JP2004535720A - 再構成可能なアンテナ・アレイのための低コスト実装手法 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、高インピーダンス面(High−Z面)の上に無線周波数(RF)マイクロエレクトロメカニカル(超小型電子機械式)(MEM)スイッチを有する新規な2次元(2D)再構成可能アンテナ・アレイの集積のための商業的に利用可能な高密度多層接続(HDMI、または時には単にHDI)パッケージとマルチチップ接続とを利用する低コスト実装方法に関する。
【背景技術】
【0002】
従来技術は、「Smart antenna system using microelectromechanically tunable dipole antennas and photonic bandgap materials(超小型電子機械的に同調可能なダイポールアンテナと光子バンドギャップ材料とを使用する高性能アンテナシステム)」と題する、Juan F.LamとGregory L.TangonanとRichard L.Abramsとに与えられた米国特許第5,543,614号を含んでいる。この特許は、再構成可能ダイポール用のRF MEMSスイッチおよび光子バンドギャップ面の使用方法を示している。
【0003】
従来技術は、金属の接地面より1/4波長上のRF MEMS同調可能ダイポールも含むが、この手法は限定された帯域幅という結果を招き、便利な実装方法にはなり難い。
【0004】
従来技術は更に、高インピーダンス面(ここではHi−Z面とも称する)を開示している、1998年3月30日に出願された米国仮特許出願第60/079,953号の「Circuit and Method for Eliminating Surface Currents on Metals(金属上の表面電流を除去するための回路および方法)」と題するD.SievenpiperとE.Yablonovitchの係属中出願と、1999年10月7日にWO99/50929号として公開された対応するPCT出願PCT/US99/06884号とを含む。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、証明された低コスト高密度マルチチップ・モジュール(HDMI MCM−D)パッケージを利用する。このようなパッケージは、HDMIという名称/モデル番号でカリフォルニア州、El SegundoのReytheonから商業的に入手可能である。図1は、シリコン基板上に製造された従来技術の薄膜銅/ポリイミド多層HDMI MCM−D集積構造の断面を示す。本技術で既知のようにこの製造プロセスは、z軸接続バイアの位相マスク・レーザー形成と配線パターン形成とを含むインタラクティブ・プロセスにおける約10μm厚さのポリイミド誘電体層のスピン・コーティングまたはカーテン・コーティングと約10μm厚さの銅導体層のスパッタ堆積とを含んでいる。同等のプロセスを使用して、厳しい要求の重量・体積要件を満たすために、航空機レーダー、軍事衛星・商業衛星、宇宙発射体において、35,000を超える2” × 4”MCM−Dモジュール複合体が製造され使用されてきたが、現場における失敗は、何ら報告されていなかった。
【0006】
本発明で使用されるこのパッケージ用の基板は、好適には、ガラス、石英またはシリコン(Si)のいずれかである。Hi−Zもまた設けられる。Hi−Z面のための誘電体は、従来から実装に使用されてきた可能性のあるポリイミド層である。本アンテナは、Hi−Z面に隣接して配置され、ダイポールの長さを変えるだけでアンテナを再構成するためにRF MEMSスイッチが使用される。アンテナ用の給電構造体と直流ラインは、アンテナの放射パターンと干渉しないようにHi−Z面の背後に配置される。このパッケージ全体は、環境的に保護される。
【0007】
利用されるHi−Z面は、個別誘導子を付加したHi−Z面であることが好ましい。
【0008】
上述のタイプの実装された装置は、小型・高信頼・高性能アンテナを必要とする軍事および商業通信において、幅広く多様に適用され得るので、このタイプの実装された装置の必要性が現存しており、また存在してきた。一つの理由は、RF MEMSスイッチが直流から40GHzまでの極めて広い周波数範囲に亘って極めて低い挿入損失(<0.2dB)と高い分離(>35dB)を示すことである。更にこれらのスイッチは、極めて僅かの電力(すなわち1動作当たり200pJ未満)しか消費しない。High−Z面は、アンテナを極めてコンパクトにできる。最後に本アンテナは、RF MEMスイッチを用いて再構成可能であるので、異なる所望の周波数で動作させることができる。
【課題を解決するための手段】
【0009】
一般的に言えば本発明は、その一態様において、薄くて柔軟なアンテナを製造する方法を提供する。本発明のこの態様によれば、基板上に柔軟な絶縁媒体の層が堆積され、そこに開口を形成するためにその絶縁媒体の層のパターン化(パターニング)が行われる。その後、前に堆積された絶縁層上に金属層が堆積されて必要に応じてパターン化され、前に堆積された金属層上に柔軟な絶縁媒体の層が堆積されて必要に応じてパターン化され、そしてこれらの金属層と絶縁媒体層は、前に堆積された金属層からパターン化されたアンテナ・セグメントを持った上面を有する多層の高インピーダンス面と、前記上面から間隔を置いて配置された層に形成され前に堆積された金属層からパターン化された金属最上部要素のアレイと、金属最上部要素の前記アレイから間隔を置いて配置された層に形成され前に堆積された金属層から形成された金属の接地面と、前記金属最上部要素のアレイ内の最上部要素の各々を前記接地面に結合する誘導性要素であって前に堆積された一つ以上の金属層から形成された誘導性要素と、を形成する。それから各々の光学的に制御されるスイッチに関連した光電池に当る光に応答して隣接アンテナ・セグメント同士を結合するために前記アンテナ・セグメントの少なくとも選択されたアンテナ・セグメントに隣接して光学的に制御されるスイッチが配置される。光ファイバによって搬送される光を光学的に制御されるスイッチに関連した光電池に結合するために前記光学的に制御されるスイッチのそれぞれのスイッチに結合される各光ファイバの遠端を有する前記高インピーダンス面に、または前記高インピーダンス面に隣接して光ファイバが配置される。製造時に薄くて柔軟なアンテナを製造するための支持を与えるだけの基板から多層高インピーダンス面が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0010】
上述のHDMI製造プロセスは、所望であれば輪郭が描かれた面の形態をとり、そのためにこの面に配置できる薄型軽量柔軟な再構成可能アンテナを製造するために使用することができる。図2は、多層HDMI接続構造体がキャリアの上で製造されたその再使用可能なキャリアから取り外される24” × 24”、0.007”厚さ(60cm × 60cm × 0.018cm厚さ)の柔軟な多層HDMI接続構造体を示す。
【0011】
図3aは、本発明の再構成可能アンテナの断面を示す。Hi−Z面10および好適には個別誘導子18を付加したHi−Z面を画定するのを助けるために第1、第2、第3のHDMI層1、2、3が利用される。メッキされた貫通金属バイアは、複数のペアのスタッド14a、14bの各ペアが第3の層3上に形成されたHi−Z面の各金属最上部要素16を第1の層1上に形成された接地面12に接続している複数ペアのスタッド14a、14bを形成する。複数の個別誘導子18は、Hi−Z面の帯域幅を増加させるために、各ペアのスタッド14a、14bと直列に配置された複数の誘導子の各誘導子28を有する第3の層の上に、任意選択的に形成される。Hi−Z面のスタッド14a、14bは、それらに結び付いたある固有のインダクタンスを持っているので、本発明を実施する場合は、個別誘導子18を使用しなくてもよく、その場合には層2、3は単一層に結合することができ、また複数ペアのスタッド14a、14bは、一般には、複数の単一スタッドに置き換えられる。
【0012】
第3の層3上には、最上部要素16が密接配置され、それらを容量結合し、隣接要素16としている。図示のようにアンテナ・ダイポール・セグメント22とRF MEMSスイッチ24は、層1〜3上に形成されたHi−Z面の上方に配置されている。実際にアンテナ・ダイポール要素22は、好適には、層1〜3上に形成されたHi−Z面をオーバーレイする層1上に形成される。アンテナ・ダイポール・セグメント給電ライン23は、好適には、層4上の接地面12の下方に配置され、金属充填バイアホールによって形成されたスタッド25によって層1〜4を介してダイポール・セグメント22に接続される。RF MEMスイッチ24は、好適には、光学的に制御される。光学的に制御されるRF MEMSスイッチ24は、関連する片持ち梁アーム28(図4)に駆動電圧を与える光電池16(図4)を備えている。
【0013】
図3bは、明瞭にするためにポリイミド層1、2、3、4と誘電体最上部層36とを省略した図3aのHDMI再構成可能アンテナの斜視図である。この図で最上部要素16は、接地面12の上に配置された2次元アレイに示されている。各最上部要素は、本実施形態では、関連する個別誘導子18を持っている。いくつかの実施形態では、個別誘導子18は、図示のその他の構造体に本来十分な誘導性を有する可能性があるので省略されることがある。その場合には、中間層2または3の一つも省略できる。図3aに示す誘導子18は、好適には、コイル状の誘導子である。これらのコイル状誘導子18’の一つは、そのコイル形状を描くために斜視図のように描かれている。コイル状誘導子18は、通常、HDMI構造体の単一層上に現れるので、図3aのこの断面図におけるコイル状誘導子18は、通常、単純な線として現れる(この図では、6個の誘導子18のうちの5個に関しては、単純な線として描かれている。)。最上部要素16は、平面図では、6角形であるように描かれている(図3bを参照のこと)。これら最上部要素は、円形、正方形、矩形等を含む好都合の如何なる形状でも良い。給電線導体23は、図3aでは、互いに重ねて描かれているが、HDMI構造体に必要とされる層の数は、これらの導体を、重ねてではなく、互いに隣同士にして配置することによって、おそらく減らすことができる。
【0014】
図4は、光学的に制御されるMEMスイッチ24の上面図である。このスイッチ24は、光電池26と、一端で旋回軸点34に接続されていて他端に22−1、22−2として識別される二つのダイポール・セグメントに引き込まれて接触するコンタクト・パッドあるいは駆動パッド35を有する片持ちのアームまたは梁28と、を有する。典型的には多数のダイポール・セグメント22は、互いに軸方向に配置され、それによって形成されるダイポールアンテナ38の有効長さは、スイッチ24を閉じることによって互いに接続されるセグメント22の数を制御することによって制御される。
【0015】
典型的には、図3a、3bの構造では、関連する給電ライン23、25を有する多数の平行なダイポールアンテナが配置されることが好ましい。更にダイポールアンテナの各アームは多数のセグメント22を含み、所定の時刻に接続されるセグメントの数を制御することによって各ダイポールアンテナ38が共振する周波数が制御される。図3a、3bでは、単に表現し易くするために、ダイポールアンテナ38の各アームは二つのセグメント22を有するものとして示されており、一般には各アームが多数のこのようなセグメント22と関連スイッチ24とを含むであろうこと、また更にこれらのセグメント22が異なる長さであり得ること、ということは理解される。どのスイッチ24を閉じるかを適切に制御することによって、同様に関連ダイポール38の共振周波数が制御される。
【0016】
関心の周波数のため、ダイポールのアームの長さは典型的にはその波長の1/4に等しく、また、各最上部要素16のサイズは、典型的にはその波長の約1/10である。最上部要素のサイズは、その直径によるものであったり(上から見て円形の場合)、その一辺の長さによるものであったり(上から見て正方形の場合)、あるいは最上部要素が正方形または円形以外の形状であることを想定した場合も、同様のサイズ寸法によるものである。実際に、最上部要素16の好適な形状は、上から見て六角形である。
【0017】
このHDMI実装手法は、コンパクトな超軽量アンテナとして、再構成可能アンテナと高インピーダンス面とRF MEMSスイッチ技術とを効果的に集積することを可能にする。商業的に利用可能な7導体層HDMI接続デカルの質量は、約506grams/m2であり、したがって個々のアンテナは小型軽量にできる。
【0018】
ここに開示されたHi−Z HDMI装置の製造は、順次に堆積されるポリイミド層1、2、3、4と金属層とを設けることを含む。図3aでは、導体23は、支持面40に支持されたリリース(剥離)層41に直接隣接して示されており、このように、これら導体はリリース層41上に最初に堆積される。リリース層41の使用は、任意選択的である。このリリース層41は、製造されたHi−Z HDMI装置を、製造時において、この装置を支持するために使用された支持面40から取り外すことを容易にするものである。支持面40は、特にHi−Z HDMI装置が製造後に取り外される場合には、石英基板であってよい。もう一つの方法として、リリース層41を使用しない場合には、支持面は、完成したHi−Z HDMI装置の一部となる基板40であってよい。
【0019】
ポリイミドの第1の層4は、数ミクロン以下に薄くなり得る液体膜として堆積されることが好ましい。ポリイミドは、一般に熱で硬化し、その後に例えば位相マスクを介してレーザービームでこれを走査することによってパターン化される。位相マスクは、表面の前面に配置され、レーザーによって残されるパターンを決定する。ポリイミドの露光された部分は、適当な溶媒を用いて除去される。このようにしてポリイミドに孔が形成され、これらの孔は、垂直方向に配置される給電ワイヤとスタッド14a、14b、25とを形成するためにポリイミド層内のどこに導電性バイアが現れるかを画定する。それから蒸着か電気メッキによって金属を堆積して、ポリイミド内の孔を充填して、そこに金属バイアを形成する。各金属層は、適当な腐食液を使用して接地面12か誘導子18か最上部要素16のいずれかを画定するために必要に応じてパターン化される。
【0020】
パターン化の後、エッチングされた金属層は、典型的には、そこに画定されるバイアのための適当な場所で、前の層と同様に露光されてパターン化されるもう一つのポリイミド層によってカバーされ、必要に応じてパターン化される別の金属層がこれに続く。このプロセスは、図3aに示す構造の大部分が形成されるまで反復されて、多数のエッチングされたポリイミドとエッチングされた金属の層を形成する。その後、セグメント22を選択的に接続するために、MEMスイッチ24が設置される。これらのMEMスイッチ24は、エポキシといった適当な接着剤で接着されることが好ましく、それからこれらの接触部分は、アンテナ・セグメント22にワイヤにより接続される。
【0021】
図3aの実施形態では、RF MEMスイッチ24は、光学的に起動されることが好ましい。図4に示すMEMスイッチ24といった光学的に起動されるMEMスイッチは、光に応答してスイッチを閉じるために有効な電圧を生成する一体化された光電池26を含む。図4において、MEMスイッチは、光電池26に当る光に応答して各命令にしたがって二つのRFライン22−1、22−2を結合するために有効な、スイッチの片持ち梁28の端部に配置された駆動パッド35を含むものである。光学的に制御されるMEMスイッチは更に、本出願の譲受人に譲渡された、1999年10月29日出願の「Optically Controlled MEM Switch(光学的に制御されるMEMスイッチ)」と題する米国特許第6,310,339号に開示されている。光学的に制御されるMEMスイッチは、本出願の譲受人に譲渡された、2000年8月25日出願の「Optical Bond Wire Interconnections(光学的ボンディングワイヤ接続)」と題する米国特許出願SN09/648,689号に開示された手法を使用して、光ファイバ30(図3aを参照のこと)に結合でき、これによって導波管または光ファイバ30からの光を光学的に制御されるMEMスイッチ24内に向けるために、傾斜した鏡映面が形成される。1999年10月29日出願の「Optically Controlled MEM(光学的に制御されるMEM)」と題する米国特許出願SN09/429,234号(現在の米国特許第6,310,339号)と2000年8月25日出願の「Optical Bond Wire Interconnections(光学的ボンディングワイヤ接続)」と題する米国特許出願SN09/648,689号(WO02/19008A2として公開されたPCT出願No.PCT/US01/25681に対応)の開示内容は、この引例によってここに組み入れられている。
【0022】
このHDMI実装手法を使用して、光チャネルをHDMIポリイミド内に形成することができ、これにより、光学的に駆動されたRF MEMSスイッチおよび/または信号の光子的分配を光学的に作動させることができる。このようにして光学的に起動されるRF MEMスイッチが使用されるとき、本発明はアンテナ要素におけるマイクロ波RF信号を直接的に光学的に混合することができる。
【0023】
WO02/19008A2として公開された「Optical Bond−Wire Interconnections(光学的ボンディングワイヤ接続)」と題する、前述のPCT特許出願No.PCT/US01/25681に開示されたタイプの傾斜した鏡映面を使用する代わりに、例えば、前述の光ファイバ30の一つである、光導波管からの光を関連する光学的に制御されるMEMスイッチ24に結合するために、各光学的に起動されるMEMスイッチ24の上方にプリズムを配置することもできる。いずれの場合においても、このプリズムと傾斜した鏡映面の両者は、導波管あるいは光ファイバ30によって搬送される光31をこの導波管あるいは光ファイバ30の長軸に本質的に直交する方向に向けるための反射面32を与える。
【0024】
光信号は、誘電体基板36に印刷できる平面状光導波管を使用して、光学的に駆動されるMEMスイッチに経路指定できる。その開示内容が引例によってここに組み入れられている2000年8月1日出願の「A Reconfigurable Antenna for Multiple Band, Beam−Switching Operation(多帯域ビーム・スイッチング動作のための再構成可能アンテナ)」と題する米国特許第6,384,797号を参照のこと。このような導波管30は、典型的には、より低い屈折率を有する基板36上に設けられた、より高い屈折率を有する材料の直線状のチャネルからなる。この構造は、光学的駆動のMEMスイッチの上に配置されると、図3aに示すように、小さなプリズムまたは傾斜した鏡映面32を介して、光学的駆動のMEMスイッチに対して、光を下向き方向に放射するであろう。プリズムが使用される場合には、これらのプリズムは、ガラスまたはその他光学的に透明な材料の上に配置される成型または研磨された形状として形成される。基板36は、より低い屈折率のガラスであってよい。基板36として十分であることが分かっている材料の一つは、Corning Glassの製造するシリコン様材料である、商品名Silasticで販売されている柔軟な材料である。
【0025】
対応する反射面32は、導波管/光ファイバ30からの光をそれに関連する光電池28に結合するために、各光学的に起動されるMEMスイッチ24の上方に配置される。ダイポール・セグメントは、典型的には、最上部要素16によってサイズが画定される高インピーダンス面の個々のセルより長い。利用されるMEMスイッチの数は、アンテナの容量に依存する。単に周波数を切り替えるためには、単に数個のMEMスイッチが必要とされる。すなわち典型的には1個のダイポール38ごとに必要とされる1周波数帯域ごとに2個が必要とされる。位相同調のためには多数のスイッチ24が利用され、すなわち典型的には1個のダイポール38ごとに必要とされる1位相状態ごとに2個が利用される。
【0026】
誘電体基板36は、MEMスイッチ22を収容するためと、光ファイバ・ケーブル30の端部の反射面32をMEMスイッチ22に位置合わせするのを助けるために、基板内に形成された空洞37を持つようにパターン化され、あるいは形成されることが好ましい。それから、最終的なパッケージは、好適には、窒素、アルゴンまたは六フッ化硫黄といった不活性ガスが充填された気密パッケージに密封されることが好ましい。
【0027】
HDMI処理は、多層の電子実装技術においては良く知られており、したがってHDMI処理の詳細は、ここでは説明しない。テキサス州ダラスにあるRaytheon社は、この分野では良く知られている。
【0028】
本発明をそのいくつかの実施形態に関連して説明してきたことから、本発明の修正した態様は、当業者にとっては明らかである。そして、本発明は、従属項において要求されるものを除いて、開示された実施形態に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】シリコン基板上に製造された薄膜銅/ポリイミド多層HDMI MCM−D集積構造体の断面図である。
【図2】再使用可能な石英キャリアまたは基板から剥がされるHDMIデカルを示す図である。
【図3a】本発明によるHDMI再構成可能アンテナの断面図である。
【図3b】明瞭にするためにポリイミド層と誘電体最上部層とを省略した図3aのHDMI再構成可能アンテナの斜視図である。
【図4】光学的に制御されるMEMSスイッチの上面図である。
Claims (17)
- (a)リリース(剥離)層または基板の上に柔軟な絶縁媒体の層を堆積し、そこに開口を形成するためにその絶縁媒体の層をパターン化(パターニング)するステップと、
(b)パターン化にしたがって前に堆積された絶縁層上に金属層を堆積し、必要に応じてこの金属層をパターン化するステップと、
(c)パターン化にしたがって前に堆積された金属層上に柔軟な絶縁媒体の層を堆積し、そこに開口を形成するために前記絶縁媒体の層をパターン化するステップと、
(d)ステップ(b)にしたがって前に堆積された金属層からパターン化されたアンテナ・セグメントを持った上面を有する多層の高インピーダンス面と、前記上面から間隔を置いて配置された層に形成され、ステップ(b)にしたがって前に堆積された金属層からパターン化された金属最上部要素のアレイと、前記金属最上部要素のアレイから間隔を置いて配置された層に形成され、ステップ(b)にしたがって前に堆積された金属層から形成された金属の接地面と、前記金属最上部要素のアレイ内の最上部要素の各々を前記接地面と結合する、ステップ(b)にしたがって前に堆積された一つ以上の金属層から形成された誘導性要素と、を形成するために必要に応じてステップ(b)、(c)を反復するステップと、
(e)各々の光学的に制御されるスイッチに関連した光電池に当る光に応答して隣接アンテナ・セグメント同士を結合するために、前記アンテナ・セグメントのうちの少なくとも選択されたアンテナ・セグメントに隣接して光学的に制御されるスイッチを配置するステップと、
(f)光導波管または光ファイバによって搬送される光を光学的に制御されるスイッチに関連した光電池に結合するために、前記光学的に制御されるスイッチのそれぞれのスイッチに結合される各光導波管または光ファイバの遠端を有する前記高インピーダンス面上に、または、前記高インピーダンス面に隣接して光導波管または光ファイバを配置するステップと、
を含む、薄くて柔軟なアンテナを製造する方法。 - 前記光学的に制御されるスイッチがMEMスイッチである、請求項1に記載の方法。
- ステップ(d)において、前記誘導性要素が、前記最上部要素のアレイを前記接地面に接続するスタッドと直列に形成された個別誘導子を含み、この個別誘導子は絶縁媒体層上に形成される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記光導波管または光ファイバが、これらの導波管またはファイバに関連する屈折率よりも低い屈折率を有する基板の上または内に配置される、請求項1または2に記載の方法。
- 前記絶縁媒体がポリイミドである、請求項1または2に記載の方法。
- (a)絶縁媒体層に開口を形成するためにその絶縁媒体層をパターン化(パターニング)するステップと、
(b)パターン化にしたがって前に堆積された絶縁層上に金属層を堆積し、必要に応じてこの金属層をパターン化するステップと、
(c)パターン化にしたがって前に堆積された金属層上に絶縁媒体の層を堆積し、そこに開口を形成するために前記絶縁媒体層をパターン化するステップと、
(d)ステップ(b)にしたがって前に堆積された金属層からパターン化されたアンテナ・セグメントを持った上面を有する多層の高インピーダンス面と、前記上面から間隔を置いて配置された層に形成され、ステップ(b)にしたがって前に堆積された金属層からパターン化された金属最上部要素のアレイと、前記金属最上部要素のアレイから間隔を置いて配置された層に形成され、ステップ(b)にしたがって前に堆積された金属層から形成された金属の接地面と、前記金属最上部要素のアレイ内の最上部要素の各々を前記接地面と結合する、ステップ(b)にしたがって前に堆積された一つ以上の金属層から形成された誘導性要素と、を形成するために必要に応じてステップ(b)、(c)を反復するステップと、
(e)各々の遠隔的に制御されるスイッチに関連した駆動信号に応答して隣接アンテナ・セグメント同士を結合するために、前記アンテナ・セグメントのうちの少なくとも選択されたアンテナ・セグメントに隣接して遠隔的に制御されるスイッチを配置するステップと、
(f)駆動信号チャネルによって搬送される駆動信号を遠隔的に制御されるスイッチに結合するために、前記遠隔的に制御されるスイッチのそれぞれのスイッチに動作可能に結合される各チャネルの遠端を有する前記高インピーダンス面内に、または前記高インピーダンス面に隣接して駆動信号チャネルを配置するステップと、
を含む、アンテナを製造する方法。 - 前記遠隔的に制御されるスイッチがMEMスイッチである、請求項6に記載の方法。
- 前記遠隔的に制御されるスイッチが光学的に制御されるMEMスイッチである、請求項7に記載の方法。
- 前記チャネルが、基板上にまたは基板内に配置された光導波管または光ファイバによって画定される、請求項8に記載の方法。
- ステップ(d)において、前記誘導性要素が、前記最上部要素のアレイを前記接地面に接続するスタッドと直列に形成された個別誘導子を含み、この個別誘導子は絶縁媒体層上に形成される、請求項6〜9のいずれかに記載の方法。
- (a)複数層のサンドイッチの各層が
(i)金属層の一つの層内でパターン化されたアンテナ・セグメントと、
(ii)これらのアンテナ・セグメントから間隔を置いて配置された層内に形成され、
他の金属層内でパターン化された金属最上部要素のアレイと、
(iii)前記金属最上部要素のアレイから間隔を置いて配置された層内に形成され、更に他の金属層から形成された金属の接地面と、
(iv)前記金属最上部要素のアレイ内の最上部要素の各々を前記接地面に結合する誘導性要素と、を画定するために必要に応じてパターン化された前記複数層のサンドウィッチとして配置された複数の薄い金属層と柔軟な絶縁媒体層と、
(b)前記アンテナ・セグメントのうちの選択されたアンテナ・セグメント同士を結合するための遠隔的に制御されるスイッチのアレイと、
を含む柔軟なアンテナ・アレイ。 - 前記スイッチが光学的に制御されるMEMスイッチである、請求項11に記載のアレイ。
- 光ファイバを支持する誘電体層を更に含むアレイであって、前記誘電体層はMEMスイッチに隣接して配置され、また前記光ファイバは前記光ファイバまたは光導波管によって搬送される光を前記光学的に制御されるMEMスイッチに関連する感光性表面に反射するための関連反射面を有する、請求項12に記載のアレイ。
- 前記誘電体層がMEMスイッチに隣接して配置されるときに、前記誘電体層が前記MEMスイッチを収容するために形成された複数の空洞を有する、請求項13に記載のアレイ。
- 前記光導波管または光ファイバが、前記誘電体層の上または内に配置され、また前記誘電体層が、前記導波管またはファイバに関連する屈折率よりも低い屈折率を有する、請求項13に記載のアレイ。
- 前記誘導子が、柔軟な絶縁媒体の二つの層の間に配置されたらせん状誘導子である、請求項11〜15のいずれかに記載のアレイ。
- 前記柔軟な絶縁媒体の層がポリイミドの層である、請求項11〜15のいずれかに記載のアレイ。
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