WO2011127841A1 - 公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器 - Google Patents

公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器 Download PDF

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徐宇博
李成
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Description

公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器 技术领域
本发明涉及一种公共电极驱动方法、公共电极驱动电路以及液晶显示器。 背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器（ Thin Film Transistor Liquid Crystal Display, 简称 TFT-LCD )是液晶显示器中的主 流产口 。
在现有技术中， 液晶显示器包括阵列基板和彩膜基板， 阵列基板上由矩 阵形式排列的多个像素所组成， 每个像素包括像素电极和与像素电极相连的 作为开关元件的薄膜晶体管 （TFT ) , 像素电极与位于阵列基板或彩膜基板 上的公共电极形成液晶电容对液晶材料施加电场， 另外像素电极还可能与形 成在阵列基板上的存储电极形成存储电容以补充液晶电容。
图 1为现有技术液晶显示器中的单位像素的等效电路原理图。 如图 1所 示， TFT-LCD工作时， 在阵列基板上， 首先向与栅线 Gn相连接的栅电极 g 施加栅极导通电压， 打开 TFT, 从而把数据线 Dm上的显示图像信号的数据 电压通过源电极 s施加到漏电极 d; 漏电极 d与像素电极 连接， 上述数据 电压通过漏电极 d施加到像素电极 p上形成像素电极电压， 其中 Cn为存储 电极线； 在彩膜基板上布设有公共电极层， 像素电极 p上的像素电极电压与
Clc施加到液晶分子上， 使液晶分子发生扭转。 由于栅电极 g与漏电极 d之 间形成有寄生电容 Cgd, 栅线 Gn接通和断开时的电压剧烈波动会通过该寄 生电容 Cgd施加到像素电极 p上，使得像素电极电压产生跳变电压 AVp,影 响了像素电极电压的准确性， 引起画面闪烁。 发明内容
本发明的实施例提供一种公共电极驱动方法， 包括： 生成施加到阵列基 板上各行像素的存储电极线的第一公共电极信号和施加到与所述阵列基板上 各行像素中的像素电极形成液晶电容的公共电极上的第二公共电极信号， 所 述第一公共电极信号的跳变时序与施加到相应行像素的栅极信号的跳变时序 相反； 向各行像素输入所述第一公共电极信号， 并向所述公共电极输入所述 第二公共电极信号。
本发明的另一实施例提供一种公共电极驱动电路， 包括： 驱动信号生成 电路， 用于生成施加到阵列基板上各行像素的存储电极线的第一公共电极信 号和施加到与所述阵列基板上各行像素中的像素电极形成液晶电容的公共电 极上的第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素 的栅极信号的跳变时序相反； 公共电极信号输出端， 用于将所述第一公共电 极信号分别输出到各行像素， 并将所述第二公共电极信号输出到所述公共电 极。
本发明的再一实施例提供一种液晶显示器， 包括： 液晶面板和用于驱动 所述液晶面板的驱动器， 所述液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒而成， 其 间填充有液晶层， 所述驱动器包括栅极驱动器、 数据驱动器以及公共电极驱 动器， 其中， 所述公共电极驱动器用于生成施加到阵列基板上各行像素的存 储电极线的第一公共电极信号和施加到与所述阵列基板上各行像素中的像素 电极形成液晶电容的公共电极上的第二公共电极信号， 并将生成的第一公共 电极信号分别输入到各行像素， 将生成的第二公共电极信号输入到所述公共 电极， 其中， 所述第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极信号的 跳变时序相反。 附图说明
图 1为现有技术液晶显示器中的单位像素的等效电路原理图； 图 2为本发明公共电极驱动方法的第一实施例中第一公共电极信号与栅 极信号的时序关系图；
图 3为本发明公共电极驱动电路的第一实施例的结构示意图； 图 4为本发明公共电极驱动电路的第二实施例的结构示意图； 图 5为本发明液晶显示器的第一实施例的结构示意图。 具体实施方式 为使本发明实施例的目的、 技术方案和优点更加清楚， 下面将结合本发 明实施例中的附图， 对本发明实施例中的技术方案进行清楚、 完整地描述， 显然， 所描述的实施例是本发明一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于 本发明中的实施例， 本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获 得的所有其他实施例， 都属于本发明保护的范围。
本发明公共电极驱动方法的第一实施例包括：
步骤 201、生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的 第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极 信号的跳变时序相反， 且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容 上的电荷变化量的绝对值等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的 电荷变化量的绝对值且二者变化方向相反。 第一公共电极信号施加到阵列基 板上与像素电极形成所述存储电容的存储电极线， 存储电极线也可称为存储 公共电极线， 在其上施加公共电极信号。
像素电极上产生跳变电压 A Vp 的根源在于作为像素的开关元件的 TFT 中栅电极与漏电极之间存在重叠， 导致寄生电容 Cgd存在。 在向栅线输入关 断电压信号时， 该寄生电容 Cgd上存储的电荷 Qgd发生改变， 由于此时由像 素电极和公共电极之间形成的液晶电容 Clc、在像素电极和存储电极线之间重 叠形成的存储电容 Cst和寄生电容 Cgd存储的电荷之和守恒， 寄生电容 Cgd 上存储电荷 Qgd的改变会引起整个像素电极上的电荷分布发生变化， 从而使 加载在像素电极上的电压发生变化， 使像素电极产生跳变电压 A Vp。 研究表 明， 跳变电压 A Vp=Cgd ( Vgh-Vgl ) / ( Cgd+Clc+Cst ) , 其中， Vgh为栅电极 的开启电压， Vgl为栅电极的关断电压。液晶电容用于驱动液晶的偏转以进行 显示，公共电极可以与像素电极一同形成在阵列基板上（即水平电场型 LCD, 例如 IPS或 FFS型 LCD )或者形成在与阵列基板对置的彩膜基板上（即垂直 电场型 LCD, 例如 TN型 LCD ) , 在本实施例中公共电极形成在彩膜基板之 上。 存储电容用于补充液晶电容， 可使液晶电容能稳定地工作以进行显示。 TFT的漏极与像素电极连接，用于在 TFT开启时将与 TFT的源极连接的数据 线上的数据信号传输到像素电极。 TFT可以为底栅型、 顶栅型或二者的结合， 栅电极与源漏电极隔着栅绝缘层和半导体层形成。
图 2为本发明公共电极驱动方法第一实施例中第一公共电极信号与栅极 信号的时序关系图。 如图 2所示， 对应于同一行像素且施加到存储电极线的 第一公共电极信号 Vcom和栅极信号 Gate, 其跳变时序关系是相反的， 即在 栅极信号为高电平时， 第一公共电极信号为低电平， 在栅极信号为低电平时， 第一公共电极信号为高电平。 也即， 在栅线开启时， 存储电极线关闭， 在栅 线关闭时， 存储电极线开启。
发明人对像素电极产生跳变电压的机理进行了深入分析和研究， 发现： 在栅线信号加载关断电压时， 液晶电容 Clc、 存储电容 Cst、 寄生电容 Cgd三 者存储的电荷总量在关闭前后相等。
关闭前， 寄生电容 Cgd上存储的电荷量为：
Qgdl=Cgd ( Vpl-Vgh ) ；
关闭后， 寄生电容 Cgd上存储的电荷量为：
Qgd2=Cgd ( Vp2-Vgl ) ；
关闭前后寄生电容 Cgd上存储电荷的变化量△ Qgd为：
△ Qgd=Qgd2-Qgdl
=Cgd[ ( Vp2- Vgl ) - ( Vpl -Vgh ) ]
= Cgd ( A Vp+Vgh-Vgl ) ；
其中， Vpl为 TFT关闭前的像素电极电压， Vp2为 TFT关闭后的像素电 极电压， 且 A Vp=Vp2-Vpl。
在该行存储电极线加载开启电压时，开启前存储电容 Cst上存储的电荷量 为：
Qstl=Cst ( Vpl-Vcl ) ；
开启后存储电容 Cst上存储的电荷量为：
Qst2=Cst ( Vp2-Vch ) ；
开启前后存储电容 Cst上存储电荷的变化量△ Qst为：
A Qst=Qst2-Qstl
=Cst[ ( Vp2-Vch ) -( Vpl-Vcl ) ]
= Cst ( A Vp+Vcl-Vch ) ；
其中， Vch为存储电极线开启电压， Vcl为存储电极线关闭电压。
由于本实施例中， 第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极信 号的跳变时序相反， 且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上 的电荷变化量的绝对值等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电 荷变化量的绝对值而二者变化方向相反， 也即本实施例中生成的第一公共电 极信号可以使得 AQgd=-AQst, 此时液晶电容 Clc、 存储电容 Cst和寄生电容 Cgd存储的电荷之和守恒， 因此有八0 +八(¾(1+八(^1=0, 因此， A Qlc=0, 其中 A Qlc 是液晶电容 Clc 在栅极关断前后的电荷变化量， A Qlc=Clc ( Vp2-Vpl )。 由于液晶电容 Clc为恒定值， 则 Vp2=Vpl , Δ Vp=Vp2-V l=0, 即像素电压在栅极关断前后不发生变化。 其实质是 TFT关闭前后其寄生电容 Cgd上存储电荷的变化量 A Qgd与存储电极线信号打开前后存储电容 Cst上存 储电荷的变化量 AQst大小相等， 但变化方向相反， 从而使两个电容上存储电 荷的总变化量为 0, 两个电容上存储电荷的变化互相抵消， 所以像素电极上电 荷变化量为 0, 因此像素电极的跳变电压 AVp为 0。 然而， 本领域技术人员 可知， 即便寄生电容 Cgd上存储电荷的变化量 A Qgd与存储电容 Cst上存储 电荷的变化量 A Qst不完全相等，该实施例也可以起到减小像素电压在栅极关 断前后的跳变电压 A Vp的作用， 从而改善液晶显示器的显示品质。
需要说明的是， 本实施例可以在现有技术生成的用于输入到阵列基板以 及彩膜基板上的恒定的公共电极信号的基础上叠加一跳变时序信号， 从而生 成输入到阵列基板上的第一公共电极信号， 而输入到彩膜基板上的第二公共 电极信号仍为原恒定的公共电极信号。
步骤 202、向各行像素输入所述第一公共电极信号， 并向所述彩膜基板输 入所述第二公共电极信号。
在分别生成阵列基板上各行像素所需的第一公共电极信号和彩膜基板上 所述的第二公共电极信号后， 驱动电路可以将第一公共电极信号对应地输入 到各行像素， 并将第二公共电极信号输入到彩膜基板。 本实施例将步骤 201 所生成的第一公共电极信号输入到各行像素， 从而使得各像素电极不会产生 跳变电压 AVp, 从而保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
本实施例， 通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计 为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且所述第一公共电极信号跳变 前后所引起的存储电容上的电荷变化量的绝对值等于所述栅极信号跳变前后 所引起的寄生电容上的电荷变化量的绝对值且二者变化方向相反， 使得寄生 电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而 使得像素电极的跳变电压为 0 ,保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。 本发明公共电极驱动方法的第二实施例中，存储电容 Cst可以为在存储电 极线（ Cst On Common )上的结构， 即存储电容通过像素电极和存储电极线相 重叠形成； 另外， 与像素电极形成液晶电容的公共电极形成在与阵列基板相 对置的彩膜基板上。 本实施例的方法可以包括：
步骤 401、生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的 第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极 信号的跳变时序相反， 所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Cgdx (Vgh - Vgl) ^ 其中， 为所述寄生电容的电容值， 为所述存储电容的 Cst
电容值， ί¾¾和 /分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例为了使第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷 变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量， 将第 一公共电极信号的高电平与低电平的差值设计为等于 CSd^VSh - Vgl)。
Cst
具体来说，栅极信号关断前后，也即存储电极线跳变前后，液晶电容 Clc、 存储电容 Cst和寄生电容 Cgd存储的电荷之和守恒，即 Qpl = Qp2,其中 Qpl 为栅极信号跳变前三个电容上存储的电荷之和， Qp2为栅极信号跳变后三个 电容上存储的电荷之和。 其中， Qpl=Qlcl+Qstl+Qgdl
=Clc (Vpl-V0)+Cst (Vpl-Vcl)+Cgd (Vpl-Vgh);
Qp2=Qlc2+Qst2+Qgd2
=Clc (Vp2-V0)+Cst (Vp2-Vch)+Cgd (Vp2-Vgl); 因此， Clc (Vp 1 -V0)+Cst (Vp 1 -Vcl)+Cgd (Vp 1 -Vgh)
= Clc (Vp2-V0)+Cst (Vp2-Vch)+Cgd (Vp2-Vgl); 即， Clc (Vp2-Vpl)+Cst (Vp2-Vpl+Vcl-Vch)+Cgd (Vp2-Vpl+Vgh-Vgl) = 0 也即， （Clc+Cst+Cgd) (Vp2-Vpl)+Cst (Vcl-Vch)+Cgd (Vgh-Vgl) = 0 由于， （Vch-Vcl) = Cgd (Vgh-Vgl)/Cst; 因此， （Clc+Cst+Cgd) (Vp2-Vpl)=0; 而由于， （Clc+Cst+Cgd) ≠0;
则， Vp2-Vpl=0, 也即 A Vp=0。 步骤 402、向各行像素输入所述第一公共电极信号， 并向所述彩膜基板输 入所述第二公共电极信号。
本实施例将步骤 401 所生成的第一公共电极信号输入到各行像素， 从而 使得各像素电极不会产生跳变电压△ Vp ,从而保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
本实施例中， 通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设 计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公共电极信号的高电 平与低电平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cst, 使得寄生电容和存储电容上电荷 的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得像素电极的跳变电 压为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
本发明公共电极驱动方法的第三实施例中，存储电容 Cst可以为在存储电 极线和栅线上（ Cst on Common+Cst on gate )的结构， 即存储电容通过像素电 极与存储电极线以及栅线相重叠形成； 形成液晶电容的公共电极形成与阵列 基板对置的彩膜基板上。 本实施例的方法可以包括：
步骤 501、生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的 第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极 信号的跳变时序相反， 所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Cgdx (Vgh - Vgl) ^ 其中， 为所述寄生电容的电容值， （¾ 1为所述存储电容 Cstl
在存储电极线上的电容部分的电容值， Vgh和 /分别为栅电极的开启电压和 关闭电压。
对于存储电容 Cst 同时存在于像素电极与存储电极线之间和像素电极与 栅线之间的情况， 本实施例可以将存储电容 Cst分为两部分： Cstl和 Cst2, 其中， Cstl为通过存储电极线形成的部分， Cst2为通过栅线形成的部分。 因 此， 保持电荷守恒的电容变为液晶电容 Clc, 寄生电容 Cgd, Cstl和 Cst2, 其 中存储电极线所加载的动态信号只影响 Cstl部分， 因此， 本实施例与本发明 公共电极驱动方法第二实施例的区别在于， 只需将第二实施例中的 Cst换成 Cstl , 而将 Cst2考虑为液晶电容 Clc的一部分即可。 其实现原理与本发明公 共电极驱动方法第二实施例的实现原理相同， 此处不再赘述。
步骤 502、向各行像素输入所述第一公共电极信号， 并向所述彩膜基板输 入所述第二公共电极信号。
本实施例将步骤 501 所生成的第一公共电极信号输入到各行像素， 从而 使得各像素电极不会产生跳变电压△ Vp ,从而保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
本实施例， 通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计 为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公共电极信号的高电平 与低电平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cstl , 使得寄生电容和存储电容上电荷的 变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得像素电极的跳变电压 为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
图 3为本发明公共电极驱动电路第一实施例的结构示意图。 如图 3所示， 本实施例的公共电极驱动电路包括： 驱动信号生成电路 11和公共电极信号输 出端 12, 其中，驱动信号生成电路 11用于生成阵列基板上各行像素的第一公 共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳 变时序与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且所述第一公共电极信号 跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引 起的寄生电容上的电荷变化量； 公共电极信号输出端 12用于将所述第一公共 电极信号分别输出到阵列基板上的各行像素， 并将所述第二公共电极信号输 出到所述彩膜基板上的公共电极。
本实施例的公共电极驱动电路可以设置在现有公共电极驱动电路上， 本 具体的电路实现， 此处不再赘述。 例的方法， 其实现原理类似， 此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路， 通过将输入到各行像素的第一公共电极 信号的跳变时序设计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且所述第 一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信 号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量， 使得寄生电容和存储电容上 电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得像素电极的跳 变电压为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
在本发明公共电极驱动电路的第二实施例中， 其结构也可以釆用图 3所 示的电路结构， 进一步地， 本实施例中，存储电容 Cst为像素电极和存储电极 线相重叠的结构， 驱动信号生成电路 11生成的第一公共电极信号的高电平与 低电平的差值等于 CgdX {Vgh― Vgl) , 其中， 为所述寄生电容的电容值， Cst
Cst
为所述存储电容的电容值， Vgh和 /分别为栅电极的开启电压和关闭电压。 施例的方法， 其实现原理类似， 此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路， 通过将输入到各行像素的第一公共电极 信号的跳变时序设计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公 共电极信号的高电平与低电平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cst, 使得寄生电容 和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得 像素电极的跳变电压为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
在本发明公共电极驱动电路的第三实施例中， 其结构也可以釆用图 3所 示的电路结构， 进一步地， 本实施例中，存储电容 Cst为通过像素电极与存储 电极线和栅线分别重叠的结构， 驱动信号生成电路 11生成的第一公共电极信 号的高电平与低电平
Figure imgf000011_0001
, 其中， 为所述寄生电容
Cstl
的电容值， （¾ 1为所述存储电容在存储电极线上的电容部分的电容值， 和 分别为栅电极的开启电压和关闭电压。 例的方法， 其实现原理类似， 此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路， 通过将输入到各行像素的第一公共电极 信号的跳变时序设计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公 共电极信号的高电平与低电平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cstl , 使得寄生电容 和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得 像素电极的跳变电压为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
图 4为本发明公共电极驱动电路实施例四的结构示意图， 如图 4所示， 本实施例的公共电极驱动电路在图 3所示的公共电极驱动电路第一实施例的 基础上， 进一步地， 驱动信号生成电路 11包括： 第一驱动信号生成单元 111 和第二驱动信号生成单元 112, 其中， 第一驱动信号生成单元 111用于生成所 述第二公共电极信号； 第二驱动信号生成单元 112用于生成跳变时序信号， 并将所述跳变时序信号叠加在所述第一驱动信号生成单元生成的第二公共电 极信号上， 从而生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号， 所述第一公 共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且所述第 一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信 号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
本实施例可以在现有技术的基础上， 釆用第二驱动信号生成单元 112生 成跳变时序信号， 将该跳变时序信号叠加在第一驱动信号生成单元 111 生成 的输入到彩膜基板上的第二公共电极信号上， 从而生成输入到阵列基板上的 第一公共电极信号， 使得该第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅 极信号的跳变时序相反， 且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电 容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变 变化量为 0, 从而使得像素电极的跳变电压为 0, 保证了像素电极电压的准确 性， 避免画面闪烁。 而且， 本实施例的公共电极驱动电路仅需要对现有技术 进行很小的改动， 实现方便。
图 5为本发明液晶显示器第一实施例的结构示意图。 如图 5所示， 本实 施例的液晶显示器包括： 液晶面板和用于驱动液晶面板的驱动器。 液晶面板 由阵列基板 1和彩膜基板 2对盒而成，其间填充有液晶层 3。驱动器包括栅极 驱动器 4、 数据驱动器 5以及公共电极驱动器 6, 公共电极驱动器 6用于生成 阵列基板 1上各行像素的第一公共电极信号和所述彩膜基板 2上的第二公共 电极信号， 并将生成的第一公共电极信号分别输入到各行像素， 将生成的第 二公共电极信号输入到所述彩膜基板的公共电极。 第一公共电极信号的跳变 时序与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公共电极信号跳变前 后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄 生电容上的电荷变化量。
本实施例的液晶显示器中， 第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素 的栅极信号的跳变时序相反， 且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存 储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电 荷变化量，也即本实施例中生成的第一公共电极信号可以使得 Δ Qgd= -△ Qst, 此时液晶电容 Clc、存储电容 Cst和寄生电容 Cgd存储的电荷之和守恒， 因此 有八0 +八(¾(1+八(^1=0, 因此， AQlc=0, 其中 AQlc是液晶电容 Clc在栅极 关断前后的电荷变化量， A Qlc=Clc ( Vp2-Vpl ) 。 由于液晶电容 Clc为恒定 值， 则 Vp2=Vpl , 因此八¥ =¥ 2-¥ 1=0, 即像素电压在栅极关断前后不发 生变化。 其实质是 TFT关闭前后其寄生电容 Cgd上存储电荷的变化量 AQgd 与存储电极线信号打开前后存储电容 Cst上存储电荷的变化量 AQst 大小相 等， 但变化方向相反， 从而使两个电容上存储电荷的总变化量为 0, 两个电容 上存储电荷的变化互相抵消， 所以像素电极上电荷变化量为 0, 因此像素电极 的 ϋ 变电压 A Vp为 0。
需要说明的是， 本实施例中的公共电极驱动器 6可以釆用图 3或图 4所 示的公共电极驱动电路实现， 此处不再赘述。
本实施例的液晶显示器， 通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的 跳变时序设计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且所述第一公共 电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变 前后所引起的寄生电容上的电荷变化量， 使得寄生电容和存储电容上电荷的 变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得像素电极的跳变电压 为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
在本发明液晶显示器的第二实施例中， 其结构也可以釆用图 5所示的结 构， 进一步地， 本实施例中， 存储电容 Cst为通过像素电极与存储电极线相重 叠的结构， 公共电极驱动器 6生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的 差值等于^ 其中， 为所述寄生电容的电容值， （¾为所述存
Cst
储电容的电容值， 和 /分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例的液晶显示器可以用于执行公共电极驱动方法第二实施例的方 法， 其实现原理类似， 此处不再赘述。
本实施例的液晶显示器， 通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的 跳变时序设计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公共电极 信号的高电平与低电平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cst, 使得寄生电容和存储 电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得像素电 极的跳变电压为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
在本发明液晶显示器实施例三中， 其结构也可以釆用图 5所示的结构， 进一步地，本实施例中，存储电容 Cst为通过像素电极与存储电极线和栅线分 别重叠的结构， 公共电极驱动器 6生成的第一公共电极信号的高电平与低电 平的差值等于 其中， 为所述寄生电容的电容值， （¾ 1为
Cstl
所述存储电容在存储电极线上的电容部分的电容值， Vgh和 /分别为栅电极 的开启电压和关闭电压。
本实施例的液晶显示器可以用于执行公共电极驱动方法的第三实施例的 方法， 其实现原理类似， 此处不再赘述。
本实施例的液晶显示器， 通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的 跳变时序设计为与相应行像素的栅极信号的跳变时序相反， 且第一公共电极 信号的高电平与低电平的差值等于 Cgd (Vgh-Vgl)/Cstl , 使得寄生电容和存储 电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为 0,从而使得像素电 极的跳变电压为 0, 保证了像素电极电压的准确性， 避免画面闪烁。
本领域普通技术人员可以理解： 实现上述方法实施例的全部或部分步骤 可以通过程序指令相关的软件、 硬件、 固件等来完成， 前述的程序可以存储 于一计算机可读取存储介质中， 该程序在执行时， 执行包括上述方法实施例 的步骤； 而前述的存储介质包括： ROM、 RAM, 磁碟或者光盘等各种可以存 储程序代码的介质。
最后应说明的是： 以上实施例仅用以说明本发明的技术方案， 而非对其 限制； 尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明， 本领域的普通技术 人员应当理解： 其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改， 或 者对其中部分技术特征进行等同替换； 而这些修改或者替换， 并不使相应技 术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims

权利要求书
1、 一种公共电极驱动方法， 包括：
生成施加到阵列基板上各行像素的存储电极线的第一公共电极信号和施 加到与所述阵列基板上各行像素中的像素电极形成液晶电容的公共电极上的 第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳变时序与施加到相应行像素 的栅极信号的跳变时序相反；
向各行像素输入所述第一公共电极信号， 并向所述公共电极输入所述第 二公共电极信号。
2、 根据权利要求 1所述的公共电极驱动方法， 其中所述存储电容为所述 像素电极和所述存储电极线相重叠的结构， 所述第一公共电极信号的高电平 与低电平的差值等于 其中， 为与所述存储电容串联的寄
Cst
生电容的电容值， 为所述存储电容的电容值， 和 /分别为栅电极的开 启电压和关闭电压。
3、 根据权利要求 1所述的公共电极驱动方法， 其中所述存储电容为所述 像素电极与所述存储电极线和栅线分别重叠的结构， 所述第一公共电极信号 的高电平与低电平的差值等于^ ί¾ , 其中， 为与所述存储电容
Cst\
串联的寄生电容的电容值， Cst l 为所述存储电容在所述存储电极线上的电容 部分的电容值， Vgh和 /分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
4、 根据权利要求 1所述的公共电极驱动方法， 其中所述第一公共电极信 号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量的绝对值等于所述栅极信号跳 二者变化方向相反。
5、 根据权利要求 1所述的公共电极驱动方法， 其中所述公共电极形成在 所述彩膜基板上或者形成在所述阵列基板上。
6、 一种公共电极驱动电路， 包括：
驱动信号生成电路， 用于生成施加到阵列基板上各行像素的存储电极线 的第一公共电极信号和施加到与所述阵列基板上各行像素中的像素电极形成 液晶电容的公共电极上的第二公共电极信号， 所述第一公共电极信号的跳变 时序与施加到相应行像素的栅极信号的跳变时序相反；
公共电极信号输出端， 用于将所述第一公共电极信号分别输出到各行像 素， 并将所述第二公共电极信号输出到所述公共电极。
7、 根据权利要求 6所述的公共电极驱动电路， 其中所述存储电容为所述 像素电极和所述存储电极线相重叠的结构， 所述驱动信号生成电路生成的所 述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于 Cgdx Vgh— Z) ,其中， Cgd
Cst 为与所述存储电容串联的寄生电容的电容值， 为所述存储电容的电容值， p¾¾和 分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
8、 根据权利要求 6所述的公共电极驱动电路， 其中所述存储电容为所述 像素电极与所述存储电极线和栅线分别重叠的结构， 所述驱动信号生成电路 生成的所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于 Cgdx {Vgh― Vgl) ,
Cst\ 其中， 为与所述存储电容串联的寄生电容的电容值， Cst \ 为所述存储电 容在所述存储电极线上的电容部分的电容值， 和 /分别为栅电极的开启 电压和关闭电压。
9、 根据权利要求 6所述的公共电极驱动电路， 其中所述第一公共电极信 号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量的绝对值等于所述栅极信号跳 二者变化方向相反。
10、 根据权利要求 6所述的公共电极驱动电路， 其中所述驱动信号生成 电路， 包括：
第一驱动信号生成单元， 用于生成所述第二公共电极信号；
第二驱动信号生成单元， 用于生成跳变时序信号， 并将所述跳变时序信 号叠加在所述第一驱动信号生成单元生成的所述第二公共电极信号上， 生成 所述第一公共电极信号。
11、 一种液晶显示器， 包括：
液晶面板； 和
用于驱动所述液晶面板的驱动器， 其中， 所述液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒而成， 其间填充有液晶 层， 所述驱动器包括栅极驱动器、 数据驱动器以及公共电极驱动器，
其中， 所述公共电极驱动器用于生成施加到所述阵列基板上各行像素的 存储电极线的第一公共电极信号和施加到与所述阵列基板上各行像素中的像 素电极形成液晶电容的公共电极上的第二公共电极信号， 并将生成的第一公 共电极信号分别输入到各行像素， 将生成的第二公共电极信号输入到所述公 共电极， 以及
其中， 所述第一公共电极信号的跳变时序与相应行像素的栅极信号的跳 变时序相反。
12、 根据权利要求 11所述的液晶显示器， 其中所述存储电容为所述像素 电极与所述存储电极线相重叠的结构， 所述第一公共电极信号的高电平与低 电平的差值等于 Cgdx {Vgh― Vgl) , 其中， 为与所述存储电容串联的寄生电
Cst
容的电容值， 为所述存储电容的电容值， 和 /分别为栅电极的开启电 压和关闭电压。
13、 根据权利要求 11所述的液晶显示器， 其中所述存储电容为所述像素 电极与所述存储电极线和栅线分别重叠的结构， 所述第一公共电极信号的高 电平与低电平的差值等于 e^x ( , 其中， 为与所述存储电容串联
Cst\
的寄生电容的电容值， Cst l 为所述存储电容在所述存储电极线上的电容部分 的电容值， ί¾¾和 /分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
14、 根据权利要求 11所述的液晶显示器， 其中所述第一公共电极信号跳 变前后所引起的所述存储电容上的电荷变化量的绝对值等于所述栅极信号跳 二者变化方向相反。
15、根据权利要求 11所述的液晶显示器，其中所述公共电极形成在所述 彩膜基板之上或者形成在所述阵列基板上。
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