JP4936613B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングターゲット、それから成膜された反強磁性体膜、その反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以前より、高密度磁気記録における再生用ヘッドとして、磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドの研究が進められている。
【０００３】
現在、この磁気抵抗効果素子材料としては、８０原子％Ｎｉ−２０原子％Ｆｅ（通称：パーマロイ）合金薄膜が一般に使用されている。
【０００４】
さらに、近年このパーマロイに代わる材料として、巨大磁気抵抗効果を示す（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ等の人工格子膜やスピンバルブ膜が注目されている。
【０００５】
これらの従来の材料を用いた磁気抵抗効果膜は磁区を持つため、これに起因するバルクハウゼンノイズが実用化の上で問題となっており、磁気抵抗効果膜を単磁区化する方法が検討されている。
【０００６】
その方法の一つに、強磁性体膜である磁気抵抗効果膜と反強磁性体膜との交換結合を利用して磁気抵抗効果膜の磁区を特定方向に制御する方法がある。この方法を適用した反強磁性体膜としては、例えば米国特許第４１０３３１５号あるいは米国特許第５３１５４６８号に記載されているようなγ−ＦｅＭｎ合金膜が従来から知られている。
【０００７】
さらに、近年ではスピンバルブ膜の磁性膜の磁化をピン止めするために、反強磁性体膜と強磁性体膜との交換結合を利用する技術も普及している。この反強磁性体膜としてもγ−ＦｅＭｎ合金膜が使用されている。
【０００８】
また、反強磁性体膜として、米国特許第４１０３３１５号には、ＰｔＭｎあるいはＰｈＭｎ合金などγ−ＦｅＭｎ合金以外の他のγ−Ｍｎ系合金膜を用いた例が記載されている。
【０００９】
さらに、米国特許第５３１５４６８号には、面心立方晶系の結晶構造を有するＮｉＭｎ合金などのθ−Ｍｎ系合金で反強磁性膜を形成すると、高温域でも反強磁性体膜と強磁性体膜との結合力が低下しないことが示されている。
【００１０】
さらに、近年ＦｅＭｎ合金膜の耐食性を改善する材料として、ＩｒＭｎ合金膜も提案されるようになってきた。このＩｒＭｎ合金反強磁性膜は、優れた交換結合力と耐食性を持ち合わせており、注目されている。
【００１１】
また、このような磁気抵抗効果膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子（以下「ＴＭＲ素子」という）は、不揮発、高速書き込み、高速読み出しおよび大容量のメモリとしての磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ（以下「ＭＲＡＭ」という）への適用が注目を集めている。従来からランダムアクセスメモリは、ＤＲＡＭ等の半導体記憶装置により構成されているが、磁気効果を使って構成されることも可能である。
【００１２】
このようなＴＭＲ素子においても、強磁性体膜に反強磁性体膜を積層した構造とすることにより、強磁性体膜の磁化をピン止めして外部磁化により反転しないようにしてある。
【００１３】
上記各反強磁性体膜性膜の形成は、一般にスパッタリング法が採用されており、各合金膜を構成する元素よりなるスパッタリングターゲットを用いて基板上にスパッタすることにより成膜されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の反強磁性体スパッタリングターゲットはスパッタ時に２μｍ以上のダストが多く発生し、それを用いて形成された反強磁性体膜は、基板の中央と端部での組成ズレが生じ、歩留りの低下と組成ずれによる素子の特性劣化が生じる場合があった。
【００１５】
本発明は、上記従来の欠点を解決し、ダストの発生を抑え、基板上の組成ずれの少ない反強磁性体膜を形成可能なスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【００１６】
また、本発明は、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、信頼性の高い安定した反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の発明のスパッタリングターゲットは、請求項１に記載の通り、実質的に、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、モリブデン、タングステンおよびレニウムから選ばれる少なくとも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であること、を特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の第２の発明の反強磁性体膜は、請求項４に記載の通り、上記本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたものであること、を特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の第３の発明の磁気抵抗効果素子及び第４の発明のトンネル磁気抵抗効果素子は、請求項５および請求項６にそれぞれ記載の通り、上記反強磁性体膜を具備すること、を特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の第５の発明の磁気ヘッド及び第６の発明のＭＲＡＭは、請求項７及び請求項８にそれぞれ記載の通り、上記磁気抵抗効果素子またはトンネル磁気抵抗効果素子を具備すること、を特徴とするものである。
【００２１】
本発明においては、上記第１の発明によりダストの発生が少なく、形成される膜の組成ずれが少ないスパッタリングターゲットを得ることができる。
【００２２】
また、本発明の第２乃至第６の発明により、信頼性の高い反強磁性体膜、それを用いた磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、さらには、磁気ヘッド及びＭＲＡＭを得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
＜スパッタリングターゲット＞
本発明によるスパッタリングターゲットにおいて、マンガン（Ｍｎ）の量は１０原子％以上であることが好ましい。このＭｎ量があまり少ないと高い交換結合力が得られないため好ましくない。好ましいＭｎ量は１０〜９８原子％であり、さらに好ましくは４０〜９５原子％である。特に、スパッタリングターゲットが、下記に示すＭｎ以外の成分の中でイリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）を含有するものである場合には、Ｍｎ含有量が高含量側で高い交換結合力が得られるため、そのＭｎ量は２０〜９８原子％が好ましい。より好ましくは６０〜９５原子％である。
【００２４】
本発明によるスパッタリングターゲットを構成するマンガン以外の成分としては、先ず、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびレニウム（Ｒｅ）から選ばれる少なくとも１種の元素を挙げることができる。
【００２５】
そして、本発明のスパッタリングターゲットは、さらにベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドニウム（Ｃｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）および窒素（Ｎ）から選ばれる少なくとも１種の元素を含有することが好ましい。これらＢｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＮから選ばれる少なくとも１種の元素は、耐食性の向上のため含有されるものである。これらのさらに含有される元素の好ましい含有量は、４０原子％以下であり、さらに好ましくは３０原子％以下である。
【００２６】
また、本発明によるスパッタリングターゲットは、１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以下であるものである。
【００２７】
本発明でいう欠陥とは、スパッタリングターゲットのスパッタ面に存在する空孔、酸化物粒子その他の粒子等、本発明のスパッタリングターゲットの母材とは異なるものを意図している。
【００２８】
１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以上あると、その部分に電荷が集中することで、異常放電が頻繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中に分散しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり悪化の原因となる。より好ましい欠陥個数は５個以下であり、さらに好ましくは欠陥３個以下である。
【００２９】
ここで、欠陥数は下記の測定方法によって得られた値とする。
【００３０】
すなわち、図１に示すように、例えば円盤状のスパッタリングターゲットの中心部（位置１）と、この中心部を通り円周を均等に分割した４本の直線上の中心から９０％（中心を０％、半径の長さを１００％とする）の距離にある点（位置２〜９）、および中心から５０％（上記と同様に、中心を０％、半径の長さを１００％とする）の距離にある点（位置１０〜１７）から、それぞれ長さ１５ｍｍ、幅１５ｍｍの試験片を合計１７個採取する。採集された試験片を＃１０００まで研磨し、更にバフ研磨を行って、表面をダイアモンド研磨して鏡面にする。この鏡面研磨された試験片について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１０００倍で観察し、２μｍ以上の欠陥数をカウントしたものの平均値とする。
【００３１】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下でありかつスパッタされる面の場所により酸素含有量のばらつきが２０％以内であることが好ましい。これは、酸素含有量が２００ｐｐｍを越えている場合、欠陥部に酸化物を形成しやすくなり、酸化物の部分に電荷が集中することで、異常放電が頻繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中に分散しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり悪化の原因となるため、酸素含有量は２００ｐｐｍ以下が好ましいとした。好ましい酸素含有量は１５０ｐｐｍ以下であり、さらに好ましい酸素量は１００ｐｐｍ以下である。
【００３２】
また、スパッタリングターゲットの酸素量のばらつきが２０％を超えている場合、ターゲットにかかる単位面積当たりの電圧、電流にばらつきが生じ、スパッタ条件が変化し、膜組成のばらつきの原因となるため、酸素含有量のばらつきは２０％以内が好ましいとした。好ましい酸素含有量のばらつきは１０％以内であり、さらに好ましくは５％以内である。
【００３３】
ここで、酸素含有量は、記述の図１で示す１７のサンプルについて、不活性ガス融解−熱伝導度法で測定した平均値とする。
【００３４】
また、酸素含有量のばらつきは、同じく図１で示す１７のサンプルを測定して得られた１７の酸素含有量のうちの最大値および最小値から
｛ （最大値−最小値）／（最大値＋最小値） ｝ × １００
の式に基づいて求めた値の平均値を、単位（％）により表すものとする。
【００３５】
本発明によるスパッタターゲットは、スパッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下という要件が満たされるのであれば、任意の方法によって製造することができる。例えば、スパッタリングターゲットの原料である金属粉末を混合し、成形した後に、例えば常圧焼結、ホットプレス（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法などを実施することからなる粉末冶金法によって製造することができる。
【００３６】
以下、その一例を詳細に説明する。
【００３７】
本発明によるスパッタリングターゲットは、前記の通り酸素含有量が２００ｐｐｍ以下であることが好ましいことから、原料粉末は、スパッタリングターゲットの酸素含有量が前記のものとなるように、酸素含有量が低いものが好ましい。従って、本発明では、低酸素雰囲気、例えば不活性ガス雰囲気中で、原料金属の粉末化が行われるＲＤＰ（Rotating disk process）法およびＲＥＰ（Rotating electrode process）法などによって得られた金属粉末あるいは合金粉末を使用することが好ましい。ここで、ＲＤＰ法またはＲＥＰ法で粉末を製造する際に、各法で使用される冷却体の回転数を５０００回転以上とすることにより、粉末の酸素汚染を防止でき、かつ粉末同志の酸素含有量のばらつきを抑制することが可能となる。特に、これらの方法でＭｎと他の元素を合金化した合金粉末を使用することが、Ｍｎと他の元素の個々の粉末を混合する場合に比較し、酸素の増大の要因を低減することができ好ましい。なお、この原料粉末において直径５０μｍ以下の小さい粒子は比表面積が増大しスパッタリングターゲットの酸素量を増加させる傾向があり、一方直径が５００μｍ以上の過度に大きい粒子にはスパッタリングターゲットの酸素含有量のばらつきを増大させる傾向さらには焼結性を低下させる傾向が認められる。このため、得られた粉末に対し、篩分けなどを行い粒度分布毎に選別して、過度に粒径が小さい粒子あるいは大きい粒子は積極的には使用しないことが好ましい。好ましい粒径の範囲は５０〜１５０μｍである。特に、焼結性を向上する為に、粒径が大きい粉末と小さい粉末を所定の比率で再混合して使用することが好ましい。
【００３８】
そして、これらの粉末をホットプレス法などの手段により焼結し、焼結体を得る。特にホットプレス法を採用する場合、真空中（例えば真空度５×１０−４ torr以下）で所定時間加熱して脱ガス処理を行うが、その脱ガス処理が終了するまで予備加圧を付加しないことにより、粉末表面上の吸着ガス成分を十分に除去することで焼結性を向上することが可能となり、その結果、最終的に得られるスパッタリングターゲットの欠陥を低減することが可能となる。
【００３９】
得られた焼結体を、表面研磨などの常法の表面処理を施し、スパッタリングターゲットを得る。
【００４０】
従って、本発明では、▲１▼不活性ガス雰囲気中でＲＤＰ法またはＲＥＰ法などによって所定の回転数の冷却体で冷却して得られた合金粉末を、▲２▼粒度分布毎に選別して、粒径が過度に大きい粒子および小さい粒子を除去した後、あるいは、粒度分布毎に選別して得られた異なる粒径の粒子を所定の比率で再混合し、▲３▼この混合物を成形した後に、▲４▼予備加圧なしで脱ガス処理を施して焼結を行う、粉末冶金法によって製造することが好ましい。
【００４１】
具体的製造条件および製造方法等は、スパッタリングターゲットの具体的用途、目的、原料粉末の組成、酸素含有量、欠陥の発生などに状況に応じて適宜決定することができる。粒子の選別を省略すること及び直径１００μｍ以下の小粒子、５００μｍ以上の大粒子を使用することも本発明の趣旨に反しない限りにおいて行うこともできる。
【００４２】
なお、特開平１１-２６４０７０号公報に開示されているような溶解法の場合には、例えばＰｔ-Ｍｎ合金を製造する場合にＰｔが４０原子％以下になると溶解、鋳造が困難になって鋳造欠陥の多いターゲットとなってしまう場合があり、そして、酸素量を２００ｐｐｍに抑えるために粉末の粒径を大きくしなければならず、酸素量のばらつきが大きくて焼結性が劣化し、欠陥が多くなる傾向が認められる。
【００４３】
このような本発明で規定するスパッタリングターゲットは、ダストの発生を抑え、基板上の組成ずれの少ない反強磁性体膜を形成することができるものである。
【００４４】
＜反強磁性体膜＞
本発明による反強磁性体膜は、上記の本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたものである。
【００４５】
本発明の反強磁性体膜は、パーティクルが少なく、基板上に成膜された際に極めて組成ずれが少ないものである。したがって、この反強磁性体膜が形成された基板を分割し、各種用途に使用した場合においても、分割された個々の基板の特性のばらつきを小さく抑えることができる。
【００４６】
このような本発明による反強磁性体膜は、公知の磁気抵抗効果素子及びトンネル型磁気抵抗効果素子に形成可能なものである。例えば、この磁気抵抗効果素子は、本発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との交換結合膜を具備した磁界検出用センサーや再生用磁気ヘッド、更にはこのトンネル型磁気抵抗効果素子は、本発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との交換結合膜を具備したＭＲＡＭなどに使用することができる。
【００４７】
【実施例】
＜実施例１、比較例１〜３＞
原料となるＰｔ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ４０原子％、Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数を３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。
【００４８】
これらの結果を表１に示す。
【００４９】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００５０】
比較例１として、上記実施例１においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１と同様の製法により、比較例１のターゲットを製造し、実施例１と同様の膜を製膜し、同様の評価を行った。
【００５１】
また、比較例２および３として、Ｐｔ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００５２】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００５３】
＜実施例２、比較例４〜６＞
原料となるＩｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ２２原子％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５４】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００５５】
比較例４として、上記実施例２においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例２と同様の製法により比較例４のターゲットを製造し、実施例２と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００５６】
また、比較例５および６として、Ｉｒ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例５）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例６）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００５７】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００５８】
＜実施例３、比較例７〜９＞
原料となるＲｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ２０原子％、Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０−４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５９】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００６０】
比較例７として、上記実施例３においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例３と同様の製法により比較例７のターゲットを製造し、実施例３と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６１】
また、比較例８および９として、Ｒｈ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例８）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例９）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６２】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００６３】
＜実施例４、比較例１０〜１２＞
原料となるＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ２０原子％、Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６４】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００６５】
比較例１０として、上記実施例４においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例４と同様の製法により比較例１０のターゲットを製造し、実施例４と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６６】
また、比較例１１および１２として、Ｎｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例１１）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１２）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６７】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００６８】
＜実施例５、比較例１３〜１５＞
原料となるＩｒ、Ｒｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１８原子％、Ｍｎ７７原子％、Ｒｈ５原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｒｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６９】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００７０】
比較例１３として、上記実施例５においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例５と同様の製法により比較例１３のターゲットを製造し、実施例５と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７１】
また、比較例１４および１５として、Ｉｒ粉末、Ｍｎ粉末とＲｈ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例１４）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１５）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７２】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００７３】
＜実施例６、比較例１６〜１８＞
原料となるＩｒ、Ｎｉと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１９原子％、Ｍｎ７６原子％、Ｎｉ５原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｎｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７４】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００７５】
比較例１６として、上記実施例６においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例６と同様の製法により比較例１６のターゲットを製造し、実施例６と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７６】
また、比較例１７および１８として、Ｉｒ粉末とＮｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例１７）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１８）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７７】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００７８】
＜実施例７、比較例１９〜２１＞
原料となるＰｔ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ２２原子％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。
【００７９】
これらの結果を表１に示す。
【００８０】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００８１】
比較例１９として、上記実施例７においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例７と同様の製法により比較例１９のターゲットを製造し、実施例７と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８２】
また、比較例２０および２１として、Ｐｔ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２０）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例２１）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８３】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００８４】
＜実施例８、比較例２２〜２４＞
原料となるＩｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ３０原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００８５】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００８６】
比較例２２として、上記実施例２においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例８と同様の製法により比較例２２のターゲットを製造し、実施例８と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８７】
また、比較例２３および２４として、Ｉｒ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２３）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例２４）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８８】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００８９】
＜実施例９、比較例２５〜２７＞
原料となるＲｕと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｕ３５原子％、Ｍｎ６５原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｕ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９０】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００９１】
比較例２５として、上記実施例３においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例９と同様の製法により比較例２５のターゲットを製造し、実施例９と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９２】
また、比較例２６および２７として、Ｒｕ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２６）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例２７）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９３】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００９４】
＜実施例１０、比較例２８〜３０＞
原料となるＲｈ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ４０原子％、Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９５】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００９６】
比較例２８として、上記実施例４においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１０と同様の製法により比較例２８のターゲットを製造し、実施例１０と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９７】
また、比較例２９および３０として、Ｒｈ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２９）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３０）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９８】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００９９】
＜実施例１１、比較例３１〜３３＞
原料となるＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ３０原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１００】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【０１０１】
比較例３１として、上記実施例１１においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１１と同様の製法により比較例３１のターゲットを製造し、実施例１１と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０２】
また、比較例３２および３３として、Ｎｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例３２）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３３）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０３】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【０１０４】
＜実施例１２、比較例３４〜３６＞
原料となるＣｏ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｃｏ５０原子％、Ｍｎ５０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＣｏ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１０５】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【０１０６】
比較例３４として、上記実施例１２においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１２と同様の製法により比較例３４のターゲットを製造し、実施例１２と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０７】
また、比較例３５および３６として、Ｃｏ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例３５）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３６）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０８】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【０１０９】
【表１】
上記本発明のスパッタリングターゲットを用いて形成された反強磁性体膜を用いて磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子を製造すると共に、それらを用いて磁気ヘッド及びＭＲＡＭを製造したところ、信頼性の高い各素子、さらには磁気ヘッドおよびＭＲＡＭを得ることができた。
【０１１０】
【発明の効果】
以上から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタ時のダストの発生が少なく、従来達成することができなかった組成均一性が高い反強磁性体膜を得ることができる。また、本発明の第２乃至第６の発明により、信頼性の高い反強磁性体膜、それを用いた磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、さらには、磁気ヘッド及びＭＲＡＭを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スパッタリングターゲットの試験片の採取箇所を示す図
【発明の属する技術分野】
本発明は、スパッタリングターゲット、それから成膜された反強磁性体膜、その反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
以前より、高密度磁気記録における再生用ヘッドとして、磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドの研究が進められている。
【０００３】
現在、この磁気抵抗効果素子材料としては、８０原子％Ｎｉ−２０原子％Ｆｅ（通称：パーマロイ）合金薄膜が一般に使用されている。
【０００４】
さらに、近年このパーマロイに代わる材料として、巨大磁気抵抗効果を示す（Ｃｏ／Ｃｕ）ｎ等の人工格子膜やスピンバルブ膜が注目されている。
【０００５】
これらの従来の材料を用いた磁気抵抗効果膜は磁区を持つため、これに起因するバルクハウゼンノイズが実用化の上で問題となっており、磁気抵抗効果膜を単磁区化する方法が検討されている。
【０００６】
その方法の一つに、強磁性体膜である磁気抵抗効果膜と反強磁性体膜との交換結合を利用して磁気抵抗効果膜の磁区を特定方向に制御する方法がある。この方法を適用した反強磁性体膜としては、例えば米国特許第４１０３３１５号あるいは米国特許第５３１５４６８号に記載されているようなγ−ＦｅＭｎ合金膜が従来から知られている。
【０００７】
さらに、近年ではスピンバルブ膜の磁性膜の磁化をピン止めするために、反強磁性体膜と強磁性体膜との交換結合を利用する技術も普及している。この反強磁性体膜としてもγ−ＦｅＭｎ合金膜が使用されている。
【０００８】
また、反強磁性体膜として、米国特許第４１０３３１５号には、ＰｔＭｎあるいはＰｈＭｎ合金などγ−ＦｅＭｎ合金以外の他のγ−Ｍｎ系合金膜を用いた例が記載されている。
【０００９】
さらに、米国特許第５３１５４６８号には、面心立方晶系の結晶構造を有するＮｉＭｎ合金などのθ−Ｍｎ系合金で反強磁性膜を形成すると、高温域でも反強磁性体膜と強磁性体膜との結合力が低下しないことが示されている。
【００１０】
さらに、近年ＦｅＭｎ合金膜の耐食性を改善する材料として、ＩｒＭｎ合金膜も提案されるようになってきた。このＩｒＭｎ合金反強磁性膜は、優れた交換結合力と耐食性を持ち合わせており、注目されている。
【００１１】
また、このような磁気抵抗効果膜を用いたトンネル磁気抵抗効果素子（以下「ＴＭＲ素子」という）は、不揮発、高速書き込み、高速読み出しおよび大容量のメモリとしての磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリ（以下「ＭＲＡＭ」という）への適用が注目を集めている。従来からランダムアクセスメモリは、ＤＲＡＭ等の半導体記憶装置により構成されているが、磁気効果を使って構成されることも可能である。
【００１２】
このようなＴＭＲ素子においても、強磁性体膜に反強磁性体膜を積層した構造とすることにより、強磁性体膜の磁化をピン止めして外部磁化により反転しないようにしてある。
【００１３】
上記各反強磁性体膜性膜の形成は、一般にスパッタリング法が採用されており、各合金膜を構成する元素よりなるスパッタリングターゲットを用いて基板上にスパッタすることにより成膜されている。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の反強磁性体スパッタリングターゲットはスパッタ時に２μｍ以上のダストが多く発生し、それを用いて形成された反強磁性体膜は、基板の中央と端部での組成ズレが生じ、歩留りの低下と組成ずれによる素子の特性劣化が生じる場合があった。
【００１５】
本発明は、上記従来の欠点を解決し、ダストの発生を抑え、基板上の組成ずれの少ない反強磁性体膜を形成可能なスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【００１６】
また、本発明は、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、信頼性の高い安定した反強磁性体膜、それを具備する磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気抵抗効果型ランダムアクセスメモリを提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の発明のスパッタリングターゲットは、請求項１に記載の通り、実質的に、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、モリブデン、タングステンおよびレニウムから選ばれる少なくとも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であること、を特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の第２の発明の反強磁性体膜は、請求項４に記載の通り、上記本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたものであること、を特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の第３の発明の磁気抵抗効果素子及び第４の発明のトンネル磁気抵抗効果素子は、請求項５および請求項６にそれぞれ記載の通り、上記反強磁性体膜を具備すること、を特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の第５の発明の磁気ヘッド及び第６の発明のＭＲＡＭは、請求項７及び請求項８にそれぞれ記載の通り、上記磁気抵抗効果素子またはトンネル磁気抵抗効果素子を具備すること、を特徴とするものである。
【００２１】
本発明においては、上記第１の発明によりダストの発生が少なく、形成される膜の組成ずれが少ないスパッタリングターゲットを得ることができる。
【００２２】
また、本発明の第２乃至第６の発明により、信頼性の高い反強磁性体膜、それを用いた磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、さらには、磁気ヘッド及びＭＲＡＭを得ることができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】
＜スパッタリングターゲット＞
本発明によるスパッタリングターゲットにおいて、マンガン（Ｍｎ）の量は１０原子％以上であることが好ましい。このＭｎ量があまり少ないと高い交換結合力が得られないため好ましくない。好ましいＭｎ量は１０〜９８原子％であり、さらに好ましくは４０〜９５原子％である。特に、スパッタリングターゲットが、下記に示すＭｎ以外の成分の中でイリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）を含有するものである場合には、Ｍｎ含有量が高含量側で高い交換結合力が得られるため、そのＭｎ量は２０〜９８原子％が好ましい。より好ましくは６０〜９５原子％である。
【００２４】
本発明によるスパッタリングターゲットを構成するマンガン以外の成分としては、先ず、ニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびレニウム（Ｒｅ）から選ばれる少なくとも１種の元素を挙げることができる。
【００２５】
そして、本発明のスパッタリングターゲットは、さらにベリリウム（Ｂｅ）、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、亜鉛（Ｚｎ）、カドニウム（Ｃｄ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、スズ（Ｓｎ）および窒素（Ｎ）から選ばれる少なくとも１種の元素を含有することが好ましい。これらＢｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＮから選ばれる少なくとも１種の元素は、耐食性の向上のため含有されるものである。これらのさらに含有される元素の好ましい含有量は、４０原子％以下であり、さらに好ましくは３０原子％以下である。
【００２６】
また、本発明によるスパッタリングターゲットは、１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以下であるものである。
【００２７】
本発明でいう欠陥とは、スパッタリングターゲットのスパッタ面に存在する空孔、酸化物粒子その他の粒子等、本発明のスパッタリングターゲットの母材とは異なるものを意図している。
【００２８】
１ｃｍ２当たりの欠陥の数が１０個以上あると、その部分に電荷が集中することで、異常放電が頻繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中に分散しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり悪化の原因となる。より好ましい欠陥個数は５個以下であり、さらに好ましくは欠陥３個以下である。
【００２９】
ここで、欠陥数は下記の測定方法によって得られた値とする。
【００３０】
すなわち、図１に示すように、例えば円盤状のスパッタリングターゲットの中心部（位置１）と、この中心部を通り円周を均等に分割した４本の直線上の中心から９０％（中心を０％、半径の長さを１００％とする）の距離にある点（位置２〜９）、および中心から５０％（上記と同様に、中心を０％、半径の長さを１００％とする）の距離にある点（位置１０〜１７）から、それぞれ長さ１５ｍｍ、幅１５ｍｍの試験片を合計１７個採取する。採集された試験片を＃１０００まで研磨し、更にバフ研磨を行って、表面をダイアモンド研磨して鏡面にする。この鏡面研磨された試験片について、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）１０００倍で観察し、２μｍ以上の欠陥数をカウントしたものの平均値とする。
【００３１】
また、本発明のスパッタリングターゲットは、酸素含有量が２００ｐｐｍ以下でありかつスパッタされる面の場所により酸素含有量のばらつきが２０％以内であることが好ましい。これは、酸素含有量が２００ｐｐｍを越えている場合、欠陥部に酸化物を形成しやすくなり、酸化物の部分に電荷が集中することで、異常放電が頻繁に発生しパーティクルが発生し、反強磁性膜中に分散しやすくなり、特性が劣化すると共に、歩留まり悪化の原因となるため、酸素含有量は２００ｐｐｍ以下が好ましいとした。好ましい酸素含有量は１５０ｐｐｍ以下であり、さらに好ましい酸素量は１００ｐｐｍ以下である。
【００３２】
また、スパッタリングターゲットの酸素量のばらつきが２０％を超えている場合、ターゲットにかかる単位面積当たりの電圧、電流にばらつきが生じ、スパッタ条件が変化し、膜組成のばらつきの原因となるため、酸素含有量のばらつきは２０％以内が好ましいとした。好ましい酸素含有量のばらつきは１０％以内であり、さらに好ましくは５％以内である。
【００３３】
ここで、酸素含有量は、記述の図１で示す１７のサンプルについて、不活性ガス融解−熱伝導度法で測定した平均値とする。
【００３４】
また、酸素含有量のばらつきは、同じく図１で示す１７のサンプルを測定して得られた１７の酸素含有量のうちの最大値および最小値から
｛ （最大値−最小値）／（最大値＋最小値） ｝ × １００
の式に基づいて求めた値の平均値を、単位（％）により表すものとする。
【００３５】
本発明によるスパッタターゲットは、スパッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下という要件が満たされるのであれば、任意の方法によって製造することができる。例えば、スパッタリングターゲットの原料である金属粉末を混合し、成形した後に、例えば常圧焼結、ホットプレス（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法などを実施することからなる粉末冶金法によって製造することができる。
【００３６】
以下、その一例を詳細に説明する。
【００３７】
本発明によるスパッタリングターゲットは、前記の通り酸素含有量が２００ｐｐｍ以下であることが好ましいことから、原料粉末は、スパッタリングターゲットの酸素含有量が前記のものとなるように、酸素含有量が低いものが好ましい。従って、本発明では、低酸素雰囲気、例えば不活性ガス雰囲気中で、原料金属の粉末化が行われるＲＤＰ（Rotating disk process）法およびＲＥＰ（Rotating electrode process）法などによって得られた金属粉末あるいは合金粉末を使用することが好ましい。ここで、ＲＤＰ法またはＲＥＰ法で粉末を製造する際に、各法で使用される冷却体の回転数を５０００回転以上とすることにより、粉末の酸素汚染を防止でき、かつ粉末同志の酸素含有量のばらつきを抑制することが可能となる。特に、これらの方法でＭｎと他の元素を合金化した合金粉末を使用することが、Ｍｎと他の元素の個々の粉末を混合する場合に比較し、酸素の増大の要因を低減することができ好ましい。なお、この原料粉末において直径５０μｍ以下の小さい粒子は比表面積が増大しスパッタリングターゲットの酸素量を増加させる傾向があり、一方直径が５００μｍ以上の過度に大きい粒子にはスパッタリングターゲットの酸素含有量のばらつきを増大させる傾向さらには焼結性を低下させる傾向が認められる。このため、得られた粉末に対し、篩分けなどを行い粒度分布毎に選別して、過度に粒径が小さい粒子あるいは大きい粒子は積極的には使用しないことが好ましい。好ましい粒径の範囲は５０〜１５０μｍである。特に、焼結性を向上する為に、粒径が大きい粉末と小さい粉末を所定の比率で再混合して使用することが好ましい。
【００３８】
そして、これらの粉末をホットプレス法などの手段により焼結し、焼結体を得る。特にホットプレス法を採用する場合、真空中（例えば真空度５×１０−４ torr以下）で所定時間加熱して脱ガス処理を行うが、その脱ガス処理が終了するまで予備加圧を付加しないことにより、粉末表面上の吸着ガス成分を十分に除去することで焼結性を向上することが可能となり、その結果、最終的に得られるスパッタリングターゲットの欠陥を低減することが可能となる。
【００３９】
得られた焼結体を、表面研磨などの常法の表面処理を施し、スパッタリングターゲットを得る。
【００４０】
従って、本発明では、▲１▼不活性ガス雰囲気中でＲＤＰ法またはＲＥＰ法などによって所定の回転数の冷却体で冷却して得られた合金粉末を、▲２▼粒度分布毎に選別して、粒径が過度に大きい粒子および小さい粒子を除去した後、あるいは、粒度分布毎に選別して得られた異なる粒径の粒子を所定の比率で再混合し、▲３▼この混合物を成形した後に、▲４▼予備加圧なしで脱ガス処理を施して焼結を行う、粉末冶金法によって製造することが好ましい。
【００４１】
具体的製造条件および製造方法等は、スパッタリングターゲットの具体的用途、目的、原料粉末の組成、酸素含有量、欠陥の発生などに状況に応じて適宜決定することができる。粒子の選別を省略すること及び直径１００μｍ以下の小粒子、５００μｍ以上の大粒子を使用することも本発明の趣旨に反しない限りにおいて行うこともできる。
【００４２】
なお、特開平１１-２６４０７０号公報に開示されているような溶解法の場合には、例えばＰｔ-Ｍｎ合金を製造する場合にＰｔが４０原子％以下になると溶解、鋳造が困難になって鋳造欠陥の多いターゲットとなってしまう場合があり、そして、酸素量を２００ｐｐｍに抑えるために粉末の粒径を大きくしなければならず、酸素量のばらつきが大きくて焼結性が劣化し、欠陥が多くなる傾向が認められる。
【００４３】
このような本発明で規定するスパッタリングターゲットは、ダストの発生を抑え、基板上の組成ずれの少ない反強磁性体膜を形成することができるものである。
【００４４】
＜反強磁性体膜＞
本発明による反強磁性体膜は、上記の本発明のスパッタリングターゲットを用いて成膜されたものである。
【００４５】
本発明の反強磁性体膜は、パーティクルが少なく、基板上に成膜された際に極めて組成ずれが少ないものである。したがって、この反強磁性体膜が形成された基板を分割し、各種用途に使用した場合においても、分割された個々の基板の特性のばらつきを小さく抑えることができる。
【００４６】
このような本発明による反強磁性体膜は、公知の磁気抵抗効果素子及びトンネル型磁気抵抗効果素子に形成可能なものである。例えば、この磁気抵抗効果素子は、本発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との交換結合膜を具備した磁界検出用センサーや再生用磁気ヘッド、更にはこのトンネル型磁気抵抗効果素子は、本発明の反強磁性体膜と公知の強磁性体膜との交換結合膜を具備したＭＲＡＭなどに使用することができる。
【００４７】
【実施例】
＜実施例１、比較例１〜３＞
原料となるＰｔ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ４０原子％、Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数を３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。
【００４８】
これらの結果を表１に示す。
【００４９】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００５０】
比較例１として、上記実施例１においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１と同様の製法により、比較例１のターゲットを製造し、実施例１と同様の膜を製膜し、同様の評価を行った。
【００５１】
また、比較例２および３として、Ｐｔ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００５２】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００５３】
＜実施例２、比較例４〜６＞
原料となるＩｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ２２原子％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５４】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００５５】
比較例４として、上記実施例２においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例２と同様の製法により比較例４のターゲットを製造し、実施例２と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００５６】
また、比較例５および６として、Ｉｒ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例５）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例６）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００５７】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００５８】
＜実施例３、比較例７〜９＞
原料となるＲｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ２０原子％、Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０−４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００５９】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００６０】
比較例７として、上記実施例３においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例３と同様の製法により比較例７のターゲットを製造し、実施例３と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６１】
また、比較例８および９として、Ｒｈ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例８）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例９）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６２】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００６３】
＜実施例４、比較例１０〜１２＞
原料となるＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ２０原子％、Ｍｎ８０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６４】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００６５】
比較例１０として、上記実施例４においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例４と同様の製法により比較例１０のターゲットを製造し、実施例４と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６６】
また、比較例１１および１２として、Ｎｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例１１）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１２）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００６７】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００６８】
＜実施例５、比較例１３〜１５＞
原料となるＩｒ、Ｒｈと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１８原子％、Ｍｎ７７原子％、Ｒｈ５原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｒｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００６９】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００７０】
比較例１３として、上記実施例５においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例５と同様の製法により比較例１３のターゲットを製造し、実施例５と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７１】
また、比較例１４および１５として、Ｉｒ粉末、Ｍｎ粉末とＲｈ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例１４）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１５）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７２】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００７３】
＜実施例６、比較例１６〜１８＞
原料となるＩｒ、Ｎｉと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ１９原子％、Ｍｎ７６原子％、Ｎｉ５原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｎｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００７４】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００７５】
比較例１６として、上記実施例６においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例６と同様の製法により比較例１６のターゲットを製造し、実施例６と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７６】
また、比較例１７および１８として、Ｉｒ粉末とＮｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例１７）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例１８）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００７７】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００７８】
＜実施例７、比較例１９〜２１＞
原料となるＰｔ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｐｔ２２原子％、Ｍｎ７８原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＰｔ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。
【００７９】
これらの結果を表１に示す。
【００８０】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００８１】
比較例１９として、上記実施例７においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例７と同様の製法により比較例１９のターゲットを製造し、実施例７と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８２】
また、比較例２０および２１として、Ｐｔ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２０）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例２１）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８３】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００８４】
＜実施例８、比較例２２〜２４＞
原料となるＩｒ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｉｒ３０原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＩｒ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３５０℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（２９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００８５】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００８６】
比較例２２として、上記実施例２においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例８と同様の製法により比較例２２のターゲットを製造し、実施例８と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８７】
また、比較例２３および２４として、Ｉｒ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２３）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例２４）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００８８】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００８９】
＜実施例９、比較例２５〜２７＞
原料となるＲｕと電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｕ３５原子％、Ｍｎ６５原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｕ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９０】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００９１】
比較例２５として、上記実施例３においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例９と同様の製法により比較例２５のターゲットを製造し、実施例９と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９２】
また、比較例２６および２７として、Ｒｕ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２６）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例２７）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９３】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００９４】
＜実施例１０、比較例２８〜３０＞
原料となるＲｈ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｒｈ４０原子％、Ｍｎ６０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＲｈ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【００９５】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【００９６】
比較例２８として、上記実施例４においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１０と同様の製法により比較例２８のターゲットを製造し、実施例１０と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９７】
また、比較例２９および３０として、Ｒｈ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例２９）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３０）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【００９８】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【００９９】
＜実施例１１、比較例３１〜３３＞
原料となるＮｉ板と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｎｉ３０原子％、Ｍｎ７０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＮｉ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１００μｍ〜１５０μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１００】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【０１０１】
比較例３１として、上記実施例１１においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１１と同様の製法により比較例３１のターゲットを製造し、実施例１１と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０２】
また、比較例３２および３３として、Ｎｉ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例３２）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３３）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０３】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【０１０４】
＜実施例１２、比較例３４〜３６＞
原料となるＣｏ粉末と電解Ｍｎを所定量配合し、１×１０- ５Ｐａの高真空中でコールドハース溶解を行ない、Ｃｏ５０原子％、Ｍｎ５０原子％の母合金を作製した。これから直径５０ｍｍ、長さ１５０ｍｍのＲＥＰ用の電極を切り出し、ＲＥＰ法により回転数３０００ｒｐｍと１００００ｒｐｍの２種類の条件を用いてＣｏ−Ｍｎ合金粉末を得た。これを篩い分けし、▲１▼１５０μｍ〜１００μｍの粉末と、▲２▼５０μｍ〜１００μｍの粉末を選別し、▲１▼と▲２▼を７:３の割合で混合し、これを真空度１×１０- ４Ｐａの真空中で、１３００℃×２４０分、圧力４００Ｋｇ／ｃｍ２（３９．１Ｐａ）の条件でホットプレスし、スパッタ面を所定寸法に機械加工することにより、直径８インチ、厚さ３ｍｍのターゲットを２枚作製した。このうち１枚のターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ装置で直径３インチの熱酸化Ｓｉ基板上へ成膜を行ないダスト測定装置：ＷＭ−３により基板上のダストを測定した。また、基板の中央と端部での膜組成をＥＰＭＡにより定量分析を行ない、組成としてＭｎ量のズレを測定した。これらの結果を表１に示す。
【０１０５】
もう１枚のターゲットを用い、図１の位置よりサンプルを切り出し、酸素量を不活性ガス融解−熱伝導度法（装置名：ＬＥＣＯ社製ＴＣ−４３６）で測定し、欠陥の個数をＳＥＭで観察した。
【０１０６】
比較例３４として、上記実施例１２においてホットプレス前に混合粉末を、ガス処理温度９００℃×５ｈｒ、真空度：１×１０−４Ｐａの真空中で、予備圧力（２０ｋｆｇ／ｃｍ２＝２ＭＰａ）を付加する以外は、上記実施例１２と同様の製法により比較例３４のターゲットを製造し、実施例１２と同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０７】
また、比較例３５および３６として、Ｃｏ粉末とＭｎ粉末を混合し、ホットプレス法により作製したターゲット（比較例３５）と溶解法を用いて鋳造後、圧延して得られたターゲット（比較例３６）で同様の膜を成膜し、同様の評価を行った。
【０１０８】
表１から判るように、本発明で得られたターゲットにより成膜された反強磁性体膜はダストおよび組成ズレが少なく、良好な結果を示した。
【０１０９】
【表１】
【０１１０】
【発明の効果】
以上から明らかなように、本発明のスパッタリングターゲットは、スパッタ時のダストの発生が少なく、従来達成することができなかった組成均一性が高い反強磁性体膜を得ることができる。また、本発明の第２乃至第６の発明により、信頼性の高い反強磁性体膜、それを用いた磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果素子、さらには、磁気ヘッド及びＭＲＡＭを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】スパッタリングターゲットの試験片の採取箇所を示す図
Claims (3)
- 実質的に、ニッケル、パラジウム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、バナジウム、ニオブ、タンタル、銅、銀、金、ルテニウム、オスミウム、クロム、モリブデン、タングステンおよびレニウムから選ばれる少なくとも１種の元素と、マンガンとからなり、スパッタされる表面１ｃｍ２当たりの欠陥数が１０個以下であることを特徴とする、スパッタリングターゲット。
- 酸素含有量が２００ｐｐｍ以下でありかつスパッタされる面の場所による酸素含有量のばらつきが２０％以内であることを特徴とする、請求項１に記載のスパッタリングターゲット。
- さらにベリリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、亜鉛、カドニウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズおよび窒素から選ばれる少なくとも１種の元素を含有することを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のスパッタリングターゲット。
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Cited By (2)
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