WO2014064860A1 - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2014064860A1
WO2014064860A1 PCT/JP2013/003462 JP2013003462W WO2014064860A1 WO 2014064860 A1 WO2014064860 A1 WO 2014064860A1 JP 2013003462 W JP2013003462 W JP 2013003462W WO 2014064860 A1 WO2014064860 A1 WO 2014064860A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
substrate
tray
holder
support plate
opening
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/003462
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
哲郎 戸田
知子 大坂
孝之 齋藤
田中　洋
信二 高城
Original Assignee
キヤノンアネルバ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by キヤノンアネルバ株式会社 filed Critical キヤノンアネルバ株式会社
Priority to CN201380055343.1A priority Critical patent/CN104737283B/zh
Priority to JP2014543119A priority patent/JP6126620B2/ja
Priority to KR1020157013090A priority patent/KR101785178B1/ko
Priority to TW102137720A priority patent/TWI512885B/zh
Publication of WO2014064860A1 publication Critical patent/WO2014064860A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/50—Substrate holders
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support

Definitions

  • the present invention uses a substrate processing apparatus such as a vacuum processing apparatus that performs processing such as sputtering, CVD, and etching on a substrate to be processed, and in particular, a substrate tray for holding and transporting the substrate to be processed in the substrate processing apparatus.
  • a substrate processing apparatus such as a vacuum processing apparatus that performs processing such as sputtering, CVD, and etching on a substrate to be processed, and in particular, a substrate tray for holding and transporting the substrate to be processed in the substrate processing apparatus.
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus.
  • a plurality of substrates are transferred to a processing chamber at the same time, or to process substrates having different external dimensions without changing the apparatus configuration.
  • a substrate tray that can be held and transported is used.
  • FIGS. 12A-12C show a first example of a conventional substrate tray (see Patent Document 1).
  • FIGS. 12A-12C show a dish tray-shaped substrate tray 701 having a counterbore 702 for holding small substrates. With the holding tray 701 described in FIGS. 12A-12C, substrates as small as 8 inches and 6 inches can be installed in the substrate processing apparatus for 12 inches in diameter.
  • 13A and 13B show a second example of a conventional substrate transfer tray (see Patent Document 2).
  • 13A and 13B show a substrate tray 801 in which a part of the surface of a tray main body 801 having a recess 802 and made of a material having excellent heat conductivity is configured with a material 805 having insulation and flexibility.
  • reference numeral 803 denotes a through hole through which a push-up pin passes
  • 804 denotes a through hole for adsorbing the substrate
  • 806 denotes a material having corrosion resistance or sputtering resistance.
  • 13A and 13B according to the substrate transport tray, the adhesiveness and thermal conductivity between the substrate and the tray body 801 are improved, and the substrate temperature is made uniform so that the line width of the circuit pattern can be varied. Can be reduced.
  • a technique is generally used in which the temperature of the holder for holding the substrate and the substrate tray is controlled by temperature control means using cooling water or the like, and the temperature of the substrate is controlled by heat transfer with the holder.
  • a vacuum processing apparatus particularly an apparatus having a low process pressure such as a sputtering apparatus, for example, heat such as cooling gas is applied to the back surface of the substrate or the back surface of the tray in order to perform temperature control of the substrate during vacuum processing such as film formation. It is necessary to improve the heat transfer efficiency between the temperature-adjusted holder and the substrate, for example, by supplying a transfer medium.
  • FIG. 14 shows a third example of a conventional substrate transfer tray (see Patent Document 3).
  • at least one recess 911 corresponding to the outer shape of the substrate S is formed on the substrate mounting surface, and the annular seal means 902 disposed on the bottom surface of the recess 911 and the recess 911 are dropped into the recess 911.
  • a substrate carrying tray 901 provided with pressing means 903 for pressing the outer peripheral edge of the substrate S to be installed against the sealing means 902.
  • at least one gas passage 913a, 913b leading to the recess 911 is opened, and an O-ring 902 that functions as the sealing means 902 is formed on the bottom surface 911a of the recess 911.
  • B is a bolt
  • S is a substrate
  • 911b is a space between the back surface of the substrate S and the bottom surface of the recess 911
  • 931 is a central opening.
  • FIG. 15 shows a fourth example of a plasma processing apparatus in which a tray that accommodates a substrate in a substrate accommodation hole is arranged on a substrate susceptor and the tray is cooled with high efficiency (see Patent Document 4).
  • the space between the lower surface 615c of the tray 615 and the tray support surface 628 is sealed by the O-rings 606, 607A to 607B by pressing with the clamp ring 600.
  • 615a is a tray body
  • 615b is an upper surface
  • 615c is a lower surface
  • 615d is a hole wall
  • 615e is a positioning notch
  • 619A to 619D are substrate receiving holes
  • 621 is a substrate support portion
  • 621a is an upper surface
  • 621b is a tip.
  • 623 is a dielectric plate
  • 625 is a spacer plate
  • 626 is a guide cylinder
  • 627 is a ground shield
  • 628 is a tray support surface
  • 629A to 629D are substrate mounting portions
  • 631 is a substrate mounting surface
  • 636 is a circular opening
  • 643 is a DC voltage application mechanism
  • 644 is a supply hole
  • 645 is a heat transfer gas supply mechanism
  • 600 is a clamp ring
  • 604 605A to 605D are receiving grooves
  • 606, 607A to 607D are O-rings
  • 608A and 608B are supply holes It is.
  • the substrate tray 701 that is not fixed by simply placing the substrate as in Patent Document 1 has an advantage that the mass can be reduced, but there is a concern that the substrate may move during transportation.
  • a substrate made of LaTiO 3 or the like on which a resist mask is formed is placed in the recess 802 of the tray body 801.
  • the substance 805 provided in the concave portion 802 of the tray main body 801 has insulation and flexibility, so that the substrate is insulated from the tray main body 801 by the insulation, and the substrate is electrostatically charged to the tray main body 801 by static electricity charged on the substrate. It is attracted and fixed by force.
  • the substrate tray of Patent Document 2 in order for the substrate to be attracted and fixed to the tray body 801 by electrostatic force, the substrate is a ferroelectric made of LaTiO3 or the like, and an electric field is applied to the substrate surface.
  • the substrate is fixed to the tray body 801 for the first time in the substrate processing in which high-frequency power is applied to the apparatus because the substrate needs to be charged and static electricity is generated, and the substrate moves during the transfer before the substrate processing.
  • Patent Document 3 since the substrate S can be pressed against the substrate tray 901 with the bolt B to seal the heat transfer medium on the back surface of the substrate S, there is an advantage that the temperature control performance of the substrate can be improved. There is no problem that the substrate moves during the transfer of the substrate.
  • the pressing means 903 is attached by screwing a bolt B into a screw hole formed on the outer periphery of the recess 911 of the substrate tray 901. Therefore, when a film is formed on the bolt B, there is a problem that the film is peeled off and causes particles.
  • an influence for example, non-uniformity of processing
  • substrate processing such as film formation.
  • the board tray 901 becomes thick because the screw hole of the board tray 901 needs to have a suitable depth for screwing the bolt B, there is a problem that the thermal resistance of the board tray 901 increases. Even if the heat transfer medium is sealed on the back surface of the substrate S, if the thermal resistance of the substrate tray 901 is large, the heat flowing into the substrate S is placed on the substrate tray 901 holding the substrate S during the vacuum processing. It is difficult to transmit to a temperature-controlled substrate holder (not shown). Therefore, there has been a problem that sufficient temperature control performance of the substrate cannot be obtained.
  • the space between the lower surface 615c of the tray 615 and the tray support surface 628 is sealed by O-rings 606, 607A to 607B, so that the cooling performance (temperature control) by the heat transfer medium is Are better.
  • the substrate 602 since the substrate 602 is only accommodated in the substrate accommodation holes 619A to 619D penetrating in the thickness direction of the tray 615, there is a concern that the substrate 602 may move during conveyance. Further, in Patent Document 4, the substrate 602 is directly placed on the substrate placement surface 631 of each of the substrate placement portions 629A to 629D and is electrostatically attracted. Therefore, when the substrate 602 is a glass substrate, there is a concern that it takes a long time to adsorb and detach the substrate.
  • the present invention provides, for example, a substrate tray that suppresses the generation of particles and the influence of structures on substrate processing, has excellent cooling performance (temperature control) using a heat transfer medium, and is easy to detach and attach to a substrate corresponding to a mass production apparatus. It is an object of the present invention to provide a used substrate processing apparatus.
  • the invention described in claim 1 is a processing chamber, a tray holder for holding a substrate tray for holding a substrate, a gas introduction part for introducing a process gas into the processing chamber, and an exhaust for exhausting the processing chamber.
  • a substrate processing apparatus for processing the substrate wherein the substrate tray includes a tray body and a substrate support plate including a substrate support portion that supports the substrate, The tray main body holds the substrate so that the substrate main body holds the substrate support plate by a magnetic force, and a substrate holding portion that holds the peripheral edge of the substrate so that a portion to be processed of the substrate is exposed. And a magnet disposed outside the unit, wherein the substrate tray is held by the tray holder via a seal member.
  • a clamp ring that clamps a peripheral portion of the tray main body is provided, and the lower surface of the tray main body and the tray holder are pressed by the clamp ring.
  • the tray main body support surface is sealed by the seal member.
  • the clamp ring is disposed so as to clamp a peripheral portion of the tray main body facing the seal member.
  • the invention described in claim 4 is characterized in that, in the invention described in claim 1, the seal member is an O-ring.
  • a gas for introducing a cooling gas into a surface opposite to the processing surface of the substrate is provided in at least one of the tray holder and the substrate support plate.
  • An introduction hole is provided.
  • the invention according to claim 6 is the invention according to claim 1, wherein the magnet is embedded in the tray body, and the tray body has a first diameter smaller than an outer diameter of the substrate.
  • the substrate holding portion is formed by the first opening, the second opening, and the ring surface, and the ring surface and the substrate support portion The substrate is sandwiched and the position of the substrate is regulated by the second opening.
  • the invention according to claim 7 is the invention according to claim 1, characterized in that a yoke is embedded in the tray body.
  • the invention according to claim 8 is characterized in that, in the invention according to claim 1, the tray body is formed of a non-magnetic material.
  • the tray main body is held by the magnetic force by the substrate support plate, and the substrate is held by the substrate holding portion and the substrate support portion. It has the effect of suppressing the influence of objects, being excellent in the cooling performance (temperature control) by the heat transfer medium, and being able to easily attach and detach the substrate corresponding to the mass production apparatus. Further, according to the invention described in claim 1 of the present application, since the substrate tray is held by the tray holder via the seal member, there is no leakage of cooling gas between the substrate tray and the tray holder, Since the leakage path is limited between the substrate tray and the substrate, there is an effect that the cooling performance (temperature control) is excellent.
  • the bottom surface of the tray body and the tray body support surface of the tray holder are sealed by the sealing member by pressing the clamp ring that clamps the peripheral portion of the tray body. Since there is no leakage of cooling gas between the tray and the tray holder and the path through which the cooling gas leaks is limited between the substrate tray and the substrate, there is an effect that the cooling performance (temperature control) is excellent.
  • the clamp ring is arranged so as to clamp the peripheral portion of the tray body facing the seal member, the substrate tray protrudes upward with the seal member as a fulcrum. Since the distance between the substrate tray and the tray holder does not increase, the cooling performance (temperature control) is excellent.
  • a gas introduction hole for introducing a cooling gas is provided on at least one of the tray holder and the substrate support plate on the surface opposite to the processing surface of the substrate, whereby the substrate is There is an effect that it can be efficiently cooled.
  • the substrate holding portion has a first opening portion having a first diameter smaller than the outer diameter of the substrate, a ring surface extending outward from the first opening portion, The substrate holding portion is formed by the second opening portion connected to the first opening portion by the ring surface and having a second diameter larger than the outer diameter of the substrate, thereby holding the substrate more securely.
  • the substrate tray can be thinned by embedding the yoke in the tray body, there is an effect that the burden on the transport system such as the transport robot can be reduced.
  • the tray body by forming the tray body from a non-magnetic material, there is an effect that it is possible to suppress the action of the magnetic force lines to the plasma processing space when the magnetic force lines leak from the yoke. .
  • the sputtering apparatus includes an LL chamber (load lock chamber) 1 and an SP chamber (sputter chamber) 2 that are connected to each other via a gate valve 11.
  • the SP chamber 2 of the sputtering apparatus includes a processing chamber 21, a tray holder 4 that holds a substrate tray 3 that holds a substrate S, and a target holder 5 that holds a target T for depositing sputtered particles on the substrate S. And.
  • the tray holder 4 and the target holder 5 are disposed in the processing chamber 21.
  • the tray holder 4 can be moved up and down by an up-and-down mechanism 41, adjusts the distance between the target T and the substrate S (hereinafter referred to as T / S distance), and carries in and out the substrate tray 3 holding the substrate S.
  • T / S distance the distance between the target T and the substrate S
  • the vertical mechanism 41 can move up and down.
  • the vertical mechanism 41 is used for the T / S distance and the substrate tray 3 for loading and unloading.
  • a cooling water channel (not shown) for cooling the tray holder 4 is provided inside the tray holder 4 so that the cooling water can circulate.
  • the tray holder 4 is made of a material such as Cu (copper) having good thermal conductivity, and functions as an electrode (anode electrode). As shown in FIGS.
  • the tray holder 4 includes a cooling gas with respect to the gap between the substrate S and the substrate tray 3 and the gap between the substrate tray 3 and the tray holder 4.
  • a cooling gas introduction path 42 is provided for introducing gas.
  • a cooling gas which is a heat transfer medium between the substrate S and the substrate tray 3 and between the substrate tray 3 and the tray holder 4
  • an inert gas such as Ar (argon) is used.
  • the end (lower part) 31a of the tray main body 31 of the substrate tray 3 is connected to the end of the tray holder 4 (for example, an O-ring) ( It is held by the upper end 4a.
  • the O-ring 80 is not provided, the contact portion between the tray body 31 and the tray holder 4 (portion 81 in FIGS. 2A and 2C) and the contact portion between the tray body 31 and the substrate S (portion 82 in FIGS. 2A and 2C). It is assumed that the cooling gas leaks from the gap. As a result, the pressure of the cooling gas in the space formed between the tray body 31 and the tray holder 4 is unlikely to increase. Furthermore, since the path through which the cooling gas leaks is not limited between the substrate tray and the substrate, it is difficult to improve the cooling performance (temperature control).
  • the O-ring 80 By installing the O-ring 80, there is no leakage of cooling gas from the contact portion between the tray body 31 and the tray holder 4 (portion 81 in FIGS. 2A and 2C), and the path through which the cooling gas leaks is the tray body 31 and the substrate. It is limited to the contact portion with S (portion 82 in FIGS. 2A and 2C). As a result, when the cooling gas is introduced, the pressure of the cooling gas in the space between the tray main body 31 and the tray holder 4 tends to increase, and the cooling performance (temperature control) is improved.
  • FIGS. 2A, 2C, and 2E show an example in which an accommodation groove is provided in the end (upper end) 4a of the tray holder 4 and an O-ring is accommodated in the accommodation groove, but the tray main body 31 of the substrate tray 3 is shown. Even if a sealing member such as a carbon sheet or Teflon (registered trademark) is provided between the end portion (lower portion) 31a of the tray and the end portion (upper end) 4a of the tray holder 4, the same effect can be obtained.
  • the sealing member may be other than the O-ring as long as it can seal the gap between the substrate tray 3 and the tray holder 4.
  • FIGS. 2A, 2C, and 2E show an example in which an accommodation groove is provided in the end (upper end) 4a of the tray holder 4 and an O-ring is accommodated in the accommodation groove.
  • An accommodation groove may be provided in the lower end 31a, and an O-ring may be accommodated in the accommodation groove.
  • the clamp ring 6 is fixed to a clamp ring support rod 61.
  • a clamp ring vertical drive mechanism 62 is attached to the clamp ring support rod 61, and the clamp ring 6 can be moved up and down by the clamp ring vertical drive mechanism 62.
  • the substrate tray 3 is clamped to the tray holder 4 around the substrate tray 3 by the clamp ring 6.
  • the clamping of the substrate tray 3 by the clamp ring 6 can be performed, for example, by moving the clamp ring up / down mechanism 62 up and down so that the clamp ring 6 contacts the substrate tray 3.
  • the clamp ring 6 is preferably arranged so as to clamp the peripheral portion of the tray body 31 facing the seal member 80.
  • the target holder 5 is made of a metal member and functions as an electrode (cathode electrode).
  • the target holder 5 is held by an insulator (not shown) and is electrically insulated from the processing chamber 21.
  • a high frequency power source 52 is connected to the target holder 5 via a matching machine (M. Box) 51 for performing impedance matching, and high frequency power can be applied to the target holder 5 from the high frequency power source 52.
  • a DC power source may be connected to the target holder 5 and DC power may be applied to the target T according to the type of the target T or the like.
  • the processing chamber 21 is provided with a gas introduction unit 6 for introducing a process gas (for example, an inert gas such as argon and oxygen).
  • the gas introducing unit 6 may be provided with, for example, 61 and a reactive gas (for example, oxygen) introducing unit 62 for introducing a sputtering gas (for example, Ar).
  • the exhaust chamber 7 is provided in the processing chamber 21 via a conductance valve.
  • the exhaust unit 7 includes, for example, a first exhaust system 71 in which a TMP (turbo molecular pump) and a cryopump for exhausting the processing chamber 21 are used, and an RP (rotary pump) for reducing the back pressure of the TMP.
  • a second exhaust system 72 composed of The first exhaust system 71 and the second exhaust system can be connected via a first valve 73.
  • a third exhaust system 74 made of RP (rotary pump) is connected to the processing chamber 21 via a second valve 75.
  • a pressure gauge 8 for example, a diaphragm gauge for measuring the pressure in the processing chamber is connected to the processing chamber 21.
  • Plasma is formed in the space between the target T and the substrate tray 3 by the power applied to the target holder 5 during the film forming operation.
  • a space surrounded by the target T, the tray holder 4 that holds the substrate tray 3, and the wall of the processing chamber 21 is referred to as a “process space”.
  • a shield (not shown) may be installed on the wall of the processing chamber 21.
  • the LL chamber 1 is connected to a fourth exhaust system composed of a pump 12 such as RP (rotary pump) capable of exhausting from atmospheric pressure via a third valve 13 and has a vent mechanism (not shown). ing.
  • the LL chamber 1 is used to carry the substrate tray 3 holding the substrate S into and out of the SP chamber 2.
  • the substrate tray 3 includes a tray main body 31 and a substrate support plate 32 including a substrate support portion 32b that supports the substrate S.
  • the substrate support plate 32 is a magnetic plate.
  • An opening 36 is formed in the tray body 31.
  • the tray main body 31 includes a substrate holding portion 35 that holds the peripheral end portion of the substrate S at the end of the opening 36.
  • the opening 36 includes a first opening 36a having a first diameter smaller than the outer diameter of the substrate S, a ring surface 36r extending from the first opening 36a, and the first opening 36a by the ring surface 36r.
  • the substrate holding part 35 includes a first opening 36a, a second opening 36b, and a ring surface 36r.
  • the substrate S is sandwiched between the ring surface 36r of the substrate holding portion 35 and the substrate support portion 32b of the substrate support plate 32.
  • the position of the substrate S is regulated by the second opening 36b having a second diameter larger than the outer diameter of the substrate S.
  • substrate S is hold
  • the substrate support plate 32 is made of a magnetic material.
  • the magnetic material constituting the substrate support plate 32 stainless steel that does not easily rust is preferable, and specifically, SUS430 is preferable. Since the substrate tray 3 is taken out into the atmosphere, it is important to have not only a magnetic material but also rust prevention.
  • a magnet 33 can be disposed outside the substrate holding portion 35 in order to hold the substrate support plate 32 on the tray body 31.
  • a plurality of single-sided, two-pole magnets 33 are embedded in the tray body 31. The reason why the single-sided and double-pole magnets are used is that the attracting force for holding the substrate support plate 32 on the tray body 31 is stronger than that of the single-sided and single-pole magnets, and magnetic field leakage to the process space can be suppressed. This point will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.
  • FIG. 3A is an explanatory diagram of a configuration example in which two sets of single-sided and two-pole magnets 33 are embedded in the tray body 31, and FIG. 3B is an explanatory diagram of a configuration example in which two sets of single-sided and one-pole magnets 33 are embedded in the tray body 31.
  • the leakage magnetic field generated in the process space is smaller than that in the case of the single-sided monopole magnet 33. Therefore, there is a technical significance that the thickness of the yoke 34 that suppresses magnetic field leakage to the process space, which will be described later, can be reduced, and the weight of the substrate tray 3 can be reduced.
  • the N pole and the S pole are arranged at adjacent positions.
  • the magnetic field lines 33a generated from the N pole are attracted to the adjacent S pole and try to close.
  • the leakage magnetic flux density on the tray surface is small.
  • the configuration example of FIG. 3B the N pole and the S pole are separated compared to the configuration example of FIG. 3A.
  • the lines of magnetic force 33b generated from the N pole are attracted to the S pole as in the configuration example of FIG. 3A and try to close.
  • the magnetic field lines 33b are closer to the tray surface than the configuration example of FIG.
  • the generated magnetic flux density tends to increase.
  • a yoke 34 is installed on the process space side of the magnet 33, and magnetic field leakage to the process space is suppressed.
  • the material of the yoke 34 may be any material having a high magnetic permeability in order to suppress leakage of the magnetic field into the process space.
  • SUS430 is preferably used.
  • adhesion with an adhesive specifically, an epoxy-based adhesive
  • Any other fixing method for example, screwing
  • the surface without the yoke 34 is in contact with the substrate support plate 32 and is configured to be detachable from the tray body 31.
  • the surface without the yoke 34 is not necessarily in contact with the substrate support plate 32, and the tray main body 31 and the substrate support plate 32 are caused by the attractive force between the substrate support plate 32 and the magnet 33. And the substrate S may be held.
  • the substrate support plate 32 has a plurality of through holes 32a penetrating from the tray holder 4 side of the substrate support plate 32 to the substrate S side, and the cooling gas passes between the substrate support plate 32 and the substrate S through the through holes 32a.
  • the heat transfer coefficient between the substrate S and the substrate support plate 32 can be improved.
  • the cooling gas is introduced into the gap d ⁇ b> 1 between the tray holder 4 and the substrate support plate 32 through the cooling gas introduction path 42 opened in the substrate holding surface 43 of the tray holder 4 that holds the substrate tray 3. This cooling gas improves the heat transfer efficiency from the substrate S to the substrate support plate 32, and from the substrate support plate 32 to the tray holder 4, so that the cooling efficiency of the substrate S increases.
  • the tray main body 31 may be formed of a nonmagnetic material, but the tray main body 31 may be formed of a magnetic material to suppress a leakage magnetic field to the process space. However, if the tray body 31 is made of a magnetic material, the weight increases, so that the burden on a tray transfer device such as a robot for transferring the substrate tray 3 increases. It is also possible to form the entire tray body 31 from a nonmagnetic material and omit the yoke 34. In order to omit the yoke 34 and suppress the leakage magnetic field to the process space, the tray body 31 may be thickened. However, when the tray body 31 is thickened, the weight of the substrate tray 3 increases.
  • the tray body 31 is made of a nonmagnetic material, and the yoke 33 is provided between the magnet 33 and the tray body 31 of the nonmagnetic material.
  • the nonmagnetic material used for the tray body 3 is preferably a lightweight material, and Ti (titanium), carbon, alumina, ceramics, Mg alloy, Al, Al alloy, and the like can be used. Of these, Ti (titanium), carbon, and alumina are excellent in heat resistance, and are particularly desirable when the amount of heat flowing into the tray is high, such as a high-power sputtering film forming apparatus.
  • FIG. 5 shows an arrangement example of the magnet 33.
  • Three magnets 33 each having one pole on each side are arranged around the substrate S, and three magnets 33 are arranged in a rotationally symmetrical manner with respect to the substrate S.
  • the magnet 33 has a thin cylindrical shape, and has an N pole and an S pole on a circular surface.
  • the boundary line between the N pole and the S pole of the magnet 33 is arranged so as to be directed to the center of the substrate S. This is most preferable because the substrate S can be held in a well-balanced manner.
  • the arrangement of the plurality of magnets 33 for holding the substrate S in a well-balanced manner is not limited to this.
  • one single-sided dipole magnet 33 is composed of three rotation targets, that is, three magnets 33.
  • one single-sided dipole magnet may be rotated at two locations, that is, two magnets.
  • the magnet may not be arranged so that the boundary line between the N pole and the S pole of the magnet 33 is approximately directed to the center of the substrate S.
  • the magnet may be not only a circular one but also a rod shape, an arc shape, or the like.
  • the adsorption force to the substrate support plate 32 is increased, and the substrate holding performance is excellent. Further, since the single-sided dipole magnet 33 is used, leakage of the magnetic field to the surface of the substrate tray 3 can be reduced while maintaining the substrate holding performance.
  • the magnetic flux leakage density on the surface of the substrate tray 3 is reduced by the presence of the yoke 34, it is preferably reduced to such an extent that the leakage magnetic field strength does not cause an abnormal discharge that affects the film formation. It is desirable from the viewpoint of improving the film forming characteristics.
  • FIG. 6 shows the relationship between the thickness of the yoke 34 and the leakage magnetic flux density on the surface of the tray main body 31.
  • the relationship between the yoke thickness and the leakage magnetic flux density on the surface of the tray main body 31 is as shown by a curve 201.
  • the leakage magnetic flux density is 130 Gauss
  • the leakage magnetic flux density is 30 Gauss.
  • a discharge trace can remain on the tray surface, but in the region where the leakage magnetic flux density is 100 Gauss or less, no discharge trace remains.
  • the yoke thickness is 0.3 mm and the leakage magnetic flux density is 130 Gauss, a discharge trace is generated on the tray surface.
  • the yoke thickness is 0.6 mm and the leakage magnetic flux density is 30 Gauss, no discharge trace is seen on the tray surface. It was.
  • FIG. 9A and 9B show a case where eight substrates S are held using the substrate tray 3 of the present embodiment.
  • the substrate support plate 32 functioning as a substrate pressing ring is integrally formed so that eight substrates S can be held.
  • FIG. 9B the substrate support plate 32 that functions as a substrate pressing ring is formed for every eight substrates S.
  • the leakage magnetic flux density was measured directly above the magnet 33 and between the magnet 33 and the magnet 33. As the yoke 34 is thicker, the leakage magnetic field is reduced. In order not to cause an undesirable discharge on the tray surface for film formation, a region where the leakage magnetic field is 100 gauss or less is preferable.
  • the leakage magnetic flux density on the surface of the tray main body 31 was evaluated by measuring the horizontal magnetic flux density at a point where the vertical magnetic flux density is approximately 0 gauss on the tray surface.
  • the vertical magnetic flux density between the north and south poles of the magnet 33 when viewed from the top of the tray is approximately 0 gauss.
  • the horizontal magnetic flux density on the tray surface was evaluated by measuring with a gauss meter. A 5180 Gauss meter manufactured by Toyo Technica was used as the Gauss meter. The magnetic flux density was measured in a state where the sapphire substrate S was held by the substrate support plate 32 at room temperature. As shown in FIGS. 10A and 10B, when the single-sided dipole magnets 33 are embedded in the tray body 31 at equal intervals of 120 degrees every three sets, one single-sided dipole magnet 33 when viewed from the top surface of the tray.
  • FIG. 7 shows the relationship between the substrate temperature and the gap dimension d1 between the back surface of the substrate tray 3 (ie, the back surface of the substrate support plate 32 of the substrate tray 3) and the tray holder 4.
  • the substrate temperature is desirably 100 ° C. or lower. From the experimental results, the substrate temperature was about 90 ° C. when the gap dimension d1 was 0.15 mm. As the gap dimension d1 increased to 0.7 mm, the substrate temperature rose to about 150 ° C. Thereafter, the substrate temperature increased as the gap dimension d1 increased, and increased to about 190 ° C. at 2.5 mm. From this experimental result, as shown in FIG.
  • the gap dimension d1 at which the substrate temperature becomes 100 ° C. or less is 0.3 mm or less. Therefore, the gap d1 between the substrate support plate 32 and the tray holder 4 should be small in order to enhance the cooling effect.
  • the distance d1 between the substrate support plate 32 and the tray holder 4 is desirably 0.3 mm or less. This point will be described with reference to FIG. 2C.
  • the cooling gas (Ar) is introduced to the back side of the substrate S through the cooling gas introduction hole 42 and the through hole 32a.
  • the end (lower end) 31a of the tray body 31 and the end (upper end) 4a of the tray holder 4 are used. Is preferably fixed so as to obtain high airtightness.
  • the central portion 31b of the tray main body 31 and the central portion 4b of the tray holder 4 need only have a gap that allows the cooling gas (Ar) to be introduced into the back side of the substrate S. From the above points, the gap d1 between the substrate support plate 32 and the tray holder 4 is desirably 0.3 mm or less.
  • the cooling gas diffuses into the process space in the SP chamber 2, so that the end portion 31 a is mounted with the substrate support plate 32 mounted on the tray body 31.
  • the minimum value of d1 only needs to be determined so that the dimension takes into account the design tolerances necessary to eliminate the protruding portion.
  • Ar argon
  • He helium
  • hydrogen may be used as the cooling gas, but other cooling gas such as He (helium) or hydrogen may be used.
  • the placement of the substrate S and the substrate support plate 32 on the substrate tray 3 can be automatically performed by a robot.
  • the cassette 102 is transported to the substrate take-out position 105 by the belt conveyor 104.
  • the substrate lift mechanism 106 is raised from below, and all the substrates S are lifted up.
  • the back surface of the substrate S is sucked and held by the vacuum chuck by a six-axis robot 107 having a vacuum chuck mechanism (not shown).
  • the center of the substrate S and the orientation flat are positioned.
  • the substrate tray 3 loaded in the tray load ports 108a and 108b is sucked and held by a six-axis robot 110 having a vacuum chuck mechanism (not shown), and the substrate S and the substrate support plate 32 is transported to a table 111 for installation. At that time, the center and positioning of the substrate tray 3 are also performed.
  • the substrate S held by the 6-axis robot 107 is placed on the substrate tray 3 placed on the table 111 so that the surface on which the film is formed faces down.
  • the substrate support plate 32 for holding the substrate S is held by the arm 113, and is placed on the substrate tray 3 on which the substrate S has already been placed.
  • the six-axis robot 110 sucks and holds the back surface of the substrate tray 3 and turns the substrate tray 3 upside down so that the film formation surface is up. It is conveyed to the load port 114 of the processing apparatus.
  • the substrate support plate 32 and the substrate S are removed in the reverse procedure to the above, and when the substrate S is finally loaded into the substrate cassette 102, the belt conveyor 104 performs cassette cassette removal.
  • the unloading port 103a can be transported and collected.
  • the substrate tray 3 to which the substrate S is attached is transferred to the LL chamber 1.
  • the LL chamber 1 is exhausted to the low vacuum region. After the exhaust is completed, the substrate tray 3 is transported from the LL chamber 1 to the SP chamber 2 and fixed by the clamp ring 6 and the tray holder 4.
  • the SP chamber 2 is evacuated to a high vacuum region, and then SP (sputtering) processing is performed.
  • the SP treatment is performed until a predetermined time elapses after power is supplied to the target holder 5 after introducing a process gas, for example, a mixed gas of Ar and O2 into the SP chamber 2 to bring the SP chamber 2 to a predetermined pressure.
  • the gap d1 between the back surface of the substrate tray 3 and the tray holder 4 through the cooling gas introduction path 42 in the tray holder 4 (of the two surfaces of the substrate support plate 32 of the substrate tray 3 opposite to the substrate holding surface) The cooling gas is introduced into the gap between the surface of the tray holder 4 and the tray holder 4.
  • the cooling gas is further introduced into the space between the substrate S and the substrate support plate 32 through the gap d1 through the through hole 32a provided in the substrate support plate 32 of the substrate tray 3.
  • Film formation is performed while the substrate S is cooled by the introduced cooling gas. After the film formation is completed, the supply of power, additive gas, and cooling gas is stopped, the substrate tray 3 is transferred from the SP chamber 2 to the LL chamber 1, vented in the LL chamber 1, and the substrate tray 3 is taken out. .
  • FIG. 11 shows a state of the surface side of the substrate tray in the film forming apparatus. In the substrate tray shown in FIG. 11, as a result of optimizing the thicknesses of the magnet 33 and the yoke 34 in order to reduce the leakage magnetic flux density, no discharge trace was confirmed.
  • the substrate support plate is held on the tray body by magnetic force, and the substrate is held by the substrate holding part and the substrate support part, thereby suppressing the generation of particles and the influence of the structure on the substrate processing.
  • the cooling performance (temperature control) by the heat transfer medium is excellent, and there is an effect that the substrate can be easily attached and detached in correspondence with a mass production apparatus.
  • the substrate tray is held by the tray holder via the seal member, there is no leakage of cooling gas between the substrate tray and the tray holder, and the path through which the cooling gas leaks is limited between the substrate tray and the substrate. Therefore, there is an effect that the cooling performance (temperature control) is excellent.
  • the cooling performance (temperature control) is excellent. Since the clamp ring is arranged so as to clamp the periphery of the tray body facing the seal member, the substrate tray is warped so that it protrudes upward with the seal member as a fulcrum, and between the tray body and the tray holder Therefore, the cooling performance (temperature control) is excellent.
  • a substrate having a first opening having a first diameter smaller than the outer diameter of the substrate, and a second opening having a second diameter connected to the first opening and larger than the outer diameter of the substrate.
  • the substrate support plate 32 can be made thin by embedding the yoke together with the magnet in the tray body, there is an effect that the substrate cooling performance can be improved.
  • the magnetic force line acts to the plasma processing space when the magnetic force line leaks from the yoke. There is an effect that can be suppressed.
  • the formation of the tray body with a non-magnetic material has an effect that it is possible to suppress the action of the magnetic force lines to the plasma processing space when the magnetic force lines leak from the yoke.
  • the tray body can be made light by forming the tray body from Ti (titanium), carbon or alumina, the burden on the transfer system such as a transfer robot can be reduced. Furthermore, by forming the tray body from Ti (titanium), carbon, or alumina, the substrate tray can be made excellent in heat resistance, so that the heat flow from the plasma to the substrate tray is particularly large. There is an effect that it is suitable for power sputtering film formation.
  • both N-pole and S-pole magnets are obtained. Since the magnetic poles can be directed toward the substrate support plate, there is an effect that the adsorption force to the substrate support plate is increased and the substrate holding performance can be improved. Furthermore, by using a single-sided dipole magnet, there is an effect that leakage of the magnetic field to the tray surface can be reduced while maintaining the substrate holding performance.
  • the thickness of the yoke so that the magnetic flux density is 100 gauss or less on the surface of the tray main body on the processing surface side of the substrate, it is possible to suppress the occurrence of abnormal discharge on the substrate processing apparatus. effective.
  • the substrate holding performance can be improved.
  • the substrate can be efficiently cooled by providing the tray holder and the substrate support plate with gas introduction holes for introducing the cooling gas to the surface opposite to the processing surface of the substrate. .
  • a gap d1 of 0.3 mm or less is provided between the substrate support plate and the substrate support portion of the tray holder, and a heat transfer medium (cooling gas) is allowed to flow through the gap d1, thereby improving the cooling performance of the substrate.
  • a heat transfer medium cooling gas
  • the temperature of the substrate can be further reduced by setting the gap between these portions to be 0.3 mm or less.
  • a temperature that does not cause damage that is, 100
  • a film can be formed at a temperature of less than or equal to ° C.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

基板トレイが、トレイ本体と、基板を支持する基板支持部を含む基板支持板と、を備え、トレイ本体が、基板の処理すべき部分が露出するように前記基板の周端部を保持する基板保持部と、磁力によって前記基板支持板を前記トレイ本体が保持するように、前記基板保持部よりも外側に配置された磁石と、を含み、基板トレイが、シール部材を介してトレイホルダーによって保持される基板処理装置。

Description

基板処理装置
　本発明は、スパッタリング、ＣＶＤやエッチングなどの処理を被処理基板に対して行う真空処理装置などの基板処理装置、特に、基板処理装置において被処理基板を保持しながら搬送するための基板トレイを用いた基板処理装置に関するものである。
　真空処理装置では、生産性を高めるために複数枚の基板を処理室に同時に搬送して処理するために、または、装置構成を変更することなく外形寸法の異なる基板を処理するために、基板を保持し搬送できる基板トレイが用いられている。
　図１２Ａ－１２Ｃは従来の基板トレイの第１の例を示す（特許文献１参照）。図１２Ａ－１２Ｃには、小さい基板を保持するためのザグリ７０２を具備し、皿形状をしている基板トレイ７０１が示されている。図１２Ａ－１２Ｃ記載の保持トレイ７０１により、８インチ、６インチといった小さい基板も直径１２インチ用基板処理装置に設置できるようになる。
　図１３Ａ、１３Ｂは従来の基板搬送用トレイの第２の例を示す（特許文献２参照）。図１３Ａ、１３Ｂには、凹部８０２を有し熱伝導性に優れた物質からなるトレイ本体８０１の一部表面を、絶縁性を有するとともに柔軟性を有する物質８０５で構成した基板トレイ８０１が示されている。図１３Ａ、１３Ｂにおいて、８０３は突き上げ用ピンが通る貫通孔、８０４は基板を吸着するための貫通孔、８０６は耐蝕性または耐スパッタリング性を有する物質である。図１３Ａ、１３Ｂ記載の基板搬送用トレイによれば、基板とトレイ本体８０１との間の密着性および熱伝導性を良くし、基板の温度を均一にすることにより回路パターンの線幅などのばらつきを小さくすることが可能となる。
　また、成膜装置などの真空処理装置では、処理内容に応じて処理中の基板の温度管理を行なう必要がある。このため、基板や基板トレイを保持するホルダーを、冷却水などを使う温度制御手段で温度制御し、このホルダーとの熱伝達により基板の温度管理を行う技術が一般に用いられている。
　しかし、真空では、大気中よりも、部品と部品との微小な隙間において熱伝達効率が悪化する。このため真空処理装置、特にスパッタリング装置などのプロセス圧力の低い装置では、成膜などの真空処理中の基板の温度管理を行うために、例えば、基板の裏面やトレイの裏面に冷却ガスなどの熱伝達媒体を供給する方法などによって、温度調整されたホルダーと基板との間の熱伝達効率を改善する必要がある。
　図１４は従来の基板搬送用トレイの第３の例を示す（特許文献３参照）。図１４には、基板載置面に、基板Ｓの外形に対応した少なくとも１個の凹部９１１が形成され、この凹部９１１の底面に配置された環状のシール手段９０２と、凹部９１１に落とし込むことで設置される基板Ｓの外周縁部をシール手段９０２に対して押圧する押圧手段９０３とを備えた基板搬送用トレイ９０１が開示されている。更に、図１４記載の基板搬送用トレイ９０１では、凹部９１１に通じる少なくとも１本のガス通路９１３ａ、９１３ｂが開設され、シール手段９０２として機能するＯリング９０２が、凹部９１１の底面９１１ａに形成され、Ｏリング９０２の線径より大きな幅を有する環状溝９１２に設置されている。なお、図１４において、Ｂはボルト、Ｓは基板、９１１ｂは基板Ｓ裏面と凹部９１１底面との間の空間、９３１は中央開口である。
　図１５は、基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置し、トレイを高効率で冷却するプラズマ処理装置の第４の例を示す（特許文献４参照）。図１５のプラズマ処理装置は、トレイ６１５の下面６１５ｃとトレイ支持面６２８との間の空間をクランプリング６００による押し付けにより、Ｏリング６０６，６０７Ａ～６０７Ｂによって密閉されるようになっている。尚、図１５において、６１５ａはトレイ本体、６１５ｂは上面、６１５ｃは下面、６１５ｄは孔壁、６１５ｅは位置決め切欠、６１９Ａ～６１９Ｄは基板収容孔、６２１は基板支持部、６２１ａは上面、６２１ｂは先端面、６２３は誘電体板、６２５はスペーサ板、６２６はガイド筒体、６２７はアースシールド、６２８はトレイ支持面、６２９Ａ～６２９Ｄは基板載置部、６３１は基板載置面、６３６は円形開口、６４３は直流電圧印加機構、６４４は供給孔、６４５は伝熱ガス供給機構、６００はクランプリング、６０４，６０５Ａ～６０５Ｄは収容溝、６０６，６０７Ａ～６０７ＤはＯリング、６０８Ａ，６０８Ｂは供給孔である。
特開２００８－０２１６８６号公報 特開２００２－３１３８９１号公報 特開２０１０－１７７２６７号公報 特開２０１０―２２５７７５号公報
　しかし特許文献１のような基板を置くだけで固定しない基板トレイ７０１では、質量を軽くできる利点はあるが、搬送中に基板が移動してしまう懸念がある。特許文献２では、レジストマスクを形成したＬａＴｉＯ３などからなる基板をトレイ本体８０１の凹部８０２に乗せている。トレイ本体８０１の凹部８０２に設けた物質８０５は、絶縁性を有するとともに柔軟性を有するため、その絶縁性により基板がトレイ本体８０１と絶縁され、基板に帯電した静電気により基板がトレイ本体８０１に静電気力により引きつけられ固定される。しかし、特許文献２の基板トレイにおいても、基板がトレイ本体８０１に静電気力により引きつけられ固定されるためには、基板がＬａＴｉＯ３などからなる強誘電体であり、かつ電界が加えられてその基板表面が帯電し静電気が発生する必要があるため、装置に高周波電力を印加する基板処理においてはじめて基板はトレイ本体８０１に固定されるのであり、基板処理前の搬送中に基板が移動してしまうという問題を解決するものではなく、また基板が強誘電体ではない場合には効果がないという問題があった。
　また、成膜などの真空処理中の基板温度管理をおこなうためには、基板の裏面に熱伝達媒体を封止する必要がある。
　特許文献３ではボルトＢで基板Ｓを基板トレイ９０１に対して押圧し基板Ｓ裏面に熱伝達媒体を封止することができるので、基板の温度制御性能を改善できる利点があり、基板の処理前の搬送中に基板が移動してしまうという問題もない。しかし、特許文献３では、押圧手段９０３は、基板トレイ９０１の凹部９１１の外周に形成したねじ孔にボルトＢを螺着することで取付けられている。そのため、ボルトＢに膜が形成されると、その膜が剥れて、パーティクルの原因となるという課題があった。また、構造物があるため、成膜などの基板処理時に影響（例えば、処理の不均一性）が出ることがあった。そしてボルトＢを螺着するために基板トレイ９０１のねじ孔に相応の深さが必要なことから基板トレイ９０１が厚くなってしまうので、基板トレイ９０１の熱抵抗が大きくなるという問題がある。基板Ｓ裏面に熱伝達媒体を封止しても、基板トレイ９０１の熱抵抗が大きければ、真空処理中に、基板Ｓに流入する熱を、基板Ｓを保持した基板トレイ９０１を載置するための温度制御された基板ホルダー（図示なし）に対して伝えにくくなる。従って、十分な基板の温度制御性能が得られないという問題があった。
　また、特許文献３では、基板Ｓの脱着のためにはボルトＢを外さなければならない。しかし、量産装置では、基板Ｓの脱着のためにボルトＢを外したり締めたりするためには脱着装置の構成が複雑となるため基板Ｓの脱着を容易に行う事が出来ないことが問題であった。
　また、特許文献４では、トレイ６１５の下面６１５ｃとトレイ支持面６２８との間の空間は、Ｏリング６０６，６０７Ａ～６０７Ｂによって密閉されているので、熱伝達媒体による冷却性能（温度制御）には優れている。しかし、基板６０２は、トレイ６１５の厚み方向に貫通する基板収容孔６１９Ａ～６１９Ｄに基板に収容されているだけなので、搬送中に基板６０２が移動してしまう懸念がある。更に、特許文献４では、基板６０２は個々の基板載置部６２９Ａ～６２９Ｄの基板載置面６３１に直接載置され、かつ静電吸着されている。そのため、基板６０２がガラス基板の場合、基板の吸着・離脱に大幅に時間を要することが懸念される。
　本発明は、例えば、パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響を抑制し、熱伝達媒体による冷却性能（温度制御）に優れ、さらに量産装置に対応し基板の脱着が容易な基板トレイを用いた基板処理装置を提供することを目的とするものである。
　請求項１記載の発明は、処理室と、基板を保持する基板トレイを保持するためのトレイホルダーと、前記処理室内にプロセスガスを導入するためのガス導入部と、前記処理室内を排気するための排気部と、を有し、前記基板を処理するための基板処理装置であって、前記基板トレイは、トレイ本体と、前記基板を支持する基板支持部を含む基板支持板と、を備え、前記トレイ本体は、前記基板の処理すべき部分が露出するように前記基板の周端部を保持する基板保持部と、磁力によって前記基板支持板を前記トレイ本体が保持するように、前記基板保持部よりも外側に配置された磁石と、を含み、前記基板トレイは、シール部材を介して前記トレイホルダーによって保持されることを特徴とする。
　請求項２記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記トレイ本体の周辺部をクランプするクランプリングが設けられており、前記クランプリングによる押し付けにより、前記トレイ本体の下面と前記トレイホルダーのトレイ本体支持面とが前記シール部材により封止されることを特徴とする。
　請求項３記載の発明は、請求項１記載に記載の発明において、前記クランプリングは、前記シール部材と対向する前記トレイ本体の周辺部をクランプするように配置されることを特徴とする。
　請求項４記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記シール部材が、Ｏリングであることを特徴とする。
　請求項５記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記トレイホルダー及び前記基板支持板の少なくとも一方には、前記基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するための、ガス導入孔が設けられていることを特徴とする。
　請求項６記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記磁石は、前記トレイ本体に埋設されており、前記トレイ本体には、前記基板の外径より小さい第１の径を有する第１の開口部と、前記第１の開口部から外側に延びたリング面と、前記リング面によって前記第１の開口部と接続されており前記基板の外径より大きな第２の径を有する第２の開口部とが設けられていて、前記基板保持部は、前記第１の開口部、前記第２の開口部および前記リング面により形成されており、前記リング面と前記基板支持部とで前記基板を挟持し、前記第２の開口部によって前記基板の位置を規制することを特徴とする。
　請求項７記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記トレイ本体には、ヨークが埋設されていることを特徴とする。
　請求項８記載の発明は、請求項１記載の発明において、前記トレイ本体が、非磁性材料で形成されていることを特徴とする。
　本願の請求項１記載の発明によれば、基板支持板を磁力によりトレイ本体が保持し、基板保持部と、基板支持部とで基板を保持することにより、パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響を抑制し、熱伝達媒体による冷却性能（温度制御）に優れ、さらに量産装置に対応し基板の脱着を容易することができるという効果がある。また、本願の請求項１記載の発明によれば、基板トレイは、シール部材を介してトレイホルダーによって保持されるので、基板トレイとトレイホルダーとの間の冷却ガスもれがなく、冷却ガスが漏れる経路が基板トレイと基板との間に限定されるので、冷却性能（温度制御）に優れるという効果がある。
　本願の請求項２記載の発明によれば、トレイ本体の周辺部をクランプするクランプリングの押し付けにより、トレイ本体の下面とトレイホルダーのトレイ本体支持面とがシール部材により封止されるので、基板トレイとトレイホルダー間の冷却ガスもれがなく、冷却ガスが漏れる経路が基板トレイと基板間に限定されるので、冷却性能（温度制御）に優れるという効果がある。
　本願の請求項３又は４記載の発明によれば、クランプリングが、シール部材と対向するトレイ本体の周辺部をクランプするように配置されているので、シール部材を支点に基板トレイが上側に凸になるように反り、基板トレイとトレイホルダーとの間の距離が大きくならないので、冷却性能（温度制御）に優れるという効果がある。
　本願の請求項５記載の発明によれば、トレイホルダー及び基板支持板の少なくとも一方に、基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するためのガス導入孔が設けることにより、基板を効率的に冷却することができるという効果がある。
　本願の請求項６記載の発明によれば、基板保持部を基板の外径より小さい第１の径を有する第１の開口部と、前記第１の開口部から外側に延びたリング面と、前記リング面によって第１の開口部と接続されており前記基板の外径より大きな第２の径を有する第２の開口部とによって基板保持部が形成されることにより、より確実に基板を保持することができるという効果がある。また、磁石がトレイ本体に埋設されることにより基板支持板を薄くできるため、基板冷却性能の向上を図ることができるという効果がある。
　本願の請求項７記載の発明によれば、トレイ本体にヨークを埋設することにより、基板トレイが薄くできるため、搬送ロボットなどの搬送システムの負担を少なくすることができるという効果がある。
　本願の請求項８記載の発明によれば、トレイ本体を非磁性材料で形成することにより、ヨークから磁力線が漏れ出た場合にプラズマ処理空間にまで磁力線が作用するのを抑制できるという効果がある。
　本発明のその他の特徴及び利点は、添付図面を参照とした以下の説明により明らかになるであろう。なお、添付図面においては、同じ若しくは同様の構成には、同じ参照番号を付す。
　添付図面は明細書に含まれ、その一部を構成し、本発明の実施の形態を示し、その記述と共に本発明の原理を説明するために用いられる。
本発明の１つの実施形態の成膜装置を説明するための概略図である。 基板トレイ構造の第１構成例を説明するための概略断面図である。 基板トレイ構造の第１構成例を説明するための概略断面図である。 基板トレイ構造の第２構成例を説明するための概略断面図である。 基板トレイ構造の第２構成例を説明するための概略断面図である。 基板トレイ構造の第１構成例をクランプリングで保持した状態を説明するための概略断面図である。 基板トレイ構造の第１構成例をクランプリングで保持した状態を説明するための概略断面図である。 片面２極磁石と１極磁石を使用した構成例における漏洩磁場を例示的に説明するための図である。 片面２極磁石と１極磁石を使用した構成例における漏洩磁場を例示的に説明するための図である。 本発明の他の実施形態としての基板トレイ構造を説明するための概略断面図である。 基板トレイへの磁石配置図の一例を示す図である。 基板トレイ表面の漏洩磁束密度と放電痕が生じない領域との関係を例示する図である。 基板温度と基板トレイ裏面、すなわち基板トレイの磁性体とホルダーの隙間寸法との関係を例示する図である。 トレイへの基板設置方法の説明図である。 トレイへの基板設置方法の説明図である。 基板トレイを用いて複数枚の基板を保持した状態を例示する図である。 基板トレイを用いて複数枚の基板を保持した状態を例示する図である。 基板トレイ表面の漏洩磁束密度の測定状態を例示する図である。 基板トレイ表面の漏洩磁束密度の測定状態を例示する図である。 基板トレイを用いて基板上に成膜した後の基板トレイの表面状態を例示する図である。 従来の基板トレイの第１の例（特許文献１）を示す図である。 従来の基板トレイの第１の例（特許文献１）を示す図である。 従来の基板トレイの第１の例（特許文献１）を示す図である。 従来の基板トレイの第２の例（特許文献２）を示す図である。 従来の基板トレイの第２の例（特許文献２）を示す図である。 従来の基板トレイの第３の例（特許文献３）を示す図である。 従来の基板トレイの第４の例（特許文献４）を示す図である。
　以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。
　図１を参照して、本発明の１つの実施形態のスパッタリング装置の構成を説明する。該スパッタリング装置は、ゲートバルブ１１を介して連通可能に接続されたＬＬ室（ロードロック室）１とＳＰ室（スパッタ室）２とを含む。スパッタリング装置のＳＰ室２は、処理チャンバ２１と、基板Ｓを保持した基板トレイ３を保持するトレイホルダー４と、スパッタ粒子を基板Ｓ上に成膜するためのターゲットＴを保持するためターゲットホルダー５とを備えている。ここで、トレイホルダー４およびターゲットホルダー５は、処理チャンバ２１内に配置されている。
　トレイホルダー４は上下機構４１により上下に移動可能であり、ターゲットＴと基板Ｓとの距離（以下、Ｔ／Ｓ間距離）を調整したり、基板Ｓを保持した基板トレイ３を搬入および搬出したりする場合に、上下機構４１により上下に移動することができるようになっている。なお、本実施形態ではＴ／Ｓ間距離や基板トレイ３を搬入および搬出について上下機構４１を用いているが、同じ機能を実現する別の機構を用いても構わない。トレイホルダー４の内部にはトレイホルダー４を冷却するための図示しない冷却水路が設けられていて、冷却水が循環できるようになっている。トレイホルダー４は、熱伝導性が良いＣｕ（銅）等の材料で構成され、電極（アノード電極）として機能する。図２Ａ、図２Ｃ、図２Ｅに示すように、トレイホルダー４には、基板Ｓと基板トレイ３との間の隙間、および、基板トレイ３とトレイホルダー４との間の隙間に対して冷却ガスを導入するための冷却ガス導入路４２が設けられている。基板Ｓと基板トレイ３との間、基板トレイ３とトレイホルダー４との間の熱伝達媒体である冷却ガスとしては、例えばＡｒ（アルゴン）などの不活性ガスが使用される。また、図１に示すように、基板トレイ３がトレイホルダー４に載置された場合に基板トレイ３の周縁部、基板トレイ３の裏面、およびトレイホルダー４の表面への成膜を抑制できる配置と形状を有するリング状のクランプリング６が設けられている。
　更に、図２Ａ、図２Ｃ、図２Ｅに示すように、基板トレイ３のトレイ本体３１の端部（下部）３１ａは、シール部材８０（例えば、Ｏリング）を介してトレイホルダー４の端部（上端）４ａによって保持されている。Ｏリング８０がない場合、トレイ本体３１とトレイホルダー４との接触部分（図２Ａ、図２Ｃの８１の部分），トレイ本体３１と基板Ｓの接触部分（図２Ａ、図２Ｃの８２の部分）の隙間からの冷却ガスが漏れることが想定される。その結果、トレイ本体３１とトレイホルダー４との間に形成される空間における冷却ガスの圧力は上昇しにくい。更に、冷却ガスが漏れる経路が基板トレイと基板間に限定されないので、冷却性能（温度制御）を向上させにくい。
　Ｏリング８０を設置することでトレイ本体３１とトレイホルダー４との接触部分（図２Ａ、図２Ｃの８１の部分）からの冷却ガスの漏れがなくなり，冷却ガスが漏れる経路はトレイ本体３１と基板Ｓとの接触部分（図２Ａ、図２Ｃの８２の部分）に限定される。その結果、冷却ガスを導入した場合，トレイ本体３１とトレイホルダー４との間の空間における冷却ガスの圧力が上昇しやすく、冷却性能（温度制御）が向上する。
　図２Ａ、図２Ｃ、図２Ｅでは、トレイホルダー４の端部（上端）４ａに収容溝を設け、この収容溝内にＯリングを収容した例を示しているが、基板トレイ３のトレイ本体３１の端部（下部）３１ａとトレイホルダー４の端部（上端）４ａとの間に、カーボンシート、テフロン（登録商標）等のシール部材を設けても同様な効果が得られえる。シール部材としては、基板トレイ３とトレイホルダー４との間を真空シール可能なものであれば、Ｏリング以外でもよい。図２Ａ、図２Ｃ、図２Ｅでは、トレイホルダー４の端部（上端）４ａに収容溝を設け、この収容溝内にＯリングを収容した例を示しているが、トレイ本体３１の端部（下端）３１ａに収容溝を設け、この収容溝内にＯリングを収容してもよい。
　クランプリング６はクランプリング支持棒６１に固定されている。クランプリング支持棒６１には、クランプリング上下駆動機構６２が取り付けられており、クランプリング６はクランプリング上下駆動機構６２により、上下動できるようになっている。
　本実施の形態においては、クランプリング６により基板トレイ３の周辺部で基板トレイ３をトレイホルダー４にクランプしている。これにより、基板トレイ３とトレイホルダー４との間からの冷却ガスの漏れを抑制することができ、基板Ｓの冷却性能をより高めることができる。クランプリング６による基板トレイ３のクランプは、例えば、クランプリング上下機構６２を、クランプリング６が基板トレイ３と接触するように上下動させることにより可能である。図２Ｅの８３に示すとおり、クランプリング６は、シール部材８０と対向するトレイ本体３１の周辺部をクランプするように配置することが好ましい。図２Ｆの８４に示すとおり、クランプリング６がシール部材８０より外周を押さえる場合には、シール部材８０を支点にトレイ本体３１が上側に凸になるように反ってしまうことを考慮すべきである。このような反りが生じると、トレイホルダー４と基板保持板３２との間の隙間ｄ１が大きくなり、冷却ガスによる基板Ｓから基板支持板３２、さらには基板支持板３２からトレイホルダー４への熱伝達効率が低下し、基板Ｓの冷却効率が低下する可能性がある。
　ターゲットホルダー５は、金属製部材からなり、電極（カソード電極）として機能する。ターゲットホルダー５は、図示しない絶縁体により保持され、処理チャンバ２１から電気的に絶縁されている。ターゲットホルダー５にはインピーダンスマッチングをおこなうための整合機（Ｍ．Ｂｏｘ）５１を介して高周波電源５２が接続されており、ターゲットホルダー５に高周波電源５２から高周波電力が印加可能になっている。なお、ターゲットＴの種類などに応じて、直流電源をターゲットホルダー５に接続し、直流電力をターゲットＴに印加するようにしてもよい。
　処理チャンバ２１には、プロセスガス（例えば、アルゴン等の不活性ガスと酸素）を導入するガス導入部６が設けられている。ガス導入部６は、例えば、スパッタガス（例えば、Ａｒ）導入に６１と反応性ガス（例えば、酸素））導入部６２が設けられうる。さらに、処理チャンバ２１には、コンダクタンスバルブを介して排気部７が設けられている。排気部７は、例えば、処理チャンバ２１の排気を行うためのＴＭＰ（ターボ分子ポンプ）とクライオポンプとが併用された第１の排気系７１と、ＴＭＰの背圧を下げるためのＲＰ（ロータリーポンプ）からなる第２の排気系７２とを含みうる。第１の排気系７１と第２の排気系とは第１のバルブ７３を介して接続されうる。また、処理チャンバ２１には、第２のバルブ７５を介してＲＰ（ロータリーポンプ）からなる第３の排気系７４が接続されている。また、処理チャンバ２１には、処理室内の圧力を測定するための圧力計８（例えば、ダイアフラムゲージ）が接続されている。
　ターゲットＴと基板トレイ３との間の空間には、成膜動作中にはターゲットホルダー５に印加された電力によりプラズマが形成される。このターゲットＴ、基板トレイ３を保持するトレイホルダー４、および処理チャンバ２１の壁により囲まれた空間を「プロセス空間」と呼称する。処理チャンバ２１の壁に不図示のシールドを設置してもよい。ＬＬ室１には、ＲＰ（ロータリーポンプ）などの大気圧から排気可能なポンプ１２で構成された第４の排気系が第３のバルブ１３を介して接続されており、図示しないベント機構を持っている。ＬＬ室１は基板Ｓを保持した基板トレイ３をＳＰ室２に搬出入するために使用される。
　次に基板トレイ３の構成の説明を説明する。図２Ａ、図２Ｃ、図２Ｅに本発明の１つの実施形態としての基板トレイ３の構成の断面図を示す。基板トレイ３は、トレイ本体３１と、基板Ｓを支持する基板支持部３２ｂを備えた基板支持板３２とを含む。基板支持板３２は磁性板である。トレイ本体３１には開口３６が形成されている。トレイ本体３１は、開口３６の端部に、基板Ｓの周端部を保持する基板保持部３５を備えている。開口３６は、基板Ｓの外径より小さい第１の径を有する第１の開口部３６ａと、第１の開口部３６ａから延びたリング面３６ｒと、リング面３６ｒによって第１の開口部３６ａと接続されており基板Ｓの外径より大きな第２の径を有する第２の開口部３６ｂとを有する。換言すると、基板保持部３５は、第１の開口部３６ａ、第２の開口部３６ｂおよびリング面３６ｒとを含む。基板Ｓは、基板保持部３５のリング面３６ｒと、基板支持板３２の基板支持部３２ｂとで挟持される。基板Ｓの位置は、基板Ｓの外径より大きな第２の径を有する第２の開口部３６ｂによって規制される。これにより基板Ｓが確実に保持される。すなわち、第１の開口部３６ａの中心軸に対して基板が許容される限度を超えてずれて保持され、基板の処理時に後述する冷却ガスが漏れてしまったり、部分的には基板周辺部を必要以上に隠して本来処理されるべきであった基板周辺部が処理されなかったりといった不具合の発生を低減することができる。また、磁石がトレイ本体３１に埋設されることにより基板支持板３２を薄くすることができるため、基板冷却性能を向上させることができる。基板Ｓの処理すべき部分は、第１の開口部３６ａを通して露出する。
　基板支持板３２は磁性材料で構成されている。基板支持板３２を構成する磁性材料としては錆びにくいステンレスなどが好ましく、具体的にはＳＵＳ４３０などがよい。基板トレイ３は大気中に取り出されるため、磁性材料であるだけでなく防錆性を有することは重要である。
　トレイ本体３１には、基板支持板３２をトレイ本体３１に保持するため、基板保持部３５より外側に磁石３３が配設されうる。図２Ａ、図２Ｃ、図２Ｅの例では、トレイ本体３１の内部には片面２極の磁石３３が複数埋め込まれている。片面２極の磁石としたのは、片面１極の磁石に比べて、基板支持板３２をトレイ本体３１に保持するための吸着力が強く、プロセス空間への磁場漏洩を抑制できるためである。この点につき、図３Ａ、３Ｂを用いて説明する。図３Ａはトレイ本体３１に片面２極の磁石３３を２セット埋設した構成例、図３Ｂはトレイ本体３１に片面１極磁石３３を２セット埋設した構成例の説明図である。図３Ａに示すように、片面２極磁石３３の場合、プロセス空間に発生する漏洩磁場は、片面１極磁石３３の場合に比べて小さい。そのため、後述するプロセス空間への磁場漏洩を抑制するヨーク３４の厚さを薄くでき、基板トレイ３の軽量化を図ることができるという技術的意義を有する。
　図３Ａの構成例では、N極とS極とが隣り合う位置で配置されている。Ｎ極から発生する磁力線３３ａは隣のＳ極に引き寄せられて閉じようとする。この時、Ｎ極とＳ極の配置が近い為、トレイ表面の漏洩磁束密度は小さい。一方、図３Ｂの構成例では、図３Ａの構成例に比べてＮ極とＳ極は離れている。この場合、Ｎ極から発生する磁力線３３ｂは、図３Ａの構成例と同様にS極に引き寄せられて閉じようとするが、位置が離れている為、図３Ａの構成例に比べてトレイ表面に発生する漏洩磁束密度は大きくなりやすい。図３Ａの構成例のようにトレイ表面に発生する漏洩磁束密度が小さいと、トレイ表面に異常な放電痕が残らない。
　次に図４を参照して、ヨーク３４が用いられた実施形態を説明する。図４の構成例では、磁石３３のプロセス空間側にはヨーク３４が設置されており、プロセス空間への磁場漏洩が抑制されている。ヨーク３４の材質は、プロセス空間への磁場漏洩を抑制するために透磁率の高い材料であればよく、例えばＳＵＳ４３０などが好適に用いられる。トレイ本体３１内における磁石３３とヨーク３４との固定方法としては、例えば接着剤（具体的にはエポキシ系接着剤）等での接着が用いられるが、基板トレイ３の使用条件下で許容される固定方法であれば他の方法（例えば、ねじ止め）でも構わない。磁石３３の２つの面のうちヨーク３４のない面は基板支持板３２と接触し、トレイ本体３１と脱着できる構成となっている。なお、磁石３３の２つの面のうちヨーク３４のない面は基板支持板３２と接触している必要は必ずしもなく、基板支持板３２と磁石３３との吸着力によりトレイ本体３１と基板支持板３２とで基板Ｓを保持できればよい。
　基板支持板３２には、基板支持板３２のトレイホルダー４側から基板Ｓ側に貫通した貫通孔３２ａが複数あり、この貫通孔３２ａを介して冷却ガスが基板支持板３２と基板Ｓとの間に導入され、基板Ｓと基板支持板３２との間の熱伝達率を向上させることができる。冷却ガスは、基板トレイ３を保持するトレイホルダー４の基板保持面４３に開口した冷却ガス導入路４２を通して、トレイホルダー４と基板支持板３２との間の隙間ｄ１に導入される。この冷却ガスにより基板Ｓから基板支持板３２、さらには基板支持板３２からトレイホルダー４への熱伝達効率が良くなるので、基板Ｓの冷却効率が上昇する。
　トレイ本体３１は非磁性材料で形成されてもよいが、トレイ本体３１を磁性材料で構成して、プロセス空間への漏洩磁場を抑制することも可能である。しかし、磁性材料でトレイ本体３１を構成すると、重量が増加するので基板トレイ３を搬送するためのロボット等のトレイ搬送装置への負担が増加する。また、トレイ本体３１全体を非磁性材料で形成しヨーク３４を省略することも可能である。ヨーク３４を省略しかつプロセス空間への漏洩磁場を抑制するためには、トレイ本体３１を厚くすればよい。しかし、トレイ本体３１を厚くした場合、基板トレイ３の重量が増加する。従って、プロセス空間への漏洩磁場を抑制しながら基板トレイ３の軽量化を図るためには、トレイ本体３１を非磁性材料で構成し、磁石３３と非磁性材料のトレイ本体３１との間にヨーク３４を配置する図４のような構成が望ましい。トレイ本体３に使用する非磁性材料としては軽量材料が望ましく、Ｔｉ（チタン）、カーボン、アルミナ、セラミックス、Ｍｇ合金、Ａｌ、Ａｌ合金などが使用できる。その中でもＴｉ（チタン）、カーボン、アルミナは耐熱性に優れているので、大電力のスパッタ成膜装置などトレイへの熱量の流入が高い場合に特に望ましい。
　図５に磁石３３の配置例を示す。基板Ｓの周囲に片面２極の磁石３３が３つずつ並べられており、これがおおむね基板Ｓに対して回転対称に３組配置されている。磁石３３は厚みの薄い円柱状であり、円形面にＮ極とＳ極がある。磁石３３のＮ極とＳ極との境界線はおおよそ基板Ｓの中心に向かうように配置されている。このようにすると、バランスよく基板Ｓを保持できるので最も好ましい。バランス良く基板Ｓを保持するための複数の磁石３３の配置はこれに限定したものではなく、例えば１つの片面２極磁石３３を回転対象に３箇所、すなわち３つの磁石３３でこれを構成しても良いし、１つの片面２極磁石を回転対象に２箇所、すなわち２つの磁石でこれを構成しても良い。バランスよく基板Ｓを保持するためには回転対称にさえ配置されていれば、磁石３３のＮ極とＳ極の境界線がおおよそ基板Ｓの中心に向かうように配置されていなくても構わない。また、磁石は円形のものだけでなく、棒状、円弧状などのものを用いることもできる。
　また、Ｎ極とＳ極の両方の磁極を基板支持板３２に向けることで基板支持板３２に対する吸着力が高くなり基板保持性能に優れる。また片面２極磁石３３であることで基板保持性能を維持しながら基板トレイ３表面への磁場の漏れを低減することができる。
　例えば図５のように複数の磁石３３を使って基板Ｓを保持する構成の場合、Ｎ極とＳ極とが交互になる様に配置することが望ましい。複数の磁石３３とすることで保持性能が高くなる。さらにＮ極とＳ極が交互になるように配置すれば、この性能をさらに高めることができる。
　ところで、ヨーク３４があることで基板トレイ３の表面における漏洩磁束密度は低減されるが、好ましくはこの漏洩磁場強度が成膜に対して影響を与えるような異常放電を起こさない程度に低減されていることが成膜特性の向上の点から望ましい。
　図６にヨーク３４の厚みとトレイ本体３１の表面の漏洩磁束密度との関係を示す。本実施形態ではヨーク厚みとトレイ本体３１の表面の漏洩磁束密度との関係は曲線２０１のようになっており、例えばヨーク厚み０．３ｍｍである場合には漏洩磁束密度が１３０Ｇａｕｓｓであり、ヨーク厚み０．６ｍｍである場合には漏洩磁束密度が３０Ｇａｕｓｓである。漏洩磁束密度が１００Ｇａｕｓｓを超える領域ではトレイ表面に放電跡が残りうるが、漏洩磁束密度が１００Ｇａｕｓｓ以下の領域においては放電跡が残らない。一例において、ヨーク厚み０．３ｍｍで漏洩磁束密度が１３０Ｇａｕｓｓの場合ではトレイ表面に放電跡が生じたが、ヨーク厚み０．６ｍｍで漏洩磁束密度が３０Ｇａｕｓｓの場合ではトレイ表面に放電跡は見られなかった。
　図９Ａ、９Ｂは、本実施形態の基板トレイ３を用いて８枚の基板Ｓを保持した場合を示す。図９Ａは、基板押さえリングとして機能する上記基板支持板３２を、８枚の基板Ｓを保持できるように一体で形成したものである。図９Ｂは、基板押さえリングとして機能する上記基板支持板３２を、８枚の基板Ｓ毎に形成したものである。漏洩磁束密度の測定は、図１０Ｂに示すように、磁石３３の直上、磁石３３と磁石３３との間で行った。ヨーク３４の厚みが厚いほど漏洩磁場は低減される。成膜のために望ましくない放電をトレイ表面で生じないためには、漏洩磁場が１００ガウス以下の領域が好ましい。なお、トレイ本体３１の表面における漏洩磁束密度は、トレイ表面において垂直磁束密度がおおよそ０ガウスとなる地点における水平磁束密度を測定することにより評価した。
　より詳しくは、片面２極磁石３３をトレイ本体３１に１セット埋設した場合、トレイ上面からみた場合の磁石３３のＮ極とＳ極との間における垂直磁束密度がおおよそ０ガウスとなる地点でのトレイ表面における水平磁束密度をガウスメーターで測定することにより評価した。ガウスメーターとして、東陽テクニカ製の５１８０型ガウスメーターを使用した。磁束密度の測定は、室温において基板支持板３２によりサファイア基板Ｓを保持した状態でおこなった。また、図１０Ａ、１０Ｂに示すように、トレイ本体３１に、片面２極磁石３３を３セット毎、１２０度の等間隔で埋設した場合、トレイ上面からみた場合の１個の片面２極磁石３３のＮ極とＳ極との間における垂直磁束密度がおおよそ０ガウスとなる地点、３セットの片面２極磁石３３の各々の磁石の間における垂直磁束密度がおおよそ０ガウスとなる地点でのトレイ表面における水平磁束密度をガウスメーターで測定することにより評価した。
　図７に、基板温度と、基板トレイ３の裏面（すなわち基板トレイ３の基板支持板３２の裏面）とトレイホルダー４との間の隙間寸法ｄ１との関係を示す。基板Ｓ上にある保護樹脂が温度によって形状変化することを防止するため、基板温度は１００℃以下であることが望ましい。実験結果より、隙間寸法ｄ１が０．１５ｍｍにおいて基板温度は約９０℃であった。隙間寸法ｄ１が０．７ｍｍに広がると、基板温度は約１５０℃まで上昇した。以降、隙間寸法ｄ１が広がるのに伴い基板温度は上昇し、２．５ｍｍの時には約１９０℃まで上昇した。この実験結果から、図７のように、基板温度が１００℃以下となる隙間寸法ｄ１は０．３ｍｍ以下であることが分かった。そのため冷却効果を高めるために基板支持板３２とトレイホルダー４との間の隙間ｄ１は小さいほうがよい。ここで、基板温度を１００℃以下とするためには基板支持板３２とトレイホルダー４との間の距離ｄ１は０．３mm以下が望ましい。この点につき、図２Ｃを用いて説明する。冷却ガス（Ａｒ）は、冷却ガス導入孔４２、貫通孔３２ａを介して基板Ｓの裏面側に導入される。また、冷却ガス（Ａｒ）が、トレイ本体３１からＳＰ室２内のプロセス空間に拡散することを防止するため、トレイ本体３１の端部（下端）３１ａとトレイホルダー４の端部（上端）４ａとは、高い気密性が得られるように固定されることが好ましい。一方、トレイ本体３１の中央部３１ｂとトレイホルダー４の中央部４ｂとは、冷却ガス（Ａｒ）を基板Ｓの裏面側に導入できる程度の隙間があればよい。以上の点から、基板支持板３２とトレイホルダー４との間の隙間ｄ１は０．３ｍｍ以下が望ましい。
　基板を冷却する性能が上がるので隙間ｄ１は小さいほどよい。しかし、基板支持板３２がトレイ本体３１の端部３１ａよりも出っ張ると、冷却ガスがＳＰ室２内のプロセス空間に拡散するので、基板支持板３２をトレイ本体３１に装着した状態で端部３１ａよりも出っ張る部分が無い様にするために必要な設計公差を考慮した寸法であるように、ｄ１の最小値が決定されればよい。また、本実施の形態では冷却ガスとしてＡｒ（アルゴン）を使用したがＨｅ（ヘリウム）や水素などの他の冷却ガスを用いても構わない。
　次に、基板トレイ３に対して基板Ｓおよび基板支持板３２を装着する方法について、図８Ａ、８Ｂを用いて説明する。基板トレイ３に対する基板Ｓおよび基板支持板３２の設置は、ロボットで自動的に行うことができる。はじめに、基板Ｓが複数枚装填されたカセット１０２をカセット用ロードポート１０３ｂに乗せると、カセット１０２はベルトコンベアー１０４によって基板取り出し位置１０５まで搬送される。カセット１０２が基板取り出し位置１０５に配置されると、下方から、基板リフト機構１０６が上昇し、全ての基板Ｓがリフトアップされる。その後、不図示の真空チャック機構を備えた６軸ロボット１０７によって基板Ｓの裏面が真空チャックによって吸着し保持される。その後、基板Ｓのセンター、オリフラの位置出しが行われる。
　基板搬送動作と並行して、トレイ用ロードポート１０８ａ、１０８ｂに装填されている基板トレイ３が、不図示の真空チャック機構を備えた６軸ロボット１１０によって吸着、保持され、基板Ｓと基板支持板３２の設置を行う為のテーブル１１１へ搬送される。その際に、基板トレイ３のセンター、位置出しも行われる。
　６軸ロボット１０７によって保持されている基板Ｓは、成膜される面が下になるようにテーブル１１１に置かれた基板トレイ３に対して設置される。基板トレイ３に基板Ｓが設置されたあと、基板Ｓを保持する為の基板支持板３２がアーム１１３によって保持され、既に基板Ｓが設置された基板トレイ３に対して設置される。基板トレイ３に対する基板Ｓおよび基板支持板３２の設置が完了すると、６軸ロボット１１０によって、基板トレイ３の裏面が吸着保持され、成膜面が上になるように基板トレイ３を裏返し、成膜処理装置のロードポート１１４へ搬送される。
　成膜処理が終了した基板トレイ３は、上記と逆の手順で基板支持板３２と基板Ｓの取り外しが行われ、最終的に基板Ｓが基板カセット１０２に装填されると、ベルトコンベアー１０４によってカセット用アンロードポート１０３ａへ搬送され、回収できる。
　基板Ｓが取り付けられた基板トレイ３はＬＬ室内１に搬送される。ＬＬ室内１は低真空領域まで排気される。排気の完了後、基板トレイ３はＬＬ室１からＳＰ室２へと搬送され、クランプリング６とトレイホルダー４によって固定される。ＳＰ室２は高真空領域まで排気され、その後、ＳＰ（スパッタ）処理が行われる。ＳＰ処理は、プロセスガス、例えばＡｒとＯ２の混合ガスをＳＰ室２に導入してＳＰ室２を所定の圧力にした後に、ターゲットホルダー５に電力を投入し、所定の時間が経過するまでなされる。このときトレイホルダー４内の冷却ガス導入路４２を通じて基板トレイ３の裏面とトレイホルダー４の間の隙間ｄ１（基板トレイ３の基板支持板３２の２つの面のうち、基板保持面とは反対側の面とトレイホルダー４との間の隙間）に冷却ガスが導入される。冷却ガスはさらにこの隙間ｄ１から基板トレイ３の基板支持板３２に設けられた貫通孔３２ａを通じて基板Ｓと基板支持板３２との間の空間に導入される。導入した冷却ガスにより基板Ｓを冷却しながら成膜を行う。成膜終了後、電力、添加ガス、冷却ガスの供給が停止され、基板トレイ３はＳＰ室２からＬＬ室１へと搬送されて、ＬＬ室１内でベントを行い、基板トレイ３が取り出される。
　基板Ｓを保持した基板トレイ３は、ＬＬ室１から取り出され、その後、大気中において基板トレイ３から基板Ｓが取り外される。本実施形態では、トレイ本体３１の磁石３３と基板支持板３２との間に作用する磁力により基板を保持するため、基板Ｓの取り外しが容易であり、自動化をおこなうことも容易であるから、安価な取り外し装置を設定することができる。また、スループットも向上する。従って量産装置において好適である。図１１は、成膜装置における基板トレイの表面側の状態を示す。図１１に示された基板トレイでは、漏洩磁束密度を小さくする為に磁石３３とヨーク３４の厚みを最適化した結果、放電痕は確認されなかった。
　以上に説明したように、基板支持板を磁力によりトレイ本体に保持し、基板保持部と、基板支持部とで基板を保持することにより、パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響を抑制し、熱伝達媒体による冷却性能（温度制御）に優れ、さらに量産装置に対応し基板の脱着を容易することができるという効果がある。更に、基板トレイは、シール部材を介してトレイホルダーに保持されるので、基板トレイとトレイホルダーとの間の冷却ガスもれがなく、冷却ガスが漏れる経路が基板トレイと基板との間に限定されるので、冷却性能（温度制御）に優れるという効果がある。トレイ本体の周辺部をクランプするクランプリングの押し付けにより、トレイ本体の下面とトレイホルダーのトレイ本体支持面とがシール部材により封止されるので、基板トレイとトレイホルダー間の冷却ガスもれがなく、冷却ガスが漏れる経路が基板トレイと基板間に限定されるので、冷却性能（温度制御）に優れるという効果がある。クランプリングが、シール部材と対向するトレイ本体の周辺部をクランプするように配置されているので、シール部材を支点に基板トレイが上側に凸になるように反り、トレイ本体とトレイホルダーとの間の距離が大きくならないので、冷却性能（温度制御）に優れるという効果がある。トレイホルダー及びもしくは基板支持板に、基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するための、ガス導入孔が設けることにより、基板を効率的に冷却することができるという効果がある。
　更に、基板の外径より小さい第１の径を有する第１の開口部と、第１の開口部と連接し前記基板の外径より大きな第２の径を有する第２の開口部を有する基板保持部を形成することにより、基板保持部と基板支持板とにより確実に基板を挟持することができるという効果がある。
　トレイ本体に磁石とともにヨークを埋設することにより、基板支持板３２を薄くできるため、基板冷却性能の向上を図ることができるという効果がある。
　トレイ本体の少なくとも一部に非磁性材料板を埋設し、ヨークを非磁性材料板と磁石との間に設けることにより、ヨークから磁力線が漏れ出た場合にプラズマ処理空間にまで磁力線が作用するのを抑制できるという効果がある。
　トレイ本体を、非磁性材料で形成することにより、ヨークから磁力線が漏れ出た場合にプラズマ処理空間にまで磁力線が作用するのを抑制できるという効果がある。
　トレイ本体をＴｉ（チタン）、カーボンまたはアルミナで形成することにより、基板トレイを軽くできるので、搬送ロボットなどの搬送システムの負担が少なくすることができる。更に、また、トレイ本体をＴｉ（チタン）、カーボンまたはアルミナで形成することにより、基板トレイを耐熱性に優れたものにすることができるので、特にプラズマから基板トレイへの熱量の流入が大きい大電力のスパッタリング成膜に好適であるという効果がある。
　基板支持板の側にＮ極とＳ極の磁極が現れ、基板支持板とは反対側にＳ極とＮ極の磁極が現れる片面２極磁石とすることにより、Ｎ極とＳ極の両方の磁極を基板支持板の側に向けることできるため、基板支持板に対する吸着力が高くなり基板保持性能を向上することができるという効果がある。更に、片面２極磁石とすることで基板保持性能を維持しながらトレイ表面への磁場の漏れを低減できるという効果がある。
　ヨークの厚さを、基板の処理面側のトレイ本体表面において、磁束密度が１００ガウス以下となるように設定することにより、基板処理装置上に異常な放電が生じることを抑制することができるという効果がある。
　片面２極磁石を基板の周囲に等角度で複数Ｎ極とＳ極とが交互になる様に配置することにより、基板の保持性能が高くすることができるという効果がある。
　基板トレイを有する基板処理装置を使用することにより、パーティクルの発生や基板処理への構造物の影響を抑制し、熱伝達媒体による冷却性能（温度制御）に優れた基板処理装置を実現することができるという効果がある。
　トレイホルダーと前記基板支持板に、基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するための、ガス導入孔をそれぞれ設けることにより、基板を効率的に冷却することができるという効果がある。
　更に、基板支持板とトレイホルダーの基板支持部との間に０．３ｍｍ以下の間隙ｄ１を設け、この間隙ｄ１に熱伝達媒体（冷却ガス）を流すことで、基板の冷却性能を高めることができるという効果がある。特にこの部分の隙間を０．３ｍｍ以下とすることで基板の温度をより低減することができ、特に基板上にリフトオフ用のフォトレジストパターンが設けられている場合にダメージを与えない温度、すなわち１００℃以下で成膜することができるという効果がある。
Ｓ　　基板
Ｔ　　ターゲット
ｄ１　隙間
１　ＬＬ室
２　ＳＰ室
３　基板トレイ
４　トレイホルダー
５　ターゲットホルダー
６　クランプリング
７　排気部
８　圧力計
３１　トレイ本体
３２　基板支持板
３２ａ　貫通孔
３２ｂ　基板支持部
３３　磁石
３４　ヨーク
３５　基板保持部
３６　開口
３６ａ　第１の開口部
３６ｂ　第２の開口部
４２　冷却ガス導入路
８０　シール部材
　本発明は上記実施の形態に制限されるものではなく、本発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、本発明の範囲を公にするために、以下の請求項を添付する。
　本願は、２０１２年１０月２２日提出の日本国特許出願特願２０１２－２３２７０５を基礎として優先権を主張するものであり、その記載内容の全てを、ここに援用する。

Claims (8)

  1. 　処理室と、基板を保持する基板トレイを保持するためのトレイホルダーと、前記処理室内にプロセスガスを導入するためのガス導入部ガス導入部と、前記処理室内を排気するための排気部と、を有し、前記基板を処理するための基板処理装置であって、
    　前記基板トレイは、トレイ本体と、前記基板を支持する基板支持部を含む基板支持板と、を備え、
    　前記トレイ本体は、前記基板の処理すべき部分が露出するように前記基板の周端部を保持する基板保持部と、磁力によって前記基板支持板を前記トレイ本体が保持するように、前記基板保持部よりも外側に配置された磁石と、を含み、
    　前記基板トレイは、シール部材を介して前記トレイホルダーによって保持されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 　前記トレイ本体の周辺部をクランプするクランプリングが設けられており、前記クランプリングによる押し付けにより、前記トレイ本体の下面と前記トレイホルダーのトレイ本体支持面とが前記シール部材により封止されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  3. 　前記クランプリングは、前記シール部材と対向する前記トレイ本体の周辺部をクランプするように配置されることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  4. 　前記シール部材が、Ｏリングであることを特徴する請求項１記載の基板処理装置。
  5. 　前記トレイホルダー及び前記基板支持板の少なくとも一方には、前記基板の処理面と反対側の面に冷却ガスを導入するための、ガス導入孔が設けられていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  6. 　前記磁石は、前記トレイ本体に埋設されており、
    　前記トレイ本体には、前記基板の外径より小さい第１の径を有する第１の開口部と、前記第１の開口部から外側に延びたリング面と、前記リング面によって前記第１の開口部と接続されており前記基板の外径より大きな第２の径を有する第２の開口部とが設けられていて、前記基板保持部は、前記第１の開口部、前記第２の開口部および前記リング面により形成されており、前記リング面と前記基板支持部とで前記基板を挟持し、前記第２の開口部によって前記基板の位置を規制することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
  7. 　前記トレイ本体には、ヨークが埋設されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  8. 　前記トレイ本体が、非磁性材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
PCT/JP2013/003462 2012-10-22 2013-05-31 基板処理装置 WO2014064860A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201380055343.1A CN104737283B (zh) 2012-10-22 2013-05-31 基板处理装置
JP2014543119A JP6126620B2 (ja) 2012-10-22 2013-05-31 基板処理装置
KR1020157013090A KR101785178B1 (ko) 2012-10-22 2013-05-31 기판 처리 장치
TW102137720A TWI512885B (zh) 2012-10-22 2013-10-18 Substrate processing device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-232705 2012-10-22
JP2012232705 2012-10-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2014064860A1 true WO2014064860A1 (ja) 2014-05-01

Family

ID=50544249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/003462 WO2014064860A1 (ja) 2012-10-22 2013-05-31 基板処理装置

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP6126620B2 (ja)
KR (1) KR101785178B1 (ja)
CN (1) CN104737283B (ja)
TW (1) TWI512885B (ja)
WO (1) WO2014064860A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097604A (zh) * 2014-05-05 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 工艺腔室

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106048536A (zh) * 2016-06-06 2016-10-26 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸镀装置及待蒸镀基板加工方法
TWI661510B (zh) * 2017-09-06 2019-06-01 京鼎精密科技股份有限公司 晶圓支撐裝置
KR101980004B1 (ko) * 2017-09-22 2019-08-28 주식회사 야스 마스크 시이트와 기판 갭을 최소화하는 기판 고정 유닛
KR20210091557A (ko) * 2020-01-14 2021-07-22 한국알박(주) 트레이용 마그넷 클램프

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186074A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Hitachi Ltd スパッタリング装置
JP2002540011A (ja) * 1998-12-22 2002-11-26 ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基板キャリヤ
JP4095613B2 (ja) * 2005-01-13 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062317A (ja) * 2008-09-03 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 基板載置用トレイ
JP5347868B2 (ja) * 2009-09-24 2013-11-20 東京エレクトロン株式会社 載置台構造及びプラズマ成膜装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08186074A (ja) * 1994-12-28 1996-07-16 Hitachi Ltd スパッタリング装置
JP2002540011A (ja) * 1998-12-22 2002-11-26 ステアーグ ミクロテヒ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 基板キャリヤ
JP4095613B2 (ja) * 2005-01-13 2008-06-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105097604A (zh) * 2014-05-05 2015-11-25 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 工艺腔室

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2014064860A1 (ja) 2016-09-05
CN104737283B (zh) 2017-06-30
KR101785178B1 (ko) 2017-11-06
TWI512885B (zh) 2015-12-11
KR20150070379A (ko) 2015-06-24
CN104737283A (zh) 2015-06-24
JP6126620B2 (ja) 2017-05-10
TW201432845A (zh) 2014-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5873251B2 (ja) 基板トレイ及び該トレイを用いた基板処理装置
US7815782B2 (en) PVD target
JP6126620B2 (ja) 基板処理装置
US8559159B2 (en) Electrostatic chuck and methods of use thereof
WO2009118888A1 (ja) 真空処理装置、当該真空処理装置を用いた画像表示装置の製造方法及び当該真空処理装置により製造される電子装置
US11996315B2 (en) Thin substrate handling via edge clamping
JP5527894B2 (ja) スパッタ装置
KR20170094442A (ko) Pvd 유전체 증착을 위한 장치
JP4185179B2 (ja) スパッタリング装置
JP5334984B2 (ja) スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法
US20220157572A1 (en) Deposition ring for thin substrate handling via edge clamping
JP4619817B2 (ja) 成膜装置用基板台、成膜装置及び成膜方法。
WO2017221650A1 (ja) 成膜方法
JPH0874048A (ja) スパッタ装置
JPH01165770A (ja) ターゲツト電極
JPH0364461A (ja) マグネトロンスパッタターゲット設置部及びそれを用いたマグネトロンスパッタ装置
TW201437397A (zh) 物理蒸氣沉積系統
JPH01147064A (ja) スパッタリング装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13848222

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014543119

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20157013090

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 13848222

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1