TW201544324A - 樹脂膜形成用薄片層積體 - Google Patents

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Abstract

提供一種能夠將樹脂膜形成用薄片從剝離薄片容易捲出，且能夠穩定地進行貼附在工件之樹脂膜形成用薄片層積體。 本發明樹脂膜形成用薄片層積體係在含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層上將剝離薄片層積而成；在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力為0.05N/25mm以下，在樹脂膜形成用薄片的外周部之對SUS的黏著力為1.0N/25mm以下。

Description

樹脂膜形成用薄片層積體
本發明係有關於一種對工件之樹脂膜形成用薄片的貼附為容易的樹脂膜形成用薄片層積體。
近年來，使用被稱為所謂倒裝(face down)方式之封裝法來進行製造半導體裝置。在倒裝方式，係使用在電路面上具有凸塊等的電極之半導體晶片(以下，亦簡稱為「晶片」)且將該電極與基板接合。因此，晶片之與電路面為相反側的面(晶片背面)係有露出之情形。
該露出的晶片背面，係有使用有機膜來保護之情形。先前，具有由該有機膜所構成的保護膜之晶片，係將液狀樹脂使用旋轉塗佈法而塗佈在晶圓背面，進行乾燥、硬化且在將保護膜與晶圓同時切斷而得到。但是，因為如此進行而形成之保護膜的厚度精確度係不充分，所以製品的產率有低落之情形。
為了解決此種問題，係有使用保護膜形成用薄片之情形，該保護膜形成用薄片係在具有黏著劑層之黏著片的黏著劑層上層積半導體背面保護膜形成用薄膜而成。
又，在大徑的狀態下所製造之半導體晶圓，係在被切斷分離(切割)成為元件小片(半導體晶片)之後，亦有被移 送至下一個步驟亦即接合(bonding)步驟之情形。此時，半導體晶圓係在預先被貼附在接著薄片的狀態下施行切割、洗淨、乾燥、擴展(expanding)及拾取(pick up)之各步驟之後，被移送至下一個步驟的接合步驟。
在該等步驟之中，為了將拾取步驟及接合步驟的製程簡略化，有各種提案揭示同時兼備晶圓固定功能與晶片接著功能之切割．晶片接合用接著薄片。例如，藉由使用前述接著薄片，能夠得到在背面貼附有接著劑層之半導體晶片，使得有機基板-晶片間、引線框-晶片間、晶片-晶片間等的晶片直接接合成為可能。
在專利文獻1(特開2005-350520號公報)，係記載一種具有將剝離基材、接著層、黏著層及基材薄膜依次層積而成的構成之接著薄片，作為切割．晶片接合用接著薄片。
先前技術文獻
專利文獻
[專利文獻1]日本特開2005-350520號公報
在半導體裝置的製造步驟，係將具有上述的半導體背面保護膜形成用薄膜、接著層等的樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片貼附在半導體晶圓等的工件。但是，在將樹脂膜形成用薄片貼附在工件之步驟，無法在樹脂膜成型用薄片的端部從剝離基材(剝離薄片)順利地進行捲出時，樹脂膜形成用薄片 有無法使用之情形。亦即，捲出後的樹脂膜形成用薄片本身係在互相重疊的方向折彎而密著，或是已從剝離薄片捲出後的樹脂膜形成用薄片，又密著(貼附)在剝離薄片，致使樹脂膜形成用薄片無法從剝離薄片捲出之情形。
本發明之目的係解決上述課題。亦即，本發明之目的，係提供一種能夠將樹脂膜形成用薄片從剝離薄片容易捲出，且能夠穩定地進行貼附在工件之樹脂膜形成用薄片層積體。
為了達成上述目的，本發明者等專心研究的結果，發現藉由控制在樹脂膜形成用薄片的端部(外周部)之剝離薄片的剝離力及對SUS的黏著力，能夠達成上述目的，而完成了本發明。
本發明係包含以下的要旨。
[1]一種樹脂膜形成用薄片層積體，係在含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層上將剝離薄片層積而成；在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力為0.05N/25mm以下，在樹脂膜形成用薄片的外周部之對SUS的黏著力為1.0N/25mm以下。
[2]如[1]所述之樹脂膜形成用薄片層積體，其中在剝離薄片，係從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且切入部的切入深度為大於剝離薄片的厚度之1/2。
[3]如[1]或[2]所述之樹脂膜形成用薄片層積體，其 中剝離薄片的厚度為50μm以上。
[4]如[3]所述之樹脂膜形成用薄片層積體，其中在剝離薄片，係從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且切入部的切入深度為大於25μm。
使用本發明的樹脂膜形成關薄片層積體時，在將樹脂膜形成用薄片從剝離薄片捲出時，能夠防止捲出後的樹脂膜形成用薄片本身係在互相重疊的方向折彎而密著，或是樹脂膜形成用薄片貼附在剝離薄片。
100‧‧‧樹脂膜形成用薄片層積體
10‧‧‧樹脂膜形成用薄片
11‧‧‧支撐薄片
11a‧‧‧基材
11b‧‧‧黏著劑層
12‧‧‧樹脂膜形成層
13‧‧‧剝離薄片
14‧‧‧周邊膠帶
15‧‧‧兩緣部
42‧‧‧第1捲物
44、54‧‧‧捲物
52‧‧‧第2捲物
62、66、68‧‧‧輥筒
64‧‧‧剝離板
D1、D2、D3‧‧‧切入部
d1、d2、d3‧‧‧切入深度
第1圖(a)係進行將含有支撐薄片11及樹脂膜形成層12之樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32的作業之一系列的步驟圖。
第1圖(b)係進行將含有支撐薄片11及樹脂膜形成層12之樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32的作業之一系列的步驟圖。
第1圖(c)係進行將含有支撐薄片11及樹脂膜形成層12之樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32的作業之一系列的步驟圖。
第1圖(d)係進行將含有支撐薄片11及樹脂膜形成層12之樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32的作業之一系列的步驟圖。
第2圖係顯示本發明的樹脂膜形成用薄片層積體之平面 圖。
第3圖係顯示將第1圖所顯示的樹脂膜形成用薄片沿著A-A線切斷時之示意剖面圖(第1態樣的樹脂膜形成用薄片)膜形成用薄片之示意剖面圖。
第4圖係顯示第2態樣的樹脂膜形成用薄片之示意剖面圖。
第5圖係顯示第3態樣的樹脂膜形成用薄片之示意剖面圖。
第6圖係顯示第4態樣的樹脂膜形成用薄片之示意剖面圖。
第7圖係先前進行將由支撐薄片及樹脂膜形成層所構成之層積體貼附在半導體晶圓32的作業之一系列的步驟圖。
以下，詳細地說明本發明的樹脂膜形成用薄片層積體。
本發明之樹脂膜形成用薄片層積體，係在含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層上將剝離薄片層積而成之態樣。在此種構成的樹脂模形成用薄片層積體，在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力為0.05N/25mm以下，在樹脂膜形成用薄片的外周部之對SUS的黏著力為1.0N/25mm以下。
在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力大於0.05N/25mm時，及/或在樹脂膜形成用薄片的外周部之對SUS的黏著力大於1.0N/25mm時，第1圖所顯示之樹脂膜 形成用薄片層積體100的樹脂膜形成用薄片10貼附工件32之步驟(以下，有記載為「工件貼附步驟」之情形)，將樹脂膜形成用薄片從剝離薄片捲出時，捲出後的樹脂膜形成用薄片之支撐薄片之間或在樹脂膜形成層之間係在互相重疊的方向折彎而密著，或是樹脂膜形成用薄片係貼附在剝離薄片。其結果，樹脂膜形成用薄片變成無法使用。該問題係不管第1圖所顯示的工件之貼附步驟如何，將樹脂膜形成用薄片層積體的樹脂膜形成用薄片貼附在工件時(例如藉由手工作業而除去樹脂膜形成用薄片層積體的剝離薄片，而將樹脂膜形成用薄片貼附在工件時等)均同樣地產生問題。
使用本發明之樹脂膜形成用薄片層積體時，即便在第1圖所顯示的工件貼附步驟和例如藉由手工作業之工件貼附步驟，因為將樹脂膜形成用薄片10從剝離薄片13捲出係變為容易，且能夠穩定地進行貼附在工件32，所以能夠消除上述問題。
又，如第2圖~第6圖所顯示，在樹脂膜形成用薄片層積體100，在剝離薄片13，係從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成用薄片100的外周而形成有切入部D1，且切入部D1的切入深度d1係以大於剝離薄片的厚度之1/2，較佳為3/5~4/5。藉由設置預定深度的切入部D1，而能夠容易地在樹脂膜形成用薄片10與剝離薄片13的界面製作出剝離起點。其結果，樹脂膜形成用薄片的捲出性提升。又，藉由將切入部D1設作預定深度，在工件貼附步驟中，能夠防止起因於在剝離薄片的長度方向(流動方向)所承受的應力致使剝離薄片產生 斷裂。
又，藉由形成切入部D1，在樹脂膜形成用薄片層積體的製造步驟，能夠將樹脂膜形成用薄片確實地切斷成為預定形狀。又，藉由在剝離薄片形成預定深度的切入部D1，即便例如剝離薄片的厚度為50μm以上時，將樹脂膜形成用薄片層積體捲起成為捲物狀係變為容易且保管時具有優異的收納性。
又，在第1圖所顯示之工件貼附步驟，剝離薄片係在其長度方向(流動方向)承受應力。不在剝離薄片形成切入部D1時，該應力係傳播至樹脂膜形成層，致使樹脂膜形成層有在流動方向延伸之情形。樹脂膜形成層的變形(延伸)係使其厚度精確度低落。其結果，有成為使用該樹脂膜形成層而得到的半導體裝置之可靠性變為低落的原因之情形。藉由在剝離薄片形成預定深度的切入部，能夠緩和在樹脂膜形成層承受的應力且能夠抑制樹脂膜形成層的變形。
又，剝離薄片的厚度為50μm以上時，剝離薄片的韌性係變強，剝離薄片有變為不容易折曲之傾向。又，通常相較於剝離薄片，樹脂膜形成用薄片的韌性係有較弱的傾向。因此，在工件貼附步驟，係將第1圖所顯示的剝離板64碰觸樹脂膜形成用薄片層積體100的剝離薄片13，不使剝離薄片13在剝離板64件側彎曲成為銳角時，在樹脂膜形成用薄片10與剝離薄片13的界面製作剝離起點係變為困難，且有無法將樹脂膜形成用薄片捲出之情形。但是，50μm以上的厚度之剝離薄片，係即便使用剝離板時，起因於其厚度致使剝離板側不容 易成為銳角，如第7圖所顯示，樹脂膜形成用薄片的捲出係困難的。
在本發明，藉由將在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力及SUS的黏著力設作上述範圍，即便剝離薄片的厚度為50μm以上時，亦能夠使從剝離薄片13的樹脂膜形成用薄片10之捲出容易且能夠將樹脂膜形成用薄片穩定地貼附在工件。從上述的觀點而言，在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力，係以0.001~0.05N/25mm為佳，較佳為0.01~0.04N/25mm。在樹脂膜形成用薄片的外周部之對SUS的黏著力，係以0.01~1.0N/25mm為佳，較佳為0.1~0.8N/25mm。
剝離薄片的厚度為50μm以上時，切入部D1的切入深度d1係以大於25μm為佳。具體而言，係剝離薄片的厚度為50μm時，切入部D1的切入深度d1係以大於25μm為佳，較佳為30~40μm，剝離薄片的厚度為100μm時，切入部D1的切入深度d1係以大於50μm為佳，較佳為60~80μm。又，在本發明之切入深度，係使用光學顯微鏡以倍率300倍任意地測定在剝離薄片所形成的切入部於剝離薄片的厚度方向之深度4點，且將其平均而算出。
樹脂膜形成用薄片層積體的態樣
支撐薄片11及樹脂膜形成層12，係被切斷成為所需要的平面形狀且部分地被層積在剝離薄片13上。在此，在支撐薄片11和樹脂膜形成層12之所謂所需要的平面形狀，例如第2圖所顯示，只要支撐薄片11和樹脂膜形成層12係成為部分地被層積在剝離薄片13上的狀態，就沒有特別限定。
作為支撐薄片11的平面形狀，係以容易貼附在後述半導體裝置的製造步驟所使用的環狀框(ring frame)等的治具之形狀為佳，例如，可舉出圓形、大略圓形、四角形、五角形、六角形、八角形、晶圓形狀(圓的外周之一部分為直線之形狀)等。該等之中，為了減少被貼附在環狀框之部分以外的浪費部分，係以圓形和晶圓形狀為佳。
又，作為樹脂膜形成層12的平面形狀，係以與半導體晶圓等工件的平面形狀一致之形狀為佳，例如以圓形、大略圓形、四角形、五角形、六角形、八角形、晶圓形狀(圓的外周之一部分為直線之形狀)等容易貼附在工件的形狀為佳。該等之中，為了減少被貼附在工件之部分以外的浪費部分，係以圓形和晶圓形狀為佳。
(第1態樣)
第2圖係顯示本發明的樹脂膜形成用薄片層積體100的第1態樣之平面圖，第3圖係將第2圖所顯示的樹脂膜形成用薄片層積體100沿著A-A線切斷時的簡略式剖面圖。
如第2圖及第3圖所顯示，第1態樣之樹脂膜形成用薄片層積體100，其支撐薄片11的直徑係比樹脂膜形成層12的直徑更大。又，支撐薄片11係由基材11a及黏著劑層11b所構成之黏著片。又，在剝離薄片13，係除了切入部D1以外，亦可沿著樹脂膜形成層12的外周形成切入部D2。
在第1態樣，切入部D2的切入深度d2係沒有特別限定，可以與切入部D1的切入深度d1相同，亦可以較大且亦可以較小，以大於剝離薄片的厚度之1/2為佳，較佳為 3/5~4/5。又，剝離薄片的厚度為50μm以上時，切入部D2的切入深度d2係以大於25μm為佳。具體而言，剝離薄片的厚度為50μm時，切入部D2的切入深度d2係以大於25μm為佳，較佳為30~40μm，剝離薄片的厚度為100μm時，切入部D2的切入深度d2係以大於50μm為佳，較佳為60~80μm。依照樹脂膜形成層的組成，係有與剝離薄片接著性變高，在工件貼附步驟無法將樹脂膜形成層捲出之情形。即便此種情形，藉由設置預定深度的切入部D2，因為能夠在樹脂膜形成層12與剝離薄片13之界面製作出剝離起點，所以能夠提升樹脂膜形成層12的捲出性。
又，藉由設置預定深度的切入部D2，在工件貼附步驟中，能夠容易地抑制起因於在剝離薄片的長度方向(流動方向)所承受的應力所致之樹脂膜形成層的變形。
在第1態樣，在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力和對SUS的黏著力，係在黏著劑層11b的外周部與剝離薄片13之界面所測得的物性值。在第1態樣之該等物性值，係能夠藉由調整構成後述的黏著劑層11b之成分和黏著劑層11b的厚度而能夠控制。又，含有能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化型聚合物(AB)作為構成黏著劑11b的成分時，在第1態樣之上述物性值係能量線照射前之物性值。
(第2態樣)
第4圖，係第2態樣的樹脂膜形成用薄片層積體100之簡略式剖面圖。在第2態樣之樹脂膜形成用薄片層積體100的脂膜形成用薄片10，在俯視之支撐薄片11與樹脂膜形成層12 係相同形狀。
如第4圖所顯示，可以使用由基材11a及黏著劑層11b所構成的黏著片作為支撐薄片，亦可只使用基材11a作為支撐薄片。
在第2態樣，在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力和對SUS的黏著力，係在樹脂膜形成層12的外周部與剝離薄片13之界面所測得的物性值。在第2態樣之該等物性值，係能夠使用能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化型聚合物(AB)作為構成樹脂膜形成層，且藉由只有對樹脂膜形成層的外周部照射能量線等的手段來控制。作為此種手段，例如可舉出藉由印刷等在支撐薄片的內周部設置能量線遮蔽層，且從支撐薄片側對樹脂膜形成層照射能量線之方法；及預先只有對樹脂膜形成層的外周部進行照射能量線，隨後，與支撐薄片層積之方法等。
(第3態樣)
第5圖，係第3態樣的樹脂膜形成用薄片層積體100的簡略式剖面圖。在第3態樣之樹脂膜形成用薄片層積體100的樹脂膜形成用薄片10，在俯視之支撐薄片11及樹脂膜形成層12係相同形狀。又，在樹脂膜形成用薄片10的外周部且剝離薄片13與樹脂膜形成層12之間，係設置有治具接著層14。又，在剝離薄片13，係除了切入部D1以外。亦可沿著環狀治具接著層14的內周形成切入部D3。
如第5圖所顯示，可以使用由基材11a及黏著劑層11b所構成的黏著片作為支撐薄片，亦可只使用基材11a作 為支撐薄片。
在第3態樣，切入部D3的切入深度d3係沒有特別限定，可以與切入部D1的切入深度d1相同，亦可以較大且亦可以較小，以大於剝離薄片的厚度之1/2為佳，較佳為3/5~4/5。又，剝離薄片的厚度為50μm以上時，切入部D3的切入深度d3係以大於25μm為佳。具體而言，係剝離薄片的厚度為50μm時，切入部D3的切入深度d3係以大於25μm為佳，較佳為30~40μm，剝離薄片的厚度為100μm時，切入部D3的切入深度d3係以大於50μm為佳，較佳為60~80μm。藉由設置預定深度的切入部D3，在工件貼附步驟中，能夠容易地抑制起因於在剝離薄片的長度方向(流動方向)所承受的應力所致之樹脂膜形成層的變形。
在第3態樣，在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力和對SUS的黏著力，係在治具接著層14與剝離薄片13之界面所測得的物性值。在第3態樣之該等物性值，係能夠藉由調整構成後述的治具接著層之成分和治具接著層之厚度來控制。又，含有能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化型聚合物(AB)作為構成治具接著層的成分時，在第3態樣之上述物性值，係能量線照射前之物性值。
(第4態樣)
第6圖係第4態樣的樹脂膜形成用薄片層積體100的簡略式剖面圖。第4態樣之樹脂膜形成用薄片層積體100，在俯視之支撐薄片11的直徑，係大於樹脂膜形成層12的直徑。又，亦可在樹脂膜形成用薄片的外周部且剝離薄片13與支撐薄片 11之間設置治具接著層14。又，在剝離薄片13，係除了切入部D1以外，亦可在沿著樹脂膜形成層12的外周形成切入部D2。而且，在剝離薄片13，亦可沿著環狀治具接著層14的內周形成切入部D3。切入部D2的切入深度d2、切入部D3的切入深度d3、和起因於該等的效果，係如已在第1態樣和第3態樣說明。又，作為治具接著層14，係與第3態樣同樣，針對其構成係後述。
可以使用由基材11a及黏著劑層11b所構成之黏著片作為支撐薄片，亦可以如第6圖所顯示，只使用基材11a作為支撐薄片。
在第4態樣，在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力和對SUS的黏著力，係在治具接著層14與剝離薄片13之界面所測得的物性值。在第4態樣之該等物性值，係能夠藉由調整構成後述的治具接著層之成分和治具接著層之厚度來控制。又，含有能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化型聚合物(AB)作為構成治具接著層的成分時，在第4態樣之上述物性值係能量線照射前之物性值。
樹脂膜形成用薄片層積體之構成
本發明之樹脂膜形成用薄片層積體，係在含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層上層積剝離薄片而成。
又，如已在第3態樣和第4態樣說明，樹脂膜形成用薄片亦可含有治具接著層。以下，針對構成樹脂膜形成用薄片層積體之各層進行說明。
(支撐薄片)
作為支撐薄片，例如能夠使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜、聚萘二甲酸乙二酯薄膜、聚對酞酸丁二酯薄膜、聚胺酯薄膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物薄膜、離子聚合物樹脂薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、氟樹脂薄膜等。又，亦可使用該等的交聯薄膜。而且亦可為該等的層積薄膜。
又，如第3~5圖所顯示，作為支撐薄片11，亦能夠使用由基材11a及黏著劑層11b所構成之黏著片。
在使用黏著片作為支撐薄片時。在樹脂膜形成用薄片上對工件施行切割等所需要的加工係變為容易。在該態樣，樹脂膜形成層係被層積在被設置在基材上之黏著劑層上。作為基材，可舉出已例示作為支撐薄片之上述的薄膜。
黏著劑層係能夠使用以往習知的各種黏著劑形成而得到。黏著劑係通常含有聚合物(A)。因為在本發明係以使用能量線硬化性黏著劑為佳，所以除了聚合物(A)以外，以含有能量線硬化性化合物(B)為佳。
能量線硬化性化合物(B)係含有能量線聚合性基，受到紫外線、電子射線等的能量線的照射時，具有聚合硬化且使黏著劑的黏著性降低之功能。在本發明之能量線聚合性基，係具有聚合性的碳-碳雙鍵之官能基，作為具體的例子，可舉出乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯醯基等，可舉出較佳為(甲基) 丙烯醯基。因為在本發明之能量線聚合性基，係在自由基的存在下生成自由基且容易產生聚加成反應，所以不是意味著不具有聚合性之雙鍵。例如雖然構成能量線硬化性黏著劑之各成分亦可含有芳香環，但是芳香環的不飽和構造不是意味著在本發明之能量線聚合性基。
又，作為兼備上述成分(A)及(B)的性質者，亦能夠使用在主鏈或側鍵結能量線聚合性基而成之能量線硬化型聚合物(以下，有記載為成分(AB)之情形)。此種能量線硬化型聚合物(AB)，係具有兼備作為聚合物的功能及能量線硬化性之性質。
作為能量線硬化性黏著劑，係沒有特別限定，以丙烯酸系黏著劑作為例子而具體地說明。丙烯酸系黏著劑係含有丙烯酸系聚合物(A1)作為聚合物(A)。
作為丙烯酸系聚合物(A1)，能夠使用先前習知的丙烯酸系聚合物。丙烯酸系聚合物(A1)的重量平均分子量(Mw)，係以1萬~200萬為佳，以10萬~150萬為較佳。又，丙烯酸系聚合物(A1)的玻璃轉移溫度(Tg)，係較佳為-70~30℃，更佳為-60~20℃的範圍。提高丙烯酸系聚合物(A1)的重量平均分子量和玻璃轉移溫度時，上述的剝離力和黏著力降低；降低重量平均分子量和玻璃轉移溫度時，該剝離力和該黏著力有上升之傾向。
構成丙烯酸系聚合物(A1)之單體，係含有至少一種的(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物。具體而言，係可舉出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基) 丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯。(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯。(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十四酯、(甲基)丙烯酸十八酯等烷基的碳數為1~18之(甲基)丙烯酸烷酯；(甲基)丙烯酸環烷酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異莰酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯酯、(甲基)丙烯酸二環戊烯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸醯亞胺等具有環狀骨架的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸羥基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯等含羥基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯等含有氧基的(甲基)丙烯酸酯；胺基(甲基)丙烯酸一甲酯、胺基(甲基)丙烯酸一乙酯、胺基(甲基)丙烯酸二乙酯等含胺基的(甲基)丙烯酸酯；酞酸2-(甲基)丙烯醯氧基乙酯、酞酸2-(甲基)丙烯醯氧基丙酯等含羧基的(甲基)丙烯酸酯。
又，亦可以是將(甲基)丙烯酸、伊康酸、乙酸乙烯酯、(甲基)丙烯腈、苯乙烯等共聚合而成者。該等係可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
而且在本說明書，(甲基)丙烯醯基係有以包含丙烯醯基及甲基丙烯醯基的兩者之意思而使用之情形。
丙烯酸系聚合物(A1)亦可以被交聯。將丙烯酸系聚合物(A1)交聯時，交聯前的丙烯酸系聚合物(A1)係具有羥基等的交聯性官能基，且在組成物中添加有用以形成黏著劑層之交聯劑。藉由交聯性官能基與交聯劑所具有的官能基反應，丙烯 酸系聚合物(A1)係被交聯。藉由將丙烯酸系聚合物(A1)交聯，調節黏著劑層的凝聚力係成為可能。
作為交聯劑，可舉出有機多極異氰酸酯化合物、有機多元亞胺化合物等。
作為有機多元異氰酸酯化合物，能夠舉出芳香族多元異氰酸酯化合物、脂肪族多元異氰酸酯化合物、脂環族多元異氰酸酯化合物及該等有機多元異氰酸酯化合物的三聚物、以及使該等有機多元異氰酸酯化合物與多元醇化合物反應而得到之末端異氰酸酯胺甲酸酯預聚合物等。
作為有機多元異氰酸酯化合物，具體而言係可舉出2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-苯二甲基二異氰酸酯、1,4-苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、離胺酸異氰酸酯、及該等的多元醇加成物(例如，三羥甲基丙烷加成物甲苯二異氰酸酯)。
作為有機多元亞胺化合物，具體而言，能夠舉出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-雙(1-吖環丙烷羧醯胺)、三羥甲基丙烷-三-β-吖環丙烷基丙酸酯、四羥甲基甲烷-三-β-吖環丙烷基丙酸酯及N,N’-甲苯-2,4-雙(1-吖環丙烷羧醯胺)三伸乙基三聚氰胺等。
相對於交聯前的丙烯酸系聚合物100質量份，交聯劑係通常為0.01~20質量份，以0.1~15質量份為佳，較佳是 以0.5~12質量份的比例調配。增加交聯劑的調配量時，上述的剝離力和黏著力降低；減少交聯劑的調配量時，該剝離力和該黏著力有上升之傾向。
在本發明，針對構成黏著劑層的成分之含量的態樣，將丙烯酸系聚合物的含量規定作為基準之情況，將丙烯酸系聚合物交聯而成之丙烯酸系聚合物時，作為其基準之含量，係交聯前的丙烯酸系聚合物之含量。
能量線硬化性化合物(B)，係受到紫外線、電子射線等的能量線照射時，聚合硬化之化合物。作為該能量線硬化性化合物的例子，可舉出能量線聚合性基之低分子量化合物(單官能、多官能的單體及寡聚物)，具體而言，係能夠使用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四丙烯酸酯四丙烯酸酯、新戊四醇三丙烯酸酯、二新戊四醇一羥基五丙烯酸酯、二新戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等的丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸異莰酯等含環狀脂肪族骨架的丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、胺甲酸酯丙烯酸酯寡聚物、環氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、伊康酸寡聚物等的丙烯酸酯系化合物。此種化合物係在分子內具能量線聚合性基，通常分子量為100~30000，較佳為300-10000左右。
通常，相對於成分(A)(包含後述的能量線硬化型聚合物(AB))100質量份，具有能量線聚合性基之低分子量化合物係以0~200質量份為佳，較佳為1~100質量份。更佳是以1~30質量份左右的比例使用。
兼備上述成分(A)及(B)的性質之能量線硬化型聚合物(AB)，係在聚合物的主鏈、側鏈或末端鍵結能量線聚合性基而成。
鍵結在能量線硬化型聚合物的主鏈、側鏈或末端之能量線聚合性基，係可以透過伸烷基、伸烷氧基、聚伸烷氧基而鍵結在能量線硬化型聚合物的主鏈、側鏈或末端。
能量線硬化型聚合物(AB)的重量平均分子量(Mw)，係以1萬~200萬為佳，以10萬~150萬為較佳。又，能量線硬化型聚合物(AB)的玻璃轉移溫度(Tg)，係以-70~30℃為佳，較佳為-60~20℃的範圍。又，使後述之含有羥基等的官能基之丙烯酸系聚合物、與含聚合性基的化合物反應得到之能量線硬化型聚合物(AB)之情況，Tg係與含聚合性基的化合物反應之前之丙烯酸系聚合物的Tg。提高能量線硬化型聚合物(AB)的重量平均分子量和玻璃轉移溫度時，上述的剝離力和黏著力降低；降低重量平均分子量和玻璃轉移溫度時，該剝離力和該黏著力有上升之傾向。
能量線硬化型聚合物(AB)，係例如能夠使含有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基之丙烯酸系聚合物、與每1分子具有1~5個與該官能基反應之取代基及能量線聚合性碳-碳雙鍵之含聚合性基的化合物反應而得到。丙烯酸系聚合物係以具有羥基、羧基、胺基、取代胺基、環氧基等的官能基之(甲基)丙烯酸酯單體或其衍生物、與構成前述的成分(A)之單體所構成之共聚物為佳。作為該含聚合性基的化合物，可舉出異氰酸(甲基)丙烯醯氧基乙酯、間異丙烯基-α,α-二 甲基苄基異氰酸酯、(甲基)丙烯醯基異氰酸酯、異氰酸烯丙酯、(甲基)丙烯酸環氧丙酯、(甲基)丙烯酸等。
使含有羥基等的官能基之丙烯酸系聚合物、與含聚合性基的化合物反應而得到能量線硬化性聚合物(AB)時，能量線硬化型聚合物(AB)係與上述的丙烯酸系聚合物(A1)同樣，亦可以被交聯。
含有如上述的丙烯酸系聚合物(A1)、能量線硬化性化合物(B)及/或能量線硬化型聚合物(AB)之丙烯酸系黏著劑，係藉由能量線照射而硬化。作為能量線，具體而言係能夠使用紫外線、電子射線等。
又，藉由在能量線硬化性化合物(B)、能量線硬化型聚合物(AB)組合光聚合起始劑，能夠使聚合硬化時間縮短，以及減少光線照射量。
作為此種光聚合起始劑，可舉出二苯基酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚。苯偶姻異丙醚、苯偶姻異丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲縮酮、2,4-二乙基9-氧硫、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、1-羥基環己基苯基酮、苄基二苯基硫醚、四甲基秋蘭姆一硫醚、偶氮雙異丁腈、二苯基乙二酮(benzil)、聯苄(dibenzyl)、聯乙醯、1,2-二苯基甲烷、2-羥基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯膦氧化物及β-氯蒽醌等。光聚合起始劑係能夠單獨1種類，或組合2種類以上而使用。
光聚合起始劑的調配比例，係相對於能量線硬化 性化合物(B)和能量線硬化性聚合物(AB)的合計100質量份，以含有0.1~10質量份為佳，以含有1~5質量份為較佳。光聚合起始劑的調配比例小於0.1質量份時，因光聚合不足而有無法得到滿足的硬化性之情形，大於10質量份時，有生成對光聚合沒有幫助的殘留物且成為不良的原因之情形。
支撐薄片的厚度，係通常為10~500μm，以15~300μm為佳，較佳為20-250μm。設置黏著劑層時，在支撐薄片中，黏著劑層的厚度係以2~20μm為佳，較佳為3~15μm，更佳為4~10μm。黏著劑層的厚度太小時，有未顯現充分的剝離力和黏著力之情形，又，黏著劑層的厚度太大時，剝離力和黏著力變高，有無法發揮本發明的效果之情形。
(樹脂膜形成層)
在本發明之樹脂膜形成層，係能夠按照薄片的用途而從後述的薄膜狀接著劑、接著劑層、保護膜形成層等具有各式各樣的功能之樹脂之中適當地選擇。
<薄膜狀接著劑>
樹脂膜形成層係可為薄膜狀接著劑。近年來，在晶片的晶片接合步驟係使用許多此種薄膜狀接著劑。此種薄膜狀接著劑，係較佳是將環氧系接著劑或聚醯亞胺系接著劑製膜且半硬化而成者(B-階段狀態)，且能夠在上述的支撐薄片上以能夠剝離的方式形成。
薄膜狀接著劑係被貼附在工件。藉由將該工件及薄膜狀接著劑切割成為晶片大小，能夠得到附有接著劑的晶片，將其從支撐薄片拾取且透過接著劑而將晶片固定在預定位 置。又，在拾起附有接著劑的晶片時，係以進行擴展為佳。
<接著劑層>
在本發明之樹脂膜形成用薄片，亦可以是同時兼備切割時的晶圓固定功能及晶片接合時的晶片接著功能之切割．晶片接合兼用薄片。
樹脂膜形成用薄片係切割．晶片接合兼用薄片時，在切割步驟，樹脂膜形成層係保持工件和已將工件個片化後之晶片，且在切割時係與工件同時被切斷而形成與晶片相同形狀的樹脂膜形成層。然後，切割結束後，在進行晶片的拾取時樹脂膜形成層係與晶片同時從支撐薄片剝離。在晶片接合時，樹脂膜形成層的功能係作為用以將晶片固定之接著劑。將附有樹脂膜形成層之晶片載置在基板且進行加熱等，透過樹脂膜形成層而將晶片、與基板和其他晶片等的被接著物接著。
樹脂膜形成用薄片係此種切割、晶片接合兼用薄片時，係在支撐薄片上形成具有感壓接著性且兼備晶片接著功能之接著劑層作為樹脂膜形成層而成。此種兼備晶圓固定功能與晶片接著功能之樹脂膜形成層，係例如含有前述的丙烯酸系聚合物(A1)及環氧系接著劑，而且按照必要而含有能量線硬化性化合物(B)、能量線硬化型聚合物(AB)和硬化助劑等。又，在接著劑層的晶片的拾取時，係與前述同樣地進行擴展為佳。
<保護膜形成層>
而且，樹脂膜形成用薄片係被使用作為用以在晶片的背面形成保護膜之保護膜形成用薄片時，樹脂膜形成層亦可以是用以在晶片的背面形成保護膜之保護膜形成層。
此時，將工件貼附在保護膜形成層且使保護膜形成層硬化而作為保護膜，隨後，將工件及保護膜切割而能夠得到附有保護膜的晶片。又，亦可以將工件貼附在保護膜形成層，將工件及保護膜形成層切割而得到附有保護膜形成層的晶片，隨後，將保護膜形成層硬化而得到附有保護膜的晶片。
此種保護膜形成用薄片，係在支撐薄片上具有當作保護膜之接著性的樹脂層(保護膜形成層)作為樹脂膜形成層。此種當作保護膜之樹脂膜形成層，係例如含有前述的丙烯酸系聚合物(A1)、環氧接著劑及硬化助劑，而且亦可按照必要含有能量線硬化性化合物(B)、能量線硬化型聚合物(AB)、填料等。
樹脂膜形成層的厚度，係依照其用途而各式各樣且大約為1~300μm，較佳為10~200μm，特佳為20~100μm。
(治具接著層)
作為治具接著層，係能夠採用由黏著劑層單體所構成之黏著構件；由基材及黏著劑層所構成之黏著構件；及具有芯材之兩面黏著構件。治具接著層係例如環狀(ring type)，具有空洞部(內部開口)且具有能夠固定在環狀框等的治具之大小。具體而言，係環狀框的內徑比治具接著層的外徑更小。又，環狀框的內徑係比治具接著層的內徑稍大。又，環狀框係通常為金屬或塑膠的成形體。
將由黏著劑層單體所構成之黏著構件作為治具接著層，作為形成黏著劑層之黏著劑，係沒有特別限制，例如以由丙烯酸系黏費劑、橡膠系黏著劑、或聚矽氧黏著劑所構成者為佳。該等之中，考慮在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄 片的剝離力和對SUS的黏著力、及從環狀框的再剝離性時，以含有上述的丙烯酸系聚合物(A1)之丙烯酸系黏著劑為佳。又，上述黏著劑係可單獨使用，亦可混合二種以上而使用。
構成治具接著層之黏著劑層的厚度，係以2~20μm為佳，較佳為3~15μm，更佳為4~10μm。黏著劑層的厚度小於2μm時，有未顯現充分的剝離力和黏著力之情形。黏著劑層的厚度大於20μm時，剝離力和黏著力變高。有無法發揮本發明的效果之情形；和在從環狀框剝離時有在環狀框殘留黏著劑的殘渣物而將環狀框污染之情形。
將由基材及黏著劑層所構成之黏著構件作為治具接著層時，係將構成黏著構件之黏著劑層及剝離薄片層積。作為形成黏著劑層之黏著劑，係與上述由黏著劑層單體所構成的黏著構件之形成黏著劑層之黏著劑同樣。又，黏著劑層的厚度亦同樣。
構成治具接著層之基材，係沒有特別限制，例如可舉出聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜、離子聚合物樹脂薄膜等的聚烯烴薄膜、聚氯乙烯薄膜、聚對酞酸乙二酯薄膜等。該等之中，考慮擴展性時，係以聚乙烯薄膜及聚氯乙烯薄膜為佳，以聚氯乙烯薄膜為較佳。
構成治具接著層之基材的厚度，係以15~200μm為佳，較佳為30~150μm，更佳為40~100μm。
又，將具有芯材之兩面黏著構件作為治具接著層時，兩面黏著構件係由芯材、在其一面形成之層積用黏著劑 層、及其另一面形成之固定用黏著劑層所構成。在第3態樣，層積用黏著劑層係被貼附在樹脂膜形成層側之黏著劑層，在第4態樣，層積用黏著劑層係被貼附在支撐薄片側之黏著劑層。又，固定用黏著劑層，係被貼附在剝離薄片側之黏著劑層。
作為兩面黏著構件的芯材，可舉出與上述黏著構件的基材同樣者。該等之中，考慮擴展性時，係以聚烯烴薄膜及可塑化的聚氯乙烯薄膜為佳。
芯材的厚度，係通常為15~200μm，以30-150μm為佳，較佳為40~100μm。
兩面黏著構件的層積用黏著劑層及固定用黏著劑層，係可以由相同的黏著劑所構成之層，亦可以由不同的黏著劑所構成之層。
構成固定用黏著劑層之黏著劑，係以在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力和對SUS的黏著力成為預定範圍之方式，而且以固定用黏著劑層與環狀框的接著力係成為比樹脂膜形成層或支撐薄片與層積用黏著劑層的接著力更小之方式適當地選擇。作為此種黏著劑，例如可舉出丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧黏著劑，考慮在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力和對SUS的黏著力、及從環狀框的再剝離性時，係以含有上述的丙烯酸系聚合物(A1)之丙烯酸系黏著劑為佳。又，形成固定用黏著劑層之黏著劑，係可單獨使用，亦可混合二種以上而使用。
構成層積用黏著劑層之黏著劑係沒有特別限定。例如可舉出丙烯酸系黏著劑、橡膠系黏著劑、聚矽氧黏著劑。 該等之中，從與樹脂膜形成層或支撐薄片之接著力的控制為容易之觀點而言，以含有上述的丙烯酸系聚合物(A1)之丙烯酸系黏著劑為佳。又，形成層積用黏著劑層之黏著劑，係可單獨使用，亦可混合二種以上而使用。
層積用黏著劑層及固定用黏著劑層的厚度，係與上述黏著構件的黏著劑層之厚度同樣。
藉由設置治具接著層，將樹脂膜形成用薄片接著在環狀框等的治具係變為容易。
(剝離薄片)
剝離薄片係在樹脂膜形成用薄片的使用時，達成作為載體薄膜之分派任務者，能夠使用已例示作為上述的支撐薄片之薄膜。
接觸剝離薄片的樹脂膜形成層之面的表面張力，係較佳為40mN/m以下，更佳為37mN/m以下，特佳為35mN/m以下。下限值係通常為25mN/m左右。此種表面張力比較低的剝離薄片，係能夠適當地選擇材質而得到，又，亦能夠藉由在剝離薄片的表面塗佈剝離劑而施行剝離處理來得到。
作為在剝離處理所使用的剝離劑，係能夠使用醇酸系、聚矽氧系、氟系、不飽和聚酯系、聚烯烴系、蠟系等，因為具有耐熱性，特別是以醇酸系、聚矽氧系、氟系的剝離劑為佳。
為了使用上述的剝離劑而將當作剝離薄片的基體之薄膜等的表面進行剝離處理，係將剝離劑直接在無溶劑的狀態下、或是使用溶劑稀釋和乳膠化且使用凹版塗佈機、邁耶氏 棒(Mayer’s bar)塗佈機、氣動刮刀塗佈機、輥塗佈機等進行塗佈，而且將塗佈剝離劑後的剝離薄片移送至常溫下或加熱下，或藉由電子射線使其硬化而形成剝離劑層即可。
又，亦可藉由使用濕式層疊、乾式層疊、熱熔融層疊、熔融擠製層疊、共擠製加工等來進行薄膜的層積且調整剝離薄片的表面張力。亦即，可以製造以下的層積體作為剝離薄片，該層積體，係將至少一面的表面是作為上述的剝離薄片與樹脂膜形成層接觸之面且在較佳範圍內之薄膜，以該面係成為與樹脂膜形成層接觸的面之方式與其他薄膜層積而成。
剝離薄片的厚度係沒有特別限定，以50μm以上為佳，較佳為50~200μm。剝離薄膜小於50μm時，在將樹脂膜形成用薄片捲起成為捲物狀時，有在樹脂膜形成層產生捲起瑕疵之情形。在樹脂膜形成層產生捲起瑕疵時，樹脂膜形成層的厚度精確度低落，致使在將工件貼附在樹脂膜形成層時產生咬入空氣；和在後述半導體裝置的製造方法，將晶片透過樹脂膜形成層而與晶片搭載部(基板、其他晶片等)進行接著時，係成為接著性低落和產生空隙的原因。其結果，得到具有優異的可靠性之半導體裝置係難以變為困難。又，在將保護樹脂膜形成層使用作為用以保護晶片的背面之保護膜時，除了上述樹脂膜形成層產生捲起瑕疵以外，亦成為外觀不良的原因。藉由使剝離薄片的厚度成為上述範圍，能夠消除上述的問題。
具有如上述的態樣．構成之樹脂膜形成用薄片層積體，係能夠將剝離薄片除去之後，將樹脂膜形成層貼附在工件，且能夠依照情況，隨後在工件施行切割等的所需要的加 工。然後，使樹脂膜形成層固定殘留在工件而將支撐薄片。亦即，能夠使用包含將樹脂膜形成層從支撐薄片轉印至工件的步驟之製程。
作為在本發明能夠應用的工件，不被其素材限定，例如能夠舉出半導體晶圓、玻璃基板、陶瓷基板、FPC等的有機材料基板、或精密部品等的金屬材料等各種物品。
樹脂膜形成用薄片層積體的形狀，係能夠設作在長條剝離薄片上，將含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片層積而成之帶狀形狀，且能夠將其捲取。特別是如第2圖所所顯示，以將含有配合所需要的形狀而切下的支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片，在長條剝離薄片上以能夠剝離且一定間隔的方式層積而成之形態為佳。又，亦能夠將樹脂膜形成用薄片層積體的形狀設作單片的形狀。
將配合所需要的形狀而切下之含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片，在長條剝離薄片上成為以能夠剝離且一定間隔的方式層積而成之形態時，在層積有樹脂膜形成用薄片之部分、及未層積有樹脂膜形成用薄片之部分，樹脂膜形成用薄片層積體的厚度係成為不不均勻。將此種厚度不均勻之樹脂膜形成用薄片層積體捲取成為捲物狀時，厚度係不均勻且捲壓亦不均勻，致使捲物有產生捲取崩潰之情形。因而，在此種形態的樹脂膜形成用薄片層積體，係以使厚度均勻為佳。因此，在配合所需要的形狀而切下之樹脂膜形成用薄片的外側，係如第2圖所顯示，以空出少許間隔且沿著在長條剝離薄片13的短方向之兩緣部15貼合與樹脂膜形成用薄片相同 程度的厚度之周邊膠帶14為佳。在此，樹脂膜形成用薄片與周邊膠帶14之間隔係以1~20mm左右為佳，以2~10mm左右為特佳。藉由周邊膠帶14來消除厚度的不均勻，而使避免上述的不良變為容易。
樹脂膜形成用薄片層積體的製造
其次，針對將配合所需要的形狀而切下之樹脂膜形成用薄片，在長條剝離薄片上成為以能夠剝離且一定間隔的方式層積而成的形態之樹脂膜形成用薄片層積體的製造方法，係以第3圖所顯示之第1態樣及第5圖所顯示之第3態樣作為例子而進行說明，但是本發明的樹脂膜形成用薄片，係不被限定為使用此種製造方法而得到者。
(第1態樣之樹脂膜形成用薄片層積體的製造)
首先，將剝離薄片上的樹脂膜形成層半切割成為所需要的形狀。
具體而言，係準備2片長條剝離薄片(以下，稱為第1的長條剝離薄片、第2長條剝離薄片。第2長條剝離薄片係在第3圖之剝離薄片13)之間形成有樹脂膜形成層之層積體。可以使用2片的長條剝離薄片將預先製膜成為薄膜狀之樹脂膜形成層夾入，又，亦可以將用以形成樹脂膜形成層之樹脂膜形成用組成物，塗佈在一方的長條剝離薄片且乾燥，且在塗膜上貼合另一方的長條剝離薄片而形成層積體。
其次，將第1長條剝離薄片除去。然後，以將樹脂膜形成層完全地切入成為所需要的形狀且到達第2長條剝離薄片13之方式，將樹脂膜形成層進行模切(die cutting)(半切 割)。模切係使用晶粒切割等的泛用的裝置(旋轉式刀刃或單刀)、方法來進行。此時的切入深度係以用以將樹脂膜形成層完全地切入、用以形成切入深度d2的切入部D2之樹脂膜形成層的厚度與切入深度d2的合計之深度進行切入。因此，在第2長條剝離薄片的表面係形成切入深度d2的切入部D2。
其次，在樹脂膜形成層的長度方向貼附剝離用黏著膠帶。然後，藉由將剝離用黏著膠帶除去，而使所需要的形狀樹脂膜形成層12殘留在第2長條剝離薄片13上且將剩餘的樹脂膜形成層除去。除了所需要的形狀樹脂膜形成層以外之剩餘部分係連續著。因此，將第2長條剝離薄片與樹脂膜形成層的界面設作剝離起點時，剩餘部分的樹脂膜形成層係被除去，所需要的形狀樹脂膜形成層12係殘留在第2長條剝離薄片13上。該結果，能夠得到在第2長條剝離薄片13上排列有所需要形狀的樹脂線形成層12之層積體。
其次，將支撐薄片11，以與第2長條剝離薄片13及樹脂膜形成層12接觸之方式，貼附在第2長條剝離薄片13之具有樹脂膜形成層12的面上。在第1態樣，支撐薄片11係由基材11a及黏著劑層11b所構成之黏著片。在基材11a上形成黏著劑層11b之方法係沒有特別限定，例如，可舉出將構成黏著劑層11b之組成物(黏著劑)塗佈在基材11a上且乾燥而形成之方法；和將黏著劑設置在與上述剝離薄片為另外的剝離薄片上，且將其轉印至基材11a而形成之方法等。
然後，將支撐薄片進行模切成為環狀框的內徑以上且外徑以下的大小之所需要的形狀。此時，係以樹脂膜形成 層12之中心點、與模切後的支撐薄片11之中心點係成為一致的方式進行模切。又，切入深度係以將支撐薄片完全地切入、用以形成切入深度d1的切入部D1之支撐薄片的厚度與切入深度d1的合計之深度進行切入。因此，在第2長條剝離薄片的表面，係形成切入深度d1的切入部D1。
其次，使所需要的形狀支撐薄片11殘留在第2長條剝離薄片13上，將除去剩餘的支撐薄片。該結果，能夠得到在第2長條剝離薄片13上層積有包含所需要的形狀樹脂膜形成層及支撐薄片11之樹脂膜形成用薄片之第1態樣的樹脂膜形成用薄片層積體。
又，在上述進行支撐薄片的模切時，係以在將支撐薄片切入成為所需要的形狀之同時，在該形狀的支撐薄片11的外側從支撐薄片空出少許的間隔，且沿著第2長條剝離薄片的短方向之兩緣部15殘留作為周邊膠帶14的支撐薄片之方式進行模切為佳。隨後，藉由使所需要的形狀支撐薄片11及周邊膠帶14殘留在第2長條剝離薄片13上，且除去剩餘的支撐薄片，而能夠得到含有支撐薄片11及樹脂膜形成層12之樹脂膜形成用薄片10、及周邊膠帶14係連續地被貼合在長條剝離薄片13上而成的形態之樹脂膜形成用薄片層積體100。
(第3態樣之樹脂膜形成用薄片層積體的製造)
治具接著層，係針對具有芯材之兩面黏著構件之情況進行說明。
首先，準備用以形成治具接著層的黏著劑層(層積用黏著劑層及固定用黏著劑層)之黏著劑。又，在治具接著層， 用以形成層積用黏著劑層之黏著劑係與用以形成固定用黏著劑層之黏著劑為不同時，係準備各黏著劑。以下，係將構成層積用黏著劑層之黏著劑記載為「層積用黏著劑」，將用以形成固定用黏著劑層之黏著劑記載為「固定用黏著劑」。層積用黏著劑與固定用黏著劑係相同之情況，因為不必準備2種類的黏著劑，而且不必區別治具接著層之兩面而能夠使用，所以作業效率提升。
其次，將層積用黏著劑塗佈在長條剝離薄片(以下，稱為第3長條剝離薄片)上且乾燥而形成層積用黏著劑層。隨後，將層積用黏著劑層貼合在芯材上，而得到將芯材、層積用黏著劑層及第3長條剝離薄片依照該順序層積而成之層積體。又，將固定常黏著劑塗佈在長條剝離薄片(以下，稱為第4長條剝離薄片。第4長條剝離薄片係在第5圖之剝離薄片13)上且乾燥而形成固定用黏著劑層。隨後，將層積用黏著劑層貼合在上述所得到的層積體之芯材上，而得到將第3長條剝離薄片、層積用黏著劑層、芯材、固定用黏著劑膚及第4長條剝離薄片依照該順序層積而成之層積體(被長條剝離薄片挾持之治具接著層)。
其次，將第3長條剝離薄片除去。然後，將依照以下的順序層積治具接著層及第4長條剝離薄片而成之層積體切入成為所需要的形狀，且以到達第4長條剝離薄片之方式將該層積體模切(半切割)。模切係使用晶粒切割等泛用的裝置(旋轉式刀刃或平刀刃)、方法來進行。此時的切入深度，係以用以將該層積體完全地切入、用以形成切入深度d3的切入部D3 之該層積體的厚度及切入深度d3的合計之深度進行切入。因此，在第4長條剝離薄片的表面係形成切入深度d3的切入部D3。
其次，將剝離用黏著膠帶貼附在治具接著層的長度方向。然後，藉由將剝離用黏著膠帶除去，而將所需要的形狀治具接著層從第4長條剝離薄片13上除去。該結果。能夠得到在第4長條剝離薄片13上，層積有具有所需要形狀的內部開口之治具接著層之層積體。
又，準備在基材11a上形成有黏著劑層11b之支撐薄片11。得到該該支撐薄片之方法，係如已在第1態樣說明。
然後，在支撐薄片11的黏著劑層11b上形成樹脂膜形成層12。在黏著劑唐11b上形成樹脂膜形成層12之方法係沒有特別限定，例如，可舉出將樹脂膜形成用組成物塗佈在黏著劑層11b上且乾燥而形成之方法；和將樹脂膜形成用組成物設置在與上述剝離薄片為另外的剝離薄片上，藉由將其轉印至黏著劑層11b來形成之方法等。如此進行而能夠得到由支撐薄片11及樹脂膜形成層12所構成之層積體。
其次，以第4長條剝離薄片13與治具接著層接觸之方式，將由支撐薄片11及樹脂膜形成層12所構成的層積體之樹脂膜形成層12貼附在第4長條剝離薄片13之具有治具接著層之面，而在第4長條剝離薄片13上形成樹脂膜形成用薄片10。
然後，將樹脂膜形成用薄片10模切成為環狀框的內徑以上且外徑以下的大小之所需要的形狀。此時，以治具接 著層的內部開口之中心點、與模切後的樹脂膜形成用薄片10之中心點為一致的方式進行模切。又，切入深度係以用以將樹脂膜形成用薄片完全地切入、用以形成切入深度d1的切入部D1之樹脂膜形成用薄片的厚度及切入深度d1的合計之深度進行切入。因此，在第4長條剝離薄片的表面，係形成切入深度d1的切入部D1。
其次，使所需要的形狀樹脂膜形成用薄片10殘留在第4長條剝離薄片13上，且將剩餘的樹脂膜形成用薄片除去。該結果，能夠得到在第4長條剝離薄片13上層積有所需要的形狀樹脂膜形成用薄片10之第3態樣的樹脂膜形成用薄片層積體。又，在進行樹脂膜形成用薄片的模切時，係與第1態樣同樣地，以殘留周邊膠帶14之方式進行模切為佳。
半導體裝置的製造方法
其次，針對本發明的樹脂膜形成用薄片層積體之利用方法，將第2圖及第3圖所顯示之第1態樣的樹脂膜形成用薄片層積體應用在半導體裝置的製造方法之情況，採用作為例子而進行說明。
使用第1態樣的樹脂膜形成用薄片層積體之半導體裝置的製造方法，係以含有以下的步驟為佳：將該層積體的樹脂膜形成層黏貼在工件且將該工件切割而成為晶片，使該樹脂膜形成層固定殘留在該晶片的任一面且從支撐薄片剝離，而且將該晶片透過該樹脂膜形成層而載置在晶片墊(die pad)部上、或另外的晶片上。
以下，使用以矽晶圓作為工件之例子而進行說明。
在晶圓表面形成電路係能夠藉由使用包含蝕刻法、剝落法等的以往被廣泛應用的方法之各式各樣的方法來進行。其次，將晶圓的電路面之相反面(背面)磨削。磨削法係沒有特別限定。亦可藉由使用研磨機等之習知的手段進行磨削。背面磨削時係在電路面貼附被稱為表面保護薄片之黏著片，用以保護表面的電路。背面磨削係使用夾頭座(chuck table)等將晶圓的電路面側(亦即表面保護薄片側)固定，且使用研磨機磨削未形成有電路之背面側。晶圓磨削後的厚度係沒有特別限定，通常為50~500μm左右。
隨後，按照必要而將背面磨削時所產生的粉碎層除去。粉碎層的除去係能夠使用化學蝕刻、電漿蝕刻等來進行。
接著電路形成及背面磨削，係在晶圓的背面貼附樹脂膜形成用薄片層積體之樹脂膜形成層。貼附方法係沒有特別限定，例如藉由第1圖所顯示的步驟將樹脂膜形成層貼附在半導體晶圓。
第1圖(a)~(d)，係進行將樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32的作業之一系列的步驟圖。如第1圖(a)所顯示，樹脂膜形成用薄片層積體100之離薄片13係達成剝載體薄膜的分派任務，被2支輥筒62及66、以及剝離板64支撐之同時，其一端係在連接至圓柱狀捲芯44的狀態下被捲繞且形成第1捲物42；而另一端係在連接至圓柱狀捲芯54的狀態下被捲繞且形成第2捲物52。而且，第2捲物52的捲芯54係被連接至用以使該捲芯54旋轉之捲芯驅動用馬達(未圖示)，樹脂膜形成用薄片10被剝離之後的剝離薄片13係以預 定速度被捲繞。
首先，捲芯驅動用馬達旋轉時，第2捲物52的捲芯54係旋轉，樹脂膜形成用薄片10係從被第1捲物42的捲芯44捲繞之樹脂膜形成用薄片100往第1捲物42的外部被拉出。然後，被拉出的樹脂膜形成用薄片10，係被引起至配置在移動式的載物台上之圓板狀半導體晶圓32及以將其包圍的方式配置之環狀框34上。
其次，將樹脂膜形成用薄片10從剝離薄片13剝離。此時，如第1圖(a)所顯示，從樹脂膜形成用薄片10的剝離薄片13側係被剝離板64碰觸。在本發明，因為在樹脂膜形成用薄片10的外周部之剝離薄片的剝離力及對SUS的黏著力為預定範圍，所以樹脂膜形成用薄片容易捲出。又，如第1圖(b)所顯示，形成切入部D1時，剝離薄片13係以切入部D1作為起點而被往剝離板64側折彎，而能夠容易地在剝離薄片13與樹脂膜形成用薄片10之間製作出剝離起點。而且，亦可以對剝離薄片13與樹脂膜形成用薄片10的境界面吹附空氣，來使剝離起點能夠更有效率地製作出。其結果，樹脂膜形成用薄片10的捲出係變為更容易。
其次，如第1圖(c)所顯示，樹脂膜形成用薄片10係與環狀框(ring frame)34及半導體晶圓32密著的方式進行貼附樹脂膜形成用薄片10。此時，藉由輥筒68將樹脂膜形成用薄片10壓黏在半導體晶圓32上。然後，如第1圖(d)所顯示，樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32上係完成，而能夠得到附有樹脂膜形成用薄片的半導體晶圓。
如以上的依照程序，能夠使用自動化的步驟連續地進行將樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32。作為進行此種樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32的作業之裝置，例如可舉出LINTEC(股)製的RAD-2500(商品名)等。
而且，藉由此種步驟，將樹脂膜形成用薄片10貼附在半導體晶圓32時，藉由使用具有本發明所需要的物性之樹脂膜形成用薄片層積體，在樹脂膜形成用薄片10的外周到達剝離板的前端時，即便是較厚的剝離薄片，樹脂膜形成用薄片係能夠在外周部從剝離薄片剝離且被捲出。其結果，能夠防止捲出後的樹脂膜形成用薄片的支撐薄片之間或樹脂膜形成層之間在互相重疊的方向折彎而密著，或是樹脂膜形成用薄片貼附在剝離薄片之問題。
樹脂膜形成層在室溫係不具有黏性時，亦可以適當地加溫(未限定地，以40~80℃為佳)。
又，在樹脂膜形成層調配能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化穏聚合物(AB)時。亦可以從支撐薄片側對樹脂膜形成層照射能量線，而將樹脂層形成層預硬化且提升樹脂膜形成層的凝聚力，來使樹脂膜形成層與支撐薄片之間的接著力降低。
隨後，使用切割鋸等的切斷手段，將上述的半導體晶圓切斷而得到半導體晶片。此時的切斷深度，係考慮半導體晶圓的厚度與樹脂膜形成層的厚度之合計及切割鋸的磨耗程度後而設定之深度。又，能量線照射係可以在半導體晶圓的貼附後，半導體晶片的剝離(拾取)前之任一階段進行，例如可 以在切割之後進行，又，亦可以在下述的擴展步驟之後進行，以在半導體晶圓的貼附後且切割前進行為佳。而且亦可將能量線照射分成複數次而進行。
其次，按照必要而進行樹脂膜形成用薄片的擴展時，半導體晶片間隔係擴張，能夠使半導體晶片的拾取更容易地進行。此時，在樹脂膜形成層與支撐薄片之間，係產生偏移使得樹脂膜形成層與支撐薄片之間的接著力減少且半導體晶片的拾取性提升。如此進行而進行半導體晶片的拾取時，能夠使被切斷後的樹脂膜形成層固定殘留半導體晶片背面而從支撐薄片剝離。
其次，透過樹脂膜形成層而將半導體晶片載置在引線框的晶片墊上或另外的半導體晶片(下段晶片)表面(以下，將搭載晶片之晶片墊或下段晶片表面記載為「晶片搭載部」)。
載置時的壓力係通常為1kPa~200MPa。又，晶片搭載部可以在載置半導體晶片之前進行加熱，或是剛載置後進行加熱。加熱溫度係通常為80~200℃，較佳為100~180℃，加熱時間係通常為0.1秒~5分鐘、較佳為0.5秒~3分鐘。
將半導體晶片載置在晶片搭載部之後，亦可按照必要而進一步進行加熱。此時的加熱條件係上述加熱溫度的範圍，加熱時間係通常1~180分鐘，較佳為10~120分鐘。
又，亦可不進行載置後的加熱處理而預先設作預接著狀態，利用組件製造時通常所進行的樹脂封裝之加熱使樹脂膜形成層硬化。藉由經過此種步驟，樹脂膜形成層係硬化且 能夠得到半導體晶片與晶片搭載部係堅固地被接著之半導體裝置。因為樹脂膜形成層係在晶片接合條件下流動化，所以亦充分地埋入晶片搭載部的凹凸且能夠防止產生空隙，使得半導體裝置可靠性變高。
又，第2本發明之半導體裝置的製造方法，較佳是在表面形成有電路之半導體晶圓的背面貼附樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層，隨後，得到在背面具有樹脂膜之半導體晶片。該樹脂膜係半導體晶片的保護膜。又，本發明之半導體裝置的製造方法，其特徵在於：較佳是進一步含有以下的步驟(1)~(3)且以任意順序進行步驟(1)~(3)。
步驟(1)：將樹脂膜形成層或樹脂膜與支撐薄片剝離；步驟(2)；使樹脂膜形成層硬化而得到樹脂膜；及步驟(3)：將半導體晶圓與樹脂膜形成層或樹脂膜進行切割。
首先，在半導體晶圓的背面，貼附樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層。該步驟係與在上述第1半導體裝置的製造方法之貼附步驟同樣。
隨後，以任意順序進行步驟(1)~(3)。例如，將步驟(1)~(3)以步驟(1)、(2)、(3)的順序，以步驟(2)、(1)、(3)的順序，步驟(2)、(3)、(1)的順序步驟(3)、(2)、(1)的順序，或以步驟(3)、(1)、(2)的順序之任一順序進行。針對該製程之詳細，在特開2002-280329號公報有詳細敘述。作為一個例子，係針對以步驟(1)、(2)、(3)的順序進行的情況進行說明。
首先，將樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層貼附 在表面形成有電路之半導體晶圓的背面。其次，將支撐薄片從樹脂膜形成層剝離，而得到半導體晶圓與樹脂膜形成層的層積體。其次，將樹脂膜形成層硬化而在晶圓的全面形成樹脂膜。在樹脂膜形成層含有環氧接著劑時，係藉由熱硬化使樹脂膜形成層硬化。調配有能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化型聚合物(AB)時，係能夠藉由能量線照射來使樹脂膜形成層硬化，將環氧接著劑、及能量線硬化性化合物(B)和能量線硬化型聚合物(AB)併用時，可以同時進行藉由加熱及能量線照射來硬化，亦可逐次地進行。作為所照射的能量線，可舉出紫外線(UV)或電子射線(EB)等，較佳是使用紫外線。該結果，能夠在晶圓背面形成由硬化樹脂所構成之樹脂膜，因為相較於晶圓單獨時，強度係提升，所以能夠減低變薄的晶圓在操作時產生破損。又，相較於將塗佈樹脂膜用的塗佈液直接塗佈在晶圓和晶片的背面且被膜化之塗佈法，樹脂膜係具有較優異的厚度均勻性。
隨後，在晶圓表面所形成的每一個電路，將半導體晶圓與樹脂膜之層積體進行切割。切割係以將晶圓與樹脂膜同時切斷之方式進行。晶圓的切割，係藉由使用切割薄片之常用的方法來進行。該結果，能夠得到在背面具有樹脂膜之半導體晶片。
其次，亦能夠在樹脂膜進行雷射印字。雷射印字係使用雷射標記法來進行，藉由照射雷射光將保護膜的表面削掉而在保護膜標記產品號碼等。又，雷射印字亦能夠在使樹脂膜形成層硬化之前進行。
最後，藉由筒夾(collet)等的泛用手段將切割後的晶片拾取，而得到在背面具有樹脂膜之半導體晶片。然後，能夠藉由以倒裝方式將半導體晶片封裝在預定基座上來製造半導體裝置。又，藉由將在背面具有樹脂膜之半導體晶片，接著在晶片墊部或另外的半導體晶片等其他的構件上(晶片搭載部上)，亦能夠製造半導體裝置。如此，依照本發明能夠簡便地將厚度均勻性高的樹脂膜形成在晶片背面，且切割步驟和封裝之後不容易產生龜裂。
又，在半導體晶圓的背面貼附樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層之後，在步驟(1)之前進步驟(3)時，樹脂膜形成用薄片能夠達成作為切割薄片的分派任務。亦即，在切割步驟的進行中能夠使用作為用以支撐半導體晶圓之薄片。此時，將半導體晶圓透過樹脂膜形成層而黏貼在樹脂膜形成用薄片的內周部，且藉由樹脂膜形成用薄片的外周部與環狀框等的其他治具接合，在半導體晶圓所貼附的樹脂膜形成用薄片係被固定在裝置能夠進行切割。
又，以步驟(3)、(1)、(2)的順序進行時，係將在背面具有樹脂膜形成層之半導體晶片以倒裝方式封裝在預定基座上後，亦能夠利用在組件製造通常所進行的樹脂封裝之加熱而使樹脂膜形成層硬化。
實施例
以下，藉由實施例來說明本發明，但是本發明係不被該等實施例限定。在本發明所採用的測定、評價方法係如以下。
<剝離力>
使用拉伸試驗機(島津製作所製AUTOGRAPH AG-IS)，在拉伸速度300mm/分鐘、T剝離法、溫度/濕度=23℃/50%RH的條件下，測定樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力。
<黏著力>
將樹脂膜形成用薄片的外周部裁斷成為15mm×25mm而作為試料且貼附在SUS(不鏽鋼板)。其次，使用拉伸試驗機(島津製作所製AUTOGRAPH AG-IS)且依據JIS Z0237：2009，在拉伸速度300mm/分鐘、180°剝離法、溫度/濕度=23℃/50%RH的條件下，測定試料的黏著力。
<支撐薄片之間或樹脂膜形成層之間的密著及貼附在剝離薄片>
支撐薄片之間或樹脂膜形成層之間的密著(以下，密著評價)及貼附在剝離薄片(以下，貼附評價)係如以下進行。目視確認在將剝離薄片從樹脂線形成用薄片層積體除去時，在樹脂膜形成用薄片的支撐薄片之間或樹脂膜形成層之間是否在互相重疊的方向折彎而密著，或是樹脂膜形成用薄片是否貼附在剝離薄片。
層積用黏著劑及固定用黏著劑的調製
以丙烯酸系聚合物(丙烯酸2-羥基己酯/甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/10/10(質量比)、重量平均分子量：80萬)作為主原料，來調製相對於該主原料的固體成分100質量份，添加有三羥甲基丙烷加成物甲苯二異氰酸酯1質量份之甲 基乙基酮(MEK)溶液(固體成分濃度25%)且作為層積用黏著劑。又，準備與層積用黏著劑相同者作為固定用黏著劑。
支撐薄片A的製造
作為構成支撐薄片之基材，係準備聚烯烴基材(厚度：80μm)。又，使丙烯酸系聚合物(丙烯酸月桂酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/20(質量比)、重量平均分子量：80萬)，以該丙烯酸系聚合物每100g與21.4g(丙烯酸系聚合物的丙烯酸2-羥基乙酯單元每100莫耳，為80莫耳)的異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯反應而得到能量線硬化型聚合物(重量平均分子量：70萬)。
調製相對於能量線硬化型聚合物的固體成分100質量份，添加三羥甲基丙烷加成物甲苯二異氰酸酯8質量份，1-羥基環己基苯基酮3質量份而成之MEK溶液(固體成分濃度25%)，來得到用以形成支撐薄片A的黏著劑層之黏著劑。
其次，在進行剝離處理後之PET薄膜(厚度；50μm)的剝離處理面上，將上述的黏著劑以黏著劑層的厚度成為10μm之方式塗佈。隨後，將基材與黏著劑層貼合而得到支撐薄片A。
支撐薄片B的製造
作為構成支撐薄片之基材，係準備聚烯烴基材(厚度：70μm)。又，使丙烯酸系聚合物(丙烯酸2-羥基己酯/丙烯酸2-羥基乙酯=80/20(質量比)、重量平均分子量：80萬)，以該丙烯酸系聚合物每100g，與13.4g(丙烯酸系聚合物的丙烯酸2-羥基己酯單元每100莫耳，50莫耳)的異氰酸甲基丙烯醯氧基乙酯反應而得到能量線硬化型聚合物(重量平均分子量：80萬)。
調製相對於能量線硬化型聚合物的固體成分100質量份，添加三羥甲基丙烷加成物甲苯二異氰酸酯、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮、及1-羥基環己烷苯基酮各自1質量份而成之MEK溶液(固體成分濃度25%)，來得到用以形成支撐薄片B的黏著劑層之黏著劑。
其次，在進行剝離處理後之PET薄膜(厚度；50μm)的剝離處理面上，將上述的黏著劑以黏著劑層的厚度成為30μm之方式塗佈。隨後，將基材與黏著劑層貼合而得到支撐薄片B。
樹脂膜形成用組成物的調製
調製由丙烯酸系聚合物(丙烯酸丁酯/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸環氧丙酯/丙烯酸2-羥基乙酯=55/10/20/15(質量比)、重量平均分子量：80萬)15質量份、雙酚A型環氧樹脂(日本觸媒BPA328)25質量份、三鄰亞苯型環氧樹脂(日本化藥EPPN-502H)25質量份、酚樹脂(昭和高分子BRG556)34質量份及咪唑系化合物(四國化成2PHZ-PW)1質量份所構成之樹脂膜形成用組成物。
實施例1)
治具接著層的製造
作為長條剝離薄片，係準備經剝離處理的PET薄膜(厚度：50μm)。將層積用黏著劑以層積用黏著劑層的厚度成為5μm的方式塗佈在上述剝離薄片的剝離處理面上。其次，將層積用黏著劑層與芯材(聚丙烯基材、厚度：40μm)貼合。
依照與上述同樣的程序，在另外的剝離薄片之剝 離處理面上，形成厚度為5μm的固定用黏著劑層且與上述的芯材貼合，來得到將剝離薄片、層積用黏著劑層、芯材、固定用黏著劑層、剝離薄片依照該順序層積而成之層積體(治具接著層用層積體)。
樹脂膜形成用薄片層積體的製造
將層積用黏著劑層側的剝離薄片從治具接著層用層積體除去，從層積用黏著劑層側進行模切成為直徑330mm的圓形。模切係將層積用黏著劑層、芯材、固定用黏著劑層完全地切入且以在固定用黏著劑層側的剝離薄片切入30μm之方式來進行。亦即，形成切入深度d3為30μm的切入部D3。
隨後，將切入成為圓形後之由層積用黏著劑層、芯材、固定用黏著劑層所構成之層積體除去，來形成圓形的內部開口且在剝離薄片上製成治具接著層。
又，在經剝離處理的PET薄膜(厚度：50μm)的剝離處理面上，將上述的樹脂膜形成用組成物以樹脂膜形成層的厚度成為20μm之方式塗佈。隨後，將樹脂膜形成層與上述所得到的支撐薄片A之黏著劑層貼合，來得到由支撐薄片A及樹脂膜形成層所構成之層積體。
其次，將由支撐薄片A及樹脂膜形成層所構成之層積體的樹脂膜形成層，貼附在剝離薄片上的治具接著層，而在剝離薄片上形成樹脂膜形成用薄片。
最後，與治具接著層的圓形之內部開口為同心圓狀地，將樹脂模形成用薄片模切成為直徑370mm的圓形且將不需要的部分除去，而得到第3態樣的樹脂膜形成用薄片層積 體。模切係以將樹脂膜形成用薄片完全地切入且在剝離薄片切入30μm的方式進行。亦即，形成切入深度d1為30μm的切入部D1。使用該樹脂膜形成用薄片層積體而進行各評價。將結果顯示在表1。
(實施例2)
除了將切入部D1的切入深度設為35μm以外，係與實施例1同樣地進行而得到樹脂膜形成用薄片層積體且進行各評價。將結果顯示在表1。
(實施例3)
樹脂膜形成用薄片層積體的製造
作為長條剝離薄片，係準備經剝離處理的PET薄膜(厚度：50μm)。將上述的樹脂膜形成用組成物以樹脂膜形成層的厚度成為20μm的方式塗佈在剝離薄片的剝離處理面上，且將另外的剝離薄片(PET薄膜，厚度：50m)層積在樹脂膜形成層上。
其次，將一方的剝離薄片除去且將樹脂膜形成層模切成為直徑330mm的圓形。模切係以將樹脂膜形成用薄片完全地切入且在剝離薄片切入30μm的方式進行。亦即，形成切入深度d2為30μm的切入部D2。隨後，將剩餘的樹脂膜形成層除去而在剝離薄片上得到圓形的樹脂膜形成層。
然後，將支撐薄片A的黏著劑層貼附在剝離薄片上的樹脂膜形成層上，而在剝離薄片上形成樹脂膜形成用薄片。
最後，與圓形的樹脂膜形成層為同心圓狀地，將 樹脂膜形成層模切成為直徑370mm的圓形且將不需要的部分除去，而得到第1態樣的樹脂膜形成用薄片層積體。模切係以將樹脂膜形成用薄片完全地切入且在剝離薄片切入30μm的方式進行。亦即，形成切入深度d1為30μm的切入部D1。使用該樹脂膜形成用薄片層積體而進行各評價。將結果顯示在表1。
(實施例4)
除了將切入部D1的切入深度設為35μm以外，係與實施例3同樣地進行而得到樹脂膜形成用薄片層積體且進行各評價。將結果顯示在表1。
(比較例1)
除了使用支撐薄片B來代替支撐薄片A以外，係與實施例3同樣地進行而得到樹脂膜形成用薄片層積體且進行各評價。將結果顯示在表1。
(比較例2)
除了使用支撐薄片B來代替支撐薄片A以外，係與實施例4同樣地進行而得到樹脂膜形成用薄片層積體且進行各評價。將結果顯示在表1。
11‧‧‧支撐薄片
12‧‧‧樹脂膜形成層
13‧‧‧剝離薄片
11a‧‧‧基材
11b‧‧‧黏著劑層
100‧‧‧樹脂膜形成用薄片層積體
D1、D2‧‧‧切入部
d1、d2‧‧‧切入深度

Claims (4)

  1. 一種樹脂膜形成用薄片層積體，在含有支撐薄片及樹脂膜形成層之樹脂膜形成用薄片的樹脂膜形成層上將剝離薄片層積而成；在樹脂膜形成用薄片的外周部之剝離薄片的剝離力為0.05N/25mm以下；在樹脂膜形成用薄片的外周部之對SUS的黏著力為1.0N/25mm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之樹脂膜形成用薄片層積體，其中在剝離薄片，係從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且切入部的切入深度為大於剝離薄片的厚度之1/2。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之樹脂膜形成用薄片層積體，其中剝離薄片的厚度為50μm以上。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之樹脂膜形成用薄片層積體，其中在剝離薄片，係從樹脂膜形成層側的面沿著樹脂膜形成用薄片的外周而形成有切入部，且切入部的切入深度為大於25μm。
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