WO2011037107A1 - 載置台構造及びプラズマ成膜装置 - Google Patents

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WO2011037107A1
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mounting table
plasma
capacitance
frequency power
main body
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敏章 藤里
志郎 林
宏行 横原
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東京エレクトロン株式会社
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    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a plasma film forming apparatus for forming a metal film on an object to be processed such as a semiconductor wafer by plasma sputtering, and a mounting table structure used therefor.
  • a metal film made of Ti, Ta, Cu, Al, or the like may be formed as a thin film in order to fill a recess on a semiconductor wafer or to form a wiring pattern.
  • a metal film having relatively good characteristics can be formed at a low temperature in order to suppress thermal damage to the underlying structure already formed in the previous process on the semiconductor wafer.
  • the plasma sputtering method is frequently used.
  • FIG. 5 is a schematic configuration diagram illustrating an example of a film forming apparatus that performs plasma sputtering.
  • a metal target 4 serving as a raw material for a metal film to be deposited is provided on the side of the ceiling in the processing chamber 2 that can be evacuated, and a semiconductor wafer W is placed thereon.
  • a mounting table structure 6 is provided in the center portion. This mounting table structure 6 has a mounting table 9 provided with an electrostatic chuck 8 for adsorbing the semiconductor wafer W by a DC high voltage on the upper surface side thereof.
  • the electrostatic chuck 8 also serves as the electrode 10.
  • the electrode 10 is connected to a bias high frequency power source 12 for drawing metal ions ionized by plasma. Further, a transmission plate 14 made of quartz or the like that transmits high frequency is provided on the ceiling portion of the processing container 2, and an induction coil portion 18 connected to a high frequency power supply 16 is provided outside thereof.
  • the metal film is deposited not only on the surface of the semiconductor wafer W but also on the inner wall surface of the processing container 2 and the surface of the structure in the processing container 2.
  • the protective cover member 20 is provided so as to substantially surround the outer peripheral side of the mounting table 9 and the processing space in which the plasma P is formed.
  • An insulating gap 22 having a slight width is formed between the protective cover member 20 and the outer periphery of the mounting table 9.
  • the protective cover member 20 is made of a conductive material such as SUS or an aluminum plate, and is connected to the ground side so that an unnecessary metal film is received on the surface of the protective cover member 20.
  • the film forming apparatus by plasma sputtering as described above not only the surface of the semiconductor wafer W but also the periphery of the upper surface of the mounting table 9 that is not covered by the semiconductor wafer W.
  • the unnecessary metal film 24 is gradually deposited on the upper surface of the protective cover member 20 provided so as to surround the periphery of the mounting table 9.
  • FIG. 6 is an equivalent circuit showing the high-frequency power source side for bias of the plasma film forming apparatus shown in FIG.
  • the plasma P is represented as a parallel connection circuit of a capacitor C and a resistor R.
  • the stray capacitance 26 exists between the electrode 10 (8) or the like (hot side) to which the high frequency power is applied and the protective cover member 20 (ground side), but unnecessary metal film deposition is performed. Accordingly, the capacitance of the stray capacitance 26 changes. As a result, the bias high frequency power that leaks to the ground side through the stray capacitance 26 changes so that the bias high frequency power input to the plasma P side fluctuates. As a result, the uniformity of the plasma processing on the semiconductor wafer W is reduced, and the plasma processing changes with time.
  • An object of the present invention is to provide a mounting table structure and a plasma film forming apparatus that can maintain high reproducibility of plasma processing by stably supplying a high frequency power for bias to the plasma side.
  • the present invention provides a mounting table structure in which an object to be processed for forming a metal film by plasma sputtering is mounted, and the outer peripheral side is surrounded by a protective cover member connected to the ground side with a gap for insulation therebetween.
  • a mounting base body that is made of a conductive material and is placed on the upper surface side of the workpiece and that is also used as an electrode; and spaced apart below the mounting base body and insulated from the mounting base body
  • a base base made of a conductive material provided in a state; a column supporting the base base and connected to the ground; a high-frequency power supply line connected to the mounting base body and supplying high-frequency power for bias;
  • a power stabilization capacitor unit formed between a hot side to which the high-frequency power is applied and a ground side, and the capacitance of the power stabilization capacitor unit is as described above
  • a mounting table structure characterized in that it is larger than the capacitance of the stray capacitance formed between the protective cover member and the base body.
  • an unnecessary metal film is deposited on the surfaces of the protective cover member and the mounting table main body, so that the insulating gap is substantially narrowed, and the stray capacitance between the protective cover member and the mounting table main body is reduced. Even if the capacitance changes, the power stabilization capacitor section with a large capacitance absorbs the fluctuation amount of the capacitance of the stray capacitance, so that the bias voltage input to the plasma generated in the processing space It is possible to suppress fluctuations in high-frequency power. Therefore, it is possible to stably supply high-frequency power for bias to the plasma side, the plasma processing is suppressed from changing with time, and the reproducibility of the plasma processing can be maintained high.
  • the power stabilizing capacitor unit is configured by a plurality of support rod members that support the base table and the mounting table body in an insulated state.
  • an insulating member is interposed in each portion where the plurality of support rod members are connected.
  • each of the plurality of support rod members is formed by an elongated screw member made of a conductive material.
  • the capacitance of the power stabilizing capacitor unit is in a range of 2 to 4 times the capacitance of the stray capacitance formed between the mounting table body and the protective cover member. Is set.
  • an electrostatic chuck for adsorbing the object to be processed is provided on the upper surface of the mounting table main body.
  • the present invention relates to a plasma deposition apparatus for forming a metal film on a surface of an object to be processed by plasma sputtering, a processing container that can be evacuated, and a mounting table structure having any of the above-described features, A protective cover member provided on the outer peripheral side of the mounting structure with a gap for insulation and connected to the ground side, a gas introduction means for introducing a predetermined gas into the processing container, and plasma in the processing container A plasma generation source for generating, a metal target as a material of the metal film, a target power source for supplying a voltage for attracting ions of the gas to the metal target, and a bias with respect to the mounting structure And a bias high-frequency power source for supplying high-frequency power for use.
  • FIG. 2 It is sectional drawing which shows one Embodiment of the plasma film-forming apparatus using the mounting base structure which concerns on this invention. It is the elements on larger scale which show a part of mounting base structure of FIG. 2 is an equivalent circuit showing a high-frequency power supply side for bias of the plasma film forming apparatus of FIG. 1. It is a partial expanded sectional view which shows the condition when an unnecessary metal film accumulates on the surface side of the mounting base of the mounting base structure of FIG. It is a schematic block diagram which shows the prior art example of the film-forming apparatus which performs a plasma sputtering method. 6 is an equivalent circuit showing a high-frequency power supply side for bias of the plasma film forming apparatus shown in FIG. 5.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing an embodiment of a plasma film forming apparatus using a mounting table structure according to the present invention.
  • FIG. 2 is a partially enlarged view showing a part of the mounting table structure of FIG.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit showing the high frequency power supply side for bias of the plasma film forming apparatus of FIG.
  • ICP Inductively Coupled Plasma
  • the plasma film forming apparatus 30 includes a processing container 32 that is formed into a cylindrical shape using, for example, aluminum.
  • the processing container 32 is grounded, and an exhaust port 36 is provided at the bottom 34 thereof.
  • the exhaust port 36 allows the processing vessel 32 to be evacuated by a vacuum pump 40 through a throttle valve 38 that adjusts the pressure.
  • a gas inlet 39 is provided at the bottom 34 of the processing container 32 as gas introducing means for introducing a predetermined gas required into the processing container 32. From this gas introduction port 39, for example, Ar gas or other necessary gas such as N 2 gas is supplied as a plasma excitation gas through a gas control unit 41 including a gas flow rate controller, a valve, and the like. ing.
  • a mounting table structure 42 for mounting a semiconductor wafer W as an object to be processed is provided.
  • the mounting table structure 42 is mainly composed of a mounting table 44 formed in a disc shape and a hollow cylindrical column-shaped column 46 that supports the mounting table 44 and is connected to the ground side (that is, grounded). It is configured.
  • the mounting table 44 is mainly configured by a mounting table body 48 made of a conductive material such as an aluminum alloy, and a base table 50 that supports the mounting table body 48 in an insulated state. As will be described later, the mounting table main body 48 functions as an electrode to which a high frequency power for bias is applied.
  • the base table 50 is made of a conductive material such as an aluminum alloy, for example, and the upper end of the support column 46 is connected to the center of the lower surface of the base table 50. That is, the base stand 50 is also grounded.
  • a thin disk-shaped electrostatic chuck 52 made of a ceramic material such as alumina having a chuck electrode 52A therein is provided on the upper surface side of the mounting table main body 48, and the semiconductor wafer W is electrostatically moved. It can be held by suction.
  • the connection support structure between the mounting table main body 48 and the base table 50 will be described later.
  • the lower portion of the support column 46 extends downward through an insertion hole 54 formed in the center of the bottom 34 of the processing vessel 32.
  • the support column 46 can be moved up and down by a lifting mechanism (not shown) so that the entire mounting table structure 42 can be lifted and lowered.
  • a bellows-shaped metal bellows 56 is provided so as to be extendable so as to surround the column 46, and the upper end of the metal bellows 56 is airtightly joined to the lower surface of the base base 50 of the mounting table 44, and the lower end thereof is Airtightly joined to the upper surface of the bottom 34. Thereby, the up-and-down movement of the mounting table structure 42 can be permitted while maintaining the airtightness in the processing container 32.
  • a pin insertion hole 60 is formed in the mounting table 44 so as to correspond to the support pin 58.
  • a transfer arm (not shown) that receives the semiconductor wafer W at the upper end portion of the support pin 58 penetrating the pin insertion hole 60 and enters the semiconductor wafer W from the outside, Can be transferred between.
  • a carry-in / out port 62 for allowing the transfer arm to enter is provided on the lower side wall of the processing vessel 32, and a gate valve G that can be opened and closed is provided at the carry-in / out port 62.
  • a vacuum transfer chamber 64 is provided on the opposite side of the gate valve G.
  • a chuck power source 68 is connected to the chuck electrode 52A of the electrostatic chuck 52 provided on the mounting table main body 48 via a wiring 66 so that the semiconductor wafer W is attracted and held by an electrostatic force. It has become. Further, a high frequency power supply line 70 is connected to the mounting table main body 48 so that a high frequency power for bias can be supplied from a high frequency power supply 72 for bias via the high frequency power supply line 70.
  • a transmission plate 74 that is permeable to high frequencies made of a dielectric material such as aluminum oxide is hermetically provided on the ceiling of the processing vessel 32 via a seal member 76 such as an O-ring.
  • a plasma generation source 78 for generating plasma by, for example, converting Ar gas as plasma excitation gas into plasma in the processing space S in the processing vessel 32 is provided above the transmission plate 74.
  • the plasma generation source 78 has an induction coil unit 80 provided corresponding to the transmission plate 74, and the induction coil unit 80 includes, for example, a 13.56 MHz high-frequency power source 82 for plasma generation. Are connected so that a high frequency can be introduced into the processing space S via the transmission plate 74.
  • a baffle plate 84 made of, for example, aluminum for diffusing the introduced high frequency is provided immediately below the transmission plate 74.
  • a metal target 86 is provided at the lower part of the baffle plate 84 so as to surround the upper side of the processing space S, for example, with a cross-section inclined inward to form an annular shape (a frustoconical shell shape).
  • the metal target 86 is connected to a variable DC power supply 88 for a target that supplies a voltage for attracting Ar ions.
  • An AC power supply may be used instead of this DC power supply.
  • a magnet 90 is provided on the outer peripheral side of the metal target 86 for applying a magnetic field thereto.
  • Ti titanium
  • Ti titanium
  • the metal target 86 is one or more materials selected from the group consisting of Ti, Zr (zirconium), Hf (hafnium), Nb (niobium), Mn (manganese), Cu (copper), and Ta (tantalum). Can be used.
  • a cylindrical protective cover member 92 made of, for example, aluminum or copper is provided below the metal target 86 so as to surround the processing space S.
  • the protective cover member 92 is connected to the ground side and grounded, and a lower portion thereof is bent inward and is positioned in the vicinity of the side portion of the mounting table 44.
  • the inner end of the protective cover member 92 is provided so as to surround the outer peripheral side of the mounting table main body 48 of the mounting table 44, and the end of the mounting table main body 48 and the inner end of the protective cover member 92.
  • the gap is separated by a gap 94 for insulation having a slight width.
  • the width H1 of the gap 94 is, for example, about 1.5 mm.
  • a connection support structure between the mounting table main body 48 and the base table 50 in the mounting table 44 will be described with reference to FIG.
  • the mounting table body 48 is supported on the base table 50 in an insulated state.
  • a stepped portion 100 that is set low in a stepped shape is formed on the outer peripheral side of the electrostatic chuck 52 on the peripheral portion of the mounting table main body 48.
  • a circular ring-shaped bias ring 96 made of a conductive material such as stainless steel is disposed on the stepped portion 100. By this bias ring 96, metal ions are evenly drawn on the outer peripheral side of the semiconductor wafer W, similarly to the center side of the mounting table 44.
  • the outer peripheral end of the bias ring 96 is formed in a step shape, and the inner peripheral end of the protective cover member 92 facing the outer peripheral end is also formed in a step shape. 94.
  • condenser part 120 which is the characteristics of this invention is interposed and provided.
  • the base base 50 and the mounting base body 48 are separated by a predetermined interval 102, and both are basically in an insulating relationship, and the power stabilizing capacitor unit 120 is mounted on the base base 50. It is composed of a plurality of support rod members 104 that connect the table main body 48 in an insulated state.
  • the support rod members 104 are provided on the stepped portion 100 at the periphery of the mounting table main body 48, and a plurality of, for example, twelve, for example, 12 are arranged along the circumferential direction of the mounting table main body 48 (FIG. 1). Shows only two).
  • an insulating member 108 is provided at the connecting portion of the support rod member 104 so as to surround the entire periphery of the support rod member 104.
  • the support rod member 104 includes an elongated screw member 106 made of a conductive material such as stainless steel.
  • a screw through hole 110 having an inner diameter considerably larger than the diameter of the screw member 106 is formed in the step portion 100 of the mounting table main body 48, and an insulating member 108 is provided below the screw through hole 110 as an insulating member 108, for example.
  • the insulating resin 112 is firmly attached so as to be embedded.
  • the screw member 106 is screwed from above the insulating resin 112 so as to pass through, and the lower end portion of the screw member 106 is screwed into the base base 50 to fix them.
  • An insulating cap 114 made of a ceramic material such as alumina is attached in the through hole 110 so as to cover the screw head 106A of the screw member 106.
  • the mounting table main body 48 and the base table 50 are connected in an insulated state.
  • the mounting table body 48 that functions as an electrode is on the hot side to which high-frequency power is supplied, whereas the base table 50 and the screw member 106 are grounded and become the ground side. Yes. Thereby, stray capacitance is generated between the screw member 106 made of a conductive material and the mounting table main body 48, and this stray capacitance is generated in all the twelve screw members 106.
  • the distance H2 between the screw member 106 and the inner surface of the through hole 110 is about 2 to 4 mm.
  • condenser part 120 is formed with the stray capacity
  • the electrostatic capacity of the power stabilizing capacitor unit 120 is larger than the electrostatic capacity of the stray capacitance 126 (see FIG. 3) formed between the mounting table main body 48 and the protective cover member 92. It is set to be capacity.
  • the stray capacitance 126 indicates the stray capacitance between the mounting table main body 48 and the protective cover member 92
  • the size of the capacitance C2 (see FIG. 3) of the power stabilizing capacitor unit 120 is as follows.
  • the size of the stray capacitance 126 between the mounting table main body 48 and the protective cover member 92 is in the range of 2 to 4 times, preferably in the range of 2 to 3 times the capacitance C1 (see FIG. 3). Is set.
  • the capacitance C2 is smaller than twice the capacitance C1, the fluctuation amount when the capacitance C1 fluctuates cannot be sufficiently absorbed, and is input to the plasma side.
  • the bias high-frequency power greatly fluctuates, and the effect of providing the power stabilizing capacitor unit 120 cannot be fully exhibited.
  • the capacitance C2 is larger than four times the capacitance C1
  • the bias high frequency power leaking to the ground side through the power stabilization capacitor unit 120 becomes excessively large. This is not preferable.
  • the support rod member 104 made of a conductive material is provided as the power stabilizing capacitor portion 120 that is a feature of the present invention, and the electrostatic capacitance of the stray capacitance in this portion is set to be considerably large as described above.
  • unnecessary metal films are deposited on the surfaces of the protective cover member 92 and the bias ring 96 when the metal film is formed, and the gap 94 for insulation (see FIG. 2) is narrowed.
  • the power stabilizing capacitor portion 120 that is, the stray capacitance formed by the support rod member 104 and the insulating member 108) having a larger capacitance than that of the capacitance It is possible to absorb fluctuations. As a result, it is possible to stably introduce bias high frequency power into the plasma.
  • the equivalent circuit of the mounting table structure at this time is shown in FIG.
  • the generated plasma is represented by a parallel circuit of a capacitor C and a resistor R.
  • the stray capacitance 126 exists between the mounting table main body 48 that is a hot-side electrode to which high-frequency power is applied and the protective cover member 92 that is the ground side, and the mounting table main body 48 and the ground.
  • a power stabilizing capacitor unit 120 which is a new stray capacitance provided in the present invention, is formed between the two sides.
  • each component of the plasma film forming apparatus 30 is connected to and controlled by an apparatus control unit 122 made of a computer or the like.
  • the device control unit 122 controls operations of the high frequency power source 72 for bias, the high frequency power source 82 for generating plasma, the variable DC power source 88, the gas control unit 41, the throttle valve 38, the vacuum pump 40, and the like.
  • the plasma film forming apparatus 30 includes a storage medium 124 that stores a computer-readable program that is controlled by the apparatus control unit 122.
  • This storage medium is composed of, for example, a flexible disk, a CD (Compact Disc), a hard disk, a flash memory, or a DVD.
  • FIG. 4 is a partially enlarged sectional view showing a situation when an unnecessary metal film is deposited on the surface side of the mounting table having the mounting table structure.
  • the throttle valve 38 is controlled while operating the gas control unit 41 and flowing Ar gas in the processing vessel 32 that has been evacuated by operating the vacuum pump 40.
  • the inside of the processing container 32 is maintained at a predetermined degree of vacuum.
  • DC power is applied to the metal target 86 via the variable DC power source 88, and further, high frequency power (plasma power) is applied from the high frequency power source 82 of the plasma generation source 78 to the induction coil unit 80.
  • the device control unit 122 issues a command to the bias high-frequency power source 72 to apply a predetermined bias high-frequency power to the mounting table body 48 that is an electrode of the mounting table structure 42.
  • argon plasma is formed by the plasma power applied to the induction coil unit 80 to generate argon ions, and these ions are attracted to the voltage applied to the metal target 86.
  • the metal target 86 is sputtered to release metal particles.
  • the metal particles or metal atomic groups which are metal particles from the sputtered metal target 86 are ionized when passing through the plasma.
  • the metal particles are in a state in which ionized metal ions and electrically neutral metal atoms are mixed and scattered downward.
  • the pressure in the processing vessel 32 is set to about 5 mTorr, for example, the plasma density is increased and the metal particles can be ionized with high efficiency.
  • the semiconductor wafer When the metal ions enter the ion sheath region of about several millimeters in thickness on the surface of the semiconductor wafer generated by the high frequency bias power applied to the mounting table body 48 as an electrode, the semiconductor wafer has strong directivity.
  • the metal film is formed by being attracted so as to accelerate toward the W side and deposited on the semiconductor wafer W.
  • the screw member 106 and the insulating member 108 are used as the plurality of support rod members 104 for supporting and fixing the mounting table body 48 and the base table 50 to each other, thereby stabilizing the power. Since the capacitor unit 120 is configured, fluctuations in the high frequency power for bias input to the plasma side can be suppressed.
  • the power stabilizing capacitor unit 120 that is a feature of the present invention.
  • the capacitance total of the capacitances of the twelve support rod members 104 is set to be considerably larger than the capacitance of the stray capacitance 126 (to be within a range of 2 to 4 times). Therefore, the bias high frequency power leaking through the power stabilization capacitor unit 120 is larger than the bias high frequency power leaking through the stray capacitance 126.
  • the bias high-frequency power leaking through the power stabilization capacitor unit 120 absorbs the fluctuation amount.
  • high frequency power for bias can be stably supplied to the plasma side.
  • the power stabilizing capacitor unit 120 having a large electrostatic capacity and setting the high frequency power for bias leaking to the outside to be large in advance, the electrostatic capacity of the stray capacitance 126 is increased as the film is formed.
  • fluctuating it is possible to relatively reduce the influence of fluctuations in the high frequency power for bias input to the plasma, and it is possible to stably input the high frequency power. Thereby, the reproducibility of the plasma processing with respect to the semiconductor wafer W can be maintained high.
  • the capacitance of the stray capacitance 126 between the mounting table main body 48 and the protective cover member 92 is “C1”
  • the capacitance of the entire power stabilizing capacitor unit 120 of the twelve screw members 106 is “ Assuming that “C2”, the fluctuation amount of “C1” is about 30% when, for example, 20,000 to 30,000 wafers are processed, depending on the accumulated film formation time.
  • the capacitance C2 is set within a range of 2 to 4 times the capacitance C1, as described above.
  • the relative dielectric constant of the insulating resin 112 in FIG. 2 may be adjusted, or the radius of the through hole 110 may be adjusted.
  • the effect of the mounting table structure of the present embodiment was actually verified by experiments.
  • the mounting table main body 48 has a diameter of 350 mm (corresponding to a 300 mm diameter semiconductor wafer) and the capacitance of the stray capacitance 126 between the mounting table main body 48 and the protective cover member 92 is 2050 pF, it is a conductive material.
  • Twelve support rod members 104 made of a metal screw member 106 were provided, and polyimide having a relative dielectric constant of 3.6 was used as the insulating resin 112.
  • the capacitance of the stray capacitance corresponding to one screw member 106 at this time was 433 pF. Therefore, the capacitance C2 of the power stabilizing capacitor unit 120 in all the twelve screw members 106 is 433 pF ⁇ 12 ⁇ 5200 pF. In this case, the capacitance C2 was about 2.5 times the capacitance C1.
  • an object to be processed for forming a metal film by plasma sputtering for example, a semiconductor wafer is placed, and the outer peripheral side is connected to the ground side with a gap for insulation.
  • the mounting table main body 48 for mounting the object to be processed is provided as an electrode, and high-frequency power is supplied to the mounting table main body.
  • a base base 50 made of a conductive material is provided in a grounded state spaced apart below the mounting base body, and a power stabilizing capacitor unit 120 is provided between the hot side to which high-frequency power is applied and the ground side.
  • the capacitance of the power stabilizing capacitor unit is set to be larger than the capacitance of the stray capacitance formed between the mounting table main body 48 and the protective cover member 92.
  • the power stabilizing capacitor unit 120 having a large capacitance absorbs the fluctuation amount of the capacitance of the stray capacitance, so that it is put into the plasma generated in the processing space S. It is possible to suppress fluctuations in the bias high frequency power. Therefore, it is possible to stably supply high-frequency power for bias to the plasma side, the plasma processing is suppressed from changing with time, and the reproducibility of the plasma processing can be maintained high.
  • the power stabilizing capacitor unit 120 is provided at the connecting portion between the mounting table main body 48 and the base table 50.
  • the present invention is not limited to this, and the hot side to which bias high frequency power is applied; It may be provided anywhere as long as it is between the ground side.
  • a semiconductor wafer is described as an example of the object to be processed, but this semiconductor wafer includes a silicon substrate and a compound semiconductor substrate such as GaAs, SiC, and GaN.
  • the present invention is not limited to these substrates, and the present invention can also be applied to glass substrates, ceramic substrates, and the like used in liquid crystal display devices.

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Abstract

　本発明は、プラズマスパッタにより金属膜を形成するための被処理体を載置し、外周側が絶縁用の隙間を隔ててグランド側に接続された保護カバー部材により囲まれた載置台構造に関する。本発明の載置台構造は、導電性材料よりなり、前記被処理体をその上面側に載置すると共に電極として兼用される載置台本体と、前記載置台本体の下方に離間されて配置されると共に前記載置台本体に対して絶縁状態で設けられた導電性材料よりなるベース台と、前記ベース台を支持すると共にグランド側に接続された支柱と、前記載置台本体に接続されてバイアス用の高周波電力を供給する高周波給電ラインと、前記高周波電力が印加されるホット側とグランド側との間に形成された電力安定用コンデンサ部と、を備える。前記電力安定用コンデンサ部の静電容量は、前記載置台本体と前記保護カバー部材との間で形成される浮遊容量の静電容量よりも大きく設定されている。

Description

載置台構造及びプラズマ成膜装置
　本発明は、半導体ウエハ等の被処理体にプラズマスパッタにより金属膜を形成するプラズマ成膜装置、及び、これに用いる載置台構造に関する。
　一般に、半導体デバイスを製造する際には、半導体ウエハに成膜処理やパターンエッチング処理等の各種の処理が繰り返し行われて、所望のデバイスが製造される。特に、薄膜として、半導体ウエハ上の凹部を埋め込むため、あるいは、配線パターンを形成するため、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｕ、Ａｌ等よりなる金属膜が形成される場合がある。この場合、半導体ウエハ上に前工程ですでに形成されている下層構造に対して熱的ダメージを与えることを抑制するために、低温で比較的良好な特性の金属膜を形成することができることから、プラズマスパッタ法が多用されている。
　プラズマスパッタ法を行う成膜装置は、例えば特開２００６－１４８０７５号公報等において示されている。図５は、プラズマスパッタ法を行う成膜装置の一例を示す概略構成図である。図５に示すように、真空排気が可能になされた処理容器２内の天井部の側部に、成膜する金属膜の原料となる金属ターゲット４が設けられており、半導体ウエハＷを載置する中央部に、載置台構造６が設けられている。この載置台構造６は、その上面側に、半導体ウエハＷを直流高電圧により吸着する静電チャック８が設けられた載置台９を有している。この静電チャック８は、電極１０を兼用するものである。この電極１０には、プラズマによりイオン化された金属イオンを引き込むためのバイアス用の高周波電源１２が接続されている。また、処理容器２の天井部には、高周波を透過する例えば石英等よりなる透過板１４が設けられており、その外側に、高周波電源１６に接続された誘導コイル部１８が設けられている。
　そして、誘導コイル部１８から、透過板１４を透過して処理容器２内へ高周波電力が投入され、処理容器２内へ導入されたＡｒ等のガスをプラズマ化してプラズマＰを発生するようになっている。そして、このプラズマＰが、金属ターゲット４を叩いて金属粒子を放出させ、この金属粒子が更にプラズマＰによりイオン化されて載置台９側に引き込まれることによって、半導体ウエハＷ上に金属膜が堆積されるようになっている。
　この場合、金属膜は、半導体ウエハＷの表面のみならず、処理容器２の内壁面や処理容器２内の構造物の表面にも堆積してしまう。これを防止するために、載置台９の外周側及びプラズマＰが形成される処理空間を略囲むように、保護カバー部材２０が設けられている。この保護カバー部材２０と載置台９の外周との間には、僅かな幅の絶縁用の隙間２２が形成されている。保護カバー部材２０は、例えばＳＵＳやアルミニウム板等の導電性材料よりなり、グランド側に接続されていて、不要な金属膜を保護カバー部材２０の表面で受けるようになっている。
　ところで、上述したようなプラズマスパッタによる成膜装置にあっては、上記したように、金属膜が、半導体ウエハＷの表面のみならず、半導体ウエハＷにカバーされていない載置台９の上面の周辺、及び、載置台９の周囲を囲むようにして設けられた保護カバー部材２０の上面、にも不要な金属膜２４として少しずつ堆積する。
　この場合、不要な金属膜２４の厚さが僅かな場合には、特に問題は生じない。しかし、その膜厚が次第に大きくなると、例えば１．５ｍｍ程度に設定されている絶縁用の隙間２２の幅が、実質的に狭くなってしまう。そうすると、この部分に存在していた浮遊容量２６（図６参照）の静電容量が、無視し得ない程にかなり大きくなり、この浮遊容量を通ってグランド側に抜けてしまうバイアス用の高周波電力が次第に増加して、プラズマ側に投入する高周波電力が変化してしまう。この結果、半導体ウエハＷに対する成膜処理の均一性が劣化してしまい、プラズマ処理が経時的に変化してしまう、という問題が生じる。
　この点について更に詳しく説明すれば、図６は、図５に示すプラズマ成膜装置のバイアス用の高周波電源側を示す等価回路である。ここで、プラズマＰは、コンデンサＣと抵抗Ｒとの並列接続回路として表されている。上述のように、高周波電力が印加される電極１０（８）等（ホット側）と保護カバー部材２０（グランド側）との間には、浮遊容量２６が存在するが、不要な金属膜の堆積に従って当該浮遊容量２６の静電容量が変化する。その結果、当該浮遊容量２６を介してグランド側へ洩れるバイアス用の高周波電力が多くなるように変化するので、プラズマＰ側に投入されるバイアス用の高周波電力が変動してしまう。この結果、半導体ウエハＷに対するプラズマ処理の均一性が低下し、プラズマ処理が経時的に変化してしまう。
発明の要旨
　本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、プラズマ側にバイアス用の高周波電力を安定的に投入することにより、プラズマ処理の再現性を高く維持することができる載置台構造及びプラズマ成膜装置を提供することにある。
　本発明は、プラズマスパッタにより金属膜を形成するための被処理体を載置し、外周側が絶縁用の隙間を隔ててグランド側に接続された保護カバー部材により囲まれた載置台構造において、導電性材料よりなり、前記被処理体をその上面側に載置すると共に電極として兼用される載置台本体と、前記載置台本体の下方に離間されて配置されると共に前記載置台本体に対して絶縁状態で設けられた導電性材料よりなるベース台と、前記ベース台を支持すると共にグランド側に接続された支柱と、前記載置台本体に接続されてバイアス用の高周波電力を供給する高周波給電ラインと、前記高周波電力が印加されるホット側とグランド側との間に形成された電力安定用コンデンサ部と、を備え、前記電力安定用コンデンサ部の静電容量は、前記載置台本体と前記保護カバー部材との間で形成される浮遊容量の静電容量よりも大きく設定されていることを特徴とする載置台構造である。
　本発明によれば、保護カバー部材と載置台本体の表面に不要な金属膜が堆積して絶縁用の隙間が実質的に狭くなって保護カバー部材と載置台本体との間の浮遊容量の静電容量が変化しても、静電容量の大きな電力安定用コンデンサ部が浮遊容量の静電容量の変動量を吸収してしまうので、処理空間に発生しているプラズマに投入されるバイアス用の高周波電力の変動を抑制することが可能である。従って、プラズマ側にバイアス用の高周波電力を安定的に投入することができ、プラズマ処理が経時的に変化することが抑制されて、プラズマ処理の再現性を高く維持することが可能となる。
　好ましくは、前記電力安定用コンデンサ部は、前記ベース台と前記載置台本体とを絶縁状態で連結して支持している複数本の支持ロッド部材により構成される。この場合、更に好ましくは、前記複数本の支持ロッド部材が連結される各部分には、それぞれ絶縁部材が介在されている。例えば、前記複数本の支持ロッド部材の各々は、導電性材料よりなる細長いネジ部材により形成される。
　また、好ましくは、前記電力安定用コンデンサ部の静電容量は、前記載置台本体と前記保護カバー部材との間に形成される前記浮遊容量の静電容量の２～４倍の範囲内の大きさに設定される。
　また、好ましくは、前記載置台本体の上面には、前記被処理体を吸着するための静電チャックが設けられる。
　あるいは、本発明は、プラズマスパッタにより金属膜を被処理体の表面に形成するプラズマ成膜装置において、真空引き可能になされた処理容器と、前記いずれかの特徴を有する載置台構造と、前記載置台構造の外周側に絶縁用の隙間を隔てて設けられると共にグランド側に接続された保護カバー部材と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、前記金属膜の材料となる金属ターゲットと、前記金属ターゲットへ前記ガスのイオンを引きつけるための電圧を供給するターゲット用の電源と、前記載置台構造に対してバイアス用の高周波電力を供給するバイアス用高周波電源と、を備えたことを特徴とするプラズマ成膜装置である。
本発明に係る載置台構造を用いたプラズマ成膜装置の一実施形態を示す断面図である。 図１の載置台構造の一部を示す部分拡大図である。 図１のプラズマ成膜装置のバイアス用の高周波電源側を示す等価回路である。 図１の載置台構造の載置台の表面側に不要な金属膜が堆積した時の状況を示す部分拡大断面図である。 プラズマスパッタ法を行う成膜装置の従来例を示す概略構成図である。 図５に示すプラズマ成膜装置のバイアス用の高周波電源側を示す等価回路である。
　以下に、本発明に係る載置台構造及びプラズマ成膜装置の一実施形態を添付図面に基づいて詳述する。図１は、本発明に係る載置台構造を用いたプラズマ成膜装置の一実施形態を示す断面図である。図２は、図１の載置台構造の一部を示す部分拡大図である。図３は、図１のプラズマ成膜装置のバイアス用の高周波電源側を示す等価回路である。ここでは、プラズマ成膜装置として、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）型プラズマスパッタ装置を例にとって説明する。
　図１に示すように、このプラズマ成膜装置３０は、例えばアルミニウム等により筒体状に成形された処理容器３２を有している。この処理容器３２は、接地されており、その底部３４には排気口３６が設けられている。当該排気口３６により、処理容器３２は、圧力調整を行うスロットルバルブ３８を介して真空ポンプ４０によって真空引き可能となっている。また、処理容器３２の底部３４には、処理容器３２内へ必要とされる所定のガスを導入するガス導入手段として、例えばガス導入口３９が設けられている。このガス導入口３９から、プラズマ励起用ガスとして例えばＡｒガスや、他の必要なガス例えばＮ２　ガス等が、ガス流量制御器、バルブ等よりなるガス制御部４１を通して、供給されるようになっている。
　処理容器３２内には、被処理体である半導体ウエハＷを載置するための載置台構造４２が設けられている。この載置台構造４２は、円板状に成形された載置台４４と、この載置台４４を支持すると共にグランド側に接続された（すなわち接地された）中空筒体状の支柱４６と、によって主に構成されている。載置台４４は、例えばアルミニウム合金等の導電性材料よりなる載置台本体４８と、この載置台本体４８を絶縁された状態で支持するベース台５０と、によって主に構成されている。載置台本体４８には、後述するように、バイアス用の高周波電力が印加される電極として機能するようになっている。ベース台５０は、例えばアルミニウム合金等の導電性材料よりなり、ベース台５０の下面の中心部において支柱４６の上端部が接続されている。すなわち、ベース台５０も接地された状態となっている。
　また、載置台本体４８の上面側には、内部にチャック用電極５２Ａを有する例えばアルミナ等のセラミック材よりなる薄い円板状の静電チャック５２が設けられており、半導体ウエハＷを静電力によって吸着保持できるようになっている。ここで、載置台本体４８とベース台５０との接続支持構造については、後述する。
　また、支柱４６の下部は、処理容器３２の底部３４の中心部に形成された挿通孔５４を貫通して、下方へ延びている。そして、支柱４６は、図示しない昇降機構によって、上下移動可能になされていて、載置台構造４２の全体が昇降できるようになっている。
　支柱４６を囲むようにして、伸縮可能になされた蛇腹状の金属ベローズ５６が設けられており、この金属ベローズ５６は、その上端が載置台４４のベース台５０の下面に気密に接合され、その下端が底部３４の上面に気密に接合されている。これにより、処理容器３２内の気密性を維持しつつ、載置台構造４２の昇降移動を許容できるようになっている。
　また、底部３４には、これより上方に向けて例えば３本（図示例では２本のみ記す）の支持ピン５８が、起立させて設けられている。また、この支持ピン５８に対応するように、載置台４４にピン挿通孔６０が形成されている。そして、載置台４４を降下させた際に、ピン挿通孔６０を貫通した支持ピン５８の上端部で半導体ウエハＷを受けて、この半導体ウエハＷを外部より侵入する搬送アーム（図示せず）との間で移載できるようになっている。このため、処理容器３２の下部側壁には、搬送アームを侵入させるための搬出入口６２が設けられており、搬出入口６２には、開閉可能になされたゲートバルブＧが設けられている。このゲートバルブＧの反対側には、例えば真空搬送室６４が設けられる。
　また、載置台本体４８上に設けられた静電チャック５２のチャック用電極５２Ａには、配線６６を介してチャック用電源６８が接続されており、半導体ウエハＷを静電力によって吸着保持するようになっている。また、載置台本体４８には、高周波給電ライン７０が接続されており、高周波給電ライン７０を介してバイアス用高周波電源７２からバイアス用の高周波電力を供給できるようになっている。
　一方、処理容器３２の天井部には、例えば酸化アルミニウム等の誘電体よりなる高周波に対して透過性のある透過板７４が、Ｏリング等のシール部材７６を介して気密に設けられている。そして、この透過板７４の上部に、処理容器３２内の処理空間Ｓに例えばプラズマ励起用ガスとしてのＡｒガスをプラズマ化してプラズマを発生するためのプラズマ発生源７８が設けられている。
　尚、プラズマ励起用ガスとしては、Ａｒに代えて他の不活性ガス、例えばＨｅ、Ｎｅ等の希ガス、を用いてもよい。具体的には、プラズマ発生源７８は、透過板７４に対応させて設けられた誘導コイル部８０を有しており、この誘導コイル部８０に、プラズマ発生用の例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電源８２が接続されて、透過板７４を介して処理空間Ｓに高周波を導入できるようになっている。
　また、透過板７４の直下には、導入される高周波を拡散させる例えばアルミニウムよりなるバッフルプレート８４が設けられている。そして、バッフルプレート８４の下部には、処理空間Ｓの上部側方を囲むようにして、例えば断面が内側に向けて傾斜されて環状（截頭円錐殻状）になされた金属ターゲット８６が設けられている。この金属ターゲット８６には、Ａｒイオンを引きつけるための電圧を供給するターゲット用の可変になされた直流電源８８が接続されている。尚、この直流電源に代えて交流電源を用いてもよい。
　また、金属ターゲット８６の外周側には、これに磁界を付与するための磁石９０が設けられている。ここでは、金属ターゲット８６として例えばＴｉ（チタン）が用いられ、このＴｉは、プラズマ中のＡｒイオンにより、金属原子あるいは金属原子団としてスパッタされると共に、プラズマ中を通過する際に多くはイオン化される。尚、金属ターゲット８６としては、Ｔｉ、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｕ（銅）、Ｔａ（タンタル）よりなる群より選択される１以上の材料を用いることができる。
　また、金属ターゲット８６の下部には、処理空間Ｓを囲むようにして、例えばアルミニウムや銅よりなる円筒状の保護カバー部材９２が設けられている。この保護カバー部材９２は、グランド側に接続されて接地されると共に、その下部は内側へ屈曲されて、載置台４４の側部近傍に位置されている。
　この場合、保護カバー部材９２の内側の端部は、載置台４４の載置台本体４８の外周側を囲むように設けられており、載置台本体４８と保護カバー部材９２の内側の端部との間は、図２にも示すように、僅かな幅の絶縁用の隙間９４を隔てて離間されている。この隙間９４の幅Ｈ１は、例えば１．５ｍｍ程度である。そして、保護カバー部材９２の表面に不要な金属膜を堆積させることで、処理容器３２の内面や内部構造物の表面に不要な金属膜が堆積することを防止している。
　ここで、載置台４４における載置台本体４８とベース台５０との接続支持構造について、図２も参照して説明する。前述したように、載置台本体４８はベース台５０上に絶縁された状態で支持されている。具体的には、図２に示すように、載置台本体４８の周縁部であって静電チャック５２の外周側には、段部状に低く設定された段部１００が形成されている。この段部１００に、例えばステンレススチール等の導電性材料よりなる円形リング状のバイアスリング９６が配置されている。このバイアスリング９６により、半導体ウエハＷの外周側においても、載置台４４の中心側と同様に金属イオンを均等に引き込むようになっている。
　そして、このバイアスリング９６の外周端が階段状に形成されると共に、この外周端に対向する保護カバー部材９２の内周端も階段状に形成されていて、両者間の隙間が絶縁用の隙間９４となっている。そして、ベース台５０と載置台本体４８との間には、本発明の特徴である電力安定用コンデンサ部１２０が介在されて設けられている。ここで、載置台本体４８は高周波電力が印加されるのでホット側となり、ベース台５０は接地されているのでグランド側となる。具体的には、ベース台５０と載置台本体４８との間は、所定の間隔１０２だけ離間されて、両者は基本的に絶縁関係にあり、電力安定用コンデンサ部１２０が、ベース台５０と載置台本体４８とを絶縁状態で連結する複数本の支持ロッド部材１０４により構成されている。
　支持ロッド部材１０４は、載置台本体４８の周縁部の段部１００に設けられており、載置台本体４８の周方向に沿って等ピッチで複数本、例えば１２本、配置されている（図１では２本のみ示す）。そして、支持ロッド部材１０４による連結部には、支持ロッド部材１０４の周囲全体を囲むようにして、絶縁部材１０８が設けられている。具体的には、支持ロッド部材１０４は、例えばステンレススチール等の導電性材料よりなる細長いネジ部材１０６よりなっている。
　そして、載置台本体４８の段部１００にネジ部材１０６の直径よりもかなり内径が大きくなされたネジ用の貫通孔１１０が形成され、このネジ用の貫通孔１１０内の下方に絶縁部材１０８として例えば絶縁性樹脂１１２が埋め込まれるようにして強固に取り付けられている。そして、絶縁性樹脂１１２の上方よりネジ部材１０６をねじ込むようにしてこれを貫通させ、ネジ部材１０６の下端部をベース台５０にねじ込んで両者を固定している。そして、ネジ部材１０６のネジ頭１０６Ａを覆うように、貫通孔１１０内には例えばアルミナ等のセラミック材よりなる絶縁性キャップ１１４が装着されている。以上のようにして、載置台本体４８とベース台５０とが絶縁状態で連結されている。
　ここで、上述したように、電極として機能する載置台本体４８は、高周波電力が供給されるホット側となり、これに対して、ベース台５０及びネジ部材１０６は、接地されてグランド側となっている。これにより、導電性材料よりなるネジ部材１０６と載置台本体４８との間で浮遊容量が発生し、この浮遊容量は１２個のネジ部材１０６の全てにおいて発生することになる。
　この場合、ネジ部材１０６と貫通孔１１０の内面との間の距離Ｈ２は、略２～４ｍｍ程度である。そして、１２個のネジ部材１０６（の連結部）の全てにおける浮遊容量で、電力安定用コンデンサ部１２０が形成されている。そして、ここでは、電力安定用コンデンサ部１２０の静電容量が、載置台本体４８と保護カバー部材９２との間で形成される浮遊容量１２６（図３参照）の静電容量よりも大きな静電容量となるように設定されている。
　具体的には、浮遊容量１２６は、載置台本体４８と保護カバー部材９２との間の浮遊容量を示しており、電力安定用コンデンサ部１２０の静電容量Ｃ２（図３参照）の大きさは、載置台本体４８と保護カバー部材９２との間の浮遊容量１２６の静電容量Ｃ１（図３参照）の２～４倍の範囲内、好ましくは２～３倍の範囲内、の大きさに設定されている。静電容量Ｃ２の大きさが、静電容量Ｃ１の２倍よりも小さい場合には、静電容量Ｃ１が変動した場合の当該変動量を十分に吸収することができず、プラズマ側に投入されるバイアス用の高周波電力が大きく変動してしまって、電力安定用コンデンサ部１２０を設けた効果を十分に発揮できない。逆に、静電容量Ｃ２の大きさが、静電容量Ｃ１の４倍よりも大きい場合には、電力安定用コンデンサ部１２０を通ってグランド側に漏れ出るバイアス用の高周波電力が過度に大きくなってしまって、好ましくない。
　換言すれば、本発明の特徴である電力安定用コンデンサ部１２０として導電性材料よりなる支持ロッド部材１０４を設け、この部分の浮遊容量の静電容量を上述のようにかなり大きく設定する。これにより、金属膜の成膜時に保護カバー部材９２やバイアスリング９６の各表面に不要な金属膜が堆積して絶縁用の隙間９４（図２参照）が狭くなることによって、この部分の浮遊容量の静電容量が変動して大きくなっても、それよりも大きな静電容量を有する電力安定用コンデンサ部１２０（すなわち支持ロッド部材１０４と絶縁部材１０８とからなる浮遊容量）が前記静電容量の変動分を吸収することが可能である。この結果、プラズマにバイアス用の高周波電力を安定的に導入することができる。
　この時の載置台構造の等価回路が、図３に示されている。発生するプラズマは、コンデンサＣと抵抗Ｒとの並列回路で表されている。上述のように、高周波電力が印加されるホット側の電極である載置台本体４８とグランド側である保護カバー部材９２との間に、浮遊容量１２６が存在し、また、載置台本体４８とグランド側との間に、本発明で設けた新たな浮遊容量である電力安定用コンデンサ部１２０が形成されている。
　図１に戻って、プラズマ成膜装置３０の各構成部は、例えばコンピュータ等よりなる装置制御部１２２に接続されて制御される構成となっている。具体的には、装置制御部１２２は、バイアス用高周波電源７２、プラズマ発生用の高周波電源８２、可変直流電源８８、ガス制御部４１、スロットルバルブ３８、真空ポンプ４０等の動作を制御する。また、プラズマ成膜装置３０は、装置制御部１２２で制御を行うコンピュータに読み取り可能なプログラムを記憶する記憶媒体１２４を有している。この記憶媒体は、例えばフレキシブルディスク、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ Ｄｉｓｃ）、ハードディスク、フラッシュメモリ或いはＤＶＤ等よりなる。
＜動作説明＞
　次に、以上のように構成されたプラズマ成膜装置の動作について、図４も参照して説明する。図４は、載置台構造の載置台の表面側に不要な金属膜が堆積した時の状況を示す部分拡大断面図である。
　まず、装置制御部１２２の支配下で、真空ポンプ４０を動作させることにより真空にされた処理容器３２内に、ガス制御部４１を動作させてＡｒガスを流しつつスロットルバルブ３８を制御して、処理容器３２内を所定の真空度に維持する。その後、可変直流電源８８を介して直流電力を金属ターゲット８６に印加し、更に、プラズマ発生源７８の高周波電源８２から誘導コイル部８０に高周波電力（プラズマ電力）を印加する。
　一方、装置制御部１２２は、バイアス用高周波電源７２にも指令を出し、載置台構造４２の電極である載置台本体４８に対して所定のバイアス用の高周波電力を印加する。このように制御された処理容器３２内においては、誘導コイル部８０に印加されたプラズマ電力によりアルゴンプラズマが形成されてアルゴンイオンが生成され、これらイオンは金属ターゲット８６に印加された電圧に引き寄せられて金属ターゲット８６に衝突し、この金属ターゲット８６がスパッタされて金属粒子が放出される。
　スパッタされた金属ターゲット８６からの金属粒子である金属原子ないし金属原子団は、プラズマ中を通る際に多くがイオン化される。ここで金属粒子は、イオン化された金属イオンと電気的に中性な中性金属原子とが混在する状態となって、下方向へ飛散して行く。特に、処理容器３２内の圧力は例えば５ｍＴｏｒｒ程度になされているため、プラズマ密度が高められて、金属粒子を高効率でイオン化できるようになっている。
　そして、金属イオンは、電極である載置台本体４８に印加されたバイアス用の高周波電力により発生した半導体ウエハ面上の厚さ数ｍｍ程度のイオンシースの領域に入ると、強い指向性をもって半導体ウエハＷ側に加速するように引き付けられて、半導体ウエハＷに堆積して金属膜が形成されることになる。
　このような金属膜の成膜処理を繰り返し（継続的に）行っていくと、載置台４４の上面に載置されている半導体ウエハＷの表面のみならず、図４に示すように、半導体ウエハＷの外周側に位置するバイアスリング９６や保護カバー部材９２の表面にも、僅かずつではあるが、不要な金属膜１２８が堆積していくことになる。この結果、絶縁用の隙間９４の幅Ｈ１が実質的に次第に狭くなって、この部分の浮遊容量が大きくなり、高周波電力が印加されているホット側である載置台本体４８とグランド側である保護カバー部材９２との間の浮遊容量の静電容量が次第に大きくなる。この結果として、絶縁用の隙間９４を洩れ出る高周波電力が多くなって、プラズマ側へ投入されるバイアス用の高周波電力が大きく変動することが危惧される。
　しかし、本実施形態においては、上述のように、載置台本体４８とベース台５０とを互いに支持固定する複数の支持ロッド部材１０４としてネジ部材１０６と絶縁部材１０８とを採用して、電力安定用コンデンサ部１２０を構成することとしたので、プラズマ側へ投入されるバイアス用の高周波電力の変動を抑制することができる。
　すなわち、図３に示す等価回路において、不要な金属膜１２８（図４参照）の堆積に伴って浮遊容量１２６の静電容量が変動しても、本発明の特徴である電力安定用コンデンサ部１２０の静電容量（１２個の支持ロッド部材１０４における静電容量の総和）を浮遊容量１２６の静電容量よりもかなり大きくなるように（２～４倍の範囲内になるように）設定したことにより、電力安定用コンデンサ部１２０を介して洩れ出るバイアス用の高周波電力が浮遊容量１２６を介して洩れ出るバイアス用の高周波電力よりも多くなっている。
　この結果、浮遊容量１２６を介して洩れ出るバイアス用の高周波電力が変動しても、当該変動量を電力安定用コンデンサ部１２０を介して洩れ出るバイアス用の高周波電力が吸収してしまうため、結果的にプラズマ側にバイアス用の高周波電力を安定的に供給することができる。
　換言すれば、静電容量の大きな電力安定用コンデンサ部１２０を設けて外部に洩れ出るバイアス用の高周波電力を予め大きく設定しておくことにより、浮遊容量１２６の静電容量が成膜に伴って変動する際に、プラズマに投入されるバイアス用の高周波電力の変動が与える影響を相対的に小さくすることができ、高周波電力を安定的に投入することができる。これにより、半導体ウエハＷに対するプラズマ処理の再現性を高く維持することができる。
　この場合、載置台本体４８と保護カバー部材９２との間の浮遊容量１２６の静電容量を”Ｃ１”とし、１２個のネジ部材１０６の全体の電力安定用コンデンサ部１２０の静電容量を”Ｃ２”とすると、”Ｃ１”の変動量は、積算した成膜時間にもよるが、例えば２～３万枚のウエハを処理して３０％程度である。一方、静電容量Ｃ２は、前述のように、静電容量Ｃ１の２～４倍の範囲内に設定される。電力安定用コンデンサ部１２０の静電容量を調整するには、図２において、例えば絶縁性樹脂１１２の比誘電率を調整したり、あるいは、貫通孔１１０の半径を調整したりすればよい。
　ここで、実際に、本実施の形態の載置台構造の効果について実験により検証した。載置台本体４８の直径が３５０ｍｍ（直径３００ｍｍ半導体ウエハ対応）で、載置台本体４８と保護カバー部材９２との間の浮遊容量１２６の静電容量が２０５０ｐＦであった場合において、導電性材料である金属製のネジ部材１０６よりなる支持ロッド部材１０４を１２本設け、絶縁性樹脂１１２として比誘電率が３．６のポリイミドを用いた。この時のネジ部材１０６の１本に対応する浮遊容量の静電容量は４３３ｐＦであった。従って、１２本の総てのネジ部材１０６における電力安定用コンデンサ部１２０の静電容量Ｃ２は、４３３ｐＦ×１２≒５２００ｐＦであった。この場合、静電容量Ｃ２は、静電容量Ｃ１の約２．５倍であった。
　このような数値の載置台構造で、実際に金属膜の成膜処理を積算して１０００ＫＷｈの積算電力に達するまで行ったところ（２～３万枚のウエハに対する処理に相当）、静電容量Ｃ１の変動量ΔＣ１は６４０ｐＦであった。従って、変動率ΔＣ１の影響度は、静電容量Ｃ２がない場合には、６４０／２０５０＝３１％になるが、静電容量Ｃ２を設けた本実施の形態の場合には、６４０／（２０５０＋５２００）＝９％程度であり、本実施の形態の場合は良好な結果を得ることができた。実際の装置では、変動量ΔＣ１の影響度を１０％以内に抑制すれば、プラズマスパッタによる成膜における再現性の変動を２～３％以内にすることができる。従って、上記結果により、本実施の形態の効果を十分に検証することができたと言える。
　このように、本実施の形態によれば、プラズマスパッタにより金属膜を形成するための被処理体、例えば半導体ウエハ、を載置し、外周側が絶縁用の隙間を隔ててグランド側に接続された保護カバー部材９２により囲まれた載置台構造において、被処理体をその上面側に載置する載置台本体４８を電極として兼用させて設けると共に、この載置台本体に高周波電力を供給するようにし、この載置台本体の下方に離間させて絶縁状態で導電性材料よりなるベース台５０をグランド状態で設け、高周波電力が印加されるホット側とグランド側との間に電力安定用コンデンサ部１２０を設け、この電力安定用コンデンサ部の静電容量を、載置台本体４８と保護カバー部材９２との間で形成される浮遊容量の静電容量よりも大きくなるように設定している。
　その結果、保護カバー部材９２と載置台本体４８の表面に不要な金属膜が堆積して絶縁用の隙間が実質的に狭くなって保護カバー部材９２と載置台本体４８との間の浮遊容量の静電容量が変化しても、静電容量の大きな電力安定用コンデンサ部１２０が浮遊容量の静電容量の変動量を吸収してしまうので、処理空間Ｓに発生しているプラズマに投入されるバイアス用の高周波電力の変動を抑制することが可能である。従って、プラズマ側にバイアス用の高周波電力を安定的に投入することができ、プラズマ処理が経時的に変化することが抑制されて、プラズマ処理の再現性を高く維持することが可能となる。
　尚、上記実施の形態においては、支持ロッド部材１０４が１２個設けられたが、この数に限定されないのは勿論である。また、上記実施の形態では、電力安定用コンデンサ部１２０を載置台本体４８とベース台５０との連結部に設けたが、これに限定されず、バイアス用の高周波電力が印加されるホット側とグランド側との間であれば、どこの部分に設けてもよい。
　また、ここでは、被処理体として半導体ウエハを例にとって説明したが、この半導体ウエハには、シリコン基板やＧａＡｓ、ＳｉＣ、ＧａＮなどの化合物半導体基板も含まれる。更には、これらの基板に限定されず、液晶表示装置に用いるガラス基板やセラミック基板等にも本発明を適用することができる。

Claims (7)

  1. 　プラズマスパッタにより金属膜を形成するための被処理体を載置し、外周側が絶縁用の隙間を隔ててグランド側に接続された保護カバー部材により囲まれた載置台構造において、
    　導電性材料よりなり、前記被処理体をその上面側に載置すると共に電極として兼用される載置台本体と、
    　前記載置台本体の下方に離間されて配置されると共に前記載置台本体に対して絶縁状態で設けられた導電性材料よりなるベース台と、
    　前記ベース台を支持すると共にグランド側に接続された支柱と、
    　前記載置台本体に接続されてバイアス用の高周波電力を供給する高周波給電ラインと、
    　前記高周波電力が印加されるホット側とグランド側との間に形成された電力安定用コンデンサ部と、
    を備え、
    　前記電力安定用コンデンサ部の静電容量は、前記載置台本体と前記保護カバー部材との間で形成される浮遊容量の静電容量よりも大きく設定されている
    ことを特徴とする載置台構造。
  2. 　前記電力安定用コンデンサ部は、前記ベース台と前記載置台本体とを絶縁状態で連結して支持している複数本の支持ロッド部材により構成されている
    ことを特徴とする請求項１記載の載置台構造。
  3. 　前記複数本の支持ロッド部材が連結される各部分には、それぞれ絶縁部材が介在されている
    ことを特徴とする請求項２記載の載置台構造。
  4. 　前記複数本の支持ロッド部材の各々は、導電性材料よりなる細長いネジ部材により形成されている
    ことを特徴とする請求項２または３記載の載置台構造。
  5. 　前記電力安定用コンデンサ部の静電容量は、前記載置台本体と前記保護カバー部材との間に形成される前記浮遊容量の静電容量の２～４倍の範囲内の大きさに設定されている
    ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の載置台構造。
  6. 　前記載置台本体の上面には、前記被処理体を吸着するための静電チャックが設けられている
    ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の載置台構造。
  7. 　プラズマスパッタにより金属膜を被処理体の表面に形成するプラズマ成膜装置において、
    　真空引き可能になされた処理容器と、
    　請求項１乃至６のいずれか一項に記載の載置台構造と、
    　前記載置台構造の外周側に絶縁用の隙間を隔てて設けられると共にグランド側に接続された保護カバー部材と、
    　前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、
    　前記処理容器内でプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、
    　前記金属膜の材料となる金属ターゲットと、
    　前記金属ターゲットへ前記ガスのイオンを引きつけるための電圧を供給するターゲット用の電源と、
    　前記載置台構造に対してバイアス用の高周波電力を供給するバイアス用高周波電源と、
    を備えたことを特徴とするプラズマ成膜装置。
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Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014064860A1 (ja) * 2012-10-22 2014-05-01 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置
KR102194915B1 (ko) 2014-01-13 2020-12-28 삼성디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치 및 스퍼터링용 가스 공급관
CN106795625B (zh) 2015-03-25 2018-05-22 株式会社爱发科 高频溅射装置及溅射方法
JP6328089B2 (ja) * 2015-11-13 2018-05-23 株式会社日本製鋼所 プラズマスパッタ装置
JP6552429B2 (ja) * 2016-02-05 2019-07-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP6900469B2 (ja) * 2017-05-09 2021-07-07 富士フイルム株式会社 成膜装置および圧電膜の成膜方法
KR102511255B1 (ko) * 2017-10-16 2023-03-16 엔지케이 인슐레이터 엘티디 정전 척
JP6465948B1 (ja) * 2017-11-01 2019-02-06 キヤノントッキ株式会社 基板処理装置及び成膜装置
KR102312330B1 (ko) * 2018-09-18 2021-10-13 주식회사 테스 기판지지유닛
CN112838040B (zh) * 2019-11-25 2023-10-20 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种晶圆夹持装置和等离子体处理设备
TW202129045A (zh) * 2019-12-05 2021-08-01 美商應用材料股份有限公司 多陰極沉積系統與方法
CN211857976U (zh) * 2020-04-16 2020-11-03 北京京东方显示技术有限公司 一种显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236858A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH0878346A (ja) * 1994-09-05 1996-03-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜装置
JP2001192824A (ja) * 1999-10-29 2001-07-17 Toshiba Corp スパッタ装置および成膜方法
US20080141942A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
JP2009182140A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd 薄膜の形成方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3763031A (en) * 1970-10-01 1973-10-02 Cogar Corp Rf sputtering apparatus
US4131533A (en) * 1977-12-30 1978-12-26 International Business Machines Corporation RF sputtering apparatus having floating anode shield
JPH03201713A (ja) * 1989-12-28 1991-09-03 Clarion Co Ltd 圧電膜製造装置
US5478429A (en) 1993-01-20 1995-12-26 Tokyo Electron Limited Plasma process apparatus
JP2006014807A (ja) 2004-06-30 2006-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 炊飯器
JP2006148075A (ja) * 2004-10-19 2006-06-08 Tokyo Electron Ltd 成膜方法及びプラズマ成膜装置
KR100904779B1 (ko) 2004-10-19 2009-06-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 플라즈마 스퍼터링에 의한 성막방법 및 성막장치
US8241457B2 (en) 2007-03-30 2012-08-14 Tokyo Electron Limited Plasma processing system, plasma measurement system, plasma measurement method, and plasma control system
JP4887202B2 (ja) 2007-04-17 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び高周波電流の短絡回路
JP5660753B2 (ja) * 2007-07-13 2015-01-28 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ プラズマエッチング用高温カソード
JP2009187673A (ja) 2008-02-01 2009-08-20 Nec Electronics Corp プラズマ処理装置及び方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06236858A (ja) * 1993-02-10 1994-08-23 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JPH0878346A (ja) * 1994-09-05 1996-03-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ成膜装置
JP2001192824A (ja) * 1999-10-29 2001-07-17 Toshiba Corp スパッタ装置および成膜方法
US20080141942A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Non-contact process kit
JP2009182140A (ja) * 2008-01-30 2009-08-13 Tokyo Electron Ltd 薄膜の形成方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体

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KR101347596B1 (ko) 2014-01-03
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