CN103155109A - 晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

在晶圆加工用胶带（1）中，与对晶圆环（14）的粘贴区域（P）对应地、以从基材膜（5）侧起到达剥离基材（2）的深度形成有俯视时朝向粘接剂层（3）中心侧的半圆状或者舌片状的切口部（11）。通过切口部（11）的形成，在剥离力作用于晶圆加工用胶带（1）时，在粘着剂层（4）以及基材膜（5）中比切口部（11）更靠外侧的部分先剥离，比切口部（11）更靠内侧的部分以呈凸状的状态残留在晶圆环（14）上。由此，能够提高晶圆加工用胶带（1）与晶圆环（14）之间的剥离强度，并能够抑制在工序中晶圆加工用胶带（1）从晶圆环（14）剥离。

Description

晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及在半导体晶圆的切割以及通过切割而得到的半导体芯片的芯片焊接等中所使用的晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及使用该晶圆加工用胶带的半导体装置的制造方法。
背景技术
近年，移动设备的多功能化以及轻量小型化的要求迅速提高。伴随于此，对于半导体芯片的高密度安装的需求强烈，特别是层叠半导体芯片的堆叠式多芯片封装（Stacked Multi Chip Package）的开发成为其中心。在堆叠式多封装中，在芯片焊接工序中有时将半导体芯片彼此层叠及粘接。在这样的半导体芯片的制造工序中，能够在切割工序中的半导体晶圆的固定、芯片焊接工序中的半导体芯片与引线框等的粘接中并用的晶圆加工用胶带的导入得以推进（参照例如专利文献1）。
当制造这样的晶圆加工用胶带时，首先，准备在剥离基材上形成粘接剂层而成的粘接膜和在基材膜上形成粘着剂层而成的切割膜，并使粘接剂层与粘着剂层面对面并粘贴在一起。接下来，将基材膜、粘接剂层及粘着剂层与晶圆形状相应而进行预切割加工，得到期望形状的晶圆加工用胶带。
现有技术文献（专利文献）
专利文献1：日本特开2009-88480号公报
发明内容
发明所要解决的课题
当使用如上所述的晶圆加工用胶带进行半导体晶圆的加工时，一般在半导体晶圆的周围配置晶圆环，并在晶圆环上粘贴晶圆加工用胶带。这时，在晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度不足时，在切割工序或芯片焊接工序等各工序中，晶圆加工用胶带有可能从晶圆环剥离，有可能在工序的实施中引起故障。
本发明是为了解决上述课题而做出的，其目的在于提供一种能够提高与晶圆环之间的剥离强度的晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及使用该晶圆加工用胶带的半导体装置的制造方法。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题，本发明涉及的晶圆加工用胶带，其特征在于，是一种在半导体晶圆的加工时粘贴在晶圆环上而使用的晶圆加工用胶带，具有：剥离基材，构成胶带的基部；粘接剂层，与半导体晶圆的平面形状对应地设置在剥离基材的一面侧；粘着剂层，以覆盖粘接剂层的方式设置；以及基材膜，以覆盖粘着剂层的方式设置，粘着剂层以及基材膜的向粘接剂层的外侧延伸的区域成为对晶圆环的粘贴区域，在粘贴区域中，以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成有俯视时朝向粘接剂层的中心侧的凸状的切口部。
此晶圆加工用胶带中，与晶圆环的粘贴区域对应地以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成凸状的切口部，该凸状的切口部晶圆俯视时朝向粘接剂层的中心侧。通过切口部的形成，在剥离力作用于粘贴在晶圆环上的晶圆加工用胶带时，在粘着剂层以及基材膜中比切口部更靠外侧的部分（外侧部分）先剥离，比切口部更靠内侧的部分（内侧部分）以呈凸状的状态残留在晶圆环上。剥离力进一步起作用时，即使被外侧部分拉拽从而内侧部分要剥离，也由于剥离面积增加并且拉拽的作用点位于比内侧部分更深的位置，所以内侧部分的剥离需要更大的剥离力。因此，此晶圆加工用胶带中，能够提高晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度。
另外，较为理想的是，沿着粘贴区域排列多个切口部。这时，能够进一步提高晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度。
另外，较为理想的是，切口部还具有俯视时朝向粘接剂层的外侧的凸状的部分。这时，能够从上述凸状的部分向晶圆加工用胶带的外部放出例如切割时的冷却水等产生剥离力的液体。因此，能够进一步确保晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度。
另外，较为理想的是，切口部不贯通剥离基材。这时，在晶圆加工用胶带的使用时，由于在对剥离基材进行剥离时切口部不起作用，所以使剥离基材的剥离变得容易。
另外，较为理想的是，在设剥离基材的厚度为a、设剥离基材中的切口部的深度为d时，满足0<d/a≤0.7。通过满足此条件，能够充分发挥切口部的作用。
本发明涉及的切割胶带，其特征在于，是一种在半导体晶圆的切割时粘贴在晶圆环上而使用的切割胶带，具有：剥离基材，构成胶带的基部；粘着剂层，设置在剥离基材的一面侧；以及基材膜，以覆盖粘着剂层的方式设置，俯视时粘着剂层以及基材膜的外缘部成为对晶圆环的粘贴区域，在外缘部上以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成有俯视时朝向粘着剂层中心侧的凸状的切口部。
此切割胶带中，俯视时粘着剂层以及基材膜的外缘部是对晶圆环的粘贴区域，在外缘部上，以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成朝向粘着剂层中心侧的凸状的切口部。通过此切口部的形成，在剥离力作用于粘贴在晶圆环上的切割胶带时，粘着剂层以及基材膜中比切口部更靠外侧的部分（外侧部分）先剥离，比切口部更靠内侧的部分（内侧部分）以呈凸状的状态残留在晶圆环上。在剥离力进一步起作用时，即使被外侧部分拉拽从而内侧部分剥离，也由于剥离面积增加并且拉拽的作用点位于比内侧部分更深的位置，所以内侧部分的剥离需要更大的剥离力。因此，此切割胶带能够提高与晶圆环之间的剥离强度。
另外，本发明涉及的晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，是一种在半导体晶圆的加工时粘贴在晶圆环上而使用的晶圆加工用胶带的制造方法，具有：第一准备工序，准备粘接膜，该粘接膜由构成胶带基部的剥离基材以及粘接剂层构成，该粘接剂层与半导体晶圆的平面形状对应地设置在剥离基材的一面侧；第二准备工序，准备粘着膜，该粘着膜由基材膜以及设置在基材膜一面侧的粘接剂层构成；粘合工序，使粘接剂层与粘着剂层面对面并使粘接膜与粘着膜粘在一起；以及切口工序，在粘着剂层以及基材膜的、向粘接剂层的外侧延伸的区域设定的对晶圆环的粘贴区域中，以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成俯视时朝向粘接剂层的中心侧的凸状的切口部晶圆。
在用此制造方法而得到的晶圆加工用胶带中，与晶圆环的粘贴区域对应地以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成有俯视时朝向粘接剂层的中心侧的凸状的切口部。通过此切口部的形成，在剥离力作用于粘贴在晶圆环上的晶圆加工用胶带时，在粘着剂层以及基材膜中比切口部更靠外侧的部分（外侧部分）先剥离，并且比切口部更靠内侧的部分（内侧部分）以呈凸状的状态残留在晶圆环上。在剥离力进一步起作用时，即使被向外侧部分拉拽而内侧部分剥离，也由于剥离面积增加并且拉拽的作用点位于比内侧部分更深的位置，所以内侧部分的剥离需要更大的剥离力。因此，此晶圆加工用胶带中，能够提高晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度。
另外，较为理想的是，在切口工序中，沿着粘贴区域排列并形成多个切口部。这时，能够进一步提高晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度。
另外，较为理想的是，在切口工序中，还形成俯视时朝向粘接剂层的外侧的凸状部分。这时，能够从上述凸状的部分向晶圆加工用胶带的外部放出例如切割时的冷却水等产生剥离力的液体。因此，能够进一步确保晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度。
另外，较为理想的是，在切口工序中，以不贯通剥离基材的方式形成切口部。这时，在晶圆加工用胶带的使用时，由于在将剥离基材剥离时切口部不起作用，所以使剥离基材的剥离变得容易。
另外，较为理想的是，在切口工序中，在设剥离基材的厚度为a、设剥离基材中的切口部的深度为d时，以满足0<d/a≤0.7的方式形成切口部。通过满足此条件，能够充分地发挥切口部的作用。
另外，本发明涉及的半导体装置的制造方法，其特征在于，是一种使用上述晶圆加工用胶带的半导体装置的制造方法，具有：通过粘接剂层在半导体晶圆的一面侧固定从晶圆加工用胶带将剥离基材剥离而得到的膜层叠体的工序晶圆；在膜层叠体的粘贴区域中，通过粘着剂层固定晶圆环的工序；以及一边向切割刀片供给冷却水一边切割半导体晶圆的工序。
此半导体装置的制造方法中，由于能够充分地确保晶圆加工用胶带与晶圆环之间的剥离强度，所以能够抑制在工序中晶圆加工用胶带从晶圆环剥离。因此，操作性提高，并且还能够确保半导体装置的制造成品率。
发明的效果
通过本发明，能够提高与晶圆环之间的剥离强度。另外，还能够确保半导体装置的制造成品率。
附图说明
图1是表示本发明涉及的晶圆加工用胶带的一实施方式的俯视图。
图2是图1中的II-II线剖视图。
图3是用于说明切口部的方向的图。
图4是表示对晶圆环的晶圆加工用胶带的装配方法的图。
图5是表示对晶圆环的晶圆加工用胶带的装配状态的图。
图6是表示半导体晶圆的切割工序的图。
图7是表示切口部的作用的立体图。
图8是切割胶带的俯视图。
图9是图8中的IX-IX线剖视图。
图10是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图11是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图12是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图13是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图14是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图15是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图16是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图17是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图18是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
图19是其他变形例涉及的晶圆加工用胶带的俯视图。
具体实施方式
以下，参照附图详细说明本发明涉及的晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及使用此晶圆加工用胶带的半导体装置的制造方法的优选的实施方式。
“晶圆加工用胶带的结构”
图1是表示本发明涉及的晶圆加工用胶带的一实施方式的俯视图。另外，图2是图1中的II-II线剖视图。图1以及图2所示的晶圆加工用胶带1，是一种例如在半导体晶圆的切割以及通过切割而得到的半导体芯片的芯片焊接在所使用的长胶带，通常是卷成卷（roll）状的状态。
如同图所示，晶圆加工用胶带1构成为具有：剥离基材2，被预切割加工，构成胶带基部；粘接剂层3，与半导体晶圆的形状对应地、以规定的间隔在剥离基材2的一面侧设置为圆形；粘着剂层4，以覆盖粘接剂层3的方式设置成圆形；基材膜5，以覆盖粘着剂层4的方式设置成与粘着剂层4同形。在剥离基材2的宽度方向的两缘部上，设置了与圆形的粘着剂层4以及基材膜5具有规定的间隔而配置的堤部6、6。在粘着剂层4以及基材膜5的预切割时形成此堤部6、6。另外，用下述的粘接膜18形成剥离基材2以及粘接剂层3，用下述的粘着膜17形成基材膜5以及粘着剂层4。
粘着剂层4以及基材膜5的缘部的、向粘接剂层3的外侧延伸的区域成为对晶圆环的粘贴区域P。此粘贴区域P中环状地排列多个切口部11，该切口部11以从基材膜5侧起到达剥离基材2的深度形成。如图1所示，切口部11俯视时呈半圆状或者舌片状，并以粘接剂层3的中心侧变凸这种方向形成。如图2所示，在设剥离基材2的厚度为a、设剥离基材2中的切口部的深度是d时，切口部11的深度满足0<d/a≤0.7，并且是不贯通剥离基材2的深度。如图3所示，切口部11的方向为，粘接剂层3的中心侧变凸即可，以切口部11的凸的前端为始点、对于粘接剂层3的切线垂直延伸的线也可以不通过粘接剂层3的中心点C。另外，并不特别限定切口部11的排列数量，但较为理想的是，以例如2°～3°间隔来排列。
“半导体装置的制造”
当使用如上所述的晶圆加工用胶带1并制造半导体装置时，首先，如图4（a）所示，从晶圆加工用胶带1将剥离基材2剥离而得到膜层叠体12。接下来，如图4（b）所示，通过由于剥离基材2的剥离而露出的粘接剂层3将膜层叠体12固定在半导体晶圆13的一面侧。另外，如图4（b）以及图5所示，在膜层叠体12的粘贴区域P中通过粘着剂层4固定晶圆环14。
接下来，如图6所示，一边向切割刀片15供给冷却水16一边进行半导体晶圆13以及粘接剂层3的切割。切割之后，向粘着剂层4进行高能射线的照射而使粘着力降低，并从基材膜5拾取带有粘接剂层3的半导体芯片。之后，由通过粘接剂层3将半导体芯片粘接在规定的支承构件上而得到半导体装置。
在进行上述切割时，向晶圆加工用胶带1（膜层叠体12）施加来自冷却水16的压力。因此，在晶圆加工用胶带1与晶圆环14之间的剥离强度不足时，晶圆加工用胶带1从晶圆环14剥落，并有可能在切割中产生故障。
与此相对，如图1所示，在晶圆加工用胶带1中，与对晶圆环14的粘贴区域P对应地、以从基材膜5侧起到达剥离基材2的深度形成有俯视时朝向粘接剂层3中心侧的半圆状或者舌片状的切口部11。通过此切口部11的形成，在剥离力作用于粘贴在晶圆环14上的晶圆加工用胶带1时，如图7所示，在粘着剂层4以及基材膜5中比切口部11更靠外侧的部分（外侧部分17a、17a）先剥离，比切口部11更靠内侧的部分（内侧部分17b）以成凸状的状态残留在晶圆环14上。
在剥离力进一步起作用时，即使被外侧部分17a、17a拉拽内侧部分17b要剥离，也由于剥离面积增加并且拉拽的作用点位于比内侧部分17b更深的位置，所以内侧部分17b的剥离需要更大的剥离力。因此，此晶圆加工用胶带1中，能够提高晶圆加工用胶带1与晶圆环14之间的剥离强度，能够抑制在工序中晶圆加工用胶带1从晶圆环14剥离。此结构有助于工序的操作性的提高，并实现半导体装置的制造成品率提高。另外，粘着膜17并不限定于紫外线硬化型的膜，也可以是压敏型的膜。在压敏型的膜中由于容易产生从晶圆环14的剥落，所以上述切口部11的形成特别有用。
另外，在晶圆加工用胶带1中，在设剥离基材2的厚度是a、设切口部的深度是d时，切口部11的深度满足0<d/a≤0.7，并且是不贯通剥离基材2的深度。由此，能够充分地发挥切口部11的作用。另外，在晶圆加工用胶带1的使用时，由于在对剥离基材2进行剥离时切口部11不起作用，所以使剥离基材2的剥离变得容易。
“晶圆加工用胶带的制造”
在晶圆加工用胶带1的制造时，准备例如日立化成工业株式会社制造的SD-3004作为粘着膜17，该粘着膜17具有粘着剂层4以及基材膜5。另外，准备例如日立化成工业株式会社制造的HS-270系列作为粘接膜18，该粘接膜18具有粘接剂层3以及剥离基材2。接下来，对于粘接膜18进行调节以使对剥离基材2的切入深度为20μm以下，并进行
Figure BDA00003019880900081
的圆形预切割加工，并除去粘接剂层3的不要部分。之后，使粘着剂层4与粘接剂层3面对面，并在室温、线压力1kg/cm、速度0.5m/分的条件下将粘接膜18与粘着膜17粘在一起。而且，对于粘着膜17进行调节以使对剥离基材2的切入深度为小于等于20μm，并进行与粘接剂层3同心圆状地
Figure BDA00003019880900082
的圆形预切割加工，除去粘着剂层4以及基材膜5的不要部分，形成堤部6、6。在进行粘着膜17的预切割之后，在距离粘着膜17缘部约5mm内侧的位置使用规定的模具来环状地排列并形成半圆状或者舌片状的切口部11，由此得到晶圆加工用胶带1。
“剥离强度的评价”
对于用上述的制造方法而得到的晶圆加工用胶带1（实施例），另行制造不形成切口部11的晶圆加工用胶带（比较例）。而且，从实施例的胶带切下含有一处切口部11的宽度10mm、长度50mm的矩形区域，在剥落剥离基材2之后，在室温下在被粘附体（SUS304）的表面上层压用乙醇洗净后的粘着剂层4以及基材膜5来制造第一试验片。另外，从比较例的胶带切下与上述矩形区域同等的区域，在剥落剥离基材2之后，在室温下在被粘附体（SUS304）的表面上层压用乙醇洗净后的粘着剂层4以及基材膜5来制造第二试验片。
而且，在对于第一试验片以及第二试验片进行了90°剥离强度测量时，在第一试验片中，粘着剂层4以及基材膜5相对于被粘附体的剥离强度的最大值是40N/m，与其相对，在第二试验片中粘着剂层4以及基材膜5相对于被粘附体的剥离强度的最大值是10N/m。根据此结果可以确认，对粘贴区域P的切口部11的形成有助于晶圆加工用胶带1的剥离强度的提高。
“变形例”
本发明并不限定于上述实施方式。在例如上述实施方式中，构成为具有：剥离基材2；粘接剂层3，设置在剥离基材2的一面侧；粘着剂层4，以覆盖粘接剂层3的方式设置；以及基材膜5，以覆盖粘着剂层4的方式设置，但也可以如图8以及图9所示那样、不具有粘接剂层3。即，切割胶带20也可以是如下结构，具有：剥离基材2；粘着剂层4，设置在剥离基材2的一面侧；以及基材膜5，以覆盖粘着剂层4的方式设置。
如图8所示，切割20的切口部11俯视时成半圆状或者舌片状，并以粘着剂层4的中心侧变凸这种朝向形成。如图9所示，与晶圆加工用胶带1时同样地，在设剥离基材2的厚度是a、设剥离基材2中的切口部的深度是d时，切口部11的深度满足0<d/a≤0.7，并且是不贯通剥离基材2的深度。如图8所示，切口部11的方向只要粘着剂层4的中心侧变凸即可。
可以用以下步骤得到切割胶带2。首先，在剥离基材2上层叠粘着膜17，该粘着膜17具有粘粘接层4以及基材膜5，并对于粘着膜17进行调节以使对剥离基材2的切入深度为20μm以下，并进行圆形预切割，除去粘粘接层4以及基材膜5的不要部分，形成堤部6、6。之后，通过在距离粘着膜17缘部约5mm内侧的位置使用规定的模具来环状地排列且形成半圆状或者舌片状的切口部11，从而得到切割胶带20。
另外，在上述实施方式中，通过粘着膜17的圆形预切割加工来形成堤部6、6，但也可以如图10所示那样、晶圆是不形成堤部6、6的晶圆加工用胶带21。
另外，切口部的形状可以呈俯视时朝向粘接剂层3中心侧的凸状即可，可以使用各种变形。也可以按照例如图11所示的晶圆加工用胶带31那样形成矩形的切口部32，也可以按照图12所示的晶圆加工用胶带41那样形成大致V字形的切口部42。
并且，也可以按照例如图13所示的晶圆加工用胶带51那样形成两层半圆状或者舌片状的切口部52，也可以按照图14所示的晶圆加工用胶带61那样沿着两列环状线锯齿状地形成半圆状或者舌片状的切口部62，也可以按照图15所示的晶圆加工用胶带71那样在距离粘着剂层4以及基材膜5的位置随机形成切口部72。
另外，也可以按照图16所示的晶圆加工用胶带81那样仅在粘着剂层4以及基材膜5的缘部的一方侧形成切口部11。这样，在使用晶圆加工用胶带81时，能够从形成有切口部11的区域侧简单地剥落剥离基材2。另外，较为理想的是，当使用此晶圆加工用胶带81时，使切割时的冷却水16的方向朝向形成有切口部11的区域。
另一方面，除俯视时朝向粘接剂层3中心侧的凸状的部分之外，还可以进一步在切口部上形成俯视时朝向粘接剂层3外侧的凸状的部分。也可以按照例如图17所示的晶圆加工用胶带91那样以朝向粘接剂层3中心侧的凸状的部分92a和朝向粘接剂层3外侧的凸状的部分92b在粘接剂层3的周向上相邻的方式形成大致N字形的切口部92，按同样的概念，也可以按照图18所示的晶圆加工用胶带101那样用朝向粘接剂层3中心侧的凸状的部分102a和朝向粘接剂层3外侧的凸状的部分102b形成大致S字形的切口部102。另外，也可以按照图19所示的晶圆加工用胶带111那样以朝向粘接剂层3中心侧的凸状的部分112a和朝向粘接剂层3外侧的凸状的部分112b在粘接剂层3的径向上邻接的方式形成大致X字形的切口部112。
这样的晶圆加工用胶带91、101、111中，在朝向粘接剂层3中心侧的凸状的部分92a、102a、112a中，切口部92、102、112的内侧部分以呈凸状的状态残留在晶圆环14上，与此相对，在朝向粘接剂层3外侧的凸状的部分92b、102b、112b中，切口部92、102、112的内侧部分翻卷，能够从这里向晶圆加工用胶带91、101、111的外部放出切割时的冷却水16。因此，能够进一步确保晶圆加工用胶带91、101、111与晶圆环14之间的剥离强度。
符号说明
1、21、31、41、51、61、71、81、91、101、111…晶圆加工用胶带，
2…剥离基材，
3…粘接剂层，
4…粘着剂层，
5…基材膜，
11、32、42、52、62、72、92、102、112…切口部，
92a、102a、112a…凸状的部分（内方向），
92b、102b、112b…凸状的部分（外方向），
13…半导体晶圆，
14…晶圆环，
15…切割刀片，
16…冷却水，
17…粘着膜，
18…粘接膜，
20…切割胶带，
P…粘贴区域。

Claims (12)

1.一种晶圆加工用胶带，其特征在于，在半导体晶圆的加工时粘贴在晶圆环上而使用，该晶圆加工用胶带具有：
剥离基材，构成胶带的基部；
粘接剂层，与上述半导体晶圆的平面形状对应地、设置在上述剥离基材的一面侧；
粘着剂层，以覆盖上述粘接剂层的方式设置；以及
基材膜，以覆盖上述粘着剂层的方式设置，
上述粘着剂层以及上述基材膜的向上述粘接剂层的外侧延伸的区域成为对上述晶片环的粘贴区域，
在上述粘贴区域中，以从上述基材膜侧起到达上述剥离基材的深度形成有俯视时朝向上述粘接剂层的中心侧的凸状的切口部。
2.如权利要求1所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
沿着上述粘贴区域排列多个上述切口部。
3.如权利要求1或2所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
上述切口部还具有俯视时朝向上述粘接剂层的外侧的凸状的部分。
4.如权利要求1～3中任一项所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
上述切口部不贯通上述剥离基材。
5.如权利要求1～4中任一项所述的晶圆加工用胶带，其特征在于，
在将上述剥离基材的厚度设定为a、将上述切口部的深度设定为d时，满足0<d/a≤0.7。
6.一种切割胶带，其特征在于，在半导体晶圆的切割时粘贴在晶圆环上而使用，该切割胶带具有：
剥离基材，构成胶带的基部；
粘着剂层，设置在上述剥离基材的一面侧；以及
基材膜，以覆盖上述粘着剂层的方式设置，
俯视时上述粘着剂层以及上述基材膜的外缘部成为对上述晶圆环的粘贴区域，
在上述外缘部中，以从基材膜侧起到达剥离基材的深度形成有俯视时朝向上述粘着剂层的中心侧的凸状的切口部。
7.一种晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，是在半导体晶圆的加工时粘贴在晶圆环上而使用的晶圆加工用胶带的制造方法，具有：
第一准备工序，准备粘接膜，该粘接膜由构成胶带基部的剥离基材以及粘接剂层构成，上述粘接剂层与上述半导体晶圆的平面形状对应地、设置在上述剥离基材的一面侧；
第二准备工序，准备粘着膜，该粘着膜由基材膜以及粘着剂层构成，该粘着剂层设置在上述基材膜的一面侧；
粘合工序，使上述粘接剂层与上述粘着剂层面对面并使上述粘接膜与上述粘着膜粘在一起；以及
切口工序，在上述粘着剂层以及上述基材膜中，在向上述粘接剂层的外侧延伸的区域设定的对上述晶片环的粘贴区域中，以从上述基材膜侧起到达上述剥离基材的深度形成俯视时朝向上述粘接剂层的中心侧的凸状的切口部。
8.如权利要求7所述的晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，
在上述切口工序中，沿着上述粘贴区域排列并形成多个上述切口部。
9.如权利要求7或8所述的晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，
在上述切口工序中，在上述切口部上还形成俯视时朝向上述粘接剂层的外侧的凸状的部分。
10.如权利要求7～9中任一项所述的晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，
在上述切口工序中，以不贯通上述剥离基材的方式形成上述切口部。
11.如权利要求7～10中任一项所述的晶圆加工用胶带的制造方法，其特征在于，
在上述切口工序中，在设上述剥离基材的厚度为a、设上述剥离基材中的切口部的深度为d时，以满足0<d/a≤0.7的方式形成上述切口部。
12.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，是使用了权利要求1～6中的任一项所述的晶圆加工用胶带的半导体装置的制造方法，具有：
通过上述粘接剂层在上述半导体晶圆的一面侧固定膜层叠体的工序，该膜层叠体是从上述晶圆加工用胶带基材剥离上述剥离基材而得到的膜层叠体；
在上述膜层叠体的上述粘贴区域中，通过上述粘着剂层固定上述晶圆环的工序；以及
一边向切割刀片供给冷却水一边切割上述半导体晶圆的工序。
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