CN105793035B - 树脂膜形成用薄片层叠体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够将树脂膜形成用薄片容易从剥离薄片抽出，且能够稳定地对工件进行贴附的树脂膜形成用薄片层叠体。本发明树脂膜形成用薄片层叠体为在含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层上层叠剥离薄片而成；树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力为0.05N/25mm以下，树脂膜形成用薄片的外周部的对SUS的粘着力为1.0N/25mm以下。

Description

树脂膜形成用薄片层叠体
技术领域
本发明涉及一种容易对工件贴附树脂膜形成用薄片的树脂膜形成用薄片层叠体。
背景技术
近年来，使用被称为所谓倒装(face down)方式的封装法来进行制造半导体装置。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等的电极的半导体芯片(以下，也简称为“芯片”)，将该电极与基板接合。因此，芯片的与电路面相反侧的面(芯片背面)有露出的情形。
该露出的芯片背面，有使用有机膜进行保护的情形。以往，具有由该有机膜所构成的保护膜的芯片，为将液状树脂使用旋转涂布法而涂布在晶圆背面，进行干燥、固化且在将保护膜与晶圆同时切断而得到。但是，因为如此而形成的保护膜的厚度精确度不充分，因此制品的产率有降低的情形。
为了解决这种问题，有使用保护膜形成用薄片的情形，该保护膜形成用薄片为在具有粘着剂层的粘着片的粘着剂层上层叠半导体背面保护膜形成用薄膜而成。
此外，在以大直径的状态所制造的半导体晶圆，在被切断分离(切割)成元件小片(半导体芯片)之后，也有被移送至下一个步骤即接合(bonding)步骤的情形。此时，半导体晶圆在预先被贴附在粘接薄片的状态下实施切割、洗净、干燥、扩展(expanding)及拾取(pick up)的各步骤之后，被移送至下一个步骤的接合步骤。
在所述步骤之中，为了将拾取步骤及接合步骤的程序简化，提出了各种同时兼备晶圆固定功能与管芯粘接功能的切割-管芯接合用粘接薄片。例如，通过使用所述粘接薄片，能够得到在背面贴附有粘接剂层的半导体芯片，使得有机基板-芯片间、引线框-芯片间、芯片-芯片间等的管芯直接接合成为可能。
在专利文献1(特开2005-350520号公报)中，记载了一种具有将剥离基材、粘接层、粘着层及基材薄膜依次层叠而成的结构的粘接薄片，作为切割-管芯接合用粘接薄片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2005-350520号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
在半导体装置的制造步骤中，将上述的半导体背面保护膜形成用薄膜、具有粘接层等树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片，贴附在半导体晶圆等的工件上。但是，在将树脂膜形成用薄片贴附在工件的步骤中，在树脂膜成型用薄片的端部无法从剥离基材(剥离薄片)顺利地进行抽出时，存在树脂膜形成用薄片无法使用的情形。即，抽出后的树脂膜形成用薄片本身为在互相重叠的方向弯曲而贴附，或是已从剥离薄片抽出后的树脂膜形成用薄片贴附(移附、転着)在剥离薄片，致使树脂膜形成用薄片无法从剥离薄片抽出的情形。
本发明的目的在于解决上述技术问题。即，本发明的目的为提供一种能够将树脂膜形成用薄片从剥离薄片容易抽出，且能够稳定地进行对工件的贴附的树脂膜形成用薄片层叠体。
解决技术问题的技术手段
为了实现上述目的，本发明人等专心研究，结果发现通过控制在树脂膜形成用薄片的端部(外周部)的剥离薄片的剥离力及对SUS的粘着力，能够实现上述目的，进而完成了本发明。
本发明包含以下的要旨。
[1]一种树脂膜形成用薄片层叠体，其为在含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层上层叠剥离薄片而成；树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力为0.05N/25mm以下，树脂膜形成用薄片的外周部的对SUS的粘着力为1.0N/25mm以下。
[2]如[1]所述的树脂膜形成用薄片层叠体，其中在剥离薄片中，从树脂膜形成层侧的面沿着树脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且切入部的切入深度为大于剥离薄片的厚度的1/2。
[3]如[1]或[2]所述的树脂膜形成用薄片层叠体，其中剥离薄片的厚度为50μm以上。
[4]如[3]所述的树脂膜形成用薄片层叠体，其中在剥离薄片中，从树脂膜形成层侧的面沿着树脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且切入部的切入深度为大于25μm。
发明效果
使用本发明的树脂膜形成用薄片层叠体时，在将树脂膜形成用薄片从剥离薄片抽出时，能够防止抽出后的树脂膜形成用薄片本身在互相重叠的方向弯曲而贴附，或是树脂膜形成用薄片移附在剥离薄片上。
附图说明
图1(a)为进行将含有支撑薄片11及树脂膜形成层12的树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32的操作的一系列的步骤图。
图1(b)为进行将含有支撑薄片11及树脂膜形成层12的树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32的操作的一系列的步骤图。
图1(c)为进行将含有支撑薄片11及树脂膜形成层12的树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32的操作的一系列的步骤图。
图1(d)为进行将含有支撑薄片11及树脂膜形成层12的树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32的操作的一系列的步骤图。
图2为表示本发明的树脂膜形成用薄片层叠体的平面图。
图3为表示将图1所表示的树脂膜形成用薄片沿着A-A线切断时的示意剖面图(第一形态的树脂膜形成用薄片)。
图4为表示第二形态的树脂膜形成用薄片的示意剖面图。
图5为表示第三形态的树脂膜形成用薄片的示意剖面图。
图6为表示第四形态的树脂膜形成用薄片的示意剖面图。
图7为以往进行将由支撑薄片及树脂膜形成层所构成的层叠体贴附在半导体晶圆32的操作的一系列的步骤图。
具体实施方式
以下，详细地说明本发明的树脂膜形成用薄片层叠体。
本发明的树脂膜形成用薄片层叠体，为在含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层上层叠剥离薄片而成的形态。在这样结构的树脂模形成用薄片层叠体中，在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力为0.05N/25mm以下，在树脂膜形成用薄片的外周部的对SUS的粘着力为1.0N/25mm以下。
在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力大于0.05N/25mm时，及/或在树脂膜形成用薄片的外周部的对SUS的粘着力大于1.0N/25mm时，图1所示的树脂膜形成用薄片层叠体100的树脂膜形成用薄片10贴附于工件32的步骤(以下，有记载为“工件贴附步骤”的情形)中，将树脂膜形成用薄片从剥离薄片抽出时，抽出后的树脂膜形成用薄片的支撑薄片之间或在树脂膜形成层之间为在互相重叠的方向弯曲而贴附，或是树脂膜形成用薄片移附在剥离薄片上。其结果，树脂膜形成用薄片变得无法使用。该问题为无论图1所示的工件的贴附步骤如何，将树脂膜形成用薄片层叠体的树脂膜形成用薄片贴附在工件时(例如通过手工作业而除去树脂膜形成用薄片层叠体的剥离薄片，而将树脂膜形成用薄片贴附在工件时等)均同样地产生问题。
根据本发明的树脂膜形成用薄片层叠体，即使在图1所示的工件贴附步骤和例如通过手工作业的工件贴附步骤中，由于将树脂膜形成用薄片10从剥离薄片13抽出变得容易，且能够稳定地进行对工件32的贴附，因此能够消除上述问题。
此外，如图2～图6所显示，在树脂膜形成用薄片层叠体100中，在剥离薄片13上从树脂膜形成层侧的面沿着树脂膜形成用薄片10的外周而形成有切入部D1，且切入部D1的切入深度d1优选大于剥离薄片的厚度的1/2，较优选为3/5～4/5。通过设置规定深度的切入部D1，而能够容易地在树脂膜形成用薄片10与剥离薄片13的表面制作出剥离起点。其结果，树脂膜形成用薄片的抽出性提高。此外，通过将切入部D1设为规定深度，在工件贴附步骤中，能够防止起因于在剥离薄片的长度方向(流动方向)所承受的应力致使的剥离薄片产生断裂。
此外，通过形成切入部D1，在树脂膜形成用薄片层叠体的制造步骤中，能够将树脂膜形成用薄片确实地切断成为规定形状。此外，通过在剥离薄片上形成规定深度的切入部D1，即使例如剥离薄片的厚度为50μm以上时，将树脂膜形成用薄片层叠体卷起成卷状变得容易且保存时具有优异的收纳性。
此外，在图1所显示的工件贴附步骤中，剥离薄片为在其长度方向(流动方向)承受应力。若不在剥离薄片形成切入部D1，该应力传播至树脂膜形成层，致使树脂膜形成层有在流动方向延伸的情形。树脂膜形成层的变形(延伸)为使其厚度精确度降低。其结果，有导致使用该树脂膜形成层而得到的半导体装置的可靠性降低的原因的情形。通过在剥离薄片形成规定深度的切入部，能够缓解在树脂膜形成层承受的应力且能够抑制树脂膜形成层的变形。
此外，剥离薄片的厚度为50μm以上时，剥离薄片的韧性变强，剥离薄片有变为不容易弯曲的倾向。此外，通常相较于剥离薄片，树脂膜形成用薄片的韧性有较弱的倾向。因此，在工件贴附步骤中，为将图1所显示的剥离板64碰触树脂膜形成用薄片层叠体100的剥离薄片13，不使剥离薄片13在剥离板64侧弯曲成锐角时，在树脂膜形成用薄片10与剥离薄片13的表面制作剥离起点变得困难，且有无法将树脂膜形成用薄片抽出的情形。但是，50μm以上的厚度的剥离薄片即使在使用剥离板时，由于其厚度致使剥离板侧难以弯曲成锐角，如图7所示，树脂膜形成用薄片的抽出是困难的。
在本发明中，通过使树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力及对SUS的粘着力为上述范围，即使剥离薄片的厚度为50μm以上时，也能够使树脂膜形成用薄片10的从剥离薄片13的抽出容易且能够将树脂膜形成用薄片稳定地贴附在工件上。从上述的观点而言，在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力，优选为0.001～0.05N/25mm，更优选为0.01～0.04N/25mm。在树脂膜形成用薄片的外周部的对SUS的粘着力，优选为0.01～1.0N/25mm，更优选为0.1～0.8N/25mm。
剥离薄片的厚度为50μm以上时，切入部D1的切入深度d1优选为大于25μm。具体而言，剥离薄片的厚度为50μm时，切入部D1的切入深度d1优选为大于25μm，更优选为30～40μm，剥离薄片的厚度为100μm时，切入部D1的切入深度d1优选为大于50μm，更优选为60～80μm。此外，本发明的切入深度为：使用光学显微镜以倍率300倍任意地测定4点在剥离薄片上所形成的切入部在剥离薄片的厚度方向上的深度，且将其平均而算出。
树脂膜形成用薄片层叠体的形态
支撑薄片11及树脂膜形成层12被切断为所需要的平面形状且部分地被层叠在剥离薄片13上。在此，在支撑薄片11和树脂膜形成层12的所谓所需要的平面形状，例如图2所示，只要支撑薄片11和树脂膜形成层12为部分地被层叠在剥离薄片13上的状态，就没有特别限定。
作为支撑薄片11的平面形状，以容易贴附在后述半导体装置的制造步骤所使用的环状框(ring frame)等夹具的形状为优选，例如，可举出圆形、近似圆形、四角形、五角形、六角形、八角形、晶圆形状(圆的外周的一部分为直线的形状)等。所述之中，为了减少贴附于环状框的部分以外的多余部分，以圆形和晶圆形状为优选。
此外，作为树脂膜形成层12的平面形状，优选为与半导体晶圆等工件的平面形状一致的形状，例如以圆形、近似圆形、四角形、五角形、六角形、八角形、晶圆形状(圆的外周的一部分为直线的形状)等容易贴附在工件的形状为优选。所述之中，为了减少贴附于工件的部分以外的多余部分，以圆形和晶圆形状为优选。
(第一形态)
图2为表示本发明的树脂膜形成用薄片层叠体100的第一形态的平面图，图3为将图2所表示的树脂膜形成用薄片层叠体100沿着A-A线切断时的简略式剖面图。
如图2及图3所示，第一形态的树脂膜形成用薄片层叠体100，其支撑薄片11的直径比树脂膜形成层12的直径大。此外，支撑薄片11为由基材11a及粘着剂层11b所构成的粘着片。此外，在剥离薄片13上，除了切入部D1以外，也可沿着树脂膜形成层12的外周形成切入部D2。
在第一形态中，切入部D2的切入深度d2为没有特别限定，可以与切入部D1的切入深度d1相同，也可以较大且也可以较小，优选为大于剥离薄片的厚度的1/2，更优选为3/5～4/5。此外，剥离薄片的厚度为50μm以上时，切入部D2的切入深度d2优选大于25μm。具体而言，剥离薄片的厚度为50μm时，切入部D2的切入深度d2优选大于25μm，更优选为30～40μm，剥离薄片的厚度为100μm时，切入部D2的切入深度d2优选为大于50μm，更优选为60～80μm。依照树脂膜形成层的组成，有与剥离薄片粘接性变高，在工件贴附步骤中无法将树脂膜形成层抽出的情形。即使在这种情形下，通过设置规定深度的切入部D2，由于能够在树脂膜形成层12与剥离薄片13的表面制作出剥离起点，因此树脂膜形成层12的抽出性提高。
此外，通过设置规定深度的切入部D2，在工件贴附步骤中，能够容易地抑制由于在剥离薄片的长度方向(流动方向)所承受的应力所致的树脂膜形成层的变形。
在第一形态中，在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力，为在粘着剂层11b的外周部与剥离薄片13的表面所测得的物性值。在第一形态的所述物性值能够通过调整构成后述的粘着剂层11b的成分和粘着剂层11b的厚度而控制。此外，含有能量线固化性化合物(B)或能量线固化型聚合物(AB)作为构成粘着剂11b的成分时，在第一形态的上述物性值为能量线照射前的物性值。
(第二形态)
图4为第二形态的树脂膜形成用薄片层叠体100的简略式剖面图。在第二形态的树脂膜形成用薄片层叠体100的脂膜形成用薄片10中，在俯视下的支撑薄片11与树脂膜形成层12为相同形状。
如图4所示，可以使用由基材11a及粘着剂层11b所构成的粘着片作为支撑薄片，也可只使用基材11a作为支撑薄片。
在第二形态，在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力，为在树脂膜形成层12的外周部与剥离薄片13的表面所测得的物性值。在第二形态的所述物性值能够使用能量线固化性化合物(B)或能量线固化型聚合物(AB)作为构成树脂膜形成层的成分，且通过仅对树脂膜形成层的外周部照射能量线等手段来控制。作为这些手段，例如可举出通过印刷等在支撑薄片的内周部设置能量线遮蔽层，且从支撑薄片侧对树脂膜形成层照射能量线的方法、或预先仅对树脂膜形成层的外周部进行能量线照射，随后，与支撑薄片层叠的方法等。
(第三形态)
图5为第三形态的树脂膜形成用薄片层叠体100的简略式剖面图。在第三形态的树脂膜形成用薄片层叠体100的树脂膜形成用薄片10中，在俯视下的支撑薄片11与树脂膜形成层12为相同形状。此外，在树脂膜形成用薄片10的外周部且剥离薄片13与树脂膜形成层12之间，设置有夹具粘接层14。此外，在剥离薄片13，除了切入部D1以外，也可沿着环状夹具粘接层14的内周形成切入部D3。
如图5所示，可以使用由基材11a及粘着剂层11b所构成的粘着片作为支撑薄片，也可只使用基材11a作为支撑薄片。
在第三形态中，切入部D3的切入深度d3为没有特别限定，可以与切入部D1的切入深度d1相同，也可以较大且也可以较小，优选为大于剥离薄片的厚度的1/2，更优选为3/5～4/5。此外，剥离薄片的厚度为50μm以上时，切入部D3的切入深度d3优选为大于25μm。具体而言，为剥离薄片的厚度为50μm时，切入部D3的切入深度d3优选为大于25μm，更优选为30～40μm，剥离薄片的厚度为100μm时，切入部D3的切入深度d3优选为大于50μm，更优选为60～80μm。通过设置规定深度的切入部D3，在工件贴附步骤中，能够容易地抑制由于在剥离薄片的长度方向(流动方向)所承受的应力所致的树脂膜形成层的变形。
在第三形态中，在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力为在夹具粘接层14与剥离薄片13的表面所测得的物性值。在第三形态的所述物性值能够通过调整构成后述的夹具粘接层的成分或夹具粘接层的厚度来控制。此外，含有能量线固化性化合物(B)或能量线固化型聚合物(AB)作为构成夹具粘接层的成分时，第三形态的上述物性值为能量线照射前的物性值。
(第四形态)
图6为第四形态的树脂膜形成用薄片层叠体100的简略式剖面图。第四形态的树脂膜形成用薄片层叠体100，在俯视的支撑薄片11的直径大于树脂膜形成层12的直径。此外，也可在树脂膜形成用薄片的外周部且剥离薄片13与支撑薄片11之间设置夹具粘接层14。此外，在剥离薄片13，除了切入部D1以外，也可在沿着树脂膜形成层12的外周形成切入部D2。而且，在剥离薄片13，也可沿着环状夹具粘接层14的内周形成切入部D3。切入部D2的切入深度d2、切入部D3的切入深度d3或由它们引发的效果，如已在第一形态或第三形态中说明的。此外，作为夹具粘接层14与第三形态同样，后述其结构。
可以使用由基材11a及粘着剂层11b所构成的粘着片作为支撑薄片，也可以如图6所示，只使用基材11a作为支撑薄片。
在第四形态中，在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力为在夹具粘接层14与剥离薄片13的表面所测得的物性值。在第四形态的所述物性值能够通过调整构成后述的夹具粘接层的成分和夹具粘接层的厚度来控制。此外，含有能量线固化性化合物(B)或能量线固化型聚合物(AB)作为构成夹具粘接层的成分时，第四形态的上述物性值为能量线照射前的物性值。
树脂膜形成用薄片层叠体的结构
本发明的树脂膜形成用薄片层叠体，为在含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层上层叠剥离薄片而成。
此外，如已在第三形态和第四形态说明，树脂膜形成用薄片也可含有夹具粘接层。以下，针对构成树脂膜形成用薄片层叠体的各层进行说明。
(支撑薄片)
作为支撑薄片，例如能够使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜、聚胺酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、离子聚合物树脂薄膜、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯·(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、氟树脂薄膜等。此外，也可使用它们的交联薄膜。而且也可为它们的层叠薄膜。
此外，如图3～5所示，作为支撑薄片11，也能够使用由基材11a及粘着剂层11b所构成的粘着片。
在使用粘着片作为支撑薄片时，在树脂膜形成用薄片上容易对工件施行切割等所需要的加工。在该形态，树脂膜形成层被层叠在设置于基材上的粘着剂层上。作为基材，可举出已例示作为支撑薄片的上述的薄膜。
粘着剂层能够通过使用以往公知的各种粘着剂形成而得到。粘着剂为通常含有聚合物(A)。由于在本发明优选使用能量线固化性粘着剂，因此除了聚合物(A)以外，优选含有能量线固化性化合物(B)。
能量线固化性化合物(B)含有能量线聚合性基团，受到紫外线、电子束等能量线的照射时，具有聚合固化且使粘着剂的粘着性降低的功能。在本发明的能量线聚合性基团为具有聚合性的碳-碳双键的官能团，作为具体的例子，可举出乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酰基等，可举出优选为(甲基)丙烯酰基。由于本发明的能量线聚合性基团在自由基的存在下生成自由基且容易引发加聚反应，因此不是指不具有聚合性的双键。例如虽然构成能量线固化性粘着剂的各成分也可含有芳香环，但是芳香环的不饱和构造不意味着本发明的能量线聚合性基团。
此外，作为兼备上述成分(A)及(B)的性质的，也能够使用在主链或侧链键合能量线聚合性基团而成的能量线固化型聚合物(以下，有记载为成分(AB)的情形)。这种能量线固化型聚合物(AB)具有兼备作为聚合物的功能及能量线固化性的性质。
作为能量线固化性粘着剂，没有特别限定，以丙烯酸类粘着剂作为例子而具体地说明。丙烯酸类粘着剂含有丙烯酸类聚合物(A1)作为聚合物(A)。
作为丙烯酸类聚合物(A1)，能够使用以往公知的丙烯酸类聚合物。丙烯酸类聚合物(A1)的重均分子量(Mw)，优选为1万～200万，更优选为10万～150万。此外，丙烯酸类聚合物(A1)的玻璃化转变温度(Tg)优选为-70～30℃，更优选为-60～20℃的范围。若提高丙烯酸类聚合物(A1)的重均分子量或玻璃化转变温度，上述的剥离力或粘着力降低；若降低重均分子量或玻璃化转变温度，则该剥离力或该粘着力有上升的倾向。
构成丙烯酸类聚合物(A1)的单体，含有至少一种(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。
具体而言，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯。(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十八酯等烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸环烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烷酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸酰亚胺酯等具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯等含羟基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-环氧环己基甲酯等含有环氧基的(甲基)丙烯酸酯；胺基(甲基)丙烯酸单甲酯、胺基(甲基)丙烯酸单乙酯、胺基(甲基)丙烯酸二乙酯等含胺基的(甲基)丙烯酸酯、2-(甲基)丙烯酰氧基苯二甲酸乙酯、2-(甲基)丙烯酰氧基苯二甲酸丙酯等含羧基的(甲基)丙烯酸酯。
此外，也可以将(甲基)丙烯酸、衣康酸、乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯等共聚。
所述可单独使用一种，也可并用两种以上。
此外，在本说明书中，(甲基)丙烯酰基有以包含丙烯酰基及甲基丙烯酰基这两者的意思而使用的情形。
丙烯酸类聚合物(A1)也可以被交联。将丙烯酸类聚合物(A1)交联时，交联前的丙烯酸类聚合物(A1)具有羟基等交联性官能团，且在用以形成粘着剂层的组合物中添加交联剂。通过交联性官能团与交联剂所具有的官能团反应，丙烯酸类聚合物(A1)被交联。通过将丙烯酸类聚合物(A1)交联，可调节粘着剂层的凝聚力。
作为交联剂，可举出有机多元异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物等。
作为有机多元异氰酸酯化合物，能够举出芳香族多元异氰酸酯化合物、脂肪族多元异氰酸酯化合物、脂环族多元异氰酸酯化合物及所述有机多元异氰酸酯化合物的三聚物、以及使这些有机多元异氰酸酯化合物与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨酯预聚物等。
作为有机多元异氰酸酯化合物，具体而言可举出2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二甲基二异氰酸酯、1,4-苯二甲基二异氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯、赖氨酸异氰酸酯、及它们的多元醇加成物(例如，三羟甲基丙烷加成甲苯二异氰酸酯)。
作为有机多元亚胺化合物，具体而言，能够举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶羧酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶羧酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
相对于交联前的丙烯酸类聚合物100质量份，交联剂通常为0.01～20质量份，优选为0.1～15质量份，更优选以0.5～12质量份的比例添加。若增加交联剂的添加量，则上述的剥离力和粘着力降低；若减少交联剂的添加量，该剥离力和该粘着力有上升的倾向。
在本发明中，针对构成粘着剂层的成分的含量的形态，将丙烯酸类聚合物的含量规定作为基准的情况下，为丙烯酸类聚合物交联而成的丙烯酸类聚合物时，作为其基准的含量，为交联前的丙烯酸类聚合物的含量。
能量线固化性化合物(B)为受到紫外线、电子束等能量线照射时聚合固化的化合物。作为该能量线固化性化合物的例子，可举出具有能量线聚合性基团的低分子量化合物(单官能、多官能的单体及寡聚物)，具体而言，为能够使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯、二环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯等含环状脂肪族骨架的丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、衣康酸寡聚物等丙烯酸酯类化合物。这些化合物为在分子内具能量线聚合性基团，通常分子量为100～30000，更优选为300～10000左右。
通常，相对于成分(A)(包括后述的能量线固化型聚合物(AB))100质量份，具有能量线聚合性基团的低分子量化合物优选为0～200质量份，更优选为1～100质量份，进一步优选以1～30质量份左右的比例使用。
兼备上述成分(A)及(B)的性质的能量线固化型聚合物(AB)，为在聚合物的主链、侧链或末端键合能量线聚合性基团而成。
键合在能量线固化型聚合物的主链、侧链或末端的能量线聚合性基团，可以经由亚烷基、亚烷氧基(Alkyleneoxy)、聚亚烷氧基而键合在能量线固化型聚合物的主链、侧链或末端。
能量线固化型聚合物(AB)的重均分子量(Mw)以1万～200万为优选，以10万～150万为更优选。此外，能量线固化型聚合物(AB)的玻璃化转变温度(Tg)以-70～30℃为优选，更优选为-60～20℃的范围。此外，使后述的含有羟基等官能团的丙烯酸类聚合物与含聚合性基团的化合物反应得到的能量线固化型聚合物(AB)的情况，Tg为与含聚合性基团的化合物反应前的丙烯酸类聚合物的Tg。提高能量线固化型聚合物(AB)的重均分子量或玻璃化转变温度时，上述的剥离力和粘着力降低；降低重均分子量或玻璃化转变温度时，该剥离力和该粘着力有上升的倾向。
能量线固化型聚合物(AB)，为例如能够使含有羟基、羧基、胺基、取代胺基、环氧基等官能团的丙烯酸类聚合物、与每1分子具有1～5个与该官能团反应的取代基及能量线聚合性碳-碳双键的含聚合性基团的化合物反应而得到。丙烯酸类聚合物优选为具有羟基、羧基、胺基、取代胺基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物与构成前述成分(A)的单体所构成的共聚物。作为该含聚合性基团的化合物，可举出异氰酸(甲基)丙烯酰氧基乙酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、(甲基)丙烯酸等。
使含有羟基等官能团的丙烯酸类聚合物、与含聚合性基团的化合物反应而得到能量线固化性聚合物(AB)时，能量线固化型聚合物(AB)与上述的丙烯酸类聚合物(A1)同样，也可以被交联。
含有如上述的丙烯酸类聚合物(A1)、能量线固化性化合物(B)及/或能量线固化型聚合物(AB)的丙烯酸类粘着剂，通过能量线照射而固化。作为能量线，具体而言能够使用紫外线、电子束等。
此外，通过在能量线固化性化合物(B)、能量线固化型聚合物(AB)中组合光聚合引发剂，能够使聚合固化时间缩短，以及减少光线照射量。
作为这些光聚合引发剂，可举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羟基环己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋兰姆单硫醚、偶氮双异丁腈、苯偶酰(benzil)、联苄(dibenzyl)、联乙酰、1,2-二苯基甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯膦氧化物及β-氯蒽醌等。光聚合引发剂为能够单独一种使用，或可组合两种类以上而使用。
光聚合引发剂的添加比例相对于能量线固化性化合物(B)和能量线固化性聚合物(AB)的总量100质量份，优选含有0.1～10质量份，更优选含有1～5质量份。
光聚合引发剂的添加比例小于0.1质量份时，因光聚合不足而有无法得到满足的固化性的情形，大于10质量份时，有生成对光聚合没有帮助的残留物且成为不良的原因的情形。
支撑薄片的厚度通常为10～500μm，优选15～300μm，更优选为20～250μm。设置粘着剂层时，在支撑薄片中，粘着剂层的厚度为以2～20μm为优选，更优选为3～15μm，进一步优选为4～10μm。粘着剂层的厚度过小时，有不能显现充分的剥离力和粘着力的情形，此外，粘着剂层的厚度过大时，剥离力和粘着力变高，有无法发挥本发明的效果的情形。
(树脂膜形成层)
本发明的树脂膜形成层，可根据薄片的用途而从后述的薄膜状粘接剂、粘接剂层、保护膜形成层等具有各种功能的树脂中适当地选择。
<薄膜状粘接剂>
树脂膜形成层为可为薄膜状粘接剂。近年来，在芯片的管芯接合步骤中，大多使用这种薄膜状粘接剂。这样的薄膜状粘接剂优选将环氧类粘接剂或聚酰亚胺类粘接剂制膜且半固化而成(B-阶段状态)，且能够在上述的支撑薄片上以能够剥离的方式形成。
薄膜状粘接剂被贴附在工件上。通过将该工件及薄膜状粘接剂切割成为芯片大小，能够得到附有粘接剂的芯片，将其从支撑薄片拾取且经由粘接剂而将芯片固定在规定位置。此外，在拾起附有粘接剂的芯片时，优选进行扩展。
<粘接剂层>
本发明的树脂膜形成用薄片，也可以是同时兼备切割时的晶圆固定功能及管芯接合时的芯片粘接功能的切割·管芯接合兼用薄片。
树脂膜形成用薄片为切割·管芯接合兼用薄片时，在切割步骤中，树脂膜形成层为保持工件或已将工件个片化后的芯片，且在切割时与工件同时被切断而形成与芯片相同形状的树脂膜形成层。然后，切割结束后，若进行芯片的拾取，则树脂膜形成层与芯片同时从支撑薄片剥离。在管芯接合时，树脂膜形成层作为用于将芯片固定的粘接剂而发挥功能。将附有树脂膜形成层的芯片载置在基板且进行加热等，经由树脂膜形成层而将芯片、与基板和其他芯片等被粘接物粘接。
树脂膜形成用薄片为这样的切割、管芯接合兼用薄片时，在支撑薄片上形成具有感压粘接性且兼备芯片粘接功能的粘接剂层作为树脂膜形成层而成。这样的兼备晶圆固定功能与管芯粘接功能的树脂膜形成层，例如含有前述的丙烯酸类聚合物(A1)及环氧类粘接剂，而且可以根据需要而含有能量线固化性化合物(B)、能量线固化型聚合物(AB)或固化助剂等。此外，在附有粘接剂层的芯片的拾取时，优选与前述同样地进行扩展。
<保护膜形成层>
而且，树脂膜形成用薄片被用作用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成用薄片时，树脂膜形成层也可以是用于在芯片的背面形成保护膜的保护膜形成层。
此时，将工件贴附在保护膜形成层且使保护膜形成层固化而作为保护膜，随后，将工件及保护膜切割而能够得到附有保护膜的芯片。此外，也可以将工件贴附在保护膜形成层，将工件及保护膜形成层切割而得到附有保护膜形成层的芯片，随后，将保护膜形成层固化而得到附有保护膜的芯片。
这样的保护膜形成用薄片，在支撑薄片上具有当作保护膜的粘接性的树脂层(保护膜形成层)作为树脂膜形成层。这样的当作保护膜的树脂膜形成层，例如含有前述的丙烯酸类聚合物(A1)、环氧粘接剂及固化助剂，而且也可根据需要含有能量线固化性化合物(B)、能量线固化型聚合物(AB)、填料等。
树脂膜形成层的厚度依照其用途而各式各样且大约为1～300μm，优选为10～200μm，特别优选为20～100μm。
(夹具粘接层)
作为夹具粘接层，能够采用由粘着剂层单体所构成的粘着部件、由基材及粘着剂层所构成的粘着部件、及具有芯材的两面粘着部件。夹具粘接层例如为环状(ring type)，具有空洞部(内部开口)且具有能够固定在环状框等的夹具的大小。具体而言，环状框的内径比夹具粘接层的外径更小。此外，环状框的内径比夹具粘接层的内径稍大。此外，环状框通常为金属或塑料的成形体。
将由粘着剂层单体所构成的粘着部件作为夹具粘接层时，作为形成粘着剂层的粘着剂没有特别限制，例如优选以由丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、或硅酮粘着剂所构成。所述之中，考虑在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力、及从环状框的再剥离性，以含有上述丙烯酸类聚合物(A1)的丙烯酸类粘着剂为优选。此外，上述粘着剂可单独使用，也可混合二种以上而使用。
构成夹具粘接层的粘着剂层的厚度优选为2～20μm，更优选为3～15μm，更优选为4～10μm。粘着剂层的厚度小于2μm时，有未显现充分的剥离力和粘着力的情形。粘着剂层的厚度大于20μm时，剥离力和粘着力变高，有无法发挥本发明的效果的情形，或在从环状框上剥离时有在环状框残留粘着剂的残渣物而将环状框污染的情形。
将由基材及粘着剂层所构成的粘着部件作为夹具粘接层时，将构成粘着部件的粘着剂层及剥离薄片层叠。
作为形成粘着剂层的粘着剂，与上述由粘着剂层单体所构成的粘着部件的形成粘着剂层的粘着剂相同。此外，粘着剂层的厚度也相同。
构成夹具粘接层的基材没有特别限制，例如可举出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、离子聚合物树脂薄膜等聚烯烃薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等。所述之中，考虑扩展性，以聚乙烯薄膜及聚氯乙烯薄膜为优选，以聚氯乙烯薄膜为更优选。
构成夹具粘接层的基材的厚度优选为15～200μm，更优选为30～150μm，进一步优选为40～100μm。
此外，将具有芯材的两面粘着部件作为夹具粘接层时，两面粘着部件由芯材、在其一面形成的层叠用粘着剂层、及其另一面形成的固定用粘着剂层所构成。在第三形态中，层叠用粘着剂层为被贴附在树脂膜形成层侧的粘着剂层，在第四形态中，层叠用粘着剂层为被贴附在支撑薄片侧的粘着剂层。此外，固定用粘着剂层为被贴附在剥离薄片侧的粘着剂层。
作为两面粘着部件的芯材，可举出与上述粘着部件的基材相同。所述之中，考虑扩展性时，以聚烯烃薄膜及可塑化的聚氯乙烯薄膜为优选。
芯材的厚度通常为15～200μm，优选为30～150μm，更优选为40～100μm。
两面粘着部件的层叠用粘着剂层及固定用粘着剂层，可以是由相同的粘着剂所构成的层，也可以是由不同的粘着剂所构成的层。
构成固定用粘着剂层的粘着剂，以在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力成为规定范围的方式，而且以固定用粘着剂层与环状框的粘接力比树脂膜形成层或支撑薄片与层叠用粘着剂层的粘接力更小的方式适当地选择。作为此种粘着剂，例如可举出丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮粘着剂，考虑在树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力或对SUS的粘着力、及从环状框的再剥离性，优选为含有上述的丙烯酸类聚合物(A1)的丙烯酸类粘着剂。此外，形成固定用粘着剂层的粘着剂可单独使用，也可混合二种以上而使用。
构成层叠用粘着剂层的粘着剂没有特别限定，例如可举出丙烯酸类粘着剂、橡胶类粘着剂、硅酮粘着剂。所述之中，从与树脂膜形成层或支撑薄片的粘接力的控制容易的观点而言，以含有上述丙烯酸类聚合物(A1)的丙烯酸类粘着剂为优选。此外，形成层叠用粘着剂层的粘着剂可单独使用，也可混合二种以上而使用。
层叠用粘着剂层及固定用粘着剂层的厚度与上述粘着部件的粘着剂层的厚度相同。
通过设置夹具粘接层，将树脂膜形成用薄片粘接在环状框等的夹具变容易。
(剥离薄片)
剥离薄片在树脂膜形成用薄片的使用时，起到作为载体薄膜的效果，能够使用作为上述的支撑薄片已例示的薄膜。
接触剥离薄片的树脂膜形成层的面的表面张力优选为40mN/m以下，更优选为37mN/m以下，特别优选为35mN/m以下。下限值通常为25mN/m左右。此种表面张力比较低的剥离薄片能够适当地选择材质而得到，此外，也能够通过在剥离薄片的表面涂布剥离剂而施行剥离处理来得到。
作为在剥离处理所使用的剥离剂，能够使用醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类、蜡类等，因为具有耐热性，特别是以醇酸类、硅酮类、氟类的剥离剂为优选。
为了对使用上述剥离剂而将当作剥离薄片的基体的薄膜等表面进行剥离处理，将剥离剂直接在无溶剂的状态下、或使用溶剂稀释或乳胶化，使用凹版涂布机、迈耶氏棒(Mayer’s bar)涂布机、气动刮刀涂布机、辊涂布机等进行涂布，将涂布剥离剂后的剥离薄片移送至常温下或加热下，或通过电子束使其固化而形成剥离剂层即可。
此外，也可通过使用湿式层叠、干式层叠、热熔融层叠、熔融挤出层叠、共挤出加工等来进行薄膜的层叠，由此调整剥离薄片的表面张力。即，可以制造以下的层叠体将其作为剥离薄片，该层叠体将至少一面的表面张力为上述剥离薄片的与树脂膜形成层接触的面的张力而优选的范围内的薄膜，以该面为与树脂膜形成层接触的面的方式与其他薄膜层叠而成。
剥离薄片的厚度没有特别限定，优选为50μm以上，更优选为50～200μm。若剥离薄膜小于50μm，在将树脂膜形成用薄片卷起为卷状时，有在树脂膜形成层产生卷痕的情形。在树脂膜形成层产生卷痕时，树脂膜形成层的厚度精确度降低，致使在将树脂膜形成层贴附于工件时产生咬入空气，或在后述半导体装置的制造方法中，将芯片经由树脂膜形成层而与芯片搭载部(基板、其他芯片等)进行粘接时，成为粘接性降低和产生空隙的原因。其结果，难以得到具有优异的可靠性的半导体装置。此外，在将树脂膜形成层用作用于保护芯片背面的保护膜时，除了上述以外，树脂膜形成层产生卷痕也成为外观不良的原因。通过使剥离薄片的厚度为上述范围，能够消除上述的问题。
具有如上述的形态及结构的树脂膜形成用薄片层叠体，能够将剥离薄片除去之后，将树脂膜形成层贴附在工件上，且能够依照情况，随后在工件实施切割等所需要的加工。然后，使树脂膜形成层固定残留在工件而将支撑薄片剥离。即，能够将树脂膜形成层使用在包含从支撑薄片转印至工件的步骤的过程中。
作为本发明能够适用的工件，对其素材无限定，例如能够举出半导体晶圆、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等有机材料基板、或精密部件等的金属材料等各种物品。
树脂膜形成用薄片层叠体的形状可以为在长条剥离薄片上，将含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片层叠而成的带状形状，且能够将其卷取。特别是如图2所示，优选将含有符合所需要的形状而切下的支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片，在长条剥离薄片上可剥离地以一定间隔的方式层叠而成的形态。此外，也能够使树脂膜形成用薄片层叠体的形状为单片的形状。
将符合所需要的形状而切下的含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片，在长条剥离薄片上可剥离地以一定间隔的方式层叠而成的形态时，在层叠有树脂膜形成用薄片的部分、及未层叠有树脂膜形成用薄片的部分，树脂膜形成用薄片层叠体的厚度变得不均匀。将此种厚度不均匀的树脂膜形成用薄片层叠体卷取成为卷状时，厚度不均匀且卷压也不均匀，致使卷轴有产生卷取崩溃的情形。因而，在这样的形态的树脂膜形成用薄片层叠体中，优选使厚度均匀。因此，在符合所需要的形状而切下的树脂膜形成用薄片的外侧，如图2所示，优选空出少许间隔，沿着在长条剥离薄片13的短方向的两边部15，贴合与树脂膜形成用薄片相同程度的厚度的周边胶带14。在此，树脂膜形成用薄片与周边胶带14的间隔优选为1～20mm左右，以2～10mm左右为特别优选。通过周边胶带14来消除厚度的不均匀，容易避免上述的不良。
树脂膜形成用薄片层叠体的制造
然后，针对将符合所需要的形状而切下的树脂膜形成用薄片，在长条剥离薄片上可剥离地以一定间隔的方式层叠而成的形态的树脂膜形成用薄片层叠体的制造方法，以图3所示的第一形态及图5所示的第三形态作为例子而进行说明，但是本发明的树脂膜形成用薄片不限定于使用这样的制造方法而得到的薄片。
(第一形态的树脂膜形成用薄片层叠体的制造)
首先，将剥离薄片上的树脂膜形成层半切割成所需要的形状。
具体而言，准备在2片长条剥离薄片(以下，称为第一长条剥离薄片、第二长条剥离薄片。第二长条剥离薄片为图3的剥离薄片13)之间具有树脂膜形成层的层叠体。可以使用2片的长条剥离薄片夹着预先制膜成为薄膜状的树脂膜形成层，此外，也可以将用以形成树脂膜形成层的树脂膜形成用组合物，涂布在一个长条剥离薄片上且干燥，且在涂膜上贴合另一个长条剥离薄片而形成层叠体。
然后，将第一长条剥离薄片除去。然后，以将树脂膜形成层完全地切入成为所需要的形状，且以到达第二长条剥离薄片13的方式，将树脂膜形成层进行模切(die cutting)(半切割)。模切使用晶粒切割等通用的装置(旋转式刀刃或刀片)、方法来进行。此时的切入深度为，为了完全地切入树脂膜形成层、形成切入深度d2的切入部D2，以树脂膜形成层的厚度与切入深度d2的总的深度进行切入。因此，在第二长条剥离薄片的表面形成切入深度d2的切入部D2。
然后，在树脂膜形成层的长度方向贴附剥离用粘着胶带。然后，通过将剥离用粘着胶带除去，而使所需要的形状的树脂膜形成层12残留在第二长条剥离薄片13上，将剩余的树脂膜形成层除去。除了所需要的形状树脂膜形成层以外的剩余部分连续着。因此，将第二长条剥离薄片与树脂膜形成层的表面设为剥离起点时，剩余部分的树脂膜形成层被除去，所需要的形状树脂膜形成层12残留在第二长条剥离薄片13上。其结果，能够得到在第二长条剥离薄片13上排列有所需要形状的树脂膜形成层12的层叠体。
然后，将支撑薄片11以与第二长条剥离薄片13及树脂膜形成层12接触的方式，贴附在第二长条剥离薄片13的具有树脂膜形成层12的面上。在第一形态中，支撑薄片11为由基材11a及粘着剂层11b所构成的粘着片。在基材11a上形成粘着剂层11b的方法没有特别限定，例如，可举出将构成粘着剂层11b的组合物(粘着剂)涂布在基材11a上且干燥而形成的方法；或将粘着剂设置在与上述剥离薄片为另外的剥离薄片上，且将其转印至基材11a而形成的方法等。
然后，将支撑薄片进行模切成为环状框的内径以上且外径以下的大小的所需要的形状。此时，以使树脂膜形成层12的中心点与模切后的支撑薄片11的中心点一致的方式进行模切。此外为了完全地切入支撑薄片，形成切入深度d1的切入部D1，切入深度以支撑薄片的厚度与切入深度d1的总的深度进行切入。因此，在第二长条剥离薄片的表面，形成切入深度d1的切入部D1。
然后，使所需要的形状支撑薄片11残留在第二长条剥离薄片13上，除去剩余的支撑薄片。其结果，能够得到层叠有树脂膜形成用薄片的第一形态的树脂膜形成用薄片层叠体，所述树脂膜形成用薄片在第二长条剥离薄片13上包含所需要的形状树脂膜形成层及支撑薄片11。
此外，在上述进行支撑薄片的模切时，以在将支撑薄片切入为所需要的形状的同时，在该形状的支撑薄片11的外侧从支撑薄片空出少许的间隔，且沿着第二长条剥离薄片的短方向的两边部15残留作为周边胶带14的支撑薄片的方式进行模切为优选。随后，通过使所需要的形状支撑薄片11及周边胶带14残留在第二长条剥离薄片13上，且除去剩余的支撑薄片，能够得到含有支撑薄片11及树脂膜形成层12的树脂膜形成用薄片10、及周边胶带14连续地被贴合在长条剥离薄片13上而成的形态的树脂膜形成用薄片层叠体100。
(第三形态的树脂膜形成用薄片层叠体的制造)
夹具粘接层针对具有芯材的两面粘着部件的情况进行说明。
首先，准备用以形成夹具粘接层的粘着剂层(层叠用粘着剂层及固定用粘着剂层)的粘着剂。此外，在夹具粘接层中，用以形成层叠用粘着剂层的粘着剂与用以形成固定用粘着剂层的粘着剂不同时，准备各粘着剂。以下，将构成层叠用粘着剂层的粘着剂记载为“层叠用粘着剂”，将用以形成固定用粘着剂层的粘着剂记载为“固定用粘着剂”。层叠用粘着剂与固定用粘着剂相同的情况下，由于不必准备两种粘着剂，而且能够不必区分夹具粘接层的两面而使用，故而操作效率提高。
然后，将层叠用粘着剂涂布在长条剥离薄片(以下，称为第三长条剥离薄片)上且干燥而形成层叠用粘着剂层。随后，将层叠用粘着剂层贴合在芯材上，而得到依照芯材、层叠用粘着剂层及第三长条剥离薄片的顺序层叠而成的层叠体。
此外，将固定用粘着剂涂布在长条剥离薄片(以下，称为第四长条剥离薄片。第四长条剥离薄片为图5的剥离薄片13)上且干燥而形成固定用粘着剂层。随后，将层叠用粘着剂层贴合在上述所得到的层叠体的芯材上，得到依照第三长条剥离薄片、层叠用粘着剂层、芯材、固定用粘着剂层及第四长条剥离薄片的顺序层叠而成的层叠体(被长条剥离薄片挟持的夹具粘接层)。
然后，将第三长条剥离薄片除去。然后，将依次层叠夹具粘接层及第四长条剥离薄片而成的层叠体切入成为所需要的形状，且以到达第四长条剥离薄片的方式将该层叠体模切(半切割)。模切使用晶粒切割等通用的装置(旋转式刀刃或刀片)、方法来进行。为了完全地切入该层叠体、形成切入深度d3的切入部D3，此时的切入深度以该层叠体的厚度及切入深度d3的总的深度进行切入。因此，在第四长条剥离薄片的表面形成切入深度d3的切入部D3。
然后，将剥离用粘着胶带贴附在夹具粘接层的长度方向。然后，通过将剥离用粘着胶带除去，而将所需要的形状的夹具粘接层从第四长条剥离薄片13上除去。其结果，能够得到在第四长条剥离薄片13上，层叠有具有所需要形状的内部开口的夹具粘接层的层叠体。
此外，准备在基材11a上形成有粘着剂层11b的支撑薄片11。得到该支撑薄片的方法已在第一形态说明。
然后，在支撑薄片11的粘着剂层11b上形成树脂膜形成层12。在粘着剂层11b上形成树脂膜形成层12的方法没有特别限定，例如，可举出将树脂膜形成用组合物涂布在粘着剂层11b上且干燥而形成的方法；或，将树脂膜形成用组合物设置在与上述剥离薄片不同的剥离薄片上，通过将其转印至粘着剂层11b来形成的方法等。如此进行而能够得到由支撑薄片11及树脂膜形成层12所构成的层叠体。
然后，以与第四长条剥离薄片13及夹具粘接层接触的方式，将由支撑薄片11及树脂膜形成层12所构成的层叠体的树脂膜形成层12贴附在第四长条剥离薄片13的具有夹具粘接层的面上，而在第四长条剥离薄片13上形成树脂膜形成用薄片10。
然后，将树脂膜形成用薄片10模切成为环状框的内径以上且外径以下的大小的所需要的形状。此时，以使夹具粘接层的内部开口的中心点与模切后的树脂膜形成用薄片10的中心点一致的方式进行模切。此外，为了完全地切入树脂膜形成用薄片、形成切入深度d1的切入部D1，切入深度以树脂膜形成用薄片的厚度及切入深度d1的总的深度进行切入。因此，在第四长条剥离薄片的表面，形成切入深度d1的切入部D1。
然后，使所需要的形状的树脂膜形成用薄片10残留在第四长条剥离薄片13上，且将剩余的树脂膜形成用薄片除去。其结果，能够得到在第四长条剥离薄片13上层叠有所需要的形状树脂膜形成用薄片10的第三形态的树脂膜形成用薄片层叠体。此外，在进行树脂膜形成用薄片的模切时，与第一形态相同，优选以残留周边胶带14的方式进行模切。
半导体装置的制造方法
然后，针对本发明的树脂膜形成用薄片层叠体的利用方法，将图2及图3所示的第一形态的树脂膜形成用薄片层叠体应用在半导体装置的制造方法中的情况，作为例子而进行说明。
使用第一形态的树脂膜形成用薄片层叠体的半导体装置的制造方法，优选含有以下的步骤：将该层叠体的树脂膜形成层粘贴在工件上且将该工件切割而形成芯片，使该树脂膜形成层固定残留在该芯片的任一面且从支撑薄片上剥离，且将该芯片经由该树脂膜形成层而载置在芯片垫(die pad)部上、或另外的芯片上。
以下，以使用硅晶圆作为工件的例子而进行说明。
在晶圆表面形成电路能够通过使用包含蚀刻法、剥落法等以往被广泛应用的方法的各种方法来进行。然后，将晶圆的电路面的相反面(背面)磨削。磨削法没有特别限定。也可通过使用研磨机等公知的手段进行磨削。背面磨削时，在电路面贴附被称为表面保护薄片的粘着片，用以保护表面的电路。背面磨削使用夹盘台(chuck table)等将晶圆的电路面侧(即表面保护薄片侧)固定，且使用研磨机磨削未形成有电路的背面侧。晶圆磨削后的厚度没有特别限定，通常为50～500μm左右。
随后，按照需要将背面磨削时所产生的粉碎层除去。粉碎层的除去能够使用化学蚀刻、等离子蚀刻等来进行。
在形成电路及背面磨削之后，在晶圆的背面贴附树脂膜形成用薄片层叠体的树脂膜形成层。贴附方法没有特别限定，例如通过图1所示的步骤将树脂膜形成层贴附在半导体晶圆上。
图1(a)～(d)为进行将树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32的操作的一系列的步骤图。如图1(a)所显示，树脂膜形成用薄片层叠体100的剥离薄片13起到载体薄膜的作用，被2支辊62及66以及剥离板64支撑的同时，其一端在连接至圆柱状卷芯44的状态下被卷绕且形成第一卷轴42；而另一端在连接至圆柱状卷芯54的状态下被卷绕且形成第二卷轴52。而且，第二卷轴52的卷芯54被连接至用以使该卷芯54旋转的卷芯驱动用马达(未图示)，树脂膜形成用薄片10被剥离之后的剥离薄片13以规定速度被卷绕。
首先，卷芯驱动用马达旋转时，第二卷轴52的卷芯54旋转，树脂膜形成用薄片10从卷绕在第一卷轴42的卷芯44的树脂膜形成用薄片100向第一卷轴42的外部被拉出。然后，被拉出的树脂膜形成用薄片10，被引导至配置于移动式的载物台36上的圆板状的半导体晶圆32以及以包围半导体晶圆32的方式配置的环状框34上。
然后，将树脂膜形成用薄片10从剥离薄片13剥离。此时，如图1(a)所示，从树脂膜形成用薄片10的剥离薄片13侧被剥离板64碰触。在本发明中，由于在树脂膜形成用薄片10的外周部的剥离薄片的剥离力及对SUS的粘着力为规定范围，因此树脂膜形成用薄片容易抽出。此外，如图1(b)所示，在形成切入部D1时，剥离薄片13以切入部D1作为起点而被向剥离板64侧弯曲，从而能够容易地在剥离薄片13与树脂膜形成用薄片10之间制作出剥离起点。而且，也可以对剥离薄片13与树脂膜形成用薄片10的边界面吹附空气，能够更有效率地制作出剥离起点。其结果，树脂膜形成用薄片10的抽出变为更容易。
然后，如图1(c)所示，树脂膜形成用薄片10以与环状框(ring frame)34及半导体晶圆32贴附的方式，进行贴附树脂膜形成用薄片10。此时，通过辊68将树脂膜形成用薄片10压粘在半导体晶圆32上。然后，如图1(d)所示，完成树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32上，而能够得到附有树脂膜形成用薄片的半导体晶圆。
如以上的程序，能够使用自动化的步骤连续地进行将树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32。作为进行此种树脂膜形成用薄片10对半导体晶圆32贴附的操作的装置，例如可举出LINTEC(股)制的RAD-2500(商品名)等。
而且，通过此种步骤，将树脂膜形成用薄片10贴附在半导体晶圆32时，通过使用本发明的具有所需要的物性的树脂膜形成用薄片层叠体，在树脂膜形成用薄片10的外周到达剥离板的前端时，即使是较厚的剥离薄片，树脂膜形成用薄片能够在外周部从剥离薄片上剥离且被抽出。其结果，能够防止抽出后的树脂膜形成用薄片的支撑薄片之间或树脂膜形成层之间在互相重叠的方向弯曲而贴附，或是防止树脂膜形成用薄片移附在剥离薄片上的问题。
树脂膜形成层在室温不具有粘性时，也可以适当地加温(不限定，但优选为40～80℃)。
此外，在树脂膜形成层中添加能量线固化性化合物(B)和能量线固化型聚合物(AB)时，也可以从支撑薄片侧对树脂膜形成层照射能量线，而将树脂层形成层预固化且提高树脂膜形成层的凝聚力，从而使树脂膜形成层与支撑薄片之间的粘接力降低。
随后，使用切割锯等切断装置，将上述的半导体晶圆切断而得到半导体芯片。此时的切断深度为兼顾半导体晶圆的厚度与树脂膜形成层的厚度的总和及切割锯的磨耗程度而设定的深度。
此外，能量线照射可以在半导体晶圆贴附后、半导体芯片剥离(拾取)前的任一阶段进行，例如可以在切割之后进行，此外，也可以在下述的扩展步骤之后进行，优选在半导体晶圆贴附后且切割前进行。而且也可将能量线照射分成多次而进行。
然后，按照需要而进行树脂膜形成用薄片的扩展时，半导体芯片间隔扩张，能够使半导体芯片的拾取更容易地进行。此时，在树脂膜形成层与支撑薄片之间产生偏移，使得树脂膜形成层与支撑薄片之间的粘接力减少，半导体芯片的拾取性提高。如此进行半导体芯片的拾取时，能够使被切断后的树脂膜形成层固定残留在半导体芯片背面而从支撑薄片上剥离。
然后，经由树脂膜形成层而将半导体芯片载置在引线框的芯片垫上或另外的半导体芯片(下段芯片)表面上(以下，将搭载芯片的芯片垫或下段芯片表面记载为“芯片搭载部”)。
载置时的压力通常为1kPa～200MPa。此外，芯片搭载部可以在载置半导体芯片前进行加热，或是刚载置后进行加热。加热温度通常为80～200℃，优选为100～180℃，加热时间通常为0.1秒～5分钟、优选为0.5秒～3分钟。
将半导体芯片载置在芯片搭载部之后，也可根据需要而进一步进行加热。此时的加热条件为上述加热温度的范围，加热时间通常为1～180分钟，优选为10～120分钟。
此外，也可不进行载置后的加热处理而形成暂时粘接状态，利用组件制造时通常所进行的树脂封装的加热使树脂膜形成层固化。通过经过这样的步骤，树脂膜形成层固化,能够得到半导体芯片与芯片搭载部坚固地粘接的半导体装置。由于树脂膜形成层在管芯接合条件下流动化，因此充分地埋入芯片搭载部的凹凸，能够防止产生空隙，使得半导体装置可靠性变高。
此外，第二本发明的半导体装置的制造方法，优选在表面形成有电路的半导体晶圆的背面上贴附树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层，随后，得到在背面具有树脂膜的半导体芯片。该树脂膜为半导体芯片的保护膜。此外，本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于：优选进一步含有以下的步骤(1)～(3)且以任意顺序进行步骤(1)～(3)。
步骤(1)：将树脂膜形成层或树脂膜与支撑薄片剥离；
步骤(2)；使树脂膜形成层固化而得到树脂膜；及
步骤(3)：将半导体晶圆与树脂膜形成层或树脂膜进行切割。
首先，在半导体晶圆的背面，贴附树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层。该步骤与在上述第一半导体装置的制造方法的贴附步骤相同。
随后，以任意顺序进行步骤(1)～(3)。例如，将步骤(1)～(3)以步骤(1)、(2)、(3)的顺序，以步骤(2)、(1)、(3)的顺序，步骤(2)、(3)、(1)的顺序，步骤(3)、(2)、(1)的顺序，或以步骤(3)、(1)、(2)的顺序的任一顺序进行。针对该过程的详细，在特开2002-280329号公报有详细叙述。作为一个例子，对以步骤(1)、(2)、(3)的顺序进行的情况进行说明。
首先，将树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层贴附在表面形成有电路的半导体晶圆的背面。然后，将支撑薄片从树脂膜形成层剥离,而得到半导体晶圆与树脂膜形成层的层叠体。
然后，将树脂膜形成层固化而在晶圆的全面形成树脂膜。在树脂膜形成层含有环氧粘接剂时，通过热固化使树脂膜形成层固化。添加有能量线固化性化合物(B)和能量线固化型聚合物(AB)时，能够通过能量线照射来使树脂膜形成层固化，将环氧粘接剂及能量线固化性化合物(B)或能量线固化型聚合物(AB)并用时，可以同时进行通过加热及能量线照射来固化，也可逐次地进行。作为所照射的能量线，可举出紫外线(UV)或电子束(EB)等，优选使用紫外线。其结果，能够在晶圆背面形成由固化树脂所构成的树脂膜，由于强度相较于晶圆单独时提高，因此能够降低变薄的晶圆在操作时产生破损。此外，相较于将涂布树脂膜用的涂布液直接涂布在晶圆和芯片的背面且被膜化的涂布法，树脂膜具有较优异的厚度均匀性。
随后，按照每个在晶圆表面所形成的电路，将半导体晶圆与树脂膜的层叠体进行切割。切割以将晶圆与树脂膜同时切断的方式进行。晶圆的切割通过使用切割薄片的常用的方法来进行。其结果，能够得到在背面具有树脂膜的半导体芯片。
然后，也能够在树脂膜进行激光印字。激光印字使用激光标记法来进行，通过照射激光将保护膜的表面削掉而在保护膜标记产品号码等。此外，激光印字也能够在使树脂膜形成层固化前进行。
最后，通过筒夹(collet)等的通用手段将切割后的芯片拾取，而得到在背面具有树脂膜的半导体芯片。然后，能够通过以倒装方式将半导体芯片封装在规定基座上来制造半导体装置。此外，通过将在背面具有树脂膜的半导体芯片，粘接在芯片垫部或另外的半导体芯片等其他的部件上(芯片搭载部上)，也能够制造半导体装置。如此，依照本发明能够简便地将厚度均匀性高的树脂膜形成在芯片背面，且切割步骤和封装之后不容易产生龟裂。
此外，在半导体晶圆的背面贴附树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层之后，在步骤(1)之前进行步骤(3)时，树脂膜形成用薄片能够起到作为切割薄片的效果。即，在切割步骤进行中能够用作用于支撑半导体晶圆的薄片。此时，将半导体晶圆经由树脂膜形成层而粘贴在树脂膜形成用薄片的内周部，且通过树脂膜形成用薄片的外周部与环状框等的其他夹具接合，在半导体晶圆所贴附的树脂膜形成用薄片被固定在装置上能够进行切割。
此外，以步骤(3)、(1)、(2)的顺序进行时，将在背面具有树脂膜形成层的半导体芯片以倒装方式封装在规定基座上后，也能够利用在组件制造通常所进行的树脂封装的加热而使树脂膜形成层固化。
实施例
以下，通过实施例来说明本发明，但是本发明并不限定于这些实施例。本发明中所采用的测定、评价方法如下。
<剥离力>
使用拉伸试验机(岛津制作所制AUTOGRAPH AG-IS)，在拉伸速度300mm/分钟、T剥离法、温度/湿度＝23℃/50％RH的条件下，测定树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力。
<粘着力>
将树脂膜形成用薄片的外周部裁切成为15mm×25mm而作为试样且贴附在SUS(不锈钢板)上。然后，使用拉伸试验机(岛津制作所制AUTOGRAPH AG-IS)且依据JIS Z0237：2009，在拉伸速度300mm/分钟、180°剥离法、温度/湿度＝23℃/50％RH的条件下，测定试样的粘着力。
<支撑薄片之间或树脂膜形成层之间的贴附及对剥离薄片的移附>
支撑薄片之间或树脂膜形成层之间的贴附(以下，贴附评价)及对剥离薄片的移附(以下，贴附评价)以如下进行。
目视确认在将剥离薄片从树脂膜形成用薄片层叠体除去时，在树脂膜形成用薄片的支撑薄片之间或树脂膜形成层之间是否在互相重叠的方向弯曲而贴附，或是树脂膜形成用薄片是否移附在剥离薄片上。
层叠用粘着剂及固定用粘着剂的制备
制备以丙烯酸类聚合物(丙烯酸2-羟基己酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝80/10/10(质量比)、重均分子量：80万)作为主原料，相对于该主原料的固体成分100质量份，添加有1质量份三羟甲基丙烷加成甲苯二异氰酸酯的甲基乙基酮(MEK)溶液(固体成分浓度25％)，作为层叠用粘着剂。
此外，准备与层叠用粘着剂相同的溶液作为固定用粘着剂。
支撑薄片A的制造
作为构成支撑薄片的基材，准备聚烯烃基材(厚度：80μm)。
此外，使丙烯酸类聚合物(丙烯酸月桂酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝80/20(质量比)、重均分子量：80万)，以每100g该丙烯酸类聚合物与21.4g(每100摩尔丙烯酸类聚合物的丙烯酸2-羟基乙酯单元，为80摩尔)的异氰酸甲基丙烯酰氧基乙酯反应而得到能量线固化型聚合物(重均分子量：70万)。
制备相对于能量线固化型聚合物的固体成分100质量份，添加三羟甲基丙烷加成甲苯二异氰酸酯8质量份、1-羟基环己基苯基酮3质量份而成的MEK溶液(固体成分浓度25％)，得到用于形成支撑薄片A的粘着剂层的粘着剂。
然后，在进行剥离处理后的PET薄膜(厚度；50μm)的剥离处理面上，涂布上述的粘着剂使粘着剂层的厚度为10μm。随后，将基材与粘着剂层贴合而得到支撑薄片A。
支撑薄片B的制造
作为构成支撑薄片的基材，准备聚烯烃基材(厚度：70μm)。
此外，使丙烯酸类聚合物(丙烯酸2-羟基己酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝80/20(质量比)、重均分子量：80万)，使每100g该丙烯酸类聚合物，与13.4g(每100摩尔丙烯酸类聚合物的丙烯酸2-羟基己酯单元，为50摩尔)的异氰酸甲基丙烯酰氧基乙酯反应而得到能量线固化型聚合物(重均分子量：80万)。
制备相对于能量线固化型聚合物的固体成分100质量份，添加三羟甲基丙烷加成甲苯二异氰酸酯、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、及1-羟基环己基苯基酮分别为1质量份而成的MEK溶液(固体成分浓度25％)，得到用于形成支撑薄片B的粘着剂层的粘着剂。
然后，在进行剥离处理后的PET薄膜(厚度；50μm)的剥离处理面上，涂布上述的粘着剂使粘着剂层的厚度为30μm。
随后，将基材与粘着剂层贴合而得到支撑薄片B。
树脂膜形成用组合物的制备
制备由丙烯酸类聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸缩水甘油酯/丙烯酸2-羟基乙酯＝55/10/20/15(质量比)、重均分子量：80万)15质量份、双酚A型环氧树脂(日本触媒BPA328)25质量份、三亚苯型环氧树脂(日本化药EPPN-502H)25质量份、酚树脂(昭和高分子BRG556)34质量份及咪唑类化合物(四国化成2PHZ-PW)1质量份所构成的树脂膜形成用组合物。
(实施例1)
夹具粘接层的制造
作为长条剥离薄片，准备经剥离处理的PET薄膜(厚度：50μm)。
将层叠用粘着剂涂布在上述剥离薄片的剥离处理面上使层叠用粘着剂层的厚度为5μm。然后，将层叠用粘着剂层与芯材(聚丙烯基材、厚度：40μm)贴合。
依照与上述同样的次序，在另外的剥离薄片的剥离处理面上，形成厚度为5μm的固定用粘着剂层且与上述的芯材贴合，得到按照剥离薄片、层叠用粘着剂层、芯材、固定用粘着剂层、剥离薄片的顺序层叠而成的层叠体(夹具粘接层用层叠体)。
树脂膜形成用薄片层叠体的制造
将层叠用粘着剂层侧的剥离薄片从夹具粘接层用层叠体除去，从层叠用粘着剂层侧模切为直径330mm的圆形。模切为完全地切入层叠用粘着剂层、芯材、固定用粘着剂层，且切入固定用粘着剂层侧的剥离薄片30μm。即，形成切入深度d3为30μm的切入部D3。
随后，将切入成为圆形后的由层叠用粘着剂层、芯材、固定用粘着剂层所构成的层叠体除去，形成圆形的内部开口且在剥离薄片上制成夹具粘接层。
此外，在经剥离处理的PET薄膜(厚度：50μm)的剥离处理面上，涂布上述的树脂膜形成用组合物使树脂膜形成层的厚度为20μm。
随后，将树脂膜形成层与上述所得到的支撑薄片A的粘着剂层贴合，得到由支撑薄片A及树脂膜形成层所构成的层叠体。
然后，将由支撑薄片A及树脂膜形成层所构成的层叠体的树脂膜形成层，贴附在剥离薄片上的夹具粘接层，而在剥离薄片上形成树脂膜形成用薄片。
最后，与夹具粘接层的圆形的内部开口为同心圆状地，将树脂模形成用薄片模切成为直径370mm的圆形且将不需要的部分除去，得到第三形态的树脂膜形成用薄片层叠体。模切以完全地切入树脂膜形成用薄片且切入剥离薄片30μm的方式进行。即，形成切入深度d1为30μm的切入部D1。使用该树脂膜形成用薄片层叠体而进行各评价。将结果示于表1。
(实施例2)
除了将切入部D1的切入深度设为35μm以外，与实施例1相同地进行而得到树脂膜形成用薄片层叠体，进行各评价。将结果示于表1。
(实施例3)
树脂膜形成用薄片层叠体的制造
作为长条剥离薄片，准备经剥离处理的PET薄膜(厚度：50μm)。
将上述的树脂膜形成用组合物涂布在剥离薄片的剥离处理面上使树脂膜形成层的厚度为20μm，且将另外的剥离薄片(PET薄膜，厚度：50μm)层叠在树脂膜形成层上。
然后，除去一个剥离薄片且将树脂膜形成层模切为直径330mm的圆形。模切以完全地切入树脂膜形成层且切入剥离薄片30μm的方式进行。即，形成切入深度d2为30μm的切入部D2。随后，将剩余的树脂膜形成层除去而在剥离薄片上得到圆形的树脂膜形成层。
然后，将支撑薄片A的粘着剂层贴附在剥离薄片上的树脂膜形成层上，而在剥离薄片上形成树脂膜形成用薄片。
最后，与圆形的树脂膜形成层为同心圆状地，将树脂膜形成层模切为直径370mm的圆形且将不需要的部分除去，得到第一形态的树脂膜形成用薄片层叠体。模切以完全地切入树脂膜形成用薄片且切入剥离薄片30μm的方式进行。即，形成切入深度d1为30μm的切入部D1。使用该树脂膜形成用薄片层叠体而进行各评价。将结果示于表1。
(实施例4)
除了使切入部D1的切入深度为35μm以外，与实施例3相同地进行，得到树脂膜形成用薄片层叠体且进行各评价。将结果示于表1。
(比较例1)
除了使用支撑薄片B来代替支撑薄片A以外，与实施例3相同地进行，得到树脂膜形成用薄片层叠体且进行各评价。将结果示于表1。
(比较例2)
除了使用支撑薄片B来代替支撑薄片A以外，与实施例4相同地进行，得到树脂膜形成用薄片层叠体且进行各评价。将结果示于表1。
[表1]
附图标记说明
100：树脂膜形成用薄片层叠体；10：树脂膜形成用薄片；11：支撑薄片；12：树脂膜形成层；13：剥离薄片；D1：切入部；D2：切入部；D3：切入部。

Claims (2)

1.一种树脂膜形成用薄片层叠体，其在含有支撑薄片及树脂膜形成层的树脂膜形成用薄片的树脂膜形成层上层叠剥离薄片而成；
使用拉伸试验机在拉伸速度300mm/分钟、T剥离法、温度/湿度＝23℃/50％RH的条件下测定的树脂膜形成用薄片的外周部的剥离薄片的剥离力为0.05N/25mm以下；
使用拉伸试验机且依据JIS Z0237：2009在拉伸速度300mm/分钟、180°剥离法、温度/湿度＝23℃/50％RH的条件下测定的树脂膜形成用薄片的外周部的对SUS的粘着力为1.0N/25mm以下；
在剥离薄片中，从树脂膜形成层侧的面沿着树脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且使用光学显微镜以倍率300倍任意地测定4点所述切入部在剥离薄片的厚度方向上的深度并将其平均而算出的切入部的切入深度为大于剥离薄片的厚度的1/2。
2.根据权利要求1所述的树脂膜形成用薄片层叠体，其中剥离薄片的厚度为50μm以上。
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