JPS621121A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS621121A JPS621121A JP13987185A JP13987185A JPS621121A JP S621121 A JPS621121 A JP S621121A JP 13987185 A JP13987185 A JP 13987185A JP 13987185 A JP13987185 A JP 13987185A JP S621121 A JPS621121 A JP S621121A
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- JP
- Japan
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- magnetic recording
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非磁性基体上に磁気記録層として蒸着法による
強磁性薄膜を設けてなる磁気記録媒体の製造方法に関し
、特ＫｉｔＭ性および母気特性の改良された磁気記録媒
体の製造方法に関する。
強磁性薄膜を設けてなる磁気記録媒体の製造方法に関し
、特ＫｉｔＭ性および母気特性の改良された磁気記録媒
体の製造方法に関する。
従来より磁気記録媒体としては非出性交基体上にγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３、Ｃｏをドープした Ｔ−Ｆｅ２０３、Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏをドープしたＦｅ
３０４、ｒ−Ｆｅ２０３とＦｅ５０．のベルトライド化
合物、Ｃｒ Ｏ２等の酸化物磁性粉末あるいＦ′ｉＣｏ
、Ｎｉ、Ｆｅ等の遷移金属を主成分とする強磁性合金粉
末といった粉末塁の磁性材料を塩化ビニル−６１ビニル
共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散させ
てなる磁性塗料を塗布、配向、乾燥して磁性層を形成さ
せる塗布型のものが広く使用されてきている。近年高密
度磁気記録への急激な要求の高まりと共に真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーテング等のペーパーデポジ
ション法、あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッ
キ法により形成される強磁性薄膜を磁気記録層とする有
機バインダーを使用しないいわゆる薄膜型磁気記録媒体
が注目を浴びており実用化への努力が種々行なわれてい
る。
ｅ２Ｏ３、Ｃｏをドープした Ｔ−Ｆｅ２０３、Ｆｅ３Ｏ４，ＣｏをドープしたＦｅ
３０４、ｒ−Ｆｅ２０３とＦｅ５０．のベルトライド化
合物、Ｃｒ Ｏ２等の酸化物磁性粉末あるいＦ′ｉＣｏ
、Ｎｉ、Ｆｅ等の遷移金属を主成分とする強磁性合金粉
末といった粉末塁の磁性材料を塩化ビニル−６１ビニル
共重合体、スチレン−ブタジェン共重合体、エポキシ樹
脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散させ
てなる磁性塗料を塗布、配向、乾燥して磁性層を形成さ
せる塗布型のものが広く使用されてきている。近年高密
度磁気記録への急激な要求の高まりと共に真空蒸着、ス
パッタリング、イオンプレーテング等のペーパーデポジ
ション法、あるいは電気メッキ、無電解メッキ等のメッ
キ法により形成される強磁性薄膜を磁気記録層とする有
機バインダーを使用しないいわゆる薄膜型磁気記録媒体
が注目を浴びており実用化への努力が種々行なわれてい
る。
従来の塗布型の磁気記録媒体では主として飽和磁化の小
さい金Ｆ４酸化物を破性材料として使用していると共に
、非磁性の有機バインダーを含むために磁性層中の破性
材料の体積含有率が３０−ｊ０ｃｓＫすぎないため将来
に向けての高出力高密度磁気記録媒体としては不適当な
ものである。さらに製造工程も複雑で溶剤回収わるいは
公害防止のための大きな付帯設備を必要とするという欠
点を有している。薄膜型磁気記録媒体では有機バインダ
ーの如き非出性物質を介在させぬ状態で極めて薄い膜と
して形成できるという利点を有する。高密変記録化につ
れて記録再生磁気ヘッドのギャップ長も／、０μｍ以下
のものが使用されるよう罠なってきているが、それに伴
って磁気記録層への記録深さも浅くなる傾向にらジ、磁
性膜の厚み全部が磁気信号の記録に利用され得る薄Ｆｊ
ｘ型磁気記録媒体は高出力高密度磁気記録媒体として極
めてすぐれている。薄膜型磁気記録媒体のうちでも膜の
形成を蒸着で行なう方法は膜の形成速度の速いこと、製
造工程が簡単であることあるいは排液処理を必要としな
いドライプロセスであること等の利点を有する。
さい金Ｆ４酸化物を破性材料として使用していると共に
、非磁性の有機バインダーを含むために磁性層中の破性
材料の体積含有率が３０−ｊ０ｃｓＫすぎないため将来
に向けての高出力高密度磁気記録媒体としては不適当な
ものである。さらに製造工程も複雑で溶剤回収わるいは
公害防止のための大きな付帯設備を必要とするという欠
点を有している。薄膜型磁気記録媒体では有機バインダ
ーの如き非出性物質を介在させぬ状態で極めて薄い膜と
して形成できるという利点を有する。高密変記録化につ
れて記録再生磁気ヘッドのギャップ長も／、０μｍ以下
のものが使用されるよう罠なってきているが、それに伴
って磁気記録層への記録深さも浅くなる傾向にらジ、磁
性膜の厚み全部が磁気信号の記録に利用され得る薄Ｆｊ
ｘ型磁気記録媒体は高出力高密度磁気記録媒体として極
めてすぐれている。薄膜型磁気記録媒体のうちでも膜の
形成を蒸着で行なう方法は膜の形成速度の速いこと、製
造工程が簡単であることあるいは排液処理を必要としな
いドライプロセスであること等の利点を有する。
しかしながら蒸着法による強磁性薄膜から成る磁気記録
媒体にかかわる問題として耐錆性かわる。
媒体にかかわる問題として耐錆性かわる。
磁気記録媒体は記録・再生時に該Ｓ気記録媒体表面が磁
気ヘッドで擦られるため、極めて軽度であっても錆が該
磁気記録媒体表面上に存在しているとヘッドに目詰り等
が生じ、この結果磁気記録媒体あるいはヘッドが傷つく
ことＫなる。さらに錆の程度が甚しくなると磁性薄膜が
剥離して記録されていた情報の消失を招くことになる。
気ヘッドで擦られるため、極めて軽度であっても錆が該
磁気記録媒体表面上に存在しているとヘッドに目詰り等
が生じ、この結果磁気記録媒体あるいはヘッドが傷つく
ことＫなる。さらに錆の程度が甚しくなると磁性薄膜が
剥離して記録されていた情報の消失を招くことになる。
蒸着による磁気記録媒体の耐錆性を改良する方法として
イオンプレーテングにより表面窒化処理を施す方法（特
開昭６０−３３１０６号）、スパッタにより窒化硅１ｇ
膜を設ける方法（特開昭！３−３０３０弘号）、破性膜
を窒素ガスあるいは酸素ガス等の雰囲気中での放電にさ
らして処理する方法（％Ｍ４昭ｒ３−ｒｒａｏ３号、特
開昭ｊ７−／ ９１！弘３号、特開昭ｊ♂−／７ｊ≠弘
号）、磁性金属薄膜上に窒化された金属薄膜を設ける方
法（特開昭ｊ≠−７≠３７１／号）等が知られているが
耐錆性の改良が不十分で効果？得るには膜厚を大きくせ
ねばならぬ等の欠点がちった。非磁性保護ＵＵＵ厚が大
きいと電磁変換特性上劣化が著しく薄膜型磁気記録媒体
のｔｆｆ徴が失われてしまう。
イオンプレーテングにより表面窒化処理を施す方法（特
開昭６０−３３１０６号）、スパッタにより窒化硅１ｇ
膜を設ける方法（特開昭！３−３０３０弘号）、破性膜
を窒素ガスあるいは酸素ガス等の雰囲気中での放電にさ
らして処理する方法（％Ｍ４昭ｒ３−ｒｒａｏ３号、特
開昭ｊ７−／ ９１！弘３号、特開昭ｊ♂−／７ｊ≠弘
号）、磁性金属薄膜上に窒化された金属薄膜を設ける方
法（特開昭ｊ≠−７≠３７１／号）等が知られているが
耐錆性の改良が不十分で効果？得るには膜厚を大きくせ
ねばならぬ等の欠点がちった。非磁性保護ＵＵＵ厚が大
きいと電磁変換特性上劣化が著しく薄膜型磁気記録媒体
のｔｆｆ徴が失われてしまう。
さらに耐錆性にすぐれた薄膜型磁気記録媒体の一°りと
してヨーロツノ特許１３１を号あるいは特開昭よ？ −
４７Ｉ ０７号に開示されているような窒化鉄あるいは
鉄およびｉ化鉄よシ成る磁性ｉｖ膜があるが磁気特性が
不十分という欠点を有している。
してヨーロツノ特許１３１を号あるいは特開昭よ？ −
４７Ｉ ０７号に開示されているような窒化鉄あるいは
鉄およびｉ化鉄よシ成る磁性ｉｖ膜があるが磁気特性が
不十分という欠点を有している。
本発明の目的は、耐錆性および磁気特性、特に角型性の
改良された蒸着法による磁気記録媒体の製造方法を提供
することにちる。
改良された蒸着法による磁気記録媒体の製造方法を提供
することにちる。
〔発明のＴＮＮ成
木発明は、非磁性基体上に磁性金属材料を蒸着せしめる
と同時に窒素および酸素から選ばれた少なくとも７種の
イオンビームを照射せしめて磁気記録媒体を製造する方
法において、該非昌性基体への該母性金属材料の蒸着速
度Ｒ（Ａ／秒）と該λ〜／よとすることを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法、に関する。
と同時に窒素および酸素から選ばれた少なくとも７種の
イオンビームを照射せしめて磁気記録媒体を製造する方
法において、該非昌性基体への該母性金属材料の蒸着速
度Ｒ（Ａ／秒）と該λ〜／よとすることを特徴とする磁
気記録媒体の製造方法、に関する。
以下図面によシ本発明を説明する。
第１図は本発明による磁気記録媒体の製造方法を実施す
るだめの装置の一例を示している。真空（Ｑ／／は隔壁
７２により上部の送り出し巻取り室／３と下部の蒸着室
／４ｔに区分されておシ、それぞれ真空排気口／よ、／
ｌＶＣより独立に真空排気されるようになっている。テ
ープ状非磁性基体／７は送り出しロール／Ｊ’から回転
キャン／９に沿って搬送され巻取りロール２０に巻取ら
れるよう罠なっている。回転キャンｌりの下方には蒸発
源ルツボ２１が配設されており、磁性金属材料λ２が電
子銃２３からの電子ビーム、２４ｔの照射により加熱さ
れ蒸発する。磁性金属材料の蒸気流！！は回転キャン／
？に沿って移動するテープ状非磁性基体／７の表面に到
達し強磁性蒸着膜として析出する。回転キャン／りの近
傍にはマスクλ６が設置されておりテープ状非磁性基体
／７へ所望の入射角成分の蒸気流が達するようにできる
。テープ状非破性基体１７への磁性金属材料λλの蒸着
と同時にイオン銃Ｊ７からのイオンビームλｒを照射せ
しめる。所望のイオンビーム照射量を得るためイオン銃
２７を複数個設けてもいい。本発明においてイオンビー
ム、２１としては窒素および酸素から選ばれた少なくと
も１種のイオンビームが用いられる。上記磁性金属材料
のテープ状非磁性基体上への蒸着速度をＲ（１７秒）と
し上記イオンビームの単位面積ろたり照射量をＩ（ｍＡ
１口２）とする時Ｒと工の比Ｔをコ〜ｌよとした時耐錆
性および磁気特性の改良されることを本発明者等は見出
した。本発明において蒸着速度とは基体表面への単位時
間あたりの磁性金属材料の膜厚換算による付着量でおり
、第１図に示した装置の場合のように基体表面への蒸着
が時間と共に変化する時には最終膜厚とその蒸着時間か
ら算出される平均蒸着速度とする。さらにイオンビーム
照射量とＶｉ蒸着領域面積に照射されるイオンビーム量
を単位面積あたりのイオン電流値として表わしたもので
ある。本発明において蒸着速度Ｒ（＾／秒）とイオンビ
ーム照射量１ （ｍ Ａ ／ Ｃｍ２）の比Ｔは一般に
＃′ｉλ〜／Ｊが好ましく、％に好ましいのＦｉμ〜Ｉ
Ｏである。
るだめの装置の一例を示している。真空（Ｑ／／は隔壁
７２により上部の送り出し巻取り室／３と下部の蒸着室
／４ｔに区分されておシ、それぞれ真空排気口／よ、／
ｌＶＣより独立に真空排気されるようになっている。テ
ープ状非磁性基体／７は送り出しロール／Ｊ’から回転
キャン／９に沿って搬送され巻取りロール２０に巻取ら
れるよう罠なっている。回転キャンｌりの下方には蒸発
源ルツボ２１が配設されており、磁性金属材料λ２が電
子銃２３からの電子ビーム、２４ｔの照射により加熱さ
れ蒸発する。磁性金属材料の蒸気流！！は回転キャン／
？に沿って移動するテープ状非磁性基体／７の表面に到
達し強磁性蒸着膜として析出する。回転キャン／りの近
傍にはマスクλ６が設置されておりテープ状非磁性基体
／７へ所望の入射角成分の蒸気流が達するようにできる
。テープ状非破性基体１７への磁性金属材料λλの蒸着
と同時にイオン銃Ｊ７からのイオンビームλｒを照射せ
しめる。所望のイオンビーム照射量を得るためイオン銃
２７を複数個設けてもいい。本発明においてイオンビー
ム、２１としては窒素および酸素から選ばれた少なくと
も１種のイオンビームが用いられる。上記磁性金属材料
のテープ状非磁性基体上への蒸着速度をＲ（１７秒）と
し上記イオンビームの単位面積ろたり照射量をＩ（ｍＡ
１口２）とする時Ｒと工の比Ｔをコ〜ｌよとした時耐錆
性および磁気特性の改良されることを本発明者等は見出
した。本発明において蒸着速度とは基体表面への単位時
間あたりの磁性金属材料の膜厚換算による付着量でおり
、第１図に示した装置の場合のように基体表面への蒸着
が時間と共に変化する時には最終膜厚とその蒸着時間か
ら算出される平均蒸着速度とする。さらにイオンビーム
照射量とＶｉ蒸着領域面積に照射されるイオンビーム量
を単位面積あたりのイオン電流値として表わしたもので
ある。本発明において蒸着速度Ｒ（＾／秒）とイオンビ
ーム照射量１ （ｍ Ａ ／ Ｃｍ２）の比Ｔは一般に
＃′ｉλ〜／Ｊが好ましく、％に好ましいのＦｉμ〜Ｉ
Ｏである。
本発明における蒸着とは、米国特許第３３≠λ４３２号
の明細書等に述ぺられている通常の真空蒸着の他、ＩＩ
ｔ界、磁界あるいは電子ビーム照射等により蒸気流のイ
オン化、加速化等を行って蒸発分子の平均自由行程の大
きい雰囲気にて基材表面上に＃膜を形成させる方法をも
含むものであって、例えば特開昭ｒｉ−ｉｔｉｙｏｏｒ
号明細書に示されているような電界蒸着法、特公昭≠Ｊ
−／、／！ｌｊ号、特公昭≠ｔ−−〇≠ｒａ号、特公昭
４Ｌ７−１４５７２号、特公昭弘？−グｊ弘３２号、特
開昭ゲタ−３３１９０号、特開昭≠？−３≠弘ｒＪ号、
特開昭≠２−ｊＪｊ号公報に示されているようなイオン
化蒸着法も本発明に用いられる。
の明細書等に述ぺられている通常の真空蒸着の他、ＩＩ
ｔ界、磁界あるいは電子ビーム照射等により蒸気流のイ
オン化、加速化等を行って蒸発分子の平均自由行程の大
きい雰囲気にて基材表面上に＃膜を形成させる方法をも
含むものであって、例えば特開昭ｒｉ−ｉｔｉｙｏｏｒ
号明細書に示されているような電界蒸着法、特公昭≠Ｊ
−／、／！ｌｊ号、特公昭≠ｔ−−〇≠ｒａ号、特公昭
４Ｌ７−１４５７２号、特公昭弘？−グｊ弘３２号、特
開昭ゲタ−３３１９０号、特開昭≠？−３≠弘ｒＪ号、
特開昭≠２−ｊＪｊ号公報に示されているようなイオン
化蒸着法も本発明に用いられる。
磁性金属材料の蒸着膜の膜厚は磁気記録媒体として充分
な信号出力を与え得る厚さおよび高密度記録の充分性な
える薄さを必要とすることから約０．０２〜ｊ、０μｍ
、好ましくは０．０夕〜２゜０μｍである。
な信号出力を与え得る厚さおよび高密度記録の充分性な
える薄さを必要とすることから約０．０２〜ｊ、０μｍ
、好ましくは０．０夕〜２゜０μｍである。
本発明に用いられる磁性金属材料としては、）’ｅＳ
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属あるいはＦｅＣｏ。
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属あるいはＦｅＣｏ。
Ｆｃ−ＮｉＸＣｏ Ｎｉ、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ。
Ｆｅ Ｒｈｓ Ｆｅ−ＣｕＸＣｏ ｃｕＸｃｏ−Ａ
ｕＸＣｏ−Ｙ、Ｃｏ Ｌａ、Ｃｏ Ｐｒ、Ｃ。
ｕＸＣｏ−Ｙ、Ｃｏ Ｌａ、Ｃｏ Ｐｒ、Ｃ。
−Ｇｄ、Ｃｏ−８ｍ１ Ｃｏ Ｐ ｔｓ Ｎ １−Ｃ
ｕ。
ｕ。
Ｆ ｅ −Ｃｒ、Ｃｃ） ＣｒＸＮｒ ＣｒＸＦ
ｅ−ＣｏＣｒ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｆｅ−Ｃｏ −Ｎ
ｉ Ｃｒ等の強８性合金である。
ｅ−ＣｏＣｒ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｃｒ、 Ｆｅ−Ｃｏ −Ｎ
ｉ Ｃｒ等の強８性合金である。
本発明に用いられる基体としてはポリエチレンテレフタ
レート、ボリイばド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナ７
夕し′−トのような高分子基体の他、Ａｌ、ＡＪ金合金
Ｔｉ、Ｔｉ合金、ガラスのような基体も用いられる。
レート、ボリイばド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三
酢酸セルロース、ポリカーボネート、ポリエチレンナ７
夕し′−トのような高分子基体の他、Ａｌ、ＡＪ金合金
Ｔｉ、Ｔｉ合金、ガラスのような基体も用いられる。
本発明の磁気記録媒体においては、必要に応じ磁性金在
材料蒸着膜上に潤滑剤層わるい＃″ｉ基体裏面にいわゆ
るバック層を設けてもよい。また磁性金属材料蒸着膜と
基体の間に有機あるいは無機物よりなる下地層を設けて
もよい。
材料蒸着膜上に潤滑剤層わるい＃″ｉ基体裏面にいわゆ
るバック層を設けてもよい。また磁性金属材料蒸着膜と
基体の間に有機あるいは無機物よりなる下地層を設けて
もよい。
次に実施例をもって本発明を具体的罠説明するが、本発
明はこれらに限定されるものではない。
明はこれらに限定されるものではない。
実施例り
第１図に示した巻取り式Ｎ着装型を用いて、ｌ／、！μ
ｍＪ！￥のポリエチレンテレフタレートフィルム上Ｋａ
性金属材料としてｐｅを蒸発させると同時Ｋｍ素と酸素
の混合イオンビーム（混合比は窒：Ａ／酸素を／／とし
た）を照射させて蒸着膜を形成させた。この際マスクλ
ｔ Ｖ（、規制される入射角を７０°とし、蒸着膜の厚
みはＱ、２２ｍとした。イオンビーム照射ｆｒ Ｆｉ／
Ｏｍ Ａ／ｃｒｎ２一定としなからＦｅの蒸着速度Ｒ
をよ〜コタＱλ／秒と変化させてサンプルを数種作成し
、これらについて耐錆性と磁気特性を測定した。＃錆性
についてはＪ工５Ｚ２３７／の塩水噴霧テスト法に準拠
しにチ濃度の塩水噴霧テストを１０時間実施後の錆の発
生状況をｊ段階評価によシ調べた。磁気特性については
ＶＳＭ（試料振動型出力計）によジ８化曲線の角型比を
測定した。結果は表／のとおりでちる。
ｍＪ！￥のポリエチレンテレフタレートフィルム上Ｋａ
性金属材料としてｐｅを蒸発させると同時Ｋｍ素と酸素
の混合イオンビーム（混合比は窒：Ａ／酸素を／／とし
た）を照射させて蒸着膜を形成させた。この際マスクλ
ｔ Ｖ（、規制される入射角を７０°とし、蒸着膜の厚
みはＱ、２２ｍとした。イオンビーム照射ｆｒ Ｆｉ／
Ｏｍ Ａ／ｃｒｎ２一定としなからＦｅの蒸着速度Ｒ
をよ〜コタＱλ／秒と変化させてサンプルを数種作成し
、これらについて耐錆性と磁気特性を測定した。＃錆性
についてはＪ工５Ｚ２３７／の塩水噴霧テスト法に準拠
しにチ濃度の塩水噴霧テストを１０時間実施後の錆の発
生状況をｊ段階評価によシ調べた。磁気特性については
ＶＳＭ（試料振動型出力計）によジ８化曲線の角型比を
測定した。結果は表／のとおりでちる。
実施例λ
第１図に示した巻取り式蒸着装置を用いて、／λ、ｊμ
ｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに向けて磁
性金属材料としてＣｏＮｉ （Ｎｉ−！重ｉ％）を蒸発
させると同時にｅ１素のイオンビームを照射させて蒸着
膜を形成した。この際マスクλＡＶＣ規制される入射角
を！よ０とし、蒸着膜のＪ￥、みは０．１ｊμｍとした
。蒸着速度ＲＦｉ／！０λ／秒一定としながらイオンビ
ーム照射量工をＪ〜ｌＯＱｍＡ／α２と変化させてテン
プルを数種作成し、これらについて実施例１と同様にし
て耐錆性および磁気特性を測定したところ表コのようで
あった。
ｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに向けて磁
性金属材料としてＣｏＮｉ （Ｎｉ−！重ｉ％）を蒸発
させると同時にｅ１素のイオンビームを照射させて蒸着
膜を形成した。この際マスクλＡＶＣ規制される入射角
を！よ０とし、蒸着膜のＪ￥、みは０．１ｊμｍとした
。蒸着速度ＲＦｉ／！０λ／秒一定としながらイオンビ
ーム照射量工をＪ〜ｌＯＱｍＡ／α２と変化させてテン
プルを数種作成し、これらについて実施例１と同様にし
て耐錆性および磁気特性を測定したところ表コのようで
あった。
表１
実施例λ
第１図に示した巻取り式蒸着装置を用いて、？。
ｊμｍＪ１［のポリエチレンテレフタレートフィルムに
磁性金属材料として）’ｅＣｏ （Ｃｏ７０重量％）を
蒸発させると同時に窒素のイオンビームを照射させて蒸
着膜分形成した。この際マスク１ｔに規制される入射角
をぷｊｏとし蒸着膜の厚みは００ｉｔμｍとした。イオ
ンビーム照ｉｔＩはｒ ｏｍＡ／ｃｒｎ２一定としなが
ら）’ｅＣ□の蒸着速度Ｒを２０〜／λ００＾／秒と変
化させてサンプルを１：！１種作成し、これらＫついて
実施例１と同様にして耐錆性と磁気特性を測定した。測
定結果は表３のとおりである。
磁性金属材料として）’ｅＣｏ （Ｃｏ７０重量％）を
蒸発させると同時に窒素のイオンビームを照射させて蒸
着膜分形成した。この際マスク１ｔに規制される入射角
をぷｊｏとし蒸着膜の厚みは００ｉｔμｍとした。イオ
ンビーム照ｉｔＩはｒ ｏｍＡ／ｃｒｎ２一定としなが
ら）’ｅＣ□の蒸着速度Ｒを２０〜／λ００＾／秒と変
化させてサンプルを１：！１種作成し、これらＫついて
実施例１と同様にして耐錆性と磁気特性を測定した。測
定結果は表３のとおりである。
表３
上の実施例から明らかなように破性金属材料の蒸着速度
Ｒ（１７秒）と窒素あるいは酸素から選ばれた少なくと
も１種のイオンビームの照射量Ｉ（ｍＡ／ｃＴｎ２）の
比重を一〜／ｊとして作成した工 ８気記録媒体は耐錆性および磁気特性、特に角型性の両
方においてすぐれるものである。
Ｒ（１７秒）と窒素あるいは酸素から選ばれた少なくと
も１種のイオンビームの照射量Ｉ（ｍＡ／ｃＴｎ２）の
比重を一〜／ｊとして作成した工 ８気記録媒体は耐錆性および磁気特性、特に角型性の両
方においてすぐれるものである。
このように本発明の方法によれは耐錆性および磁気特性
にすぐれる蒸着槃磁気記録媒体を製造できるもので、本
発明の製造方法による蒸Ｎ型磁気記録媒体の実用上のメ
リットは大である。
にすぐれる蒸着槃磁気記録媒体を製造できるもので、本
発明の製造方法による蒸Ｎ型磁気記録媒体の実用上のメ
リットは大である。
第１図は本発明による磁気記録媒体の製造方法を実施す
るための装置の一例を概略的に示している。 ／／・・・・・・真空槽 ｌλ・・・・・・１４壁 ／３・・・・・・取巻室 ｌ≠・・・・・・蒸着室、／ｊ、／ｌ・・・・・・真空
排気口／７・・・・・・テープ状非磁性基体 ／ｒ・・・・・・送出しロール ｌり・・・・・・回転キャン ・ λＯ・・・・・・取巻ロール コト・・・・・蒸発源ルツボ コλ・・・・・・磁性金属材料 λ３・−・・・−電子銃、λ弘・・・・・・電子ビーム
、２よ・・・・・−蒸気流 ２≦・・・・・・マスク ２７・・・・・・イオン銃 λｒ・−・・・・イオンビーム
るための装置の一例を概略的に示している。 ／／・・・・・・真空槽 ｌλ・・・・・・１４壁 ／３・・・・・・取巻室 ｌ≠・・・・・・蒸着室、／ｊ、／ｌ・・・・・・真空
排気口／７・・・・・・テープ状非磁性基体 ／ｒ・・・・・・送出しロール ｌり・・・・・・回転キャン ・ λＯ・・・・・・取巻ロール コト・・・・・蒸発源ルツボ コλ・・・・・・磁性金属材料 λ３・−・・・−電子銃、λ弘・・・・・・電子ビーム
、２よ・・・・・−蒸気流 ２≦・・・・・・マスク ２７・・・・・・イオン銃 λｒ・−・・・・イオンビーム
Claims (1)
- 非磁性基体上に磁性金属材料を蒸着せしめると同時に窒
素および酸素から選ばれた少なくとも１種のイオンビー
ムを照射せしめて磁気記録媒体を製造する方法において
、該非磁性基体への該磁性金属材料の蒸着速度Ｒ（Å／
秒）と該イオンビームの照射量Ｉ（ｍＡ／ｃｍ＾２）の
比Ｒ／Ｉを２〜１５とすることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13987185A JPS621121A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13987185A JPS621121A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS621121A true JPS621121A (ja) | 1987-01-07 |
Family
ID=15255500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13987185A Pending JPS621121A (ja) | 1985-06-26 | 1985-06-26 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS621121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230965A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Hitachi Ltd | 薄膜の製作方法 |
| JPH0250950A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着フィルムの製造方法 |
-
1985
- 1985-06-26 JP JP13987185A patent/JPS621121A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62230965A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-09 | Hitachi Ltd | 薄膜の製作方法 |
| JPH0250950A (ja) * | 1988-08-12 | 1990-02-20 | Toppan Printing Co Ltd | 蒸着フィルムの製造方法 |
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