JP2006253929A - Ebgマテリアル - Google Patents
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Abstract
【課題】バンドギャップの広帯域化を図るとともに小型化を実現するEBGマテリアルを得る。
【解決手段】表面上に複数のインダクタンス要素4が形成された第一の基板1と、第一の基板1の裏面側に配置された誘電体と、誘電体を挟んで第一の基板1と反対側に配置される導体板とを有する第二の基板2と、隣接する各端部が互いに等間隔となるように、複数のインダクタンス要素4の上部に配置されている同一形状の複数の金属小板3と、複数のインダクタンス要素4および複数の金属小板3をそれぞれ一対ごとに導体板と電気的に接続する複数の連結体5とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】表面上に複数のインダクタンス要素4が形成された第一の基板1と、第一の基板1の裏面側に配置された誘電体と、誘電体を挟んで第一の基板1と反対側に配置される導体板とを有する第二の基板2と、隣接する各端部が互いに等間隔となるように、複数のインダクタンス要素4の上部に配置されている同一形状の複数の金属小板3と、複数のインダクタンス要素4および複数の金属小板3をそれぞれ一対ごとに導体板と電気的に接続する複数の連結体5とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、アンテナ装置に用いられ、特定の周波数帯の電磁波の伝搬を阻止するバンドギャップを備えたEBGマテリアルに関する。
モノポールアンテナの地板の大きさが有限の場合、地板表面に流れる電流が地板端部で回折し、その回折波の影響により、地板裏面への放射が生ずる。そして、この放射により、アンテナ利得の低下及び指向性の乱れが生ずるという問題がある。このような問題を解消するために、フォトニックバンドギャップ(PBG)マテリアル、または、エレクトロマグネティックバンドギャップ(EBG)マテリアルの一形態である高インピーダンスグランド板を用いたアンテナ装置がある(例えば、特許文献1参照)。
ここで、PBGまたはEBGは、誘電体または金属等を二次元または三次元で周期的に配置した構造をとることにより、その内部または平面上で特定周波数帯の電磁波の伝搬が禁止されるバンドギャップを形成する構造となる。
特許文献1に記載のアンテナ装置は、等間隔に二次元配列された正六角形の金属小板と、第一の基板である金属板がスルーホールで導通されて、特定周波数の電磁波の伝搬を阻止するバンドギャップを有する第二の基板を形成する。これにより、第一の基板の中心部に設置されたモノポールアンテナが励振する特定周波数の電磁波の裏面反射を抑圧するものである。
従来の高インピーダンスグランド板は、誘電体層の表面に六角形の金属小板を周期的に二次元配置し、誘電体層の裏面の金属板と金属棒であるスルーホールで結線することにより、隣接する六角形の金属小板間のギャップがキャパシタンス成分を形成する。さらに、六角形の金属小板の端部→スルーホール→金属板→スルーホール→金属小板端部の電流経路により、インダクタンス成分を形成するようにしたものである。
これらキャパシタンス成分およびインダクタンス成分からなるユニットが隣接することにより、LC並列共振回路が形成される。このLC並列共振回路が金属板上に多数形成されたものがLC共振周波数において高いインピーダンス特性を有する。
高インピーダンスグランド板は、EBGマテリアルの一種と考えることができる。EBGマテリアルとは、誘電体や金属など異なる2種類の物質を波長オーダの周期で二次元または三次元に規則正しく並べた構造をとることにより、その内部または平面状で特定周波数の電磁波の伝搬(すなわち表面電流の伝搬)が禁止される周波数領域(バンドギャップ)が形成される構造である。そして、バンドギャップは、マイクロ波帯の電流から光波まで、それぞれ特有の構造によって形成される。
しかしながら、従来技術には次のような課題がある。従来の高インピーダンスグランド板は、LC並列共振を利用しており、共振周波数の設定は、インダクタンス成分を形成するスルーホールの長さ、およびコンダクタンス成分を形成する金属小板間の距離に依存する。また、インダクタンス成分を増大させることにより、バンドギャップを広くすることができるが、このインダクタンス成分を増大させるに当たっては、スルーホールを長くすることで対応しており、これに伴い高インピーダンスグランド板のサイズが大きくなるという課題がある。
本発明は上述のような課題を解決するためになされたもので、バンドギャップの広帯域化を図るとともに小型化を実現するEBGマテリアルを得ることを目的とするものである。
本発明におけるEBGマテリアルは、表面上に複数のインダクタンス要素が形成された第一の基板と、第一の基板の裏面側に配置された誘電体と、誘電体を挟んで第一の基板と反対側に配置される導体板とを有する第二の基板と、隣接する各端部が互いに等間隔となるように、複数のインダクタンス要素の上部に配置されている同一形状の複数の金属小板と、複数のインダクタンス要素および複数の金属小板をそれぞれ一対ごとに導体板と電気的に接続する複数の連結体とを備えたものである。
本発明によれば、電流経路内にインダクタンス要素あるいはチップインダクタを有することにより、EBG構造を大きくすることなくインダクタンスを増大させることが可能となり、バンドギャップの広帯域化を図るとともに小型化を実現するEBGマテリアルを得ることができる。
以下、本発明のEBGマテリアルの好適な実施の形態につき図面を用いて説明する。
本発明は、EBG構造を大きくすることなく、インダクタンス成分を増大させることにより、バンドギャップの広帯域化とEBG構造の小型化の両立を図ることのできるEBGマテリアルを得ることを特徴とするものである。
本発明は、EBG構造を大きくすることなく、インダクタンス成分を増大させることにより、バンドギャップの広帯域化とEBG構造の小型化の両立を図ることのできるEBGマテリアルを得ることを特徴とするものである。
実施の形態1.
図1は、本発明の実施の形態1におけるEBGマテリアルの断面図である。また、図2は、本発明の実施の形態1におけるEBGマテリアルの上面図である。さらに、図3は、本発明の実施の形態1におけるEBGマテリアルの電気的な機能の説明図であり、図2の点線で示す領域の断面図を示したものである。なお、各図中、同一符号は、同一または相当部分を示す。
図1は、本発明の実施の形態1におけるEBGマテリアルの断面図である。また、図2は、本発明の実施の形態1におけるEBGマテリアルの上面図である。さらに、図3は、本発明の実施の形態1におけるEBGマテリアルの電気的な機能の説明図であり、図2の点線で示す領域の断面図を示したものである。なお、各図中、同一符号は、同一または相当部分を示す。
EBGマテリアルは、第一の基板1、第二の基板2、金属小板3、インダクタンス要素4、およびスルーホール5で構成される。第一の基板1は、表面上にインダクタンス要素4が形成されている。一方、第二の基板2は、誘電体の表面上に形成された導体板である。
金属小板3は、正方形等の多角形、または円形等をしており、金属小板3の端部と、隣接する金属小板3の端部との間隙が各々等しくなるように、2次元周期配列されている。第一の基板1は、連結体であるスルーホール5を介して、電気的に第二の基板2の導体板および金属小板3に接続されている。
ここで、実施の形態1におけるEBGマテリアルの動作原理について図2および図3を用いて説明する。実施の形態1におけるEBG構造は、x軸方向にのみ電界を有する電磁波を入力した場合に、図2の点線で示す領域において、図3に示すように、金属小板3間のキャパシタンス成分Cを形成する。
また、図3に示すように、金属小板3の端部→スルーホール5→第一の基板1→スルーホール5→第二の基板2→スルーホール5→第一の基板1→スルーホール5→金属小板3の端部の電流経路がインダクタンス成分Lを形成する。そして、各セルは、これらのキャパシタンス成分Cとインダクタンス成分Lとからなるため、LC並列共振回路と考えることができる。
このようなLC並列共振回路が多数形成されたものが、LC共振周波数において高いインピーダンス特性を有するようになる。よって、共振周波数において、インピーダンスが高くなるバンドギャップを形成する。バンドギャップは、電磁波の表面伝搬を抑制し、バンドギャップの範囲外の周波数帯では、金属板としてふるまう。
実施の形態1におけるEBGマテリアルは、共振周波数において、次の二つの特徴を有する。
1)EBGマテリアルに入射した電磁波は、同相で反射される(通常の金属板では、逆相で反射される)。
2)EBGマテリアルには、共振周波数およびその近傍の周波数成分を有する表面電流が流れない。
1)EBGマテリアルに入射した電磁波は、同相で反射される(通常の金属板では、逆相で反射される)。
2)EBGマテリアルには、共振周波数およびその近傍の周波数成分を有する表面電流が流れない。
また、LC共振周波数は、その構造および寸法により定まる。インダクタンス成分Lを調整するためには、金属小板3の端部から隣接する金属小板3の端部までの電流経路を変化させればよい。本発明の実施の形態1では、第一の基板1の表面上にインダクタンス要素4が形成されており、インダクタンス要素4を調整するだけで、所望のインダクタンス成分Lを容易に得ることができる。
さらに、バンドギャップを広帯域化するためには、インダクタンス成分Lを増大することで実現できる。インダクタンス成分Lを増大させるためには、電流経路を長くすればよい。しかし、従来の構造では、電流経路を長くするためには、スルーホールの長さを長くしなくてはならず、素子の高さが大きくなってしまう問題がある。
これに対して、本実施の形態1のEBGマテリアルは、電流経路内にインダクタンス要素4を有しており、所望のLC共振周波数あるいは所望の広帯域なバンドギャップとなるように、インダクタンス成分Lを容易に調整することができる。この結果、スルーホール5の長さを変更する必要がなく、素子が大きくなることを抑制できる。
以上のように、実施の形態1によれば、所望のインダクタンス成分を有するインダクタンス要素を第一の基板上に形成して、インダクタンス成分を増大させることにより、スルーホールを長くすることなくバンドギャップを広帯域化することができ、素子の高さを大きくする必要がないEBGマテリアルを得ることができる。この結果、バンドギャップの広帯域化を図るとともに素子の小形化を実現することができる。
なお、本発明の実施の形態1では、金属小板3を方形としているが(図2参照)、正六角形等の多角形または円形の金属小板3を用いても同様の効果を得ることができる。また、金属小板3と第一の基板1と第二の基板2とは、それぞれ連結体としてスルーホール5で接続されているが、これに限るものではなく、それぞれが電気的に接続されていれば、同様の効果を得ることができる。また、図では示していないが、金属小板3と第一の基板1の間を誘電体で満たしても同様の効果を得ることができる。
実施の形態2.
本実施の形態2では、インダクタンス要素4の具体例として、弾性表面波(SAW: Surface Acoustic Wave)共振器6(以下、SAW共振器6と呼ぶ)を用いる場合について説明する。図4は、本発明の実施の形態2におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図4は、インダクタンス要素4として、SAW共振器6を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
本実施の形態2では、インダクタンス要素4の具体例として、弾性表面波(SAW: Surface Acoustic Wave)共振器6(以下、SAW共振器6と呼ぶ)を用いる場合について説明する。図4は、本発明の実施の形態2におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図4は、インダクタンス要素4として、SAW共振器6を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
次に、インダクタンス要素4として用いるSAW共振器6について、図面を参照しながら説明する。図5は、本発明の実施の形態2におけるインダクタンス要素4に相当するSAW共振器6の構成を示す図である。図5におけるSAW共振器6は、グレーティング反射器7、すだれ状電極変換器8、および圧電体基板9で構成される。なお、図5におけるSAW共振器6は、一端子共振器を示している。
SAW共振器6は、圧電体基板9上のグレーティング反射器7とすだれ状電極変換器8(IDT:Interdigital Transducer、以下、IDT8と呼ぶ)から構成されている。グレーティング反射器7を2個適当な間隔を隔てて配置すると、両グレーティング反射器7間には共振空洞が形成され、空洞内にSAWの定在波が立つ。この定在波と強く結合するように、空洞内に電気音響変換用のIDT8を配置すると、圧電振動子が実現できる。
SAW共振器6を構成するグレーティング反射器7は、反射係数の小さな反射エレメントを半波長周期で配列し、Bragg周波数で大きな反射係数を得るものである。反射エレメントとしては、例えば、Al薄膜のような導体ストリップを用いる。圧電体基板9として、例えば、LiNbo3のような圧電体を用いた場合には、電気機械結合係数が大きいため、電気的摂動効果によって、大きな反射係数が得られる。
IDT8とグレーティング反射器7との間隔、およびIDT8の電極対数を適当な値に選ぶと、グレーティング反射器7のストップバンド周波数内で励振されたSAWは、2個のグレーティング反射器7間で多重反射して定在波を形成する。このような共振が生ずる条件は、下式(1)で与えられる。
2(Lp1+Lp2+L±λ/4)=mλ (1)
ここで、Lp1、Lp2は、等価反射面までの距離、mは整数、λはSAWの波長である。
2(Lp1+Lp2+L±λ/4)=mλ (1)
ここで、Lp1、Lp2は、等価反射面までの距離、mは整数、λはSAWの波長である。
図6は、本発明の実施の形態2におけるSAW共振器6の等価回路を示す図である。SAW共振器6の電気的等価回路は、LCRの直列回路とこれに並列接続されたIDT8の静電容量Ciとによって表すことができる。
図7は、本発明の実施の形態2におけるSAW共振器6のアドミタンス特性を模式的に示す図である。一般的に、図7に示すように、SAW共振器6は、周波数によって、誘導性または容量性を示す。すなわち、ある周波数よりも低い周波数においては誘電性を示し、或る周波数よりも高い周波数においては容量性を示している。
本実施の形態2において、SAW共振器6は、バンドギャップの周波数範囲でSAW共振器6が誘導性を示すように構成され、第一の基板1の表面上に形成されることで、バンドギャップの周波数範囲で、インダクタンス要素として用いることができる。
以上のように、実施の形態2によれば、インダクタンス要素として、SAW共振器を用いることで、インダクタンス成分を容易に調整できる。さらに、SAW共振器は、圧電基板上に形成され、インダクタンス成分を容易に増大させることができ、素子の高さを大きくすることなく、バンドギャップの広帯域化を図ることができる。この結果、素子の小形化が実現できる。
なお、第一の基板1を、LiNbo3基板として説明したが、これに限るものではなく、LiTao3基板や水晶基板等の圧電性を示す基板を用い、表面上にSAW共振器を形成しても、同様の効果を得ることができる。また、圧電体基板の代わりに誘電体基板を用いてもよい。また、SAW共振器6として、一端子対共振器について説明したが、二端子対共振器としても、同様の効果を得ることができる。
実施の形態3.
本実施の形態2では、インダクタンス要素4の具体例として、バルク弾性波(BAW: Bulk Acoustic Wave)共振器10(以下、BAW共振器10と呼ぶ)を用いる場合について説明する。図8は、本発明の実施の形態3におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図8は、インダクタンス要素4として、BAW共振器10を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
本実施の形態2では、インダクタンス要素4の具体例として、バルク弾性波(BAW: Bulk Acoustic Wave)共振器10(以下、BAW共振器10と呼ぶ)を用いる場合について説明する。図8は、本発明の実施の形態3におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図8は、インダクタンス要素4として、BAW共振器10を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
次に、インダクタンス要素4として用いるBAW共振器10について、図9を参照しながら説明する。図9は、本発明の実施の形態3におけるインダクタンス要素4に相当するBAW共振器10の構成を示す図である。図9におけるBAW共振器10は、Siなどの半導体基板11、下部電極12、AlN、Zno等の圧電薄膜13、および上部電極14で構成される。図9に示すように、BAW共振器10は、Siなどの基板の上に薄い圧電膜と電極膜を形成して、共振器とするものである。
BAW共振器10は、バルク波振動を用いた共振器であり、厚み縦振動を利用するものが多い。BAW共振器10は、基板上に形成されるため、基板に束縛されない自由な振動を得る必要がある。これには、次の2通りの方法がある。一つは、基板を共振器の下部のみエッチングすることで空気との境界を得る方法であり、もう一つは、共振器の下部に音響多層膜を形成してバルク波のブラッグ反射を利用して共振を得るものである。ここでは、図9に示したエッチングを利用したBAW共振器10について説明するが、ブラッグ反射を利用したBAW共振器10を利用した場合も、同様の効果を得ることができる。
図10は、本発明の実施の形態3におけるBAW共振器10の等価回路を示す図である。BAW共振器10の電気的等価回路は、実施の形態2におけるSAW共振器6の場合と同様に、LCRの直列回路とこれに並列接続された共振器の静電容量C0とによって表すことができる。また、共振周波数は、圧電薄膜13の厚さによって決定される。
図11は、本発明の実施の形態3におけるBAW共振器10のアドミタンス特性を模式的に示す図である。一般的に、図11に示すように、BAW共振器10は、周波数によって、誘導性または容量性を示す。すなわち、ある周波数よりも低い周波数においては誘電性を示し、ある周波数よりも高い周波数においては容量性を示している。
本発明の実施の形態3において、BAW共振器10は、バンドギャップの周波数範囲でBAW共振器10が誘導性を示すように構成され、第一の基板1の表面上に形成されることで、バンドギャップの周波数範囲で、インダクタンス要素として用いることができる。
以上のように、実施の形態3によれば、インダクタンス要素として、BAW共振器を用いることで、インダクタンス成分を容易に調整できる。さらに、BAW共振器は、半導体基板上に形成され、インダクタンス成分を容易に増大させることができ、素子の高さを大きくすることなく、バンドギャップの広帯域化を図ることができる。この結果、素子の小形化が実現できる。
なお、第一の基板1を、Si基板として説明したが、これに限るものではなく、BAW共振器として動作する基板であれば、同様の効果を得ることができる。
実施の形態4.
本実施の形態4では、インダクタンス要素4の具体例として、メアンダライン15を用いる場合について説明する。図12は、本発明の実施の形態4におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図12は、インダクタンス要素4として、メアンダライン15を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
本実施の形態4では、インダクタンス要素4の具体例として、メアンダライン15を用いる場合について説明する。図12は、本発明の実施の形態4におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図12は、インダクタンス要素4として、メアンダライン15を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
以上のように、実施の形態4によれば、インダクタンス要素として、メアンダラインを用いることで、インダクタンス成分を容易に調整できる。さらに、メアンダラインは、誘電体基板または圧電体基板上に形成され、インダクタンス成分を容易に増大させることができ、素子の高さを大きくすることなく、バンドギャップの広帯域化を図ることができる。この結果、素子の小形化が実現できる。
実施の形態5.
本実施の形態5では、インダクタンス要素4の具体例として、スパイラルインダクタ16を用いる場合について説明する。図13は、本発明の実施の形態5におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図13は、インダクタンス要素4として、スパイラルインダクタ16を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
本実施の形態5では、インダクタンス要素4の具体例として、スパイラルインダクタ16を用いる場合について説明する。図13は、本発明の実施の形態5におけるEBGマテリアルを示す図である。実施の形態1の構成図である図1と比較すると、図13は、インダクタンス要素4として、スパイラルインダクタ16を備えている。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
以上のように、実施の形態5によれば、インダクタンス要素として、スパイラルインダクタを用いることで、インダクタンス成分を容易に調整できる。さらに、スパイラルインダクタは、誘電体基板または圧電体基板上に形成され、インダクタンス成分を容易に増大させることができ、素子の高さを大きくすることなく、バンドギャップの広帯域化を図ることができる。この結果、素子の小形化が実現できる。
実施の形態6.
本実施の形態6では、第二の基板2と金属小板3とが、チップインダクタ17を用いて電気的に接続されている。図14は、本発明の実施の形態6におけるEBGマテリアルを示す図である。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
本実施の形態6では、第二の基板2と金属小板3とが、チップインダクタ17を用いて電気的に接続されている。図14は、本発明の実施の形態6におけるEBGマテリアルを示す図である。EBGマテリアルの動作原理については、実施の形態1と同様であり、説明は省略する。
実施の形態1〜5と比較すると、本実施の形態6におけるEBGマテリアルは、第一の基板1、スルーホール5、インダクタンス要素4の代わりにチップインダクタ17を備えており、より簡単な構造により、同様の効果を実現している。
以上のように、実施の形態6によれば、チップインダクタは、一般に小形で高いQを得ることができる。したがって、チップインダクタを用いることで、低損失な特性が得られ、素子の小形化が実現できるEBGマテリアルを得ることができる。
1 第一の基板、2 第二の基板、3 金属小板、4 インダクタンス要素、5 スルーホール(連結体)、6 SAW共振器、7 グレーティング反射器、8 すだれ状電極変換器、9 圧電体基板、10 BAW共振器、11 半導体基板、12 下部電極、13 圧電薄膜、14 上部電極、15 メアンダライン、16 スパイラルインダクタ、17 チップインダクタ。
Claims (6)
- 表面上に複数のインダクタンス要素が形成された第一の基板と、
前記第一の基板の裏面側に配置された誘電体と、前記誘電体を挟んで前記第一の基板と反対側に配置される導体板とを有する第二の基板と、
隣接する各端部が互いに等間隔となるように、前記複数のインダクタンス要素の上部に配置されている同一形状の複数の金属小板と、
前記複数のインダクタンス要素および前記複数の金属小板をそれぞれ一対ごとに前記導体板と電気的に接続する複数の連結体と
を備えたことを特徴とするEBGマテリアル。 - 請求項1に記載のEBGマテリアルにおいて、
前記第一の基板に形成された前記インダクタンス要素は、SAW共振器であることを特徴とするEBGマテリアル。 - 請求項1に記載のEBGマテリアルにおいて、
前記第一の基板に形成された前記インダクタンス要素は、BAW共振器であることを特徴とするEBGマテリアル。 - 請求項1に記載のEBGマテリアルにおいて、
前記第一の基板に形成された前記インダクタンス要素は、メアンダラインであることを特徴とするEBGマテリアル。 - 請求項1に記載のEBGマテリアルにおいて、
前記第一の基板に形成された前記インダクタンス要素は、スパイラルインダクタであることを特徴とするEBGマテリアル。 - 誘電体の裏面上に導体板が形成された基板と、
隣接する各端部が互いに等間隔となるように、前記誘電体の表面上に配置されている同一形状の複数の金属小板と、
前記導体板と前記複数の金属小板とをそれぞれ電気的に接続する複数のチップインダクタと
を備えたことを特徴とするEBGマテリアル。
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Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008050441A1 (fr) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Panasonic Corporation | Dispositif d'antenne |
JP2008288770A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Ebgマテリアル |
JP2009105575A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Nec Corp | Ebg材料を用いたコモンモード電流抑制フィルタ |
WO2009069780A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Ntt Docomo, Inc. | 無線通信システム |
JP2009224567A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Nec Corp | 構造、プリント基板 |
WO2010013496A1 (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | 日本電気株式会社 | 構造体、プリント基板、アンテナ、伝送線路導波管変換器、アレイアンテナ、電子装置 |
JP2010130095A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | アンテナ装置および無線通信装置 |
JP2010522524A (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-01 | ボード オブ リージェンツ,ザ ユニバーシティーオブ テキサス システム | 2つの周波数選択面を有する導体 |
JP2010183544A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Nec Tokin Corp | 高表面インピーダンス構造体、アンテナ装置、及びrfidタグ |
EP2221923A1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-08-25 | NEC Corporation | Antenna and printed-circuit board using waveguide structure |
US7855689B2 (en) | 2007-09-26 | 2010-12-21 | Nippon Soken, Inc. | Antenna apparatus for radio communication |
CN102414920A (zh) * | 2009-04-30 | 2012-04-11 | 日本电气株式会社 | 结构体、印刷板、天线、传输线波导转换器、阵列天线和电子装置 |
KR101172812B1 (ko) | 2010-06-30 | 2012-08-09 | 광주과학기술원 | 일차원 전자기 밴드갭 구조물 및 상기 구조물을 갖는 평면 안테나 |
CN102683814A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-09-19 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种偏馈式卫星电视天线及其卫星电视接收系统 |
CN102792519A (zh) * | 2010-03-08 | 2012-11-21 | 日本电气株式会社 | 结构、线路板和制造线路板的方法 |
US8354975B2 (en) | 2007-12-26 | 2013-01-15 | Nec Corporation | Electromagnetic band gap element, and antenna and filter using the same |
US8378762B2 (en) | 2007-03-02 | 2013-02-19 | Nec Corporation | Compact filtering structure |
JPWO2011058688A1 (ja) * | 2009-11-10 | 2013-03-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びノイズ抑制方法 |
CN103296418A (zh) * | 2012-03-02 | 2013-09-11 | 深圳光启创新技术有限公司 | 定向传播天线罩和定向天线系统 |
CN103367925A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种动中通天线 |
CN103367872A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种动中通天线 |
CN103441339A (zh) * | 2006-04-27 | 2013-12-11 | 泰科电子服务有限责任公司 | 异向材料天线设备 |
US8779874B2 (en) | 2008-06-24 | 2014-07-15 | Nec Corporation | Waveguide structure and printed-circuit board |
US20140292600A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Fujitsu Limited | Antenna and wireless communication apparatus |
US8873246B2 (en) | 2010-03-08 | 2014-10-28 | Nec Corporation | Electronic device, wiring board, and method of shielding noise |
US9000306B2 (en) | 2010-06-02 | 2015-04-07 | Nec Corporation | Interconnect board and electronic apparatus |
TWI565400B (zh) * | 2014-07-01 | 2017-01-01 | 華碩電腦股份有限公司 | 電磁帶隙結構與具有電磁帶隙結構的電子裝置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1188111A (ja) * | 1997-05-21 | 1999-03-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | 結晶フィルター構造および薄膜バルク弾性波共振器を利用したフィルター |
JPH11239020A (ja) * | 1997-04-18 | 1999-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 円偏波アンテナおよびそれを用いた無線装置 |
JPH11312944A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多電極型弾性表面波フィルタ及び共振器型弾性表面波フィルタ |
JP2003037413A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 携帯無線機用アンテナ |
JP2004505583A (ja) * | 2000-08-01 | 2004-02-19 | エッチアールエル ラボラトリーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 高インピーダンス表面に関する方法および装置 |
JP2004535720A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-25 | エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシー | 再構成可能なアンテナ・アレイのための低コスト実装手法 |
-
2005
- 2005-03-09 JP JP2005065871A patent/JP2006253929A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11239020A (ja) * | 1997-04-18 | 1999-08-31 | Murata Mfg Co Ltd | 円偏波アンテナおよびそれを用いた無線装置 |
JPH1188111A (ja) * | 1997-05-21 | 1999-03-30 | Nokia Mobile Phones Ltd | 結晶フィルター構造および薄膜バルク弾性波共振器を利用したフィルター |
JPH11312944A (ja) * | 1998-04-30 | 1999-11-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 多電極型弾性表面波フィルタ及び共振器型弾性表面波フィルタ |
JP2004505583A (ja) * | 2000-08-01 | 2004-02-19 | エッチアールエル ラボラトリーズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 高インピーダンス表面に関する方法および装置 |
JP2004535720A (ja) * | 2001-07-13 | 2004-11-25 | エイチアールエル ラボラトリーズ,エルエルシー | 再構成可能なアンテナ・アレイのための低コスト実装手法 |
JP2003037413A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 携帯無線機用アンテナ |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103441339A (zh) * | 2006-04-27 | 2013-12-11 | 泰科电子服务有限责任公司 | 异向材料天线设备 |
WO2008050441A1 (fr) * | 2006-10-26 | 2008-05-02 | Panasonic Corporation | Dispositif d'antenne |
US8378762B2 (en) | 2007-03-02 | 2013-02-19 | Nec Corporation | Compact filtering structure |
JP2010522524A (ja) * | 2007-03-29 | 2010-07-01 | ボード オブ リージェンツ,ザ ユニバーシティーオブ テキサス システム | 2つの周波数選択面を有する導体 |
JP2008288770A (ja) * | 2007-05-16 | 2008-11-27 | Mitsubishi Electric Corp | Ebgマテリアル |
US7855689B2 (en) | 2007-09-26 | 2010-12-21 | Nippon Soken, Inc. | Antenna apparatus for radio communication |
JP2009105575A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Nec Corp | Ebg材料を用いたコモンモード電流抑制フィルタ |
WO2009069780A1 (ja) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Ntt Docomo, Inc. | 無線通信システム |
JP2009153095A (ja) * | 2007-11-30 | 2009-07-09 | Ntt Docomo Inc | 無線通信システム |
US8649742B2 (en) | 2007-11-30 | 2014-02-11 | Ntt Docomo, Inc. | Radio communication system |
US8354975B2 (en) | 2007-12-26 | 2013-01-15 | Nec Corporation | Electromagnetic band gap element, and antenna and filter using the same |
JP2009224567A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Nec Corp | 構造、プリント基板 |
US9634369B2 (en) | 2008-06-24 | 2017-04-25 | Nec Corporation | Waveguide structure and printed-circuit board |
US9634370B2 (en) | 2008-06-24 | 2017-04-25 | Nec Corporation | Waveguide structure and printed-circuit board |
US8779874B2 (en) | 2008-06-24 | 2014-07-15 | Nec Corporation | Waveguide structure and printed-circuit board |
US8890761B2 (en) | 2008-08-01 | 2014-11-18 | Nec Corporation | Structure, printed circuit board, antenna, transmission line to waveguide converter, array antenna, and electronic device |
JP5522042B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2014-06-18 | 日本電気株式会社 | 構造体、プリント基板、アンテナ、伝送線路導波管変換器、アレイアンテナ、電子装置 |
WO2010013496A1 (ja) * | 2008-08-01 | 2010-02-04 | 日本電気株式会社 | 構造体、プリント基板、アンテナ、伝送線路導波管変換器、アレイアンテナ、電子装置 |
JP2010130095A (ja) * | 2008-11-25 | 2010-06-10 | Toshiba Corp | アンテナ装置および無線通信装置 |
JP2010183544A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Nec Tokin Corp | 高表面インピーダンス構造体、アンテナ装置、及びrfidタグ |
CN105280993A (zh) * | 2009-02-24 | 2016-01-27 | 日本电气株式会社 | 波导构造、印刷电路板及电子装置 |
US9653767B2 (en) | 2009-02-24 | 2017-05-16 | Nec Corporation | Antenna and printed-circuit board using waveguide structure |
JP2010199881A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-09-09 | Nec Corp | 導波路構造、プリント配線板、アンテナ、アレイアンテナ及びプリント基板並びにそれを用いた電子装置 |
EP2221923A1 (en) * | 2009-02-24 | 2010-08-25 | NEC Corporation | Antenna and printed-circuit board using waveguide structure |
US8816936B2 (en) | 2009-02-24 | 2014-08-26 | Nec Corporation | Antenna and printed-circuit board using waveguide structure |
US9269999B2 (en) | 2009-04-30 | 2016-02-23 | Nec Corporation | Structural body, printed board, antenna, transmission line waveguide converter, array antenna, and electronic device |
CN102414920A (zh) * | 2009-04-30 | 2012-04-11 | 日本电气株式会社 | 结构体、印刷板、天线、传输线波导转换器、阵列天线和电子装置 |
JPWO2011058688A1 (ja) * | 2009-11-10 | 2013-03-28 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びノイズ抑制方法 |
CN102792519A (zh) * | 2010-03-08 | 2012-11-21 | 日本电气株式会社 | 结构、线路板和制造线路板的方法 |
US8873246B2 (en) | 2010-03-08 | 2014-10-28 | Nec Corporation | Electronic device, wiring board, and method of shielding noise |
US9357633B2 (en) | 2010-03-08 | 2016-05-31 | Nec Corporation | Structure, wiring board, and method of manufacturing wiring board |
US9000306B2 (en) | 2010-06-02 | 2015-04-07 | Nec Corporation | Interconnect board and electronic apparatus |
KR101172812B1 (ko) | 2010-06-30 | 2012-08-09 | 광주과학기술원 | 일차원 전자기 밴드갭 구조물 및 상기 구조물을 갖는 평면 안테나 |
CN103296418B (zh) * | 2012-03-02 | 2017-04-05 | 深圳光启高等理工研究院 | 定向传播天线罩和定向天线系统 |
CN103296418A (zh) * | 2012-03-02 | 2013-09-11 | 深圳光启创新技术有限公司 | 定向传播天线罩和定向天线系统 |
CN103367925A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种动中通天线 |
CN103367872B (zh) * | 2012-03-31 | 2016-12-14 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种动中通天线 |
CN103367872A (zh) * | 2012-03-31 | 2013-10-23 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种动中通天线 |
CN103367925B (zh) * | 2012-03-31 | 2017-03-22 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种动中通天线 |
CN102683814A (zh) * | 2012-04-28 | 2012-09-19 | 深圳光启创新技术有限公司 | 一种偏馈式卫星电视天线及其卫星电视接收系统 |
CN102683814B (zh) * | 2012-04-28 | 2015-03-11 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种偏馈式卫星电视天线及其卫星电视接收系统 |
US20140292600A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Fujitsu Limited | Antenna and wireless communication apparatus |
TWI565400B (zh) * | 2014-07-01 | 2017-01-01 | 華碩電腦股份有限公司 | 電磁帶隙結構與具有電磁帶隙結構的電子裝置 |
US9755320B2 (en) | 2014-07-01 | 2017-09-05 | Asustek Computer Inc. | Electromagnetic bandgap structure and electronic device having the same |
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