CN102222456A - 公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器 - Google Patents

公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器。公共电极驱动方法包括：生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量；向各行像素输入所述第一公共电极信号，并向所述彩膜基板输入所述第二公共电极信号。本发明可以使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。

Description

公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器
技术领域
本发明涉及液晶显示技术，尤其涉及一种公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器。
背景技术
液晶显示器是目前常用的平板显示器，其中薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是液晶显示器中的主流产品。
在现有技术中，液晶显示器由矩阵形式排列的多个像素所组成，图1为现有技术液晶显示器中的单位像素的等效电路原理图，如图1所示，TFT-LCD工作时，在阵列基板上，首先向与栅线Gn相连接的栅电极g施加栅极导通电压，打开TFT，从而把数据线Dm上的显示图像信号的数据电压通过源电极s施加到漏电极d；漏电极d与像素电极p连接，上述数据电压通过漏电极d施加到像素电极p上形成像素电极电压，其中Cn为公共电极线；在彩膜基板上布设有公共电极层，像素电极p上的像素电极电压与公共电极层上的公共电极电压V0之间的电压差形成液晶电容Clc，液晶电容Clc施加到液晶分子上，使液晶分子发生扭转。由于栅电极g与漏电极d之间形成有寄生电容Cgd，栅线Gn接通和断开时的电压剧烈波动会通过该寄生电容Cgd施加到像素电极p上，使得像素电极电压产生跳变电压ΔVp，影响了像素电极电压的准确性，引起画面闪烁。
发明内容
本发明提供一种公共电极驱动方法和电路以及液晶显示器。
本发明提供一种公共电极驱动方法，包括：
生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量；
向各行像素输入所述第一公共电极信号，并向所述彩膜基板输入所述第二公共电极信号。
本发明提供一种公共电极驱动电路，包括：
驱动信号生成电路，用于生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量；
公共电极信号输出端，用于将所述第一公共电极信号分别输出到各行像素，并将所述第二公共电极信号输出到所述彩膜基板。
本发明提供一种液晶显示器，包括：液晶面板和驱动器，所述液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒而成，其间填充有液晶层，所述驱动器包括栅极驱动器、数据驱动器以及公共电极驱动器，其特征在于，所述公共电极驱动器用于生成所述阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和所述彩膜基板上的第二公共电极信号，并将生成的第一公共电极信号分别输入到各行像素，将生成的第二公共电极信号输入到所述彩膜基板，其中，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
本发明通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
附图说明
图1为现有技术液晶显示器中的单位像素的等效电路原理图；
图2为本发明公共电极驱动方法实施例一的流程图；
图3为本发明公共电极驱动方法实施例一中第一公共电极信号与栅极信号的时序关系图；
图4为本发明公共电极驱动方法实施例二的流程图；
图5为本发明公共电极驱动方法实施例三的流程图；
图6为本发明公共电极驱动电路实施例一的结构示意图；
图7为本发明公共电极驱动电路实施例四的结构示意图；
图8为本发明液晶显示器实施例一的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图2为本发明公共电极驱动方法实施例一的流程图，如图2所示，本实施例的方法包括：
步骤201、生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
具体来说，像素电极产生跳变电压ΔVp的根源在于TFT中栅电极与漏电极之间存在重叠，导致寄生电容Cgd存在。在向栅线输入关断电压信号时，该寄生电容Cgd上存储的电荷Qgd发生改变，由于此时液晶电容Clc、存储电容Cst和寄生电容Cgd存储的电荷之和守恒，寄生电容Cgd上存储电荷Qgd的改变会引起整个像素电极上的电荷分布发生变化，从而使加载在像素电极上的电压发生变化，使像素电极产生跳变电压ΔVp。研究表明，跳变电压ΔVp＝Cgd(Vgh-Vgl)/(Cgd+Clc+Cst)，其中，Vgh为栅电极的开启电压，Vgl为栅电极的关断电压。
图3为本发明公共电极驱动方法实施例一中第一公共电极信号与栅极信号的时序关系图，如图3所示，对应于同一行像素的第一公共电极信号Vcom和栅极信号Gate，其跳变时序关系是相反的，即在栅极信号为高电平时，第一公共电极信号为低电平，在栅极信号为低电平时，第一公共电极信号为高电平，也即在栅线开启时，公共电极线关闭，在栅线关闭时，公共电极线开启。
具体地，发明人对像素电极产生跳变电压的机理进行了深入分析和研究，发现：在栅线信号加载关断电压时，液晶电容Clc、存储电容Cst、寄生电容Cgd三者存储的电荷总量在关闭前后相等。
关闭前，寄生电容Cgd上存储的电荷量为：
Qgd1＝Cgd(Vp1-Vgh)；
关闭后，寄生电容Cgd上存储的电荷量为：
Qgd2＝Cgd(Vp2-Vgl)；
关闭前后寄生电容Cgd上存储电荷的变化量ΔQgd为：
ΔQgd＝Qgd2-Qgd1
＝Cgd[(Vp2-Vgl)-(Vp1-Vgh)]
＝Cgd(ΔVp+Vgh-Vgl)；
其中，Vp1为TFT关闭前的像素电极电压，Vp2为TFT关闭后的像素电极电压，且ΔVp＝Vp2-Vp1。
在该行公共电极线加载开启电压时，开启前存储电容Cst上存储的电荷量为：
Qst1＝Cst(Vp1-Vcl)；
开启后存储电容Cst上存储的电荷量为：
Qst2＝Cst(Vp2-Vch)；
开启前后存储电容Cst上存储电荷的变化量ΔQst为：
ΔQst＝Qst2-Qst1
＝Cst[(Vp2-Vch)-(Vp1-Vcl)]
＝Cst(ΔVp+Vcl-Vch)；
其中，Vch为公共电极线开启电压，Vcl为公共电极线关闭电压。
由于本实施例中，第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，也即本实施例中生成的第一公共电极信号可以使得ΔQgd＝-ΔQst，此时液晶电容Clc、存储电容Cst和寄生电容Cgd存储的电荷之和守恒，因此有ΔQlc+ΔQgd+ΔQst＝0，因此，ΔQlc＝0，其中ΔQlc是液晶电容Clc在栅极关断前后的电荷变化量，ΔQlc＝Clc(Vp2-Vp1)。由于液晶电容Clc为恒定值，则Vp2＝Vp1，ΔVp＝Vp2-Vp1＝0，即像素电压在栅极关断前后不发生变化。其实质是TFT关闭前后其寄生电容Cgd上存储电荷的变化量ΔQgd与公共电极线信号打开前后存储电容Cst上存储电荷的变化量ΔQst大小相等，但变化方向相反，从而使两个电容上存储电荷的总变化量为0，两个电容上存储电荷的变化互相抵消，所以像素电极上电荷变化量为0，因此像素电极的跳变电压ΔVp为0。
需要说明的是，本实施例可以在现有技术生成的用于输入到阵列基板一级彩膜基板上的恒定的公共电极信号的基础上叠加一跳变时序信号，从而生成输入到阵列基板上的第一公共电极信号，而输入到彩膜基板上的第二公共电极信号仍为恒定的公共电极信号。
步骤202、向各行像素输入所述第一公共电极信号，并向所述彩膜基板输入所述第二公共电极信号。
在分别生成阵列基板上各行像素所需的第一公共电极信号和彩膜基板上所述的第二公共电极信号后，驱动电路可以将第一公共电极信号对应地输入到各行像素，并将第二公共电极信号输入到彩膜基板。本实施例将步骤201所生成的第一公共电极信号输入到各行像素，从而使得各像素电极不会产生跳变电压ΔVp，从而保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
本实施例，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
图4为本发明公共电极驱动方法实施例二的流程图，如图4所示，本实施例中，存储电容Cst可以为在公共电极线(Cst On Common)上的结构，本实施例的方法可以包括：
步骤401、生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure GSA00000085997100061
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst为所述存储电容，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例为了使第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，将第一公共电极信号的高电平与低电平的差值设计为等于
Figure GSA00000085997100071
具体来说，栅极信号关断前后，也即公共电极线跳变前后，液晶电容Clc、存储电容Cst和寄生电容Cgd存储的电荷之和守恒，即Qp1＝Qp2，其中Qp1为栅极信号跳变前三个电容上存储的电荷之和，Qp2为栅极信号跳变后三个电容上存储的电荷之和。
其中，Qp1＝Qlc1+Qst1+Qgd1
＝Clc(Vp1-V0)+Cst(Vp1-Vcl)+Cgd(Vp1-Vgh)；
Qp2＝Qlc2+Qst2+Qgd2
＝Clc(Vp2-V0)+Cst(Vp2-Vch)+Cgd(Vp2-Vgl)；
因此，Clc(Vp1-V0)+Cst(Vp1-Vcl)+Cgd(Vp1-Vgh)
＝Clc(Vp2-V0)+Cst(Vp2-Vch)+Cgd(Vp2-Vgl)；
即，Clc(Vp2-Vp1)+Cst(Vp2-Vp1+Vcl-Vch)+Cgd(Vp2-Vp1+Vgh-Vgl)＝0
也即，(Clc+Cst+Cgd)(Vp2-Vp1)+Cst(Vcl-Vch)+Cgd(Vgh-Vgl)＝0
由于，(Vch-Vcl)＝Cgd(Vgh-Vgl)/Cst；
因此，(Clc+Cst+Cgd)(Vp2-Vp1)＝0；
而由于，(Clc+Cst+Cgd)≠0；
则，Vp2-Vp1＝0，也即ΔVp＝0。
步骤402、向各行像素输入所述第一公共电极信号，并向所述彩膜基板输入所述第二公共电极信号。
本实施例将步骤401所生成的第一公共电极信号输入到各行像素，从而使得各像素电极不会产生跳变电压ΔVp，从而保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
本实施例，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于Cgd(Vgh-Vgl)/Cst，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
图5为本发明公共电极驱动方法实施例三的流程图，如图5所示，本实施例中，存储电容Cst可以为在公共电极线和栅线上(Cst on Common+Cst ongate)的结构，本实施例的方法可以包括：
步骤501、生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure GSA00000085997100081
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst 1为所述存储电容在公共电极线上的电容部分，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
对于存储电容Cst同时存在on common和on gate的情况，本实施例可以将存储电容Cst分为两部分：Cst1和Cst2，其中，Cst1为on common部分，Cst2为on gate部分。因此，保持电荷守恒的电容变为液晶电容Clc，寄生电容Cgd，Cst1和Cst2，其中公共电极线所加载的动态信号只影响Cst1部分，因此，本实施例与本发明公共电极驱动方法实施例二的区别在于，只需将实施例二中的Cst换成Cst1，而将Cst2考虑为液晶电容Clc的一部分即可。其实现原理与本发明公共电极驱动方法实施例二的实现原理相同，此处不再赘述。
步骤502、向各行像素输入所述第一公共电极信号，并向所述彩膜基板输入所述第二公共电极信号。
本实施例将步骤501所生成的第一公共电极信号输入到各行像素，从而使得各像素电极不会产生跳变电压ΔVp，从而保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
本实施例，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于Cgd(Vgh-Vgl)/Cst1，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
图6为本发明公共电极驱动电路实施例一的结构示意图，如图6所示，本实施例的公共电极驱动电路包括：驱动信号生成电路11和公共电极信号输出端12，其中，驱动信号生成电路11用于生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量；公共电极信号输出端12用于将所述第一公共电极信号分别输出到各行像素，并将所述第二公共电极信号输出到所述彩膜基板。
本实施例的公共电极驱动电路可以设置在现有公共电极驱动电路上，本领域技术人员可以根据本实施例的公共电极驱动电路所实现的功能自行设计具体的电路实现，此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路可以用于执行图2所示的公共电极驱动方法，其实现原理类似，此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
在本发明公共电极驱动电路实施例二中，其结构也可以采用图6所示的电路结构，进一步地，本实施例中，存储电容Cst为on common结构，驱动信号生成电路11生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure GSA00000085997100101
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst为所述存储电容，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例的公共电极驱动电路可以用于执行图4所示的公共电极驱动方法，其实现原理类似，此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于Cgd(Vgh-Vgl)/Cst，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
在本发明公共电极驱动电路实施例三中，其结构也可以采用图6所示的电路结构，进一步地，本实施例中，存储电容Cst为on common+on gate结构，驱动信号生成电路11生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure GSA00000085997100102
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst 1为所述存储电容在公共电极线上的电容部分，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例的公共电极驱动电路可以用于执行图5所示的公共电极驱动方法，其实现原理类似，此处不再赘述。
本实施例的公共电极驱动电路，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于Cgd(Vgh-Vgl)/Cst1，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
图7为本发明公共电极驱动电路实施例四的结构示意图，如图7所示，本实施例的公共电极驱动电路在图6所示的公共电极驱动电路实施例一的基础上，进一步地，驱动信号生成电路11包括：第一驱动信号生成单元111和第二驱动信号生成单元112，其中，第一驱动信号生成单元111用于生成所述第二公共电极信号；第二驱动信号生成单元112用于生成跳变时序信号，并将所述跳变时序信号叠加在所述第一驱动信号生成单元生成的第二公共电极信号上，生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
本实施例可以在现有技术的基础上，采用第二驱动信号生成单元112生成跳变时序信号，将该跳变时序信号叠加在第一驱动信号生成单元111生成的输入到彩膜基板上的第二公共电极信号上，从而生成输入到阵列基板上的第一公共电极信号，使得该第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。而且，本实施例的公共电极驱动电路仅需要对现有技术进行很小的改动，实现方便。
图8为本发明液晶显示器实施例一的结构示意图，如图8所示，本实施例的液晶显示器包括：液晶面板和驱动器，液晶面板由阵列基板1和彩膜基板2对盒而成，其间填充有液晶层3，驱动器包括栅极驱动器4、数据驱动器5以及公共电极驱动器6，公共电极驱动器6用于生成阵列基板1上各行像素的第一公共电极信号和所述彩膜基板2上的第二公共电极信号，并将生成的第一公共电极信号分别输入到各行像素，将生成的第二公共电极信号输入到所述彩膜基板，其中，第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
本实施例的液晶显示器中，第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，也即本实施例中生成的第一公共电极信号可以使得ΔQgd＝-ΔQst，此时液晶电容Clc、存储电容Cst和寄生电容Cgd存储的电荷之和守恒，因此有ΔQlc+ΔQgd+ΔQst＝0，因此，ΔQlc＝0，其中ΔQlc是液晶电容Clc在栅极关断前后的电荷变化量，ΔQlc＝Clc(Vp2-Vp1)。由于液晶电容Clc为恒定值，则Vp2＝Vp1，因此ΔVp＝Vp2-Vp1＝0，即像素电压在栅极关断前后不发生变化。其实质是TFT关闭前后其寄生电容Cgd上存储电荷的变化量ΔQgd与公共电极线信号打开前后存储电容Cst上存储电荷的变化量ΔQst大小相等，但变化方向相反，从而使两个电容上存储电荷的总变化量为0，两个电容上存储电荷的变化互相抵消，所以像素电极上电荷变化量为0，因此像素电极的跳变电压ΔVp为0。
需要说明的是，本实施例中的公共电极驱动器6可以采用图6或图7所示的公共电极驱动电路实现，此处不再赘述。
本实施例的液晶显示器，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
在本发明液晶显示器实施例二中，其结构也可以采用图8所示的结构，进一步地，本实施例中，存储电容Cst为on common结构，公共电极驱动器6生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure GSA00000085997100131
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst为所述存储电容，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例的液晶显示器可以用于执行图4所示的公共电极驱动方法，其实现原理类似，此处不再赘述。
本实施例的液晶显示器，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于Cgd(Vgh-Vgl)/Cst，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
在本发明液晶显示器实施例三中，其结构也可以采用图8所示的结构，进一步地，本实施例中，存储电容Cst为on common+on gate结构，公共电极驱动器6生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure GSA00000085997100132
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst 1为所述存储电容在公共电极线上的电容部分，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
本实施例的液晶显示器可以用于执行图5所示的公共电极驱动方法，其实现原理类似，此处不再赘述。
本实施例的液晶显示器，通过将输入到各行像素的第一公共电极信号的跳变时序设计为与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于Cgd(Vgh-Vgl)/Cst1，使得寄生电容和存储电容上电荷的变化相互抵消，像素电极上的电荷变化量为0，从而使得像素电极的跳变电压为0，保证了像素电极电压的准确性，避免画面闪烁。
本领域普通技术人员可以理解：实现上述方法实施例的全部或部分步骤可以通过程序指令相关的硬件来完成，前述的程序可以存储于一计算机可读取存储介质中，该程序在执行时，执行包括上述方法实施例的步骤；而前述的存储介质包括：ROM、RAM、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种公共电极驱动方法，其特征在于，包括：
生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量；
向各行像素输入所述第一公共电极信号，并向所述彩膜基板输入所述第二公共电极信号。
2.根据权利要求1所述的公共电极驱动方法，其特征在于，所述存储电容为在公共电极线上的结构，所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure FSA00000085997000011
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst为所述存储电容，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
3.根据权利要求1所述的公共电极驱动方法，其特征在于，所述存储电容为在公共电极线和栅线上的结构，所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure FSA00000085997000012
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst1为所述存储电容在公共电极线上的电容部分，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
4.一种公共电极驱动电路，其特征在于，包括：
驱动信号生成电路，用于生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和彩膜基板上的第二公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量；
公共电极信号输出端，用于将所述第一公共电极信号分别输出到各行像素，并将所述第二公共电极信号输出到所述彩膜基板。
5.根据权利要求4所述的公共电极驱动电路，其特征在于，所述存储电容为在公共电极线上的结构，所述驱动信号生成电路生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure FSA00000085997000021
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst为所述存储电容，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
6.根据权利要求4所述的公共电极驱动电路，其特征在于，所述存储电容为在公共电极线和栅线上的结构，所述驱动信号生成电路生成的第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure FSA00000085997000022
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst1为所述存储电容在公共电极线上的电容部分，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
7.根据权利要求4～6中任一权利要求所述的公共电极驱动电路，其特征在于，所述驱动信号生成电路，包括：
第一驱动信号生成单元，用于生成所述第二公共电极信号；
第二驱动信号生成单元，用于生成跳变时序信号，并将所述跳变时序信号叠加在所述第一驱动信号生成单元生成的第二公共电极信号上，生成阵列基板上各行像素的第一公共电极信号，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
8.一种液晶显示器，包括：液晶面板和驱动器，所述液晶面板由阵列基板和彩膜基板对盒而成，其间填充有液晶层，所述驱动器包括栅极驱动器、数据驱动器以及公共电极驱动器，其特征在于，所述公共电极驱动器用于生成所述阵列基板上各行像素的第一公共电极信号和所述彩膜基板上的第二公共电极信号，并将生成的第一公共电极信号分别输入到各行像素，将生成的第二公共电极信号输入到所述彩膜基板，其中，所述第一公共电极信号的跳变时序与该行像素的栅极信号的跳变时序相反，且所述第一公共电极信号跳变前后所引起的存储电容上的电荷变化量等于所述栅极信号跳变前后所引起的寄生电容上的电荷变化量。
9.根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述存储电容为在公共电极线上的结构，所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure FSA00000085997000031
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst为所述存储电容，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
10.根据权利要求8所述的液晶显示器，其特征在于，所述存储电容为在公共电极线和栅线上的结构，所述第一公共电极信号的高电平与低电平的差值等于
Figure FSA00000085997000032
其中，Cgd为所述寄生电容，Cst1为所述存储电容在公共电极线上的电容部分，Vgh和Vgl分别为栅电极的开启电压和关闭电压。
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