JP2010016554A - Ebg構造ユニット - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導体からなる地板10と、地板10に対して所定距離だけ離間して対向配置された複数の導体パッチ11と、複数の導体パッチ11と地板10とを個別に導通させる複数の柱状導体12と、複数の導体パッチ11の少なくとも1つに接続された容量形成用導体13とを備えている。複数の導体パッチ11が特定周波数の波長よりも短い間隔で配列されることにより、特定周波数の電磁波の伝搬を阻止するように構成されている。容量形成用導体13は、導体パッチ11の表面から地板10に向かって延長されている。
【選択図】図1
Description
従来のEBG構造ユニットにおいて、電気的にLC共振回路として機能する要素の各々は、地板と基板と導体パッチと導体パッチと地板とを導通する導電線とから構成されている(たとえば、特許文献1参照)。
また、導体パッチ端部→柱状導体→地板→柱状導体→導体パッチ端部からなる電流経路により、インダクタンス成分(L)を形成している。
また、導体パッチ間にインターデジタルキャパシタやチップコンデンサを電気的に接続するなど、何らかの容量性要素を、導体パッチと同じ平面上に装荷する手法もあるが、別部品としての容量性要素が必要になるので、ユニット全体の大形化を招くという課題があった。
図1はこの発明の実施の形態1に係るEBG構造ユニットを示す平面図およびA−A断面図であり、地板10上に、複数の導体パッチ11を周期的間隔Pで平面的に配設した場合を示している。なお、複数の導体パッチ11は、厳密に周期的間隔Pで配設されていなくてもよく、また、後述するように単数であってもよい。
また、容量形成用導体13を添加することにより、導体パッチ11が大型化することなく実質的に大きく見える効果があり、比較的低周波数で動作可能な構成を実現することができる。
また、地板10上において、各1つの導体パッチ11、柱状導体12および容量形成用導体13は、単位セル20を形成している。
このように、地板10上に、複数の導体パッチ11および複数の柱状導体12の各1つからなる単位セル20を周期的間隔Pで配設することにより、特定周波数の電磁波の伝搬を阻止するEBG構造ユニットが構成される。
各単位セル20(各導体パッチ11)の周期間隔Pは、誘電体基板14内の特定周波数の波長よりも短く設定されている。なお、図1に示すEBG構造ユニットは、単位セル20が2次元的に配列されているが、1次元的に配列されていてもよい。また、図1に示すEBG構造ユニットは、単位セル20を複数個配列しているが、1個のみの配置でもよい。ただし、複数個配列した方が、電磁波遮断の効果は高い。
図2は図1の構成の等価回路を示し、図3は図1の簡易モデルを示している。
図2および図3において、前述(図1参照)と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
また、複数のLC共振回路30が地板10(金属板)上に多数配列されることにより、LC共振周波数において高いインピーダンス特性を有することになり、バンドギャップが形成される。
また、このときの静電容量成分の増加は、さらに低周波数で動作するEBG構造ユニットの実現を可能にするとともに、EBG構造ユニットの小形化を可能にする効果がある。
さらに、各容量形成用導体13を各導体パッチ11の端部に沿って設けることにより、静電容量成分を効果的に増加させることができる。
なお、上記実施の形態1(図1)では、各導体パッチ11が単一層の場合を示したが、図4にように、複数層(3層)の導体パッチ11a〜11cの場合にも適用可能なことは言うまでもない。
図4はこの発明の実施の形態2に係るEBG構造ユニットを示す平面図およびB−B断面図であり、前述(図1参照)と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
また、3層の導体パッチ11a〜11cのうち、第2および第3層の導体パッチ11b、11cには、個別の容量形成用導体13b、13cが設けられている。
容量形成用導体13b、13cは、3層の導体パッチ11a〜11cのうちの任意数の導体パッチ11b、11cに設けられる。したがって、図4に示すように、第1層の導体パッチ11aに容量形成用導体が設けられない場合もあり得る。
なお、図4では、垂直方向に積層された3層の導体パッチ11a〜11cを設けた場合を示しているが、2層または4層以上設けてもよいことは言うまでもない。
図5において、各単位セル20(図4参照)は、前述(図2)と同様に、隣接する単位セルに対して、静電容量成分C1〜C3を介して互いに容量的に接続されるとともに、地板10に対して、インダクタンス成分L1〜L3を介して誘導的に接続される。
また、柱状導体12を介して、導体パッチ11a〜11cと地板10とを電気的に接続することにより、インダクタンス成分L1〜L3が形成される。
また、LC共振回路40が地板10(金属板)上に多数配列されることにより、LC共振周波数において高いインピーダンス特性を有することになり、バンドギャップが形成される。
さらに、LC共振回路40は、前述(図2)のLC共振回路30よりも共振点が多いので、バンドギャップ帯域の広帯域化が見込むことができる。
なお、上記実施の形態1、2(図1、図4)では、各導体パッチ11、11a〜11cに設けられる各容量形成用導体13、13b、13cの具体的形状について言及しなかったが、図6のように、各容量形成用導体を複数のヴィアホール13Aで構成してもよく、または、図7に示すように、長穴ヴィアホール13Bで構成してもよい。
また、上記実施の形態1、2(図1、図4)では、各導体パッチの形状と各容量形成用導体の形状との関係について言及しなかったが、図8のように、各容量形成用導体の形状を方向に応じて異なるように構成してもよい。
図8はこの発明の実施の形態4に係るEBG構造ユニットを示す平面図ならびにD−D断面図およびE−E断面図であり、前述(図1参照)と同様のものについては、前述と同一符号を付して詳述を省略する。
ここで、複数の容量形成用導体のうち、導体パッチ11(多角形状)の図中横方向に対向する平行2辺の端部に設けられる容量形成用導体13dは、電磁波伝播方向Fから見たD−D断面図に示すように、大きさが互いに等しくなるように構成されている。
すなわち、各導体パッチ11(多角形状)の隣り合う辺に設けられる各容量形成用導体13d、13eは、大きさが互いに異なるように構成されている。
なぜなら、各容量形成用導体13d、13eの形状が異なることから、導体パッチ11の隣接相互間で形成される容量が、電磁波伝播方向F、Gに応じて互いに異なるからである。
したがって、電磁波伝播方向Fの遮断帯域の方が、電磁波伝播方向Gの遮断帯域よりも低くなる。
なお、ここでは図示しないが、導体パッチ11が、辺数が奇数の多角形状を有する場合であっても、隣り合う辺に設けられる容量形成用導体の大きさを異ならせることにより、同様の作用効果を奏することは言うまでもない。
また、容量形成用導体の設置数は任意であり、上記各実施の形態1〜3に限定されることはなく、必要に応じた数だけ設置することができる。
さらに、導体パッチと柱状導体12との対により単位セル20を構成したが、導体パッチのみを考慮しても設計可能なことは言うまでもない。
Claims (8)
- 導体からなる地板と、
前記地板に対して所定距離だけ離間して対向配置された導体パッチと、
前記導体パッチと前記地板とを個別に導通させる柱状導体とを備え、特定周波数の電磁波の伝搬を阻止するように構成されたEBG構造ユニットにおいて、前記導体パッチに接続された容量形成用導体を備え、前記容量形成用導体は、前記導体パッチの表面から前記地板に向かって延長されていることを特徴とするEBG構造ユニット。 - 導体からなる地板と、
前記地板に対して所定距離だけ離間して対向配置された複数の導体パッチと、
前記複数の導体パッチと前記地板とを個別に導通させる複数の柱状導体とを備え、
前記導体パッチが特定周波数の波長よりも短い間隔で配列されることにより、前記特定周波数の電磁波の伝搬を阻止するように構成されたEBG構造ユニットにおいて、
前記複数の導体パッチの少なくとも1つに接続された容量形成用導体を備え、
前記容量形成用導体は、前記導体パッチの表面から前記地板に向かって延長されていることを特徴とするEBG構造ユニット。 - 前記地板と前記複数の導体パッチとの間に介在された誘電体基板を備えたことを特徴とする請求項2に記載のEBG構造ユニット。
- 前記複数の導体パッチは、それぞれ、前記誘電体基板の表面または内部に互いに重なり合うように配設された複数層の導体パッチからなり、
前記複数の柱状導体の各々は、前記地板と前記複数層の導体パッチとを相互に接続しており、
前記導体パッチと前記柱状導体との対により単位セルを構成しており、
前記容量形成用導体は、前記複数層の導体パッチの少なくとも1つに設けられていることを特徴とする請求項3に記載のEBG構造ユニット。 - 前記容量形成用導体は、前記複数の導体パッチまたは前記複数層の導体パッチの各端部に沿って設けられていることを特徴とする請求項2から請求項4までのいずれか1項に記載のEBG構造ユニット。
- 前記容量形成用導体は、複数のヴィアホールにより形成されていることを特徴とする請求項2から請求項5までのいずれか1項に記載のEBG構造ユニット。
- 前記複数の導体パッチまたは前記複数層の導体パッチの各々は、辺数が偶数の多角形状を有し、
前記容量形成用導体は、前記辺数に対応した複数の容量形成用導体からなり、
前記複数の容量形成用導体のうち、前記多角形状の平行する2辺に設けられる各容量形成用導体は、大きさが互いに等しく、
前記複数の容量形成用導体のうち、前記多角形状の隣り合う辺に設けられる各容量形成用導体は、大きさが互いに異なることを特徴とする請求項2から請求項6までのいずれか1項に記載のEBG構造ユニット。 - 前記複数の導体パッチまたは前記複数層の導体パッチの各々は、辺数が奇数の多角形状を有し、
前記容量形成用導体は、前記辺数に対応した複数の容量形成用導体からなり、
前記複数の容量形成用導体のうち、前記多角形状の隣り合う辺に設けられる各容量形成用導体は、大きさが互いに異なることを特徴とする請求項2から請求項6までのいずれか1項に記載のEBG構造ユニット。
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