KR101537415B1 - 액정표시장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 화질을 향상시키기 위해 스캔펄스의 파형을 변형시키는 액정표시장치에 관한 것이다.

이 액정표시장치는 다수의 게이트라인들과 다수의 데이터라인들이 교차되고, 기생 용량의 크기가 다른 제1 영역과 제2 영역으로 분할 구동되는 액정표시패널; 입력 게이트 로우전압과 변조 게이트 하이전압을 이용하여, 상기 제1 영역을 구동시키기 위한 제1 스캔 펄스를 발생함과 아울러, 상기 제1 스캔 펄스와 다르며 상기 제2 영역을 구동시키기 위한 제2 스캔 펄스를 발생하는 게이트 구동회로; 및 RC 방전을 통해 입력 게이트 하이전압을 변조하여 상기 변조 게이트 하이전압을 발생하되, 정해진 방전 기간 내에서, 외부로부터 입력되는 셋팅 정보를 기반으로, 상기 기생 용량의 크기에 따라 상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기를 다르게 하는 게이트 변조회로를 구비한다.

Description

액정표시장치{Liquid Crystal Display}

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 특히 화질을 향상시키기 위해 스캔펄스의 파형을 변형시키는 액정표시장치에 관한 것이다.

통상의 액정표시장치는 전계를 이용하여 액정의 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시하게 된다. 이를 위하여 액정표시장치는 액정셀들이 매트릭스 형태로 배열되어진 액정패널과 이 액정패널을 구동하기 위한 구동회로부를 구비한다. 액정패널에는 게이트라인들과 데이터라인들이 교차하게 배열되고 그 게이트라인들과 데이터라인들의 교차로 마련되는 영역에 액정셀들이 위치하게 된다. 이 액정패널에는 액정셀들 각각에 전계를 인가하기 위한 화소전극들과 공통전극이 마련된다. 화소전극들 각각은 스위칭 소자인 박막트랜지스터(Thin Film Transistor; 이하, "TFT"라함)의 소스 및 드레인 단자들을 경유하여 데이터라인들 중 어느 하나에 접속된다. TFT의 게이트단자는 스캔펄스가 공급되는 게이트라인들 중 어느 하나에 접속된다. 구동회로부는 게이트라인들을 구동하기 위한 게이트 구동회로와, 데이 터라인들을 구동하기 위한 데이터 구동회로와, 공통전극을 구동하기 위한 공통전압 발생회로를 구비한다. 게이트 구동회로는 스캔펄스를 게이트라인들에 순차적으로 공급하여 액정패널 상의 액정셀들을 1라인분씩 순차적으로 구동한다. 데이터 구동회로는 게이트라인들 중 어느 하나에 스캔펄스가 공급될 때마다 데이터라인들 각각에 데이터전압을 공급한다. 공통전압 발생회로는 공통전극에 공통전압을 공급한다. 액정표시장치는 화소전극과 공통전극 사이의 전위차에 의해 광투과율을 조절함으로써 화상을 표시한다.

한편, 액정표시장치의 액정패널에서는 데이터라인들에 공급되어진 데이터전압과 액정셀에 충전되어진 액정 셀 전압과의 차전압에 해당하는 피드 쓰로우 전압(Feed Through Voltage, △Vp)이 발생하게 된다. 이 피드 쓰로우 전압(△Vp)은 TFT의 게이트단자와 액정 셀 전극 사이에 존재하는 기생 용량에 의해 발생되는 것으로써, 액정패널 상의 기생용량에 따라 그 크기가 변동함으로써 플리커를 유발한다. 이러한 이 피드 쓰로우 전압(△Vp)은 다음과 같은 수학식 1로 정의된다.

여기서, 'Cgs'는 TFT의 게이트 단자와 드레인 단자 사이에 형성되는 기생캐패시터의 용량이고, 'Clc'는 TFT의 드레인 단자와 공통전극 사이에 접속된 액정 캐패시터의 용량이며, 'Cst'는 TFT의 드레인 단자와 이전단 게이트라인에 접속된 스토리지 캐패시터의 용량이다. 그리고, '△Vg'는 스캔펄스를 구성하는 게이트 하이 전압과 게이트 로우전압 간의 차전압이다. 게이트 하이전압은 TFT를 턴 온 시킬 수 있는 레벨을 가지고, 게이트 로우전압은 TFT를 턴 오프 시킬 수 있는 레벨을 가지며, 스캔 펄스는 이러한 게이트 하이전압과 게이트 로우전압 사이에서 스윙된다.

플리커의 크기는 피드 쓰로우 전압(△Vp)의 크기에 비례하며, 스캔 펄스가 게이트 하이전압에서 게이트 로우전압으로 하강할 때 특히 더 많이 유발된다. 따라서, 플리커의 유발을 줄이기 위해서는 스캔 펄스의 폴링 에지에서 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL) 간의 차전압을 줄일 필요가 있다. 그러나, 종래의 액정표시장치에서는 스캔 펄스의 폴링 에지에서, 스캔 펄스가 게이트 하이전압(VGH)에서 게이트 로우전압(VGL)으로 곧바로 하강하게 되므로 플리커가 많이 유발되어 화질이 저하되는 문제점이 있다.

이에, 최근에는 도 1과 같이 스캔 펄스의 폴링 에지 근처에서 게이트 하이전압(VGH)을 제1 레벨(VGH1)에서 제2 레벨(VGH2)로 낮춰, 게이트 하이전압(VGH)과 게이트 로우전압(VGL) 간의 차전압(△Vg)을 줄임으로써 플리커의 유발을 줄이는 게이트 변조 방식이 제안된 바 있다. 이 게이트 변조 방식은 RC 딜레이 현상을 이용하여 게이트 하이전압(VGH)을 변조한다.

하지만, 종래 게이트 변조 방식은 플리커 패턴을 이용한 공통전압 조정 과정에서, 일정하게 고정된 RC 값을 기반으로 하여 게이트 하이전압(VGH)을 일률적인 크기로 변조한다. 그 결과, 종래 게이트 변조 방식은 패널 내 기생 용량의 위치별 차이로 인해 플리커의 발생 정도가 국부적으로 달라지는 경우에 화질 개선의 효과가 미미하여 그 적용이 어렵다.

따라서, 본 발명의 목적은 패널 내 기생 용량 특성에 적응적으로 대응되도록 스캔펄스를 변조하여 화질을 향상시키도록 한 액정표시장치를 제공하는 데 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 다수의 게이트라인들과 다수의 데이터라인들이 교차되고, 기생 용량의 크기가 다른 제1 영역과 제2 영역으로 분할 구동되는 액정표시패널; 입력 게이트 로우전압과 변조 게이트 하이전압을 이용하여, 상기 제1 영역을 구동시키기 위한 제1 스캔 펄스를 발생함과 아울러, 상기 제1 스캔 펄스와 다르며 상기 제2 영역을 구동시키기 위한 제2 스캔 펄스를 발생하는 게이트 구동회로; 및 RC 방전을 통해 입력 게이트 하이전압을 변조하여 상기 변조 게이트 하이전압을 발생하되, 정해진 방전 기간 내에서, 외부로부터 입력되는 셋팅 정보를 기반으로, 상기 기생 용량의 크기에 따라 상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기를 다르게 하는 게이트 변조회로를 구비한다.

상기 게이트 변조회로는, 상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기를 조정하기 위한 저항값과 캐패시터값을 셋팅하기 위한 RC값 셋팅부; 및 상기 저항값과 캐패시터값, 상기 게이트 하이전압, 및 변조 타이밍을 제어하기 위한 변조 제어신호를 이용하여, 상기 기생 용량의 크기에 따라 상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방 전 기울기를 다르게 하는 변조부를 구비한다.

상기 방전 기간은 상기 변조 제어신호에 동기하여 정해진다.

상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기는 상기 기생 용량이 클수록 증가하는 경향을 갖는다.

상기 변조 게이트 하이전압은, 상기 제1 스캔펄스의 발생에 이용되는 제1 변조 게이트 하이전압과; 상기 제2 스캔펄스의 발생에 이용되는 제2 변조 게이트 하이전압을 구비하고; 상기 제2 영역의 기생 용량은 상기 제1 영역의 기생 용량보다 크다.

상기 제1 스캔펄스는 자신의 폴링 에지 근처에서 상기 게이트 하이전압으로부터 제1 RC 방전 기울기를 따라 감소된 제1 변조 전압레벨을 가지고; 상기 제2 스캔펄스는 자신의 폴링 에지 근처에서 상기 게이트 하이전압으로부터 제2 RC 방전 기울기를 따라 감소된 제2 변조 전압레벨을 가지며; 상기 제1 RC 방전 기울기는 상기 제2 RC 방전 기울기보다 작으며, 상기 제1 변조 전압레벨은 상기 제2 변조 전압레벨보다 높다.

상기 RC값 셋팅부는 I²C 통신을 통해 유저 인터페이스로부터 입력되는 셋팅 정보와 셋팅 클럭을 이용하여 상기 저항값과 캐패시터값을 셋팅한다.

본 발명에 따른 액정표시장치는 스캔 펄스의 폴링 에지 근처에서 게이트 하 이전압을 원래의 레벨보다 낮은 레벨로 낮추어 게이트 하이전압과 게이트 로우전압 간의 차전압을 줄여 플리커의 유발을 방지하되, 기생 용량의 크기에 따라 상기 차전압을 패널 영역별로 다르게 함으로써, 패널 내 기생 용량의 위치별 차이로 인해 플리커의 발생 정도가 국부적으로 달라지는 경우에도 화질 개선의 효과를 크게 높일 수 있다.

이하, 도 2 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하기로 한다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 보여준다. 도 3은 도 2의 변조부를 구성하는 집적회로의 일 예를 보여주고, 도 4는 도 3의 입출력 신호들의 타이밍을 보여준다.

도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치는 액정표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 및 게이트 변조회로(14)를 구비한다.

액정표시패널(10)은 두 장의 유리기판 사이에 액정층이 형성된다. 이 액정표시패널은 m 개의 데이터라인들(DL)과 n 개의 게이트라인들(GL)의 교차 구조에 의해 매트릭스 형태로 배치된 m×n 개의 액정셀들(Clc)을 포함한다.

액정표시패널(10)의 하부 유리기판에는 데이터라인들(DL), 게이트라인들(GL), TFT들, 및 스토리지 커패시터(Cst)가 형성된다. 액정셀들(Clc)은 TFT에 접속되어 화소전극들(1)과 공통전극(2) 사이의 전계에 의해 구동된다. 액정표시패널(10)의 상부 유리기판 상에는 블랙매트릭스, 컬러필터 및 공통전극(2)이 형성된다. 공통전극(2)은 TN(Twisted Nematic) 모드와 VA(Vertical Alignment) 모드와 같은 수직전계 구동방식에서는 상부 유리기판 상에 형성되나, IPS(In Plane Switching) 모드와 FFS(Fringe Field Switching) 모드와 같은 수평전계 구동방식에서는 화소전극(1)과 함께 하부 유리기판 상에 형성될 수 있다. 액정표시패널(10)의 상부 유리기판과 하부 유리기판 각각에는 편광판이 부착되고 액정의 프리틸트각(pre-tilt angle)을 설정하기 위한 배향막이 형성된다.

타이밍 콘트롤러(11)는 데이터 인에이블 신호(Data Enable, DE), 도트 클럭(CLK) 등의 타이밍신호를 입력받아 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 및 게이트 변조회로(14)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 제어신호들을 발생한다.

게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)는 한 화면이 표시되는 1 수직기간 중에서 스캔이 시작되는 시작 수평라인을 지시하는 게이트 스타트 펄스(Gate Start Pulse : GSP), 게이트 구동회로(13) 내의 쉬프트 레지스터에 입력되어 게이트 스타트 펄스(GSP)를 순차적으로 쉬프트시키기 위한 타이밍 제어신호로써 TFT의 온(ON) 기간에 대응하는 펄스폭으로 발생되는 게이트 쉬프트 클럭신호(Gate Shift Clock : GSC), 및 게이트 구동회로(13)의 출력을 지시하는 게이트 출력 인에이블신호(Gate Output Enable : GOE) 등을 포함한다.

데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)는 라이징(Rising) 또는 폴링(Falling) 에지에 기준하여 데이터 구동회로(12) 내에 서 데이터의 래치동작을 지시하는 소스 샘플링 클럭(Source Sampling Clock : SSC), 데이터 구동회로(12)의 출력을 지시하는 소스 출력 인에이블신호(Source Output Enable : SOE), 및 액정표시패널(10)의 액정셀들(Clc)에 공급될 데이터전압의 극성을 지시하는 극성제어신호(POL) 등을 포함한다.

게이트 변조회로(14)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 변조 제어신호는 변조 게이트 하이전압(MVGH)의 발생시점을 제어하기 위한 제1 제어신호(DPM), 및 게이트 하이전압(VGH)의 RC 방전 시점을 제어하기 위한 제2 제어신호(FLK) 등을 포함한다.

또한, 타이밍 콘트롤러(11)는 외부 시스템 보드로부터 입력되는 디지털 비디오 데이터(RGB)를 액정표시패널(10)의 해상도에 맞게 재정렬하여 데이터 구동회로(12)에 공급한다.

데이터 구동회로(12)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 데이터 제어신호(DDC)에 응답하여 디지털 비디오 데이터(RGB)를 감마기준전압 발생부(미도시)로부터의 감마기준전압들(GMA)을 기반하여 아날로그 감마보상전압으로 변환하고, 그 아날로그 감마보상전압을 데이터전압으로써 액정표시패널(10)의 데이터라인들(DL)에 공급한다. 이를 위해, 데이터 구동회로(12)는 클럭신호를 샘플링하기 위한 쉬프트레지스터, 디지털 비디오 데이터(RGB)를 일시저장하기 위한 레지스터, 쉬프트레지스터로부터의 클럭신호에 응답하여 데이터를 1 라인분씩 저장하고 저장된 1 라인분의 데이터를 동시에 출력하기 위한 래치, 래치로부터의 디지털 데이터값에 대응하여 감마기준전압의 참조하에 정극성/부극성의 감마전압을 선택하기 위한 디지털/아날 로그 변환기, 정극성/부극성 감마전압에 의해 변환된 아날로그 데이터가 공급되는 데이터라인(DL)을 선택하기 위한 멀티플렉서 및 멀티플렉서와 데이터라인(DL) 사이에 접속된 출력버퍼 등을 포함하는 다수의 데이트 드라이브 집적회로들로 구성된다.

게이트 구동회로(13)는 타이밍 콘트롤러(11)로부터의 게이트 제어신호(GDC)의 제어하에, 입력되는 변조 게이트 하이전압(VGHM)과 게이트 로우전압(VGL)을 합성하여, 데이터전압이 공급될 액정표시패널(10)의 수평라인을 선택하는 스캔펄스를 발생한 후, 이 스캔펄스를 게이트라인들(GL)에 순차적으로 공급한다. 이를 위해, 게이트 구동회로(13)는 쉬프트 레지스터, 쉬프트 레지스터의 출력신호를 액정셀(Clc)의 TFT 구동에 적합한 스윙폭으로 변환하기 위한 레벨 쉬프터, 및 레벨 쉬프터와 게이트라인(GL) 사이에 접속되는 출력 버퍼를 각각 포함하는 다수의 게이트 드라이브 집적회로들로 구성된다.

게이트 변조회로(14)는 액정표시패널(10) 내 기생 용량의 크기에 따라 RC 방전 기울기가 달라지도록 게이트 하이전압(VGH)을 변조하여 변조 게이트 하이전압(VGHM)을 발생한다. 이를 위해, 게이트 변조회로(14)는 RC값 셋팅부(14a)와 변조부(14b)를 포함한다.

RC값 셋팅부(14a)는 I²C 통신을 통해 유저 인터페이스로부터 입력되는 셋팅 정보(SDATA)와 셋팅 클럭(SCLK)을 이용하여 위치별 RC 방전 기울기를 조정하기 위한 저항값(RE)과 캐패시터값(CE)을 발생한다. 저항값(RE)과 캐패시터값(CE)은 액 정표시패널(10)의 위치별 기생 용량이 달라지는 것을 감안하여, 사용자의 지시하에 액정표시패널(10)의 수평 구동 블럭 단위로 독립적으로 발생 될 수 있다. 사용자는 액정표시장치의 제조가 완료된 후 행해지는 검사 공정에서, 액정표시장치에 테스트 데이터 패턴을 인가하여 액정표시패널(10)의 위치별 플리커 발생 정도를 육안 또는 전기적으로 검사한 후, 이 검사 결과를 기반으로 저항값(RE)과 캐패시터값(CE)을 수평 구동 블럭 별로 조절할 수 있다. 분할 구동되는 수평 블럭수는 k(k는 2 이상의 자연수)개 일 수 있다. 다만, 설명의 편의상, 이하에서는 액정표시패널(10)을 3 개의 수평 구동 블럭으로 분할하고, 각 수평 구동 블럭에 대응하여 저항값(RE)과 캐패시터값(CE)이 독립적으로 발생되는 것을 예로 하여 설명한다. RC값 셋팅부(14a)는 이 저항값(RE)과 캐패시터값(CE)을 변조부(14b)에 공급한다.

변조부(14b)는 변조 게이트 하이전압(VGHM)을 발생하기 위해 도 3과 같은 다수의 입출력 단자들(P1 내지 P8)을 갖는 집적회로를 구비한다. 도 3에서, 'P1' 은 전원 발생회로(미도시)로부터 게이트 하이전압(VGH)이 입력되는 단자를, 'P2' 는 변조 게이트 하이전압(VGHM)이 출력되는 단자를, 'P3' 는 RC값 셋팅부(14a)에 의해 셋팅된 저항값(RE)이 입력되는 단자를, 'P4' 는 RC값 셋팅부(14a)에 의해 셋팅된 캐패시터값(CE)이 입력되는 단자를, 'P5' 는 전원 발생회로로부터 고전위 전원전압(VDD)이 입력되는 단자를, 'P6' 은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 제1 제어신호(DPM)가 입력되는 단자를, 'P7' 은 그라운드 전압(GND)이 입력되는 단자를, 'P8' 은 타이밍 콘트롤러(11)로부터 제2 제어신호(FLK)가 입력되는 단자를 각각 나타낸다. 이러한 집적회로를 통해, 변조부(14b)는 도 4와 같이 제2 제어신호(FLK)에 동 기하여 정해지는 방전 기간(t) 동안 변조 게이트 하이전압(VGHM)의 레벨을 게이트 하이전압(VGH)에서 고전위 전원전압(VDD) 근처로 낮추되, 저항값(RE)과 캐패시터값(CE)에 의해 정해지는 RC 방전 기울기(s1 내지 s3)에 따라 방전 종료 후의 전압 레벨(La,Lb,Lc)을 다르게 한다. 기울기가 가장 작은 제1 RC 방전 기울기(s1)에 의해 정해지는 제1 변조 게이트 하이전압(VGHM)의 레벨(La)은 기생 용량이 가장 작은 영역에 대응되도록 가장 높은 레벨을 가지고, 기울기가 중간인 제2 RC 방전 기울기(s2)에 의해 정해지는 제2 변조 게이트 하이전압(VGHM)의 레벨(Lb)은 기생 용량이 중간인 영역에 대응되도록 제1 변조 게이트 하이전압(VGHM)의 레벨(La)보다 낮은 레벨을 가지며, 기울기가 가장 큰 제3 RC 방전 기울기(s3)에 의해 정해지는 제3 변조 게이트 하이전압(VGHM)의 레벨(Lc)은 기생 용량이 가장 큰 영역에 대응되도록 제2 변조 게이트 하이전압(VGHM)의 레벨(Lb)보다 낮은 레벨을 가진다.

도 5는 도 2의 게이트 구동회로(13)를 통해 발생되는 스캔 펄스의 일 예를 보여주고, 도 6은 도 5의 스캔 펄스를 이용하여 액정표시패널(10)을 수평 블럭 단위로 구동시키는 것을 보여준다.

도 5 및 도 6을 참조하면, 게이트 구동회로(13)는 액정표시패널(10)을 수평 블럭(10a,10b,10c) 단위로 독립적으로 구동시키기 위한 3 개의 게이트 집적회로(13a,13b,13c)를 구비한다.

제1 게이트 집적회로(13a)는 게이트 변조회로(14)로부터의 변조 게이트 하이전압(VGHM)과 전원 발생회로로부터의 게이트 로우전압(VGL)을 이용하여 제1 스캔펄스(SPa)를 발생하고, 이 제1 스캔펄스(SPa)를 게이트라인들(GL)에 공급하여 제1 수 평 블럭(10a)을 구동시킨다. 제1 스캔펄스(SPa)는 자신의 폴링 에지 근처에서 게이트 하이전압(VGH)으로부터 제1 RC 방전 기울기(s1)를 따라 감소된 제1 변조 게이트 하이전압 레벨(La)을 갖는다. 이 제1 스캔펄스(SPa)는 액정표시패널(10)에서 가장 작은 기생 용량(Cgs1) 값을 갖는 제1 수평 블럭(10a)에 공급된다.

제2 게이트 집적회로(13b)는 게이트 변조회로(14)로부터의 변조 게이트 하이전압(VGHM)과 전원 발생회로로부터의 게이트 로우전압(VGL)을 이용하여 제2 스캔펄스(SPb)를 발생하고, 이 제2 스캔펄스(SPb)를 게이트라인들(GL)에 공급하여 제2 수평 블럭(10b)을 구동시킨다. 제2 스캔펄스(SPb)는 자신의 폴링 에지 근처에서 게이트 하이전압(VGH)으로부터 제2 RC 방전 기울기(s2)를 따라 감소된 제2 변조 게이트 하이전압 레벨(Lb)을 갖는다. 이 제2 스캔펄스(SPb)는 액정표시패널(10)에서 중간 정도의 기생 용량(Cgs2) 값을 갖는 제2 수평 블럭(10b)에 공급된다.

제3 게이트 집적회로(13c)는 게이트 변조회로(14)로부터의 변조 게이트 하이전압(VGHM)과 전원 발생회로로부터의 게이트 로우전압(VGL)을 이용하여 제3 스캔펄스(SPc)를 발생하고, 이 제3 스캔펄스(SPc)를 게이트라인들(GL)에 공급하여 제3 수평 블럭(10c)을 구동시킨다. 제3 스캔펄스(SPc)는 자신의 폴링 에지 근처에서 게이트 하이전압(VGH)으로부터 제3 RC 방전 기울기(s3)를 따라 감소된 제3 변조 게이트 하이전압 레벨(Lc)을 갖는다. 이 제3 스캔펄스(SPc)는 액정표시패널(10)에서 가장 큰 기생 용량(Cgs3) 값을 갖는 제3 수평 블럭(10c)에 공급된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치는 스캔 펄스의 폴링 에지 근처에서 게이트 하이전압을 원래의 레벨보다 낮은 레벨로 낮추어 게이트 하이전압 과 게이트 로우전압 간의 차전압을 줄여 플리커의 유발을 방지하되, 기생 용량의 크기에 따라 상기 차전압을 패널 영역별로 다르게 함으로써, 패널 내 기생 용량의 위치별 차이로 인해 플리커의 발생 정도가 국부적으로 달라지는 경우에도 화질 개선의 효과를 크게 높일 수 있다.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.

도 1은 종래 게이트 변조 방식에 의해 발생되는 스캔펄스의 파형도.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 액정표시장치를 보여주는 블럭도.

도 3은 도 2의 변조부를 구성하는 집적회로의 일 예를 보여주는 도면.

도 4는 도 3의 입출력 신호들의 동작을 보여주는 타이밍도.

도 5는 도 2의 게이트 구동회로를 통해 발생되는 스캔 펄스의 일 예를 보여주는 파형도.

도 6은 도 5의 스캔 펄스를 이용하여 액정표시패널을 수평 블럭 단위로 구동시키는 것을 보여주는 도면.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

10 : 액정표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러

12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로

14 : 게이트 변조회로 14a : RC값 셋팅부

14b : 변조부

Claims (7)

1. 다수의 게이트라인들과 다수의 데이터라인들이 교차되고, 기생 용량의 크기가 다른 제1 영역과 제2 영역으로 분할 구동되는 액정표시패널;

   RC 방전을 통해 입력 게이트 하이전압을 변조하여 변조 게이트 하이전압을 발생하되, 정해진 방전 기간 내에서, 외부로부터 입력되는 셋팅 정보를 기반으로, 상기 기생 용량의 크기에 따라 상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기를 다르게 하는 게이트 변조회로; 및

   입력 게이트 로우전압과 상기 게이트 하이전압, 및 상기 변조 게이트 하이전압을 이용하여, 상기 제1 영역을 구동시키기 위한 제1 스캔 펄스를 발생함과 아울러, 상기 제1 스캔 펄스와 다르며 상기 제2 영역을 구동시키기 위한 제2 스캔 펄스를 발생하는 게이트 구동회로를 구비하며;

   상기 제1 스캔 펄스는 자신의 폴링 에지 근처에서 제1 변조 전압레벨을 가지며, 상기 제2 스캔 펄스는 자신의 폴링 에지 근처에서 상기 제1 변조 전압레벨과 다른 제2 변조 전압레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 게이트 변조회로는,

   상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기를 조정하기 위한 저항값과 캐패시터값을 셋팅하기 위한 RC값 셋팅부; 및

   상기 저항값과 캐패시터값, 상기 게이트 하이전압, 및 변조 타이밍을 제어하기 위한 변조 제어신호를 이용하여, 상기 기생 용량의 크기에 따라 상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기를 다르게 하는 변조부를 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
3. 제 2 항에 있어서,

   상기 방전 기간은 상기 변조 제어신호에 동기하여 정해지는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 변조 게이트 하이전압의 RC 방전 기울기는 상기 기생 용량이 클수록 증가하는 경향을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 변조 게이트 하이전압은,

   상기 제1 스캔펄스의 발생에 이용되는 제1 변조 게이트 하이전압과;

   상기 제2 스캔펄스의 발생에 이용되는 제2 변조 게이트 하이전압을 구비하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
6. 제 1 항에 있어서,

   상기 제1 변조 전압레벨은 상기 게이트 하이전압으로부터 상기 변조 게이트 하이전압의 제1 RC 방전 기울기를 따라 감소된 전압레벨이고, 상기 제2 변조 전압레벨은 상기 게이트 하이전압으로부터 상기 변조 게이트 하이전압의 제2 RC 방전 기울기를 따라 감소된 전압레벨이며;

   상기 제2 영역의 기생 용량이 상기 제1 영역의 기생 용량보다 큰 경우, 상기 제2 RC 방전 기울기는 상기 제1 RC 방전 기울기보다 크고, 상기 제2 변조 전압레벨은 상기 제1 변조 전압레벨보다 낮은 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
7. 제 2 항에 있어서,

   상기 RC값 셋팅부는 I²C 통신을 통해 유저 인터페이스로부터 입력되는 셋팅 정보와 셋팅 클럭을 이용하여 상기 저항값과 캐패시터값을 셋팅하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치.

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