JP2003064473A - スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ - Google Patents
スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 組成均一性が高い反強磁性強化膜を成膜可能
なスパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具
備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気抵抗効果
型ランダムアクセスメモリの提供。 【解決手段】 ニッケル、パラジウム、白金、コバル
ト、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タン
タル、銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、
モリブデン、タングステンおよびレニウムから選ばれる
少なくとも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッ
タされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であ
ることを特徴とするスパッタリングターゲット、上記ス
パッタリングターゲットを用いて成膜されたものである
ことを特徴とする反強磁性体膜、上記反強磁性体膜を具
備することを特徴とする磁気抵抗効果素子、上記反強磁
性体膜を具備することを特徴とするトンネル磁気抵抗効
果素子、上記磁気抵抗効果素子を具備することを特徴と
する磁気ヘッド、及び上記トンネル磁気抵抗効果素子を
具備することを特徴とする磁気抵抗効果型ランダムアク
セスメモリ。
なスパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具
備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気抵抗効果
型ランダムアクセスメモリの提供。 【解決手段】 ニッケル、パラジウム、白金、コバル
ト、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タン
タル、銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、
モリブデン、タングステンおよびレニウムから選ばれる
少なくとも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッ
タされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であ
ることを特徴とするスパッタリングターゲット、上記ス
パッタリングターゲットを用いて成膜されたものである
ことを特徴とする反強磁性体膜、上記反強磁性体膜を具
備することを特徴とする磁気抵抗効果素子、上記反強磁
性体膜を具備することを特徴とするトンネル磁気抵抗効
果素子、上記磁気抵抗効果素子を具備することを特徴と
する磁気ヘッド、及び上記トンネル磁気抵抗効果素子を
具備することを特徴とする磁気抵抗効果型ランダムアク
セスメモリ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングタ
ーゲット、それから成膜された反強磁性体膜、その反強
磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッ
ドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリに関す
るものである。
ーゲット、それから成膜された反強磁性体膜、その反強
磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッ
ドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】以前より、高密度磁気記録における再生
用ヘッドとして、磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド
の研究が進められている。
用ヘッドとして、磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッド
の研究が進められている。
【０００３】現在、この磁気抵抗効果素子材料として
は、８０原子％Ｎｉ−２０原子％Ｆｅ（通称：パーマロ
イ）合金薄膜が一般に使用されている。
は、８０原子％Ｎｉ−２０原子％Ｆｅ（通称：パーマロ
イ）合金薄膜が一般に使用されている。
【０００４】さらに、近年このパーマロイに代わる材料
として、巨大磁気抵抗効果を示す（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ等の
人工格子膜やスピンバルブ膜が注目されている。
として、巨大磁気抵抗効果を示す（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ等の
人工格子膜やスピンバルブ膜が注目されている。
【０００５】これらの従来の材料を用いた磁気抵抗効果
膜は磁区を持つため、これに起因するバルクハウゼンノ
イズが実用化の上で問題となっており、磁気抵抗効果膜
を単磁区化する方法が検討されている。
膜は磁区を持つため、これに起因するバルクハウゼンノ
イズが実用化の上で問題となっており、磁気抵抗効果膜
を単磁区化する方法が検討されている。
【０００６】その方法の一つに、強磁性体膜である磁気
抵抗効果膜と反強磁性体膜との交換結合を利用して磁気
抵抗効果膜の磁区を特定方向に制御する方法がある。こ
の方法を適用した反強磁性体膜としては、例えば米国特
許第４１０３３１５号あるいは米国特許第５３１５４６
８号に記載されているようなγ−ＦｅＭｎ合金膜が従来
から知られている。
抵抗効果膜と反強磁性体膜との交換結合を利用して磁気
抵抗効果膜の磁区を特定方向に制御する方法がある。こ
の方法を適用した反強磁性体膜としては、例えば米国特
許第４１０３３１５号あるいは米国特許第５３１５４６
８号に記載されているようなγ−ＦｅＭｎ合金膜が従来
から知られている。
【０００７】さらに、近年ではスピンバルブ膜の磁性膜
の磁化をピン止めするために、反強磁性体膜と強磁性体
膜との交換結合を利用する技術も普及している。この反
強磁性体膜としてもγ−ＦｅＭｎ合金膜が使用されてい
る。
の磁化をピン止めするために、反強磁性体膜と強磁性体
膜との交換結合を利用する技術も普及している。この反
強磁性体膜としてもγ−ＦｅＭｎ合金膜が使用されてい
る。
【０００８】また、反強磁性体膜として、米国特許第４
１０３３１５号には、ＰｔＭｎあるいはＰｈＭｎ合金な
どγ−ＦｅＭｎ合金以外の他のγ−Ｍｎ系合金膜を用い
た例が記載されている。
１０３３１５号には、ＰｔＭｎあるいはＰｈＭｎ合金な
どγ−ＦｅＭｎ合金以外の他のγ−Ｍｎ系合金膜を用い
た例が記載されている。
【０００９】さらに、米国特許第５３１５４６８号に
は、面心立方晶系の結晶構造を有するＮｉＭｎ合金など
のθ−Ｍｎ系合金で反強磁性膜を形成すると、高温域で
も反強磁性体膜と強磁性体膜との結合力が低下しないこ
とが示されている。
は、面心立方晶系の結晶構造を有するＮｉＭｎ合金など
のθ−Ｍｎ系合金で反強磁性膜を形成すると、高温域で
も反強磁性体膜と強磁性体膜との結合力が低下しないこ
とが示されている。
【００１０】さらに、近年ＦｅＭｎ合金膜の耐食性を改
善する材料として、ＩｒＭｎ合金膜も提案されるように
なってきた。このＩｒＭｎ合金反強磁性膜は、優れた交
換結合力と耐食性を持ち合わせており、注目されてい
る。
善する材料として、ＩｒＭｎ合金膜も提案されるように
なってきた。このＩｒＭｎ合金反強磁性膜は、優れた交
換結合力と耐食性を持ち合わせており、注目されてい
る。
【００１１】また、このような磁気抵抗効果膜を用いた
トンネル磁気抵抗効果素子（以下「ＴＭＲ素子」とい
う）は、不揮発、高速書き込み、高速読み出しおよび大
容量のメモリとしての磁気抵抗効果型ランダムアクセス
メモリ（以下「ＭＲＡＭ」という）への適用が注目を集
めている。従来からランダムアクセスメモリは、ＤＲＡ
Ｍ等の半導体記憶装置により構成されているが、磁気効
果を使って構成されることも可能である。
トンネル磁気抵抗効果素子（以下「ＴＭＲ素子」とい
う）は、不揮発、高速書き込み、高速読み出しおよび大
容量のメモリとしての磁気抵抗効果型ランダムアクセス
メモリ（以下「ＭＲＡＭ」という）への適用が注目を集
めている。従来からランダムアクセスメモリは、ＤＲＡ
Ｍ等の半導体記憶装置により構成されているが、磁気効
果を使って構成されることも可能である。
【００１２】このようなＴＭＲ素子においても、強磁性
体膜に反強磁性体膜を積層した構造とすることにより、
強磁性体膜の磁化をピン止めして外部磁化により反転し
ないようにしてある。
体膜に反強磁性体膜を積層した構造とすることにより、
強磁性体膜の磁化をピン止めして外部磁化により反転し
ないようにしてある。
【００１３】上記各反強磁性体膜性膜の形成は、一般に
スパッタリング法が採用されており、各合金膜を構成す
る元素よりなるスパッタリングターゲットを用いて基板
上にスパッタすることにより成膜されている。
スパッタリング法が採用されており、各合金膜を構成す
る元素よりなるスパッタリングターゲットを用いて基板
上にスパッタすることにより成膜されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
反強磁性体スパッタリングターゲットはスパッタ時に２
μｍ以上のダストが多く発生し、それを用いて形成され
た反強磁性体膜は、基板の中央と端部での組成ズレが生
じ、歩留りの低下と組成ずれによる素子の特性劣化が生
じる場合があった。
反強磁性体スパッタリングターゲットはスパッタ時に２
μｍ以上のダストが多く発生し、それを用いて形成され
た反強磁性体膜は、基板の中央と端部での組成ズレが生
じ、歩留りの低下と組成ずれによる素子の特性劣化が生
じる場合があった。
【００１５】本発明は、上記従来の欠点を解決し、ダス
トの発生を抑え、基板上の組成ずれの少ない反強磁性体
膜を形成可能なスパッタリングターゲットを提供するこ
とを目的とする。
トの発生を抑え、基板上の組成ずれの少ない反強磁性体
膜を形成可能なスパッタリングターゲットを提供するこ
とを目的とする。
【００１６】また、本発明は、本発明のスパッタリング
ターゲットを使用することにより、信頼性の高い安定し
た反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁
気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ
を提供することを目的とする。
ターゲットを使用することにより、信頼性の高い安定し
た反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁
気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ
を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の発明のス
パッタリングターゲットは、請求項１に記載の通り、実
質的に、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、ロジ
ウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、モリブ
デン、タングステンおよびレニウムから選ばれる少なく
とも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッタされ
る表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であるこ
と、を特徴とするものである。
パッタリングターゲットは、請求項１に記載の通り、実
質的に、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、ロジ
ウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、
銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、モリブ
デン、タングステンおよびレニウムから選ばれる少なく
とも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッタされ
る表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であるこ
と、を特徴とするものである。
【００１８】また、本発明の第２の発明の反強磁性体膜
は、請求項４に記載の通り、上記本発明のスパッタリン
グターゲットを用いて成膜されたものであること、を特
徴とするものである。
は、請求項４に記載の通り、上記本発明のスパッタリン
グターゲットを用いて成膜されたものであること、を特
徴とするものである。
【００１９】また、本発明の第３の発明の磁気抵抗効果
素子及び第４の発明のトンネル磁気抵抗効果素子は、請
求項５および請求項６にそれぞれ記載の通り、上記反強
磁性体膜を具備すること、を特徴とするものである。
素子及び第４の発明のトンネル磁気抵抗効果素子は、請
求項５および請求項６にそれぞれ記載の通り、上記反強
磁性体膜を具備すること、を特徴とするものである。
【００２０】また、本発明の第５の発明の磁気ヘッド及
び第６の発明のＭＲＡＭは、請求項７及び請求項８にそ
れぞれ記載の通り、上記磁気抵抗効果素子またはトンネ
ル磁気抵抗効果素子を具備すること、を特徴とするもの
である。
び第６の発明のＭＲＡＭは、請求項７及び請求項８にそ
れぞれ記載の通り、上記磁気抵抗効果素子またはトンネ
ル磁気抵抗効果素子を具備すること、を特徴とするもの
である。
【００２１】本発明においては、上記第１の発明により
ダストの発生が少なく、形成される膜の組成ずれが少な
いスパッタリングターゲットを得ることができる。
ダストの発生が少なく、形成される膜の組成ずれが少な
いスパッタリングターゲットを得ることができる。
【００２２】また、本発明の第２乃至第６の発明によ
り、信頼性の高い反強磁性体膜、それを用いた磁気抵抗
効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、さらには、磁気
ヘッド及びＭＲＡＭを得ることができる。
り、信頼性の高い反強磁性体膜、それを用いた磁気抵抗
効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、さらには、磁気
ヘッド及びＭＲＡＭを得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】＜スパッタリングターゲット＞本
発明によるスパッタリングターゲットにおいて、マンガ
ン（Ｍｎ）の量は１０原子％以上であることが好まし
い。このＭｎ量があまり少ないと高い交換結合力が得ら
れないため好ましくない。好ましいＭｎ量は１０〜９８
原子％であり、さらに好ましくは４０〜９５原子％であ
る。特に、スパッタリングターゲットが、下記に示すＭ
ｎ以外の成分の中でイリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）を含有するも
のである場合には、Ｍｎ含有量が高含量側で高い交換結
合力が得られるため、そのＭｎ量は２０〜９８原子％が
好ましい。より好ましくは６０〜９５原子％である。
発明によるスパッタリングターゲットにおいて、マンガ
ン（Ｍｎ）の量は１０原子％以上であることが好まし
い。このＭｎ量があまり少ないと高い交換結合力が得ら
れないため好ましくない。好ましいＭｎ量は１０〜９８
原子％であり、さらに好ましくは４０〜９５原子％であ
る。特に、スパッタリングターゲットが、下記に示すＭ
ｎ以外の成分の中でイリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒ
ｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）を含有するも
のである場合には、Ｍｎ含有量が高含量側で高い交換結
合力が得られるため、そのＭｎ量は２０〜９８原子％が
好ましい。より好ましくは６０〜９５原子％である。
【００２４】本発明によるスパッタリングターゲットを
構成するマンガン以外の成分としては、先ず、ニッケル
（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、コバル
ト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、
バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔ
ａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、クロム（Ｃｒ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびレニウム
（Ｒｅ）から選ばれる少なくとも１種の元素を挙げるこ
とができる。
構成するマンガン以外の成分としては、先ず、ニッケル
（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、コバル
ト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、
バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔ
ａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、クロム（Ｃｒ）、モ
リブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびレニウム
（Ｒｅ）から選ばれる少なくとも１種の元素を挙げるこ
とができる。
【００２５】そして、本発明のスパッタリングターゲッ
トは、さらにベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カドニウム（Ｃｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガ
リウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓ
ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）および窒素
（Ｎ）から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するこ
とが好ましい。これらＢｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、
Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＮか
ら選ばれる少なくとも１種の元素は、耐食性の向上のた
め含有されるものである。これらのさらに含有される元
素の好ましい含有量は、４０原子％以下であり、さらに
好ましくは３０原子％以下である。
トは、さらにベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジ
ルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、亜鉛（Ｚ
ｎ）、カドニウム（Ｃｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガ
リウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓ
ｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）および窒素
（Ｎ）から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するこ
とが好ましい。これらＢｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、
Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＮか
ら選ばれる少なくとも１種の元素は、耐食性の向上のた
め含有されるものである。これらのさらに含有される元
素の好ましい含有量は、４０原子％以下であり、さらに
好ましくは３０原子％以下である。
【００２６】また、本発明によるスパッタリングターゲ
ットは、１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以下である
ものである。
ットは、１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以下である
ものである。
【００２７】本発明でいう欠陥とは、スパッタリングタ
ーゲットのスパッタ面に存在する空孔、酸化物粒子その
他の粒子等、本発明のスパッタリングターゲットの母材
とは異なるものを意図している。
ーゲットのスパッタ面に存在する空孔、酸化物粒子その
他の粒子等、本発明のスパッタリングターゲットの母材
とは異なるものを意図している。
【００２８】１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以上あ
ると、その部分に電荷が集中することで、異常放電が頻
繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中に分散
しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり悪化の
原因となる。より好ましい欠陥個数は５個以下であり、
さらに好ましくは欠陥３個以下である。
ると、その部分に電荷が集中することで、異常放電が頻
繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中に分散
しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり悪化の
原因となる。より好ましい欠陥個数は５個以下であり、
さらに好ましくは欠陥３個以下である。
【００２９】ここで、欠陥数は下記の測定方法によって
得られた値とする。
得られた値とする。
【００３０】すなわち、図１に示すように、例えば円盤
状のスパッタリングターゲットの中心部（位置１）と、
この中心部を通り円周を均等に分割した４本の直線上の
中心から９０％（中心を０％、半径の長さを１００％と
する）の距離にある点（位置２〜９）、および中心から
５０％（上記と同様に、中心を０％、半径の長さを１０
０％とする）の距離にある点（位置１０〜１７）から、
それぞれ長さ１５ｍｍ、幅１５ｍｍの試験片を合計１７
個採取する。採集された試験片を＃１０００まで研磨
し、更にバフ研磨を行って、表面をダイアモンド研磨し
て鏡面にする。この鏡面研磨された試験片について、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１０００倍で観察し、２μｍ
以上の欠陥数をカウントしたものの平均値とする。
状のスパッタリングターゲットの中心部（位置１）と、
この中心部を通り円周を均等に分割した４本の直線上の
中心から９０％（中心を０％、半径の長さを１００％と
する）の距離にある点（位置２〜９）、および中心から
５０％（上記と同様に、中心を０％、半径の長さを１０
０％とする）の距離にある点（位置１０〜１７）から、
それぞれ長さ１５ｍｍ、幅１５ｍｍの試験片を合計１７
個採取する。採集された試験片を＃１０００まで研磨
し、更にバフ研磨を行って、表面をダイアモンド研磨し
て鏡面にする。この鏡面研磨された試験片について、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１０００倍で観察し、２μｍ
以上の欠陥数をカウントしたものの平均値とする。
【００３１】また、本発明のスパッタリングターゲット
は、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下でありかつスパッタ
される面の場所により酸素含有量のばらつきが２０％以
内であることが好ましい。これは、酸素含有量が２００
ｐｐｍを越えている場合、欠陥部に酸化物を形成しやす
くなり、酸化物の部分に電荷が集中することで、異常放
電が頻繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中
に分散しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり
悪化の原因となるため、酸素含有量は２００ｐｐｍ以下
が好ましいとした。好ましい酸素含有量は１５０ｐｐｍ
以下であり、さらに好ましい酸素量は１００ｐｐｍ以下
である。
は、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下でありかつスパッタ
される面の場所により酸素含有量のばらつきが２０％以
内であることが好ましい。これは、酸素含有量が２００
ｐｐｍを越えている場合、欠陥部に酸化物を形成しやす
くなり、酸化物の部分に電荷が集中することで、異常放
電が頻繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中
に分散しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり
悪化の原因となるため、酸素含有量は２００ｐｐｍ以下
が好ましいとした。好ましい酸素含有量は１５０ｐｐｍ
以下であり、さらに好ましい酸素量は１００ｐｐｍ以下
である。
【００３２】また、スパッタリングターゲットの酸素量
のばらつきが２０％を超えている場合、ターゲットにか
かる単位面積当たりの電圧、電流にばらつきが生じ、ス
パッタ条件が変化し、膜組成のばらつきの原因となるた
め、酸素含有量のばらつきは２０％以内が好ましいとし
た。好ましい酸素含有量のばらつきは１０％以内であ
り、さらに好ましくは５％以内である。
のばらつきが２０％を超えている場合、ターゲットにか
かる単位面積当たりの電圧、電流にばらつきが生じ、ス
パッタ条件が変化し、膜組成のばらつきの原因となるた
め、酸素含有量のばらつきは２０％以内が好ましいとし
た。好ましい酸素含有量のばらつきは１０％以内であ
り、さらに好ましくは５％以内である。
【００３３】ここで、酸素含有量は、記述の図１で示す
１７のサンプルについて、不活性ガス融解−熱伝導度法
で測定した平均値とする。
１７のサンプルについて、不活性ガス融解−熱伝導度法
で測定した平均値とする。
【００３４】また、酸素含有量のばらつきは、同じく図
１で示す１７のサンプルを測定して得られた１７の酸素
含有量のうちの最大値および最小値から｛ （最大値−
最小値）／（最大値＋最小値） ｝ × １００の式に基
づいて求めた値の平均値を、単位（％）により表すもの
とする。
１で示す１７のサンプルを測定して得られた１７の酸素
含有量のうちの最大値および最小値から｛ （最大値−
最小値）／（最大値＋最小値） ｝ × １００の式に基
づいて求めた値の平均値を、単位（％）により表すもの
とする。
【００３５】本発明によるスパッタターゲットは、スパ
ッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下と
いう要件が満たされるのであれば、任意の方法によって
製造することができる。例えば、スパッタリングターゲ
ットの原料である金属粉末を混合し、成形した後に、例
えば常圧焼結、ホットプレス（ＨＰ）法、熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）法などを実施することからなる粉末冶金
法によって製造することができる。
ッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下と
いう要件が満たされるのであれば、任意の方法によって
製造することができる。例えば、スパッタリングターゲ
ットの原料である金属粉末を混合し、成形した後に、例
えば常圧焼結、ホットプレス（ＨＰ）法、熱間静水圧プ
レス（ＨＩＰ）法などを実施することからなる粉末冶金
法によって製造することができる。
【００３６】以下、その一例を詳細に説明する。
【００３７】本発明によるスパッタリングターゲット
は、前記の通り酸素含有量が２００ｐｐｍ以下であるこ
とが好ましいことから、原料粉末は、スパッタリングタ
ーゲットの酸素含有量が前記のものとなるように、酸素
含有量が低いものが好ましい。従って、本発明では、低
酸素雰囲気、例えば不活性ガス雰囲気中で、原料金属の
粉末化が行われるＲＤＰ（Rotating disk process）法
およびＲＥＰ（Rotatingelectrode process）法などに
よって得られた金属粉末あるいは合金粉末を使用するこ
とが好ましい。ここで、ＲＤＰ法またはＲＥＰ法で粉末
を製造する際に、各法で使用される冷却体の回転数を５
０００回転以上とすることにより、粉末の酸素汚染を防
止でき、かつ粉末同志の酸素含有量のばらつきを抑制す
ることが可能となる。特に、これらの方法でＭｎと他の
元素を合金化した合金粉末を使用することが、Ｍｎと他
の元素の個々の粉末を混合する場合に比較し、酸素の増
大の要因を低減することができ好ましい。なお、この原
料粉末において直径５０μｍ以下の小さい粒子は比表面
積が増大しスパッタリングターゲットの酸素量を増加さ
せる傾向があり、一方直径が５００μｍ以上の過度に大
きい粒子にはスパッタリングターゲットの酸素含有量の
ばらつきを増大させる傾向さらには焼結性を低下させる
傾向が認められる。このため、得られた粉末に対し、篩
分けなどを行い粒度分布毎に選別して、過度に粒径が小
さい粒子あるいは大きい粒子は積極的には使用しないこ
とが好ましい。好ましい粒径の範囲は５０〜１５０μｍ
である。特に、焼結性を向上する為に、粒径が大きい粉
末と小さい粉末を所定の比率で再混合して使用すること
が好ましい。
は、前記の通り酸素含有量が２００ｐｐｍ以下であるこ
とが好ましいことから、原料粉末は、スパッタリングタ
ーゲットの酸素含有量が前記のものとなるように、酸素
含有量が低いものが好ましい。従って、本発明では、低
酸素雰囲気、例えば不活性ガス雰囲気中で、原料金属の
粉末化が行われるＲＤＰ（Rotating disk process）法
およびＲＥＰ（Rotatingelectrode process）法などに
よって得られた金属粉末あるいは合金粉末を使用するこ
とが好ましい。ここで、ＲＤＰ法またはＲＥＰ法で粉末
を製造する際に、各法で使用される冷却体の回転数を５
０００回転以上とすることにより、粉末の酸素汚染を防
止でき、かつ粉末同志の酸素含有量のばらつきを抑制す
ることが可能となる。特に、これらの方法でＭｎと他の
元素を合金化した合金粉末を使用することが、Ｍｎと他
の元素の個々の粉末を混合する場合に比較し、酸素の増
大の要因を低減することができ好ましい。なお、この原
料粉末において直径５０μｍ以下の小さい粒子は比表面
積が増大しスパッタリングターゲットの酸素量を増加さ
せる傾向があり、一方直径が５００μｍ以上の過度に大
きい粒子にはスパッタリングターゲットの酸素含有量の
ばらつきを増大させる傾向さらには焼結性を低下させる
傾向が認められる。このため、得られた粉末に対し、篩
分けなどを行い粒度分布毎に選別して、過度に粒径が小
さい粒子あるいは大きい粒子は積極的には使用しないこ
とが好ましい。好ましい粒径の範囲は５０〜１５０μｍ
である。特に、焼結性を向上する為に、粒径が大きい粉
末と小さい粉末を所定の比率で再混合して使用すること
が好ましい。
【００３８】そして、これらの粉末をホットプレス法な
どの手段により焼結し、焼結体を得る。特にホットプレ
ス法を採用する場合、真空中（例えば真空度５×１０
−４ torr以下）で所定時間加熱して脱ガス処理を行う
が、その脱ガス処理が終了するまで予備加圧を付加しな
いことにより、粉末表面上の吸着ガス成分を十分に除去
することで焼結性を向上することが可能となり、その結
果、最終的に得られるスパッタリングターゲットの欠陥
を低減することが可能となる。
どの手段により焼結し、焼結体を得る。特にホットプレ
ス法を採用する場合、真空中（例えば真空度５×１０
−４ torr以下）で所定時間加熱して脱ガス処理を行う
が、その脱ガス処理が終了するまで予備加圧を付加しな
いことにより、粉末表面上の吸着ガス成分を十分に除去
することで焼結性を向上することが可能となり、その結
果、最終的に得られるスパッタリングターゲットの欠陥
を低減することが可能となる。
【００３９】得られた焼結体を、表面研磨などの常法の
表面処理を施し、スパッタリングターゲットを得る。
表面処理を施し、スパッタリングターゲットを得る。
【００４０】従って、本発明では、不活性ガス雰囲気
中でＲＤＰ法またはＲＥＰ法などによって所定の回転数
の冷却体で冷却して得られた合金粉末を、粒度分布毎
に選別して、粒径が過度に大きい粒子および小さい粒子
を除去した後、あるいは、粒度分布毎に選別して得られ
た異なる粒径の粒子を所定の比率で再混合し、この混
合物を成形した後に、予備加圧なしで脱ガス処理を施
して焼結を行う、粉末冶金法によって製造することが好
ましい。
中でＲＤＰ法またはＲＥＰ法などによって所定の回転数
の冷却体で冷却して得られた合金粉末を、粒度分布毎
に選別して、粒径が過度に大きい粒子および小さい粒子
を除去した後、あるいは、粒度分布毎に選別して得られ
た異なる粒径の粒子を所定の比率で再混合し、この混
合物を成形した後に、予備加圧なしで脱ガス処理を施
して焼結を行う、粉末冶金法によって製造することが好
ましい。
【００４１】具体的製造条件および製造方法等は、スパ
ッタリングターゲットの具体的用途、目的、原料粉末の
組成、酸素含有量、欠陥の発生などに状況に応じて適宜
決定することができる。粒子の選別を省略すること及び
直径１００μｍ以下の小粒子、５００μｍ以上の大粒子
を使用することも本発明の趣旨に反しない限りにおいて
行うこともできる。
ッタリングターゲットの具体的用途、目的、原料粉末の
組成、酸素含有量、欠陥の発生などに状況に応じて適宜
決定することができる。粒子の選別を省略すること及び
直径１００μｍ以下の小粒子、５００μｍ以上の大粒子
を使用することも本発明の趣旨に反しない限りにおいて
行うこともできる。
【００４２】なお、特開平１１-２６４０７０号公報に
開示されているような溶解法の場合には、例えばＰｔ-
Ｍｎ合金を製造する場合にＰｔが４０原子％以下になる
と溶解、鋳造が困難になって鋳造欠陥の多いターゲット
となってしまう場合があり、そして、酸素量を２００ｐ
ｐｍに抑えるために粉末の粒径を大きくしなければなら
ず、酸素量のばらつきが大きくて焼結性が劣化し、欠陥
が多くなる傾向が認められる。
開示されているような溶解法の場合には、例えばＰｔ-
Ｍｎ合金を製造する場合にＰｔが４０原子％以下になる
と溶解、鋳造が困難になって鋳造欠陥の多いターゲット
となってしまう場合があり、そして、酸素量を２００ｐ
ｐｍに抑えるために粉末の粒径を大きくしなければなら
ず、酸素量のばらつきが大きくて焼結性が劣化し、欠陥
が多くなる傾向が認められる。
【００４３】このような本発明で規定するスパッタリン
グターゲットは、ダストの発生を抑え、基板上の組成ず
れの少ない反強磁性体膜を形成することができるもので
ある。
グターゲットは、ダストの発生を抑え、基板上の組成ず
れの少ない反強磁性体膜を形成することができるもので
ある。
【００４４】＜反強磁性体膜＞本発明による反強磁性体
膜は、上記の本発明のスパッタリングターゲットを用い
て成膜されたものである。
膜は、上記の本発明のスパッタリングターゲットを用い
て成膜されたものである。
【００４５】本発明の反強磁性体膜は、パーティクルが
少なく、基板上に成膜された際に極めて組成ずれが少な
いものである。したがって、この反強磁性体膜が形成さ
れた基板を分割し、各種用途に使用した場合において
も、分割された個々の基板の特性のばらつきを小さく抑
えることができる。
少なく、基板上に成膜された際に極めて組成ずれが少な
いものである。したがって、この反強磁性体膜が形成さ
れた基板を分割し、各種用途に使用した場合において
も、分割された個々の基板の特性のばらつきを小さく抑
えることができる。
【００４６】このような本発明による反強磁性体膜は、
公知の磁気抵抗効果素子及びトンネル型磁気抵抗効果素
子に形成可能なものである。例えば、この磁気抵抗効果
素子は、本発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との
交換結合膜を具備した磁界検出用センサーや再生用磁気
ヘッド、更にはこのトンネル型磁気抵抗効果素子は、本
発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との交換結合膜
を具備したＭＲＡＭなどに使用することができる。
公知の磁気抵抗効果素子及びトンネル型磁気抵抗効果素
子に形成可能なものである。例えば、この磁気抵抗効果
素子は、本発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との
交換結合膜を具備した磁界検出用センサーや再生用磁気
ヘッド、更にはこのトンネル型磁気抵抗効果素子は、本
発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との交換結合膜
を具備したＭＲＡＭなどに使用することができる。
【００４７】
【実施例】＜実施例１、比較例１〜３＞原料となるＰｔ
板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの高真
空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ４０原子％、
Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これから直径５０
ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、Ｒ
ＥＰ法により回転数を３０００ｒｐｍと１００００ｒｐ
ｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得た。
これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉末
と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、とを
７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａの
真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃ
ｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッ
タ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イン
チ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち
１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ない
ダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定
した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡに
より定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定
した。
板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの高真
空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ４０原子％、
Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これから直径５０
ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、Ｒ
ＥＰ法により回転数を３０００ｒｐｍと１００００ｒｐ
ｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得た。
これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉末
と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、とを
７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａの
真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃ
ｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッ
タ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イン
チ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち
１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ない
ダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定
した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡに
より定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定
した。
【００４８】これらの結果を表１に示す。
【００４９】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００５０】比較例１として、上記実施例１においてホ
ットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５
ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力
（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、
上記実施例１と同様の製法により、比較例１のターゲッ
トを製造し、実施例１と同様の膜を製膜し、同様の評価
を行った。
ットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５
ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力
（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、
上記実施例１と同様の製法により、比較例１のターゲッ
トを製造し、実施例１と同様の膜を製膜し、同様の評価
を行った。
【００５１】また、比較例２および３として、Ｐｔ粉末
とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したタ
ーゲット（比較例２）と溶解法を用いて鋳造後、圧延し
て得られたターゲット（比較例３）で同様の膜を成膜
し、同様の評価を行った。
とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したタ
ーゲット（比較例２）と溶解法を用いて鋳造後、圧延し
て得られたターゲット（比較例３）で同様の膜を成膜
し、同様の評価を行った。
【００５２】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００５３】＜実施例２、比較例４〜６＞原料となるＩ
ｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの
高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ２２原子
％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直径
５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。これらの結果を表１に示す。
ｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの
高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ２２原子
％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直径
５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。これらの結果を表１に示す。
【００５４】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００５５】比較例４として、上記実施例２においてホ
ットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５
ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力
（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、
上記実施例２と同様の製法により比較例４のターゲット
を製造し、実施例２と同様の膜を成膜し、同様の評価を
行った。
ットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５
ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力
（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、
上記実施例２と同様の製法により比較例４のターゲット
を製造し、実施例２と同様の膜を成膜し、同様の評価を
行った。
【００５６】また、比較例５および６として、Ｉｒ粉末
とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したタ
ーゲット（比較例５）と溶解法を用いて鋳造後、圧延し
て得られたターゲット（比較例６）で同様の膜を成膜
し、同様の評価を行った。
とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したタ
ーゲット（比較例５）と溶解法を用いて鋳造後、圧延し
て得られたターゲット（比較例６）で同様の膜を成膜
し、同様の評価を行った。
【００５７】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００５８】＜実施例３、比較例７〜９＞原料となるＲ
ｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの高真
空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ２０原子％、
Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直径５０
ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、Ｒ
ＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍ
の２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。こ
れを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、
５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、とを７:
３の割合で混合し、これを真空度１×１０−４Ｐａの真
空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ
２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ
面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イン
チ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち
１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ない
ダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定
した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡに
より定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定
した。これらの結果を表１に示す。
ｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの高真
空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ２０原子％、
Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直径５０
ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、Ｒ
ＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍ
の２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。こ
れを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、
５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、とを７:
３の割合で混合し、これを真空度１×１０−４Ｐａの真
空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ
２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ
面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イン
チ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち
１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ない
ダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定
した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡに
より定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定
した。これらの結果を表１に示す。
【００５９】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００６０】比較例７として、上記実施例３においてホ
ットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５
ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力
（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、
上記実施例３と同様の製法により比較例７のターゲット
を製造し、実施例３と同様の膜を成膜し、同様の評価を
行った。
ットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５
ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力
（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、
上記実施例３と同様の製法により比較例７のターゲット
を製造し、実施例３と同様の膜を成膜し、同様の評価を
行った。
【００６１】また、比較例８および９として、Ｒｈ粉末
とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したタ
ーゲット（比較例８）と溶解法を用いて鋳造後、圧延し
て得られたターゲット（比較例９）で同様の膜を成膜
し、同様の評価を行った。
とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したタ
ーゲット（比較例８）と溶解法を用いて鋳造後、圧延し
て得られたターゲット（比較例９）で同様の膜を成膜
し、同様の評価を行った。
【００６２】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００６３】＜実施例４、比較例１０〜１２＞原料とな
るＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａ
の高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ２０原
子％、Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直
径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。これらの結果を表１に示す。
るＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａ
の高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ２０原
子％、Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直
径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。これらの結果を表１に示す。
【００６４】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００６５】比較例１０として、上記実施例４において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例４と同様の製法により比較例１０のター
ゲットを製造し、実施例４と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例４と同様の製法により比較例１０のター
ゲットを製造し、実施例４と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
【００６６】また、比較例１１および１２として、Ｎｉ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例１１）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例１２）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例１１）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例１２）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【００６７】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００６８】＜実施例５、比較例１３〜１５＞原料とな
るＩｒ、Ｒｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１
８原子％、Ｍｎ７７原子％、Ｒｈ５原子％の母合金を作
製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥ
Ｐ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００
ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ
−Ｒｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、１
５０μｍ〜１００μｍの粉末と、５０μｍ〜１００μ
ｍの粉末を選別し、とを７:３の割合で混合し、こ
れを真空度１×１０-４Ｐａの真空中で、１３００℃×
２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の
条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加
工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲ
ットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用
い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの
熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ
−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中
央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行な
い、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果
を表１に示す。
るＩｒ、Ｒｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１
８原子％、Ｍｎ７７原子％、Ｒｈ５原子％の母合金を作
製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥ
Ｐ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００
ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ
−Ｒｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、１
５０μｍ〜１００μｍの粉末と、５０μｍ〜１００μ
ｍの粉末を選別し、とを７:３の割合で混合し、こ
れを真空度１×１０-４Ｐａの真空中で、１３００℃×
２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の
条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加
工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲ
ットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用
い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの
熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ
−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中
央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行な
い、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果
を表１に示す。
【００６９】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００７０】比較例１３として、上記実施例５において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例５と同様の製法により比較例１３のター
ゲットを製造し、実施例５と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例５と同様の製法により比較例１３のター
ゲットを製造し、実施例５と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
【００７１】また、比較例１４および１５として、Ｉｒ
粉末、Ｍｎ粉末とＲｈ粉末を混合し、ホットプレス法に
より作製したターゲット（比較例１４）と溶解法を用い
て鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１５）
で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
粉末、Ｍｎ粉末とＲｈ粉末を混合し、ホットプレス法に
より作製したターゲット（比較例１４）と溶解法を用い
て鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１５）
で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７２】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００７３】＜実施例６、比較例１６〜１８＞原料とな
るＩｒ、Ｎｉと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１
９原子％、Ｍｎ７６原子％、Ｎｉ５原子％の母合金を作
製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥ
Ｐ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００
ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ
−Ｎｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、１
５０μｍ〜１００μｍの粉末と、５０μｍ〜１００μ
ｍの粉末を選別し、とを７:３の割合で混合し、こ
れを真空度１×１０-４Ｐａの真空中で、１３００℃×
２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の
条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加
工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲ
ットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用
い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの
熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ
−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中
央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行な
い、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果
を表１に示す。
るＩｒ、Ｎｉと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１
９原子％、Ｍｎ７６原子％、Ｎｉ５原子％の母合金を作
製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥ
Ｐ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００
ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ
−Ｎｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、１
５０μｍ〜１００μｍの粉末と、５０μｍ〜１００μ
ｍの粉末を選別し、とを７:３の割合で混合し、こ
れを真空度１×１０-４Ｐａの真空中で、１３００℃×
２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の
条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加
工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲ
ットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用
い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの
熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ
−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中
央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行な
い、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果
を表１に示す。
【００７４】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００７５】比較例１６として、上記実施例６において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例６と同様の製法により比較例１６のター
ゲットを製造し、実施例６と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例６と同様の製法により比較例１６のター
ゲットを製造し、実施例６と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
【００７６】また、比較例１７および１８として、Ｉｒ
粉末とＮｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法に
より作製したターゲット（比較例１７）と溶解法を用い
て鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１８）
で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＮｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法に
より作製したターゲット（比較例１７）と溶解法を用い
て鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１８）
で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７７】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００７８】＜実施例７、比較例１９〜２１＞原料とな
るＰｔ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａ
の高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ２２原
子％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直
径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。
るＰｔ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａ
の高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ２２原
子％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直
径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。
【００７９】これらの結果を表１に示す。
【００８０】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００８１】比較例１９として、上記実施例７において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例７と同様の製法により比較例１９のター
ゲットを製造し、実施例７と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例７と同様の製法により比較例１９のター
ゲットを製造し、実施例７と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
【００８２】また、比較例２０および２１として、Ｐｔ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２０）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例２１）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２０）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例２１）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【００８３】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００８４】＜実施例８、比較例２２〜２４＞原料とな
るＩｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐ
ａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ３０
原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから
直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り
出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１０００
０ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を
得た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの
粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐ
ａの真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ
／ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、ス
パッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８
インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。この
うち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパ
ッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行
ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを
測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭ
Ａにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを
測定した。これらの結果を表１に示す。
るＩｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐ
ａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ３０
原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから
直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り
出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１０００
０ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を
得た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの
粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐ
ａの真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ
／ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、ス
パッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８
インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。この
うち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパ
ッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行
ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを
測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭ
Ａにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを
測定した。これらの結果を表１に示す。
【００８５】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００８６】比較例２２として、上記実施例２において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例８と同様の製法により比較例２２のター
ゲットを製造し、実施例８と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例８と同様の製法により比較例２２のター
ゲットを製造し、実施例８と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
【００８７】また、比較例２３および２４として、Ｉｒ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２３）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例２４）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２３）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例２４）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【００８８】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００８９】＜実施例９、比較例２５〜２７＞原料とな
るＲｕと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの
高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｕ３５原子
％、Ｍｎ６５原子％の母合金を作製した。これから直径
５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｕ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。これらの結果を表１に示す。
るＲｕと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐａの
高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｕ３５原子
％、Ｍｎ６５原子％の母合金を作製した。これから直径
５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出
し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００
ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｕ−Ｍｎ合金粉末を得
た。これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍの粉
末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐａ
の真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／
ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパ
ッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８イ
ンチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このう
ち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッ
タ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行な
いダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測
定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡ
により定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測
定した。これらの結果を表１に示す。
【００９０】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００９１】比較例２５として、上記実施例３において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例９と同様の製法により比較例２５のター
ゲットを製造し、実施例９と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例９と同様の製法により比較例２５のター
ゲットを製造し、実施例９と同様の膜を成膜し、同様の
評価を行った。
【００９２】また、比較例２６および２７として、Ｒｕ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２６）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例２７）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２６）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例２７）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【００９３】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００９４】＜実施例１０、比較例２８〜３０＞原料と
なるＲｈ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ４
０原子％、Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これか
ら直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切
り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００
００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末
を得た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍ
の粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、
とを７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４
Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋ
ｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、
スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径
８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。こ
のうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンス
パッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を
行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダスト
を測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰ
ＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレ
を測定した。これらの結果を表１に示す。
なるＲｈ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ４
０原子％、Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これか
ら直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切
り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００
００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末
を得た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍ
の粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、
とを７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４
Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋ
ｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、
スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径
８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。こ
のうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンス
パッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を
行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダスト
を測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰ
ＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレ
を測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９５】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００９６】比較例２８として、上記実施例４において
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例１０と同様の製法により比較例２８のタ
ーゲットを製造し、実施例１０と同様の膜を成膜し、同
様の評価を行った。
ホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×
５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧
力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例１０と同様の製法により比較例２８のタ
ーゲットを製造し、実施例１０と同様の膜を成膜し、同
様の評価を行った。
【００９７】また、比較例２９および３０として、Ｒｈ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２９）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例３０）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例２９）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例３０）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【００９８】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００９９】＜実施例１１、比較例３１〜３３＞原料と
なるＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐ
ａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ３０
原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから
直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り
出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１０００
０ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を
得た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの
粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐ
ａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ
／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、ス
パッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８
インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。この
うち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパ
ッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行
ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを
測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭ
Ａにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを
測定した。これらの結果を表１に示す。
なるＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５Ｐ
ａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ３０
原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから
直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り
出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１０００
０ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を
得た。これを篩い分けし、１００μｍ〜１５０μｍの
粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、と
を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４Ｐ
ａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ
／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、ス
パッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８
インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。この
うち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパ
ッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行
ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを
測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭ
Ａにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを
測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１００】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【０１０１】比較例３１として、上記実施例１１におい
てホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃
×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備
圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例１１と同様の製法により比較例３１のタ
ーゲットを製造し、実施例１１と同様の膜を成膜し、同
様の評価を行った。
てホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃
×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備
圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例１１と同様の製法により比較例３１のタ
ーゲットを製造し、実施例１１と同様の膜を成膜し、同
様の評価を行った。
【０１０２】また、比較例３２および３３として、Ｎｉ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例３２）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例３３）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例３２）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例３３）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０３】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【０１０４】＜実施例１２、比較例３４〜３６＞原料と
なるＣｏ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｃｏ５
０原子％、Ｍｎ５０原子％の母合金を作製した。これか
ら直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切
り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００
００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＣｏ−Ｍｎ合金粉末
を得た。これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍ
の粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、
とを７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４
Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋ
ｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、
スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径
８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。こ
のうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンス
パッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を
行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダスト
を測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰ
ＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレ
を測定した。これらの結果を表１に示す。
なるＣｏ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０-５
Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｃｏ５
０原子％、Ｍｎ５０原子％の母合金を作製した。これか
ら直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切
り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００
００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＣｏ−Ｍｎ合金粉末
を得た。これを篩い分けし、１５０μｍ〜１００μｍ
の粉末と、５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、
とを７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０-４
Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋ
ｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、
スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径
８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。こ
のうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンス
パッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を
行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダスト
を測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰ
ＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレ
を測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１０５】もう１枚のターゲットを用い、図１の位置
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱
伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定
し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【０１０６】比較例３４として、上記実施例１２におい
てホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃
×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備
圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例１２と同様の製法により比較例３４のタ
ーゲットを製造し、実施例１２と同様の膜を成膜し、同
様の評価を行った。
てホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃
×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備
圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外
は、上記実施例１２と同様の製法により比較例３４のタ
ーゲットを製造し、実施例１２と同様の膜を成膜し、同
様の評価を行った。
【０１０７】また、比較例３５および３６として、Ｃｏ
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例３５）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例３６）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製し
たターゲット（比較例３５）と溶解法を用いて鋳造後、
圧延して得られたターゲット（比較例３６）で同様の膜
を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０８】表１から判るように、本発明で得られたタ
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
ーゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび
組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【０１０９】
【表１】
上記本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成さ
れた反強磁性体膜を用いて磁気抵抗効果素子、トンネル
磁気抵抗効果素子を製造すると共に、それらを用いて磁
気ヘッド及びＭＲＡＭを製造したところ、信頼性の高い
各素子、さらには磁気ヘッドおよびＭＲＡＭを得ること
ができた。
れた反強磁性体膜を用いて磁気抵抗効果素子、トンネル
磁気抵抗効果素子を製造すると共に、それらを用いて磁
気ヘッド及びＭＲＡＭを製造したところ、信頼性の高い
各素子、さらには磁気ヘッドおよびＭＲＡＭを得ること
ができた。
【０１１０】
【発明の効果】以上から明らかなように、本発明のスパ
ッタリングターゲットは、スパッタ時のダストの発生が
少なく、従来達成することができなかった組成均一性が
高い反強磁性体膜を得ることができる。また、本発明の
第２乃至第６の発明により、信頼性の高い反強磁性体
膜、それを用いた磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗
効果素子、さらには、磁気ヘッド及びＭＲＡＭを得るこ
とができる。
ッタリングターゲットは、スパッタ時のダストの発生が
少なく、従来達成することができなかった組成均一性が
高い反強磁性体膜を得ることができる。また、本発明の
第２乃至第６の発明により、信頼性の高い反強磁性体
膜、それを用いた磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗
効果素子、さらには、磁気ヘッド及びＭＲＡＭを得るこ
とができる。
【図１】スパッタリングターゲットの試験片の採取箇所
を示す図
を示す図
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｈ０１Ｌ 43/12
43/12 27/10 ４４７
(72)発明者 鈴 木 幸 伸
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 藤 岡 直 美
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 渡 辺 高 志
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
(72)発明者 高 阪 泰 郎
神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株
式会社東芝横浜事業所内
Ｆターム(参考） 4K029 BA22 BA24 BA25 BC06 CA05
DC04 DC09
5D034 BA03
5E049 BA12 GC02
5F083 FZ10 PR22
Claims (8)
- 【請求項１】実質的に、ニッケル、パラジウム、白金、
コバルト、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ニオ
ブ、タンタル、銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、
クロム、モリブデン、タングステンおよびレニウムから
選ばれる少なくとも１種の元素と、マンガンとからな
り、スパッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０
個以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲ
ット。 - 【請求項２】酸素含有量が２００ｐｐｍ以下でありかつ
スパッタされる面の場所による酸素含有量のばらつきが
２０％以内であることを特徴とする、請求項１に記載の
スパッタリングターゲット。 - 【請求項３】さらにベリリウム、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、亜鉛、カドニウム、アルミニウム、ガ
リウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズおよ
び窒素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有するこ
とを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のスパ
ッタリングターゲット。 - 【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記
載のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたもの
であることを特徴とする、反強磁性体膜。 - 【請求項５】請求項４記載の反強磁性体膜を具備するこ
とを特徴とする、磁気抵抗効果素子。 - 【請求項６】請求項４記載の反強磁性体膜を具備するこ
とを特徴とする、トンネル磁気抵抗効果素子。 - 【請求項７】請求項５記載の磁気抵抗効果素子を具備す
ることを特徴とする、磁気ヘッド。 - 【請求項８】請求項６記載のトンネル磁気抵抗効果素子
を具備することを特徴とする、磁気抵抗効果型ランダム
アクセスメモリ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001254635A JP4936613B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001254635A JP4936613B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003064473A true JP2003064473A (ja) | 2003-03-05 |
| JP4936613B2 JP4936613B2 (ja) | 2012-05-23 |
Family
ID=19082772
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001254635A Expired - Lifetime JP4936613B2 (ja) | 2001-08-24 | 2001-08-24 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4936613B2 (ja) |
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-
2001
- 2001-08-24 JP JP2001254635A patent/JP4936613B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP4936613B2 (ja) | 2012-05-23 |
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