KR20160137506A - 수지막 형성용 시트 적층체 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 박리 시트로부터 수지막 형성용 시트를 풀어내는 것이 용이하고, 워크에 대한 첩부를 안정되게 실시할 수 있는 수지막 형성용 시트 적층체를 제공할 수 있도록 한 것이다. 본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체는, 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층 상에 박리 시트를 적층하여 이루어지고, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이 0.05 N/25 ㎜ 이하이고, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, SUS 에 대한 점착력이 1.0 N/25 ㎜ 이하이다.

Description

수지막 형성용 시트 적층체{LAMINATE FOR RESIN FILM FORMATION SHEET}

본 발명은 워크에 대한 수지막 형성용 시트의 첩부 (貼付) 가 용이한 수지막 형성용 시트 적층체에 관한 것이다.

최근, 소위 페이스 다운 (face down) 방식이라고 불리는 실장법을 이용한 반도체 장치의 제조가 실시되고 있다. 페이스 다운 방식에 있어서는, 회로면 상에 범프 등의 전극을 갖는 반도체 칩 (이하, 간단히 「칩」 이라고도 한다.) 이 사용되며, 그 전극이 기판과 접합된다. 이 때문에, 칩의 회로면과는 반대측의 면 (칩 이면) 은 노출되는 경우가 있다.

이 노출된 칩 이면은, 유기막에 의해 보호되는 경우가 있다. 종래, 이 유기막으로 이루어지는 보호막을 갖는 칩은, 액상의 수지를 스핀 코트법에 의해 웨이퍼 이면에 도포하고, 건조시키고, 경화하여 웨이퍼와 함께 보호막을 절단하여 얻어진다. 그러나, 이와 같이 하여 형성되는 보호막의 두께 정밀도는 충분하지 않기 때문에, 제품의 수율이 저하되는 경우가 있었다.

이와 같은 문제를 해결하기 위해서, 점착제층을 갖는 점착 시트의 점착제층 상에 반도체 이면 보호막 형성용 필름이 적층된, 보호막 형성용 시트가 사용되는 경우가 있다.

또, 대직경 상태에서 제조되는 반도체 웨이퍼는, 소자 소편 (반도체 칩) 으로 절단 분리 (다이싱) 된 후에, 다음 공정인 본딩 공정으로 옮겨지는 경우도 있다. 이 때, 반도체 웨이퍼는 미리 접착 시트에 첩착 (貼着) 된 상태로 다이싱, 세정, 건조, 익스팬딩 및 픽업의 각 공정이 가해진 후, 다음 공정인 본딩 공정으로 이송된다.

이들 공정 중에서, 픽업 공정 및 본딩 공정의 프로세스를 간략화하기 위해서, 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 다이싱·다이 본딩용 접착 시트가 여러 가지 제안되어 있다. 예를 들어, 상기 접착 시트를 사용함으로써, 이면에 접착제층이 첩부된 반도체 칩을 얻을 수 있고, 유기 기판-칩 사이, 리드 프레임-칩 사이, 칩-칩 사이 등의 다이렉트 다이 본딩이 가능해진다.

특허문헌 1 (일본 공개특허공보 2005-350520호) 에는, 다이싱·다이 본딩용 접착 시트로서, 박리 기재, 접착층, 점착층 및 기재 필름이 순차 적층된 구성을 갖는 접착 시트가 기재되어 있다.

일본 공개특허공보 2005-350520호

반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 상기의 반도체 이면 보호막 형성용 필름이나 접착층 등의 수지막 형성층을 갖는 수지막 형성용 시트를 반도체 웨이퍼 등의 워크에 첩부한다. 그러나, 수지막 형성용 시트를 워크에 첩부하는 공정에서는, 수지막 성형용 시트의 단부에 있어서 박리 기재 (박리 시트) 로부터의 풀어내기가 원활하게 실시되지 않는 경우에, 수지막 형성용 시트가 사용 불능이 되는 경우가 있었다. 즉, 풀어낸 수지막 형성용 시트 자체가, 중첩되는 방향으로 절곡되어 밀착하거나, 박리 시트로부터 풀어낸 수지막 형성용 시트가 또 박리 시트에 밀착 (전착 (轉着)) 하거나, 수지막 형성용 시트를 박리 시트로부터 풀어낼 수 없는 경우가 있었다.

본 발명은 상기 과제를 해결하는 것을 목적으로 한다. 즉, 본 발명은, 박리 시트로부터 수지막 형성용 시트를 풀어내는 것이 용이하고, 워크로의 첩부를 안정되게 실시할 수 있는 수지막 형성용 시트 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은, 상기 목적을 달성하기 위해서 예의 연구한 결과, 수지막 형성용 시트의 단부 (외주부) 에 있어서의, 박리 시트의 박리력 및 SUS 에 대한 점착력을 제어함으로써, 상기 목적을 달성할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.

본 발명은, 이하의 요지를 포함한다.

[1] 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층 상에 박리 시트를 적층하여 이루어지고,

수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이 0.05 N/25 ㎜ 이하이고,

수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, SUS 에 대한 점착력이 1.0 N/25 ㎜ 이하인 수지막 형성용 시트 적층체.

[2] 박리 시트에는, 수지막 형성층측의 면으로부터 수지막 형성용 시트의 외주를 따라 절입부가 형성되어 있고,

절입부의 절입 깊이가 박리 시트 두께의 1/2 초과인 [1] 에 기재된 수지막 형성용 시트 적층체.

[3] 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 [1] 또는 [2] 에 기재된 수지막 형성용 시트 적층체.

[4] 박리 시트에는, 수지막 형성층측의 면으로부터 수지막 형성용 시트의 외주를 따라 절입부가 형성되어 있고,

절입부의 절입 깊이가 25 ㎛ 초과인 [3] 에 기재된 수지막 형성용 시트 적층체.

본 발명의 수지막 형성용 시트 적층체에 의하면, 박리 시트로부터 수지막 형성용 시트를 풀어낼 때에, 풀어낸 수지막 형성용 시트 자체가 중첩되는 방향으로 절곡되어 밀착하거나, 수지막 형성용 시트가 박리 시트에 전착하는 것을 방지할 수 있다.

도 1a 는, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 을 포함하는 수지막 형성용 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 작업을 실시하는 일련의 공정도이다.
도 1b 는, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 을 포함하는 수지막 형성용 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 작업을 실시하는 일련의 공정도이다.
도 1c 는, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 을 포함하는 수지막 형성용 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 작업을 실시하는 일련의 공정도이다.
도 1d 는, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 을 포함하는 수지막 형성용 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 작업을 실시하는 일련의 공정도이다.
도 2 는, 본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체의 평면도를 나타낸다.
도 3 은, 도 1 에 나타내는 수지막 형성용 시트를, A-A 선을 따라 절단했을 경우의 모식 단면도 (제 1 양태의 수지막 형성용 시트) 를 나타낸다.
도 4 는, 제 2 양태의 수지막 형성용 시트의 모식 단면도를 나타낸다.
도 5 는, 제 3 양태의 수지막 형성용 시트의 모식 단면도를 나타낸다.
도 6 은, 제 4 양태의 수지막 형성용 시트의 모식 단면도를 나타낸다.
도 7 은, 종래의, 지지 시트와 수지막 형성층으로 이루어지는 적층체를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 작업을 실시하는 일련의 공정도이다.

이하, 본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체의 상세한 내용을 설명한다.

본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체는, 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층 상에 박리 시트를 적층한 양태이다. 이와 같은 구성의 수지막 형성용 시트 적층체에 있어서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의 박리 시트의 박리력은 0.05 N/25 ㎜ 이하이고, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의 SUS 에 대한 점착력은 1.0 N/25 ㎜ 이하이다.

수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의 박리 시트의 박리력이 0.05 N/25 ㎜ 를 초과하는 경우, 및/또는, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의 SUS 에 대한 점착력이 1.0 N/25 ㎜ 를 초과하는 경우에는, 도 1 에 나타내는, 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 수지막 형성용 시트 (10) 를 워크 (32) 에 첩부하는 공정 (이하, 「워크 첩부 공정」 이라고 기재하는 경우가 있다.) 에 있어서 박리 시트로부터 수지막 형성용 시트를 풀어낼 때에, 풀어낸 수지막 형성용 시트의 지지 시트끼리 또는 수지막 형성층끼리가 중첩되는 방향으로 절곡되어 밀착하거나, 수지막 형성용 시트가 박리 시트에 전착되어 버린다. 그 결과, 수지막 형성용 시트가 사용 불능이 된다. 이 문제는, 도 1 에 나타내는 워크 첩부 공정에 의하지 않고, 워크에 수지막 형성용 시트 적층체의 수지막 형성용 시트를 첩부하는 경우 (예를 들어, 수작업으로 수지막 형성용 시트 적층체의 박리 시트를 제거하고, 수지막 형성용 시트를 워크에 첩부하는 경우 등) 에도 마찬가지로 일어나는 문제이다.

본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체에 의하면, 도 1 에 나타내는 워크 첩부 공정이나, 예를 들어 수작업에 의한 워크 첩부 공정에 있어서도, 박리 시트 (13) 로부터 수지막 형성용 시트 (10) 를 풀어내는 것이 용이해지고, 워크 (32) 에 대한 첩부를 안정되게 실시할 수 있기 때문에, 상기 문제를 해소할 수 있다.

또, 도 2 ∼ 도 6 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 에 있어서, 박리 시트 (13) 에는, 수지막 형성층측의 면으로부터 수지막 형성용 시트 (10) 의 외주를 따라 절입부 (D1) 가 형성되어 있으며, 절입부 (D1) 의 절입 깊이 (d1) 는 박리 시트 두께의 1/2 초과인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3/5 ∼ 4/5 이다. 소정 깊이의 절입부 (D1) 를 형성함으로써, 수지막 형성용 시트 (10) 와 박리 시트 (13) 의 계면에 박리 기점을 만들어 내는 것이 용이해진다. 그 결과, 수지막 형성용 시트의 풀어내기성이 향상된다. 또, 절입부 (D1) 를 소정 깊이로 함으로써, 워크 첩부 공정 중에 박리 시트의 길이 방향 (흐름 방향) 으로 가해지는 응력에 기인하여 박리 시트가 파단하는 것을 방지할 수 있다.

또, 절입부 (D1) 를 형성함으로써, 수지막 형성용 시트 적층체의 제조 공정에 있어서 수지막 형성용 시트를 소정의 형상으로 확실하게 절단할 수 있다. 또, 박리 시트에 소정 깊이의 절입부 (D1) 를 형성함으로써, 예를 들어 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우이더라도, 수지막 형성용 시트 적층체를 롤상으로 감기 쉬워져, 보관시의 수납성이 우수하다.

또, 도 1 에 나타내는 워크 첩부 공정에 있어서는, 박리 시트에는 그 길이 방향 (흐름 방향) 으로 응력이 가해진다. 박리 시트에 절입부 (D1) 가 형성되어 있지 않으면, 그 응력이 수지막 형성층에 전파되어, 수지막 형성층이 흐름 방향으로 신장하는 경우가 있다. 수지막 형성층의 변형 (신장) 은, 그 두께 정밀도를 저하시킨다. 그 결과, 그 수지막 형성층을 사용하여 얻어지는 반도체 장치의 신뢰성을 저하시키는 원인이 되는 경우가 있다. 박리 시트에 소정 깊이의 절입부를 형성함으로써, 수지막 형성층에 가해지는 응력을 완화할 수 있고, 수지막 형성층의 변형을 억제할 수 있다.

또, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우에는, 박리 시트의 강성이 강해져, 박리 시트를 절곡하기 어려워지는 경향이 있다. 또, 일반적으로 수지막 형성용 시트의 강성은 박리 시트에 비해 약한 경향이 있다. 그 때문에, 워크 첩부 공정에 있어서는, 도 1 에 나타내는 필 플레이트 (64) 를 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 박리 시트 (13) 에 대고, 박리 시트 (13) 를 필 플레이트 (64) 측으로 예각으로 구부리지 않으면, 수지막 형성용 시트 (10) 와 박리 시트 (13) 의 계면에 박리 기점을 만들어 내는 것이 곤란해져, 수지막 형성용 시트를 풀어낼 수 없는 경우가 있다. 그러나, 50 ㎛ 이상 두께의 박리 시트는, 필 플레이트를 사용하는 경우라도, 그 두께에 기인하여 필 플레이트측으로 예각으로 구부리기 어려워, 도 7 에 나타내는 바와 같이 수지막 형성용 시트의 풀어내기가 곤란하다.

본 발명에 있어서는, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력과 SUS 에 대한 점착력을 상기 범위로 함으로써, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우이더라도, 박리 시트 (13) 로부터의 수지막 형성용 시트 (10) 의 풀어내기를 용이하게 하여, 수지막 형성용 시트를 워크에 안정되게 첩부할 수 있다. 상기의 관점에서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의 박리 시트의 박리력은, 바람직하게는 0.001 ∼ 0.05 N/25 ㎜, 보다 바람직하게는 0.01 ∼ 0.04 N/25 ㎜ 이며, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의 SUS 에 대한 점착력은, 바람직하게는 0.01 ∼ 1.0 N/25 ㎜, 보다 바람직하게는 0.1 ∼ 0.8 N/25 ㎜ 이다.

박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우에는, 절입부 (D1) 의 절입 깊이 (d1) 는 25 ㎛ 초과인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 인 경우, 절입부 (D1) 의 절입 깊이 (d1) 는, 바람직하게는 25 ㎛ 초과, 보다 바람직하게는 30 ∼ 40 ㎛ 이며, 박리 시트의 두께가 100 ㎛ 인 경우, 절입부 (D1) 의 절입 깊이 (d1) 는, 바람직하게는 50 ㎛ 초과, 보다 바람직하게는 60 ∼ 80 ㎛ 이다. 또한, 본 발명에 있어서의 절입 깊이는, 박리 시트에 형성된 절입부의 박리 시트의 두께 방향의 깊이를 광학 현미경에 의해 배율 300 배로 임의로 4 점 측정하고, 이것을 평균함으로써 산출하고 있다.

수지막 형성용 시트 적층체의 양태

지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 은, 원하는 평면 형상으로 절단되어 있고, 박리 시트 (13) 상에 부분적으로 적층되어 있다. 여기서, 지지 시트 (11) 나 수지막 형성층 (12) 에 있어서의 원하는 평면 형상이란, 예를 들어 도 2 에 나타내는 바와 같이, 박리 시트 (13) 상에 지지 시트 (11) 나 수지막 형성층 (12) 이 부분적으로 적층된 상태가 되는 형상이면 특별히 한정되지 않는다.

지지 시트 (11) 의 평면 형상으로는, 후술하는 반도체 장치의 제조 공정에 있어서 사용되는 링 프레임 등의 지그에 대한 첩부가 용이한 형상인 것이 바람직하며, 예를 들어, 원형, 대략 원형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형, 웨이퍼 형상 (원의 외주의 일부가 직선인 형상) 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 링 프레임에 첩부되는 부분 이외의 쓸데없는 부분을 줄이기 위해서, 원형이나 웨이퍼 형상이 바람직하다.

또, 수지막 형성층 (12) 의 평면 형상으로는, 반도체 웨이퍼 등의 워크의 평면 형상에 합치하는 형상인 것이 바람직하고, 예를 들어, 원형, 대략 원형, 사각형, 오각형, 육각형, 팔각형, 웨이퍼 형상 (원의 외주의 일부가 직선인 형상) 등의, 워크에 대한 첩부가 용이한 형상인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 워크에 첩부되는 부분 이외의 쓸데없는 부분을 줄이기 위해서, 원형이나 웨이퍼 형상이 바람직하다.

(제 1 양태)

도 2 는, 본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 제 1 양태를 나타내는 평면도이며, 도 3 은, 도 2 에 나타내는 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 를 A-A 선을 따라 절단한 경우의 약식 단면도이다.

도 2 및 도 3 에 나타내는 바와 같이, 제 1 양태에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 는, 지지 시트 (11) 의 직경이 수지막 형성층 (12) 의 직경보다 크다. 또, 지지 시트 (11) 는, 기재 (11a) 와 점착제층 (11b) 으로 이루어지는 점착 시트이다. 또, 박리 시트 (13) 에는, 절입부 (D1) 외에, 수지막 형성층 (12) 의 외주를 따라 절입부 (D2) 가 형성되어도 된다.

제 1 양태에 있어서, 절입부 (D2) 의 절입 깊이 (d2) 는 특별히 한정되지 않으며, 절입부 (D1) 의 절입 깊이 (d1) 와 동일해도 되고, 커도 되고, 작아도 되지만, 박리 시트 두께의 1/2 초과인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3/5 ∼ 4/5 이다. 또, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우에는, 절입부 (D2) 의 절입 깊이 (d2) 는 25 ㎛ 초과인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 인 경우, 절입부 (D2) 의 절입 깊이 (d2) 는, 바람직하게는 25 ㎛ 초과, 보다 바람직하게는 30 ∼ 40 ㎛ 이며, 박리 시트의 두께가 100 ㎛ 인 경우, 절입부 (D2) 의 절입 깊이 (d2) 는, 바람직하게는 50 ㎛ 초과, 보다 바람직하게는 60 ∼ 80 ㎛ 이다. 수지막 형성층의 조성에 따라서는, 박리 시트와의 접착성이 높아져, 워크 첩부 공정에 있어서, 수지막 형성층을 풀어낼 수 없는 경우가 있다. 이와 같은 경우이더라도, 소정 깊이의 절입부 (D2) 를 형성함으로써, 수지막 형성층 (12) 과 박리 시트 (13) 의 계면에 박리 기점을 만들어 낼 수 있기 때문에, 수지막 형성층 (12) 의 풀어내기성이 향상된다.

또, 소정 깊이의 절입부 (D2) 를 형성함으로써, 워크 첩부 공정 중에 박리 시트의 길이 방향 (흐름 방향) 으로 가해지는 응력에 기인하는 수지막 형성층의 변형을 억제하는 것이 용이해진다.

제 1 양태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력은, 점착제층 (11b) 의 외주부와 박리 시트 (13) 의 계면에서 측정되는 물성값이다. 제 1 양태에 있어서의 이들 물성값은, 후술하는 점착제층 (11b) 을 구성하는 성분이나 점착제층 (11b) 의 두께를 조정함으로써 제어할 수 있다. 또한, 제 1 양태에 있어서의 상기 물성값은, 점착제층 (11b) 을 구성하는 성분으로서 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 포함하는 경우에는, 에너지선 조사 전의 물성값이다.

(제 2 양태)

도 4 는, 제 2 양태의 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 약식 단면도이다. 제 2 양태에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 수지막 형성용 시트 (10) 에 있어서는, 평면에서 보았을 때의 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 이 동일 형상이다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 기재 (11a) 와 점착제층 (11b) 으로 이루어지는 점착 시트를 지지 시트로서 사용해도 되고, 기재 (11a) 만을 지지 시트로서 사용해도 된다.

제 2 양태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력은, 수지막 형성층 (12) 의 외주부와 박리 시트 (13) 의 계면에서 측정되는 물성값이다. 제 2 양태에 있어서의 이들 물성값은, 수지막 형성층을 구성하는 성분으로서 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 사용하고, 수지막 형성층의 외주부에만 에너지선을 조사하는 등의 수단에 의해 제어할 수 있다. 이와 같은 수단으로는, 예를 들어, 지지 시트의 내주부에 인쇄 등에 의해 에너지선 차폐층을 형성하고, 지지 시트측으로부터 수지막 형성층에 에너지선 조사를 실시하는 방법이나, 미리 수지막 형성층의 외주부에만 에너지선 조사를 실시하고, 그 후, 지지 시트와 적층하는 방법 등을 들 수 있다.

(제 3 양태)

도 5 는, 제 3 양태의 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 약식 단면도이다. 제 3 양태에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 수지막 형성용 시트 (10) 에 있어서는, 평면에서 보았을 때의 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 이 동일 형상이다. 또, 수지막 형성용 시트 (10) 의 외주부이고, 박리 시트 (13) 와 수지막 형성층 (12) 의 사이에 지그 접착층 (14) 이 형성되어 있다. 또, 박리 시트 (13) 에는, 절입부 (D1) 외에, 환상 (環狀) 의 지그 접착층 (14) 의 내주를 따라 절입부 (D3) 가 형성되어도 된다.

도 5 에 나타내는 바와 같이, 기재 (11a) 와 점착제층 (11b) 으로 이루어지는 점착 시트를 지지 시트로서 사용해도 되고, 기재 (11a) 만을 지지 시트로서 사용해도 된다.

제 3 양태에 있어서, 절입부 (D3) 의 절입 깊이 (d3) 는 특별히 한정되지 않으며, 절입부 (D1) 의 절입 깊이 (d1) 와 동일해도 되고, 커도 되고, 작아도 되지만, 박리 시트 두께의 1/2 초과인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3/5 ∼ 4/5 이다. 또, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 경우에는, 절입부 (D3) 의 절입 깊이 (d3) 는 25 ㎛ 초과인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 박리 시트의 두께가 50 ㎛ 인 경우, 절입부 (D3) 의 절입 깊이 (d3) 는, 바람직하게는 25 ㎛ 초과, 보다 바람직하게는 30 ∼ 40 ㎛ 이며, 박리 시트의 두께가 100 ㎛ 인 경우, 절입부 (D3) 의 절입 깊이 (d3) 는, 바람직하게는 50 ㎛ 초과, 보다 바람직하게는 60 ∼ 80 ㎛ 이다. 소정 깊이의 절입부 (D3) 를 형성함으로써, 워크 첩부 공정 중에 박리 시트의 길이 방향 (흐름 방향) 으로 가해지는 응력에 기인하는 수지막 형성층의 변형을 억제하는 것이 용이해진다.

제 3 양태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력은, 지그 접착층 (14) 과 박리 시트 (13) 의 계면에서 측정되는 물성값이다. 제 3 양태에 있어서의 이들 물성값은, 후술하는 지그 접착층을 구성하는 성분이나 지그 접착층의 두께를 조정함으로써 제어할 수 있다. 또한, 제 3 양태에 있어서의 상기 물성값은, 지그 접착층을 구성하는 성분으로서 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 포함하는 경우에는, 에너지선 조사 전의 물성값이다.

(제 4 양태)

도 6 은, 제 4 양태의 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 의 약식 단면도이다. 제 4 양태에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 는, 평면에서 보았을 때의 지지 시트 (11) 의 직경이 수지막 형성층 (12) 의 직경보다 크다. 또, 수지막 형성용 시트의 외주부이고, 박리 시트 (13) 와 지지 시트 (11) 의 사이에 지그 접착층 (14) 이 형성되어 있다. 또, 박리 시트 (13) 에는, 절입부 (D1) 외에, 수지막 형성층 (12) 의 외주를 따라 절입부 (D2) 가 형성되어도 된다. 또한, 박리 시트 (13) 에는, 환상의 지그 접착층 (14) 의 내주를 따라 절입부 (D3) 가 형성되어도 된다. 절입부 (D2) 의 절입 깊이 (d2), 절입부 (D3) 의 절입 깊이 (d3) 나, 이들에 기인한 효과는, 제 1 양태나 제 3 양태에 있어서 설명한 바와 같다. 또, 지그 접착층 (14) 으로는, 제 3 양태와 동일하며, 그 구성에 대해서는 후술한다.

기재 (11a) 와 점착제층 (11b) 으로 이루어지는 점착 시트를 지지 시트로서 사용해도 되고, 도 6 에 나타내는 바와 같이, 기재 (11a) 만을 지지 시트로서 사용해도 된다.

제 4 양태에 있어서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력은, 지그 접착층 (14) 과 박리 시트 (13) 의 계면에서 측정되는 물성값이다. 제 4 양태에 있어서의 이들 물성값은, 후술하는 지그 접착층을 구성하는 성분이나 지그 접착층의 두께를 조정함으로써 제어할 수 있다. 또한, 제 4 양태에 있어서의 상기 물성값은, 지그 접착층을 구성하는 성분으로서 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 포함하는 경우에는, 에너지선 조사 전의 물성값이다.

수지막 형성용 시트 적층체의 구성

본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체는, 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층 상에 박리 시트를 적층하여 이루어진다. 또, 제 3 양태나 제 4 양태에 있어서 설명한 바와 같이, 수지막 형성용 시트는 지그 접착층을 포함하는 경우도 있다. 이하, 수지막 형성용 시트 적층체를 구성하는 각 층에 대하여 설명한다.

(지지 시트)

지지 시트로는, 예를 들어, 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 폴리부텐 필름, 폴리부타디엔 필름, 폴리메틸펜텐 필름, 폴리염화비닐 필름, 염화비닐 공중합체 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌나프탈레이트 필름, 폴리부틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리우레탄 필름, 에틸렌아세트산비닐 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌·(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 폴리스티렌 필름, 폴리카보네이트 필름, 폴리이미드 필름, 불소 수지 필름 등이 사용된다. 또 이들의 가교 필름도 사용된다. 또한 이들의 적층 필름이어도 된다.

또, 도 3 ∼ 5 에 나타내는 바와 같이, 지지 시트 (11) 로서, 기재 (11a) 와 점착제층 (11b) 으로 이루어지는 점착 시트를 사용할 수도 있다.

지지 시트로서 점착 시트를 사용하는 경우에는, 수지막 형성용 시트 상에서 워크에 다이싱 등의 필요한 가공을 실시하는 것이 용이해진다. 이 양태에 있어서는, 수지막 형성층은, 기재 상에 형성된 점착제층에 적층된다. 기재로는, 지지 시트로서 예시한 상기의 필름을 들 수 있다.

점착제층은, 종래부터 공지된 여러 가지 점착제에 의해 형성될 수 있다. 점착제는, 통상적으로 중합체 (A) 를 함유한다. 본 발명에 있어서는, 에너지선 경화성 점착제를 사용하는 것이 바람직하기 때문에, 중합체 (A) 외에 에너지선 경화성 화합물 (B) 를 함유하는 것이 바람직하다.

에너지선 경화성 화합물 (B) 는, 에너지선 중합성기를 포함하고, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면, 중합 경화하고, 점착제의 점착성을 저하시키는 기능을 갖는다. 본 발명에 있어서의 에너지선 중합성기는, 중합성의 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 관능기이며, 구체적인 예로는 비닐기, 알릴기, (메트)아크릴로일기 등을 들 수 있고, 바람직하게는 (메트)아크릴로일기를 들 수 있다. 본 발명에 있어서의 에너지선 중합성기는, 라디칼 존재하에서 라디칼을 생성하여 중부가 반응을 용이하게 일으키기 때문에, 중합성을 갖지 않는 이중 결합을 의미하지 않는다. 예를 들어, 에너지선 경화성 점착제를 구성하는 각 성분에는 방향 고리가 포함되어 있어도 되지만, 방향 고리의 불포화 구조는 본 발명에 있어서의 에너지선 중합성기를 의미하지 않는다.

또, 상기 성분 (A) 및 (B) 의 성질을 겸비하는 것으로서, 주사슬 또는 측사슬에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어지는 에너지선 경화형 중합체 (이하, 성분 (AB) 라고 기재하는 경우가 있다) 를 사용할 수도 있다. 이와 같은 에너지선 경화형 중합체 (AB) 는, 중합체로서의 기능과 에너지선 경화성을 겸비하는 성질을 갖는다.

에너지선 경화성 점착제로는 특별히 한정되지 않지만, 아크릴계 점착제를 예로서 구체적으로 설명한다. 아크릴계 점착제는, 중합체 (A) 로서, 아크릴계 중합체 (A1) 을 함유한다.

아크릴계 중합체 (A1) 로는, 종래 공지된 아크릴계 중합체를 사용할 수 있다. 아크릴계 중합체 (A1) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또, 아크릴계 중합체 (A1) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 －70 ∼ 30 ℃, 더욱 바람직하게는 －60 ∼ 20 ℃ 의 범위에 있다. 아크릴계 중합체 (A1) 의 중량 평균 분자량이나 유리 전이 온도를 높게 하면, 상기 서술한 박리력이나 점착력이 저하되고, 중량 평균 분자량이나 유리 전이 온도를 낮게 하면, 그 박리력이나 그 점착력이 상승하는 경향이 있다.

아크릴계 중합체 (A1) 을 구성하는 모노머에는, 적어도 1 종의 (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체가 포함된다.

구체적으로는, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 테트라데실(메트)아크릴레이트, 옥타데실(메트)아크릴레이트 등의 알킬기의 탄소수가 1 ∼ 18 인 알킬(메트)아크릴레이트；시클로알킬(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐옥시에틸(메트)아크릴레이트, 이미드(메트)아크릴레이트 등의 환상 골격을 갖는 (메트)아크릴레이트；하이드록시메틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 수산기 함유 (메트)아크릴레이트；글리시딜(메트)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸(메트)아크릴레이트 등의 에폭시기 함유 (메트)아크릴레이트；모노메틸아미노(메트)아크릴레이트, 모노에틸아미노(메트)아크릴레이트, 디에틸아미노(메트)아크릴레이트 등의 아미노기 함유 (메트)아크릴레이트；2-(메트)아크릴로일옥시에틸프탈레이트, 2-(메트)아크릴로일옥시프로필프탈레이트 등의 카르복실기 함유 (메트)아크릴레이트；를 들 수 있다.

또, (메트)아크릴산, 이타콘산, 아세트산비닐, (메트)아크릴로니트릴, 스티렌 등이 공중합되어 있어도 된다.

이들은 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.

또한, 본 명세서에서 (메트)아크릴은, 아크릴 및 메타크릴의 양자를 포함하는 의미로 사용하는 경우가 있다.

아크릴계 중합체 (A1) 은 가교되어 있어도 된다. 아크릴계 중합체 (A1) 을 가교하는 경우에는, 가교되기 전의 아크릴계 중합체 (A1) 이 수산기 등의 가교성 관능기를 갖고 있으며, 점착제층을 형성하기 위한 조성물 중에 가교제를 첨가한다. 가교성 관능기와 가교제가 갖는 관능기가 반응함으로써 아크릴계 중합체 (A1) 이 가교된다. 아크릴계 중합체 (A1) 을 가교함으로써, 점착제층의 응집력을 조절하는 것이 가능해진다.

가교제로는 유기 다가 이소시아네이트 화합물, 유기 다가 이민 화합물 등을 들 수 있다.

유기 다가 이소시아네이트 화합물로는, 방향족 다가 이소시아네이트 화합물, 지방족 다가 이소시아네이트 화합물, 지환족 다가 이소시아네이트 화합물 및 이들의 유기 다가 이소시아네이트 화합물의 3 량체, 그리고 이들 유기 다가 이소시아네이트 화합물과 폴리올 화합물을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트우레탄 프리폴리머 등을 들 수 있다.

유기 다가 이소시아네이트 화합물로서, 구체적으로는, 2,4-톨릴렌디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌디이소시아네이트, 1,3-자일릴렌디이소시아네이트, 1,4-자일렌디이소시아네이트, 디페닐메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디페닐메탄-2,4'-디이소시아네이트, 3-메틸디페닐메탄디이소시아네이트, 헥사메틸렌디이소시아네이트, 이소포론디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-4,4'-디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄-2,4'-디이소시아네이트, 리신이소시아네이트, 및 이들의 다가 알코올 어덕트체 (예를 들어, 트리메틸올프로판 어덕트 톨릴렌디이소시아네이트) 를 들 수 있다.

유기 다가 이민 화합물로서, 구체적으로는, N,N'-디페닐메탄-4,4'-비스(1-아지리딘카르복시아미드), 트리메틸올프로판-트리-β-아지리디닐프로피오네이트, 테트라메틸올메탄-트리-β-아지리디닐프로피오네이트 및 N,N'-톨루엔-2,4-비스(1-아지리딘카르복시아미드)트리에틸렌멜라민 등을 들 수 있다.

가교제는 가교하기 전의 아크릴계 중합체 100 질량부에 대해 통상적으로 0.01 ∼ 20 질량부, 바람직하게는 0.1 ∼ 15 질량부, 보다 바람직하게는 0.5 ∼ 12 질량부의 비율로 배합된다. 가교제의 배합량을 많이 하면, 상기 서술한 박리력이나 점착력이 저하되고, 가교제의 배합량을 줄이면, 그 박리력이나 그 점착력이 상승하는 경향이 있다.

본 발명에 있어서, 점착제층을 구성하는 성분의 함유량의 양태에 대해, 아크릴계 중합체의 함유량을 기준으로 하여 정하는 경우, 아크릴계 중합체가 가교된 아크릴계 중합체일 때는, 그 기준으로 하는 함유량은, 가교되기 전의 아크릴계 중합체의 함유량이다.

에너지선 경화성 화합물 (B) 는, 자외선, 전자선 등의 에너지선의 조사를 받으면, 중합 경화하는 화합물이다. 이 에너지선 경화성 화합물의 예로는, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물 (단관능, 다관능의 모노머 및 올리고머) 을 들 수 있으며, 구체적으로는, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노하이드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜디아크릴레이트, 1,6-헥산디올디아크릴레이트 등의 아크릴레이트, 디시클로펜타디엔디메톡시디아크릴레이트, 이소보르닐아크릴레이트 등의 환상 지방족 골격 함유 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜디아크릴레이트, 올리고에스테르아크릴레이트, 우레탄아크릴레이트 올리고머, 에폭시 변성 아크릴레이트, 폴리에테르아크릴레이트, 이타콘산 올리고머 등의 아크릴레이트계 화합물이 사용된다. 이와 같은 화합물은, 분자 내에 에너지선 중합성기를 가지며, 통상적으로는 분자량이 100 ∼ 30000, 바람직하게는 300 ∼ 10000 정도이다.

일반적으로는 성분 (A) (후술하는 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 포함한다) 100 질량부에 대해, 에너지선 중합성기를 갖는 저분자량 화합물은 바람직하게는 0 ∼ 200 질량부, 보다 바람직하게는 1 ∼ 100 질량부, 더욱 바람직하게는 1 ∼ 30 질량부 정도의 비율로 사용된다.

상기 성분 (A) 및 (B) 의 성질을 겸비하는 에너지선 경화형 중합체 (AB) 는, 중합체의 주사슬, 측사슬 또는 말단에, 에너지선 중합성기가 결합되어 이루어진다.

에너지선 경화형 중합체의 주사슬, 측사슬 또는 말단에 결합하는 에너지선 중합성기는, 알킬렌기, 알킬렌옥시기, 폴리알킬렌옥시기를 개재하여 에너지선 경화형 중합체의 주사슬, 측사슬 또는 말단에 결합하고 있어도 된다.

에너지선 경화형 중합체 (AB) 의 중량 평균 분자량 (Mw) 은, 1 만 ∼ 200 만인 것이 바람직하고, 10 만 ∼ 150 만인 것이 보다 바람직하다. 또, 에너지선 경화형 중합체 (AB) 의 유리 전이 온도 (Tg) 는, 바람직하게는 －70 ∼ 30 ℃, 보다 바람직하게는 －60 ∼ 20 ℃ 의 범위에 있다. 또한, 후술하는 하이드록실기 등의 관능기를 함유하는 아크릴계 중합체와 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻은 에너지선 경화형 중합체 (AB) 의 경우에는, Tg 는 중합성기 함유 화합물과 반응시키기 전의 아크릴계 중합체의 Tg 이다. 에너지선 경화형 중합체 (AB) 의 중량 평균 분자량이나 유리 전이 온도를 높게 하면, 상기 서술한 박리력이나 점착력이 저하되고, 중량 평균 분자량이나 유리 전이 온도를 낮게 하면, 그 박리력이나 그 점착력이 상승하는 경향이 있다.

에너지선 경화형 중합체 (AB) 는, 예를 들어, 하이드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 함유하는 아크릴계 중합체와, 그 관능기와 반응하는 치환기와 에너지선 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 1 분자마다 1 ∼ 5 개를 갖는 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻어진다. 아크릴계 중합체는, 하이드록실기, 카르복실기, 아미노기, 치환 아미노기, 에폭시기 등의 관능기를 갖는 (메트)아크릴산에스테르 모노머 또는 그 유도체와, 전술한 성분 (A) 를 구성하는 모노머로 이루어지는 공중합체인 것이 바람직하다. 그 중합성기 함유 화합물로는, (메트)아크릴로일옥시에틸이소시아네이트, 메타-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트, (메트)아크릴로일이소시아네이트, 알릴이소시아네이트, 글리시딜(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산 등을 들 수 있다.

에너지선 경화형 중합체 (AB) 를, 하이드록실기 등의 관능기를 함유하는 아크릴계 중합체와 중합성기 함유 화합물을 반응시켜 얻은 경우, 에너지선 경화형 중합체 (AB) 는, 상기 서술한 아크릴계 중합체 (A1) 과 마찬가지로, 가교되어 있어도 된다.

상기와 같은 아크릴계 중합체 (A1), 에너지선 경화성 화합물 (B) 및/또는, 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 포함하는 아크릴계 점착제는, 에너지선 조사에 의해 경화한다. 에너지선으로는, 구체적으로는, 자외선, 전자선 등이 사용된다.

또, 에너지선 경화성 화합물 (B) 나, 에너지선 경화형 중합체 (AB) 에 광 중합 개시제를 조합함으로써, 중합 경화 시간을 짧게 하고, 그리고 광선 조사량을 줄일 수 있다.

이와 같은 광 중합 개시제로는, 벤조페논, 아세토페논, 벤조인, 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르, 벤조인벤조산, 벤조인벤조산메틸, 벤조인디메틸케탈, 2,4-디에틸티오잔톤, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 벤질디페닐술파이드, 테트라메틸티우람모노술파이드, 아조비스이소부티로니트릴, 벤질, 디벤질, 디아세틸, 1,2-디페닐메탄, 2-하이드록시-2-메틸-1-[4-(1-메틸비닐)페닐]프로판온, 2,4,6-트리메틸벤조일디페닐포스핀옥사이드 및 β-클로르안트라퀴논 등을 들 수 있다. 광 중합 개시제는 1 종류 단독으로, 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.

광 중합 개시제의 배합 비율은, 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 10 질량부 포함되는 것이 바람직하고, 1 ∼ 5 질량부 포함되는 것이 보다 바람직하다.

광 중합 개시제의 배합 비율이 0.1 질량부 미만이면, 광 중합 부족으로 만족스러운 경화성이 얻어지지 않는 경우가 있고, 10 질량부를 초과하면, 광 중합에 기여하지 않는 잔류물이 생성되어, 문제의 원인이 되는 경우가 있다.

지지 시트의 두께는, 통상적으로는 10 ∼ 500 ㎛, 바람직하게는 15 ∼ 300 ㎛, 보다 바람직하게는 20 ∼ 250 ㎛ 이다. 점착제층을 형성하는 경우에는, 지지 시트 중, 2 ∼ 20 ㎛ 가 점착제층의 두께인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 ∼ 15 ㎛, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 10 ㎛ 이다. 점착제층의 두께가 지나치게 작으면, 충분한 박리력이나 점착력이 발현하지 않는 경우가 있으며, 또 점착제층의 두께가 지나치게 크면, 박리력이나 점착력이 높아져, 본 발명의 효과를 발휘할 수 없는 경우가 있다.

(수지막 형성층)

본 발명에 있어서의 수지막 형성층은, 시트의 용도에 따라, 후술하는 필름상 접착제, 접착제층, 보호막 형성층 등 다양한 기능을 갖는 수지 중에서 적절히 선택된다.

＜필름상 접착제＞

수지막 형성층은, 필름상 접착제여도 된다. 이와 같은 필름상 접착제는, 칩의 다이 본드 공정에 있어서 최근 다용되고 있다. 이와 같은 필름상 접착제는, 바람직하게는 에폭시계 접착제 또는 폴리이미드계 접착제를 제막 (製膜), 반경화한 것 (B-스테이지 상태) 이며, 상기 서술한 지지 시트 상에 박리 가능하게 형성된다.

필름상 접착제는, 워크에 첩부된다. 그 워크와 필름상 접착제를 칩 사이즈로 다이싱함으로써, 접착제가 부착된 칩이 얻어지고, 이것을 지지 시트로부터 픽업하고, 접착제를 개재하여, 소정의 위치에 칩을 고착한다. 또한, 접착제가 부착된 칩의 픽업시에는, 익스팬드를 실시하는 것이 바람직하다.

＜접착제층＞

본 발명에 있어서의 수지막 형성용 시트는, 다이싱시의 웨이퍼 고정 기능과 다이 본드시의 다이 접착 기능을 동시에 겸비한 다이싱·다이 본드 겸용 시트여도 된다.

수지막 형성용 시트가, 다이싱·다이 본드 겸용 시트인 경우, 수지막 형성층은, 다이싱 공정에 있어서 워크나 워크를 개편화 (個片化) 한 칩을 유지하고, 다이싱시에는, 워크와 함께 절단되고, 칩과 동일 형상의 수지막 형성층이 형성된다. 그리고, 다이싱 종료 후, 칩의 픽업을 실시하면, 수지막 형성층은, 칩과 함께 지지 시트로부터 박리된다. 수지막 형성층은 다이 본드시에는 칩을 고착하기 위한 접착제로서 기능한다. 수지막 형성층을 수반한 칩을 기판에 재치 (載置) 하고, 가열 등을 실시하고, 칩과, 기판이나 다른 칩 등의 피착체를 수지막 형성층을 개재하여 접착한다.

수지막 형성용 시트가, 이와 같은 다이싱·다이 본드 겸용 시트인 경우는, 지지 시트 상에, 수지막 형성층으로서, 감압 접착성을 갖고, 또한 다이 접착 기능을 겸비한, 접착제층이 형성되어 이루어진다. 이와 같은 웨이퍼 고정 기능과 다이 접착 기능을 겸비한 수지막 형성층은, 예를 들어, 상기한 아크릴계 중합체 (A1) 과, 에폭시계 접착제를 포함하고, 또 필요에 따라, 에너지선 경화성 화합물 (B), 에너지선 경화형 중합체 (AB) 나 경화 보조제 등을 포함한다. 또한, 접착제층이 부착된 칩의 픽업시에는, 상기와 마찬가지로 익스팬드를 실시하는 것이 바람직하다.

＜보호막 형성층＞

또한, 수지막 형성용 시트가 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성용 시트로서 사용되는 경우에는, 수지막 형성층은, 칩의 이면에 보호막을 형성하기 위한 보호막 형성층이어도 된다.

이 경우, 보호막 형성층에 워크를 첩부하고, 보호막 형성층을 경화시켜, 보호막으로 하고, 그 후, 워크와 보호막을 다이싱하고, 보호막이 부착된 칩을 얻을 수 있다. 또, 보호막 형성층에 워크를 첩부하고, 워크와 보호막 형성층을 다이싱하고, 보호막 형성층이 부착된 칩을 얻고, 그 후, 보호막 형성층을 경화하여 보호막이 부착된 칩을 얻어도 된다.

이와 같은 보호막 형성용 시트는, 지지 시트 상에 수지막 형성층으로서, 보호막이 되는 접착성의 수지층 (보호막 형성층) 을 갖는다. 이와 같은 보호막이 되는 수지막 형성층은, 예를 들어, 상기한 아크릴계 중합체 (A1) 과, 에폭시 접착제 및 경화 보조제를 포함하고, 또 필요에 따라, 에너지선 경화성 화합물 (B), 에너지선 경화형 중합체 (AB) 나 필러 등이 포함되어 있어도 된다.

수지막 형성층의 두께는, 그 용도에 따라 다양하지만, 대략 1 ∼ 300 ㎛, 바람직하게는 10 ∼ 200 ㎛, 특히 바람직하게는 20 ∼ 100 ㎛ 이다.

(지그 접착층)

지그 접착층으로는, 점착제층 단체 (單體) 로 이루어지는 점착 부재, 기재와 점착제층으로 구성되는 점착 부재나, 심재 (芯材) 를 갖는 양면 점착 부재를 채용할 수 있다. 지그 접착층은, 예를 들어 환상 (링 형상) 이며, 공동부 (내부 개구) 를 갖고, 링 프레임 등의 지그에 고정 가능한 크기를 갖는다. 구체적으로는, 링 프레임의 내경은, 지그 접착층의 외경보다 작다. 또, 링 프레임의 내경은, 지그 접착층의 내경보다 다소 크다. 또한, 링 프레임은, 통상적으로 금속 또는 플라스틱의 성형체이다.

점착제층 단체로 이루어지는 점착 부재를 지그 접착층으로 하는 경우, 점착제층을 형성하는 점착제로는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 또는 실리콘 점착제로 이루어지는 것이 바람직하다. 이들 중에서, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력, 및 링 프레임으로부터의 재박리성을 고려하면, 상기 서술한 아크릴계 중합체 (A1) 을 포함하는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 또한, 상기 점착제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.

지그 접착층을 구성하는 점착제층의 두께는, 바람직하게는 2 ∼ 20 ㎛, 보다 바람직하게는 3 ∼ 15 ㎛, 더욱 바람직하게는 4 ∼ 10 ㎛ 이다. 점착제층의 두께가 2 ㎛ 미만일 때는, 충분한 박리력이나 점착력이 발현하지 않는 경우가 있다. 점착제층의 두께가 20 ㎛ 를 초과할 때는, 박리력이나 점착력이 높아져, 본 발명의 효과를 발휘할 수 없는 경우나, 링 프레임으로부터 박리할 때에 링 프레임에 점착제의 잔사물이 남아, 링 프레임을 오염시키는 경우가 있다.

기재와 점착제층으로 구성되는 점착 부재를 지그 접착층으로 하는 경우에는, 점착 부재를 구성하는 점착제층과 박리 시트가 적층된다.

점착제층을 형성하는 점착제로는, 상기의 점착제층 단체로 이루어지는 점착 부재에 있어서의 점착제층을 형성하는 점착제와 동일하다. 또, 점착제층의 두께도 동일하다.

지그 접착층을 구성하는 기재로는, 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 폴리에틸렌 필름, 폴리프로필렌 필름, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체 필름, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르 공중합체 필름, 아이오노머 수지 필름 등의 폴리올레핀 필름, 폴리염화비닐 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서, 익스팬드성을 고려하면, 폴리에틸렌 필름 및 폴리염화비닐 필름이 바람직하고, 폴리염화비닐 필름이 보다 바람직하다.

지그 접착층을 구성하는 기재의 두께는, 바람직하게는 15 ∼ 200 ㎛, 보다 바람직하게는 30 ∼ 150 ㎛, 더욱 바람직하게는 40 ∼ 100 ㎛ 이다.

또, 심재를 갖는 양면 점착 부재를 지그 접착층으로 하는 경우에는, 양면 점착 부재는, 심재와, 그 일방의 면에 형성되는 적층용 점착제층과 ,그 타방의 면에 형성되는 고정용 점착제층으로 이루어진다. 적층용 점착제층은, 제 3 양태에 있어서는 수지막 형성층에 첩부되는 측의 점착제층이며, 제 4 양태에 있어서는 지지 시트에 첩부되는 측의 점착제층이다. 또, 고정용 점착제층은, 박리 시트에 첩부되는 측의 점착제층이다.

양면 점착 부재의 심재로는, 상기 점착 부재의 기재와 동일한 것을 들 수 있다. 이들 중에서, 익스팬드성을 고려하면, 폴리올레핀 필름 및 가소화 (可塑化) 한 폴리염화비닐 필름이 바람직하다.

심재의 두께는, 통상적으로 15 ∼ 200 ㎛, 바람직하게는 30 ∼ 150 ㎛, 보다 바람직하게는 40 ∼ 100 ㎛ 이다.

양면 점착 부재의 적층용 점착제층 및 고정용 점착제층은, 동일한 점착제로 이루어지는 층이어도 되고 상이한 점착제로 이루어지는 층이어도 된다.

고정용 점착제층을 구성하는 점착제는, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력이 소정 범위가 되도록, 또한, 고정용 점착제층과 링 프레임의 접착력이, 수지막 형성층 또는 지지 시트와 적층용 점착제층의 접착력보다 작아지도록 적절히 선택한다. 이와 같은 점착제로는, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘 점착제를 들 수 있으며, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이나 SUS 에 대한 점착력, 및 링 프레임으로부터의 재박리성을 고려하면, 상기 서술한 아크릴계 중합체 (A1) 을 포함하는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 또, 고정용 점착제층을 형성하는 점착제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.

적층용 점착제층을 구성하는 점착제는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어 아크릴계 점착제, 고무계 점착제, 실리콘 점착제를 들 수 있다. 이들 중에서도, 수지막 형성층 또는 지지 시트와의 접착력의 제어가 용이하다는 관점에서, 상기 서술한 아크릴계 중합체 (A1) 을 포함하는 아크릴계 점착제가 바람직하다. 또, 적층용 점착제층을 형성하는 점착제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다.

적층용 점착제층 및 고정용 점착제층의 두께는, 상기 점착 부재의 점착제층의 두께와 동일하다.

지그 접착층을 형성함으로써, 수지막 형성용 시트를 링 프레임 등의 지그에 접착하는 것이 용이해진다.

(박리 시트)

박리 시트는, 수지막 형성용 시트의 사용시에 캐리어 필름으로서의 역할을 하는 것이며, 상기 서술한 지지 시트로서 예시한 필름을 사용할 수 있다.

박리 시트의 수지막 형성층에 접하는 면의 표면 장력은, 바람직하게는 40 mN/m 이하, 더욱 바람직하게는 37 mN/m 이하, 특히 바람직하게는 35 mN/m 이하이다. 하한값은 통상적으로 25 mN/m 정도이다. 이와 같은 표면 장력이 비교적 낮은 박리 시트는, 재질을 적절히 선택하여 얻는 것이 가능하고, 또 박리 시트의 표면에 박리제를 도포하여 박리 처리를 실시함으로써 얻을 수도 있다.

박리 처리에 사용되는 박리제로는, 알키드계, 실리콘계, 불소계, 불포화 폴리에스테르계, 폴리올레핀계, 왁스계 등이 사용되지만, 특히 알키드계, 실리콘계, 불소계의 박리제가 내열성을 가지므로 바람직하다.

상기의 박리제를 사용하여 박리 시트의 기체가 되는 필름 등의 표면을 박리 처리하기 위해서는, 박리제를 그대로 무용제로, 또는 용제 희석이나 에멀션화하여, 그라비아 코터, 메이어바 코터, 에어나이프 코터, 롤 코터 등에 의해 도포하고, 박리제가 도포된 박리 시트를 상온하 또는 가열하에 제공하거나, 또는 전자선에 의해 경화시켜 박리제층을 형성시키면 된다.

또, 웨트 라미네이션이나 드라이 라미네이션, 열 용융 라미네이션, 용융 압출 라미네이션, 공압출 가공 등에 의해 필름의 적층을 실시함으로써 박리 시트의 표면 장력을 조정해도 된다. 즉, 적어도 일방의 면의 표면 장력이, 상기 서술한 박리 시트의 수지막 형성층과 접하는 면의 것으로서 바람직한 범위 내에 있는 필름을, 당해 면이 수지막 형성층과 접하는 면이 되도록, 다른 필름과 적층한 적층체를 제조하고, 박리 시트로 해도 된다.

박리 시트의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 50 ㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50 ∼ 200 ㎛ 이다. 박리 필름이 50 ㎛ 미만이면, 수지막 형성용 시트를 롤상으로 감았을 때에, 수지막 형성층에 감긴 자국이 발생하는 경우가 있다. 수지막 형성층에 감긴 자국이 발생하면, 수지막 형성층의 두께 정밀도가 저하되고, 수지막 형성층을 워크에 첩부할 때의 에어 끼임이나, 후술하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 칩을 수지막 형성층을 개재하여 칩 탑재부 (기판이나 다른 칩 등) 에 접착할 때의 접착성의 저하나, 보이드의 발생의 원인이 된다. 그 결과, 우수한 신뢰성을 갖는 반도체 장치를 얻는 것이 곤란해진다. 또, 수지막 형성층을 칩의 이면을 보호하기 위한 보호막으로서 사용하는 경우에는, 수지막 형성층의 감긴 자국은 상기 서술 이외에 외관 불량의 원인이 된다. 박리 시트의 두께를 상기 범위로 함으로써, 상기의 문제를 해소할 수 있다.

상기와 같은 양태·구성을 갖는 수지막 형성용 시트 적층체는, 박리 시트를 제거한 후에, 수지막 형성층을 워크에 첩부하고, 경우에 따라서는, 그 후, 워크에 다이싱 등의 소요의 가공이 실시된다. 그리고, 수지막 형성층을 워크에 고착 잔존시켜 지지 시트를 박리한다. 즉, 수지막 형성층을, 지지 시트로부터 워크에 전사하는 공정을 포함하는 프로세스에 사용된다.

본 발명에 있어서 적용 가능한 워크로는, 그 소재에 한정은 없고, 예를 들어 반도체 웨이퍼, 유리 기판, 세라믹 기판, FPC 등의 유기 재료 기판, 또는 정밀 부품 등의 금속 재료 등 여러 가지 물품을 들 수 있다.

수지막 형성용 시트 적층체의 형상은, 장척 (長尺) 의 박리 시트 상에 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트를 적층한 띠상의 형상으로 하고, 이것을 권수 (卷收) 할 수 있다. 특히, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 원하는 형상에 맞추어 잘라낸 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트를, 장척의 박리 시트 상에 박리 가능하게 일정 간격으로 적층한 형태가 바람직하다. 또, 수지막 형성용 시트 적층체의 형상을, 매엽 (枚葉) 형상으로 할 수도 있다.

원하는 형상에 맞추어 잘라낸 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트를, 장척의 박리 시트 상에 박리 가능하게 일정 간격으로 적층한 형태로 한 경우에는, 수지막 형성용 시트가 적층된 부분과, 수지막 형성용 시트가 적층되어 있지 않은 부분에서, 수지막 형성용 시트 적층체의 두께가 불균일해진다. 이와 같은 두께가 불균일한 수지막 형성용 시트 적층체를 롤상으로 권취하면, 두께가 불균일해져 권압이 불균일해지고, 롤의 감김 붕괴가 일어나는 경우가 있다. 따라서, 이와 같은 형태의 수지막 형성용 시트 적층체에 있어서는, 두께를 균일하게 하는 것이 바람직하다. 이 때문에, 원하는 형상에 맞추어 잘라낸 수지막 형성용 시트의 외측에는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 조금 간격을 두고, 장척의 박리 시트 (13) 의 폭 방향에 있어서의 양 가장자리부 (15) 를 따라, 수지막 형성용 시트와 동일한 정도의 두께의 주변 테이프 (14) 가 첩합 (貼合) 되어 있는 것이 바람직하다. 여기서, 수지막 형성용 시트와 주변 테이프 (14) 의 간격은, 1 ∼ 20 ㎜ 정도인 것이 바람직하고, 2 ∼ 10 ㎜ 정도인 것이 특히 바람직하다. 주변 테이프 (14) 에 의해, 두께의 불균일을 해소함으로써, 상기의 문제를 회피하기 쉬워진다.

수지막 형성용 시트 적층체의 제조

다음으로, 원하는 형상에 맞추어 잘라낸 수지막 형성용 시트를, 장척의 박리 시트 상에 박리 가능하게 일정 간격으로 적층한 형태의 수지막 형성용 시트 적층체의 제조 방법에 대해, 도 3 에 나타내는 제 1 양태와 도 5 에 나타내는 제 3 양태를 예로 설명하지만, 본 발명의 수지막 형성용 시트는, 이와 같은 제조 방법에 의해 얻어지는 것에 한정되지 않는다.

(제 1 양태에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체의 제조)

먼저, 박리 시트 상의 수지막 형성층을 원하는 형상으로 하프 커트한다.

구체적으로는, 2 매의 장척 박리 시트 (이하, 제 1 장척 박리 시트, 제 2 장척 박리 시트라고 부른다. 제 2 장척 박리 시트가 도 3 에 있어서의 박리 시트 (13) 이다.) 의 사이에 수지막 형성층을 갖는 적층체를 준비한다. 미리 필름상으로 제막한 수지막 형성층을, 2 매의 장척 박리 시트에 끼워 넣어도 되고, 또, 수지막 형성층을 형성하기 위한 수지막 형성용 조성물을, 일방의 장척 박리 시트에 도공, 건조시키고, 도막 상에 타방의 장척 박리 시트를 첩합하여 적층체를 형성해도 된다.

이어서, 제 1 장척 박리 시트를 제거한다. 그리고, 수지막 형성층을 원하는 형상으로 완전히 절입하고, 제 2 장척 박리 시트 (13) 에 도달하도록, 수지막 형성층을 형발 (型拔) (하프 커트) 한다. 형발은, 다이 커트 등의 범용의 장치 (로터리 날 혹은 평날), 방법에 의해 실시한다. 이 때의 절입 깊이는, 수지막 형성층을 완전히 절입하고, 절입 깊이 (d2) 의 절입부 (D2) 를 형성하기 위해서, 수지막 형성층의 두께와 절입 깊이 (d2) 의 합계 깊이로 절입한다. 이 때문에, 제 2 장척 박리 시트의 표면에, 절입 깊이 (d2) 의 절입부 (D2) 가 형성된다.

이어서, 수지막 형성층의 길이 방향으로 박리용 점착 테이프를 첩부한다. 그리고, 박리용 점착 테이프를 제거함으로써, 원하는 형상의 수지막 형성층 (12) 을 제 2 장척 박리 시트 (13) 상에 잔존시키고, 잔여의 수지막 형성층을 제거한다. 원하는 형상의 수지막 형성층 이외의 잔여 부분은 연속하고 있다. 이 때문에, 제 2 장척 박리 시트와 수지막 형성층의 계면을 박리 기점으로 하면, 잔여부의 수지막 형성층은 제거되고, 원하는 형상의 수지막 형성층 (12) 이 제 2 장척 박리 시트 (13) 상에 잔존한다. 이 결과, 제 2 장척 박리 시트 (13) 상에, 원하는 형상의 수지막 형성층 (12) 이 정렬한 적층체가 얻어진다.

이어서, 제 2 장척 박리 시트 (13) 의 수지막 형성층 (12) 을 갖는 면에, 제 2 장척 박리 시트 (13) 및 수지막 형성층 (12) 에 접하도록 지지 시트 (11) 를 첩부한다. 제 1 양태에 있어서는, 지지 시트 (11) 는 기재 (11a) 와 점착제층 (11b) 으로 이루어지는 점착 시트이다. 기재 (11a) 상에 점착제층 (11b) 을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 기재 (11a) 상에 점착제층 (11b) 을 구성하는 조성물 (점착제) 을 도포 건조시킴으로써 형성하는 방법이나, 점착제를 상기 박리 시트와는 별도의 박리 시트 상에 형성하고, 이것을 기재 (11a) 에 전사함으로써 형성하는 방법 등을 들 수 있다.

그리고, 지지 시트를, 링 프레임의 내경 이상이고 외경 이하의 크기의 원하는 형상으로 형발한다. 이 때에, 수지막 형성층 (12) 의 중심점과, 형발 후의 지지 시트 (11) 의 중심점이 일치하도록 형발한다. 또, 절입 깊이는, 지지 시트를 완전히 절입하고, 절입 깊이 (d1) 의 절입부 (D1) 를 형성하기 위해서, 지지 시트의 두께와 절입 깊이 (d1) 의 합계 깊이로 절입한다. 이 때문에, 제 2 장척 박리 시트의 표면에, 절입 깊이 (d1) 의 절입부 (D1) 가 형성된다.

이어서, 원하는 형상의 지지 시트 (11) 를, 제 2 장척 박리 시트 (13) 상에 잔존시키고, 잔여의 지지 시트를 제거한다. 이 결과, 제 2 장척 박리 시트 (13) 상에 원하는 형상의 수지막 형성층과 지지 시트 (11) 를 포함하는 수지막 형성용 시트가 적층된, 제 1 양태의 수지막 형성용 시트 적층체가 얻어진다.

또한, 상기에 있어서, 지지 시트의 형발을 실시할 때에, 지지 시트를 원하는 형상으로 절입함과 함께, 그 형상의 지지 시트 (11) 의 외측에 지지 시트로부터 조금 간격을 두고, 제 2 장척 박리 시트의 폭 방향의 양 가장자리부 (15) 를 따라 주변 테이프 (14) 로서의 지지 시트가 잔존하도록 형발하는 것이 바람직하다. 그 후, 원하는 형상의 지지 시트 (11) 및 주변 테이프 (14) 를, 제 2 장척 박리 시트 (13) 상에 잔존시키고, 잔여의 지지 시트를 제거함으로써, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 을 포함하는 수지막 형성용 시트 (10) 와, 주변 테이프 (14) 가, 장척의 박리 시트 (13) 상에, 연속해서 첩합된 형태의 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 가 얻어진다.

(제 3 양태에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체의 제조)

지그 접착층이, 심재를 갖는 양면 점착 부재인 경우에 대하여 설명한다.

먼저, 지그 접착층의 점착제층 (적층용 점착제층 및 고정용 점착제층) 을 형성하기 위한 점착제를 준비한다. 또한, 지그 접착층에 있어서, 적층용 점착제층을 형성하기 위한 점착제와, 고정용 점착제층을 형성하기 위한 점착제가 상이한 경우에는, 각 점착제를 준비한다. 이하에 있어서는, 적층용 점착제층을 구성하는 점착제를 「적층용 점착제」 라고 기재하고, 고정용 점착제층을 형성하기 위한 점착제를 「고정용 점착제」 라고 기재한다. 적층용 점착제와 고정용 점착제가 동일한 경우에는, 2 종류의 점착제를 준비할 필요가 없고, 또, 지그 접착층의 양면의 구별없이 사용을 할 수 있으므로 작업 효율이 향상된다.

이어서, 적층용 점착제를 장척의 박리 시트 (이하, 제 3 장척 박리 시트라고 부른다.) 상에 도포, 건조시켜 적층용 점착제층을 형성한다. 그 후, 심재에 적층용 점착제층을 첩합하고, 심재, 적층용 점착제층 및 제 3 장척 박리 시트가 이 순서로 적층된 적층체를 얻는다.

또, 고정용 점착제를 장척의 박리 시트 (이하, 제 4 장척 박리 시트라고 부른다. 제 4 장척 박리 시트가 도 5 에 있어서의 박리 시트 (13) 이다.) 상에 도포, 건조시켜 고정용 점착제층을 형성한다. 그 후, 상기에서 얻어진 적층체의 심재에 적층용 점착제층을 첩합하고, 제 3 장척 박리 시트, 적층용 점착제층, 심재, 고정용 점착제층 및 제 4 장척 박리 시트가 이 순서로 적층된 적층체 (장척 박리 시트에 협지된 지그 접착층) 를 얻는다.

이어서, 제 3 장척 박리 시트를 제거한다. 그리고, 지그 접착층과 제 4 장척 박리 시트가 이 순서로 적층된 적층체를 원하는 형상으로 절입하고, 제 4 장척 박리 시트에 도달하도록, 당해 적층체를 형발 (하프 커트) 한다. 형발은, 다이 커트 등의 범용의 장치 (로터리 날 혹은 평날), 방법에 의해 실시한다. 이 때의 절입 깊이는, 당해 적층체를 완전히 절입하고, 절입 깊이 (d3) 의 절입부 (D3) 를 형성하기 위해서, 당해 적층체의 두께와 절입 깊이 (d3) 의 합계 깊이로 절입한다. 이 때문에, 제 4 장척 박리 시트의 표면에, 절입 깊이 (d3) 의 절입부 (D3) 가 형성된다.

이어서, 지그 접착층의 길이 방향으로 박리용 점착 테이프를 첩부한다. 그리고, 박리용 점착 테이프를 제거함으로써, 원하는 형상의 지그 접착층을 제 4 장척 박리 시트 (13) 상으로부터 제거한다. 이 결과, 제 4 장척 박리 시트 (13) 상에, 원하는 형상의 내부 개구를 갖는 지그 접착층이 적층한 적층체가 얻어진다.

또, 기재 (11a) 상에 점착제층 (11b) 이 형성된 지지 시트 (11) 를 준비한다. 이 지지 시트를 얻는 방법은, 제 1 양태에서 설명한 바와 같다.

그리고, 지지 시트 (11) 의 점착제층 (11b) 상에 수지막 형성층 (12) 을 형성한다. 점착제층 (11b) 상에 수지막 형성층 (12) 을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 점착제층 (11b) 상에 수지막 형성용 조성물을 도포 건조시킴으로써 형성하는 방법이나, 수지막 형성용 조성물을 상기 박리 시트와는 별도의 박리 시트 상에 형성하고, 이것을 점착제층 (11b) 에 전사함으로써 형성하는 방법 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 으로 이루어지는 적층체가 얻어진다.

이어서, 제 4 장척 박리 시트 (13) 의 지그 접착층을 갖는 면에, 제 4 장척 박리 시트 (13) 및 지그 접착층에 접하도록, 지지 시트 (11) 와 수지막 형성층 (12) 으로 이루어지는 적층체의 수지막 형성층 (12) 을 첩부하고, 제 4 장척 박리 시트 (13) 상에 수지막 형성용 시트 (10) 를 형성한다.

그리고, 수지막 형성용 시트 (10) 를, 링 프레임의 내경 이상이고 외경 이하의 크기의 원하는 형상으로 형발한다. 이 때에, 지그 접착층의 내부 개구의 중심점과, 형발 후의 수지막 형성용 시트 (10) 의 중심점이 일치하도록 형발한다. 또, 절입 깊이는, 수지막 형성용 시트를 완전히 절입하고, 절입 깊이 (d1) 의 절입부 (D1) 를 형성하기 위해서, 수지막 형성용 시트의 두께와 절입 깊이 (d1) 의 합계 깊이로 절입한다. 이 때문에, 제 4 장척 박리 시트의 표면에, 절입 깊이 (d1) 의 절입부 (D1) 가 형성된다.

이어서, 원하는 형상의 수지막 형성용 시트 (10) 를, 제 4 장척 박리 시트 (13) 상에 잔존시키고, 잔여의 수지막 형성용 시트를 제거한다. 이 결과, 제 4 장척 박리 시트 (13) 상에 원하는 형상의 수지막 형성용 시트 (10) 가 적층된, 제 3 양태의 수지막 형성용 시트 적층체가 얻어진다. 또한, 수지막 형성용 시트의 형발을 실시할 때에는, 제 1 양태와 마찬가지로, 주변 테이프 (14) 가 잔존하도록 형발하는 것이 바람직하다.

반도체 장치의 제조 방법

다음으로 본 발명에 관련된 수지막 형성용 시트 적층체의 이용 방법에 대하여, 도 2 및 도 3 에 나타내는 제 1 양태의 수지막 형성용 시트 적층체를 반도체 장치의 제조 방법에 적용했을 경우를 예로 들어 설명한다.

제 1 양태의 수지막 형성용 시트 적층체를 사용한 반도체 장치의 제조 방법은, 그 적층체의 수지막 형성층을 워크에 첩착하고, 그 워크를 다이싱하여 칩으로 하고, 그 칩의 어느 면에 그 수지막 형성층을 고착 잔존시켜 지지 시트로부터 박리하고, 그 칩을 다이 패드부 상, 또는 별도의 칩 상에 그 수지막 형성층을 개재하여 재치하는 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

이하에서는, 워크로서 실리콘 웨이퍼를 사용한 예로 설명한다.

웨이퍼 표면에 대한 회로의 형성은 에칭법, 리프트 오프법 등의 종래부터 범용되고 있는 방법을 포함하는 다양한 방법에 의해 실시할 수 있다. 이어서, 웨이퍼의 회로면의 반대면 (이면) 을 연삭한다. 연삭법은 특별히 한정되지는 않고, 그라인더 등을 사용한 공지된 수단으로 연삭해도 된다. 이면 연삭시에는, 표면의 회로를 보호하기 위해서 회로면에, 표면 보호 시트라고 불리는 점착 시트를 첩부한다. 이면 연삭은, 웨이퍼의 회로면측 (즉, 표면 보호 시트측) 을 척 테이블 등에 의해 고정하고, 회로가 형성되어 있지 않은 이면측을 그라인더에 의해 연삭한다. 웨이퍼의 연삭 후의 두께는 특별히 한정되지는 않지만, 통상적으로는 50 ∼ 500 ㎛ 정도이다.

그 후, 필요에 따라, 이면 연삭시에 발생한 파쇄층을 제거한다. 파쇄층의 제거는, 케미컬 에칭이나, 플라즈마 에칭 등에 의해 실시된다.

회로 형성 및 이면 연삭에 이어, 웨이퍼의 이면에 수지막 형성용 시트 적층체의 수지막 형성층을 첩부한다. 첩부 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들어, 도 1 에 나타내는 공정으로, 수지막 형성층을 반도체 웨이퍼에 첩부한다.

도 1a ∼ 1d 는, 수지막 형성용 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 작업을 실시하는 일련의 공정도이다. 도 1a 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 시트 적층체 (100) 는, 박리 시트 (13) 가 캐리어 필름의 역할을 하고 있으며, 2 개의 롤 (62 및 66) 과 필 플레이트 (64) 에 지지되면서, 그 일단이 원기둥 형상의 권심 (卷芯) (44) 에 접속된 상태로 권회되어 제 1 롤 (42) 을 형성하고, 타단이 원기둥 형상의 권심 (54) 에 접속된 상태로 권회되어 제 2 롤 (52) 을 형성하고 있다. 그리고, 제 2 롤 (52) 의 권심 (54) 에는, 당해 권심 (54) 을 회전시키기 위한 권심 구동용 모터 (도시 생략) 가 접속되어 있고, 수지막 형성용 시트 (10) 가 박리된 후의 박리 시트 (13) 가 소정의 속도로 권회되도록 되어 있다.

먼저, 권심 구동용 모터가 회전하면, 제 2 롤 (52) 의 권심 (54) 이 회전하고, 제 1 롤 (42) 의 권심 (44) 에 권회되어 있는 수지막 형성용 시트 (100) 로부터 수지막 형성용 시트 (10) 가 제 1 롤 (42) 의 외부에 인출된다. 그리고, 인출된 수지막 형성용 시트 (10) 는, 이동식 스테이지 상에 배치된 원판상의 반도체 웨이퍼 (32) 및 그것을 둘러싸도록 배치된 링 프레임 (34) 상으로 유도된다.

다음으로, 박리 시트 (13) 로부터 수지막 형성용 시트 (10) 가 박리된다. 이 때, 도 1a 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 시트 (10) 의 박리 시트 (13) 측으로부터 필 플레이트 (64) 가 대어져 있다. 본 발명에 있어서는 수지막 형성용 시트 (10) 의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력과 SUS 에 대한 점착력이 소정 범위이기 때문에, 수지막 형성용 시트의 풀어내기가 용이하다. 또, 도 1b 에 나타내는 바와 같이, 절입부 (D1) 가 형성되어 있는 경우에는, 박리 시트 (13) 는 필 플레이트 (64) 측으로 절입부 (D1) 를 기점으로 절곡되고, 박리 시트 (13) 와 수지막 형성용 시트 (10) 의 사이에 박리 기점이 용이하게 만들어내어지게 된다. 또한, 박리 기점이 보다 효율적으로 만들어내어지도록, 박리 시트 (13) 와 수지막 형성용 시트 (10) 의 경계면에 에어를 내뿜어도 된다. 그 결과, 수지막 형성용 시트 (10) 의 풀어내기가 더욱 용이해진다.

이어서, 도 1c 에 나타내는 바와 같이, 수지막 형성용 시트 (10) 가 링 프레임 (34) 및 반도체 웨이퍼 (32) 와 밀착하도록, 수지막 형성용 시트 (10) 의 첩부가 실시된다. 이 때, 롤 (68) 에 의해 수지막 형성용 시트 (10) 는 반도체 웨이퍼 (32) 에 압착되게 된다. 그리고, 도 1d 에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 (32) 상에 대한 수지막 형성용 시트 (10) 의 첩부가 완료하고, 수지막 형성용 시트가 부착된 반도체 웨이퍼가 얻어진다.

이상과 같은 순서에 의해, 반도체 웨이퍼 (32) 에 대한 수지막 형성용 시트 (10) 의 첩부를 자동화된 공정으로 연속해서 실시할 수 있다. 이와 같은 반도체 웨이퍼 (32) 에 대한 수지막 형성용 시트 (10) 의 첩부 작업을 실시하는 장치로는, 예를 들어, 린텍 (주) 제조의 RAD-2500 (상품명) 등을 들 수 있다.

그리고, 이와 같은 공정에 의해, 수지막 형성용 시트 (10) 를 반도체 웨이퍼 (32) 에 첩부하는 경우, 본 발명에 관련된, 원하는 물성을 갖는 수지막 형성용 시트 적층체를 사용함으로써, 수지막 형성용 시트 (10) 의 외주가 필 플레이트의 선단에 도달했을 때에, 두꺼운 박리 시트이더라도, 수지막 형성용 시트가 외주부에 있어서 박리 시트로부터 박리되어, 풀어내어진다. 그 결과, 풀어낸 수지막 형성용 시트의 지지 시트끼리 또는 수지막 형성층끼리가 중첩되는 방향으로 절곡되어 밀착하거나, 수지막 형성용 시트가 박리 시트에 전착한다고 하는 문제를 방지할 수 있다.

수지막 형성층이 실온에서는 택성을 갖지 않는 경우에는 적절히 가온해도 된다 (한정되는 것은 아니지만, 40 ∼ 80 ℃ 가 바람직하다).

또, 수지막 형성층에 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 가 배합되어 있는 경우에는, 수지막 형성층에 지지 시트측으로부터 에너지선을 조사하여, 수지층 형성층을 예비적으로 경화하고, 수지막 형성층의 응집력을 올리고, 수지막 형성층과 지지 시트의 사이의 접착력을 저하시켜 둬도 된다.

그 후, 다이싱 소 등의 절단 수단을 사용하여, 상기의 반도체 웨이퍼를 절단하여 반도체 칩을 얻는다. 이 때의 절단 깊이는, 반도체 웨이퍼의 두께와 수지막 형성층의 두께의 합계 및 다이싱 소의 마모분을 가미한 깊이로 한다.

또한, 에너지선 조사는, 반도체 웨이퍼의 첩부 후, 반도체 칩의 박리 (픽업) 전 중 어느 단계에서 실시해도 되고, 예를 들어 다이싱의 후에 실시해도 되고, 또 하기의 익스팬드 공정 후에 실시해도 되지만, 반도체 웨이퍼의 첩부 후이고 다이싱 전에 실시하는 것이 바람직하다. 또한 에너지선 조사를 복수 회로 나누어 실시해도 된다.

이어서 필요에 따라, 수지막 형성용 시트의 익스팬드를 실시하면, 반도체 칩 간격이 확장되어, 반도체 칩의 픽업을 더욱 용이하게 실시할 수 있게 된다. 이 때, 수지막 형성층과 지지 시트의 사이에 어긋남이 발생하게 되어, 수지막 형성층과 지지 시트의 사이의 접착력이 감소하고, 반도체 칩의 픽업성이 향상된다. 이와 같이 하여 반도체 칩의 픽업을 실시하면, 절단된 수지막 형성층을 반도체 칩 이면에 고착 잔존시켜 지지 시트로부터 박리할 수 있다.

이어서 수지막 형성층을 개재하여 반도체 칩을, 리드 프레임의 다이 패드 상 또는 별도의 반도체 칩 (하단 칩) 표면에 재치한다 (이하, 칩이 탑재되는 다이 패드 또는 하단 칩 표면을 「칩 탑재부」 라고 기재한다).

재치할 때의 압력은, 통상적으로 1 ㎪ ∼ 200 ㎫ 이다. 또, 칩 탑재부는, 반도체 칩을 재치하기 전에 가열하거나 재치 직후에 가열되어도 된다. 가열 온도는, 통상적으로는 80 ∼ 200 ℃, 바람직하게는 100 ∼ 180 ℃ 이며, 가열 시간은, 통상적으로는 0.1 초 ∼ 5 분, 바람직하게는 0.5 초 ∼ 3 분이다.

반도체 칩을 칩 탑재부에 재치한 후, 필요에 따라 추가로 가열을 실시해도 된다. 이 때의 가열 조건은, 상기 가열 온도의 범위이고, 가열 시간은 통상적으로 1 ∼ 180 분, 바람직하게는 10 ∼ 120 분이다.

또, 재치 후의 가열 처리는 실시하지 않고 임시 접착 상태로 해 두고, 패키지 제조에 있어서 통상적으로 실시되는 수지 봉지 (封止) 에서의 가열을 이용하여 수지막 형성층을 경화시켜도 된다. 이와 같은 공정을 거침으로써, 수지막 형성층이 경화하고, 반도체 칩과 칩 탑재부가 강고하게 접착된 반도체 장치를 얻을 수 있다. 수지막 형성층은 다이 본드 조건하에서는 유동화하고 있기 때문에, 칩 탑재부의 요철에도 충분히 매립되고, 보이드의 발생을 방지할 수 있고 반도체 장치의 신뢰성이 높아진다.

또, 제 2 본 발명에 관련된 반도체 장치의 제조 방법은, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층을 첩부하고, 그 후, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩을 얻는 것이 바람직하다. 그 수지막은, 반도체 칩의 보호막이다. 또, 본 발명에 관련된 반도체 장치의 제조 방법은, 바람직하게는, 이하의 공정 (1) ∼ (3) 을 추가로 포함하고, 공정 (1) ∼ (3) 을 임의의 순서로 실시하는 것을 특징으로 하고 있다.

공정 (1)：수지막 형성층 또는 수지막과, 지지 시트를 박리,

공정 (2)：수지막 형성층을 경화하여 수지막을 얻는다,

공정 (3)：반도체 웨이퍼와, 수지막 형성층 또는 수지막을 다이싱.

먼저, 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층을 첩부한다. 당해 공정은, 상기 제 1 반도체 장치의 제조 방법에 있어서의 첩부 공정과 동일하다.

그 후, 공정 (1) ∼ (3) 을 임의의 순서로 실시한다. 예를 들어, 공정 (1) ∼ (3) 을 공정 (1), (2), (3) 의 순서, 공정 (2), (1), (3) 의 순서, 공정 (2), (3), (1) 의 순서, 공정 (3), (2), (1) 의 순서, 또는 공정 (3), (1), (2) 의 순서 중 어느 순서로 실시한다. 이 프로세스의 상세한 내용에 대해서는, 일본 공개특허공보 2002-280329호에 상세히 서술되어 있다. 일례로서, 공정 (1), (2), (3) 의 순서로 실시하는 경우에 대하여 설명한다.

먼저, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층을 첩부한다. 이어서 수지막 형성층으로부터 지지 시트를 박리하고, 반도체 웨이퍼와 수지막 형성층의 적층체를 얻는다.

이어서 수지막 형성층을 경화하고, 웨이퍼의 전체면에 수지막을 형성한다. 수지막 형성층에, 에폭시 접착제를 포함하는 경우에는, 열 경화에 의해 수지막 형성층을 경화한다. 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 가 배합되어 있는 경우에는, 수지막 형성층의 경화를, 에너지선 조사에 의해 실시할 수 있으며, 에폭시 접착제와, 에너지선 경화성 화합물 (B) 나 에너지선 경화형 중합체 (AB) 를 병용하는 경우에는, 가열 및 에너지선 조사에 의한 경화를 동시에 실시해도 되고, 축차적으로 실시해도 된다. 조사되는 에너지선으로는, 자외선 (UV) 또는 전자선 (EB) 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 자외선이 사용된다. 이 결과, 웨이퍼 이면에 경화 수지로 이루어지는 수지막이 형성되고, 웨이퍼 단독의 경우와 비교하여 강도가 향상되므로, 얇아진 웨이퍼 취급시의 파손을 저감할 수 있다. 또, 웨이퍼나 칩의 이면에 직접 수지막용의 도포액을 도포·피막화하는 코팅법과 비교하여, 수지막의 두께 균일성이 우수하다.

그 후, 반도체 웨이퍼와 수지막의 적층체를, 웨이퍼 표면에 형성된 회로마다 다이싱한다. 다이싱은, 웨이퍼와 수지막을 함께 절단하도록 실시된다. 웨이퍼의 다이싱은, 다이싱 시트를 사용한 통상적인 방법에 의해 실시된다. 이 결과, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩이 얻어진다.

이어서, 수지막에 레이저 인자할 수도 있다. 레이저 인자는 레이저 마킹 법에 의해 실시되고, 레이저 광의 조사에 의해 보호막의 표면을 깎아냄으로써 보호막에 품번 등을 마킹한다. 또한, 레이저 인자는, 수지막 형성층을 경화시키기 전에 실시할 수도 있다.

마지막으로, 다이싱된 칩을 콜렛 등의 범용 수단에 의해 픽업함으로써, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩이 얻어진다. 그리고, 반도체 칩을 페이스 다운 방식으로 소정의 기대 (基臺) 상에 실장함으로써 반도체 장치를 제조할 수 있다. 또, 이면에 수지막을 갖는 반도체 칩을, 다이 패드부 또는 별도의 반도체 칩 등의 다른 부재 상 (칩 탑재부 상) 에 접착함으로써, 반도체 장치를 제조할 수도 있다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 두께의 균일성이 높은 수지막을 칩 이면에 간편하게 형성할 수 있으며, 다이싱 공정이나 패키징 후의 크랙이 잘 발생하지 않게 된다.

또한, 반도체 웨이퍼의 이면에, 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층을 첩부한 후, 공정 (3) 을 공정 (1) 의 전에 실시하는 경우, 수지막 형성용 시트가 다이싱 시트로서의 역할을 할 수 있다. 즉, 다이싱 공정의 한창중에 반도체 웨이퍼를 지지하기 위한 시트로서 사용할 수 있다. 이 경우, 수지막 형성용 시트의 내주부에 수지막 형성층을 개재하여 반도체 웨이퍼가 첩착되고, 수지막 형성용 시트의 외주부가 링 프레임 등의 다른 지그와 접합함으로써, 반도체 웨이퍼에 첩부된 수지막 형성용 시트가 장치에 고정되고, 다이싱이 실시된다.

또, 공정 (3), (1), (2) 의 순서로 실시하는 경우에는, 이면에 수지막 형성층을 갖는 반도체 칩을 페이스 다운 방식으로 소정의 기대 상에 실장 후, 패키지 제조에 있어서 통상적으로 실시되는 수지 봉지에서의 가열을 이용하여 수지막 형성층을 경화시킬 수도 있다.

실시예

이하, 본 발명을 실시예에 의해 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에 있어서 채용한 측정, 평가 방법은 다음과 같다.

＜박리력＞

인장 시험기 (시마즈 제작소 제조 오토그래프 AG-IS) 를 사용하고, 수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력을, 인장 속도 300 ㎜/분, T 필법, 온도/습도 = 23 ℃/50 ％RH 의 조건으로 측정하였다.

＜점착력＞

수지막 형성용 시트의 외주부를 15 ㎜ × 25 ㎜ 로 재단하여 시료로 하고, SUS (스테인리스판) 에 첩부하였다. 이어서, 인장 시험기 (시마즈 제작소 제조 오토그래프 AG-IS) 를 사용하고, JIS Z0237：2009 에 준거하여, 시료의 점착력을, 인장 속도 300 ㎜/분, 180° 필법, 온도/습도 = 23 ℃/50 ％RH 의 조건으로 측정하였다.

＜지지 시트끼리 또는 수지막 형성층끼리의 밀착 및 박리 시트로의 전착＞

지지 시트끼리 또는 수지막 형성층끼리의 밀착 (이하, 밀착 평가) 및 박리 시트로의 전착 (이하, 전착 평가) 은 이하와 같이 실시하였다.

수지막 형성용 시트 적층체로부터 박리 시트를 제거할 때에, 수지막 형성용 시트의 지지 시트끼리 또는 수지막 형성층끼리가 중첩되는 방향으로 절곡되어 밀착하거나, 수지막 형성용 시트가 박리 시트에 전착되는지 여부를 육안으로 확인하였다.

적층용 점착제 및 고정용 점착제의 조제

아크릴계 중합체 (2-에틸헥실아크릴레이트/메틸메타크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 80/10/10 (질량비), 중량 평균 분자량：80 만) 를 주원료로 하고, 그 주원료의 고형분 100 질량부에 대해, 트리메틸올프로판 어덕트 톨릴렌디이소시아네이트 1 질량부를 첨가한 메틸에틸케톤 (MEK) 용액 (고형분 농도 25 ％) 을 조정하고, 적층용 점착제로 하였다.

또, 고정용 점착제로서, 적층용 점착제와 동일한 것을 준비하였다.

지지 시트 A 의 제조

지지 시트를 구성하는 기재로서, 폴리올레핀 기재 (두께：80 ㎛) 를 준비하였다.

또, 아크릴계 중합체 (라우릴아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 80/20 (질량비), 중량 평균 분자량：80 만) 에, 그 아크릴계 중합체 100 g 당 21.4 g (아크릴계 중합체의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 단위 100 몰 당 80 몰) 의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜 에너지선 경화형 중합체 (중량 평균 분자량：70 만) 를 얻었다.

에너지선 경화형 중합체의 고형분 100 질량부에 대해, 트리메틸올프로판 어덕트 톨릴렌디이소시아네이트 8 질량부, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤 3 질량부를 첨가한 MEK 용액 (고형분 농도 25 ％) 을 조정하고, 지지 시트 A 의 점착제층을 형성하기 위한 점착제를 얻었다.

이어서, 상기 점착제를 박리 처리한 PET 필름 (두께：50 ㎛) 의 박리 처리면 상에, 점착제층의 두께가 10 ㎛ 가 되도록 도공하였다.

그 후, 기재와 점착제층을 첩합하고, 지지 시트 A 를 얻었다.

지지 시트 B 의 제조

지지 시트를 구성하는 기재로서, 폴리올레핀 기재 (두께：70 ㎛) 를 준비하였다.

또, 아크릴계 중합체 (2-에틸헥실아크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 80/20 (질량비), 중량 평균 분자량：80 만) 에, 그 아크릴계 중합체 100 g 당 13.4 g (아크릴계 중합체의 2-하이드록시에틸아크릴레이트 단위 100 몰당 50 몰) 의 메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 반응시켜 에너지선 경화형 중합체 (중량 평균 분자량：80 만) 를 얻었다.

에너지선 경화형 중합체의 고형분 100 질량부에 대해, 트리메틸올프로판 어덕트 톨릴렌디이소시아네이트와, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온과, 1-하이드록시시클로헥실페닐케톤을 각각 1 질량부 첨가한 MEK 용액 (고형분 농도 25 ％) 을 조정하고, 지지 시트 B 의 점착제층을 형성하기 위한 점착제를 얻었다.

이어서, 상기 점착제를 박리 처리한 PET 필름 (두께：50 ㎛) 의 박리 처리면 상에, 점착제층의 두께가 30 ㎛ 가 되도록 도공하였다.

그 후, 기재와 점착제층을 첩합하고, 지지 시트 B 를 얻었다.

수지막 형성용 조성물의 조제

아크릴계 중합체 (부틸아크릴레이트/메틸메타크릴레이트/글리시딜메타크릴레이트/2-하이드록시에틸아크릴레이트 = 55/10/20/15 (질량비), 중량 평균 분자량：80 만) 15 질량부, 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (닛폰 촉매 BPA328) 25 질량부, 트리페닐렌형 에폭시 수지 (닛폰 화약 EPPN-502H) 25 질량부, 페놀 수지 (쇼와 고분자 BRG556) 34 질량부 및 이미다졸계 화합물 (시코쿠 화성 2PHZ-PW) 1 질량부로 이루어지는 수지막 형성용 조성물을 조정하였다.

(실시예 1)

지그 접착층의 제조

장척의 박리 시트로서, 박리 처리한 PET 필름 (두께：50 ㎛) 을 준비하였다.

적층용 점착제를 상기 박리 시트의 박리 처리면 상에, 적층용 점착제층의 두께가 5 ㎛ 가 되도록 도공하였다. 이어서, 적층용 점착제층과 심재 (폴리프로필렌 기재, 두께：40 ㎛) 를 첩합하였다.

상기와 동일한 순서로 의해, 별도의 박리 시트의 박리 처리면 상에, 두께가 5 ㎛ 인 고정용 점착제층을 형성하고, 상기 심재에 첩합하고, 박리 시트, 적층용 점착제층, 심재, 고정용 점착제층, 박리 시트가 이 순서로 적층된 적층체 (지그 접착층용 적층체) 를 얻었다.

수지막 형성용 시트 적층체의 제조

지그 접착층용 적층체로부터, 적층용 점착제층측의 박리 시트를 제거하고, 적층용 점착제층측으로부터, 직경 330 ㎜ 의 원형으로 형발을 실시하였다. 형발은, 적층용 점착제층, 심재, 고정용 점착제층을 완전히 절입하고, 고정용 점착제층측의 박리 시트에 30 ㎛ 절입하도록 실시하였다. 즉, 절입 깊이 (d3) 가 30 ㎛ 인 절입부 (D3) 를 형성하였다.

그 후, 원형으로 절입한 적층용 점착제층, 심재, 고정용 점착제층으로 이루어지는 적층체를 제거하고, 원형의 내부 개구를 형성하고, 박리 시트 상에 지그 접착층을 제조하였다.

또, 상기의 수지막 형성용 조성물을 박리 처리한 PET 필름 (두께：50 ㎛) 의 박리 처리면 상에, 수지막 형성층의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도공하였다.

그 후, 수지막 형성층과, 상기에서 얻어진 지지 시트 A 의 점착제층을 첩합하고, 지지 시트 A 와 수지막 형성층으로 이루어지는 적층체를 얻었다.

이어서, 박리 시트 상의 지그 접착층에, 지지 시트 A 와 수지막 형성층으로 이루어지는 적층체의 수지막 형성층을 첩부하고, 박리 시트 상에 수지막 형성용 시트를 형성하였다.

마지막으로, 지그 접착층의 원형의 내부 개구와 동심원 형상으로, 직경 370 ㎜ 의 원형으로 수지막 형성용 시트를 형발하고, 불필요 부분을 제거하여, 제 3 양태의 수지막 형성용 시트 적층체를 얻었다. 형발은, 수지막 형성용 시트를 완전히 절입하고, 박리 시트에 30 ㎛ 절입하도록 실시하였다. 즉, 절입 깊이 (d1) 가 30 ㎛ 인 절입부 (D1) 를 형성하였다. 이 수지막 형성용 시트 적층체를 사용하여 각 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 2)

절입부 (D1) 의 절입 깊이를 35 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 수지막 형성용 시트 적층체를 얻고, 각 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 3)

수지막 형성용 시트 적층체의 제조

장척의 박리 시트로서, 박리 처리한 PET 필름 (두께：50 ㎛) 을 준비하였다.

상기의 수지막 형성용 조성물을 박리 시트의 박리 처리면 상에, 수지막 형성층의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도공하고, 별도의 박리 시트 (PET 필름, 두께：50 ㎛) 를 수지막 형성층에 적층하였다.

이어서, 일방의 박리 시트를 제거하고, 직경 330 ㎜ 의 원형으로 수지막 형성층을 형발하였다. 형발은, 수지막 형성층을 완전히 절입하고, 박리 시트에 30 ㎛ 절입하도록 실시하였다. 즉, 절입 깊이 (d2) 가 30 ㎛ 인 절입부 (D2) 를 형성하였다. 그 후, 잔여의 수지막 형성층을 제거하고, 박리 시트 상에 원형의 수지막 형성층을 얻었다.

그리고, 박리 시트 상의 수지막 형성층에, 지지 시트 A 의 점착제층을 첩부하고, 박리 시트 상에 수지막 형성용 시트를 형성하였다.

마지막으로, 원형의 수지막 형성층과 동심원 형상으로, 직경 370 ㎜ 의 원형으로 수지막 형성층을 형발하고, 불필요 부분을 제거하여, 제 1 양태의 수지막 형성용 시트 적층체를 얻었다. 형발은, 수지막 형성용 시트를 완전히 절입하고, 박리 시트에 30 ㎛ 절입하도록 실시하였다. 즉, 절입 깊이 (d1) 가 30 ㎛ 인 절입부 (D1) 를 형성하였다. 이 수지막 형성용 시트 적층체를 사용하여 각 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(실시예 4)

절입부 (D1) 의 절입 깊이를 35 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 수지막 형성용 시트 적층체를 얻고, 각 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(비교예 1)

지지 시트 A 대신에, 지지 시트 B 를 사용한 것 이외에는 실시예 3 과 동일하게 하여 수지막 형성용 시트 적층체를 얻고, 각 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

(비교예 2)

지지 시트 A 대신에, 지지 시트 B 를 사용한 것 이외에는 실시예 4 와 동일하게 하여 수지막 형성용 시트 적층체를 얻고, 각 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.

100：수지막 형성용 시트 적층체
10：수지막 형성용 시트
11：지지 시트
12：수지막 형성층
13：박리 시트
D1：절입부
D2：절입부
D3：절입부

Claims (4)

1. 지지 시트와 수지막 형성층을 포함하는 수지막 형성용 시트의 수지막 형성층 상에 박리 시트를 적층하여 이루어지고,
   수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, 박리 시트의 박리력이 0.05 N/25 ㎜ 이하이고,
   수지막 형성용 시트의 외주부에 있어서의, SUS 에 대한 점착력이 1.0 N/25 ㎜ 이하인 수지막 형성용 시트 적층체.
2. 제 1 항에 있어서,
   박리 시트에는, 수지막 형성층측의 면으로부터 수지막 형성용 시트의 외주를 따라 절입부가 형성되어 있고,
   절입부의 절입 깊이가 박리 시트 두께의 1/2 초과인 수지막 형성용 시트 적층체.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
   박리 시트의 두께가 50 ㎛ 이상인 수지막 형성용 시트 적층체.
4. 제 3 항에 있어서,
   박리 시트에는, 수지막 형성층측의 면으로부터 수지막 형성용 시트의 외주를 따라 절입부가 형성되어 있고,
   절입부의 절입 깊이가 25 ㎛ 초과인 수지막 형성용 시트 적층체.

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