this time, if the peeling strength between the wafer processing tape and the wafer ring is insufficient, the wafer processing tape is peeled off from the wafer ring in each process such as the dicing process and the die bonding process. May cause trouble.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is capable of improving the peel strength between the wafer ring, a wafer processing tape, a method for manufacturing the wafer processing tape, and a semiconductor using the same.
  • An object is to provide a method for manufacturing a device.
  • a wafer processing tape is a wafer processing tape that is used by being attached to a wafer ring during processing of a semiconductor wafer, and includes a peeling base material that forms the base of the tape, and a semiconductor wafer
  • An adhesive layer provided on one side of the release substrate corresponding to the planar shape, an adhesive layer provided to cover the adhesive layer, and a base film provided to cover the adhesive layer;
  • an area that protrudes outside the adhesive layer is a sticking area to the wafer ring, and the sticking area faces the center side of the adhesive layer in a plan view.
  • the convex cut portion is formed with a depth reaching the release substrate from the substrate film side.
  • a convex notch that faces the center side of the adhesive layer in a plan view corresponding to the region to be attached to the wafer ring is formed at a depth that reaches the release substrate from the substrate film side.
  • the outer portion (outer portion) of the adhesive layer and the base film is peeled off first.
  • the inner portion (inner portion) from the cut portion remains in the wafer ring in a convex shape.
  • the peeling force further acts, the inner part tries to peel by being pulled by the outer part, but the area of peeling increases and the point of action of the tension is located behind the inner part. Greater peel force is required. Therefore, with this wafer processing tape, the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be improved.
  • a plurality of cut portions are arranged along the pasting region. In this case, the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be further improved.
  • the cut portion further has a convex portion facing the outside of the adhesive layer in a plan view.
  • a liquid that generates a peeling force such as cooling water during dicing can escape from the convex portion to the outside of the wafer processing tape. Therefore, it is possible to further secure the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring.
  • the cut portion does not penetrate the peeling substrate.
  • a notch part does not act when peeling a peeling base material in the use of a tape for wafer processing, peeling of a peeling base material becomes easy.
  • 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7 is satisfied, where a is the thickness of the release substrate and d is the depth of the cut portion in the release substrate.
  • a dicing tape according to the present invention is a dicing tape used by being attached to a wafer ring during dicing of a semiconductor wafer, and a peeling base material forming the base of the tape, and an adhesive layer provided on one surface side of the peeling base material,
  • a base film provided so as to cover the pressure-sensitive adhesive layer, and the outer edge of the pressure-sensitive adhesive layer and the base film is a sticking area to the wafer ring in a plan view, and the outer edge is flat.
  • a convex cut portion facing the center side of the pressure-sensitive adhesive layer in view is formed with a depth reaching the release substrate from the substrate film side.
  • the outer edge portion of the adhesive layer and the base film is a sticking region to the wafer ring in a plan view, and the outer edge portion has a convex cut portion facing the center side of the adhesive layer. It is formed with a depth reaching the release substrate from the substrate film side.
  • the method for manufacturing a wafer processing tape according to the present invention is a method for manufacturing a wafer processing tape that is used by being affixed to a wafer ring during processing of a semiconductor wafer, and a peeling base material forming the base of the tape, and a semiconductor wafer
  • the second preparation step of preparing a pressure-sensitive adhesive film composed of layers a bonding step in which the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer face each other and the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive film are bonded together, and the pressure-sensitive adhesive layer and the base film
  • a convex incision facing the center side of the adhesive layer in plan view is formed on the peeling substrate from the base film side in a region to be attached to the wafer ring that is set to an area protruding outside the adhesive layer. It
  • a convex cut portion facing the center side of the adhesive layer in a plan view corresponding to the attachment region to the wafer ring is formed on the release substrate from the substrate film side. It is formed to reach the depth.
  • the peeling force further acts, the inner part tries to peel by being pulled by the outer part, but the area of peeling increases and the point of action of the tension is located behind the inner part. Greater peel force is required. Therefore, with this wafer processing tape, the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be improved.
  • the cutting process it is preferable to form a plurality of cutting parts along the pasting area.
  • the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be further improved.
  • the cutting step it is preferable to further form a convex portion facing the outside of the adhesive layer in plan view.
  • a liquid that generates a peeling force such as cooling water during dicing can escape from the convex portion to the outside of the wafer processing tape. Therefore, it is possible to further secure the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring.
  • a notch part so that a peeling base material may not be penetrated in a notch process.
  • peeling of a peeling base material becomes easy.
  • the incision may be formed so as to satisfy 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7, where a is the thickness of the release substrate and d is the depth of the incision. preferable. By satisfying this condition, it is possible to sufficiently exhibit the action of the cut portion.
  • the manufacturing method of the semiconductor device according to the present invention is a manufacturing method of a semiconductor device using the wafer processing tape, wherein the film laminate in which the peeling substrate is peeled from the wafer processing tape is used as an adhesive layer. Fixing to one surface side of the semiconductor wafer through, a step of fixing the wafer ring through the adhesive layer in the pasting region of the film laminate, and a step of dicing the semiconductor wafer while supplying cooling water to the dicing blade It is characterized by having.
  • the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be sufficiently secured, so that the wafer processing tape can be prevented from being peeled off from the wafer ring during the process. Therefore, workability is improved and the manufacturing yield of the semiconductor device can be secured.
  • the peel strength between the wafer ring can be improved.
  • the manufacturing yield of the semiconductor device can be secured.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. It is a figure for demonstrating the direction of a notch part. It is a figure which shows the attachment method of the tape for wafer processing to a wafer ring. It is a figure which shows the attachment state of the tape for wafer processing to a wafer ring. It is a figure which shows the dicing process of a semiconductor wafer. It is a perspective view which shows the effect
  • FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. 8.
  • FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a wafer processing tape according to the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • a wafer processing tape 1 shown in FIGS. 1 and 2 is a long tape used for dicing a semiconductor wafer and die bonding of a semiconductor chip obtained by dicing, for example, and is usually wound in a roll shape. It has become.
  • the wafer processing tape 1 has been pre-cut, and has a separation base 2 that forms the base of the tape and a predetermined distance on one side of the separation base 2 corresponding to the shape of the semiconductor wafer.
  • the adhesive layer 3 provided in a circle
  • the adhesive layer 4 provided in a circle so as to cover the adhesive layer 3
  • the base provided in the same shape as the adhesive layer 4 so as to cover the adhesive layer 4
  • the material film 5 is comprised.
  • bank portions 6 and 6 are provided that are arranged at a predetermined interval from the circular pressure-sensitive adhesive layer 4 and the substrate film 5.
  • the bank portions 6 and 6 are formed when the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the base film 5 are precut.
  • the peeling base material 2 and the adhesive bond layer 3 are formed with the below-mentioned adhesive film 18, and the base film 5 and the adhesive layer 4 are formed with the below-mentioned adhesive film 17.
  • a region protruding outward from the adhesive layer 3 is a region P attached to the wafer ring.
  • a plurality of cut portions 11 formed in a depth reaching the peeling substrate 2 from the substrate film 5 side are arranged in an annular shape.
  • the cut portion 11 has a semicircular shape or a tongue shape in a plan view, and is formed in such a direction that the center side of the adhesive layer 3 is convex.
  • the depth of the cut portion 11 is 0 ⁇ d / a ⁇ 0. 0 when the thickness a of the release substrate 2 and the depth of the cut portion in the release substrate 2 are d.
  • the direction of the cut portion 11 only needs to be convex at the center side of the adhesive layer 3, and is perpendicular to the tangent line of the adhesive layer 3 with the convex tip of the cut portion 11 as a starting point. It is not necessary for the line extending to the center of the adhesive layer 3 to pass through the center point C.
  • the number of the cut portions 11 is not particularly limited, but for example, the cut portions 11 are preferably arranged at intervals of 2 ° to 3 °.
  • the semiconductor wafer 13 and the adhesive layer 3 are diced while supplying the cooling water 16 to the dicing blade 15.
  • the adhesive layer 4 is irradiated with high energy rays to reduce the adhesive force, and the semiconductor chip with the adhesive layer 3 is picked up from the base film 5.
  • the semiconductor device is obtained by bonding the semiconductor chip to a predetermined support member via the adhesive layer 3.
  • the pressure from the cooling water 16 is applied to the wafer processing tape 1 (film laminate 12). For this reason, if the peel strength between the wafer processing tape 1 and the wafer ring 14 is insufficient, the wafer processing tape 1 may be peeled off from the wafer ring 14 and hinder dicing.
  • the wafer processing tape 1 as shown in FIG. 1, a semicircular shape or tongue piece facing the center side of the adhesive layer 3 in a plan view corresponding to the sticking area P to the wafer ring 14.
  • the cut portion 11 is formed with a depth that reaches the peeling substrate 2 from the substrate film 5 side.
  • the cut portion 11 is formed in the adhesive layer 4 and the base film 5 as shown in FIG.
  • the outer portions (outer portions 17a and 17a) are peeled off first, and the inner portion (inner portion 17b) from the cut portion 11 remains in the wafer ring 14 in a convex shape.
  • the adhesive film 17 is not limited to an ultraviolet curable film, and may be a pressure-sensitive film. Since the pressure-sensitive film is easily peeled off from the wafer ring 14, the above-described formation of the cut portion 11 is particularly useful.
  • the depth of the cut portion 11 satisfies 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7 when the thickness a of the peeling substrate 2 and the depth of the cut portion are d. And it is the depth which does not penetrate the peeling base material 2. Thereby, it becomes possible to fully exhibit the effect
  • SD-3004 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is prepared as the adhesive film 17 composed of the adhesive layer 4 and the base film 5.
  • the adhesive film 18 composed of the adhesive layer 3 and the release substrate 2 for example, HS-270 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is prepared.
  • the adhesive film 18 is adjusted so that the depth of cut into the release substrate 2 is 20 ⁇ m or less, and is subjected to a circular pre-cut process of ⁇ 320 mm, and unnecessary portions of the adhesive layer 3 are removed.
  • the adhesive layer 4 faces the adhesive layer 3, and the adhesive film 18 and the adhesive film 17 are attached under the conditions of room temperature, linear pressure 1 kg / cm, and speed 0.5 m / min. Then, the adhesive film 17 is adjusted so that the depth of cut into the release substrate 2 is 20 ⁇ m or less, and is subjected to circular precut processing with a diameter of 390 mm concentrically with the adhesive layer 3. Unnecessary portions of the film 5 are removed to form the bank portions 6 and 6. After pre-cutting the adhesive film 17, a semicircular or tongue-shaped cut portion 11 is annularly arranged using a predetermined mold at a position about 5 mm inside from the edge of the adhesive film 17. Thus, the wafer processing tape 1 is obtained.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the release substrate 2, the adhesive layer 3 provided on one surface side of the release substrate 2, the adhesive layer 4 provided so as to cover the adhesive layer 3, and the adhesive layer 4, the adhesive film 3 may not be provided as shown in FIGS. 8 and 9.
  • the dicing tape 20 includes a peeling substrate 2, a pressure-sensitive adhesive layer 4 provided on one surface side of the peeling substrate 2, and a base film 5 provided so as to cover the pressure-sensitive adhesive layer 4. May be.
  • the cut portion 11 of the dicing 20 has a semicircular shape or a tongue shape in plan view, and is formed in such a direction that the center side of the adhesive layer 4 is convex.
  • the depth of the notch 11 is the same as that of the wafer processing tape 1, and the thickness a of the release substrate 2 and the depth of the notch in the release substrate 2 are d. In this case, 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7 is satisfied, and the depth does not penetrate through the peeling substrate 2.
  • the center side of the adhesive layer 4 should just be convex.
  • the dicing tape 20 can be obtained by the following procedure. First, an adhesive film 17 composed of the adhesive layer 4 and the substrate film 5 is laminated on the release substrate 2, and the depth of cut into the release substrate 2 is 20 ⁇ m or less with respect to the adhesive film 17. In this way, circular pre-cutting is performed, unnecessary portions of the adhesive layer 4 and the base film 5 are removed, and the bank portions 6 and 6 are formed. Thereafter, the dicing tape 20 is formed by arranging the semicircular or tongue-shaped cut portions 11 in a ring shape at a position about 5 mm inside from the edge of the adhesive film 17 using a predetermined mold. can get.
  • the bank portions 6 and 6 are formed by circular precut processing of the adhesive film 17, but as shown in FIG. 10, the wafer processing tape 21 does not form the bank portions 6 and 6. May be.
  • the shape of the cut portion may be a convex shape facing the center side of the adhesive layer 3 in a plan view, and various modifications can be applied.
  • a rectangular cut portion 32 may be formed like a wafer processing tape 31 shown in FIG. 11, or a substantially V-shaped cut portion 42 may be formed like a wafer processing tape 41 shown in FIG. May be.
  • a semicircular or tongue-shaped cut portion 52 may be formed in a double manner like a wafer processing tape 51 shown in FIG.
  • Circular or tongue-shaped cut portions 62 may be formed in a zigzag pattern along two rows of annular lines, and the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the base film 5 as in the wafer processing tape 71 shown in FIG. The position from may be made random for each cut portion 72.
  • the cut portion 11 may be formed only on one side of the edge portion of the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the base film 5 as in the wafer processing tape 81 shown in FIG. If it carries out like this, when using the tape 81 for wafer processing, the peeling base material 2 can be easily peeled from the area
  • a convex portion facing the outside of the adhesive layer 3 in plan view may be further formed in the cut portion.
  • a substantially N-shaped cut portion 92 may be formed so as to be adjacent to each other in the direction, and a convex shape facing the center side of the adhesive layer 3 like the wafer processing tape 101 shown in FIG.
  • a substantially S-shaped cut portion 102 may be formed by the portion 102 a and the convex portion 102 b facing the outside of the adhesive layer 3. Further, a convex portion 112 a facing the center side of the adhesive layer 3 and a convex portion 112 b facing the outside of the adhesive layer 3 as in the wafer processing tape 111 shown in FIG. You may form the substantially X-shaped notch part 112 so that it may adjoin to radial direction.
  • the inner portions of the cut portions 92, 102, 112 are convex.
  • the inner portions of the cut portions 92, 102, 112 are formed in the convex portions 92b, 102b, 112b facing the outside of the adhesive layer 3 and cooled at the time of dicing.
  • the water 16 can escape to the outside of the wafer processing tapes 91, 101 and 111. Therefore, the peel strength between the wafer processing tapes 91, 101, 111 and the wafer ring 14 can be further secured.

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Abstract

 ウェハ加工用テープ1では、ウェハリング14への貼付領域Pに対応して、平面視において接着剤層3の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部11が基材フィルム5側から剥離基材2に到達する深さで形成されている。切込部11の形成により、ウェハ加工用テープ1に剥離力が作用すると、粘着剤層4及び基材フィルム5において切込部11よりも外側の部分が先に剥離し、切込部11よりも内側の部分は凸状をなした状態でウェハリング14に残るようになる。これにより、ウェハ加工用テープ1とウェハリング14との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ1がウェハリング14から剥離することを抑制できる。

Description

ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
 本発明は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディング等に用いられるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
 近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量・小型化の要求が急速に高まってきている。これに伴い、半導体チップの高密度実装に対するニーズが強まっており、特に半導体チップを積層するスタックドマルチチップパッケージの開発がその中心となっている。スタックドマルチパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている(例えば特許文献1参照)。
 このようなウェハ加工用テープを作製する場合、まず、剥離基材上に接着剤層を形成してなる接着フィルムと、基材フィルム上に粘着剤層を形成してなるダイシングフィルムとを用意し、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて貼り合わせる。次に、基材フィルム・接着剤層・粘着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、所望の形状のウェハ加工用テープを得る。
特開2009-88480号公報
 上述のようなウェハ加工用テープを用いて半導体ウェハの加工を行う場合、一般に半導体ウェハの周囲にウェハリングを配置し、ウェハリングにウェハ加工用テープを貼り付ける。このとき、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度が不足していると、ダイシング工程やダイボンディング工程といった各工程においてウェハ加工用テープがウェハリングから剥離してしまい、工程の実施に支障をきたすおそれがある。
 本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
 上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす剥離基材と、半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、粘着剤層及び基材フィルムは、接着剤層よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域となっており、貼付領域には、平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴としている。
 このウェハ加工用テープでは、ウェハリングへの貼付領域に対応して平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたウェハ加工用テープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分(外側部分)が先に剥離し、切込部よりも内側の部分(内側部分)は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープでは、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。
 また、切込部が貼付領域に沿って複数配列されていることが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層向上させることができる。
 また、切込部は、平面視において接着剤層の外側を向く凸状の部分を更に有していることが好ましい。この場合、例えばダイシング時の冷却水などの剥離力を生じさせる液体を上記凸状の部分からウェハ加工用テープの外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層確保できる。
 また、切込部は、剥離基材を貫通していないことが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープの使用にあたって剥離基材を剥離する際に切込部が作用しないので、剥離基材の剥離が容易になる。
 また、剥離基材の厚さをa、剥離基材における切込部の深さをdとしたときに、0<d/a≦0.7を満たすことが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。
 本発明に係るダイシングテープは、半導体ウェハのダイシング時にウェハリングに貼り付けて用いるダイシングテープであって、テープの基部をなす剥離基材と、剥離基材の一面側に設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、平面視において粘着剤層及び基材フィルムの外縁部がウェハリングへの貼付領域となっており、外縁部には、平面視において粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とする。
 このダイシングテープでは、平面視において粘着剤層及び基材フィルムの外縁部がウェハリングへの貼付領域となっており、外縁部には、粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたダイシングテープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分(外側部分)が先に剥離し、切込部よりも内側の部分(内側部分)は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このようなダイシングテープは、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。
 また、本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法は、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、テープの基部をなす剥離基材、及び半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第1の準備工程と、基材フィルム及び基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第2の準備工程と、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて接着フィルムと粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、粘着剤層及び基材フィルムにおいて、接着剤層よりも外側にはみ出す領域に設定されたウェハリングへの貼付領域に、平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部を基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成する切込工程と、を備えたことを特徴としている。
 この製造方法によって得られたウェハ加工用テープでは、ウェハリングへの貼付領域に対応して平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたウェハ加工用テープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分(外側部分)が先に剥離し、切込部よりも内側の部分(内側部分)は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープでは、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。
 また、切込工程において、切込部を貼付領域に沿って複数配列して形成することが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層向上させることができる。
 また、切込工程において、平面視において接着剤層の外側を向く凸状の部分に更に形成することが好ましい。この場合、例えばダイシング時の冷却水などの剥離力を生じさせる液体を上記凸状の部分からウェハ加工用テープの外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層確保できる。
 また、切込工程において、剥離基材を貫通しないように切込部を形成することが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープの使用にあたって剥離基材を剥離する際に切込部が作用しないので、剥離基材の剥離が容易になる。
 また、切込工程において、剥離基材の厚さをa、切込部の深さをdとしたときに、0<d/a≦0.7を満たすように切込部を形成することが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。
 また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記ウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、ウェハ加工用テープから剥離基材を剥離したフィルム積層体を、接着剤層を介して半導体ウェハの一面側に固定する工程と、フィルム積層体の貼付領域において、粘着剤層を介してウェハリングを固定する工程と、ダイシングブレードに冷却水を供給しながら半導体ウェハをダイシングする工程と、を備えたことを特徴としている。
 この半導体装置の製造方法では、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を十分に確保できるので、工程中にウェハ加工用テープがウェハリングから剥離してしまうことを抑制できる。したがって、作業性が向上し、半導体装置の製造歩留まりも確保できる。
 本発明によれば、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。また、半導体装置の製造歩留まりも確保できる。
本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。 図1におけるII-II線断面図である。 切込部の向きを説明するための図である。 ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け方法を示す図である。 ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け状態を示す図である。 半導体ウェハのダイシング工程を示す図である。 切込部の作用を示す斜視図である。 ダイシングテープの平面図である。 図8におけるIX-IX線断面図である。 別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
 以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
[ウェハ加工用テープの構成]
 図1は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。また、図2は、図1におけるII-II線断面図である。図1及び図2に示すウェハ加工用テープ1は、例えば半導体ウェハのダイシング、及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のテープであり、通常はロール状に巻かれた状態となっている。
 同図に示すように、ウェハ加工用テープ1は、プリカット加工されており、テープの基部をなす剥離基材2と、半導体ウェハの形状に対応して剥離基材2の一面側に所定の間隔で円形に設けられた接着剤層3と、接着剤層3を覆うように円形に設けられた粘着剤層4と、粘着剤層4を覆うように粘着剤層4と同形に設けられた基材フィルム5とによって構成されている。剥離基材2の幅方向の両縁部には、円形の粘着剤層4及び基材フィルム5から所定の間隔をもって配置された土手部6,6が設けられている。この土手部6,6は、粘着剤層4及び基材フィルム5のプリカット時に形成される。なお、剥離基材2及び接着剤層3は後述の接着フィルム18で形成され、基材フィルム5及び粘着剤層4は後述の粘着フィルム17で形成される。
 粘着剤層4及び基材フィルム5の縁部は、接着剤層3よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域Pとなっている。この貼付領域Pには、基材フィルム5側から剥離基材2に到達する深さで形成された複数の切込部11が環状に配列されている。切込部11は、図1に示すように、平面視において半円状又は舌片状をなしており、接着剤層3の中心側が凸となるような向きで形成されている。切込部11の深さは、図2に示すように、剥離基材2の厚さa、剥離基材2における切込部の深さをdとしたときに0<d/a≦0.7を満たし、かつ剥離基材2を貫通しない深さとなっている。切込部11の向きは、図3に示すように、接着剤層3の中心側が凸となっていればよく、切込部11の凸の先端を始点として接着剤層3の接線に対し垂直に伸びた線が接着剤層3の中心点Cを通っていなくてもよい。なお、切込部11の配列数は特に限定されないが、例えば2°~3°間隔で配列することが好ましい。
[半導体装置の作製]
 以上のようなウェハ加工用テープ1を用いて半導体装置を製造する場合、まず、図4(a)に示すように、ウェハ加工用テープ1から剥離基材2を剥離してフィルム積層体12を得る。次に、剥離基材2の剥離によって露出した接着剤層3を介し、図4(b)に示すように、フィルム積層体12を半導体ウェハ13の一面側に固定する。また、図4(b)及び図5に示すように、フィルム積層体12の貼付領域Pにおいて、粘着剤層4を介してウェハリング14を固定する。
 次に、図6に示すように、ダイシングブレード15に冷却水16を供給しながら半導体ウェハ13及び接着剤層3のダイシングを行う。ダイシングの後、粘着剤層4に高エネルギー線の照射を行って粘着力を低下させ、基材フィルム5から接着剤層3付きの半導体チップをピックアップする。この後、半導体チップを接着剤層3を介して所定の支持部材に接着することにより、半導体装置が得られる。
 上述のダイシングを行う際、ウェハ加工用テープ1(フィルム積層体12)には冷却水16からの圧力がかかる。このため、ウェハ加工用テープ1とウェハリング14との間の剥離強度が不足していると、ウェハ加工用テープ1がウェハリング14から剥がれてしまい、ダイシングに支障をきたすおそれがある。
 これに対し、ウェハ加工用テープ1では、図1に示したように、ウェハリング14への貼付領域Pに対応して、平面視において接着剤層3の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部11が基材フィルム5側から剥離基材2に到達する深さで形成されている。この切込部11の形成により、ウェハリング14に貼り付けられたウェハ加工用テープ1に剥離力が作用すると、図7に示すように、粘着剤層4及び基材フィルム5において切込部11よりも外側の部分(外側部分17a,17a)が先に剥離し、切込部11よりも内側の部分(内側部分17b)は凸状をなした状態でウェハリング14に残るようになる。
 剥離力が更に作用すると、外側部分17a,17aに引っ張られて内側部分17bが剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分17bよりも奥に位置するため、内側部分17bの剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープ1では、ウェハ加工用テープ1とウェハリング14との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ1がウェハリング14から剥離してしまうことを抑制できる。このことは、工程の作業性の向上に寄与し、半導体装置の製造歩留まり向上を実現する。なお、粘着フィルム17は、紫外線硬化型のフィルムに限られず、感圧型のフィルムであってもよい。感圧型のフィルムではウェハリング14からの剥がれが生じやすいので、上述した切込部11の形成が特に有用である。
 また、ウェハ加工用テープ1では、切込部11の深さは、剥離基材2の厚さa、切込部の深さをdとしたときに0<d/a≦0.7を満たし、かつ剥離基材2を貫通しない深さとなっている。これにより、切込部11の作用を十分に発揮させることが可能となる。また、ウェハ加工用テープ1の使用にあたって剥離基材2を剥離する際に切込部11が作用しないので、剥離基材2の剥離が容易になる。
[ウェハ加工用テープの作製]
 ウェハ加工用テープ1の作製にあたって、粘着剤層4及び基材フィルム5からなる粘着フィルム17として、例えば日立化成工業株式会社製SD-3004を用意する。また、接着剤層3及び剥離基材2からなる接着フィルム18として、例えば日立化成工業株式会社製HS-270シリーズを用意する。次に、接着フィルム18に対し、剥離基材2への切り込み深さが20μm以下となるように調節してφ320mmの円形プリカット加工を行い、接着剤層3の不要部分を除去する。この後、粘着剤層4が接着剤層3を向き合わせ、室温、線圧1kg/cm、速度0.5m/分の条件で接着フィルム18と粘着フィルム17とを貼り付ける。そして、粘着フィルム17に対し、剥離基材2への切り込み深さが20μm以下となるように調節して接着剤層3と同心円状にφ390mmの円形プリカット加工を行い、粘着剤層4及び基材フィルム5の不要部分を除去して土手部6,6を形成する。粘着フィルム17のプリカットを行った後、粘着フィルム17の縁部から約5mm内側となる位置に所定の金型を用いて半円状又は舌片状の切込部11を環状に配列して形成することにより、ウェハ加工用テープ1が得られる。
[剥離強度の評価]
 上述の製造方法で得られたウェハ加工用テープ1(実施例)に対し、切込部11を形成しないウェハ加工用テープ(比較例)を別途作製した。そして、実施例のテープから1箇所の切込部11を含む幅10mm、長さ50mmの矩形の領域を切り取り、剥離基材2を剥がした後、エタノールで洗浄した粘着剤層4及び基材フィルム5を被着体(SUS304)の表面に室温にてラミネートして第1の試験片を作製した。また、比較例のテープから上述の矩形の領域と同等の領域を切り取り、剥離基材2を剥がした後、エタノールで洗浄した粘着剤層4及び基材フィルム5を被着体(SUS304)の表面に室温にてラミネートして第2の試験片を作製した。
 そして、第1の試験片及び第2の試験片について、90°剥離強度測定を行ったところ、第1の試験片では被着体に対する粘着剤層4及び基材フィルム5の剥離強度の最大値が40N/mであったのに対し、第2の試験片では被着体に対する粘着剤層4及び基材フィルム5の剥離強度の最大値が10N/mであった。この結果から、貼付領域Pへの切込部11の形成がウェハ加工用テープ1の剥離強度の向上に寄与することが確認された。
[変形例]
 本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上述した実施形態では、剥離基材2と、剥離基材2の一面側に設けられた接着剤層3と、接着剤層3を覆うように設けられた粘着剤層4と、粘着剤層4を覆うように設けられた基材フィルム5とによって構成されているが、図8及び図9に示すように、接着剤層3を備えていなくても構わない。すなわち、剥離基材2と、剥離基材2の一面側に設けられた粘着剤層4と、粘着剤層4を覆うように設けられた基材フィルム5と、を備えたダイシングテープ20であってもよい。
 ダイシング20の切込部11は、図8に示すように、平面視において半円状又は舌片状をなしており、粘着剤層4の中心側が凸となるような向きで形成されている。切込部11の深さは、図9に示すように、ウェハ加工用テープ1の場合と同じように、剥離基材2の厚さa、剥離基材2における切込部の深さをdとしたときに0<d/a≦0.7を満たし、かつ剥離基材2を貫通しない深さとなっている。切込部11の向きは、図8に示すように、粘着剤層4の中心側が凸となっていればよい。
 ダイシングテープ20は、次のような手順で得ることができる。まず、剥離基材2上に、粘接着層4及び基材フィルム5からなる粘着フィルム17を積層し、粘着フィルム17に対し、剥離基材2への切り込みの深さが20μm以下となるように調節して円形プリカットを行い、粘接着層4及び基材フィルム5の不要部分を除去して土手部6,6を形成する。その後、粘着フィルム17の縁部から約5mm内側となる位置に所定の金型を用いて半円状又は舌片状の切込部11を環状に配列して形成することにより、ダイシングテープ20が得られる。
 また、上述した実施形態では、粘着フィルム17の円形プリカット加工によって土手部6,6を形成しているが、図10に示すように、土手部6,6を形成しないウェハ加工用テープ21であってもよい。
 また、切込部の形状は、平面視において接着剤層3の中心側を向く凸状をなしていればよく、種々の変形を適用可能である。例えば図11に示すウェハ加工用テープ31のように矩形の切込部32を形成してもよく、図12に示すウェハ加工用テープ41のように略V字状の切込部42を形成してもよい。
 さらに、例えば図13に示すウェハ加工用テープ51のように半円状又は舌片状の切込部52を2重に形成してもよく、図14に示すウェハ加工用テープ61のように半円状又は舌片状の切込部62を2列の環状ラインに沿って千鳥状に形成してもよく、図15に示すウェハ加工用テープ71のように粘着剤層4及び基材フィルム5からの位置を切込部72ごとにランダムにしてもよい。
 また、図16に示すウェハ加工用テープ81のように粘着剤層4及び基材フィルム5の縁部の一方側にのみ切込部11を形成してもよい。こうすると、ウェハ加工用テープ81を使用する際、切込部11が形成されている領域側から剥離基材2を簡単に剥がすことができる。なお、このウェハ加工用テープ81を用いる場合には、ダイシング時の冷却水16の向きを切込部11が形成されている領域に向けることが好ましい。
 一方、平面視において接着剤層3の中心側を向く凸状の部分に加え、平面視において接着剤層3の外側を向く凸状の部分を切込部に更に形成してもよい。例えば図17に示すウェハ加工用テープ91のように接着剤層3の中心側を向く凸状の部分92aと接着剤層3の外側を向く凸状の部分92bとが、接着剤層3の周方向に隣り合うように略N字状の切込部92を形成してもよく、同様の概念で、図18に示すウェハ加工用テープ101のように接着剤層3の中心側を向く凸状の部分102aと接着剤層3の外側を向く凸状の部分102bとによって略S字状の切込部102を形成してもよい。また、図19に示すウェハ加工用テープ111のように接着剤層3の中心側を向く凸状の部分112aと接着剤層3の外側を向く凸状の部分112bとが、接着剤層3の径方向に隣り合うように略X字状の切込部112を形成してもよい。
 このようなウェハ加工用テープ91,101,111では、接着剤層3の中心側を向く凸状の部分92a,102a,112aにおいて、切込部92,102,112の内側部分が凸状をなした状態でウェハリング14に残るのに対し、接着剤層3の外側を向く凸状の部分92b,102b,112bにおいて切込部92,102,112の内側部分が捲れ、ここからダイシング時の冷却水16をウェハ加工用テープ91,101,111の外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープ91,101,111とウェハリング14との間の剥離強度を一層確保できる。
 1,21,31,41,51,61,71,81,91,101,111…ウェハ加工用テープ、2…剥離基材、3…接着剤層、4…粘着剤層、5…基材フィルム、11,32,42,52,62,72,92,102,112…切込部、92a,102a,112a…凸状の部分(内向き)、92b,102b,112b…凸状の部分(外向き)、13…半導体ウェハ、14…ウェハリング、15…ダイシングブレード、16…冷却水、17…粘着フィルム、18…接着フィルム、20…ダイシングテープ、P…貼付領域。

Claims (12)

  1.  半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、
     テープの基部をなす剥離基材と、
     前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、
     前記接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、
     前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、
     前記粘着剤層及び前記基材フィルムは、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、
     前記貼付領域には、平面視において前記接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が前記基材フィルム側から前記剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とするウェハ加工用テープ。
  2.  前記切込部が前記貼付領域に沿って複数配列されていることを特徴とする請求項1記載のウェハ加工用テープ。
  3.  前記切込部は、平面視において前記接着剤層の外側を向く凸状の部分を更に有していることを特徴とする請求項1又は2記載のウェハ加工用テープ。
  4.  前記切込部は、前記剥離基材を貫通していないことを特徴とする請求項1~3のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
  5.  前記剥離基材の厚さをa、前記切込部の深さをdとしたときに、0<d/a≦0.7を満たすことを特徴とする請求項1~4のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
  6.  半導体ウェハのダイシング時にウェハリングに貼り付けて用いるダイシングテープであって、
     テープの基部をなす剥離基材と、
     前記剥離基材の一面側に設けられた粘着剤層と、
     前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、
     平面視において前記粘着剤層及び前記基材フィルムの外縁部が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、
     前記外縁部には、平面視において前記粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とするダイシングテープ。
  7.  半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、
     テープの基部をなす剥離基材、及び前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第1の準備工程と、
     基材フィルム及び前記基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第2の準備工程と、
     前記接着剤層と前記粘着剤層とを向き合わせて前記接着フィルムと前記粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、
     前記粘着剤層及び前記基材フィルムにおいて、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域に設定された前記ウェハリングへの貼付領域に、平面視において前記接着剤層の中心側を向く凸状の切込部を前記基材フィルム側から前記剥離基材に到達する深さで形成する切込工程と、を備えたことを特徴とするウェハ加工用テープの製造方法。
  8.  前記切込工程において、前記切込部を前記貼付領域に沿って複数配列して形成することを特徴とする請求項7記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  9.  前記切込工程において、平面視において前記接着剤層の外側を向く凸状の部分を前記切込部に更に形成することを特徴とする請求項7又は8記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  10.  前記切込工程において、前記剥離基材を貫通しないように前記切込部を形成することを特徴とする請求項7~9のいずれか一項記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  11.  前記切込工程において、前記剥離基材の厚さをa、前記剥離基材における切込部の深さをdとしたときに、0<d/a≦0.7を満たすように前記切込部を形成することを特徴とする請求項7~10のいずれか一項記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  12.  請求項1~6のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
     前記ウェハ加工用テープから前記剥離基材を剥離したフィルム積層体を、前記接着剤層を介して前記半導体ウェハの一面側に固定する工程と、
     前記フィルム積層体の前記貼付領域において、前記粘着剤層を介して前記ウェハリングを固定する工程と、
     ダイシングブレードに冷却水を供給しながら前記半導体ウェハをダイシングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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