WO2012043227A1 - モリブデンターゲットの製造方法 - Google Patents
モリブデンターゲットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012043227A1 WO2012043227A1 PCT/JP2011/070943 JP2011070943W WO2012043227A1 WO 2012043227 A1 WO2012043227 A1 WO 2012043227A1 JP 2011070943 W JP2011070943 W JP 2011070943W WO 2012043227 A1 WO2012043227 A1 WO 2012043227A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- powder
- molybdenum
- density
- sintering
- pressure
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F3/00—Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
- B22F3/12—Both compacting and sintering
- B22F3/14—Both compacting and sintering simultaneously
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B22—CASTING; POWDER METALLURGY
- B22F—WORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
- B22F2998/00—Supplementary information concerning processes or compositions relating to powder metallurgy
- B22F2998/10—Processes characterised by the sequence of their steps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C1/00—Making non-ferrous alloys
- C22C1/04—Making non-ferrous alloys by powder metallurgy
- C22C1/045—Alloys based on refractory metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
ターゲット材等のMoバルク体を製造する際には、高融点金属ゆえに溶解鋳造法による製造が困難であるため、一般的には、Mo原料粉末を焼結してバルク体とする方法が適用されている。その一つの方法としては、酸化Moを還元処理して得られるMo原料粉末を圧縮成形したものを還元性雰囲気で焼結し、さらに高密度化のために塑性加工を施す方法が適用されている。また、一方で、還元処理して得られるMo原料粉末を一定粒度に調整したものを加圧容器に充填した後に加圧焼結法によって高密度な焼結体を得る方法も適用されている。
これに対して、本出願人は、焼結時の変形を防止したMoターゲットの製造方法として、微細なMo原料粉末を、一旦圧縮成形した後に粉砕して、粒径の大きい2次粉末を製造して、これを加圧容器に充填して加圧焼結する手法を提案している。
この方法は、粒径の大きい2次粉末が充填性に優れていることを利用するものである(特開2008-163467号、特許文献1)。
また、本出願人は、Mo粉末の製造方法として、Mo等の高融点金属のバルク体を削り出してダライ粉を得て、これを粉砕処理し還元処理を施して、低酸素なMo粉末に生成する方法を提案している(特開2006-193826号、特許文献3)。
しかしながら、酸化Mo粉末から還元によって生成されるMo粉末原料は、微細な酸化Mo粉末を出発原料としているため、還元処理を行なっても酸素含有量の低減には自ずと限界がある。また、微細な粉末であるという特徴上、単位体積当たりの酸素含有量が多くなりがちであるという問題がある。この酸素含有量の多さの問題は、密閉空間で焼結を行なう加圧焼結法において、酸素含有量を低減する上で障害となる。
また、Moターゲットには、金属薄膜の電気抵抗に影響する酸素含有量をできるだけ低減することや、スパッタリング時のアーキング等の発生を抑制するために、できるだけ高密度であることが求められている。
本発明の目的は、効率的に低酸素で高密度なMoターゲットを得ることができる製造方法を提供することである。
すなわち本発明は、酸化Moを還元し、次いで解砕して平均粒径2~15μmに調整したMo粉末Aと、密度6.64×103kg/m3以上のMoバルク体を原料として粉砕により平均粒径50~2000μmに調整したMo粉末Bとを混合した混合粉を加圧焼結するMoターゲットの製造方法である。
また、本発明において混合粉は、加圧容器に充填後に加圧焼結することができる。
また、本発明における加圧焼結は、焼結温度1000~1800℃、圧力10~200MPa、1~10時間で行なうことが好ましい。
特許文献3で提案するMoバルク体から生成したMo粉末は、バルク体からの機械的作用で粉末を得ることになるため、粉末の粒径を小さくしようとすればするほど、コストが増加する。また、特許文献3で提案するMo粉末は、粉末の粒径を小さくしようとすればするほど、生成時に酸化が進みすぎて低酸素なMo焼結体を得るのが困難となるといった問題を有している。このように、Mo粉末の粒径を小さくすることは、単位体積当たりの比表面積を増大させることから、粉末表面に吸着する酸素量が増大することにも繋がる。
一方、特許文献1や特許文献2に記載される通り、ターゲットの原料として使用できる高純度のMo粉末を得る場合には、化学的に精錬した酸化Moを還元して高純度Mo粉末を得る必要がある。こちらの場合は、化学的に精錬した酸化Moを出発原料としているため粉末の粒径を大きくしようとすることがそもそも難しく、また粒径を大きくしようとすると還元処理が困難になっていくという問題を有している。
大径粒子と小径粒子とを混合したときは、その幾何学的形状から、より充填密度を高めることができる。重要なのは、上述したバルク体から生成する大径粒子で低酸素のMoの粉末と、通常の化学的に精錬した酸化Moを還元して得られる小径粒子で酸素が多めの高純度Mo粉末との関係はまさにこの関係にあり、混合により充填密度を高めると同時に混合粉の状態での酸素の低減が可能となるということである。
したがって、本発明は、これらの粉末を組み合わせと所定の条件に調整することによって、合理的な低酸素で高純度のMoターゲット製造プロセスが確立できたのである。
また、平均粒径2~15μmに調整するのは、2μmに満たない微細粉末では焼結密度を高めることができない上、表面に吸着する酸素量が多くなり低酸素化を阻害するからである。一方、15μmを超えるMo粒子を酸化Moから得るのは容易ではない。したがって、本発明では、Mo粉末Aの平均粒径を2~15μmに調整する。
また、本発明においては、低酸素のMoターゲットを得るために、還元処理してMo粉末Aの酸素量を100~900質量ppmに調整しておくことが好ましい。
Mo粉末Bの平均粒径を50μm未満にまで小さくしようとすると、コストが著しく増加するとともに、生成時に粉末の酸化が進みすぎる。また、Mo粉末Aとの平均粒径の差が小さくなり、混合粉末の充填密度を高めにくくなるという問題もある。
一方、Mo粉末Bの平均粒径が2000μmを超えると、粉末3重点ポアの発生頻度が高くなり、高密度化が達成できにくくなる。また、Mo粉末AとMo粉末Bの粒径差が広がると、焼結体組織にムラが発生しやすくなり、ターゲットとして均一なスパッタリングが進行しにくくなる。したがって、本発明では、Mo粉末Bの平均粒径を50~2000μmに調整する。また、Mo粉末Bの粒径として大きいものを除去するためには、好ましくは、500μm以下である。
なお、Mo粉末Bは、Moバルク体を原料として粉砕した後、還元処理をすることが好ましい。それは、粉砕した粉末表面に生成する酸化層を還元することにより、混合粉との焼結が容易になるとともに、粉末B全体の酸素量を低減できるためである。現実的な還元処理としては、水素気流中で、500~1300℃の温度に1時間以上保持することが好ましい。
また、本発明においては、低酸素のMoターゲットを得るために還元処理をすることで、Moバルク体を粉砕したMo粉末Bの酸素量を50~300質量ppmにすることができる。
なお、Mo粉末Aのみでは充填密度が上がらず、Mo粉末AとMo粉末Bを混合した場合に充填密度は向上する。本発明におけるMo粉末AとMo粉末Bとの混合比は、Mo粉末Aの質量%を(A/(A+B))×100で表したときの混合比(以下単に「混合比」という。)が10~90%となるように混合することが好ましい。混合比が10%に満たない、つまりMo粉末AよりMo粉末Bの量が多い場合は、混合した粉末の充填密度を向上させることはできるが、大径粒子のMo粉末Bが多量に存在することにより、粉末3重点ポアの発生頻度が多くなり、焼結体したときに有害な比較的大きなポア等の組織欠陥を誘発する虞がある。
一方、混合比が90%を超えると、粉末の充填率が十分に上がらない場合があり、加圧焼結時に焼結体の変形が起こりやすくなる。また、小径のMo粉末Aの増加は、単位体積あたりの粉末表面積の増加に繋がり、焼結体の酸素値が上昇しやすくなる。
本発明において、加圧焼結によって得られる焼結体の高密度化と低酸素化を考慮したときの、より好ましい混合比は、20~70%である。
加圧容器への充填は、例えば、熱間静水圧プレスにより加圧焼結を行なう場合に適用される手法である。加圧容器への充填性は、焼結体の変形に影響する。本発明は、充填密度を高くすることができるため、加圧容器の適用は有効である。
また、本発明は、加圧容器を使用しないホットプレス等の加圧焼結を行なう場合であっても、充填性に優れることから高密度が得やすいという点で有効である。
これらの条件の選択可能な範囲は、一般に、使用される加圧焼結設備によって異なる。例えば熱間静水圧プレスでは低温高圧の条件が適用しやすく、ホットプレスでは高温低圧の条件が適用しやすい。
なお、焼結温度が1000℃未満では、焼結が進みにくく現実的ではない。一方、焼結温度が1800℃を超えると、耐え得る装置が限られることに加え、焼結体の組織における結晶成長が著しくなって均一微細な組織が得にくい場合がある。
また、圧力は、10MPa未満では、焼結が進みにくく現実的ではない。一方、圧力が200MPaを超えると、耐え得る装置が限られるという問題がある。
また、焼結時間が1時間未満では、焼結を十分に進行させることが難しい。一方、焼結時間が10時間を超えるのは、製造効率において避ける方がよい。
なお、ホットプレスや熱間静水圧プレスで加圧焼結をする際には、混合粉末を加圧用ダイスや加圧容器に充填した後に、加熱しながら減圧脱気をすることが好ましい。減圧脱気は、加熱温度100~600℃の範囲で、大気圧(101.3kPa)より減圧にして脱気を行なうことが好ましい。それは、得られるMo焼結体の酸素を300質量ppm以下に低減することが可能となるためである。
化学的に精錬された酸化Mo(MoO3)粉末を還元して製造された市販の純度3NのMo粉末を購入し、これを解砕処理して、表1に示す平均粒径5、7、9μmのMo粉末Aを得た。
次に、純度3NのMoバルク体(密度10.16×103kg/m3)を削り出してダライ粉を得た。このダライ粉を粉砕処理して粉末とし、次いで水素気流中で、1200℃の温度で2時間保持する熱処理で粉末表面の還元処理を行ない、表1に示す所定の平均粒径に調整したMo粉末Bを得た。
上記で得られたMo粉末AとMo粉末Bを、混合比を60%に固定して、その充填性を評価するためにタップ密度を測定した。その結果を表1に示す。なお、以下での混合比は、Mo粉末A、Bの質量%による(A/(A+B))×100の値である。
評価No.6、8、9、22、27の各焼結体を光学顕微鏡(株式会社ニコン製 倒立金属顕微鏡ECLIPSE MA200)でミクロ組織を観察した。本発明の評価No.6、8、9、22の焼結体のミクロ組織写真をそれぞれ図1~図4に示す。また、比較例の評価No.27の焼結体のミクロ組織写真を図5に示す。本発明の製造方法で得た焼結体は、図1~図4に示すように、大きなポアもなく、微細で良好な組織を有していることが確認できた。一方、比較例の大径粒子のMo粉末Bのみからなる焼結体の評価No.27の焼結体は、図5に示すように有害な大きいポアが確認された。
化学的に精錬された酸化Mo(MoO3)粉末を還元して製造された市販の純度3NのMo粉末を購入し、これを解砕処理して、平均粒径9μmのMo粉末Aを得た。
次に、密度7.15×103(kg/m3)のMoバルク体を削り出してダライ粉を得て、これを粉砕処理して粉末とし、次いで水素気流中で、1200℃で2時間保持する熱処理で粉末表面の還元処理を行ない、平均粒径195μmに調整したMo粉末Bを得た。
得られたMo粉末A、Mo粉末Bの単体、およびMo粉末A、Bの質量%によるA/(A+B)×100を60%としたときのタップ密度を測定し、表5に示す。
Claims (5)
- 酸化モリブデンを還元し、次いで解砕して平均粒径2~15μmに調整したモリブデン粉末Aと、密度6.64×103kg/m3以上のモリブデンバルク体を原料として粉砕により平均粒径50~2000μmに調整したモリブデン粉末Bとを混合した混合粉を加圧焼結することを特徴とするモリブデンターゲットの製造方法。
- 前記混合粉は、モリブデン粉末Aの質量%を(A/(A+B))×100で表したとき10~90%となるように混合することを特徴とする請求項1に記載のモリブデンターゲットの製造方法。
- モリブデン粉末Bは、モリブデンバルク体を粉砕した後、還元処理をして得られるものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のモリブデンターゲットの製造方法。
- 前記混合粉は、加圧容器に充填後に加圧焼結することを特徴とする請求項1~請求項3のいずれかに記載のモリブデンターゲットの製造方法。
- 加圧焼結を焼結温度1000~1800℃、圧力10~200MPa、1~10時間で行なうことを特徴とする請求項1~請求項4のいずれかに記載のモリブデンターゲットの製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/825,706 US9689067B2 (en) | 2010-09-30 | 2011-09-14 | Method for producing molybdenum target |
JP2012536336A JP5861839B2 (ja) | 2010-09-30 | 2011-09-14 | モリブデンターゲットの製造方法 |
CN201180047007.3A CN103140600B (zh) | 2010-09-30 | 2011-09-14 | 钼靶的制造方法 |
KR1020137007131A KR101546594B1 (ko) | 2010-09-30 | 2011-09-14 | 몰리브덴 타겟의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010220533 | 2010-09-30 | ||
JP2010-220533 | 2010-09-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012043227A1 true WO2012043227A1 (ja) | 2012-04-05 |
Family
ID=45892698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/070943 WO2012043227A1 (ja) | 2010-09-30 | 2011-09-14 | モリブデンターゲットの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9689067B2 (ja) |
JP (1) | JP5861839B2 (ja) |
KR (1) | KR101546594B1 (ja) |
CN (1) | CN103140600B (ja) |
TW (1) | TWI460036B (ja) |
WO (1) | WO2012043227A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012237056A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-12-06 | Hitachi Metals Ltd | MoCrターゲット材の製造方法およびMoCrターゲット材 |
JP2016108188A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | 三酸化モリブデンペレットの製造方法 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103978345B (zh) * | 2014-05-17 | 2016-11-16 | 金堆城钼业股份有限公司 | 一种管状钼靶材的制备方法 |
US10335857B2 (en) * | 2014-09-26 | 2019-07-02 | United Technologies Corporation | Method of manufacturing gas turbine engine component from a molybdenum-rich alloy |
CN105458266B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-03-02 | 西安瑞福莱钨钼有限公司 | 一种烧结制备钼板坯的方法 |
CN113275589B (zh) * | 2021-05-20 | 2024-01-23 | 亚芯半导体材料(江苏)有限公司 | 高纯度钛粉、钨钛合金溅射靶材的制备方法及系统 |
CN114230340B (zh) * | 2022-01-18 | 2023-01-31 | 河南科技大学 | 一种高致密高温抗氧化钼基复合靶材及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH059509A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-19 | Koji Hayashi | 高合金工具鋼焼結体及びその製造方法 |
JP2003064473A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ |
JP2006193826A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Hitachi Metals Ltd | 高融点金属系粉末の製造方法およびターゲット材の製造方法 |
JP2008163467A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-07-17 | Hitachi Metals Ltd | Moターゲット材の製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2454322A (en) * | 1946-04-17 | 1948-11-23 | Westinghouse Electric Corp | Manufacture of molybdenum |
JP3368420B2 (ja) | 1997-05-22 | 2003-01-20 | 株式会社アライドマテリアル | 均粒モリブデン粉及びその製造方法 |
JP4345560B2 (ja) | 2003-09-16 | 2009-10-14 | 日本新金属株式会社 | スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末の製造方法 |
US7534282B2 (en) * | 2003-09-16 | 2009-05-19 | Japan New Metals Co., Ltd. | High purity metal Mo coarse powder and sintered sputtering target produced by thereof |
JP4110533B2 (ja) | 2004-02-27 | 2008-07-02 | 日立金属株式会社 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
US20060042728A1 (en) * | 2004-08-31 | 2006-03-02 | Brad Lemon | Molybdenum sputtering targets |
KR100939727B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2010-01-29 | 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 | 고융점 금속계 분말의 제조방법 및 타겟재의 제조방법 |
JP4614908B2 (ja) * | 2005-05-11 | 2011-01-19 | 日立粉末冶金株式会社 | 冷陰極蛍光ランプ用電極 |
US8784729B2 (en) * | 2007-01-16 | 2014-07-22 | H.C. Starck Inc. | High density refractory metals and alloys sputtering targets |
-
2011
- 2011-09-14 WO PCT/JP2011/070943 patent/WO2012043227A1/ja active Application Filing
- 2011-09-14 JP JP2012536336A patent/JP5861839B2/ja active Active
- 2011-09-14 KR KR1020137007131A patent/KR101546594B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-14 US US13/825,706 patent/US9689067B2/en active Active
- 2011-09-14 CN CN201180047007.3A patent/CN103140600B/zh active Active
- 2011-09-30 TW TW100135626A patent/TWI460036B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH059509A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-19 | Koji Hayashi | 高合金工具鋼焼結体及びその製造方法 |
JP2003064473A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ |
JP2006193826A (ja) * | 2004-12-13 | 2006-07-27 | Hitachi Metals Ltd | 高融点金属系粉末の製造方法およびターゲット材の製造方法 |
JP2008163467A (ja) * | 2008-02-04 | 2008-07-17 | Hitachi Metals Ltd | Moターゲット材の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012237056A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-12-06 | Hitachi Metals Ltd | MoCrターゲット材の製造方法およびMoCrターゲット材 |
JP2016108188A (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-20 | 国立研究開発法人日本原子力研究開発機構 | 三酸化モリブデンペレットの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130189145A1 (en) | 2013-07-25 |
US9689067B2 (en) | 2017-06-27 |
CN103140600B (zh) | 2015-06-10 |
JP5861839B2 (ja) | 2016-02-16 |
KR20130050360A (ko) | 2013-05-15 |
TWI460036B (zh) | 2014-11-11 |
TW201223663A (en) | 2012-06-16 |
CN103140600A (zh) | 2013-06-05 |
KR101546594B1 (ko) | 2015-08-21 |
JPWO2012043227A1 (ja) | 2014-02-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5861839B2 (ja) | モリブデンターゲットの製造方法 | |
JP4894008B2 (ja) | MoNb系焼結スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2013083000A (ja) | 焼結Mo合金スパッタリングターゲット材の製造方法 | |
JP2012237056A (ja) | MoCrターゲット材の製造方法およびMoCrターゲット材 | |
TWI599668B (zh) | Mo-W靶材及其製造方法 | |
JP2009074127A (ja) | 焼結スパッタリングターゲット材およびその製造方法 | |
JP6037211B2 (ja) | MoTiターゲット材の製造方法 | |
WO2014024519A1 (ja) | 焼結体およびスパッタリングターゲット | |
JP5988140B2 (ja) | MoTiターゲット材の製造方法およびMoTiターゲット材 | |
JP4721090B2 (ja) | Mo系ターゲット材の製造方法 | |
JP6144858B1 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット、並びにそれらの製造方法 | |
JP2006169547A (ja) | 加圧焼結用のMo合金粉末の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材の製造方法 | |
JPWO2019031105A1 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
WO2016039154A1 (ja) | 電極材料の製造方法及び電極材料 | |
TW201739723A (zh) | 氧化物燒結體及濺鍍靶材以及它們的製造方法 | |
JPWO2020166380A1 (ja) | スパッタリングターゲット材 | |
JP2005314715A (ja) | スパッタリング用高純度金属Mo焼結ターゲットの製造に原料粉末として用いるのに適した高純度金属Mo粗粒粉末 | |
JP2005307225A (ja) | Moターゲット材 | |
JP2005344136A (ja) | 一体型焼結Mo系ターゲット材の製造方法および一体型焼結Mo系ターゲット材 | |
JP3551355B2 (ja) | Ruターゲットおよびその製造方法 | |
JP2019002064A (ja) | MoWターゲット材 | |
JP6310088B2 (ja) | タングステンスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6282755B2 (ja) | Al−Te−Cu−Zr系合金からなるスパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
WO2019097959A1 (ja) | 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット | |
KR20120122898A (ko) | MoCr 타겟재의 제조방법 및 MoCr 타겟재 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201180047007.3 Country of ref document: CN |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11828787 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012536336 Country of ref document: JP |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 20137007131 Country of ref document: KR Kind code of ref document: A |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 13825706 Country of ref document: US |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11828787 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |