TWI491966B - 液晶顯示面板及液晶顯示陣列基板 - Google Patents

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TWI491966B
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Kueisheng Tseng
Pojen Chiang
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Description

液晶顯示面板及液晶顯示陣列基板
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種液晶顯示面板及液晶顯示陣列基板。
液晶顯示器，或稱LCD(Liquid Crystal Display)，為平面超薄的顯示設備，它由一定數量的彩色或黑白畫素組成，放置于光源或者反射面前方。液晶顯示器功耗很低，因此倍受產業界青睞，適用於電子設備。
於液晶顯示器中，2H轉換方式(2H inversion)是一種改善點遮罩(Dot mask)畫面下點反轉(Dot inversion)畫面閃爍問題的驅動方式，然而在高解析度的面板上，閘延遲(Gate delay)造成充電時間不足，所以在資料進入時，閘極必須提前導通，但是當資料線有無經過正負極性轉換時，畫素的充電狀況有很大差異，因而容易發生充電不均造成的顯示網格或亮暗線問題。
由此可見，上述現有的技術，顯然仍存在不便與缺陷，而有待加以進一步改進。為了解決上述問題，相關領域莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的方式被發展完成。因此，如何能改善顯示網格或亮暗線問題，實屬當前重要研發課題之一，亦成為當前相關領域亟需改進的目標。
因此，本發明之一態樣是在提供一種液晶顯示面板及液晶顯示陣列基板。
依據本發明一實施例，一種液晶顯示面板包括一第一基板、多條掃描線、多條資料線、多個第一列畫素單元、多個第二列畫素單元、一第二基板以及一液晶層。多條掃描線與多條資料線皆設置在第一基板上，且資料線跟掃描線交錯。多個第一列畫素單元平行設置在第一基板上，每第一列畫素單元具有多個第一畫素結構，沿一列方向排列，分別電性連接對應的掃描線與資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，第一儲存電容具有一第一儲存電容值；多個第二列畫素單元平行設置在第一基板上，且跟這些第一列畫素單元交替排列，每一第二列畫素單元具有多個第二畫素結構，沿列方向排列，分別電性連接對應的掃描線與資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。第二基板跟第一基板相對設置，液晶層設置在第一基板與第二基板之間。
依據本發明另一實施例，一種液晶顯示陣列基板包括一基板、多條掃描線、多條資料線、多個第一列畫素單元以及多個第二列畫素單元。多條掃描線與多條資料線皆設置在基板上，且資料線跟掃描線交錯。多個第一列畫素單元平行設置在基板上，每第一列畫素單元具有多個第一畫素結構，沿一列方向排列，分別電性連接對應的掃描線與資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，第一儲存電容具有一第一儲存電容值；多個第二列畫素單元平行設置在基板上，且跟這些第一列畫素單元交替排列，每一第二列畫素單元具有多個第二畫素結構，沿列方向排列，分別電性連接對應的掃描線與資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
依據本發明又一實施例，一種液晶顯示面板包括一第一基板、多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條資料線、多個第一列畫素單元、多個第二列畫素單元、一第二基板以及一液晶層。第一掃描線與第二掃描線平行交替設置在第一基板上。資料線設置在第一基板上，跟這些掃描線交錯。多個第一行畫素單元平行設置在第一基板上，每第一行畫素單元具有多個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線與資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，第一儲存電容具有一第一儲存電容值；多個第二行畫素單元，平行設置在第一基板上，且跟這些第一行畫素單元交替排列，每一第二行畫素單元具有多個第二畫素結構，沿行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線與資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。第二基板跟第一基板相對設置，液晶層設置在第一基板與第二基板之間。
依據本發明再一實施例，一種液晶顯示陣列基板包括一基板、多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條資料線、多個第一列畫素單元以及多個第二列畫素單元。第一掃描線與第二掃描線平行交替設置在基板上。資料線設置在基板上，跟這些掃描線交錯。多個第一行畫素單元平行設置在基板上，每第一行畫素單元具有多個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線與資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，第一儲存電容具有一第一儲存電容值；多個第二行畫素單元平行設置在基板上，且跟這些第一行畫素單元交替排列，每一第二行畫素單元具有多個第二畫素結構，沿行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線與資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
依據本發明又再一實施例，一種液晶顯示面板包括一第一基板、多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條資料線、多個第一行畫素單元、多個第二行畫素單元、一第二基板以及一液晶層。第一掃描線與第二掃描線平行交替設置在第一基板上。資料線設置在第一基板上，跟掃描線交錯。多個第一行畫素單元，平行設置在第一基板上，每第一行畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線與資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，第一儲存電容具有一第一儲存電容值。多個第二行畫素單元，平行設置在第一基板上，且跟這些第一行畫素單元交替排列，每一第二行畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線與資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。第二基板跟第一基板相對設置，液晶層設置在第一基板與第二基板之間。
依據本發明再又一實施例，一種液晶顯示面板液晶顯示陣列基板包括一基板、多條第一掃描線、多條第二掃描線、多條資料線、多個第一行畫素單元以及多個第二行畫素單元。第一掃描線與第二掃描線平行交替設置在基板上。資料線設置在基板上，跟掃描線交錯。多個第一行畫素單元，平行設置在基板上，每第一行畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線與資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，第一儲存電容具有一第一儲存電容值。多個第二行畫素單元，平行設置在基板上，且跟這些第一行畫素單元交替排列，每一第二行畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線與資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
綜上所述，本發明之技術方案與現有技術相比具有明顯的優點和有益效果。藉由上述技術方案，可達到相當的技術進步，並具有產業上的廣泛利用價值，其至少具有下列特點：
1.採用上述之第二儲存電容值小於第一儲存電容值的補償機制，使得相鄰畫素在充電經過饋通電壓降以後之保持電壓(holding voltage)十分接近，甚至相同，從而改善顯示網格問題；以及
2.在保持電壓相同或十分接近的情況下，自然無亮暗線問題。
為了使本發明之敘述更加詳盡與完備，可參照所附之圖式及以下所述各種實施例，圖式中相同之號碼代表相同或相似之元件。另一方面，眾所週知的元件與步驟並未描述於實施例中，以避免對本發明造成不必要的限制。
於實施方式與申請專利範圍中，除非內文中對於冠詞有所特別限定，否則『一』與『該』可泛指單一個或複數個。
本文中所使用之『約』、『大約』或『大致』係用以修飾任何可些微變化的數量，但這種些微變化並不會改變其本質。於實施方式中若無特別說明，則代表以『約』、『大約』或『大致』所修飾之數值的誤差範圍一般是容許在百分之二十以內，較佳地是於百分之十以內，而更佳地則是於百分五之以內。
第1圖是依照本發明一實施例之一種液晶顯示面板100的示意圖。如第1圖所示，液晶顯示面板100包括第一基板110、第二基板120、液晶層130以及畫素陣列200。
在結構上，第二基板120跟第一基板110相對設置，液晶層130設置在第一基板110與第二基板120之間，畫素陣列200設置在第一基板110上。
其中，第一基板110例如是薄膜電晶體陣列基板，且第二基板例如是彩色濾光基板。關於第二基板120之具體結構，舉例來說，第二基板120可包括上基底、上偏光板、彩色濾光片以及共通電極。另一方面，關於第一基板110上之畫素陣列200，以下將以多個實施例搭配不同圖式來說明各種畫素陣列200之具體結構。
第2圖是依照本發明一實施例所繪示之畫素陣列200的局部電路圖。如第2圖所示，畫素陣列200包括多條掃描線202～208、多條資料線212～216、多個第一列畫素單元220、240以及多個第二列畫素單元230、250，皆設置在如第1圖所示之第一基板110上。
在結構上，資料線212～216跟掃描線202～208交錯。第一列畫素單元220、240與第二列畫素單元230、250皆平行設置在第一基板110上，且第二列畫素單元230、250跟第一列畫素單元220、240交替排列。
每第一列畫素單元220具有多個第一畫素結構222，沿一列方向排列，分別電性連接對應的掃描線202、206與資料線212、214，每一第一畫素結構222具有第一儲存電容312，第一儲存電容312具有第一儲存電容值。每一第二列畫素單元230具有多個第二畫素結構232，沿列方向排列，分別電性連接對應的掃描線204、208與資料線212、214，每一第二畫素結構232具有第二儲存電容322，第二儲存電容322具有第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
關於第一儲存電容312與第二儲存電容322在結構上之差異，舉例來說，第二儲存電容322之面積小於第一儲存電容312之面積，或者第二儲存電容322之厚度大於第一儲存電容312之厚度，或者第二儲存電容322之介電常數小於第一儲存電容312之介電常數。藉由上述任一方式，即可使第二儲存電容值小於第一儲存電容值。在此以面積差異來進行說明。
再者，每一第一畫素結構222包含第一薄膜電晶體314，第一薄膜電晶體314連接掃描線202、206、資料線212、214與第一儲存電容312；且每一第二畫素結構232包含第二薄膜電晶體324，第二薄膜電晶體324連接掃描線204、208、資料線212、214與第二儲存電容322。
另外，每一第一畫素結構222包含第一液晶電容316，第一液晶電容316連接第一薄膜電晶體314；且每一第二畫素結構232包含第二液晶電容326，第二液晶電容326連接第二薄膜電晶體324。而其他列類似的畫素結構以此類推，於此不再說明。
第3圖是第2圖中相鄰兩畫素結構232之俯視示意圖。如第3圖所示，第二薄膜電晶體324連接畫素電極328，畫素電極328可作為上述之第二儲存電容322之一電極板。另外，第一薄膜電晶體亦連接畫素電極(未繪示)，此畫素電極可作為上述之第第一儲存電容之一電極板。於使用上，可藉由左右兩畫素電極328之極性相異，而產生邊緣電場以造成如第1圖所示之液晶層130中的液晶分子的旋轉，以下將搭配第4圖來具體說明驅動之方式。
第4圖是第2圖之畫素陣列200所搭配之2H轉換方式驅動。於2H轉換方式中，舉例來說，資料驅動電路可提供畫素資料信號402至資料線212，此畫素資料信號可代表紅、綠、藍之灰階。在畫素資料信號402為高位準之期間，掃描驅動電路可先提供掃描信號412至掃描線202以導通第一薄膜電晶體314，使第一儲存電容312得以充電；接著，掃描驅動電路可提供掃描信號414至掃描線204以導通第二薄膜電晶體324，使第二儲存電容322得以充電，而其餘類似的畫素結構之掃描則以此類推。
另一方面，一固定電壓提供至共通電極，共通電極與畫素電極間之電壓差產生了電場，造成液晶分子之旋轉且一特定灰階。在畫素資料信號402為低位準之期間，掃描驅動電路可先後提供掃描信號416、418分別至掃描線206、208，而對應之第一、第二儲存電容則未充電，而其餘類似的畫素結構之掃描亦以此類推。
一般而言，畫素資料信號根據其電壓高於或低於共通電極電壓而具有正極性或負極性。當畫素資料信號之電壓低於共通電極電壓時，畫素資料信號為負極性。此外，當畫素資料信號之電壓高於共通電極電壓時，畫素資料信號為正極性。第5圖表示第4圖之畫素陣列200以2H轉換方式驅動時之顯示效果。於第5圖中，以「+」代表正極性，以「－」代表負極性，而黑色粗框圍著的部分即對應至第4圖中之畫素陣列。
第6A圖是依照本發明一實施例所繪示之第2圖之畫素陣列200以2H轉換方式驅動於灰階為0階時之時序圖。於第6A圖中，以扭轉向列液晶(Twisted nematic liquid crystal；TN)顯示結構為例，第二儲存電容322之第二儲存電容值(0.207pF)小於第一儲存電容312之第一儲存電容值(0.247pF)。當畫素資料信號402代表灰階為0階(L0)，由於掃描信號412比畫素資料信號402早一段時間被提供，因此在第一薄膜電晶體314剛開始導通時，畫素資料信號402無法導入到第一儲存電容312，所以採第二儲存電容322之第二儲存電容值(0.207pF)小於第一儲存電容312之第一儲存電容值(0.247pF)的補償機制，經過饋通(Feed-through)電壓降以後，使得第一儲存電容312之保持(Holding)電壓601與第二儲存電容322之保持電壓602均為11.055V，兩者之保持電壓大致相同(△V’=0)，從而解決顯示網格問題。
第6B圖是對照比較例之畫素陣列以2H轉換方式驅動於灰階為0階時之時序圖。在對照實驗中，除了第二儲存電容322之第二儲存電容值(0.247pF)等於第一儲存電容312之第一儲存電容值(0.247pF)以外，其他參數與硬體架構則與第6A圖基本上相同。由於欠缺補償機制，經過饋通電壓降以後，造成第一儲存電容312之保持電壓603為11.055V，第二儲存電容322之保持電壓604為11.153V，兩者之保持電壓差異甚大(△V=0.098伏特)，而導致顯示網格問題。
第7A圖是是依照本發明一實施例所繪示之第2圖之畫素陣列200以2H轉換方式驅動於灰階為32階時之時序圖。於第7A圖中，第二儲存電容322之第二儲存電容值(0.207pF)小於第一儲存電容312之第一儲存電容值(0.247pF)。當畫素資料信號402代表灰階為32階(L32)，由於掃描信號412比畫素資料信號402早一段時間被提供，因此在第一薄膜電晶體314剛開始導通時，畫素資料信號402無法導入到第一儲存電容312，所以採第二儲存電容322之第二儲存電容值(0.207pF)小於第一儲存電容312之第一儲存電容值(0.247pF)的補償機制，經過饋通電壓降以後，使得第一儲存電容312之保持電壓605為10.094V，與第二儲存電容322之保持電壓606為10.127V，兩者之保持電壓十分接近(△V”=0.033伏特)，從而降低顯示網格問題。
第7B圖是對照比較例之畫素陣列以2H轉換方式驅動於灰階為32階時之時序圖。在對照實驗中，除了第二儲存電容322之第二儲存電容值(0.247pF)等於第一儲存電容312之第一儲存電容值(0.247pF)且畫素資料信號402代表灰階為32階以外，其他參數與硬體架構則與第7B圖基本上相同。由於欠缺補償機制，經過饋通電壓降以後，造成第一儲存電容312之電壓607與第二儲存電容322之電壓608兩者之保持電壓差異甚大(△V=0.098伏特)，而導致顯示網格問題。
實作上，只要第二儲存電容322之第二儲存電容值小於第一儲存電容312之第一儲存電容值，即可達到改善顯示網格之效果。較佳是第二儲存電容值為第一儲存電容值之30%-99.9%，使用者就不易察覺到網格。更佳是第二儲存電容值為第一儲存電容值之50%-95%，使用者在細看時也難以看到網格；而最佳則是第二儲存電容值為第一儲存電容值之70%-90%，可更有效地消除顯示網格。
綜上所述，基板110結合如第2圖之畫素陣列200可作為一種液晶顯示陣列基板。此液晶顯示陣列基板包括基板110、多條掃描線202～208、多條資料線212～216、多個第一列畫素單元220以及多個第二列畫素單元230。掃描線202～208與資料線212～216皆設置在基板110上，且資料線212～216跟掃描線202～208交錯。第一列畫素單元220平行設置在基板110上，每第一列畫素單元220具有多個第一畫素結構222，沿一列方向排列，分別電性連接對應的掃描線202、206與資料線212、214，每一第一畫素結構222具有一第一儲存電容312，第一儲存電容312具有第一儲存電容值。第二列畫素單元232平行設置在基板110上，且跟這些第一列畫素單元222交替排列，每一第二列畫素單元230具有多個第二畫素結構232，沿列方向排列，分別電性連接對應的掃描線204、208與資料線212、214，每一第二畫素結構232具有一第二儲存電容322，第二儲存電容322具有第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
第8圖是依照本發明另一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列200的局部電路圖及其搭配之3H轉換方式驅動。如第8圖所示，使用第一列畫素單元220、第二列畫素單元230與第三列畫素單元240為重複驅動單元以外，其餘之電路架構與第2圖所示之畫素陣列200基本上相同。第三列畫素單元240的數量可為多個，平行設置在第一基板110上，且每一第三列畫素單元240設置在相鄰的第二列畫素單元230之後，每一第三列畫素單元240具有多個第三畫素結構242，沿列方向排列，分別電性連接對應的掃描線203與資料線212、214，每一第三畫素結構242具有第三儲存電容，第三儲存電容具有第三儲存電容值，其中第三儲存電容值等於第二儲存電容值。
再者，每一第三畫素結構242包含第三薄膜電晶體334，第三薄膜電晶體334連接掃描線203、資料線212、214與第三儲存電容332。
另外，每一第三畫素結構242包含第三液晶電容336，第三液晶電容336連接第三薄膜電晶體334。
於3H轉換方式中，舉例來說，資料驅動電路可提供畫素資料信號802至資料線212，此畫素資料信號可代表紅、綠、藍之灰階。在畫素資料信號802為高位準之期間，掃描驅動電路可先提供掃描信號812至掃描線202以導通第一薄膜電晶體314，使第一儲存電容312得以充電；接著，提供掃描信號813至掃描線203以導通第二薄膜電晶體324，使第二儲存電容322得以充電；然後，掃描驅動電路可提供掃描信號814至掃描線204以導通第三薄膜電晶體334，使第三儲存電容332得以充電，而其餘類似的畫素結構之掃描則以此類推。藉此，以3H轉換方式驅動時之顯示效果如第9圖所示，黑色粗框圍著的部分即對應至第8圖中之畫素陣列。同理，本發明亦可應用至nH轉換方式驅動，其中n為正整數。
第10圖是依照本發明又一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列200的局部電路圖及其搭配之2H轉換方式驅動。於第10圖中，畫素陣列200為2G1D的排列方式，包括多條第一掃描線902、904、第二掃描線903、905、多條資料線912～914、多個第一行畫素單元920以及多個第二行畫素單元930，皆設置在如第1圖所示之第一基板110上。
在結構上，第一掃描線902、904與第二掃描線903、905平行交替設置在第一基板110上。資料線912～914設置在第一基板110上，跟這些掃描線902～905交錯。第一行畫素單元920與第二行畫素單元930皆平行設置在第一基板110上，且第二行畫素單元930跟第一行畫素單元920交替排列。
每第一行畫素單元920具有多個第一畫素結構922，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線902、903與資料線912，每一第一畫素結構922具有一第一儲存電容1012，第一儲存電容1012具有一第一儲存電容值；每一第二行畫素單元930具有多個第二畫素結構932，沿行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線904、905與資料線912，每一第二畫素結構932具有第二儲存電容1022，第二儲存電容1022具有第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
關於第一儲存電容1012與第二儲存電容1022在結構上之差異，舉例來說，第二儲存電容1022之面積小於第一儲存電容1012之面積，或者，第二儲存電容1022之厚度大於第一儲存電容1012之厚度，或者，第二儲存電容1022之介電常數小於第一儲存電容1012之介電常數。藉由上述任一方式，即可使第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
再者，每一第一畫素結構922包含第一薄膜電晶體1014，第一薄膜電晶體1014連接第一掃描線902、資料線912與第一儲存電容1012；且每一第二畫素結構932包含第二薄膜電晶體1024，第二薄膜電晶體1024連接第二掃描線903、資料線912與第二儲存電容1022。
另外，每一第一畫素結構922包含第一液晶電容1016，第一液晶電容1016連接第一薄膜電晶體1014；且每一第二畫素結構932包含第二液晶電容1026，第二液晶電容1026連接第二薄膜電晶體1024。
於2H轉換方式中，舉例來說，資料驅動電路可提供畫素資料信號1300至資料線912，此畫素資料信號可代表紅、綠、藍之灰階。在畫素資料信號1300為高位準1202之期間，掃描驅動電路可先提供掃描信號1312至掃描線902以導通對應之第一薄膜電晶體1014，使第一儲存電容1012得以充電。接著，在畫素資料信號1300為低位準1203之期間，掃描驅動電路可先後提供掃描信號1314至掃描線903，以導通對應之第二薄膜電晶體1024，使第二儲存電容1022得以充電。其餘類似的畫素結構之掃描則以此類推。藉此，以2H轉換方式驅動時達成如第11圖所示之2V轉換的顯示效果，黑色粗框圍著的部分即對應至第12圖中之畫素陣列。
第12圖是依照本發明又一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列的局部電路圖及其搭配之(2H+1)轉換方式驅動。於第12圖中，畫素陣列200為2G1D的排列方式，包括多條第一掃描線902、904、第二掃描線903、905、多條資料線912～914、多個第一行畫素單元920以及多個第二行畫素單元930，皆設置在如第1圖所示之第一基板110上。
在結構上，第一掃描線902、904與第二掃描線903、905平行交替設置在第一基板110上。資料線912～914設置在第一基板110上，跟這些掃描線902～905交錯。第一行畫素單元920與第二行畫素單元930皆平行設置在第一基板110上，且第二行畫素單元930跟第一行畫素單元920交替排列。
每第一行畫素單元920具有多個第一畫素結構922，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線903、905與資料線912，每一第一畫素結構922具有一第一儲存電容1012，第一儲存電容1012具有一第一儲存電容值；每一第二行畫素單元930具有多個第二畫素結構932，沿行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線902、904與資料線912，每一第二畫素結構932具有第二儲存電容1022，第二儲存電容1022具有第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
再者，每一第一畫素結構922包含第一薄膜電晶體1014，第一薄膜電晶體1014連接第一掃描線902、資料線912與第一儲存電容1012；且每一第二畫素結構932包含第二薄膜電晶體1024，第二薄膜電晶體1024連接第二掃描線903、資料線912與第二儲存電容1022。
另外，每一第一畫素結構922包含第一液晶電容1016，第一液晶電容1016連接第一薄膜電晶體1014；且每一第二畫素結構932包含第二液晶電容1026，第二液晶電容1026連接第二薄膜電晶體1024。
於(2H+1)2H轉換方式中，舉例來說，資料驅動電路可提供畫素資料信號1100至資料線912，此畫素資料信號可代表紅、綠、藍之灰階。在畫素資料信號1100為高位準1102之期間，掃描驅動電路可先提供掃描信號1112至掃描線912以導通對應之第二薄膜電晶體1024，使第二儲存電容1022得以充電。接著，在畫素資料信號1100為低位準1103之期間，掃描驅動電路可先提供掃描信號1114至掃描線903，以導通對應之第一薄膜電晶體1014，使第二儲存電容1012得以充電。然後，掃描驅動電路可提供掃描信號1116至掃描線904，以導通對應之第二薄膜電晶體1024，使第二儲存電容1022得以充電。在畫素資料信號1100為高位準1104之期間，掃描驅動電路可提供掃描信號1118至掃描線905以導通對應之第一薄膜電晶體1014，使第一儲存電容1012得以充電，而其餘類似的畫素結構之掃描則以此類推。藉此，以(2H+1)轉換方式驅動時達成如第13圖所示之點轉換(Dot Inversion)的顯示效果，黑色粗框圍著的部分即對應至第12圖中之畫素陣列。
無論以2H或(2H+1)轉換方式驅動，只要第二儲存電容1022之第二儲存電容值小於第一儲存電容1012之第一儲存電容值，即可在充電經過饋通電壓降以後之保持電壓十分接近，甚至相同，從而改善顯示網格問題。一般是第二儲存電容值為第一儲存電容值之30%-99.9%，使用者就不易察覺到網格；較佳地是第二儲存電容值為第一儲存電容值之50%-95%，使用者在細看時也難以看到網格；而更佳地則是第二儲存電容值為第一儲存電容值之70%-90%，可更有效地消除顯示網格。
綜上所述，基板110結合如第10圖或第12圖之畫素陣列200可作為一種液晶顯示陣列基板。此液晶顯示陣列基板包括基板110、多條第一掃描線902～903、多條第二掃描線904～905、多條資料線912～914、多個第一列畫素單元920以及多個第二列畫素單元920。第一掃描線902～903與第二掃描線904～905平行交替設置在基板110上。資料線912～914設置在基板110上，跟這些掃描線902～905交錯。多個第一行畫素單元920平行設置在基板110上，每第一行畫素單元920具有多個第一畫素結構922，沿一行方向排列，分別電性連接對應的第一掃描線902、904(2H)與資料線912～914或是第二掃描線903、905(2H+1)與資料線912～914，每一第一畫素結構922具有第一儲存電容1012，第一儲存電容1012具有第一儲存電容值；多個第二行畫素單元930平行設置在基板110上，且跟這些第一行畫素單元920交替排列，每一第二行畫素單元930具有多個第二畫素結構932，沿行方向排列，分別電性連接對應的第二掃描線903、905(2H)與資料線912～914或是第一掃描線902、904(2H+1)與資料線912～914，每一第二畫素結構932具有第二儲存電容1022，第二儲存電容1022具有一第二儲存電容值，其中第二儲存電容值小於第一儲存電容值。
本發明提供第二儲存電容之第二儲存電容值小於第一儲存電容之第一儲存電容值，即可在充電經過饋通電壓降以後之保持電壓十分接近，甚至相同，從而改善顯示網格或是亮暗線的問題。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100．．．液晶顯示面板
110．．．第一基板
120．．．第二基板
130．．．液晶層
200．．．畫素陣列
202、204、206、208．．．掃描線
212、214、216．．．資料線
220．．．第一列畫素單元
222．．．第一畫素結構
230、250．．．第二列畫素單元
232．．．第二畫素結構
240．．．第一或第三列畫素單元
242．．．第三畫素結構
312．．．第一儲存電容
314．．．第一薄膜電晶體
316．．．第一液晶電容
322．．．第二儲存電容
324．．．第二薄膜電晶體
326．．．第二液晶電容
328．．．畫素電極
332．．．第三儲存電容
334．．．第三薄膜電晶體
336．．．第三液晶電容
402、802、1110、1300．．．畫素資料信號
412～418、812～814、1112～1118、1312～1318．．．掃描信號
601、602、603、604、605、606、607、608．．．電壓
920．．．第一行畫素單元
922．．．第一畫素結構
930．．．第二行畫素單元
932．．．第二畫素結構
1012．．．第一儲存電容
1014．．．第一薄膜電晶體
1016．．．第一液晶電容
1022．．．第二儲存電容
1024．．．第二薄膜電晶體
1026．．．第二液晶電容
1102、1104、1202．．．高位準
1103、1203．．．低位準
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、優點與實施例能更明顯易懂，所附圖式之說明如下：
第1圖是依照本發明一實施例之一種液晶顯示面板的示意圖；
第2圖是依照本發明一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列的局部電路圖；
第3圖是第2圖中相鄰兩畫素結構之佈置圖；
第4圖是第2圖之畫素陣列所搭配之2H轉換方式驅動；
第5圖表示第4圖之畫素陣列以2H轉換方式驅動時之顯示效果。
第6A圖是是依照本發明一實施例所繪示之第2圖之畫素陣列以2H轉換方式驅動時之時序圖。
第6B圖是對照比較例之畫素陣列以2H轉換方式驅動時之時序圖。
第7A圖是是依照本發明另一實施例所繪示之第2圖之畫素陣列以2H轉換方式驅動時之時序圖。
第7B圖是對照比較例之畫素陣列以2H轉換方式驅動時之時序圖。
第8圖是依照本發明另一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列的局部電路圖及其搭配之3H轉換方式驅動；
第9圖表示第8圖之畫素陣列以3H轉換方式驅動時之顯示效果。
第10圖是依照本發明又一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列的局部電路圖及其搭配之2H轉換方式驅動；
第11圖表示第10圖之畫素陣列以2H轉換方式驅動時之2V轉換的顯示效果。
第12圖是依照本發明又一實施例所繪示之第1圖之畫素陣列的局部電路圖及其搭配之(2H+1)轉換方式驅動；
第13圖表示第10圖之畫素陣列以(2H+1)轉換方式驅動時之點轉換的顯示效果。
200．．．畫素陣列
202、204、206、208．．．掃描線
212、214、216．．．資料線
220、240．．．第一列畫素單元
222．．．第一畫素結構
230、250．．．第二列畫素單元
232．．．第二畫素結構
312．．．第一儲存電容
314．．．第一薄膜電晶體
316．．．第一液晶電容
322．．．第二儲存電容
324．．．第二薄膜電晶體
326．．．第二液晶電容

Claims (29)

  1. 一種液晶顯示面板，包括：一第一基板；複數條掃描線，設置在該第一基板上；複數條資料線，設置在該第一基板上，跟該些掃描線交錯；複數個第一列畫素單元，平行設置在該第一基板上，每該第一列畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一列方向排列，分別電性連接對應的該掃描線與該資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，該第一儲存電容具有一第一儲存電容值；複數個第二列畫素單元，平行設置在該第一基板上，且跟該些第一列畫素單元交替排列，每一該第二列畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿該列方向排列，分別電性連接對應的該掃描線與該資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，該第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之30%-99.9%；一第二基板，跟該第一基板相對設置；以及一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間。
  2. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中每一該第一畫素結構包含一第一薄膜電晶體連接該掃描線、該資料線與該第一儲存電容，且每一該第二畫素結構包含一第二薄 膜電晶體連接該掃描線、該資料線與該第二儲存電容。
  3. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之50%-95%。
  4. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之70%-90%。
  5. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之面積小於該第一儲存電容之面積。
  6. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之厚度大於該第一儲存電容之厚度。
  7. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之介電常數小於該第一儲存電容之介電常數。
  8. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中液晶顯示面板以2H轉換方式驅動。
  9. 如請求項1所述之液晶顯示面板，更包括複數個第三列畫素單元，平行設置在該第一基板上，且每一該第三列畫素單元設置在相鄰的該第二列畫素單元與該第一列畫素單元之間，每一該第三列畫素單元具有複數個第三畫素 結構，沿該列方向排列，分別電性連接對應的該掃描線與該資料線，每一第三畫素結構具有一第三儲存電容，該第三儲存電容具有一第三儲存電容值，其中該第三儲存電容值等於該第二儲存電容值。
  10. 如請求項1所述之液晶顯示面板，其中液晶顯示面板以3H轉換方式驅動。
  11. 一種液晶顯示陣列基板，包括：一基板；複數條掃描線，設置在該基板上；複數條資料線，設置在該基板上，跟該些掃描線交錯；複數個第一列畫素單元，平行設置在該基板上，每該第一列畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一列方向排列，分別電性連接對應的該掃描線與該資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，該第一儲存電容具有一第一儲存電容值；以及複數個第二列畫素單元，平行設置在該基板上，且跟該些第一列畫素單元交替排列，每一該第二列畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿該列方向排列，分別電性連接對應的該掃描線與該資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，該第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之30%-99.9%。
  12. 一種液晶顯示面板，包括： 一第一基板；複數條第一掃描線與複數條第二掃描線，平行交替設置在該第一基板上；複數條資料線，設置在該第一基板上，跟該些掃描線交錯；複數個第一行畫素單元，平行設置在該第一基板上，每該第一行畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的該第一掃描線與該資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，該第一儲存電容具有一第一儲存電容值；複數個第二行畫素單元，平行設置在該第一基板上，且跟該些第一行畫素單元交替排列，每一該第二行畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿該行方向排列，分別電性連接對應的該第二掃描線與該資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，該第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之30%-99.9%；一第二基板，跟該第一基板相對設置；以及一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間。
  13. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中每一該第一畫素結構包含一第一薄膜電晶體連接該第一掃描線、該資料線與該第一儲存電容，且每一該第二畫素結構包含一第二薄膜電晶體連接該第二掃描線、該資料線與該第二儲存電容。
  14. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之50%-95%。
  15. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之70%-90%。
  16. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之面積小於該第一儲存電容之面積。
  17. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之厚度大於該第一儲存電容之厚度。
  18. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之介電常數小於該第一儲存電容之介電常數。
  19. 如請求項12所述之液晶顯示面板，其中液晶顯示面板以2H轉換方式驅動，達到2V轉換的顯示效果。
  20. 一種液晶顯示陣列基板，包括：一基板；複數條第一掃描線與複數條第二掃描線，平行交替設置在該基板上；複數條資料線，設置在該基板上，跟該些掃描線交錯； 複數個第一行畫素單元，平行設置在該第一基板上，每該第一行畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的該第一掃描線與該資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，該第一儲存電容具有一第一儲存電容值；以及複數個第二行畫素單元，平行設置在該基板上，且跟該些第一行畫素單元交替排列，每一該第二行畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿該行方向排列，分別電性連接對應的該第二掃描線與該資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，該第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之30%-99.9%。
  21. 一種液晶顯示面板，包括：一第一基板；複數條第一掃描線與複數條第二掃描線，平行交替設置在該第一基板上；複數條資料線，設置在該第一基板上，跟該些掃描線交錯；複數個第一行畫素單元，平行設置在該第一基板上，每該第一行畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的該第二掃描線與該資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，該第一儲存電容具有一第一儲存電容值；複數個第二行畫素單元，平行設置在該第一基板上， 且跟該些第一行畫素單元交替排列，每一該第二行畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿該行方向排列，分別電性連接對應的該第一掃描線與該資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，該第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之30%-99.9%；一第二基板，跟該第一基板相對設置；以及一液晶層，設置在該第一基板與該第二基板之間。
  22. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中每一該第一畫素結構包含一第一薄膜電晶體連接該第一掃描線、該資料線與該第一儲存電容，且每一該第二畫素結構包含一第二薄膜電晶體連接該第二掃描線、該資料線與該第二儲存電容。
  23. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之50%-95%。
  24. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之70%-90%。
  25. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之面積小於該第一儲存電容之面積。
  26. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之厚度大於該第一儲存電容之厚度。
  27. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中該第二儲存電容之介電常數小於該第一儲存電容之介電常數。
  28. 如請求項21所述之液晶顯示面板，其中液晶顯示面板以(2H+1)轉換方式驅動，達到點轉換的顯示效果。
  29. 一種液晶顯示陣列基板，包括：一基板；複數條第一掃描線與複數條第二掃描線，平行交替設置在該基板上；複數條資料線，設置在該基板上，跟該些掃描線交錯；複數個第一行畫素單元，平行設置在該基板上，每該第一行畫素單元具有複數個第一畫素結構，沿一行方向排列，分別電性連接對應的該第二掃描線與該資料線，每一第一畫素結構具有一第一儲存電容，該第一儲存電容具有一第一儲存電容值；以及複數個第二行畫素單元，平行設置在該基板上，且跟該些第一行畫素單元交替排列，每一該第二行畫素單元具有複數個第二畫素結構，沿該行方向排列，分別電性連接對應的該第一掃描線與該資料線，每一第二畫素結構具有一第二儲存電容，該第二儲存電容具有一第二儲存電容值，其中該第二儲存電容值為該第一儲存電容值之30%- 99.9%。
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