WO2011111297A1 - 構造体、配線基板および配線基板の製造方法 - Google Patents

構造体、配線基板および配線基板の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2011111297A1
WO2011111297A1 PCT/JP2011/000665 JP2011000665W WO2011111297A1 WO 2011111297 A1 WO2011111297 A1 WO 2011111297A1 JP 2011000665 W JP2011000665 W JP 2011000665W WO 2011111297 A1 WO2011111297 A1 WO 2011111297A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
conductor
layer
connection member
wiring board
ground
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/000665
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
小林　直樹
博 鳥屋尾
徳昭 安道
Original Assignee
日本電気株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気株式会社 filed Critical 日本電気株式会社
Priority to CN2011800131591A priority Critical patent/CN102792519A/zh
Priority to JP2012504292A priority patent/JP5725013B2/ja
Priority to US13/583,168 priority patent/US9357633B2/en
Publication of WO2011111297A1 publication Critical patent/WO2011111297A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
    • H05K1/0236—Electromagnetic band-gap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2005—Electromagnetic photonic bandgaps [EPB], or photonic bandgaps [PBG]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/006—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/006—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces
    • H01Q15/008—Selective devices having photonic band gap materials or materials of which the material properties are frequency dependent, e.g. perforated substrates, high-impedance surfaces said selective devices having Sievenpipers' mushroom elements
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49165—Manufacturing circuit on or in base by forming conductive walled aperture in base

Definitions

  • the present invention relates to a structure, a wiring board, and a method for manufacturing the wiring board.
  • EBG structure electromagnetic bandgap structure
  • FIG. 2 shows a structure in which a plurality of island-like conductor elements are arranged above a sheet-like conductor plane and each of the island-like conductor elements is connected to the conductor plane by vias, a so-called mushroom-type EBG structure. .
  • the frequency band that can be suppressed by the EBG structure described in Patent Document 1 is relatively high, and the suppression effect to a lower frequency band is weak.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a structure capable of sufficiently suppressing electromagnetic wave propagation in both a high frequency band and a low frequency band, or the structure. It is to provide a wiring board having the same.
  • the first conductor and the second conductor respectively formed in the first layer and the second layer facing each other, the connection member connecting the first conductor and the second conductor, A third conductor formed on a third layer located between the first layer and the second layer, facing the first conductor and the second conductor, and provided on the third conductor; Formed in a fourth layer different from the third layer, located between the opening through which the connection member passes, and the first layer and the second layer, facing the third conductor, And a fourth conductor electrically connected to the connection member passing through the opening provided in the three conductors.
  • connection member which has connected the 1st conductor and the 2nd conductor which are respectively formed in the mutually opposing 1st layer and 2nd layer, and the said 1st conductor and the said 2nd conductor
  • a third conductor formed on a third layer located between the first layer and the second layer, and facing the first conductor and the second conductor, and provided on the third conductor Formed in a fourth layer different from the third layer located between the opening through which the connection member passes and the first layer and the second layer, and facing the third conductor
  • a wiring board comprising: a fourth conductor electrically connected to the connecting member passing through the opening provided in the third conductor.
  • a structure that can sufficiently suppress electromagnetic wave propagation in both a high frequency band and a low frequency band, or a wiring board having the structure is provided.
  • FIG. 1st embodiment of the present invention It is a perspective view of the structure concerning a 1st embodiment of the present invention. It is sectional drawing of the structure shown in FIG. It is the upper side figure and sectional drawing of the wiring board which concern on 1st Embodiment. It is a figure which shows the arrangement pattern of the structure which a wiring board can take. It is a figure which shows the arrangement pattern of the structure which a wiring board can take. It is a figure which shows the arrangement pattern of the structure which a wiring board can take. It is a perspective view of the modification of the structure of a 1st embodiment. It is a perspective view of the structure concerning a 2nd embodiment of the present invention. It is sectional drawing of the structure shown in FIG.
  • FIG. 1 is a perspective view of a structure 100 according to the first embodiment of the present invention.
  • the structure 100 includes various conductive components formed on the A layer 110 (first layer), the B layer 120 (fourth layer), the C layer 130 (third layer), or the D layer 140 (second layer). Consists of.
  • the A layer 110, the B layer 120, the C layer 130, or the D layer 140 are each layer of the wiring board 1000 and face each other.
  • the ground conductor 111 (first conductor) and the ground conductor 141 (second conductor) are given a reference potential by grounding or the like.
  • the ground conductor 111 and the ground conductor 141 are formed in the A layer 110 and the D layer 140, respectively, and are connected to each other by a connection member 151.
  • the ground conductor 111 may be formed on the entire surface of the A layer 110 or locally.
  • the ground conductor 141 may be formed on the entire surface of the D layer 140 or locally.
  • the conductor portion 131 (third conductor) is formed in the C layer 130 located between the A layer 110 and the D layer 140.
  • the conductor portion 131 faces the ground conductor 111 and the ground conductor 141.
  • the conductor part 131 is provided with an opening 132 through which the connection member 151 passes, and the conductor part 131 and the connection member 151 are not in contact with each other and are insulated.
  • the conductor 131 may be formed on the entire surface of the C layer 130 or locally.
  • the opening 132 provided in the conductor part 131 may be single or plural.
  • the connecting member 151 passing through the opening 132 may be single or plural.
  • the area of the opening 132 is smaller than the area of the conductor element 121 that is opposed, and at least a part of the conductor element 121 is opposed to the conductor part 131.
  • the conductor element 121 (fourth conductor) is located in the middle of the A layer 110 and the D layer 140 and is formed in the B layer 120 different from the C layer 130.
  • the conductor element 121 is electrically connected to the connection member 151 that faces the conductor portion 131 and passes through the opening 132 provided in the conductor portion 131.
  • the connecting member 151 is illustrated as being connected to the center of the conductor element 121, but is not necessarily connected to the center.
  • connection member 151 may be formed by a build-up method that repeats lamination, through-hole processing, and wiring formation for each layer. Further, the connection member 151 may be a through via.
  • the connection member 151 is a through via, the structure 100 is manufactured by the following procedure. First, (a) the ground conductor 111 is disposed on the A layer 110, the ground conductor 141 is disposed on the D layer 140, the conductor portion 131 is disposed on the C layer, and the conductor element 121 is disposed on the B layer, and the ground conductor 111, the conductor element 121, and the conductor portion 131 are disposed. And the ground conductor 141 are arranged to face each other.
  • a through hole that penetrates the ground conductor 111, the conductor element 121, the conductor portion 131, and the ground conductor 141 is provided, and is insulated from the conductor portion 131 in the through hole, and the ground conductor 111, the conductor element 121, and the ground A connection member 151 connected to the conductor 141 is formed.
  • any method may be used as a method of providing a through hole as long as it is applicable.
  • a through hole may be formed with a drill.
  • any method may be used for forming the connection member 151 as long as it is applicable.
  • the connection member 151 may be formed by plating the inner surface of the through hole.
  • connection member 151 By manufacturing the connection member 151 as a through via, the manufacturing process can be shortened and the manufacturing cost can be reduced as compared with the case of manufacturing by a build-up method.
  • the ground conductor 111, the conductor element 121, the conductor portion 131, and the ground conductor 141 may be any conductor that extends in the surface direction of the layer on which the ground conductor 111 is formed, and the shape thereof can take a plurality of forms. Therefore, in FIG. 1, each is shown as a quadrangle, but the present invention is not limited to this.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view of the cross section shown in FIG. In FIG. 2, spaces surrounded by broken lines have an EBG structure, and are referred to as an EBG structure 171 and an EBG structure 172, respectively.
  • the EBG structure 171 includes a ground conductor 111 formed in the A layer 110, a connection member 151, a conductor portion 131, and a conductor element 121.
  • the EBG structure 172 includes a ground conductor 141 formed in the D layer 140, a connection member 151, a conductor portion 131, and a conductor element 121.
  • the single structure 100 constitutes the EBG structure 171 and the EBG structure 172, and the conductor element 121 is shared by both the EBG structure 171 and the EBG structure 172. Therefore, it is possible to reduce the size of the apparatus by providing two EBG structures.
  • FIG. 3 is a top view and a cross-sectional view of the wiring board 1000 according to the present embodiment. More specifically, FIG. 3A is a top view of the wiring board 1000, and FIG. 3B is a cross-sectional view in the cross section shown in FIG.
  • a quadrilateral indicated by a broken line indicates a conductor element 121 provided in the B layer 120 in each of the repeatedly arranged structures 100.
  • a circle indicated by a broken line indicates a connection member 151 included in each of the structures 100 that are repeatedly arranged.
  • a ground plane including a plurality of ground conductors 111 is formed.
  • the ground plane is a so-called solid conductor, and is supplied with a reference potential by grounding or the like.
  • the ground plane may be single or may be divided into a plurality.
  • a ground plane including a plurality of ground conductors 141 is formed in the D layer 140.
  • the ground plane is a so-called solid conductor, and is supplied with a reference potential by grounding or the like.
  • the ground plane may be single or may be divided into a plurality.
  • each conductor element 121 is formed in an island shape with a gap therebetween, and each of the conductor elements 121 is connected to the ground plane by a connection member 151. In addition, between each conductor element 121 shall be insulated.
  • a conductor plane including a plurality of conductor portions 131 is formed, and an opening 132 through which each connection member 151 connected to the conductor element 121 opposed to each conductor portion 131 passes is provided.
  • the conductor plane is a so-called solid conductor, and may be, for example, a power plane that supplies power. In this case, the conductor plane is given a constant potential. Moreover, the conductor plane may be single or may be divided into a plurality.
  • the A layer 110, the B layer 120, the C layer 130, and the D layer 140 may include a configuration other than the components described above, for example, a transmission line that transmits an electrical signal.
  • the wiring board 1000 may include layers different from the A layer 110, the B layer 120, the C layer 130, and the D layer 140, and these layers include configurations other than the above-described components, such as a transmission line. But you can. However, since the characteristics of the EBG structure formed by the structure 100 are changed when the transmission line is arranged in the vicinity of the region where the structure 100 is repeatedly arranged in the wiring substrate 1000, such an arrangement is It is desirable to avoid it.
  • the wiring board 1000 can suppress electromagnetic wave propagation in a specific frequency band in a region where the structures 100 are repeatedly arranged. That is, the structure 100 may be arranged so as to surround a noise source that generates an electromagnetic wave of a specific frequency band, an element that is desired to be protected from the electromagnetic wave of a specific frequency band, and the arrangement pattern can take a plurality of modes.
  • FIGS. 4 to 6 are diagrams showing arrangement patterns of the structures 100 that the wiring board 1000 can take.
  • the shaded members shown in FIGS. 4 to 6 are the semiconductor package 161 and the semiconductor package 162.
  • the structure 100 may be arranged in a band shape between the semiconductor package 161 and the semiconductor package 162.
  • the structure 100 may be disposed so as to surround the semiconductor package 161.
  • the structure 100 may be disposed so as to surround the semiconductor package 162.
  • the radio waves of the electromagnetic waves can be more effectively suppressed by arranging them to pass through the plurality of structures 100. Therefore, as in the arrangement pattern shown in FIG. 4 or FIG. 5, it is more preferable than the arrangement pattern shown in FIG. 6 that the plurality of structures 100 are arranged in parallel in the direction from one semiconductor package to the other semiconductor package.
  • the distance between the ground conductor 111 and the conductor element 121, the distance between the conductor element 121 and the conductor portion 131, the distance between the conductor portion 131 and the ground conductor 141, the thickness of the connection member 151, the mutual distance between the conductor elements 121, and the like are adjusted.
  • the frequency band that is the object of suppression of electromagnetic wave propagation can be set to a desired value.
  • each of the structures 100 included in the wiring board 1000 of the present embodiment has an EBG structure, an effect of suppressing the frequency band to a relatively high frequency band can be achieved.
  • connection member 151 is connected to the ground conductor 111 and the ground conductor 141. Since the connection members 151 arranged with a certain degree of spacing and to which a reference potential is applied can reduce electromagnetic waves in a relatively low frequency band, the wiring board 1000 can also exert an effect of suppressing to a relatively low frequency band. it can.
  • the conductor element 121 is configured to be shared by both the EBG structure 171 and the EBG structure 172, the number of the B layers 120 in which the conductor element 121 is configured, and the conductor portion 131 are configured. Is equal to the number of C layers 130 formed. This effect will be described with reference to FIG.
  • FIG. 7 is a perspective view of a structure 300 that is a modification of the structure 100 of the present embodiment.
  • the ground conductor 311, the conductor portion 331, the opening 332, the ground conductor 351, and the connection member 361 in FIG. 7 correspond to the ground conductor 111, the conductor portion 131, the opening 132, the ground conductor 141, and the connection member 151, respectively.
  • the difference between the structure 100 and the structure 300 is that the number of layers in which the conductor elements 321 and 341 are formed is larger than the number of layers in which the conductor portions 331 are formed.
  • the structure 300 also constitutes an EBG structure, the electromagnetic wave propagation can be sufficiently suppressed in both the high frequency band and the low frequency band as in the structure 100 if the structures 300 are arranged at a certain interval.
  • the structure 100 can be manufactured thinner than the structure 300.
  • FIG. 8 is a perspective view of the structure 200 according to the second embodiment.
  • the structure 200 is configured by various conductive components formed in the A layer 210, the B layer 220, the C layer 230, the D layer 240, the E layer 250, or the F layer 260.
  • the A layer 210, the B layer 220, the C layer 230, the D layer 240, the E layer 250, or the F layer 260 are each layer of the wiring board 2000 and face each other.
  • the ground conductor 211 and the ground conductor 261 are given a reference potential by grounding or the like.
  • the ground conductor 211 and the ground conductor 261 are formed in the A layer 210 and the F layer 260, respectively, and are interlayer-connected by the connection member 271.
  • the conductor part 231 and the conductor part 251 are formed in the C layer 230 and the E layer 250, respectively.
  • the conductor portion 231 and the conductor portion 251 are provided with an opening 232 and an opening 252 through which the connection member 271 passes.
  • the conductor part 231 and the conductor part 251 are not in contact with the connection member 271 and are insulated.
  • the conductor element 221 and the conductor element 241 are formed on the B layer 220 and the D layer 240, respectively.
  • the conductor element 221 faces the conductor portion 231, and the conductor element 241 faces the conductor portion 251, and is electrically connected to the connection member 271 passing through the opening 232 and the opening 252.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the cross section shown in FIG. In FIG. 9, spaces surrounded by broken lines have an EBG structure, which are referred to as an EBG structure 281, an EBG structure 282, and an EBG structure 283, respectively.
  • the EBG structure 281 includes a ground conductor 211, a connection member 271, a conductor portion 231 closest to the ground conductor 211, and a conductor element 221 closest to the ground conductor 211.
  • the EBG structure 282 includes a conductor portion 231, a conductor element 221, a connection member 271, a conductor portion 251, and a conductor element 241.
  • the EBG structure 283 includes a ground conductor 261, a connection member 271, a conductor portion 251 closest to the ground conductor 261, and a conductor element 241 closest to the ground conductor 261.
  • the single structure 200 constitutes the EBG structure 281, the EBG structure 282, and the EBG structure 283.
  • the conductor element 221 is shared by both the EBG structure 281 and the EBG structure 282.
  • the conductor element 241 is shared by both the EBG structure 282 and the EBG structure 283. Therefore, it is possible to reduce the size of the apparatus by providing two EBG structures.
  • the conductor portion 131 is the same as in the first embodiment. It can be seen that the EBG structure is complicatedly formed as compared with the case where the number of formed layers (C layer 130) is single.
  • FIG. 10 is a top view and a cross-sectional view of the wiring board 2000 according to the present embodiment. More specifically, FIG. 10A is a top view of the wiring board 2000, and FIG. 10B is a cross-sectional view in the cross section shown in FIG.
  • a quadrangle indicated by a broken line indicates the conductor element 221 or the conductor element 241 included in each of the structures 200 that are repeatedly arranged.
  • a circle indicated by a broken line indicates the connection member 271 provided in each of the structures 200 that are repeatedly arranged.
  • a ground plane including a plurality of conductors 211 is formed in the A layer 210.
  • a ground plane including a plurality of conductors 261 is formed in the F layer 260.
  • the ground plane is a so-called solid conductor, and is supplied with a reference potential by grounding or the like.
  • the ground plane may be divided into a plurality of parts.
  • a plurality of conductor elements 221 are formed in an island shape with a gap in the B layer 220, and a plurality of conductor elements 241 are formed in an island shape with a gap in the D layer 240.
  • Each of the conductor element 221 or the conductor element 241 is connected to the ground plane by the connection member 271.
  • a conductor plane including a plurality of conductor portions 231 is formed on the C layer 230.
  • the conductor element 221 is opposed to each conductor portion 231. Further, the conductor portion 231 is provided with an opening 232 through which the connection member 271 connected to the opposing conductor element 221 passes.
  • a conductor plane including a plurality of conductor portions 251 is formed on the E layer 250.
  • the conductor element 241 is opposed to each conductor portion 251. Further, the conductor portion 251 is provided with an opening 252 through which the connection member 271 connected to the opposing conductor element 241 passes.
  • the conductor plane is a so-called solid conductor, and may be, for example, a power plane that supplies power. In this case, the conductor plane is given a constant potential.
  • the conductor plane may be divided into a plurality of parts.
  • the A layer 210, the B layer 220, the C layer 230, the D layer 240, the E layer 250, or the F layer 260 may include a configuration other than the above-described components, for example, a transmission line that transmits an electrical signal.
  • the wiring board 2000 may include a layer different from the A layer 210, the B layer 220, the C layer 230, the D layer 240, the E layer 250, and the F layer 260.
  • a configuration, for example, a transmission path may be included.
  • the characteristics of the EBG structure formed by the structure 200 changes when the transmission line is arranged in the vicinity of the region where the structure 200 is repeatedly arranged in the wiring board 2000, such an arrangement is It is desirable to avoid it.
  • each of the structures 200 included in the wiring board 2000 of the present embodiment has an EBG structure, an effect of suppressing the frequency band to a relatively high frequency can be achieved.
  • connection members 271 arranged repeatedly are connected to the ground conductor 211 and the ground conductor 261. Since the connection members 271 that are arranged at a certain interval and to which a reference potential is applied can reduce electromagnetic waves in a relatively low frequency band, the wiring board 2000 can also exert an effect of suppressing the frequency band to a relatively low frequency band. it can.
  • the wiring board 2000 of the present embodiment can sufficiently suppress the propagation of electromagnetic waves in both the high frequency band and the low frequency band, similarly to the wiring board 1000 of the first embodiment.
  • FIGS. 11 to 14 are perspective views of modified examples of the structure 100 described in the first embodiment.
  • the ground conductor 111, the conductor element 121, or the ground conductor 141 may be a flat plate having an opening in the center, and may have a spiral conductor pattern in the opening. At this time, one end of the spiral conductor pattern may be connected to the flat plate, and the other end may be connected to the connection member 151. Further, the conductor pattern does not necessarily have to be spiral, and may be, for example, linear, curved, or meandering.
  • the structure shown in FIG. 14 is an open stub type EBG structure in which a microstrip line formed including the conductor element 121 functions as an open stub.
  • the connection member 151 forms an inductance.
  • the conductor element 121 forms a microstrip line having the conductor portion 131 as a return path by being electrically coupled to the opposing conductor portion 131.
  • One end of the microstrip line is an open end and is configured to function as an open stub.
  • the conductor element 121 has a spiral pattern.
  • the present invention is not limited to this. For example, a linear pattern, a curved pattern, a meandering pattern, etc. Also good.
  • the open stub type EBG structure In the open stub type EBG structure, a parallel flat plate made up of the ground conductor 111 and the conductor portion 131 or a parallel flat plate made up of the ground conductor 141 and the conductor portion 131 was shunted by a series resonant circuit made up of the open stub and the inductance. It can be expressed by an equivalent circuit, and the resonance frequency of the series resonance circuit gives the center frequency of the band gap. Accordingly, the band gap band can be lowered by increasing the stub length of the open stub formed including the conductor element 121.
  • the open stub type EBG structure requires a stub length to reduce the frequency of the bandgap band, but does not necessarily require an area. Therefore, the conductor element 121 can be reduced in size.
  • the conductor portion 131 facing the conductor element 121 forming the microstrip line is close. This is because the shorter the distance between the conductor element and the conductor portion, the lower the characteristic impedance of the microstrip line and the wider the band gap band. However, even when the conductor element 121 is not brought close to the opposing conductor portion 131, the essential effect of the present invention is not affected at all.
  • the ground conductor 211, the conductor element 221, the conductor element 241, or the ground conductor 261 is a flat plate having an opening in the center
  • one end of the spiral conductor pattern may be connected to the flat plate, and the other end may be connected to the connection member 271.
  • the conductor element 221 or the conductor element 241 may be a spiral conductor pattern, and one end thereof may be connected to the connection member 271.
  • FIG. 15 is a diagram illustrating a modification of the arrangement of the structures 100 described in the first embodiment.
  • a part of the conductor element 121 may be located on the ground conductor 141 side with respect to the conductor portion 131.
  • the number of repetitions of the arrangement of the conductor elements 121 is determined. More than the first embodiment. Therefore, the EBG structure can be provided with high density. Therefore, an EBG structure having higher characteristics than those of the first embodiment can be configured.
  • either the B layer 220 in which the conductor element 221 is formed or the D layer 240 in which the conductor element 241 is formed may not exist. . That is, the number of layers in which the conductor element (fourth conductor) is formed may be smaller than the number of layers in which the conductor portion (third conductor) is formed.
  • the conductor element 221 is formed in the intermediate layer between the ground conductor 211 and the conductor portion 231, but may be formed in the intermediate layer between the conductor portion 231 and the conductor portion 251.
  • the conductor element 241 is formed in the intermediate layer between the conductor portion 231 and the conductor portion 251, but may be formed in an intermediate layer between the conductor portion 251 and the ground conductor 261.
  • connection member 151 or the connection member 271 that is not necessarily connected to the conductor element is not necessarily limited thereto. Some may exist. Naturally, when the EBG structure is broken by not being connected to the conductor element, the effect of suppressing electromagnetic waves in the high frequency band in the adjacent space is reduced.
  • FIG. 16 is a diagram showing dimensions of the structure 100 used for the simulation.
  • the ground conductor 111 and the ground conductor 141 are each a square having a side of 7 mm.
  • the conductor 131 is also a square having a side of 7 mm, and an opening 132 having a diameter of 0.5 mm is provided at the center thereof.
  • the conductor element 121 is a square with a side of 6 mm, and the diameter of the connecting member 151 is 0.3 mm.
  • the distance between the ground conductor 111 and the conductor element 121, the distance between the conductor element 121 and the conductor portion 131, and the distance between the conductor portion 131 and the ground conductor 141 are 0.1 mm, 0.07 mm, and 0.5 mm, respectively.
  • the ground conductor 111, the conductor element 121, the conductor portion 131, the ground conductor 141, and the connection member 151 are complete conductors. Further, the thickness of the conductor element 121, the conductor portion 131, and the ground conductor 141 is ignored.
  • the shaded portion excluding the various conductors described above is a derivative, and the relative permittivity is 4.2 and Tan ⁇ is 0.025.
  • FIG. 17 is a top view and a cross-sectional view of the wiring board 3000 used for the simulation. More specifically, FIG. 17A is a top view of the wiring board 3000 in which the structures 100 shown in FIG. 16 are repeatedly arranged, and shows that the structures 100 are arranged in 10 ⁇ 10. ing. Note that the structures 100 are electrically connected without a gap therebetween, and the wiring board 3000 has a square shape with a side of 70 mm in plan view.
  • FIG. 17B is a cross-sectional view of the wiring board 3000 and is a cross-sectional view taken along a cross-sectional line shown in FIG.
  • the points 14 mm from the end of the wiring board 3000 are defined as the port 181 and the port 182, respectively. Further, in the region where the ground conductor 111 and the conductor portion 131 are opposed to each other, the points 14 mm from the end of the wiring board 3000 are defined as the port 183 and the port 184, respectively.
  • the attenuation amount of the electromagnetic wave supplied from the port 181 and received by the port 182 is simulated.
  • the attenuation amount of electromagnetic waves supplied from the port 183 and received by the port 184 is simulated.
  • FIG. 18 is a graph showing the simulation results of the upper part (port 183 or port 184) and the lower part (port 181 or port 182) in the wiring board 3000 used in this example.
  • the vertical axis of this graph represents the attenuation amount of electromagnetic waves, and the unit is dB (decibel).
  • the horizontal axis of this graph represents frequency, and the unit is GHz (gigahertz).
  • a curve 191 indicates a simulation value at the lower stage.
  • a curve 192 shows a simulation value at the upper stage. Since the simulation value at the port 181 and the simulation value at the port 182 are equal, they can be represented by one curve 191. Similarly, since the simulation value at the port 183 and the simulation value at the port 184 are equal, they can be represented by one curve 192.
  • both the upper and lower stages of the wiring board 3000 include a band gap region including 400 MHz, a band gap region including 1.2 GHz, a band gap region including 2.4 GHz, and 4.4 GHz.
  • a band gap region is shown, and it can be seen that a sufficient suppression effect (attenuation amount of 40 dB or more) is exhibited in any band gap region.
  • the frequency band near 2.4 GHz is mainly used for wireless LAN and wireless Internet technology. Further, the frequency band near 400 MHz is mainly used for public business radios.
  • the wiring board 3000 according to the present embodiment has a sufficient suppression effect on electromagnetic waves in both frequency bands.
  • FIG. 19 is a diagram showing dimensions of the structure 400 used for the simulation.
  • the structure 400 is an EBG structure having a conventional so-called mushroom structure.
  • the conductor pattern 411 is a square with a side of 6 mm
  • the conductor pattern 431 is a square with a side of 7 mm.
  • the conductor pattern 421 is a square having a side of 7 mm, and an opening 422 having a diameter of 0.5 mm is provided at the center thereof.
  • the diameter of the connecting member 441 is 0.3 mm.
  • the interval between the conductor pattern 411 and the conductor pattern 421 and the interval between the conductor pattern 421 and the conductor pattern 431 are 0.07 mm and 0.5 mm, respectively.
  • Each of the conductor pattern 411, the conductor pattern 421, the conductor pattern 431, and the connection member 441 is a complete conductor. Further, the thicknesses of the conductor pattern 411, the conductor pattern 421, and the conductor pattern 431 are ignored.
  • the shaded portion excluding the various conductors described above is a derivative, and the relative permittivity is 4.2 and Tan ⁇ is 0.025.
  • FIG. 20 is a top view and a cross-sectional view of the wiring board 4000 used for the wrinkle simulation. More specifically, FIG. 20A is a top view of the wiring board 4000 in which the structures 400 shown in FIG. 19 are repeatedly arranged, and shows that the structures 400 are arranged in 10 ⁇ 10. ing. Note that the structure body 400 is electrically connected without a gap therebetween, and the wiring board 4000 has a square shape with a side of 70 mm in plan view.
  • FIG. 20B is a cross-sectional view of the wiring board 4000 and is a cross-sectional view in the cross section shown in FIG.
  • the points 14 mm from the end of the wiring board 4000 are defined as the port 481 and the port 482, respectively.
  • the attenuation amount of electromagnetic waves at the port 481 and the port 482 is simulated.
  • the attenuation amount of electromagnetic waves supplied from the port 481 and received by the port 482 is simulated.
  • FIG. 21 is a graph showing the simulation results of the wiring board 3000 and the wiring board 4000.
  • the vertical axis of this graph represents the attenuation amount of electromagnetic waves, and the unit is dB (decibel).
  • the horizontal axis of this graph represents frequency, and the unit is GHz (gigahertz).
  • a curve 491 indicates simulation values at the port 181 or the port 182 shown in FIG. 17, and is equal to a part of the curve 191 (0 Hz to 6 GHz).
  • a curve 492 indicates a simulation value at the port 481 or the port 482. Note that the simulation value at the port 481 and the simulation value at the port 482 are equal, and therefore can be represented by one curve 492.
  • the wiring board 4000 has a higher suppression effect than the wiring board 3000 in the band gap region including 2.4 GHz, but cannot have a sufficient suppression effect in the frequency band near 400 MHz. I understand.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)
  • Waveguide Connection Structure (AREA)
  • Aerials With Secondary Devices (AREA)

Abstract

　構造体（１００）は、互いに対向するＡ層（１１０）とＤ層（１４０）とにそれぞれ形成されるグラウンド導体（１１１、１４１）と、グラウンド導体（１１１、１４１）間を接続している接続部材（１５１）と、Ｃ層（１３０）に形成され、グラウンド導体（１１１、１４１）に対向している導体部（１３１）と、導体部（１３１）に設けられ、接続部材（１５１）が通過している開口（１３２）と、Ｂ層（１２０）に形成され、導体部（１３１）に対向し、当該導体部（１３１）に設けられた開口（１３２）を通過している接続部材（１５１）と電気的に接続された導体エレメント（１２１）と、を備える。

Description

構造体、配線基板および配線基板の製造方法
　本発明は、構造体、配線基板および配線基板の製造方法に関する。
　近年、特定の構造を有する導体パターンを周期的に配置すること（以下、メタマテリアルと記載）で電磁波の伝播特性を制御できることが明らかになっている。特に、特定の周波数帯域における電磁波伝播を抑制するように構成されるメタマテリアルを、電磁バンドギャップ構造（以下、ＥＢＧ構造と記載）と呼んでいる。
　この種の技術として、例えば特許文献１（米国特許第６２６２４９５号明細書）に記載の技術がある。特許文献１のＦＩＧ．２には、シート状の導体プレーンの上方に島状の導体エレメントを複数配置し、この島状の導体エレメントそれぞれをビアで導体プレーンに接続した構造、いわゆるマッシュルーム型のＥＢＧ構造が示されている。
米国特許第６２６２４９５号明細書
　しかしながら、特許文献１に記載されているＥＢＧ構造によって抑制可能な周波数帯域は比較的高く、より低い周波数帯域への抑制効果が薄かった。
　本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制することが可能な構造体、または当該構造体を有する配線基板を提供することにある。
　本発明によれば、互いに対向する第１層と第２層とにそれぞれ形成される第１導体および第２導体と、前記第１導体と前記第２導体とを接続している接続部材と、前記第１層と前記第２層との中間に位置する第３層に形成され、前記第１導体と前記第２導体とに対向している第３導体と、前記第３導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記第１層と前記第２層との中間に位置し前記第３層とは異なる第４層に形成され、前記第３導体に対向し、当該第３導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第４導体と、を備えることを特徴とする構造体が提供される。
　また、本発明によれば、互いに対向する第１層と第２層とにそれぞれ形成される第１導体および第２導体と、前記第１導体と前記第２導体とを接続している接続部材と、前記第１層と前記第２層との中間に位置する第３層に形成され、前記第１導体と前記第２導体とに対向している第３導体と、前記第３導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、前記第１層と前記第２層との中間に位置し前記第３層とは異なる第４層に形成され、前記第３導体に対向し、当該第３導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第４導体と、を備えることを特徴とする配線基板が提供される。
　また、本発明によれば、（ａ）第１層に第１導体、第２層に第２導体、前記第１層と前記第２層との中間に位置する第３層に第３導体、前記第１層と前記第２層との中間に位置し前記第３層とは異なる第４層に第４導体を配置し、かつ前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体と前記第４導体とが互いに対向するように配置するステップと、（ｂ）前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体と前記第４導体とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に、前記第３導体と絶縁し、前記第１導体と前記第２導体と前記第４導体と接続する接続部材１５１を形成するステップと、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
　本発明によれば、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制することが可能な構造体、または当該構造体を有する配線基板が提供される。
本発明の第１の実施形態に係る構造体の斜視図である。 図１で示す構造体の断面図である。 第１の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図である。 配線基板が取りうる構造体の配列パターンを示す図である。 配線基板が取りうる構造体の配列パターンを示す図である。 配線基板が取りうる構造体の配列パターンを示す図である。 第１の実施形態の構造体の変形例の斜視図である。 本発明の第２の実施形態に係る構造体の斜視図である。 図８で示す構造体の断面図である。 第２の実施形態に係る配線基板の上面図と断面図である。 第１の実施形態で説明した構造体の変形例の斜視図である。 第１の実施形態で説明した構造体の変形例の斜視図である。 第１の実施形態で説明した構造体の変形例の斜視図である。 第１の実施形態で説明した構造体の変形例の斜視図である。 第１の実施形態で説明した構造体の配列の変形例を示す図である。 シミュレーションに用いる構造体の寸法を示す図である。 シミュレーションに用いる配線基板の上面図と断面図である。 配線基板における上段部と下段部のシミュレーション結果を示すグラフである。 シミュレーションに用いる構造体の寸法を示す図である。 シミュレーションに用いる配線基板の上面図と断面図である。 配線基板のシミュレーション結果を示すグラフである。
　以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
〔第１の実施形態〕
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る構造体１００の斜視図である。構造体１００は、Ａ層１１０（第１層）、Ｂ層１２０（第４層）、Ｃ層１３０（第３層）またはＤ層１４０（第２層）に形成される導体性の各種構成要素によって構成される。なお、Ａ層１１０、Ｂ層１２０、Ｃ層１３０またはＤ層１４０は、配線基板１０００の各層であって、互いに対向している。
　グラウンド導体１１１（第１導体）およびグラウンド導体１４１（第２導体）は、接地等によって基準電位が与えられる。また、グラウンド導体１１１およびグラウンド導体１４１は、Ａ層１１０とＤ層１４０とにそれぞれ形成され、接続部材１５１によって層間接続される。なお、グラウンド導体１１１は、Ａ層１１０の全面に形成されてもよく、局所的に形成されてもよい。同様に、グラウンド導体１４１は、Ｄ層１４０の全面に形成されてもよく、局所的に形成されてもよい。
　導体部１３１（第３導体）は、Ａ層１１０とＤ層１４０との中間に位置するＣ層１３０に形成される。また、導体部１３１は、グラウンド導体１１１とグラウンド導体１４１とに対向している。さらに、導体部１３１には接続部材１５１が通過する開口１３２が設けられ、導体部１３１と接続部材１５１とは接触しておらず、絶縁されているものとする。なお、導体部１３１は、Ｃ層１３０の全面に形成されてもよく、局所的に形成されてもよい。また、導体部１３１に設けられる開口１３２は、単一であっても複数であってもよい。さらに、開口１３２を通過する接続部材１５１は、単一であっても複数であってもよい。また、開口１３２の面積は、対向している導体エレメント１２１の面積より小さく、導体エレメント１２１の少なくとも一部が導体部１３１に対向している。
　導体エレメント１２１（第４導体）は、Ａ層１１０とＤ層１４０との中間に位置し、Ｃ層１３０とは異なるＢ層１２０に形成される。そして、導体エレメント１２１は、導体部１３１に対向し、当該導体部１３１に設けられた開口１３２を通過している接続部材１５１と電気的に接続されている。なお、図１において接続部材１５１は、導体エレメント１２１の中心に接続されるように図示しているが、必ずしも中心に接続されなくてもよい。
　接続部材１５１は、一層ごとに積層、スルーホール加工、配線形成を繰り返すビルドアップ方式によって形成されてもよい。また、接続部材１５１は、貫通ビアであってもよい。接続部材１５１が貫通ビアである場合、構造体１００は以下のような手順で製造される。まず、（ａ）Ａ層１１０にグランド導体１１１、Ｄ層１４０にグラウンド導体１４１、Ｃ層に導体部１３１、Ｂ層に導体エレメント１２１を配置し、かつグラウンド導体１１１と導体エレメント１２１と導体部１３１とグラウンド導体１４１とが互いに対向するように配置する。そして、（ｂ）グラウンド導体１１１と導体エレメント１２１と導体部１３１とグラウンド導体１４１とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に導体部１３１と絶縁し、グラウンド導体１１１と導体エレメント１２１とグラウンド導体１４１と接続する接続部材１５１を形成させる。
　当然、図示しない構成要素があるのであれば、（ａ）の工程において適切に配置されることが望ましい。また、（ｂ）の工程において、スルーホールを設ける方法は、適用可能であれば何を用いてもよく、例えばドリルでスルーホールを空けてもよい。さらに、（ｂ）の工程において、接続部材１５１を形成する方法は、適用可能であれば何を用いてもよく、例えばスルーホール内面をめっきすることによって形成してもよい。
　接続部材１５１を貫通ビアとして製造することによって、ビルドアップ方式で製造する場合と比べて、製造工程を短縮することができ、製造コストも低減することができる。
　グラウンド導体１１１、導体エレメント１２１、導体部１３１およびグラウンド導体１４１は、各々が形成される層の面方向に延在する導体であればよく、その形状は複数の態様を取りうる。従って、図１ではいずれも四角形として示したが、これに限らなくてもよい。
　図２は、図１で示す断面における断面図である。図２において、破線で囲っている空間はＥＢＧ構造を成しており、それぞれＥＢＧ構造１７１とＥＢＧ構造１７２と呼ぶことにする。ＥＢＧ構造１７１は、Ａ層１１０に形成されたグラウンド導体１１１と、接続部材１５１と、導体部１３１と、導体エレメント１２１とによって構成される。また、ＥＢＧ構造１７２は、Ｄ層１４０に形成されたグラウンド導体１４１と、接続部材１５１と、導体部１３１と、導体エレメント１２１とによって構成される。すなわち、単一の構造体１００がＥＢＧ構造１７１とＥＢＧ構造１７２とを構成しており、導体エレメント１２１は、ＥＢＧ構造１７１とＥＢＧ構造１７２との双方に共有されている。そのため、２つのＥＢＧ構造を設けるより小型化を図ることができる。
　図３は、本実施形態に係る配線基板１０００の上面図と断面図である。より詳細には、図３（Ａ）は配線基板１０００の上面図であって、図３（Ｂ）は図３（Ａ）に示す断面における断面図である。図３（Ａ）において、破線で示す四角形は、繰り返し配列された構造体１００の各々がＢ層１２０に備える導体エレメント１２１を示している。また、図３（Ａ）において、破線で示す円は、繰り返し配列された構造体１００の各々が備える接続部材１５１を示している。
　Ａ層１１０には、複数のグラウンド導体１１１を含むグラウンドプレーンが形成されている。グラウンドプレーンは、いわゆるベタな導体であって、接地等によって基準電位が与えられている。また、グラウンドプレーンは、単一であってもよく、複数に分割されていてもよい。
　Ｄ層１４０には、複数のグラウンド導体１４１を含むグラウンドプレーンが形成されている。グラウンドプレーンは、いわゆるベタな導体であって、接地等によって基準電位が与えられている。また、グラウンドプレーンは、単一であってもよく、複数に分割されていてもよい。
　Ｂ層１２０には、複数の導体エレメント１２１が間隙を隔て、島状に形成されており、導体エレメント１２１の各々が、接続部材１５１によってグラウンドプレーンとグラウンドプレーンと接続されている。なお、個々の導体エレメント１２１間は絶縁されているものとする。
　Ｃ層１３０には、複数の導体部１３１を含む導体プレーンが形成され、各々の導体部１３１に対向する導体エレメント１２１に接続されている接続部材１５１それぞれが通過する開口１３２が設けられている。導体プレーンは、いわゆるベタな導体であって、例えば電源を供給する電源プレーンであってもよい。この場合、導体プレーンは定電位を与えられる。また、導体プレーンは、単一であってもよく、複数に分割されていてもよい。
　Ａ層１１０、Ｂ層１２０、Ｃ層１３０およびＤ層１４０は、上述した構成要素以外の構成、例えば電気信号を伝送する伝送路等を含んでもよい。また、配線基板１０００は、Ａ層１１０、Ｂ層１２０、Ｃ層１３０、Ｄ層１４０とは異なる層を備えてもよく、これらの層に上述した構成要素以外の構成、例えば伝送路等を含んでもよい。ただし、配線基板１０００において構造体１００が繰り返し配列されている領域、および当該領域の近傍に伝送路を配列すると構造体１００が成しているＥＢＧ構造の特性が変化するため、このような配列は避けることが望ましい。
　配線基板１０００は、構造体１００を繰り返し配列された領域において、特定の周波数帯域の電磁波伝播を抑制することができる。すなわち、特定の周波数帯域の電磁波を発生するノイズ源や、特定の周波数帯域の電磁波から防護したい素子等を囲むように構造体１００を配列すればよく、その配列パターンは複数の態様を取りうる。
　図４～図６は、それぞれ配線基板１０００が取りうる構造体１００の配列パターンを示す図である。ただし、図４～図６に図示される網掛けの部材は、半導体パッケージ１６１と半導体パッケージ１６２とする。図４に示すように、構造体１００は半導体パッケージ１６１と半導体パッケージ１６２の間に帯状に配置されてもよい。また、図５に示すように、構造体１００は半導体パッケージ１６１を囲むように配置されてもよい。また、図６に示すように、構造体１００は半導体パッケージ１６２を囲むように配置されていてもよい。
　ただし、抑制対象の電磁波がいずれの方向から伝播しても、複数の構造体１００を通過させるように配列することによって、より効果的に電磁波の電波を抑制することができる。従って、図４または図５に示す配列パターンのように、一方の半導体パッケージから他方の半導体パッケージに向かう方向に、複数の構造体１００が並列される方が、図６に示す配列パターンより好ましい。
　なお、グラウンド導体１１１と導体エレメント１２１の間隔、導体エレメント１２１と導体部１３１の間隔、導体部１３１とグラウンド導体１４１の間隔、接続部材１５１の太さ、および導体エレメント１２１の相互間隔などを調節することにより、電磁波伝播の抑制対象となる周波数帯域を所望の値に定めることができる。
　ここで、本実施形態の効果について説明する。本実施形態の配線基板１０００が有する構造体１００の各々がＥＢＧ構造を成すので比較的高い周波数帯域への抑制効果を奏することができる。
　また、本実施形態の配線基板１０００は、接続部材１５１がグラウンド導体１１１とグラウンド導体１４１とに接続されている。ある程度密な間隔で配列され、基準電位が与えられる接続部材１５１は、比較的低い周波数帯域の電磁波を低減することができるので、配線基板１０００は比較的低い周波数帯域への抑制効果も奏することができる。
　なお、本実施形態では複数の構造体１００が繰り返し配列された配線基板１０００を用いて説明したが、配線基板１０００と構造体１００の寸法によっては、単一の構造体１００であっても、本実施形態と同様に、比較的高い周波数と比較的低い周波数の双方に対して抑制効果を奏する。ただし、単一の構造体１００によって抑制される周波数帯域は、複数の構造体１００が配列された場合と比較して、限定的になる可能性がある。
　さらに、本実施形態において、導体エレメント１２１はＥＢＧ構造１７１とＥＢＧ構造１７２との双方に共有されるように構成されているので、導体エレメント１２１が構成されるＢ層１２０の数と、導体部１３１が形成されるＣ層１３０の数とが等しくなる。この効果について、図７を用いて説明する。
　図７は、本実施形態の構造体１００の変形例である構造体３００の斜視図である。図７におけるグラウンド導体３１１、導体部３３１、開口３３２、グラウンド導体３５１および接続部材３６１は、それぞれグラウンド導体１１１、導体部１３１、開口１３２、グラウンド導体１４１および接続部材１５１に相当する。構造体１００と構造体３００との相違点は、導体エレメント３２１、３４１が形成される層の数が、導体部３３１が形成される層の数より多いことである。構造体３００も、ＥＢＧ構造を構成するので、ある程度密な間隔で配列すれば構造体１００と同様に、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制可能である。しかし、上記の相違点により、構造体１００は構造体３００より薄く製造することができる。
〔第２の実施形態〕
　図８は、第２の実施形態に係る構造体２００の斜視図である。構造体２００は、Ａ層２１０、Ｂ層２２０、Ｃ層２３０、Ｄ層２４０、Ｅ層２５０またはＦ層２６０に形成される導体性の各種構成要素によって構成される。なお、Ａ層２１０、Ｂ層２２０、Ｃ層２３０、Ｄ層２４０、Ｅ層２５０またはＦ層２６０は、配線基板２０００の各層であって、互いに対向している。
　グラウンド導体２１１およびグラウンド導体２６１は、接地等によって基準電位が与えられる。また、グラウンド導体２１１およびグラウンド導体２６１は、Ａ層２１０とＦ層２６０とにそれぞれ形成され、接続部材２７１によって層間接続される。
　導体部２３１と導体部２５１とは、Ｃ層２３０とＥ層２５０とにそれぞれ形成される。なお、導体部２３１と導体部２５１とには、接続部材２７１が通過する開口２３２と開口２５２とが設けられている。導体部２３１と導体部２５１とは、接続部材２７１に接触しておらず、絶縁されているものとする。
　導体エレメント２２１と導体エレメント２４１とは、Ｂ層２２０とＤ層２４０とにそれぞれ形成される。そして、導体エレメント２２１は導体部２３１に対向し、導体エレメント２４１は導体部２５１に対向し、開口２３２および開口２５２を通過している接続部材２７１と電気的に接続されている。
　図９は、図８に示す断面における断面図である。図９において破線で囲っている空間はＥＢＧ構造を成しており、それぞれＥＢＧ構造２８１、ＥＢＧ構造２８２およびＥＢＧ構造２８３と呼ぶことにする。ＥＢＧ構造２８１は、グラウンド導体２１１と、接続部材２７１と、グラウンド導体２１１に最も近い導体部２３１と、グラウンド導体２１１に最も近い導体エレメント２２１とによって構成される。また、ＥＢＧ構造２８２は、導体部２３１、導体エレメント２２１、接続部材２７１、導体部２５１および導体エレメント２４１によって構成される。さらに、ＥＢＧ構造２８３は、グラウンド導体２６１と、接続部材２７１と、グラウンド導体２６１に最も近い導体部２５１と、グラウンド導体２６１に最も近い導体エレメント２４１とによって構成される。
　すなわち、単一の構造体２００がＥＢＧ構造２８１、ＥＢＧ構造２８２およびＥＢＧ構造２８３を構成している。また、導体エレメント２２１は、ＥＢＧ構造２８１とＥＢＧ構造２８２との双方に共有されている。さらに、導体エレメント２４１は、ＥＢＧ構造２８２とＥＢＧ構造２８３との双方に共有されている。そのため、２つのＥＢＧ構造を設けるより小型化を図ることができる。
　上述したとおり、複数の層（Ｃ層２３０、Ｅ層２５０）にそれぞれ導体部２３１、導体部２５１が形成される本実施形態の構造体２００は、第１の実施形態のように導体部１３１が形成される層（Ｃ層１３０）の数が単一である場合に比べて、複雑にＥＢＧ構造を構成することがわかる。
　図１０は、本実施形態に係る配線基板２０００の上面図と断面図である。より詳細には、図１０（Ａ）は配線基板２０００の上面図であって、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）に示す断面における断面図である。図１０（Ａ）において、破線で示す四角形は、繰り返し配列された構造体２００の各々が備える導体エレメント２２１または導体エレメント２４１を示している。また、図１０（Ａ）において、破線で示す円は、繰り返し配列された構造体２００の各々が備える接続部材２７１を示している。
　Ａ層２１０には、複数の導体２１１を含むグラウンドプレーンが形成されている。Ｆ層２６０には、複数の導体２６１を含むグラウンドプレーンが形成されている。グラウンドプレーンは、いわゆるベタな導体であって、接地等によって基準電位が与えられている。また、グラウンドプレーンは、複数に分割されていてもよい。
　Ｂ層２２０には、複数の導体エレメント２２１が間隙を隔て、島状に形成されており、Ｄ層２４０には、複数の導体エレメント２４１が間隙を隔て、島状に形成されている。導体エレメント２２１または導体エレメント２４１の各々が、接続部材２７１によってグラウンドプレーンとグラウンドプレーンと接続されている。
　Ｃ層２３０には、複数の導体部２３１を含む導体プレーンが形成されている。各々の導体部２３１には、導体エレメント２２１が対向している。また、導体部２３１には、対向している導体エレメント２２１に接続されている接続部材２７１が通過する開口２３２が設けられている。Ｅ層２５０には、複数の導体部２５１を含む導体プレーンが形成されている。各々の導体部２５１には、導体エレメント２４１が対向している。また、導体部２５１には、対向している導体エレメント２４１に接続されている接続部材２７１が通過する開口２５２が設けられている。上記の導体プレーンは、いわゆるベタな導体であって、例えば電源を供給する電源プレーンであってもよい。この場合、導体プレーンは定電位を与えられる。また、導体プレーンは、複数に分割されていてもよい。
　Ａ層２１０、Ｂ層２２０、Ｃ層２３０、Ｄ層２４０、Ｅ層２５０またはＦ層２６０は、上述した構成要素以外の構成、例えば電気信号を伝送する伝送路等を含んでもよい。また、配線基板２０００は、Ａ層２１０、Ｂ層２２０、Ｃ層２３０、Ｄ層２４０、Ｅ層２５０、Ｆ層２６０とは異なる層を備えてもよく、これらの層に上述した構成要素以外の構成、例えば伝送路等を含んでもよい。ただし、配線基板２０００において構造体２００が繰り返し配列されている領域、および当該領域の近傍に伝送路を配列すると構造体２００が成しているＥＢＧ構造の特性が変化するため、このような配列は避けることが望ましい。
　本実施形態の効果について説明する。本実施形態の配線基板２０００が有する構造体２００の各々がＥＢＧ構造を成すので比較的高い周波数帯域への抑制効果を奏することができる。
　また、本実施形態の配線基板２０００は、繰り返し配列された接続部材２７１がグラウンド導体２１１とグラウンド導体２６１とに接続されている。ある程度密な間隔で配列され、基準電位が与えられる接続部材２７１は、比較的低い周波数帯域の電磁波を低減することができるので、配線基板２０００は比較的低い周波数帯域への抑制効果も奏することができる。
　すなわち、本実施形態の配線基板２０００は、第１の実施形態の配線基板１０００と同様に、高周波数帯域および低周波数帯域の双方において十分に電磁波伝播を抑制することができる。
　以上、実施の形態を用いて本発明を詳細に説明したが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない範囲においてあらゆる変形や変更が可能である。
　例えば、図１１～図１４は、第１の実施形態で説明した構造体１００の変形例の斜視図である。図１１～図１３に示すとおり、グラウンド導体１１１、導体エレメント１２１またはグラウンド導体１４１は、中心に開口を設けられた平板であって、当該開口中に螺旋状の導体パターンを有してもよい。このとき、螺旋状の導体パターンの一端は平板に接続されており、他端は接続部材１５１に接続されてもよい。また、導体パターンは必ずしも螺旋状でなくてもよく、例えば直線状、曲線状、蛇行状などであってもよい。
　また、図１４に示した構造は、導体エレメント１２１を含んで形成されるマイクロストリップ線路がオープンスタブとして機能するオープンスタブ型のＥＢＧ構造である。詳細には、接続部材１５１はインダクタンスを形成している。また、導体エレメント１２１は、対向する導体部１３１と電気的に結合することで導体部１３１をリターンパスとするマイクロストリップ線路を形成している。前記マイクロストリップ線路の一端はオープン端となっており、オープンスタブとして機能するように構成されている。なお、図１４に示したオープンスタブ型のＥＢＧ構造は、導体エレメント１２１が螺旋状パターンとなっているが、これに限定されず、例えば直線状パターン、曲線状パターン、蛇行状パターンなどであってもよい。
　オープンスタブ型ＥＢＧ構造は、グラウンド導体１１１と導体部１３１からなる平行平板、あるいはグラウンド導体１４１と導体部１３１からなる平行平板を、前記オープンスタブと、前記インダクタンスからなる、直列共振回路でそれぞれシャントした等価回路で表現することができ、前記直列共振回路の共振周波数がバンドギャップの中心周波数を与える。したがって、前記導体エレメント１２１を含んで形成されるオープンスタブのスタブ長を長くすることでバンドギャップ帯域を低周波化することができる。オープンスタブ型ＥＢＧ構造はバンドギャップ帯域の低周波化にスタブ長が必要であるが必ずしも面積を必要としないため、導体エレメント１２１の小型化を図ることができる。
　また、マイクロストリップ線路を形成する導体エレメント１２１と対向する導体部１３１は近接していることが好ましい。なぜならば、導体エレメントと導体部の距離が近いほど、前記マイクロストリップ線路の特性インピーダンスが低くなり、バンドギャップ帯域を広帯域化することができるためである。ただし、前記導体エレメント１２１を対向する導体部１３１に近接させない場合でも、本発明の本質的な効果には何ら影響を与えない。
　上記と同様に、第２の実施形態で説明した構造体２００の変形例として、グラウンド導体２１１、導体エレメント２２１、導体エレメント２４１またはグラウンド導体２６１は、中央に開口を設けられた平板であって、当該開口中に螺旋状の導体パターンを有してもよい。このとき、螺旋状の導体パターンの一端は平板に接続されており、他端は接続部材２７１に接続されてもよい。また、導体エレメント２２１または導体エレメント２４１は、螺旋状の導体パターンであって、一端が接続部材２７１に接続されてもよい。このような構造にすることによって、螺旋状の導体パターンを有する構成要素はインダクタンスが増加するので、構造体２００の小型化を図ることができる。
　第１の実施形態では、導体エレメント１２１が、導体部１３１を基準にしてグラウンド導体１１１側に位置する事例のみを説明したが、これに限らなくても良い。図１５は、第１の実施形態で説明した構造体１００の配列の変形例を示す図である。図１５に示すように、導体エレメント１２１の一部が導体部１３１を基準にしてグラウンド導体１４１側に位置してもよい。また、図１５に示すように、グラウンド導体１１１側に位置する導体エレメント１２１と、グラウンド導体１４１側に位置する導体エレメント１２１と、を交互に配列した場合、導体エレメント１２１の配列の繰り返しの回数を第１の実施形態より多くすることができる。そのため、ＥＢＧ構造を高密度に設けることができる。従って、第１の実施形態より高い特性のＥＢＧ構造を構成することができる。
　また、第２の実施形態で説明した構造体２００の変形例として、導体エレメント２２１が形成されたＢ層２２０または導体エレメント２４１が形成されたＤ層２４０のいずれか一方が存在しなくてもよい。すなわち、導体エレメント（第４導体）が形成された層の数が、導体部（第３導体）が形成された層の数より少なくてもよい。
　図９において、導体エレメント２２１はグラウンド導体２１１と導体部２３１との中間層に形成されたが、導体部２３１と導体部２５１との中間層に形成されてもよい。また、図９において、導体エレメント２４１は導体部２３１と導体部２５１との中間層に形成されたが、導体部２５１とグラウンド導体２６１との中間層に形成されてもよい。
　上述した実施形態で図示した接続部材１５１または接続部材２７１には、いずれも導体エレメントが接続されているが、必ずしもこれに限らなくてもよく、導体エレメントと接続しない接続部材１５１または接続部材２７１が一部存在してもよい。当然、導体エレメントと接続しないことによってＥＢＧ構造が崩れる場合、その近傍空間における高周波帯域の電磁波抑制の効果が低下する。
　以下、実施例に従って本発明を説明するが、本発明は実施例のみに限定されない。
〔実施例１〕
　図１６は、シミュレーションに用いる構造体１００の寸法を示す図である。グラウンド導体１１１とグラウンド導体１４１とは、それぞれ一辺７ｍｍの正方形である。また、導体部１３１も一辺７ｍｍの正方形であって、その中心に直径０．５ｍｍの開口１３２が設けられている。そして、導体エレメント１２１は、一辺６ｍｍの正方形であり、接続部材１５１の直径は０．３ｍｍとする。グラウンド導体１１１と導体エレメント１２１の間隔、導体エレメント１２１と導体部１３１の間隔、および導体部１３１とグラウンド導体１４１の間隔は、それぞれ０．１ｍｍ、０．０７ｍｍ、０．５ｍｍとする。グラウンド導体１１１、導体エレメント１２１、導体部１３１、グラウンド導体１４１および接続部材１５１はそれぞれ完全導体である。また、導体エレメント１２１、導体部１３１およびグラウンド導体１４１の厚さは無視する。そして、上述の各種導体を除く斜線部は誘導体であり、比誘電率＝４．２、Ｔａｎδ＝０．０２５とする。
　図１７は、シミュレーションに用いる配線基板３０００の上面図と断面図である。より詳細には、図１７（Ａ）は、図１６に示した構造体１００を繰り返し配列された配線基板３０００の上面図であって、構造体１００が１０×１０で配列されていることを示している。なお、構造体１００は互いに間隙を隔てることなく、電気的に接続されており、配線基板３０００は平面視で一辺７０ｍｍの正方形を成しているものとする。また、図１７（Ｂ）は配線基板３０００の断面図であって、図１７（Ａ）に示す断面線における断面図である。ここで、導体部１３１とグラウンド導体１４１とが対向している領域のうち、配線基板３０００の端から１４ｍｍの地点をそれぞれポート１８１およびポート１８２と定めた。また、グラウンド導体１１１と導体部１３１とが対向している領域のうち、配線基板３０００の端から１４ｍｍの地点をそれぞれポート１８３およびポート１８４と定めた。
　本実施例においては、ポート１８１から給電し、ポート１８２で受電した電磁波の減衰量をシミュレーションする。ポート１８３から給電し、ポート１８４で受電した電磁波の減衰量をシミュレーションする。
　図１８は、本実施例に用いる配線基板３０００における上段部（ポート１８３またはポート１８４）と下段部（ポート１８１またはポート１８２）のシミュレーション結果を示すグラフである。このグラフの縦軸は、電磁波の減衰量を示し、単位はｄＢ（デシベル）である。このグラフの横軸は、周波数を示し、単位はＧＨｚ（ギガヘルツ）である。また、曲線１９１は下段部におけるシミュレーション値を示す。そして、曲線１９２は上段部おけるシミュレーション値を示している。なお、ポート１８１におけるシミュレーション値と、ポート１８２におけるシミュレーション値とは等しいので、一つの曲線１９１で示すことができる。同様に、ポート１８３におけるシミュレーション値と、ポート１８４におけるシミュレーション値とは等しいので、一つの曲線１９２で示すことができる。
　図１８に示すシミュレーション結果から、配線基板３０００の上段部と下段部は共に、４００ＭＨｚを含むバンドギャップ領域、１．２ＧＨｚを含むバンドギャップ領域、２．４ＧＨｚを含むバンドギャップ領域および４．４ＧＨｚを含むバンドギャップ領域を示し、いずれのバンドギャップ領域においても十分な抑制効果（４０ｄＢ以上の減衰量）を奏することがわかる。
　２．４ＧＨｚ近傍の周波数帯域は、主に無線ＬＡＮや無線インターネット技術に利用されている。また、４００ＭＨｚ近傍の周波数帯域は、主に公共業務用無線機に利用されている。本実施例の配線基板３０００は、これらの双方の周波数帯域の電磁波に対して十分な抑制効果を奏する。
〔比較例１〕
　図１９は、シミュレーションに用いる構造体４００の寸法を示す図である。構造体４００は、従来型のいわゆるマッシュルーム構造を有するＥＢＧ構造体である。導体パターン４１１は、一辺６ｍｍの正方形であり、導体パターン４３１は一辺７ｍｍの正方形である。また、導体パターン４２１は、一辺７ｍｍの正方形であって、その中心に直径０．５ｍｍの開口４２２が設けられている。接続部材４４１の直径は０．３ｍｍとする。導体パターン４１１と導体パターン４２１の間隔、導体パターン４２１と導体パターン４３１の間隔は、それぞれ０．０７ｍｍ、０．５ｍｍとする。導体パターン４１１、導体パターン４２１、導体パターン４３１および接続部材４４１はそれぞれ完全導体である。また、導体パターン４１１、導体パターン４２１および導体パターン４３１の厚さは無視する。そして、上述の各種導体を除く斜線部は誘導体であり、比誘電率＝４．２、Ｔａｎδ＝０．０２５とする。
　図２０は、 シミュレーションに用いる配線基板４０００の上面図と断面図である。より詳細には、図２０（Ａ）は、図１９に示した構造体４００を繰り返し配列された配線基板４０００の上面図であって、構造体４００が１０×１０で配列されていることを示している。なお、構造体４００は互いに間隙を隔てることなく、電気的に接続されており、配線基板４０００は平面視で一辺７０ｍｍの正方形を成しているものとする。また、図２０（Ｂ）は配線基板４０００の断面図であって、図２０（Ａ）に示す断面における断面図である。ここで、導体パターン４２１と導体パターン４３１とが対向している領域のうち、配線基板４０００の端から１４ｍｍの地点をそれぞれポート４８１およびポート４８２と定めた。このポート４８１およびポート４８２における電磁波の減衰量をシミュレーションする。
　本比較例においては、ポート４８１から給電し、ポート４８２で受電した電磁波の減衰量をシミュレーションする。
　図２１は、配線基板３０００と配線基板４０００のシミュレーション結果を示すグラフである。このグラフの縦軸は、電磁波の減衰量を示し、単位はｄＢ（デシベル）である。このグラフの横軸は、周波数を示し、単位はＧＨｚ（ギガヘルツ）である。また、曲線４９１は、図１７に示すポート１８１またはポート１８２におけるシミュレーション値を示しており、曲線１９１の一部（０Ｈｚ～６ＧＨｚ）と等しい。曲線４９２はポート４８１またはポート４８２におけるシミュレーション値を示している。なお、ポート４８１におけるシミュレーション値と、ポート４８２におけるシミュレーション値とは等しいので、一つの曲線４９２で示すことができる。
　図２１のシミューレーション結果から、配線基板４０００は、２．４ＧＨｚを含むバンドギャップ領域において配線基板３０００より高い抑制効果を奏するが、４００ＭＨｚ近傍の周波数帯域において十分な抑制効果を奏することができないことがわかる。
　この出願は、２０１０年３月８日に出願された日本特許出願特願２０１０－０５１０７８号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。

Claims (9)

  1. 　互いに対向する第１層と第２層とにそれぞれ形成される第１導体および第２導体と、
    　前記第１導体と前記第２導体とを接続している接続部材と、
    　前記第１層と前記第２層との中間に位置する第３層に形成され、前記第１導体と前記第２導体とに対向している第３導体と、
    　前記第３導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、
    　前記第１層と前記第２層との中間に位置し前記第３層とは異なる第４層に形成され、前記第３導体に対向し、当該第３導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第４導体と、
    を備えることを特徴とする構造体。
  2. 　請求項１に記載の構造体であって、
    　前記第１導体および前記第２導体は、基準電位を与えられることを特徴とする構造体。
  3. 　請求項１または２に記載の構造体であって、
    　前記第４導体が形成された前記第４層の数が、前記第３導体が形成された前記第３層の数と等しい又はより少ないことを特徴とする構造体。
  4. 　請求項１乃至３いずれかに記載の構造体であって、
    　前記第３導体が形成された前記第３層の数が一つであり、
    　前記第１導体と前記第３導体とを少なくとも含む第１の電磁バンドギャップ構造を構成し、かつ前記第２導体と当該第３導体とを少なくとも含む第２の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。
  5. 　請求項４に記載の構造体であって、
    　前記第１導体と、前記接続部材と、前記第３導体と、前記第４導体とによって前記第１の電磁バンドギャップ構造を構成し、
    　かつ前記第２導体と、当該接続部材と、当該第３導体と、当該第４導体とによって、前記第２の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。
  6. 　請求項１乃至３いずれかに記載の構造体であって、
    　前記第３導体が形成された前記第３層の数が複数であり、
    　前記第１導体と当該第１導体に最も近い前記第３導体とを少なくとも含む第３の電磁バンドギャップ構造を構成し、かつ複数の前記第３導体を少なくとも含む第４の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。
  7. 　請求項６に記載の構造体であって、
    　前記第１導体と、前記接続部材と、前記第３導体のうち当該第１導体に最も近い一の第３導体と、前記第４導体のうち当該第１導体に最も近い一の第４導体とによって前記第３の電磁バンドギャップ構造を構成し、
    　かつ当該一の第３導体と当該一の第４導体と当該接続部材とは、他の第３導体と他の第４導体とともに、前記第４の電磁バンドギャップ構造を構成することを特徴とする構造体。
  8. 　互いに対向する第１層と第２層とにそれぞれ形成される第１導体および第２導体と、
    　前記第１導体と前記第２導体とを接続している接続部材と、
    　前記第１層と前記第２層との中間に位置する第３層に形成され、前記第１導体と前記第２導体とに対向している第３導体と、
    　前記第３導体に設けられ、前記接続部材が通過している開口と、
    　前記第１層と前記第２層との中間に位置し前記第３層とは異なる第４層に形成され、前記第３導体に対向し、当該第３導体に設けられた前記開口を通過している前記接続部材と電気的に接続された第４導体と、
    を備えることを特徴とする配線基板。
  9. 　（ａ）第１層に第１導体、第２層に第２導体、前記第１層と前記第２層との中間に位置する第３層に第３導体、前記第１層と前記第２層との中間に位置し前記第３層とは異なる第４層に第４導体を配置し、かつ前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体と前記第４導体とが互いに対向するように配置するステップと、
    　（ｂ）前記第１導体と前記第２導体と前記第３導体と前記第４導体とを貫通するスルーホールを設け、当該スルーホール内に、前記第３導体と絶縁し、前記第１導体と前記第２導体と前記第４導体と接続する接続部材１５１を形成するステップと、
    を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
PCT/JP2011/000665 2010-03-08 2011-02-07 構造体、配線基板および配線基板の製造方法 WO2011111297A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2011800131591A CN102792519A (zh) 2010-03-08 2011-02-07 结构、线路板和制造线路板的方法
JP2012504292A JP5725013B2 (ja) 2010-03-08 2011-02-07 構造体、配線基板および配線基板の製造方法
US13/583,168 US9357633B2 (en) 2010-03-08 2011-02-07 Structure, wiring board, and method of manufacturing wiring board

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-051078 2010-03-08
JP2010051078 2010-03-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2011111297A1 true WO2011111297A1 (ja) 2011-09-15

Family

ID=44563135

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/000665 WO2011111297A1 (ja) 2010-03-08 2011-02-07 構造体、配線基板および配線基板の製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9357633B2 (ja)
JP (1) JP5725013B2 (ja)
CN (1) CN102792519A (ja)
WO (1) WO2011111297A1 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014009069A3 (de) * 2012-07-10 2014-03-20 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Leiterplatte mit einer störwellen aussendenden hochfrequenzbaugruppe
JP2014200031A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 富士通株式会社 アンテナ及び無線通信装置
WO2014192784A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 日東電工株式会社 Ｅｂｇ構造
JP2015023473A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社東芝 アンテナ装置
JP2015142223A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 キヤノン株式会社 セル及び電磁バンドギャップ構造体
WO2016147421A1 (en) * 2015-03-19 2016-09-22 Nec Corporation Antenna radiating elements and sparse array antennas and method for producing an antenna radiating element
JP2016220029A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 アンテナ装置、無線通信装置、及びレーダ装置
JP2018515042A (ja) * 2015-05-08 2018-06-07 ティーイー コネクティビティ ネーデルランド ビーヴイＴＥ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｎｅｄｅｒｌａｎｄ ＢＶ 放射パターン間の干渉が低減されたアンテナシステムおよびアンテナモジュール
JPWO2021255811A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101333663B1 (ko) * 2012-08-09 2013-11-27 숭실대학교산학협력단 메타 구조체를 이용한 단말 장치
KR102252382B1 (ko) * 2014-07-22 2021-05-14 엘지이노텍 주식회사 레이더 장치
JP6262617B2 (ja) * 2014-08-08 2018-01-17 株式会社Ｓｏｋｅｎ 表面電流抑制フィルタ及びアンテナ装置
CN104241820B (zh) * 2014-08-19 2017-05-24 哈尔滨工业大学 一种以阿基米德螺旋线ebg结构为地板的pifa天线
JP7147378B2 (ja) * 2018-08-30 2022-10-05 Tdk株式会社 アンテナ
KR102628013B1 (ko) * 2019-06-10 2024-01-22 삼성전자주식회사 광대역 안테나 및 이를 포함하는 안테나 모듈

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147763A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp Ｅｂｇ構造
JP2009105575A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Nec Corp Ｅｂｇ材料を用いたコモンモード電流抑制フィルタ
WO2009145237A1 (ja) * 2008-05-27 2009-12-03 日本電気株式会社 フィルター、プリント回路基板およびノイズ抑制方法
JP2010010183A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Nec Corp 導波路構造およびプリント配線板
JP2010016554A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Mitsubishi Electric Corp Ｅｂｇ構造ユニット
JP2010050628A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Nippon Soken Inc アンテナ装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6262495B1 (en) 1998-03-30 2001-07-17 The Regents Of The University Of California Circuit and method for eliminating surface currents on metals
US6380608B1 (en) * 1999-06-01 2002-04-30 Alcatel Usa Sourcing L.P. Multiple level spiral inductors used to form a filter in a printed circuit board
US6476771B1 (en) * 2001-06-14 2002-11-05 E-Tenna Corporation Electrically thin multi-layer bandpass radome
US7190315B2 (en) 2003-12-18 2007-03-13 Intel Corporation Frequency selective surface to suppress surface currents
US6970057B2 (en) * 2004-04-02 2005-11-29 Chi Mei Communication Systems, Inc. Lowpass filter formed in a multi-layer ceramic
JP2006253929A (ja) 2005-03-09 2006-09-21 Mitsubishi Electric Corp Ｅｂｇマテリアル
US7268645B2 (en) * 2005-05-09 2007-09-11 Seiko Epson Corporation Integrated resonator structure and methods for its manufacture and use
US7423608B2 (en) * 2005-12-20 2008-09-09 Motorola, Inc. High impedance electromagnetic surface and method
KR100723531B1 (ko) * 2006-06-13 2007-05-30 삼성전자주식회사 반도체 패키지 기판
US7737899B1 (en) * 2006-07-13 2010-06-15 Wemtec, Inc. Electrically-thin bandpass radome with isolated inductive grids
US8159413B2 (en) * 2006-11-01 2012-04-17 Agency For Science, Technology And Research Double-stacked EBG structure
US8514147B2 (en) * 2006-11-22 2013-08-20 Nec Tokin Corporation EBG structure, antenna device, RFID tag, noise filter, noise absorptive sheet and wiring board with noise absorption function
KR100851075B1 (ko) * 2007-04-30 2008-08-12 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR100848848B1 (ko) * 2007-07-12 2008-07-28 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물, 이를 포함하는 인쇄회로기판과 그제조방법
KR100913363B1 (ko) * 2007-09-18 2009-08-20 삼성전기주식회사 멀티 비아를 포함하는 전자기 밴드갭 구조물 및인쇄회로기판
KR100998718B1 (ko) 2008-01-21 2010-12-07 삼성전기주식회사 전자기 밴드갭 구조물 및 인쇄회로기판
KR101055483B1 (ko) * 2009-04-07 2011-08-08 포항공과대학교 산학협력단 전자기 밴드갭 구조물 및 이를 포함하는 인쇄회로기판

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008147763A (ja) * 2006-12-06 2008-06-26 Mitsubishi Electric Corp Ｅｂｇ構造
JP2009105575A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Nec Corp Ｅｂｇ材料を用いたコモンモード電流抑制フィルタ
WO2009145237A1 (ja) * 2008-05-27 2009-12-03 日本電気株式会社 フィルター、プリント回路基板およびノイズ抑制方法
JP2010010183A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Nec Corp 導波路構造およびプリント配線板
JP2010016554A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Mitsubishi Electric Corp Ｅｂｇ構造ユニット
JP2010050628A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Nippon Soken Inc アンテナ装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104488365B (zh) * 2012-07-10 2018-07-17 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 装备有发射干扰波的高频部件的电路板
US9801268B2 (en) 2012-07-10 2017-10-24 Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg Circuit board equipped with a high-frequency component emitting interference waves
WO2014009069A3 (de) * 2012-07-10 2014-03-20 Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg Leiterplatte mit einer störwellen aussendenden hochfrequenzbaugruppe
CN104488365A (zh) * 2012-07-10 2015-04-01 恩德莱斯和豪瑟尔两合公司 装备有发射干扰波的高频部件的电路板
JP2014200031A (ja) * 2013-03-29 2014-10-23 富士通株式会社 アンテナ及び無線通信装置
WO2014192784A1 (ja) * 2013-05-30 2014-12-04 日東電工株式会社 Ｅｂｇ構造
JP2015023473A (ja) * 2013-07-19 2015-02-02 株式会社東芝 アンテナ装置
US9698482B2 (en) 2013-07-19 2017-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Antenna device
JP2015142223A (ja) * 2014-01-28 2015-08-03 キヤノン株式会社 セル及び電磁バンドギャップ構造体
WO2016147421A1 (en) * 2015-03-19 2016-09-22 Nec Corporation Antenna radiating elements and sparse array antennas and method for producing an antenna radiating element
JP2018514981A (ja) * 2015-03-19 2018-06-07 日本電気株式会社 アンテナ放射素子、スパースアレイアンテナおよびアンテナ放射素子の製造方法
US10333214B2 (en) 2015-03-19 2019-06-25 Nec Corporation Antenna radiating elements and sparse array antennas and method for producing an antenna radiating element
JP2018515042A (ja) * 2015-05-08 2018-06-07 ティーイー コネクティビティ ネーデルランド ビーヴイＴＥ Ｃｏｎｎｅｃｔｉｖｉｔｙ Ｎｅｄｅｒｌａｎｄ ＢＶ 放射パターン間の干渉が低減されたアンテナシステムおよびアンテナモジュール
JP2016220029A (ja) * 2015-05-20 2016-12-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 アンテナ装置、無線通信装置、及びレーダ装置
JPWO2021255811A1 (ja) * 2020-06-16 2021-12-23
JP7138822B2 (ja) 2020-06-16 2022-09-16 三菱電機株式会社 電磁結合制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2011111297A1 (ja) 2013-06-27
US20120325523A1 (en) 2012-12-27
JP5725013B2 (ja) 2015-05-27
US9357633B2 (en) 2016-05-31
CN102792519A (zh) 2012-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5725013B2 (ja) 構造体、配線基板および配線基板の製造方法
JP5550100B2 (ja) 電磁バンドギャップ素子及びそれを用いたアンテナ並びにフィルタ
WO2011111313A1 (ja) 電子装置、配線基板およびノイズ遮蔽方法
US20120325537A1 (en) Circuit board, electronic apparatus, and noise blocking method
US9386689B2 (en) Circuit board
EP3780259B1 (en) Transition structure and multilayer transition structure for millimeter wave
US8288660B2 (en) Preserving stopband characteristics of electromagnetic bandgap structures in circuit boards
US8952266B2 (en) Structural body and interconnect substrate
US9629282B2 (en) Electronic device, structure, and heat sink
JP6146801B2 (ja) 配線基板、及び電子装置
CN107896420B (zh) 电路板及其电磁带隙结构
US9084351B2 (en) Structure and circuit board having repeatedly arranged connection members
US10079415B2 (en) Structure and wiring substrate
JP5556319B2 (ja) ケーブル
JP2006246189A (ja) ストリップ線路の接続構造
TWI386115B (zh) 電路板
WO2013018257A1 (ja) 配線基板
JP2016143964A (ja) 伝送路変換器
JP5648312B2 (ja) ケーブル
JP2011171900A (ja) 電磁バンドギャップ構造素子及び印刷回路基板
JP2017103714A (ja) 多層配線基板

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180013159.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11752965

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012504292

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13583168

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11752965

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1