JP2010219354A - 載置台構造及びプラズマ成膜装置 - Google Patents
載置台構造及びプラズマ成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010219354A JP2010219354A JP2009065236A JP2009065236A JP2010219354A JP 2010219354 A JP2010219354 A JP 2010219354A JP 2009065236 A JP2009065236 A JP 2009065236A JP 2009065236 A JP2009065236 A JP 2009065236A JP 2010219354 A JP2010219354 A JP 2010219354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mounting table
- metal
- table structure
- structure according
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 87
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 claims description 20
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000002826 coolant Substances 0.000 abstract description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007872 degassing Methods 0.000 abstract description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 39
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【解決手段】被処理体Wに対して金属を含む薄膜を形成するために被処理体を載置する載置台構造32において、内部にチャック用電極34と加熱ヒータ36とが埋め込まれたセラミック製の載置台38と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部100と、フランジ部とネジ126により接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路40が形成された金属製の基台部42と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材130とを備える。
【選択図】 図1
Description
請求項3の発明は、請求項2の発明において、前記基台部は、円板状のベース板と、前記ベース板上に設けられて内部に前記冷媒通路が形成されると共に前記フランジ部の内側に位置された冷却ジャケット部と、よりなることを特徴とする。
請求項4の発明は、請求項3の発明において、前記冷却ジャケット部は、水平方向に沿って上下に2分割された2つのブロック体よりなることを特徴とする。
請求項6の発明は、請求項5の発明において、前記弾発部材には、断熱材料よりなる押し上げピンが介在されていることを特徴とする。
請求項7の発明は、請求項5又は6の発明において、前記上ブロック体と前記下ブロック体との対向面には、互いに嵌め合わされる凹凸部が形成されていることを特徴とする。
請求項9の発明は、請求項1乃至8のいずれか一項に記載の前記載置台は、中空状になされた金属製の支柱により支持されていることを特徴とする。
請求項10の発明は、請求項9の発明において、前記支柱内には、前記冷媒通路に接続された冷媒管が設けられていることを特徴とする。
請求項12の発明は、請求項11の発明において、前記支柱内及び貫通孔内には、前記チャック用電極に接続される電極ライン、前記加熱ヒータに接続される給電ライン、前記載置台の温度を測定する熱電対ライン及び前記載置台の上面と前記被処理体の下面との間に気体を供給する裏面ガスラインの内のいずれか1以上のラインが挿通させて設けられていることを特徴とする。
請求項14の発明は、請求項12又は13の発明において、前記載置台の下面の中央部には、絶縁材料よりなる中空状のキャップ部が接合されており、前記キャップ部内に前記電極ラインの上端部が挿通されていると共に前記キャップ部の外側に前記給電ラインの上端部及び前記熱電対ラインの上端部が位置されていることを特徴とする。
金属を含む薄膜を形成するための被処理体を載置する載置台構造を、内部にチャック用電極と加熱ヒータとが埋め込まれたセラミック製の載置台と、載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部と、フランジ部とネジにより接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路が形成された金属製の基台部と、フランジ部と基台部との間に介在された金属シール部材とにより構成するようにしたので、処理容器内の脱気処理を十分に行って高真空にできると共に、高温に耐え得ることができる。
図1は本発明の載置台構造を有するプラズマ成膜装置の一例を示す断面図、図2は載置台構造の第1実施例の主要部を示す拡大断面図、図3は載置台構造の第1実施例の主要部を示す組立分解図、図4は図3中のA部を示す部分断面図である。ここではプラズマ成膜装置としてICP(Inductively Coupled Plasma)型プラズマスパッタ装置を例にとって説明する。
ここで本発明に係る載置台構造の昇温実験を行ったので、その評価結果について説明する。図6は載置台構造の載置台の加熱後の経過時間と温度との関係を示すグラフである。ここでは載置台の加熱ヒータ36の電流は、上限値である15A以下を維持した。
次に本発明の載置台構造の第2実施例について説明する。図7は本発明の載置台構造の第2実施例の主要部を示す拡大断面図である。尚、図7において図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
次に本発明の載置台構造の第3実施例について説明する。図8は本発明の載置台構造の第3実施例の主要部を示す拡大断面図、図9は沿面放電の電圧と沿面放電の距離との関係を示すグラフである。尚、図8において図2に示す構成部分と同一構成部分については同一参照符号を付して、その説明を省略する。
22 処理容器
32 載置台構造
34 チャック用電極
36 加熱ヒータ
38 載置台
40 冷媒通路
42 基台部
44 支柱
56 電極ライン
58 チャック用電源
60 バイアス電源
62 給電ライン
68 裏面ガスライン
74 シール部材
76 プラズマ発生源
84 金属ターゲット
86 ターゲット用電源
91 ガス導入手段
100 フランジ部
118 ベース板
120 冷却ジャケット部
130 金属シール部材
132A 上ブロック体
132B 下ブロック体
134A,134B 凹凸部
138 コイルバネ(弾発部材)
140 押し上げピン
142 気体熱伝導緩和層
150 キャップ部
Claims (15)
- 被処理体に対して金属を含む薄膜を形成するために前記被処理体を載置する載置台構造において、
内部にチャック用電極と加熱ヒータとが埋め込まれたセラミック製の載置台と、
前記載置台の周辺部の下面に接続された金属製のフランジ部と、
前記フランジ部とネジにより接合されると共に内部に冷媒を流すための冷媒通路が形成された金属製の基台部と、
前記フランジ部と前記基台部との間に介在された金属シール部材と、
を備えたことを特徴とする載置台構造。 - 前記フランジ部は、前記載置台の下面より下方へ延在させて設けられていることを特徴とする請求項1記載の載置台構造。
- 前記基台部は、
円板状のベース板と、
前記ベース板上に設けられて内部に前記冷媒通路が形成されると共に前記フランジ部の内側に位置された冷却ジャケット部と、
よりなることを特徴とする請求項2記載の載置台構造。 - 前記冷却ジャケット部は、水平方向に沿って上下に2分割された2つのブロック体よりなることを特徴とする請求項3記載の載置台構造。
- 前記2つのブロック体の内、上方に位置する上ブロック体は、下方に位置する下ブロック体側から弾発部材により上方へ付勢されていることを特徴とする請求項4記載の載置台構造。
- 前記弾発部材には、断熱材料よりなる押し上げピンが介在されていることを特徴とする請求項5記載の載置台構造。
- 前記上ブロック体と前記下ブロック体との対向面には、互いに嵌め合わされる凹凸部が形成されていることを特徴とする請求項5又は6記載の載置台構造。
- 前記上ブロック体と前記下ブロック体との対向面間の隙間は、熱伝達を緩和するための気体熱伝導緩和層として形成されていることを特徴とする請求項7記載の載置台構造。
- 前記載置台は、中空状になされた金属製の支柱により支持されていることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の載置台構造。
- 前記支柱内には、前記冷媒通路に接続された冷媒管が設けられていることを特徴とする請求項9記載の載置台構造。
- 前記基台部の中央部には、前記中空状の支柱内に連通される貫通孔が形成されていることを特徴とする請求項9又は10記載の載置台構造。
- 前記支柱内及び貫通孔内には、前記チャック用電極に接続される電極ライン、前記加熱ヒータに接続される給電ライン、前記載置台の温度を測定する熱電対ライン及び前記載置台の上面と前記被処理体の下面との間に気体を供給する裏面ガスラインの内のいずれか1以上のラインが挿通させて設けられていることを特徴とする請求項11記載の載置台構造。
- 前記電極ラインは、導電性材料である金属パイプよりなり、前記金属パイプは前記裏面ガスラインとして兼用されていることを特徴とする請求項12記載の載置台構造。
- 前記載置台の下面の中央部には、絶縁材料よりなる中空状のキャップ部が接合されており、前記キャップ部内に前記電極ラインの上端部が挿通されていると共に前記キャップ部の外側に前記給電ラインの上端部及び前記熱電対ラインの上端部が位置されていることを特徴とする請求項12又は13記載の載置台構造。
- 被処理体に対して金属を含む薄膜を形成するプラズマ成膜装置において、
真空引き可能になされた処理容器と、
被処理体を載置するため請求項1乃至14のいずれか一項に記載された載置台構造と、
前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、
前記金属を含む金属ターゲットと、
前記金属ターゲットへ前記ガスのイオンを引きつけるための電圧を供給するターゲット電源と、
前記載置台構造のチャック電極に対してバイアス電力を供給するバイアス電源と、
前記載置台構造のチャック電極に対してチャック用の電圧を印加するチャック用電源と、
を備えたことを特徴とするプラズマ成膜装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009065236A JP5262878B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
KR1020100023486A KR101187544B1 (ko) | 2009-03-17 | 2010-03-16 | 탑재대 구조물 및 플라즈마 성막장치 |
US12/725,902 US8592712B2 (en) | 2009-03-17 | 2010-03-17 | Mounting table structure and plasma film forming apparatus |
CN2010101362798A CN101840878B (zh) | 2009-03-17 | 2010-03-17 | 载置台结构和等离子体成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009065236A JP5262878B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010219354A true JP2010219354A (ja) | 2010-09-30 |
JP5262878B2 JP5262878B2 (ja) | 2013-08-14 |
Family
ID=42744171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009065236A Active JP5262878B2 (ja) | 2009-03-17 | 2009-03-17 | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8592712B2 (ja) |
JP (1) | JP5262878B2 (ja) |
KR (1) | KR101187544B1 (ja) |
CN (1) | CN101840878B (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120069597A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 반도체 제조시 유동성 증착용 시스템 및 장치 |
JP2012149340A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
WO2013077994A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for improving reliability of rf grounding |
WO2017221631A1 (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 株式会社アルバック | 保持装置 |
JP2018073628A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
JP2020007608A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
KR20200117832A (ko) * | 2018-02-08 | 2020-10-14 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 기판 재치대 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP2022511107A (ja) * | 2018-12-11 | 2022-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 極低温静電チャック |
US11270896B2 (en) | 2015-11-16 | 2022-03-08 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
WO2022173549A1 (en) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with cooled electrostatic chuck |
JP2022548010A (ja) * | 2019-09-16 | 2022-11-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 極低温静電チャック |
Families Citing this family (42)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20090024866A (ko) * | 2007-09-05 | 2009-03-10 | 주식회사 코미코 | 기판 지지유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치 |
JP2012204522A (ja) * | 2011-03-24 | 2012-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法およびCu配線の形成方法 |
US8690136B2 (en) * | 2011-11-29 | 2014-04-08 | Intermolecular, Inc. | Internal rinsing in touchless interstitial processing |
CN103681182B (zh) * | 2012-09-05 | 2016-08-31 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 加热装置及等离子体加工设备 |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
CN103715051B (zh) * | 2012-09-28 | 2016-09-07 | 细美事有限公司 | 等离子体处理装置及方法 |
JP6078450B2 (ja) * | 2012-10-26 | 2017-02-08 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用部材及びその製法 |
JP2014149983A (ja) * | 2013-02-01 | 2014-08-21 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置用電極とその製造方法、及びプラズマ処理装置 |
US9863036B2 (en) * | 2014-04-25 | 2018-01-09 | Plasma-Therm Nes Llc | Wafer stage for symmetric wafer processing |
CN105552009B (zh) * | 2014-10-29 | 2019-07-05 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种半导体加工设备 |
US20160225652A1 (en) * | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US11069553B2 (en) | 2016-07-07 | 2021-07-20 | Lam Research Corporation | Electrostatic chuck with features for preventing electrical arcing and light-up and improving process uniformity |
JP6708518B2 (ja) * | 2016-08-09 | 2020-06-10 | 新光電気工業株式会社 | 基板固定装置及びその製造方法 |
CN109643685B (zh) * | 2016-08-26 | 2023-04-07 | 日本碍子株式会社 | 晶片载置台 |
CN106206385A (zh) * | 2016-09-27 | 2016-12-07 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低腔体内金属污染含量的多晶硅刻蚀腔及方法 |
US10910195B2 (en) | 2017-01-05 | 2021-02-02 | Lam Research Corporation | Substrate support with improved process uniformity |
US10741425B2 (en) | 2017-02-22 | 2020-08-11 | Lam Research Corporation | Helium plug design to reduce arcing |
US10460978B2 (en) * | 2017-03-08 | 2019-10-29 | Lam Research Corporation | Boltless substrate support assembly |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
JP6839624B2 (ja) * | 2017-07-19 | 2021-03-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理装置、及び、処理装置の検査方法 |
CN107808848A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-03-16 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 静电卡盘以及半导体设备 |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
CN108866503A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-11-23 | 东莞市典雅五金制品有限公司 | 一种加热旋转衬底台 |
JP7262194B2 (ja) * | 2018-09-18 | 2023-04-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
US20210037613A1 (en) * | 2018-11-19 | 2021-02-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Holding device and method of manufacturing holding device |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
WO2020117594A1 (en) | 2018-12-04 | 2020-06-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate supports including metal-ceramic interfaces |
KR20200080460A (ko) | 2018-12-26 | 2020-07-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 및 반도체 공정 설비 |
JP7254542B2 (ja) * | 2019-02-01 | 2023-04-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 載置台及び基板処理装置 |
JP2020177967A (ja) * | 2019-04-16 | 2020-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN111987031A (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 卡盘装置及半导体设备 |
JP2021012944A (ja) * | 2019-07-05 | 2021-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板の受け渡し方法 |
CN111640695B (zh) * | 2020-06-05 | 2023-04-11 | 深圳市长方集团股份有限公司 | 一种在晶圆上封装uvc led芯片的装置及工艺 |
US20220127723A1 (en) * | 2020-10-23 | 2022-04-28 | Applied Materials, Inc. | High heat loss heater and electrostatic chuck for semiconductor processing |
US11598006B2 (en) * | 2021-01-08 | 2023-03-07 | Sky Tech Inc. | Wafer support and thin-film deposition apparatus using the same |
KR102668806B1 (ko) * | 2022-01-18 | 2024-05-23 | 주식회사 동원파츠 | 세라믹 히터 및 그의 제조방법 |
WO2023150478A1 (en) * | 2022-02-01 | 2023-08-10 | Lam Research Corporation | A wafer chuck assembly with thermal insulation for rf connections |
US20240055289A1 (en) * | 2022-08-10 | 2024-02-15 | Applied Materials, Inc. | Vacuum seal for electrostatic chuck |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176601A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-14 | Applied Materials Inc | 準無限な熱源/熱シンク |
JP2001250816A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-14 | Lam Res Corp | 高温静電チャック |
JP2002514010A (ja) * | 1998-05-01 | 2002-05-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 加工片処理システム内の加工片をバイアスし、保持する装置 |
JP2003249541A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハステージ |
JP2007214387A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 |
WO2008048518A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Applied Materials | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09195037A (ja) * | 1996-01-09 | 1997-07-29 | Ulvac Japan Ltd | 加熱冷却装置及びこれを用いた真空処理装置 |
US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
JP2002009064A (ja) * | 2000-06-21 | 2002-01-11 | Hitachi Ltd | 試料の処理装置及び試料の処理方法 |
JP4276404B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2009-06-10 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 静電チャックの電極構造 |
JP4140763B2 (ja) * | 2002-12-11 | 2008-08-27 | キヤノンアネルバ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
TW200612512A (en) * | 2004-06-28 | 2006-04-16 | Ngk Insulators Ltd | Substrate heating sapparatus |
WO2006043551A1 (ja) | 2004-10-19 | 2006-04-27 | Tokyo Electron Limited | プラズマスパッタリングによる成膜方法及び成膜装置 |
JP4674512B2 (ja) * | 2005-09-12 | 2011-04-20 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20090024866A (ko) | 2007-09-05 | 2009-03-10 | 주식회사 코미코 | 기판 지지유닛 및 이를 갖는 기판 가공 장치 |
JP5237151B2 (ja) * | 2009-02-23 | 2013-07-17 | 三菱重工業株式会社 | プラズマ処理装置の基板支持台 |
JP5444961B2 (ja) * | 2009-09-01 | 2014-03-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
-
2009
- 2009-03-17 JP JP2009065236A patent/JP5262878B2/ja active Active
-
2010
- 2010-03-16 KR KR1020100023486A patent/KR101187544B1/ko active IP Right Grant
- 2010-03-17 CN CN2010101362798A patent/CN101840878B/zh active Active
- 2010-03-17 US US12/725,902 patent/US8592712B2/en active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07176601A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-07-14 | Applied Materials Inc | 準無限な熱源/熱シンク |
JP2002514010A (ja) * | 1998-05-01 | 2002-05-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 加工片処理システム内の加工片をバイアスし、保持する装置 |
JP2001250816A (ja) * | 1999-12-22 | 2001-09-14 | Lam Res Corp | 高温静電チャック |
JP2003249541A (ja) * | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Hitachi High-Technologies Corp | ウエハステージ |
JP2007214387A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 |
WO2008048518A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Applied Materials | Detachable electrostatic chuck having sealing assembly |
JP3159306U (ja) * | 2006-10-13 | 2010-05-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | シーリングアセンブリを有する着脱式静電チャック |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20120069597A (ko) * | 2010-12-20 | 2012-06-28 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 반도체 제조시 유동성 증착용 시스템 및 장치 |
KR102013456B1 (ko) | 2010-12-20 | 2019-08-22 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 반도체 제조시 유동성 증착용 시스템 및 장치 |
US9299544B2 (en) | 2010-12-28 | 2016-03-29 | Canon Anelva Corporation | Sputtering apparatus |
JP2012149340A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-08-09 | Canon Anelva Corp | スパッタリング装置 |
US8884524B2 (en) | 2011-11-22 | 2014-11-11 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for improving reliability of RF grounding |
KR20140097312A (ko) * | 2011-11-22 | 2014-08-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Rf 접지의 신뢰성을 개선하기 위한 장치 및 방법들 |
KR102019492B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2019-09-06 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Rf 접지의 신뢰성을 개선하기 위한 장치 및 방법들 |
WO2013077994A1 (en) * | 2011-11-22 | 2013-05-30 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for improving reliability of rf grounding |
US11270896B2 (en) | 2015-11-16 | 2022-03-08 | Lam Research Corporation | Apparatus for UV flowable dielectric |
WO2017221631A1 (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | 株式会社アルバック | 保持装置 |
JPWO2017221631A1 (ja) * | 2016-06-23 | 2018-11-08 | 株式会社アルバック | 保持装置 |
KR20180135040A (ko) * | 2016-06-23 | 2018-12-19 | 가부시키가이샤 알박 | 유지 장치 |
US10763153B2 (en) | 2016-06-23 | 2020-09-01 | Ulvac, Inc. | Holding apparatus |
KR102163938B1 (ko) * | 2016-06-23 | 2020-10-12 | 가부시키가이샤 알박 | 유지 장치 |
JP2018073628A (ja) * | 2016-10-28 | 2018-05-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 加熱装置 |
KR20200117832A (ko) * | 2018-02-08 | 2020-10-14 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 기판 재치대 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
KR102627348B1 (ko) | 2018-02-08 | 2024-01-19 | 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 | 기판 재치대 및 이를 구비하는 플라즈마 처리 장치 및 플라즈마 처리 방법 |
JP2020007608A (ja) * | 2018-07-06 | 2020-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP7134003B2 (ja) | 2018-07-06 | 2022-09-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
US11466365B2 (en) | 2018-07-06 | 2022-10-11 | Tokyo Electron Limited | Film-forming apparatus |
JP7308950B2 (ja) | 2018-12-11 | 2023-07-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 極低温静電チャック |
JP2022511107A (ja) * | 2018-12-11 | 2022-01-28 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 極低温静電チャック |
JP2022548010A (ja) * | 2019-09-16 | 2022-11-16 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 極低温静電チャック |
WO2022173549A1 (en) * | 2021-02-12 | 2022-08-18 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with cooled electrostatic chuck |
US11569114B2 (en) | 2021-02-12 | 2023-01-31 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with cooled electrostatic chuck |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101840878B (zh) | 2012-09-19 |
US20100244350A1 (en) | 2010-09-30 |
CN101840878A (zh) | 2010-09-22 |
KR20100105453A (ko) | 2010-09-29 |
JP5262878B2 (ja) | 2013-08-14 |
US8592712B2 (en) | 2013-11-26 |
KR101187544B1 (ko) | 2012-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5262878B2 (ja) | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 | |
JP3953247B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR102434559B1 (ko) | 탑재대 및 플라즈마 처리 장치 | |
CN100388434C (zh) | 半导体处理用的基板保持结构和等离子体处理装置 | |
TWI375735B (en) | Methods and apparatus for tuning a set of plasma processing steps | |
JP5347868B2 (ja) | 載置台構造及びプラズマ成膜装置 | |
JP5702968B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 | |
KR102233920B1 (ko) | 정전 척 장치 | |
TW201346055A (zh) | 製程工具防護板及具有防護板之物理氣相沉積室 | |
KR101898079B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP4615464B2 (ja) | プラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置 | |
JP2004342703A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
US9253862B2 (en) | Plasma processing method and plasma processing apparatus | |
TW201001530A (en) | Electrode structure and substrate processing apparatus | |
EP3591690B1 (en) | Substrate supporting unit and film forming device having substrate supporting unit | |
US20070215284A1 (en) | Plasma processing apparatus and electrode assembly for plasma processing apparatus | |
TW201933474A (zh) | 半導體製造裝置用之零件及半導體製造裝置 | |
JP2019201086A (ja) | 処理装置、部材及び温度制御方法 | |
JP4185117B2 (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
JP4754609B2 (ja) | 処理装置およびそのクリーニング方法 | |
JP2006253733A (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
JP2002100616A (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR20120109333A (ko) | 성막 방법 및 Cu 배선의 형성 방법 | |
JP7145625B2 (ja) | 基板載置構造体およびプラズマ処理装置 | |
KR102428349B1 (ko) | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 지지 유닛 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130207 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130402 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5262878 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |