JPH11100631A - 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 - Google Patents
磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜Info
- Publication number
- JPH11100631A JPH11100631A JP9332286A JP33228697A JPH11100631A JP H11100631 A JPH11100631 A JP H11100631A JP 9332286 A JP9332286 A JP 9332286A JP 33228697 A JP33228697 A JP 33228697A JP H11100631 A JPH11100631 A JP H11100631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ppm
- alloy
- content
- oxygen
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C22/00—Alloys based on manganese
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C27/00—Alloys based on rhenium or a refractory metal not mentioned in groups C22C14/00 or C22C16/00
- C22C27/06—Alloys based on chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
- C22C38/04—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing manganese
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/04—Alloys based on a platinum group metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐食性に優れたMn合金磁性薄膜を形成するた
めの手段を提供すること。 【解決手段】 酸素含有量が500ppm以下、S含有量が100
ppm以下、好ましくはさらに不純物（Mnおよび合金成分
以外の元素）含有量が合計で1000ppm以下であることを
特徴とする磁性材用Mn合金材料から形成したスパッタリ
ングターゲットを用いることによって得られる。
めの手段を提供すること。 【解決手段】 酸素含有量が500ppm以下、S含有量が100
ppm以下、好ましくはさらに不純物（Mnおよび合金成分
以外の元素）含有量が合計で1000ppm以下であることを
特徴とする磁性材用Mn合金材料から形成したスパッタリ
ングターゲットを用いることによって得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁性材用Mn合金材
料、Mn合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜に関
する。特には、反強磁性薄膜用Mn合金、Mn合金スパッタ
リングターゲット及び反強磁性薄膜に関する。
料、Mn合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜に関
する。特には、反強磁性薄膜用Mn合金、Mn合金スパッタ
リングターゲット及び反強磁性薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータ用のハードディスクなどの
磁気記録装置は、近年急速に小型大容量化が進み、数年
後にはその記録密度は20Gb/in2 に達すると予想され
る。このため、再生ヘッドとしては従来の誘導型ヘッド
が限界に近づき、磁気抵抗効果型（AMR）ヘッドが用い
られ始めている。磁気抵抗効果型ヘッドは、パソコン市
場等の拡大に伴い世界的規模で今後急成長が見込まれて
いる。そして、数年のうちには、さらに高密度が期待さ
れている巨大磁気抵抗効果型（GMR）ヘッドが実用化さ
れることが現実的となってきた。GMRヘッドに使用され
るスピンバルブ膜の反磁性膜としてMn合金が検討されて
いる。
磁気記録装置は、近年急速に小型大容量化が進み、数年
後にはその記録密度は20Gb/in2 に達すると予想され
る。このため、再生ヘッドとしては従来の誘導型ヘッド
が限界に近づき、磁気抵抗効果型（AMR）ヘッドが用い
られ始めている。磁気抵抗効果型ヘッドは、パソコン市
場等の拡大に伴い世界的規模で今後急成長が見込まれて
いる。そして、数年のうちには、さらに高密度が期待さ
れている巨大磁気抵抗効果型（GMR）ヘッドが実用化さ
れることが現実的となってきた。GMRヘッドに使用され
るスピンバルブ膜の反磁性膜としてMn合金が検討されて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】スピンブルブ膜用の反
磁性膜としてはMn合金、特にMn−Fe合金等が検討されて
いる。しかし、Mn−Fe合金は耐食性に問題があるため実
用化の可能性は小さかった。耐食性を改善するためにMn
中に貴金属を使用する試みも行われているが、貴金属が
高価であることと、貴金属を添加した場合でもなお十分
な耐食性を得ることができないという問題があった。本
発明は、耐食性に優れた反磁性膜を形成するための手段
を提供することを目的とした。
磁性膜としてはMn合金、特にMn−Fe合金等が検討されて
いる。しかし、Mn−Fe合金は耐食性に問題があるため実
用化の可能性は小さかった。耐食性を改善するためにMn
中に貴金属を使用する試みも行われているが、貴金属が
高価であることと、貴金属を添加した場合でもなお十分
な耐食性を得ることができないという問題があった。本
発明は、耐食性に優れた反磁性膜を形成するための手段
を提供することを目的とした。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに本発明者らは鋭意研究を行った結果、Mn合金中の不
純物元素が、特に酸素及び硫黄が耐腐食性を劣化させて
いることを見いだした。
めに本発明者らは鋭意研究を行った結果、Mn合金中の不
純物元素が、特に酸素及び硫黄が耐腐食性を劣化させて
いることを見いだした。
【０００５】本発明は、この知見に基づき、 １．酸素含有量が500ppm以下、S含有量が100ppm以下で
あることを特徴とする磁性材用Mn合金材料
あることを特徴とする磁性材用Mn合金材料
【０００６】２．不純物（Mnおよび合金成分以外の元
素）含有量が合計で1000ppm以下であり、酸素含有量が5
00ppm以下、S含有量が100ppm以下であることを特徴とす
る磁性材用Mn合金材料
素）含有量が合計で1000ppm以下であり、酸素含有量が5
00ppm以下、S含有量が100ppm以下であることを特徴とす
る磁性材用Mn合金材料
【０００７】３．不純物（Mnおよび合金成分以外の元
素）含有量が合計で500ppm以下であり、酸素含有量が10
0ppm以下、S含有量が20ppm以下であることを特徴とする
磁性材用Mn合金材料
素）含有量が合計で500ppm以下であり、酸素含有量が10
0ppm以下、S含有量が20ppm以下であることを特徴とする
磁性材用Mn合金材料
【０００８】４．Mnと合金を形成する合金成分が、Fe,I
r,Pt,Pd,Rh,Ru,Ni,Cr,Co から選択された１種または２
種以上であることを特徴とする上記１〜３に記載の磁性
材用Mn合金材料
r,Pt,Pd,Rh,Ru,Ni,Cr,Co から選択された１種または２
種以上であることを特徴とする上記１〜３に記載の磁性
材用Mn合金材料
【０００９】５．酸素含有量が500ppm以下、S含有量が1
00ppm以下であることを特徴とする磁性薄膜形成用Mn合
金スパッタリングターゲット
00ppm以下であることを特徴とする磁性薄膜形成用Mn合
金スパッタリングターゲット
【００１０】６．不純物（Mnおよび合金成分以外の元
素）含有量が合計で1000ppm以下であり、酸素含有量が5
00ppm以下、S含有量が100ppm以下であることを特徴とす
る磁性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット
素）含有量が合計で1000ppm以下であり、酸素含有量が5
00ppm以下、S含有量が100ppm以下であることを特徴とす
る磁性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット
【００１１】７．不純物（Mnおよび合金成分以外の元
素）含有量が合計で500ppm以下であり、酸素含有量が10
0ppm以下、S含有量が20ppm以下であることを特徴とする
磁性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット
素）含有量が合計で500ppm以下であり、酸素含有量が10
0ppm以下、S含有量が20ppm以下であることを特徴とする
磁性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット
【００１２】８．Mnと合金を形成する合金成分が、Fe,I
r,Pt,Pd,Rh,Ru,Ni,Cr,Co から選択された１種または２
種以上であることを特徴とする上記５〜７に記載の磁性
薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット
r,Pt,Pd,Rh,Ru,Ni,Cr,Co から選択された１種または２
種以上であることを特徴とする上記５〜７に記載の磁性
薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット
【００１３】９．上記５〜８のいずれか１項に記載の磁
性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲットをスパッ
タリングすることによって形成されたことを特徴とする
磁性薄膜を提供するものである。
性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲットをスパッ
タリングすることによって形成されたことを特徴とする
磁性薄膜を提供するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の磁性材用Mn合金材料は、
Mnを主成分として含有する合金からなるものである。Mn
以外の合金成分としては、Fe，Ir，Pt，Pd，Rh，Ru，N
i，Cr，Coなどを挙げることができる。特にMn−Fe系、M
n−Ir系、Mn−Rh−Ru系などの合金などが反磁性膜形成
用として有用である。
Mnを主成分として含有する合金からなるものである。Mn
以外の合金成分としては、Fe，Ir，Pt，Pd，Rh，Ru，N
i，Cr，Coなどを挙げることができる。特にMn−Fe系、M
n−Ir系、Mn−Rh−Ru系などの合金などが反磁性膜形成
用として有用である。
【００１５】そして酸素及び硫黄含有量が低減されたも
のである。酸素及び硫黄は耐食性を低下させる大きな原
因となるため、酸素含有量500ppm以下、好ましくは100p
pm以下、S含有量が100ppm以下、好ましくは20ppm以下に
まで低減するべきである。
のである。酸素及び硫黄は耐食性を低下させる大きな原
因となるため、酸素含有量500ppm以下、好ましくは100p
pm以下、S含有量が100ppm以下、好ましくは20ppm以下に
まで低減するべきである。
【００１６】さらに、不純物すなわち、Mn及び合金成分
以外の元素の含有量が合計で1000ppm以下にまで低減さ
れたものであることが好ましい。Mn及び合金成分以外の
不純物は、磁気的特性を悪化させ、また耐食性低下の原
因ともなるため、極力低減することが望まれており合計
で1000ppm以下、好ましくは500ppm以下に低減するべき
である。不純物含有量が合計で1000ppmを越えると、磁
気的特性不良が顕著となりまた耐食性も著しく低下する
ため好ましくない。
以外の元素の含有量が合計で1000ppm以下にまで低減さ
れたものであることが好ましい。Mn及び合金成分以外の
不純物は、磁気的特性を悪化させ、また耐食性低下の原
因ともなるため、極力低減することが望まれており合計
で1000ppm以下、好ましくは500ppm以下に低減するべき
である。不純物含有量が合計で1000ppmを越えると、磁
気的特性不良が顕著となりまた耐食性も著しく低下する
ため好ましくない。
【００１７】上記のような、不純物を低減したMn合金材
料は以下のような方法で作成することができる。本発明
者らはMn合金中の不純物、特に酸素と硫黄が原料の電解
Mnに起因するものであることから、原料となるMnの高純
度化を行った。市販されている電解Mnに脱酸剤としてC
a，Mg，La等を加え、高周波溶解を行うことによって酸
素、硫黄を除去した。特に不活性ガス雰囲気、減圧下で
の溶解を行った場合には、酸素、硫黄のみならず他の不
純物元素も十分に低減できるため好ましい。また、Mnを
高純度化するための別の方法として、電解Mnを予備溶解
した後、さらに真空蒸留を行うことによっても不純物を
低減することが可能である。
料は以下のような方法で作成することができる。本発明
者らはMn合金中の不純物、特に酸素と硫黄が原料の電解
Mnに起因するものであることから、原料となるMnの高純
度化を行った。市販されている電解Mnに脱酸剤としてC
a，Mg，La等を加え、高周波溶解を行うことによって酸
素、硫黄を除去した。特に不活性ガス雰囲気、減圧下で
の溶解を行った場合には、酸素、硫黄のみならず他の不
純物元素も十分に低減できるため好ましい。また、Mnを
高純度化するための別の方法として、電解Mnを予備溶解
した後、さらに真空蒸留を行うことによっても不純物を
低減することが可能である。
【００１８】一方、Mn以外の合金成分元素についてもで
きるだけ高純度のものを使用するのが望ましく、市販品
を使用する場合には純度3N以上の高純度品を用いるべき
である。必要に応じて、真空脱ガス処理等を行い、ガス
成分不純物等を除去する。
きるだけ高純度のものを使用するのが望ましく、市販品
を使用する場合には純度3N以上の高純度品を用いるべき
である。必要に応じて、真空脱ガス処理等を行い、ガス
成分不純物等を除去する。
【００１９】上記のような方法で得られたMnとMn以外の
合金成分元素とを溶解し合金化した後鋳造する。得られ
た合金インゴットを機械加工し、スパッタリングターゲ
ット材とする。基本的には、ターゲットの純度はインゴ
ットと同等である。そして、ここで得ることができたス
パッタリングターゲットをスパッタリングすることによ
って磁性薄膜を形成することが可能である。
合金成分元素とを溶解し合金化した後鋳造する。得られ
た合金インゴットを機械加工し、スパッタリングターゲ
ット材とする。基本的には、ターゲットの純度はインゴ
ットと同等である。そして、ここで得ることができたス
パッタリングターゲットをスパッタリングすることによ
って磁性薄膜を形成することが可能である。
【００２０】
【実施例】以下、実施例に基づいて説明するが、本発明
はこれによって制限されるものではない。
はこれによって制限されるものではない。
【００２１】（実施例1）原料となる電解Mnを、MgO坩堝
を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。温
度が1400℃に到達後、脱酸剤としてCaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：360ppm、S：150ppm、不
純物量が合計で941ppmのMnを得た。得られたMnと市販の
純度3N〜4NのFe（酸素：320ppm、S：40ppm）とを1：1で
溶解し合金化した。その結果、酸素：340ppm、S：90pp
m、不純物（MnおよびFe以外の元素）含有量が合計で668
ppmのMn-Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組
成を表１に示す。
を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。温
度が1400℃に到達後、脱酸剤としてCaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：360ppm、S：150ppm、不
純物量が合計で941ppmのMnを得た。得られたMnと市販の
純度3N〜4NのFe（酸素：320ppm、S：40ppm）とを1：1で
溶解し合金化した。その結果、酸素：340ppm、S：90pp
m、不純物（MnおよびFe以外の元素）含有量が合計で668
ppmのMn-Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組
成を表１に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】得られたMn-Fe合金の一部を約10mm角で切
り出し、耐食性試験用のブロック試片とした。耐食性試
験用のブロック試片は、観察面を鏡面研磨した後、温度
35℃、湿度98％の湿潤試験器内に入れた。72時間後、試
料を取り出し錆の発生状況を目視で観察した。残りのMn
-Fe合金は、機械加工を行い、直径50mm、厚さ5mmの円板
状のスパッタリングターゲットとした。このスパッタリ
ングターゲットをIn-Sn合金はんだを用いて銅製のバッ
キングプレートと接合し、マグネトロンスパッタ装置を
用いてスパッタ試験を行い、３インチSiウエハー上にMn
-Fe合金薄膜を形成した。この際のウエハー１枚当たり
に存在する直径0.3μm以上のパーティクル数を測定し
た。
り出し、耐食性試験用のブロック試片とした。耐食性試
験用のブロック試片は、観察面を鏡面研磨した後、温度
35℃、湿度98％の湿潤試験器内に入れた。72時間後、試
料を取り出し錆の発生状況を目視で観察した。残りのMn
-Fe合金は、機械加工を行い、直径50mm、厚さ5mmの円板
状のスパッタリングターゲットとした。このスパッタリ
ングターゲットをIn-Sn合金はんだを用いて銅製のバッ
キングプレートと接合し、マグネトロンスパッタ装置を
用いてスパッタ試験を行い、３インチSiウエハー上にMn
-Fe合金薄膜を形成した。この際のウエハー１枚当たり
に存在する直径0.3μm以上のパーティクル数を測定し
た。
【００２４】（実施例２）原料となる電解Mnを、MgO坩
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてLaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：50ppm、S：10ppm、不純
物量が合計で221ppmのMnを得た。得られたMnと市販の純
度3N〜4NのFe（酸素：120ppm、S：40ppm）とを1：1で溶
解し合金化した。その結果、酸素：110ppm、S：25ppm、
不純物（MnおよびFe以外の元素）含有量が合計で238ppm
のMn-Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を
表２に示す。
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてLaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：50ppm、S：10ppm、不純
物量が合計で221ppmのMnを得た。得られたMnと市販の純
度3N〜4NのFe（酸素：120ppm、S：40ppm）とを1：1で溶
解し合金化した。その結果、酸素：110ppm、S：25ppm、
不純物（MnおよびFe以外の元素）含有量が合計で238ppm
のMn-Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を
表２に示す。
【００２５】
【表２】
【００２６】実施例１と同様に耐食性試験及びスパッタ
試験を行った。
試験を行った。
【００２７】（実施例３）原料となる電解Mnを、MgO坩
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてLaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：50ppm、S：10ppm、不純
物量が合計で221ppmのMnを得た。得られたMnと市販の純
度4NのFe（酸素：50ppm、S：1ppm）とを1：1で溶解し合
金化した。その結果、酸素：50ppm、S：6ppm、不純物
（MnおよびFe以外の元素）含有量が合計で132ppmのMn-F
e合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表３に
示す。
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてLaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：50ppm、S：10ppm、不純
物量が合計で221ppmのMnを得た。得られたMnと市販の純
度4NのFe（酸素：50ppm、S：1ppm）とを1：1で溶解し合
金化した。その結果、酸素：50ppm、S：6ppm、不純物
（MnおよびFe以外の元素）含有量が合計で132ppmのMn-F
e合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表３に
示す。
【００２８】
【表３】
【００２９】実施例１、２と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００３０】（実施例４）原料となる電解Mnを、MgO坩
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてCaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：160ppm、S：170ppm、不
純物量が合計で493ppmのMnを得た。得られたMnと、市販
の純度2〜3NのIr粉末（酸素：1300ppm、S：1ppm）を真
空脱ガスして得たIr（酸素：500ppm、S：1ppm）とを5
5：45で溶解し合金化した。その結果、酸素：330ppm、
S：90ppm、不純物（MnおよびIr以外の元素）含有量が合
計で564ppmのMn-Ir合金が得られた。各原料及びMn-Ir合
金の組成を表４に示す。
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてCaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：160ppm、S：170ppm、不
純物量が合計で493ppmのMnを得た。得られたMnと、市販
の純度2〜3NのIr粉末（酸素：1300ppm、S：1ppm）を真
空脱ガスして得たIr（酸素：500ppm、S：1ppm）とを5
5：45で溶解し合金化した。その結果、酸素：330ppm、
S：90ppm、不純物（MnおよびIr以外の元素）含有量が合
計で564ppmのMn-Ir合金が得られた。各原料及びMn-Ir合
金の組成を表４に示す。
【００３１】
【表４】
【００３２】実施例１〜３と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００３３】（実施例５）原料となる電解Mnを、MgO坩
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてLaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：50ppm、S：10ppm、不純
物量が合計で223ppmのMnを得た。得られたMnと、市販の
純度2〜3NのIr粉末（酸素：1300ppm、S：1ppm）を真空
脱ガスして得たIr（酸素：100ppm、S：1ppm）とを1：1
で溶解し合金化した。その結果、酸素：70ppm、S：6pp
m、不純物（MnおよびIr以外の元素）含有量が合計で220
ppmのMn-Ir合金が得られた。各原料及びMn-Ir合金の組
成を表５に示す。
堝を用いて高周波溶解した。雰囲気はAr雰囲気とした。
温度が1400℃に到達後、脱酸剤としてLaを1wt％添加し
た。5分間保持した後、タンディシュを介してスラグを
除去し、その後金型に鋳造した。冷却後、インゴットを
取り出した。その結果、酸素：50ppm、S：10ppm、不純
物量が合計で223ppmのMnを得た。得られたMnと、市販の
純度2〜3NのIr粉末（酸素：1300ppm、S：1ppm）を真空
脱ガスして得たIr（酸素：100ppm、S：1ppm）とを1：1
で溶解し合金化した。その結果、酸素：70ppm、S：6pp
m、不純物（MnおよびIr以外の元素）含有量が合計で220
ppmのMn-Ir合金が得られた。各原料及びMn-Ir合金の組
成を表５に示す。
【００３４】
【表５】
【００３５】実施例１〜４と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００３６】（実施例６）原料となる電解MnをMgO坩堝
を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留し
た。真空度は10-2Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間30
分とした。蒸留したMnは、酸素：100ppm、S：50ppm、不
純物量が合計で482ppmであった。得られたMnと市販の3N
のFe（酸素：200ppm、S：70ppm）とを１：１でMgO坩堝
で溶解し合金化した。その結果、酸素：100ppm、S：50p
pm、不純物（Mn及びFe以外の元素）含有量が合計で482p
pmのMn-Fe 合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組
成を表６に示す。
を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留し
た。真空度は10-2Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間30
分とした。蒸留したMnは、酸素：100ppm、S：50ppm、不
純物量が合計で482ppmであった。得られたMnと市販の3N
のFe（酸素：200ppm、S：70ppm）とを１：１でMgO坩堝
で溶解し合金化した。その結果、酸素：100ppm、S：50p
pm、不純物（Mn及びFe以外の元素）含有量が合計で482p
pmのMn-Fe 合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組
成を表６に示す。
【００３７】
【表６】
【００３８】実施例１〜５と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００３９】（実施例７）原料となる電解MnをAl2O3 坩
堝を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留
した。真空度は10-2 Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間
30分とした。蒸留したMnは、酸素：30ppm、S：10ppm、
不純物量が合計で122ppmであった。得られたMnと市販の
4NのFe（酸素：40ppm、S：10ppm）とを１：１でAl2O3
坩堝で溶解し合金化した。その結果、酸素：50ppm、S：
10ppm、不純物（Mn及びFe以外の元素）含有量が合計で1
06ppmのMn-Fe 合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の
組成を表７に示す。
堝を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留
した。真空度は10-2 Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間
30分とした。蒸留したMnは、酸素：30ppm、S：10ppm、
不純物量が合計で122ppmであった。得られたMnと市販の
4NのFe（酸素：40ppm、S：10ppm）とを１：１でAl2O3
坩堝で溶解し合金化した。その結果、酸素：50ppm、S：
10ppm、不純物（Mn及びFe以外の元素）含有量が合計で1
06ppmのMn-Fe 合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の
組成を表７に示す。
【００４０】
【表７】
【００４１】実施例１〜６と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００４２】（実施例８）原料となる電解MnをMgO 坩堝
を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留し
た。真空度は10-2 Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間30
分とした。蒸留したMnは、酸素：100ppm、S：20ppm、不
純物量が合計で382ppmであった。得られたMnと市販の3N
のIr粉末（酸素：1300ppm、S：<10ppm）を真空脱ガスし
て得たIr粉末（酸素：250ppm、S：<10ppm）とを１：１
でMgO 坩堝で溶解し合金化した。その結果、酸素：180p
pm、S：10ppm、不純物（Mn及びIr以外の元素）含有量が
合計で473ppmのMn-Ir 合金が得られた。各原料及びMn-I
r合金の組成を表７に示す。
を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留し
た。真空度は10-2 Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間30
分とした。蒸留したMnは、酸素：100ppm、S：20ppm、不
純物量が合計で382ppmであった。得られたMnと市販の3N
のIr粉末（酸素：1300ppm、S：<10ppm）を真空脱ガスし
て得たIr粉末（酸素：250ppm、S：<10ppm）とを１：１
でMgO 坩堝で溶解し合金化した。その結果、酸素：180p
pm、S：10ppm、不純物（Mn及びIr以外の元素）含有量が
合計で473ppmのMn-Ir 合金が得られた。各原料及びMn-I
r合金の組成を表７に示す。
【００４３】
【表８】
【００４４】実施例１〜７と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００４５】（実施例９）原料となる電解MnをAl2O3 坩
堝を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留
した。真空度は10-2 Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間
30分とした。蒸留したMnは、酸素：30ppm、S：<10ppm、
不純物量が合計で141ppmであった。得られたMnと市販の
3NのIr粉末（酸素：1300ppm、S：<10ppm）を真空脱ガス
して得たIr粉末（酸素：100ppm、S：<10ppm）とを55：4
5でAl2O3 坩堝で溶解し合金化した。その結果、酸素：7
0ppm、S：10ppm、不純物（Mn及びIr以外の元素）含有量
が合計で175ppmのMn-Ir 合金が得られた。各原料及びMn
-Ir合金の組成を表９に示す。
堝を用いて1300℃で予備溶解した後、1400℃で真空蒸留
した。真空度は10-2 Torr 、蒸留温度1400℃、保持時間
30分とした。蒸留したMnは、酸素：30ppm、S：<10ppm、
不純物量が合計で141ppmであった。得られたMnと市販の
3NのIr粉末（酸素：1300ppm、S：<10ppm）を真空脱ガス
して得たIr粉末（酸素：100ppm、S：<10ppm）とを55：4
5でAl2O3 坩堝で溶解し合金化した。その結果、酸素：7
0ppm、S：10ppm、不純物（Mn及びIr以外の元素）含有量
が合計で175ppmのMn-Ir 合金が得られた。各原料及びMn
-Ir合金の組成を表９に示す。
【００４６】
【表９】
【００４７】実施例１〜８と同様に耐食性試験及びスパ
ッタ試験を行った。
ッタ試験を行った。
【００４８】（比較例１）純度2〜3Nの原料Mn粉末（酸
素：1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度3NのFe（酸
素：120ppm、S：40ppm）とを1：1で溶解し合金化した。
その結果、酸素：600ppm、S：220ppm、不純物（Mnおよ
びFe以外の元素）含有量が合計で1220ppmのMn-Fe合金が
得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１０に示
す。
素：1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度3NのFe（酸
素：120ppm、S：40ppm）とを1：1で溶解し合金化した。
その結果、酸素：600ppm、S：220ppm、不純物（Mnおよ
びFe以外の元素）含有量が合計で1220ppmのMn-Fe合金が
得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１０に示
す。
【００４９】
【表１０】
【００５０】実施例と同様に耐食性試験及びスパッタ試
験を行った。
験を行った。
【００５１】（比較例２）純度2〜3Nの原料Mn粉末（酸
素：1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度2〜3NのIr粉
末（酸素：1300ppm、S：1ppm）とを55：45で溶解し合金
化した。その結果、酸素：1100ppm、S：200ppm、不純物
（MnおよびIr以外の元素）含有量が合計で2100ppmのMn-
Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１
１に示す。
素：1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度2〜3NのIr粉
末（酸素：1300ppm、S：1ppm）とを55：45で溶解し合金
化した。その結果、酸素：1100ppm、S：200ppm、不純物
（MnおよびIr以外の元素）含有量が合計で2100ppmのMn-
Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１
１に示す。
【００５２】
【表１１】
【００５３】実施例と同様に耐食性試験及びスパッタ試
験を行った。
験を行った。
【００５４】（比較例３）純度3Nの原料Mn粉末（酸素：
1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度3NのFe（酸素：12
0ppm、S：40ppm）とを1：1で溶解し合金化した。その結
果、酸素：560ppm、S：220ppm、不純物（MnおよびFe以
外の元素）含有量が合計で1631 ppmのMn-Fe合金が得ら
れた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１２に示す。
1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度3NのFe（酸素：12
0ppm、S：40ppm）とを1：1で溶解し合金化した。その結
果、酸素：560ppm、S：220ppm、不純物（MnおよびFe以
外の元素）含有量が合計で1631 ppmのMn-Fe合金が得ら
れた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１２に示す。
【００５５】
【表１２】
【００５６】実施例と同様に耐食性試験及びスパッタ試
験を行った。
験を行った。
【００５７】（比較例４）純度2〜3Nの原料Mn粉末（酸
素：1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度2〜3NのIr粉
末（酸素：1300ppm、S：1ppm）とを55：45で溶解し合金
化した。その結果、酸素：1100ppm、S：200ppm、不純物
（MnおよびIr以外の元素）含有量が合計で2443ppmのMn-
Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１
３に示す。
素：1000ppm、S：400ppm）と、市販の純度2〜3NのIr粉
末（酸素：1300ppm、S：1ppm）とを55：45で溶解し合金
化した。その結果、酸素：1100ppm、S：200ppm、不純物
（MnおよびIr以外の元素）含有量が合計で2443ppmのMn-
Fe合金が得られた。各原料及びMn-Fe合金の組成を表１
３に示す。
【００５８】
【表１３】
【００５９】実施例と同様に耐食性試験及びスパッタ試
験を行った。
験を行った。
【００６０】（結果）実施例１〜９、及び比較例１〜２
の耐食性試験結果およびスパッタ試験におけるパーティ
クル数測定結果を表１４に示す。
の耐食性試験結果およびスパッタ試験におけるパーティ
クル数測定結果を表１４に示す。
【００６１】
【表１４】
【００６２】その結果、酸素含有量が500ppm以下、S含
有量が100ppm以下である本発明のMn合金は比較例に比べ
て耐食性に優れていた。さらに、不純物（Mnおよび合金
成分以外の元素）合計量が500ppm以下であるMn合金はよ
り耐食性に優れていた。中でも、特に、酸素含有量が10
0ppm以下、S含有量が20ppm以下であるMn合金は格段に優
れた耐食性を示した。また、本発明のターゲットを用い
た場合には、スパッタの際に発生するパーティクル数も
比較例に比べて少ないことがわかる。
有量が100ppm以下である本発明のMn合金は比較例に比べ
て耐食性に優れていた。さらに、不純物（Mnおよび合金
成分以外の元素）合計量が500ppm以下であるMn合金はよ
り耐食性に優れていた。中でも、特に、酸素含有量が10
0ppm以下、S含有量が20ppm以下であるMn合金は格段に優
れた耐食性を示した。また、本発明のターゲットを用い
た場合には、スパッタの際に発生するパーティクル数も
比較例に比べて少ないことがわかる。
【００６３】
【発明の効果】本発明の酸素含有量が500ppm以下、S含
有量が100ppm以下、さらに不純物（Mnおよび合金成分以
外の元素）合計量が1000ppm以下であることを特徴とす
る磁性材用Mn合金材料から形成した磁性薄膜形成用Mn合
金スパッタリングターゲットを用いることによって、パ
ーティクル発生が少なく、耐食性に優れた反磁性膜を形
成することが可能であり、磁性薄膜形成用材料として有
用である。
有量が100ppm以下、さらに不純物（Mnおよび合金成分以
外の元素）合計量が1000ppm以下であることを特徴とす
る磁性材用Mn合金材料から形成した磁性薄膜形成用Mn合
金スパッタリングターゲットを用いることによって、パ
ーティクル発生が少なく、耐食性に優れた反磁性膜を形
成することが可能であり、磁性薄膜形成用材料として有
用である。
Claims (9)
- 【請求項１】 酸素含有量が500ppm以下、S含有量が100
ppm以下であることを特徴とする磁性材用Mn合金材料。 - 【請求項２】 不純物（Mnおよび合金成分以外の元素）
含有量が合計で1000ppm以下であり、酸素含有量が500pp
m以下、S含有量が100ppm以下であることを特徴とする磁
性材用Mn合金材料。 - 【請求項３】 不純物（Mnおよび合金成分以外の元素）
含有量が合計で500ppm以下であり、酸素含有量が100ppm
以下、S含有量が20ppm以下であることを特徴とする磁性
材用Mn合金材料。 - 【請求項４】 Mnと合金を形成する合金成分が、Fe,Ir,
Pt,Pd,Rh,Ru,Ni,Cr,Co から選択された１種または２種
以上であることを特徴とする請求項１〜３に記載の磁性
材用Mn合金材料。 - 【請求項５】 酸素含有量が500ppm以下、S含有量が100
ppm以下であることを特徴とする磁性薄膜形成用Mn合金
スパッタリングターゲット。 - 【請求項６】 不純物（Mnおよび合金成分以外の元素）
含有量が合計で1000ppm以下であり、酸素含有量が500pp
m以下、S含有量が100ppm以下であることを特徴とする磁
性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項７】 不純物（Mnおよび合金成分以外の元素）
含有量が合計で500ppm以下であり、酸素含有量が100ppm
以下、S含有量が20ppm以下であることを特徴とする磁性
薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項８】 Mnと合金を形成する合金成分が、Fe,Ir,
Pt,Pd,Rh,Ru,Ni,Cr,Co から選択された１種または２種
以上であることを特徴とする請求項５〜７に記載の磁性
薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲット。 - 【請求項９】 請求項５〜８のいずれか１項に記載の磁
性薄膜形成用Mn合金スパッタリングターゲットをスパッ
タリングすることによって形成されたことを特徴とする
磁性薄膜。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33228697A JP3544293B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-11-18 | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
| US09/123,294 US6270593B1 (en) | 1997-07-31 | 1998-07-28 | Mn alloy materials for magnetic materials, Mn alloy sputtering targets, and magnetic thin films |
| DE19834437A DE19834437B4 (de) | 1997-07-31 | 1998-07-30 | Mangan-Legierungen für magnetische Werkstoffe, Sputter-Targets aus Mangan-Legierungen und magnetische Dünnfilme |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-219012 | 1997-07-31 | ||
| JP21901297 | 1997-07-31 | ||
| JP33228697A JP3544293B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-11-18 | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001329175A Division JP3891549B2 (ja) | 1997-07-31 | 2001-10-26 | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
| JP2004040750A Division JP2004211203A (ja) | 1997-07-31 | 2004-02-18 | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11100631A true JPH11100631A (ja) | 1999-04-13 |
| JP3544293B2 JP3544293B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=26522867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33228697A Expired - Lifetime JP3544293B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-11-18 | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6270593B1 (ja) |
| JP (1) | JP3544293B2 (ja) |
| DE (1) | DE19834437B4 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001271161A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-02 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2003064473A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ |
| JP2009001913A (ja) * | 2008-09-16 | 2009-01-08 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜 |
| JP2009138274A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-25 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度形状記憶合金ターゲット及び同合金薄膜 |
| WO2013105291A1 (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-18 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度マンガン及びその製造方法 |
| KR20150125721A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-09 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 및 고순도 망간 |
| KR20150126662A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-12 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001279432A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-10-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 低酸素スパッタリングターゲット |
| JP3973857B2 (ja) * | 2001-04-16 | 2007-09-12 | 日鉱金属株式会社 | マンガン合金スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US20050061857A1 (en) * | 2003-09-24 | 2005-03-24 | Hunt Thomas J. | Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof |
| US7256971B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-08-14 | Headway Technologies, Inc. | Process and structure to fabricate CPP spin valve heads for ultra-high recording density |
| US20050249981A1 (en) * | 2004-05-10 | 2005-11-10 | Heraeus, Inc. | Grain structure for magnetic recording media |
| US20050277002A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
| US20050274221A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-15 | Heraeus, Inc. | Enhanced sputter target alloy compositions |
| US20060042938A1 (en) * | 2004-09-01 | 2006-03-02 | Heraeus, Inc. | Sputter target material for improved magnetic layer |
| US20060078457A1 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-13 | Heraeus, Inc. | Low oxygen content alloy compositions |
| US20060110626A1 (en) * | 2004-11-24 | 2006-05-25 | Heraeus, Inc. | Carbon containing sputter target alloy compositions |
| US20060286414A1 (en) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Heraeus, Inc. | Enhanced oxide-containing sputter target alloy compositions |
| US20070253103A1 (en) * | 2006-04-27 | 2007-11-01 | Heraeus, Inc. | Soft magnetic underlayer in magnetic media and soft magnetic alloy based sputter target |
| DE102008042578A1 (de) * | 2008-10-02 | 2010-04-08 | Biotronik Vi Patent Ag | Implantat mit einem Grundkörper aus einer biokorrodierbaren Manganlegierung |
| CN102877033A (zh) * | 2011-07-14 | 2013-01-16 | 北京有色金属研究总院 | 一种锰合金靶材及其制造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2259459A (en) * | 1939-10-23 | 1941-10-21 | Chicago Dev Co | Manganese alloy |
| US2329698A (en) * | 1939-10-30 | 1943-09-21 | Chicago Dev Co | Preparation of manganese alloys |
| US3196055A (en) * | 1961-06-29 | 1965-07-20 | Du Pont | Sharp transition exchange inversion composition and a method of making it |
| FR2444083A1 (fr) * | 1978-12-11 | 1980-07-11 | Sofrem | Procede de desiliciation d'alliages de manganese |
| US4282032A (en) * | 1979-10-30 | 1981-08-04 | Pacific Metals Co., Ltd. | Direct method for production of high-grade, high-purity ferromanganese |
| JPS5884411A (ja) * | 1981-11-16 | 1983-05-20 | Tdk Corp | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4415529A (en) * | 1982-09-29 | 1983-11-15 | Unitika Ltd. | Mn-Based alloy of nonequilibrium austenite phase |
-
1997
- 1997-11-18 JP JP33228697A patent/JP3544293B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-07-28 US US09/123,294 patent/US6270593B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-30 DE DE19834437A patent/DE19834437B4/de not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001271161A (ja) * | 2000-01-20 | 2001-10-02 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JP2003064473A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲット、反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ |
| JP2009001913A (ja) * | 2008-09-16 | 2009-01-08 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度マンガンからなるスパッタリングターゲット及びスパッタリングにより形成した高純度マンガンからなる薄膜 |
| JP2009138274A (ja) * | 2008-12-24 | 2009-06-25 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度形状記憶合金ターゲット及び同合金薄膜 |
| WO2013105291A1 (ja) | 2012-01-10 | 2013-07-18 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 高純度マンガン及びその製造方法 |
| KR20160018850A (ko) | 2012-01-10 | 2016-02-17 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간 및 그 제조 방법 |
| KR20150125721A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-09 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 및 고순도 망간 |
| KR20150126662A (ko) | 2013-10-25 | 2015-11-12 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 고순도 망간의 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6270593B1 (en) | 2001-08-07 |
| JP3544293B2 (ja) | 2004-07-21 |
| DE19834437A1 (de) | 1999-02-04 |
| DE19834437B4 (de) | 2010-04-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH11100631A (ja) | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 | |
| US5282946A (en) | Platinum-cobalt alloy sputtering target and method for manufacturing same | |
| JP4013999B2 (ja) | 高純度Ｍｎ材料の製造方法 | |
| US9293166B2 (en) | Sputtering target material for producing intermediate layer film of perpendicular magnetic recording medium and thin film produced by using the same | |
| TW201807229A (zh) | 磁性記錄媒體之晶種層用合金、濺鍍靶材以及磁性記錄媒體 | |
| JPH05247638A (ja) | スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法 | |
| JP3396420B2 (ja) | 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲット及びＭｎ−Ｉｒ合金磁性薄膜 | |
| JPH02225642A (ja) | ニオブ基高温用合金 | |
| JP3525439B2 (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JP3891549B2 (ja) | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 | |
| WO2017111700A1 (en) | Sputtering target of ruthenium-containing alloy and production method thereof | |
| JP2004211203A (ja) | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 | |
| JPS5922782B2 (ja) | 鉄基磁気ヘツド用高透磁率合金および磁気記録再生ヘツド | |
| JP4477017B2 (ja) | 薄膜形成用高純度Ｍｎ材料 | |
| JP3822145B2 (ja) | 磁性薄膜形成用Ｍｎ−Ｉｒ合金スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| US20030000068A1 (en) | Method for producing sputtering target with lowered oxygen content | |
| JPS6151018B2 (ja) | ||
| JP3803797B2 (ja) | 高純度Ｉｒ材料の製造方法 | |
| JPH0417670A (ja) | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 | |
| JPH07252565A (ja) | 磁気記録媒体用コバルト基合金およびその製造方法 | |
| JPH0718003B2 (ja) | 光メディア用スパッタリングターゲット溶製材 | |
| JPH0641734A (ja) | ターゲツト部材およびその製造方法 | |
| JPH0754069A (ja) | 磁気記録媒体用コバルト基合金の製造方法 | |
| JPH03138365A (ja) | ターゲット部材およびその製造方法 | |
| JP2802850B2 (ja) | ターゲツト材およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010918 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040218 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040401 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080416 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090416 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100416 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110416 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120416 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130416 Year of fee payment: 9 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |