JPH0250950A - 蒸着フィルムの製造方法 - Google Patents
蒸着フィルムの製造方法Info
- Publication number
- JPH0250950A JPH0250950A JP20256888A JP20256888A JPH0250950A JP H0250950 A JPH0250950 A JP H0250950A JP 20256888 A JP20256888 A JP 20256888A JP 20256888 A JP20256888 A JP 20256888A JP H0250950 A JPH0250950 A JP H0250950A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- metal
- vapor
- thin
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 17
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 18
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 abstract description 16
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 abstract description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 abstract description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 3
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000001659 ion-beam spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003373 anti-fouling effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000005022 packaging material Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、高分子基村上への金属化合物薄膜を形成した
蒸着フィルムの製造方法に関し、特に、酸化物、窒化物
の化合物薄膜を形成した蒸着フィルムの製造方法に関す
る。
蒸着フィルムの製造方法に関し、特に、酸化物、窒化物
の化合物薄膜を形成した蒸着フィルムの製造方法に関す
る。
〈従来技術〉
近年、薄膜化技術の発展に伴い、従来からの精密電子分
野等におけるシリコンウェハー上への薄膜形成から、耐
熱性のない高分子基材上への薄膜形成が検討されている
。
野等におけるシリコンウェハー上への薄膜形成から、耐
熱性のない高分子基材上への薄膜形成が検討されている
。
特に高分子基材上への薄膜形成としては、真空蕉着、ス
パッタリング法により行われ、A1. Cr、Ag、
Au、等の薄膜は従来から装飾、包装材料の分野で、更
にはコンデンサー材料として、多量生産されている。
パッタリング法により行われ、A1. Cr、Ag、
Au、等の薄膜は従来から装飾、包装材料の分野で、更
にはコンデンサー材料として、多量生産されている。
しかし、より高機能、高付加価値を付与するためには、
単に金属薄膜を施すだけでは限界があり、現在、様々な
方法で各種化合物薄膜を設けることが検討されている。
単に金属薄膜を施すだけでは限界があり、現在、様々な
方法で各種化合物薄膜を設けることが検討されている。
例えば、前記薄膜を設けろ手段として、■反応性蒸着、
■反応性スパッタリング、0反応性イオンブレーティン
グの方法があり、それぞれの方法には、以下のような特
徴を有する。
■反応性スパッタリング、0反応性イオンブレーティン
グの方法があり、それぞれの方法には、以下のような特
徴を有する。
まず、■の反応性蒸着は、金属または金属化合物を一般
的な加熱方法で蒸発させ、この活性種と化合物化したい
活性種をマイクロ波、高周波等によりプラズマ励起させ
、基材上に薄膜を形成させる方法があるが、金属化合物
(酸化物、窒化物)の蒸着は、分解等により真空度が不
安定でかつ、蒸着速度も安定せず、安定蒸着が容易でな
い。更には活性種のイオン化効率があまり高くできない
ことにより、高分子基材上に成膜されたものは金属成分
が多くなりやすく、かつ、均一なものは得られにくい。
的な加熱方法で蒸発させ、この活性種と化合物化したい
活性種をマイクロ波、高周波等によりプラズマ励起させ
、基材上に薄膜を形成させる方法があるが、金属化合物
(酸化物、窒化物)の蒸着は、分解等により真空度が不
安定でかつ、蒸着速度も安定せず、安定蒸着が容易でな
い。更には活性種のイオン化効率があまり高くできない
ことにより、高分子基材上に成膜されたものは金属成分
が多くなりやすく、かつ、均一なものは得られにくい。
また、■の反応性スパッタリングによる薄膜を形成する
方法について述べると、この方法では、基本的に成膜し
たい薄膜材料のスパッタリンゲタゲットが作成できれば
、前述の反応性蒸着法により形成した薄膜はど、得られ
る化合物薄膜の均一性には問題がないが、このターゲッ
トが非常に高価になり、かつ、入手に時間がかかる。
方法について述べると、この方法では、基本的に成膜し
たい薄膜材料のスパッタリンゲタゲットが作成できれば
、前述の反応性蒸着法により形成した薄膜はど、得られ
る化合物薄膜の均一性には問題がないが、このターゲッ
トが非常に高価になり、かつ、入手に時間がかかる。
そのうえ、前述の方法と同様にターゲット物質そのもの
と同組成物の薄膜成膜には、問題があり、スパッタリン
グによりたたき出された物質は、分解しながら基材上に
成膜される点では、前述の反応性蒸着法と同じである。
と同組成物の薄膜成膜には、問題があり、スパッタリン
グによりたたき出された物質は、分解しながら基材上に
成膜される点では、前述の反応性蒸着法と同じである。
この反応性スパッタの最大の問題点は成膜速度、すなわ
ち、生産性が極めて小さいことである。
ち、生産性が極めて小さいことである。
■の反応イオンブレーティング法は、■の反応性蒸着と
基本的な点では同じであるが、蒸発された成膜活性種が
、蒸発源と基材間でプラズマ励起によりイオン化され、
かつ、基材上に電界により加速し、成膜する方法である
。
基本的な点では同じであるが、蒸発された成膜活性種が
、蒸発源と基材間でプラズマ励起によりイオン化され、
かつ、基材上に電界により加速し、成膜する方法である
。
この方法はハツチ式による方法では金属酸化物、窒化物
を成膜は可能であるが、高分子基材上に連続的に金属化
合物を成膜することは、装置面に問題があり、技術的に
問題が残されている。
を成膜は可能であるが、高分子基材上に連続的に金属化
合物を成膜することは、装置面に問題があり、技術的に
問題が残されている。
上記方法以外にも、イオンビームスパッタリング(IB
S)、イオンヘーパーディポジション(IVD)、クラ
スターイオンビーム法など色々の方法が検討されている
が、いずれも使用できる基材としては、ガラス等の耐熱
性のある材料に特定され、高分子基材のようなガラス等
と比較して耐熱性のないものについては、装置的に問題
があり、かつ、連続的に処理できる装置等も開発途上で
あるのが現状である。
S)、イオンヘーパーディポジション(IVD)、クラ
スターイオンビーム法など色々の方法が検討されている
が、いずれも使用できる基材としては、ガラス等の耐熱
性のある材料に特定され、高分子基材のようなガラス等
と比較して耐熱性のないものについては、装置的に問題
があり、かつ、連続的に処理できる装置等も開発途上で
あるのが現状である。
〈発明が解決しようとする課題〉
以上のような従来の方法では、高分子基材上に金属化合
物薄膜を成膜するには、薄膜組成均一性、成膜速度が遅
いという点、更には連続的に高速成膜できないなどの問
題点があった。
物薄膜を成膜するには、薄膜組成均一性、成膜速度が遅
いという点、更には連続的に高速成膜できないなどの問
題点があった。
本発明の目的は、高速で蒸着を行っても均一な金属化合
物薄膜を高分子フィルム状に形成できる蒸着フィルムの
製造方法を提供することである。
物薄膜を高分子フィルム状に形成できる蒸着フィルムの
製造方法を提供することである。
〈課題を解決するための手段〉
本発明は、成膜し、次いで、該金属化合物を形成される
べく活性種からなるイオン源から該金属薄膜層に該イオ
ン注入を同一真空系内で行うことにより、化合物薄膜を
形成する蒸着フィルムの製造方法である。
べく活性種からなるイオン源から該金属薄膜層に該イオ
ン注入を同一真空系内で行うことにより、化合物薄膜を
形成する蒸着フィルムの製造方法である。
具体的には、本発明は真空系内で高分子基材を円柱状の
冷却ロールに密着しながら金属を真空蒸着法により連続
的に薄膜成膜し、金属蒸着層を形成し、次いで、酸素、
窒素等から成るイオン種を該金属蒸着層に注入すること
で、最外層を連続的に化合物薄膜を形成することを特徴
とする蒸着フィルムの製造方法である。
冷却ロールに密着しながら金属を真空蒸着法により連続
的に薄膜成膜し、金属蒸着層を形成し、次いで、酸素、
窒素等から成るイオン種を該金属蒸着層に注入すること
で、最外層を連続的に化合物薄膜を形成することを特徴
とする蒸着フィルムの製造方法である。
以下、さらに詳細に説明すると第1図は、上記本発明の
蒸着フィルムの製造方法に使用する装置の説明図である
。
蒸着フィルムの製造方法に使用する装置の説明図である
。
まず、高分子フィルム(1)が真空系内(2)で巻き出
しく3)から連続的に幾つかの制御ロール(4)、ダン
サ−ロール(5)、エキスパンダーロール(6)ヲ通す
、抵抗加熱、高周波誘導加熱、または電子ビーム加熱等
の加熱手段(7)により金属薄膜を高分子フィルム上に
連続的、または部分的に形成し、次いで、窒素、酸素ま
たはこれらを含む混合ガスから成るイオンビーム(8)
を該金属薄膜上に連続的または断続的にあて、該金属薄
膜の最外層または全体を金属化合物化させながら、同様
に幾つかのロールを経て、巻取りロール(9)に一定ス
ピードで巻き取り、製造される。
しく3)から連続的に幾つかの制御ロール(4)、ダン
サ−ロール(5)、エキスパンダーロール(6)ヲ通す
、抵抗加熱、高周波誘導加熱、または電子ビーム加熱等
の加熱手段(7)により金属薄膜を高分子フィルム上に
連続的、または部分的に形成し、次いで、窒素、酸素ま
たはこれらを含む混合ガスから成るイオンビーム(8)
を該金属薄膜上に連続的または断続的にあて、該金属薄
膜の最外層または全体を金属化合物化させながら、同様
に幾つかのロールを経て、巻取りロール(9)に一定ス
ピードで巻き取り、製造される。
この場合、金属薄膜を形成する直前に加熱ロール00)
、赤外オープン02)等なんらかの手段で高分子フィル
ム表面を瞬間的にガラス転移点以上の温度に加熱させる
ことにより、基材フィルムと薄膜の密着性を向上するこ
とが可能である。
、赤外オープン02)等なんらかの手段で高分子フィル
ム表面を瞬間的にガラス転移点以上の温度に加熱させる
ことにより、基材フィルムと薄膜の密着性を向上するこ
とが可能である。
また、更にイオンビームにより、金属蒸着層上にイオン
注入を行なった後、高分子フィルムの耐熱温度以内でア
シスト的に加熱部03)で熱処理することで、金属蒸着
層の金属化合物化の促進効果がある。
注入を行なった後、高分子フィルムの耐熱温度以内でア
シスト的に加熱部03)で熱処理することで、金属蒸着
層の金属化合物化の促進効果がある。
(8)のイオンビームとは、窒素酸素等のガスがボンベ
QOからイオンソース(30)に導入され、イオンビー
ムを発生させる。このイオンビーム(8)は、電場(3
1)で加速され、前工程で高分子フィルム上に形成した
金属薄膜上に照射し、イオン注入される。
QOからイオンソース(30)に導入され、イオンビー
ムを発生させる。このイオンビーム(8)は、電場(3
1)で加速され、前工程で高分子フィルム上に形成した
金属薄膜上に照射し、イオン注入される。
しかし、この効果は最外層から数十〜数千人オーダーの
深さになるように、ビームパワーを調整しなければなら
ない。通常のシリコンウェハー等へのイオン注入と同様
な条件で処理すると耐熱性のない高分子フィルムの場合
、基材が熱変性し分解していまい好ましくない。用いる
イオン源により条件は異なるが、ビーム電流で数mA〜
100mAが適当である。詳細な条件は、用いる高分子
基材、金属蒸着層の種類、イオン源の種類、高分子基材
、金属蒸着層の厚さ等により異なる。
深さになるように、ビームパワーを調整しなければなら
ない。通常のシリコンウェハー等へのイオン注入と同様
な条件で処理すると耐熱性のない高分子フィルムの場合
、基材が熱変性し分解していまい好ましくない。用いる
イオン源により条件は異なるが、ビーム電流で数mA〜
100mAが適当である。詳細な条件は、用いる高分子
基材、金属蒸着層の種類、イオン源の種類、高分子基材
、金属蒸着層の厚さ等により異なる。
本発明に用いられる高分子フィルムとしては、ポリ塩化
ビニル、ポリエチレン、ポリエステルフィルム、ポリビ
ニルブチラール、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ
アミド、ポリカーボネート、セロハン等があり、単体、
もしくは積層体にしたもののいずれでもかまわない。そ
して、通常5〜300μmで好ましくは、12〜100
μmであり、必要に応じて、絵・文字等の印刷層を施し
てもよい。
ビニル、ポリエチレン、ポリエステルフィルム、ポリビ
ニルブチラール、ポリプロピレン、ポリウレタン、ポリ
アミド、ポリカーボネート、セロハン等があり、単体、
もしくは積層体にしたもののいずれでもかまわない。そ
して、通常5〜300μmで好ましくは、12〜100
μmであり、必要に応じて、絵・文字等の印刷層を施し
てもよい。
のものと同じでかまわない。すなわち400〜2000
人で十分である。イオン注入による化合物層は数十から
多くても1000人程度なので、1000Å以上あまり
厚く蒸着層を設けると最終的に高分子基材上に設けられ
た層は金属−金属化合物層となり均一化合物層にならな
い。
人で十分である。イオン注入による化合物層は数十から
多くても1000人程度なので、1000Å以上あまり
厚く蒸着層を設けると最終的に高分子基材上に設けられ
た層は金属−金属化合物層となり均一化合物層にならな
い。
一方、蒸着層が薄すぎるとイオン注入によるヘスの高分
子基材への劣化が影響することから、金属蒸着層の厚は
数百〜1000人が好ましい。
子基材への劣化が影響することから、金属蒸着層の厚は
数百〜1000人が好ましい。
〈作用〉
本発明によれば、同一真空系内で第一工程に金属成膜、
第二工程にイオン注入を少なくとも一工程設けることで
、従来にない金属蒸着を行う速度で極めて高速で金属化
合物薄膜を耐熱性の乏しい高分子基材上に成膜すること
ができた。
第二工程にイオン注入を少なくとも一工程設けることで
、従来にない金属蒸着を行う速度で極めて高速で金属化
合物薄膜を耐熱性の乏しい高分子基材上に成膜すること
ができた。
〈実施例−1〉
第2図に示した装置を使用し、ポリエチレンテレフタレ
ートフィルム(以下PETと称す)上に窒化ケイ素を成
膜した例について説明する。真空系内をI X 1O−
5Torrまで排気したあと、巻出しく3)からPET
12 μを一定スピードで供給し、制御ロール(4)、
ダンサ−ロール(5)を通り、−20°Cに温調されて
いる冷却ロール(500)より裏面から冷却されながら
電子ビーム加熱により、蒸着源(7)から金属ケイ素(
4Nアツプ)を600〜700人になるように前記高分
子フィルム表面に連続的に成膜した。更にこのケイ素が
連続的に成膜されている高分子フィルム(40)の金属
ケイ素層に純窒素(5Nup)から成る窒素イオンビー
ム(0,1mA/ c+]、500v加速)により、イ
オン注入処理を行ない連続的に巻取り(9)に巻取った
。
ートフィルム(以下PETと称す)上に窒化ケイ素を成
膜した例について説明する。真空系内をI X 1O−
5Torrまで排気したあと、巻出しく3)からPET
12 μを一定スピードで供給し、制御ロール(4)、
ダンサ−ロール(5)を通り、−20°Cに温調されて
いる冷却ロール(500)より裏面から冷却されながら
電子ビーム加熱により、蒸着源(7)から金属ケイ素(
4Nアツプ)を600〜700人になるように前記高分
子フィルム表面に連続的に成膜した。更にこのケイ素が
連続的に成膜されている高分子フィルム(40)の金属
ケイ素層に純窒素(5Nup)から成る窒素イオンビー
ム(0,1mA/ c+]、500v加速)により、イ
オン注入処理を行ない連続的に巻取り(9)に巻取った
。
このとき赤外オープン面で化合物化を促進するために成
膜表面を加熱、アシストした。
膜表面を加熱、アシストした。
得られたフィルムの成膜面をEPMA、 ESCA に
より定性、組成分析したところ、薄膜層はSi、O,N
、Cの成分が確認され、更にESCAにより薄膜層の最
外層から300人までの深さ方向に、窒化ケイ素の存在
とおもわれるSi、及びNのピークが認められた。
より定性、組成分析したところ、薄膜層はSi、O,N
、Cの成分が確認され、更にESCAにより薄膜層の最
外層から300人までの深さ方向に、窒化ケイ素の存在
とおもわれるSi、及びNのピークが認められた。
また、窒化ケイ素以外に酸化ケイ素物のピークも同時に
確認された。これは真空系内への残酸素、及び高分子フ
ィルムから放出ガスによる影響と考えられる。
確認された。これは真空系内への残酸素、及び高分子フ
ィルムから放出ガスによる影響と考えられる。
次に、このフィルムと未延伸ポリプロピレン(厚さ60
μ)を二液硬化型ウレタン接着剤を用い、ドライラミネ
ート、積層フィルムを得た。50’C−4clay エ
ージングした後、この積層フィルムのガスバリアー性を
測定したところ、1 cc/ n(−day、atm(
at 25 °C−100%RH)以下であった。
μ)を二液硬化型ウレタン接着剤を用い、ドライラミネ
ート、積層フィルムを得た。50’C−4clay エ
ージングした後、この積層フィルムのガスバリアー性を
測定したところ、1 cc/ n(−day、atm(
at 25 °C−100%RH)以下であった。
更にこの積層フィルムの外観性は、無色透明で、透明性
としては可視部領域(400〜800nm)で、90%
以上の透過率を示した。
としては可視部領域(400〜800nm)で、90%
以上の透過率を示した。
〈実施例−2〉
実施例−1と同様にしてケイ素を芸着し次いで酸素イオ
ン注入処理を施した。EPMA、ESCAにより組成分
析しなところ、薄膜層は、5ixOy(x・1〜2Y・
0〜3)であった。同時に実施例と同様無延伸ポリプロ
ピレンフィルムをラミネートシ、ガスバリヤ−性を評価
したところ1〜2 cc / rtf 、day、at
m(at25°C−100%RI+ )で良好な結果を
示シタ。
ン注入処理を施した。EPMA、ESCAにより組成分
析しなところ、薄膜層は、5ixOy(x・1〜2Y・
0〜3)であった。同時に実施例と同様無延伸ポリプロ
ピレンフィルムをラミネートシ、ガスバリヤ−性を評価
したところ1〜2 cc / rtf 、day、at
m(at25°C−100%RI+ )で良好な結果を
示シタ。
〈発明の効果〉
以上説明とだ様に本発明のように同一真空系内で金属薄
膜形成工程、その後の酸素、窒素を含むイオンビームに
より該金属薄膜層内にイオン注入処理をする工程を少な
くとも一組設けることで、従来のPVD法では容易でな
かった金属窒化物、金属酸化物を、耐熱性のない高分子
フィルム上等へ金属蒸着を施すのと同程度の高速、かつ
大量連続的に成膜することができるようになった。
膜形成工程、その後の酸素、窒素を含むイオンビームに
より該金属薄膜層内にイオン注入処理をする工程を少な
くとも一組設けることで、従来のPVD法では容易でな
かった金属窒化物、金属酸化物を、耐熱性のない高分子
フィルム上等へ金属蒸着を施すのと同程度の高速、かつ
大量連続的に成膜することができるようになった。
第1、第2図は本発明の薄膜形成装置の概略説明図であ
る。 (1)高分子フィルム (7)蒸着源(2)真空
槽 (8)イオンビーム(3)巻き出し
ロール (9)巻取りロール(4)制御ロール
00)加熱ロール(5)ダンサ−ロール
02)赤外オーブン(6)エキスパンダーロール
0■加熱部(100)防着マスク QΦガス供給 (31)電場 (30)イオンソース (40)イオン注入部 (200) マスフローコントローラー(40)油拡
散ポンプ (50)メカニカルブースタ (60)冷凍機 (70)油回転ポンプ
る。 (1)高分子フィルム (7)蒸着源(2)真空
槽 (8)イオンビーム(3)巻き出し
ロール (9)巻取りロール(4)制御ロール
00)加熱ロール(5)ダンサ−ロール
02)赤外オーブン(6)エキスパンダーロール
0■加熱部(100)防着マスク QΦガス供給 (31)電場 (30)イオンソース (40)イオン注入部 (200) マスフローコントローラー(40)油拡
散ポンプ (50)メカニカルブースタ (60)冷凍機 (70)油回転ポンプ
Claims (2)
- (1)同一真空系内で高分子基体上に連続的または、部
分的に金属蒸着形成し、次いで、該金属蒸着層に連続的
、または部分的に、イオン注入を行ない、前記金属蒸着
層を金属化合物薄膜とすることを特徴とする蒸着フィル
ムの製造方法。 - (2)イオンソースとして、酸素、窒素のいずれか一方
、または前記二種の混合ガスからなる請求項(1)の蒸
着フィルムの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202568A JP3031551B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガスバリアー性蒸着フィルムの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63202568A JP3031551B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガスバリアー性蒸着フィルムの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0250950A true JPH0250950A (ja) | 1990-02-20 |
JP3031551B2 JP3031551B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=16459654
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63202568A Expired - Lifetime JP3031551B2 (ja) | 1988-08-12 | 1988-08-12 | ガスバリアー性蒸着フィルムの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3031551B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011214091A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5887818A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成法 |
JPS61120348A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | Nissin Electric Co Ltd | 磁気記録媒体製造装置 |
JPS621121A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS62287068A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビ−ム蒸着装置 |
-
1988
- 1988-08-12 JP JP63202568A patent/JP3031551B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5887818A (ja) * | 1981-11-19 | 1983-05-25 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成法 |
JPS61120348A (ja) * | 1984-11-15 | 1986-06-07 | Nissin Electric Co Ltd | 磁気記録媒体製造装置 |
JPS621121A (ja) * | 1985-06-26 | 1987-01-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
JPS62287068A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-12 | Nissin Electric Co Ltd | イオンビ−ム蒸着装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011214091A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Dainippon Printing Co Ltd | 真空成膜装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3031551B2 (ja) | 2000-04-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4756964A (en) | Barrier films having an amorphous carbon coating and methods of making | |
KR20040030059A (ko) | 증착 필름 | |
EP0931853A3 (en) | Method of depositing barrier coatings by plasma assisted chemical vapour deposition | |
KR100336621B1 (ko) | 고분자 기판 위의 인듐산화물 또는 인듐주석산화물 박막증착 방법 | |
US5704980A (en) | Method of and apparatus for making plastic film with barrier layers | |
JPH0250950A (ja) | 蒸着フィルムの製造方法 | |
JP2007297712A (ja) | プラズマを利用して堆積された薄いシード層を介してのメタライゼーション | |
JP2870003B2 (ja) | 蒸着フィルムの製造方法 | |
CN114829670B (zh) | 氧化硅涂覆的聚合物膜以及用于生产其的低压pecvd方法 | |
JPH0317252A (ja) | バリアーフィルムの製造方法 | |
WO2020236463A1 (en) | Coating process, and associated system and parts | |
JPH03153859A (ja) | 表面改質プラスチック | |
JPH08209329A (ja) | 巻き取り式蒸着装置及びcvd装置 | |
JP3266625B2 (ja) | 紫外線遮蔽フィルムの製造方法 | |
WO2003080890A1 (fr) | Procede et dispositif de production de couches minces | |
JPH0314906B2 (ja) | ||
JPS60131964A (ja) | 膜被覆物の製造方法 | |
JPH0560904A (ja) | 光学部品およびその製造方法 | |
JPS6318053A (ja) | 有色薄膜の生成方法 | |
WO1987005637A1 (en) | Continuous ion plating device for rapidly moving film | |
JPH02163366A (ja) | 鉄又は、鋼材料表面へのクロム層形成方法 | |
JPH0663088B2 (ja) | 帯板の連続複合コ−テイング設備 | |
JPH03166357A (ja) | 金属箔の製造方法並びに金属箔 | |
JP2870937B2 (ja) | 金属蒸着フィルムの製造方法 | |
JP2005220445A (ja) | 巻き取り式蒸着装置及びcvd装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080210 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090210 Year of fee payment: 9 |