JPS5884411A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS5884411A JPS5884411A JP56182252A JP18225281A JPS5884411A JP S5884411 A JPS5884411 A JP S5884411A JP 56182252 A JP56182252 A JP 56182252A JP 18225281 A JP18225281 A JP 18225281A JP S5884411 A JPS5884411 A JP S5884411A
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
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- G—PHYSICS
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Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高密度磁気記録媒体に関するものであ蕃。
最迂、磁気記録媒体に対する高密度化・＼の要求が益々
高まっており、従来からの磁性塗料による磁気記録媒体
に代えて、メッキ法、蒸着法、スパッタ法等により作成
された結金剤を使用しない金属磁性薄膜が有望視されて
いる。磁気記録密度の限界は薄膜の保持力に対する減磁
界の割合に大きく影響され、また減磁界の強さは飽和磁
束密度および薄膜厚さ等と一係する。８Ｎ比が酔客水準
以上にあることも必要モある。金属磁性薄膜では、従来
からの塗布型磁気記録媒体に較べて、飽和―東密度が大
きい為に高い出力が得られ重た大会な８Ｎ比が得られ、
また膜厚が薄く、□比較的高い保磁力が得られ名ことか
ら、記録減磁作用を大巾に緩和することが可能である。
高まっており、従来からの磁性塗料による磁気記録媒体
に代えて、メッキ法、蒸着法、スパッタ法等により作成
された結金剤を使用しない金属磁性薄膜が有望視されて
いる。磁気記録密度の限界は薄膜の保持力に対する減磁
界の割合に大きく影響され、また減磁界の強さは飽和磁
束密度および薄膜厚さ等と一係する。８Ｎ比が酔客水準
以上にあることも必要モある。金属磁性薄膜では、従来
からの塗布型磁気記録媒体に較べて、飽和―東密度が大
きい為に高い出力が得られ重た大会な８Ｎ比が得られ、
また膜厚が薄く、□比較的高い保磁力が得られ名ことか
ら、記録減磁作用を大巾に緩和することが可能である。
金属磁性薄膜材料としては、主として、Ｃ・−８１゜点
に問題があり、これが量産化の大きな障害となっていた
＠ 最近になって、省エネルギー、省資源の機運が特に高重
り、Ｃ・を用いない非Ｃｏｔ／に磁性材料の研究が盛ん
に行なわれつつあり、例えば永久磁石の公費では特公昭
５４−！５１４４８号に見られるようにＭｌｌ−ムｌ−
Ｃ系金金磁石において優れた特性が得られることが明ら
かにされている。
に問題があり、これが量産化の大きな障害となっていた
＠ 最近になって、省エネルギー、省資源の機運が特に高重
り、Ｃ・を用いない非Ｃｏｔ／に磁性材料の研究が盛ん
に行なわれつつあり、例えば永久磁石の公費では特公昭
５４−！５１４４８号に見られるようにＭｌｌ−ムｌ−
Ｃ系金金磁石において優れた特性が得られることが明ら
かにされている。
薄ｇの分野テモ、Ｍｕ −Ａｌ及Ｕ Ｍａｌ −ＡＩ
−ＣｕＷＩＩＩｂ’蒸着決を用いて作成され、飽和磁束
密度最大１０００Ｇそして保磁力最大１２５０Ｏ・と、
磁気記録媒体としてかなり有望な特性を得ることに成功
している（例えば、応用磁気学会誌Ｖ＊１５゜Ｎｏ２．
１？８１）。
−ＣｕＷＩＩＩｂ’蒸着決を用いて作成され、飽和磁束
密度最大１０００Ｇそして保磁力最大１２５０Ｏ・と、
磁気記録媒体としてかなり有望な特性を得ることに成功
している（例えば、応用磁気学会誌Ｖ＊１５゜Ｎｏ２．
１？８１）。
しかしながら、蒸着法によるＭｕ−ＡＩおよびＭｎ−Ａ
ｌ −Ｃｕ薄膜は、次に示すような欠点を有した。即ち
、蒸着法を実施するには、蒸着時に基板温度を５００〜
４００℃もの高温に保たねばならない為、高分子フィル
ムを基板として用いることができず、磁気テープやフレ
キシブルディスクへの応用が不可能であった。更に、飽
和磁束密度がＣ・系の薄膜に比べ１桁程低いことも大き
な欠点であった。
ｌ −Ｃｕ薄膜は、次に示すような欠点を有した。即ち
、蒸着法を実施するには、蒸着時に基板温度を５００〜
４００℃もの高温に保たねばならない為、高分子フィル
ムを基板として用いることができず、磁気テープやフレ
キシブルディスクへの応用が不可能であった。更に、飽
和磁束密度がＣ・系の薄膜に比べ１桁程低いことも大き
な欠点であった。
）［ｍ−ムＩＴＡにＣｖａをある指定された範−におい
て添加することにより、保磁力の低下はあるが、飽和磁
束密度の増大が得られることが期待されている。そこで
、本発明者は、−−ム１−Ｃｗ系を対象として蒸着法に
固有の欠点を伴わずに磁気記録媒体用金属磁性薄膜を作
成する成膜技術について検討を重ねた。
て添加することにより、保磁力の低下はあるが、飽和磁
束密度の増大が得られることが期待されている。そこで
、本発明者は、−−ム１−Ｃｗ系を対象として蒸着法に
固有の欠点を伴わずに磁気記録媒体用金属磁性薄膜を作
成する成膜技術について検討を重ねた。
その結果、成膜技術としてスパッタ法、特に！ダネ）田
ンスバツタ法を採用することにより、高分子フィルムを
基板として使用可能な基板温度（ＳＯＯ℃以下）でも磁
気記録媒体として貞好な特性を有する一−ムｌ−Ｃｍ金
属磁性薄膜を作威しうろことが確認された。
ンスバツタ法を採用することにより、高分子フィルムを
基板として使用可能な基板温度（ＳＯＯ℃以下）でも磁
気記録媒体として貞好な特性を有する一−ムｌ−Ｃｍ金
属磁性薄膜を作威しうろことが確認された。
スパッタ法は、不活性ガスの低真空中でダーー放電を行
ったとき陰極（ターゲラ糎）にガスイオンが一突するこ
とにより陰極材料を原子またはその集団として気化させ
、こうしてスパッタされて飛出した金属原子を陽極近く
に位鷺づけた基板の表面上に付着せしめることにより金
属薄膜を形成する方法である。特に、陰極（ターゲラＦ
）の裏側に磁石を配置して放電空間における電界に直交
した磁界をかけるようにしたマグネト田ン崖スパッタ装
置が基板の温度上昇を防止するのに効果的である。この
マダネ）胃ン蓋スパッタ装置は、設電に伴って生じた電
子が磁界により曲げられて、ドリア）運動を行うように
したものであり、陰極に対向して配置された基板に電子
が流れ込むのを防止し、それにより基板の温度上昇を抑
えるものである。加えて、！ダネトーン型スパフタ装置
においては高速スパッタが可能である。
ったとき陰極（ターゲラ糎）にガスイオンが一突するこ
とにより陰極材料を原子またはその集団として気化させ
、こうしてスパッタされて飛出した金属原子を陽極近く
に位鷺づけた基板の表面上に付着せしめることにより金
属薄膜を形成する方法である。特に、陰極（ターゲラＦ
）の裏側に磁石を配置して放電空間における電界に直交
した磁界をかけるようにしたマグネト田ン崖スパッタ装
置が基板の温度上昇を防止するのに効果的である。この
マダネ）胃ン蓋スパッタ装置は、設電に伴って生じた電
子が磁界により曲げられて、ドリア）運動を行うように
したものであり、陰極に対向して配置された基板に電子
が流れ込むのを防止し、それにより基板の温度上昇を抑
えるものである。加えて、！ダネトーン型スパフタ装置
においては高速スパッタが可能である。
このようなスパッタ法を採用することにより、基板温度
の上昇防止のみならず、飽和磁束密度について蒸着法に
よるｉ−ムｌ −Ｃｍ膜の数倍以上の著しい抜書が見ら
れ、これは全くの予想以上のことであった。これはスパ
ッタ法における基板への突入原子の持つエネルギーが蒸
着法のそれと比較して著しく大きいことに起因するもの
と指定される。
の上昇防止のみならず、飽和磁束密度について蒸着法に
よるｉ−ムｌ −Ｃｍ膜の数倍以上の著しい抜書が見ら
れ、これは全くの予想以上のことであった。これはスパ
ッタ法における基板への突入原子の持つエネルギーが蒸
着法のそれと比較して著しく大きいことに起因するもの
と指定される。
本尭明において、Ｃｍは２５重量−以下添加され、残部
の７５重量−以上は指定の割合の廊とムｌによって構成
される。ｋｂｎ Ｓ Ａｌの比率は（４ｓ〜７ｓ）：（
ｉｓ〜２ｓ）の範囲とされ、最適比は７１：２？である
６ Ｍｍ ：ム１＝７１：２？（重量比）の時磁性がも
つとも強くなり、この比率から両側にずれると磁性は急
激にｉｔ重り、上記比率範囲を外れると強磁性が失われ
ることが確認された。Ｃｍは上記の通り２５重量襲以下
加えられうるが、好ましくは５〜２０重蓋襲添加される
。
の７５重量−以上は指定の割合の廊とムｌによって構成
される。ｋｂｎ Ｓ Ａｌの比率は（４ｓ〜７ｓ）：（
ｉｓ〜２ｓ）の範囲とされ、最適比は７１：２？である
６ Ｍｍ ：ム１＝７１：２？（重量比）の時磁性がも
つとも強くなり、この比率から両側にずれると磁性は急
激にｉｔ重り、上記比率範囲を外れると強磁性が失われ
ることが確認された。Ｃｍは上記の通り２５重量襲以下
加えられうるが、好ましくは５〜２０重蓋襲添加される
。
膜厚については、α１１ｉｒａより薄いと８Ｎ比が悪く
なり他方１０μｍを越えると高密度記録が不可能となり
、従ってａ１〜ＬＯＪ１ｍの範囲とすることが好ましい
。
なり他方１０μｍを越えると高密度記録が不可能となり
、従ってａ１〜ＬＯＪ１ｍの範囲とすることが好ましい
。
実施例
高周波！ダネトロンスパツタ装置を用いて、Ｍｕ−ム１
−Ｃｕ 薄膜を作成した。組成は、Ｃｗ７ｖｔ％とし％
残余の９３ ｖｌｊＧが、重量比で７１：２？の−とム
ｌで構成されるものとした。スパッタ条件は、パツタダ
ツンドガス圧がａＯＸｌｏ−’Ｔ＠ｒｒ（チャンバー内
）、ムｒガス流量（ムｒを流し、平衡状態でのチャンバ
ー内の圧力で表示）ｔａＸｌｏ 丁ｅｒｒ 、ムｒガ
ス圧４．（ｌＸ１０−’Ｔ＠ｒｔ（ダ５ イレク）７″ａ−）、高周波電力１４ｋＷそして基板温
度２５０℃である。基板としてはプリイミドフィルムを
用い、スパッタ時間は５分とした。
−Ｃｕ 薄膜を作成した。組成は、Ｃｗ７ｖｔ％とし％
残余の９３ ｖｌｊＧが、重量比で７１：２？の−とム
ｌで構成されるものとした。スパッタ条件は、パツタダ
ツンドガス圧がａＯＸｌｏ−’Ｔ＠ｒｒ（チャンバー内
）、ムｒガス流量（ムｒを流し、平衡状態でのチャンバ
ー内の圧力で表示）ｔａＸｌｏ 丁ｅｒｒ 、ムｒガ
ス圧４．（ｌＸ１０−’Ｔ＠ｒｔ（ダ５ イレク）７″ａ−）、高周波電力１４ｋＷそして基板温
度２５０℃である。基板としてはプリイミドフィルムを
用い、スパッタ時間は５分とした。
得られた膜へ磁気特性を測定したところ、保磁力は５２
００＠、飽和磁束密度は４２ＰＯＧ、そして角形比はα
５７であった。これら磁気−性は磁気記録媒体として使
用するに良好なものであり、時に飽和磁束密度は蒸着法
による同じ膜の数倍にも及んでいる。
００＠、飽和磁束密度は４２ＰＯＧ、そして角形比はα
５７であった。これら磁気−性は磁気記録媒体として使
用するに良好なものであり、時に飽和磁束密度は蒸着法
による同じ膜の数倍にも及んでいる。
次いで、Ｃ１１の比率を変えて先きと同条件にてスパッ
タを行い、生成された膜の磁気特性を測定した。Ｃｍ以
外の残余を構成するＭｕとム１とは７１：２９の重量比
にて一定に保持した。結果を添付グツ７に示す。グラフ
からＣｍの比率としては２５重量−以下が適しているこ
とがわかる。Ｃｖｓ ５〜２０−の範囲において保磁力
が左程に低下せず高い飽和磁束密度の材料が得られるこ
とがわかる。
タを行い、生成された膜の磁気特性を測定した。Ｃｍ以
外の残余を構成するＭｕとム１とは７１：２９の重量比
にて一定に保持した。結果を添付グツ７に示す。グラフ
からＣｍの比率としては２５重量−以下が適しているこ
とがわかる。Ｃｖｓ ５〜２０−の範囲において保磁力
が左程に低下せず高い飽和磁束密度の材料が得られるこ
とがわかる。
以上説明した通り、本発明は、スパッタ法、特にマダネ
）Ｗンスパッタ法によって高分子基板上に千〇熟劣化乃
至損傷を生じることな（磁気記録媒体として良好な磁気
的８性質を具備する一一ム１−Ｑｌ金属磁性薄膜を付着
形成することに成功したものである。今後需要の増大が
見込まれる高密度記録用途に対して入手の容易な材料の
みから成る金属磁性薄膜の製造を可ならしめた点で斯界
に大きく貢献するものである。
）Ｗンスパッタ法によって高分子基板上に千〇熟劣化乃
至損傷を生じることな（磁気記録媒体として良好な磁気
的８性質を具備する一一ム１−Ｑｌ金属磁性薄膜を付着
形成することに成功したものである。今後需要の増大が
見込まれる高密度記録用途に対して入手の容易な材料の
みから成る金属磁性薄膜の製造を可ならしめた点で斯界
に大きく貢献するものである。
図面はＣｍの比率の変化に対するＭ−一ムｌ−Ｃｍ薄膜
の磁気的性質の変化を示すグラフである。
の磁気的性質の変化を示すグラフである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 基板と、蒙基板上にスパッタ法により付着される
ｉ、ム１およびＣＩＩを主成分とする金属磁性＃膜とか
ら成る磁気記録媒体。 ２） Ｃｍが２５重重量板下であり、そして残部がＭ
ｕおよびムｌと不可避的不純物から成り、その場合Ｋｎ
： Ａｌの比が（６５〜７５）：（５５〜２５ ）の
範ＩＩとされる特許請求の範囲第１項記載・の１気記録
媒体。 ５） 薄膜の厚さがα１〜ｔｏμｍである特許請求の範
囲第１）項或いは２）項記載の磁気記録媒体。 ４） 金属磁性薄膜が！グネト四シスバッタ法により付
着される特許請求の範囲第１）項記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182252A JPS5884411A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/419,474 US4533603A (en) | 1981-11-16 | 1982-09-17 | Magnetic recording medium |
| GB8228560A GB2110245B (en) | 1981-11-16 | 1982-10-06 | Sputtered magnetic recording medium |
| DE19823242015 DE3242015A1 (de) | 1981-11-16 | 1982-11-12 | Magnetisches aufzeichnungsmedium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56182252A JPS5884411A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5884411A true JPS5884411A (ja) | 1983-05-20 |
| JPH0328805B2 JPH0328805B2 (ja) | 1991-04-22 |
Family
ID=16115001
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56182252A Granted JPS5884411A (ja) | 1981-11-16 | 1981-11-16 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4533603A (ja) |
| JP (1) | JPS5884411A (ja) |
| DE (1) | DE3242015A1 (ja) |
| GB (1) | GB2110245B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017085076A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 国立大学法人東北大学 | Ｍｎ系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにＭｎ系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR890004258B1 (ko) * | 1984-11-14 | 1989-10-28 | 가부시끼가이샤 도오시바 | 수직자기기록 매체 및 그 제조방법 |
| US5534080A (en) * | 1995-06-01 | 1996-07-09 | National Science Council Of Republic Of China | Method for producing Mn-Al thin films |
| JP3544293B2 (ja) * | 1997-07-31 | 2004-07-21 | 株式会社日鉱マテリアルズ | 磁性材用Ｍｎ合金材料、Ｍｎ合金スパッタリングタ−ゲット及び磁性薄膜 |
| CN102560368A (zh) * | 2010-12-28 | 2012-07-11 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 壳体及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL87258C (ja) * | 1969-01-15 | |||
| JPS573137B2 (ja) * | 1974-03-13 | 1982-01-20 | ||
| JPS5837616B2 (ja) * | 1976-04-27 | 1983-08-17 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造法 |
-
1981
- 1981-11-16 JP JP56182252A patent/JPS5884411A/ja active Granted
-
1982
- 1982-09-17 US US06/419,474 patent/US4533603A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-10-06 GB GB8228560A patent/GB2110245B/en not_active Expired
- 1982-11-12 DE DE19823242015 patent/DE3242015A1/de active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017085076A (ja) * | 2015-10-27 | 2017-05-18 | 国立大学法人東北大学 | Ｍｎ系強磁性薄膜およびその製造方法、ならびにＭｎ系強磁性薄膜を有する磁気トンネル接合素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3242015C2 (ja) | 1992-09-17 |
| US4533603A (en) | 1985-08-06 |
| JPH0328805B2 (ja) | 1991-04-22 |
| DE3242015A1 (de) | 1983-05-26 |
| GB2110245A (en) | 1983-06-15 |
| GB2110245B (en) | 1985-06-12 |
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