JP2010183544A - 高表面インピーダンス構造体、アンテナ装置、及びrfidタグ - Google Patents

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Abstract

【課題】薄型化と低損失化を図ることのできる高表面インピーダンス構造体を提供する。
【解決手段】単位構造をx方向に繰り返し並べてなるシート状構造体において、誘電体層10の上面側には容量上部電極21を形成し、誘電体層10の下面側には、四角枠状のグランド電極31、容量上部電極21に対向配置される容量下部電極32、下面中央に配置されて容量下部電極32を接続する中央電極33、中央電極33とグランド電極31とをy方向において接続するインダクタンス部34を形成する。容量下部電極32にスリットを形成することによってインダクタンス成分の増大を図る。
【選択図】図2

Description

本発明は、高い表面インピーダンスを有するシート状構造体とそれを利用したアンテナ装置及びRFID(Radio Frequency Identification)タグに関する。
近年の機器の小型化により、例えば、グランドプレーン等の金属面とアンテナとの距離が短くなってきており、それによるアンテナ特性の劣化が懸念されている。また、RFIDタグを金属面に貼付すると、RFIDタグに含まれるアンテナの特性が著しく劣化し、RFIDタグが適切に機能しなくなることも知られている。これらの問題は、いずれも金属面の表面インピーダンスが低いことに起因している。逆に、表面インピーダンスの高いものをアンテナ近傍に配置すると、その高い表面インピーダンスによりインピーダンス面に入射したエネルギーが同相反射され、アンテナ性能を向上させることが知られている。
高いインピーダンスを有するシート状構造体としては、従来、ビアを有する所謂マッシュルーム状導体を備えるものが知られている(例えば、特許文献1参照)。これに対して、アンテナ用途に限られない左手系媒質としてビアを不要としビア密度の縛りを超えたスケーラビリティを持たせてなるもの(例えば、特許文献2参照)なども提案されている。
米国特許第6,538,621号公報 特開2006−245984号公報
インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を大きくすると、高表面インピーダンスを呈する領域又は信号・ノイズ透過阻止領域を低周波数側にシフトさせることができる。スケール則を考慮すれば理解されるように、特性を低周波数側にシフトさせることができるということは、シート状構造体の小型化を図ることができることを意味する。したがって、いずれの用途を想定する場合にも、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を大きくとりたいという要望がある。
そこで本発明は、インダクタンス成分又はキャパシタンス成分を増大させるために物理的構造・幾何学的構造に工夫を施したシート状構造体と、それを利用したアンテナ装置及びRFIDタグを提供することを目的とする。
構造に工夫を施して特性を低周波数側にシフトさせようとする場合、インダクタンス成分を増やすよりもキャパシタンス成分を増やすことの方が容易である。それ故、従来、キャパシタンス成分を増やすものについて多く提案されていた。
これに対して、本発明の発明者らは、インダクタンス成分を増やすことにより特性を低周波側へシフトさせた方が、付随的によい特性を得ることが出来ることを見出した。本発明はかかる知見に基づいて成されたものであり、以下の特徴を有する。
本発明の第1の態様によれば、
単位構造を所定方向に繰り返し並べてなる周期構造により特定の周波数帯域に対する表面インピーダンスを高め、それにより当該特定の周波数帯域に属する周波数を有する入射波を同相反射するシート状構造体であって、
前記単位構造は、第1及び第2の主面を有する誘電体層と、前記第1の主面上に形成された第1導電体層と、前記第2の主面上に形成された第2導電体層とを備えており、
前記第1導電体層は、第1所定数の容量上部電極を備え、
前記第2導電体層は、前記第2の主面と外形を同一とした枠状のグランド電極と、前記第2の主面の中央部に配置された中央電極と、前記中央電極と接続されるとともに容量上部電極に対応して配置された第2所定数の容量下部電極と、前記中央電極と前記グランド電極とを接続する複数のインダクタンス部とを備え、
インダクタンス成分を増やすためのスリットを前記容量下部電極に設けてなる
シート状構造体が得られる。
本発明の第2の態様によれば、
前記第1所定数および前記第2所定数はいずれも2であり、
前記容量上部電極は、前記所定方向において互いに離間するようにして配置される一方で前記所定方向と交差する前記第1の主面の縁に接するようにして配置されている、
上記第1の態様に記載のシート状構造体が得られる。
本発明の第3の態様によれば、
前記第1及び第2の主面のそれぞれは、前記所定方向に延びる二辺と前記所定方向に直交する方向に延びる二辺とからなる第1方形形状を有しており、
前記容量上部電極は、それぞれ、前記第1方形の面積の半分よりも小さい面積を有する第2方形形状を有し、且つ、前記直交する方向に延びる辺の一つを前記第1方形と共有するようにして配置されており、
前記グランド電極は、外形を前記第1方形に一致させてなる四角枠であり、
前記容量下部電極のそれぞれは、前記第1方形の面積の半分よりも小さい面積を有する第3方形形状を有し、且つ、前記グランド電極とは離間して配置されており、
前記中央電極は、第3方形形状よりも小さい第4方形形状を有し、且つ、前記第1方形の中心点上に配置されており、
前記インダクタンス部は、夫々、前記第1方形の中心点を通り且つ前記直交する方向に延びる線上において前記中央電極と前記グランド電極とを接続している、
上記第2の態様に記載のシート状構造体が得られる。
本発明の第4の態様によれば、
前記第1所定数および前記第2所定数はいずれも4であり、
前記容量上部電極は互いに離間するようにして配置される一方で前記第1の主面の縁に接するようにして配置されている、
上記第1の態様に記載のシート状構造体が得られる。
本発明の第5の態様によれば、
前記第1及び第2の主面のそれぞれは、一辺が第1所定長である第1正方形形状を有しており、
前記容量上部電極は、それぞれ、前記第1所定長よりも短い第2所定長の底辺を有する第1直角二等辺三角形形状を有しており、
当該4つの第1直角二等辺三角形は、底辺を前記第1正方形の各辺上に配置する一方で頂点を前記第1正方形の中心点に向けるように配置してなるものであり、
前記グランド電極は、外形を前記第1正方形に一致させてなる四角枠であって所定幅を有する四角枠であり、
前記中央電極は、前記第1正方形よりも小さい第2正方形形状を有し、且つ、前記第1正方形の中心点上において当該中心点の周りに45度回転させた状態で配置してなるものであり、
前記容量下部電極のそれぞれは、前記四角枠の4つの内辺のいずれか一つから所定距離だけ底辺を離すようにして配置してなる第2直角二等辺三角形形状であって頂点を当該中央部の4つ頂点のいずれか一つと接続してなる第2直角二等辺三角形形状を有している、上記第4の態様に記載のシート状構造体が得られる。
本発明の第6の態様によれば、
前記容量下部電極の一辺から内面に向かって延びるようにスリットが形成されている
上記第1乃至第5の態様に記載のシート状構造体が得られる。
本発明の第7の態様によれば、
前記スリットは夫々、直線状、曲線状またはこれらの組み合わせからなる形状を有する
上記第1乃至第5の態様に記載のシート状構造体が得られる。
本発明の第8の態様によれば、
上記第1乃至第7の態様のいずれかに記載のシート状構造体と、アンテナパターンを有するアンテナ層と、前記シート状構造体の前記第1導電体層上に形成された誘電体からなるアンテナ支持層とを備えるアンテナ装置が得られる。
本発明の第9の態様によれば、
ベタパターンの導電体からなるシールド層と、前記シート状構造体の前記第2導電体層上に形成された誘電体からなるシールド支持層とを更に備える、上記第8の態様に記載のアンテナ装置。
本発明の第10の態様によれば、
上記第8又は第9の態様のいずれかに記載のアンテナ装置と、前記アンテナ支持層上において前記アンテナパターンに接続されたICを備え、前記シート状構造体をタグ基体の一部としてなるRFID(Radio Frequency Identification)タグ。
本発明によれば、単位構造におけるインダクタンスが増える。これは即ち、単位構造を主面に垂直な方向から見た場合の等価回路であるLC並列共振回路の共振周波数が低くなることを意味する。よって、スケール則を考慮すれば理解されるように、シート状構造体の小型化を図ることが出来る。
加えて、共振周波数が同じ場合には、インダクタンス成分が大きくキャパシタンス成分が小さいほど、表面インピーダンスが大きくなり、同相反射の得られる周波数範囲が広くなる。
本発明の第1の実施の形態によるシート状構造体における単位構造を概略的に示す側面図である。 図2(a)は、図1に示される誘電体層及び第1導電体層を示す上面図であり、図2(b)は、図1に示される誘電体層及び第2導電体層を示す下面図である。 第1の実施の形態の容量下部電極にスリットを設けた一例を示す図である。 第1の実施の形態の容量下部電極にスリットを設けた一例を示す図である。 第1の実施の形態の容量下部電極にスリットを設けた一例を示す図である。 図1に示される単位構造を上方から見た場合の等価回路を示す図である。 図3の等価回路と置き換え可能な等価回路を示す図である。 インダクタンスを増加させることにより高インピーダンス領域の広帯域化が図れることを説明するための図である。 高インピーダンス領域を広帯域化するための等価回路上の条件を示す図である。 図1に示されるシート状構造体をRFIDタグに適用した例を示す図である。 図7に示されるRFIDタグの上面図である。 図7に示されるRFIDタグに含まれるシート状構造体の上面図である。 図7に示されるRFIDタグに含まれるシート状構造体の下面図である。 本発明の第2の実施の形態によるシート状構造体における単位構造を概略的に示す側面図である。 図15(a)は、図1に示される誘電体層及び第1導電体層を示す上面図であり、図15(b)は、図1に示される誘電体層及び第2導電体層を示す下面図である。 第2の実施の形態の容量下部電極にスリットを設けた一例を示す図である。
(第1の実施の形態)
本発明の第1の実施の形態による高表面インピーダンスを有するシート状構造体は、図1に示されるような単位構造を少なくとも一の方向に繰り返し並べてなる周期構造により特定の周波数帯域に対する表面インピーダンスを高め、それにより当該特定の周波数帯域に属する周波数を有する入射波を同相反射するものである。
本実施の形態による単位構造は、図1並びに図2(a)及び(b)に示されるように、誘電体層10と、誘電体層10の上面に形成された第1導電体層20と、誘電体層10の下面に形成された第2導電体層30とを備えている。ここで、図2(a)及び(b)から理解されるように、本実施の形態における単位構造の上面及び下面は、双方とも四角形である。以下においては、この四角形を第1方形という。
図2(a)に示されるように、第1導電体層20は、x方向において互いに離間するようにして配置された2つの容量上部電極21からなる。各容量上部電極21は、第1方形の面積の半分よりも小さい面積を有する四角形形状を有する。この四角形を以下においては、第2方形という。本実施の形態における第2方形は、それぞれx方向の辺よりもy方向の辺の方が約2倍近く長い長方形である。容量上部電極21は、第2方形の長辺、即ち、y方向に延びる辺の一つを第1方形のy方向に延びる辺と共有するようにして配置されており、これにより、単位構造をx方向に並置した場合には隣接する単位構造の容量上部電極21同士が連結されることとなる。
図2(b)に示されるように、第2導電体層30は、第1方形と外形を同一とした四角枠状のグランド電極31と、2つの容量上部電極21に対応する2つの容量下部電極32と、第1方形の中央部に配置された中央電極33と、y方向に延びて中央電極33とグランド電極31とを接続する2つのインダクタンス部34を備えている。ここで、容量下部電極32は、第2方形よりも一回り小さい第3方形形状を有しており、x方向において中央電極33と連結されている。本実施の形態における第3方形は、x方向の辺32bと、辺32bの約2倍の長さの辺32aを有する長方形である。中央電極33は、第3方形よりも更に小さい第4方形形状を有し、第1方形の中心点上に配置されている。
2つの容量下部電極32には、それぞれ、インダクタンス成分を増大させるためのスリット35が形成されている。本実施の形態におけるスリット35は、第3方形の長辺32aに平行する方向に延びて形成されている。一方の容量下部電極のスリット35は、長辺32aを超えない長さで、第3方形の短辺32bから面内にむかって延びるように形成されている。他方の容量下部電極は、中央電極を中心点として一方の容量下部電極を180度回転させた状態になるように形成されている。
本実施の形態において2つの容量下部電極に形成されるスリットは、図3に示すように、第3方形の短辺32bに平行な方向に形成してもよい。また、図4に示すように、スリットが延びる方向は、2つの容量下部電極でそれぞれ異なっていてもよい。また、図5に示すように、1つの容量下部電極に1本以上のスリットを形成してもよい。
特に、図5に示す例においては、1つの容量下部電極に対して、その異なる短辺32bからスリットを1本ずつ入れたことにより、ミアンダ形状を形成してある。この形状によって電流の流れるループがより長くなるため、より多くのインダクタンス成分を得ることができる。なお、容量下部電極に形成されるスリットの形状は、直線状に限られない。スリットの形状は例えば曲線状やジグザグ形状であってもよい。
以下に、インダクタンス成分の増大とその効果について説明する。
図6は、上述した単位構造を等価回路で表現したものである。周期を半分ずらして、図7に示されるような等価回路で上述した単位構造を表現することとしても良い。
第1導電体層20の上面からこの単位構造に入射する平面波から見た場合、図6、図7に示される等価回路は、適切な周波数範囲ではLC並列共振回路に簡略近似することができる。これは、隣り合う中央電極33間が、ギャップと連続導体との並列接続構造を有していることからも予想できる。
ここで、インダクタンスL,キャパシタンスCを有するLC並列共振回路で近似される表面の表面アドミタンスYs(表面インピーダンスZsの逆数)は、下記式(1)にて表すことができる。ωは角周波数、jは虚数単位である。
Figure 2010183544
式(1)をωで微分すると、下記式(2)が得られる。
Figure 2010183544
ここで、LC並列回路の共振角周波数をωとして、下記式(3)を用いて式(2)を変形すると、式(4)が得られる。
Figure 2010183544
Figure 2010183544
式(4)からω近傍における表面アドミタンスYsのωの変化に対する変化量は式(5)のように求められる。
Figure 2010183544
式(5)から明らかなように、LC並列共振回路において、共振周波数での表面アドミタンスの周波数変化に対する変化量は、Cが小さいほど(Lが大きいほど)小さく、j2Cになる。即ち、表面アドミタンスYsの逆数である表面インピーダンスZsも、Cが小さいほど(Lが大きいほど)周波数に対する変化は小さくなる(図8参照)。
図8に、式(1)に示す表面アドミタンスの逆数である表面インピーダンスZsの周波数特性を示す。
Figure 2010183544
図8に示されるように、表面インピーダンスZsの絶対値の大きな周波数範囲は、LCの積が一定、すなわち、共振周波数ω0が一定(L×Cが一定)なら、Lが大きくCが小さいほど広くなることがわかる。
従って、LC並列共振回路を図9に示されるような小キャパシタンスと大インダクタンスの組み合わせてなるものとすれば、広帯域な同相反射効果を得ることができる。
本実施の形態によれば、下部容量電極にインダクタンス成分を増大させるためのスリットを設けたことから、高表面インピーダンスを呈する周波数領域を比較的広くとることができる。なお、第1導電体層20及び第2導電体層30の少なくとも一方に磁性体層を付与すると、更に広帯域な同相反射効果を得ることができる。
図10乃至図13を参照すると、上述したシート状構造体をRFIDタグへ適用した例が示されている。なお、図10、図12及び図13において、参照符号10´、20´、30´は、それぞれ前述した単位構造の誘電体層10、第1導電体層20、第2導電体層30をx方向に周期的に連結してなるものである。また、実際の誘電体材料としては比較的透明なもの(少なくとも内部を透視しうるもの)を用いる場合もあるが、図11乃至図13においては、各図を簡略化するため、透過しないものとして描いてある。
図示されたRFIDタグは、2.4GHz用金属対応タグの例であり、12x12mmの平面形状を有する単位構造を5つ一列に接続してなるシート状構造体を備えている(特に、図12及び図13参照)。図10及び図11に示されるように、第1導電体層20´上には、誘電体からなるアンテナ支持層40が形成されており、アンテナ支持層40の上面には所定のアンテナパターンを有するアンテナ層50と、アンテナパターンに接続されたIC60とが配置されている。一方、第2導電体層30´の下面側には、シールド支持層70が設けられており、更に、シールド支持層70の下面にはベタパターンの導電体からなるシールド層80が形成されている。第2導電体層30´はベタ電極ではないことから、タグを金属面上に貼付した場合には、当該金属の影響を受けて性能が変化する可能性がある。そのため、本例のタグにおいては、予め第2導電体層30´から一定距離離すようにして導電体からなるシールド層80を設けてある。
本例においては、誘電体層10´、アンテナ支持層40、及びシールド支持層70は、PET(Polyethylene
Terephthalate)樹脂からなる。一方、第1導電体層20´、第2導電体層30´、アンテナ層50、シールド層80は、金属箔、より具体的には、アルミ箔または銅箔からなる。なお、第1導電体層20´と第2導電体層30´との間の距離、即ち、誘電体層10´の厚みは0.2mmであり、第1導電体層20´とアンテナ層50との間の距離、即ち、アンテナ支持層40の厚みも0.2mmである。また、第2導電体層30´とシールド層80との間の距離、即ち、シールド支持層70の厚みは、0.5mmである。
本例におけるアンテナは、図11から理解されるように、x方向を長手方向とし、IC60を中心にシート状構造体1の長手方向に対称に延びるアンテナパターン50aからなるダイポールアンテナである。本実施の形態におけるアンテナ素子50には、対称に延びるアンテナ導体パターン50aを接続する梁部導体50bがインピーダンスマッチング用として更に設けられている。図11及び図13から理解されるように、ダイポールアンテナの長手方向(x方向)とインダクタンス部34の長手方向(y方向)とは直交している。従って、インダクタンス部34にはアンテナによる誘導電流が生じない。故に、インダクタンス部34における導体損失は最小となっている。
なお、シート状構造体とアンテナ層50の相関やシート状構造体とシールド層80との相関を小さくするためには、アンテナ支持層40やシールド支持層70の厚みを厚くするか、または低い誘電率を有する材料でアンテナ支持層40やシールド支持層70を構成することが必要である。
具体的には、アンテナ支持層40やシールド支持層70の材料としては、PET(Polyethylene Terephthalate)、PET−G(Polyethylene Terephthalate Glycol)など一般的な樹脂やプラスチックなどの誘電体が使用できるが、できるだけ誘電率の低い樹脂や、空気分を含む発泡材、スポンジ、ウレタン、繊維、発泡ポリエチレン、アクリルフォームなどが好ましい。特に、空気層や空孔は空気中に電界を集中させ、材料内の電界を下げるので、損失の低減に有効である。
(第2の実施の形態)
本発明の第2の実施の形態による高表面インピーダンスを有するシート状構造体は、図14に示されるような単位構造を少なくとも一の方向に繰り返し並べてなる周期構造により特定の周波数帯域に対する表面インピーダンスを高め、それにより当該特定の周波数帯域に属する周波数を有する入射波を同相反射するものである。
本実施の形態による単位構造は、図14に示されるように、誘電体層110と、誘電体層110の上面に形成された第1導電体層120と、誘電体層110の下面に形成された第2導電体層130とを備えている。ここで、図15(a)及び(b)から理解されるように、本実施の形態における単位構造の上面及び下面は、双方とも正方形である。以下においては、この正方形を第1正方形という。
図15(a)に示されるように、第1導電体層120は、互いに離間するようにして配置された4つの容量上部電極121からなる。各容量上部電極121は、第1正方形の各辺、即ち、単位構造の縁に接するようにして配置されている。これにより、単位構造を並置した場合には隣接する単位構造の容量上部電極121同士が連結されることとなる。
更に詳しくは、本実施の形態における容量上部電極121は、第1正方形の一辺よりも短い長さの底辺を有する直角二等辺三角形形状を有している。以下においては、この直角二等辺三角形を第1三角形という。この第1三角形形状の容量上部電極121の底辺は、第1正方形の各辺上に配置されており、同電極121の頂点は第1正方形の中心点に向けるように配置されている。
図15(b)に示されるように、第2導電体層130は、第1正方形と外形を同一とした枠状のグランド電極131と、第1正方形の中央部に配置された中央電極132と、中央電極132とそれぞれ接続された4つの容量下部電極133と、4つの容量下部電極133の間において中央電極132とグランド電極131とを接続する4つのインダクタンス部134を備えている。
詳しくは、グランド電極131は、外形を第1正方形に一致させ、所定幅を有するようにして設計された四角枠である。中央電極132は、容量上部電極121の底辺の長さよりも短い長さの四辺を有する正方形形状を有している。以下においては、中央電極132の正方形を、第2正方形という。中央電極132は、第1正方形の中心点の周りに45度回転させたものを、第1正方形の中心点上に配置してなる。即ち、第1正方形の対角線と第2正方形の対角線とは45度ずれている。容量下部電極133は、それぞれ、容量上部電極121に対向して設けられたものであり、本実施の形態においては、第1三角形よりも一回り小さい直角二等辺三角形形状を有している。以下においては、容量下部電極133の直角二等辺三角形を第2三角形という。本実施に形態における第2三角形は、底辺を構成する長辺133aと、互いに等しい長さの二つの短辺133bを有する二等辺三角形である。この容量下部電極133の長辺133aは、グランド電極131を構成する四角枠の4つの内辺から所定距離だけ離れた位置にあり、一方、第2三角形の頂点は第2正方形の頂点と一対一に接続されている。
4つの容量下部電極133には、それぞれ、インダクタンス成分を増大させるためのスリット135が形成されている。本実施の形態においてスリット135は、第2三角形の長辺133aに平行な方向に、第2三角形の短辺133bから内面に向かって延びるように形成されている。
本実施の形態において、4つの容量下部電極のそれぞれに1本ずつスリットを形成したが、図16に示すように、1つの容量下部電極に1本以上のスリットを形成してもよい。
特に、図16に示す例においては、1つの容量下部電極にそれぞれ異なる短辺133bからスリットを入れたことにより、ミアンダ形状を形成してある。この形状によって電流の流れるループがより長くなるため、より多くのインダクタンス成分を得ることができる。なお、容量下部電極に形成されるスリットの形状は直線状に限られず、例えば曲線状やジグザグ形状であってもよい。
本実施の形態における容量下部電極にはスリットが形成されており、インダクタンスの増加が図られているため、高表面インピーダンスを呈する周波数領域を比較的広くとることができる。加えて、第1導電体層120及び第2導電体層130の少なくとも一方に磁性体層を付与すると、シート状構造体の表面インピーダンスにおいてLを大きくし且つCを小さくすることができることから、高表面インピーダンスを呈する周波数領域の更なる広帯域化を図ることができる。
なお、上述した本実施の形態によるシート状構造体も、第一の実施の形態と同様にアンテナ装置およびRFIDタグへ適用することができる。
10 誘電体層
20,20´ 第1導電体層
21 容量上部電極
30、30´ 第2導電体層
31 グランド電極
32 容量上部電極
32a 容量上部電極長辺
32b 容量上部電極短辺
33 中央電極
34 インダクタンス部
35 スリット
40 アンテナ支持層
50 アンテナ層
60 IC
70 シールド支持層
80 シールド層
110 誘電体層
120 第1導電体層
121 容量上部電極
130 第2導電体層
131 グランド電極
132 中央電極
133 容量下部電極
133a 容量下部電極長辺
133b 容量下部電極短辺
134 インダクタンス部
135 スリット

Claims (10)

  1. 単位構造を所定方向に繰り返し並べてなる周期構造により特定の周波数帯域に対する表面インピーダンスを高め、それにより当該特定の周波数帯域に属する周波数を有する入射波を同相反射するシート状構造体であって、
    前記単位構造は、第1及び第2の主面を有する誘電体層と、前記第1の主面上に形成された第1導電体層と、前記第2の主面上に形成された第2導電体層とを備えており、
    前記第1導電体層は、第1所定数の容量上部電極を備え、
    前記第2導電体層は、前記第2の主面と外形を同一とした枠状のグランド電極と、前記第2の主面の中央部に配置された中央電極と、前記中央電極と接続されるとともに容量上部電極に対応して配置された第2所定数の容量下部電極と、前記中央電極と前記グランド電極とを接続する複数のインダクタンス部とを備え、
    インダクタンス成分を増やすためのスリットを前記容量下部電極に設けてなる
    シート状構造体。
  2. 前記第1所定数および前記第2所定数はいずれも2であり、
    前記容量上部電極は、前記所定方向において互いに離間するようにして配置される一方で前記所定方向と交差する前記第1の主面の縁に接するようにして配置されている、
    請求項1記載のシート状構造体。
  3. 前記第1及び第2の主面のそれぞれは、前記所定方向に延びる二辺と前記所定方向に直交する方向に延びる二辺とからなる第1方形形状を有しており、
    前記容量上部電極は、それぞれ、前記第1方形の面積の半分よりも小さい面積を有する第2方形形状を有し、且つ、前記直交する方向に延びる辺の一つを前記第1方形と共有するようにして配置されており、
    前記グランド電極は、外形を前記第1方形に一致させてなる四角枠であり、
    前記容量下部電極のそれぞれは、前記第1方形の面積の半分よりも小さい面積を有する第3方形形状を有し、且つ、前記グランド電極とは離間して配置されており、
    前記中央電極は、第3方形形状よりも小さい第4方形形状を有し、且つ、前記第1方形の中心点上に配置されており、
    前記インダクタンス部は、夫々、前記第1方形の中心点を通り且つ前記直交する方向に延びる線上において前記中央電極と前記グランド電極とを接続している、
    請求項2記載のシート状構造体。
  4. 前記第1所定数および前記第2所定数はいずれも4であり、
    前記容量上部電極は互いに離間するようにして配置される一方で前記第1の主面の縁に接するようにして配置されている、請求項1記載のシート状構造体。
  5. 前記第1及び第2の主面のそれぞれは、一辺が第1所定長である第1正方形形状を有しており、
    前記容量上部電極は、それぞれ、前記第1所定長よりも短い第2所定長の底辺を有する第1直角二等辺三角形形状を有しており、
    当該4つの第1直角二等辺三角形は、底辺を前記第1正方形の各辺上に配置する一方で頂点を前記第1正方形の中心点に向けるように配置してなるものであり、
    前記グランド電極は、外形を前記第1正方形に一致させてなる四角枠であって所定幅を有する四角枠であり、
    前記中央電極は、前記第1正方形よりも小さい第2正方形形状を有し、且つ、前記第1正方形の中心点上において当該中心点の周りに45度回転させた状態で配置してなるものであり、
    前記容量下部電極のそれぞれは、前記四角枠の4つの内辺のいずれか一つから所定距離だけ底辺を離すようにして配置してなる第2直角二等辺三角形形状であって頂点を当該中央部の4つ頂点のいずれか一つと接続してなる第2直角二等辺三角形形状を有している、請求項4記載のシート状構造体。
  6. 前記容量下部電極の一辺から内面に向かって延びるようにスリットが形成されている
    請求項1乃至5記載のシート状構造体。
  7. 前記スリットは夫々、直線状、曲線状またはこれらの組み合わせからなる形状を有する
    請求項1乃至5記載のシート状構造体。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のシート状構造体と、アンテナパターンを有するアンテナ層と、前記シート状構造体の前記第1導電体層上に形成された誘電体からなるアンテナ支持層とを備えるアンテナ装置。
  9. ベタパターンの導電体からなるシールド層と、前記シート状構造体の前記第2導電体層上に形成された誘電体からなるシールド支持層とを更に備える、請求項8に記載のアンテナ装置。
  10. 請求項8又は請求項9のいずれかに記載のアンテナ装置と、前記アンテナ支持層上において前記アンテナパターンに接続されたICを備え、前記シート状構造体をタグ基体の一部としてなるRFID(Radio Frequency Identification)タグ。
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